TW202305176A - 雙層式遮蔽構件及具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台 - Google Patents

雙層式遮蔽構件及具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台 Download PDF

Info

Publication number
TW202305176A
TW202305176A TW110126322A TW110126322A TW202305176A TW 202305176 A TW202305176 A TW 202305176A TW 110126322 A TW110126322 A TW 110126322A TW 110126322 A TW110126322 A TW 110126322A TW 202305176 A TW202305176 A TW 202305176A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
shielding
plate
shielding plate
double
layer
Prior art date
Application number
TW110126322A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI764784B (zh
Inventor
林俊成
沈祐德
Original Assignee
天虹科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 天虹科技股份有限公司 filed Critical 天虹科技股份有限公司
Priority to TW110126322A priority Critical patent/TWI764784B/zh
Priority to US17/497,535 priority patent/US11476101B1/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI764784B publication Critical patent/TWI764784B/zh
Publication of TW202305176A publication Critical patent/TW202305176A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3441—Dark space shields
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts

Abstract

本發明提供一種具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台，主要包括一反應腔體、一承載盤及一雙層式遮蔽構件，其中部分的雙層式遮蔽構件及承載盤位於反應腔體內。雙層式遮蔽構件包括一第一及一第二遮蔽板、一第一及一第二保護板及一驅動裝置，其中驅動裝置連接第一及第二遮蔽板，並驅動第一及第二遮蔽板朝相反方向擺動。第一及第二保護板分別設置在第一及第二遮蔽板的表面，其中第一及第二保護板與第一及第二遮蔽板之間存在一間隔，可防止第一及第二遮蔽板發生高溫變形，以提高遮蔽的效果。

Description

雙層式遮蔽構件及具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台
本發明有關於一種具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台，主要透過雙層式遮蔽構件遮擋承載盤，以避免在清潔處理腔室的過程中汙染承載盤。
化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)及原子層沉積(ALD)皆是常用的薄膜沉積設備，並普遍被使用在積體電路、發光二極體及顯示器等製程中。
沉積設備主要包括一腔體及一晶圓承載盤，其中晶圓承載盤位於腔體內，並用以承載至少一晶圓。以物理氣相沉積為例，腔體內需要設置一靶材，其中靶材面對晶圓承載盤上的晶圓。在進行物理氣相沉積時，可將惰性氣體及/或反應氣體輸送至腔體內，分別對靶材及晶圓承載盤施加偏壓，並透過晶圓承載盤加熱承載的晶圓。
腔體內的惰性氣體因為高壓電場的作用，形成離子化的惰性氣體，離子化的惰性氣體會受到靶材上的偏壓吸引而轟擊靶材。從靶材濺出的靶材原子或分子受到晶圓承載盤上的偏壓吸引，並沉積在加熱的晶圓的表面，以在晶圓的表面形成薄膜。
