TW202312319A - 加熱構件及基板處理設備 - Google Patents

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Abstract

本發明構思關於一種用於加熱基板的加熱構件。在實施例中，前述加熱構件包含：接合有至少一個加熱元件的加熱板；在其中形成有第一空間的連接板，前述加熱元件容納於前述第一空間中；及接合有控制元件的控制板，前述控制元件與前述加熱元件電連接以控制前述加熱元件。

Description

加熱構件及基板處理設備
本文中所描述的發明構思的實施例係關於一種用於加熱基板的加熱構件及包含加熱構件的基板處理設備。
執行諸如沈積、光微影術、蝕刻、清洗及類似的各種製程來製造半導體裝置。在各別製程中，處理液體經由噴嘴分配於基板上。用於執行製程的設備可包含用於加熱處理液體、製程空間、基板及類似者的加熱器系統。
圖1說明相關技術中的加熱構件。相關技術中的加熱構件係加熱線類型的加熱構件，其中電線連接至加熱板的加熱線的接頭。根據相關技術，隨著待控制的加熱區的劃分，電線的數目增加，且電線的總體積亦增加。因此，在劃分加熱區時存在限制。此外，因為加熱板的加熱線及電線被接合，所以根據較低空氣對流類型的損失視電線的形狀而彼此不同。因此，出現區之間的溫度差異。此外，根據電線的曲率來向接頭施加應力，且較強應力可對接頭造成損壞。此外，在電線接合的部分中出現根據傳導而產生的熱損失，此導致溫度不平衡。
本發明構思的實施例提供一種用於高效地處理基板的加熱構件及基板處理設備。
本發明構思的實施例提供一種用於精確地控制基板的加熱溫度的加熱構件及基板處理設備。
相較於相關技術中的加熱構件及基板處理設備，本發明構思的實施例提供一種用於增大加熱區的加熱構件及基板處理設備。
本發明構思的實施例提供一種加熱構件及基板處理設備，用於藉由移除加熱構件下方的電線來使加熱構件下方的空氣對流均勻，減少區之間的溫度差異且解決電線接頭中的應力問題。
本發明構思要解決的技術問題不限於前述問題。本發明構思所屬領域的技術人員將自以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技術問題。
根據實施例，加熱構件包含：具有接合至其上的至少一個加熱元件的加熱板；具有形成在其中的第一空間的連接板，加熱元件容納於第一空間中；及具有接合至其上的控制元件的控制板，控制元件與加熱元件電連接以控制加熱元件。
在實施例中，加熱元件可與接合至加熱板的第一金屬襯墊及第二金屬襯墊接合。
在實施例中，連接板可具有圍繞第一空間形成的第一貫穿孔及第二貫穿孔。
在實施例中，第一貫穿孔可與第一金屬襯墊連接，且第二貫穿孔可與第二金屬襯墊連接。
在實施例中，連接板可包含與設置於第一貫穿孔中的金屬材料電連接的第一電路圖案及與設置於第二貫穿孔中的金屬材料電連接的第二電路圖案。
在實施例中，在控制板中，第三貫穿孔可形成於與第一電路圖案對應的位置中，且第四貫穿孔可形成於與第二電路圖案對應的位置中。
在實施例中，控制板可包含與設置於第三貫穿孔中的金屬材料電連接的第三電路圖案、及與設置於第四貫穿孔中的金屬材料電連接的第四電路圖案，且第三電路圖案及第四電路圖案可與控制元件電連接。
在實施例中，加熱元件可與控制板間隔開。
在實施例中，第一空間可包含複數個第一空間，加熱元件可包含複數個加熱元件，且複數個加熱元件可分別容納於複數個第一空間中。
在實施例中，控制元件可包含複數個控制元件，加熱元件可包含複數個加熱元件，且複數個控制元件中的每一個可與複數個加熱元件中的一些電連接。
在實施例中，控制元件可包含複數個控制元件，加熱元件可包含複數個加熱元件，且複數個控制元件可分別與複數個加熱元件電連接。
