TW202301401A - X光管、x光產生裝置、及窗構件之製造方法 - Google Patents

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石井淳
藪下綾介
清水亮迪
小杉尚史
杉浦銀治
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日商濱松赫德尼古斯股份有限公司
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Abstract

本發明之X光管具備：框體；電子槍，其於框體內出射電子束；靶材，其於框體內因電子束入射而產生X光；及窗構件，其密封框體之開口，使X光透過。窗構件由單晶金剛石形成為板狀。單晶金剛石之[100]方向處於與窗構件之厚度方向以未達45度之角度相交之關係。

Description

X光管、X光產生裝置、及窗構件之製造方法
本揭示係關於一種X光管、X光產生裝置、及窗構件之製造方法。
已知有一種X光管，其具備：框體；電子槍，其於框體內出射電子束；靶材，其於框體內藉由電子束之入射產生X光；及窗構件，其密封框體之開口，使X光透過。於此種X光管中，窗構件由單晶金剛石形成為板狀，有靶材形成於窗構件之內側之表面之情形(例如，參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利第5911323號公報
[發明所欲解決之問題]
雖由單晶金剛石形成為板狀之窗構件之X光透過特性、耐熱性、散熱性等優異，但具有於結晶面易破裂之問題。尤其，於使用小焦點之X光管之X線檢查裝置中，因有為了增大擴大率而使檢查對象靠近窗構件，而有檢查對象與窗構件接觸之可能性，故解決上述問題，提高窗構件之耐龜裂性極為重要。
本揭示之目的在於提供一種可提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件之耐龜裂性之X光管、X光產生裝置、及窗構件之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本揭示之一態樣之X光管具備：框體；電子槍，其於框體內出射電子束；靶材，其於框體內藉由電子束之入射產生X光；及窗構件，其密封框體之開口，使X光透過；且窗構件由單晶金剛石形成為板狀，單晶金剛石之[100]方向處於與窗構件之厚度方向以未達45度之角度相交之關係。
於該X光管中，於由單晶金剛石形成為板狀之窗構件中，單晶金剛石之[100]方向處於與窗構件之厚度方向以未達45度之角度相交之關係。藉此，與於單晶金剛石之[100]方向與窗構件之厚度方向平行之情形(即，於單晶金剛石之(100)面與窗構件之厚度方向垂直之情形)相比，關於單晶金剛石具有之複數種結晶面，與窗構件之厚度方向平行之結晶面之數量減少，結果，窗構件於結晶面難以破裂。因此，根據該X光管，可提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件之耐龜裂性。
於本揭示之一態樣之X光管中，單晶金剛石之[010]方向及[001]方向亦可處於與垂直於窗構件之厚度方向之面以未達45度之角度相交之關係。藉此，關於單晶金剛石具有之複數種結晶面，與窗構件之厚度方向平行之結晶面之數量進而減少，結果，窗構件於結晶面更難以破裂。因此，可更確實地提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件之耐龜裂性。
於本揭示之一態樣之X光管中，窗構件具有與框體之內部相反側之第1表面，單晶金剛石之[100]方向亦可處於與垂直於第1表面之方向以未達45度之角度相交之關係。藉此，可抑制由外力作用於窗構件之第1表面引起於窗構件產生龜裂。