在經過一段時間的使用後，腔體的內表面會形成沉積薄膜，因此需要週期性的清潔腔體，以避免沉積薄膜在製程中掉落，進而汙染晶圓。此外靶材的表面亦可能形成氧化物或其他汙染物，因此同樣需要週期性的清潔靶材。一般而言，通常會透過預燒(burn-in)製程，以電漿離子撞擊腔體內的靶材，以去除靶材表面的氧化物或其他汙染物。
在進行上述清潔腔體及靶材時，需要將腔體內的晶圓承載盤及晶圓取出，或者隔離晶圓承載盤，以避免清潔過程中汙染晶圓承載盤及晶圓。
一般而言，薄膜沉積機台在經過一段時間的使用後，通常需要進行清潔，以去除腔室內沉積的薄膜及靶材上的氧化物或氮化物。在清潔的過程中產生的微粒會汙染承載盤，因此需要隔離承載盤及汙染物。本發明提出一種雙層式遮蔽構件及具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台，主要透過驅動裝置帶動兩個遮蔽板朝相反方向擺動，使得兩個遮蔽板操作在一開啟狀態及一遮蔽狀態。兩個遮蔽板朝向靶材的表面上分別設置一保護板，其中保護板用以保護遮蔽板以避免清潔過程中產生的高溫或高溫物質損害遮蔽板。
本發明的一目的，在於提供一種具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台，主要包括一反應腔體、一承載盤及一雙層式遮蔽構件。雙層式遮蔽構件包括一驅動裝置、兩個遮蔽板及兩個保護板，其中驅動裝置連接兩個遮蔽板，而保護板則設置在遮蔽板朝向靶材的表面上。
在清潔反應腔體時，兩個驅動裝置分別帶動兩個遮蔽板以擺動的方式相互靠近，並透過兩個遮蔽板遮擋容置空間內的承載盤，以避免清潔過程中使用的電漿或產生的污染接觸承載盤。在進行沉積製程時，兩個驅動裝置分別帶動兩個遮蔽板以擺動的方式相互遠離，並可對反應腔體內的基板進行薄膜沉積。
當兩個遮蔽板操作在遮蔽狀態時，設置在遮蔽板上兩個保護板亦會相互靠近，並用遮擋兩個遮蔽板。此外，保護板與遮蔽板之間具有一間隔，可有效隔離遮蔽板與清潔過程中產生的高溫或高溫物質，以降低遮蔽板受熱變形的機會。
本發明的一目的，在於提供一種具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台，其中操作在遮蔽狀態的兩個遮蔽板之間具有一第一間隙，而設置在遮蔽板上的兩個保護板之間則具有一第二間隙。兩個遮蔽板之間的第一間隙與兩個保護板之間的第二間隙彼此錯開，使得操作在遮蔽狀態的保護板及遮蔽板可有效阻隔靶材及承載盤，以避免清潔過程中產生的汙染物接觸承載盤。
本發明的一目的，在於提供一種具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台，主要透過兩個遮蔽板構成一個完整的遮蔽件，可縮小收納遮蔽板需要的空間。在本發明一實施例中，兩個遮蔽板可以在反應腔體的容置空間內進行相反方向的擺動，其中兩個遮蔽板可以在反應腔體的容置空間內操作在開啟狀態或遮蔽狀態，可簡化反應腔體的構造及縮小反應腔體的體積。此外亦可進一步使用厚度較大的遮蔽板，以防止遮蔽板在清潔薄膜沉積機台時發生高溫變形，並有利於提高遮蔽板遮擋承載盤的效果。
為了達到上述的目的，本發明提出一種具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台，包括：一反應腔體，包括一容置空間；一承載盤，位於容置空間內，並用以承載至少一基板；及一雙層式遮蔽構件，包括：一第一遮蔽板，位於容置空間內；一第一保護板，設置於第一遮蔽板的一表面；一第二遮蔽板，位於容置空間內；一第二保護板，設置於第二遮蔽板的一表面；及一驅動裝置，連接第一遮蔽板及第二遮蔽板，並分別驅動第一遮蔽板及第二遮蔽板朝相反方向擺動，使得第一遮蔽板及第二遮蔽板在一開啟狀態及一遮蔽狀態之間切換，其中遮蔽狀態的第一遮蔽板及第二遮蔽板會相互靠近，並用以遮擋承載盤，而第一保護板及第二保護板亦會相互靠近，並用以遮擋第一遮蔽板及第二遮蔽板。
本發明提出一種雙層式遮蔽構件，適用於一薄膜沉積機台，包括：一第一遮蔽板；一第一保護板，設置於第一遮蔽板的一表面；一第二遮蔽板；一第二保護板，設置於第二遮蔽板的一表面；及一驅動裝置，連接第一遮蔽板及第二遮蔽板，並分別驅動第一遮蔽板及第二遮蔽板朝相反方向擺動，使得第一遮蔽板及第二遮蔽板操作在一開啟狀態及一遮蔽狀態之間切換，其中遮蔽狀態的第一遮蔽板及第二遮蔽板會相互靠近，而第一保護板及第二保護板亦會相互靠近，並用以遮擋第一遮蔽板及第二遮蔽板。
所述的具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台及雙層式遮蔽構件，其中驅動裝置包括一軸封裝置及至少一驅動馬達，驅動馬達透過軸封裝置連接第一遮蔽板及第二遮蔽板。
