TW202302236A - 基板洗淨裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之基板洗淨裝置包含基板保持部、第1洗淨件、第2洗淨件及第3洗淨件。基板保持部以水平姿勢保持圓形狀之基板。第1洗淨件於俯視時，以通過基板外緣之第1點之方式於基板之上方進行掃描，藉此洗淨基板之上表面。第2洗淨件於俯視時，藉由接觸於基板外緣之第2點而洗淨基板之外周端部。定義出通過第1點與第2點之假想性第1直線、及通過基板之中心且與第1直線平行之假想性第2直線。第3洗淨件配置於基板之下方且隔著第2直線而與第1洗淨件及第2洗淨件相反之區域，洗淨基板之下表面。

Description

基板洗淨裝置

本發明係關於一種洗淨基板之基板洗淨裝置。

為了對用於液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence，電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、半導體基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽電池用基板等各種基板進行各種處理，使用基板處理裝置。為了洗淨基板，使用基板洗淨裝置。

例如，日本專利第5904169號公報中所記載之基板洗淨裝置具備：2個吸附墊，其等保持晶圓之背面周緣部；旋轉夾盤，其保持晶圓之背面中央部；以及刷，其洗淨晶圓之背面。2個吸附墊保持晶圓並且於橫方向移動。於該狀態下，利用刷來洗淨晶圓之背面中央部。然後，旋轉夾盤自吸附墊接收晶圓，旋轉夾盤保持著晶圓之背面中央部進行旋轉。於該狀態下，利用刷來洗淨晶圓之背面周緣部。

於日本專利第5904169號公報記載之基板洗淨裝置中，於不僅要洗淨基板背面還要洗淨基板正面之情形時，必須將基板搬送至用以洗淨基板正面之其他洗淨裝置。於該情形時，產能降低，並且用於洗淨基板之系統整體之佔據面積增加。因此，期望防止大型化且能夠有效率地洗淨基板之基板洗淨裝置。

本發明之目的於在提供一種防止大型化且能夠有效率地洗淨基板之基板洗淨裝置。

(1)依據本發明之一形態之基板洗淨裝置具備：基板保持部，其以水平姿勢保持圓形狀之基板；第1洗淨件，其以於俯視時通過基板外緣之第1點之方式於基板之上方進行掃描，藉此洗淨基板之上表面；第2洗淨件，其藉由於俯視時接觸於基板外緣之第2點來洗淨基板之外周端部；以及第3洗淨件，其洗淨基板之下表面；定義通過第1點與第2點之假想性第1直線、及通過基板中心且與第1直線平行之假想性第2直線；第3洗淨件配置於基板之下方且隔著第2直線而與第1洗淨件及第2洗淨件相反之區域。

於該基板洗淨裝置中，於洗淨基板時，第1洗淨件、第2洗淨件及第3洗淨件相對較大幅度地隔開配置。因此，即便分別利用第1洗淨件、第2洗淨件及第3洗淨件同時洗淨基板之上表面、外周端部及下表面，亦幾乎不會發生自任一個洗淨件產生之污染物質附著於其他洗淨件上之情況。因此，無須設置分別洗淨基板複數個部分之複數個裝置，亦無須使基板於複數個裝置間移動。其結果，能夠防止基板洗淨裝置之大型化且有效率地洗淨基板。

(2)亦可進而定義於俯視時自基板中心朝向第3洗淨件之幾何學中心延伸之假想性第3直線、及於俯視時第3直線通過之基板外緣之第3點，以基板中心位於以第1點、第2點及第3點為頂點之三角形區域內之方式配置第1洗淨件、第2洗淨件及第3洗淨件。於該情形時，於洗淨基板時，第1洗淨件、第2洗淨件及第3洗淨件大幅度地隔開。藉此，能夠防止自任一個洗淨件產生之污染物質附著於其他洗淨件上。

(3)亦可進而定義於俯視時自基板中心朝向第1點延伸之假想性第4直線、及於俯視時自基板中心朝向第2點延伸之假想性第5直線，第3直線與第4直線之間之第1角度、第4直線與第5直線之間之第2角度、及第5直線與第3直線之間之第3角度分別為80度以上。於該情形時，於洗淨基板時，第1洗淨件、第2洗淨件及第3洗淨件更大幅度地隔開。藉此，可更確實地防止自任一個洗淨件產生之污染物質附著於其他洗淨件上。

(4)第1角度、第2角度及第3角度亦可分別為90度以上。於該情形時，於洗淨基板時，第1洗淨件、第2洗淨件及第3洗淨件進而大幅度地隔開。藉此，可進而確實地防止自任一個洗淨件產生之污染物質附著於其他洗淨件上。

(5)第1角度亦可大於第2角度。於該情形時，於洗淨基板時，第1洗淨件與第3洗淨件相對較大幅度地隔開，故而即便於第3洗淨件相對較為大型之情形時，自第1洗淨件及第3洗淨件中一者產生之污染物質亦不會附著於另一者上。因此，能夠利用第3洗淨件高效率地洗淨基板之下表面。

(6)第3角度亦可大於第2角度。於該情形時，於洗淨基板時，第2洗淨件與第3洗淨件相對較大幅度地隔開，故而即便於第3洗淨件相對較為大型之情形時，自第2洗淨件及第3洗淨件之一者產生之污染物質亦不會附著於另一者。因此，能夠利用第3洗淨件高效率地洗淨基板之下表面。

(7)第1洗淨件亦可藉由於俯視時自基板中心朝向第1點進行掃描來洗淨基板之上表面。於該情形時，自第1洗淨件產生之污染物質幾乎不會附著於第2洗淨件或第3洗淨件上。同樣地，自第2洗淨件或第3洗淨件產生之污染物質幾乎不會附著於第1洗淨件上。因此，能夠憑藉簡單之構成利用第1洗淨件高效率地洗淨基板之上表面。