根據實施例，基板處理設備包含：在其中具有製程空間的腔室；支撐基板在製程空間中的支撐單元；及設置於支撐單元中且加熱基板的加熱構件。加熱構件包含：具有接合至其上的至少一個加熱元件的加熱板；具有形成在其中的第一空間的連接板，加熱元件容納於第一空間中；及具有接合至其上的控制元件的控制板，控制元件與加熱元件電連接以控制加熱元件。
在實施例中，加熱元件可與接合至加熱板的第一金屬襯墊及第二金屬襯墊接合。
在實施例中，連接板可具有圍繞第一空間形成的第一貫穿孔及第二貫穿孔。第一貫穿孔可與第一金屬襯墊連接，且第二貫穿孔可與第二金屬襯墊連接。
在實施例中，連接板可包含與設置於第一貫穿孔中的金屬材料電連接的第一電路圖案、及與設置於第二貫穿孔中的金屬材料電連接的第二電路圖案。
在實施例中，在控制板中，第三貫穿孔可形成於與第一電路圖案對應的位置中，且第四貫穿孔可形成於與第二電路圖案對應的位置中。
在實施例中，控制板可包含與設置於第三貫穿孔中的金屬材料電連接的第三電路圖案、及與設置於第四貫穿孔中的金屬材料電連接的第四電路圖案，且第三電路圖案及第四電路圖案可與控制元件電連接。
在實施例中，加熱元件可與控制板間隔開。
在實施例中，第一空間可包含複數個第一空間，加熱元件可包含複數個加熱元件，且複數個加熱元件可分別容納於複數個第一空間中。
根據實施例，基板處理設備包含：在其中具有製程空間的腔室；支撐製程空間中的基板的支撐單元；及設置於支撐單元中且加熱基板的加熱構件。加熱構件包含：加熱板，其包含複數個加熱元件，前述複數個加熱元件中的每一個經由第一金屬襯墊及第二金屬襯墊接合至加熱板；連接板，其中形成有與第一金屬襯墊連接的第一貫穿孔、及與第二金屬襯墊連接的第二貫穿孔，連接板包含與設置於第一貫穿孔中的金屬材料電連接的第一電路圖案、及與設置於第二貫穿孔中的金屬材料電連接的第二電路圖案，其中在連接板中形成與複數個加熱元件一樣多的第一空間，且加熱元件分別容納於第一空間中；以及控制板，其中第三貫穿孔形成於與第一電路圖案對應的位置中，且第四貫穿孔形成於與第二電路圖案對應的位置中，控制板包含與設置於第三貫穿孔中的金屬材料電連接的第三電路圖案、及與設置於第四貫穿孔中的金屬材料電連接的第四電路圖案，其中控制板接合有複數個控制元件，前述複數個控制元件中的每一個與第三電路圖案及第四電路圖案電連接且控制加熱元件中的對應加熱元件。
在下文中，將參考隨附圖式詳細描述本發明構思的實施例，使得本發明構思所屬領域的技術人員可容易地實施本發明構思。然而，本發明構思可以各種不同形式實施且不限於本文中所描述的實施例。此外，在描述本發明構思的實施例時，與熟知功能或組態相關的詳細描述在其可使本發明構思的主題不必要地模糊時將被省略。此外，貫穿隨附圖式，執行類似功能及操作的組件具備相同的附圖標記。
說明書中的術語「包含」及「包括」係「開放式的」，僅表示存在對應組件，且除非另有相反的具體描述，否則不排除而係可包含附加組件。具體而言，應理解，術語「包含」、「包括」及「具有」在本文中使用時係指規定特徵、整數、步驟、操作、組件及/或部分的存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、組件、部分及/或其分組的存在或添加。
諸如第一、第二及類似者的術語可用於描述各種組件，但此等組件不應受術語限制。術語可僅用於將一個組件與其他組件區分開。舉例而言，在不脫離本發明構思的範疇的情況下，第一組件可被稱為第二組件，且類似地，第二組件亦可被稱為第一組件。
除非另有規定，否則單數形式的術語可包含複數形式。此外，在圖式中，組件的形狀及尺寸可出於說明清楚起見而被誇示。
在整個說明書中，術語組件「~單元」及組件「~模組」係指諸如FPGA或ASIC的軟體組件或硬體組件，且執行至少一個功能或操作。然而，應理解，組件「~單元」及組件「~模組」不限於軟體或硬體組件。組件「~單元」及組件「~模組」可實施於可由位址指定的儲存媒體中。組件「~單元」及組件「~模組」亦可經組態以再生一或多個處理器。
