TW202315039A - 多層堆疊式聲波（ａｗ）濾波器封裝以及相關製造方法 - Google Patents

多層堆疊式聲波（ａｗ）濾波器封裝以及相關製造方法 Download PDF

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Abstract

一種包括堆疊在第二聲波（AW）濾波器上的第一AW濾波器的多層堆疊式AW濾波器封裝採用半導體製造方法和結構，包括包含用於將觸點表面耦合到第二AW濾波器的互連的金屬化層。每一AW濾波器在半導體基板上包括AW濾波器電路。設置在該基板上的框架上的第二基板保護該AW濾波器電路。在多層AW濾波器封裝中，第一AW濾波器的第二基板包括具有與半導體基板相似的膨脹率的玻璃基板。將第二AW濾波器耦合到該觸點表面的互連被設置在絕緣體上，該絕緣體在第一AW濾波器的半導體基板的側壁表面上以用於隔離。在包括單個AW濾波器的堆疊式AW濾波器封裝中，該互連將該觸點表面耦合至該AW濾波器。

Description

多層堆疊式聲波（AW）濾波器封裝以及相關製造方法
本案的領域係關於聲波（AW）濾波器封裝，在基板上包括具有AW濾波器電路的AW濾波器以及堆疊包括AW濾波器電路的基板。
行動無線設備的製造商可藉由提升每一代設備的功能能力使新設備對購買者具有吸引力。提升設備的能力通常需要增加更多的電路系統，其佔用更多的空間，但掌上型設備的設備尺寸例如基於人手的大小，這是保持不變的。用於在不增加設備尺寸的情況下達成功能提升的方法包括減少提供功能能力的電路的尺寸使得更多的電路可被容適到設備的內部空間中。減小電晶體和電線的面積可增加電路密度，從而使減小半導體晶片的尺寸或在給定尺寸的半導體晶片上放置更多的電路系統成為可能。用於增加封裝中積體電路（IC）數目的另一方法是三維（3D）IC堆疊。藉由此方法，先前由並排放置的兩個IC所佔的面積可藉由在相同的水平區域中將一個IC垂直堆疊到另一個IC上來減少（例如，削減一半），從而導致僅增加了少量的封裝高度。堆疊式IC中的主動電路被包絡在金屬、介電材料、絕緣體及/或模塑化合物的層中，並且在封裝中堆疊IC可能不會顯著干擾其操作。
掌上型設備還包括包含射頻（RF）電路的無線設備。RF電路包括習知被形成為包含聲波（AW）濾波器電路的AW裝置的類比濾波器。AW濾波器電路的示例包括表面聲波（SAW）濾波器電路和體聲波（BAW）濾波器電路。AW濾波器電路將電輸入信號轉換為壓電材料中的聲波。在一個示例中，SAW濾波器電路包括壓電材料的表面上的被配置成接收RF信號的第一叉指式換能器（IDT）以及在該表面上的被配置成產生經濾波RF信號的第二IDT。該RF信號被轉換成穿過壓電材料的表面從第一IDT傳播到第二IDT的聲波。SAW濾波器電路中的聲波需要被保護以避免物理接觸，物理接觸可能干擾波傳播。藉由在基板的表面上方提供腔或空隙來提供該保護。由於此類腔對於保護AW濾波器電路而言是必要的並且堆疊式IC不需要此類腔，因此AW濾波器裝置並未被藉由3D IC堆疊中使用的習知方法堆疊。
在詳細描述中所揭示的示例性態樣包括多層堆疊式聲波（AW）濾波器封裝，其包括用於支援堆疊式AW濾波器的結構。還揭示相關製造方法。本文揭露的支援多層堆疊式AW濾波器封裝的某些結構和製造方法也可被用於僅包括單個AW濾波器的AW濾波器封裝中。就此，本文所揭示的AW濾波器封裝包括一或多個AW濾波器，每一AW濾波器包括第一基板，該第一基板包括其上設置有至少一個AW濾波器電路的第一表面（例如，壓電材料）。每一AW濾波器電路包括第一和第二叉指式換能器（IDT）以提供射頻（RF）信號濾波。每一AW濾波器還包括耦合至該第一基板並圍繞至少一個AW濾波器電路的框架。設置在該框架上的第二基板（例如，蓋基板）在第一基板與第二基板之間的框架內部包圍空氣腔。在一個示例性態樣中，AW濾波器封裝包括多層AW濾波器封裝，其包括以堆疊式佈置在垂直方向上堆疊的多個AW濾波器以包括多個濾波器電路以對多個頻率或頻帶進行濾波。多層AW濾波器封裝包括設置在第一基板上的第一頂部AW濾波器（包括至少第一AW濾波器電路）以及設置在第一基板上的第一框架上的第二基板。設置在設置於第三基板上的第二框架上的第一基板包圍包括至少第二AW濾波器電路的第二底部AW濾波器以形成多層AW濾波器封裝。該第一基板和該第三基板可由半導體材料形成來作為半導體基板。將第一基板和第三基板製造成半導體基板可允許使用製造半導體晶粒封裝所使用的半導體製造製程和技術來製造AW濾波器封裝。
在多層AW濾波器封裝的第一示例性態樣中，為第一AW濾波器提供的金屬互連與為第二AW濾波器提供的金屬互連分開以提供用於在各自的AW濾波器電路中接收來自第二基板的觸點表面上的觸點焊盤的RF信號以及向觸點表面上的觸點焊盤提供各自經濾波的RF信號的單獨的信號路徑。就此，以金屬化垂直互連通道（通孔）形式的第一金屬互連被設置成穿過第二基板到達第一基板的表面以為第一頂部AW濾波器提供互連路徑。此外，在堆疊式AW濾波器的外周壁上形成包括第二金屬互連的金屬化層以為第二底部AW濾波器的AW濾波器電路提供與第一頂部AW濾波器的互連路徑在物理上和電學上分開的互連路徑。該金屬化層的第二金屬互連在第二底部AW濾波器電路和第一頂部AW濾波器的第二基板的觸點表面上的第一觸點焊盤之間提供互連路徑。在AW濾波器封裝中形成AW濾波器的互連路徑來作為金屬化層（諸如重分佈層（RDL））中的金屬互連允許採用金屬化層製造製程（例如，RDL製造製程）來製造AW濾波器封裝。金屬化層中的金屬互連可被用於為AW濾波器的互連路徑提供金屬互連，即使在只包括單個AW濾波器而不包括堆疊式AW濾波器的AW濾波器封裝中。此外，在多層AW濾波器封裝的示例中，第二基板、第一基板和第三基板的側壁表面可在水平方向上交錯以支持在堆疊式AW濾波器的外周壁上形成金屬化層以提供從第二基板的觸點表面上的觸點焊盤到第二底部AW濾波器電路的互連路徑。交錯的側壁表面在第一基板上建立從第二基板向外延伸的肩部區域，並且在多層AW濾波器封裝中在第三基板上建立從AW濾波器封裝的第一基板向外延伸的下肩部區域。交錯的側壁表面為在堆疊式AW濾波器的外周壁上形成金屬互連提供支援並且避免產生其中無法形成金屬互連的「負暴露」區域的交疊。
在多層AW濾波器封裝的另一示例性態樣中，在堆疊式AW濾波器的外周壁上形成金屬互連（例如RDL互連）以提供從第二基板的觸點表面到第二底部AW濾波器的互連路徑，該互連路徑必然地延伸到第一頂部AW濾波器的第一基板的外壁上，之後向下延伸至第二底部AW濾波器的第三基板。第一頂部AW濾波器的第一基板被設置在第二基板和第二底部AW濾波器的第三基板之間。因此，在從第二基板上的觸點焊盤向下到達第二AW濾波器的第三基板的互連路徑中的第二金屬互連中攜帶的電信號可與第一頂部AW濾波器的第一基板形成電接觸，從而導致第二金屬互連和第一頂部AW濾波器的至少一個AW濾波器電路之間的洩漏電流路徑。洩漏電流可干擾第一基板和第三基板上的AW濾波器電路的效能。就此，在另一示例性態樣中，一或多個絕緣層被設置在第一基板和第二金屬互連之間的堆疊式AW濾波器的外周壁上。第二金屬互連被形成在設置於堆疊式AW濾波器的外周壁上的一或多個絕緣層之上。以此方式，第二金屬互連所攜帶的電信號與第一頂部AW濾波器的第一基板隔離和絕緣。
在AW濾波器封裝的另一示例性態樣中，第一頂部AW濾波器的第二基板可由玻璃材料製成，該玻璃材料可被雷射處理以允許在第二基板中形成精確開口以形成用於第一金屬互連到第一AW濾波器電路的金屬化通孔。玻璃第二基板也可為AW濾波器封裝有利地提供機械穩健性和穩定性。例如，玻璃的熱膨脹係數（CTE）高於習知用來形成第二基板的聚合物材料的CTE。特別是對於其中以堆疊式佈置在每個基板上形成多個AW濾波器腔的堆疊式多層AW濾波器封裝而言，為AW濾波器封裝提供機械穩定性以避免由於濾波器腔中的偏轉而導致的第二基板或第一基板的任何斷裂是重要的。此外，使用玻璃第二基板可以為減小厚度的基板提供機械穩定性，減小厚度的基本用以將AW濾波器封裝的整體高度保持在期望的高度預算內。
在一個示例性態樣中，揭示一種堆疊式AW濾波器封裝。該堆疊式AW濾波器封裝包括：包括第一表面的第一基板；在該第一基板的該第一表面上的AW濾波器電路；設置在該第一基板的該第一表面上的框架；包括觸點表面和側壁表面的第二基板，該第二基板被設置在該框架上以在該AW濾波器電路和該第二基板之間形成腔；及包括耦合至該第二基板的該觸點表面和該第一基板的該第一表面的至少一個金屬互連的金屬化層，該至少一個金屬互連被設置在該第二基板的該側壁表面上。
在另一示例性態樣中，揭示一種製造堆疊式AW濾波器封裝的方法。該方法包括：形成包括第一表面的第一基板；在該第一基板的該第一表面上形成AW濾波器電路；在該第一基板的該第一表面上形成框架；形成包括觸點表面和側壁表面的第二基板；將該第二基板設置在該框架上以在該AW濾波器電路和該第二基板之間形成腔；及形成包括耦合至該第二基板的該觸點表面和該第一基板的該第一表面的至少一個金屬互連的金屬化層，該至少一個金屬互連被設置在該第二基板的該側壁表面上。
在另一示例性態樣中，揭示一種堆疊式AW濾波器封裝。該堆疊式AW濾波器封裝包括：包括第一表面和側壁表面的第一基板；在該第一基板的該第一表面上的第一AW濾波器電路；設置在該第一基板的該第一表面上的第一框架；包括觸點表面和側壁表面的第二基板，該第二基板被堆疊在該第一框架上以在該第一AW濾波器電路與該第二基板之間形成腔；第三基板，該第三基板在該第三基板的第二表面上包括第二AW濾波器電路；設置在該第三基板的該第二表面上的第二框架；設置在該第二框架上以在該第二AW濾波器電路和該第一基板之間形成第二腔的該第一基板；包括耦合至該第二基板的該觸點表面和該第三基板的該第二表面的至少一個金屬互連的金屬化層，該至少一個金屬互連被設置在該第一基板的該側壁表面上；及設置在該第一基板的該側壁表面上、在該第一基板的該側壁表面與該至少一個金屬互連之間的絕緣體。