(8)亦可為基板保持部及第3洗淨件分別具有圓形之外形，第3洗淨件之直徑大於基板保持部之直徑。於該情形時，能夠利用相對較為大型之第3洗淨件高效率地洗淨基板之下表面。

(9)亦可為第3洗淨件具有圓形之外形，第3洗淨件之直徑大於基板直徑之1/3。於該情形時，能夠利用相對較為大型之第3洗淨件高效率地洗淨基板之下表面。

以下，使用圖式對本發明之實施方式之基板洗淨裝置進行說明。於以下之說明中，所謂基板，係指半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽電池用基板等。又，本實施方式中所使用之基板至少一部分具有圓形之外周部。例如，除定位用之凹槽以外之外周部具有圓形。

(1)基板處理裝置之構成 圖1係本發明之一實施方式之基板洗淨裝置之模式性俯視圖。圖2係表示圖1之基板洗淨裝置1之內部構成之外觀立體圖。於本實施方式之基板洗淨裝置1中，為了明確位置關係而定義相互正交之X方向、Y方向及Z方向。於圖1及圖2以後之特定之圖中，X方向、Y方向及Z方向適當用箭頭表示。X方向及Y方向於水平面內相互正交，Z方向相當於鉛垂方向。

如圖1所示，基板洗淨裝置1具備上側保持裝置10A、10B、下側保持裝置20、基座裝置30、交接裝置40、下表面洗淨裝置50、護罩裝置60、上表面洗淨裝置70、端部洗淨裝置80及開閉裝置90。該等構成要素設置於單元殼體2內。於圖2中，單元殼體2由虛線表示。

單元殼體2具有矩形之底面部2a、及自底面部2a之4條邊向上方延伸之4個側壁部2b、2c、2d、2e。側壁部2b、2c相互對向，側壁部2d、2e相互對向。於側壁部2b之中央部形成有矩形之開口。該開口為基板W之搬入搬出口2x，於將基板W搬入單元殼體2時以及自單元殼體2搬出時使用。於圖2中，搬入搬出口2x由粗虛線表示。於以下之說明中，將Y方向中自單元殼體2內部通過搬入搬出口2x朝向單元殼體2外側之方向(自側壁部2c朝向側壁部2b之方向)稱為前方，將其相反方向(自側壁部2b朝向側壁部2c之方向)稱為後方。

於側壁部2b中之搬入搬出口2x之形成部分及其附近之區域設置有開閉裝置90。開閉裝置90包含以能夠將搬入搬出口2x開閉之方式構成之擋板91、及驅動擋板91之擋板驅動部92。於圖2中，擋板91由粗兩點鏈線表示。擋板驅動部92驅動擋板91於將基板W搬入基板洗淨裝置1時以及自基板洗淨裝置1搬出時打開搬入搬出口2x。又，擋板驅動部92驅動擋板91於基板洗淨裝置1中洗淨基板W時關閉搬入搬出口2x。

於底面部2a之中央部設置有基座裝置30。基座裝置30包含線性導軌31、可動基座32及基座驅動部33。線性導軌31包含2條軌道，且以於俯視時沿Y方向自側壁部2b附近延伸到側壁部2c附近之方式設置。可動基座32以能夠於線性導軌31之2條軌道上沿Y方向移動之方式設置。基座驅動部33例如包含脈衝馬達，且使可動基座32於線性導軌31上沿Y方向移動。

於可動基座32上，下側保持裝置20及下表面洗淨裝置50以於Y方向上並排之方式設置。下側保持裝置20包含吸附保持部21及吸附保持驅動部22。吸附保持部21係所謂之旋轉夾盤，具有能夠吸附保持基板W下表面之圓形吸附面，且以能夠圍繞於上下方向延伸之軸(Z方向之軸)旋轉之方式構成。於以下之說明中，將利用吸附保持部21吸附保持基板W時基板W之下表面中吸附保持部21之吸附面應吸附之區域稱為下表面中央區域。另一方面，將基板W之下表面中包圍下表面中央區域之區域稱為下表面外側區域。

吸附保持驅動部22包含馬達。吸附保持驅動部22之馬達以旋轉軸朝向上方突出之方式設置於可動基座32上。吸附保持部21安裝於吸附保持驅動部22之旋轉軸之上端部。又，於吸附保持驅動部22之旋轉軸，形成有用以於吸附保持部21中吸附保持基板W之吸引路徑。該吸引路徑連接於未圖示之吸氣裝置。吸附保持驅動部22使吸附保持部21圍繞上述旋轉軸旋轉。

於可動基座32上，於下側保持裝置20之附近進而設置有交接裝置40。交接裝置40包含複數個(於本例中為3根)支持銷41、銷連結構件42及銷升降驅動部43。銷連結構件42以於俯視時包圍吸附保持部21之方式形成，且將複數個支持銷41連結。複數個支持銷41於利用銷連結構件42相互連結之狀態下，自銷連結構件42向上方延伸固定長度。銷升降驅動部43使銷連結構件42於可動基座32上升降。藉此，複數個支持銷41相對於吸附保持部21而相對性地升降。

下表面洗淨裝置50包含下表面刷51、2個液體噴嘴52、氣體噴出部53、升降支持部54、移動支持部55、下表面刷旋轉驅動部55a、下表面刷升降驅動部55b及下表面刷移動驅動部55c。移動支持部55以能夠於可動基座32上之固定區域內相對於下側保持裝置20於Y方向移動之方式設置。如圖2所示，於移動支持部55上，以能夠升降之方式設置有升降支持部54。升降支持部54具有於遠離吸附保持部21之方向(於本例中為後方)上向斜下方傾斜之上表面54u。

如圖1所示，下表面刷51具有於俯視時為圓形之外形，於本實施方式中相對較為大型地形成。具體而言，下表面刷51之直徑大於吸附保持部21之吸附面直徑，例如為吸附保持部21之吸附面直徑之1.3倍。又，下表面刷51之直徑大於基板W之直徑之1/3且小於1/2。再者，基板W之直徑例如為300 mm。

