TWI790976B - 具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台，主要包括一反應腔體、一承載盤、一覆蓋環及一遮蔽機構。遮蔽機構包括一第一承載臂、一第二承載臂、一第一遮蔽板及一第二遮蔽板，第一及第二遮蔽板分別放置在第一及第二承載臂上。第一及第二遮蔽板的底面與承載盤之間具有對應的對位機構，使得第一及第二遮蔽板可被定位並放置在承載盤上。第一及第二遮蔽板的頂面與覆蓋環之間亦具有對應的對位機構，使得覆蓋環可定位在第一及第二遮蔽板上，並於反應腔體內區隔出一清潔空間，以有利於清潔腔體及靶材。

Description

具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台

本發明有關於一種具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台，主要透過遮蔽機構遮擋承載盤，以避免在清潔處理腔室的過程中汙染承載盤。

化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)及原子層沉積(ALD)皆是常用的薄膜沉積設備，並普遍被使用在積體電路、發光二極體及顯示器等製程中。

沉積設備主要包括一腔體及一晶圓承載盤，其中晶圓承載盤位於腔體內，並用以承載至少一晶圓。以物理氣相沉積為例，腔體內需要設置一靶材，其中靶材面對晶圓承載盤上的晶圓。在進行物理氣相沉積時，可將惰性氣體及/或反應氣體輸送至腔體內，分別對靶材及晶圓承載盤施加偏壓，並透過晶圓承載盤加熱承載的晶圓。

腔體內的惰性氣體因為高壓電場的作用，形成離子化的惰性氣體，離子化的惰性氣體會受到靶材上的偏壓吸引而轟擊靶材。從靶材濺出的靶材原子或分子受到晶圓承載盤上的偏壓吸引，並沉積在加熱的晶圓的表面，以在晶圓的表面形成薄膜。

在經過一段時間的使用後，腔體的內表面會形成沉積薄膜，因此需要週期性的清潔腔體，以避免沉積薄膜在製程中掉落，進而汙染晶圓。 此外靶材的表面亦可能形成氧化物或其他汙染物，因此同樣需要週期性的清潔靶材。一般而言，通常會透過預燒(burn-in)製程，以電漿離子撞擊腔體內的靶材，以去除靶材表面的氧化物或其他汙染物。

在進行上述清潔腔體及靶材時，需要將腔體內的晶圓承載盤及晶圓取出，或者隔離晶圓承載盤，以避免清潔過程中汙染晶圓承載盤及晶圓。

一般而言，薄膜沉積腔體在經過一段時間的使用後，通常需要進行清潔，以去除腔室內沉積的薄膜及靶材上的氧化物或氮化物。在清潔的過程中產生的微粒會汙染承載盤，因此需要隔離承載盤及汙染物。本發明提出一種具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台，主要透過驅動裝置帶動兩個遮蔽板朝相反方向擺動，使得兩個遮蔽板操作在一開啟狀態及一遮蔽狀態。操作在遮蔽狀態的遮蔽板可放置在承載盤上，並透過對準機構對準遮蔽板及承載盤，使得遮蔽板可確實遮蔽承載盤。

本發明的一目的，在於提供一種具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台，主要包括一反應腔體、一承載盤及一遮蔽機構。遮蔽機構包括一驅動裝置、兩個承載臂及兩個遮蔽板，其中驅動裝置透過兩個承載臂分別承載兩個遮蔽板，並分別驅動兩個遮蔽板朝相反方向擺動，使得兩個遮蔽板操作在一開啟狀態或一遮蔽狀態。

遮蔽板的下表面設置兩組不同的對位單元，當遮蔽板放置在承載臂上時，可透過其中一組對位單元與承載臂的對位單元對位，使得遮蔽板被放置在承載臂的固定位置上。當遮蔽板接觸承載盤時，可透過另一組對 位單元與承載盤上的對位單元對位，使得遮蔽板被放置在承載盤的固定位置上，並可確實遮蔽承載盤的承載面。

本發明的一目的，在於提供一種具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台，主要於反應腔體內設置一擋件及一覆蓋環，並將覆蓋環放置在擋件上。遮蔽板的上表面與覆蓋環的底面具有對應的對位機構，在承載盤帶動承載的遮蔽板靠近覆蓋環時，可透過對位機構對位遮蔽板及覆蓋環，使得遮蔽板及覆蓋環可以在反應腔體的容置空間內定義出一清潔空間。而後可在清潔空間內進行預燒(burn-in)製程，以清潔靶材及清潔空間內的反應腔體、擋件及/或覆蓋環。

