TW202246378A - 具有低蒸發損失的旋塗式碳硬遮罩組成物及利用該組成物的圖案化方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的在於提供可用於半導體光刻過程中具有低蒸發損失的碳硬遮罩組成物及利用該組成物的圖案化方法，該組合物包含由化學式1表示的聚合物、界面活性劑及有機溶劑，根據本發明的硬遮罩由於有優異的耐熱性，因此具有藉由能夠將在過程中作為缺陷作用的蒸發損失最小化來改善收率的效果。

Description

具有低蒸發損失的旋塗式碳硬遮罩組成物及利用該組成物的圖案化方法
本發明涉及在半導體光刻過程中具有低蒸發損失的碳硬遮罩組成物，具體涉及因具有優異耐熱特性而能夠將在過程中作為缺陷（defect）作用的蒸發損失（evaporation loss）最小化的遮罩組成物及利用該組成物的圖案化方法。
近來隨著半導體設備的小型化和集成化而要求實現微細圖案，形成這種微細圖案的方法中透過曝光設備的開發或導入額外製程的光刻圖案的微細化的方法比較有效率。
作為能夠增加半導體設備的集成密度，使得具有更微細的奈米範圍尺寸的結構形成變為可實現的方法，人們正在開發具有高解析度性能的光刻膠及光刻加工工具。
在製造半導體的過程中，以往利用365nm波長的i線（i-line）光源在半導體基板上形成圖案，但是為了形成更加微細的圖案需要更小波長帶的光源。
實際上，從利用KrF（248nm）光源開始，已開發利用ArF（193nm）、EUV（extreme ultra violet-極紫外線，13.5nm）光源的光刻（lithography）技術，目前已被商用化或者正在實現商用化的過程中，利用其能夠實現更微細波長。
隨著圖案大小變小，為了防止光刻膠圖案的塌陷現象，光刻膠的厚度變為越來越薄。利用變薄的光刻膠圖案無法蝕刻被蝕刻層，因此在光刻膠層與被蝕刻層之間導入蝕刻耐性優異的膜，該膜稱為硬遮罩。硬遮罩過程是指利用光刻膠圖案蝕刻硬遮罩進行圖案化後，利用硬遮罩的圖案蝕刻被蝕刻層的過程。所述硬遮罩透過化學氣相沉積法（Chemical vapor deposition: CVD）或旋塗法（Spin On Coating）製造。
透過CVD法製造的硬遮罩膜有使用蒸鍍機所導致的初始費用增加和製程時間增加、顆粒問題等缺點，因此利用可旋塗材料而不是利用硬遮罩過程，從而減少費用和製程時間的努力從未間斷。
透過旋塗法的硬遮罩過程相比CVD法具有初始投資費用少、塗佈性均勻、容易控制塗佈厚度、能夠縮短製程時間等優點。
另一方面，近來半導體過程更加微細化而線幅變窄，但是高度維持不變或者相對而言變高，從而圖案的縱橫比變高。硬遮罩層的高度變高的話，在烘烤過程時由於蒸發損失的增加而發生缺陷問題，從而導致收率降低的問題發生。因此需要開發一種能夠將作為缺陷作用的蒸發損失最小化，從而能夠改善收率的新的硬遮罩材料。
現有專利文獻 專利文獻1：韓國專利公開第10-1777687號（2017. 09. 12.）； 專利文獻2：韓國專利公開第10-2240213號（2021. 04. 14.）。
[發明所欲解決之問題]
本發明涉及在半導體製造過程中利用旋塗式碳硬遮罩的圖案化方法和組成物，本發明的目的在於，提供一種能夠將作為缺陷（defect）作用的蒸發損失（evaporation loss）最小化的旋塗式碳硬遮罩組成物及利用該組成物的圖案化方法。 [解決問題之技術手段]
根據本發明的一實施例，提供一種具有下列化學式1表示的結構式，重均分子量為1500至20000，能夠使蒸發損失最小化的旋塗式碳硬遮罩組成物。 化學式1
Figure 02_image003
上述式中，m和n分別為1≤m≤50, 1≤n≤50的範圍。
R 1為
Figure 02_image005
、
Figure 02_image007
、
Figure 02_image009
、
Figure 02_image011
、
