TW202303293A - 用於在雷射光束系統中進行度量衡之鏡、雷射光束系統、euv輻射源及微影設備 - Google Patents

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Abstract

本發明描述一種用於在一EUV光源中進行一雷射光束系統之度量衡的鏡，該鏡包含： -   一鏡層，其具有經組態以接收並反射該雷射光束系統之一雷射光束的一前表面； -   一度量衡層，其配置於該鏡層之一背面上，該度量衡層包含一電阻網格，該電阻網格包含複數個導電區段及經組態以連接至一度量衡儀器之複數個電接點。

Description

用於在雷射光束系統中進行度量衡之鏡、雷射光束系統、EUV輻射源及微影設備
本發明係關於一種如可在EUV輻射源之雷射光束系統中使用的用於進行度量衡之鏡。具體而言，該鏡可經應用以判定或估計藉由該鏡所接收的雷射光束之功率分佈。
微影設備為經建構以將所要之圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如光罩)處之圖案投影至經提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)之層上。
為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵的最小大小。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，使用具有在4 nm至20 nm之範圍內之波長(例如6.7 nm或13.5 nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影設備可用於在基板上形成較小特徵。
為了產生用於圖案化基板之所需要EUV輻射，常常應用一EUV輻射源。此EUV輻射源可例如包含一雷射光束系統，例如包括CO 2雷射之系統，該雷射光束系統經配置以經由雷射光束將能量沈積至諸如錫(Sn)之燃料中。為了確保沈積能量至EUV輻射的有效轉換，可需要關於雷射光束參數(諸如功率、功率分佈、位置)之準確知識。判定該等參數之已知解決方案可不利地影響雷射光束之功率或功率分佈。
本發明之一目標係提供判定雷射光束參數以較佳量化雷射光束系統(諸如供用於EUV輻射源中之雷射光束系統)之雷射光束的改良方式。因此，根據本發明之第一態樣，提供一種在EUV輻射源中用於進行雷射光束系統之度量衡的鏡，該鏡包含： 一鏡層，其具有經組態以接收並反射該雷射光束系統之一雷射光束的一前表面； 一度量衡層，其配置於該鏡層之一背面上，該度量衡層包含： -   一電阻網格，其包含複數個導電區段及複數個電接點或 -   一電阻層及複數個電接點， 藉此該電阻網格或該電阻層之該複數個電接點經組態以連接至一度量衡儀器。 根據本發明之一第二態樣，提供一種度量衡系統，其包含： -   根據本發明之一鏡，及 -   一測量系統，其經組態以判定該電阻網格之一或多個導電區段的一電阻值。 根據本發明的第三態樣，提供用於EUV輻射源之雷射光束系統，該雷射光束系統包含一雷射光束源及根據本發明之一或多個度量衡系統。 根據本發明之第四態樣，提供一種EUV輻射源，該EUV輻射源包含根據本發明之雷射光束系統。 根據本發明之第五態樣，提供一種蝕刻系統，其包含根據本發明之EUV輻射源及微影設備。
圖1展示包含輻射源SO (例如根據本發明之EUV輻射源)及微影設備LA的蝕刻系統。輻射源SO經組態以產生EUV輻射光束B及將EUV輻射光束B供應至微影設備LA。微影設備LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化裝置MA (例如，光罩)之支撐結構MT、投影系統PS，及經組態以支撐基板W之基板台WT。
照明系統IL經組態以在EUV輻射光束B入射於圖案化裝置MA上之前調節EUV輻射光束B。另外，照明系統IL可包括琢面化場鏡裝置10及琢面化光瞳鏡裝置11。琢面化場鏡裝置10及琢面化光瞳鏡裝置11共同提供具有所需橫截面形狀及所需強度分佈之EUV輻射光束B。作為琢面化場鏡裝置10及琢面化光瞳鏡裝置11之補充或替代，照明系統IL可包括其他鏡或裝置。
在如此調節之後，EUV輻射光束B與圖案化裝置MA相互作用。由於此相互作用，產生經圖案化EUV輻射射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投射至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡13、14。投影系統PS可將減小因子應用於經圖案化EUV輻射光束B'，因此形成具有小於圖案化裝置MA上之對應特徵之特徵的影像。舉例而言，可應用減小因子4或8。儘管投影系統PS在圖1中經說明為僅具有兩個鏡13、14，但投影系統PS可包括不同數目個鏡(例如，六個或八個鏡)。
基板W可包括先前形成之圖案。在此情況下，微影設備LA使由經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。
可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即，處於充分地低於大氣壓力之壓力下的少量氣體(例如氫氣)。