兩個承載臂分別連接一弧形支撐架，用以承載遮蔽板。當兩個遮蔽板閉合時，兩個弧形支撐架會形成一個環狀的支撐架，並在兩個弧形支撐架的內側形成一開口。開口的面積會大於承載盤的截面積或承載盤的承載面的面積，使得承載盤可以穿過兩個弧形支撐架內側的開口，並承載及帶動遮蔽板離開弧形支撐架。在進行上述的過程中，不需要驅動兩個承載臂及弧形支撐架擺動，並有利於提高使用時的便利性。

為了達到上述的目的，本發明提出一種具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台，包括：一反應腔體，包括一容置空間：一承載盤，位於容置空間內，並包括一承載面及複數個對位凸部，其中承載面用以承載至少一基板，而對位凸部則位於承載面的周圍；及一開合式遮蔽機構，包括：一第一承載臂，位於容置空間內，包括複數個第一對位部；一第二承載臂，位於容置空間內，包括複數個第二對位部；一第一遮蔽板，第一遮蔽板的上表面包括一第一弧形凹槽或一第一弧形凸起，而第一遮蔽板的下表面則 包括複數個第三對位部及複數個第一對位凹部，第一對位凹部位於第三對位部的內側，其中第三對位部及第一對位部用以對位第一遮蔽板及第一承載臂；一第二遮蔽板，第二遮蔽板的上表面包括一第二弧形凹槽或一第二弧形凸起，而第二遮蔽板的下表面則包括複數個第四對位部及複數個第二對位凹部，第二對位凹部位於第四對位部的內側，其中第四對位部及第二對位部用以對位第二遮蔽板及第二承載臂；及一驅動裝置，連接第一承載臂及第二承載臂，並分別透過第一承載臂及第二承載臂驅動第一遮蔽板及第二遮蔽板朝相反的方向擺動，使得第一遮蔽板及第二遮蔽板在一開啟狀態及一遮蔽狀態之間切換，其中遮蔽狀態第一遮蔽板及第二遮蔽板分別透過第一對位凹部及第二對位凹部與承載盤的對位凸部對位，並以第一遮蔽板及第二遮蔽板遮蔽承載盤的承載面。

在本發明至少一實施例中，其中驅動裝置包括一軸封裝置及至少一驅動馬達，驅動馬達透過軸封裝置連接第一承載臂及第二承載臂。

在本發明至少一實施例中，包括：一擋件，擋件的一端連接反應腔體，而擋件的另一端則形成一環形凸起；及一覆蓋環，放置在擋件的環形凸起上，其中覆蓋環的底部包括至少一對位凹部，覆蓋環透過對位凹部對位承載盤的對位凸部。

在本發明至少一實施例中，其中覆蓋環連接第一遮蔽板及第二遮蔽板時，位於第一遮蔽板及第二遮蔽板上表面的第一弧形凸起及第二弧形凸起會位於覆蓋環底部的對位凹部內。

在本發明至少一實施例中，其中覆蓋環的底部設置至少一凸起，並經由凸起在覆蓋環的底部形成對位凹部，其中覆蓋環連接第一遮蔽板及 第二遮蔽板時，位於覆蓋環底部的凸起位於第一遮蔽板及第二遮蔽板上表面的第一弧形凹槽及第二弧形凹槽內。

在本發明至少一實施例中，其中第一承載臂包括一第一弧形支撐架，用以承載第一遮蔽板，而第一對位部則位於第一弧形支撐架上，第二承載臂包括一第二弧形支撐架，用以承載第二遮蔽板，而第二對位部則位於第二弧形支撐架上。

在本發明至少一實施例中，其中第一遮蔽板及第二遮蔽板操作在遮蔽狀態時，第一弧形支撐架及第二弧形支撐架形成一環狀支撐架。

在本發明至少一實施例中，其中第一弧形支撐架及第二弧形支撐架形成的環狀支撐架的內側具有一開口，且開口的面積大於承載盤的承載面的面積。

在本發明至少一實施例中，其中第一遮蔽板包括一凸起部，第二遮蔽板包括一凹陷部，第一遮蔽板及第二遮蔽板操作在遮蔽狀態時，第一遮蔽板的凸起部會進入第二遮蔽板的凹陷部。

在本發明至少一實施例中，包括兩個感測區連接反應腔體，兩個感測區的厚度小於反應腔體，其中兩個感測區分別設置至少一位置感測單元，用以感測進入感測區的第一遮蔽板及第二遮蔽板。

