TW202245338A - 天線系統 - Google Patents

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施廷翰
陳靜雯
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Abstract

一種天線系統，包括：一近場通訊天線，其包括一金屬線圈和一第一介質基板、一耦合金屬部，以及一第二介質基板。金屬線圈係設置於第一介質基板上。耦合金屬部係鄰近於金屬線圈，其中耦合金屬部係未與金屬線圈直接接觸。耦合金屬部係設置於第二介質基板上，其中耦合金屬部係用於調整近場通訊天線之一操作頻率。

Description

天線系統
本發明係關於一種天線系統，特別係關於一種具有可調操作頻率之天線系統。
近場通訊(Near Field Communication，NFC)，又稱近距離無線通訊，是一種短距離之高頻無線通訊技術，其允許電子設備之間進行非接觸式點對點資料傳輸，在十公分(3.9英吋)內交換資料。然而，由於使用環境不同，近場通訊天線之操作頻率可能會隨之發生偏移，進而導致整體通訊品質下降。因此，勢必要提出一種全新之解決方案，以克服先前技術所面臨之問題。
在較佳實施例中，本發明提出一種天線系統，包括：一近場通訊天線，包括一金屬線圈和一第一介質基板，其中該金屬線圈係設置於該第一介質基板上；一耦合金屬部，鄰近於該金屬線圈，其中該耦合金屬部係未與該金屬線圈直接接觸；以及一第二介質基板，其中該耦合金屬部係設置於該第二介質基板上；其中該耦合金屬部係用於調整該近場通訊天線之一操作頻率。
在一些實施例中，該耦合金屬部為浮接狀態(Floating)。
在一些實施例中，該耦合金屬部於該近場通訊天線上具有一垂直投影，而該垂直投影係與該金屬線圈至少部份重疊。
在一些實施例中，若該耦合金屬部之寬度減少，則該近場通訊天線之該操作頻率將會降低。
在一些實施例中，若該耦合金屬部之寬度增加，則該近場通訊天線之該操作頻率將會升高。
在一些實施例中，該耦合金屬部係呈現一螺旋形。
在一些實施例中，該耦合金屬部係呈現一蜿蜒形狀。
在一些實施例中，該金屬線圈之長度係小於或等於該近場通訊天線之該操作頻率之0.25倍波長。
在一些實施例中，該耦合金屬部之長度係小於或等於該近場通訊天線之該操作頻率之0.5倍波長。
在一些實施例中，該金屬線圈之寬度係介於0.2mm至2mm之間。
在一些實施例中，該耦合金屬部之寬度係介於0.1mm至4mm之間。
在一些實施例中，該金屬線圈和該耦合金屬部之間距係介於0.01mm至1.6mm之間。
在一些實施例中，該天線系統更包括：一鐵氧體層，鄰近於該第一介質基板。
在一些實施例中，該天線系統更包括：一絕緣層，用於將該金屬線圈與該耦合金屬部兩者分隔開。
在一些實施例中，該天線系統更包括：一或複數個電感器，與該耦合金屬部作串聯耦接。
在一些實施例中，該天線系統更包括：一或複數個電容器，與該耦合金屬部作串聯耦接。
在一些實施例中，該第一介質基板具有相對之一第一表面和一第二表面，而該第一介質基板之厚度係介於0.1mm至0.8mm之間。
在一些實施例中，該天線系統更包括：一或複數個第一導電貫通元件，穿透該第一介質基板，其中該金屬線圈係藉由使用該等第一導電貫通元件而分佈於該第一介質基板之該第一表面和該第二表面上。
在一些實施例中，該第二介質基板具有相對之一第三表面和一第四表面，而該第二介質基板之厚度係介於0.1mm至0.8mm之間。
在一些實施例中，該天線系統更包括：一第二導電貫通元件，穿透該第二介質基板，其中該耦合金屬部係藉由使用該第二導電貫通元件而分佈於該第二介質基板之該第三表面和該第四表面上。
為讓本發明之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出本發明之具體實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。本領域技術人員應可理解，硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的「包含」及「包括」一詞為開放式的用語，故應解釋成「包含但不僅限定於」。「大致」一詞則是指在可接受的誤差範圍內，本領域技術人員能夠在一定誤差範圍內解決所述技術問題，達到所述基本之技術效果。此外，「耦接」一詞在本說明書中包含任何直接及間接的電性連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接至一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電性連接至該第二裝置，或經由其它裝置或連接手段而間接地電性連接至該第二裝置。
以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，若是本揭露書敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的實施例，亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使上述第一特徵與第二特徵可能未直接接觸的實施例。另外，以下揭露書不同範例可能重複使用相同的參考符號或(且)標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定所討論的不同實施例或(且)結構之間有特定的關係。
