TW202247333A - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202247333A
TW202247333A TW111102345A TW111102345A TW202247333A TW 202247333 A TW202247333 A TW 202247333A TW 111102345 A TW111102345 A TW 111102345A TW 111102345 A TW111102345 A TW 111102345A TW 202247333 A TW202247333 A TW 202247333A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
unit
processing unit
substrate
processing
liquid
Prior art date
Application number
TW111102345A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI830127B (zh
Inventor
澤島隼
山口貴大
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202247333A publication Critical patent/TW202247333A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI830127B publication Critical patent/TWI830127B/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0208—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work for applying liquid or other fluent material to separate articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1036—Means for supplying a selected one of a plurality of liquids or other fluent materials, or several in selected proportions, to the applying apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • B05C13/02—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles for particular articles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明之目之在於提供一種可將處理單元之構造共通化之基板處理裝置。 於基板處理裝置1中，第1處理單元12A配置於搬送空間12A之右方。第1處理單元21A1具備第1保持部25A。第2處理單元21B1配置於搬送空間12A之左方。第2處理單元21B1具備第2保持部25B。第1保持部25A具有俯視下位於較第1處理單元21A1之中心24A更後方之中心26A。第2保持部25B具有俯視下位於較第2處理單元21B1之中心24B更前方之中心26B。第2處理單元21B1之前端22B配置於較第1處理單元21A1之前端22A更後方，且配置於較第1處理單元21A1之後端23A更前方。第1液體貯存部31配置於搬送空間12A之左方，與第2處理單元21B1之前方鄰接。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置。基板例如為半導體晶圓、液晶顯示器用基板、有機EL(Electroluminescence：電致發光)用基板、FPD(Flat Panel Display：平板顯示器)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、光碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、太陽能電池用基板。
日本專利特開2010-225935號公報揭示一種基板處理裝置。基板處理裝置具備傳載部與處理區塊。處理區塊配置於傳載部之後方。
處理區塊具備搬送空間與中心機器人。搬送空間於前後方向延伸。中心機器人設置於搬送空間之中央部。中心機器人可繞鉛直軸旋轉。但，中心機器人不可於前後方向平行移動。
基板處理裝置具備梭單元。梭單元設置於搬送空間。梭單元配置於中心機器人之前方。梭單元載置於傳載部與中心機器人之間搬送之基板。梭單元可於前後方向移動。於梭單元朝後方移動時，中心機器人可存取梭單元。
處理區塊具有第1處理單元、第2處理單元、第3處理單元及第4處理單元。第1處理單元與第3處理單元配置於搬送空間之第1側方。第3處理單元配置於第1處理單元之後方。同樣地，第2處理單元與第4處理單元配置於搬送空間之第2側方。第4處理單元配置於第2處理單元之後方。
第2處理單元具有與第1處理單元之構造左右對稱之構造。第4處理單元具有與第3處理單元之構造左右對稱之構造。因此，中心機器人可存取第1處理單元、第2處理單元、第3處理單元及第4處理單元。即便中心機器人不可於前後方向平行移動，中心機器人亦可存取第1處理單元、第2處理單元、第3處理單元及第4處理單元。
基板處理裝置具備液體貯存部。液體貯存部貯存被分配至第1-第4處理單元之處理液。液體貯存部配置於搬送空間之後方。液體貯存部配置於第1-第4處理單元之後方。
[發明所欲解決之問題]
然而，日本 專利特開2010-225935號公報所示之基板處理裝置有如下之問題。如上所述，第2處理單元具有與第1處理單元之構造左右對稱之構造。因此，第2處理單元之構造與第1處理單元之構造類似，但與第1處理單元之構造不等同。因此，於第1處理單元與第2處理單元之間，對基板進行之處理之品質易産生不均。再者，為製造第1處理單元與第2處理單元，而使用較多種類之零件。
同樣地，第4處理單元具有與第3處理單元之構造左右對稱之構造。因此，第4處理單元之構造與第3處理單元之構造類似，但與第3處理單元之構造不等同。因此，於第3處理單元與第4處理單元之間，對基板進行之處理之品質易産生不均。再者，為製造第3處理單元與第4處理單元，而使用較多種類之零件。 [解決問題之技術手段]
本發明是鑑於此種事情而完成者，目的在於提供一種可將處理單元之構造共通化之基板處理裝置。
本發明者為解决上述問題而進行了深入研究。因此，本發明者首先研究了圖10所示之基板處理裝置201。基板處理裝置201具備傳載部202與處理區塊203。處理區塊203配置於傳載部202之後方。處理區塊203具備搬送空間204、基板載置部205、搬送機構206、處理單元207A、207B、207C、207D、及液體貯存部209。處理單元207A-207D具有共通之構造。處理單元207A、207C分別配置於搬送空間204之右方。處理單元207B、207D分別配置於搬送空間204之左方。液體貯存部209配置於搬送空間204之後方。液體貯存部209配置於處理單元207A、207B、207C、207D之後方。
處理單元207A-207D各自具備保持部208A-208D。搬送機構206可於前後方向X平行移動。搬送機構206存取各保持部208A-208D。
然而，本發明者發現圖10所示之基板處理裝置201産生了新的問題。具體而言，新的問題為前後方向X上之搬送機構206之移動距離較長。保持部208B於保持部208A-208D中位於最前方。保持部208C於保持部208A-208D中位於最後方。圖10顯示距離M。距離M為保持部208B與保持部208C之前後方向X上之距離。距離M相當於搬送機構206將基板搬送至保持部208A-208D時之前後方向X上之搬送機構206之移動距離。距離M相對較長。
再者，於搬送機構206存取保持部208B時，有搬送機構206與基板載置部205干涉之虞。
本發明係基於該等研究及發現，藉由更深入研究而得者，且採用如下構成。即，本發明為基板處理裝置，且具備傳載部、及配置於上述傳載部之後方，並連接於上述傳載部之處理區塊；上述處理區塊具備：搬送空間，其於前後方向延伸；搬送機構，其設置於上述搬送空間，構成為可於上述前後方向平行移動，並搬送基板；第1處理單元，其配置於上述搬送空間之第1側方，處理基板；第2處理單元，其配置於上述搬送空間之第2側方，處理基板；及第1液體貯存部，貯存待分配至上述第1處理單元及上述第2處理單元之處理液；上述第1處理單元具備保持基板之第1保持部、及對保持於上述第1保持部之基板供給處理液之第1液體供給部，上述第2處理單元具備保持基板之第2保持部、及對保持於上述第2保持部之基板供給處理液之第2液體供給部，上述搬送機構將基板搬送至上述第1保持部與上述第2保持部，上述第1保持部具有於俯視下位於較上述第1處理單元之中心更後方之中心，上述第2保持部具有於俯視下位於較上述第2處理單元之中心更前方之中心，上述第2處理單元之前端配置於較上述第1處理單元之前端更後方，且配置於較上述第1處理單元之後端更前方，上述第1液體貯存部配置於上述搬送空間之上述第2側方，與上述第2處理單元之前方鄰接。
第1處理單元配置於搬送空間之第1側方。第1處理單元具備第1保持部。第1保持部之中心於俯視下位於較第1處理單元之中心更後方。第2處理單元配置於搬送空間之第2側方。第2處理單元具備第2保持部。第2保持部之中心於俯視下位於較第2處理單元之中心更前方。因此，可容易地將第1處理單元之構造與第2處理單元之構造共通化。可採用具有相同構造之2個處理單元，作為第1處理單元及第2處理單元。因此，於第1處理單元與第2處理單元之間，可容易地抑制對基板進行之處理之品質不均。
搬送機構將基板搬送至第1保持部與第2保持部。搬送機構構成為可於前後方向平行移動。因此，搬送機構可較佳地將基板搬送至第1保持部與第2保持部。
第2處理單元之前端配置於較第1處理單元之前端更後方。即，第2處理單元相對於第1處理單元向後方移位。第2處理單元之前端配置於較第1處理單元之後端更前方。因此，第2保持部未配置於非常後方。因此，較佳地減小前後方向上之搬送機構之移動距離。因此，搬送機構可效率良好地將基板搬送至第1保持部及第2保持部。其結果，第1處理單元與第2處理單元各自可效率良好地處理基板。
第1液體貯存部配置於搬送空間之第2側方。第1液體貯存部與第2處理單元之前方鄰接。如此，有效地利用第2處理單元之前方空間。因此，可抑制前後方向上之基板處理裝置之長度增大。
如上所述，根據本發明之基板處理裝置，可容易地將第1處理單元之構造與第2處理單元之構造共通化。其結果，可容易地使第1處理單元中之處理品質與第2處理單元中之處理品質均一化。再者，搬送機構可效率良好地將基板搬送至第1處理單元與第2處理單元。其結果，可較佳地提高基板處理裝置之産量。再者，可抑制基板處理裝置之佔地面積增大。
於上述之基板處理裝置中，較佳為上述第2保持部之上述中心配置於較上述第1保持部之上述中心更前方。第2處理單元不相對於第1處理單元向後方過度移位。因此，可抑制前後方向上之基板處理裝置之長度增大。
於上述之基板處理裝置中，較佳為於上述前後方向上，上述第1液體貯存部之前端配置於與上述第1處理單元之上述前端同等之位置。因此，可抑制前後方向上之基板處理裝置之長度增大。
，於第3連接箱46C內，連接於第3液體供給部27C。鄰接於部之後方，較佳為上述第1液體貯存部與上述傳載部之後方鄰接。可抑制前後方向上之處理區塊之長度增大。
於上述之基板處理裝置中，較佳為上述第2處理單元具有與上述第1處理單元繞鉛直軸旋轉180度之狀態者等同之構造。於第1處理單元與第2處理單元之間，容易將基板處理之品質均一化。
於上述之基板處理裝置中，較佳為具備載置於上述傳載部與上述搬送機構之間搬送之基板之基板載置部，上述基板載置部之至少一部分設置於上述搬送空間。基板處理裝置具備基板載置部。因此，搬送機構可容易地自傳載部接收基板。搬送機構可容易地將基板移交給傳載部。基板載置部之至少一部分設置於搬送空間。因此，搬送機構之可動區域限於基板載置部之後方。即便於上述情況下，搬送機構亦可容易地將基板搬送至第2保持部。這是因為第2處理單元相對於第1處理單元向後方移位。