舉例而言，組件「~單元」及組件「~模組」可包含各種類型的組件(例如軟體組件、物件導向軟體組件、類組件以及任務組件)、製程、功能、屬性、過程、副常式、程式碼段、驅動器、韌體、微式碼、電路、資料、資料庫、資料結構、表、陣列及變量。由組件、組件「~單元」及組件「~模組」提供的功能可分別由複數個組件、組件「~單元」及組件「~模組」執行且亦可與其他附加組件整合。
在下文中，將描述根據本發明構思的實施例的基板處理設備。
圖2係說明根據本發明構思的實施例的基板處理設備的示意性透視圖。圖3係說明圖2的基板處理設備的塗佈塊及顯影塊的截面圖。圖4係說明圖2的基板處理設備的平面圖。
參考圖2至圖4，基板處理設備1包含索引模組(index module) 20、處理模組30及介面模組40。根據實施例，索引模組20、處理模組30及介面模組40按順序配置成列。在下文中，配置索引模組20、處理模組30及介面模組40的方向被稱為X軸方向12，在自上方觀察時與X軸方向12垂直的方向被稱為Y軸方向14，且與X軸方向12及Y軸方向14兩者垂直的方向被稱為Z軸方向16。
索引模組20將基板W自容納有基板W的載體10轉移至處理模組30且將完全處理的基板W置放於載體10中。索引模組20的縱向方向平行於Y軸方向14。索引模組20包含裝載埠22及索引框架24。裝載埠22相對於索引框架24位於處理模組30的相對側。容納有基板W的載體10置放於裝載埠22上。可在Y軸方向14上安置裝載埠22。
諸如前開式晶圓傳送盒(front open unified pod；FOUP)的氣密載體10可用作載體10。可藉由諸如架空轉移器、架空輸送機或自動導引車的轉移單元(未說明)或藉由操作員將載體10置放於裝載埠22上。
索引機器人2200設置於索引框架24中。導軌2300 (其縱向方向平行於Y軸方向14)設置於索引框架24中。索引機器人2200可在導軌2300上移動。索引機械人2200包含置放基板W的手2220，且手2220可前後移動，可圍繞朝向Z軸方向16的軸旋轉且可在Z軸方向16上移動。
處理模組30對基板W執行塗佈製程及顯影製程。處理模組30包含塗佈塊30a及顯影塊30b。塗佈塊30a對基板W執行塗佈製程，且顯影塊30b對基板W執行顯影製程。塗佈塊30a彼此堆疊。顯影塊30b彼此堆疊。根據圖2的實施例，提供兩個塗佈塊30a及兩個顯影塊30b。塗佈塊30a可安置於顯影塊30b下方。根據實施例，兩個塗佈塊30a可執行相同製程且可具有相同結構。此外，兩個顯影塊30b可執行相同製程且可具有相同結構。
參考圖4，塗佈塊30a中的每一個包含熱處理腔室3200、轉移腔室3400、液體處理腔室3600及緩衝腔室3800。熱處理腔室3200對基板W執行熱處理製程。熱處理製程可包含冷卻製程及加熱製程。液體處理腔室3600藉由將液體供應於基板W上來在基板W上形成液膜。液膜可為光阻膜或抗反射膜。轉移腔室3400在塗佈塊30a中的熱處理腔室3200與液體處理腔室3600之間轉移基板W。
轉移腔室3400安置成使得其縱向方向平行於X軸方向12。轉移單元3420設置於轉移腔室3400中。轉移單元3420在熱處理腔室3200、液體處理腔室3600與緩衝腔室3800之間轉移基板W。根據實施例，轉移單元3420具有置放基板W的手A，且手A可前後移動，可圍繞朝向Z軸方向16的軸旋轉且可在Z軸方向16上移動。導軌3300 (其縱向方向平行於X軸方向12)設置於轉移腔室3400中。轉移單元3420可在導軌3300上移動。
圖5係說明圖4的轉移單元的手的一個實例的視圖。參考圖5，手A包含基底3428及支撐突起部3429。基底3428可具有圓環形狀，圓環形狀的圓周部分彎曲。基底3428具有大於基板W的直徑的內徑。支撐突起部3429自基底3428向內延伸。支撐突起部3429支撐基板W的邊緣區。根據實施例，四個支撐突起部3429可按相等間隔設置。
