TW202315255A - 垂直腔面發射雷射器 - Google Patents

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Abstract

本說明書公開了一種垂直腔面發射雷射器，包括：陣列排列的發光單元，陣列排列的發光單元位於襯底的表面；第一鈍化層，第一鈍化層位於陣列排列的發光單元遠離襯底的表面，第一鈍化層設置有第一過孔；第二鈍化層，第二鈍化層設置有第二過孔；第一焊盤，第一焊盤包括多個第一子焊盤和至少一個第二子焊盤，多個第一子焊盤的數量和陣列排列的發光單元的數量相等，第一子焊盤位於第一鈍化層遠離襯底的一側，通過第一過孔與發光單元連接，第二鈍化層覆蓋多個第一子焊盤和第一鈍化層，第二子焊盤通過第二過孔與第一子焊盤連接。

Description

垂直腔面發射雷射器
本發明涉及半導體技術領域，例如涉及一種垂直腔面發射雷射器。
垂直腔面發射雷射器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)是一種垂直表面出光的新型雷射器，因具有體積小、圓形輸出光斑、閾值電流低、高調製頻率、易於光纖耦合、易於成為大面積陣列等優點，在光通訊、光互連、光訊號處理等領域、手機以及無人駕駛汽車的雷射雷達等領域的應用越來越廣泛。
垂直腔面發射雷射器包括襯底和在襯底表面陣列排列的多個發光單元，受限於結構設置，陣列排列的發光單元中，多個發光單元的同一端共用一個公共焊盤，公共焊盤位於發光單元遠離襯底的一側，不同公共焊盤之間設置有最小間距，且公共焊盤覆蓋該公共焊盤對應的多個發光單元以及該多個發光單元之間的間隔區域，導致不同公共焊盤對應的發光單元之間的間距無法繼續縮小，導致發光單元的密度較稀疏。
本發明提供了一種垂直腔面發射雷射器，以提高垂直腔面發射雷射器中發光單元之間的密度。
本發明提供了一種垂直腔面發射雷射器，包括：襯底； 陣列排列的發光單元，所述陣列排列的發光單元位於所述襯底的表面； 第一鈍化層，所述第一鈍化層位於所述陣列排列的發光單元遠離所述襯底的表面，所述第一鈍化層設置有第一過孔； 第二鈍化層，所述第二鈍化層設置有第二過孔； 第一焊盤，所述第一焊盤包括多個第一子焊盤和至少一個第二子焊盤，所述多個第一子焊盤的數量和所述陣列排列的發光單元的數量相等，所述第一子焊盤位於所述第一鈍化層遠離所述襯底的一側，通過所述第一過孔與所述發光單元連接，所述第二鈍化層覆蓋所述多個第一子焊盤和所述第一鈍化層，所述第二子焊盤通過所述第二過孔與所述第一子焊盤連接。
下面結合圖式和實施例對本發明進行說明。此處所描述的具體實施例僅僅用於解釋本發明。為了便於描述，圖式中僅示出了與本發明相關的部分。
垂直腔面發射雷射器包括陣列排列的多個發光單元，發光單元的密度較稀疏。圖1為相關技術中的一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。圖2為圖1中A1-A2的剖面結構示意圖。示例性的，圖1中示出了襯底10以及襯底10表面的2行發光單元20，每一行發光單元20的第一端共用一個第一焊盤30，第一焊盤30位於發光單元20遠離襯底10的一側，第一焊盤30作為公共焊盤，覆蓋對應的多個發光單元20以及該多個發光單元20之間的區域。如果第一行的發光單元20的第一焊盤30和第二行的發光單元20的第一焊盤30的間距太小，在通過光刻和蝕刻技術形成獨立的第一焊盤30的過程中，分佈在第一行的發光單元20的第一焊盤30和第二行的發光單元20的第一焊盤30的間距的光刻膠的長度與寬度的比值過大，導致光刻膠容易傾斜，因此第一行發光單元20對應的第一焊盤30和第二行發光單元20對應的第一焊盤30之間需要保持最小間距L01大於或等於理論距離。綜上，第二行的發光單元20無法設置在第一行的發光單元20的間隔區域內，或者靠近間隔區域設置，以避免不同行的發光單元20之間的光刻膠容易傾斜的問題。因此，相關技術中不同行發光單元20之間的最小間距無法繼續縮小，導致發光單元20的密度較稀疏。