所述的具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台及雙層式遮蔽構件，包括一靶材位於反應腔體的容置空間內並面對承載盤，操作在遮蔽狀態的第一遮蔽板與及第二遮蔽板位於靶材與承載盤之間，而第一保護板及第二保護板則位於靶材與第一遮蔽板及第二遮蔽板之間。
所述的具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台及雙層式遮蔽構件，其中遮蔽狀態的第一遮蔽板及第二遮蔽板之間具有一第一間隙，而第一保護板及第二保護板之間則具有一第二間隙，第一間隙與第二間隙不重疊。
所述的具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台及雙層式遮蔽構件，其中第一保護板的面積大於第二保護板的面積，或是第一遮蔽板的面積大於第二遮蔽板的面積。
所述的具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台，包括兩個感測區連接反應腔體，兩個感測區分別包括一感測空間流體連接容置空間，兩個感測區的厚度小於反應腔體，其中兩個感測區分別設置至少一位置感測單元，用以感測進入感測空間的第一遮蔽板及第二遮蔽板。
請參閱圖1，為本發明具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台操作在遮蔽狀態一實施例的側面剖面示意圖。如圖所示，具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台10主要包括一反應腔體11、一承載盤13及一雙層式遮蔽構件100，其中反應腔體11包括一容置空間12用以容置承載盤13及部分的雙層式遮蔽構件100。
承載盤13位於反應腔體11的容置空間12內，並用以承載至少一基板163。以具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台10為物理氣相沉積腔體為例，反應腔體11的容置空間12內設置一靶材161，其中靶材161面對及承載盤13。例如靶材161可設置在反應腔體11的上方，並朝向位於容置空間12內的承載盤13及/或基板163。
請配合參閱圖2及圖3，雙層式遮蔽構件100包括一第一遮蔽板151、一第二遮蔽板153、一第一保護板181、一第二保護板183及一驅動裝置17，其中第一遮蔽板151、第二遮蔽板153、第一保護板181及第二保護板183位於容置空間12內，而部分驅動裝置17位於容置空間12內。
驅動裝置17連接第一遮蔽板151及第二遮蔽板153，並分別驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動，使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153在開啟狀態及遮蔽狀態之間切換，例如第一遮蔽板151及第二遮蔽板153以驅動裝置17為軸心同步擺動。
在本發明一實施例中，驅動裝置17連接一第一連接臂141及一第二連接臂143，並透過第一連接臂141及一第二連接臂143分別連接第一遮蔽板151及第二遮蔽板153，其中驅動裝置17分別透過第一連接臂141及第二連接臂143帶動第一及第二遮蔽板151/153及第一及第二保護板181/183朝相反方向擺動或轉動。
在本發明一實施例中，第一遮蔽板151、第二遮蔽板153、第一保護板181及第二保護板183可為板體，例如為半圓形或部分圓形的板體。當驅動裝置17帶動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在遮蔽狀態時，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153會相靠近形成一圓板狀的遮蔽件15，其中第一遮蔽板151及第二遮蔽板153構成的遮蔽件15會位於承載盤13與靶材161之間，並用以遮擋承載盤13及/或基板163。
具體而言，操作在遮蔽狀態的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的一表面(如上表面)朝向靶材161，而另一表面(如下表面)則朝向承載盤13。第一保護板181及第二保護板183分別設置在第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝向靶材161的表面(如上表面)，其中操作在遮蔽狀態的第一及第二保護板181/183位於第一及第二遮蔽板151/153與靶材161之間。
