TW202301402A - X光產生裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之X光產生裝置具備X光管及電子束調整部。X光管具有框體、電子槍、靶材、及窗構件。電子束調整部於靶材存在第1缺陷之情形時，以於靶材之電子束之照射區域不包含第1缺陷之方式調整電子束，於窗構件存在第2缺陷之情形時，以於窗構件之電子束之投影區域不包含第2缺陷之方式調整電子束。

Description

X光產生裝置

本揭示係關於一種X光產生裝置。

已知有一種X光管，其具備：框體；電子槍，其於框體內出射電子束；靶材，其於框體內藉由電子束之入射而產生X光；及窗構件，其密封框體之開口，使X光透過。於此種X光管中，窗構件由單晶金剛石形成為板狀，有靶材形成於窗構件之內側表面之情形(例如，參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利第5911323號公報

[發明所欲解決之問題]

於具備如上述之X光管之X光產生裝置中，有於靶材及窗構件之至少1者存在各種缺陷之情形。於此種情形時，例如，若對存在於靶材之缺陷照射電子束，則有導致於靶材上產生之X光之焦點徑之變動、輸出之X光量之變動等之虞。另一方面，準備未存在缺陷之靶材及窗構件非常困難。

本揭示之目的在於提供一種於靶材及窗構件之至少1者存在缺陷之情形時，亦可獲得穩定之X光之輸出之X光產生裝置。 [解決問題之技術手段]

本揭示之一態樣之X光產生裝置具備X光管與電子束調整部，X光管具有：框體；電子槍，其於框體內出射電子束；靶材，其於框體內藉由電子束之入射產生X光；及窗構件，其密封框體之開口，使X光透過；且於靶材及窗構件之至少一者存在缺陷，電子束調整部於靶材存在作為缺陷之第1缺陷之情形時，以於靶材之電子束之照射區域不包含第1缺陷之方式調整電子束，於窗構件存在作為缺陷之第2缺陷之情形時，以於窗構件之電子束之投影區域不包含第2缺陷之方式調整電子束。

於該X光產生裝置中，電子束調整部以存在於靶材之第1缺陷未包含於靶材之電子束之照射區域之方式，及/或以存在於窗構件之第2缺陷未包含於窗構件之電子束之投影區域之方式調整電子束。因此，根據該X光產生裝置，於靶材及窗構件之至少一者存在缺陷之情形時，亦可獲得穩定之X光之輸出。另，於假定入射至靶材之電子束透過靶材之情形時，於透過靶材之電子束入射之位置配置有窗構件時，所謂窗構件之電子束之投影區域意指設想透過靶材入射至窗構件之電子束之照射區域。又，於假定入射至靶材之電子束由靶材反射之情形時，於由靶材反射之電子束入射之位置配置有窗構件之情形時，所謂窗構件之電子束之投影區域意指設想由靶材反射並入射至窗構件之電子束之照射區域。

於本揭示之一態樣之X光產生裝置中，電子束調整部亦可具有調整電子束之軌道之偏向部。藉此，可以存在於靶材之第1缺陷未包含於靶材之電子束之照射區域之方式，及/或，以存在於窗構件之第2缺陷未包含於窗構件之電子束之投影區域之方式，調整靶材之電子束之入射位置。

於本揭示之一態樣之X光產生裝置中，偏向部亦可為電磁線圈。藉此，可精度良好地調整電子束之軌道。

於本揭示之一態樣之X光產生裝置中，偏向部亦可為永久磁鐵。藉此，可以簡易之構成調整電子束之軌道。

於本揭示之一態樣之X光產生裝置中，電子束調整部亦可調整靶材之電子束之照射區域。藉此，可以存在於靶材之第1缺陷未包含於靶材之電子束之照射區域之方式，及/或，以存在於窗構件之第2缺陷未包含於窗構件之電子束之投影區域之方式，調整靶材之電子束之照射區域。

於本揭示之一態樣之X光產生裝置中，窗構件亦可由單晶金剛石、多晶金剛石或鑲嵌結晶(mosaic crystal)金剛石形成為板狀。藉此，可獲得X光透過特性、耐熱性、散熱性等優異之窗構件。另一方面，雖於窗構件易產生結晶缺陷等，但因如上述般藉由電子束調整部調整電子束，故可獲得穩定之X光之輸出。