在另一示例性態樣中，揭示一種製造堆疊式AW濾波器封裝的方法。該方法包括：形成包括第一表面和側壁表面的第一基板；在該第一基板的該第一表面上形成第一AW濾波器電路；在該第一基板的該第一表面上形成第一框架；形成包括觸點表面和側壁表面的第二基板；將該第二基板設置在該第一框架上以在該第一AW濾波器電路與該第二基板之間形成第一腔；形成第三基板，該第三基板在該第三基板的第二表面上包括第二AW濾波器電路；在該第三基板的該第二表面上形成第二框架；將該第一基板設置在該第二框架上以在該第二AW濾波器電路和該第一基板之間形成第二腔；在該第一基板的該側壁表面上形成絕緣體；及形成包括耦合至該第二基板的該觸點表面和該第三基板的該第二表面的至少一個金屬互連的金屬化層，該至少一個金屬互連被設置在該第一基板的該側壁表面上的該絕緣體上。
現在參照附圖，描述本案的若干示例性態樣。措辭「示例性」在本文中用於表示「用作示例、實例、或说明」。本文中描述為「示例性」的任何態樣不一定被解釋為優於或勝過其他態樣。
在討論如圖2A-2C中所说明的具有一或多個聲波（AW）濾波器（每一AW濾波器包括第一基板上的至少一個AW濾波器以及設置在框架上以在AW濾波器電路上方提供保護腔的第二基板（例如，蓋基板））的堆疊式AW濾波器封裝的示例性態樣之前，討論圖1。圖1是可在堆疊式AW濾波器封裝中的AW濾波器104中採用的第一基板102上的表面聲波（SAW）濾波器電路100的说明。儘管這裡未示出，AW濾波器104將包括設置在第一基板102上的框架上的第二基板以形成腔來保護AW濾波器電路100免受聲學干擾，如本文所揭示的。就此，圖1是AW濾波器104的透視圖，其被配置成使輸入射頻（RF）信號的某些頻率範圍通過同時阻擋其他頻率。例如，AW濾波器104可被包括在包括RF傳輸/接收電路系統和天線的另一積體電路（IC）封裝中，其中SAW濾波器電路100用於對所傳送的及/或接收到的RF信號進行濾波。在此示例中，第一基板102包括形成第一表面108的壓電材料106。第一叉指式換能器（IDT）110（1）被設置在第一基板102的第一表面108上作為輸入電路。第二IDT 110（2）也被設置在第一基板102的第一表面108上作為與第一IDT 110（1）毗鄰的輸出電路。第一IDT 110（1）被配置成分別藉由耦合至第一金屬觸點116A、116B的第一金屬互連114A、114B來接收輸入RF信號112。第一基板102上的第一金屬觸點116A、116B（例如，焊料凸塊、焊球）連接到第一IDT（1）。第一IDT 110（1）包括叉指式金屬互連118A、118B（例如，金屬線、金屬跡線）並且被配置成將接收到的電輸入RF信號112轉換為聲波，該聲波在第一基板102的第一表面108上從第一IDT 110（1）傳播到第二IDT 110（2）。第一IDT 110（1）被配置成在第一表面108上發射聲波，並且第二IDT 110（2）被配置成接收經濾波的聲波並且將該經濾波的聲波轉換成經濾波的RF信號120。第二IDT 110（2）包括分別耦合至第二金屬觸點124A、124B的叉指式金屬互連122A、122B，其將經濾波的RF信號120提供到第二金屬互連126A、126B。在一些示例中，對應於第一基板102的SAW基板可包括多個SAW濾波器電路100。類似地，體聲波（BAW）基板可包括多個BAW濾波器電路。
本文所揭示的示例性態樣支持如圖2A-2C中的橫截面側視圖中所示的多層堆疊式AW濾波器封裝20，其包括第一頂部AW濾波器202（「第一AW濾波器202」）和第二底部AW濾波器204（「第二AW濾波器204」），其分別包括第一基板206和第三基板212，第一基板206包括設置在其第一表面210上的至少一個第一AW濾波器電路208，第三基板212包括設置在第二表面216上的至少一個第二AW濾波器電路214。第一基板206和第三基板212分別包括設置在其上的第一AW濾波器電路208以及第二AW濾波器電路214。多層堆疊式AW濾波器封裝200在此也可被稱為「堆疊式AW濾波器封裝200」或「AW濾波器封裝200」。
第一AW濾波器電路208和第二AW濾波器電路214各自提供RF信號濾波。第一AW濾波器202包括耦合至第一基板206且圍繞至少一個第一AW濾波器電路208的第一框架218。設置在第一框架218上的第二基板220包圍在第一AW濾波器電路208上方、在第一框架218內部且在第一基板206和蓋基板220之間的第一腔222（例如，氣腔）。第二基板220藉由被設置在第一框架218上形成在此處也可被稱為「蓋基板220」的蓋結構。第二AW濾波器204包括耦合至第三基板212且圍繞至少一個第二AW濾波器電路214的第二框架224。第一AW濾波器202的第一基板206被設置在第二框架224上以提供包圍在第二框架224內部在第一基板206和第三基板212之間的第二腔226（例如，氣腔）的蓋結構。就此，多層AW濾波器封裝200包括以堆疊式佈置在垂直方向上堆疊的多個AW濾波器以包括多個濾波器電路以對多個頻率或頻帶進行濾波。
第一基板206和第三基板212可由半導體材料形成作為半導體基板213，以利用用於製造半導體晶粒封裝的半導體製造製程和技術的優點，其可比其中基板由壓電材料形成的一般製程更便宜。製造第一基板206和第三基板212包括形成半導體基板213，諸如矽基板，其中第一和第二表面210、216包括壓電材料228。壓電材料228可以是設置在第一基板206和第三基板212上的任何合適的壓電材料，包括但不限於：石英、鉭酸鋰（LiTaO3）、鈮酸鋰（LiNbO3）、氮化鋁（AlN）、摻雜鈧的AlN（AlNSc）、鈦酸鋇（BaTiO3），以及氧化鋅（ZnO）。
在多層AW濾波器封裝220中，第一金屬互連230提供供第一AW濾波器接收RF信號以及將經濾波RF信號發送到蓋基板220的觸點表面234的互連路徑（「信號路徑」）232。第一金屬互連230與提供用於第二AW濾波器204的信號路徑238的至少一個第二金屬互連236分開。就此，第一金屬互連230是被設置成穿過蓋基板220向下到達第一基板206的第一表面210的金屬化垂直互連通路（通孔）240的形式，以提供用於第一AW濾波器電路208的信號路徑232。此外，金屬化層243中的至少一個第二金屬互連236（「金屬互連236」）被形成在堆疊式AW濾波器202、204的外周壁244上，以提供用於第二AW濾波器204的第二AW濾波器電路214的信號路徑238，其與第一AW濾波器202的信號路徑232在物理上和電學上分開。金屬互連236在第二AW濾波器電路214和設置在第一AW濾波器202的蓋基板220的觸點表面234上的觸點焊盤246之間提供信號路徑238。觸點焊盤246包括金屬或金屬合金（例如，焊料），其可被形成在焊盤或凸塊中並且被配置成傳導電信號。在此示例中，在金屬化層243中形成的金屬互連236被配置成將信號從觸點焊盤246分佈到第一基板206的第一表面210。作為非限制性示例，金屬互連236可以是形成在耦合到觸點焊盤246的一或多個重分佈層（RDL）中的RDL互連，其中RDL互連被配置成將信號從觸點焊盤246重分佈到第一基板206的第一表面210。在AW濾波器封裝200中形成第二AW濾波器204的信號路徑238作為金屬化層243的第二金屬互連236可允許例如採用金屬化層製造製程來製造AW濾波器封裝200。例如，如果金屬化層243是RDL，則可採用RDL製造製程。
可在其上用金屬化層製造製程（例如，RDL製造製程）形成金屬互連236的表面包括與基板的第一側（例如，上側）上的基板平行的表面、與基板正交的表面（例如，垂直）、或與基板第一側呈角度的表面。然而，金屬互連236可能不能成功地形成在在基板的第二側（例如，面朝下的一側）上並且不能從正交於基板的第一側上的基板的方向暴露的呈角度的表面或水平表面上。例如，金屬化層可被形成在面朝上的表面以及連續的側壁表面上，但是不能被形成在面朝下的表面或被上基板遮蔽的側壁表面上。就此，為了在AW濾波器202、204的外周壁244上成功地製造連續金屬互連236，「負暴露」區域（諸如其中上部結構突出於下部結構（例如，從第一側遮蔽下部結構）的區域）可在金屬化層243的形成中產生不可靠的結果。在有關堆疊式結構的示例中，金屬互連可形成在基板堆疊的外周壁上，其中基板的側表面在Z軸方向上被對準。然而，這將要求堆疊的其上存在金屬互連的每一外周壁在Z軸方向上被對準。然而，實務上，基板的製造容限可允許基板寬度變化和基板覆蓋變化。堆疊中的上部基板具有比堆疊中的下部基板更大的寬度並且在堆疊的至少一側上突出於下部基板在突出的上部基板的第二側上產生遮蔽區域（例如，負暴露區域）（例如，在Z軸方向上）。此類遮蔽區域在正交於上部基板的第一側的方向上（例如，在Z軸方向上）不被暴露，從而金屬化層可能不能正確地形成在該遮蔽區域中。