Figure 02_image013
、
Figure 02_image015
、
Figure 02_image017
中的任一個。
R 2為
Figure 02_image019
、
Figure 02_image021
、
Figure 02_image023
、
Figure 02_image025
、
Figure 02_image027
中的任一個。
根據本發明的另一實施例，本發明的碳硬遮罩組成物基於其總重量，包含1至50重量%之由上述化學式1表示的聚合物、50至98.99重量%的有機溶劑；及0.01至0.1重量%的界面活性劑。
根據本發明的另一實施例，所述有機溶劑可以是選自由丙二醇單甲醚（PGME）、丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA）、環己酮、環戊酮、γ-丁內酯、乳酸乙酯（EL，ethyl lactate）、甲基乙基酮、乙酸正丁酯、N-甲基吡咯烷酮（NMP，methylpyrrolidone）、3-甲氧基丙酸甲酯（MMP）及3-乙氧基丙酸乙酯（EEP）中的一種或它們的二種以上的混合物所組成的組群中。
根據本發明的另一實施例，所述界面活性劑可以是選自由聚氧乙烯烷基醚（polyoxyethylene alkyl ether）類、聚氧乙烯烷基苯基醚（polyoxyethylene alkyl phenyl ether）類、聚氧乙烯壬基苯基醚（polyoxyethylene nonyl phenyl ether ）類、聚氧乙烯辛基苯基醚（polyoxyethylene octyl phenyl ether ）類、聚氧乙烯聚氧丙烯（polyoxyethylene polyoxypropylene）類、月桂醇聚氧乙烯醚（polyoxyethylene lauryl ether）類，聚氧乙烯山梨醇酐（polyoxyethylene sorbitan）類等非離子表面活性劑一種或它們的二種以上的混合物所組成的組群中。
根據本發明的另一實施例，提供一種圖案化方法，包含將所述組成物透過旋塗塗佈到被蝕刻層的上部後，進行烘烤過程從而形成硬遮罩層。
根據本發明的另一實施例，所述硬遮罩圖案化方法中之所述烘烤過程在150℃至400℃的溫度下進行1分鐘至5分鐘從而形成圖案。 [對照先前技術之功效]
根據本發明之能夠將蒸發損失（evaporation loss）最小化的硬遮罩組成物，具有優異的耐熱性，從而將蒸發損失最小化而減少缺陷（defect），蝕刻（etch）選擇性高，對於多重蝕刻的耐性足夠，從而在半導體微細圖案形成時能夠提供優異性能。
以下進一步詳細說明本發明。
根據本發明的一實施例，提供一種旋塗式碳硬遮罩組成物，該組成物具有下列化學式1表示的結構式，重均分子量為1,500至20,000，較佳為1,500至15,000，更佳為1,500至10,000。
化學式1
Figure 02_image003
上述式中，m和n各自為1≤m≤50, 1≤n≤50的範圍。
R 1為
Figure 02_image005
、
Figure 02_image007
、
Figure 02_image009
、
Figure 02_image011
、
Figure 02_image013
、
Figure 02_image015
、
Figure 02_image017
中的任一個。
R 2為
Figure 02_image019
、
Figure 02_image021
、
Figure 02_image023
、
Figure 02_image025
、
Figure 02_image027
中的任一個。
上述式中，R 1主要是顯示改善整體高分子結構的熱固反應性及蝕刻選擇比的作用。
上述式中，R 2主要是在酸性（acid）催化劑條件下實現，具有增加形成的高分子物質的流動性和塗佈性的作用。
