TW202248378A - 有機膜研磨組合物以及利用所述有機膜研磨組合物的研磨方法 - Google Patents

有機膜研磨組合物以及利用所述有機膜研磨組合物的研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202248378A
TW202248378A TW111121323A TW111121323A TW202248378A TW 202248378 A TW202248378 A TW 202248378A TW 111121323 A TW111121323 A TW 111121323A TW 111121323 A TW111121323 A TW 111121323A TW 202248378 A TW202248378 A TW 202248378A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
grinding
organic film
abrasive particles
polishing
polishing composition
Prior art date
Application number
TW111121323A
Other languages
English (en)
Inventor
金熹碩
李玖和
柳在鴻
朴鍾大
金宰賢
Original Assignee
南韓商東進世美肯股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商東進世美肯股份有限公司 filed Critical 南韓商東進世美肯股份有限公司
Publication of TW202248378A publication Critical patent/TW202248378A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本發明係有關一種通過包含同時含有親水基團以及疏水基團的研磨促進劑，不僅是如聚合物（Polymer）、旋塗碳（SCO）以及旋塗硬掩膜（SOH），即使是如非晶碳層（ACL）或類金剛石碳（DLC，Diamond-Like Carbon）等通過共價鍵強力結合的有機膜也可以維持較高的研磨速度的有機膜研磨組合物以及利用所述有機膜研磨組合物的研磨方法。

Description

有機膜研磨組合物以及利用所述有機膜研磨組合物的研磨方法
本發明係有關一種有機膜研磨組合物以及利用該有機膜研磨組合物的研磨方法。
伴隨著半導體裝置的發展，設備的大小正在逐漸縮小而所要求的性能正在逐漸增加，因此正在積極開展與線寬的微細化以及元件的高集成度相關的研究活動。
為了實現半導體元件的高度集成化，需要一種可以對電路進行堆疊的多層層疊技術以及厚度更厚的硬掩膜，如果按照現有的方式適用厚度較高的光刻膠（PR，photoresist）形成較高的結構體，則會因為縱橫比（aspect ratio）的增加而導致光刻膠圖案（PR pattern）塌陷的問題。
為了解決如上所述的問題，作為犧牲膜使用旋塗碳（SOC，Spin on Carbon）或旋塗硬掩膜（SOH，Spin on Hardmask）以及利用非晶碳層（ACL，Amorphous Carbon Layer）的硬掩膜（Hardmask）對光刻膠（PR）進行圖案化，但是使用旋塗方式的旋塗碳（SCO）以及旋塗硬掩膜（SOH）與化學氣相沉積（CVD，Chemical Vapor Deposition）方式的非晶碳層（ACL）相比其蝕刻耐性較差，而且並不適合於在需要越來越厚的硬掩膜的設備中使用。
因此，在高度集成化的新一代設備工程中，化學氣相沉積（CVD）方式的非晶碳層（ACL）硬掩膜的應用範圍正在變得越來越廣泛，但是因為化學氣相沉積（CVD）方式使用化學蒸汽，因此會在非晶碳層（ACL）的表面形成由所述化學蒸汽凝聚而成的簇（Cluster）或碳粒子（carbon particle），而如上所述的粒子最終會導致收率以及生產性下降的問題。
為了解決如上所述的問題，需要一種可以通過對非晶碳層（ACL）表面進行研磨而實現均勻的平坦度的化學機械研磨（CMP，Chemical Mechanical Polishing）技術，但是目前為止還沒有開發出可以有效地對非晶碳層（ACL）表面進行研磨的化學機械研磨（CMP）漿料組合物。
通常來講，非晶碳層（ACL）因為具有非常強的碳-碳鍵而會呈現出化學惰性，而且因為化學氣相沉積（CVD）的沉積溫度越高其非晶碳層（ACL）的硬度越高，因此會導致研磨變得更加困難的問題。
為了解決如上所述的現有技術中存在的問題，本發明之目的在於提供一種即使是在如非晶碳層（ACL）等非常堅硬的碳類膜中也可以同時實現優秀的研磨品質以及較高的研磨速度的有機膜研磨組合物。
本發明之另一目的在於提供一種可以利用所述有機膜研磨組合物同時實現優秀的研磨品質以及較高的研磨速度的研磨方法。
為了解決如上所述的問題，適用本發明之一方面的有機膜研磨組合物，其包含研磨粒子、研磨促進劑以及溶劑，所述研磨促進劑包含親水基團以及碳原子數量為5至30的疏水基團，所述研磨粒子的表面電荷與所述研磨促進劑的親水基團的電荷彼此相反。
所述研磨粒子可以包含二氧化矽，而且可以對表面進行改性。此時，研磨粒子的表面可以包含鋁，具體來講，研磨粒子可以將鋁簇塗佈到研磨粒子的表面。
所述有機膜研磨組合物可以包含1至20重量%的研磨粒子。
所述研磨促進劑的疏水基團可以包含碳原子數量為7至28的碳主鏈（Carbon backbone），而且可以相對於有機膜研磨組合物包含5至200 ppm。
適用本發明之另一方面的研磨方法，是一種利用所述有機膜研磨組合物進行研磨的方法。
通過適用本發明的有機膜研磨組合物，不僅是如聚合物（Polymer）、旋塗碳（SCO）以及旋塗硬掩膜（SOH），即使是如非晶碳層（ACL）或類金剛石碳（DLC，Diamond-Like Carbon）等通過共價鍵強力結合的有機膜，也可以在確保研磨膜中只形成極少量的瑕疵以及劃痕等的同時實現較高的研磨速度。