就此，在另一示例性態樣中，在多層AW濾波器封裝200的示例中，為了支持在堆疊式AW濾波器202、堆疊式AW濾波器204的外周壁244上形成金屬互連236以便提供去往第二AW濾波器電路214的信號路徑238，蓋基板220的側壁表面250、第一基板206的側壁表面252以及第三基板212的側壁表面254在水平方向上可相對於彼此交錯。在此，短語「交錯」意指第一基板206在X軸方向上延伸超過蓋基板220的側壁表面250，並且第三基板212在X軸方向上延伸超過第一基板206的側壁表面252，以使得第一基板206的側壁表面252在X軸方向上在蓋基板220的側壁表面250與第三基板212的側壁表面254之間。交錯的側壁表面250、252建立第一基板206的肩部區域256，該肩部區域256在正交於蓋基板220的側壁表面250的方向上（例如，在X軸方向上）向外延伸超出蓋基板220的側壁表面250（見圖2B）。交錯的側壁表面252、254也在多層AW濾波器封裝200中建立第三基板212上的下肩部區域258，該下肩部區域258（例如，在X軸方向上）向外延伸超出AW濾波器封裝200的第一基板206的側壁表面252。肩部區域256和下肩部區域258為例如使用RDL製造製程在堆疊式AW濾波器202、204的外周壁244上形成金屬互連236提供支援，並且避免造成其中可能無法形成金屬互連236的負暴露區域的交疊。
進一步參考圖2A-2C，金屬互連236被設置在蓋基板220的觸點表面234上並且電耦合至觸點焊盤246。觸點焊盤246被配置成耦合至外部電路以接收射頻信號或提供經濾波的RF信號。在觸點焊盤246上接收到或產生的信號可經由金屬互連236電耦合至第三基板212上的第二AW濾波器電路214之一。就此，金屬互連236從觸點表面234（例如，AW濾波器封裝200的頂表面）延續到蓋基板220的側壁表面250上。蓋基板220的側壁表面250垂直（例如，在Z軸方向上）延伸，這與觸點表面234正交。第一框架218被設置在蓋基板220與第一基板206的第一表面210之間。第一框架218的側壁表面260可（例如，在Z軸方向上）延伸以與蓋基板220的側壁表面250對準，而不在相對於蓋基板220的側壁表面250正交的方向（例如，X軸方向）上偏離。以此方式，蓋基板220的側壁表面250和第一框架218的側壁表面260可允許藉由例如RDL製造製程或其他金屬化層製造製程形成金屬互連236。金屬互連236從蓋基板220的側壁表面250延伸至蓋基板220和第一基板206之間的第一框架218的側壁表面260上。第一框架218在蓋基板220的側壁表面250的第一側S1上（即，向內進入第一腔222）在與蓋基板220的側壁表面250正交的方向（X軸方向）上從蓋基板220的側壁表面250延伸以支撐蓋基板220。第一框架218包括與蓋基板220不同的材料。在一些示例中，第一框架218是在蓋基板220被堆疊在第一基板206上之前形成在蓋基板220和第一基板206之一上的聚合物材料。例如，蓋基板220可由玻璃形成。
在一些示例中，第一框架218在蓋基板220的側壁表面250的第二側S2上在與蓋基板220的側壁表面250正交的方向上延伸至第一基板206的第一表面210上的肩部區域256上。就此，第一框架218的側壁表面260不與蓋基板220的側壁表面250對準，以使得第一框架218的側壁表面260相對於蓋基板220的側壁表面250交錯，這也允許金屬互連236的形成。在此類示例中，金屬互連236也被設置在第一框架218的頂表面262上。因此，在此類示例中，金屬互連236從蓋基板220的側壁表面250延伸至第一框架218的頂表面262上並且延伸至第一框架218的側壁表面260上。
在Z軸方向上沿外周壁244朝向第三基板212的金屬互連236之後，金屬互連236被設置在第一基板206的肩部區域235上以及到第一基板206的側壁表面252上。第一基板206的側壁表面252可正交於第一基板206的第一表面210。第二框架224被設置在第一基板206和第三基板212之間。第二框架224的側壁表面264可與第一基板206的側壁表面252對準，從而使得形成從第一基板206的側壁表面252延伸並且延續至第二框架224的側壁表面264的金屬互連236成為可能。第二框架224在正交於第一基板206的側壁表面252的方向（例如，X軸方向）上從第一基板206的側壁表面252延伸至第一側S1（即，向內進入第二腔226）以支撐第一基板206。
在一些示例中，第二框架224在正交於第一基板206的側壁表面252的方向上延伸至第一基板206的側壁表面252的第二側S2，從而相對於第一基板206的側壁表面252交錯（即，第二框架224的側壁表面264在X軸方向上延伸至第一基板206的側壁表面252的側S2）。在此類示例中，金屬互連236被設置在第二框架224的頂表面266上，延續至在第二框架224的側壁表面264上，並且還被設置在第三基板212的下肩部區域258上，其也在第二框架224的側壁表面264的第二側S2上。
為了藉由金屬互連236將觸點焊盤246電耦合至第二表面216上的第二AW濾波器電路214，耦合至觸點焊盤246的金屬互連236也耦合至表面互連268。表面互連268被設置在第三基板212的第二表面216上並從第二腔226內部延伸到下肩部區域258（腔外）。表面互連268耦合至第二AW濾波器電路214和金屬互連236兩者。第二框架224被設置在第二腔226內部的第二AW濾波器電路214與在下肩部區域254上的金屬互連236之間的表面互連268的一部分上。以此方式，金屬互連236將第二AW濾波器電路214電耦合至觸點焊盤246。
在另一示例性態樣中，在多層堆疊式AW濾波器封裝200中，其中金屬互連236提供觸點焊盤246和第三基板212上的（諸）第二AW濾波器電路214之間的信號路徑238，其中金屬互連236延伸跨越包括第一AW濾波器電路208的第一基板206，絕緣體270被設置在第一基板206的側壁表面252上、在第一基板206的側壁表面252與金屬互連236之間。第一基板206包括在第一表面210上具有壓電材料228的半導體基板213之一。壓電材料228保護半導體基板213（其為半導體）以免受金屬互連236中的電信號的影響。在製造中，半導體基板213從晶片切割，並且第一基板206的側壁表面252被暴露（例如，不受保護隔開電信號）。因此，將金屬互連236直接設置在其中形成至少一個（諸）第一AW濾波器電路208的第一基板206的側壁表面252上將導致第一AW濾波器電路208電耦合至金屬互連236，並且因此電耦合至第二AW濾波器電路214和觸點焊盤246。作為此類電耦合的結果，電流可能洩漏穿過第一AW濾波器電路208和第二AW濾波器電路214之間的半導體基板213，這可能會對第一AW濾波器電路208和第二AW濾波器電路214的操作造成干擾，並且還導致AW濾波器封裝200中的功率損失。就此，絕緣體270被設置在第一基板206的側壁表面252上、在第一基板206的側壁表面252與金屬互連體236之間，以使第一AW濾波器電路208與第二AW濾波器電路214絕緣和隔離。在製造中，絕緣體270被設置在堆疊式AW濾波器202、堆疊式AW濾波器204的外周壁244（包括蓋基板220的側壁表面250、第一框架218的側壁表面260）上並且被設置在第一基板206的第一表面210上，之後金屬互連236被設置在絕緣體270上。因此，絕緣體270被設置在蓋基板220的側壁表面250和金屬互連236之間，在第一框架218的側壁表面260和金屬互連236之間，以及在第一基板206的第一表面210和金屬互連236之間。
在另一態樣中，第一金屬互連230（即，通孔240）和第二金屬互連236也提供了單獨的熱路徑以用於將熱量從第一和第二AW濾波器電路208、214分佈離開到達蓋基板220的觸點表面234以從AW濾波器封裝200耗散。在蓋基板220中形成通孔240可包括例如在蓋基板220中雷射鑽孔並用金屬填充孔來提供導電和導熱兩者。通孔240可由銅、鋁或其他金屬或提供導電性和導熱性的金屬形成。
在另一態樣中，多層堆疊式AW濾波器封裝200的目標是節省電子設備中的面積，但面積節省是沒有益處的，除非所得到的增加的高度對於在電子設備中使用是可接受的。就此，藉由形成半導體基板213的第一基板206和第三基板212，其可以由IC處理方法進行處理，第一基板206和第三基板212可被減薄來降低封裝高度。此外，形成玻璃的蓋基板220為AW濾波器封裝200提供了由更柔性的蓋材料（諸如聚合物）所不能提供的附加的結構完整性。作為示例，第三基板212在正交於第二表面216的第一方向上可具有在六十（60）微米（µm）到一百三十（130）微米（µm）範圍內的厚度T 212，第一基板206在第一方向上可具有在三十（30）µm到七十（70）µm範圍內的厚度T 206，並且蓋基板220可具有在三十（30）µm到七十（70）µm範圍內的厚度T 220。在一些示例中，第三基板212的厚度T 212小於八十五（85）µm，厚度T 206小於五十五（55）µm，並且蓋基板220的厚度T 220小於五十五（55）µm。
本文所揭示的支持如圖2A-2C所示的多層堆疊式AW濾波器封裝200的示例性態樣也可在如圖3所示的堆疊式AW濾波器封裝300中採用，其包括：包含第一基板304的僅單個AW濾波器302、在第一基板304的第一表面308上的AW濾波器電路306、被設置在第一表面308上的框架310、以及被設置（例如，堆疊）在框架310上的第二基板312。第二基板312藉由設置在第一框架310上形成在此處也可被稱為「蓋基板312」的蓋結構。就此，金屬化製造製程可用於製造包括至少一個金屬互連314（「金屬互連314」）的金屬化層313。作為非限制性示例，金屬化層312可以是其中具有RDL互連的RDL，從而即便在不包括堆疊式AW濾波器的AW濾波器封裝300中也提供AW濾波器302的信號路徑316。金屬互連314提供從第一基板304到蓋基板312的觸點表面320上的觸點焊盤318的信號路徑316（和熱路徑）。金屬互連314設置在觸點表面320上，並且電耦合至觸點焊盤318，並且也耦合至第一基板304的第一表面308。
