TW202303803A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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新藤尚樹
桑嶋亮
山口博史
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明之課題為有效率地進行使用處理氣體之基板處理。 一種基板處理裝置，係處理基板之基板處理裝置，具有：處理容器，係收納基板；載置台，係設置於該處理容器的內部來載置基板；分隔壁，係設置於該處理容器的內部且圍繞該載置台的外周；內側供氣部，係將第1氣體供應至該分隔壁的內側；以及外側供氣部，係在該處理容器的內部來將第2氣體供應至該分隔壁的外側。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本揭示係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。
專利文獻1中揭示一種在真空氛圍下藉由處理氣體來對基板施予所欲處理之基板處理裝置。基板處理裝置係具備腔室、基板載置台、氣體導入組件及分隔壁組件。氣體導入組件會將含有處理氣體之氣體導入至腔室內。分隔壁組件係在基板載置台上方包含有基板之區域形成用以界定處理空間之分隔壁。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：日本專利第6541374號公報
本揭示相關之技術為有效率地進行使用處理氣體之基板處理。 本揭示一樣態為一種基板處理裝置，係處理基板之基板處理裝置，具有：處理容器，係收納基板；載置台，係設置於該處理容器的內部來載置基板；分隔壁，係設置於該處理容器的內部且圍繞該載置台的外周；內側供氣部，係將第1氣體供應至該分隔壁的內側；以及外側供氣部，係在該處理容器的內部來將第2氣體供應至該分隔壁的外側。 依據本揭示，便可有效率地進行使用處理氣體之基板處理。
在半導體元件的製造過程中，會在例如真空氛圍下(減壓氛圍下)使用處理氣體來對半導體晶圓(基板，以下稱作｢晶圓｣。)進行蝕刻處理或成膜處理等各種處理。 上述專利文獻1所揭示之基板處理裝置中，例如對晶圓進行蝕刻處理之際，會從氣體導入組件來將處理氣體導入至藉由分隔壁組件所被界定之分隔壁內側的處理空間。然而，由於分隔壁的內側與外側為連通的，故在蝕刻處理中，被供應至分隔壁內側之處理氣體的一部分便亦會流出至分隔壁的外側，而造成處理氣體擴散至包含有分隔壁的內側與外側之腔室的內部整體。於是，處理氣體的分壓(濃度)便會變低而無法有效利用處理氣體，導致蝕刻速率降低，以結果來說，蝕刻處理的處理時間便會增長。又，為達成所欲蝕刻而需要的處理氣體消耗量亦會增加。尤其是蝕刻例如晶圓上所形成的金屬膜之情況，由於處理氣體會有使用價格昂貴的氣體之情況，故被要求須降低處理氣體的消耗量。 本揭示相關之技術為有效率地進行使用處理氣體之基板處理。以下，針對作為本實施型態相關的基板處理裝置之晶圓處理裝置以及作為基板處理方法之晶圓處理方法，參照圖式來加以說明。此外，本說明書及圖式中，針對實質地具有相同功能構成的要素，係賦予相同符號而省略重複說明。 ＜晶圓處理裝置＞ 首先，針對本實施型態相關之晶圓處理裝置來加以說明。圖1係顯示晶圓處理裝置1的概略構成之縱剖面圖。晶圓處理裝置1中會對作為基板之晶圓W進行蝕刻處理。蝕刻處理的對象膜並未特別限定，例如為形成於晶圓W上之金屬膜。 如圖1所示，晶圓處理裝置1具有：氣密地構成之處理容器10；在處理容器10的內部載置晶圓W之複數(本實施型態中為2台)載置台11、11；將處理氣體及非活性氣體供應至處理容器10的內部之供氣部12；圍繞載置台11、11的外周且升降自如地構成之分隔壁13；被固定在處理容器10的底面來讓分隔壁13升降之升降機構14；個別地圍繞各載置台11的外側之內壁15；以及，會將處理容器10內排氣之排氣部16。 處理容器10為由例如鋁、不鏽鋼等金屬所形成且整體為例如略長方體狀的容器。處理容器10在俯視觀看下的形狀為例如略矩形，係具有上面及下面呈開口之筒狀的側壁20、氣密地覆蓋側壁20的上面之頂板21、以及覆蓋側壁20的下面之底板22。