上述化學式1表示的聚合物的重均分子量為1,500至20,000，較佳為1,500至15,000，更佳為1,500至10,000。
在上述化學式1表示的聚合物的重均分子量不足1,500時，無法形成足夠量的聚合物結構從而蝕刻耐性降低；重均分子量超過20,000時，塗佈面的物性可能會不均勻。
所述碳硬遮罩組成物可以以組成物總重量為基準，包含1至50重量%之由上述化學式1表示的聚合物、50至98.99重量%的有機溶劑、及 0.01至0.1重量%的界面活性劑。
其中，在所述聚合物成分不足1重量%或超過50重量%時，達不到或者超過目標塗佈厚度而無法滿足準確的塗佈厚度，超過所需塗佈厚度時塗佈性會變差。
所述有機溶劑可以是選自由丙二醇單甲醚（PGME）、丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA)、環己酮、環戊酮、γ-丁內酯、乳酸乙酯（EL）、甲基乙基酮、乙酸正丁酯、N-甲基吡咯烷酮（NMP）、3-甲氧基丙酸甲酯（MMP）、3-乙氧基丙酸乙酯（EEP）中的一種或它們的二種以上的混合物所組成的組群中。
所述界面活性劑可以是選自由聚氧乙烯烷基醚（polyoxyethylene alkyl ether）類、聚氧乙烯烷基苯基醚（polyoxyethylene alkyl phenyl ether）類、聚氧乙烯壬基苯基醚（polyoxyethylene nonyl phenyl ether ）類、聚氧乙烯辛基苯基醚（polyoxy ethylene octyl phenyl ether ）類、聚氧乙烯聚氧丙烯（polyoxyethylene polyoxypropylene）類、月桂醇聚氧乙烯醚（polyoxyethylene lauryl ether）類，聚氧乙烯山梨醇酐（polyoxyethylene sorbitan）類等非離子界面活性劑中的一種或它們的二種以上的混合物所組成的組群中。
所述界面活性劑能夠降低表面張力使得延展性和滲透性增加，從而有利於塗佈性或者填縫（Gapfill）性能。
根據本發明的另一實施例，提供一種圖案化方法，包含將所述組成物透過旋塗塗佈到被蝕刻層的上部，然後進行烘烤過程而形成硬遮罩層。
所述組成物的旋塗厚度可以是135nm至2200nm，在厚度不足135nm時，無法充分塗佈而導致蝕刻耐性降低；在厚度超過2200nm時，塗佈面的物性不均勻導致塗佈性不良而無法採用。
所述烘烤過程可以在150℃至400℃溫度下進行1分鐘至5分鐘。在所述烘烤步驟中，所述組成物可以發生自交聯（self-crosslinking）反應。
以下，對本發明的較佳實施例和比較例進行說明。但是這些實施例只是本發明的較佳示例，本發明並不限定於這些實施例。 實施例 1
Figure 02_image041
加入9,9-雙(6-羥基-2-萘基)芴40g、4,4-雙甲氧基甲基聯苯16g和丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA）150g，形成氮氣氛。在此加入硫酸二乙酯0.20g，並將溶液加熱至140℃後回流（reflux）10小時。反應結束後上述溶液用己烷/乙醇/水（1:1:1）溶液進行提純，用乙醇/水（10:1）溶液進行重結晶後，真空乾燥，GPC測定結果獲得了通過標準聚苯乙烯換算的重均分子量（Mw）為5,000的高分子化合物。 實施例 2
Figure 02_image041
除了將溶液加熱至140℃後回流5小時之外，按照與實施例1相同的過程進行合成。得到的高分子化合物經GPC測定結果確認獲得了通過標準聚苯乙烯換算的重均分子量（Mw）為1,500的高分子化合物。 實施例 3
Figure 02_image041
除了加入硫酸二乙酯0.40g，將溶液加熱至140℃回流20小時之外，與實施例1相同的過程進行合成。得到的高分子化合物經GPC測定結果確認獲得了通過標準聚苯乙烯換算的重均分子量（Mw）為10,000的高分子化合物。 實施例 4