於上述之基板處理裝置中，較佳為上述基板載置部配置於上述第1處理單元與上述第1液體貯存部之間。換言之，第1處理單元、基板載置部及第1液體貯存部較佳為依序排列於寬度方向。此處，寬度方向為與前後方向正交之水平之方向。基板載置部不會妨礙搬送機構將基板搬送至第2保持部。
於上述之基板處理裝置中，較佳為具備第3處理單元，其配置於上述搬送空間之上述第1側方，與上述第1處理單元之後方鄰接，並處理基板；及第4處理單元，配置於上述搬送空間之上述第2側方，與上述第2處理單元之後方鄰接，並處理基板；上述第3處理單元具備保持基板之第3保持部、及對保持於上述第3保持部之基板供給處理液之第3液體供給部，上述第4處理單元具備保持基板之第4保持部、及對保持於上述第4保持部之基板供給處理液之第4液體供給部，上述搬送機構將基板搬送至上述第3保持部與上述第4保持部，上述第1液體貯存部貯存待分配至上述第3處理單元與上述第4處理單元之處理液，上述第3保持部具有於俯視下位於較上述第3處理單元之中心更後方之中心，上述第4保持部具有於俯視下位於較上述第4處理單元之中心更前方之中心，上述第4處理單元之前端配置於較上述第3處理單元之前端更後方，且配置於較上述第3處理單元之後端更前方。
第3處理單元配置於搬送空間之第1側方。第3處理單元具備第3保持部。第3保持部之中心於俯視下位於較第3處理單元之中心更後方。第4處理單元配置於搬送空間之第2側方。第4處理單元具備第4保持部。第4保持部之中心於俯視下位於較第4處理單元之中心更前方。因此，可容易地將第1處理單元之構造與第3處理單元之構造共通化。可容易地將第1處理單元之構造與第4處理單元之構造共通化。可採用具有相同構造之4個處理單元，作為第1處理單元、第2處理單元、第3處理單元及第4處理單元。因此，於第1-第4處理單元之間，可容易地抑制對基板進行之處理之品質不均。
第4處理單元之前端配置於較第3處理單元之前端更後方。即，第4處理單元相對於第3處理單元向後方移位。第4處理單元之前端配置於較第3處理單元之後端更前方。因此，第3保持部未配置於非常後方。因此，較佳地減小前後方向上之搬送機構之移動距離。因此，搬送機構可效率良好地將基板搬送至第1-第4保持部。其結果，第1-第4處理單元各自可效率良好地處理基板。
於上述之基板處理裝置中，較佳為上述第3處理單元具有與上述第1處理單元等同之構造，上述第4處理單元具有與上述第1處理單元繞鉛直軸旋轉180度者等同之構造。於第1-第4處理單元之間，容易將基板處理之品質均一化。
於上述之基板處理裝置中，較佳為具備第2液體貯存部，其貯存待分配至上述第1處理單元、上述第2處理單元、上述第3處理單元及上述第4處理單元之處理液；上述第2液體貯存部較佳為配置於上述搬送空間之上述第1側方，與上述第3處理單元之後方鄰接。第2液體貯存部配置於搬送空間之第1側方。第2液體貯存部與第3處理單元之後方鄰接。如此，有效地利用第3處理單元之後方之空間。因此，可抑制前後方向上之基板處理裝置之長度增大。
於上述之基板處理裝置中，較佳為於上述前後方向上，上述第2液體貯存部之後端配置於與上述第4處理單元之後端同等之位置。可抑制前後方向上之基板處理裝置之長度增大。
於上述之基板處理裝置中，較佳為貯存於上述第2液體貯存部之處理液為與貯存於上述第1液體貯存部之處理液不同之種類。第1-第4處理單元分別可將2種處理液供給至基板。
於上述之基板處理裝置中，較佳為具備：上部空間，其形成於上述搬送空間、上述第1處理單元、上述第2處理單元、上述第3處理單元、上述第4處理單元、上述第1液體貯存部及上述第2液體貯存部之上方；第1分配部，其設置於上述上部空間，自上述第1液體貯存部，將處理液分配至上述第1處理單元、上述第2處理單元、上述第3處理單元及上述第4處理單元；及第2分配部，其設置於上述上部空間，自上述第2液體貯存部，將處理液分配至上述第1處理單元、上述第2處理單元、上述第3處理單元及上述第4處理單元。第1分配部及第2分配部設置於上部空間。因此，可較佳地抑制基板處理裝置之佔地面積增大。
於上述之基板處理裝置中，較佳為上述第2分配部於俯視下，與上述第1分配部旋轉180度之狀態者等同。容易將第1分配部之流路長度與第2分配部之流路長度均一化。
於上述之基板處理裝置中，較佳為具備：第1連接箱，其配置於上述第1處理單元之上方；第2連接箱，其配置於上述第2處理單元之上方；第3連接箱，其配置於上述第3處理單元之上方；及第4連接箱，其配置於上述第4處理單元之上方；上述第1分配部自上述第1液體貯存部，延伸至上述第1連接箱、上述第2連接箱、上述第3連接箱及上述第4連接箱，上述第2分配部自上述第2液體貯存部，延伸至上述第1連接箱、上述第2連接箱、上述第3連接箱及上述第4連接箱。第1分配部與第2分配部皆延伸至第1連接箱。同樣地，第1分配部與第2分配部皆延伸至第2-第4連接箱。因此，容易地將第1分配部之流路長度與第2分配部之流路長度均一化。
於上述之基板處理裝置中，較佳為於上述前後方向上，上述第1連接箱配置於較上述第1保持部更前方，於上述前後方向上，上述第2連接箱配置於較上述第2保持部更後方，於上述前後方向上，上述第3連接箱配置於較上述第3保持部更前方，於上述前後方向上，上述第4連接箱配置於較上述第4保持部更後方。可較佳地減小第1液體貯存部至第1連接箱之流路長度與第1液體貯存部至第2連接箱之流路長度之間之差。同樣地，可較佳地減小第1液體貯存部至第3連接箱之流路長度與第1液體貯存部至第4連接箱之流路長度之間之差。可較佳地減小第2液體貯存部至第1連接箱之流路長度與第2液體貯存部至第2連接箱之流路長度之間之差。可較佳地減小第2液體貯存部至第3連接箱之流路長度與第2液體貯存部至第4連接箱之流路長度之間之差。
於上述之基板處理裝置中，較佳為具備：第1接頭，其收納於上述第1連接箱，連接上述第1分配部與上述第1液體供給部；第2接頭，其收納於上述第2連接箱，連接上述第1分配部與上述第2液體供給部；第3接頭，其收納於上述第3連接箱，連接上述第1分配部與上述第3液體供給部；及第4接頭，其收納於上述第4連接箱，連接上述第1分配部與上述第4液體供給部。於第1-第4連接箱內，可較佳地裝卸第1分配部與第1-第4液體供給部。
於上述之基板處理裝置中，較佳為具備設置於上述上部空間，且大致平坦之踏板。基板處理裝置之使用者可踩踏於踏板上。因此，使用者例如可於踏板上進行保養作業。
於上述之基板處理裝置中，較佳為上述踏板配置於上述第1連接箱、上述第2連接箱、上述第3連接箱及上述第4連接箱之附近。使用者可容易地存取第1-第4連接箱。使用者可較佳地裝卸第1-第2分配部與第1-第4液體供給部。
於上述之基板處理裝置中，較佳為上述踏板通過上述第2連接箱及上述第3連接箱之間，自上述第1連接箱延伸至上述第4連接箱。使用者可容易地於第1-第4連接箱之間移動。
於上述之基板處理裝置中，較佳為上述踏板配置於上述第1分配部之至少一部分之上方。踏板較佳地保護第1分配部。
以下，參考圖式說明本發明之基板處理裝置。
1.基板處理裝置之概要 圖1係顯示實施形態之基板處理裝置1之內部之俯視圖。基板處理裝置1對基板(例如，半導體晶圓)W進行處理。
基板W例如為半導體晶圓、液晶顯示器用基板、有機EL(Electroluminescence)用基板、FPD(Flat Panel Display)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、光碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、太陽能電池用基板。基板W具有較薄之平板形狀。基板W於俯視下具有大致圓形狀。
基板處理裝置1具備傳載部3與處理區塊11。處理區塊11連接於傳載部3。傳載部3對處理區塊11供給基板W。處理區塊11對基板W進行處理。傳載部3自處理區塊11回收基板W。
本說明書中，為方便起見，將傳載部3與處理區塊11所排列之方向稱為「前後方向X」。前後方向X為水平。將前後方向X中自處理區塊11朝向傳載部3之方向稱為「前方」。將與前方相反之方向稱為「後方」。
處理區塊11配置於傳載部3之後方。
本說明書中，將與前後方向X正交之水平方向稱為「寬度方向Y」。將寬度方向Y之一方向適當稱為「右方」。將與右方相反之方向稱為「左方」。將相對於水平方向垂直之方向稱為「鉛直方向Z」。各圖中，作為參考，適當顯示前、後、右、左、上、下。
右方為本發明中之第1側方之例。左方為本發明中之第2側方之例。
傳載部3具備複數個(例如，4個)載體載置部4。載體載置部4於寬度方向Y上排列。各載體載置部4分別載置1個載體C。載體C收納複數片基板W。載體C例如為FOUP(front opening unified pod：前開式晶圓傳送盒)。
傳載部3具備搬送空間5。搬送空間5配置於載體載置部4之後方。
傳載部3具備搬送機構6。搬送機構6設置於搬送空間5。搬送機構6配置於載體載置部4之後方。搬送機構6搬送基板W。搬送機構6可存取載置於載體載置部4之載體C。
對搬送機構6之構造進行說明。搬送機構6具備手7及手驅動部8。手7以水平姿勢支持1片基板W。手驅動部8連結於手7。手驅動部8使手7移動。
例示手驅動部8之構造。手驅動部8具備第1驅動部8a與第2驅動部8b。第1驅動部8a本身不可於水平方向移動。第1驅動部8a支持第2驅動部8b。第1驅動部8a使第2驅動部8b於鉛直方向Z移動。第1驅動部8a進而使第2驅動部8b繞與鉛直方向Z平行之旋轉軸線旋轉。第2驅動部8b支持手7。第2驅動部8b使手7相對於第1驅動部8a於水平方向進退移動。第2驅動部8b例如由多關節臂構成。
根據上述手驅動部8，手7可於鉛直方向Z移動。手7可於水平方向移動。手7可於水平面內旋轉。
處理區塊11具備搬送空間12A。搬送空間12A於前後方向X延伸。搬送空間12A之前部與傳載部3之搬送空間5相連。搬送空間12A配置於寬度方向Y上之處理區塊11之中央部。
處理區塊11具備搬送機構13A。搬送機構13A設置於搬送空間12A。搬送機構13A可於前後方向X平行移動。換言之，搬送機構13A構成為於前後方向X進行平移運動。搬送機構13A搬送基板W。
搬送機構13A具備手14與手驅動部15。手14以水平姿勢支持1片基板W。手驅動部15連結於手14。手驅動部15使手14移動。手驅動部15使手14於前後方向X、寬度方向Y及鉛直方向Z移動。
例示手驅動部15之構造。手驅動部15例如具備2個支柱15a、垂直移動部15b、水平移動部15c、旋轉部15d、及進退移動部15e。支柱15a固定地設置。支柱15a配置於搬送空間12A之側部。2個支柱15a於前後方向X排列。各支柱15a於鉛直方向Z延伸。各支柱15a支持垂直移動部15b。垂直移動部15b跨及2個支柱15a之間於前後方向X延伸。垂直移動部15b相對於支柱15a於鉛直方向Z平行移動。垂直移動部15b支持水平移動部15c。水平移動部15c相對於垂直移動部15b於前後方向X平行移動。水平移動部15c支持旋轉部15d。旋轉部15d相對於水平移動部15c旋轉。旋轉部15d繞與鉛直方向Z平行之旋轉軸線旋轉。旋轉部15d支持進退移動部15e。進退移動部15e支持手14。進退移動部15e使手14相對於旋轉部15d進退移動。進退移動部15e使手14於根據旋轉部15d之朝向而決定之水平之一個方向往復移動。
根據上述手驅動部15，手14可於鉛直方向Z平行移動。手14可於前後方向X平行移動。手14可於水平面內旋轉。手14可相對於旋轉部15d進退移動。
基板處理裝置1具備基板載置部16A。基板載置部16A載置於傳載部3與搬送機構13A之間搬送之基板W。具體而言，基板載置部16A載置於搬送機構6與搬送機構13A之間搬送之基板W。搬送機構6可存取基板載置部16A。搬送機構13A亦可存取基板載置部16A。
基板載置部16A固定地設置。
基板載置部16A配置於搬送機構6之後方。基板載置部16A配置於搬送機構13A之前方。搬送機構13A之可動區域限於基板載置部16A之後方。
基板載置部16A之至少一部分設置於搬送空間12A。例如，整個基板載置部16A設置於搬送空間12A。