下表面刷51具有能夠接觸於基板W之下表面之洗淨面。又，下表面刷51以洗淨面朝向上方之方式且以洗淨面能夠圍繞通過該洗淨面之中心於上下方向延伸之軸旋轉之方式，安裝於升降支持部54之上表面54u。

2個液體噴嘴52分別以位於下表面刷51之附近且液體噴出口朝向上方之方式，安裝於升降支持部54之上表面54u上。於液體噴嘴52連接有下表面洗淨液供給部56(圖3)。下表面洗淨液供給部56對液體噴嘴52供給洗淨液。液體噴嘴52於利用下表面刷51洗淨基板W時，將自下表面洗淨液供給部56供給之洗淨液噴出到基板W之下表面。於本實施方式中，使用純水作為供給至液體噴嘴52之洗淨液。

氣體噴出部53係具有於一方向延伸之氣體噴出口的狹縫狀氣體噴射嘴。氣體噴出部53以於俯視時位於下表面刷51與吸附保持部21之間、且氣體噴射口朝向上方之方式，安裝於升降支持部54之上表面54u。於氣體噴出部53連接有噴出氣體供給部57(圖3)。噴出氣體供給部57對氣體噴出部53供給氣體。於本實施方式中，使用氮氣等惰性氣體作為供給至氣體噴出部53之氣體。氣體噴出部53於利用下表面刷51洗淨基板W時及使下述基板W之下表面乾燥時，將自噴出氣體供給部57供給之氣體向基板W之下表面噴射。於該情形時，於下表面刷51與吸附保持部21之間，形成沿X方向延伸之帶狀氣體簾。

下表面刷旋轉驅動部55a包含馬達，於利用下表面刷51洗淨基板W時使下表面刷51旋轉。下表面刷升降驅動部55b包含步進馬達或氣缸，使升降支持部54相對於移動支持部55升降。下表面刷移動驅動部55c包含馬達，使移動支持部55於可動基座32上沿Y方向移動。此處，可動基座32中之下側保持裝置20之位置固定。因此，藉由下表面刷移動驅動部55c使移動支持部55沿Y方向移動時，移動支持部55相對於下側保持裝置20相對性地移動。於以下之說明中，將下表面洗淨裝置50於可動基座32上最接近下側保持裝置20時之位置稱為接近位置，將下表面洗淨裝置50於可動基座32上最遠離下側保持裝置20時之位置稱為隔開位置。

於底面部2a之中央部，進而設置有護罩裝置60。護罩裝置60包含護罩61及護罩驅動部62。護罩61以於俯視時包圍下側保持裝置20及基座裝置30之方式且可升降地設置。於圖2中，護罩61由虛線表示。護罩驅動部62根據下表面刷51要對基板W之下表面中之哪個部分進行洗淨，而使護罩61於下護罩位置與上護罩位置之間移動。下護罩位置為護罩61之上端部處於較由吸附保持部21吸附保持之基板W靠下方之高度位置。又，上護罩位置為護罩61之上端部處於較吸附保持部21靠上方之高度位置。

於較護罩61靠上方之高度位置，以於俯視時隔著基座裝置30而對向之方式設置有一對上側保持裝置10A、10B。上側保持裝置10A包含下夾頭11A、上夾頭12A、下夾頭驅動部13A及上夾頭驅動部14A。上側保持裝置10B包含下夾頭11B、上夾頭12B、下夾頭驅動部13B及上夾頭驅動部14B。

下夾頭11A、11B於俯視時關於通過吸附保持部21之中心於Y方向(前後方向)延伸之鉛垂面而對稱地配置，且以能夠於共通之水平面內沿X方向移動之方式設置。下夾頭11A、11B分別具有能夠自基板W之下方支持基板W之下表面周緣部之2根支持片。下夾頭驅動部13A、13B以下夾頭11A、11B相互接近之方式，或以下夾頭11A、11B相互遠離之方式，使下夾頭11A、11B移動。

上夾頭12A、12B與下夾頭11A、11B同樣地，於俯視時關於通過吸附保持部21之中心於Y方向(前後方向)延伸之鉛垂面而對稱地配置，且以能夠於共通之水平面內沿X方向移動之方式設置。上夾頭12A、12B分別具有以能夠抵接於基板W之外周端部之2個部分而保持基板W之外周端部之方式構成之2根保持片。上夾頭驅動部14A、14B以上夾頭12A、12B相互接近之方式，或以上夾頭12A、12B相互遠離之方式，使上夾頭12A、12B移動。

如圖1所示，於護罩61之一側方，以於俯視時位於上側保持裝置10B附近之方式，設置有上表面洗淨裝置70。上表面洗淨裝置70包含旋轉支持軸71、臂72、噴霧嘴73及上表面洗淨驅動部74。

旋轉支持軸71於底面部2a上，以於上下方向延伸之方式，且能夠升降及能夠旋轉地由上表面洗淨驅動部74支持。如圖2所示，臂72於較上側保持裝置10B靠上方之位置，以自旋轉支持軸71之上端部向水平方向延伸之方式設置。於臂72之前端部安裝著噴霧嘴73。

於噴霧嘴73連接有上表面洗淨流體供給部75(圖3)。上表面洗淨流體供給部75對噴霧嘴73供給洗淨液及氣體。於本實施方式中，使用純水作為供給至噴霧嘴73之洗淨液，使用氮氣等惰性氣體作為供給至噴霧嘴73之氣體。噴霧嘴73於洗淨基板W之上表面時，將自上表面洗淨流體供給部75供給之洗淨液與氣體混合而產生混合流體，將所產生之混合流體向下方噴射。

上表面洗淨驅動部74包含1個或複數個脈衝馬達及氣缸等，使旋轉支持軸71升降之同時，使旋轉支持軸71旋轉。根據上述構成，藉由使噴霧嘴73於由吸附保持部21吸附保持且旋轉之基板W之上表面上呈圓弧狀地移動，從而能夠洗淨基板W之上表面整體。