此外，通過適用本發明的有機膜研磨組合物，可以使得研磨膜的碎片不會輕易地重新結合到研磨膜表面，從而輕易地排出研磨膜碎片並藉此提升工程效率。
此外，通過適用本發明的有機膜研磨組合物，即使是在較低的壓力下，也可以對如非晶碳層（ACL）或類金剛石碳（DLC）等通過共價鍵強力結合的有機膜實現優秀的研磨品質以及較高的研磨速度。
在本說明書以及發明申請專利範圍中使用的術語或單詞並不應該限定於一般或詞典上的含義做出解釋，而是應該立足於發明人可以為了以最佳的方法對自己的發明進行說明而對術語的概念做出適當定義的原則，按照符合本發明之技術思想的含義以及概念做出解釋。
因此，本說明書中記載的實施例以及製造例中所圖示的構成只是本發明的最較佳的一實施例，並不能代表本發明的所有技術思想，應該理解在提交本申請的時間點上可能會有可替代的其他各種均等物以及變形例。
接下來，將參閱附圖對本發明的實施例進行詳細的說明，以便於具有本發明所屬技術領域之通常知識者可以輕易地實施本發明。但是，本發明可以通過多種不同的形態實現，並不限定於在此進行說明的製造例以及實施例。
適用本發明之一實施例的有機膜研磨組合物，其包含研磨粒子、研磨促進劑以及溶劑，所述研磨促進劑包含親水基團以及碳原子數量為5至30的疏水基團，所述研磨粒子的表面電荷與所述研磨促進劑的親水基團的電荷彼此相反。所述研磨粒子的表面電荷可以通過利用電動電位測定儀（例如：Anton paar公司的Litesizer 500）測定研磨粒子被分散到特定pH水溶液中的分散液的電動電位元的方式進行測定。所述研磨促進劑的親水基團的電荷可以通過在研磨對象膜的表面載入將與有機膜研磨組合物（漿料）內的研磨促進劑等量的研磨促進劑添加到水溶液中的測定溶液而誘導研磨促進劑被吸附到研磨對象膜，接下來利用將吸附所述研磨促進劑的研磨對象膜（板狀樣本）作為對象的電動電位測定儀（例如：Anton paar公司的Surpass3）進行測定。
作為研磨粒子，可以使用執行化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing，CMP）用的一般的研磨劑（Abrasive），研磨粒子作為表面帶有電荷的粒子，既可以是對表面進行改性的粒子，也可以是沒有對表面進行改性的粒子。研磨粒子的類型並不受到特殊的限定，作為一實例，可以包含如氧化鋁、二氧化鈰、二氧化鈦、氧化鋯以及二氧化矽等。其中，包含因為其表面的熱力學穩定性而可以通過強力吸附或共價鍵輕易地對表面進行改性的二氧化矽為宜，而作為二氧化矽的類型，可以使用如交替二氧化矽以及氣相二氧化矽等。
研磨粒子是表面帶有電荷的物質，而且因為研磨粒子的表面帶有與後續說明的研磨促進劑的親水基團的電荷相反的電荷，因此可以藉助於靜電引力使得研磨粒子更加輕易地接近研磨對象。
為了使得研磨粒子可以利用靜電引力更加輕易地接近研磨對象，可以對研磨粒子的表面進行改性。具體來講，對表面進行改性的研磨粒子與沒有對表面進行改性的狀態相比，可以大幅提升電動電位並藉此提升研磨性能。
第1圖係對作為研磨粒子10之一實施例的對表面進行改性的結構進行概要性圖示的示意圖。
參閱第1圖，對表面進行改性的研磨粒子10大體上可以分為中心部11以及包裹所述中心部11的表面的表面部12。此時，並不一定需要表面部12包裹中心部11的所有表面，而是可以使得中心部11的一部分裸露到外部。
對表面進行改性的研磨粒子10的中心部11可以是用於執行化學機械研磨的一般的研磨劑（Abrasive），作為具體的實例，可以使用交替二氧化矽或氣相二氧化矽，但是並不限定於所述例示。
對表面進行的研磨粒子10的表面部12可以為了提升表面電荷而利用包含各種金屬化合物的改性劑進行改性，而為了使得表面帶有強正電荷，可以利用包含鋁化合物的改性劑使得研磨粒子表面部12包含鋁。
在研磨粒子表面部12包含鋁的情況下將帶有正電荷（+），而此時使得研磨促進劑的親水基團帶有負電荷（-）將有利於有機膜的研磨。
具體來講，所述研磨粒子表面部12的鋁可以是鋁簇形態，更具體來講，研磨粒子可以是在表面塗佈鋁簇的形態。所述通過進行改性而在表面包含鋁的研磨粒子可以在粒子表面帶有更強的正電荷，而且在將所述鋁以簇的形態塗佈到研磨粒子表面的情況下可以表達出更強的正電荷，而通過所述對表面進行改性的方式，可以實現更高的研磨速度、瑕疵或劃痕更少的優秀研磨品質以及更高的研磨選擇性。
作為所述改性劑，除鋁化合物之外黑可以使用如氯化鋁（Aluminium Chloride）、硫酸鋁（Aluminium Sulfate）、硫酸鋁銨（Ammonium Aluminium Sulfate）、硫酸鋁鉀（Aluminium Potassium Sulfate）、硝酸鋁（Aluminium Nitrate）、三甲基鋁（Trimethylaluminium）以及磷化鋁（Aluminium phosphide）等，可以選擇使用所述例示中的至少一個以上，但是本發明並不限定於所述例示。
所述鋁簇的類型並不受到特殊的限定，但是可以包含含有鋁的陽離子絡合物。尤其是，鋁簇可以包含[Al(OH)]2+、[Al(OH)2]+、[Al2(OH)2(H2O)8]4+、[Al13O4(OH)24(H2O)12]7+以及[Al2O8Al28(OH)56(H2O)26]18+中的一個以上的陽離子絡合物結構，在包含兩種類型以上的鋁簇陽離子絡合物的情況下，可能會導致研磨性能的顯著下降。陽離子絡合物的反陰離子並不受到特殊的限定，例如，可以是如Cl-、SO42-、NO3-以及P-等。
作為所述改性劑的含量，在研磨粒子為有機膜研磨組合物的整體重量的0.1至20重量%的情況下，可以相對於有機膜研磨組合物的整體重量使用0.02至5重量%，具體來講，在研磨粒子為有機膜研磨組合物的整體重量的0.5至10重量%的情況下，改性劑的含量可以相對於有機膜研磨組合物的整體重量使用0.03至4重量%，但是並不限定於所述例示。但是，在所述重量範圍內，研磨組合物的研磨均勻度特別優秀且可以進一步提升研磨量。
在對表面進行改性的研磨粒子10中，例如，所述鋁簇可以在研磨粒子中心部11物質表面的一部分或全部塗佈形成。塗佈的形態並不受到特殊的限定，可以通過研磨粒子中心部11物質與鋁簇的共價鍵（研磨粒子中心部11物質的羥基與鋁簇的羥基的縮聚鍵等）、離子鍵以及物理鍵等方式實現。