又，側壁20的上端面與頂板21之間係設置有會氣密地保持處理容器10內之密封組件(圖中未顯示)。又，處理容器10係設置有加熱器(圖中未顯示)。此外，底板22亦可設置有絕熱材。 載置台11係形成為略圓筒狀，且具有具備用以載置晶圓W的載置面之上部台30，以及被固定在底板22來支撐上部台30之下部台31。上部台30係內建有會調整晶圓W的溫度之溫度調整機構32。溫度調整機構32係藉由讓例如水等冷媒循環來調整載置台11的溫度，以將載置台11上之晶圓W的溫度控制為所需溫度。 底板22中之載置台11下方的位置係設置有支撐銷單元(圖中未顯示)，而構成為可在藉由該支撐銷單元來被上下驅動之支撐銷(圖中未顯示)與晶圓處理裝置1的外部所設置之搬送機構(圖中未顯示)之間傳遞晶圓W。 供氣部12係具有設置於載置台11的上方之噴淋頭40。又，供氣部12係具有會將例如處理氣體(第1氣體)供應至分隔壁13的內側之第1內側供氣部41、會將例如非活性氣體(本實施型態中為N 2氣體)供應至分隔壁13的內側之第2內側供氣部42、以及會將例如非活性氣體(第2氣體，本實施型態中為N 2氣體)供應至分隔壁13的外側之外側供氣部43。該等第1內側供氣部41、第2內側供氣部42及外側供氣部43係分別設置於噴淋頭40。此外，有關該供氣部12的詳細構成將敘述於後。 分隔壁13係具有：分別個別地圍繞2個載置台11、11之2個圓筒部50、50；設置於圓筒部50、50的上端之上凸緣部51；以及，設置於圓筒部50、50的下端之下凸緣部52、52。圓筒部50的內徑係設定為較載置台11的外側面要來得大，而於圓筒部50與載置台11之間形成有間隙。 此外，分隔壁13係設置有加熱器(圖中未顯示)來被加熱至所欲溫度。藉由此加熱，則處理氣體中所含的異物便不會附著在分隔壁13。 上凸緣部51的上面係對應於各載置台11而設置有例如O型環等密封組件53，當藉由升降機構14來讓分隔壁13上升以使該上凸緣部51與噴淋頭40相抵接之際，會氣密地堵塞與噴淋頭40之間。又，後述內壁15的突出部71亦是對應於各載置台11而設置有例如O型環等密封組件54，當該突出部71與下凸緣部52相抵接之際，會氣密地堵塞與下凸緣部52之間。然後，藉由讓分隔壁13上升以使噴淋頭40與密封組件53相抵接，進一步地使下凸緣部52與密封組件54相抵接，則處理容器10的內部便會介隔著分隔壁13而被加以區劃。亦即，在處理容器10的內部會形成有為分隔壁13內側的空間之內側空間S與為分隔壁13外側的空間之外側空間T。 用以讓分隔壁13升降之升降機構14係具有配置於處理容器10的外部之致動器60、連接於致動器60且貫穿處理容器10的底板22而在處理容器10內延伸至鉛直上方之驅動軸61、以及前端會連接於分隔壁13而另一端部則是延伸至處理容器10的外部之複數導引軸62。導引軸62係用以防止分隔壁13在藉由驅動軸61來讓分隔壁13升降之際而發生傾斜。 驅動軸61係氣密地連接有可伸縮之伸縮管63的下端部。伸縮管63的上端部係與底板22的下面氣密地連接。於是，當驅動軸61升降之際，便可藉由伸縮管63會沿著鉛直方向伸縮，來將處理容器10內維持為氣密。此外，驅動軸61與伸縮管63之間係設置有套筒(圖中未顯示)，其係具有作為升降動作之際的導引件之功能，且被固定在例如底板22。 導引軸62係與驅動軸61同樣地連接有可伸縮之伸縮管64。又，伸縮管64的上端部係橫跨底板22與側壁20而氣密地連接於兩者。於是，當導引軸62伴隨著驅動軸61所致之分隔壁13的升降動作而升降之際，便可藉由伸縮管64會沿著鉛直方向伸縮，來將處理容器10內維持為氣密。此外，導引軸62與伸縮管64之間亦是與驅動軸61的情況同樣地設置有套筒(圖中未顯示)，其係具有作為升降動作之際的導引件之功能。 內壁15係由例如鋁等金屬所形成。又，內壁15係具有略圓筒狀的本體部70，與設置於本體部70的上端部且朝該內壁15的外周方向水平地突出之突出部71。內壁15係配置為會分別個別地圍繞載置台11的下部台31。內壁15之本體部70的內徑係設定為較下部台31的外徑要來得大，而於內壁15與下部台31之間分別形成有排氣空間V。此外，本實施型態中，排氣空間V亦包括分隔壁13與上部台30之間的空間。