TW202247235A - 電漿處理裝置及電漿處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的為提供一種在電漿的點火期間中抑制高頻電力的反射波的功率的技術。為了達成上述目的，本發明之電漿處理裝置，具備：處理室、基板支持器、高頻電源，以及偏壓電源。基板支持器，包含電極，且設置在處理室內。高頻電源，為了在處理室內從氣體產生電漿，而供給高頻電力。偏壓電源，與基板支持器的電極電連接。高頻電源，於在處理室內將電漿點火的點火期間中，供給高頻電力。偏壓電源，在點火期間中，對基板支持器的電極依序施加各自為負電壓的複數個偏壓脈衝，並階段性地或逐漸地增高複數個偏壓脈衝的電壓位準的絕對值。

Description

電漿處理裝置及電漿處理方法
本發明之例示的實施態樣係關於一種電漿處理裝置以及電漿處理方法。
電漿處理裝置係用於基板處理。電漿處理裝置的其中一種，具備處理室、基板支持器、高頻電源以及偏壓電源。基板支持器，包含電極，且設置在處理室內。高頻電源，為了在處理室內從氣體產生電漿，而供給高頻電力。偏壓電源，為了將離子吸引到基板，而對基板支持器的電極賦與偏壓能量。下述的專利文獻1，記載了使用負的直流電壓的脈衝作為偏壓能量的技術內容。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2019－036658號公報
[發明所欲解決的問題]
本發明提供一種在電漿的點火期間中抑制高頻電力的反射波的功率的技術。 [解決問題的手段]
在一例示之實施態樣中，提供一種電漿處理裝置。電漿處理裝置，具備：處理室、基板支持器、高頻電源，以及偏壓電源。基板支持器，包含電極，且設置在處理室內。高頻電源，為了在處理室內從氣體產生電漿，而供給高頻電力。偏壓電源，與基板支持器的電極電連接。高頻電源，於在處理室內將電漿點火的點火期間中，供給高頻電力。偏壓電源，在點火期間中，對基板支持器的電極依序施加各自為負電壓的複數個偏壓脈衝，並階段性地或逐漸地增高複數個偏壓脈衝的電壓位準的絕對值。 [發明的功效]
若根據一例示之實施態樣，便可在電漿的點火期間中抑制高頻電力的反射波的功率。
以下，針對各種例示的實施態樣進行說明。
在一例示之實施態樣中，提供一種電漿處理裝置。電漿處理裝置，具備：處理室、基板支持器、高頻電源，以及偏壓電源。基板支持器，包含電極，且設置在處理室內。高頻電源，為了在處理室內從氣體產生電漿，而供給高頻電力。偏壓電源，與基板支持器的電極電連接。高頻電源，於在處理室內將電漿點火的點火期間中，供給高頻電力。偏壓電源，在點火期間中，對基板支持器的電極依序施加各自為負電壓的複數個偏壓脈衝，並階段性地或逐漸地增高複數個偏壓脈衝的電壓位準的絕對值。
當偏壓脈衝的電壓位準的絕對值急遽地增高時，高頻電力的反射波的功率會變大。上述實施態樣，在電漿的點火期間中，複數個偏壓脈衝的位準係階段性地或逐漸地增高。因此，若根據上述實施態樣，便可抑制高頻電力的反射波的功率。另外，由於可抑制反射波的功率，故可在短時間內穩定地產生電漿，進而可縮短等到電漿開始對基板進行處理為止的時間長。
在一例示之實施態樣中，偏壓電源，亦可將複數個偏壓脈衝各自的電壓位準的絕對值，設定成比先前對基板支持器的電極所施加的任意的偏壓脈衝的電壓位準的絕對值更大的值。亦即，在電漿的點火期間中依序對基板支持器的電極所施加的複數個偏壓脈衝的電壓位準的絕對值，亦可斜向上升（ramp up）。
在一例示之實施態樣中，該複數個偏壓脈衝，亦可各自為直流電壓的脈衝。
在一例示之實施態樣中，高頻電源，在點火期間之後，在用電漿於處理室內對基板進行處理的處理期間中，亦供給高頻電力。偏壓電源，在處理期間中，亦對電極依序施加各自為負電壓的複數個偏壓脈衝。
在一例示之實施態樣中，電漿處理裝置，亦可更具備壓力控制器，其調整處理室內的壓力。壓力控制器，亦可將處理期間中的處理室內的壓力，設定成與點火期間中的處理室內的壓力相異的壓力。壓力控制器，亦可將處理期間中的處理室內的壓力，設定成比點火期間中的處理室內的壓力更低的壓力。
在一例示之實施態樣中，高頻電源，亦可將處理期間中的該高頻電力的頻率，設定成與點火期間中的高頻電力的頻率相異的頻率。高頻電源，亦可將處理期間中的高頻電力的頻率，設定成比點火期間中的高頻電力的頻率更低的頻率。
在一例示之實施態樣中，高頻電源，亦可將處理期間中的高頻電力的電力位準，設定成與點火期間中的高頻電力的電力位準相異的電力位準。高頻電源，亦可將處理期間中的高頻電力的電力位準，設定成比點火期間中的高頻電力的電力位準更高的電力位準。
在一例示之實施態樣中，電漿處理裝置，亦可更具備氣體供給部，其將氣體供給到處理室內。電漿處理裝置，利用氣體供給部所供給的氣體，在處理室內產生電漿。氣體供給部，亦可將在處理期間中對處理室內所供給的至少一種氣體的流量，設定成與在點火期間中對處理室內所供給的該至少一種氣體的流量相異的流量。
在一例示之實施態樣中，點火期間以及處理期間，亦可各自包含周期性的複數個脈衝期間。偏壓電源，亦可在複數個脈衝期間各自的導通（ON）期間中，對電極施加複數個偏壓脈衝。此時，偏壓電源，在複數個脈衝期間各自的導通（ON）期間中，以比導通（ON）期間的時間間隔（亦即脈衝周期）更短的偏壓周期，對電極施加複數個偏壓脈衝。偏壓電源，亦可在複數個脈衝期間各自的切斷（OFF）期間中，停止對電極施加複數個偏壓脈衝。
在一例示之實施態樣中，偏壓電源，亦可調整各導通（ON）期間的時間長相對於脈衝周期的時間長的比（亦即工作比）。偏壓電源，亦可將處理期間中的工作比，設定成與點火期間中的工作比相異的比。偏壓電源，亦可將處理期間中的工作比，設定成比點火期間中的工作比更小的比。
在一例示之實施態樣中，基板支持器，亦可支持其上所載置的邊緣環。電漿處理裝置，亦可對邊緣環施加各自為負電壓的複數個偏壓脈衝。
