CN217677748U - 具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,主要包括一反应腔体、一承载盘、一覆盖环及一遮蔽机构。遮蔽机构包括一第一承载臂、一第二承载臂、一第一遮蔽板及一第二遮蔽板,第一及第二遮蔽板分别放置在第一及第二承载臂上。第一及第二遮蔽板的底面与承载盘之间具有对应的对位机构,使得第一及第二遮蔽板可被定位并放置在承载盘上。第一及第二遮蔽板的顶面与覆盖环之间亦具有对应的对位机构,使得覆盖环可定位在第一及第二遮蔽板上,并于反应腔体内区隔出一清洁空间,以有利于清洁腔体及靶材。
Description
技术领域
本实用新型有关于一种具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,主要通过遮蔽机构遮挡承载盘,以避免在清洁处理腔室的过程中污染承载盘。
背景技术
化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)及原子层沉积(ALD)皆是常用的薄膜沉积设备,并普遍被使用在集成电路、发光二极管及显示器等制程中。
沉积设备主要包括一腔体及一晶圆承载盘,其中晶圆承载盘位于腔体内,并用以承载至少一晶圆。以物理气相沉积为例,腔体内需要设置一靶材,其中靶材面对晶圆承载盘上的晶圆。在进行物理气相沉积时,可将惰性气体及/或反应气体输送至腔体内,分别对靶材及晶圆承载盘施加偏压,并通过晶圆承载盘加热承载的晶圆。
腔体内的惰性气体因为高压电场的作用,形成离子化的惰性气体,离子化的惰性气体会受到靶材上的偏压吸引而轰击靶材。从靶材溅出的靶材原子或分子受到晶圆承载盘上的偏压吸引,并沉积在加热的晶圆的表面,以在晶圆的表面形成薄膜。
在经过一段时间的使用后,腔体的内表面会形成沉积薄膜,因此需要周期性的清洁腔体,以避免沉积薄膜在制程中掉落,进而污染晶圆。此外靶材的表面亦可能形成氧化物或其他污染物,因此同样需要周期性的清洁靶材。一般而言,通常会通过预烧(burn-in)制程,以电浆离子撞击腔体内的靶材,以去除靶材表面的氧化物或其他污染物。
在进行上述清洁腔体及靶材时,需要将腔体内的晶圆承载盘及晶圆取出,或者隔离晶圆承载盘,以避免清洁过程中污染晶圆承载盘及晶圆。
实用新型内容
一般而言,薄膜沉积腔体在经过一段时间的使用后,通常需要进行清洁,以去除腔室内沉积的薄膜及靶材上的氧化物或氮化物。在清洁的过程中产生的微粒会污染承载盘,因此需要隔离承载盘及污染物。本实用新型提出一种具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,主要通过驱动装置带动两个遮蔽板朝相反方向摆动,使得两个遮蔽板操作在一开启状态及一遮蔽状态。操作在遮蔽状态的遮蔽板可放置在承载盘上,并通过对准机构对准遮蔽板及承载盘,使得遮蔽板可确实遮蔽承载盘。
本实用新型的一目的,在于提供一种具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,主要包括一反应腔体、一承载盘及一遮蔽机构。遮蔽机构包括一驱动装置、两个承载臂及两个遮蔽板,其中驱动装置通过两个承载臂分别承载两个遮蔽板,并分别驱动两个遮蔽板朝相反方向摆动,使得两个遮蔽板操作在一开启状态或一遮蔽状态。
遮蔽板的下表面设置两组不同的对位单元,当遮蔽板放置在承载臂上时,可通过其中一组对位单元与承载臂的对位单元对位,使得遮蔽板被放置在承载臂的固定位置上。当遮蔽板接触承载盘时,可通过另一组对位单元与承载盘上的对位单元对位,使得遮蔽板被放置在承载盘的固定位置上,并可确实遮蔽承载盘的承载面。
本实用新型的一目的,在于提供一种具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,主要于反应腔体内设置一挡件及一覆盖环,并将覆盖环放置在挡件上。遮蔽板的上表面与覆盖环的底面具有对应的对位机构,在承载盘带动承载的遮蔽板靠近覆盖环时,可通过对位机构对位遮蔽板及覆盖环,使得遮蔽板及覆盖环可以在反应腔体的容置空间内定义出一清洁空间。而后可在清洁空间内进行预烧(burn-in)制程,以清洁靶材及清洁空间内的反应腔体、挡件及/或覆盖环。
两个承载臂分别连接一弧形支撑架,用以承载遮蔽板。当两个遮蔽板闭合时,两个弧形支撑架会形成一个环状的支撑架,并在两个弧形支撑架的内侧形成一开口。开口的面积会大于承载盘的截面积或承载盘的承载面的面积,使得承载盘可以穿过两个弧形支撑架内侧的开口,并承载及带动遮蔽板离开弧形支撑架。在进行上述的过程中,不需要驱动两个承载臂及弧形支撑架摆动,并有利于提高使用时的便利性。