然後，如圖1所示，內壁15的高度係設定為當藉由升降機構14來使分隔壁13上升至晶圓處理位置時，密封組件54與內壁15的突出部71會相抵接。藉此，內壁15與分隔壁13便會氣密地接觸。 內壁15的下端係形成有複數槽縫72。槽縫72為使處理氣體會被排出之排氣口。本實施型態中，槽縫72係沿著內壁15的周向而略等間隔地形成。 此外，內壁15係被固定在底板22。然後，如上所述，處理容器10係構成為會藉由加熱器(圖中未顯示)來被加熱，藉由該處理容器10的加熱器，則內壁15便亦會被加熱。內壁15會被加熱至所欲溫度，以使處理氣體中所含的異物不會附著在內壁15。 排氣部16係具有會將處理容器10內排氣之排氣機構80。排氣機構80係在處理容器10的底板22處而連接於分隔壁13及內壁15的外側所設置之排氣管81。該等排氣機構80及排氣管81係共通地設置於2個內壁15、15。亦即，來自2個排氣空間V、V的處理氣體會透過共通的排氣管81而藉由排氣機構80來被排出。 以上的晶圓處理裝置1係設置有控制部90。控制部90為具備例如CPU或記憶體等之電腦，係具有程式儲存部(圖中未顯示)。程式儲存部係儲存有會控制晶圓處理裝置1中之晶圓W的處理之程式。此外，上述程式亦可為被記錄在能夠讓電腦讀取的記憶媒體(圖中未顯示)，且從該記憶媒體被安裝在控制部90之程式。又，上述記憶媒體可為暫時性的記憶媒體，亦可為非暫時性的記憶媒體。 ＜供氣部＞ 接著，針對上述供氣部12的構成來加以說明。圖2係顯示供氣部12的概略構成之說明圖。 如圖2所示，供氣部12係具有噴淋頭40。噴淋頭40係在處理容器10之頂板21的下面，對向於各載置台11而個別地設置。各噴淋頭40係設置有上述第1內側供氣部41、第2內側供氣部42及外側供氣部43。此外，圖2中僅圖示出2個噴淋頭40當中的1個噴淋頭40，又，亦是僅圖示出各1個第1內側供氣部41、第2內側供氣部42及外側供氣部43。 噴淋頭40係具有從上方依序層積有上層板100、中層板101及下層板102(所謂的噴淋板)之構成。此外，上層板100、中層板101及下層板102係分別由例如鋁所形成。 第1內側供氣部41會將處理氣體(圖中的實線箭頭)供應至分隔壁13的內側(內側空間S)。第1內側供氣部41係具有形成於上層板100之上側擴散空間110、形成於中層板101之下側擴散空間111、以及形成於下層板102的下面之複數供應口112。上側擴散空間1010係形成為處理氣體會在上層板100的上面側而擴散至整面。下側擴散空間111係形成為與上側擴散空間110相連通，來讓處理氣體在中層板101的上面側而擴散至整面。複數供應口112係形成為與下側擴散空間111相連通，且均勻地分布在下層板102的下面。 上側擴散空間110係連接有第1處理氣體供應管120。第1處理氣體供應管120係連接於第1處理氣體供應源121。第1處理氣體供應管120係設置有包含閥體或質流控制器等之氣體供應機器122。 又，上側擴散空間110係連接有第2處理氣體供應管130。第2處理氣體供應管130係連接於第2處理氣體供應源131，第2處理氣體供應管130係設置有包含閥體或質流控制器等之氣體供應機器132。 此外，第1處理氣體供應源121的內部與第2處理氣體供應源131的內部係分別儲存有第1處理氣體與第2處理氣體。第1處理氣體與第2處理氣體係使用對應於蝕刻對象膜之氣體。 從第1處理氣體供應源121所供應之第1處理氣體與從第2處理氣體供應源131所供應之第2處理氣體會分別流入至上側擴散空間110，而在該上側擴散空間110混合並擴散。混合後的處理氣體(以下有稱作｢混合處理氣體｣的情況。)會流入至下側擴散空間111並擴散。然後，混合處理氣體會從複數供應口112被供應至分隔壁13的內側(內側空間S)。 第2內側供氣部42會將非活性氣體(本實施型態中為N 2氣體，圖中的虛線箭頭)供應至分隔壁13的內側(內側空間S)。此外，從第2內側供氣部42所供應之非活性氣體不限於N 2氣體，亦可為例如Ar氣體、He氣體。 第2內側供氣部42係具有形成於上層板100之上側擴散空間140、形成於下層板102之下側擴散空間141、以及形成於下層板102的下面之複數供應口142。