10:薄膜沉積機台

100:開合式遮蔽機構

11:反應腔體

111:擋件

1111:環形凸起

113:感測區

115:靶材

12:容置空間

121:清潔空間

13:承載盤

131:承載面

133:環形構件

135:對位凸部

141:第一承載臂

142:開口

143:第二承載臂

145:第一弧形支撐架

1451:第一對位部

147:第二弧形支撐架

1471:第二對位部

15:遮蔽件

151:第一遮蔽板

1511:第三對位部

1512:凸起部

1513:第一對位凹部

1515:第一弧形凹槽

153:第二遮蔽板

1531:第四對位部

1532:凹陷部

1533:第二對位凹部

1535:第二弧形凹槽

16:覆蓋環

161:對位凹部

163:凸起

17:驅動裝置

171:驅動馬達

173:軸封裝置

1731:外管體

1732:空間

1733:軸體

18:升降單元

19:位置感測單元

[圖1]為本發明具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台操作在遮蔽狀態一實施例的側面剖面示意圖。

[圖2]為本發明開合式遮蔽機構一實施例的立體分解示意圖。

[圖3]為本發明開合式遮蔽機構一實施例的立體示意圖。

[圖4]為本發明開合式遮蔽機構的遮蔽板一實施例的立體示意圖。

[圖5]為本發明薄膜沉積機台部分構造一實施例的放大剖面示意圖。

[圖6]為本發明薄膜沉積機台的驅動裝置一實施例的剖面示意圖。

[圖7]為本發明薄膜沉積機台操作在開啟狀態一實施例的俯視圖。

[圖8]為本發明薄膜沉積機台操作在遮蔽狀態一實施例的俯視圖。

[圖9]為本發明薄膜沉積機台的承載盤連接遮蔽板一實施例的側面剖面示意圖。

[圖10]為本發明薄膜沉積機台的承載盤帶動遮蔽板連接覆蓋環一實施例的側面剖面示意圖。

請參閱圖1，為本發明具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台操作在遮蔽狀態一實施例的側面剖面示意圖。如圖所示，薄膜沉積機台10主要包括一反應腔體11、一承載盤13及一開合式遮蔽機構100，其中反應腔體11包括一容置空間12用以容置承載盤13及部分的開合式遮蔽機構100。

承載盤13位於反應腔體11的容置空間12內，承載盤13包括一承載面131用以承載至少一基板。以薄膜沉積機台10為物理氣相沉積腔體為例，反應腔體11內設置一靶材115，其中靶材115面對及承載盤13。例如靶材115可設置在反應腔體11的上表面，並面對承載盤13的承載面131及/或基板。

請配合參閱圖2及圖3，開合式遮蔽機構100包括一第一承載臂141、一第二承載臂143、一第一遮蔽板151、一第二遮蔽板153及一驅動裝 置17，其中第一承載臂141、第二承載臂143、第一遮蔽板151及第二遮蔽板153位於容置空間12內。驅動裝置17連接第一承載臂141及第二承載臂143，而第一承載臂141及第二承載臂143分別用以承載第一遮蔽板151及第二遮蔽板153。驅動裝置17可透過第一承載臂141及第二承載臂143分別驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動，例如第一承載臂141及第二承載臂143以驅動裝置17為軸心朝相反方向同步擺動。

在本發明一實施例中，第一承載臂141包括一第一弧形支撐架145，而第二承載臂143則包括一第二弧形支撐架147，其中第一弧形支撐架145及第二弧形支撐架147分別用以承載第一遮蔽板151及第二遮蔽板153。驅動裝置17可分別經由第一承載臂141及第二承載臂143帶動第一弧形支撐架145及第二弧形支撐架147擺動，使得第一弧形支撐架145及第二弧形支撐架147靠近或遠離，並操作在開啟狀態或閉合狀態。例如第一弧形支撐架145及第二弧形支撐架147可為半圓形，當第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在遮蔽狀態時，第一弧形支撐架145及第二弧形支撐架147會形成一環狀的支撐架，並於第一弧形支撐架145及第二弧形支撐架147的內側形成一開口142。