圖1中所展示之輻射源SO屬於例如可稱作雷射產生電漿(LPP)源之類型。可例如包括CO 2二氧化碳雷射之雷射系統1 (例如根據本發明之雷射光束系統)經配置以經由雷射光束2將能量沈積至自例如燃料發射器3提供之諸如錫(Sn)的燃料中。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何合適燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如係金屬或合金。燃料發射器3可包含噴嘴，該噴嘴經組態以沿著朝向電漿形成區4之軌跡而導向例如呈小滴之形式的錫。雷射光束2在電漿形成區4處入射於錫上。在一實施例中，雷射系統1可包含出於判定雷射光束2之特徵之目的的根據本發明之用於度量衡的一或多個鏡。雷射能量至錫中之沈積在電漿形成區4處產生錫電漿7。在電漿之離子的去激發及電子與電漿之離子再結合期間自電漿7發射包括EUV輻射之輻射。
藉由收集器5收集且聚焦來自電漿之EUV輻射。收集器5包含例如接近正入射輻射收集器5 (有時稱為更一般正入射輻射收集器)。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如，具有諸如13.5 nm之所要波長之EVU輻射)之多層鏡結構。收集器5可具有橢球形組態，其具有兩個焦點。焦點中之第一者可處於電漿形成區4，且焦點中之第二者可處於中間焦點6，如下文所論述。
雷射系統1可在空間上與輻射源SO分離。在此種情況下，雷射光束2可憑藉包含例如合適導向鏡及/或光束擴展器及/或其他光學件之光束遞送系統(圖中未繪示)而自雷射系統1傳遞至輻射源SO。雷射系統1、輻射源SO及光束遞送系統可一起視為輻射系統。
由收集器5反射之輻射形成EUV輻射光束B。EUV輻射光束B聚焦於中間焦點6處，以在存在於電漿形成區4處之電漿之中間焦點6處形成影像。中間焦點6處之影像充當用於照明系統IL之虛擬輻射源。輻射源SO經配置使得中間焦點6位於輻射源SO之圍封結構9中之開口8處或附近。
儘管圖1將輻射源SO描繪為雷射產生電漿(LPP)源，但諸如放電產生電漿(DPP)源或自由電子雷射(FEL)之任何適合之源可用以產生EUV輻射。
圖2示意性地展示根據本發明之一實施例的用於進行度量衡之鏡200的橫截面圖。
鏡200可例如應用於雷射光束系統(例如EUV輻射源中之雷射光束系統)中。
在如所展示之實施例中，鏡200包含具有前表面210.1及背面210.2之鏡層210。根據本發明，鏡層210之前表面210.1經組態以接收(箭頭250)及反射(箭頭252)雷射光束系統之雷射光束。在本發明之含義中，假定鏡層之前表面為在使用期間面向雷射光束的。鏡之表面 換言之，如根據本發明之鏡中所應用的鏡層之前表面在使用期間被視為在雷射光束之光學路徑中。相比之下，根據本發明之鏡的鏡層之背面係指不面向雷射光束250的表面。鏡層210之背面210.2亦可視為與鏡層210之前表面210.1相對的表面。鏡200進一步包含配置於鏡層210之背面210.2上的度量衡層或度量衡結構220。藉由將度量衡層220配置於鏡層210之背面210.2上，度量衡層220將不影響雷射光束250、252之反射。具體而言，有利地去除諸如閃光或減小反射率之不利影響。根據本發明，如根據本發明之鏡200中所應用的度量衡層220包含一電阻網格230，該電阻網格230包含複數個導電區段230.1及複數個電接點230.2。根據本發明，電接點230.2經組態以連接至度量衡儀器或測量系統。連接兩個或多於兩個導電區段230.1所在的位置可被稱作節點230.3。應注意電接點230.2亦可稱為電阻網格230之節點。
在將在下文更詳細地解釋的本發明之實施例中，根據本發明之鏡200的電阻網格230可連接至經組態以在使用鏡200期間判定電阻網格230之導電區段230.2之電阻值及基於該等電阻值判定電阻網格230之溫度分佈的度量衡儀器。基於該溫度分佈，可導出所接收雷射光束250之操作參數。此類操作參數可例如包括所接收雷射光束250之功率、所接收雷射光束250之功率分佈、所接收雷射光束250之位置，或其組合。
在本發明之含義中，層係指相當薄的一結構或一結構之一部分；亦即層之厚度(例如鏡層210之厚度Tm)與在垂直於該厚度的方向上(例如在所指示X方向上)的層之尺寸相比較小。在本發明之含義中，層亦可稱為階層或基板。另外，在一實施例中，與經測量的雷射光束系統之雷射光束相比，厚度Tm可較小。層之厚度可例如為約100 µm，或幾mm。鏡200之寬度W可例如為若干cm或＞10 cm或＞20 cm。鏡層210之前表面210.1 (亦即在使用期間面向雷射光束250之表面)可為實質上平坦表面或可為彎曲表面，此取決於鏡200之所要功能性。表面210.1可具有各種形狀，例如矩形形狀或圓形形狀。
鏡200之層(例如鏡層210及度量衡層220)可經製造為單獨組件且接著經裝配以實現鏡200。鏡層210可例如為箔片狀結構，其經膠合至度量衡層220之頂部表面或前表面220.1上。替代地，層可藉由諸如蝕刻、沈積等之各種技術按序(例如自基底基板開始)製造。應注意，以類似於上文針對度量衡層210所論述的方式，度量衡層220之前表面220.1係指在使用期間面向雷射光束250的度量衡層220之表面。應理解雖然雷射光束250未到達度量衡層220但實質上由鏡層210反射。