為了採用金屬化製造製程，諸如RDL製造方法作為一個非限制性示例，第一基板304的側壁表面322相對於蓋基板312的側壁表面324交錯，如以上討論的多層AW濾波器封裝200中的那樣。因此，第一表面308包括在正交於蓋基板312的側壁表面324的方向上延伸的肩部區域326。金屬互連314延伸至蓋基板312的側壁表面324上。在其中框架310的側壁表面328與蓋基板312的側壁表面324（例如，沿Y軸方向的軸）對準的示例中，金屬互連314從蓋基板312的側壁表面324延伸至框架310的側壁表面328上。框架310在蓋基板312和第一基板304之間從蓋基板312的側壁表面324延伸至第一側S1以支撐蓋基板312並且提供腔330。在一些示例中，框架310與蓋基板312的側壁表面324不對準。替代地，框架310在正交於蓋基板312的側壁表面324的方向上延伸超出蓋基板312的側壁表面324到達蓋基板312的側壁表面324的第二側S2以到達第一基板304的肩部區域326上，以使得框架310上的側壁表面328相對於蓋基板312的側壁表面324交錯。在此示例中，金屬互連314從蓋基板312的側壁表面324延伸至框架310的頂表面332上並且延伸至框架310的側壁表面328上。金屬互連314被設置在第一基板304的第一表面308上。設置在第一表面308上的表面互連334從腔330內延伸，其中表面互連334電耦合至AW濾波器電路306，穿過框架310，並且進入肩部區域326。金屬互連314電耦合至肩部區域326中的表面互連334以將AW濾波器電路306電耦合至觸點焊盤318。
圖4是製造堆疊式AW濾波器封裝300的程序400的流程圖。程序400包括形成包括第一表面308的第一基板304（方塊402），以及在第一基板304的第一表面308上形成AW濾波器電路306（方塊404）。程序400包括在第一基板304的第一表面308上形成框架310（方塊406），以及形成包括觸點表面320和側壁表面324的第二基板（例如，蓋基板）312（方塊408）。程序400包括將蓋基板312設置在框架310上以在AW濾波器電路306和蓋基板312之間形成腔330（方塊410）以及形成包括耦合至蓋基板312的觸點表面320以及第一基板304的第一表面308的至少一個金屬互連314的金屬化層313，該至少一個金屬互連314被設置在蓋基板312的側壁表面324上（方塊412）。
圖5A和圖5B是製造堆疊式AW濾波器封裝200的程序500的流程圖。程序500包括形成包括第一表面210和側壁表面252的第一基板206（方塊502），以及在第一基板206的第一表面210上形成第一AW濾波器電路208（方塊504）。程序500包括在第一基板206的第一表面210上形成第一框架218（方塊506），以及形成包括觸點表面234和側壁表面250的蓋基板220（方塊508）。程序500包括將蓋基板220設置在第一框架218上以在第一AW濾波器電路208和蓋基板220之間形成第一腔222（方塊510）以及形成第三基板212，該第三基板212在該第三基板212的第二表面216上包括第二AW濾波器電路214（方塊512）。程序500包括在第三基板212的第二表面216上形成第二框架224（方塊514）以及將第一基板206設置在第二框架224上以在第二AW濾波器電路214和第一基板206之間形成第二腔226（方塊516）。程序500包括在第一基板206的側壁表面256上形成絕緣體268（方塊518）以及形成包括耦合至蓋基板220的觸點表面234以及第三基板212的第二表面216的至少一個金屬互連236的金屬化層243，該至少一個金屬互連236被設置在第一基板206的側壁表面252上的絕緣體270上（方塊520）。
圖6是支援製造堆疊式AW濾波器封裝200和300的框架600的示例的俯視圖的说明。框架600可對應於圖2A-2C中的框架218和224以及圖3中的框架310。框架600包括沿第一基板606的周界604延伸的周界框架602，第一基板606在X軸方向和Y軸方向上更大，以使得第一基板606包括相對於框架600在寬度上交錯的肩部區域608。在一些示例中，框架600的尺寸可與第二基板（例如，蓋基板）相同大小或面積稍大以避免其中無法形成金屬互連的「負暴露」區域。此示例中的周界框架602是矩形，但也可是正方形或與要支撐的第二基板的周界相對應的其他形狀。框架600包括框架構件610，其藉由提供附加支撐來支撐第二基板以抵抗觸點表面上的壓力，從而可增大腔612的尺寸以在第一基板606上包括更多AW濾波器電路614。框架構件610從周界框架620延伸跨越腔612。框架構件610可以是線性的，具有與周界框架602接觸並且從其延伸的第一端616。框架構件610包括在腔中並且不接觸周界框架602的第二端618。腔612圍繞第二端618從框架構件610的第一側上的第一腔部分620A延續（即，不間斷）到框架構件610的第二側上的第二腔部分620B。AW濾波器電路614可被設置在第一腔部分620A中。在一些示例中，另一AW濾波器電路624可被設置在第二腔部分620B中。如所示出的，框架600包括從周界框架602延伸進入腔612內以支撐第二基板的複數個框架構件610。
周界框架602和框架構件610與第二基板（未示出）和第一基板606接觸。框架構件610藉由在腔612內提供更多支撐以抵抗對第一基板的觸點表面的壓力來支撐堆疊式AW濾波器封裝。施加到第一基板（其可以是玻璃基板）的壓力會導致該玻璃以及堆疊式AW濾波器封裝中的頂基板向內偏轉。在腔612中不包含框架構件610（即，沒有框架構件610）的區域中，如果此類不受支撐的區域太大，則玻璃會在壓力下偏轉達到破裂點。然而，由於玻璃第二基板的結構剛性，如本文中所揭示的AW濾波器封裝的腔612可包括其中不包括周界框架602和框架構件610的具有至高達400 µm直徑的圓形區域626。在一些示例中，圓形區域626具有在360 µm到400 µm之間範圍內的直徑（D1）。
圖7是堆疊式AW濾波器封裝700的頂部透視圖。堆疊式AW濾波器封裝700包括堆疊在第一基板704上方的第二基板702以形成第一AW濾波器706。第二基板702藉由設置在第一框架704上方形成在此處也可被稱為「蓋基板702」的蓋結構。第一AW濾波器706還提供堆疊在第三基板708上的蓋結構以形成第二AW濾波器710。堆疊式AW濾波器封裝700在蓋基板702上包括觸點焊盤712。觸點焊盤712耦合至第一金屬互連714，其包括延伸穿過蓋基板702來耦合至第一基板704上的第一AW濾波器電路（未示出）的通孔716。第二金屬互連718（其可以是RDL互連）沿外周壁720從觸點焊盤712延伸至第二AW濾波器710。第二金屬互連718被設置在第一基板704的側壁表面724上的絕緣體722上以將觸點焊盤712耦合至第三基板708上的第二AW濾波器電路（未示出）而不電耦合至第一基板704的半導體材料。
圖8说明了包括由一或多個IC 802形成且可包括堆疊式AW濾波器封裝803的RF元件的示例性無線通訊設備800。堆疊式AW濾波器封裝803包括：設置在第一基板上的第一AW濾波器電路、設置在設置於第一基板上的第一框架上的第二基板、以及設置在設置於第三基板上的第二框架上以包圍第二底部AW濾波器電路的第一基板，其中第二基板上的觸點焊盤藉由設置在絕緣體上的金屬互連被電耦合至第二AW濾波器電路來保護以免洩漏電流到達第一基板，如在圖2A-2C、圖3和圖7中並且根據本文所揭示的任何態樣所说明的。作為示例，無線通訊設備800可包括或被提供在任何上述設備中。如圖8中所示，無線通訊設備800包括收發機804和資料處理器806。資料處理器806可包括記憶體以儲存資料和程式碼。收發機804包括支援雙向通訊的發射器808和接收器810。一般而言，無線通訊設備800可包括用於任意數目的通訊系統和頻帶的任意數目的發射器808及/或接收器810。收發機804的全部或一部分可被實現在一或多個類比IC、RFIC、混合信號IC等上。
發射器808或接收器810可使用超外差式架構或直接變頻式架構來實現。在超外差式架構中，信號在RF和基頻之間多級變頻，例如，在一級中從RF到中頻（IF），然後在另一級中從IF到基頻。在直接變頻式架構中，信號在一級中在RF和基頻之間變頻。超外差式以及直接變頻式架構可以使用不同的電路塊及/或具有不同的要求。在圖8中的無線通訊設備800中，發射器808和接收器810使用直接變頻式架構來實現。
在發射路徑中，資料處理器806處理要被傳送的資料並且向發射器808提供I和Q類比輸出信號。在示例性無線通訊設備800中，資料處理器806包括數位類比轉換器（DAC）812（1）、812（2）以將由資料處理器806產生的數位信號轉換成I和Q類比輸出信號（例如，I和Q輸出電流）以供進一步處理。
在發射器808內，低通濾波器814（1）、814（2）分別對I和Q類比輸出信號進行濾波以移除由在前的數位類比轉換引起的不期望信號。低通濾波器814（1）、814（2）可被實現為AW濾波器封裝803。放大器（AMP）816(1)、816(2)分別放大來自低通濾波器814(1)、814(2)的信號並且提供I和Q基頻信號。升頻轉換器818藉由混頻器822(1)、820(2)用來自發射（TX）本地振盪器（LO）信號產生器820的I和Q TX LO信號來升頻轉換I和Q基頻信號，以提供經升頻轉換信號824。濾波器826對經升頻轉換信號824進行濾波以移除由升頻轉換引起的不期望信號以及接收頻帶中的雜訊。功率放大器（PA）828放大來自濾波器824的經升頻轉換信號826，以獲得期望的輸出功率位準並提供發射RF信號。該發射RF信號被路由經過雙工器或開關830並經由天線832被發射。低通濾波器814（1）和814（2）或濾波器826中的任何一者可以是聲波濾波器（AW濾波器）封裝803。