處理區塊11具備第1處理單元21A1、第2處理單元21B1、第3處理單元21C1、及第4處理單元21D1。第1處理單元21A1與第3處理單元21C1分別配置於搬送空間12A之右方。第3處理單元21C1與第1處理單元21A1之後方鄰接。具體而言，第3處理單元21C1配置於第1處理單元21A1之後方。第3處理單元21C1與第1處理單元21A1鄰接。第3處理單元21C1例如與第1處理單元21A1之後部相接。第2處理單元21B1與第4處理單元21D1分別配置於搬送空間12A之左方。第4處理單元21D1與第2處理單元21B1之後方鄰接。第1-第4處理單元21A1-21D1分別對基板W進行處理。
第2處理單元21B1相對於第1處理單元21A1向後方移位。具體而言，第1處理單元21A1具有前端22A與後端23A。第2處理單元21B1具有前端22B與後端23B。於前後方向X上，前端22B配置於較前端22A更後方。於前後方向X上，前端22B配置於較後端23A更前方。於前後方向X上，後端23B配置於較後端23A更後方。
第4處理單元21D1相對於第3處理單元21C1向後方移位。具體而言，第3處理單元21C1具有前端22C與後端23C。第4處理單元21D1具有前端22D與後端23D。於前後方向X上，前端22D配置於較前端22C更後方。於前後方向X上，前端22D配置於較後端23C更前方。於前後方向X上，後端23D配置於較後端23C更後方。
第1處理單元21A1與傳載部3之後方鄰接。
於前後方向X上，基板載置部16A之至少一部分配置於較第1處理單元21A1之前端22A更後方。例如，於前後方向X上，整個基板載置部16A配置於較第1處理單元21A1之前端22A更後方。
於前後方向X上，第2處理單元21B1之至少一部分配置於較基板載置部16A更後方。例如，於前後方向X上，整個第2處理單元21B1配置於較基板載置部16A更後方。
第1處理單元21A1具備第1保持部25A與第1液體供給部27A。第1保持部25A保持基板W。第1液體供給部27A對保持於第1保持部25A之基板W供給處理液。
同樣地，第2處理單元21B1具備第2保持部25B與第2液體供給部27B。第2保持部25B保持基板W。第2液體供給部27B對保持於第2保持部25B之基板W供給處理液。
第3處理單元21C1具備第3保持部25C與第3液體供給部27C。第3保持部25C保持基板W。第3液體供給部27C對保持於第3保持部25C之基板W供給處理液。
第4處理單元21D1具備第4保持部25D與第4液體供給部27D。第4保持部25D保持基板W。第4液體供給部27D對保持於第4保持部25D之基板W供給處理液。
另，第1液體供給部27A不對保持於第2-第4保持部25B-25D之基板W供給處理液。第1液體供給部27A僅對保持於第1保持部25A之基板W供給處理液。第2-第4液體供給部27B-27D亦與第1液體供給部27A同樣。
搬送機構13A將基板W搬送至第1-第4保持部25A-25D。
第1處理單元21A1具備第1搬送口28A。圖1為方便起見，以虛線顯示第1搬送口28A。第1搬送口28A面向搬送空間12A。基板W可通過第1搬送口28A。於搬送機構13A將基板W搬送至第1保持部25A時，搬送機構13A使基板W進入第1搬送口28A。同樣地，第2、第3、第4處理單元21B1、21C1、21D1各自具備第2、第3、第4搬送口28B、28C、28D。
第1保持部25A接近第1處理單元21A1之後端23A。具體而言，第1處理單元21A1於俯視下，具有中心24A。中心24A位於與前端22A及後端23A等距處。第1保持部25A於俯視下，具有中心26A。中心26A於俯視下，位於較中心24A更後方。
第2保持部25B接近第2處理單元21B1之前端22B。具體而言，第2處理單元21B1於俯視下，具有中心24B。中心24B位於與前端22B及後端23B等距處。第2保持部25B於俯視下，具有中心26B。中心26B於俯視下，位於較中心24B更前方。
第3保持部25C接近第3處理單元21C1之後端23C。具體而言，第3處理單元21C1於俯視下，具有中心24C。中心24C位於與前端22C及後端23C等距處。第3保持部25C於俯視下，具有中心26C。中心26C於俯視下，位於較中心24C更後方。
第4保持部25D接近第4處理單元21D1之前端22D。具體而言，第4處理單元21D1於俯視下，具有中心24D。中心24D位於與前端22D及後端23D等距處。第4保持部25D於俯視下，具有中心26D。中心26D於俯視下，位於較中心24D更前方。
此處，第2保持部25B於前後方向X上，配置於較第1保持部25A更前方。第2保持部25B之中心26B於前後方向X上，配置於較第1保持部25A之中心26A更前方。第4保持部25D於前後方向X上，配置於較第3保持部25C更前方。第4保持部25D之中心26D於前後方向X上，配置於較第3保持部25C之中心26C更前方。於前後方向X上，第2保持部25B於第1-第4保持部25A-25D中位於最前方。於前後方向X上，第3保持部25C於第1-第4保持部25A-25D中位於最後方。
於前後方向X上，第2保持部25B配置於較基板載置部16A更後方。具體而言，於前後方向X上，整個第2保持部25B配置於較基板載置部16A更後方。於前後方向X上，第1保持部25A亦配置於較基板載置部16A更後方。
圖1顯示距離L。距離L為中心26B與中心26C之間之前後方向X上之距離。距離L相當於搬送機構13A將基板W搬送至第1-第4保持部25A-25D時之前後方向X上之搬送機構13A之移動距離。
第2處理單元21B1具有與第1處理單元21A1繞鉛直軸旋轉180度之狀態者等同之構造。因此，第2處理單元21B1之構造與第1處理單元21A1之構造共通。具體而言，第2保持部25B、第2液體供給部27B及第2搬送口28B之相對位置與第1保持部25A、第1液體供給部27A及第1搬送口28A之相對位置相同。
第3處理單元21C1具有與第1處理單元21A1等同之構造。即，第3處理單元21C1之構造與第1處理單元21A1之構造共通。具體而言，第3保持部25C、第3液體供給部27C及第3搬送口28C之相對位置與第1保持部25A、第1液體供給部27A及第1搬送口28A之相對位置相同。
第4處理單元21D1具有與第1處理單元21A1繞鉛直軸旋轉180度之狀態者等同之構造。因此，第4處理單元21D1之構造與第1處理單元21A1之構造共通。具體而言，第4保持部25D、第4液體供給部27D及第4搬送口28D之相對位置與第1保持部25A、第1液體供給部27A及第1搬送口28A之相對位置相同。
處理區塊11具備第1液體貯存部31。第1液體貯存部31配置於搬送空間12A之左方。第1液體貯存部31與第2處理單元21B1之前方鄰接。第1液體貯存部31貯存被分配至第1-第4處理單元21A1-21D1之處理液。
第1液體貯存部31具有前端31f。於前後方向Y上，前端31f配置於與第1處理單元21A1之前端22A同等之位置。
第1液體貯存部31與傳載部3之後方鄰接。
基板載置部16A配置於第1處理單元21A1與第1液體貯存部31之間。第1處理單元21A1、基板載置部16A及第1液體貯存部31於寬度方向Y上依序排列。
處理區塊11具備第2液體貯存部32。第2液體貯存部32配置於搬送空間12A之右方。第2液體貯存部32與第3處理單元21C1之後方鄰接。第2液體貯存部32貯存被分配至第1-第4處理單元21A1-21D1之處理液。
第2液體貯存部32具有後端32r。於前後方向Y上，後端32r配置於與第4處理單元21D1之後端23D同等之位置。
貯存於第2液體貯存部32之處理液之種類與貯存於第1液體貯存部31之處理液不同。第2液體貯存部32貯存與貯存於第1液體貯存部31之處理液不同種類之處理液。貯存於第2液體貯存部32之處理液之組成與貯存於第1液體貯存部31之處理液不同。第2液體貯存部32貯存與貯存於第1液體貯存部31之處理液不同組成之處理液。
具體而言，貯存於第1液體貯存部31之處理液為第1處理液。第1處理液例如被分類至酸性液體。第1處理液例如包含氫氟酸(氟化氫酸)、鹽酸雙氧水、硫酸、硫酸雙氧水、氟硝酸(氟酸與硝酸之混合液)、及鹽酸之至少1個。
貯存於第2液體貯存部32之處理液為第2處理液。第2處理液例如被分類至有機液體。有機液體包含異丙醇(IPA：Isopropyl Alcohol)、甲醇、乙醇、氫氟醚(HFE：Hydrofluoroether)、及丙酮之至少1個。
2.處理區塊11之構造 圖2係顯示寬度方向上之基板處理裝置之中央部之構成之左側視圖。圖3係處理區塊之前視圖。處理區塊11除搬送空間12A外，還具備搬送空間12B。搬送空間12B配置於搬送空間12A之下方。搬送空間12B亦與傳載部3之搬送空間5相連。搬送空間12B於俯視下，配置於與搬送空間12A相同之位置。
處理區塊11具備1個隔板17。隔板17配置於搬送空間12A之下方、且搬送空間12B之上方。隔板17具有水平之板形狀。隔板17將搬送空間12A與搬送空間12B隔開。
處理區塊11除搬送機構13A外，還具備搬送機構13B。搬送機構13B設置於搬送空間12B。搬送機構13B設置於搬送機構13A之下方。搬送機構13B可於前後方向X平行移動。搬送機構13B搬送基板W。搬送機構13B具有與搬送機構13A之構造相同之構造。具體而言，搬送機構13B亦具備手14與手驅動部15。
處理區塊11除基板載置部16A外，還具備基板載置部16B。基板載置部16B載置於傳載部3與搬送機構13B之間搬送之基板W。搬送機構6與搬送機構13B分別可存取基板載置部16B。基板載置部16B配置於基板載置部16A之下方。基板載置部16B於俯視下，配置於與基板載置部16A相同之位置。
參考圖3、圖4。圖4係顯示基板處理裝置1之右部之構成之右側視圖。處理區塊11除第1處理單元21A1外，還具備5個第1處理單元21A2-21A6。第1處理單元21A2-21A6各自具有與第1處理單元21A1相同之構造。
第1處理單元21A1-21A6於鉛直方向Z上排列成1行。將第1處理單元21A1-21A6積層。將第1處理單元21A1-21A3配置於與搬送空間12A相同高度之位置。搬送機構13A將基板W搬送至第1處理單元21A1-21A3。第1處理單元21A4-21A6配置於第1處理單元21A1-21A3之下方。第1處理單元21A4-21A6配置於與搬送空間12B相同高度之位置。搬送機構13B將基板W搬送至第1處理單元21A4-21A6。
參考圖4。處理區塊11除第3處理單元21C1外，還具備5個第3處理單元21C2-21C6。第3處理單元21C2-21C6各自具有與第1處理單元21A1相同之構造。
第3處理單元21C1-21C6於鉛直方向Z上排列成1行。將第3處理單元21C1-21C6積層。第3處理單元21C4-21C6配置於第3處理單元21C1-21C3之下方。
圖5係顯示基板處理裝置1之左部之構成之左側視圖。處理區塊11除第2處理單元21B1外，還具備5個第2處理單元21B2-21B6。第2處理單元21B2-21B6各自具有與第1處理單元21A1共通之構造。
第2處理單元21B1-21B6於鉛直方向Z上排列成1行。將第2處理單元21B1-21B6積層。第2處理單元21B4-21B6配置於第2處理單元21B1-21B3之下方。
同樣地，處理區塊11除第4處理單元21D1外，還具備5個第4處理單元21D2-21D6。第4處理單元21D2-21D6各自具有與第1處理單元21A1共通之構造。
第4處理單元21D1-21D6於鉛直方向Z上排列成1行。將第4處理單元21D1-21D6積層。第4處理單元21D4-21D6配置於第4處理單元21D1-21D3之下方。
搬送機構13A將基板W搬送至第2處理單元21B1-21B3、第3處理單元21C1-21C3、及第4處理單元21D1-21D3。搬送機構13B將基板W搬送至第2處理單元21B4-21B6、第3處理單元21C4-21C6、及第4處理單元21D4-21D6。
於不區分第1處理單元21A1-21A6之情形時，將其稱為第1處理單元21A。於不區分第2處理單元21B1-21B6之情形時，將其稱為第2處理單元21B。於不區分第3處理單元21C1-21C6之情形時，將其稱為第3處理單元21C。於不區分第4處理單元21D1-21D6之情形時，將其稱為第4處理單元21D。於不區分搬送空間12A、12B之情形時，將其稱為搬送空間12。