第一及第二保護板181/183主要用以隔離清潔反應腔體11及靶材161時產生的高溫或高溫物質直接接觸第一及第二遮蔽板151/153，以避免第一及第二遮蔽板151/153發生高溫變形，進而影響遮蔽承載盤13的效果。
此外當驅動裝置17驅動第一及第二遮蔽板151/153相互靠近，並操作在遮蔽狀態時，第一及第二保護板181/183亦會相互靠近，並操作在遮蔽狀態以遮擋第一及第二遮蔽板151/153。
本發明實施例所述的第一及第二遮蔽板151/153操作在遮蔽狀態或相連接，可被定義為第一及第二遮蔽板151/153相互靠近，直到兩者之間的間距小於一門檻值，例如小於1mm。此外操作在遮蔽狀態的第一及第二保護板181/183之間的間距亦可小於一門檻值。具體而言，第一及第二遮蔽板151/153並不會直接接觸，而第一及第二保護板181/183亦不會直接接觸，以防止在接觸過程中產生微粒，汙染反應腔體11的容置空間12及/或承載盤13。
在本發明一實施例中，如圖2、圖3及圖6所示，第一及第二遮蔽板151/153的面積約略相同，而第一及第二保護板181/183亦約略相同。第一及第二保護板181/183可透過複數個支撐單元185連接第一及第二遮蔽板151/153，其中第一及第二保護板181/183與第一及第二遮蔽板151/153之間具有一間隔182。間隔182可阻隔熱量由第一及第二保護板181/183傳導至第一及第二遮蔽板151/153，以降低第一及第二遮蔽板151/153受熱變形的機率。
第一及第二遮蔽板151/153操作在遮蔽狀態時，第一及第二遮蔽板151/153之間具有一第一間隙154，而第一及第二保護板181/183之間則具有一第二間隙184。在本發明一實施例中，如圖3及圖6所示，第一間隙154約略與第二間隙184重疊，其中第一及第二遮蔽板151/153與第一及第二保護板181/183可以是面積相近的半圓形的盤體。
在本發明另一實施例中，如圖5及圖7所示，第一間隙154與第二間隙184不相互重疊，其中第一及第二遮蔽板151/153的面積約略相同，而第一及第二保護板181/183的面積則不相同，例如第一保護板181的面積大於第二保護板183。在實際應用時亦可使得第一及第二保護板181/183的面積約略相同，而第一及第二遮蔽板151/153的面積則不相同，例如第一遮蔽板151的面積大於第二遮蔽板153的面積，皆可使得第一間隙154與第二間隙184的位置錯開。
當第一間隙154不與第二間隙184重疊時，可避免清潔時的熱量或高溫物質通過第二間隙184，進而經由第一間隙154傳遞至承載盤13，以提高雙層式遮蔽構件100對承載盤13的遮蔽效果。
在本發明一實施例中，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可設置在不同的高度，而第一保護板181及第二保護板183亦可設置在不同高度，例如第一遮蔽板151高於第二遮蔽板153，而第一保護板181高於第二保護板183。當第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在遮蔽狀態時，部分的第一遮蔽板151會與部分的第二遮蔽板153重疊，而部分的第一保護板181則會與部分的第二保護板183重疊，可進一步提高對承載盤13的遮擋效果。
上述第一及第二遮蔽板151/153與第一及第二保護板181/183為半圓形的盤狀僅為本發明一實施例，在不同實施例中第一及第二遮蔽板151/153與第一及第二保護板181/183可為任意的幾何形狀。
在本發明一實施例中，如圖8所示，驅動裝置17包括至少一驅動馬達171及一軸封裝置173，其中驅動馬達171透過軸封裝置173連接第一遮蔽板151及第二遮蔽板153。驅動馬達171位於反應腔體11的容置空間12外，而軸封裝置173則穿過並設置在反應腔體11，其中部分的軸封裝置173位於反應腔體11的容置空間12內。
軸封裝置173包括一外管體1731及一軸體1733。外管體1731包括一空間1732用以容置軸體1733，其中外管體1731及軸體1733同軸設置，外管體1731固定在反應腔體11上，且外管體1731及軸體1733可相對轉動。外管體1731連接第一連接臂141，並經由第一連接臂141連接並帶動第一遮蔽板151擺動。軸體1733連接第二連接臂143，並經由第二連接臂143連接並帶動第二遮蔽板153擺動。軸封裝置173可以是一般常見的軸封或磁流體軸封，主要用以隔離反應腔體11的容置空間12與外部的空間，以維持容置空間12的真空。
在本發明一實施例中，如圖8所示，驅動馬達171的數量可為兩個，兩個驅動馬達171分別連接軸封裝置173的外管體1731及軸體1733，並分別驅動外管體1731及軸體1733朝相反方向同步轉動，以透過外管體1731及軸體1733分別帶動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝不同方向擺動。