在接收路徑中，天線832接收由基地台傳送的信號並提供收到RF信號，該收到RF信號被路由經過雙工器或開關830並被提供給低雜訊放大器（LNA）834。雙工器或開關830被設計成用特定的接收（RX）與TX雙工器頻率分隔來操作，使得RX信號與TX信號隔離。該收到RF信號由LNA 834放大並且由濾波器836濾波，以獲得期望的RF輸入信號。降頻轉換混頻器838(1)、838(2)將濾波器836的輸出與來自RX LO信號產生器840的I和Q RX LO信號（即，LO_I和LO_Q）進行混頻以產生I和Q基頻信號。I和Q基頻信號由AMP 842(1)、842(2)放大並且進一步由低通濾波器844（1）、844（2）濾波以獲得I和Q類比輸入信號，該I和Q類比輸入信號被提供給資料處理器806。濾波器836和低通濾波器844（1）、844（2）中的任何一者可以是AW濾波器封裝803。在該示例中，資料處理器806包括類比數位轉換器（ADC）846(1)、846(2)以將類比輸入信號轉換成要進一步由資料處理器806處理的數位信號。
在圖8的無線通訊設備800中，TX LO信號產生器822產生用於升頻轉換的I和Q TX LO信號，而RX LO信號產生器840產生用於降頻轉換的I和Q RX LO信號。每個LO信號是具有特定基頻的週期性信號。TX鎖相迴路（PLL）電路848從資料處理器806接收時序資訊，並且產生用於調整來自TX LO信號產生器822的TX LO信號的頻率及/或相位的控制信號。類似地，RX PLL電路850從資料處理器806接收時序資訊，並且產生用於調整來自RX LO信號產生器840的RX LO信號的頻率及/或相位的控制信號。
各自可包括堆疊式AW濾波器封裝803的無線通訊設備800可在任何基於處理器的設備中提供或整合到任何基於處理器的設備中，該堆疊式AW濾波器封裝803包括堆疊在第一基板上的第二基板，該第一基板包括第一AW濾波器電路，該第一基板被進一步堆疊在包括第二AW濾波器電路的第三基板上，其中第二基板上的觸點焊盤藉由設置在絕緣體上的金屬互連電耦合至第二AW濾波器電路以保護以免洩漏電流達到第一基板，如在圖2A-2C、圖3和圖7中並根據本文所揭示的任何態樣所说明的。不作為限定的示例包括：機上盒、娛樂單元、導航設備、通訊設備、固定位置資料單元、行動位置資料單元、全球定位系統（GPS）設備、行動電話、蜂巢式電話、智慧型電話、通信期啟動協定（SIP）電話、平板設備、平板手機、伺服器、電腦、可攜式電腦、行動計算裝置、可穿戴計算設備（例如，智慧手錶、健康或健身追蹤器、眼鏡，等等）、桌上型電腦、個人數位助理（PDA）、監視器、電腦監視器、電視機、調諧器、無線電、衛星無線電、音樂播放機、數位音樂播放機、可攜式音樂播放機、數位視訊播放機、視訊播放機、數位視訊碟（DVD）播放機、可攜式數位視訊播放機、汽車、交通工具組件、航空電子系統、無人機、以及多旋翼飛行器。
就此，圖9说明了包括包含堆疊式AW濾波器封裝901的RF電路的基於處理器的系統900的示例。堆疊式AW濾波器封裝901包括：設置在第一基板上的第一AW濾波器電路、設置在設置於第一基板上的第一框架上的第二基板、以及設置在設置於第三基板上的第二框架上以包圍第二底部AW濾波器電路的第一基板，其中第二基板上的觸點焊盤藉由設置在絕緣體上的金屬互連被電耦合至第二AW濾波器電路以保護以免洩漏電流到達第一基板，如在圖2A-2C、圖3和圖7中並且根據本文所揭示的任何態樣所说明的。在該示例中，基於處理器的系統900包括一或多個中央處理單元（CPU）902，其也可被稱為CPU或處理器核，每個CPU 902包括一或多個處理器904。CPU 902可具有耦合到（諸）處理器904以用於對臨時儲存的資料進行快速存取的快取記憶體906。（諸）CPU 902被耦合到系統匯流排908，並且可互動耦合被包括在基於處理器的系統900中的主設備和從設備。如眾所周知的，（諸）CPU 902藉由在系統匯流排908上交換位址、控制、以及資料資訊來與這些其他設備通訊。例如，（諸）CPU 902可以向作為從設備的示例的記憶體控制器910傳達匯流排事務請求。儘管在圖9中未说明，但可提供多個系統匯流排908，其中每個系統匯流排908構成不同的織構。
其他主設備和從設備可被連接到系統匯流排908。如圖9中说明的，作為示例，這些設備可以包括包含記憶體控制器910和一或多個記憶體陣列914的記憶體系統912、一或多個輸入設備916、一或多個輸出設備918、一或多個網路周邊設備920以及一或多個顯示控制器922。記憶體系統912、一或多個輸入設備916、一或多個輸出設備918、一或多個網路周邊設備920以及一或多個顯示控制器922中的每一者可以包括包含堆疊式AW濾波器封裝901的RF電路。堆疊式AW濾波器封裝901包括：設置在第一基板上的第一AW濾波器電路、設置在設置於第一基板上的第一框架上的第二基板、以及設置在設置於第三基板上的第二框架上以包圍第二底部AW濾波器電路的第一基板，其中第二基板上的觸點焊盤藉由設置在絕緣體上的金屬互連被電耦合至第二AW濾波器電路以保護以免洩漏電流到達第一基板，如在圖2A-2C、圖3和圖7中並且根據本文所揭示的任何態樣所说明的。（諸）輸入設備916可包括任何類型的輸入設備，包括但不限於輸入鍵、開關、語音處理器等。（諸）輸出設備918可包括任何類型的輸出設備，包括但不限於音訊、視訊、其他視覺指示器等。（諸）網路周邊設備920可以是被配置成允許往來於網路924的資料交換的任何設備。網路924可以是任何類型的網路，包括但不限於有線或無線網路、私有或公共網路、區域網路（LAN）、無線區域網路（WLAN）、廣域網（WAN）、藍芽™網路、以及網際網路。（諸）網路周邊設備920可被配置成支援所期望的任何類型的通訊協定。
（諸）CPU 902還可被配置成在系統匯流排908上存取（諸）顯示控制器922以控制發送給一或多個顯示器926的資訊。（諸）顯示控制器922經由一或多個視訊處理器928向（諸）顯示器926發送要顯示的資訊，視訊處理器928將要顯示的資訊處理成適於（諸）顯示器926的格式。（諸）顯示器926可包括任何類型的顯示器，包括但不限於陰極射線管（CRT）、液晶顯示器（LCD）、電漿顯示器、發光二極體（LED）顯示器等。（諸）顯示控制器922、（諸）顯示器926及/或（諸）視訊處理器928可包括包含堆疊式AW濾波器封裝901的RF電路。堆疊式AW濾波器封裝901包括：設置在第一基板上的第一AW濾波器電路、設置在設置於第一基板上的第一框架上的第二基板、以及設置在設置於第三基板上的第二框架上以包圍第二底部AW濾波器電路的第一基板，其中第二基板上的觸點焊盤藉由設置在絕緣體上的金屬互連被電耦合至第二AW濾波器電路以保護以免洩漏電流到達第一基板，如在圖2A-2C、圖3和圖7中並且根據本文所揭示的任何態樣所说明的。
熟習此項技術者將進一步領會，結合本文所揭示的諸態樣描述的各種说明性邏輯區塊、模組、電路和演算法可被實現為電子硬體、儲存在記憶體中或另一電腦可讀取媒體中並由處理器或其他處理設備執行的指令、或這兩者的組合。作為示例，本文中所描述的主設備和從設備可用在任何電路、硬體元件、IC、或IC晶片中。本文中所揭示的記憶體可以是任何類型和大小的記憶體，並且可被配置成儲存所期望的任何類型的資訊。為了清楚地说明這種可互換性，各種说明性元件、方塊、模組、電路和步驟在上文已經以其功能性的形式一般性地作了描述。如何實現此類功能性取決於具體應用、設計選擇、及/或加諸於整體系統上的設計約束。熟習此項技術者可針對每種特定應用以不同方式來實現所描述的功能性，但此類實現決策不應被解讀為致使脫離本案的範圍。
結合本文中所揭示的各態樣描述的各種说明性邏輯區塊、模組、以及電路可用被設計成執行本文所描述的功能的處理器、數位訊號處理器（DSP）、專用積體電路（ASIC）、現場可程式設計閘陣列（FPGA）或其他可程式設計邏輯裝置、個別閘或電晶體邏輯、個別的硬體元件、或其任何組合來實現或執行。處理器可以是微處理器，但在替換方案中，處理器可以是任何習知處理器、控制器、微控制器或狀態機。處理器還可以被實現為計算設備的組合（例如DSP與微處理器的組合、複數個微處理器、與DSP核協調的一或多個微處理器、或任何其他此類配置）。
本文所揭示的各態樣可被體現在硬體和儲存在硬體中的指令中，並且可常駐在例如隨機存取記憶體（RAM）、快閃記憶體、唯讀記憶體（ROM）、電可程式設計ROM（EPROM）、電子可抹除可程式設計ROM（EEPROM）、暫存器、硬碟、可移除磁碟、CD-ROM、或本領域中所知的任何其他形式的電腦可讀取媒體中。示例性儲存媒體被耦合到處理器，以使得處理器能從/向該儲存媒體讀取和寫入資訊。在替換方案中，儲存媒體可被整合到處理器。處理器和儲存媒體可常駐在ASIC中。ASIC可常駐在遠程站中。在替換方案中，處理器和儲存媒體可作為個別元件常駐在遠端站、基地台或伺服器中。