Figure 02_image045
除了加入1,3-雙甲氧基甲苯11g代替4,4-雙甲氧基甲基聯苯之外，按照與實施例1相同的過程進行合成。得到的高分子化合物經GPC測定結果確認獲得了通過標準聚苯乙烯換算的重均分子量（Mw）為4,500的高分子化合物。 實施例 5
Figure 02_image047
除了加入4,4-雙甲氧基甲基聯苯醚13g代替4, 4-雙甲氧基甲基聯苯之外，按照與實施例1相同的過程進行合成。得到的高分子化合物經GPC測定結果確認獲得了通過標準聚苯乙烯換算的重均分子量（Mw）為5,200的高分子化合物。 比較例 1
Figure 02_image049
向9,9-雙(4-羥基苯基)芴20g和1,4-雙甲氧基甲苯9.5g中添加PGMEA 70g，再加入硫酸二乙酯0.20g，按照與實施例1相同的方法合成，得到的高分子化合物經GPC測定結果確認獲得了通過標準聚苯乙烯換算的重均分子量（Mw）為4,900的高分子化合物。 比較例 2
除了反應時間為5小時之外，按照與比較例1相同的過程進行合成。得到的高分子化合物經GPC測定結果確認獲得了通過標準聚苯乙烯換算的重均分子量（Mw）為1,500的高分子化合物。 比較例 3
除了反應時間為30小時之外，按照與比較例1相同的過程進行合成。得到的高分子化合物經GPC測定結果確認獲得了通過標準聚苯乙烯換算的重均分子量（Mw）為21,000的高分子化合物。 實驗例 1
取實施例1中得到的高分子化合物3.0g、丙二醇單甲醚乙酸酯37.55g、環己酮9.4g、聚氧乙烯烷基醚0.05g，攪拌20小時進行溶解。將該溶液用0.2µm細濾器進行過濾，從而製備硬遮罩形成用組成物，利用旋塗法在矽晶圓上進行塗佈。在加熱板上在240℃下加熱1分鐘，繼續在400℃下加熱1分鐘，形成硬遮罩膜。 實驗例 2
除了使用實施例2得到的高分子化合物3.0g之外，按照與實驗例1相同的方法實施。 實驗例 3
除了使用實施例3得到的高分子化合物3.0g之外，按照與實驗例1相同的方法實施。 實驗例 4
除了使用實施例4得到的高分子化合物3.0g之外，按照與實驗例1相同的方法實施。 實驗例 5
除了使用實施例5得到的高分子化合物3.0g之外，按照與實驗例1相同的方法實施。 實驗例 6
除了使用實施例1得到的高分子化合物17.0g、丙二醇單甲醚乙酸酯26.35g、環己酮6.6g、聚氧乙烯烷基醚0.05g之外，按照與實驗例1相同的方法實施。 實驗例 7
除了使用實施例2得到的高分子化合物17g之外，按照與實驗例6相同的方法實施。 實驗例 8
除了使用實施例3得到的高分子化合物17g之外，按照與實驗例6相同的方法實施。 實驗例 9
除了使用實施例4得到的高分子化合物17g之外，按照與實驗例6相同的方法實施。 實驗例 10
除了使用實施例5得到的高分子化合物17g之外，按照與實驗例6相同的方法實施。 實驗例 11
除了使用實施例1得到的高分子化合物3.0g、丙二醇單甲醚乙酸酯37.595g、環己酮9.4g、聚氧乙烯烷基醚0.025g之外，按照與實驗例1相同的方法實施。 實驗例 12
除了使用實施例1得到的高分子化合物3.0g、丙二醇單甲醚乙酸酯37.595g、環己酮9.4g、聚氧乙烯烷基醚0.005g之外，按照與實驗例1相同的方法實施。 比較實驗例 1
除了使用比較例1得到的高分子化合物3.0g之外，按照與實驗例1相同的方法實施。 比較實驗例 2
除了使用比較例2得到的高分子化合物3.0g之外，按照與實驗例1相同的方法實施。 比較實驗例 3
除了使用比較例3得到的高分子化合物3.0g之外，按照與實驗例1相同的方法實施。 比較實驗例 4
除了使用比較例1得到的高分子化合物17.0g之外，按照與實驗例6相同的方法實施。 比較實驗例 5
除了使用比較例2得到的高分子化合物17.0g之外，按照與實驗例6相同的方法實施。 比較實驗例 6
除了使用比較例3得到的高分子化合物17.0g之外，按照與實驗例6相同的方法實施。 比較實驗例 7