作為通過將鋁簇塗佈到研磨粒子中心部11而形成對表面進行改性的研磨粒子10的方法的一實例，可以包括通過將鋁化合物以及二氧化矽粒子投入到水中而製造出水分散液的步驟以及通過對所述水分散液進行攪拌而執行表面改性反應並藉此獲得塗佈有鋁簇的研磨粒子10的步驟。水可以是去離子水。可以通過將鋁化合物添加到去離子水中而製造出溶液，進而通過將二氧化矽粒子添加到所述溶液中而製造出分散有二氧化矽粒子的水分散液。其中，水分散液不僅包括研磨粒子均勻分散到水中的形態，還包括不均勻分散的形態。其中，所述改性反應的pH可以是3.0至6.0，具體來講，pH可以是3.0至5.7，更具體來講，可以是4.0至5.5。根據改性反應的pH值，所獲得的的鋁簇的類型將發生變化，而且對表面進行改性的研磨粒子的結構也將發生變化。
用於對研磨粒子改性反應的pH進行調節的pH調節劑並不受到特殊的限定，也可以同時使用兩種以上的pH調節劑。作為所述pH調節劑的類型，可以以如硝酸、鹽酸、硫酸、乙酸、甲酸以及檸檬酸等酸性調節劑或如氫氧化鉀、氫氧化鈉、四甲基氫氧化銨以及四丁基氫氧化銨等鹼性調節劑為例。所述pH調節劑可以用於對改性反應時的pH進行控制，也可以用於將最終研磨組合物的pH調節至符合研磨工程的狀態。
研磨粒子的含量並不受到特殊的限定，具體來講，相對於有機膜研磨組合物整體，所述研磨粒子可以包含0.1至20重量%，具體來講，可以包含1至20重量%，更具體來講，可以包含3至13重量%，更更具體來講，可以包含5至10重量%。在相對於研磨組合物整體重量的研磨粒子的含量為0.1重量%以上的情況下，可以大幅提升研磨輪廓（均勻度），在1重量%以上的情況下，可以實現特別優秀的輪廓，在20重量%以下的情況下，因為研磨膜的瑕疵以及劃痕極少而可以實現優秀的研磨品質以及研磨量。
所述研磨促進劑包含帶有電荷的親水基團以及碳原子數量為5至30的疏水基團。
第2圖係對本發明之研磨促進劑的一實施形態進行概要性圖示的示意圖。但是，所述研磨促進劑並不限定於第2圖中所圖示的形態。
參閱第2圖，研磨促進劑20可以分為親水基團21以及疏水基團22，而為了更加有效地實現研磨促進劑的靜電引力，疏水基團22可以包含5至30個碳原子，具體來講，可以包含7至28個，更具體來講，可以包含7至16個，更更具體來講，可以包含8至13個。此時，疏水基團的結構並不受到特殊的限定，例如，可以是碳鏈形態。此外，所述碳鏈可以是形成有支鏈的形態。在疏水基團22的碳原子數量不足5的情況下，因為疏水基團的疏水相互作用（hydrophobic interaction）下降，研磨促進劑將無法穩定地存在於研磨對象即有機膜的表面，從而導致難以提升研磨促進劑20的研磨速度的問題。與此相反，在疏水基團的碳原子數量超過30的情況下，因為可以在研磨促進劑中自由移動的疏水基團22的比重變得過大，在研磨組合物內的研磨促進劑20的溶解度以及分散度將下降，從而即使是在研磨促進劑存在於有機膜表面的情況下也可能會因為位組現象（Steric hindrance）而導致無法改善研磨速度的問題。
作為研磨促進劑20的疏水基團22，例如可以是鏈狀結構並包含碳原子數量為7至28的碳主鏈（Carbone backbone），所述碳原子數量範圍內的碳主鏈，可以在組合物內確保研磨促進劑具有非常高的溶解度，從而提升有機膜研磨組合物的穩定性並藉此提供優秀的研磨速度。具體來講，研磨促進劑20的疏水基團22可以具有碳原子數量為7至16的碳主鏈（Carbone backbone），更具體來講，可以具有碳原子數量為8至14的碳主鏈（Carbone backbone），更更具體來講，可以包含碳原子數量為8至12的碳主鏈（Carbone backbone），具有所述具體碳原子數量的碳主鏈的研磨促進劑在研磨組合物內的疏水相互作用特別優秀，從而可以進一步提升研磨速度。
具體來講，研磨促進劑可以是低聚物型研磨促進劑。作為低聚物型研磨促進劑20的一實施例，可以如第2圖所示，可以由親水基團的頭（head）部以及疏水基團的尾（tail）部構成。在使用低聚物型研磨促進劑20的情況下，不僅可以使得有機膜研磨組合物具有較高的研磨速度，還可以使得研磨促進劑更加順利地排出有機膜碎片（CMP）41。參閱第3圖，關於有機膜碎片（ACL debris），研磨促進劑的疏水基團可以通過疏水相互作用與有機膜碎片表面形成鍵合並將親水基團裸露在碎片表面，從而可以確保其更加輕易地在組合物內分散並藉此更順利地排出有機膜碎片。
因為在具有彼此相反的電荷的研磨促進劑的親水集團21與研磨粒子10的電荷之間有靜電引力作用，因此可以藉此提升研磨效率。例如，在研磨促進劑為如第2圖所示的低聚物型研磨促進劑形態的情況下，親水基團21可以是研磨促進劑的頭（head）部。除了與研磨粒子之間的電荷關係之外，研磨促進劑的親水基團21的類型並不受到特殊的限定，例如，可以包含硫酸鹽（Sulfate）、磺酸鹽（Sulfonate）、磷酸鹽（Phospate）、羧酸鹽（Carboxylate）或其衍生物中的一種以上。
為了可以利用靜電引力提升研磨效率，可以使得研磨粒子10的表面帶有正電荷而研磨促進劑親水基團21帶有負電荷，或者使得研磨粒子10的表面的哎呦負電荷而研磨促進劑親水基團21帶有正電荷。所述親水基團帶有正電荷的研磨促進劑，例如可以是從由溴化戊基銨（Pentylammonium bromide）、戊基三乙基銨（Pentyltriethylammonium）、溴化三乙基己基銨（Triethylhexylammonium bromide）、溴化三甲基辛基銨（Trimethyloctylammonium bromide）、溴化癸基三甲基銨（Decyltrimethylammonium bromide）以及三甲基十四烷基氯化銨（Trimethyl-tetradecylammonium chloride）構成的組中選擇的一種或兩種以上。