如圖1所示，於護罩61之另一側方，以於俯視時位於上側保持裝置10A附近之方式，設置有端部洗淨裝置80。端部洗淨裝置80包含旋轉支持軸81、臂82、斜面刷83及斜面刷驅動部84。

旋轉支持軸81於底面部2a上，以於上下方向延伸之方式，且能夠升降及能夠旋轉地由斜面刷驅動部84支持。如圖2所示，臂82於較上側保持裝置10A靠上方之位置，以自旋轉支持軸81之上端部向水平方向延伸之方式設置。於臂82之前端部，以朝向下方突出之方式且以能夠圍繞上下方向之軸旋轉之方式設置有斜面刷83。

斜面刷83之上半部具有倒圓錐台形狀，並且下半部具有圓錐台形狀。根據該斜面刷83，能夠於外周面之上下方向上之中央部分洗淨基板W之外周端部。

斜面刷驅動部84包含1個或複數個脈衝馬達及氣缸等，使旋轉支持軸81升降之同時，使旋轉支持軸81旋轉。根據上述構成，藉由使斜面刷83之外周面之中央部分接觸於由吸附保持部21吸附保持且旋轉之基板W之外周端部，從而能夠洗淨基板W之外周端部整體。

此處，斜面刷驅動部84進而包含內置於臂82中之馬達。該馬達使設置於臂82之前端部之斜面刷83圍繞上下方向之軸旋轉。因此，於洗淨基板W之外周端部時，藉由斜面刷83旋轉，而使基板W之外周端部之斜面刷83之洗淨力提高。

圖3係表示圖1之基板洗淨裝置1之控制系統之構成之方塊圖。圖3之控制部9包含CPU(Central Processing Unit，中央運算處理裝置)、RAM(random access memory，隨機存取記憶體)、ROM(read only memory，唯讀記憶體)及記憶裝置。RAM用作CPU之作業區域。ROM記憶系統程式。記憶裝置記憶控制程式。CPU藉由於RAM上執行記憶於記憶裝置之基板洗淨程式來控制基板洗淨裝置1之各部之動作。

如圖3所示，控制部9主要為了接收搬入至基板洗淨裝置1之基板W，並保持於吸附保持部21上方之位置，而控制下夾頭驅動部13A、13B及上夾頭驅動部14A、14B。又，控制部9主要為了利用吸附保持部21吸附保持基板W並且使所吸附保持之基板W旋轉，而控制吸附保持驅動部22。

又，控制部9主要為了使可動基座32相對於由上側保持裝置10A、10B保持之基板W移動，而控制基座驅動部33。又，控制部9為了使基板W於由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之高度位置、與由吸附保持部21保持之基板W之高度位置之間移動，而控制銷升降驅動部43。

又，控制部9為了洗淨基板W之下表面，而控制下表面刷旋轉驅動部55a、下表面刷升降驅動部55b、下表面刷移動驅動部55c、下表面洗淨液供給部56及噴出氣體供給部57。又，控制部9為了於洗淨由吸附保持部21吸附保持之基板W時利用護罩61接住自基板W飛散之洗淨液，而控制護罩驅動部62。

又，控制部9為了洗淨由吸附保持部21吸附保持之基板W之上表面，而控制上表面洗淨驅動部74及上表面洗淨流體供給部75。又，控制部9為了洗淨由吸附保持部21吸附保持之基板W之外周端部，而控制斜面刷驅動部84。進而，控制部9為了於基板洗淨裝置1中將基板W搬入時及搬出時將單元殼體2之搬入搬出口2x開閉，而控制擋板驅動部92。

(2)洗淨件之位置關係 於本實施方式中，於同一單元殼體2內，同時進行利用噴霧嘴73洗淨基板W之上表面、利用斜面刷83洗淨基板W之外周端部、及利用下表面刷51洗淨基板W之下表面外側區域。於以下之說明中，將噴霧嘴73、斜面刷83及下表面刷51各自稱為洗淨件。

根據複數個洗淨件之配置，有時自任一個洗淨件產生之污染物質會附著於其他洗淨件上。於該情形時，因污染物質自洗淨件附著於基板W，而使基板W之洗淨效率降低。因此，各洗淨件以對彼此之干涉之影響變小之方式配置。

圖4係表示洗淨件之位置關係之俯視圖。如圖4之單點鏈線所示，噴霧嘴73於洗淨基板W之上表面時，利用圖1之上表面洗淨驅動部74而向基板W之中心P0之上方移動。然後，如圖4之粗箭頭所示，噴霧嘴73一面噴射混合流體，一面沿著圓形軌道於基板W之外側進行掃描。此時，將俯視時與噴霧嘴73之外緣相接之基板W之外緣之點稱為P1。

斜面刷83於洗淨基板W之外周端部時，利用圖1之斜面刷驅動部84而接觸於基板W之外周端部。將俯視時與斜面刷83相接之基板W之外緣之點稱為P2。此處，將通過點P1與點P2之假想性直線設為L1。又，將通過基板W之中心P0且與直線L1平行之假想性直線設為L2。

下表面刷51於洗淨基板W之下表面外側區域時，利用圖1之基座驅動部33配置於基板W之下方且隔著直線L2而與噴霧嘴73及斜面刷83相反之區域。再者，如圖4所示，於本實施方式中，下表面刷51以其一部分自基板W向外側露出之方式配置，但實施方式並不限定於此。下表面刷51亦可按照其外緣與基板W之外緣重疊之方式配置。

根據圖4之洗淨件之配置，於洗淨基板W時，噴霧嘴73、斜面刷83及下表面刷51相對較大幅度地隔開。因此，即便分別利用噴霧嘴73、斜面刷83及下表面刷51同時洗淨基板W之上表面、外周端部及下表面，亦幾乎不會發生自任一個洗淨件產生之污染物質附著於其他洗淨件上之情況。