上側擴散空間140係形成為N 2氣體會在上層板100的下面側而擴散至整面。下側擴散空間141係形成為與上側擴散空間140連通，來讓N 2氣體在下層板102的上面側而擴散至整面。複數供應口142係形成為與下側擴散空間141連通，且均勻地分布在下層板102的下面。 上側擴散空間140係連接有N 2氣體供應管150。N 2氣體供應管150係連接於N 2氣體供應源151。N 2氣體供應管150係設置有包含閥體或質流控制器等之氣體供應機器152。N 2氣體供應源151的內部係儲存有N 2氣體。 從N 2氣體供應源151所供應之N 2氣體會流入至上側擴散空間140並擴散，進一步地流入至下側擴散空間141並擴散。然後，N 2氣體會從複數供應口142被供應至分隔壁13的內側(內側空間S)。 外側供氣部43會將非活性氣體(本實施型態中為N 2氣體，圖中的虛線箭頭)供應至分隔壁13的外側(外側空間T)。此外，從外側供氣部43所供應之非活性氣體不限於N 2氣體，亦可為例如Ar氣體、He氣體。 外側供氣部43係具有形成於上層板100之擴散空間160與形成於上層板100的側面之複數供應口161。擴散空間160係形成為N 2氣體會在上層板100的上面側而擴散至外周部。複數供應口161係與擴散空間160相連通，且在上層板100的側面等間隔地形成於周向。 擴散空間160係連接有N 2氣體供應管170。N 2氣體供應管170係連接於N 2氣體供應源151。N 2氣體供應管150係設置有包含閥體或質流控制器等之氣體供應機器171。此外，N 2氣體供應管170亦可連接於不同於N 2氣體供應源151之其他的N 2氣體供應源。 從N 2氣體供應源151所供應之N 2氣體會流入至擴散空間160並擴散。然後，N 2氣體會從複數供應口161被供應至分隔壁13的外側(外側空間T)。 此外，第1處理氣體供應源121、第2處理氣體供應源131及N 2氣體供應源151可共通地設置在2個噴淋頭40，亦可個別地設置在各噴淋頭40。 ＜蝕刻處理＞ 接著，針對上述方式所構成之晶圓處理裝置1中的蝕刻處理來加以說明。圖3及圖4為蝕刻處理之說明圖。本實施型態中係蝕刻晶圓W上所形成的金屬膜。 (工序S1) 首先，如圖3(a)所示，在分隔壁13已下降至退避位置之狀態下，將晶圓W搬送至處理容器10內且載置於各載置台11上。該分隔壁13的退避位置係設定為上凸緣部51的上面會較載置台11的上面而位在下方。 (工序S2) 接著，如圖3(b)所示，使分隔壁13上升至處理位置。此分隔壁13的處理位置乃為上凸緣部51會與噴淋頭40相抵接之位置。藉此，處理容器10的內部便會介隔著分隔壁13來被加以區劃，而形成有分隔壁13內側的內側空間S與分隔壁13外側的外側空間T。 (工序S3) 接著，如圖4(a)所示，從外側供氣部43的供應口161將N 2氣體(圖中的虛線箭頭)供應至外側空間T，且從第2內側供氣部42的供應口142將N 2氣體(圖中的虛線箭頭)供應至內側空間S。然後，調整外側空間T的壓力與內側空間S的壓力。此時，內側空間S的壓力係相對於外側空間T的壓力而被調整為正壓。 (工序S4) 接著，如圖4(b)所示，持續從外側供氣部43的供應口161朝外側空間T之N 2氣體(圖中的虛線箭頭)的供應。又，從第1內側供氣部41的供應口112將處理氣體(混合處理氣體，圖中的實線箭頭)供應至內側空間S，且從第2內側供氣部42的供應口142將N 2氣體(圖中的虛線箭頭)供應至內側空間S。然後，藉由處理氣體來蝕刻晶圓W的金屬膜。 工序S4中，係將N 2氣體供應至外側空間T。藉此，可抑制內側空間S的處理氣體流出至外側空間T。 工序S4中，內側空間S的壓力係相對於外側空間T的壓力而被維持為相等或正壓。藉此，可抑制N 2氣體從外側空間T逆流至內側空間S。 工序S4中，係從第2內側供氣部42的供應口142來供應N 2氣體，藉此可抑制處理氣體自內側空間S而從供應口142逆流。 工序S4中，內側空間S內的處理氣體及N 2氣體會從載置台11所載置之晶圓W的外周通過排氣空間V、內壁15的槽縫72，且透過排氣管81而藉由排氣機構80來被排出。又，外側空間T內的N 2氣體亦是透過排氣管81而藉由排氣機構80來被排出。