還注意到，本文任何示例性態樣中所描述的操作步驟是為了提供示例和討論而被描述的。所描述的操作可按除了所说明的順序之外的眾多不同順序來執行。此外，在單個操作步驟中描述的操作實際上可在多個不同步驟中執行。另外，可組合示例性態樣中討論的一或多個操作步驟。應理解，如對熟習此項技術者顯而易見地，在流程圖中说明的操作步驟可進行眾多不同的修改。熟習此項技術者還將理解，可使用各種不同技術和技藝中的任何一種來表示資訊和信號。例如，貫穿上面說明始終可能被述及的資料、指令、命令、資訊、信號、位元、符號和碼片可由電壓、電流、電磁波、磁場或磁粒子、光場或光粒子、或其任何組合來表示。
提供對本案的先前描述是為使得任何熟習此項技術者皆能夠製作或使用本案。對本案的各種修改對於熟習此項技術者將是顯而易見的，並且本文中所定義的普適原理可被應用於其他變形。因此，本案並非旨在被限定於本文中所描述的示例和設計，而是應被授予與本文中所揭示的原理和新穎性特徵相一致的最廣範圍。
在以下經編號條款中描述了各實現示例。 1.    一種堆疊式聲波（AW）濾波器封裝，包括： 包括第一表面的第一基板； 該第一基板的該第一表面上的AW濾波器電路； 設置在該第一基板的該第一表面上的框架； 包括觸點表面和側壁表面的第二基板，該第二基板設置在該框架上以在該AW濾波器電路和該第二基板之間形成腔；及 包括耦合至該第二基板的該觸點表面和該第一基板的該第一表面的至少一個金屬互連的金屬化層，該至少一個金屬互連設置在該第二基板的該側壁表面上。 2. 如條款1的堆疊式AW濾波器封裝，進一步包括耦合至該觸點表面的觸點焊盤； 該至少一個金屬互連被配置成將信號從該觸點焊盤重分佈到該第一基板的該第一表面。 3.  如條款1或條款2的堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該框架設置在該第二基板與該第一基板的該第一表面之間，在該第二基板的該側壁表面的第一側上在正交於該第二基板的該側壁表面的方向上從該第二基板的該側壁表面延伸；並且 該第一基板的該第一表面在正交於該第二基板的該側壁表面的方向上在該第二基板的該側壁表面的第二側上包括肩部區域。 4.      如條款3的堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該至少一個金屬互連被設置在該第一基板的該第一表面的該肩部區域上。 5. 如條款1-4中任一者的堆疊式AW濾波器封裝，進一步包括該觸點表面上的觸點焊盤，該觸點焊盤被配置成耦合至外部電路，其中該至少一個金屬互連電耦合至該觸點焊盤。 6. 如條款2-5中任一者的堆疊式AW濾波器封裝，進一步包括在該第一基板的該第一表面上、從該腔的內部延伸到該肩部區域的表面互連，該表面互連電耦合至該AW濾波器電路以及該肩部區域上的該金屬化層的該至少一個金屬互連。 7. 如條款1-6中任一者的堆疊式AW濾波器封裝，其中該金屬化層的該至少一個金屬互連被設置在該第二基板和該第一基板之間的該框架的側表面上。 8. 如條款2-7中任一者的堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該框架在正交於該第二基板的該側壁表面的方向上延伸進入該第二基板的該側壁表面的第二側上的該肩部區域；並且 該金屬化層的該至少一個金屬互連被設置在該框架的頂表面上。 9. 如條款1-8中任一者的堆疊式AW濾波器封裝，其中該框架包括第一材料，並且該第二基板包括與該第一材料不同的第二材料。 10. 如條款1-9中任一者的堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該框架包括聚合物材料； 該第二基板包括玻璃；並且 該第一基板包括半導體材料。 11. 如條款1-10中任一者的堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該框架進一步包括沿該第二基板的周界設置的周界框架；並且 該腔被該周界框架包圍。 12. 如條款11的堆疊式AW濾波器封裝，其中該框架進一步包括延伸進入該腔內、正交於該周界框架的至少一部分的框架構件。 13. 如條款12的堆疊式AW濾波器封裝，其中該框架構件包括該框架的複數個框架構件中的一者。 14. 如條款12或條款13中的堆疊式AW濾波器封裝，該框架構件進一步包括線性框架構件，該線性框架構件包括耦合至該周界框架的第一端。 15. 如條款14的堆疊式AW濾波器封裝，該腔包括從該線性框架構件的第一側上的第一腔部分並且圍繞該線性框架構件的第二端延伸至該線性框架構件的第二側上的第二腔部分的連續腔。 16.    如條款15的堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該第一基板的該第一表面上的該AW濾波器電路是第一AW濾波器電路； 該第一AW濾波器電路被設置在該線性框架構件的第一側上的該第一腔部分內；並且 該堆疊式AW濾波器封裝進一步包括在該線性框架構件的第二側上的另一AW濾波器電路。 17. 如條款1-16中任一者的堆疊式AW濾波器封裝，其中該腔包括從中排除該框架的具有至高達400微米（µm）直徑的連續圓形區域。 18. 如條款1-17中任一者的堆疊式AW濾波器封裝，其中該連續圓形區域的直徑大於360 µm。 19. 如條款5的堆疊式AW濾波器封裝，該堆疊式AW濾波器封裝進一步包括： 第三基板，該第三基板在該第三基板的第二表面上包括第二AW濾波器電路；及 設置在該第三基板的該第二表面上的第二框架； 其中： 該第一基板被設置在該第二框架上以在該第二AW濾波器電路和該第一基板之間形成第二腔。 20.    如條款19的堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該第一基板進一步包括正交於該第一基板的該第一表面的側壁表面； 該第二框架被設置在該第一基板和該第三基板的該第二表面之間，在該第一基板的該側壁表面的第一側上在正交於該第一基板的該側壁表面的方向上從該第一基板的該側壁表面延伸；並且 該第三基板的該第二表面在正交於該第一基板的第一側壁表面的方向上在該第一基板的該側壁表面的第二側上包括下肩部區域。 21.    如條款20的堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該至少一個金屬互連被設置在： 該第一基板的該側壁表面上；及 該第三基板的該第二表面的該下肩部區域上。 22. 如條款21的堆疊式AW濾波器封裝，進一步包括該第三基板的該第二表面上、從該第二腔內部延伸至該下肩部區域的表面互連，該表面互連電耦合至該第二AW濾波器電路以及在該下肩部區域上的該至少一個金屬互連。 23. 如條款19-22中任一者的堆疊式AW濾波器封裝，其中該至少一個金屬互連被設置在該第一基板和該第三基板之間的該第二框架的側表面上。 24. 如條款20-23中任一者的堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該第二框架在正交於該第一基板的該側壁表面的方向上延伸至該第一基板的該側壁表面的第二側上的下肩部區域上；並且 該至少一個金屬互連被設置在該第二框架的頂表面上。 25. 一種製造堆疊式聲波（AW）濾波器封裝的方法，該方法包括： 形成包括第一表面的第一基板； 在該第一基板的該第一表面上形成AW濾波器電路； 在該第一基板的該第一表面上形成框架； 形成包括觸點表面和側壁表面的第二基板； 將該第二基板設置在該框架上以在該AW濾波器電路和該第二基板之間形成腔；及 形成包括耦合至該第二基板的該觸點表面和該第一基板的該第一表面的至少一個金屬互連的金屬化層，該至少一個金屬互連被設置在該第二基板的該側壁表面上。 26.         如條款25的方法，進一步包括： 將該框架設置在該第二基板與該第一基板的該第一表面之間，並且在該第二基板的該側壁表面的第一側上在正交於該第二基板的該側壁表面的方向上從該第二基板的該側壁表面延伸；及 在正交於該第二基板的該側壁表面的方向上在該第二基板的該側壁表面的第二側上形成該第一基板的該第一表面的肩部區域。 27.   一種堆疊式聲波（AW）濾波器封裝，包括： 包括第一表面和側壁表面的第一基板； 在該第一基板的該第一表面上的第一AW濾波器電路； 設置在該第一基板的該第一表面上的第一框架； 包括觸點表面和側壁表面的第二基板，該第二基板被設置在該第一框架上以在該第一AW濾波器電路和該第二基板之間形成第一腔； 第三基板，該第三基板在該第三基板的第二表面上包括第二AW濾波器電路； 設置在該第三基板的該第二表面上的第二框架； 設置在該第二框架上以在該第二AW濾波器電路和該第一基板之間形成第二腔的該第一基板； 包括耦合至該第二基板的該觸點表面和該第三基板的該第二表面的至少一個金屬互連的金屬化層，該至少一個金屬互連被設置在該第一基板的該側壁表面上；及 設置在該第一基板的該側壁表面上、在該第一基板的該側壁表面與該至少一個金屬互連之間的絕緣體。 28. 如條款27的堆疊式AW濾波器封裝，其中該絕緣體被設置在該至少一個金屬互連和該第一框架之間。 29. 如條款27或條款28的堆疊式AW濾波器封裝，其中該絕緣體被設置在該至少一個金屬互連和該第一基板的該第一表面之間。 30. 如條款27-29中任一者的堆疊式AW濾波器封裝，其中該絕緣體被設置在該至少一個金屬互連和該第二基板的該側壁表面之間。 31. 如條款27-30中任一者的堆疊式AW濾波器封裝，進一步包括穿過該第二基板從該觸點表面延伸至該第一基板的該第一表面的通孔。 32. 如條款31的堆疊式AW濾波器封裝，進一步包括該觸點表面上的觸點焊盤，其中： 該觸點焊盤被配置成傳導電信號；並且 該通孔被配置成將該第一AW電路電耦合到該觸點焊盤。 33. 