在另一例示的實施態樣中，提供一種電漿處理方法。電漿處理方法，包含在點火期間中於電漿處理裝置的處理室內將電漿點火的步驟。電漿處理裝置，具備基板支持器，其包含電極，且設置在處理室內。電漿處理方法，更包含在點火期間內對電極依序施加複數個偏壓脈衝的步驟。複數個偏壓脈衝為負電壓；複數個偏壓脈衝的電壓位準的絕對值，在點火期間內階段性地或逐漸地增高。
以下，參照圖式並針對各種例示的實施態樣詳細進行說明。另外，在各圖式中會對相同或相當的部分附上相同的符號。
圖1，係以概略方式表示一例示之實施態樣的電漿處理裝置的圖式。圖1所示的電漿處理裝置1，具備處理室10。圖2，係表示一例示之實施態樣的電漿處理裝置的處理室內的構造的圖式。如圖2所示的，電漿處理裝置1，可為電容耦合型的電漿處理裝置。
處理室10，在其中提供了內部空間10s。內部空間10s的中心軸線，為在垂直方向上延伸的軸線AX。在一實施態樣中，處理室10，包含處理室本體12。處理室本體12，大致具有圓筒形狀。在處理室本體12之中提供了內部空間10s。處理室本體12，例如由鋁所形成。處理室本體12電性接地。處理室本體12的內壁面，亦即區劃出內部空間10s的壁面，亦可被具有耐電漿性的膜層所被覆。該膜層，可為由陽極氧化處理所形成的膜層或由氧化釔所形成的膜層等陶瓷製的膜層。
處理室本體12的側壁提供了通路12p。基板W，在內部空間10s與處理室10的外部之間被搬運時會通過通路12p。為了該通路12p的開閉，閘閥12g沿著處理室本體12的側壁設置。
電漿處理裝置1，更具備基板支持器16。基板支持器16，在處理室10中支持其上所載置的基板W。基板W，大致具有圓盤形狀。基板支持器16，被支持部17所支持。支持部17，從處理室本體12的底部往上方延伸。支持部17，大致具有圓筒形狀。支持部17，係由石英等絕緣材料所形成。
在一實施態樣中，基板支持器16，具有下部電極18以及靜電夾頭20。下部電極18以及靜電夾頭20，設置在處理室10中。下部電極18，係由鋁等導電性材料所形成，且大致具有圓盤形狀。
下部電極18，在其內部提供了流通管路18f。流通管路18f，係熱交換媒體用的流通管路。熱交換媒體，例如為液狀的冷媒。流通管路18f，接收從熱交換媒體的供給裝置（例如冷卻單元）經由配管23a所供給的熱交換媒體。該供給裝置，設置在處理室10的外部。對流通管路18f所供給的熱交換媒體，流過流通管路18f，經由配管23b回到供給裝置。
靜電夾頭20，設置在下部電極18上。如圖1所示的，靜電夾頭20，具有介電體部20d以及電極21a。靜電夾頭20，亦可更具有電極22a以及電極22b。基板W，在內部空間10s中受到處理時，係載置在靜電夾頭20上，被靜電夾頭20所保持。另外，基板支持器16，支持其上所載置的邊緣環ER。邊緣環ER，為大致具有圓環形狀的板子。邊緣環ER，可具有導電性。邊緣環ER，例如係由矽或碳化矽所形成。如圖2所示的，邊緣環ER，以其中心軸線與軸線AX對齊一致的方式，搭載在基板支持器16上。處理室10內所收納的基板W，配置在靜電夾頭20上，且配置在邊緣環ER所包圍的區域內。
電漿處理裝置1，亦可更具備氣體管線25。氣體管線25，將來自氣體供給機構的導熱氣體，例如He氣，供給到靜電夾頭20（後述的第1區域）的頂面與基板W的背面（底面）之間的間隙。
電漿處理裝置1，亦可更具備外周部28以及外周部29。外周部28，從處理室本體12的底部往上方延伸。外周部28，大致具有圓筒形狀，沿著支持部17的外周圍延伸。外周部28，係由導電性材料所形成，大致具有圓筒形狀。外周部28，電性接地。外周部28的表面，亦可被具有耐電漿性的膜層所被覆。該膜層，可為由陽極氧化處理所形成的膜層或由氧化釔所形成的膜層等陶瓷製的膜層。
外周部29，設置在外周部28上。外周部29，係由具有絕緣性的材料所形成。外周部29，例如係由石英等陶瓷所形成。外周部29，大致具有圓筒形狀。外周部29，沿著下部電極18以及靜電夾頭20的外周圍延伸。
電漿處理裝置1，更具備上部電極30。上部電極30，設置在基板支持器16的上方。上部電極30，與構件32一起封閉處理室本體12的上部開口。構件32，具有絕緣性。上部電極30，透過該構件32在處理室本體12的上部受到支持。
上部電極30，亦可包含頂板34以及支持體36。頂板34的底面，區劃出內部空間10s。頂板34，提供了複數個氣體孔34a。複數個氣體孔34a，各自從板厚方向（垂直方向）貫通頂板34。該頂板34，例如係由矽所形成。或者，頂板34，可具有於鋁製構件的表面設置了耐電漿性膜層的構造。該膜層，可為由陽極氧化處理所形成的膜層或由氧化釔所形成的膜層等陶瓷製的膜層。
支持體36，以隨意裝卸的方式支持著頂板34。支持體36，例如係由鋁等導電性材料所形成。支持體36，在其內部提供了氣體擴散室36a。支持體36，更提供了複數個氣體孔36b。複數個氣體孔36b，從氣體擴散室36a往下方延伸。複數個氣體孔36b，與複數個氣體孔34a分別連通。支持體36，更提供了氣體導入埠36c。氣體導入埠36c，與氣體擴散室36a連接。於氣體導入埠36c，連接了氣體供給管38。
於氣體供給管38，透過閥門群41、流量控制器群42以及閥門群43連接了氣體源群40。氣體源群40、閥門群41、流量控制器群42以及閥門群43，構成了氣體供給部。氣體源群40，包含複數個氣體源。閥門群41以及閥門群43，各自包含複數個閥門（例如開閉閥）。流量控制器群42，包含複數個流量控制器。流量控制器群42的複數個流量控制器，各自為質量流量控制器或壓力控制式流量控制器。氣體源群40的複數個氣體源，各自透過閥門群41的對應的閥門、流量控制器群42的對應的流量控制器，以及閥門群43的對應的閥門，與氣體供給管38連接。電漿處理裝置1，可將來自從氣體源群40的複數個氣體源之中所選出的一個以上的氣體源的氣體，以個別經過調整的流量，供給到內部空間10s。