在如所展示之實施例中，電接點230.2經展示處於度量衡層220之側表面。如將理解，電接點230.2亦可經提供於其可被接入(為了其至度量衡儀器或測量工具)的其他位置。
如圖2中示意性地展示之電阻網格230 (具體而言，電阻網格之導電區段)可由各種材料製成且可由各種製造技術製造。
在一實施例中，電阻網格230可藉助於將所要圖案印刷至度量衡層之表面上而實現。在此類實施例中，含有導電材料之墨水可印刷至度量衡層之表面上。作為實例，可應用含有Ag粒子之墨水。
在一實施例中，電阻網格可藉由將所要圖案蝕刻至度量衡層之表面中而實現，藉此產生至表面中的溝槽之圖案。該等溝槽接著可以導電材料填充，以便實現電阻網格。
可在本發明中應用以實現根據本發明的鏡200之度量衡層220之電阻網格230的導電材料之實例為Ag、Au、Pt、Cu、Al、Fe、W、Ni、Mo、Sn、Zn。實現電阻網格的材料之其他實例為半導體材料。在一實施例中，電阻網格可由局部摻雜半導體結構製成。在一實施例中，電阻網格之區段可包含NTC或PTC元件或材料。在一較佳實施例中，如應用於製造電網格230之導電區段230.1的材料具有高熱阻抗係數α，例如α＞0.0035/℃。在一實施例中，如應用於製造電網格之區段230.1的材料具有高於度量衡層220之材料之導電率自身至少兩個數量級的導電率。在一實施例中，度量衡層220可例如由Si或Ge製成。
在一實施例中，電阻網格230嵌入於鏡200之度量衡層220中。為了如此執行，度量衡層220可包含經應用於電阻網格230上的蓋罩層，其亦可稱為罩蓋層。藉此，可避免電阻網格230與鏡層210之間的接觸。在一實施例中，蓋罩層或罩蓋層由與度量衡層相同之材料製成。蓋罩層可例如使用諸如ALD、蒸發等之沈積技術沈積至網格表面上。在一實施例中，SiO2可用作蓋罩層之材料。在一實施例中，度量衡層220可由SOI基板製成，其中氧化物形成障壁且電阻網格形成於半導體上。替代地，亦可應用絕緣體基板上之鍺。
本發明的一實施例中，鏡層210包含多個層。鏡層210可例如包含由不同材料製成的層之堆疊。作為實例，鏡層210可包含第一材料之交替堆疊層與第二材料層的堆疊。在一實施例中，第一材料或第二材料包含Ge及/或ZeSn。
在如所展示之實施例中，電阻網格230經配置於度量衡層220之前表面220.1附近。替代地，電阻網格230亦可更接近於度量衡層220之底部表面220.2而配置。
在如所展示之實施例中，度量衡層220之寬度W經展示為等於鏡層210之寬度。可指出，情況不必如此。度量衡層220亦可比鏡層210寬或窄。度量衡層220之形狀(具體而言度量衡層220之前表面220.1的形狀)不必具有鏡層210之底部表面的形狀。
本發明的一實施例中，度量衡層(例如圖2中所展示之度量衡層220)包含多於一個電阻網格。
圖3示意性地展示此實施例。圖3示意性地展示根據本發明之用於進行度量衡的鏡300，用於進行度量衡之鏡300包含鏡層310及度量衡層320，度量衡層320包含兩個電阻網格332及334。在如所展示之實施例中，兩個電阻網格嵌入於度量衡層320中。如所展示之電阻網格332及334可例如各自包含複數個導電區段332.1、334.1及經組態以連接至度量衡儀器的複數個電接點332.2、334.2。在一實施例中，根據本發明之用於進行度量衡的鏡可包含多個度量衡層，藉此每一度量衡層包含電阻網格或電阻層。在此實施例中，每一電阻網格可嵌入於不同度量衡層或基板、階層或圓盤中。在此情況下，當電阻網格中之一者將有缺陷時，其可藉由替換含有該電阻網格之度量衡層而替換。
可注意電阻網格332及334之佈局可係不同的。以下給出此類網格之佈局的實例。
在如所展示之實施例中，用於進行度量衡之鏡300進一步包含經組態以冷卻在使用期間接收及反射雷射光束350、352之鏡層310的冷卻層或冷卻結構340。就此而言，可注意根據本發明之鏡(具體而言根據本發明之鏡的鏡層)可在操作期間加熱。為了說明此，吾人可考慮鏡在30 kW雷射系統中的應用。即使如在雷射系統之光學路徑中應用的用於進行度量衡之鏡將具有99%之反射率，仍將有約300 W由鏡耗散。在不採用合適冷卻措施之情況下，此可導致鏡之不需要或不可接受的加熱。
根據本發明之如在一實施例中應用的冷卻層或冷卻結構340可例如由具有良好導熱率之材料(例如Cu或Al)製成，且可包含複數個冷卻通道340.1，可使冷卻流體(例如水)流動穿過該等冷卻通道。可替代地或另外，取決於需要的所需冷卻投入量，亦可提供具有接著可藉助於氣體流動或液體流動冷卻的一或多個冷卻片的冷卻層。如本發明之實施例中應用的冷卻層340可例如安裝至用於進行度量衡的鏡300之度量衡層320之底部表面320.2。應注意如圖2中示意性地展示的用於進行度量衡之鏡200亦可裝備有類似於冷卻層或結構340之冷卻層或冷卻結構。在一實施例中，度量衡層320可直接安置於冷卻層或冷卻結構340上或可使用化學物質或黏著劑或藉由諸如夾持之實體方式而附接至冷卻層或冷卻結構340。
圖4a、圖4b及圖4c示意性地展示根據本發明之用於進行度量衡的鏡之部分(具體而言，如可在根據本發明之用於進行度量衡之鏡中應用的度量衡層420之部分)的平面視圖。在如所展示之配置中，如所展示之度量衡層420包含電阻網格432、434、436，該電阻網格包含複數個導電區段及複數個接點。如上文所提及，可應用各種製造技術以實現電阻網格。在圖4a中，可假定電阻網格432待印刷至度量衡層420之表面上。電阻網格因此形成例如藉助於印刷沈積至度量衡層420之頂部表面或前表面420.2上的薄導電材料層，該薄層形成導電區段432.1。以類似方式，電接點432.2可印刷至前表面420.2上。