如條款27-32中任一者的堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該第三基板在正交於第二表面的第一方向上的厚度在60到130微米（µm）的範圍內； 該第一基板在該第一方向上的厚度在30到70 µm的範圍內；並且 該第二基板在該第一方向上的厚度在30到70 µm的範圍內。 34. 如條款27-33中任一者的堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該第一基板的該厚度小於85 µm； 該第三基板的該厚度小於55 µm；並且 該第二基板的該厚度小於55 µm。 35. 一種形成堆疊式聲波濾波器（AW濾波器）封裝的方法，包括： 形成包括第一表面和側壁表面的第一基板； 在該第一基板的該第一表面上形成第一AW濾波器電路； 在該第一基板的該第一表面上形成第一框架； 形成包括觸點表面和側壁表面的第二基板； 將該第二基板設置在該第一框架上以在該第一AW濾波器電路和該第二基板之間形成第一腔； 形成第三基板，該第三基板在該第三基板的第二表面上包括第二AW濾波器電路； 在該第三基板的該第二表面上形成第二框架； 將該第一基板設置在該第二框架上以在該第二AW濾波器電路和該第一基板之間形成第二腔； 在該第一基板的該側壁表面上形成絕緣體；及 形成包括耦合至該第二基板的該觸點表面以及該第三基板的該第二表面的至少一個金屬互連的金屬化層，該至少一個金屬互連被設置在該第一基板的該側壁表面上的該絕緣體上。
21:基板 21,22:基板 21~22:基板 100:表面聲波（SAW）濾波器電路 102:第一基板 104:AW濾波器 106:壓電材料 108:第一表面 110(1):第一叉指式換能器（IDT） 110(2):第二IDT 112:輸入RF信號 114A:第一金屬互連 114B:第一金屬互連 116A:第一金屬觸點 116B:第一金屬觸點 118A:叉指式金屬互連 118B:叉指式金屬互連 122A:叉指式金屬互連 122B:叉指式金屬互連 124A:第二金屬觸點 124B:第二金屬觸點 126A:第二金屬互連 126B:第二金屬互連 120:經濾波的RF信號 200:AW濾波器封裝 202:第一AW濾波器 204:第二AW濾波器 206:第一基板 208:第一AW濾波器電路 210:第一表面 212:第三基板 213:半導體基板 214:第二AW濾波器電路 216:第二表面 218:第一框架 220:蓋基板 222:第一腔 224:第二框架 226:第二腔 228:壓電材料 230:第一金屬互連 232:互連路徑 234:觸點表面 236:金屬互連 238:信號路徑 240:通孔 243:金屬化層 244:外周壁 246:觸點焊盤 250:側壁表面 252:側壁表面 254:側壁表面 256:肩部區域 258:下肩部區域 260:側壁表面 262:頂表面 264:側壁表面 266:頂表面 268:表面互連 270:絕緣體 300:堆疊式AW濾波器封裝 302:單個AW濾波器 304:第一基板 306:AW濾波器電路 308:第一表面 310:框架 312:第二基板 314:金屬互連 316:信號路徑 318:觸點焊盤 320:觸點表面 322:側壁表面 324:側壁表面 326:肩部區域 328:側壁表面 330:腔 332:頂表面 334:表面互連 400:程序 402:方塊 404:方塊 406:方塊 408:方塊 410:方塊 412:方塊 500:程序 502:方塊 504:方塊 506:方塊 508:方塊 510:方塊 512:方塊 514:方塊 516:方塊 518:方塊 520:方塊 600:框架 602:周界框架 604:周界 606:第一基板 608:肩部區域 610:框架構件 612:腔 614:AW濾波器電路 616:第一端 618:第二端 624:另一AW濾波器電路 626:圓形區域 700:堆疊式AW濾波器封裝 702:第二基板 704:第一框架 706:第一AW濾波器 708:第三基板 710:第二AW濾波器 712:觸點焊盤 714:第一金屬互連 716:通孔 718:第二金屬互連 720:外周壁 722:絕緣體 724:側壁表面 800:示例性無線通訊設備 802:IC 803:堆疊式AW濾波器封裝 804:收發機 806:資料處理器 808:發射器 810:接收器 818:升頻轉換器 822:混頻器 824:經升頻轉換信號 826:濾波器 828:功率放大器（PA） 830:雙工器或開關 832:天線 834:低雜訊放大器（LNA） 836:濾波器 840:RX LO信號產生器 848:TX鎖相迴路（PLL）電路 850:RX PLL電路 900:系統 901:堆疊式AW濾波器封裝 902:中央處理單元（CPU） 904:處理器 906:快取記憶體 908:系統匯流排 910:記憶體控制器 912:記憶體系統 914:記憶體陣列 916:輸入設備 918:輸出設備 920:網路周邊設備 922:顯示控制器 924:網路 926:顯示器 928:視訊處理器 620A:第一腔部分 620B:第二腔部分 812(1):數位類比轉換器（DAC） 812(2):數位類比轉換器（DAC） 814(1):低通濾波器 814(2):低通濾波器 816(1):放大器（AMP） 816(2):放大器（AMP） 820(1):混頻器 820(2):混頻器 838(1):降頻轉換混頻器 838(2):降頻轉換混頻器 842(1):AMP 842(2):AMP 844(1):低通濾波器 844(2):低通濾波器 846(1):類比數位轉換器（ADC） 846(2):類比數位轉換器（ADC） D1:直徑 T 206:厚度 T 212:厚度 T 220:厚度 X:軸 Y:軸 Z:軸
圖1是可在堆疊式聲波（AW）濾波器封裝中採用的表面聲波（SAW）裝置的一個示例的说明；
圖2A-2C是多層堆疊式AW濾波器封裝的橫截面側視圖，該多層堆疊式AW濾波器封裝包括：第一頂部AW濾波器的第一基板、堆疊在該第一基板上的第二基板、堆疊在第二底部AW濾波器的第三基板上的該第一基板、以及堆疊式AW濾波器的外周壁上的金屬化層中的金屬互連，該金屬互連將第二底部AW濾波器耦合到該第二基板上的觸點焊盤。
圖3是堆疊式AW濾波器封裝中的AW濾波器的说明，其包括堆疊在基板的第一表面上的框架上的第二基板以在基板上的AW濾波器電路之上形成腔。
圖4是说明製造圖3中的堆疊式AW濾波器封裝的程序的流程圖，包括在第一基板上的第一框架上堆疊第二基板以在該第一基板上的AW濾波器電路之上形成腔；
圖5A和5B是说明製造圖2A-2C中的堆疊式AW濾波器封裝的程序的流程圖，包括在堆疊式AW濾波器的外周壁以及在第三基板和第二基板上的觸點焊盤之間延伸的金屬互連之間形成絕緣體以避免洩漏電流；
圖6是圖2A-2C以及圖3中的AW濾波器封裝中的基板的表面上的框架的俯視圖；
圖7是如圖2A-2C中所说明的AW濾波器電路的示例的頂部透視圖；
圖8是示例性無線通訊設備的方塊圖，其包括包含AW濾波器封裝的射頻（RF）模組，該AW濾波器封裝包括藉由堆疊在第一基板上的框架上的第二基板在腔內受到保護的第一基板上的第一AW濾波器電路，並且還包括在第一基板以及從第二基板上的觸點焊盤延伸至堆疊在該第一基板背側上的第三基板的金屬互連之間的絕緣體，如在圖2A-2C、圖3和圖7中所说明的；及
圖9是示例性基於處理器的系統的方塊圖，其可包括AW濾波器封裝，該AW濾波器封裝包括藉由堆疊在第一基板上的框架上的第二基板在腔內受到保護的該基板上的第一AW濾波器電路，並且還包括在第一基板以及從第二基板上的觸點焊盤延伸至堆疊在該基板的背側上的第三基板的金屬互連之間的絕緣體，如在圖2A-2C、圖3和圖7中且根據本文中所揭示的任何態樣所说明的。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
200:AW濾波器封裝
202:第一AW濾波器
204:第二AW濾波器
206:第一基板
208:第一AW濾波器電路
210:第一表面
212:第三基板
213:半導體基板
214:第二AW濾波器電路
216:第二表面
218:第一框架
220:蓋基板
222:第一腔
224:第二框架
226:第二腔
228:壓電材料
230:第一金屬互連
232:互連路徑
234:觸點表面
236:金屬互連
238:信號路徑
240:通孔
243:金屬化層
244:外周壁
246:觸點焊盤
256:肩部區域
258:下肩部區域

Claims (35)

  1. 一種堆疊式聲波（AW）濾波器封裝，包括： 包括一第一表面的一第一基板； 在該第一基板的該第一表面上的一AW濾波器電路； 設置在該第一基板的該第一表面上的一框架； 包括一觸點表面和一側壁表面的一第二基板，該第二基板被設置在該框架上以在該AW濾波器電路和該第二基板之間形成一腔；及 包括耦合至該第二基板的該觸點表面和該第一基板的該第一表面的至少一個金屬互連的一金屬化層，該至少一個金屬互連被設置在該第二基板的該側壁表面上。
  2. 如請求項1之堆疊式AW濾波器封裝，進一步包括耦合至該觸點表面的一觸點焊盤； 該至少一個金屬互連被配置成將信號從該觸點焊盤重分佈到該第一基板的該第一表面。
  3. 如請求項1之堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該框架被設置在該第二基板與該第一基板的該第一表面之間，在該第二基板的該側壁表面的一第一側上在正交於該第二基板的該側壁表面的一方向上從該第二基板的該側壁表面延伸；並且 該第一基板的該第一表面在正交於該第二基板的該側壁表面的該方向上在該第二基板的該側壁表面的一第二側上包括一肩部區域。