第一承載臂141包括複數個第一對位部1451，而第二承載臂143則包括複數個第二對位部1471，例如第一對位部1451可設置在第一弧形支撐架145的頂部，而第二對位部1471則設置在第二弧形支撐架147的頂部。

如圖4及圖5所示，第一遮蔽板151的下表面可設置複數個第三對位部1511及複數個第一對位凹部1513，其中第一對位凹部1513位於第三對位部1511的內側。第二遮蔽板153的下表面可設置複數個第四對位部1531及 複數個第二對位凹部1533，其中第二對位凹部1533位於第四對位部1531的內側。

具體而言，第三對位部1511及第一對位部1451是對應的構造，並用以對位第一遮蔽板151與第一承載臂141或第一弧形支撐架145，而第四對位部1531及第二對位部1471是對應的構造，並用以對位第二遮蔽板153及第二承載臂143或第二弧形支撐架147。例如第一對位部1451及第二對位部1471可以是凸出第一弧形支撐架145及第二弧形支撐架147表面的錐形體，而第三對位部1511及第四對位部1531可以是設置在第一遮蔽板151及第二遮蔽板153下表面的錐形狀凹槽。

第一對位部1451及第二對位部1471為凸出的錐形體，而第三對位部1511及第四對位部1531為錐形狀凹槽僅為本發明一實施例，在不同實施例中第一對位部1451及第二對位部1471為錐形狀凹槽，而第三對位部1511及第四對位部1531為凸出的錐形體。

在本發明一實施例中，如圖6所示，驅動裝置17包括至少一驅動馬達171及一軸封裝置173，其中驅動馬達171透過軸封裝置173連接第一承載臂141及第二承載臂143。驅動馬達171位於反應腔體11的容置空間12外，而軸封裝置173則穿過並設置在反應腔體11，其中部分的軸封裝置173位於反應腔體11的容置空間12內。

軸封裝置173包括一外管體1731及一軸體1733。外管體1731包括一空間1732用以容置軸體1733，其中外管體1731及軸體1733同軸設置，且外管體1731及軸體1733可相對轉動。外管體1731連接第一承載臂141，並經 由第一承載臂141連接並帶動第一遮蔽板151擺動。軸體1733連接第二承載臂143，並經由第二承載臂143連接並帶動第二遮蔽板153擺動。

軸封裝置173可以是一般常見的軸封，主要用以隔離反應腔體11的容置空間12與外部的空間，以維持容置空間12的真空。在本發明另一實施例中，軸封裝置173可以是磁流體軸封。

具體而言，本發明的薄膜沉積機台10及/或開合式遮蔽機構100可操作在兩種狀態，分別是開啟狀態及遮蔽狀態。如圖7所示，驅動裝置17可驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動，使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相互遠離，並操作在開啟狀態。操作在開啟狀態的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153之間會形成一間隔空間，使得靶材115與承載盤13之間不存在第一遮蔽板151及第二遮蔽板153，並可對承載盤13上的基板進行薄膜沉積。

如圖8所示，驅動裝置17可驅動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向擺動，使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相互靠近，並操作在遮蔽狀態，其中第一遮蔽板151及第二遮蔽板153之間的間距小於一門檻值，例如小於1mm。操作在遮蔽狀態的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153會形成完整的遮蔽件15，並用以隔離靶材115與承載盤13。

在本發明一實施例中，如圖7及圖8所示，反應腔體11可連接兩個感測區113，其中感測區113凸出反應腔體11的側表面，且感測區113的厚度小於反應腔體11。當第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在開啟狀態時，部分的第一遮蔽板151及部分的第二遮蔽板153會分別進入兩個感測區 113，其中位於感測區113內的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面積小於位於容置空間12內的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面積。

兩個感測區113可分別設置在反應腔體11相鄰的兩個側邊，並於兩個感測區113上分別設置至少一位置感測單元19，分別用以感測進入感測區113的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153，以判斷第一遮蔽板151及第二遮蔽板153是否處在開啟狀態，可避免承載盤13、第一遮蔽板151及第二遮蔽板153發生不正常的碰撞，例如位置感測單元19可以是光感測單元。

如圖1及圖5所示，承載盤13可包括一環形構件133及複數個對位凸部135，其中環形構件133及對位凸部135位於承載盤13的承載面131的周圍，例如對位凸部135位於環形構件133外側。在本發明一實施例中，環形構件133可包括複數個設置孔，而對位凸部135則穿過環形構件133的設置孔，並凸出環形構件133的上表面。