在圖4b中，電阻網格434包括嵌入於經蝕刻至度量衡層420之前表面420.2中之溝槽434.3中的導電區段434.1。以類似方式，電接點434.2可藉由將突起蝕刻至前表面中及用導電材料填充該等突起而實現。
在圖4c中，用於建立電阻網格436之導電區段434.1的溝槽436.3延伸直至度量衡層420之邊緣或側表面420.3為止。電接點436.2接著可形成於嵌入於溝槽436.3中之材料之端表面上的側表面420.3上。
在一實施例中，度量衡層可例如由矽基板製成。此基板可例如為1至10 mm厚。自此基板開始，如應用的電阻網格可經印刷或蝕刻並安置於基板之頂部表面或前表面上。
當建立電阻網格430時，基板接著可由蓋罩層或罩蓋層(其充當絕緣層)覆蓋，以便電絕緣電阻網格。在電阻網格430由絕緣層覆蓋情況下，應注意電接點保持可接入以待連接至度量衡儀器。為了如此執行，度量衡層可具備連接至電接點並可接入以用於度量衡儀器的電導體，例如導電線。為了進行此類連接，如所應用之度量衡層可例如包含用於將電線連接至電接點的通孔。在一實施例中，一或多個蓋罩層之大小小於度量衡層之大小，使得電接點(其可例如沿著電阻網格之輪廓或周邊而配置)可容易地接入。電接點可位於鏡層之背面與度量衡層之間及/或可位於罩蓋層或蓋罩層之同一位準處。藉此，電阻網格保持在蓋罩層或罩蓋層外部未覆蓋。鏡層在此類實施例中可配置於蓋罩層上且可具有與蓋罩層相同之大小或比該蓋罩層更小之大小。
圖5a示意性地展示根據本發明之用於進行度量衡之鏡500的一部分之平面圖，該鏡包括如圖4c中所展示之度量衡層420、鏡層510及冷卻層或冷卻結構530。應注意僅出於清晰目的應用鏡層510與度量衡層420與冷卻層530之間的間隙。可進一步指出，度量衡層420具備蓋罩層422，使得當鏡層510安裝在度量衡層420上時電阻網格被覆蓋且保持與鏡層510絕緣。如示意性展示的冷卻層530包含經組態以接收用於冷卻根據本發明之鏡500之鏡層510之冷卻流體的冷卻通道530.1。在本發明之實施例中，如圖5b中示意性地展示，度量衡層420進一步包含經組態以在使用期間發射或傳輸自度量衡層420之電阻網格之電接點擷取的測量資料的一或多個RFID標籤550 (例如被動或主動RFID標籤)。此類RFID標籤可例如嵌入於例如在電阻網格下方或鄰近於電阻網格的度量衡層中。藉由使用此類RFID標籤，不再需要電接點與度量衡儀器之間的佈線。在此實施例中，電阻網格之電接點因此經組態以無線方式連接至度量衡儀器。亦可考慮用於將電阻網格之電接點無線地連接至度量衡儀器的替代方式。
圖6a示意性地展示如可在根據本發明之用於進行度量衡的鏡中應用的電阻網格630之第一可能佈局。圖6a示意性地展示如可在根據本發明之用於進行度量衡的鏡之度量衡層中應用的電阻網格630之正視圖或俯視圖。在如所展示之實施例中，電阻網格630包含複數個導電區段630.1及複數個電接點630.2。在如所展示之實施例中，電接點630.2沿著電阻網格之輪廓或周邊而配置。在所展示的實施例中，展示總共24個電接點，其中之4個經識別為N0、N6、N12、N18。電接點630.2及兩個或多於兩個導電區段630.1之互連或交叉點亦可被稱作電阻網格630之節點。電阻網格之節點可再分為外部或可接入節點之第一群組或子集及內部或不可接入節點之第二群組或子集。電阻網格之電接點可視為第一節點群組，因為其係可接入的以待連接至度量衡儀器或裝置。在如所展示之實施例中，電阻網格為包含沿著X軸或Y軸延伸之導電區段的實質上矩形網格。在一實施例中，電阻網格具備16個電接點。應注意此僅為實例，電接點之數目可更大或更小。
圖6b示意性地展示亦具有沿著電阻網格680之輪廓或周邊分佈的總共24個電接點或節點的替代實質上矩形網格。在如所展示之實施例中，電阻網格680包含複數個導電區段680.1及複數個電接點680.2。
圖7示意性地展示如可在根據本發明之用於進行度量衡的鏡之度量衡層中應用的電阻網格730之替代佈局。在如所展示之實施例中，電阻網格730包含複數個導電區段730.1及複數個電接點730.2。在如所展示之實施例中，可看到8個電接點(編號N0至N8)。此電阻網格可被稱作具有弧形區段及徑向向外延伸之區段的實質上徑向網格。
根據本發明之一態樣，如在根據本發明之用於進行度量衡之鏡中所應用的度量衡層可用以判定接收的雷射光束之操作參數或特徵，例如如接收到的雷射光束之功率或功率分佈，或如接收到的雷射光束之位置。本發明之此態樣可例如實施為度量衡系統。在本發明之實施例中，提供一度量衡系統，該度量衡系統包含根據本發明之用於進行度量衡的鏡及測量系統。
圖8示意性地展示根據本發明的此度量衡系統800。如所展示之度量衡系統800包含根據本發明之用於進行度量衡之鏡810及測量系統820。在如所展示之實施例中，用於進行度量衡之鏡810包含鏡層810.1、包含具有電接點814之電阻網格812的度量衡層810.2，及冷卻結構810.3。根據本發明，度量衡系統800之測量系統820經組態以在使用期間判定應用於用於進行度量衡之鏡810的雷射光束之特徵。具體而言，如所應用的測量系統820可用以判定如由鏡810接收到的雷射光束之功率，或如接收到的雷射光束之功率分佈，或如由鏡810接收到的雷射光束之位置。