  4. 如請求項3之堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該至少一個金屬互連被設置在該第一基板的該第一表面的該肩部區域上。
  5. 如請求項4之堆疊式AW濾波器封裝，進一步包括該觸點表面上的一觸點焊盤，該觸點焊盤被配置成耦合至一外部電路，其中該至少一個金屬互連被電耦合至該觸點焊盤。
  6. 如請求項4之堆疊式AW濾波器封裝，進一步包括在該第一基板的該第一表面上、從該腔的內部延伸至該肩部區域的一表面互連，該表面互連被電耦合至該AW濾波器電路以及該肩背部區域上的該金屬化層的該至少一個金屬互連。
  7. 如請求項6之堆疊式AW濾波器封裝，其中該金屬化層的該至少一個金屬互連被設置在該第二基板和該第一基板之間的該框架的一側表面上。
  8. 如請求項7之堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該框架在正交於該第二基板的該側壁表面的該方向上延伸進入該第二基板的該側壁表面的該第二側上的該肩部區域；並且 該金屬化層的該至少一個金屬互連被設置在該框架的一頂表面上。
  9. 如請求項1之堆疊式AW濾波器封裝，其中該框架包括一第一材料，並且該第二基板包括與該第一材料不同的一第二材料。
  10. 如請求項9之堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該框架包括一聚合物材料； 該第二基板包括一玻璃；並且 該第一基板包括一半導體材料。
  11. 如請求項1之堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該框架進一步包括沿該第二基板的一周界設置的一周界框架；並且 該腔被該周界框架包圍。
  12. 如請求項11之堆疊式AW濾波器封裝，其中該框架進一步包括延伸進入該腔內、正交於該周界框架的至少一部分的一框架構件。
  13. 如請求項12之堆疊式AW濾波器封裝，其中該框架構件包括該框架的複數個框架構件中的一者。
  14. 如請求項12之堆疊式AW濾波器封裝，該框架構件進一步包括一線性框架構件，該線性框架構件包括耦合至該周界框架的一第一端。
  15. 如請求項14之堆疊式AW濾波器封裝，該腔包括從該線性框架構件的一第一側上的一第一腔部分並且圍繞該線性框架構件的一第二端延伸至該線性框架構件的一第二側上的一第二腔部分的一連續腔。
  16. 如請求項15之堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該第一基板的該第一表面上的該AW濾波器電路是一第一AW濾波器電路； 該第一AW濾波器電路被設置在該線性框架構件的該第一側上的該第一腔部分中；並且 該堆疊式AW濾波器封裝進一步包括在該線性框架構件的該第二側上的另一AW濾波器電路。
  17. 如請求項1之堆疊式AW濾波器封裝，其中該腔包括從中排除該框架的具有至多達400微米（µm）一直徑的一連續圓形區域。
  18. 如請求項17之堆疊式AW濾波器封裝，其中該連續圓形區域的該直徑大於360 µm。
  19. 如請求項5之堆疊式AW濾波器封裝，該堆疊式AW濾波器封裝進一步包括： 一第三基板，該第三基板在該第三基板的一第二表面上包括一第二AW濾波器電路；及 設置在該第三基板的該第二表面上的一第二框架； 其中： 該第一基板被設置在該第二框架上以在該第二AW濾波器電路和該第一基板之間形成一第二腔。
  20. 如請求項19之堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該第一基板進一步包括正交於該第一基板的該第一表面的一側壁表面； 該第二框架被設置在該第一基板和該第三基板的該第二表面之間，在該第一基板的該側壁表面的一第一側上在正交於該第一基板的該側壁表面的一方向上從該第一基板的該側壁表面延伸；並且 該第三基板的該第二表面在正交於該第一基板的該第一側壁表面的該方向上在該第一基板的該側壁表面的一第二側上包括一下肩部區域。
  21. 如請求項20之堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該至少一個金屬互連被設置在： 該第一基板的該側壁表面上；及 該第三基板的該第二表面的該下肩部區域上。
  22. 如請求項21之堆疊式AW濾波器封裝，進一步包括在該第三基板的該第二表面上、從該第二腔的內部延伸至該下肩部區域的一表面互連，該表面互連被電耦合至該第二AW濾波器電路以及該下肩部區域上的該至少一個金屬互連。
  23. 如請求項21之堆疊式AW濾波器封裝，其中該至少一個金屬互連被設置在該第一基板和該第三基板之間的該第二框架的一側表面上。
  24. 如請求項23之堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該第二框架在正交於該第一基板的該側壁表面的方向上延伸至該第一基板的該側壁表面的該第二側上的該下肩部區域上；並且 該至少一個金屬互連被設置在該第二框架的一頂表面上。
  25. 一種製造一堆疊式聲波（AW）濾波器封裝的方法，該方法包括： 形成包括一第一表面的一第一基板； 在該第一基板的該第一表面上形成一AW濾波器電路； 在該第一基板的該第一表面上形成一框架； 形成包括一觸點表面和一側壁表面的一第二基板； 將該第二基板設置在該框架上以在該AW濾波器電路和該第二基板之間形成一腔；及 形成包括耦合至該第二基板的該觸點表面和該第一基板的該第一表面的至少一個金屬互連的一金屬化層，該至少一個金屬互連被設置在該第二基板的該側壁表面上。
  26. 如請求項25之方法，進一步包括： 將該框架設置在該第二基板與該第一基板的該第一表面之間，並且在該第二基板的該側壁表面的一第一側上在正交於該第二基板的該側壁表面的一方向上從該第二基板的該側壁表面延伸；及 在正交於該第二基板的該側壁表面的該方向上在該第二基板的該側壁表面的一第二側上形成該第一基板的該第一表面的一肩部區域。
  27. 一種堆疊式聲波（AW）濾波器封裝，包括： 包括一第一表面和一側壁表面的一第一基板； 在該第一基板的該第一表面上的一第一AW濾波器電路； 設置在該第一基板的該第一表面上的一第一框架； 包括一觸點表面和一側壁表面的一第二基板，該第二基板被設置在該第一框架上以在該第一AW濾波器電路和該第二基板之間形成一第一腔； 一第三基板，該第三基板在該第三基板的一第二表面上包括一第二AW濾波器電路； 設置在該第三基板的該第二表面上的一第二框架； 設置在該第二框架上以在該第二AW濾波器電路和該第一基板之間形成一第二腔的該第一基板； 包括耦合至該第二基板的該觸點表面和該第三基板的該第二表面的至少一個金屬互連的一金屬化層，該至少一個金屬互連被設置在該第一基板的該側壁表面上；及 設置在該第一基板的該側壁表面上、在該第一基板的該側壁表面和該至少一個金屬互連之間的一絕緣體。
  28. 如請求項27之堆疊式AW濾波器封裝，其中該絕緣體被設置在該至少一個金屬互連和該第一框架之間。
  29. 如請求項27之堆疊式AW濾波器封裝，其中該絕緣體被設置在該至少一個金屬互連和該第一基板的該第一表面之間。
  30. 如請求項27之堆疊式AW濾波器封裝，其中該絕緣體被設置在該至少一個金屬互連和該第二基板的該側壁表面之間。
  31. 如請求項28之堆疊式AW濾波器封裝，進一步包括穿過該第二基板從該觸點表面延伸至該第一基板的該第一表面的一通孔。
  32. 如請求項31之堆疊式AW濾波器封裝，進一步包括該觸點表面上的一觸點焊盤，其中： 該觸點焊盤被配置成傳導電信號；並且 該通孔被配置成將該第一AW電路電耦合到該觸點焊盤。
  33. 如請求項28之堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該第三基板在正交於一第二表面的一第一方向上的一厚度在60到130微米（µm）的一範圍內； 該第一基板在該第一方向上的一厚度在30到70 µm的一範圍內；並且 該第二基板在該第一方向上的一厚度在30到70 µm的一範圍內。
  34. 如請求項33之堆疊式AW濾波器封裝，其中： 該第一基板的該厚度小於85 µm； 該第三基板的該厚度小於55 µm；並且 該第二基板的該厚度小於55 µm。
  35. 一種形成一堆疊式聲波濾波器（AW濾波器）封裝的方法，包括： 形成包括一第一表面和一側壁表面的一第一基板； 在該第一基板的該第一表面上形成一第一AW濾波器電路； 在該第一基板的該第一表面上形成一第一框架； 形成包括一觸點表面和一側壁表面的一第二基板； 將該第二基板設置在該第一框架上以在該第一AW濾波器電路和該第二基板之間形成一第一腔； 形成一第三基板，該第三基板在該第三基板的一第二表面上包括一第二AW濾波器電路； 在該第三基板的該第二表面上形成一第二框架； 將該第一基板設置在該第二框架上以在該第二AW濾波器電路和該第一基板之間形成一第二腔； 在該第一基板的該側壁表面上形成一絕緣體；及 形成包括耦合至該第二基板的該觸點表面以及該第三基板的該第二表面的至少一個金屬互連的一金屬化層，該至少一個金屬互連被設置在該第一基板的該側壁表面上的該絕緣體上。
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