針對上述技術問題，本發明實施例提供了如下技術手段： 圖3為本發明實施例提供的一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。圖4為圖3中B1-B2方向的一種剖面結構示意圖。參見圖3和圖4，該垂直腔面發射雷射器包括：襯底10；陣列排列的發光單元20，陣列排列的發光單元20位於襯底10的表面；第一鈍化層40，第一鈍化層40位於陣列排列的發光單元20遠離襯底10的表面，第一鈍化層40設置有第一過孔40a；第二鈍化層41，第二鈍化層41設置有第二過孔41a；第一焊盤30，第一焊盤30包括多個第一子焊盤31和至少一個第二子焊盤32，多個第一子焊盤31的數量和陣列排列的發光單元20的數量相等，第一子焊盤31位於第一鈍化層40遠離襯底10的一側，通過第一過孔40a與發光單元20連接，第二鈍化層41覆蓋多個第一子焊盤31和第一鈍化層40，第二子焊盤32通過第二過孔41a與第一子焊盤31連接。
圖3中示例性的示出了2個第一子焊盤31共用一個第二子焊盤32的技術手段，本發明實施例對於共用一個第二子焊盤32的第一子焊盤31的數量不作限定。
圖3中示出的垂直腔面發射雷射器的俯視圖僅僅示出了襯底10、發光單元20、第一焊盤30和第二過孔41a。發光單元20的襯底上可依設計同時保留所需的外延層級，本發明並不做相關限制。
可選的，發光單元20包括第一反射鏡21、有源層22和第二反射鏡23，第一反射鏡21和第二反射鏡23的折射率不同，光學厚度均為四分之一波長奇數倍的半導體材料週期性生長而成，有源層22為量子井發光材料。
可選的，該垂直腔面發射雷射器還包括發光單元上的歐姆金屬層24，發光單元上的歐姆金屬層24位於第一子焊盤31和發光單元20之間，使得發光單元上的歐姆金屬層24和發光單元20的表面具有良好的歐姆接觸。
可選的，第一反射鏡21內還設置有限制氧化層90，限制氧化層90設置為定義氧化孔，即設置為限定發光單元20的發光孔。圖3中的虛線可示意發光孔的位置。
可選的，該垂直腔面發射雷射器還包括一負極（圖式未顯示），設置於襯底10遠離發光單元20的一面。
本發明實施例提供的技術手段，每一個發光單元20遠離襯底10的一側設置有一個獨立的第一子焊盤31，第一子焊盤31位於發光單元20的表面，無需全部覆蓋相鄰的發光單元20的間隔區域，在滿足相鄰第一子焊盤31之間的最小間距L02滿足預設範圍，保證不同第一子焊盤31不發生短路的基礎上，在通過光刻和蝕刻技術形成獨立的第一子焊盤31的過程中，光刻膠可以分佈在相鄰的發光單元20的間隔區域或者在鄰近間隔區域設置，避免了光刻膠的長度與寬度的比值過大，導致光刻膠容易傾斜的問題，且發光單元20可以設置在相鄰的發光單元20的間隔區域或者在鄰近間隔區域設置，進而降低了發光單元20之間的最小間距，增加了襯底10表面可以設置的發光單元20的數量和密度。第二子焊盤32和第一子焊盤31之間間隔有第二鈍化層41，且第二子焊盤32通過第二過孔41a與第一子焊盤31連接，第二子焊盤32無需覆蓋發光單元20，在保證不同第二子焊盤32之間不發生短路的基礎上，可以靈活設置第二子焊盤32的數量和位置。且第二子焊盤32的設置可以實現部分或者全部第一子焊盤31共用一個第二子焊盤32的技術手段，進而可以實現部分或者全部發光單元20共用一個第二子焊盤32的技術手段。且第二子焊盤32的面積越大，第一焊盤30的電阻越小，第一焊盤30承受更大的電流時，可以避免損傷到垂直腔面發射雷射器的電路元件。