为了达到上述的目的,本实用新型提出一种具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,包括:一反应腔体,包括一容置空间:一承载盘,位于容置空间内,并包括一承载面及若干个对位凸部,其中承载面用以承载至少一基板,而对位凸部则位于承载面的周围;及一开合式遮蔽装置,包括:一第一承载臂,位于容置空间内,包括若干个第一对位部;一第二承载臂,位于容置空间内,包括若干个第二对位部;一第一遮蔽板,第一遮蔽板的上表面包括一第一弧形凹槽或一第一弧形凸起,而第一遮蔽板的下表面则包括若干个第三对位部及若干个第一对位凹部,第一对位凹部位于第三对位部的内侧,其中第三对位部及第一对位部用以对位第一遮蔽板及第一承载臂;一第二遮蔽板,第二遮蔽板的上表面包括一第二弧形凹槽或一第二弧形凸起,而第二遮蔽板的下表面则包括若干个第四对位部及若干个第二对位凹部,第二对位凹部位于第四对位部的内侧,其中第四对位部及第二对位部用以对位第二遮蔽板及第二承载臂;及一驱动装置,连接第一承载臂及第二承载臂,并分别通过第一承载臂及第二承载臂驱动第一遮蔽板及第二遮蔽板朝相反的方向摆动,使得第一遮蔽板及第二遮蔽板在一开启状态及一遮蔽状态之间切换,其中遮蔽状态第一遮蔽板及第二遮蔽板分别通过第一对位凹部及第二对位凹部与承载盘的对位凸部对位,并以第一遮蔽板及第二遮蔽板遮蔽承载盘的承载面。
在本实用新型至少一实施例中,其中驱动装置包括一轴封装置及至少一驱动马达,驱动马达通过轴封装置连接第一承载臂及第二承载臂。
在本实用新型至少一实施例中,包括:一挡件,挡件的一端连接反应腔体,而挡件的另一端则形成一环形凸起;及一覆盖环,放置在挡件的环形凸起上,其中覆盖环的底部包括至少一对位凹部,覆盖环通过对位凹部对位承载盘的对位凸部。
在本实用新型至少一实施例中,其中覆盖环连接第一遮蔽板及第二遮蔽板时,位于第一遮蔽板及第二遮蔽板上表面的第一弧形凸起及第二弧形凸起会位于覆盖环底部的对位凹部内。
在本实用新型至少一实施例中,其中覆盖环的底部设置至少一凸起,并经由凸起在覆盖环的底部形成对位凹部,其中覆盖环连接第一遮蔽板及第二遮蔽板时,位于覆盖环底部的凸起位于第一遮蔽板及第二遮蔽板上表面的第一弧形凹槽及第二弧形凹槽内。
在本实用新型至少一实施例中,其中第一承载臂包括一第一弧形支撑架,用以承载第一遮蔽板,而第一对位部则位于第一弧形支撑架上,第二承载臂包括一第二弧形支撑架,用以承载第二遮蔽板,而第二对位部则位于第二弧形支撑架上。
在本实用新型至少一实施例中,其中第一遮蔽板及第二遮蔽板操作在遮蔽状态时,第一弧形支撑架及第二弧形支撑架形成一环状支撑架。
在本实用新型至少一实施例中,其中第一弧形支撑架及第二弧形支撑架形成的环状支撑架的内侧具有一开口,且开口的面积大于承载盘的承载面的面积。
在本实用新型至少一实施例中,其中第一遮蔽板包括一凸起部,第二遮蔽板包括一凹陷部,第一遮蔽板及第二遮蔽板操作在遮蔽状态时,第一遮蔽板的凸起部会进入第二遮蔽板的凹陷部。
在本实用新型至少一实施例中,包括两个感测区连接反应腔体,两个感测区的厚度小于反应腔体,其中两个感测区分别设置至少一位置感测单元,用以感测进入感测区的第一遮蔽板及第二遮蔽板。
本实用新型的有益效果是:提供一种具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,操作在遮蔽状态的遮蔽板可放置在承载盘上,并通过对准机构对准遮蔽板及承载盘,使得遮蔽板可确实遮蔽承载盘。
附图说明
图1为本实用新型具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体操作在遮蔽状态一实施例的侧面剖面示意图。
图2为本实用新型开合式遮蔽装置一实施例的立体分解示意图。
图3为本实用新型开合式遮蔽装置一实施例的立体示意图。
图4为本实用新型开合式遮蔽装置的遮蔽板一实施例的立体示意图。
图5为本实用新型薄膜沉积腔体部分构造一实施例的放大剖面示意图。
图6为本实用新型薄膜沉积腔体的驱动装置一实施例的剖面示意图。
图7为本实用新型薄膜沉积腔体操作在开启状态一实施例的俯视图。
图8为本实用新型薄膜沉积腔体操作在遮蔽状态一实施例的俯视图。
图9为本实用新型薄膜沉积腔体的承载盘连接遮蔽板一实施例的侧面剖面示意图。
图10为本实用新型薄膜沉积腔体的承载盘带动遮蔽板连接覆盖环一实施例的侧面剖面示意图。