所述親水基團帶有負電荷的研磨促進劑，例如可以是從由1-庚磺酸鈉一水合物（Sodium 1-heptanesulfonate monohydrate）、正庚基硫酸鈉（Sodium n-heptyl sulfate）、辛基硫酸鈉（Sodium octyl sulfate）、辛基磷酸二鉀（dipotassium octyl phosphate）、 辛基磷酸鈷(II)（cobalt(II) octyl phosphate）、辛基磷酸氫鉀（potassium octyl hydrogen phosphate）、6-磺化氧基十一烷鈉（Sodium 6-sulfonato oxy undecane）、十六烷基硫酸鈉（Sodium hexadecyl sulfate）、硫酸十九烷基鈉鹽（Sulfuric acid nonadecyl=sodium salt）、二十烷基硫酸鈉（Sodium eicosyl sulfate）、二十烷基硫酸氫鈉（Sodium icosyl hydrogen sulfate）、二十二烷基硫酸鈉（Sodium docosyl sulfate）、二十三基硫酸鈉（Sodium tricosyl sulfate）、二十六烷基硫酸鈉（Sodium hexacosyl sulfate）、二十八烷基硫酸鈉（Sodium octacosyl sulfate）、三十烷基硫酸鈉（Sodium triacontyl sulfate）以及三十四烷基硫酸鈉（Sodium tetratriacontyl sulfate）構成的組中選擇的一種或兩種以上。
在研磨促進劑疏水基團22朝向有機膜方向的情況下，研磨促進劑親水基團21將朝向有機膜的外側方向，而且研磨促進劑親水基團21可以是裸露到外部的形態。藉此，在研磨促進劑親水基團21與研磨粒子10表面的電荷彼此相反的情況下，可以利用靜電引力使得研磨粒子更加輕易地接近有機膜表面，從而提升利用組合物的研磨效率。
此時，相對於有機膜研磨組合物，研磨促進劑20的含量為5至200 ppm為宜，例如，可以是30至160 ppm、30至120 ppm、50至100 ppm、50至90 ppm。在研磨促進劑20的含量為5 ppm以上的情況下，可以防止研磨效率下降，而在研磨促進劑20的含量為200 ppm以下的情況下，可以防止研磨粒子的不穩定性，藉此可以防止研磨率下降或發生表面劃痕的問題。
為了提升研磨效率，與研磨粒子10單獨的電動電位相比，研磨粒子表面與包含研磨促進劑的有機膜表面的電動電位之間的差異的絕對值顯得至關重要。此時，包含研磨促進劑的有機膜表面是指在研磨促進劑存在於有機膜表面的狀態下通過所述研磨促進劑的親水基團誘導其帶有更強的電荷的有機膜表面，有機膜表面的電動電位可以通過研磨促進劑誘導其帶有更強的負電荷。
研磨粒子或有機膜的電動電位通常會根據pH值的變化敏感地隨之發生變化。通常來講，越接近酸性pH區域，電動電位的正電荷（+）將變得越強直至達到平衡，而越接近鹼性pH區域，負電荷（-）將變得越強直至達到平衡。在超出電動電位達到0 mV的pH點即等電點（IEP）的pH區域，研磨粒子與有機膜的電動電位彼此相反，而且其差異越大研磨速度就越快。
藉此，可以通過研磨組合物的pH對研磨粒子的電動電位以及包含研磨促進劑的有機膜表面的電動電位進行調節。例如，在有機膜研磨組合物的pH為3至7的情況下，可以確保研磨組合物的更加優秀的研磨效率。為了實現更高的研磨效率，具體來講，在使用pH為3至5.5的研磨組合物，更具體來講，使用pH為3.5至4.5的有機膜研磨組合物的情況下，可以呈現出非常高的研磨效率。在研磨組合物的pH為7以下的情況下，可以防止因為研磨劑的分散性下降而導致的組合物的穩定性下降的問題，因此可以通過將pH調節至7以下而維持研磨組合物的優秀的穩定性。在pH為3以上的情況下，包含研磨促進劑的有機膜表面將帶有負電荷而研磨粒子將帶有正電荷，藉此可以提升利用靜電引力的研磨效率。因此，為了利用電動電位穩定地提升研磨效率，研磨組合物的pH為3以上為宜。
為了使得研磨組合物滿足所述pH範圍，可以使用酸性或鹼性pH調節劑中的至少一種以上。作為酸性調節劑，例如可以使用硝酸、鹽酸、硫酸、乙酸、磷酸、甲酸以及檸檬酸中的一種以上，但是並不限定於所述例示。此外，作為踐行調節劑，例如可以使用氫氧化鉀、氫氧化鈉、四甲基氫氧化銨以及四丁基氫氧化銨中的一種以上，但是並不限定於所述例示。
通過所述表面改性以及pH調節，將研磨粒子10的電動電位（Zeta Potential）調節至10至80 mV，具體來講，調節至10至60 mV，更具體來講，調節至30至60 mV將罪有利於提升研磨效率。例如，在所述研磨粒子的電動電位為10至80 mV的情況下，包含研磨促進劑的有機膜表面的電動電位為-60至0 mV，而在研磨粒子與所述有機膜表面的電動電位之間的差異的絕對值為10至120 mV的情況下，可以實現優秀的研磨效率。為了實現更有效的研磨效率，研磨粒子的電動電位可以是20至60 mV的情況下，包含研磨促進劑的有機膜表面的電動電位可以是-60至-10 mV，藉此可以將研磨粒子與有機膜表面的電動電位之間的差異的絕對值調節至30至120 mV。尤其是，在研磨粒子的電動電位為30至60 mV、包含研磨促進劑的有機膜表面的電動電位為-60至-30 mV、研磨粒子與有機膜表面的電動電位之間的差異的絕對值為60至120 mV的情況下，可以實現更加優秀的研磨效率。
適用本發明之一實施例的有機膜研磨組合物可以為了提升性能而進一步包含各種添加劑。
具體來講，可以為了防止微生物污染而包含抗微生物劑（Biocide）。例如，可以異噻唑啉酮（Isothiazolinone）或其衍生物、甲基異噻唑啉酮（Methyl isothiazolinone：MIT，MI)、氯甲基異噻唑啉酮（Chloromethyl isothiazolinone：CMIT，CMI，MCI）、苯並異噻唑啉酮（Benzisothiazolinone：BIT）、辛基異噻唑啉酮（Octylisothiazolinone：OIT，OI）、二氯辛基異噻唑啉酮（Dichlorooctylisothiazolinone：DCOIT，DCOI）、丁基苯並異噻唑啉酮（Butylbenzisothiazolinone：BBIT）或聚六亞甲基胍（PHMG）。抗微生物劑的含量並不受到特殊的限定，相對於有機膜研磨組合物的整體重量，可以是0.0001至0.05重量%，具體來講，可以是0.005至0.03重量%。