本揭示之一態樣之X光產生裝置中，窗構件具有框體之內部側之表面，靶材亦可形成於表面。藉此，作為透過型X光管，可獲得穩定之X光之輸出。再者，若於形成於窗構件之表面之靶材存在凹凸等之缺陷之情形時電子束照射至該凹凸等之缺陷，則雖靶材自窗構件剝離等，於靶材易產生損傷，但因如上述般藉由電子束調整部調整電子束，故可防止此種之靶材之損傷。 [發明之效果]

根據本揭示，可提供一種於於靶材及窗構件之至少一者存在缺陷之情形時，亦可獲得穩定之X光之輸出之X光產生裝置。

以下，對本揭示之實施形態，參照圖式進行詳細說明。另，於各圖中，對相同或相當部分標註相同符號，省略重複之說明。 [X光產生裝置之構成]

如圖1所示，X光產生裝置10具備X光管1、電源部11、偏向部12及控制部13。X光管1、電源部11及偏向部12支持於由金屬形成之外殼(省略圖示)內。偏向部12及控制部13作為電子束調整部14發揮功能(關於細節將於後述)。作為一例，X光管1係小焦點之X光源，X光產生裝置10係用於用以放大觀察檢查對象之內部構造之X光非破壞檢查之裝置。

如圖2所示，X光管1具備框體2、電子槍3、靶材4及窗構件5。X光管1如以下所述，構成為無需零件之交換等之密封透過型X光管。

框體2具有：頭蓋21、與閥22。頭蓋21由金屬形成為有底筒狀。閥22由玻璃等之絕緣材料形成為有底筒狀。閥22之開口部22a與頭蓋21之開口部21a氣密地接合。於X光管1中，框體2之中心線成為管軸A。於頭蓋21之底壁部21b形成有開口23。開口23位於管軸A上。開口23於自與管軸A平行之方向觀察之情形時，例如呈以管軸A為中心線之圓形狀。

電子槍3於框體2內出射電子束B。電子槍3具有加熱器31、陰極32、第1柵極電極33、及第2柵極電極34。加熱器31、陰極32、第1柵極電極33、及第2柵極電極34自閥22之底壁部22b側以該順序配置於管軸A上。加熱器31由燈絲構成，藉由通電發熱。陰極32藉由加熱器31加熱，放出電子。第1柵極電極33形成為筒狀，調整自陰極32放出之電子之量。第2柵極電極34形成為筒狀，使通過第1柵極電極33之電子聚焦於靶材4。加熱器31、陰極32、第1柵極電極33及第2柵極電極34之各者與貫通閥22之底壁部22b之複數個引線接腳35之各者電性且物理地連接。另，並非僅藉由第2柵極電極34，亦可藉由第1柵極電極33調整靶材4之電子束B之聚焦狀態。

窗構件5密封框體2之開口23。窗構件5由單晶金剛石、多晶金剛石或鑲嵌結晶金剛石(將複數個結晶構件於橫方向相鄰接合者)形成為板狀。窗構件5例如呈以管軸A為中心線之圓板狀。窗構件5具有第1表面51及第2表面(表面)52。第1表面51係與框體2之內部相反側之表面，第2表面52係框體2之內部側之表面。第1表面51及第2表面52之各者係例如垂直於管軸A之平坦面。靶材4形成於窗構件5之第2表面52。靶材4例如藉由鎢形成為膜狀。靶材4於框體2內藉由電子束B之入射而產生X光R。於本實施形態中，於靶材4中產生之X光R係透過靶材4及窗構件5出射至外部。

窗構件5安裝於框體2之開口23周圍之安裝面24。安裝面24係例如垂直於管軸A之平坦面，形成於頭蓋21。窗構件5經由焊料等之接合構件(省略圖示)與安裝面24氣密地接合。於X光管1中，靶材4與頭蓋21電性連接，靶材4及窗構件5與頭蓋21熱連接。作為一例，靶材4經由頭蓋21設為接地電位。作為一例，藉由電子束B之入射於靶材4產生之熱直接及/或經由窗構件5傳遞至頭蓋21，自頭蓋21釋放至散熱部(省略圖示)。於本實施形態中，藉由框體2、靶材4及窗構件5，使框體2內部之空間維持於高真空度。