附图标记说明:10-薄膜沉积腔体;100-开合式遮蔽装置;11-反应腔体;111-挡件;1111-环形凸起;113-感测区;115-靶材;12-容置空间;121-清洁空间;13-承载盘;131-承载面;133-环形构件;135-对位凸部;141-第一承载臂;142-开口;143-第二承载臂;145-第一弧形支撑架;1451-第一对位部;147-第二弧形支撑架;1471-第二对位部;15-遮蔽件;151-第一遮蔽板;1511-第三对位部;1512-凸起部;1513-第一对位凹部;1515-第一弧形凹槽;153-第二遮蔽板;1531-第四对位部;1532-凹陷部;1533-第二对位凹部;1535-第二弧形凹槽;16-覆盖环;161-对位凹部;163-凸起;17-驱动装置;171-驱动马达;173-轴封装置;1731-外管体;1732-空间;1733-轴体;18-升降单元;19-位置感测单元。
具体实施方式
请参阅图1,为本实用新型具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体操作在遮蔽状态一实施例的侧面剖面示意图。如图所示,薄膜沉积腔体10主要包括一反应腔体11、一承载盘13及一开合式遮蔽装置100,其中反应腔体11包括一容置空间12用以容置承载盘13及部分的开合式遮蔽装置100。
承载盘13位于反应腔体11的容置空间12内,承载盘13包括一承载面131用以承载至少一基板。以薄膜沉积腔体10为物理气相沉积腔体为例,反应腔体11内设置一靶材115,其中靶材115面对及承载盘13。例如靶材115可设置在反应腔体11的上表面,并面对承载盘13的承载面131及/或基板。
请配合参阅图2及图3,开合式遮蔽装置100包括一第一承载臂141、一第二承载臂143、一第一遮蔽板151、一第二遮蔽板153及一驱动装置17,其中第一承载臂141、第二承载臂143、第一遮蔽板151及第二遮蔽板153位于容置空间12内。驱动装置17连接第一承载臂141及第二承载臂143,而第一承载臂141及第二承载臂143分别用以承载第一遮蔽板151及第二遮蔽板153。驱动装置17可通过第一承载臂141及第二承载臂143分别驱动第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向摆动,例如第一承载臂141及第二承载臂143以驱动装置17为轴心朝相反方向同步摆动。
在本实用新型一实施例中,第一承载臂141包括一第一弧形支撑架145,而第二承载臂143则包括一第二弧形支撑架147,其中第一弧形支撑架145及第二弧形支撑架147分别用以承载第一遮蔽板151及第二遮蔽板153。驱动装置17可分别经由第一承载臂141及第二承载臂143带动第一弧形支撑架145及第二弧形支撑架147摆动,使得第一弧形支撑架145及第二弧形支撑架147靠近或远离,并操作在开启状态或闭合状态。例如第一弧形支撑架145及第二弧形支撑架147可为半圆形,当第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在遮蔽状态时,第一弧形支撑架145及第二弧形支撑架147会形成一环状的支撑架,并于第一弧形支撑架145及第二弧形支撑架147的内侧形成一开口142。
第一承载臂141包括若干个第一对位部1451,而第二承载臂143则包括若干个第二对位部1471,例如第一对位部1451可设置在第一弧形支撑架145的顶部,而第二对位部1471则设置在第二弧形支撑架147的顶部。
如图4及图5所示,第一遮蔽板151的下表面可设置若干个第三对位部1511及若干个第一对位凹部1513,其中第一对位凹部1513位于第三对位部1511的内侧。第二遮蔽板153的下表面可设置若干个第四对位部1531及若干个第二对位凹部1533,其中第二对位凹部1533位于第四对位部1531的内侧。
具体而言,第三对位部1511及第一对位部1451是对应的构造,并用以对位第一遮蔽板151与第一承载臂141或第一弧形支撑架145,而第四对位部1531及第二对位部1471是对应的构造,并用以对位第二遮蔽板153及第二承载臂143或第二弧形支撑架147。例如第一对位部1451及第二对位部1471可以是凸出第一弧形支撑架145及第二弧形支撑架147表面的锥形体,而第三对位部1511及第四对位部1531可以是设置在第一遮蔽板151及第二遮蔽板153下表面的锥形状凹槽。
第一对位部1451及第二对位部1471为凸出的锥形体,而第三对位部1511及第四对位部1531为锥形状凹槽仅为本实用新型一实施例,在不同实施例中第一对位部1451及第二对位部1471为锥形状凹槽,而第三对位部1511及第四对位部1531为凸出的锥形体。
在本实用新型一实施例中,如图6所示,驱动装置17包括至少一驱动马达171及一轴封装置173,其中驱动马达171通过轴封装置173连接第一承载臂141及第二承载臂143。驱动马达171位于反应腔体11的容置空间12外,而轴封装置173则穿过并设置在反应腔体11,其中部分的轴封装置173位于反应腔体11的容置空间12内。