除了使用實施例1得到的高分子化合物17.0g、丙二醇單甲醚乙酸酯26.4g、環己酮6.6g、聚氧乙烯烷基醚0g之外，按照與實驗例1相同的方法實施。 比較實驗例 8
除了使用實施例1得到的高分子化合物3.0g、丙二醇單甲醚乙酸酯37.1g、環己酮9.4g、聚氧乙烯烷基醚0.5g之外，按照與實驗例1相同的方法實施。 ＜重均分子量測定＞
上述實施例中得到的重均分子量利用凝膠滲透色譜法（GPC; Gel Permeation Chromatography）測定。測定使用WATERS公司製造的GPC設備，測定條件如下。
柱溫：40℃， 流動相：四氫呋喃（THF），流速：1mL/1min, GPC柱：STYRAGEL KF-801、802、803（WATERS公司製造，8X300mm)。 ＜塗佈厚度特性試驗 ＞
分別測定實驗例1至實驗例12及比較實驗例1至比較實驗例8所形成的硬遮罩膜的厚度，並將其結果示於表1。測定儀器利用橢圓偏光計（Ellipsometer，Horiba公司）。
[表1]
樣本 塗佈厚度（nm) 塗佈性
實驗例1 實施例1 140 良好
實驗例2 實施例2 135 良好
實驗例3 實施例3 150 良好
實驗例4 實施例4 142 良好
實驗例5 實施例5 143 良好
實驗例6 實施例1 2,120 良好
實驗例7 實施例2 2,030 良好
實驗例8 實施例3 2,190 良好
實驗例9 實施例4 2,180 良好
實驗例10 實施例5 2,200 良好
實驗例11 實施例1 141 良好
實驗例12 實施例1 142 良好
比較實驗例1 比較例1 130 良好
比較實驗例2 比較例2 100 良好
比較實驗例3 比較例3 139 良好
比較實驗例4 比較例1 2,010 良好
比較實驗例5 比較例2 1,910 良好
比較實驗例6 比較例3 2,350 不良
比較實驗例7 實施例1 2,300 不良
比較實驗例8 實施例1 138 良好
在硬遮罩膜的塗佈厚度為135至2,200nm時，可以評價為塗佈性良好。
評價硬遮罩膜塗佈厚度的結果，實驗例1至實驗例12的硬遮罩膜塗佈厚度測定為135nm至2,200nm，由此確認不僅蝕刻耐性顯著優異，塗佈性也顯著優異。
相較於此，比較實驗例1和比較實驗例2的塗佈厚度測定為130和100nm，評價為蝕刻耐性大幅降低；比較實驗例6和比較實驗例7的塗佈厚度測定為2,350和2,300nm，塗佈面的物性不均勻，從而評價為塗佈性不良。
此時，比較實驗例8是使用實施例1的化合物的情況，以組成物的總重量為基準包含聚氧乙烯烷基醚1重量%，表1記載的塗佈厚度特性試驗結果為138nm，因此評價為塗佈性良好。 ＜光學物性試驗＞
對實驗例1至實驗例12及比較實驗例1至比較實驗例8所形成的硬遮罩膜，分別測定折射率（refractive index）n和吸光係數（extinction cofficient）k，並將其結果示於表2。測定儀器利用橢圓偏光計（Ellipsometer，Horiba公司）。
[表2]
樣本 折射率 （n@193nm） 吸光係數 （k@193nm）
實驗例1 實施例1 1.35 0.48
實驗例2 實施例2 1.36 0.49
實驗例3 實施例3 1.36 0.47
實驗例4 實施例4 1.38 0.46
實驗例5 實施例5 1.40 0.50
實驗例6 實施例1 1.36 0.48
實驗例7 實施例2 1.37 0.49
實驗例8 實施例3 1.37 0.47
實驗例9 實施例4 1.39 0.46
實驗例10 實施例5 1.41 0.50
實驗例11 實施例1 1.35 0.48
實驗例12 實施例1 1.35 0.48
比較實驗例1 比較例1 1.44 0.68
比較實驗例2 比較例2 1.44 0.69
比較實驗例3 比較例3 1.45 0.67
比較實驗例4 比較例1 1.45 0.68