再次參考圖3及圖4，提供複數個熱處理腔室3200。在X軸方向12上配置熱處理腔室3200。熱處理腔室3200位於轉移腔室3400的一側。
圖6係說明圖4的熱處理腔室的一個實例的示意性水平截面圖，且圖7係說明圖6的熱處理腔室的正面截面圖。熱處理腔室3200包含外殼3210、冷卻單元3220、加熱單元3230及轉移板3240。
外殼3210具有實質上長方體形狀。外殼3210在其側壁中具有進入/退出開口(未說明)，基板W經由進入/退出開口進入及退出外殼3210。進入/退出開口可保持打開。可提供門(未說明)以選擇性地打開及關閉進入/退出開口。冷卻單元3220、加熱單元3230及轉移板3240設置於外殼3210中。冷卻單元3220及加熱單元3230在Y軸方向14上並排設置。根據實施例，冷卻單元3220可比加熱單元3230更靠近轉移腔室3400定位。
冷卻單元3220包含冷卻板3222。冷卻板3222可在自上方觀察時具有實質上圓形形狀。冷卻構件3224設置於冷卻板3222內部。根據實施例，冷卻構件3224可形成於冷卻板3222內部且可充當冷卻流體流過的流體通道。
加熱單元3230包含加熱構件1400及封蓋3234。加熱構件1400在自上方觀察時具有實質上圓形形狀。加熱構件1400具有比基板W更大的直徑。加熱構件1400包含加熱元件1415。加熱元件1415可為將電流施加至的電阻加熱元件。
加熱構件1400包含可在Z軸方向16上豎直移動的升降銷3238。升降銷3238自加熱單元3230外部的轉移單元接收基板W且將基板W置於加熱構件1400上，或將基板W抬離加熱構件1400且將基板W轉移至加熱單元3230外部的轉移單元。根據實施例，可提供三個升降銷3238。封蓋3234在其中包含底部敞開的空間。封蓋3234位於加熱構件1400上方且由致動器3236豎直移動。當使封蓋3234與加熱構件1400接觸時，被封蓋3234及加熱構件1400包圍的空間充當加熱基板W的加熱空間。
轉移板3240具有實質上圓板形狀且具有與基板W的直徑對應的直徑。轉移板3240具有形成於其邊緣處的凹口3244。凹口3244可具有與形成於上述轉移單元3420的手A上的支撐突起部3429對應的形狀。此外，在與支撐突起部3429對應的位置中形成與手A的支撐突起部3429一樣多的凹口3244。當手A及轉移板3240在豎直方向上彼此對準的豎直位置改變時，在手A與轉移板3240之間轉移基板W。轉移板3240安裝於導軌3249上且藉由致動器3246沿著導軌3249移動。轉移板3240包含具有狹縫形狀的複數個導槽3242。導槽3242自轉移板3240的邊緣向內延伸。導槽3242的縱向方向平行於Y軸方向14，且導槽3242在X軸方向12上彼此間隔開。當在轉移板3240與加熱單元3230之間轉移基板W時，導槽3242防止轉移板3240與升降銷3238之間的干擾。
在基板W直接置放於加熱構件1400上的狀態下加熱基板W。在使其上置放有基板W的轉移板3240與冷卻板3222接觸的狀態下冷卻基板W。轉移板3240由具有高熱轉移率以用於冷卻板3222與基板W之間的高效熱轉移的材料形成。根據實施例，轉移板3240可由金屬材料形成。
設置於一些熱處理腔室3200中的加熱單元3230可藉由在加熱基板W的同時供應氣體來提高光阻對基板W的黏附性。根據實施例，氣體可為六甲基二矽烷氣體。
在下文中，將詳細描述根據本發明構思的實施例的加熱構件1400。
圖8係根據本發明構思的實施例的加熱構件1400的分解透視圖。
加熱構件1400包含加熱板1410、連接板1420及控制板1430。連接板1420安置於加熱板1410下方。控制板1430安置於連接板1420下方。
圖9係根據本發明構思的實施例的加熱板1410的仰視圖。加熱元件1415接合至加熱板1410的底部。加熱板1410由具有高導熱率的材料形成。在實施例中，加熱板1410可由金屬材料形成。加熱元件1415可根據需要按比例縮放，且可提供與所需加熱元件一樣多的加熱元件1415。