圖5係表示洗淨件之更佳之位置關係之俯視圖。如圖5所示，將俯視時自基板W之中心P0朝向下表面刷51之幾何學中心延伸之假想性直線(半直線)設為L3。又，將俯視時直線L3通過之基板W之外緣之點設為P3。於該情形時，形成以點P1、點P2及點P3為頂點之三角形狀之區域R。

噴霧嘴73、斜面刷83及下表面刷51較佳為以基板W之中心P0位於區域R內之方式配置。於該情形時，於基板洗淨裝置1之洗淨時，噴霧嘴73、斜面刷83及下表面刷51大幅度隔開。因此，能夠防止自任一個洗淨件產生之污染物質附著於其他洗淨件上。

圖6係表示洗淨件之進而佳之位置關係之俯視圖。如圖6所示，將俯視時自基板W之中心朝向點P1延伸之假想性直線(半直線)設為L4，將自基板W之中心朝向點P2延伸之假想性直線(半直線)設為L5。又，將直線L3與直線L4之間之角度設為θ1，將直線L4與直線L5之間之角度設為θ2，將直線L5與直線L3之間之角度設為θ3。再者，角度θ1、角度θ2及角度θ3之和為360度。

角度θ1、θ2、θ3分別較佳為80度以上。於該情形時，於洗淨基板W時，噴霧嘴73、斜面刷83及下表面刷51更加大幅度地隔開。藉此，更加確實地防止自任一個洗淨件產生之污染物質附著於其他洗淨件上。

又，角度θ1、θ2、θ3分別更佳為90度以上。於該情形時，噴霧嘴73、斜面刷83及下表面刷51進而大幅度地隔開。藉此，進而確實地防止自任一個洗淨件產生之污染物質附著於其他洗淨件上。

較佳為，角度θ1大於角度θ2。於該情形時，由於噴霧嘴73與下表面刷51相對較大幅度地隔開，故而即便下表面刷51相對較為大型，亦不會發生自噴霧嘴73及下表面刷51之一者產生之污染物質附著於另一者上之情況。因此，能夠利用相對較為大型之下表面刷51高效率地洗淨基板W之下表面。

進而較佳為，角度θ3大於角度θ2。於該情形時，由於斜面刷83與下表面刷51相對較大幅度地隔開，故而即便下表面刷51相對較為大型，亦不會發生自斜面刷83及下表面刷51之一者產生之污染物質附著於另一者上之情況。因此，能夠利用相對較為大型之下表面刷51高效率地洗淨基板W之下表面。

(3)基板洗淨裝置之概略動作 圖7～圖18係用以說明圖1之基板洗淨裝置1之概略動作之模式圖。於圖7～圖18之各圖中，上段表示基板洗淨裝置1之俯視圖。又，中段表示沿著Y方向觀察之下側保持裝置20及其周邊部之側視圖，下段表示沿著X方向觀察之下側保持裝置20及其周邊部之側視圖。中段之側視圖與圖1之A-A線側視圖對應，下段之側視圖與圖1之B-B線側視圖對應。再者，為了便於理解基板洗淨裝置1中之各構成要素之形狀及動作狀態，於上段之俯視圖與中段及下段之側視圖之間，有一部分構成要素之擴大縮小率不同。又，於圖7～圖18中，護罩61由兩點鏈線表示，並且基板W之外形由粗單點鏈線表示。

於將基板W搬入至基板洗淨裝置1之前之初始狀態下，開閉裝置90之擋板91將搬入搬出口2x關閉。又，如圖1所示，下夾頭11A、11B以相互之距離較基板W之直徑足夠大之狀態維持。又，上夾頭12A、12B亦以相互之距離較基板W之直徑足夠大之狀態維持。又，基座裝置30之可動基座32以於俯視時吸附保持部21之中心位於護罩61之中心之方式配置。於可動基座32上，下表面洗淨裝置50配置於接近位置。於下表面洗淨裝置50之升降支持部54中，下表面刷51之洗淨面(上端部)處於較吸附保持部21靠下方之位置。

又，於交接裝置40中，複數個支持銷41處於位於較吸附保持部21靠下方之狀態。進而，於護罩裝置60中，護罩61處於下護罩位置。於以下之說明中，將俯視時護罩61之中心位置稱為平面基準位置rp。又，將俯視時吸附保持部21之中心處於平面基準位置rp時之底面部2a上之可動基座32之位置稱為第1水平位置。

將基板W搬入至基板洗淨裝置1之單元殼體2內。具體而言，於基板W即將搬入之前，擋板91將搬入搬出口2x打開。然後，如圖7中粗實線之箭頭a1所示，未圖示之基板搬送機器人之機器手(基板保持部)RH通過搬入搬出口2x將基板W搬入至單元殼體2內之大致中央之位置。此時，由機器手RH保持之基板W如圖7所示，位於下夾頭11A及上夾頭12A與下夾頭11B及上夾頭12B之間。

接下來，如圖8中粗實線之箭頭a2所示，以下夾頭11A、11B之複數個支持片位於基板W之下表面周緣部下方之方式，下夾頭11A、11B相互接近。於該狀態下，機器手RH下降，自搬入搬出口2x退出。藉此，由機器手RH保持之基板W之下表面周緣部之複數個部分，由下夾頭11A、11B之複數個支持片支持。於機器手RH退出之後，擋板91將搬入搬出口2x關閉。

接下來，如圖9中粗實線之箭頭a3所示，以上夾頭12A、12B之複數個保持片抵接於基板W之外周端部之方式，上夾頭12A、12B相互接近。藉由將上夾頭12A、12B之複數個保持片抵接於基板W之外周端部之複數個部分，由下夾頭11A、11B支持之基板W進一步由上夾頭12A、12B保持。又，如圖9中粗實線之箭頭a4所示，以吸附保持部21自平面基準位置rp偏移特定距離並且下表面刷51之中心位於平面基準位置rp之方式，可動基座32自第1水平位置向前方移動。此時，將位於底面部2a上之可動基座32之位置稱為第2水平位置。