圖5為圖3中B1-B2方向的另一種剖面結構示意圖。可選的，參見圖5，該垂直腔面發射雷射器還包括外延層11，外延層11位於襯底10和發光單元20之間；垂直腔面發射雷射器設置有陣列排列的氧化溝槽10a，氧化溝槽10a圍繞發光單元20設置，氧化溝槽10a露出外延層11遠離襯底10的表面。
氧化溝槽10a製作完成後，通過氧化技術，對限制氧化層90所在的膜層進行氧化，以定義出氧化孔。外延層11的表面品質和離子摻雜均勻度優於襯底10，便於形成良率更高的發光單元20。
可選的，外延層11的材料和第二反射鏡23的材料相同。根據設計，外延層11可以包括第二反射鏡23及/或歐姆金屬接觸層。
圖6為本發明實施例提供的又一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。可選的，參見圖6，第二子焊盤32在襯底10的投影和第一子焊盤31在襯底10的投影有交疊。
第二子焊盤32在襯底10的投影和第一子焊盤31在襯底10的投影有交疊，增大了第二子焊盤32的面積，使得第一焊盤30的電阻減小，第一焊盤30承受更大的電流時，可以避免損傷到垂直腔面發射雷射器的電路元件。
圖7為本發明實施例提供的又一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。可選的，參見圖7，垂直腔面發射雷射器還包括多個第一焊盤訊號連接端70（亦即正極）；第i行發光單元20的第二子焊盤32與第一焊盤訊號連接端70連接，i的取值大於或等於1；第i+1行發光單元20的第一子焊盤31設置與第一焊盤訊號連接端70連接。
示例性的，圖7中僅僅示出了2行發光單元，第1行發光單元20的第二子焊盤32與第一焊盤訊號連接端70連接；第2行發光單元20的第一子焊盤31設置與第一焊盤訊號連接端70連接。本發明實施例對於i的取值不作限定。
第i行發光單元20中的第二子焊盤32通過第二過孔41a與第一子焊盤31連接，第二子焊盤32將第一焊盤訊號連接端70的第一電流訊號通過第一子焊盤31傳遞至發光單元20。第i+1行發光單元20中的第一子焊盤31通過第一過孔41a與第二子焊盤32連接，第一子焊盤31將第一焊盤訊號連接端70的第一電流訊號傳遞至發光單元20。
可選的，參見圖7，相互連接的第二子焊盤32與第一焊盤訊號連接端70位於同一層，且材料相同；相互連接的第一子焊盤31與第一焊盤訊號連接端70位於同一層，且材料相同。
相互連接的第二子焊盤32與第一焊盤訊號連接端70位於同一層，且材料相同，可以在製備第二子焊盤32時，同時完成第一焊盤訊號連接端70的製作，簡化了垂直腔面發射雷射器的製備技術。相互連接的第一子焊盤31與第一焊盤訊號連接端70位於同一層，且材料相同，可以在完成第一子焊盤31時，同時完成第一焊盤訊號連接端70的製作，簡化了垂直腔面發射雷射器的製備技術。
圖8為本發明實施例提供的又一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。圖9為圖8中B1-B2方向的剖面結構示意圖。圖10為圖8中C1-C2方向的剖面結構示意圖。圖11為圖8中D1-D2方向的剖面結構示意圖。
可選的，參見圖8至圖11，還包括外延層上的歐姆金屬層50，外延層上的歐姆金屬層50設置於外延層11上，並且與發光單元20連接；第一鈍化層40還設置有歐姆金屬層開口結構40b；外延層上的歐姆金屬層50位於歐姆金屬層開口結構40b內，圍繞發光單元20設置。