然後，由於排氣管81係設置於分隔壁13的外側，故可更加抑制N 2氣體從外側空間T逆流至內側空間S。 工序S4的蝕刻處理結束後，使分隔壁13下降至退避位置，且將各載置台11上的晶圓W搬出至晶圓處理裝置1的外部。藉此，便結束一連串的晶圓處理。 依據以上的實施型態，工序S4中，係藉由將N 2氣體供應至外側空間T，來抑制內側空間S的處理氣體流出外側空間T而造成處理氣體擴散至處理容器10的內部整體。亦即，可將處理氣體的擴散空間抑制為較小，從而提高內側空間S之處理氣體的分壓(濃度)。其結果，便可有效地利用處理氣體，且可提高蝕刻速率。藉此，便可降低蝕刻處理的處理時間，從而可提高製品晶圓的生產性。又，亦可實現為了達成所欲蝕刻所需要之處理氣體消耗量的降低。尤其是如本實施型態般地蝕刻晶圓W上所形成之金屬膜的情況，由於處理氣體會有使用價格昂貴的氣體之情況，故可降低處理氣體的消耗量來抑制蝕刻處理的運行成本。 為了驗證上述本實施型態的效果，本案發明人使用晶圓處理裝置1來進行實驗。本實驗中，作為實施例，係如本實施型態般地在工序S4中將N 2氣體供應至外側空間T來進行蝕刻處理。又，作為比較例，不將N 2氣體供應至外側空間T來進行蝕刻處理。 將本實施型態的實驗條件與實驗結果顯示於圖5。實施例與比較例中，蝕刻處理的時間、溫度、壓力分別為相同。又，實施例與比較例中，供應至處理容器10的內部之氣體的總流量為相同，供應至內側空間S之第1處理氣體的流量與第2處理氣體的流量亦是相同。然後，相對於實施例中係分別將N 2氣體供應至內側空間S與外側空間T，而在比較例中則是僅將N 2氣體供應至內側空間S，並未將N 2氣體供應至外側空間T。 上述情況下，參照圖5，比較例中的蝕刻速率係較低。推測這是因為被供應至內側空間S的處理氣體流出至外側空間T而擴散到處理容器10的內部整體，導致處理氣體的分壓(濃度)變低之緣故。另一方面，實施例中，蝕刻速率係較比較例要來得高。這是因為由於係將N 2氣體供應至外側空間T，故會抑制處理氣體從內側空間S流出至外側空間T，從而便可提高處理氣體的分壓(濃度)之緣故。又，藉由讓被供應至內側空間S之N 2氣體的流量減少，則該內側空間S中之處理氣體的濃度上升亦會有助於蝕刻速率的提升。因此，藉由本實驗驗證了上述實施型態的效果。 ＜其他實施型態＞ 以上的實施型態中，雖是在工序S2中使得分隔壁13上升後才在工序S3中調整處理容器10內部的壓力，但該等工序S2、S3的順序亦可為相反。當以來自外側供氣部43的N 2氣體與來自第2內側供氣部42的N 2氣體來進行工序S3中之處理容器10內部的壓力調整之情況，亦可在分隔壁13已下降至退避位置之狀態下來進行壓力調整後，才在工序S2中使得分隔壁13上升至處理位置。 此外，在工序S3中調整處理容器10內部的壓力之際，會有從第1內側供氣部41或第2內側供氣部42來供應處理氣體的情況。例如使得晶圓W上的金屬膜氧化來蝕刻金屬膜的情況，雖是使用含氧氣體來作為處理氣體的1種，但會有在工序S3的壓力調整中供應該含氧氣體的情況。上述情況下，為了抑制被供應至分隔壁13內側的含氧氣體流出至分隔壁13的外側，較佳宜以工序S2來使得分隔壁13上升後，再以工序S3來調整處理容器10內部的壓力。 以上的實施型態中，雖是在外側供氣部43而從噴淋頭40的側面所形成之複數供應口161來供應N 2氣體，但該N 2氣體的供應位置並未侷限於此。例如當噴淋頭40係在水平方向上大大地延伸至分隔壁13外側的情況，亦可將複數供應口161形成於噴淋頭40的下面，而從該複數供應口161朝分隔壁13的外側來將N 2氣體供應至鉛直下方。 以上的實施型態中，雖是以設置有2台載置台11、11來作為複數載置台之範例加以說明，但載置台11的設置數量並未侷限於2台。例如載置台11可為1台，亦可為3台以上。 以上的實施型態中，分隔壁13雖是構成為可藉由升降機構14而升降自如，但分隔壁亦可為被固定的。該分隔壁係被固定設置在噴淋頭40的下面與處理容器10的底面。又，分隔壁的側面係形成有用以搬出入晶圓W之搬出入口，且設置有會開閉該搬出入口的擋門。此外，上述情況下，可將內壁15予以省略。 以上的實施型態中，雖是相對於2台載置台11、11而設置有1個分隔壁13，但有關分隔壁的構成並未侷限於本實施型態之內容。