在外周部28與處理室本體12的側壁之間，設置了擋板48。擋板48，例如，可由對鋁製構件被覆氧化釔等陶瓷所構成。於該擋板48，形成了複數個貫通孔。在擋板48的下方，排氣管52與處理室本體12的底部連接。於該排氣管52，連接了排氣裝置50。排氣裝置50，具有自動壓力控制閥等壓力控制器以及渦輪分子泵等真空泵，可減低內部空間10s中的壓力。
以下，與圖1以及圖2一起，參照圖3～圖5。圖3以及圖4，係關於圖1所示的電漿處理裝置的處理的一例的時序圖。圖5，係對基板的偏壓脈衝以及對邊緣環的偏壓脈衝的一例的時序圖。
如圖1所示的，電漿處理裝置1，更具備高頻電源57。高頻電源57，透過匹配器58與下部電極18連接。高頻電源57，係產生電漿產生用的高頻電力RF的電源。高頻電力RF，具有在27～100MHz的範圍內的頻率，例如具有40MHz或60MHz的頻率。匹配器58，具有用以令高頻電源57的負載側（下部電極18側）的阻抗與高頻電源57的輸出阻抗匹配的匹配電路。另外，高頻電源57，亦可不與下部電極18電連接，亦可透過匹配器58與上部電極30連接。
在電漿處理裝置1中，利用來自高頻電源57的高頻電力RF在處理室10內產生高頻電場。處理室10內的氣體，被所產生的高頻電場激發。其結果，在處理室10內被點火並產生電漿。高頻電源57，如圖3所示的，在點火期間Pi以及處理期間Pp雙方中均供給高頻電力RF。點火期間Pi，係在處理室10內將電漿點火的期間。處理期間Pp，係點火期間Pi之後的期間。基板W，在處理期間Pp中，被來自在處理室10內所產生的電漿的離子及／或自由基等化學物種所處理。
如圖1所示的，在一實施態樣中，基板支持器16，亦可具有第1區域21以及第2區域22。第1區域21，係基板支持器16的中央的區域。第1區域21，包含靜電夾頭20的中央區域以及下部電極18的中央區域。第2區域22，相對於第1區域21在半徑方向外側沿著周圍方向延伸。第2區域22，包含靜電夾頭20的周緣區域以及下部電極18的周緣區域。在電漿處理裝置1中，第1區域21以及第2區域22，係由單一靜電夾頭所構成，彼此形成一體。另外，在圖1中，第1區域21與第2區域22之間的界線，以虛線表示之。在另一實施態樣中，第1區域21以及第2區域22，亦可由各別的靜電夾頭所構成。
第1區域21，支持其上（亦即其頂面之上）所載置的基板W。第1區域21，係具有圓盤形狀的區域。第1區域21的中心軸線，與軸線AX大致對齊一致。第1區域21，與第2區域22共有介電體部20d。介電體部20d，係由氮化鋁、氧化鋁等介電體所形成。介電體部20d，大致具有圓盤形狀。在一實施態樣中，第2區域22中的介電體部20d的厚度，比第1區域21中的介電體部20d的厚度更小。第2區域22中的介電體部20d的頂面在垂直方向上的位置，亦可比第1區域21中的介電體部20d的頂面在垂直方向上的位置更低。
第1區域21，具有電極21a（夾頭電極）。電極21a，係膜狀的電極，在第1區域21內設置於介電體部20d之中。直流電源55透過開關56連接於電極21a。當來自直流電源55的直流電壓施加於電極21a時，會在第1區域21與基板W之間產生靜電引力。藉由所產生的靜電引力，基板W被吸附於第1區域21，而被第1區域21所保持。
第1區域21，更具有第1電極21c。第1電極21c，係膜狀的電極，在第1區域21內設置於介電體部20d之中。另外，電極21a，可在垂直方向上比第1電極21c在更靠近第1區域21的頂面之處延伸。
電漿處理裝置1，更具備第1偏壓電源61。第1偏壓電源61，與第1電極21c電連接。第1偏壓電源61，亦可透過濾波器62與第1電極21c連接。濾波器62，係將來自高頻電源57的高頻電力RF阻斷或令其衰減的電子濾波器。
如圖1以及圖5所示的，第1偏壓電源61，對第1電極21c依序施加複數個偏壓脈衝BW。複數個偏壓脈衝BW，各自為電壓脈衝。在一實施態樣中，複數個偏壓脈衝BW，各自為負的電壓脈衝。在一例中，負的電壓脈衝，為負的直流電壓脈衝。第1偏壓電源61的輸出電壓，在並未輸出偏壓脈衝BW時可為0V。或者，第1偏壓電源61的輸出電壓，在並未輸出偏壓脈衝BW時，具有比偏壓脈衝BW的電壓位準V BW的絕對值｜V BW｜更小的絕對值的電壓位準。
第1偏壓電源61，亦可以偏壓頻率f B所限定的時間間隔T B周期性地對第1電極21c施加偏壓脈衝BW。時間間隔T B，係偏壓周期，為偏壓頻率f B的倒數。偏壓頻率f B，例如係在200kHz～13.56MHz的範圍內的頻率。在時間間隔T B內對第1電極21c施加偏壓脈衝BW的期間（時間長T A）所占比例[亦即工作比D B＝T A／T B×100（％）]，比0更大，比100更小。
在一實施態樣中，上述的點火期間Pi以及處理期間Pp，亦可各自包含周期性的複數個脈衝期間P L。如圖4所示的，複數個脈衝期間P L，各自包含導通（ON）期間P ON與切斷（OFF）期間P OFF。亦即，導通（ON）期間P ON，以與複數個脈衝期間P L的時間長相同的時間間隔T P出現。第1偏壓電源61，亦可在周期性的複數個脈衝期間P L各自的導通（ON）期間P ON中，對第1電極21c施加複數個偏壓脈衝BW。第1偏壓電源61，亦可在複數個脈衝期間P L各自的切斷（OFF）期間P OFF中，停止對第1電極21c施加偏壓脈衝BW。在時間間隔T P內導通（ON）期間P ON（時間長T ON）所占比例[亦即工作比D P＝T ON／T P×100（％）]，比0更大，比100更小。上述的偏壓周期，亦即時間間隔T B，比脈衝周期，亦即導通（ON）期間P ON的時間間隔T P，更短。因此，如圖5所示的，在各導通（ON）期間P ON中，若干的偏壓脈衝BW，以時間間隔T B依序施加於第1電極21c。
如圖1所示的，第2區域22，以包圍第1區域21的方式延伸。第2區域22，大致為環狀的區域。第2區域22的中心軸線，與軸線AX大略對齊一致。第2區域22，支持其上（亦即其頂面之上）所載置的邊緣環ER。第2區域22，與第1區域21共有介電體部20d。