在本發明另一實施例中，驅動馬達171的數量可為一個，並透過一連動機構分別經由外管體1731及軸體1733分別連接及驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向同步擺動。此外在本發明上述實施例中，以單一個驅動裝置17做為說明，但在實際應用時驅動裝置17亦可為兩個，並分別連接並驅動第一及第二遮蔽板151/153。
具體而言，本發明具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台10及/或雙層式遮蔽構件100可操作在兩種狀態，分別是開啟狀態及遮蔽狀態。如圖2、圖4、圖9及圖11所示，驅動裝置17可驅動第一及第二遮蔽板151/153與第一及第二保護板181/183朝相反方向擺動，使得第一及第二遮蔽板151/153與第一及第二保護板181/183相互遠離，並操作在開啟狀態。操作在開啟狀態的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153之間會形成一間隔空間152，使得靶材161與承載盤13及基板163之間不存在第一及第二遮蔽板151/153與第一及第二保護板181/183，其中靶材161經由間隔空間152面對承載盤13。
在本發明一實施例中，如圖1所示，反應腔體11的容置空間12可設置一擋件111，其中擋件111的一端連接反應腔體11，而擋件111的另一端則形成一開口112。承載盤13朝靶材161靠近時，會進入或接觸擋件111形成的開口112。反應腔體11、承載盤13及擋件111會在容置空間12內區隔出一反應空間，並在反應空間內的基板163表面沉積薄膜，可防止在反應空間外的反應腔體11及承載盤13的表面形成沉積薄膜。
此外，如圖3、圖5及圖10所示，驅動裝置17可驅動第一及第二遮蔽板151/153與第一及第二保護板181/183朝相反方向擺動，使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相互靠近，並形成遮蔽件15。
遮蔽件15可在容置空間12內區隔一清潔空間121，其中清潔空間121與反應空間的區域部分重疊或相近。可在清潔空間121內進行預燒(burn-in)製程，以清潔靶材161及清潔空間121內的反應腔體11及/或擋件111，並去除靶材161表面的氧化物、氮化物或其他汙染物，及反應腔體11及/或擋件111表面沉積的薄膜。
在清潔具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台10的過程中，承載盤13及/或基板163會被遮蔽件15遮擋或隔離，以避免清潔過程中產生的物質汙染或沉積在承載盤13及/或基板163的表面。
在本發明一實施例中，如圖9及圖10所示，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153可以在反應腔體11的容置空間12內操作在開啟狀態及遮蔽狀態，而不需要額外設置一個或多個儲存腔體來儲存開啟狀態的遮蔽板。例如可使得反應腔體11及/容置空間12的體積略大於原本的體積。
在本發明一實施例中，可進一步在反應腔體11上設置複數個位置感測單元19，例如位置感測單元19可以是光感測單元，並用以感測第一及第二遮蔽板151/153及/或第一及第二保護板181/183的位置，以判斷第一遮蔽板151及第二遮蔽板153是否處在開啟狀態，可避免承載盤13、第一遮蔽板151及第二遮蔽板153發生不正常的碰撞。
此外可依據具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台10上其他機構或動線的配置，調整雙層式遮蔽構件100在反應腔體11的位置。以反應腔體11的容置空間12為立方體為例，如圖9及圖10所示，雙層式遮蔽構件100的驅動裝置17可設置在反應腔體11及/或容置空間12的側邊。如圖11所示，雙層式遮蔽構件100的驅動裝置17亦可設置在反應腔體11/或容置空間12的角落或頂角，以利於在反應腔體11的側邊設置基板進料口及抽氣管線等機構。