只要是可相對於各載置台11來形成獨立的內側空間S，則其形狀可任意設定，例如亦可相對於各載置台11來個別地設置分隔壁。 以上的實施型態中，雖已針對在晶圓處理裝置1中蝕刻晶圓W上的金屬膜之情況加以說明，但蝕刻對象膜並未侷限於此。又，以上的實施型態中，雖已針對在晶圓處理裝置1中進行蝕刻處理的情況加以說明，但本揭示所被應用之晶圓處理並未侷限於此。只要是使用處理氣體之晶圓處理，則亦可將本揭示應用於例如成膜處理等。 本次所揭示之實施型態應被認為所有要點僅為例示而非用以限制本發明之內容。上述實施型態可在未背離所添附的申請專利範圍及其要旨之範圍內，而以各種型態來做省略、置換或變更。
1:晶圓處理裝置 10:處理容器 11:載置台 12:供氣部 13:分隔壁 14:升降機構 15:內壁 16:排氣部 20:側壁 21:頂板 22:底板 30:上部台 31:下部台 32:溫度調整機構 40:噴淋頭 41:第1內側供氣部 42:第2內側供氣部 43:外側供氣部 50:圓筒部 51:上凸緣部 52:下凸緣部 53:密封組件 54:密封組件 60:致動器 61:驅動軸 62:導引軸 63:伸縮管 64:伸縮管 70:本體部 71:突出部 72:槽縫 80:排氣機構 81:排氣管 90:控制部 S:內側空間 T:外側空間 V:排氣空間 W:晶圓
圖1係顯示本實施型態相關之晶圓處理裝置的概略構成之縱剖面圖。 圖2係顯示本實施型態相關之供氣部的概略構成之說明圖。 圖3為本實施型態中的蝕刻處理之說明圖。 圖4為本實施型態中的蝕刻處理之說明圖。 圖5係顯示本實施型態之效果的驗證結果之表格。
1:晶圓處理裝置
10:處理容器
11:載置台
12:供氣部
13:分隔壁
14:升降機構
15:內壁
16:排氣部
20:側壁
21:頂板
22:底板
30:上部台
31:下部台
32:溫度調整機構
40:噴淋頭
41:第1內側供氣部
42:第2內側供氣部
43:外側供氣部
50:圓筒部
51:上凸緣部
52:下凸緣部
53:密封組件
54:密封組件
60:致動器
61:驅動軸
62:導引軸
63:伸縮管
64:伸縮管
70:本體部
71:突出部
72:槽縫
80:排氣機構
81:排氣管
90:控制部
S:內側空間
T:外側空間
V:排氣空間
W:晶圓

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，係處理基板之基板處理裝置，具有： 處理容器，係收納基板； 載置台，係設置於該處理容器的內部來載置基板； 分隔壁，係設置於該處理容器的內部且圍繞該載置台的外周； 內側供氣部，係將第1氣體供應至該分隔壁的內側；以及 外側供氣部，係在該處理容器的內部來將第2氣體供應至該分隔壁的外側。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該內側供氣部與該外側供氣部係設置於相同的噴淋頭。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中該第1氣體為處理氣體； 該第2氣體為非活性氣體。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中該內側供氣部係具有會供應處理氣體之第1內側供氣部，與會供應非活性氣體之第2內側供氣部。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其係具有會控制該內側供氣部與該外側供氣部之控制部； 該控制部係將該分隔壁內側處的壓力控制為會相對於該分隔壁外側處的壓力而為相等或正壓。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理裝置，其中在該處理容器的底面而於該分隔壁的外側係設置有會將該處理容器的內部排氣之排氣部。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板處理裝置，其係具有會讓該分隔壁升降之升降機構。