比較實驗例5 比較例2 1.45 0.69
比較實驗例6 比較例3 - -
比較實驗例7 實施例1 - -
比較實驗例8 實施例1 1.35 0.48
除了由於塗佈性不良而無法測定的比較實驗例6和比較實驗例7之外，硬遮罩膜的折射率（n@193nm）和吸光係數（k@193nm）的測定結果如表2所示。
在硬遮罩膜的折射率（n@193nm）為1.41以下時評價為優異，在吸光係數（k@193nm）為0.50以下時評價為優異。
首先，評價硬遮罩膜的折射率（n@193nm），實驗例1至實驗例12的硬遮罩膜的折射率（n@193nm）測定為1.35至1.41，相反，比較實驗例1至比較實驗例5的折射率（n@193nm)測定為1.44至1.45（排除塗佈性不良而無法測定的比較實驗例6和比較實驗例7），可以確認實驗例1至實驗例12的折射率（n@193nm）特性優異。
其次，評價硬遮罩膜的吸光係數（k@193nm），實驗例1至實驗例12的硬遮罩膜吸光係數（k@193nm）測定為0.46至0.50，相反比較實驗例1至比較實驗例5的硬遮罩膜吸光係數（k@193nm）測定為0.67至0.69（排除塗佈性不良而無法測定的比較實驗例6和比較實驗例7），可以確認實驗例1至實驗例12的吸光係數（k@193nm）特性優異。
此時，比較實驗例8是使用實驗例1的化合物的情況，以組成物總重量為基準包含聚氧乙烯烷基醚1重量%，硬遮罩膜的折射率（n@193nm）測定為1.35，吸光係數（k@193nm）測定為0.48，由此評價為優異。 ＜蒸發損失特性評價＞
對實驗例1至實驗例12及比較實驗例1至比較實驗例8所形成的硬遮罩膜進行蒸發損失特性評價。使用熱重分析儀（TGA(Thermal Analyzer System, TA Instrument)）在400℃下測定蒸發損失（weight loss），測定結果示於表3中。
[表3]
樣本 蒸發損失（400℃）
實驗例1 實施例1 3.0%
實驗例2 實施例2 3.0%
實驗例3 實施例3 3.0%
實驗例4 實施例4 3.0%
實驗例5 實施例5 3.0%
實驗例6 實施例1 3.0%
實驗例7 實施例2 3.0%
實驗例8 實施例3 3.0%
實驗例9 實施例4 3.0%
實驗例10 實施例5 3.0%
實驗例11 實施例1 3.0%
實驗例12 實施例1 3.0%
比較實驗例1 比較例1 10.0%
比較實驗例2 比較例2 11.0%
比較實驗例3 比較例3 9.5%
比較實驗例4 比較例1 10.0%
比較實驗例5 比較例2 11.0%
比較實驗例6 比較例3 -
比較實驗例7 實施例1 -
比較實驗例8 實施例1 4.0%
根據現有技術已知硬遮罩膜的蒸發損失特性在TGA測定時，在400℃下蒸發損失（weight loss）為4%以上，因此在蒸發損失（weight loss）不足4%時可以定義為優異，在3.5至3%以下時，可以定義為非常優異。
相比實驗例1至實驗例12的蒸發損失測定為3%，比較實驗例1至比較實驗例8的蒸發損失測定為4至11%，由此可以確認實驗例1至實驗例12的蒸發損失特性非常優異。
以上對本發明的特定部分進行了詳細說明，但對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者而言明確的是，這些具體技術僅是本發明的較佳的實施方式而已，本發明的範圍並不由此限定。因此本發明的實質的範圍由專利申請範圍及其均等價物來界定。
無
圖1是實施例1製造的聚合物的熱重分析（TGA）圖譜。
Figure 111115695-A0101-11-0002-1

Claims (13)

  1. 一種具有低蒸發損失的旋塗式碳硬遮罩組成物，包含具有下列化學式1表示的結構式且重均分子量為1,500至20,000的聚合物，其中該旋塗式碳硬遮罩組成物在400℃下烘烤時，蒸發損失量很低， 化學式1
    Figure 03_image003