在一實施態樣中，第2區域22，亦可利用靜電引力保持邊緣環ER。在該實施態樣中，第2區域22，可具有一個以上的電極（夾頭電極）。在圖1所示的實施態樣中，第2區域22，具有一對電極，亦即電極22a以及電極22b。電極22a以及電極22b，在第2區域22內設置於介電體部20d之中。電極22a以及電極22b，構成雙極電極。電極22a以及電極22b，各自為膜狀的電極。電極22a以及電極22b，亦可在垂直方向上的大致相同的高度位置上延伸。
直流電源71，透過開關72以及濾波器73連接於電極22a。濾波器73，係阻斷高頻電力RF、偏壓脈衝BW以及後述的偏壓脈衝BE或令其衰減的電子濾波器。直流電源74，透過開關75以及濾波器76連接於電極22b。濾波器76，係阻斷高頻電力RF、偏壓脈衝BW以及偏壓脈衝BE或令其衰減的電子濾波器。
直流電源71以及直流電源74，各自為了產生將邊緣環ER吸附於第2區域22的靜電引力，而對電極22a以及電極22b施加直流電壓。另外，電極22a以及電極22b各自的設定電位，無論為正電位、負電位或0V其中哪一種均可。例如，亦可電極22a的電位設定為正電位，電極22b的電位設定為負電位。另外，電極22a與電極22b之間的電位差，亦可不使用二個直流電源形成之，而係使用單一直流電源形成之。
當對電極22a與電極22b賦與直流電壓時，會在第2區域22與邊緣環ER之間產生靜電引力。邊緣環ER，會被所產生的靜電引力吸附於第2區域22，而被第2區域22所保持。
第2區域22，亦可更具有氣體管線22g。氣體管線22g，係為了將導熱氣體G HT（例如He氣）供給到第2區域22與邊緣環ER之間的間隙而設置的氣體管線。氣體管線22g，與導熱氣體G HT的源頭（亦即氣體供給機構86）連接。
第2區域22，亦可更具有第2電極22c。第2電極22c，係膜狀的電極。第2電極22c，在第2區域22內設置於介電體部20d之中。第2電極22c，與第1電極21c分開。另外，電極22a以及電極22b，可在垂直方向上比第2電極22c在更靠近第2區域22的頂面之處延伸。另外，第2電極22c，亦可配置在第2區域22的外側。例如，第2電極22c，亦可設置在邊緣環ER的下方，且設置在外周部29之中。
電漿處理裝置1，亦可更具備第2偏壓電源81。第2偏壓電源81，與第2電極22c電連接。第2偏壓電源81，亦可透過濾波器82與第2電極22c連接。濾波器82，係阻斷高頻電力RF或令其衰減的電子濾波器。
如圖1以及圖5所示的，第2偏壓電源81，對第2電極22c依序施加複數個偏壓脈衝BE。複數個偏壓脈衝BE，透過第2電極22c施加於邊緣環ER。複數個偏壓脈衝BE，各自為電壓的脈衝。在一實施態樣中，複數個偏壓脈衝BE，各自為負的電壓的脈衝。在一例中，負的電壓的脈衝，為負的直流電壓的脈衝。第2偏壓電源81的輸出電壓，在並未輸出偏壓脈衝BE時可為0V。或者，第2偏壓電源81的輸出電壓，在並未輸出偏壓脈衝BE時，具有比偏壓脈衝BE的電壓位準V BE的絕對值｜V BE｜更小的絕對值的電壓位準。偏壓脈衝BE，可與偏壓脈衝BW同步。偏壓脈衝BE，亦可並未與偏壓脈衝BW同步。
第2偏壓電源81，亦可以時間間隔T BE周期性地對第2電極22c施加偏壓脈衝BE。時間間隔T BE，係偏壓周期，為偏壓頻率f BE的倒數。偏壓頻率f BE，例如，係在200kHz～13.56MHz的範圍內的頻率。時間間隔T BE，亦可如圖5所示的與時間間隔T B相同，亦可與時間間隔T B相異。
在時間間隔T BE內一個偏壓脈衝BE施加於第2電極22c的期間（時間長T AE）所占比例[亦即工作比D BE＝T AE／T BE×100（％）]，比0更大，比100更小。時間長T AE，亦可如圖5所示的與時間長T A相同，亦可與時間長T A相異。另外，工作比D BE，亦可與工作比D B相同，亦可與工作比D B相異。
在一實施態樣中，上述的點火期間Pi以及處理期間Pp，亦可各自包含周期性的複數個脈衝期間P L ＿ E。如圖4所示的，複數個脈衝期間P L ＿ E，各自包含導通（ON）期間P ON ＿ E與切斷（OFF）期間P OFF ＿ E。亦即，導通（ON）期間P ON ＿ E，以與複數個脈衝期間P L ＿ E的時間長相同的時間間隔T P ＿ E出現。第2偏壓電源81，亦可在周期性的複數個脈衝期間P L ＿ E各自的導通（ON）期間P ON ＿ E中，對第2電極22c施加複數個偏壓脈衝BE。第2偏壓電源81，亦可在複數個脈衝期間P L ＿ E各自的切斷（OFF）期間P OFF ＿ E中，停止對第2電極22c施加偏壓脈衝BE。在時間間隔T P ＿ E內導通（ON）期間P ON ＿ E（時間長T ON ＿ E）所占比例[亦即工作比D P ＿ E＝T ON ＿ E／T P ＿ E×100（％）]，比0更大，比100更小。上述的偏壓周期，亦即時間間隔T BE，比脈衝周期，亦即導通（ON）期間P ON ＿ E的時間間隔T P ＿ E，更短。因此，如圖5所示的，在各導通（ON）期間P ON ＿ E中，若干的偏壓脈衝BE，以時間間隔T BE依序施加於第2電極22c。另外，導通（ON）期間P ON ＿ E，可與導通（ON）期間P ON同步。導通（ON）期間P ON ＿ E，亦可並未與導通（ON）期間P ON同步。
在一實施態樣中，高頻電源57，亦可如圖4所示的，在點火期間Pi以及處理期間Pp各自的周期性的複數個脈衝期間P L ＿ R各自的導通（ON）期間P ON ＿ R中，供給高頻電力RF。亦即，高頻電源57，亦可在以時間間隔T P ＿ R出現的導通（ON）期間P ON ＿ R中，供給高頻電力RF。高頻電源57，亦可在複數個脈衝期間P L ＿ R各自的切斷（OFF）期間P OFF ＿ R中，停止供給高頻電力RF。在時間間隔T P ＿ R內導通（ON）期間P ON ＿ R（時間長T ON ＿ R）所占比例[亦即工作比D P ＿ R＝T ON ＿ R／T P ＿ R×100（％）]，比0更大，比100更小。另外，導通（ON）期間P ON ＿ R，可與導通（ON）期間P ON以及導通（ON）期間P ON ＿ E同步。導通（ON）期間P ON ＿ R，亦可並未與導通（ON）期間P ON以及導通（ON）期間P ON ＿ E的至少其中一個同步。