第1液體貯存部31具備第1槽33與第1泵34。第1槽33為貯存處理液之容器。第1槽33貯存處理液(具體而言為第1處理液)。第1泵34連通於第1槽33。例如，第1泵34連接於第1槽33。第1泵34壓送處理液。
第1液體貯存部31具備櫃體35。櫃體35於櫃體35之內部劃分收納空間35a。第1槽33與第1泵34設置於收納空間35a。櫃體35將收納空間35a與搬送空間12隔開。櫃體35將收納空間35a與第2處理單元21B隔開。
參考圖4。第2液體貯存部32具備第2槽36與第2泵37。第2槽36為貯存處理液之容器。第2槽36貯存處理液(具體而言為第2處理液)。第2泵37連通於第2槽36。例如，第2泵37連接於第2槽36。第2泵37壓送處理液。
第2液體貯存部32具備櫃體38。櫃體38於櫃體38之內部劃分收納空間38a。第2槽36與第2泵37設置於收納空間38a。櫃體38將收納空間38a與搬送空間12隔開。櫃體38將收納空間38a與第3處理單元21C隔開。
參考圖2至圖5。基板處理裝置1具備上部空間39。上部空間39形成於搬送空間12、第1處理單元21A、第2處理單元21B、第3處理單元21C、第4處理單元21D、第1液體貯存部31及第2液體貯存部32之上方。
基板處理裝置1具備隔板40。隔板40具有水平之板形狀。隔板40配置於搬送空間12、第1-第4處理單元21A-21D、第1液體貯存部31及第2液體貯存部32之上方。隔板40配置於上部空間39之下方。隔板40將上部空間39與搬送空間12隔開。同樣地，隔板40將上部空間39與第1-第4處理單元21A-21D隔開。隔板40將上部空間39與第1-第2液體貯存部31-32隔開。
參考圖4至圖6。圖6為基板處理裝置1之俯視圖。圖6顯示上部空間39。基板處理裝置1具備第1分配部41。第1分配部41設置於上部空間39。第1分配部41自第1液體貯存部31，將處理液分配至第1處理單元21A、第2處理單元21B、第3處理單元21C及第4處理單元21D。
第1分配部41於大致水平方向延伸。第1分配部41自第1液體貯存部31向後方延伸。
具體而言，第1分配部41連通於第1泵34。例如，第1分配部41連接於第1泵34。第1分配部41連通於第1液體供給部27A、第2液體供給部27B、第3液體供給部27C及第4液體供給部27D。例如，第1分配部41連接於第1液體供給部27A、第2液體供給部27B、第3液體供給部27C及第4液體供給部27D。
基板處理裝置1具備第2分配部42。第2分配部42設置於上部空間39。第2分配部42自第2液體貯存部32，將處理液分配至第1處理單元21A、第2處理單元21B、第3處理單元21C及第4處理單元21D。
第2分配部42於大致水平方向延伸。第2分配部42自第2液體貯存部32向前方延伸。
具體而言，第2分配部42連通於第2泵37。例如，第2分配部42連接於第2泵37。第2分配部42連通於第1液體供給部27A、第2液體供給部27B、第3液體供給部27C及第4液體供給部27D。例如，第2分配部42連接於第1液體供給部27A、第2液體供給部27B、第3液體供給部27C及第4液體供給部27D。
參考圖6。第2分配部42於俯視下，與第1分配部41旋轉180度之狀態者等同。換言之，第2分配部42具有與第1分配部41繞鉛直軸旋轉180度之狀態者等同之構造。
具體而言，第1分配部41具備第1配管43A、第2配管43B、第3配管43C、及第4配管43D。第1配管43A使第1液體貯存部31與第1處理單元21A(第1液體供給部27A)連通。第1配管43A連接第1液體貯存部31與第1處理單元21A(第1液體供給部27A)。第2配管43B使第1液體貯存部31與第2處理單元21B(第2液體供給部27B)連通。第2配管43B連接第1液體貯存部31與第2處理單元21B(第2液體供給部27B)。第3配管43C使第1液體貯存部31與第3處理單元21C(第3液體供給部27C)連通。第3配管43C連接第1液體貯存部31與第3處理單元21C(第3液體供給部27C)。第4配管43D使第1液體貯存部31與第4處理單元21D(第4液體供給部27D)連通。第4配管43D連接第1液體貯存部31與第4處理單元21D(第4液體供給部27D)。
第2分配部42具備第5配管44A、第6配管44B、第7配管44C、及第8配管44D。第5配管44A使第2液體貯存部32與第1處理單元21A(第1液體供給部27A)連通。第5配管44A連接第2液體貯存部32與第1處理單元21A(第1液體供給部27A)。第6配管44B使第2液體貯存部32與第2處理單元21B(第2液體供給部27B)連通。第6配管44B連接第2液體貯存部32與第2處理單元21B(第2液體供給部27B)。第7配管44C使第2液體貯存部32與第3處理單元21C(第3液體供給部27C)連通。第7配管44C連接第2液體貯存部32與第3處理單元21C(第3液體供給部27C)。第8配管44D使第2液體貯存部32與第4處理單元21D(第4液體供給部27D)連通。第8配管44D連接第2液體貯存部32與第4處理單元21D(第4液體供給部27D)。
此處，第8配管44D於俯視下，與第1配管43A旋轉180度之狀態者等同。換言之，第8配管44D具有與第1配管43A繞鉛直軸旋轉180度之狀態者等同之形狀。第7配管44C於俯視下，與第2配管43B旋轉180度之狀態者等同。第6配管44B於俯視下，與第3配管43C旋轉180度之狀態者等同。第5配管44A於俯視下，與第4配管43D旋轉180度之狀態者等同。
寬度方向Y上之第1配管43A之長度較寬度方向Y上之第2配管43B之長度大。但，前後方向X上之第1配管43A之長度較前後方向X上之第2配管43B之長度小。因此，第1配管43A之長度與第2配管43B之長度之間之差相對較小。
寬度方向Y上之第3配管43C之長度較寬度方向Y上之第4配管43D之長度大。但，前後方向X上之第3配管43C之長度較前後方向X上之第4配管43D之長度小。因此，第3配管43C之長度與第4配管43D之長度之間之差相對較小。
寬度方向Y上之第5配管44A之長度較寬度方向Y上之第6配管44B之長度小。但，前後方向X上之第5配管44A之長度較前後方向X上之第6配管44B之長度大。因此，第5配管44A之長度與第6配管44B之長度之間之差相對較小。
寬度方向Y上之第7配管44C之長度較寬度方向Y上之第8配管44D之長度小。但，前後方向X上之第7配管44C之長度較前後方向X上之第8配管44D之長度大。因此，第7配管44C之長度與第8配管44D之長度之間之差相對較小。
基板處理裝置1具備第1連接箱46A、第2連接箱46B、第3連接箱46C、及第4連接箱46D。第1連接箱46A、第3連接箱46C及第2液體貯存部32依序排列於前後方向X。第1液體貯存部31、第2連接箱46B及第4連接箱46D依序排列於前後方向X。第1連接箱46A與第1液體貯存部31排列於寬度方向Y。第2連接箱46B與第3連接箱46C排列於寬度方向Y。第4連接箱46D與第2液體貯存部32排列於寬度方向Y。
第1分配部41自第1液體貯存部31，延伸至第1連接箱46A、第2連接箱46B、第3連接箱46C及第4連接箱46D。具體而言，第1配管43A自第1液體貯存部31延伸至第1連接箱46A。第2配管43B自第1液體貯存部31延伸至第2連接箱46B。第3配管43C自第1液體貯存部31延伸至第3連接箱46C。第4配管43D自第1液體貯存部31延伸至第4連接箱46D。
第2分配部42自第2液體貯存部32延伸至第1連接箱46A、第2連接箱46B、第3連接箱46C及第4連接箱46D。具體而言，第5配管44A自第2液體貯存部32延伸至第1連接箱46A。第6配管44B自第2液體貯存部32延伸至第2連接箱46B。第7配管44C自第2液體貯存部32延伸至第3連接箱46C。第8配管44D自第2液體貯存部32延伸至第4連接箱46D。
參考圖4。第1連接箱46A與第3連接箱46C分別配置於上部空間39。第1連接箱46A與第3連接箱46C配置於大致相同高度之位置。
第1連接箱46A配置於第1處理單元21A之上方。於前後方向X上，第1連接箱46A配置於較第1保持部25A更前方。
第3連接箱46C配置於第3處理單元21C之上方。於前後方向X上，第3連接箱46C配置於較第3保持部25C更前方。
參考圖5。第2連接箱46B與第4連接箱46D分別配置於上部空間39。第2連接箱46B與第4連接箱46D配置於大致相同高度之位置。
第2連接箱46B配置於第2處理單元21B之上方。於前後方向X上，第2連接箱46B配置於較第2保持部25B更後方。
第4連接箱46D配置於第4處理單元21D之上方。於前後方向X上，第4連接箱46D配置於較第4保持部25D更後方。
參考圖3。第1連接箱46A與第2連接箱46B配置於大致相同高度之位置。因此，第1-第4連接箱46A-46D配置於大致相同高度之位置。
參考圖4。第1分配部41及第2分配部42分別連通於第1液體供給部27A。第1分配部41及第2分配部42於第1連接箱46A內，分別連接於第1液體供給部27A。第1分配部41及第2分配部42分別連通於第3液體供給部27C。第1分配部41及第2分配部42於第3連接箱46C內，分別連接於第3液體供給部27C。
基板處理裝置1具備第1接頭47A與第5接頭48A。第1接頭47A收納於第1連接箱46A。第1接頭47A連接第1分配部41(具體而言為第1配管43A)與第1液體供給部27A。第5接頭48A收納於第1連接箱46A。第5接頭48A連接第2分配部42(具體而言為第5配管44A)與第1液體供給部27A。
基板處理裝置1具備第3接頭47C與第7接頭48C。第3接頭47C收納於第3連接箱46C。第3接頭47C連接第1分配部41(具體而言為第3配管43C)與第3液體供給部27C。第7接頭48C收納於第3連接箱46C。第7接頭48C連接第2分配部42(具體而言為第7配管44C)與第3液體供給部27C。
參考圖5。第1分配部41及第2分配部42分別連通於第2液體供給部27B。第1分配部41及第2分配部42於第2連接箱46B內，分別連接於第2液體供給部27B。第1分配部41及第2分配部42分別連通於第4液體供給部27D。第1分配部41及第2分配部42於第4連接箱46D內，分別連接於第4液體供給部27D。
基板處理裝置1具備第2接頭47B與第6接頭48B。第2接頭47B收納於第2連接箱46B。第2接頭47B連接第1分配部41(具體而言為第2配管43B)與第2液體供給部27B。第6接頭48B收納於第2連接箱46B。第6接頭48B連接第2分配部42(具體而言為第6配管44B)與第2液體供給部27B。
基板處理裝置1具備第4接頭47D與第8接頭48D。第4接頭47D收納於第4連接箱46D。第4接頭47D連接第1分配部41(具體而言為第4配管43D)與第4液體供給部27D。第8接頭48D收納於第4連接箱46D。第8接頭48D連接第2分配部42(具體而言為第8配管44D)與第4液體供給部27D。
參考圖3、圖6。基板處理裝置1進而具備排氣管53A、53B、54A、54B、55A、55B。排氣管53A、53B、54A、54B、55A、55B分別配置於上部空間39。排氣管53A、54A、55A分別將第1處理單元21A及第3處理單元21C之氣體排出。排氣管53B、54B、55B分別將第2處理單元21B及第4處理單元21D之氣體排出。
排氣管53A、54A、55A配置於較第1分配部41及第2分配部42更靠右方。排氣管53A、54A、55A配置於較第1-第4連接箱46A-46D更靠右方。排氣管53B、54B、55B配置於較第1分配部41及第2分配部42更靠左方。排氣管53B、54B、55B配置於較第1-第4連接箱46A-46D更靠左方。
排氣管53A、54A、55A配置於大致相同高度之位置。排氣管53B、54B、55B配置於大致相同高度之位置。排氣管53B、54B、55B配置於與排氣管53A、54A、55A大致相同高度之位置。排氣管53A、53B、54A、54B、55A、55B配置於與第1-第4連接箱46A-46D大致相同高度之位置。