轴封装置173包括一外管体1731及一轴体1733。外管体1731包括一空间1732用以容置轴体1733,其中外管体1731及轴体1733同轴设置,且外管体1731及轴体1733可相对转动。外管体1731连接第一承载臂141,并经由第一承载臂141连接并带动第一遮蔽板151摆动。轴体1733连接第二承载臂143,并经由第二承载臂143连接并带动第二遮蔽板153摆动。
轴封装置173可以是一般常见的轴封,主要用以隔离反应腔体11的容置空间12与外部的空间,以维持容置空间12的真空。在本实用新型另一实施例中,轴封装置173可以是磁流体轴封。
具体而言,本实用新型的薄膜沉积腔体10及/或开合式遮蔽装置100可操作在两种状态,分别是开启状态及遮蔽状态。如图7所示,驱动装置17可驱动第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向摆动,使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相互远离,并操作在开启状态。操作在开启状态的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153之间会形成一间隔空间,使得靶材115与承载盘13之间不存在第一遮蔽板151及第二遮蔽板153,并可对承载盘13上的基板进行薄膜沉积。
如图8所示,驱动装置17可驱动第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝相反方向摆动,使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相互靠近,并操作在遮蔽状态,其中第一遮蔽板151及第二遮蔽板153之间的间距小于一门坎值,例如小于1mm。操作在遮蔽状态的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153会形成完整的遮蔽件15,并用以隔离靶材115与承载盘13。
在本实用新型一实施例中,如图7及图8所示,反应腔体11可连接两个感测区113,其中感测区113凸出反应腔体11的侧表面,且感测区113的厚度小于反应腔体11。当第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在开启状态时,部分的第一遮蔽板151及部分的第二遮蔽板153会分别进入两个感测区113,其中位于感测区113内的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面积小于位于容置空间12内的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的面积。
两个感测区113可分别设置在反应腔体11相邻的两个侧边,并于两个感测区113上分别设置至少一位置感测单元19,分别用以感测进入感测区113的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153,以判断第一遮蔽板151及第二遮蔽板153是否处在开启状态,可避免承载盘13、第一遮蔽板151及第二遮蔽板153发生不正常的碰撞,例如位置感测单元19可以是光感测单元。
如图1及图5所示,承载盘13可包括一环形构件133及若干个对位凸部135,其中环形构件133及对位凸部135位于承载盘13的承载面131的周围,例如对位凸部135位于环形构件133外侧。在本实用新型一实施例中,环形构件133可包括若干个设置孔,而对位凸部135则穿过环形构件133的设置孔,并凸出环形构件133的上表面。
薄膜沉积腔体10包括一挡件111及一覆盖环16,其中挡件111的一端连接反应腔体11,而另一端则在容置空间12内形成一环形凸起1111。覆盖环16放置在挡件111的环形凸起1111上,覆盖环16的底部包括至少一对位凹部161,其中覆盖环16的对位凹部161对应承载盘13的对位凸部135。
第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在开启状态时,可通过一升降单元18连接并带动承载盘13升降,以朝覆盖环16靠近,例如升降单元18可以是线性致动器。覆盖环16的对位凹部161会对位承载盘13的对位凸部135,并将覆盖环16引导至承载盘13的特定位置上,以对承载盘13上的基板进行薄膜沉积。