薄膜沉積機台10包括一擋件111及一覆蓋環16，其中擋件111的一端連接反應腔體11，而另一端則在容置空間12內形成一環形凸起1111。覆蓋環16放置在擋件111的環形凸起1111上，覆蓋環16的底部包括至少一對位凹部161，其中覆蓋環16的對位凹部161對應承載盤13的對位凸部135。

第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在開啟狀態時，可透過一升降單元18連接並帶動承載盤13朝覆蓋環16靠近，例如升降單元18可以是線性致動器。覆蓋環16的對位凹部161會對位承載盤13的對位凸部135，並將覆蓋環16引導至承載盤13的特定位置上，以對承載盤13上的基板進行薄膜沉積。

如圖4、圖5及圖9所示，第一遮蔽板151的第一對位凹部1513及第二遮蔽板153的第二對位凹部1533可對應於承載盤13的對位凸部135。升降單元18可驅動承載盤13朝操作在遮蔽狀態的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153靠近，其中第一遮蔽板151的第一對位凹部1513及第二遮蔽板153的第二對位凹部1533會對位承載盤13的對位凸部135，並將第一遮蔽板151及第二遮蔽板153引導至承載盤13的特定位置，以遮蔽承載盤13的承載面131。

此外，第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相面對的側表面上，可分別設置一凸起部1512及一凹陷部1532。當第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在遮蔽狀態時，第一遮蔽板151的凸起部1512會進入第二遮蔽板153的凹陷部1532，使得凸起部1512及凹陷部1532相互重疊，以利於提高第一遮蔽板151及第二遮蔽板153對承載盤13的遮蔽效果。

如圖10所示，升降單元18可繼續驅動承載盤13及承載的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝覆蓋環16的方向位移，使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153離開第一弧形支撐架145及第二弧形支撐架147。而後承載盤13上的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153將會接觸擋件111上的覆蓋環16。

具體而言，第一弧形支撐架145及第二弧形支撐架147的內側形成的開口142面積會大於承載盤13的截面積及/或承載面131的面積，使得承載盤13可以穿過開口142，並帶動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153離開第一弧形支撐架145及第二弧形支撐架147，例如開口142及承載盤13的截面可為圓形。承載盤13帶動第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝覆蓋環16位移的過程中，不需要透過驅動裝置17帶動第一承載臂141及第二承載臂143朝相反方向擺動，可提高使用時的便利性。

如圖2、圖5及圖10所示，覆蓋環16的底部可設置至少一凸起163，例如凸起163可為環狀，並經由凸起163在覆蓋環16的底部形成對位凹部161。第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的上表面可分別設置一第一弧形凹槽1515及一第二弧形凹槽1535，其中第一弧形凹槽1515及第二弧形凹槽1535對應覆蓋環16底面的凸起163。

具體而言，當第一遮蔽板151及第二遮蔽板153接觸覆蓋環16時，覆蓋環16底部的凸起163會進入第一遮蔽板151的第一弧形凹槽1515及第二遮蔽板153的第二弧形凹槽1535內，以定位第一遮蔽板151、第二遮蔽板153及覆蓋環16。

在本發明另一實施例中，覆蓋環16的底部可部設置凸起163，而對位凹部161則由覆蓋環16的底表面向內凹。此時第一遮蔽板151及第二遮蔽板153上的第一弧形凹槽1515及第二弧形凹槽1535，可被更換為第一弧形凸起及第二弧形凸起。當覆蓋環16連接第一遮蔽板151及第二遮蔽板153時，位於第一遮蔽板151及第二遮蔽板153上表面的第一弧形凸起及第二弧形凸起會進入覆蓋環16底部的對位凹部161。

操作在遮蔽狀態的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153在接觸覆蓋環16後，會在容置空間12內區隔一清潔空間121。可在清潔空間121內進行預燒(burn-in)製程，以清潔靶材115及清潔空間121內的反應腔體11及/或擋件111，並去除靶材115表面的氧化物、氮化物或其他汙染物，及反應腔體11及/或擋件111表面的沉積薄膜。

以上所述者，僅為本發明之一較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，即凡依本發明申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。

100:開合式遮蔽機構

141:第一承載臂

142:開口

143:第二承載臂

145:第一弧形支撐架

1451:第一對位部

147:第二弧形支撐架

1471:第二對位部

15:遮蔽件

151:第一遮蔽板

1515:第一弧形凹槽

153:第二遮蔽板

1535:第二弧形凹槽

17:驅動裝置

Claims (10)