除此之外，還可以包含如分散穩定劑以及研磨輪廓改善劑等。
作為分散穩定劑，例如可以是乙酸鈉（Sodium Acetate）與乙酸（Acetic Acid）的組合、硫酸鈉（Sodium Sulfate）與硫酸（Sulfuric Acid）的組合、檸檬酸（Citric Acid）、甘氨酸（Glycine）、咪唑（Imidazole）以及磷酸鉀（Potassium Phosphate）中的一個以上。尤其是，因為乙酸鈉（Sodium Acetate）與乙酸（Acetic Acid）的組合或硫酸鈉（Sodium Sulfate）與硫酸（Sulfuric Acid）的組合有共軛酸以及共軛鹼存在而可以確保優秀的pH穩定性，從而有利於維持分散性。分散穩定劑的使用含量可以是500至8000 ppm，具體來講，可以使用600至5000 ppm。
包含研磨輪廓改善劑的目的在於提升研磨對象膜的研磨後平坦度，作為一實例，可以使用如皮考啉酸（Picolinic Acid）、皮考啉（Picoline）、吡啶二羧酸（Dipicolinic Acid）、吡啶（Pyridine）、呱啶酸（Pipecolic acid）以及喹啉酸（Quinolinic Acid）等，其使用含量可以是100至1000 ppm的範圍。
適用本發明之一實施例的有機膜研磨組合物的溶劑30並不受到特殊的限定，只要是可以溶劑所述組合物的溶劑即可，例如可以是蒸餾水。
適用本發明之一實施例的研磨組合物的研磨對象並不受到特殊的限定，例如可以是如環氧樹脂（Epoxy）、丙烯酸酯（Acrylate）、聚醯亞胺（Polyimide）以及聚苯並惡唑（Polybenzoxazole）等聚合物膜（Polymer Layer）；如旋塗碳（SOC，Spin on Carbon）、旋塗硬掩膜（SOH，Spin on Hardmask）以及非晶碳層（Amorphous Carbon Layer，ACL）等含碳膜；如銅、鋁以及鎢等金屬佈線以及所述對象同時存在的複合膜。對於所述複合膜，也可以同時執行研磨。尤其是，對於通過化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）形成的如非晶碳層或類金剛石碳（DLC，Diamond-Like Carbon）等非常堅硬的碳類膜也可以實現較高的研磨速度。
適用本發明之另一實施例的研磨方法作為利用所述有機膜研磨組合物進行研磨的方法，作為具體的實例，可以包括：將所述適用本發明之一實施例的研磨組合物均勻地塗佈到研磨板上的步驟；以及，通過將形成有研磨對象膜的基板與均勻塗佈有所述研磨組合物的研磨板接觸而通過摩擦去除研磨對象膜中的至少一部分的步驟。所述研磨對象膜為有機膜，除了作為研磨劑使用適用本發明的有機膜研磨組合物之外，可以採用通常所使用的研磨方法，並不限定於所述例示。
適用本發明之一實施例的研磨方法，可以是利用所述有機膜研磨組合物對如環氧樹脂（Epoxy）、丙烯酸酯（Acrylate）、聚醯亞胺（Polyimide）以及聚苯並惡唑（Polybenzoxazole）等聚合物膜（Polymer Layer）；如旋塗碳（SOC，Spin on Carbon）、旋塗硬掩膜（SOH，Spin on Hardmask）以及非晶碳層（Amorphous Carbon Layer，ACL）等含碳膜進行研磨的研磨方法。
研磨速度與壓力以及研磨裝置的每分鐘轉數（RPM）成比例上升。因為非晶碳層（ACL）具有非常堅固的碳共價鍵，因此過去需要使用大約3 psi左右的較高壓力才可以進行研磨，在低於所述壓力的情況下會導致無法有效地進行研磨的問題。但是，適用本發明的研磨組合物即使是利用3 psi以下的壓力，具體來講利用0.5至1 psi的非常低的壓力就可以實現較高的研磨速度，而在3 psi以上的壓力下可以呈現出非常快的研磨速度。
第3圖是對利用有機膜為非晶碳層（ACL）、研磨促進劑的親水基團帶有負電荷、研磨促進劑為如第2圖所示的低聚物型且研磨粒子表面帶有正電荷的適用本發明之一實施例的有機膜研磨組合物對有機膜進行研磨的機制進行概要性圖示的示意圖。參閱第3圖，將非晶碳層（ACL）作為研磨對象有機膜40並使得研磨粒子10在靜電引力的幫助下接近有機膜40，從而對有機膜40進行研磨，而通過研磨生成的有機膜碎片41將與研磨粒子10結合並形成於有機膜碎片結合的研磨粒子50。此時，研磨促進劑20的疏水基團22可以朝向有機膜40的面方向。
接下來，將為了幫助理解本發明而對較佳實施例進行介紹，但是下述實施例只是對本發明進行的例示，本發明的範圍並不因為下述實施例而受到限定。
[製造例1：表面改性的研磨粒子的製造]
在將下述表1中記載的研磨粒子的重量以及改性劑的含量添加到去離子水（D/W）之後，為了對改性反應的pH進行控制而添加了pH調節劑。接下來，在常溫以及常壓條件下利用機械攪拌器進行6～24小時的攪拌，從而製造出了通過被鋁簇塗佈而對表面進行改性的研磨粒子。 [表1]:
  研磨粒子中心部 鋁化合物（改性劑） pH調節劑 pH
研磨粒子1 膠體二氧化矽 氯化鋁 HNO 3 3
研磨粒子2 膠體二氧化矽 硝酸鋁 HNO 3 3
[製造例2：有機膜研磨組合物的製造]
按照下述表2中所記載的研磨粒子的類型以及研磨促進劑的含量在常溫以及常壓條件下進行混合，並在使用機械攪拌器的攪拌環境下添加pH調節劑，從而製造出了比較例1以及比較例2與實施例1至實施例15的有機膜研磨組合物。此時，作為研磨粒子使用了所述製造例1的對表面進行改性的研磨粒子、氧化鋁、氧化鋯以及二氧化鈰中的某一個，而作為研磨促進劑使用了疏水基團的碳原子數量為8的陰離子研磨促進劑。 [表2]:
  研磨粒子類型 研磨促進劑含量（ppm） 研磨粒子TS（重量%）
比較例1 研磨粒子1 0 5
比較例2 研磨粒子2 0 3
實施例1 研磨粒子2 3 5
實施例2 研磨粒子1 5 5