參考圖2至圖5。基板處理裝置1具備踏板57。踏板57設置於上部空間39。踏板57具有大致平坦之形狀。另，圖6省略踏板57之圖示。
踏板57容許使用者踩踏於踏板57上。踏板57牢固地支持於處理區塊11。踏板57例如牢固地支持於處理區塊11之框架59。踏板57具有充足之剛性。踏板57具有充足之強度。踏板57較隔板40不易彎曲。
圖7為基板處理裝置1之俯視圖。踏板57配置於第1分配部41之至少一部分之上方。踏板57保護第1分配部41免受損傷。踏板57配置於第2分配部42之至少一部分之上方。踏板57保護第2分配部42免受損傷。
踏板57配置於排氣管53A、54A、55A之至少一部分之上方。踏板57保護排氣管53A、54A、55A免受損傷。踏板57配置於排氣管53B、54B、55B之至少一部分之上方。踏板57保護排氣管53B、54B、55B免受損傷。
踏板57配置於第1連接箱46A、第2連接箱46B、第3連接箱46C及第4連接箱46D之附近。
踏板57通過第2連接箱46B與第3連接箱46C之間，自第1連接箱46A延伸至第4連接箱46D。踏板57於前後方向X延伸。
3.處理單元21之構造 以下，於不區分第1-第4處理單元21A-21D之情形時，將其稱為處理單元21。於不區分第1-第4保持部25A-25D之情形時，將其稱為保持部25。於不區分第1-第4液體供給部27A-27D情形時，將其稱為液體供給部27。於不區分第1-第4連接箱46A-46D情形時，將其稱為連接箱46。於不區分第1-第4接頭47A-47D之情形時，將其稱為接頭47。於不區分第5-第8接頭48A-48D之情形時，將其稱為接頭48。於不區分排氣管53A、53B之情形時，將其稱為排氣管53。於不區分排氣管54A、54B之情形時，將其稱為排氣管54。於不區分排氣管55A、55B之情形時，將其稱為排氣管55。
圖8係處理單元21之側視圖。如上所述，處理單元21具備保持部25與液體供給部27。
再者，處理單元21具備處理殼體61。處理殼體61與搬送空間12鄰接。處理殼體61例如具有箱形狀。處理殼體61於處理殼體61之內部劃分處理空間62。處理殼體61收納保持部25。保持部25設置於處理殼體61之內部。
保持部25以水平姿勢保持1片基板W。
處理單元21具備旋轉驅動部63。旋轉驅動部63設置於處理殼體61之內部。旋轉驅動部63連結於保持部25。旋轉驅動部63使保持部25旋轉。例如，第1保持部25A構成為繞中心26A旋轉。例如，第2保持部25B構成為繞中心26B旋轉。例如，第3保持部25C構成為繞中心26C旋轉。例如，第4保持部25D構成為繞中心26D旋轉。保持於保持部25之基板W與保持部25一體旋轉。
液體供給部27具備噴出調整部70與噴出部77。噴出調整部70連通於第1分配部41及第2分配部42。例如，噴出調整部70連接於第1分配部41及第2分配部42。噴出調整部70配置於處理殼體61之外部。噴出部77配置於處理殼體61之內部。噴出部77連通於噴出調整部70。例如，噴出部77連接於噴出調整部70。噴出部77對保持於保持部25之基板W噴出處理液。噴出調整部70對噴出部77供給處理液，且停止對噴出部77供給處理液。
具體而言，噴出調整部70具備第1噴出調整部71與第2噴出調整部72。第1噴出調整部71連通於第1分配部41。例如，第1噴出調整部71連接於第1分配部41。第2噴出調整部72連通於第2分配部42。例如，第2噴出調整部72連接於第2分配部42。
第1噴出調整部71具備配管73與閥74。配管73延伸至連接箱46。配管73經由接頭47連通於第1分配部41。例如，配管73經由接頭47，連接於第1分配部41。閥74設置於配管73。同樣地，第2噴出調整部72具備配管75與閥76。配管75延伸至連接箱46。配管75經由接頭48，與第2分配部42連通。例如，配管75經由接頭48，連接於第2分配部42。閥76設置於配管75。
噴出部77具備第1噴嘴78與第2噴嘴79。第1噴嘴78連通於第1噴出調整部71(具體而言為配管73)。例如，第1噴嘴78連接於第1噴出調整部71(具體而言為配管73)。第2噴嘴79連通於第2噴出調整部72(具體而言為配管75)。例如，第2噴嘴79連接於第2噴出調整部72(具體而言為配管75)。第1噴嘴78噴出處理液(具體而言為第1處理液)。第2噴嘴79噴出處理液(具體而言為第2處理液)。
另，液體供給部27不具備貯存處理液之槽。液體供給部27不具備壓送處理液之泵。
處理單元21具備杯80。杯80設置於處理殼體61之內部。杯80具有大致筒形狀。杯80配置於保持部25之周圍。杯80接收自保持於保持部25之基板W飛散出之處理液。
處理單元21具備氣體排出部81。氣體排出部81將處理殼體61之內部之氣體排出。氣體排出部81之至少一部分配置於處理殼體61之外部。
氣體排出部81具備切換機構82與複數個(例如，3個)排氣管83、84、85。切換機構82連接於處理殼體61。排氣管83-85分別連接於切換機構82。排氣管83連接於排氣管53。排氣管84連接於排氣管54。排氣管85連接於排氣管55。切換機構82使處理殼體61連通於排氣管83-85之1者。切換機構82於排氣管83-85之間切換處理殼體61之排氣路。具體而言，切換機構82切換為第1狀態、第2狀態、及第3狀態。於第1狀態下，切換機構82使處理殼體61連通於排氣管83，且將處理殼體61自排氣管84、85遮斷。於第1狀態下，專門由排氣管83自處理殼體61排出氣體。即，於第1狀態下，排氣管84不自處理殼體61排出氣體，排氣管85亦不自處理殼體61排出氣體。於第2狀態下，切換機構82使處理殼體61連通於排氣管84，且將處理殼體61自排氣管83、85遮斷。於第2狀態下，專門由排氣管84自處理殼體61排出氣體。於第3狀態下，切換機構82使處理殼體61連通於排氣管85，且將處理殼體61自排氣管83、84遮斷。於第3狀態下，專門由排氣管85自處理殼體61排出氣體。
4.基板處理裝置1之動作例 簡單地說明基板處理裝置1之動作例。以下，於不區分搬送空間12A、12B之情形時，將其稱為搬送空間12。於不區分搬送機構13A、13B之情形時，將其稱為搬送機構13。於不區分基板載置部16A、16B之情形時，將其稱為基板載置部16。於不區分第1-第4搬送口28A-28D之情形時，將其稱為搬送口28。
傳載部3對處理區塊11供給基板W。具體而言，搬送機構6自載體C向基板載置部16搬送基板W。例如，搬送機構6交替將基板W移交給基板載置部16A、16B。
搬送機構13經由基板載置部16，自傳載部3接收基板W。且，搬送機構13自基板載置部16將基板W搬送至1個處理單元21。具體而言，搬送機構13於前後方向X平行移動。且，搬送機構13於與保持部25對向之位置停止。搬送機構13通過搬送口28，將基板W移交給保持部25。
將處理液(第1處理液)自第1液體貯存部31，通過第1分配部41，分配至處理單元21(液體供給部27)。將處理液(第2處理液)自第2液體貯存部32，通過第2分配部42，分配至處理單元21(液體供給部27)。
處理單元21處理基板W。具體而言，保持部25保持基板W。旋轉驅動部63使保持於保持部25之基板W旋轉。液體供給部27對保持於保持部25之基板W供給處理液。杯80接收自基板W飛散出之處理液。氣體排出部81將處理空間62之氣體排出。
例如，第1噴出調整部71對第1噴嘴78供給第1處理液。第1噴嘴78將第1處理液噴出至基板W。切換機構82將處理殼體61之排氣路切換為排氣管83。氣體自處理殼體61流至排氣管83，並自排氣管83流至排氣管53。其後，第1噴出調整部71停止對第1噴嘴78供給第1處理液。第1噴嘴78停止噴出第1處理液。
接著，第2噴出調整部72對第2噴嘴79供給第2處理液。第2噴嘴79將第2處理液噴出至基板W。切換機構82將處理殼體61之排氣路切換為排氣管84。氣體自處理殼體61流至排氣管84，並自排氣管84流至排氣管54。其後，第2噴出調整部72停止對第2噴嘴79供給第2處理液。第2噴嘴79停止噴出第2處理液。
於處理單元21處理完基板W後，處理區塊11使經處理之基板W返回至傳載部3。具體而言，搬送機構13自處理單元21(保持部25)將基板W搬送至基板載置部16。
傳載部3自處理區塊11回收基板W。具體而言，搬送機構6自基板載置部16將基板W搬送至載體C。
5.實施形態之效果 基板處理裝置1具備傳載部3與處理區塊11。處理區塊11配置於傳載部3之後方。處理區塊11連接於傳載部3。處理區塊11具備搬送空間12A、搬送機構13A、第1處理單元21A1、及第2處理單元21B1。搬送空間12A於前後方向X延伸。搬送機構13A設置於搬送空間12A。搬送機構13A搬送基板W。第1處理單元21A1處理基板W。第2處理單元21B1處理基板W。第1處理單元21A1具備第1保持部25A與第1液體供給部27A。第1保持部25A保持基板W。第1液體供給部27A對保持於第1保持部25A之基板W供給處理液。第2處理單元21B1具備第2保持部25B與第2液體供給部27B。第2保持部25B保持基板W。第2液體供給部27B對保持於第2保持部25B之基板W供給處理液。
此處，第1處理單元21A1配置於搬送空間12A之右方。第1保持部25A之中心26A於俯視下，位於較第1處理單元21A1之中心24A更後方。第2處理單元21B1配置於搬送空間12A之左方。第2保持部25B之中心26B於俯視下，位於較第2處理單元21B1之中心24B更前方。因此，可容易地將第1處理單元21A1之構造與第2處理單元21B1之構造共通化。可採用具有相同構造之2個處理單元，作為第1處理單元21A1及第2處理單元21B1。因此，於第1處理單元21A1與第2處理單元21B1之間，可容易地抑制對基板W進行之處理品質不均。即，對基板W進行之處理品質易於第1處理單元21A1與第2處理單元21B1之間均一化。再者，可容易地將第1處理單元21A1之零件及第2處理單元21B1之零件共通化。
搬送機構13A將基板W搬送至第1保持部25A與第2保持部25B。搬送機構13A構成為可於前後方向X平行移動。因此，搬送機構13A可較佳地將基板W搬送至第1保持部25A與第2保持部25B。
第2處理單元21B1之前端22B配置於較第1處理單元21A1之前端22A更後方。即，第2處理單元21B1相對於第1處理單元21A1向後方移位。第2處理單元21B1之前端22B配置於較第1處理單元21A1之後端23A更前方。因此，第2保持部25B未配置於非常後方。前後方向X上之第1保持部25A與第2保持部25B之間之距離不會過長。因此，較佳地減小前後方向X上之搬送機構13A之移動距離。具體而言，距離L相對較短。
參考圖1、圖10。圖10係比較例之基板處理裝置201之俯視圖。圖10顯示距離M。距離M為保持部208B與保持部208C之前後方向X上之距離。基板處理裝置1中之距離L較基板處理裝置201中之距離M短。前後方向X上之第1保持部25A與第2保持部25B之間之距離較前後方向X上之保持部208A與保持部208B之間之距離短。因此，搬送機構13A可效率良好地將基板W搬送至第1保持部25A及第2保持部25B。其結果，第1處理單元21A1與第2處理單元21B1各自可效率良好地處理基板W。較佳地提高基板處理裝置1之産量。
處理區塊11具備第1液體貯存部31。第1液體貯存部31貯存待分配至第1處理單元21A1及第2處理單元21B1之處理液。第1液體貯存部31配置於搬送空間12A之左方。第1液體貯存部31與第2處理單元21B1之前方鄰接。如此，有效地利用第2處理單元21B1之前方之空間。因此，可抑制前後方向X上之基板處理裝置1之長度增大。基板處理裝置1之佔據面積不過度增大。
如上所述，根據實施形態之基板處理裝置1，可容易地將第1處理單元21A1之構造與第2處理單元21B1之構造共通化。其結果，可容易地使第1處理單元21A1中之處理品質與第2處理單元21B1中之處理品質均一化。再者，搬送機構13A可效率良好地將基板W搬送至第1處理單元21A1與第2處理單元21B1。其結果，可較佳地提高基板處理裝置1之産量。再者，可抑制基板處理裝置1之佔據面積增大。