於如以上般構成之X光產生裝置10中，將靶材4之電位設為基準，藉由電源部11對電子槍3施加負電壓。作為一例，電源部11於靶材4設為接地電位之狀態下，將負的高電壓(例如，-10 kV~-500 kV)經由各引線接腳35施加於電子槍3之各部。自電子槍3出射之電子束B沿著與管軸A聚焦於靶材4上。於靶材4之電子束B之照射區域B1中產生之X光R係以該照射區域B1作為焦點，透過靶材4及窗構件5出射至外部。 [偏向部及控制部之作為電子束調整部之功能]

於偏向部12及控制部13之作為電子束調整部14之功能之說明前，對存在於靶材4及窗構件5之至少一者之缺陷進行說明。於以下之說明中，將存在於靶材4之缺陷稱為「第1缺陷」，將存在於窗構件5之缺陷稱為「第2缺陷」。

如圖3所示，於由單晶金剛石、多晶金剛石或鑲嵌結晶金剛石形成為板狀之窗構件5存在第2缺陷5a。有於窗構件5存在複數個第2缺陷5a之情形，窗構件5之各第2缺陷5a之位置係隨機。存在於窗構件5之第2缺陷5a，除了有「由單晶金剛石基板之結晶成長時之不均一性引起，於該基板之內部產生之晶格缺陷」(以下，簡稱為「晶格缺陷」)、「由單晶金剛石基板之結晶成長時之不均一性引起，於該基板之表面產生之表面缺失」(以下，簡稱為「表面缺失」)、「於多晶金剛石基板之研磨時於該基板之表面產生之粒子缺失」(以下，簡稱為「粒子缺失」)以外，還有於接合複數個單晶構件形成鑲嵌結晶金剛石時於接合部產生之多晶區域(存在於基板內部之晶格缺陷、與於基板之表面產生之表面缺失之複合)等。

於形成於窗構件5之第2表面52之靶材4存在有第1缺陷4a。有於靶材4存在複數個第1缺陷4a之情形，靶材4之各第1缺陷4a之位置係隨機。存在於靶材4之第1缺陷4a有「於靶材材料對於產生表面缺失或粒子缺失之窗構件5之第2表面52濺鍍時產生之凹陷」(以下，簡稱為「凹陷」)等。

於「於窗構件5存在晶格缺陷之情形」時，若由靶材4產生之X光R透過窗構件5中與缺陷對應之區域，則該X光R受到繞射等之影響，與透過未存在缺陷之區域之X光R比較，有X光強度變化之虞。且，若此種X光R照射至檢查對象，則有於獲得之X光圖像出現條狀之明線及/或暗線之虞。於「於窗構件5存在表面缺失或粒子缺失之情形」及/或「於靶材4存在凹陷之情形」時，若電子束B照射至靶材4中與缺陷對應之區域，則有以缺陷作為起點，靶材4自窗構件5剝離、起因於異常發熱而於靶材4產生損傷、於靶材4上產生之X光R之焦點徑變動、或輸出之X光量變動之虞。

另，靶材4以缺陷為起點自窗構件5剝離，係因由於窗構件5與由濺鍍形成之靶材4之線膨脹係數不同，於其等之密接面產生2 GPa左右之應力。產生異常發熱係因窗構件5與靶材4之密接性不充分，熱自靶材4向窗構件5之傳遞性下降。於靶材4上產生之X光R之焦點徑變動，或輸出之X光量變動，係因窗構件5與靶材4之密接性不充分。

於具有如以上之靶材4及窗構件5之X光產生裝置10中，偏向部12及控制部13係作為電子束調整部14發揮功能。即，偏向部12及控制部13於第1缺陷4a存在於靶材4之情形時，以於靶材4之電子束B之照射區域B1未包含第1缺陷4a之方式調整電子束B，於窗構件5存在第2缺陷5a之情形時，以窗構件5之電子束B之投影區域B2未包含第2缺陷5a之方式調整電子束B。另，於本實施形態中，於自窗構件5之厚度方向觀察之情形時，靶材4中之具有電子束B之光點面積之100分之1以上之面積的缺陷，會成為電子束B調整之對象。

如圖2及圖3所示，於假定入射至靶材4之電子束B透過靶材4之情形時，於透過靶材4之電子束B入射之位置配置窗構件5時，所謂窗構件5之電子束B之投影區域B2，係意指設想透過靶材4並入射至窗構件5之電子束B之照射區域。所謂以於靶材4之電子束B之照射區域B1未包含第1缺陷4a之方式調整電子束B，意指於自電子束B對於靶材4之入射方向觀察之情形時，以於照射區域B1未包含第1缺陷4a之方式調整電子束B。所謂以於窗構件5之電子束B之投影區域B2未包含第2缺陷5a之方式調整電子束B，意指於自電子束B對於窗構件5之入射方向觀察之情形時，以於投影區域B2未包含第2缺陷5a之方式調整電子束B。