於本揭示之一態樣之X光管中，窗構件安裝於框體之開口周圍之安裝面，單晶金剛石之[100]方向亦可處於與垂直於安裝面之方向以未達45度之角度相交之關係。於該情形時，亦可提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件之耐龜裂性。
於本揭示之一態樣之X光管中，窗構件具有框體之內部側之第2表面，靶材亦可形成於第2表面。藉此，於透過型X光管中，可提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件之耐龜裂性。
於本揭示之一態樣之X光管中，單晶金剛石之[100]方向亦可處於與電子束入射至靶材之方向以未達45度之角度相交之關係。於該情形時，亦可提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件之耐龜裂性。
於本揭示之一態樣之X光管中，單晶金剛石之[100]方向亦可處於與窗構件之厚度方向以0.1度以上7度以下之角度相交之關係。藉此，提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件之耐龜裂性，且例如，於自具有(100)面作為主面之單晶金剛石基板取出窗構件之情形時，可容易且有效率地取出單晶金剛石之[100]方向處於與窗構件之厚度方向以未達45度之角度相交之關係之窗構件。
本揭示之一態樣之X光產生裝置具備上述X光管、與施加電壓至電子槍之電源部。
根據該X光產生裝置，根據上述理由，可提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件之耐龜裂性。
本揭示之一態樣之窗構件之製造方法具備：藉由磊晶成長，形成具有(100)面作為主面之單晶金剛石基板之第1形成步驟；及自單晶金剛石基板取出板狀之窗構件之取出步驟；且於取出步驟中，以單晶金剛石之[100]方向與窗構件之厚度方向以未達45度之角度相交之方式，自單晶金剛石基板取出窗構件。
本揭示之一態樣之窗構件之製造方法具備：準備具有處於與(100)面以未達45度之角度相交之關係之主面之種基板之準備步驟；藉由磊晶成長，於種基板之主面形成單晶金剛石基板之第1形成步驟；及藉由實施沿著與單晶金剛石基板之厚度方向垂直之方向之切出，自單晶金剛石基板取出板狀之窗構件之取出步驟。
於該等窗構件之製造方法中，於獲得之窗構件中，單晶金剛石之[100]方向處於與窗構件之厚度方向以未達45度之角度相交之關係。因此，根據該窗構件之製造方法，可提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件之耐龜裂性。
本揭示之一態樣之窗構件之製造方法亦可進而具備於厚度方向之窗構件之一表面形成藉由電子束之入射而產生X光之靶材之第2形成步驟。藉此，可獲得透過型X光管用之窗構件。
於本揭示之一態樣之窗構件之製造方法中，單晶金剛石之[100]方向亦可處於與窗構件之厚方以0.1度以上7度以下之角度相交之關係。藉此，提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件之耐龜裂性，且例如，於自具有(100)面作為主面之單晶金剛石基板取出窗構件之情形時，可容易且有效率地取出單晶金剛石之[100]方向處於與窗構件之厚度方向以未達45度之角度相交之關係之窗構件。 [發明之效果]
根據本揭示，可提供一種可提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件之耐龜裂性之X光管、X光產生裝置、及窗構件之製造方法。
以下，對於本揭示之實施形態，參照圖式進行詳細說明。另，對於各圖中相同或相當部分標註相同符號，省略重複之說明。 [X光產生裝置之構成]
如圖1所示，X線產生裝置10具備X光管1與電源部11。X光管1及電源部11支持於由金屬形成之外殼(省略圖示)內。作為一例，X光管1係小焦點之X光源，X光產生裝置10係用於用以放大觀察檢查對象之內部構造之X光非破壞檢查之裝置。