圖10係說明根據本發明構思的實施例的加熱元件1415設置於加熱構件1400中的部分的放大截面圖。將參考圖10更詳細地描述加熱構件1400。
加熱板1410包含第一金屬襯墊1417a及第二金屬襯墊1417b。加熱元件1415接合至第一金屬襯墊1417a及第二金屬襯墊1417b。加熱元件1415及第一金屬襯墊1417a藉由焊接1419a接合。加熱元件1415及第二金屬襯墊1417b藉由焊接1419b接合。
在實施例中，連接板1420用PCB實施。連接板1420在其中形成有第一空間1423，加熱元件1415容納於前述第一空間中。可形成複數個第一空間1423。加熱元件1415可分別容納於第一空間1423中。連接板1420具有圍繞第一空間1423形成的第一貫穿孔1426a及第二貫穿孔1426b。第一貫穿孔1426a與第一金屬襯墊1417a連接。第二貫穿孔1426b與第二金屬襯墊1417b連接。連接板1420包含形成於其一個表面上的第一電路圖案1427a及第二電路圖案1427b。金屬材料部分或完全填充第一貫穿孔1426a，使得第一金屬襯墊1417a及第一電路圖案1427a電連接。金屬材料部分或完全填充第二貫穿孔1426b，使得第二金屬襯墊1417b及第二電路圖案1427b電連接。
在實施例中，控制板1430用PCB實施。控制板1430包含控制元件1435。控制元件1435控制加熱元件1415。控制元件1435與形成於控制板1430的一個表面上的第三電路圖案1437a及第四電路圖案1437b電連接。在實施例中，第三電路圖案1437a可連接至加熱元件1415的正(+)電極。第四電路圖案1437b可連接至加熱元件1415的負(-)電極。控制板1430具有形成於其中的第三貫穿孔1436a及第四貫穿孔1436b。第三貫穿孔1436a形成於與第一電路圖案1427a對應的位置中。第三貫穿孔1436a與第一電路圖案1427a連接。第四貫穿孔1436b形成於與第二電路圖案1427b對應的位置中。第四貫穿孔1436b與第二電路圖案1427b連接。金屬材料部分或完全填充第三貫穿孔1436a，使得第一電路圖案1427a及第三電路圖案1437a電連接。金屬材料部分或完全填充第四貫穿孔1436b，使得第二電路圖案1427b及第四電路圖案1437b電連接。控制板1430與加熱元件1415間隔開預定間隙。控制元件1435及加熱元件1415電連接。
在實施例中，可提供與加熱元件1415一樣多的控制元件1435。控制元件1435可分別控制加熱元件1415。在另一實施例中，可提供與設置於每一區中的複數個加熱元件1415電連接的控制元件1435。控制元件1435可控制設置於每一區中的複數個加熱元件1415。控制元件1435可與連接器1431電連接且可自外部接收電訊號。
圖11A至圖11F係說明根據本發明構思的實施例的加熱構件1400的組裝順序的視圖。將依次參考圖11A至圖11F描述組裝加熱構件1400的方法。
參考圖11A，準備加熱板1410。加熱板1410包含接合至其的第一金屬襯墊1417a及第二金屬襯墊1417b。
參考圖11B，加熱元件1415焊接至加熱板1410的第一金屬襯墊1417a及第二金屬襯墊1417b。
參考圖11C，準備連接板1420。連接板1420包含印刷於其上的第一電路圖案1427a及第二電路圖案1427b。加熱元件1415容納於連接板1420的第一空間1423中。第一貫穿孔1426a位於第一金屬襯墊1417a上。第二貫穿孔1426b位於第二金屬襯墊1417b上。
參考圖11D，將金屬膏或金屬球插入第一貫穿孔1426a及第二貫穿孔1426b中，且藉由加熱金屬膏或金屬球來執行焊接。第一電路圖案1427a及第一金屬襯墊1417a藉由第一焊接1429a電連接。第二電路圖案1427b及第二金屬襯墊1417b藉由第二焊接1429b電連接。