第2保持部25B之中心26B配置於較第1保持部25A之中心26A更前方。因此，第2處理單元21B1未相對於第1處理單元21A1向後方過度移位。因此，可抑制前後方向X上之基板處理裝置1之長度增大。
第1液體貯存部31具有前端31f。於前後方向X上，前端31f配置於與第1處理單元21A1之前端22A同等之位置。因此，可抑制前後方向X上之基板處理裝置1之長度增大。
第1處理單元21A1與傳載部3之後方鄰接。第1液體貯存部31與傳載部3之後方鄰接。因此，可抑制前後方向X上之處理區塊11之長度增大。
第2處理單元21B1具有與第1處理單元21A1繞鉛直軸旋轉180度之狀態者等同之構造。因此，可容易地將第1處理單元21A1中之處理品質與第2處理單元21B1中之處理品質均一化。
基板處理裝置1具備基板載置部16A。基板載置部16A載置於傳載部3與搬送機構13A之間搬送之基板W。因此，搬送機構13A可容易地自傳載部3接收基板W。搬送機構13A可容易地將基板W移交給傳載部3。
基板載置部16A之至少一部分設置於搬送空間12A。因此，搬送機構13A之可動區域限於基板載置部16A之後方。即便於該情形時，搬送機構13A亦可容易地將基板W搬送至第2保持部26B。具體而言，於搬送機構13A向第2保持部26B搬送基板W時，無搬送機構13A與基板載置部16A干涉之虞。這是因為第2處理單元21B1相對於第1處理單元21A1向後方移位。
基板載置部16A配置於第1處理單元21A1與第1液體貯存部31之間。換言之，第1處理單元21A1、基板載置部16A及第1液體貯存部31依序排列於寬度方向Y。因此，基板載置部16A不會妨礙搬送機構13A將基板W搬送至第2保持部26B。
基板處理裝置1具備第3處理單元21C1與第4處理單元21D1。第3處理單元21C1與第1處理單元21A1之後方鄰接。第3處理單元21C1處理基板W。第4處理單元21D1與第2處理單元21B1之後方鄰接。第4處理單元21D1處理基板W。第3處理單元21C1具備第3保持部25C與第3液體供給部27C。第3保持部25C保持基板W。第3液體供給部27C對保持於第3保持部25C之基板W供給處理液。第4處理單元21D1具備第4保持部25D與第4液體供給部27D。第4保持部25D保持基板W。第4液體供給部27D對保持於第4保持部25D之基板W供給處理液。搬送機構13A將基板W搬送至第3保持部25C與第4保持部25D。第1液體貯存部31貯存待分配至第3處理單元21C1與第4處理單元21D1之處理液。此處，第3處理單元21C1配置於搬送空間12A之右方。第3處理單元21C1於俯視下具有中心24C。第3保持部25C於俯視下具有中心26C。中心26C於俯視下位於較中心24C更後方。第4處理單元21D1配置於搬送空間12A之左方。第4處理單元21D1於俯視下具有中心24D。第4保持部25D於俯視下具有中心26D。中心26D於俯視下位於較中心24D更前方。因此，可容易地將第1處理單元21A1之構造與第3處理單元21C1之構造共通化。可容易地將第1處理單元21A1之構造與第4處理單元21D1之構造共通化。可採用具有相同構造之4個處理單元，作為第1-第4處理單元21A1-21D1。因此，於第1-第4處理單元21A1-21D1之間，可容易地抑制對基板W進行之處理品質不均。再者，於第1-第4處理單元21A1-21D1之間，可容易地將零件共通化。
第4處理單元21D1之前端22D配置於較第3處理單元21C1之前端22C更後方。即，第4處理單元21D1相對於第3處理單元21C1向後方移位。第4處理單元21D1之前端22D配置於較第3處理單元21C1之後端23C更前方。因此，第4保持部25D未配置於非常後方。前後方向X上之第3保持部25C與第4保持部25D之間之距離不會過長。再者，第3處理單元21C1與第1處理單元21A1之後方鄰接。第4處理單元21D1與第2處理單元21B1之後方鄰接。因此，較佳地減小前後方向X上之搬送機構13A之移動距離。具體而言，較佳地減小距離L。因此，搬送機構13A可效率良好地將基板W搬送至第1-第4保持部25A-25D。其結果，第1-第4處理單元21A1-21D1各自可效率良好地處理基板W。
第3處理單元21C1具有與第1處理單元21A1等同之構造。第4處理單元21D1具有與第1處理單元21A1繞鉛直軸旋轉180度之狀態者等同之構造。因此，於第1-第4處理單元21A1-21D1之間，容易地將對基板W進行之處理品質均一化。
基板處理裝置1具備第2液體貯存部32。第2液體貯存部32貯存待分配至第1處理單元21A1、第2處理單元21B1、第3處理單元21C1及第4處理單元21D1之處理液。第2液體貯存部32配置於搬送空間12A之右方。第2液體貯存部32與第3處理單元21C1之後方鄰接。如此，有效地利用第3處理單元21C1之後方之空間。因此，可抑制前後方向X上之基板處理裝置1之長度增大。
於前後方向X上，第2液體貯存部32之後端32r配置於與第4處理單元21D1之後端23D同等之位置。因此，可抑制前後方向X上之基板處理裝置1之長度增大。
貯存於第2液體貯存部32之處理液之種類與貯存於第1液體貯存部31之處理液不同。因此，第1-第4處理單元21A1-21D1可各自將2種處理液供給至基板W。
基板處理裝置1具備上部空間39、第1分配部41及第2分配部42。上部空間39形成於搬送空間12A1、第1處理單元21A1、第2處理單元21B1、第3處理單元21C1、第4處理單元21D1、第1液體貯存部31及第2液體貯存部32之上方。第1分配部41自第1液體貯存部31，將處理液分配至第1處理單元21A1、第2處理單元21B1、第3處理單元21C1及第4處理單元21D1。第2分配部42自第2液體貯存部32將處理液分配至第1處理單元21A1、第2處理單元21B1、第3處理單元21C1及第4處理單元21D1。此處，第1分配部41設置於上部空間39。第2分配部42設置於上部空間39。因此，可較佳地抑制基板處理裝置1之佔地面積增大。
第2分配部42於俯視下與第1分配部41旋轉180度之狀態者等同。因此，容易地將第1分配部41之流路長度與第2分配部42之流路長度均一化。
基板處理裝置1具備第1連接箱46A、第2連接箱46B、第3連接箱46C、及第4連接箱46D。第1連接箱46A配置於第1處理單元21A1之上方。第2連接箱46B配置於第2處理單元21B1之上方。第3連接箱46C配置於第3處理單元21C1之上方。第4連接箱46D配置於第4處理單元21D1之上方。第1分配部41自第1液體貯存部31，延伸至第1連接箱46A、第2連接箱46B、第3連接箱46C及第4連接箱46D。第2分配部42自第2液體貯存部32，延伸至第1連接箱46A、第2連接箱46B、第3連接箱46C及第4連接箱46D。如此，第1分配部41與第2分配部42皆延伸至第1連接箱46A。同樣地，第1分配部41與第2分配部42皆延伸至第2-第4連接箱46B-46D。因此，容易地將第1分配部41之流路長度與第2分配部42之流路長度均一化。
於前後方向X上，第1連接箱46A配置於較第1保持部25A更前方。於前後方向X上，第2連接箱46B配置於較第2保持部25B更後方。於前後方向X上，第3連接箱46C配置於較第3保持部25C更前方。於前後方向X上，第4連接箱46D配置於較第4保持部25D更後方。因此，可較佳地減小第1液體貯存部31至第1連接箱46A之流路長度與第1液體貯存部31至第2連接箱46B之流路長度之間之差。具體而言，可較佳地減小第1配管43A之長度與第2配管43B之長度之間之差。同樣地，可較佳地減小第1液體貯存部31至第3連接箱46C之流路長度與第1液體貯存部31至第4連接箱46D之流路長度之間之差。具體而言，可較佳地減小第3配管43C之長度與第4配管43D之長度之間之差。可較佳地減小第2液體貯存部32至第1連接箱46A之流路長度與第2液體貯存部32至第2連接箱46B之流路長度之間之差。具體而言，可較佳地減小第5配管44A之長度與第6配管44B之長度之間之差。可較佳地減小第2液體貯存部32至第3連接箱46C之流路長度與第2液體貯存部32至第4連接箱46D之流路長度之間之差。具體而言，可較佳地減小第7配管44C之長度與第8配管44D之長度之間之差。
基板處理裝置1具備第1接頭47A、第2接頭47B、第3接頭47C及第4接頭47D。第1接頭47A收納於第1連接箱46A。第1接頭47A連接第1分配部41與第1液體供給部27A。第2接頭47B收納於第2連接箱46B。第2接頭47B連接第1分配部41與第2液體供給部27B。第3接頭47C收納於第3連接箱46C。第3接頭47C連接第1分配部41與第3液體供給部27C。第4接頭47D收納於第4連接箱46D。第4接頭47D連接第1分配部41與第4液體供給部27D。因此，於第1-第4連接箱46A-46D內，可較佳地裝卸第1分配部41與第1-第4液體供給部27A-27D。例如，於第1連接箱46A內，可較佳地裝卸第1分配部41與第1液體供給部27A。
基板處理裝置1具備第5接頭48A、第6接頭48B、第7接頭48C及第8接頭48D。第5接頭48A收納於第1連接箱46A。第5接頭48A連接第2分配部42與第1液體供給部27A。第6接頭48B收納於第2連接箱46B。第6接頭48B連接第2分配部42與第2液體供給部27B。第7接頭48C收納於第3連接箱46C。第7接頭48C連接第2分配部42與第3液體供給部27C。第8接頭48D收納於第4連接箱46D。第8接頭48D連接第2分配部42與第4液體供給部27D。因此，於第1-第4連接箱46A-46D內，可較佳地裝卸第2分配部42與第1-第4液體供給部27A-27D。
基板處理裝置1具備踏板57。踏板57設置於上部空間39。踏板57大致平坦。因此，基板處理裝置1之使用者可踩踏於踏板57上。因此，使用者例如可於踏板57上進行保養作業。
踏板57配置於第1連接箱46A之附近。因此，使用者可容易地存取第1連接箱46A。因此，使用者可於踏板57上，進行裝卸第1分配部41與第1液體供給部27A之作業。使用者可於踏板57上，進行裝卸第2分配部42與第1液體供給部27A之作業。同樣地，踏板57配置於第2連接箱46B、第3連接箱46C及第4連接箱46D之附近。因此，使用者可於踏板57上，進行裝卸第1-第2分配部41-42與第2-第4液體供給部27B-27D之作業。
踏板57通過第2連接箱46B及第3連接箱46C之間，自第1連接箱46A延伸至第4連接箱46D。因此，使用者可容易地於第1-第4連接箱46A-46D之間移動。
踏板57配置於第1分配部41之至少一部分之上方。因此，踏板57較佳地保護第1分配部41。
踏板57配置於第2分配部42之至少一部分之上方。因此，踏板57較佳地保護第2分配部42。
本發明不限於實施形態，可如下所述般進行變化實施。
於實施形態中，右方為本發明之第1側方之例，左方為本發明之第2側方之例。但，不限於此。亦可為左方為本發明之第1側方之例，右方為本發明之第2側方之例。具體而言，第1處理單元21A1可配置於搬送空間12A之左方，第2處理單元21B1及第1液體貯存部31可配置於搬送空間12A之右方。
於實施形態中，基板處理裝置1除第1液體貯存部31及第2液體貯存部32外，還可具備另外之貯存部。圖9為變化實施形態之基板處理裝置1之右側視圖。另，藉由對與實施形態相同之構成標註相同符號而省略詳細之說明。圖9為方便起見，省略第1分配部41及第2分配部42之圖示。
變化實施形態之基板處理裝置1具備第3液體貯存部91。第3液體貯存部91配置於傳載部3。第3液體貯存部91貯存待分配至第1-第4處理單元21A-21D之處理液。
貯存於第3液體貯存部91之處理液之種類與貯存於第1液體貯存部31之處理液不同。貯存於第3液體貯存部91之處理液之種類與貯存於第2液體貯存部32之處理液不同。貯存於第3液體貯存部91之處理液之組成與貯存於第1液體貯存部31之處理液不同。貯存於第3液體貯存部91之處理液之組成與貯存於第2液體貯存部32之處理液不同。
貯存於第3液體貯存部91之處理液為第3處理液。第3處理液例如被分類至碱液(碱系藥液)。第3處理液例如包含氨雙氧水(SC1)、氨水、氟化銨溶液、及四甲基氫氧化銨(TMAH：Tetramethylammonium hydroxide)中至少1個。