在一實施態樣中，電漿處理裝置1，亦可更具備電源88。電源88，對上部電極30施加電壓DCS。電源88，可分別在點火期間Pi以及處理期間Pp之中，對上部電極30施加電壓DCS。電壓DCS，可為負的電壓。電壓DCS，亦可為負的直流電壓。
在一實施態樣中，電源88，亦可如圖4所示的，在點火期間Pi以及處理期間Pp各自的周期性的複數個脈衝期間P L ＿ D各自的導通（ON）期間P ON ＿ D中，對上部電極30施加電壓DCS。亦即，電源88，亦可在以時間間隔T P ＿ D出現的導通（ON）期間P ON ＿ D中，對上部電極30施加電壓DCS。電源88，亦可在複數個脈衝期間P L ＿ D各自的切斷（OFF）期間P OFF ＿ D中，停止施加電源88。在時間間隔T P ＿ D內導通（ON）期間P ON ＿ D（時間長T ON ＿ D）所占比例[亦即工作比D P ＿ D＝T ON ＿ D／T P ＿ D×100（％）]，比0更大，比100更小。另外，導通（ON）期間P ON ＿ D，可與導通（ON）期間P ON、導通（ON）期間P ON ＿ R以及導通（ON）期間P ON ＿ E同步。導通（ON）期間P ON ＿ D，亦可並未與導通（ON）期間P ON、導通（ON）期間P ON ＿ R以及導通（ON）期間P ON ＿ E的至少其中一個同步。
在一實施態樣中，電漿處理裝置1，亦可如圖2所示的，更具備控制部MC。控制部MC，係具備處理器、記憶裝置、輸入裝置、顯示裝置等的電腦，其控制電漿處理裝置1的各部位。具體而言，控制部MC，執行記憶裝置所記憶的控制程式，並根據該記憶裝置所記憶的配方資料，控制電漿處理裝置1的各部位。藉由控制部MC的控制，配方資料所指定的程序便在電漿處理裝置1中實行。
以下，與圖1～5一起，參照圖6，針對一例示之實施態樣的電漿處理方法進行說明。另外，針對電漿處理裝置1的各部位的動作的詳細例子進行說明。圖6，係一例示之實施態樣的電漿處理方法的流程圖。
在圖6所示的電漿處理方法（以下稱為「方法MT」）中，邊緣環ER被第2區域22所保持，基板W被基板支持器16的第1區域21所保持。然後，氣體供給部，將處理氣體供給到處理室10內。在圖3所示的例子中，氣體供給部，從時點t0開始將處理氣體供給到處理室10內。對處理室內的處理氣體的供給，在點火期間Pi以及處理期間Pp中持續進行。另外，排氣裝置50（其壓力控制器），將處理室10內的壓力調整成指定的壓力。另外，氣體供給機構86，在時點t0與點火期間Pi的開始時點t1之間的時點，開始供給導熱氣體G HT。導熱氣體G HT，供給到第2區域22與邊緣環ER之間的間隙。導熱氣體G HT的供給，在點火期間Pi以及處理期間Pp中持續進行。
然後，步驟STa，在點火期間Pi中實行。亦即，在點火期間Pi中，電漿在處理室10內被點火。高頻電源57，在點火期間Pi中，供給高頻電力RF。在圖3所示的例子中，係在時點t1，開始供給高頻電力RF。
另外，步驟STb，在點火期間Pi中實行。在步驟STb中，第1偏壓電源61，對第1電極21c依序施加複數個偏壓脈衝BW。在圖3所示的例子中，複數個偏壓脈衝BW對第1電極21c的施加，在時點t1之後的時點t3開始，在點火期間Pi中持續進行。另外，在步驟STb中，第1偏壓電源61，將複數個偏壓脈衝BW的電壓位準V BW的絕對值｜V BW｜階段性地或逐漸地增高。
在一實施態樣中，第1偏壓電源61，在點火期間Pi中，將複數個偏壓脈衝BW各自的電壓位準的絕對值，設定成比先前對第1電極21c所施加的任意的偏壓脈衝BW的電壓位準的絕對值更大的值。換言之，亦可如圖5所示的，在點火期間Pi中依序對第1電極21c所施加的複數個偏壓脈衝BW的電壓位準V BW的絕對值｜V BW｜，斜向上升（ramp up）。
當偏壓脈衝BW的電壓位準的絕對值急劇地增高時，高頻電力RF的反射波的功率會變大。在電漿處理裝置1中，於點火期間Pi，複數個偏壓脈衝BW的位準階段性地或逐漸地增高。因此，若根據電漿處理裝置1，便可抑制高頻電力RF的反射波的功率。另外，由於反射波的功率被抑制，故可在短時間內穩定地產生電漿，如是便可縮短等到電漿對基板進行處理的期間開始為止的時間長。
在一實施態樣中，第2偏壓電源81，在點火期間Pi中，對第2電極22c依序施加複數個偏壓脈衝BE。複數個偏壓脈衝BE，透過第2電極22c施加於邊緣環ER。在圖3所示的例子中，複數個偏壓脈衝BE對第2電極22c的施加，在時點t3開始，在點火期間Pi中持續進行。另外，第2偏壓電源81，將複數個偏壓脈衝BE的電壓位準V BE的絕對值｜V BE｜階段性地或逐漸地增高。此時，亦可抑制高頻電力RF的反射波的功率。
在一實施態樣中，第2偏壓電源81，在點火期間Pi中，將複數個偏壓脈衝BE各自的電壓位準的絕對值，設定成比先前對第2電極22c所施加的任意的偏壓脈衝BE的電壓位準的絕對值更大的值。換言之，亦可如圖5所示的，在點火期間Pi中依序對第2電極22c所施加的複數個偏壓脈衝BE的電壓位準V BE的絕對值｜V BE｜，斜向上升（ramp up）。
在一實施態樣中，電源88，在點火期間Pi中，對上部電極30施加電壓DCS。在圖3所示的例子中，電壓DCS對上部電極30的施加，在時點t1與時點t3之間的時點t2開始，在點火期間Pi中持續進行。
在方法MT中，接著，實行步驟STc。步驟STc，在點火期間Pi之後的處理期間Pp中實行。在圖3所示的例子中，處理期間Pp，在時點t4開始。在處理期間Pp中，利用從點火期間Pi開始便持續產生的電漿，在處理室10內對基板W進行處理。