參考圖11E，準備控制板1430。控制板1430包含接合至其的控制元件1435。控制板1430包含印刷於其上的第三電路圖案1437a及第四電路圖案1437b。第三貫穿孔1436a位於第一電路圖案1427a上。第四貫穿孔1436b位於第二電路圖案1427b上。
參考圖11F，將金屬膏或金屬球插入第三貫穿孔1436a及第四貫穿孔1436b中，且藉由加熱金屬膏或金屬球來執行焊接。第一電路圖案1427a及第三電路圖案1437a藉由第三焊接1439a電連接。第二電路圖案1427b及第四電路圖案1437b藉由第四焊接1439b電連接。
上述焊接可由自動安裝機執行。
圖12係根據本發明構思的另一實施例的包含控制板的加熱單元的分解透視圖。若控制元件1435的數目隨著加熱區的劃分而增加，則在一側僅設置一個連接器的情況下可能無法繪製所有印刷電路。因此，可提供複數個連接器1431a、1431b、1431c及1431d，可分別針對例如四個區的各別區提供控制元件1435，且可組態與對應於各別區的連接器1431a、1431b、1431c及1431d連接的印刷電路。
根據本發明構思的實施例，加熱元件1415直接附接至加熱板1410的底部，且因此加熱元件1415與諸如連接板1420及控制板1430的PCB接觸的區域被最小化。因此，可減少至PCB的熱傳導，且可增加至加熱板410的熱傳導。
根據本發明構思的實施例，加熱元件1415及控制元件1435經由連接板1420的第一貫穿孔1426a及第二貫穿孔1426b電連接，因此不需要諸如電線、銷及其他連接器的連接元件。
根據本發明構思的實施例，加熱元件1415存在於加熱板1410與控制板1430之間，且因此可防止由於氣流造成的熱損失。
根據本發明構思的實施例，加熱構件1400不具有電線，且因此可根據加熱元件1415的大小來使用許多加熱區。隨著可控加熱區的數目的增加，能夠控制加熱板1410的溫度的點的數目增加，此有利於溫度控制。
根據本發明構思的實施例，加熱構件1440的底表面維持預定形狀，且因此由於電線的形狀而在對流流動方面幾乎沒有變化。
根據本發明構思的實施例，在使用加熱線的方法中，根據厚度或形狀而出現10%或更小的電阻偏差，而加熱元件1415用晶片實施，使得出現1%或更小的電阻偏差。因此，可達到高精度。
上面已經描述了基板處理設備1的實施例。在包含對應組件的範圍內，基板處理設備1的詳細結構可在熟習此項技術者可容易地改變的範圍內改變。
根據本發明構思的實施例，加熱構件及基板處理設備可高效地處理基板。
根據本發明構思的實施例，加熱構件及基板處理設備可精確地控制基板的加熱溫度。
根據本發明構思的實施例，相較於相關技術中的加熱構件及基板處理設備，加熱構件及基板處理設備可增大加熱區。
根據本發明構思的實施例，藉由移除加熱構件下方的電線，加熱構件及基板處理設備可使加熱構件下方的空氣對流均勻，可減少區之間的溫度差異且可解決電線接頭中的應力問題。
本發明構思的效應不限於上述效應。本發明構思所屬領域的技術人員可自本說明書及隨附圖式中清楚地理解本文中未提及的任何其他效應。
儘管上面已經描述了本發明構思的實施例，但應理解，實施例的提供係為了幫助理解本發明構思且不意欲限制本發明構思的範疇，且在不脫離本發明構思的精神及範疇的情況下可進行各種修改及等效實施例。本發明構思中所提供的圖式僅為本發明構思的最佳實施例的圖式。本發明構思的範疇應由申請專利範圍的技術思想判定，且應理解，本發明構思的範疇不限於申請專利範圍的文字描述，而係實際上延伸至技術價值的等效物的範疇。
雖然已經參考實施例描述了本發明構思，但對於熟習此項技術者而言將顯而易見，在不脫離本發明構思的精神及範疇的情況下可進行各種改變及修改。因此，應理解，以上實施例並非限制性的，而係說明性的。