第3液體貯存部91具備槽92、泵93、及櫃體94。槽92貯存處理液(具體而言為第3處理液)。泵93連通於槽92。例如，泵93連接於槽92。櫃體94收納槽92與泵93。
基板處理裝置1具備第3分配部95。第3分配部95自第3液體貯存部91將處理液分配至第1-第4處理單元21A-21D。
具體而言，第3分配部95連通於泵93。例如，第3分配部95連接於泵93。第3分配部95自傳載部3之底部，延伸至處理區塊11之底部。第3分配部95例如設置於地下凹坑(未圖示)。地下凹坑形成於供設置傳載部3及處理區塊11之地板面FL之下方。第3分配部95經由接頭96，連接於第1-第4液體供給部27A-27D。
變化實施形態之基板處理裝置1具備第4液體貯存部101。第4液體貯存部101設置於傳載部3及處理區塊11之外部。例如，第4液體貯存部101設置於地下凹坑。第4液體貯存部101貯存待分配至第1-第4處理單元21A-21D之處理液。
貯存於第4液體貯存部101之處理液之種類與貯存於第1液體貯存部31之處理液不同。貯存於第4液體貯存部101之處理液之種類與貯存於第2液體貯存部32之處理液不同。貯存於第4液體貯存部101之處理液之種類與貯存於第3液體貯存部91之處理液不同。貯存於第4液體貯存部101之處理液之組成與貯存於第1液體貯存部31之處理液不同。貯存於第4液體貯存部101之處理液之組成與貯存於第2液體貯存部32之處理液不同。貯存於第4液體貯存部101之處理液之組成與貯存於第3液體貯存部91之處理液不同。
貯存於第4液體貯存部101之處理液為第4處理液。第4處理液例如被分類為洗淨液。第4處理液例如為純水。
第4液體貯存部101具備槽102、泵103、及櫃體104。槽102貯存處理液(具體而言為第4處理液)。泵103連通於槽102。例如，泵103連接於槽102。櫃體104收納槽102與泵103。
基板處理裝置1具備第4分配部105。第4分配部105自第4液體貯存部101，向第1-第4處理單元21A-21D分配處理液。
具體而言，第4分配部105連通於泵103。例如，第4分配部105連接於泵103。第4分配部105自第4液體貯存部101，延伸至處理區塊11之底部。第4分配部105例如設置於地下凹坑。第4分配部105經由接頭106，連接於第1-第4液體供給部27A-27D。
基板處理裝置1具備返回部107。返回部107使處理液自第1-第4處理單元21A-21D，返回至第4液體貯存部101。
具體而言，返回部107連通於第1-第4液體供給部27A-27D。例如，返回部107連接於第1-第4液體供給部27A-27D。返回部107於第1-第4連接箱46A-46D中，連接於第1-第4液體供給部27A-27D。返回部107經由接頭108，連接於第1-第4液體供給部27A-27D。返回部107設置於上部空間39。返回部107自第1-第4連接箱46A-46D向後方延伸。
處理區塊11具備介面部111。介面部111位於處理區塊11之後部。介面部111配置於搬送空間12、處理單元21、第1液體貯存部31及第2液體貯存部32之後方。介面部111於鉛直方向Z延伸。介面部111自上部空間39延伸至處理區塊11之底部。
返回部107自上部空間39進入介面部111。返回部107於介面部111之內部向下方延伸。返回部107通過介面部111之底部，到達介面部111之外部(例如，地下凹坑)。且，返回部107進入第4貯存部101。返回部107連通於槽102。例如，返回部107連接於槽102。
另，處理區塊11進而可具備配電部(未圖示)。配電部例如配置於處理區塊11之後部。配電部例如配置於介面部111之附近。配電部管理基板處理裝置1之電源。配電部例如包含1個以上之開閉器。開閉器對基板處理裝置1具有之電子機器投入/遮斷電力。
於實施形態中，第1液體貯存部31貯存第1處理液。但，不限於此。第1液體貯存部31亦可貯存第2處理液、第3處理液及第4處理液中之任一者。同樣地，於實施形態中，第2液體貯存部32貯存第2處理液。但，不限於此。第2液體貯存部32亦可貯存第1處理液、第3處理液及第4處理液中之任一者。
於實施形態中，基板載置部16A之一部分亦可配置於傳載部3。
於實施形態中，踏板57亦可配置於整個第1分配部41之上方。踏板57亦可配置於整個第2分配部42之上方。踏板57亦可配置於所有排氣管53-55之上方。
於實施形態中，踏板57不配置於第1-第4連接箱46A-46D之上方。但，不限於此。踏板57亦可配置於第1-第4連接箱46A-46D之至少一部分之上方。例如，踏板57亦可配置於所有第1-第4連接箱46A-46D之上方。踏板57可具有將第1連接箱46A之上方開閉之面板(未圖示)。於面板打開時，使用者可容易地存取第1連接箱46A。於面板關閉時，面板保護第1連接箱46A。同樣地，踏板57可具有將第2-第4連接箱46B-46D之上方開閉之面板(未圖示)。
於實施形態中，處理區塊11具有之搬送空間12之數量為2個。但，不限於此。處理區塊11具有之搬送空間12之數量可為1個，亦可多於2個。
於實施形態中，處理區塊11具有之搬送機構13之數量為2個。但，不限於此。處理區塊11具有之搬送機構13之數量可為1個，亦可多於2個。
於實施形態中，基板處理裝置1具備第3處理單元21C1與第4處理單元21D1。但，不限於此。例如，亦可省略第3處理單元21C1與第4處理單元21D1。
於實施形態中，於搬送空間12A之右方，排列於前後方向X之處理單元21之數量為2個。但，不限於此。於搬送空間12A之右方，排列於前後方向X之處理單元21之數量可為1個，又可多於2個。同樣地，於搬送空間12A之左方，排列於前後方向X之處理單元21之數量可為1個，亦可多於2個。
於實施形態中，第1處理單元21A之數量為6個。但，不限於此。第1處理單元21A之數量亦可為1個以上且不滿6個，或者還可多於6個。
於實施形態中，排列於鉛直方向Z之處理單元21之數量為6個。但，不限於此。排列於鉛直方向Z之處理單元21之數量亦可為1個以上且不滿6個，或者還可多於6個。
關於實施形態及各變化實施形態，亦可進而將各構成置換成其他變化實施形態之構成或與其組合等而予以適當變更。
本發明只要不脫離其思想或本質，便可以其他具體形式實施，因此，作為顯示發明之範圍者，應參考附加之申請專利範圍，而非以上說明者。
1:基板處理裝置 3:傳載部 4:載體載置部 5:搬送空間 6:搬送機構 7:手 8:手驅動部 8a:第1驅動部 8b:第2驅動部 11:處理區塊 12A:搬送空間 12B:搬送空間 13A:搬送機構 13B:搬送機構 14:手 15:手驅動部 15a:支柱 15b:垂直移動部 15c:水平移動部 15d:旋轉部 15e:進退移動部 16A:基板載置部 16B:基板載置部 17:隔板 21:處理單元 21A1～21A6:第1處理單元 21B1～21B6:第2處理單元 21C1～21C6:第3處理單元 21D1～21D6:第4處理單元 22A:第1處理單元之前端 22B:第2處理單元之前端 22C:第3處理單元之前端 22D:第4處理單元之前端 23A:第1處理單元之後端 23B:第2處理單元之後端 23C:第3處理單元之後端 23D:第4處理單元之後端 24A:俯視下之第1處理單元之中心 24B:俯視下之第2處理單元之中心 24C:俯視下之第3處理單元之中心 24D:俯視下之第4處理單元之中心 25:保持部 25A:第1保持部 25B:第2保持部 25C:第3保持部 25D:第4保持部 26A:俯視下之第1保持部之中心 26B:俯視下之第2保持部之中心 26C:俯視下之第3保持部之中心 26D:俯視下之第4保持部之中心 27:液體供給部 27A:第1液體供給部 27B:第2液體供給部 27C:第3液體供給部 27D:第4液體供給部 28A:第1搬送口 28B:第2搬送口 28C:第3搬送口 28D:第4搬送口 31:第1液體貯存部 31f:前端 32:第2液體貯存部 32r:後端 33:第1槽 34:第1泵 35:櫃體 35a:收納空間 36:第2槽 37:第2泵 38:櫃體 38a:收納空間 39:上部空間 40:隔板 41:第1分配部 42:第2分配部 43A:第1配管 43B:第2配管 43C:第3配管 43D:第4配管 44A:第5配管 44B:第6配管 44C:第7配管 44D:第8配管 46:連接箱 46A:第1連接箱 46B:第2連接箱 46C:第3連接箱 46D:第4連接箱 47:接頭 47A:第1接頭 47B:第2接頭 47C:第3接頭 47D:第4接頭 48:接頭 48A:第5接頭 48B:第6接頭 48C:第7接頭 48D:第8接頭 53,54,55:排氣管 53A,53B,54A,54B,55A,55B:排氣管 57:踏板 59:框架 61:處理殼體 62:處理空間 63:旋轉驅動部 70:噴出調整部 71:第1噴出調整部 72:第2噴出調整部 73:配管 74:閥 75:配管 76:閥 77:噴出部 78:第1噴嘴 79:第2噴嘴 80:杯 81:氣體排出部 82:切換機構 83,84,85:排氣管 91:第3液體貯存部 92:槽 93:泵 94:櫃體 95:第3分配部 96:接頭 101:第4液體貯存部 102:槽 103:泵 104:櫃體 105:第4分配部 106:接頭 107:返回部 108:接頭 111:介面部 201:基板處理裝置 202:傳載部 203:處理區塊 204:搬送空間 205:基板載置部 206:搬送機構 207A,207C,207D:處理單元 208A～208D:保持部 209:液體貯存部 C:載體 FL:地板面 L:距離 M:距離 W:基板 X:前後方向 Y:寬度方向 Z:鉛直方向
雖為說明發明而圖示有當前認為較佳之若干個形態，但應理解，發明並非限定於如圖示般之構成及對策者。 圖1係顯示實施形態之基板處理裝置之內部之俯視圖。 圖2係顯示寬度方向上之基板處理裝置之中央部之構成之左側視圖。 圖3係處理區塊之前視圖。 圖4係顯示基板處理裝置之右部構成之右側視圖。 圖5係顯示基板處理裝置之左部構成之左側視圖。 圖6係基板處理裝置之俯視圖。 圖7係基板處理裝置之俯視圖。 圖8係處理單元之側視圖。 圖9係變化實施形態之基板處理裝置之右側視圖。 圖10係比較例之基板處理裝置之俯視圖。
1:基板處理裝置
3:傳載部
4:載體載置部
5:搬送空間
6:搬送機構
7:手
8:手驅動部
8a:第1驅動部
8b:第2驅動部
11:處理區塊
12A:搬送空間
13A:搬送機構
14:手
15:手驅動部
15a:支柱
15b:垂直移動部
15c:水平移動部
15d:旋轉部
15e:進退移動部
16A:基板載置部
21A1:第1處理單元
21B1:第2處理單元
21C1:第3處理單元
21D1:第4處理單元
22A:第1處理單元之前端
22B:第2處理單元之前端
22C:第3處理單元之前端
22D:第4處理單元之前端
23A:第1處理單元之後端
23B:第2處理單元之後端
23C:第3處理單元之後端
23D:第4處理單元之後端
24A:俯視下之第1處理單元之中心
24B:俯視下之第2處理單元之中心
24C:俯視下之第3處理單元之中心
24D:俯視下之第4處理單元之中心
25A:第1保持部
25B:第2保持部
25C:第3保持部
25D:第4保持部
26A:俯視下之第1保持部之中心
26B:俯視下之第2保持部之中心
26C:俯視下之第3保持部之中心
26D:俯視下之第4保持部之中心
27A:第1液體供給部
27B:第2液體供給部
27C:第3液體供給部
27D:第4液體供給部
28A:第1搬送口
28B:第2搬送口
28C:第3搬送口
28D:第4搬送口
31:第1液體貯存部
31f:前端
32:第2液體貯存部
32r:後端
C:載體
L:距離
W:基板
X:前後方向
Y:寬度方向
Z:鉛直方向