在一實施態樣中，氣體供給部，亦可將在處理期間Pp中對處理室10內所供給的處理氣體中的至少一種氣體的流量，設定成與在點火期間Pi中對處理室10內所供給的該至少一種氣體的流量相異的流量。至少一種氣體的流量，亦可在時點t4之後的時點t5變更。時點t4與時點t5之間的時間長，例如為0.6秒。
處理氣體，例如，包含沉積性氣體以及含氧氣體。沉積性氣體，例如，為氟碳氣體等含碳氣體。含氧氣體，例如為O 2氣體。氣體供給部，亦可將在處理期間Pp中對處理室10內所供給的沉積性氣體的流量，設定成比在點火期間Pi中對處理室10內所供給的沉積性氣體的流量更小的流量。氣體供給部，亦可將在處理期間Pp中對處理室10內所供給的含氧氣體的流量，設定成比在點火期間Pi中對處理室10內所供給的含氧氣體的流量更大的流量。
在一實施態樣中，排氣裝置50的壓力控制器，亦可將處理期間Pp中的處理室10內的壓力，設定成與點火期間Pi中的處理室10內的壓力相異的壓力。壓力控制器，亦可將處理期間Pp中的處理室10內的壓力，如在圖3中以實線表示的，設定成比點火期間Pi中的處理室10內的壓力更低的壓力。當處理期間Pp中的處理室10內的壓力在閾值以上時，壓力控制器，亦可將點火期間Pi中的處理室10內的壓力（在圖3中以虛線表示的壓力），設定成與處理期間Pp中的處理室10內的壓力相同的壓力。當處理期間Pp中的處理室10內的壓力比閾值更小時，壓力控制器，亦可將點火期間Pi中的處理室10內的壓力，設定成與閾值相同的值。處理室10內的壓力的閾值，例如為2.666Pa（20mTorr）。
高頻電源57，為了從點火期間Pi開始持續地從處理氣體產生電漿，在處理期間Pp中，亦供給高頻電力RF。
在一實施態樣中，高頻電源57，亦可將處理期間Pp中的高頻電力RF的頻率，設定成與點火期間Pi中的高頻電力RF的頻率相異的頻率。高頻電源57，如圖3所示的，亦可將處理期間Pp中的高頻電力RF的頻率，設定成比點火期間Pi中的高頻電力RF的頻率更低的頻率。
在一實施態樣中，高頻電源57，亦可將處理期間Pp中的高頻電力RF的電力位準，設定成與點火期間Pi中的高頻電力RF的電力位準相異的電力位準。高頻電源57，亦可將處理期間Pp中的高頻電力RF的電力位準，如在圖3中以實線表示的，設定成比點火期間Pi中的高頻電力RF的電力位準更高的電力位準。當處理期間Pp中的高頻電力RF的電力位準在閾值以下時，高頻電源57，亦可將點火期間Pi中的高頻電力RF的電力位準，設定成與處理期間Pp中的高頻電力RF的電力位準相同的位準。請參照在圖3中以虛線表示的高頻電力RF的電力位準。當處理期間Pp中的高頻電力RF的電力位準比閾值更大時，高頻電源57，亦可將點火期間Pi中的高頻電力RF的電力位準，設定成與閾值相同的值。高頻電力RF的電力位準的閾值，例如為2500W。
在一實施態樣中，高頻電源57，亦可將處理期間Pp中的工作比D P ＿ R，設定成與點火期間Pi中的工作比D P ＿ R相異的比。高頻電源57，亦可將處理期間Pp中的工作比D P ＿ R，設定成比點火期間Pi中的工作比D P ＿ R更小的比。當處理期間Pp中的工作比D P ＿ R在閾值以上時，高頻電源57，亦可將點火期間Pi中的工作比D P ＿ R，設定成與處理期間Pp中的工作比D P ＿ R相同的比。當處理期間Pp中的工作比D P ＿ R比閾值更小時，高頻電源57，亦可將點火期間Pi中的工作比D P ＿ R，設定成與閾值相同的值。工作比D P ＿ R的閾值，例如為30％。
第1偏壓電源61，在處理期間Pp中，亦對第1電極21c依序施加複數個偏壓脈衝BW。亦可在處理期間Pp中，亦與點火期間Pi同樣，周期性地對第1電極21c依序施加複數個偏壓脈衝BW。複數個偏壓脈衝BW的電壓位準，在處理期間Pp中可為相同。
在一實施態樣中，第1偏壓電源61，亦可將處理期間Pp中的工作比D P，設定成與點火期間Pi中的工作比D P相異的比。第1偏壓電源61，亦可將處理期間Pp中的工作比D P，如在圖3中以實線表示的，設定成比點火期間Pi中的工作比D P更小的比。當處理期間Pp中的工作比D P在閾值以上時，如在圖3中以虛線表示的，第1偏壓電源61，亦可將點火期間Pi中的工作比D P，設定成與處理期間Pp中的工作比D P相同的比。當處理期間Pp中的工作比D P比閾值更小時，第1偏壓電源61，亦可將點火期間Pi中的工作比D P，設定成與閾值相同的值。工作比D P的閾值，例如為30％。
第2偏壓電源81，在處理期間Pp中，亦對第2電極22c依序施加複數個偏壓脈衝BE。亦可在處理期間Pp中，亦與點火期間Pi同樣，周期性地對第2電極22c依序施加複數個偏壓脈衝BE。複數個偏壓脈衝BE的電壓位準，在處理期間Pp中可為相同。
在一實施態樣中，第2偏壓電源81，亦可將處理期間Pp中的工作比D P ＿ E，設定成與點火期間Pi中的工作比D P ＿ E相異的比。第2偏壓電源81，亦可將處理期間Pp中的工作比D P ＿ E，設定成比點火期間Pi中的工作比D P ＿ E更小的比。當處理期間Pp中的工作比D P ＿ E在閾值以上時，第2偏壓電源81，亦可將點火期間Pi中的工作比D P ＿ E，設定成與處理期間Pp中的工作比D P ＿ E相同的比。當處理期間Pp中的工作比D P ＿ E比閾值更小時，第2偏壓電源81，亦可將點火期間Pi中的工作比D P ＿ E，設定成與閾值相同的值。工作比D P ＿ E的閾值，例如為30％。
電源88，在處理期間Pp中，亦對上部電極30施加電壓DCS。處理期間Pp中的電壓DCS的電壓位準，可與點火期間Pi中的電壓DCS的電壓位準相同。
在一實施態樣中，電源88，亦可將處理期間Pp中的工作比D P ＿ D，設定成與點火期間Pi中的工作比D P ＿ D相異的比。電源88，亦可將處理期間Pp中的工作比D P ＿ D，設定成比點火期間Pi中的工作比D P ＿ D更小的比。當處理期間Pp中的工作比D P ＿ D在閾值以上時，電源88，亦可將點火期間Pi中的工作比D P ＿ D，設定成與處理期間Pp中的工作比D P ＿ D相同的比。當處理期間Pp中的工作比D P ＿ D比閾值更小時，電源88，亦可將點火期間Pi中的工作比D P ＿ D，設定成與閾值相同的值。工作比D P ＿ D的閾值，例如為30％。