此外，其與空間相關用詞。例如「在…下方」、「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」 及類似的用詞，係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外，這些空間相關用詞意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則在此使用的空間相關詞也可依此相同解釋。
第1A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統(Antenna System)100之俯視圖。第1B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統100之側視圖。請一併參考第1A、1B圖。天線系統100可應用於一行動裝置(Mobile Device)當中，例如：一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer)，或是一筆記型電腦(Notebook Computer)。如第1A、1B圖所示，天線系統100至少包括：一近場通訊天線(NFC Antenna)110，其包括一金屬線圈(Metal Coil)120和一第一介質基板(Dielectric Substrate)130、一耦合金屬部(Coupling Metal Element)140，以及一第二介質基板150。必須理解的是，雖然未顯示於第1A、1B圖中，但天線系統100更可包括其他元件，例如：一系統接地面(System Ground Plane)、一射頻(Radio Frequency，RF)模組，以及一外殼(Housing)。
金屬線圈120係設置於第一介質基板130上。金屬線圈120之形狀和匝數在本發明中均不特別作限制。詳細而言，金屬線圈120具有一第一端121和一第二端122，其中一第一饋入點(Feeding Point)FP1係位於金屬線圈120之第一端121處，而一第二饋入點FP2係位於金屬線圈120之第二端122處。第一饋入點FP1和第二饋入點FP2更可經由一匹配電路(Matching Circuit)分別耦接至一信號源(Signal Source)之正極和負極(未顯示)，使得近場通訊天線110可由前述信號源所激發。
第一介質基板130可以是一FR4(Flame Retardant 4)基板、一印刷電路板(Printed Circuit Board，PCB)，或是一軟性電路板(Flexible Printed Circuit Board，FPC)。第一介質基板130具有相對之一第一表面E1和一第二表面E2。在一些實施例中，天線系統100更包括一或複數個第一導電貫通元件(Conductive Via Element)191、192，其可穿透第一介質基板130，而金屬線圈120可藉由使用前述之第一導電貫通元件191、192而同時分佈於第一介質基板130之第一表面E1和第二表面E2上(第一導電貫通元件191、192之間之一虛線段代表此二者係互相耦接)。然而，本發明並不僅限於此。在另一些實施例中，金屬線圈120亦可僅分佈於第一介質基板130之第一表面E1或第二表面E2上。
耦合金屬部140係設置於第二介質基板150上。例如，耦合金屬部140可大致呈現一螺旋形。耦合金屬部140之形狀和匝數在本發明中均不特別作限制。詳細而言，耦合金屬部140具有一第一端141和一第二端142，其為二個開路端(Open End)。換言之，耦合金屬部140可為浮接狀態(Floating)。耦合金屬部140係鄰近於金屬線圈120，其中耦合金屬部140並未與金屬線圈120直接接觸。必須注意的是，本說明書中所謂「鄰近」或「相鄰」一詞可指對應之二元件間距小於一既定距離(例如：5mm或更短)，但通常不包括對應之二元件彼此直接接觸之情況(亦即，前述間距縮短至0)。在一些實施例中，耦合金屬部140於近場通訊天線110上具有一垂直投影(Vertical Projection)，其中此垂直投影係與金屬線圈120至少部份重疊。
第二介質基板150可以是一FR4基板、一印刷電路板，或是一軟性電路板，其可與第一介質基板130互相獨立。第二介質基板150具有相對之一第三表面E3和一第四表面E4，其中耦合金屬部140可僅分佈於第二介質基板150之第三表面E3上。然而，本發明並不僅限於此。在另一些實施例中，耦合金屬部140亦可僅分佈於第二介質基板150之第四表面E4上。
第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統100之操作特性圖，其中橫軸代表頻率(Frequency)，而縱軸代表輻射效率(Radiation Efficiency)。在理想狀態下，近場通訊天線110之一操作頻率係位於一中心頻率FC處。然而，因應於不同使用環境，近場通訊天線110之操作頻率可能下降至一低頻偏移頻率FL，或是上升至一高頻偏移頻率FH。此時，耦合金屬部140可與金屬線圈120發生共振，並用於重新調整近場通訊天線110之操作頻率。例如，若耦合金屬部140之寬度W2減少(其可能小於或等於金屬線圈120之寬度W1)，則近場通訊天線110之操作頻率將可由高頻偏移頻率FH降低回至中心頻率FC；反之，若耦合金屬部140之寬度W2增加(其可能大於或等於金屬線圈120之寬度W1)，則近場通訊天線110之操作頻率將可由低頻偏移頻率FL升高回至中心頻率FC。根據第2圖之量測結果，藉由適當改變耦合金屬部140之寬度W2，近場通訊天線110之操作頻率將能達到最佳化之結果。在另一些實施例中，前述之操作頻率之調整還可進一步藉由適當改變耦合金屬部140之匝數或(且)內部間隙G2來達成。