在本發明一實施例中，反應腔體11可連接兩個感測區113，其中感測區113凸出反應腔體11的側表面，且感測區113的厚度小於反應腔體11。兩個感測區113分別包括一感測空間120，且感測區113的感測空間120流體連接反應腔體11的容置空間12，其中感測空間120的厚度或高度小於容置空間12。當第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在開啟狀態時，部分的第一及第二遮蔽板151/153與部分的第一及第二保護板181/183會分別進入流體連接容置空間12的兩個感測空間120，其中位於感測空間120內的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面積小於位於容置空間12內的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面積。
如圖11所示，兩個感測區113分別設置在反應腔體11相鄰的兩個側邊，並於兩個感測區113上分別設置至少一位置感測單元19，分別用以感測進入感測空間120的第一及第二遮蔽板151/153及/或第一及第二保護板181/183。
以上所述者，僅為本發明之一較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，即凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。
10:具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台 100:雙層式遮蔽構件 11:反應腔體 111:擋件 112:開口 113:感測區 12:容置空間 120:感測空間 121:清潔空間 13:承載盤 141:第一連接臂 143:第二連接臂 15:遮蔽件 151:第一遮蔽板 152:間隔空間 153:第二遮蔽板 154:第一間隙 161:靶材 163:基板 17:驅動裝置 171:驅動馬達 173:軸封裝置 1731:外管體 1732:空間 1733:軸體 181:第一保護板 182:間隔 183:第二保護板 184:第二間隙 185:支撐單元 19:位置感測單元
[圖1]為本發明具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台操作在遮蔽狀態一實施例的側面剖面示意圖。
[圖2]為本發明薄膜沉積機台的雙層式遮蔽構件操作在開啟狀態一實施例的立體示意圖。
[圖3]為本發明薄膜沉積機台的雙層式遮蔽構件操作在遮蔽狀態一實施例的立體示意圖。
[圖4]為本發明薄膜沉積機台的雙層式遮蔽構件操作在開啟狀態又一實施例的立體示意圖。
[圖5]為本發明薄膜沉積機台的雙層式遮蔽構件操作在遮蔽狀態又一實施例的立體示意圖。
[圖6]為本發明雙層式遮蔽構件操作在遮蔽狀態一實施例的部分放大剖面示意圖。
[圖7]為本發明雙層式遮蔽構件操作在遮蔽狀態又一實施例的部分放大剖面示意圖。
[圖8]為本發明雙層式遮蔽構件的驅動裝置一實施例的立體剖面示意圖。
[圖9]為本發明具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台操作在開啟狀態一實施例的俯視圖。
[圖10]為本發明具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台操作在遮蔽狀態一實施例的俯視圖。
[圖11]為本發明具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台操作在開啟狀態又一實施例的俯視圖。
10:具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台
100:雙層式遮蔽構件
11:反應腔體
111:擋件
112:開口
12:容置空間
121:清潔空間
13:承載盤
141:第一連接臂
143:第二連接臂
15:遮蔽件
151:第一遮蔽板
153:第二遮蔽板
161:靶材
163:基板
17:驅動裝置
181:第一保護板
183:第二保護板

Claims (10)

  1. 一種具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台，包括： 一反應腔體，包括一容置空間； 一承載盤，位於該容置空間內，並用以承載至少一基板；及 一雙層式遮蔽構件，包括： 一第一遮蔽板，位於該容置空間內； 一第一保護板，設置於該第一遮蔽板的一表面； 一第二遮蔽板，位於該容置空間內； 一第二保護板，設置於該第二遮蔽板的一表面；及 一驅動裝置，連接該第一遮蔽板及該第二遮蔽板，並分別驅動該第一遮蔽板及該第二遮蔽板朝相反方向擺動，使得該第一遮蔽板及該第二遮蔽板在一開啟狀態及一遮蔽狀態之間切換，其中該遮蔽狀態的該第一遮蔽板及該第二遮蔽板會相互靠近，並用以遮擋該承載盤，而該第一保護板及該第二保護板亦會相互靠近，並用以遮擋該第一遮蔽板及該第二遮蔽板。