1:基板處理設備 10:載體 12:X軸方向 14:Y軸方向 16:Z軸方向 20:索引模組 22:裝載埠 24:索引框架 30:處理模組 30a:塗佈塊 30b:顯影塊 40:介面模組 1400:加熱構件 1410:加熱板 1415:加熱元件 1417a:第一金屬襯墊 1417b:第二金屬襯墊 1419a、1419b:焊接 1420:連接板 1423:第一空間 1426a:第一貫穿孔 1426b:第二貫穿孔 1427a:第一電路圖案 1427b:第二電路圖案 1429a:第一焊接 1429b:第二焊接 1430:控制板 1431、1431a、1431b、1431c、1431d:連接器 1435:控制元件 1436a:第三貫穿孔 1436b:第四貫穿孔 1437a:第三電路圖案 1437b:第四電路圖案 1439a:第三焊接 1439b:第四焊接 2200:索引機器人 2220、A:手 2300、3249、3300:導軌 3200:熱處理腔室 3210:外殼 3220:冷卻單元 3222:冷卻板 3224:冷卻構件 3230:加熱單元 3234:封蓋 3236、3246:致動器 3238:升降銷 3240:轉移板 3242:導槽 3244:凹口 3400:轉移腔室 3420:轉移單元 3428:基底 3429:支撐突起部 3600:液體處理腔室 3800:緩衝腔室 W:基板
以上及其他目標及特徵將根據下面參考以下各圖的描述而變得顯而易見，其中除非另有規定，否則相同附圖標記在各圖中係指相同部分。
圖1係相關技術中的加熱構件的仰視圖。
圖2係說明根據本發明構思的實施例的基板處理設備的示意性透視圖。
圖3係說明圖2的基板處理設備的塗佈塊及顯影塊的截面圖。
圖4係說明圖2的基板處理設備的平面圖。
圖5係說明圖4的轉移單元的手的一個實例的視圖。
圖6係說明圖4的熱處理腔室的一個實例的示意性水平截面圖。
圖7係說明圖6的熱處理腔室的正面截面圖。
圖8係根據本發明構思的實施例的加熱構件的分解透視圖。
圖9係根據本發明構思的實施例的加熱板的仰視圖。
圖10係說明根據本發明構思的實施例的加熱元件設置於加熱構件中的部分的放大截面圖。
圖11A至圖11F係說明根據本發明構思的實施例的加熱構件的組裝順序的視圖。
圖12係根據本發明構思的另一實施例的包含控制板的加熱單元的分解透視圖。
1:基板處理設備
12:X軸方向
14:Y軸方向
16:Z軸方向
20:索引模組
22:裝載埠
24:索引框架
30:處理模組
30a:塗佈塊
30b:顯影塊
40:介面模組

Claims (20)

  1. 一種加熱構件，其包括: 加熱板，其具有接合至其上的至少一個加熱元件； 連接板，其具有形成在其中的第一空間，前述加熱元件容納於前述第一空間中；以及 控制板，其具有接合至其上的控制元件，前述控制元件與前述加熱元件電連接且經組態以控制前述加熱元件。
  2. 如請求項1所述之加熱構件，其中前述加熱元件與接合至前述加熱板的第一金屬襯墊及第二金屬襯墊接合。
  3. 如請求項2所述之加熱構件，其中前述連接板具有圍繞前述第一空間形成的第一貫穿孔及第二貫穿孔。
  4. 如請求項3所述之加熱構件，其中前述第一貫穿孔與前述第一金屬襯墊連接，且 其中前述第二貫穿孔與前述第二金屬襯墊連接。
  5. 如請求項4所述之加熱構件，其中前述連接板包含： 第一電路圖案，其與設置於前述第一貫穿孔中的金屬材料電連接；以及 第二電路圖案，其與設置於前述第二貫穿孔中的金屬材料電連接。
  6. 如請求項5所述之加熱構件，其中在前述控制板中，第三貫穿孔形成於與前述第一電路圖案對應的位置中，且第四貫穿孔形成於與前述第二電路圖案對應的位置中。
  7. 如請求項6所述之加熱構件，其中前述控制板進一步包含： 第三電路圖案，其與設置於前述第三貫穿孔中的金屬材料電連接；以及 第四電路圖案，其與設置於前述第四貫穿孔中的金屬材料電連接，且 其中前述第三電路圖案及前述第四電路圖案與前述控制元件電連接。
  8. 如請求項1所述之加熱構件，其中前述加熱元件與前述控制板間隔開。