可選的，參見圖8至圖11，還包括歐姆金屬層連接端80（亦即負極），歐姆金屬層連接端80與第一焊盤30絕緣設置；第二鈍化層41設置有第三過孔41b；歐姆金屬層連接端80與第二子焊盤32位於同一層，通過第三過孔41b與外延層上的歐姆金屬層50連接。
歐姆金屬層連接端80設置為將第二電流訊號傳遞給外延層上的歐姆金屬層50。第一焊盤30將第一電流訊號施加在第一反射鏡21上。部分或者全部發光單元20可以共用第一焊盤30，每一個發光單元20的第二反射鏡23通過外延層上的歐姆金屬層50來獲得第二電流訊號。在電流訊號的作用下有源層22發光，發出的光在第一反射鏡21和第二反射鏡23之間進行反射後從第一反射鏡21出射。
可選的，在上述技術手段的基礎上，參見圖5，發光單元20包括發射窗口20a和圍繞發射窗口20a的邊緣區域20b；第一子焊盤31設置有發光窗口31a，發光窗口31a在襯底10的投影和發射窗口20a在襯底10的投影重合。
第一子焊盤31設置有發光窗口31a，發光窗口31a在襯底10的投影和發射窗口20a在襯底10的投影重合，可以避免第一子焊盤31對於從發射窗口20a出射的光進行阻擋，從而提高了垂直腔面發射雷射器的出光效率。
可選的，在上述技術手段的基礎上，參見圖5，第二子焊盤32在襯底10的投影和發射窗口20a在襯底10的投影無交疊。
第二子焊盤32在襯底10的投影和發射窗口20a在襯底10的投影無交疊，可以避免第二子焊盤32對於從發射窗口20a出射的光進行阻擋，從而提高了垂直腔面發射雷射器的出光效率。
可選的，在上述技術手段的基礎上，參見圖3，第一子焊盤31圍繞發光單元20設置，第一子焊盤31關於發光單元20的中心對稱設置。
第一子焊盤31圍繞發光單元20設置，第一子焊盤31關於發光單元20的中心對稱設置，可以簡化第一子焊盤31的佈局難度。
可選的，在上述技術手段的基礎上，第一子焊盤31在襯底10所在平面的截面圖形包括圓形、正多邊形、矩形、以及菱形中的任一一種，上述圖形屬於中心對稱圖形，可以在簡化第一子焊盤31的佈局難度的基礎上，降低了第一子焊盤31的製作難度。
圖12為本發明實施例提供的又一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。示例性的，圖12是以圖3示出的垂直腔面發射雷射器的俯視圖為例進行改進的。可選的，在上述技術手段的基礎上，參見圖12，相鄰兩行的發光單元20的中心的連線之間的間距L1小於同一行相鄰發光單元20的中心之間的間距L2。
在上述技術手段的基礎上，相鄰兩行的發光單元20的中心的連線之間的間距L1小於同一行相鄰發光單元20的中心之間的間距L2，可以使得發光單元20設置在相鄰的發光單元20的間隔區域或者在鄰近間隔區域設置，進而降低了發光單元20之間的最小間距，增加了襯底10表面可以設置的發光單元20的數量和密度。
圖13為本發明實施例提供的又一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。示例性的，圖13是以圖3示出的垂直腔面發射雷射器的俯視圖為例進行改進的。可選的，在上述技術手段的基礎上，參見圖13，相鄰兩列的發光單元20的中心的連線L3之間的間距小於同一列相鄰發光單元20的中心之間的間距L4。
在上述技術手段的基礎上，相鄰兩列的發光單元20的中心的連線L3之間的間距小於同一列相鄰發光單元20的中心之間的間距L4，在滿足相鄰第一子焊盤31之間的最小間距L02滿足預設範圍，保證不同第一子焊盤31不發生短路的基礎上，在通過光刻和蝕刻技術形成獨立的第一子焊盤31的過程中，光刻膠可以分佈在相鄰的發光單元20的間隔區域或者在鄰近間隔區域設置，避免了光刻膠的長度與寬度的比值過大，導致光刻膠容易傾斜的問題，且可以使得發光單元20設置在相鄰的發光單元20的間隔區域或者在鄰近間隔區域設置，進而降低了發光單元20之間的最小間距，增加了襯底10表面可以設置的發光單元20的數量和密度。