氣體供給機構86，在處理期間Pp中亦將導熱氣體G HT供給到第2區域22與邊緣環ER之間的間隙。氣體供給機構86，亦可將處理期間Pp中的導熱氣體G HT的壓力，設定成與點火期間Pi中的導熱氣體G HT的壓力相異的壓力。氣體供給機構86，亦可將處理期間Pp中的導熱氣體G HT的壓力，設定成比點火期間Pi中的導熱氣體G HT的壓力更高的壓力。
以上，係針對各種例示的實施態樣進行說明，惟並非僅限於上述例示的實施態樣，亦可實施各種增設、省略、置換以及變更。另外，可將相異實施態樣中的要件組合之，以構成其他實施態樣。
例如，在另一實施態樣中，來自第1偏壓電源61的偏壓脈衝BW，亦可施加於下部電極18。此時，電漿處理裝置1，亦可不具備第1電極21c。來自第1偏壓電源61的偏壓脈衝BW，亦可施加於電極21a。此時亦同，電漿處理裝置1，亦可不具備第1電極21c。
在另一實施態樣中，來自第2偏壓電源81的偏壓脈衝BE，亦可施加於電極22a以及電極22b。此時，電漿處理裝置1，亦可不具備第2電極22c。
在另一實施態樣中，電漿處理裝置，亦可為有別於電漿處理裝置1的其他電容耦合型的電漿處理裝置。在另一實施態樣中，電漿處理裝置，亦可為其他類型的電漿處理裝置。其他類型的電漿處理裝置，亦可為電感耦合型的電漿處理裝置、電子迴旋共振（electron cyclotron resonance，ECR）電漿處理裝置，或是利用微波等表面波產生電漿的電漿處理裝置。
另外，在另一實施態樣中，複數個偏壓脈衝BW的電壓位準，亦可從正的電壓位準，階段性地或逐漸地變化到負的電壓位準。此時亦同，在從正的電壓的脈衝切換到負的電壓的脈衝之後，複數個偏壓脈衝BW的電壓位準V BW的絕對值｜V BW｜，如上所述的階段性地或逐漸地增高。同樣地，複數個偏壓脈衝BE的電壓位準，亦可從正的電壓位準，階段性地或逐漸地變化到負的電壓位準。此時亦同，在從正的電壓的脈衝切換到負的電壓的脈衝之後，複數個偏壓脈衝BE的電壓位準V BE的絕對值｜V BE｜，如上所述的階段性地或逐漸地增高。
以下，針對第1～第4實驗進行說明。在第1～第4實驗中，用電漿處理裝置1，測定點火期間Pi中的高頻電力RF的反射波的功率。在第1～第3實驗中，在點火期間Pi內的時點t3與時點t4之間，令複數個偏壓脈衝BW的電壓位準的絕對值從0V斜向上升（ramp up）到9500V。第1～第3實驗中的時點t3與時點t4之間的時間長，分別為1秒、2秒、3秒。另外，在第4實驗中，在點火期間Pi內的時點t3與時點t4之間，令複數個偏壓脈衝BW的電壓位準的絕對值，階段性地增高到2500V、6000V、9500V。
圖7（a）、圖7（b），各自係表示第1實驗中的偏壓脈衝BW的電壓位準的絕對值｜V BW｜、高頻電力RF的反射波的功率Pr的曲線圖。圖8（a）、圖8（b），各自係表示第2實驗中的偏壓脈衝BW的電壓位準的絕對值｜V BW｜、高頻電力RF的反射波的功率Pr的曲線圖。圖9（a）、圖9（b），各自係表示第3實驗中的偏壓脈衝BW的電壓位準的絕對值｜V BW｜、高頻電力RF的反射波的功率Pr的曲線圖。圖10（a）、圖10（b），各自係表示第4實驗中的偏壓脈衝BW的電壓位準的絕對值｜V BW｜、高頻電力RF的反射波的功率Pr的曲線圖。如該等圖式所示的，藉由令複數個偏壓脈衝BW的電力位準的絕對值｜V BW｜階段性地或逐漸地增高，便可抑制高頻電力RF的反射波的功率Pr，此點為吾人所確認。尤其，在第3實驗以及第4實驗中，藉由令絕對值｜V BW｜在2秒以上的期間內從0V斜向上升（ramp up）到9500V，便可大幅抑制開始施加偏壓脈衝BW之後的高頻電力RF的反射波的功率Pr。
根據以上的說明，吾人應可理解：本發明之各種實施態樣，係為了說明之目的而在本說明書中進行說明，在不超出本發明之範圍以及發明精神的情況下，實可作出各種變更。因此，本說明書所揭示之各種實施態樣並無形成限定之意圖，其真正的範圍以及發明精神，由所附的專利請求範圍表示之。
1:電漿處理裝置 10:處理室 10s:內部空間 12:處理室本體 12g:閘閥 12p:通路 16:基板支持器 17:支持部 18:下部電極 18f:流通管路 20:靜電夾頭 20d:介電體部 21:第1區域 21a:電極 21c:第1電極 22:第2區域 22a,22b:電極 22c:第2電極 22g:氣體管線 23a,23b:配管 25:氣體管線 28,29:外周部 30:上部電極 32:構件 34:頂板 34a:氣體孔 36:支持體 36a:氣體擴散室 36b:氣體孔 36c:氣體導入埠 38:氣體供給管 40:氣體源群 41:閥門群 42:流量控制器群 43:閥門群 48:擋板 50:排氣裝置 52:排氣管 55:直流電源 56:開關 57:高頻電源 58:匹配器 61:第1偏壓電源 62:濾波器 71:直流電源 72:開關 73:濾波器 74:直流電源 75:開關 76:濾波器 81:第2偏壓電源 82:濾波器 86:氣體供給機構 88:電源 AX:軸線 BE,BW:偏壓脈衝 DCS:電壓 D P:工作比 ER:邊緣環 G HT:導熱氣體 MC:控制部 MT:方法 OFF:切斷 ON:導通 Pi:點火期間 P L ＿ D,P L ＿ E,P L ＿ R:脈衝期間 P OFF,P OFF ＿ D,P OFF ＿ E,P OFF ＿ R:切斷（OFF）期間 P ON,P ON ＿ D,P ON ＿ E,P ON ＿ R:導通（ON）期間 Pp:處理期間 Pr:功率 RF:高頻電力 sec:秒 STa~STc:步驟 t0~t5:時點 T A,T AE,T ON,T ON ＿ D,T ON ＿ E,T ON ＿ R:時間長 T B,T BE,T P,T P ＿ E,T P ＿ D,T P ＿ R:時間間隔 V BE,V BW,V DCS:電壓位準 W:基板