接下來，如圖10中粗實線之箭頭a5所示，以下表面刷51之洗淨面接觸於基板W之下表面中央區域之方式，升降支持部54上升。又，如圖10中粗實線之箭頭a6所示，下表面刷51圍繞上下方向之軸旋轉(自轉)。藉此，利用下表面刷51將附著於基板W之下表面中央區域之污染物質物理剝離。

於圖10之下段，將下表面刷51接觸於基板W之下表面之部分之放大側視圖顯示於圖框內。如該圖框內所示，於下表面刷51接觸於基板W之狀態下，將液體噴嘴52及氣體噴出部53保持於接近基板W之下表面之位置。此時，液體噴嘴52如中空之箭頭a51所示，於下表面刷51附近之位置朝向基板W之下表面噴出洗淨液。藉此，將自液體噴嘴52供給至基板W之下表面之洗淨液導向下表面刷51與基板W之接觸部，而藉由洗淨液沖洗掉利用下表面刷51自基板W之背面去除之污染物質。如此般，於下表面洗淨裝置50中，液體噴嘴52與下表面刷51一起安裝於升降支持部54。藉此，能夠向利用下表面刷51對基板W之下表面進行洗淨之部分高效率地供給洗淨液。因此，洗淨液之消耗量降低並且可抑制洗淨液之過度飛散。

此處，升降支持部54之上表面54u於遠離吸附保持部21之方向上朝向斜下方傾斜。於該情形時，於包含污染物質之洗淨液自基板W之下表面掉落於升降支持部54上之情形時，由上表面54u接住之洗淨液向遠離吸附保持部21之方向被引導。

又，於利用下表面刷51洗淨基板W之下表面時，氣體噴出部53如圖10之圖框內中空之箭頭a52所示，於下表面刷51與吸附保持部21之間之位置朝向基板W之下表面噴射氣體。於本實施方式中，氣體噴出部53以氣體噴射口於X方向延伸之方式安裝於升降支持部54上。於該情形時，於自氣體噴出部53向基板W之下表面噴射氣體時，於下表面刷51與吸附保持部21之間形成沿X方向延伸之帶狀氣體簾。藉此，於利用下表面刷51洗淨基板W之下表面時，可防止包含污染物質之洗淨液朝向吸附保持部21飛散。因此，於利用下表面刷51洗淨基板W之下表面時，可防止包含污染物質之洗淨液附著於吸附保持部21，從而將吸附保持部21之吸附面保持為清潔。

再者，於圖10之例子中，氣體噴出部53如中空之箭頭a52所示，自氣體噴出部53朝向下表面刷51向斜上方噴射氣體，但本發明並不限定於此。氣體噴出部53亦可按照自氣體噴出部53朝向基板W之下表面沿著Z方向之方式噴射氣體。

接下來，於圖10之狀態下，基板W之下表面中央區域之洗淨完成後，就停止下表面刷51之旋轉，升降支持部54以下表面刷51之洗淨面與基板W相隔特定距離之方式下降。又，停止自液體噴嘴52向基板W噴出洗淨液。此時，繼續自氣體噴出部53向基板W噴射氣體。

然後，如圖11中粗實線之箭頭a7所示，可動基座32以吸附保持部21位於平面基準位置rp之方式向後方移動。即，可動基座32自第2水平位置移動至第1水平位置。此時，藉由繼續自氣體噴出部53向基板W噴射氣體，基板W之下表面中央區域依次被氣體簾乾燥。

接下來，如圖12中粗實線之箭頭a8所示，升降支持部54以下表面刷51之洗淨面位於較吸附保持部21之吸附面(上端部)靠下方之方式下降。又，如圖12中粗實線之箭頭a9所示，以上夾頭12A、12B之複數個保持片與基板W之外周端部隔開之方式，使上夾頭12A、12B相互遠離。此時，成為基板W被下夾頭11A、11B支持之狀態。

然後，如圖12中粗實線之箭頭a10所示，銷連結構件42以複數個支持銷41之上端部位於較下夾頭11A、11B稍微靠上方之方式上升。藉此，被下夾頭11A、11B支持之基板W由複數個支持銷41接收。

接下來，如圖13中粗實線之箭頭a11所示，下夾頭11A、11B相互遠離。此時，下夾頭11A、11B移動至於俯視時不與由複數個支持銷41支持之基板W重疊之位置。藉此，上側保持裝置10A、10B均回到初始狀態。

接下來，如圖14中粗實線之箭頭a12所示，銷連結構件42以複數個支持銷41之上端部位於較吸附保持部21靠下方之方式下降。藉此，支持於複數個支持銷41上之基板W由吸附保持部21接收。於該狀態下，吸附保持部21吸附保持基板W之下表面中央區域。與銷連結構件42之下降同時或於銷連結構件42之下降完成之後，如圖14中粗實線之箭頭a13所示，護罩61自下護罩位置上升至上護罩位置。

接下來，如圖15中粗實線之箭頭a14所示，吸附保持部21圍繞上下方向之軸(吸附保持驅動部22之旋轉軸之軸心)旋轉。藉此，被吸附保持部21吸附保持之基板W以水平姿勢旋轉。

接下來，上表面洗淨裝置70之旋轉支持軸71旋轉、下降。藉此，如圖15中粗實線之箭頭a15所示，噴霧嘴73移動至基板W之中心上方之位置，並以噴霧嘴73與基板W之間之距離成為預先規定之距離之方式下降。於該狀態下，噴霧嘴73對基板W之上表面噴射洗淨液與氣體之混合流體。又，旋轉支持軸71旋轉。藉此，如圖15中粗實線之箭頭a16所示，噴霧嘴73自旋轉之基板W之中心朝向外側(圖4之點P1)移動。藉由對基板W之上表面整體噴射混合流體，而洗淨基板W之上表面整體。