如圖2示，X光管1具備：框體2、電子槍3、靶材4、及窗構件5。X光管1如以下所述，構成為無需零件更換等之密封透過型X光管。
框體2具有：頭蓋21、與閥22。頭蓋21藉由金屬形成為有底筒狀。閥22藉由玻璃等之絕緣材料形成為有底筒狀。閥22之開口部22a與頭蓋21之開口部21a氣密地接合。於X光管1中，框體2之中心線成為管軸A。於頭蓋21之底壁部21b形成有開口23。開口23位於管軸A上。開口23於自與管軸A平行之方向觀察之情形時，例如呈以管軸A為中心線之圓形狀。
電子槍3於框體2內出射電子束B。電子槍3具有加熱器31、陰極32、第1柵極電極33、及第2柵極電極34。加熱器31、陰極32、第1柵極電極33及第2柵極電極34自閥22之底壁部22b側以該順序配置於管軸A上。加熱器31由燈絲構成，藉由通電發熱。陰極32藉由加熱器31加熱並放出電子。第1柵極電極33形成為筒狀，調整自陰極32放出之電子之量。第2柵極電極34形成為筒狀，使通過第1柵極電極33之電子聚焦於靶材4。加熱器31、陰極32、第1柵極電極33及第2柵極電極34之各者與貫通閥22之底壁部22b之複數個引線接腳35之各者電性地且物理地連接。
窗構件5密封框體2之開口23。窗構件5藉由單晶金剛石形成為板狀。窗構件5例如呈以管軸A為中心線之圓板狀。窗構件5具有第1表面51及第2表面52。第1表面51係與框體2之內部相反側之表面，第2表面52係框體2之內部側之表面。第1表面51及第2表面52之各者係例如垂直於管軸A之平坦面。靶材4形成於窗構件5之第2表面52。靶材4例如藉由鎢形成為膜狀。靶材4於框體2內藉由電子束B之入射而產生X光R。於本實施形態中，於靶材4產生之X光R透過靶材4及窗構件5出射至外部。
窗構件5安裝於框體2之開口23之周圍之安裝面24。安裝面24係例如與管軸A垂直之平坦面，形成於頭蓋21。窗構件5經由焊料等之接合構件(省略圖示)與安裝面24氣密地接合。於X光管1中，靶材4與頭蓋21電性連接，靶材4及窗構件5與頭蓋21熱連接。作為一例，靶材4經由頭蓋21設為接地電位。作為一例，藉由電子束B之入射而於靶材4產生之熱直接及/或經由窗構件5傳遞至頭蓋21，自頭蓋21釋放至散熱部(省略圖示)。於本實施形態中，藉由框體2、靶材4及窗構件5，將框體2內部之空間維持於高真空度。
於如以上般構成之X光產生裝置10中，將靶材4之電位作為基準，藉由電源部11對電子槍3施加負電壓。作為一例，電源部11於靶材4設為接地電位之狀態下，將負的高電壓(例如，-10 kV～-500 kV)經由各引線接腳35施加於電子槍3之各部。自電子槍3出射之電子束B沿著管軸A聚焦於靶材4上。於靶材4上之電子束B之照射區域中產生之X光R係以該照射區域為焦點，透過靶材4及窗構件5朝外部出射。 [窗構件之構成]
如圖3所示，於窗構件5中，單晶金剛石之[100]方向處於與窗構件5之厚度方向D以未達45度之角度(更佳為0.1度以上7度以下之角度)相交之關係。換言之，於窗構件5中，單晶金剛石之(100)面處於與垂直於窗構件5之厚度方向D之面(例如，與第1表面51平行之面)以未達45度之角度相交之關係。厚度方向D係例如第1表面51與第2表面52對向之方向。另，所謂「相交關係」係指以大於0度之角度相交之關係。
本實施形態中，於窗構件5中，單晶金剛石之[010]方向及[001]方向處於與垂直於窗構件5之厚度方向D之面(例如，與第1表面51平行之面)以未達45度之角度相交之關係。換言之，於窗構件5中，單晶金剛石之(010)面及(001)之面處於與窗構件5之厚度方向D以未達45度之角度相交之關係。作為一例，於窗構件5中，單晶金剛石之[100]方向係以窗構件5之厚度方向D為基準，繞與[011]方向平行之軸以0.1度以上7度以下之角度傾斜，且繞與[0-11]方向平行之軸以0.1度以上7度以下之角度傾斜。