  9. 如請求項1所述之加熱構件，其中前述第一空間包含複數個第一空間， 其中前述加熱元件包含複數個加熱元件，且 其中前述複數個加熱元件分別容納於前述複數個第一空間中。
  10. 如請求項1所述之加熱構件，其中前述控制元件包含複數個控制元件， 其中前述加熱元件包含複數個加熱元件，且 其中前述複數個控制元件中的每一個與前述複數個加熱元件中的一些電連接。
  11. 如請求項1所述之加熱構件，其中前述控制元件包含複數個控制元件， 其中前述加熱元件包含複數個加熱元件，且 其中前述複數個控制元件分別與前述複數個加熱元件電連接。
  12. 一種基板處理設備，其包括： 腔室，其中具有製程空間； 支撐單元，其經組態以支撐前述製程空間中的基板；以及 加熱構件，其設置於前述支撐單元中且經組態以加熱前述基板， 其中前述加熱構件包含： 加熱板，其具有接合至其上的至少一個加熱元件； 連接板，其具有形成於其中的第一空間，前述加熱元件容納於前述第一空間中；以及 控制板，其具有接合至其上的控制元件，前述控制元件與前述加熱元件電連接且經組態以控制前述加熱元件。
  13. 如請求項12所述之基板處理設備，其中前述加熱元件與接合至前述加熱板的第一金屬襯墊及第二金屬襯墊接合。
  14. 如請求項13所述之基板處理設備，其中前述連接板具有圍繞前述第一空間形成的第一貫穿孔及第二貫穿孔， 其中前述第一貫穿孔與前述第一金屬襯墊連接，且 其中前述第二貫穿孔與前述第二金屬襯墊連接。
  15. 如請求項14所述之基板處理設備，其中前述連接板包含： 第一電路圖案，其與設置於前述第一貫穿孔中的金屬材料電連接；以及 第二電路圖案，其與設置於前述第二貫穿孔中的金屬材料電連接。
  16. 如請求項15所述之基板處理設備，其中在前述控制板中，第三貫穿孔形成於與前述第一電路圖案對應的位置中，且第四貫穿孔形成於與前述第二電路圖案對應的位置中。
  17. 如請求項16所述之基板處理設備，其中前述控制板進一步包含： 第三電路圖案，其與設置於前述第三貫穿孔中的金屬材料電連接；以及 第四電路圖案，其與設置於前述第四貫穿孔中的金屬材料電連接，且 其中前述第三電路圖案及前述第四電路圖案與前述控制元件電連接。
  18. 如請求項12所述之基板處理設備，其中前述加熱元件與前述控制板間隔開。
  19. 如請求項12所述之基板處理設備，其中前述第一空間包含複數個第一空間， 其中前述加熱元件包含複數個加熱元件，且 其中前述複數個加熱元件分別容納於前述複數個第一空間中。
  20. 一種基板處理設備，其包括： 腔室，其中具有製程空間； 支撐單元，其經組態以支撐前述製程空間中的基板；以及 加熱構件，其設置於前述支撐單元中且經組態以加熱前述基板， 其中前述加熱構件包含： 加熱板，其包含複數個加熱元件，前述複數個加熱元件中的每一個經由第一金屬襯墊及第二金屬襯墊接合至前述加熱板； 連接板，其中形成有與前述第一金屬襯墊連接的第一貫穿孔、及與前述第二金屬襯墊連接的第二貫穿孔，前述連接板包含與設置於前述第一貫穿孔中的金屬材料電連接的第一電路圖案、及與設置於前述第二貫穿孔中的金屬材料電連接的第二電路圖案，其中在前述連接板中形成與前述複數個加熱元件一樣多的複數個第一空間，且前述複數個加熱元件分別容納於前述複數個第一空間中；以及 控制板，其中第三貫穿孔形成於與前述第一電路圖案對應的位置中，且第四貫穿孔形成於與前述第二電路圖案對應的位置中，前述控制板包含與設置於前述第三貫穿孔中的金屬材料電連接的第三電路圖案、及與設置於前述第四貫穿孔中的金屬材料電連接的第四電路圖案，其中前述控制板具有接合至其上的複數個控制元件，前述複數個控制元件中的每一個與前述第三電路圖案及前述第四電路圖案電連接且控制前述複數個加熱元件中的對應加熱元件。
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