如图4、图5及图9所示,第一遮蔽板151的第一对位凹部1513及第二遮蔽板153的第二对位凹部1533可对应于承载盘13的对位凸部135。升降单元18可驱动承载盘13朝操作在遮蔽状态的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153靠近,其中第一遮蔽板151的第一对位凹部1513及第二遮蔽板153的第二对位凹部1533会对位承载盘13的对位凸部135,并将第一遮蔽板151及第二遮蔽板153引导至承载盘13的特定位置,以遮蔽承载盘13的承载面131。
此外,第一遮蔽板151及第二遮蔽板153相面对的侧表面上,可分别设置一凸起部1512及一凹陷部1532。当第一遮蔽板151及第二遮蔽板153操作在遮蔽状态时,第一遮蔽板151的凸起部1512会进入第二遮蔽板153的凹陷部1532,使得凸起部1512及凹陷部1532相互重叠,以利于提高第一遮蔽板151及第二遮蔽板153对附加电路板13的遮蔽效果。
如图10所示,升降单元18可继续驱动承载盘13及承载的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝覆盖环16的方向位移,使得第一遮蔽板151及第二遮蔽板153离开第一弧形支撑架145及第二弧形支撑架147。而后承载盘13上的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153将会接触挡件111上的覆盖环16。
具体而言,第一弧形支撑架145及第二弧形支撑架147的内侧形成的开口142面积会大于承载盘13的截面积及/或承载面131的面积,使得承载盘13可以穿过开口142,并带动第一遮蔽板151及第二遮蔽板153离开第一弧形支撑架145及第二弧形支撑架147,例如开口142及承载盘13的截面可为圆形。承载盘13带动第一遮蔽板151及第二遮蔽板153朝覆盖环16位移的过程中,不需要通过驱动装置17带动第一承载臂141及第二承载臂143朝相反方向摆动,可提高使用时的便利性。
如图2、图5及图10所示,覆盖环16的底部可设置至少一凸起163,例如凸起163可为环状,并经由凸起163在覆盖环16的底部形成对位凹部161。第一遮蔽板151及第二遮蔽板153的上表面可分别设置一第一弧形凹槽1515及一第二弧形凹槽1535,其中第一弧形凹槽1515及第二弧形凹槽1535对应覆盖环16底面的凸起163。
具体而言,当第一遮蔽板151及第二遮蔽板153接触覆盖环16时,覆盖环16底部的凸起163会进入第一遮蔽板151的第一弧形凹槽1515及第二遮蔽板153的第二弧形凹槽1535内,以定位第一遮蔽板151、第二遮蔽板153及覆盖环16。
在本实用新型另一实施例中,覆盖环16的底部可部设置凸起163,而对位凹部161则由覆盖环16的底表面向内凹。此时第一遮蔽板151及第二遮蔽板153上的第一弧形凹槽1515及第二弧形凹槽1535,可被更换为第一弧形凸起及第二弧形凸起。当覆盖环16连接第一遮蔽板151及第二遮蔽板153时,位于第一遮蔽板151及第二遮蔽板153上表面的第一弧形凸起及第二弧形凸起会进入覆盖环16底部的对位凹部161。
操作在遮蔽状态的第一遮蔽板151及第二遮蔽板153在接触覆盖环16后,会在容置空间12内区隔一清洁空间121。可在清洁空间121内进行预烧(burn-in)制程,以清洁靶材115及清洁空间121内的反应腔体11及/或挡件111,并去除靶材115表面的氧化物、氮化物或其他污染物,及反应腔体11及/或挡件111表面的沉积薄膜。
本实用新型优点:
提供一种具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,操作在遮蔽状态的遮蔽板可放置在承载盘上,并通过对准机构对准遮蔽板及承载盘,使得遮蔽板可确实遮蔽承载盘。
以上所述,仅为本实用新型的一较佳实施例而已,并非用来限定本实用新型实施的范围,即凡依本实用新型申请专利范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰,均应包括于本实用新型的申请专利范围内。
Claims (10)
1.一种具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,其特征在于,包括:
反应腔体,包括容置空间:
承载盘,位于该容置空间内,并包括承载面及若干个对位凸部,其中该承载面用以承载基板,而该对位凸部则位于该承载面的周围;
升降单元,连接并带动该承载盘升降;
开合式遮蔽装置,包括:
第一承载臂,位于该容置空间内,包括若干个第一对位部;
第二承载臂,位于该容置空间内,包括若干个第二对位部;