實施例3 研磨粒子2 10 5
實施例4 研磨粒子1 30 5
實施例5 研磨粒子1 50 5
實施例6 研磨粒子2 50 5
實施例7 研磨粒子2 90 5
實施例8 研磨粒子2 100 5
實施例9 研磨粒子2 120 5
實施例10 研磨粒子1 160 5
實施例11 研磨粒子1 200 5
實施例12 研磨粒子2 240 5
實施例13 氧化鋁 100 5
實施例14 氧化鋯 100 5
實施例15 二氧化鈰 100 5
[試驗例1：不同的研磨促進劑含量下的非晶碳層（ACL）研磨速度比較]
作為試驗晶圓（Wafer）使用了非晶碳層（ACL）12英吋控片（Blanket），作為研磨裝置（Polisher）使用了AP-300（CTS公司），作為研磨板（Pad）使用了IC-1010（Rohm & Hass公司），並利用M-2000（JA Woollam公司）以及CMT-SR5000（AIT公司）對研磨速度進行了測定，其結果如下述表3所示。參閱表2以及表3，可以確認在包含研磨促進劑的實施例中，研磨速度得到了大幅提升。此外，通過對實施例8與實施例13至實施例15進行比較可以確認，通過使用對表面進行改性的研磨粒子，可以顯著提升研磨速度。 [表3]:
  化學機械研磨（CMP）壓力（psi） 研磨速度（Å/分鐘）
比較例1 0.5 685
比較例2 0.5 542
實施例1 0.5 817
實施例2 0.5 883
實施例3 0.5 1070
實施例4 0.5 1423
實施例5 0.5 1598
實施例6 0.5 1531
實施例7 0.5 1473
實施例8 0.5 1454
實施例9 0.5 1432
實施例10 0.5 1402
實施例11 0.5 1358
實施例12 0.5 841
實施例13 0.5 999
實施例14 0.5 812
實施例15 0.5 784
[試驗例2：不同的研磨促進劑含量下的研磨後化學機械研磨（CMP）廢液顏色比較]
第4圖是對利用通過所述製造例2製造出的比較例1（a）、實施例3（b）、實施例4（c）、實施例6（d）、實施例7（e）以及實施例8（f）的有機膜研磨組合物分別對非晶碳層（ACL）進行研磨之後的化學機械研磨（CMP）廢液顏色進行比較的結果。
參閱第4圖，使用適用本發明的有機膜研磨組合物（b、c、d、e、f）的化學機械研磨（CMP）廢液顏色非常渾濁，而與此相反，在沒有使用研磨促進劑的情況（a）下，化學機械研磨（CMP）廢液顏色相對非常清澈，藉此可以確認本發明的有機膜研磨組合物的非晶碳層（ACL）研磨效果非常優秀。
參閱表3，可以確認非晶碳層（ACL）的研磨速度會伴隨著研磨促進劑的濃度的增加逐漸上升，而在一定濃度以上可以維持類似的研磨速度，而參閱第4圖，可以確認化學機械研磨（CMP）廢液的顏色會伴隨著研磨促進劑的濃度的增加持續加深。
因為通過化學機械研磨（CMP）進行研磨的非晶碳層（ACL）碎片具有疏水性的表面特性而無法在親水性的醬料溶液內良好分散，從而難以排出到化學機械研磨（CMP）廢液中。但是，在添加研磨促進劑的情況下，化學機械研磨（CMP）之後的非晶碳層（ACL）碎片會因為研磨促進劑而轉換成親水性表面，藉此可以提升排出到化學機械研磨（CMP）廢液中的效果。伴隨著研磨促進劑的濃度的增加，如上所述的非晶碳層（ACL）碎片排出效果可能會變得更加有效，但是可以在考慮到研磨促進劑的濃度影響下的醬料溶液穩定性的情況下選擇較佳的濃度。
[試驗例3：不同的研磨促進劑疏水基團的碳原子數量下的非晶碳層（ACL）研磨速度比較]
按照與所述製造例2相同的製造方法製造出有機膜研磨組合物，選擇負離子研磨促進劑作為研磨促進劑，並使得研磨促進劑疏水基團的碳原子數量等於研磨促進劑的碳主鏈（Carbon backbone），從而對不同的研磨促進劑的碳原子數量下的非晶碳層（ACL）研磨速度進行了測定，其結果如下述表4所示。參閱表4，可以確認在研磨促進劑的碳原子數量為5至30範圍內的實施例8與實施例16至實施例21與超出所述碳原子數量範圍的比較例3以及比較例4相比，其研磨速度更高。 [表4]:
  研磨粒子類型 研磨促進劑含量（ppm） 研磨促進劑碳原子數量 研磨粒子TS（重量%） 化學機械研磨（CMP）壓力（psi） 研磨速度（Å/分鐘）
實施例16 研磨粒子2 100 7 5 0.5 1157
實施例8 研磨粒子2 100 8 5 0.5 1454
實施例17 研磨粒子2 100 12 5 0.5 1403
實施例18 研磨粒子1 100 13 5 0.5 1322
實施例19 研磨粒子2 100 16 5 0.5 907
實施例20 研磨粒子1 100 20 5 0.5 818
實施例21 研磨粒子1 100 28 5 0.5 753
比較例3 研磨粒子2 100 2 5 0.5 693
比較例4 研磨粒子2 100 34 5 0.5 321
[試驗例4：不同的研磨粒子以及研磨促進劑的電荷下的非晶碳層（ACL）研磨速度比較]
按照與所述製造例2相同的製造方法製造出有機膜研磨組合物，對研磨粒子的電荷與研磨促進劑的親水基團的電荷彼此相反的情況（實施例17）與電荷不彼此相反的情況（比較例5以及比較例6）的非晶碳層（ACL）研磨速度進行比較，其結果如下述表5所示。參閱表5，可以確認在研磨粒子與研磨促進劑的親水基團的電荷帶有相同極性的情況（比較例5以及比較例6）下，非晶碳層（ACL）的研磨速度顯著偏低，而在電荷帶有不同極性的情況（實施例17）下，非晶碳層（ACL）的研磨速度可以得到明顯提升。 [表5]:
  實施例17 比較例5 比較例6
研磨粒子類型 研磨粒子2 研磨粒子2 二氧化矽粒子
研磨粒子表面電荷 + + -
研磨促進劑含量（ppm） 100 100 100
研磨促進劑親水基團電荷 - +1) -2)
研磨促進劑碳原子數量 12 12 12
研磨粒子TS（重量%） 5 5 5
化學機械研磨（CMP）壓力（psi） 0.5 0.5 0.5
研磨速度（Å/分鐘） 1403 117 19
1）研磨促進劑類型：十二烷基三甲基氯化銨（Dodecyl trimethyl ammonium chloride）