  8. 一種基板處理裝置，係處理基板之基板處理裝置，具有： 處理容器，係收納基板； 分隔壁，係區劃該處理容器的內部；以及 噴淋頭，係將氣體供應至該處理容器的內部； 該噴淋頭係藉由該分隔壁而被區劃為會將第1氣體供應至該分隔壁的內側之區域，與會在該處理容器的內部來將第2氣體供應至該分隔壁的外側之區域。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中該第1氣體為處理氣體； 該第2氣體為非活性氣體。
  10. 一種基板處理方法，係使用基板處理裝置來處理基板之基板處理方法； 該基板處理裝置具有： 處理容器，係收納基板； 載置台，係設置於該處理容器的內部來載置基板； 分隔壁，係設置於該處理容器的內部且圍繞該載置台的外周； 內側供氣部，係將第1氣體供應至該分隔壁的內側；以及 外側供氣部，係在該處理容器的內部來將第2氣體供應至該分隔壁的外側； 該基板處理方法具有： (a)將基板載置於該載置台之工序；以及 (b)從該外側供氣部來將該第2氣體供應至該分隔壁的外側，且從該內側供氣部來將該第1氣體供應至該分隔壁的內側，以處理基板之工序。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中該第1氣體為處理氣體； 該第2氣體為非活性氣體。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之基板處理方法，其中該(b)工序中，係從該內側供氣部來將非活性氣體供應至該分隔壁的內側。
  13. 如申請專利範圍第10至12中任一項之基板處理方法，其中該(b)工序中，該分隔壁內側的壓力係被維持為相對於該分隔壁外側的壓力而為相等或正壓。
  14. 如申請專利範圍第10至13中任一項之基板處理方法，其中該(b)工序中，係從該分隔壁的外側來將該處理容器的內部排氣。
  15. 如申請專利範圍第10至14中任一項之基板處理方法，其中在該(a)工序後且為該(b)工序前，係具有從該外側供氣部來將非活性氣體供應至該分隔壁的外側，且從該內側供氣部來將非活性氣體供應至該分隔壁的內側，以調整該分隔壁外側的壓力與該分隔壁內側的壓力之工序。
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JPH1154496A (ja) * 1997-08-07 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及びガス処理装置
US7378127B2 (en) * 2001-03-13 2008-05-27 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods
KR101245769B1 (ko) * 2009-07-28 2013-03-20 엘아이지에이디피 주식회사 화학기상증착장치, 화학기상증착장치용 가이드부재 및 화학기상증착장치를 이용한 박막제조방법
JP5567392B2 (ja) * 2010-05-25 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5732284B2 (ja) * 2010-08-27 2015-06-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法
JP6169040B2 (ja) * 2014-05-12 2017-07-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置の上部電極構造、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理装置の運用方法
JP6541374B2 (ja) 2014-07-24 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10096495B2 (en) * 2014-12-26 2018-10-09 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus

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