若將窗構件5之第1表面51設為基準，則於窗構件5中，單晶金剛石之[100]方向處於與垂直於第1表面51之方向以未達45度之角度相交之關係。若將框體2之開口23之周圍之安裝面24設為基準，則於窗構件5中，單晶金剛石之[100]方向處於與垂直於安裝面24之方向以未達45度之角度相交之關係。於電子束B沿著管軸A(與管軸A平行地)入射至靶材4之情形時，於窗構件5中，單晶金剛石之[100]方向處於與電子束B入射至靶材4之方向以未達45度之角度相交之關係。另，窗構件5並非限定於作為一片基板而由一體形成之單晶金剛石基板構成者，亦可為藉由將複數個單晶金剛石構件於橫方向相鄰接合而成為一片基板之鑲嵌單晶(mosaic crystal)金剛石基板而構成者。藉由鑲嵌單晶金剛石基板構成之窗構件5亦可藉由於滿足上述條件之狀態下使複數個單晶金剛石構件之各者相鄰接合，而具有與作為一片基板而藉由一體形成之單晶金剛石基板構成之窗構件5相同之特性。 [窗構件之製造方法]
如圖4(a)所示，準備具有(100)面作為主面之種基板100，藉由對於種基板100之主面之磊晶成長(例如，CVD(Chemical Vapor deposition：化學氣相沉積)法)，形成具有(100)面作為主面之單晶金剛石基板110(第1形成步驟)。接著，以單晶金剛石之[100]方向與窗構件5之厚度方向以未達45度之角度相交之方式，自單晶金剛石基板110取出窗構件5(取出步驟)。作為一例，窗構件5係藉由以機械加工或雷射加工自單晶金剛石基板110切出，並研磨外表面而獲得。接著，如圖4(b)所示，於厚度方向D之窗構件5之一表面形成靶材4(第2形成步驟)。靶材4之形成例如藉由濺鍍而實施。
另，準備具有處於與(100)面以未達45度之角度相交之關係之主面之種基板100(準備步驟)；藉由磊晶成長，於該種基板100之主面形成單晶金剛石基板110(第1形成步驟)；及藉由實施沿著與單晶金剛石基板110之厚度方向垂直之方向之切出，亦可自該單晶金剛石基板110取出窗構件5(取出步驟)。於該情形時，藉由磊晶成長形成單晶金剛石之[100]方向處於與單晶金剛石基板110之厚度方向以未達45度之角度相交之關係之單晶金剛石基板110。因此，藉由實施沿著與單晶金剛石基板110之厚度方向垂直之方向之切出，可容易獲得單晶金剛石之[100]方向處於與窗構件5之厚度方向以未達45度之角度相交之關係之窗構件5。 [作用及效果]
於X光管1中，於由單晶金剛石形成為板狀之窗構件5中，單晶金剛石之[100]方向處於與窗構件5之厚度方向D以未達45度之角度相交之關係。藉此，與於單晶金剛石之[100]方向與窗構件5之厚度方向D平行之情形時(即，單晶金剛石之(100)面與窗構件5之厚度方向D垂直之情形時)相比，關於單晶金剛石具有之複數種結晶面(例如，(0-11)面、(011)面等)，與窗構件5之厚度方向D平行之結晶面之數量減少，結果，窗構件5於結晶面難以龜裂。因此，根據該X光管1、及具備X光管1之X光產生裝置10，可提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件5之耐龜裂性。
另，若單晶金剛石之[100]方向處於與窗構件5之厚度方向以0.1度以上7度以下之角度相交之關係，則提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件5之耐龜裂性，且例如，於自具有(100)面作為主面之單晶金剛石基板100取出窗構件5之情形時，可容易且有效率地取出單晶金剛石之[100]方向處於與窗構件5之厚度方向以未達45度之角度相交之關係之窗構件。
於X光管1中，於窗構件5中，單晶金剛石之[010]方向及[001]方向處於與垂直於窗構件5之厚度方向D之面以未達45度之角度相交之關係。藉此，關於單晶金剛石具有之複數種結晶面，與窗構件5之厚度方向D平行之結晶面之數量進而減少(至少，(0-11)面、(011)面未與窗構件5之厚度方向D平行)，結果，窗構件5於結晶面更難以龜裂。因此，可更確實地提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件5之耐龜裂性。