圖14為本發明實施例提供的又一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。示例性的，圖14是以圖3示出的垂直腔面發射雷射器的俯視圖為例進行改進的。可選的，在上述技術手段的基礎上，參見圖14，相鄰兩行的發光單元20的中心的連線之間的間距L1與2的乘積等於同一行相鄰發光單元20的中心之間的間距L2，且第A (i+1) (j+1)個發光單元20的中心到第A i j個發光單元20的中心的距離L5等於第A (i+1) (j+1)個發光單元20的中心到第A (i) (j+2)個發光單元20的中心的距離L5，i的取值包括大於或等於1的整數，j的取值包括大於或等於1的整數。
圖14示例性的示出了圓心分別為O1、O2、O3和O4的4個發光單元20。4個發光單元20呈2行4列的陣列排列。當i的取值為1，j的取值為2時，第A (i+1) (j+1)個發光單元20的中心O2到第A i j個發光單元20的中心O1的距離L5等於第A (i+1) (j+1)個發光單元20的中心O2到第A (i) (j+2)個發光單元20的中心O3的距離L5。且相鄰兩行的發光單元20的中心的連線之間的間距L1與2的乘積等於同一行相鄰發光單元20的中心之間的間距L2。其中，O2-C之間的距離為O2、O3和O4構成的三角形的高線，等於相鄰兩行的發光單元20的中心的連線之間的間距L1。即在相鄰兩行的發光單元20的中心的連線之間的間距L1與2的乘積等於同一行相鄰發光單元20的中心之間的間距L2的基礎上，第A (i+1) (j+1)個發光單元20的中心可以設置在與同行相鄰的第A (i+1) (j+1)個發光單元20和第A (i) (j+2)個發光單元20的中心連線O1-O3垂直的中線上，在滿足相鄰第一子焊盤31之間的最小間距L02滿足預設範圍，保證不同第一子焊盤31不發生短路的基礎上，在通過光刻和蝕刻技術形成獨立的第一子焊盤31的過程中，光刻膠可以分佈在相鄰的發光單元20的間隔區域或者在鄰近間隔區域設置，避免了光刻膠的長度與寬度的比值過大，導致光刻膠容易傾斜的問題，且降低了相鄰兩個發光單元20之間的最小間距，增加了襯底10表面可以設置的發光單元20的數量和密度。
圖15為本發明實施例提供的又一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。示例性的，圖15是以圖3示出的垂直腔面發射雷射器的俯視圖為例進行改進的。可選的，在上述技術手段的基礎上，參見圖15，相鄰兩列的發光單元20的中心的連線之間的間距L3與2的乘積等於同一列相鄰發光單元20的中心之間的間距L4，且第A (i+1) (j+1)個發光單元20的中心O6到第A i j個發光單元20的中心O5的距離L6等於第A (i+1) (j+1)個發光單元20的中心O6到第A (i+2) (j)個發光單元20的中心O7的距離L6，i的取值包括大於或等於1的整數，j的取值包括大於或等於1的整數。