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，其具備： 傳載部；及 處理區塊，其配置於上述傳載部之後方，連接於上述傳載部；且 上述處理區塊具備： 搬送空間，其於前後方向延伸； 搬送機構，其設置於上述搬送空間，構成為能於上述前後方向平行移動，並搬送基板； 第1處理單元，其配置於上述搬送空間之第1側方，處理基板； 第2處理單元，其配置於上述搬送空間之第2側方，處理基板；及 第1液體貯存部，其貯存待分配至上述第1處理單元及上述第2處理單元之處理液；且 上述第1處理單元具備： 第1保持部，其保持基板；及 第1液體供給部，其對保持於上述第1保持部之基板供給處理液；且 上述第2處理單元具備： 第2保持部，其保持基板；及 第2液體供給部，其對保持於上述第2保持部之基板供給處理液；且 上述搬送機構將基板搬送至上述第1保持部與上述第2保持部； 上述第1保持部具有俯視下位於較上述第1處理單元之中心更後方之中心； 上述第2保持部具有俯視下位於較上述第2處理單元之中心更前方之中心； 上述第2處理單元之前端配置於較上述第1處理單元之前端更後方，且配置於較上述第1處理單元之後端更前方； 上述第1液體貯存部配置於上述搬送空間之上述第2側方，且與上述第2處理單元之前方鄰接。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述第2保持部之上述中心配置於較上述第1保持部之上述中心更前方。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中 於上述前後方向上，上述第1液體貯存部之前端配置於與上述第1處理單元之上述前端同等之位置。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述第1處理單元與上述傳載部之後方鄰接， 上述第1液體貯存部與上述傳載部之後方鄰接。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述第2處理單元具有與上述第1處理單元繞鉛直軸旋轉180度之狀態者等同之構造。
  6. 如請求項1之基板處理裝置，其具備： 基板載置部，其載置於上述傳載部與上述搬送機構之間搬送之基板；且 上述基板載置部之至少一部分設置於上述搬送空間。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中 上述基板載置部配置於上述第1處理單元與上述第1液體貯存部之間。
  8. 如請求項1之基板處理裝置，其具備： 第3處理單元，其配置於上述搬送空間之上述第1側方，與上述第1處理單元之後方鄰接，並處理基板；及 第4處理單元，其配置於上述搬送空間之上述第2側方，與上述第2處理單元之後方鄰接，並處理基板；且 上述第3處理單元具備： 第3保持部，其保持基板；及 第3液體供給部，其對保持於上述第3保持部之基板供給處理液；且 上述第4處理單元具備： 第4保持部，其保持基板；及 第4液體供給部，其對保持於上述第4保持部之基板供給處理液；且 上述搬送機構將基板搬送至上述第3保持部與上述第4保持部； 上述第1液體貯存部貯存待分配至上述第3處理單元與上述第4處理單元之處理液； 上述第3保持部具有俯視下位於較上述第3處理單元之中心更後方之中心； 上述第4保持部具有俯視下位於較上述第4處理單元之中心更前方之中心； 上述第4處理單元之前端配置於較上述第3處理單元之前端更後方，且配置於較上述第3處理單元之後端更前方。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中 上述第3處理單元具有與上述第1處理單元等同之構造， 上述第4處理單元具有與上述第1處理單元繞鉛直軸旋轉180度之狀態者等同之構造。
  10. 如請求項8之基板處理裝置，其具備： 第2液體貯存單元，其貯存待分配至上述第1處理單元、上述第2處理單元、上述第3處理單元及上述第4處理單元之處理液；且 上述第2液體貯存部配置於上述搬送空間之上述第1側方，且與上述第3處理單元之後方鄰接。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中 於上述前後方向上，上述第2液體貯存部之後端配置於與上述第4處理單元之後端同等之位置。
  12. 如請求項10之基板處理裝置，其中 貯存於上述第2液體貯存部之處理液之種類與貯存於上述第1液體貯存部之處理液不同。
  13. 如請求項10之基板處理裝置，其具備： 上部空間，其形成於上述搬送空間、上述第1處理單元、上述第2處理單元、上述第3處理單元、上述第4處理單元、上述第1液體貯存部及上述第2液體貯存部之上方； 第1分配部，其設置於上述上部空間，自上述第1液體貯存部，將處理液分配至上述第1處理單元、上述第2處理單元、上述第3處理單元及上述第4處理單元；及 第2分配部，其設置於上述上部空間，自上述第2液體貯存部，將處理液分配至上述第1處理單元、上述第2處理單元、上述第3處理單元及上述第4處理單元。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其中 上述第2分配部俯視下與上述第1分配部旋轉180度之狀態者等同。
  15. 如請求項13之基板處理裝置，其具備： 第1連接箱，其配置於上述第1處理單元之上方； 第2連接箱，其配置於上述第2處理單元之上方； 第3連接箱，其配置於上述第3處理單元之上方；及 第4連接箱，其配置於上述第4處理單元之上方；且 上述第1分配部自上述第1液體貯存部，延伸至上述第1連接箱、上述第2連接箱、上述第3連接箱及上述第4連接箱； 上述第2分配部自上述第2液體貯存部，延伸至上述第1連接箱、上述第2連接箱、上述第3連接箱及上述第4連接箱。
  16. 如請求項15之基板處理裝置，其中 於上述前後方向上，上述第1連接箱配置於較上述第1保持部更前方， 於上述前後方向上，上述第2連接箱配置於較上述第2保持部更後方， 於上述前後方向上，上述第3連接箱配置於較上述第3保持部更前方， 於上述前後方向上，上述第4連接箱配置於較上述第4保持部更後方。
  17. 如請求項15之基板處理裝置，其具備： 第1接頭，其收納於上述第1連接箱，連接上述第1分配部與上述第1液體供給部； 第2接頭，其收納於上述第2連接箱，連接上述第1分配部與上述第2液體供給部； 第3接頭，其收納於上述第3連接箱，連接上述第1分配部與上述第3液體供給部；及 第4接頭，其收納於上述第4連接箱，連接上述第1分配部與上述第4液體供給部。
  18. 如請求項15之基板處理裝置，其具備： 大致平坦之踏板，其設置於上述上部空間。
  19. 如請求項18之基板處理裝置，其中 上述踏板配置於上述第1連接箱、上述第2連接箱、上述第3連接箱及上述第4連接箱之附近。
  20. 如請求項18之基板處理裝置，其中 上述踏板配置於上述第1分配部之至少一部分之上方。
TW111102345A 2021-02-16 2022-01-20 基板處理裝置 TWI830127B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-022362 2021-02-16
JP2021022362A JP2022124622A (ja) 2021-02-16 2021-02-16 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202247333A true TW202247333A (zh) 2022-12-01
TWI830127B TWI830127B (zh) 2024-01-21

Family

ID=82801822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111102345A TWI830127B (zh) 2021-02-16 2022-01-20 基板處理裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220258196A1 (zh)
JP (1) JP2022124622A (zh)
KR (1) KR20220117152A (zh)
CN (1) CN114975170A (zh)
TW (1) TWI830127B (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030029479A1 (en) * 2001-08-08 2003-02-13 Dainippon Screen Mfg. Co, Ltd. Substrate cleaning apparatus and method
US7250374B2 (en) * 2004-06-30 2007-07-31 Tokyo Electron Limited System and method for processing a substrate using supercritical carbon dioxide processing
US8734661B2 (en) * 2007-10-15 2014-05-27 Ebara Corporation Flattening method and flattening apparatus
JP5179170B2 (ja) * 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US9153464B2 (en) * 2011-05-31 2015-10-06 Semes Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI627667B (zh) * 2012-11-26 2018-06-21 應用材料股份有限公司 用於高深寬比半導體元件結構具有污染物去除之無黏附乾燥處理

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220117152A (ko) 2022-08-23
TWI830127B (zh) 2024-01-21
JP2022124622A (ja) 2022-08-26
US20220258196A1 (en) 2022-08-18
CN114975170A (zh) 2022-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101082261B1 (ko) 기판처리장치 및 기판반송방법
JP2020174219A (ja) 基板搬送部
CN101625963B (zh) 衬底处理设备以及用于为该设备转移衬底的方法
KR101155534B1 (ko) 진공처리장치
JP2008078616A (ja) カセット蓄積量を増加させた処理装置
KR20050044434A (ko) 초소형전자 기판을 처리하는 감소의 풋프린트 공구
KR20150023636A (ko) 덮개 개폐 장치
US11590540B2 (en) Substrate treating apparatus and substrate transporting method
JP7178223B2 (ja) 基板処理装置
KR20210031839A (ko) 기판 처리 장치
KR101343690B1 (ko) 기판처리장치
TW202247333A (zh) 基板處理裝置
KR101768519B1 (ko) 기판 처리 설비
KR102346804B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7376285B2 (ja) 基板処理装置
KR100760992B1 (ko) 기판의 위치 전환 장치
KR102099432B1 (ko) 기판반송장치, 이를 가지는 기판처리설비, 그리고 기판반송방법
US20240105484A1 (en) Substrate treating apparatus
US20240105482A1 (en) Substrate treating apparatus
WO2024062762A1 (ja) 基板処理装置
KR20100024220A (ko) 기판 처리장치 및 이의 기판 이송 방법
WO2024062695A1 (ja) 基板処理装置
US20230420280A1 (en) Substrate treating apparatus
KR20220057458A (ko) 기판 처리 장치
WO2024042815A1 (ja) 基板処理装置