於X光管1中，於窗構件5中，單晶金剛石之[100]方向處於與垂直於窗構件5之第1表面51之方向以未達45度之角度相交之關係。藉此，可抑制由外力作用於窗構件5之第1表面51引起於窗構件5產生龜裂。
於X光管1中，於窗構件5中，單晶金剛石之[100]方向處於與框體2之開口23周圍之安裝面24垂直之方向以未達45度之角度相交之關係。於該情形時，亦可提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件5之耐龜裂性。
於X光管1中，靶材4形成於窗構件5之第2表面52。藉此，於透過型X光管中，可提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件5之耐龜裂性。
於X光管1中，於窗構件5中，單晶金剛石之[100]方向處於與電子束B入射至靶材4之方向以未達45度之角度相交之關係。於該情形時，亦可提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件5之耐龜裂性。
於窗構件5之製造方法中，於獲得之窗構件5中，單晶金剛石之[100]方向處於與窗構件5之厚度方向D以未達45度之角度相交之關係。因此，根據窗構件5之製造方法，可提高由單晶金剛石形成為板狀之窗構件5之耐龜裂性。
於窗構件5之製造方法中，於厚度方向D之窗構件5之一表面形成靶材4。藉此，可獲得透過型X光管用之窗構件5。 [變化例]
本揭示不限定於上述實施形態。X光管1亦可構成為密封反射型X光管。如圖5所示，密封反射型之X光管1與上述密封透過型之X光管1之主要不同點在於：電子槍3配置於頭蓋21側方之收納部6內，及靶材4不由窗構件5支持而由支持構件7支持。收納部6具有：側管61與豎管62。側管61係以側管61之一開口部61a面向頭蓋21內部之方式與頭蓋21之側壁部接合。豎管62密封側管61之另一開口61b。加熱器31、陰極32、第1柵極電極33及第2柵極電極34自豎管62側依序配置於側管61內。複數個引線接腳35貫通豎管62。支持構件7貫通閥22之底壁部22b。靶材4以於管軸A上以與電子槍3及窗構件5兩者對向之方式傾斜之狀態，固定於支持構件7之前端部71。
於具備如以上構成之密封反射型之X光管1的X光產生裝置10中，作為一例，於頭蓋21及側管61設為接點電位之狀態下，藉由電源部11經由支持構件7對靶材4施加正電壓，藉由電源部11經由複數個引線接腳35對電子槍3之各部施加負電壓。自電子槍3出射之電子束B沿著與管軸A垂直之方向聚焦於靶材4上。於靶材4上之電子束B之照射區域中產生之X光R係以該照射區域為焦點，透過窗構件5朝外部出射。
X光管1亦可構成為開放透過型X光管或開放反射型X光管。開放透過型或開放反射型之X光管1構成為可使框體2開放，係可更換零件(例如，窗構件5、電子槍3之各部)等之X光管。於具備開放透過型或開放反射型之X光管1之X光產生裝置10中，藉由真空泵，提高框體2之內部空間之真空度。
於密封透過型或開放透過型之X光管1中，靶材4形成於窗構件5之第2表面52中於至少開口23露出之區域即可。於密封透過型或開放透過型X光管1中，靶材4亦可介隔另一膜形成於窗構件5之第2表面52。
於密封反射型X光管用或開放反射型X光管用之窗構件5之製造方法中，無需於厚度方向D之窗構件5之一表面形成靶材4之步驟。