圖15示例性的示出了圓心分別為O5、O6、O7和O8的4個發光單元20。4個發光單元20呈3行3列的陣列排列。i的取值為1，j的取值為2，第A (i+1) (j+1)個發光單元20的中心O2到第A i j個發光單元20的中心O1的距離L5等於第A (i+1) (j+1)個發光單元20的中心O2到第A (i+2) (j)個發光單元20的中心O3的距離L5。且相鄰兩列的發光單元20的中心的連線之間的間距L3與2的乘積等於同一列相鄰發光單元20的中心之間的間距L4。其中，O2-C之間的距離為O2、O3和O4構成的三角形的高線，等於相鄰兩列的發光單元20的中心的連線之間的間距L3。即相鄰兩列的發光單元20的中心的連線之間的間距L3與2的乘積等於同一列相鄰發光單元20的中心之間的間距L4基礎上，第A (i+1) (j+1)個發光單元20的中心O6可以設置在與同列相鄰的第A i j個發光單元20和第A (i+2) (j)個發光單元20的中心連線O5-O7垂直的中線上，在滿足相鄰第一子焊盤31之間的最小間距L02滿足預設範圍，保證不同第一子焊盤31不發生短路的基礎上，在通過光刻和蝕刻技術形成獨立的第一子焊盤31的過程中，光刻膠可以分佈在相鄰的發光單元20的間隔區域或者在鄰近間隔區域設置，避免了光刻膠的長度與寬度的比值過大，導致光刻膠容易傾斜的問題，且降低了相鄰兩個發光單元20之間的最小間距，增加了襯底10表面可以設置的發光單元20的數量和密度。
10:襯底 20:發光單元 20a:發射窗口 30:第一焊盤 31:第一子焊盤 31a:發光窗口 32:第二子焊盤 41a:第二過孔 B1,B2:剖面方向 L02:相鄰第一子焊盤之間的最小間距
〔圖1〕為相關技術中的一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。 〔圖2〕為圖1中A1-A2的剖面結構示意圖。 〔圖3〕為本發明實施例提供的一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。 〔圖4〕為圖3中B1-B2方向的一種剖面結構示意圖。 〔圖5〕為圖3中B1-B2方向的另一種剖面結構示意圖。 〔圖6〕為本發明實施例提供的又一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。 〔圖7〕為本發明實施例提供的又一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。 〔圖8〕為本發明實施例提供的又一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。 〔圖9〕為圖8中B1-B2方向的剖面結構示意圖。 〔圖10〕為圖8中C1-C2方向的剖面結構示意圖。 〔圖11〕為圖8中D1-D2方向的剖面結構示意圖。 〔圖12〕為本發明實施例提供的又一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。 〔圖13〕為本發明實施例提供的又一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。 〔圖14〕為本發明實施例提供的又一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。 〔圖15〕為本發明實施例提供的又一種垂直腔面發射雷射器的俯視圖。
10:襯底
20:發光單元
20a:發射窗口
30:第一焊盤
31:第一子焊盤
31a:發光窗口
32:第二子焊盤
41a:第二過孔
B1,B2:剖面方向
L02:相鄰第一子焊盤之間的最小間距

Claims (15)

  1. 一種垂直腔面發射雷射器，其特徵係包括： 襯底； 陣列排列的發光單元，該陣列排列的發光單元位於該襯底的表面； 第一鈍化層，該第一鈍化層位於該陣列排列的發光單元遠離該襯底的表面，該第一鈍化層設置有第一過孔； 第二鈍化層，該第二鈍化層設置有第二過孔； 第一焊盤，該第一焊盤包括多個第一子焊盤和至少一個第二子焊盤，該多個第一子焊盤的數量和該陣列排列的發光單元的數量相等，該第一子焊盤位於該第一鈍化層遠離該襯底的一側，通過該第一過孔與該發光單元連接，該第二鈍化層覆蓋該多個第一子焊盤和該第一鈍化層，該第二子焊盤通過該第二過孔與該第一子焊盤連接。