第一遮蔽板,该第一遮蔽板的上表面包括第一弧形凹槽或第一弧形凸起,而该第一遮蔽板的下表面则包括若干个第三对位部及若干个第一对位凹部,该第一对位凹部位于该第三对位部的内侧,其中该第三对位部及该第一对位部用以对位该第一遮蔽板及该第一承载臂;
第二遮蔽板,该第二遮蔽板的上表面包括第二弧形凹槽或第二弧形凸起,而该第二遮蔽板的下表面则包括若干个第四对位部及若干个第二对位凹部,该第二对位凹部位于该第四对位部的内侧,其中该第四对位部及该第二对位部用以对位该第二遮蔽板及该第二承载臂;及
驱动装置,连接该第一承载臂及该第二承载臂,并分别通过该第一承载臂及该第二承载臂驱动该第一遮蔽板及该第二遮蔽板朝相反的方向摆动,使得该第一遮蔽板及该第二遮蔽板在开启状态及遮蔽状态之间切换,其中该遮蔽状态该第一遮蔽板及该第二遮蔽板分别通过该第一对位凹部及该第二对位凹部与该承载盘的该对位凸部对位,并以该第一遮蔽板及该第二遮蔽板遮蔽该承载盘的该承载面。
2.根据权利要求1所述的具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,其特征在于,该驱动装置包括轴封装置及驱动马达,该驱动马达通过该轴封装置连接该第一承载臂及该第二承载臂。
3.根据权利要求1所述的具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,其特征在于,包括:
挡件,该挡件的一端连接该反应腔体,而该挡件的另一端则形成环形凸起;及
覆盖环,放置在该挡件的该环形凸起上,其中该覆盖环的底部包括对位凹部,该覆盖环通过该对位凹部对位该承载盘的该对位凸部。
4.根据权利要求3所述的具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,其特征在于,该覆盖环连接该第一遮蔽板及该第二遮蔽板时,位于该第一遮蔽板及该第二遮蔽板上表面的该第一弧形凸起及该第二弧形凸起会位于该覆盖环底部的该对位凹部内。
5.根据权利要求3所述的具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,其特征在于,该覆盖环的底部设置凸起,并经由该凸起在该覆盖环的底部形成该对位凹部,其中该覆盖环连接该第一遮蔽板及该第二遮蔽板时,位于该覆盖环底部的该凸起会位于该第一遮蔽板及该第二遮蔽板上表面的该第一弧形凹槽及该第二弧形凹槽内。
6.根据权利要求1所述的具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,其特征在于,该第一承载臂包括第一弧形支撑架,用以承载该第一遮蔽板,而该第一对位部则位于该第一弧形支撑架上,该第二承载臂包括第二弧形支撑架,用以承载该第二遮蔽板,而该第二对位部则位于该第二弧形支撑架上。
7.根据权利要求6所述的具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,其特征在于,该第一遮蔽板及该第二遮蔽板操作在该遮蔽状态时,该第一弧形支撑架及该第二弧形支撑架形成环状支撑架。
8.根据权利要求7所述的具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,其特征在于,该第一弧形支撑架及该第二弧形支撑架形成的该环状支撑架的内侧具有开口,该开口的面积大于该承载盘的该承载面的面积。
9.根据权利要求1所述的具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,其特征在于,该第一遮蔽板包括凸起部,该第二遮蔽板包括凹陷部,该第一遮蔽板及该第二遮蔽板操作在该遮蔽状态时,该第一遮蔽板的该凸起部会进入该第二遮蔽板的该凹陷部。
10.根据权利要求1所述的具有开合式遮蔽装置的薄膜沉积腔体,其特征在于,包括两个感测区连接该反应腔体,该两个感测区的厚度小于该反应腔体,其中该两个感测区分别设置位置感测单元,用以感测进入该感测区的该第一遮蔽板及该第二遮蔽板。
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CN115642112A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-01-24 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于硅片的背封装置及背封方法 |
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2022
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