    上述式中，m和n分別為1≤m≤50, 1≤n≤50的範圍； R 1是
    Figure 03_image005
    、
    Figure 03_image007
    、
    Figure 03_image009
    、
    Figure 03_image011
    、
    Figure 03_image013
    、
    Figure 03_image015
    、
    Figure 03_image017
    中的任一個； R 2是
    Figure 03_image019
    、
    Figure 03_image021
    、
    Figure 03_image023
    、
    Figure 03_image025
    、
    Figure 03_image027
    中的任一個。
  2. 如請求項1所述之具有低蒸發損失的旋塗式硬遮罩組成物，其中，該旋塗式碳硬遮罩組成物由化學式1表示的聚合物、界面活性劑、及有機溶劑組成。
  3. 如請求項2所述之具有低蒸發損失的旋塗式硬遮罩組成物，其中，該旋塗式碳硬遮罩組成物基於其總重量由1至50重量%的聚合物、 0.01至0.1重量%的界面活性劑、及50至98.99重量%的有機溶劑組成。
  4. 如請求項3所述之具有低蒸發損失的旋塗式碳硬遮罩組成物，其中，該蒸發損失為2.5至3.5%。
  5. 如請求項4所述之具有低蒸發損失的旋塗式碳硬遮罩組成物，其中，該蒸發損失為2.7至3.2%。
  6. 如請求項5所述之具有低蒸發損失的旋塗式碳硬遮罩組成物，其中，該蒸發損失為2.9至3.1%。
  7. 如請求項6所述之具有低蒸發損失的旋塗式碳硬遮罩組成物，其中，該旋塗式碳硬遮罩組成物的塗佈厚度為135nm至2,200nm。
  8. 如請求項3所述之具有低蒸發損失的旋塗式碳硬遮罩組成物，其中，該界面活性劑是選自由聚氧乙烯烷基醚（polyoxyethylene alkyl ether）類、聚氧乙烯烷基苯基醚（polyoxyethylene alkyl phenyl ether）類、聚氧乙烯壬基苯基醚（polyoxyethylene nonyl phenyl ether ）類、聚氧乙烯辛基苯基醚（polyoxyethylene octyl phenyl ether ）類、聚氧乙烯聚氧丙烯（polyoxyethylene polyoxypropylene）、月桂醇聚氧乙烯醚（polyoxyethylene lauryl ether）類，或聚氧乙烯山梨醇酐（polyoxyethylene sorbitan）類中的一種或它們的二種以上的混合物所組成的組群中。
  9. 如請求項3所述之具有低蒸發損失的旋塗式碳硬遮罩組成物，其中，該有機溶劑是選自由丙二醇單甲醚（PGME）、丙二醇單甲醚乙酸酯（PGMEA）、環己酮、環戊酮、γ-丁內酯、乳酸乙酯（EL）、甲基乙基酮、乙酸正丁酯、N-甲基吡咯烷酮（NMP）、3-甲氧基丙酸甲酯（MMP），或3-乙氧基丙酸乙（EEP） 中的一種或它們的二種以上的混合物所組成的組群中。
  10. 如請求項1所述之具有低蒸發損失的旋塗式碳硬遮罩組成物，其中，該聚合物的重均分子量為1,500至15,000。
  11. 如請求項10所述之具有低蒸發損失的旋塗式碳硬遮罩組成物，其中，該聚合物的重均分子量為1500至10,000。
  12. 一種形成碳硬遮罩層的圖案化方法，包含將根據請求項1至11中任一項所述之具有低蒸發損失的旋塗式碳硬遮罩組成物透過旋塗過程塗佈至被蝕刻層的上部，然後進行烘烤過程。
  13. 如請求項12所述之形成碳硬遮罩層的圖案化方法，其中，該烘烤過程在150℃至400℃溫度下進行1至5分鐘。
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