為了如此執行，如在本發明之實施例中所應用的測量系統或儀器820經組態以在使用期間判定在度量衡系統800之用於進行度量衡的鏡810之度量衡層810.2中應用的電阻網格812之一或多個導電區段的電阻值。此亦可稱為判定電阻網格之電阻分佈。
基於如所判定的一或多個電阻值，或電阻分佈，測量系統820接著可判定導電區段之對應溫度。為了如此執行，可例如利用以下方程式(1)：
Figure 02_image001
其中： R T=在溫度T下的導電區段之電阻， R T0=在參考溫度T0下的導電區段之電阻， α=導電區段之耐熱係數。 當知曉電阻網格812之一或多個導電區段的溫度時，可認為此溫度或溫度分佈指示藉由鏡810接收的雷射光束之操作特徵。
為了判定所應用電阻網格之一或多個導電區段的電阻值，根據本發明的度量衡系統800之測量系統820在一實施例中可經組態以施加一電壓或電流至用於進行度量衡的鏡之電阻網格之電接點中之一或多者並測量在剩餘接點中之一或多者處的電壓。此測量可例如使用配置於鏡810之度量衡層810.2與測量系統820之間的連接件830 (例如多線纜線)來實現。為了施加電壓或電流至一或多個電接點，測量系統820可例如包含諸如電壓源或電流源之電源。
作為實例，參看圖7，如在根據本發明之度量衡系統中所應用的測量系統或儀器820可經組態以施加電壓V0至節點N0，施加0伏電壓至節點N4並測量在剩餘接點中之一或多者處(例如在節點N1、N2、N3、N5、N6、N7中之一或多者處)之電壓。電壓V0亦可稱為施加至節點N0及N4的電壓差。
為了準確地判定如所應用的用於進行度量衡的鏡之鏡層之溫度分佈，較佳判定電阻網格(例如網格730)之導電區段之大部分或全部的電阻值。考慮如所展示之電阻網格的佈局，熟習此項技術者將理解此涉及判定大量未知數。
為了得出足夠資訊以判定該大量未知數，根據本發明之測量系統可經組態以在一實施例中對度量衡層(具體而言對度量衡層之電阻網格)進行複數個測量。
在電阻網格包含N個電接點情況下，存在可施加電壓V0所在的N個接點。當在一特定節點處施加電壓V0時，零電壓或接地連接可施加至N-1個剩餘接點中之任一者。因而，對於具有N個電接點之網格，存在施加在網格之兩個電接點之間的一電壓差的N*(N-1)個方式。或者或另外，測量可藉由在多個(例如大於2)電接點中射出電流而進行並收集來自一或多個電接點之電流。因而，大於N*(N-1)個測量可係可用的。
因而，基於如所進行的複數個測量，一組方程式可使用歐姆定律及克希荷夫定律導出，並經求解，以得出電阻網格之導電區段之電阻的值。諸如最小平方估計及共變異數矩陣傳播方法之數學技術亦可經應用以擷取區段之電阻的未知值。
亦可指出，如何判定電阻網格之導電區段之電阻值的問題與求解電阻抗層析成像方程式具有一些相似性。在電阻抗層析成像中，體積內部之阻抗分佈係藉由在一些表面電極處施加電流及在其他電極處進行電壓測量來尋求。此阻抗分佈可例如使用邊界元素方法來判定。
在如在根據本發明之用於進行度量衡之鏡中所應用的電阻網格將非常密集或詳細(亦即具有大量相對較小區段)情況下，類似數學方法可經應用以導出電阻網格之電阻分佈。
圖9示意性地展示具有小導電區段910之矩形網格及沿著網格900之輪廓或周邊配置之數個電接點920的此密集電阻網格900。
在邊界元素方法或其類似方法應用於判定電阻網格之電阻或電阻分佈的情況下，電阻網格亦可形成為均勻導電層或薄片，例如由Ag、Au、Pt、Cu、Al、Fe、W製成或包含Ag、Au、Pt、Cu、Al、Fe、W，或由導電墨水或具有充分高導熱係數之任何其他材料製成或包含該導電墨水或具有充分高導熱係數之任何其他材料的層或薄片。在本發明之此實施例中，如在鏡中應用於進行度量衡的電阻網格因此為電阻層。因此，鏡之度量衡層包含一電阻層(例如導電薄片，諸如Cu或Al薄片)，而不是具有離散導電區段，該電阻層例如沿著電阻層之輪廓或周邊具有連接至其之複數個電接點。參看圖9，此實施例因此可包含一電阻層，亦即導電材料之連續薄片或層，而不是密集電阻網格900。
在一實施例中，如在根據本發明之度量衡系統中所應用的測量系統可經組態以1 Hz之速率判定或計算導電區段之電阻的值或電阻分佈之值，或自其導出的任何操作特徵。
根據本發明之另一態樣，提供一種用於EUV輻射源之雷射光束系統，該雷射光束系統包含一雷射光束源及根據本發明之用於度量衡的一或多個鏡或根據本發明之一或多個度量衡系統。
圖10示意性地展示根據本發明之雷射光束系統1000的實施例。在如所展示之實施例中，雷射光束系統1000包含雷射光束源1010及用於度量衡的兩個鏡1020及1030以及經組態以在使用期間判定在鏡1020及1030之度量衡層中應用的電阻網格的一或多個導電區段之電阻值的測量系統1040。測量系統1040之功能性因此類似於圖8中所展示之測量系統820的功能性。然而，測量系統1040經組態以判定兩個鏡(亦即鏡1020及130)而不是僅僅一鏡的導電區段之電阻值。然而可指出，作為替代方案，每一鏡或多個鏡1020、1030可裝備有其自身測量系統以用於判定鏡的電阻網格之電阻值、電阻分佈或溫度分佈，或如由鏡接收到的雷射光束1050之操作特徵。連接件862及864示意性地說明自測量系統1040至鏡1020、1030之電阻網格的佈線以進行如上文所描述之所需要測量。在如所展示之實施例中，鏡1020及1030經配置於雷射光束1050之光學路徑中且因此可用於重新導向雷射光束1050。在如所展示之實施例中，測量系統1040因此可經組態以判定藉由兩個鏡1020、1030中之每一者(亦即在沿著雷射光束1050之光學路徑的不同位置處)接收的雷射光束1050之操作特徵。