作為一例，於「於窗構件5存在晶格缺陷之情形」時，若以窗構件5之電子束B之投影區域B2未包含第2缺陷5a之方式調整電子束B，則可抑制於照射至檢查對象之X光R中包含透過窗構件5之晶格缺陷之X光R。且，因窗構件5之電子束B之投影區域B2與窗構件5之晶格缺陷之距離越大，透過窗構件5之晶格缺陷之X光R之出射方向越自窗構件5之正面方向(管軸A)遠離，故更可抑制於照射至檢查對象之X光R中包含透過窗構件5之晶格缺陷之X光R。

於本實施形態中，偏向部12係如圖2所示，以包圍X光管1之頭蓋21之方式配置之電磁線圈，藉由產生之磁場強度調整電子束B之軌道。此時，控制部13控制流動於電磁線圈之電流。例如，如圖4所示，於第1缺陷4a及第2缺陷5a位於管軸A上之情形時，偏向部12以電子束B入射至靶材4中自管軸A偏移之位置之方式調整電子束B之軌道。

偏向部12及控制部13亦可於X光產生裝置10之實際動作時作為電子束調整部14發揮功能，亦可於X光產生裝置10之實際動作前作為電子束調整部14發揮功能。另，「X光產生裝置10之實際動作前」包含X光產生裝置10之出貨檢查時之時點、與定期之X光產生裝置10之實際動作前之時點等。

偏向部12及控制部13於X光產生裝置10之實際動作時作為電子束調整部14發揮功能之例如下所述。控制部13於X光產生裝置10之實際動作時自X光檢測裝置接收「與X光R之輸出相關之資訊」，基於「與X光R之輸出相關之資訊」控制偏向部12。具體而言，控制部13於X光R之輸出確認到異常(例如，X光強度之不均一性、X光R之焦點徑之變動、X光量之變動等)之情形時，以於X光R之輸出未確認到異常之方式控制偏向部12。因於X光R之輸出確認到異常之狀態相當於「電子束B照射至第1缺陷4a之狀態」及/或「X光R照射於第2缺陷5a之狀態」，於X光R之輸出未確認到異常之狀態相當於「電子束B未照射至第1缺陷4a且X光R未照射至第2缺陷5a之狀態」。

偏向部12及控制部13於X光產生裝置10之實際動作前作為電子束調整部14發揮功能之例如下所示。控制部13一面使X光產生裝置10假動作，藉由控制偏向部12，使電子束B對於靶材4之入射位置變化，一面自X光檢測裝置接收「與X光R之輸出相關之資訊」。藉此，控制部13與電子束B對於靶材4之入射位置對應地記憶「關於X光R之輸出之資訊」。接著，控制部13基於與電子束B對於靶材4之入射位置相應地記憶之「關於X光R之輸出之資訊」，以電子束B不入射至於X光R之輸出被確認到異常之入射位置，且電子束B入射至於X光R之輸出未被確認到異常之入射位置之方式控制偏向部12。

另，X光檢測裝置為可檢測X光強度之不均一性、X光R之焦點徑之變動、及X光量之變動之至少一個之裝置即可。又，控制部13於藉由X光檢測裝置於X光R之輸出檢測到異常之情形時，亦可基於藉由操作員輸入之資訊，控制偏向部12。

作為參考，亦可如以下般製造X光產生裝置10。首先，於獲得窗構件5之時點，檢查於窗構件5是否存在第2缺陷5a。作為一例，藉由光學顯微鏡檢查有無表面缺失或粒子缺失，藉由X光繞射裝置檢查有無晶格缺陷。接著，於窗構件5存在第2缺陷5a之情形時，以特定第2缺陷5a之存在位置之方式於窗構件5實施標記。作為一例，於與形成靶材4之側相反側之窗構件5之表面實施雷射標記。接著於窗構件5形成靶材4。接著，參照實施於窗構件5之標記，以電子束B不照射於靶材4中與第2缺陷5a對應之位置之方式組裝X光管。或，參照實施於窗構件5之標記，以電子束B不照射於與靶材4中與第2缺陷5a對應之位置之方式決定電子束B之偏向量。另，於窗構件5存在第2缺陷5a之情形時，較佳為以至少一個第2缺陷5a(較佳為於複數個第2缺陷5a之中最大之第2缺陷5a)位於窗構件5之外緣區域(較佳為較藉由調整偏向狀態及/或聚焦狀態，電子束B可入射之區域更外側之區域)之方式配置窗構件5。 [作用及效果]