1. 一種具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台，包括：一反應腔體，包括一容置空間：一承載盤，位於該容置空間內，並包括一承載面及複數個對位凸部，其中該承載面用以承載至少一基板，而該對位凸部則位於該承載面的周圍；一開合式遮蔽機構，包括：一第一承載臂，位於該容置空間內，包括複數個第一對位部；一第二承載臂，位於該容置空間內，包括複數個第二對位部；一第一遮蔽板，該第一遮蔽板的上表面包括一第一弧形凹槽或一第一弧形凸起，而該第一遮蔽板的下表面則包括複數個第三對位部及複數個第一對位凹部，該第一對位凹部位於該第三對位部的內側，其中該第三對位部及該第一對位部用以對位該第一遮蔽板及該第一承載臂；一第二遮蔽板，該第二遮蔽板的上表面包括一第二弧形凹槽或一第二弧形凸起，而該第二遮蔽板的下表面則包括複數個第四對位部及複數個第二對位凹部，該第二對位凹部位於該第四對位部的內側，其中該第四對位部及該第二對位部用以對位該第二遮蔽板及該第二承載臂；及一驅動裝置，連接該第一承載臂及該第二承載臂，並分別透過該第一承載臂及該第二承載臂驅動該第一遮蔽板及該第二遮蔽板朝相反的方向擺動，使得該第一遮蔽板及該第二遮蔽板在一開啟狀態及一遮蔽狀態之間切換，其中該遮蔽狀態該第一遮蔽板及該第二遮蔽板分別透過該第一對位凹部及該第二對位凹部與該承載盤的該對位凸部對位，並以該第一遮蔽板及該第二遮蔽板遮蔽該承載盤的該承載面。
2. 如請求項1所述的具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台，其中該驅動裝置包括一軸封裝置及至少一驅動馬達，該驅動馬達透過該軸封裝置連接該第一承載臂及該第二承載臂。
3. 如請求項1所述的具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台，包括：一擋件，該擋件的一端連接該反應腔體，而該擋件的另一端則形成一環形凸起；及一覆蓋環，放置在該擋件的該環形凸起上，其中該覆蓋環的底部包括至少一對位凹部，該覆蓋環透過該對位凹部對位該承載盤的該對位凸部。
4. 如請求項3所述的具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台，其中該覆蓋環連接該第一遮蔽板及該第二遮蔽板時，位於該第一遮蔽板及該第二遮蔽板上表面的該第一弧形凸起及該第二弧形凸起會位於該覆蓋環底部的該對位凹部內。
5. 如請求項3所述的具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台，其中該覆蓋環的底部設置至少一凸起，並經由該凸起在該覆蓋環的底部形成該對位凹部，其中該覆蓋環連接該第一遮蔽板及該第二遮蔽板時，位於該覆蓋環底部的該凸起會位於該第一遮蔽板及該第二遮蔽板上表面的該第一弧形凹槽及該第二弧形凹槽內。
6. 如請求項1所述的具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台，其中該第一承載臂包括一第一弧形支撐架，用以承載該第一遮蔽板，而該第一對位部則位於該第一弧形支撐架上，該第二承載臂包括一第二弧形支撐架，用以承載該第二遮蔽板，而該第二對位部則位於該第二弧形支撐架上。
7. 如請求項6所述的具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台，其中該第一遮蔽板及該第二遮蔽板操作在該遮蔽狀態時，該第一弧形支撐架及該第二弧形支撐架形成一環狀支撐架。
8. 如請求項7所述的具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台，其中該第一弧形支撐架及該第二弧形支撐架形成的該環狀支撐架的內側具有一開口，該開口的面積大於該承載盤的該承載面的面積。
9. 如請求項1所述的具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台，其中該第一遮蔽板包括一凸起部，該第二遮蔽板包括一凹陷部，該第一遮蔽板及該第二遮蔽板操作在該遮蔽狀態時，該第一遮蔽板的該凸起部會進入該第二遮蔽板的該凹陷部。
10. 如請求項1所述的具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台，包括兩個感測區連接該反應腔體，該兩個感測區的厚度小於該反應腔體，其中該兩個感測區分別設置至少一位置感測單元，用以感測進入該感測區的該第一遮蔽板及該第二遮蔽板。

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