在沿著光學路徑之不同位置處判定藉由雷射光束系統1000之雷射光束源1010產生的雷射光束1050之操作特徵情況下，該資訊亦可用以判定或評估如在雷射光束系統中應用的鏡之操作特徵。具體而言，在測量系統1040經組態以對沿著光學路徑之兩個連續鏡進行測量的情況下，該等測量之異常可用以評估鏡1020、1030的操作。具體而言，在不同鏡(例如沿著光學路徑之連續鏡)之測量資料或自其導出的特徵之間觀測到的任何異常可為鏡之操作狀態或操作條件的一指示。因而，在一實施例中，如在根據本發明之雷射光束系統中所應用的測量系統1040可經組態以基於對該等鏡之測量的比較或基於如由鏡中之每一者接收到的雷射光束之經判定操作特徵的比較判定雷射光束系統之鏡的操作特徵。
作為實例，假定缺陷已發生在鏡1020中，從而導致鏡1020之反射性質惡化。假設例如鏡1020之反射率已自99%之標稱值減少至98%，而鏡1030之反射率保持在其標稱值(例如99%)處。
如上文所描述，如本發明中所應用的測量系統1040可經組態以例如基於鏡之鏡層的經判定溫度分佈判定所接收雷射光束之功率或功率分佈，藉此該溫度分佈自鏡之電阻網格的導電區段之電阻值或電阻網格之電阻分佈導出。對於給定實例，所接收雷射光束之功率的計算因此將係基於鏡之溫度，該溫度係基於鏡之耗散。由於反射率之惡化將導致鏡之耗散增加，此惡化將導致所接收雷射光束之功率的錯誤計算。具體而言，鏡1020之減少反射將產生高於如由鏡1030接收到的雷射光束之所計算功率的如由該鏡接收到的雷射光束之所計算功率。由於鏡1030在鏡1020之上游，因此此等計算不能正確，從而指示該等鏡中之一者的操作異常。藉由比較測量資料，或自其導出之特性，可判定或估計諸如缺陷之可能性、惡化狀態或反射率之所應用鏡的操作特性。
此類資訊可例如適用於判定是否預防維護或修復雷射光束系統1000之組件。
在如圖10中所展示之實施例中，雷射光束系統1000進一步包含一控制系統1060，該控制系統經組態以控制雷射光束源1010之操作，具體而言控制雷射光束1050之產生。就此而言，控制系統1060可經組態以判定用於控制雷射光束源1010之控制信號1070。本發明的一實施例中，藉由測量系統1040獲得的測量資料，或自其導出之任何操作特徵(如資料信號1080所指定)可作為反饋而提供至雷射光束系統之控制系統1070。基於該資料，雷射光束系統之控制系統1060可調整雷射光束系統之操作，具體而言如藉由雷射光束源1010產生的雷射光束1050之操作特徵。作為實例，基於藉由測量系統1040獲得的測量資料，可偵測到雷射光束1050之漂移或位移，接著雷射光束系統1000之鏡操縱系統可經組態以操縱雷射光束系統之一或多個鏡，以便重新對準雷射光束。可注意可藉由此鏡操縱系統操縱的一或多個鏡可包括鏡1020、1030中之一或多者及/或可包括如所應用的雷射光束系統之額外鏡。
根據本發明之另一態樣，提供一EUV輻射源，該EUV輻射源包含根據本發明之雷射光束系統。此EUV輻射源可有利地應用於根據本發明之蝕刻系統中，此類系統包含根據本發明之EUV輻射源及微影設備。參看圖1示意性地描述此EUV輻射源及微影設備。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。
儘管可在本文中特定地參考在微影設備之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成光罩檢測設備、度量衡設備或測量或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化裝置)之物件之任何設備的部件。此等設備可一般被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或周圍(非真空)條件。
儘管上文可能已經特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，在內容背景允許之情況下，本發明不限於光學微影，且可用於其他應用(例如壓印微影)中。
在內容背景允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，其可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電學、光學、聲學或傳播信號之其他形式(例如，載波、紅外信號、數位信號等)及其他。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅為方便起見，且此等動作事實上係由計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他裝置引起。且如此進行可使致動器或其他裝置與實體世界互動。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。上方描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之條項之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。 