於X光產生裝置10中，電子束調整部14以存在於靶材4之第1缺陷4a未包含於靶材4之電子束B之照射區域B1之方式，及/或以存在於窗構件5之第2缺陷5a未包含於窗構件5之電子束B之投影區域B2之方式調整電子束B。因此，根據X光產生裝置10，於靶材4及窗構件5之至少一者存在缺陷之情形時，亦可獲得穩定之X光R之輸出。

於X光產生裝置10中，電子束調整部14具有調整電子束B之軌道之偏向部12。藉此，可以存在於靶材4之第1缺陷4a未包含於靶材4之電子束B之照射區域B1之方式，及/或以存在於窗構件5之第2缺陷5a未包含於窗構件5之電子束B之投影區域B2之方式，調整靶材4之電子束B之入射位置。

於X光產生裝置10中，偏向部12係電磁線圈。藉此，可精度良好地調整電子束B之軌道。

於X光產生裝置10中，窗構件5由單晶金剛石、多晶金剛石或鑲嵌結晶金剛石形成為板狀。藉此，可獲得X光透過特性、耐熱性、散熱性等優異之窗構件5。另一方面，雖於窗構件5易產生結晶缺陷等(晶格缺陷、表面缺失、粒子缺失等)，但因如上述般藉由電子束調整部14調整電子束B，故可獲得穩定之X光R之輸出。

於X光產生裝置10中，靶材4形成於窗構件5之第2表面52。藉此，作為透過型X光管，可獲得穩定之X光R之輸出。再者，若於形成於窗構件5之第2表面52之靶材4存在凹凸等之缺陷(凹陷等)之情形時電子束B照射於該凹凸等之缺陷，則雖靶材4自窗構件5剝離等，於靶材4易產生損傷，但因如上述般藉由電子束調整部14調整電子束B，故可防止此種之靶材4之損傷。 [變化例]

本揭示並未限定於上述實施形態。X光管1亦可構成為密封反射型X光管。如圖5所示，密封反射型之X光管1與上述密封透過型之X光管1主要不同點在於電子槍3配置於頭蓋21側方之收納部6內、及靶材4藉由支持構件7支持而非窗構件5。收納部6具有：側管61、與豎管62。側管61係以側管61之一開口部61a面向頭蓋21內部之方式與頭蓋21之側壁部接合。豎管62密封側管61之另一開口61b。加熱器31、陰極32、第1柵極電極33及第2柵極電極34自豎管62側以該順序配置於側管61內。複數個引線接腳35貫通豎管62。支持構件7貫通閥22之底壁部22b。靶材4係以於管軸A上以與電子槍3及窗構件5之兩者對向之方式傾斜之狀態，固定於支持構件7之前端部71。

於具備如以上般構成之密封反射型之X光管1之X光產生裝置10中，作為一例，於頭蓋21及側管61設為接地電位之狀態下，藉由電源部11經由支持構件7對靶材4施加正電壓，藉由電源部11經由複數個引線接腳35對電子槍3之各部施加負電壓。自電子槍3出射之電子束B沿著與管軸A垂直之方向聚焦於靶材4上。於靶材4之電子束B之照射區域產生之X光R係以該照射區域作為焦點，透過窗構件5出射至外部。於該情形時，電磁線圈的偏向部12以包圍側管61之方式配置。

於具備密封反射型之X光管1之X光產生裝置10中，電子束調整部14亦以存在於靶材4之第1缺陷4a未包含於靶材4之電子束B之照射區域B1之方式，及/或以存在於窗構件5之第2缺陷5a未包含於窗構件5之電子束B之投影區域B2之方式，調整電子束B。如圖5所示，於假定將入射至靶材4之電子束B由靶材4反射之情形時，於由靶材4反射之電子束B入射之位置配置有窗構件5時，所謂窗構件5之電子束B之投影區域B2，意指設想由靶材4反射而入射至窗構件5之電子束B之照射區域。