  2. 如請求項1所述的具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台，其中該驅動裝置包括一軸封裝置及至少一驅動馬達，該驅動馬達透過該軸封裝置連接該第一遮蔽板及該第二遮蔽板。
  3. 如請求項1所述的具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台，包括一靶材位於該反應腔體的該容置空間內並面對該承載盤，操作在該遮蔽狀態的該第一遮蔽板與及該第二遮蔽板位於該靶材與該承載盤之間，而該第一保護板及該第二保護板則位於該靶材與該第一遮蔽板及該第二遮蔽板之間。
  4. 如請求項1所述的具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台，其中該遮蔽狀態的該第一遮蔽板及該第二遮蔽板之間具有一第一間隙，而該第一保護板及該第二保護板之間則具有一第二間隙，該第一間隙與該第二間隙不重疊。
  5. 如請求項4所述的具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台，其中該第一保護板的面積大於該第二保護板的面積，或是該第一遮蔽板的面積大於該第二遮蔽板的面積。
  6. 如請求項1所述的具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台，包括兩個感測區連接該反應腔體，該兩個感測區分別包括一感測空間流體連接該容置空間，該兩個感測區的厚度小於該反應腔體，其中該兩個感測區分別設置至少一位置感測單元，用以感測進入該感測空間的該第一遮蔽板及該第二遮蔽板。
  7. 一種雙層式遮蔽構件，適用於一薄膜沉積機台，包括： 一第一遮蔽板； 一第一保護板，設置於該第一遮蔽板的一表面； 一第二遮蔽板； 一第二保護板，設置於該第二遮蔽板的一表面；及 一驅動裝置，連接該第一遮蔽板及該第二遮蔽板，並分別驅動該第一遮蔽板及該第二遮蔽板朝相反方向擺動，使得該第一遮蔽板及該第二遮蔽板在一開啟狀態及一遮蔽狀態之間切換，其中該遮蔽狀態的該第一遮蔽板及該第二遮蔽板會相互靠近，而該第一保護板及該第二保護板亦會相互靠近，並用以遮擋該第一遮蔽板及該第二遮蔽板。
  8. 如請求項7所述的雙層式遮蔽構件，其中該驅動裝置包括一軸封裝置及至少一驅動馬達，該驅動馬達透過該軸封裝置連接該第一遮蔽板及該第二遮蔽板。
  9. 如請求項7所述的雙層式遮蔽構件，其中該遮蔽狀態的該第一遮蔽板及該第二遮蔽板之間具有一第一間隙，而該第一保護板及該第二保護板之間則具有一第二間隙，該第一間隙與該第二間隙不重疊。
  10. 如請求項9所述的雙層式遮蔽構件，其中該第一保護板的面積大於該第二保護板的面積，或是該第一遮蔽板的面積大於該第二遮蔽板的面積。
TW110126322A 2021-07-16 2021-07-16 雙層式遮蔽構件及具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台 TWI764784B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110126322A TWI764784B (zh) 2021-07-16 2021-07-16 雙層式遮蔽構件及具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台
US17/497,535 US11476101B1 (en) 2021-07-16 2021-10-08 Double-layer shielding device and thin-film-deposition equipment with the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110126322A TWI764784B (zh) 2021-07-16 2021-07-16 雙層式遮蔽構件及具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI764784B TWI764784B (zh) 2022-05-11
TW202305176A true TW202305176A (zh) 2023-02-01

Family

ID=82594366

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110126322A TWI764784B (zh) 2021-07-16 2021-07-16 雙層式遮蔽構件及具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11476101B1 (zh)