在一些實施例中，天線系統100之元件尺寸可如下列所述。金屬線圈120之長度(亦即，由第一端121起，經過第一導電貫通元件191、192，再至第二端122之長度)可以小於或等於近場通訊天線110之操作頻率之0.25倍波長(λ/4)。金屬線圈120之寬度(或是線寬，Line Width)W1可約介於0.2mm至2mm之間。金屬線圈120之內部間隙G1之寬度(亦即，金屬線圈120之任意相鄰二條平行金屬線之間距)可約介於0.2mm至2mm之間。第一介質基板130之厚度H1(亦即，第一表面E1和第二表面E2之間距)可介於0.1mm至0.8mm之間。耦合金屬部140之長度(亦即，由第一端141起，再至第二端142之長度)可以小於或等於近場通訊天線110之操作頻率之0.5倍波長(λ/2)。耦合金屬部140之寬度(或是線寬)W2可約介於0.1mm至4mm之間。耦合金屬部140之內部間隙G2之寬度(亦即，耦合金屬部140之任意相鄰二條平行金屬線之間距)可約介於0.1mm至4mm之間。第二介質基板150之厚度H2(亦即，第三表面E3和第四表面E4之間距)可介於0.1mm至0.8mm之間。金屬線圈120和耦合金屬部140之間距D1(亦即，此二者間之最短距離)可約介於0.01mm至1.6mm之間。以上元件尺寸之範圍係根據多次實驗結果而得出，其有助於最佳化天線系統100之操作頻寬(Operational Bandwidth)和阻抗匹配(Impedance Matching)。
第3A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統301之側視圖。第3A圖與第1B圖相似。在第3A圖之實施例中，天線系統301更包括一鐵氧體層(Ferrite Sheet)160，其係鄰近於第一介質基板130。例如，鐵氧體層160可直接貼合於第一介質基板130之第二表面E2上，但亦不僅限於此。鐵氧體層160可用於抑制來自其他金屬或電路元件之電磁干擾(Electromagnetic Interference，EMI)。第3A圖之天線系統301之其餘特徵皆與第1A、1B圖之天線系統100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。
第3B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統302之側視圖。第3B圖與第3A圖相似。在第3B圖之實施例中，耦合金屬部140可僅分佈於第二介質基板150之第四表面E4上。必須注意的是，第二介質基板150之第四表面E4係與第一介質基板130之第一表面E1兩者相面對。為了避免耦合金屬部140與金屬線圈120直接接觸，天線系統302更包括一絕緣層(Isolation Layer)170，其可用於將金屬線圈120與耦合金屬部140兩者完全分隔開。例如，絕緣層170可用厚度極薄(例如，小於或等於0.1mm)之一防焊油墨(Solder Mask Ink)層來實施，但亦不僅限於此。第3B圖之天線系統302之其餘特徵皆與第3A圖之天線系統301類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。
第3C圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統303之側視圖。第3C圖與第3A圖相似。在第3C圖之實施例中，金屬線圈120可主要分佈於第一介質基板130之第二表面E2上。與之相比，前述第3A圖之金屬線圈120可主要分佈於第一介質基板130之第一表面E1上。第3C圖之天線系統303之其餘特徵皆與第3A圖之天線系統301類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。
第3D圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統304之側視圖。第3D圖與第3C圖相似。在第3D圖之實施例中，耦合金屬部140可僅分佈於第二介質基板150之第四表面E4上，而天線系統304更包括一絕緣層170，其可用於將金屬線圈120與耦合金屬部140兩者完全分隔開。第3D圖之天線系統304之其餘特徵皆與第3C圖之天線系統303類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。
第4A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統401之俯視圖。第4B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統402之俯視圖。第4C圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統403之俯視圖。為了簡化圖式，對應之近場通訊天線皆予以省略。在第4A、4B、4C圖之實施例中，天線系統401、402、403可各自包括一或複數個電感器(Inductor)L1、L2、L3，其可與一耦合金屬部440作串聯耦接。前述電感器L1、L2、L3之數量及設置方式皆可自由地進行調整。根據實際量測結果，由於耦合金屬部440之電感特性被強化，故對應之近場通訊天線之操作頻率將會明顯地升高。第4A、4B、4C圖之天線系統401、402、403之其餘特徵皆與第1A、1B圖之天線系統100類似，故這些實施例均可達成相似之操作效果。