又，於利用噴霧嘴73洗淨基板W之上表面時，端部洗淨裝置80之旋轉支持軸81亦旋轉、下降。藉此，如圖15中粗實線之箭頭a17所示，斜面刷83移動至基板W之外周端部上方之位置。又，以斜面刷83之外周面之中央部分接觸於基板W之外周端部(圖4之點P2)之方式下降。於該狀態下，斜面刷83圍繞上下方向之軸旋轉(自轉)。藉此，利用斜面刷83將附著於基板W之外周端部之污染物質物理剝離。自基板W之外周端部剝離之污染物質被自噴霧嘴73噴射到基板W之混合流體之洗淨液沖掉。

進而，於利用噴霧嘴73洗淨基板W之上表面時，升降支持部54以下表面刷51之洗淨面接觸於基板W之下表面外側區域之方式上升。此時，下表面刷51位於在俯視時隔著圖4之直線L2而與噴霧嘴73及斜面刷83相反之區域。又，如圖15中粗實線之箭頭a18所示，下表面刷51圍繞上下方向之軸旋轉(自轉)。進而，液體噴嘴52朝向基板W之下表面噴出洗淨液，氣體噴出部53朝向基板W之下表面噴射氣體。藉此，能夠利用下表面刷51洗淨由吸附保持部21吸附保持且旋轉之基板W之下表面外側區域整體。

下表面刷51之旋轉方向亦可與吸附保持部21之旋轉方向相反。於該情形時，能夠高效率地洗淨基板W之下表面外側區域。於本實施方式中，於俯視時，吸附保持部21之旋轉方向為順時針方向，下表面刷51之旋轉方向為逆時針方向。又，於下表面刷51並非相對較為大型之情形時，如圖15中粗實線之箭頭a19所示，亦可使移動支持部55於可動基座32上於接近位置與隔開位置之間進行進退動作。於該情形時，亦能夠利用下表面刷51洗淨由吸附保持部21吸附保持且旋轉之基板W之下表面外側區域整體。

接下來，基板W之上表面、外周端部及下表面外側區域之洗淨完成後，就停止自噴霧嘴73向基板W噴射混合流體。又，如圖16中粗實線之箭頭a20所示，噴霧嘴73移動至護罩61之一側方之位置(初始狀態之位置)。又，如圖16中粗實線之箭頭a21所示，斜面刷83移動至護罩61之另一側方之位置(初始狀態之位置)。進而，下表面刷51停止旋轉，且升降支持部54以下表面刷51之洗淨面與基板W相隔特定距離之方式下降。又，停止自液體噴嘴52向基板W噴出洗淨液，以及停止自氣體噴出部53向基板W噴射氣體。於該狀態下，藉由吸附保持部21以高速旋轉，來將附著於基板W之洗淨液甩開，使基板W之整體乾燥。

接下來，如圖17中粗實線之箭頭a22所示，護罩61自上護罩位置下降至下護罩位置。又，準備將新的基板W搬入至單元殼體2內，如圖17中粗實線之箭頭a23所示，下夾頭11A、11B相互接近到能夠支持新的基板W之位置。

最後，自基板洗淨裝置1之單元殼體2內搬出基板W。具體而言，於基板W即將搬出之前，擋板91打開搬入搬出口2x。然後，如圖18中粗實線之箭頭a24所示，未圖示之基板搬送機器人之機器手(基板保持部)RH通過搬入搬出口2x進入至單元殼體2內。接著，機器手RH接收吸附保持部21上之基板W，自搬入搬出口2x退出。於機器手RH退出之後，擋板91關閉搬入搬出口2x。

(4)效果 於本實施方式之基板洗淨裝置1中，於洗淨基板W時，噴霧嘴73、斜面刷83及下表面刷51相對較大幅度地隔開配置。因此，即便分別利用噴霧嘴73、斜面刷83及下表面刷51同時洗淨基板W之上表面、外周端部及下表面，亦幾乎不會發生自任一個洗淨件產生之污染物質附著於其他洗淨件上之情況。因此，無須設置分別洗淨基板W之複數個部分之複數個裝置，亦無須使基板W於複數個裝置間移動。其結果，能夠防止基板洗淨裝置1之大型化且有效率地洗淨基板W。

又，噴霧嘴73藉由於俯視時自基板W之中心朝向點P1進行掃描來洗淨基板W之上表面。於該情形時，自噴霧嘴73產生之污染物質幾乎不會附著於斜面刷83或下表面刷51。同樣地，自斜面刷83或下表面刷51產生之污染物質幾乎不會附著於噴霧嘴73。因此，能夠憑藉簡單之構成利用噴霧嘴73高效率地洗淨基板W之上表面。進而，下表面刷51相對較為大型，故而能夠高效率地洗淨基板W之下表面。

(5)其他實施方式 (a)於上述實施方式中，當於上側保持裝置10A、10B中執行基板W之下表面中央區域之洗淨之後，於下側保持裝置20中執行基板W之下表面外側區域之洗淨，但實施方式並不限定於此。亦可當於下側保持裝置20中執行基板W之下表面外側區域之洗淨之後，於上側保持裝置10A、10B中執行基板W之下表面中央區域之洗淨。又，亦可不執行基板W之下表面中央區域之洗淨。於該情形時，基板洗淨裝置1不包含上側保持裝置10A、10B及交接裝置40。

(b)於上述實施方式中，噴霧嘴73藉由於俯視時自基板W之中心P0朝向點P1進行掃描來洗淨基板W之上表面，但實施方式並不限定於此。噴霧嘴73亦可藉由於俯視時自點P1朝向基板W之中心P0進行掃描來洗淨基板W之上表面。又，基板W之上表面係使用噴射混合流體之噴霧嘴73來洗淨，但實施方式並不限定於此。基板W之上表面亦可使用刷來洗淨，亦可使用噴出沖洗液之沖洗噴嘴來洗淨。