TW (1) TWI764784B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI766741B (zh) * 2021-06-29 2022-06-01 天虹科技股份有限公司 開合式遮蔽構件及具有開合式遮蔽構件的薄膜沉積機台
TWI773411B (zh) * 2021-06-29 2022-08-01 天虹科技股份有限公司 遮蔽裝置及具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9722645D0 (en) * 1997-10-24 1997-12-24 Univ Nanyang Enhanced macroparticle filter and cathode arc source
TWI242602B (en) * 2001-11-02 2005-11-01 Ulvac Inc Thin film forming apparatus and method
KR100989974B1 (ko) * 2005-02-02 2010-10-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 클리닝 방법 및 플라즈마 처리 방법
JP5563377B2 (ja) * 2009-12-22 2014-07-30 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
US9887121B2 (en) * 2013-04-26 2018-02-06 Applied Materials, Inc. Protective cover for electrostatic chuck
JP6009513B2 (ja) * 2014-09-02 2016-10-19 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
TWI764784B (zh) 2022-05-11
US11476101B1 (en) 2022-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202305176A (zh) 雙層式遮蔽構件及具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台
TWI777640B (zh) 遮蔽機構及具有遮蔽機構的薄膜沉積腔體
TWI788032B (zh) 開合式遮蔽機構及具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台
TWI773411B (zh) 遮蔽裝置及具有遮蔽裝置的薄膜沉積設備
TWI815135B (zh) 開合式遮蔽構件及具有開合式遮蔽構件的薄膜沉積機台
TWI766741B (zh) 開合式遮蔽構件及具有開合式遮蔽構件的薄膜沉積機台
CN216141613U (zh) 遮蔽机构及具有遮蔽机构的沉积腔体
CN216237258U (zh) 开合式遮蔽构件及具有开合式遮蔽构件的薄膜沉积装置
TWM619996U (zh) 開合式遮蔽構件及具有開合式遮蔽構件的沉積機台
CN215628274U (zh) 具有对开式遮蔽构件的沉积设备
TWM620965U (zh) 具有對開式遮蔽構件的沉積設備
TWM620547U (zh) 雙層式遮蔽構件及具有雙層式遮蔽構件的沉積機台
TWI788035B (zh) 用以感測遮蔽機構開合的薄膜沉積機台
TWI787823B (zh) 可減少微塵的基板處理腔室及其遮擋機構
CN216585186U (zh) 双层式遮蔽构件及具有双层式遮蔽构件的沉积机台
CN216237257U (zh) 遮蔽装置及具有遮蔽装置的沉积设备
TWM619998U (zh) 遮蔽裝置及具有遮蔽裝置的沉積設備
CN216141617U (zh) 开合式遮蔽构件及具有开合式遮蔽构件的沉积机台
TWI771083B (zh) 具有對開式遮蔽構件的薄膜沉積設備
CN115612981A (zh) 双层式遮蔽构件及具有双层式遮蔽构件的薄膜沉积机台
TWI782532B (zh) 遮擋構件及具有遮擋構件的基板處理腔室
TWM627664U (zh) 遮擋裝置及具有遮擋裝置的薄膜沉積機台
TWI790976B (zh) 具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台
TWM619997U (zh) 遮蔽機構及具有遮蔽機構的沉積腔體
CN115547800A (zh) 遮蔽装置及具有遮蔽装置的薄膜沉积设备