第5A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統501之俯視圖。第5B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統502之俯視圖。第5C圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統503之俯視圖。為了簡化圖式，對應之近場通訊天線皆予以省略。在第5A、5B、5C圖之實施例中，天線系統501、502、503可各自包括一或複數個電容器(Capacitor)C1、C2、C3，其可與一耦合金屬部540作串聯耦接。前述電容器C1、C2、C3之數量及設置方式皆可自由地進行調整。根據實際量測結果，由於耦合金屬部540之電感特性被弱化，故對應之近場通訊天線之操作頻率將會明顯地降低。第5A、5B、5C圖之天線系統501、502、503之其餘特徵皆與第1A、1B圖之天線系統100類似，故這些實施例均可達成相似之操作效果。
第6圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統600之俯視圖。為了簡化圖式，對應之近場通訊天線係予以省略。在第6圖之實施例中，天線系統600之一耦合金屬部640係呈現一蜿蜒形狀(Meandering Shape)，其可包括複數個互相連接之U字形。詳細而言，耦合金屬部640具有一第一端641和一第二端642，其為二個開路端。根據實際量測結果，即使耦合金屬部640具有不同形狀(例如：非螺旋形)，其亦可用於微調對應之近場通訊天線之操作頻率。第6圖之天線系統600之其餘特徵皆與第1A、1B圖之天線系統100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。
第7A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統700之俯視圖。第7B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統700之透視圖。第7C圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統700之側視圖。請一併參考第7A、7B、7C圖。為了簡化圖式，對應之近場通訊天線係予以省略。在第7A、7B、7C圖之實施例中，天線系統700之一耦合金屬部740包括一第一部份745和一第二部份746，其中第一部份745係設置於第二介質基板150之第三表面E3上，而第二部份746係設置於第二介質基板150之第四表面E4上。詳細而言，耦合金屬部740具有一第一端741和一第二端742，其中耦合金屬部740之第一端741係鄰近於第一部份745，而耦合金屬部740之第二端742係鄰近於第二部份746。例如，耦合金屬部740之第一部份745可大致呈現一螺旋形，而耦合金屬部740之第二部份746可大致呈現一蜿蜒形狀，但亦不僅限於此。在其他實施例中，耦合金屬部740之第一部份745及第二部份746可以皆呈現一螺旋形或一蜿蜒形狀。必須注意的是，天線系統700更包括一第二導電貫通元件193，其可穿透第二介質基板150，並可耦接於耦合金屬部740之第一部份745和第二部份746之間。耦合金屬部740可藉由使用第二導電貫通元件193而同時分佈於第二介質基板150之第三表面E3和第四表面E4上。根據實際量測結果，此種雙面式之耦合金屬部740可更進一步調整對應之近場通訊天線之操作頻率。第7A、7B、7C圖之天線系統700之其餘特徵皆與第1A、1B圖之天線系統100類似，故此二實施例均可達成相似之操作效果。
本發明提出一種新穎之天線系統。與先前技術相比，本發明至少具有小尺寸、低製造成本，以及可調操作頻率等優勢，故其很適合應用於各種處於不同環境之行動通訊裝置當中。
值得注意的是，以上所述之元件尺寸、元件形狀，以及頻率範圍皆非為本發明之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。本發明之天線系統並不僅限於第1-7圖所圖示之狀態。本發明可以僅包括第1-7圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之，並非所有圖示之特徵均須同時實施於本發明之天線系統當中。
在本說明書以及申請專利範圍中的序數，例如「第一」、「第二」、「第三」等等，彼此之間並沒有順序上的先後關係，其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。
本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100,301,302,303,304,401,402,403,501,502,503,600,700:天線系統 110:近場通訊天線 120:金屬線圈 121:金屬線圈之第一端 122:金屬線圈之第二端 130:第一介質基板 140,440,540,640,740:耦合金屬部 141,641,741:耦合金屬部之第一端 142,642,742:耦合金屬部之第二端 150:第二介質基板 160:鐵氧體層 170:絕緣層 191,192:第一導電貫通元件 193:第二導電貫通元件 745:耦合金屬部之第一部份 746:耦合金屬部之第二部份 C1,C2,C3:電容器 D1:間距 E1:第一表面 E2:第二表面 E3:第三表面 E4:第四表面 FC:中心頻率 FH:高頻偏移頻率 FL:低頻偏移頻率 FP1:第一饋入點 FP2:第二饋入點 G1,G2:內部間隙 H1,H2:厚度 L1,L2,L3:電感器 W1,W2:寬度