[圖1]係以概略方式表示一例示之實施態樣的電漿處理裝置的圖式。 [圖2]係表示一例示之實施態樣的電漿處理裝置的處理室內的構造的圖式。 [圖3]係關於圖1所示的電漿處理裝置的處理的一例的時序圖。 [圖4]係關於圖1所示的電漿處理裝置的處理的一例的時序圖。 [圖5]係對基板的偏壓脈衝以及對邊緣環的偏壓脈衝的一例的時序圖。 [圖6]係一例示之實施態樣的電漿處理方法的流程圖。 [圖7]（a）、（b）分別係表示第1實驗中的偏壓脈衝的電壓位準的絕對值、高頻電力的反射波的曲線圖。 [圖8]（a）、（b）分別係表示第2實驗中的偏壓脈衝的電壓位準的絕對值、高頻電力的反射波的曲線圖。 [圖9]（a）、（b）分別係表示第3實驗中的偏壓脈衝的電壓位準的絕對值、高頻電力的反射波的曲線圖。 [圖10]（a）、（b）分別係表示第4實驗中的偏壓脈衝的電壓位準的絕對值、高頻電力的反射波的曲線圖。
1:電漿處理裝置
10:處理室
10s:內部空間
16:基板支持器
18:下部電極
20:靜電夾頭
20d:介電體部
21:第1區域
21a:電極
21c:第1電極
22:第2區域
22a,22b:電極
22c:第2電極
22g:氣體管線
30:上部電極
55:直流電源
56:開關
57:高頻電源
58:匹配器
61:第1偏壓電源
62:濾波器
71:直流電源
72:開關
73:濾波器
74:直流電源
75:開關
76:濾波器
81:第2偏壓電源
82:濾波器
86:氣體供給機構
88:電源
BE,BW:偏壓脈衝
DCS:電壓
ER:邊緣環
RF:高頻電力
W:基板

Claims (16)

  1. 一種電漿處理裝置，包含： 處理室； 基板支持器，包含電極，且設置在該處理室內； 高頻電源，為了在該處理室內從氣體產生電漿，而供給高頻電力；以及 偏壓電源，與該電極電連接； 該高頻電源，於在該處理室內將電漿點火的點火期間中，供給該高頻電力； 該偏壓電源，在該點火期間中，對該電極依序施加各自為負電壓的複數個偏壓脈衝，並階段性地或逐漸地增高該複數個偏壓脈衝的電壓位準的絕對值。
  2. 如請求項1之電漿處理裝置，其中， 該偏壓電源，將該複數個偏壓脈衝各自的電壓位準的絕對值，設定成比該複數個偏壓脈衝之中的先對該電極所施加的任意的偏壓脈衝的電壓位準的絕對值更大的值。
  3. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中， 該複數個偏壓脈衝，各自為直流電壓的脈衝。
  4. 如請求項1至3中任一項之電漿處理裝置，其中， 該高頻電源，在該點火期間之後，在用電漿於該處理室內對基板進行處理的處理期間中，亦供給該高頻電力； 該偏壓電源，在該處理期間中，亦對該電極依序施加各自為負電壓的複數個偏壓脈衝。
  5. 如請求項4之電漿處理裝置，其中， 更包含壓力控制器，其調整該處理室內的壓力； 該壓力控制器，將該處理期間中的該處理室內的壓力，設定成與該點火期間中的該處理室內的壓力相異的壓力。
  6. 如請求項5之電漿處理裝置，其中， 該壓力控制器，將該處理期間中的該處理室內的該壓力，設定成比該點火期間中的該處理室內的該壓力更低的壓力。
  7. 如請求項4至6中任一項之電漿處理裝置，其中， 該高頻電源，將該處理期間中的該高頻電力的頻率，設定成與該點火期間中的該高頻電力的頻率相異的頻率。
  8. 如請求項7之電漿處理裝置，其中， 該高頻電源，將該處理期間中的該高頻電力的該頻率，設定成比該點火期間中的該高頻電力的該頻率更低的頻率。
  9. 如請求項4至8中任一項之電漿處理裝置，其中， 該高頻電源，將該處理期間中的該高頻電力的電力位準，設定成與該點火期間中的該高頻電力的電力位準相異的電力位準。
  10. 如請求項9之電漿處理裝置，其中， 該高頻電源，將該處理期間中的該高頻電力的該電力位準，設定成比該點火期間中的該高頻電力的該電力位準更高的電力位準。
  11. 如請求項4至10中任一項之電漿處理裝置，其中， 更包含氣體供給部，其將在該處理室內隨後產生電漿的氣體供給到該處理室內； 該氣體供給部，將在該處理期間中供給到該處理室內的至少一種氣體的流量，設定成與在該點火期間中供給到該處理室內的該至少一種氣體的流量相異的流量。
  12. 如請求項4至11中任一項之電漿處理裝置，其中， 該點火期間以及該處理期間，各自包含周期性的複數個脈衝期間； 該偏壓電源，在該複數個脈衝期間各自的導通期間中，以比作為該導通期間的時間間隔的脈衝周期更短的偏壓周期，對該電極施加該複數個偏壓脈衝，並在該複數個脈衝期間各自的切斷期間中，停止對該電極施加該複數個偏壓脈衝。
  13. 如請求項12之電漿處理裝置，其中， 該偏壓電源，調整各導通期間的時間長相對於該脈衝周期的時間長的比，亦即工作比，且將該處理期間中的該工作比，設定成與該點火期間中的該工作比相異的比。
  14. 如請求項13之電漿處理裝置，其中， 該偏壓電源，將該處理期間中的該工作比，設定成比該點火期間中的該工作比更小的比。
  15. 如請求項1至14中任一項之電漿處理裝置，其中， 該基板支持器，支持其上所載置的邊緣環； 更包含另一偏壓電源，其對該邊緣環施加各自為負電壓的複數個偏壓脈衝。
  16. 一種電漿處理方法，包含： 在點火期間中於電漿處理裝置的處理室內將電漿點火的步驟；該電漿處理裝置包含基板支持器；該基板支持器包含電極且設置在該處理室內；以及 在該點火期間內對該電極依序施加複數個偏壓脈衝的步驟；該複數個偏壓脈衝為負電壓；該複數個偏壓脈衝的電壓位準的絕對值在該點火期間內階段性地或逐漸地增高。
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