1.一種用於在一EUV光源中進行一雷射光束系統之度量衡的鏡，該鏡包含： 一鏡層，其具有經組態以接收並反射該雷射光束系統之一雷射光束的一前表面；一度量衡層，其配置於該鏡層之一背面上，該度量衡層包含：一電阻網格，其包含複數個導電區段及複數個電接點；或一電阻層，其包含複數個電接點，藉此該電阻網格或該電阻層之該複數個電接點經組態以連接至一度量衡儀器。 2. 如條項1之鏡，其中該電阻網格包含複數個節點，每一導電區段形成在該複數個節點之一對節點之間的一連接件。 3. 如條項2之鏡，其中該複數個電接點係藉由該複數個節點之一子集而提供。 4. 如前述條項中任一項之鏡，其中該度量衡層包含一基板層。 5. 如條項4之鏡，其中該基板層包含矽。 6. 如條項4或5之鏡，其中該電阻網格係藉助於使用一導電墨水將一對應圖案印刷至該基板層之一表面上而形成。 7. 如條項4或5之鏡，藉此該電阻網格係藉由在該基板層之一表面中蝕刻溝槽及在該等溝槽中提供一電導體而形成，以便形成該複數個導電區段及該複數個電接點。 8. 如前述條項中任一項之鏡，其中該度量衡層之該表面係由一保護層覆蓋。 9. 如條項4至8中任一項之鏡，其中該基板層之具備該電阻網格的該表面面向該鏡層之該背面。 10. 如前述條項中任一項之鏡，其中該等電接點沿著該電阻網格之一輪廓或周邊而配置。 11. 如前述條項中任一項之鏡，其中該鏡包含配置於該鏡層之該背面上的度量衡層之一堆疊。 12. 如前述條項中任一項之鏡，其進一步包含經組態以冷卻該鏡層之一冷卻層。 13. 如條項12之鏡，其中該冷卻層包含經組態以接收一冷卻流體之一或多個冷卻通道。 14. 如條項12或13之鏡，其中該冷卻層經配置於該度量衡層之一背面上。 15. 如任一前述條項之鏡，其中該電阻網格為一實質上矩形網格或一實質上徑向網格。 16. 一種度量衡系統，其包含： 如前述條項中任一項之一鏡，及 一測量系統，其經組態以判定該電阻網格之一或多個導電區段的一電阻值。 17. 如條項16之度量衡系統，其中該測量系統經組態以執行以下操作： 將該等電接點中之一或多者連接至一電源； 測量在未連接至該電源的該等電接點中之一或多者處之一電壓或電流； 基於該所測量電壓或電流判定該複數個導電區段中之該一或多個導電區段的該電阻值。 18. 如條項16或17之度量衡系統，其中該測量系統經進一步組態以基於該經判定電阻值估計該鏡層之一溫度分佈。 19. 如條項18之度量衡系統，其中該測量系統經進一步組態以在使用期間判定藉由該鏡所接收的一雷射光束之一操作特徵。 20. 如條項19之度量衡系統，其中該操作特徵包含該雷射光束之一功率、該雷射光束之一功率分佈或該雷射光束之一位置。 21. 一種用於一EUV輻射源之雷射光束系統，該雷射光束系統包含： 一雷射光束源，及 如條項1至15中任一項之用於度量衡之一或多個鏡或如條項16至20中任一項之一或多個度量衡系統。 22. 如條項21之雷射光束系統，其中該一或多個鏡或該一或多個度量衡系統經配置於該雷射光束系統之一雷射光束的一光學路徑中。 23. 如條項22之雷射光束系統，其包含兩個或多於兩個度量衡系統且其中該兩個或多於兩個度量衡系統經組態以判定藉由該兩個或多於兩個度量衡系統之該兩個或多於兩個鏡中的每一者所接收的該雷射光束之一操作特徵。 24. 如條項23之雷射光束系統，其中該兩個或多於兩個度量衡系統之一測量系統經組態以基於如由該兩個或多於兩個度量衡系統之該兩個或多於兩個鏡中之每一者接收到的該雷射光束之該經判定操作特徵的一比較而判定該兩個或多於兩個度量衡系統之一鏡的一操作特徵。 25. 如條項24之雷射光束系統，其中該鏡之該操作特徵包含一缺陷之一可能性、一惡化狀態或一反射率。 26. 一種EUV輻射源，其包含如條項21至25中任一項之一雷射光束系統。 27. 一種蝕刻系統，其包含如請求項26之一EUV輻射源及一微影設備。
1:雷射系統 2:雷射光束 3:燃料發射器 4:電漿形成區 5:收集器 6:中間焦點 7:電漿 8:開口 9:圍封結構 10:琢面化場鏡裝置 11:琢面化光瞳鏡裝置 13:鏡 14:鏡 200:鏡 210:鏡層 210.1:前表面 210.2:背面 220:度量衡層 220.1:前表面 220.2:底部表面 230:電阻網格 230.1:導電區段 230.2:電接點 230.3:節點 250:雷射光束/箭頭 252:雷射光束/箭頭 300:鏡 310:鏡層 320:度量衡層 320.2:底部表面 332:電阻網格 332.1:導電區段 332.2:電接點 334:電阻網格 334.1:導電區段 334.2:電接點 340:冷卻層/冷卻結構 340.1:冷卻通道 350:雷射光束 352:雷射光束 420:度量衡層 420.2:前表面 420.3:側表面 422:蓋罩層 432:電阻網格 432.1:導電區段 432.2:電接點 434:電阻網格 434.1:導電區段 434.2:電接點 434.3:溝槽 436:電阻網格 436.1:導電區段 436.2:電接點 436.3:溝槽 500:用於進行度量衡之鏡 510:鏡層 530:冷卻層/冷卻結構 550:RFID標籤 630:電阻網格 630.1:導電區段 630.2:電接點 680:電阻網格 680.1:導電區段 680.2:電接點 730:電阻網格 730.1:導電區段 