(c)於上述實施方式中，基板洗淨裝置1包含控制部9，但實施方式並不限定於此。於基板洗淨裝置1以能夠利用外部之資訊處理裝置來控制之方式構成之情形時，基板洗淨裝置1亦可不包含控制部9。

(6)技術方案之各構成要素與實施方式之各部之對應關係 以下，對技術方案之各構成要素與實施方式之各要素之對應之例子進行說明，但本發明並不限定於下述之例子。作為技術方案之各構成要素，亦能夠使用具有技術方案中所記載之構成或功能之其他各種要素。

於上述實施方式中，基板W為基板之例子，吸附保持部21為基板保持部之例子，點P1～P3分別為第1～第3點之例子，噴霧嘴73、斜面刷83及下表面刷51分別為第1～第3洗淨件之例子，直線L1～L5分別為第1～第5直線之例子，角度θ1～θ3分別為第1～第3角度之例子，基板洗淨裝置1為基板洗淨裝置之例子。

1:基板洗淨裝置 2:單元殼體 2a:底面部 2b:側壁部 2c:側壁部 2d:側壁部 2e:側壁部 2x:搬入搬出口 9:控制部 10A:上側保持裝置 10B:上側保持裝置 11A:下夾頭 11B:下夾頭 12A:上夾頭 12B:上夾頭 13A:下夾頭驅動部 13B:下夾頭驅動部 14A:上夾頭驅動部 14B:上夾頭驅動部 20:下側保持裝置 21:吸附保持部 22:吸附保持驅動部 30:基座裝置 31:線性導軌 32:可動基座 33:基座驅動部 40:交接裝置 41:支持銷 42:銷連結構件 43:銷升降驅動部 50:下表面洗淨裝置 51:下表面刷 52:液體噴嘴 53:氣體噴出部 54:升降支持部 54u:上表面 55:移動支持部 55a:下表面刷旋轉驅動部 55b:下表面刷升降驅動部 55c:下表面刷移動驅動部 56:下表面洗淨液供給部 57:噴出氣體供給部 60:護罩裝置 61:護罩 62:護罩驅動部 70:上表面洗淨裝置 71:旋轉支持軸 72:臂 73:噴霧嘴 74:上表面洗淨驅動部 75:上表面洗淨流體供給部 80:端部洗淨裝置 81:旋轉支持軸 82:臂 83:斜面刷 84:斜面刷驅動部 90:開閉裝置 91:擋板 92:擋板驅動部 L1:直線 L2:直線 L3:直線 L4:直線 L5:直線 P0:中心 P1:點 P2:點 P3:點 rp:平面基準位置 R:區域 RH:機器手 W:基板 θ1:角度 θ2:角度 θ3:角度

圖1係本發明之一實施方式之基板洗淨裝置之模式性俯視圖。 圖2係表示圖1之基板洗淨裝置之內部構成之外觀立體圖。 圖3係表示圖1之基板洗淨裝置之控制系統之構成之方塊圖。 圖4係表示洗淨件之位置關係之俯視圖。 圖5係表示洗淨件之更佳之位置關係之俯視圖。 圖6係表示洗淨件之進而佳之位置關係之俯視圖。 圖7係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖8係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖9係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖10係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖11係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖12係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖13係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖14係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖15係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖16係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖17係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖18係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。

51:下表面刷

73:噴霧嘴

83:斜面刷

L1:直線

L2:直線

P0:中心

P1:點

P2:點

W:基板

Claims (9)

1. 一種基板洗淨裝置，其具備： 基板保持部，其以水平姿勢保持圓形狀之基板； 第1洗淨件，其於俯視時，以通過上述基板之外緣之第1點之方式於上述基板之上方進行掃描，藉此洗淨上述基板之上表面； 第2洗淨件，其於俯視時，藉由接觸於上述基板之外緣之第2點而洗淨上述基板之外周端部；以及 第3洗淨件，其洗淨上述基板之下表面； 定義出通過上述第1點與上述第2點之假想性第1直線、及通過上述基板之中心且與上述第1直線平行之假想性第2直線， 上述第3洗淨件配置於上述基板之下方且隔著上述第2直線而與上述第1洗淨件及上述第2洗淨件相反之區域。
2. 如請求項1之基板洗淨裝置，其中進而定義出於俯視時自上述基板之中心朝向上述第3洗淨件之幾何學中心延伸之假想性第3直線、及於俯視時上述第3直線通過之上述基板之外緣之第3點， 按上述基板之中心位於以上述第1點、上述第2點及上述第3點為頂點之三角形區域內之方式配置上述第1洗淨件、上述第2洗淨件及上述第3洗淨件。
3. 如請求項2之基板洗淨裝置，其中進而定義出於俯視時自上述基板之中心朝向上述第1點延伸之假想性第4直線、及於俯視時自上述基板之中心朝向上述第2點延伸之假想性第5直線， 上述第3直線與上述第4直線之間之第1角度、上述第4直線與上述第5直線之間之第2角度、及上述第5直線與上述第3直線之間之第3角度各自為80度以上。
4. 如請求項3之基板洗淨裝置，其中上述第1角度、上述第2角度及上述第3角度各自為90度以上。
5. 如請求項3或4之基板洗淨裝置，其中上述第1角度大於上述第2角度。
6. 如請求項3或4之基板洗淨裝置，其中上述第3角度大於上述第2角度。
7. 如請求項1至4中任一項之基板洗淨裝置，其中上述第1洗淨件於俯視時自上述基板之中心朝向上述第1點進行掃描，藉此洗淨上述基板之上表面。
8. 如請求項1至4中任一項之基板洗淨裝置，其中上述基板保持部及上述第3洗淨件各自具有圓形之外形， 上述第3洗淨件之直徑大於上述基板保持部之直徑。
9. 如請求項1至4中任一項之基板洗淨裝置，其中上述第3洗淨件具有圓形之外形， 上述第3洗淨件之直徑大於上述基板之直徑之1/3。

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