1:X光管 2:框體 3:電子槍 4:靶材 5:窗構件 6:收納部 7:支持構件 10:X光產生裝置 11:電源部 21:頭蓋 21a:開口部 21b:底壁部 22:閥 22a:開口部 22b:底壁部 23:開口 24:安裝面 31:加熱器 32:陰極 33:第1柵極電極 34:第2柵極電極 35:引線接腳 51:第1表面 52:第2表面 61:側管 61a:開口部 61b:開口 62:豎管 71:前端部 100:種基板 110:單晶金剛石基板 (001):面 (010):面 (100):面 [001]:方向 [010]:方向 [100]:方向 A:管軸 B:電子束 D:厚度方向 R:X光
圖1係一實施形態之X線產生裝置之方塊圖。 圖2係圖1所示之X光管之剖視圖。 圖3係圖2所示之窗構件之一部分之側視圖。 圖4係顯示圖2所示之窗構件之製造方法之側視圖。 圖5係變化例之X光管之剖視圖。
1:X光管
2:框體
3:電子槍
4:靶材
5:窗構件
21:頭蓋
21a:開口部
21b:底壁部
22:閥
22a:開口部
22b:底壁部
23:開口
24:安裝面
31:加熱器
32:陰極
33:第1柵極電極
34:第2柵極電極
35:引線接腳
51:第1表面
52:第2表面
A:管軸
B:電子束
R:X光

Claims (12)

  1. 一種X光管，其具備： 框體； 電子槍，其於上述框體內出射電子束； 靶材，其於上述框體內因上述電子束入射而產生X光；及 窗構件，其密封上述框體之開口，使上述X光透過； 上述窗構件由單晶金剛石形成為板狀， 上述單晶金剛石之[100]方向處於與上述窗構件之厚度方向以未達45度之角度相交之關係。
  2. 如請求項1之X光管，其中 上述單晶金剛石之[010]方向及[001]方向處於與垂直於上述窗構件之上述厚度方向之面以未達45度之角度相交之關係。
  3. 如請求項1或2之X光管，其中 上述窗構件具有與上述框體之內部為相反側之第1表面， 上述單晶金剛石之上述[100]方向處於與垂直於上述第1表面之方向以未達45度之角度相交之關係。
  4. 如請求項1至3中任一項之X光管，其中 上述窗構件安裝於上述框體之上述開口周圍之安裝面， 上述單晶金剛石之上述[100]方向處於與垂直於上述安裝面之方向以未達45度之角度相交之關係。
  5. 如請求項1至4中任一項之X光管，其中 上述窗構件具有上述框體之內部側之第2表面， 上述靶材形成於上述第2表面。
  6. 如請求項5之X光管，其中 上述單晶金剛石之上述[100]方向處於與上述電子束入射至上述靶材之方向以未達45度之角度相交之關係。
  7. 如請求項1至6中任一項之X光管，其中 上述單晶金剛石之上述[100]方向處於與上述窗構件之上述厚度方向以0.1度以上7度以下之角度相交之關係。
  8. 一種X光產生裝置，其具備： 如請求項1至7中任一項之X光管；及 電源部，其將電壓施加於上述電子槍。
  9. 一種窗構件之製造方法，其具備： 第1形成步驟，其藉由磊晶成長，形成具有(100)面作為主面之單晶金剛石基板；及 取出步驟，其自上述單晶金剛石基板取出板狀之窗構件；且 於上述取出步驟中，以單晶金剛石之[100]方向與上述窗構件之厚度方向以未達45度之角度相交之方式，自上述單晶金剛石基板取出上述窗構件。
  10. 一種窗構件之製造方法，其具備： 準備步驟，其準備種基板，該種基板具有處於與(100)面以未達45度之角度相交之關係之主面； 第1形成步驟，其藉由磊晶成長，於上述種基板之上述主面形成單晶金剛石基板；及 取出步驟，其藉由沿著與上述單晶金剛石基板之厚度方向垂直之方向實施切出，自上述單晶金剛石基板取出板狀之窗構件。
  11. 如請求項9或10之窗構件之製造方法，其進而具備： 第2形成步驟，其於上述厚度方向之上述窗構件之一表面，形成藉由電子束之入射而產生X光之靶材。
  12. 如請求項9至11中任一項之窗構件之製造方法，其中 上述單晶金剛石之[100]方向處於與上述窗構件之上述厚度方向以0.1度以上7度以下之角度相交之關係。
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