730.2:電接點 800:度量衡系統 810:用於進行度量衡之鏡 810.1:鏡層 810.2:度量衡層 810.3:冷卻結構 812:電阻網格 814:電接點 820:測量系統 830:連接件 862:連接件 864:連接件 900:密集電阻網格 910:小導電區段 920:電接點 1000:雷射光束系統 1010:雷射光束源 1020:鏡 1030:鏡 1040:測量系統 1050:雷射光束 1060:控制系統 1070:控制系統 1080:資料信號 B:EUV輻射光束 B':經圖案化EUV輻射射光束 IL:照明系統 LA:微影設備 MA:圖案化裝置 MT:支撐結構 N0:電接點/節點 N1:電接點/節點 N2:電接點/節點 N3:電接點/節點 N4:電接點/節點 N5:電接點/節點 N6:電接點/節點 N7:電接點/節點 N12:電接點/節點 N18:電接點/節點 PS:投影系統 SO:輻射源 Tm:厚度 W:基板/寬度 WT:基板台 X:方向
現在將參看隨附示意圖作為實例來描述本發明之實施例，在該等示意圖中： -圖1描繪根據本發明之包含微影設備及輻射源之蝕刻系統； -圖2示意性地描繪根據本發明之實施例的用於進行度量衡之第一鏡的橫截面圖。 -圖3示意性地描繪根據本發明之一實施例的用於進行度量衡之第二鏡的橫截面圖。 -圖4a至圖4c示意性地描繪如可在本發明之一實施例中所應用的度量衡層之部分之平面視圖。 -圖5a及圖5b示意性地描繪根據本發明之一實施例的用於進行度量衡之鏡的一部分之平面視圖。 -圖6a、圖6b及圖7示意性地描繪如可在本發明之一實施例中所應用的電阻網格。 -圖8示意性地描繪根據本發明之一實施例的度量衡系統。 -圖9示意性地描繪如可在本發明之一實施例中所應用的電阻網格。 -圖10示意性地描繪根據本發明之一實施例的雷射光束系統。
420:度量衡層
422:蓋罩層
500:用於進行度量衡之鏡
510:鏡層
530:冷卻層/冷卻結構

Claims (15)

  1. 一種用於在一EUV光源中進行一雷射光束系統之度量衡的鏡，該鏡包含： 一鏡層，其具有經組態以接收並反射該雷射光束系統之一雷射光束的一前表面； 一度量衡層，其配置於該鏡層之一背面上，該度量衡層包含： 一電阻網格，其包含複數個導電區段及複數個電接點，或 一電阻層，其包含複數個電接點， 藉此該電阻網格或該電阻層之該複數個電接點經組態以連接至一度量衡儀器。
  2. 如請求項1之鏡，其中該電阻網格包含複數個節點，每一導電區段形成在該複數個節點之一對節點之間的一連接件，且 其中該複數個電接點係藉由該複數個節點之一子集而提供。
  3. 如請求項2之鏡，其中該度量衡層包含一基板層且該電阻網格係藉助於使用一導電墨水將一對應圖案印刷至該基板層之一表面上而形成。
  4. 如請求項2之鏡，該度量衡層包含一基板層且藉此該電阻網格係藉由在該基板層之一表面中蝕刻溝槽及在該等溝槽中提供一電導體而形成，以便形成該複數個導電區段及該複數個電接點。
  5. 如請求項1至4中任一項之鏡，其中該度量衡層之該表面係由一保護層覆蓋。
  6. 如請求項1至4中任一項之鏡，其中該度量衡層包含一基板層且該基板層之具備該電阻網格的該表面面向該鏡層之該背面。
  7. 如請求項1至4中任一項之鏡，其中該鏡包含配置於該鏡層之該背面上的度量衡層之一堆疊。
  8. 如請求項1至4中任一項之鏡，其進一步包含經組態以冷卻該鏡層的一冷卻層，且其中該冷卻層經配置於該度量衡層之一背面上。
  9. 一種度量衡系統，其包含： 如請求項1至8中任一項之一鏡，及 一測量系統，其經組態以判定該電阻網格之一或多個導電區段的一電阻值。
  10. 如請求項9之度量衡系統，其中該測量系統經組態以執行以下操作： a. 將該等電接點中之一或多者連接至一電源； b. 測量在未連接至該電源的該等電接點中之一或多者處之一電壓或電流； c. 基於該所測量電壓或電流判定該複數個導電區段中之該一或多個導電區段的該電阻值。
  11. 如請求項9或10之度量衡系統，其中該測量系統經進一步組態以基於該經判定電阻值估計該鏡層之一溫度分佈，且 其中該測量系統經進一步組態以在使用期間判定藉由該鏡接收的一雷射光束之一操作特徵，且 其中該操作特徵包含該雷射光束之一功率、該雷射光束之一功率分佈或該雷射光束之一位置。
  12. 一種用於一EUV輻射源之雷射光束系統，該雷射光束系統包含： 一雷射光束源，及 如請求項1至8中任一項之用於度量衡之一或多個鏡或如請求項9至11中任一項之一或多個度量衡系統。
  13. 如請求項12之雷射光束系統，其包含兩個或多於兩個度量衡系統及兩個或多於兩個鏡，且其中該兩個或多於兩個度量衡系統經組態以判定藉由該兩個或多於兩個度量衡系統之該兩個或多於兩個鏡中的每一者所接收的該雷射光束之一操作特徵。
  14. 如請求項13之雷射光束系統，其中該兩個或多於兩個度量衡系統之一測量系統經組態以基於如由該兩個或多於兩個度量衡系統之該兩個或多於兩個鏡中之每一者接收到的該雷射光束之該經判定操作特徵的一比較而判定該兩個或多於兩個度量衡系統之一鏡的一操作特徵， 其中該鏡之該操作特徵包含一缺陷之一可能性、一惡化狀態或一反射率。
  15. 一種EUV輻射源，其包含如請求項12至14中任一項之一雷射光束系統。
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