  2. 如請求項1所述之垂直腔面發射雷射器，其中，還包括外延層，該外延層位於該襯底和該陣列排列的發光單元之間； 該垂直腔面發射雷射器設置有陣列排列的氧化溝槽，該氧化溝槽圍繞該發光單元設置，該氧化溝槽露出該外延層遠離該襯底的表面。
  3. 如請求項1所述之垂直腔面發射雷射器，其中，該第二子焊盤在該襯底的投影和該第一子焊盤在該襯底的投影有交疊。
  4. 如請求項1所述之垂直腔面發射雷射器，其中，還包括多個第一焊盤訊號連接端； 第i行該發光單元的第二子焊盤與該第一焊盤訊號連接端連接，該i的取值大於或等於1； 第i+1行該發光單元的第一子焊盤設置與該第一焊盤訊號連接端連接。
  5. 如請求項4所述之垂直腔面發射雷射器，其中，相互連接的第二子焊盤與第一焊盤訊號連接端位於同一層，且材料相同； 相互連接的第一子焊盤與第一焊盤訊號連接端位於同一層，且材料相同。
  6. 如請求項1所述之垂直腔面發射雷射器，其中，還包括外延層上的歐姆金屬層，該外延層上的歐姆金屬層與該發光單元連接； 該第一鈍化層還設置有歐姆金屬層開口結構； 該外延層上的歐姆金屬層位於該歐姆金屬層開口結構內，圍繞該發光單元設置。
  7. 如請求項6所述之垂直腔面發射雷射器，其中，還包括歐姆金屬層連接端，該歐姆金屬層連接端與該第一焊盤絕緣設置； 該第二鈍化層設置有第三過孔； 該歐姆金屬層連接端與該第二子焊盤位於同一層，通過該第三過孔與該外延層上的歐姆金屬層連接。
  8. 如請求項1所述之垂直腔面發射雷射器，其中，該發光單元包括發射窗口和圍繞該發射窗口的邊緣區域； 該第一子焊盤設置有發光窗口，該發光窗口在該襯底的投影和該發射窗口在該襯底的投影重合。
  9. 如請求項8所述之垂直腔面發射雷射器，其中，該第二子焊盤在該襯底的投影和該發射窗口在該襯底的投影無交疊。
  10. 如請求項8所述之垂直腔面發射雷射器，其中，該第一子焊盤圍繞該發光單元設置，該第一子焊盤關於該發光單元的中心對稱設置。
  11. 如請求項10所述之垂直腔面發射雷射器，其中，該第一子焊盤在該襯底所在平面的截面圖形包括圓形、正多邊形、矩形、以及菱形中的一種。
  12. 如請求項1至11中任一項所述之垂直腔面發射雷射器，其中，相鄰兩行的發光單元的中心的連線之間的間距小於同一行相鄰發光單元的中心之間的間距。
  13. 如請求項1至11中任一項所述之垂直腔面發射雷射器，其中，相鄰兩列的發光單元的中心的連線之間的間距小於同一列相鄰發光單元的中心之間的間距。
  14. 如請求項12所述之垂直腔面發射雷射器，其中，相鄰兩行的發光單元的中心的連線之間的間距與2的乘積等於同一行相鄰發光單元的中心之間的間距，且第A (i+1) (j+1)個發光單元的中心到第A i j個發光單元的中心的距離等於第A (i+1) (j+1)個發光單元的中心到第A (i) (j+2)個發光單元的中心的距離，i的取值包括大於或等於1的整數，j的取值包括大於或等於1的整數。
  15. 如請求項13所述之垂直腔面發射雷射器，其中，相鄰兩列的發光單元的中心的連線之間的間距與2的乘積等於同一列相鄰發光單元的中心之間的間距，且第A (i+1) (j+1)個發光單元的中心到第A i j個發光單元的中心的距離等於第A (i+1) (j+1)個發光單元的中心到第A (i+2) (j)個發光單元的中心的距離，i的取值包括大於或等於1的整數，j的取值包括大於或等於1的整數。
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