2）研磨促進劑類型：與實施例17相同
[試驗例5：不同的研磨壓力下的非晶碳層（ACL）研磨速度測定]
下述表6是對化學機械研磨（CMP）壓力以及非晶碳層（ACL）研磨速度進行比較測定的結果。參閱表6，可以確認實施例8即使是在0.5 psi的較低壓力下也可以呈現出1454 Å/分鐘的優秀的研磨速度，而除化學機械研磨（CMP）壓力之外的其他要素與實施例8相同且化學機械研磨（CMP）壓力為3 psi的實施例22中呈現出了5089 Å/分鐘的非常快的研磨速度。 [表6]:
  研磨粒子類型 研磨促進劑含量（ppm） 研磨促進劑碳原子數量 研磨粒子TS（重量%） 化學機械研磨（CMP）壓力（psi） 研磨速度（Å/分鐘）
實施例8 研磨粒子2 100 8 5 0.5 1454
實施例22 研磨粒子2 100 8 5 3 5089
[試驗例6：不同的研磨粒子含量下的非晶碳層（ACL）研磨速度比較]
下述表7是對不同研磨粒子含量下的非晶碳層（ACL）研磨速度進行比較測定的結果。參閱表7，可以確認即使是在研磨粒子含量（研磨粒子TS）存在差異的情況下，在非晶碳層（ACL）研磨時均呈現出了優秀的研磨速度。 [表7]:
  研磨粒子類型 研磨促進劑含量（ppm） 研磨促進劑碳原子數量 研磨粒子TS（重量%） 化學機械研磨（CMP）壓力（psi） 研磨速度（Å/分鐘）
實施例23 研磨粒子2 100 8 1 0.5 893
實施例24 研磨粒子1 100 8 3 0.5 1274
實施例25 研磨粒子2 100 12 3 0.5 832
實施例8 研磨粒子2 100 8 5 0.5 1454
實施例17 研磨粒子2 100 12 5 0.5 1403
實施例26 研磨粒子2 100 8 7 0.5 1484
實施例27 研磨粒子1 100 8 10 0.5 1404
實施例28 研磨粒子2 100 8 15 0.5 1153
實施例29 研磨粒子1 100 8 20 0.5 943
實施例30 研磨粒子2 100 8 22 0.5 832
在上述內容中對本發明的實施例進行了詳細的說明，但是本發明的發明申請專利範圍並不限定於此，具有相關技術領域之通常知識者應該可以理解，本發明可以在不脫離發明申請專利範圍中所記載的本發明之技術思想的範圍內進行各種修改以及變形。
10:研磨粒子 11:中心部 12:表面部 20:研磨促進劑 21:親水基團 22:疏水基團 23:研磨促進劑膠束 30:溶劑 40:有機膜 41:有機膜碎片 50:與有機膜碎片結合的研磨粒子
第1圖係對作為研磨粒子10之一實施例的對表面進行改性的結構進行概要性圖示的示意圖。 第2圖係對本發明之研磨促進劑的一實施形態進行概要性圖示的示意圖。 第3圖係對利用適用本發明之一實施例的有機膜研磨組合物對有機膜進行研磨的機制進行概要性圖示的示意圖。 第4圖係對利用適用本發明之實施例以及比較例的有機膜研磨組合物對非晶碳層（ACL）分別進行研磨之後的化學機械研磨（CMP）廢液進行圖示的示意圖。
20:研磨促進劑
40:有機膜

Claims (16)

  1. 一種有機膜研磨組合物，其包括： 一研磨粒子； 一研磨促進劑；以及， 一溶劑； 該研磨促進劑包含一親水基團以及碳原子數量為5至30的一疏水基團， 該研磨粒子的一表面電荷與該研磨促進劑的該親水基團的電荷彼此相反。
  2. 如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨粒子包含二氧化矽。
  3. 如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨粒子是對表面進行改性的研磨粒子。
  4. 如請求項3所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨粒子的該表面包含鋁。
  5. 如請求項4所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨粒子在該表面塗佈有鋁簇。
  6. 如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其包含1至20重量%的該研磨粒子。
  7. 如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨促進劑的該疏水基團包含碳原子數量為7至28的碳主鏈（Carbon backbone）。
  8. 如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨粒子的表面為正電荷，該研磨促進劑的該親水基團為負電荷。
  9. 如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨粒子的表面為負電荷，該研磨粒子的該親水基團為正電荷。
  10. 如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨促進劑的含量為5至200 ppm。
  11. 如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其pH為3至7。
  12. 如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該研磨粒子的電動電位（Zeta Potential）為10至80 mV。
  13. 如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其還包含抗微生物劑（Biocide）。
  14. 如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該有機膜研磨組合物係用於研磨聚合物膜（Polymer Layer）。
  15. 如請求項1所述之有機膜研磨組合物，其中該有機膜研磨組合物係用於研磨非晶碳層（Amorphous Carbon Layer）。
  16. 一種研磨方法，其使用如請求項1至請求項15中的任一項所述之有機膜研磨組合物。