X光管1亦可構成為開放透過型X光管或開放反射型X光管。開放透過型或開放反射型之X光管1構成為框體2可開放，係可更換零件(例如，窗構件5、電子槍3之各部)等之X光管。於具備開放透過型或開放反射型之X光管1之X光產生裝置10中，藉由真空泵，提高框體2內部空間之真空度。

於密封透過型或開放透過型之X光管1中，靶材4形成於窗構件5之第2表面52中至少露出於開口23之區域即可。於密封透過型或開放透過型X光管1中，靶材4亦可介隔另一膜形成於窗構件5之第2表面52。

若電子束調整部14為可調整電子束B者，則並非限定於具有為電磁線圈之偏向部12、與控制部13者。例如，偏向部12亦可為配置於X光管1之框體2外之永久磁鐵。藉此，可以簡易之構成調整電子束B之軌道。偏向部12亦可為配置於X光管1之框體2內之靜電型透鏡。電子束調整部14亦可為具有調整靶材4之電子束B之照射區域的聚焦部(上述電子槍3之第1柵極電極33及/或第2柵極電極34)者。藉此，可以不對存在於靶材4之第1缺陷4a照射電子束B之方式，及/或以不對存在於窗構件5之第2缺陷5a照射X光R之方式，調整靶材4之電子束B之照射區域(例如，光點徑、照射位置等)。另，亦可將自電磁線圈、永久磁鐵、靜電型透鏡及聚焦部(第1柵極電極33及/或第2柵極電極34)任意選擇之至少二個以上作為電子束調整部14併用。

窗構件5由單晶金剛石形成為板狀，於其一部分形成多晶部分之情形時，將窗構件5之多晶部分視為第2缺陷5a，電子束調整部14亦可以不對該多晶部分照射X光R之方式調整電子束B。

1:X光管 2:框體 3:電子槍 4:靶材 4a:第1缺陷 5:窗構件 5a:第2缺陷 10:X光產生裝置 11:電源部 12:偏向部 13:控制部 14:電子束調整部 21:頭蓋 21a:開口部 21b:底壁部 22:閥 22a:開口部 22b:底壁部 23:開口 24:安裝面 31:加熱器 32:陰極 33:第1柵極電極 34:第2柵極電極(聚焦部) 35:引線接腳 51:第1表面 52:第2表面(表面) 61:側管 61a:開口部 61b:開口 62:豎管 71:前端部 A:管軸 B:電子束 B1:照射區域 B2:投影區域 R:X光

圖1係一實施形態之X光產生裝置之方塊圖。 圖2係圖1所示之X光管之剖視圖。 圖3係圖2所示之窗構件之一部分之側視圖。 圖4係顯示圖2所示之入射至靶材之電子束之軌道之側視圖。 圖5係變化例之X光管之剖面圖。

1:X光管

10:X光產生裝置

11:電源部

12:偏向部

13:控制部

14:電子束調整部

Claims (7)

1. 一種X光產生裝置，其包含： X光管及電子束調整部；且 上述X光管包含： 框體； 電子槍，其於上述框體內出射電子束； 靶材，其於上述框體內藉由上述電子束之入射產生X光；及 窗構件，其密封上述框體之開口，使上述X光透過；且 於上述靶材及上述窗構件之至少一者存在缺陷， 上述電子束調整部係於上述靶材存在作為上述缺陷之第1缺陷之情形時，以於上述靶材之上述電子束之照射區域不包含上述第1缺陷之方式，調整上述電子束， 於上述窗構件存在作為上述缺陷之第2缺陷之情形時，以於上述窗構件之上述電子束之投影區域不包含上述第2缺陷之方式，調整上述電子束。
2. 如請求項1之X光產生裝置，其中 上述電子束調整部包含調整上述電子束之軌道之偏向部。
3. 如請求項2之X光產生裝置，其中 上述偏向部係電磁線圈。
4. 如請求項2之X光產生裝置，其中 上述偏向部係永久磁鐵。
5. 如請求項1至4中任一項之X光產生裝置，其中 上述電子束調整部調整上述靶材之上述電子束之上述照射區域。
6. 如請求項1至5中任一項之X光產生裝置，其中 上述窗構件係藉由單晶金剛石、多晶金剛石或鑲嵌結晶金剛石形成為板狀。
7. 如請求項6之X光產生裝置，其中 上述窗構件具有上述框體之內部側之表面， 上述靶材形成於上述表面。

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