第1A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之俯視圖。 第1B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之側視圖。 第2圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之操作特性圖 第3A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之側視圖。 第3B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之側視圖。 第3C圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之側視圖。 第3D圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之側視圖。 第4A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之俯視圖。 第4B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之俯視圖。 第4C圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之俯視圖。 第5A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之俯視圖。 第5B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之俯視圖。 第5C圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之俯視圖。 第6圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之俯視圖。 第7A圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之俯視圖。 第7B圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之透視圖。 第7C圖係顯示根據本發明一實施例所述之天線系統之側視圖。
100:天線系統
110:近場通訊天線
120:金屬線圈
121:金屬線圈之第一端
122:金屬線圈之第二端
130:第一介質基板
140:耦合金屬部
141:耦合金屬部之第一端
142:耦合金屬部之第二端
150:第二介質基板
191,192:第一導電貫通元件
FP1:第一饋入點
FP2:第二饋入點
G1,G2:內部間隙
W1,W2:寬度

Claims (20)

  1. 一種天線系統，包括： 一近場通訊天線，包括一金屬線圈和一第一介質基板，其中該金屬線圈係設置於該第一介質基板上； 一耦合金屬部，鄰近於該金屬線圈，其中該耦合金屬部係未與該金屬線圈直接接觸；以及 一第二介質基板，其中該耦合金屬部係設置於該第二介質基板上； 其中該耦合金屬部係用於調整該近場通訊天線之一操作頻率。
  2. 如請求項1所述之天線系統，其中該耦合金屬部為浮接狀態(Floating)。
  3. 如請求項1所述之天線系統，其中該耦合金屬部於該近場通訊天線上具有一垂直投影，而該垂直投影係與該金屬線圈至少部份重疊。
  4. 如請求項1所述之天線系統，其中若該耦合金屬部之寬度減少，則該近場通訊天線之該操作頻率將會降低。
  5. 如請求項1所述之天線系統，其中若該耦合金屬部之寬度增加，則該近場通訊天線之該操作頻率將會升高。
  6. 如請求項1所述之天線系統，其中該耦合金屬部係呈現一螺旋形。
  7. 如請求項1所述之天線系統，其中該耦合金屬部係呈現一蜿蜒形狀。
  8. 如請求項1所述之天線系統，其中該金屬線圈之長度係小於或等於該近場通訊天線之該操作頻率之0.25倍波長。
  9. 如請求項1所述之天線系統，其中該耦合金屬部之長度係小於或等於該近場通訊天線之該操作頻率之0.5倍波長。
  10. 如請求項1所述之天線系統，其中該金屬線圈之寬度係介於0.2mm至2mm之間。
  11. 如請求項1所述之天線系統，其中該耦合金屬部之寬度係介於0.1mm至4mm之間。
  12. 如請求項1所述之天線系統，其中該金屬線圈和該耦合金屬部之間距係介於0.01mm至1.6mm之間。
  13. 如請求項1所述之天線系統，更包括： 一鐵氧體層，鄰近於該第一介質基板。
  14. 如請求項1所述之天線系統，更包括： 一絕緣層，用於將該金屬線圈與該耦合金屬部兩者分隔開。
  15. 如請求項1所述之天線系統，更包括： 一或複數個電感器，與該耦合金屬部作串聯耦接。
  16. 如請求項1所述之天線系統，更包括： 一或複數個電容器，與該耦合金屬部作串聯耦接。
  17. 如請求項1所述之天線系統，其中該第一介質基板具有相對之一第一表面和一第二表面，而該第一介質基板之厚度係介於0.1mm至0.8mm之間。
  18. 如請求項17所述之天線系統，更包括： 一或複數個第一導電貫通元件，穿透該第一介質基板，其中該金屬線圈係藉由使用該等第一導電貫通元件而分佈於該第一介質基板之該第一表面和該第二表面上。
  19. 如請求項1所述之天線系統，其中該第二介質基板具有相對之一第三表面和一第四表面，而該第二介質基板之厚度係介於0.1mm至0.8mm之間。
  20. 如請求項19所述之天線系統，更包括： 一第二導電貫通元件，穿透該第二介質基板，其中該耦合金屬部係藉由使用該第二導電貫通元件而分佈於該第二介質基板之該第三表面和該第四表面上。
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