TW111121323A 2021-06-08 2022-06-08 有機膜研磨組合物以及利用所述有機膜研磨組合物的研磨方法 TW202248378A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20210074283 2021-06-08
KR10-2021-0074283 2021-06-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202248378A true TW202248378A (zh) 2022-12-16

Family

ID=84425299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111121323A TW202248378A (zh) 2021-06-08 2022-06-08 有機膜研磨組合物以及利用所述有機膜研磨組合物的研磨方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20240084171A1 (zh)
KR (1) KR20220165667A (zh)
CN (1) CN117321169A (zh)
TW (1) TW202248378A (zh)
WO (1) WO2022260433A1 (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7201784B2 (en) * 2003-06-30 2007-04-10 Intel Corporation Surfactant slurry additives to improve erosion, dishing, and defects during chemical mechanical polishing of copper damascene with low k dielectrics
US7790618B2 (en) * 2004-12-22 2010-09-07 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Selective slurry for chemical mechanical polishing
KR100832993B1 (ko) * 2006-04-14 2008-05-27 주식회사 엘지화학 Ｃｍｐ 슬러리용 보조제
KR101388103B1 (ko) * 2012-07-23 2014-04-23 주식회사 케이씨텍 연마용 슬러리 조성물 및 그 제조 방법
US10428241B2 (en) * 2017-10-05 2019-10-01 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Polishing compositions containing charged abrasive

Also Published As

Publication number Publication date
CN117321169A (zh) 2023-12-29
US20240084171A1 (en) 2024-03-14
WO2022260433A1 (ko) 2022-12-15
KR20220165667A (ko) 2022-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7067614B2 (ja) 研磨液、研磨液セット及び研磨方法
JP6352060B2 (ja) 酸化珪素膜研磨用研磨液組成物
TW591100B (en) Cerium oxide abrasive and method for preparing substrates
US11046869B2 (en) Polishing liquid, polishing liquid set, and substrate polishing method
CN102604541B (zh) 用于抛光氮化硅的组合物及方法
TW201915120A (zh) 包含帶電磨料之研磨組成物
TWI736623B (zh) 化學機械研磨用漿料組合物
JP2001139935A (ja) 研磨用組成物
TWI749127B (zh) 研磨用組合物
US11518920B2 (en) Slurry, and polishing method
WO2015098197A1 (ja) 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
TWI656205B (zh) 研磨用組成物及使用其之研磨方法
TW200800486A (en) CMP slurry and method for polishing semiconductor wafer using the same
KR100832993B1 (ko) Ｃｍｐ 슬러리용 보조제
TW201339258A (zh) 包含蛋白質之化學機械拋光組合物
JP2017149798A (ja) 研磨液、研磨液セット及び基体の研磨方法
JP7152168B2 (ja) 研磨用組成物
JP2010056127A (ja) シリコン膜用ｃｍｐスラリー
TW202248378A (zh) 有機膜研磨組合物以及利用所述有機膜研磨組合物的研磨方法
JP7414437B2 (ja) 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法および半導体基板の製造方法
JP6888744B2 (ja) スラリ及び研磨方法
TWI717633B (zh) 研漿及研磨方法
KR20230170737A (ko) 유전체 물질 연마용 cmp 조성물
WO2020262234A1 (ja) 酸化珪素膜用研磨液組成物
JP2021166254A (ja) 酸化珪素膜用研磨液組成物