TW202243878A - 超高模數及響應pvdf薄膜 - Google Patents

Abstract

一種聚合物薄膜包括聚偏二氟乙烯（PVDF）且該聚合物薄膜之特徵藉由沿平面內尺寸至少4 GPa之楊氏模數，在室溫下至少0.1之機電耦合因數（k ₃₁）界定。一種製造此類聚合物薄膜之方法可包括：將聚合物組成物形成為聚合物薄膜；沿至少一個平面內方向且以有效地誘發該聚合物薄膜中至少約5之拉伸比的量將拉伸應力施加至該聚合物薄膜；以及在該聚合物薄膜之厚度尺寸上施加電場。退火及極化步驟可單獨或同時伴隨及/或跟隨拉伸聚合物薄膜之動作。

Description

超高模數及響應PVDF薄膜

本發明關於超高模數及響應PVDF薄膜。 [相關申請案之交叉參考]

本申請案根據35 U.S.C. §119(e)主張2021年4月30日申請之美國臨時申請案第63/182,142號及2022年1月24日申請之美國非臨時申請案第17/582574號之權益，該等申請案之內容以全文引用的方式併入本文中。

聚合物材料可併入至多種不同光學及電光系統中，包括主動及被動光學件以及電活性裝置。輕型且具順應性之一或多個聚合物層可併入至諸如智慧型眼鏡之可穿戴裝置中，且為用於包括其中需要舒適的可調整外觀尺寸之虛擬實境/擴增實境裝置的新興技術之有吸引力的候選項。

舉例而言，虛擬實境（virtual reality；VR）及擴增實境（augmented reality；AR）眼鏡裝置及頭戴裝置可使得使用者能夠體驗事件，諸如與電腦產生的三維世界之模擬中的人互動或檢視疊加在現實世界視圖上的資料。藉助於實例，可經由光學頭戴式顯示器（optical head-mounted display；OHMD）或藉由使用具有透明抬頭顯示器（heads-up display；HUD）或擴增實境（AR）覆疊之嵌入式無線眼鏡來實現將資訊疊加至視場上。VR/AR眼鏡裝置及頭戴裝置可用於多種目的。政府可將此類裝置用於軍事訓練，醫學專業人員可使用此類裝置來模擬手術，且工程師可使用此類裝置作為設計可視化輔助。

此等及其他應用可充分利用聚合物材料之一或多個特性，包括操縱光之折射率、管理熱之導熱度以及提供輕量化結構支撐之機械強度及韌性。然而，經由比較薄膜製造過程可實現的光學或機械各向異性程度典型地有限，並且常常出於諸如平坦度、韌性及/或膜強度之競爭性薄膜性質而被更換。舉例而言，高度各向異性聚合物薄膜常常在一或多個平面內方向上展現低強度，此可能挑戰可製造性且限制產出量。

根據一些具體實例，經定向壓電聚合物薄膜可實施為諸如液體透鏡之光學元件中的可致動透鏡基板。舉例而言，單軸定向之聚偏二氟乙烯（PVDF）薄膜可用於跨越透鏡之視場產生有利各向異性應變圖。然而，低壓電回應、不足機械強度或韌性及/或缺乏足夠光學品質可妨礙PVDF薄膜作為可致動層之實施方式。

儘管最近有所發展，但提供光學品質、機械穩固以及機械及壓電各向異性聚合物薄膜將為有利的，該等聚合物薄膜可併入至包括用於人工實境應用之顯示系統的各種光學系統中。本揭示內容因此大體上係關於具有高且高效壓電回應之高模數、高強度、光學品質聚合物薄膜，以及其製造方法，並且更具體言之，係關於用於形成具有高機電效率之機械穩定的基於PVDF的聚合物薄膜之澆鑄、壓延、拉伸、退火及極化方法。較高模數可允許在聚合物中產生較大力，此可實現較薄、較輕量化及較高效裝置（例如，用於將機械能轉化成電能或反之亦然）。

聚合物薄膜之壓電回應可藉由其化學組成、聚合物重複單元之化學結構、其密度及結晶度以及晶體及/或聚合物鏈之配向決定。在此等因素中，晶體或聚合物鏈配向可占主導。在結晶或半結晶聚合物薄膜中，壓電回應可與晶體位向之水準或程度相關，而鏈配向之水準或程度可在非晶形聚合物中產生類似壓電回應。

所施加之應力可用於在聚合物內產生晶體或聚合物鏈之較佳配向且沿不同方向誘發壓電回應之對應的修改。如本文中進一步所揭示，在其中聚合物薄膜經拉伸以誘發晶體/聚合物鏈之較佳配向以及壓電回應之伴隨修改的處理期間，申請人已展示，初始聚合物組成及微結構之選擇可減小澆鑄薄膜內之聚合物鏈纏結之傾向。在特定具體實例中，聚合物材料之特徵可為其分子量之雙峰分佈或高多分散性指數。在一些具體實例中，PVDF家族聚合物中之模數及壓電回應之演變可藉由熱退火增強，其可伴隨及/或跟隨拉伸動作。

根據特定具體實例，揭示用於形成具有所要壓電回應之光學品質及機械穩固的基於PVDF的聚合物薄膜之聚合物薄膜製造方法。而在比較性PVDF及相關聚合物系統中，結晶之總程度以及晶體之配向可能由於聚合物鏈纏結而受到限制，使用多分散聚合物原料之澆鑄、壓延、拉伸、退火及極化方法可有助於聚合物鏈之解纏結及配向，此可能會促使聚合物薄膜之光學品質及機械韌性之改良以及其壓電效率及回應之改良。

基於PVDF之聚合物薄膜可使用可結晶聚合物形成。實例可結晶聚合物可包括部分，諸如偏二氟乙烯（VDF）、三氟乙烯（TrFE）、氯三氟乙烯（CTFE）、六氟丙烯（HFP）及氟乙烯（VF）。根據各種具體實例，一種聚合物薄膜可包括前述部分中之一或多者，以及其混合物及共聚物。根據一些具體實例，前述「PVDF族」部分中之一或多者可與低分子量添加劑組合以形成壓電聚合物薄膜。除非上下文另外明確指示，否則如本文中所使用，參考PVDF薄膜包括參考含有任何PVDF族成員之聚合物薄膜。

此類PVDF薄膜之可結晶聚合物組分可具有至少約100,000 g/mol之分子量（「高分子量」），例如，至少約100,000 g/mol、至少約150,000 g/mol、至少約200,000 g/mol、至少約250,000 g/mol、至少約300,000 g/mol、至少約350,000 g/mol、至少約400,000 g/mol、至少約450,000 g/mol或至少約500,000 g/mol，包括在前述值中之任一者之間的範圍。

可結晶聚合物可含有「低分子量」聚合物或添加劑。「低分子量」聚合物或添加劑可具有小於約200,000 g/mol之分子量，例如，小於約200,000 g/mol、小於約100,000 g/mol、小於約50,000 g/mol、小於約25,000 g/mol、小於約10,000 g/mol、小於約5000 g/mol、小於約2000 g/mol、小於約1000 g/mol、小於約500 g/mol、小於約200 g/mol或小於約100 g/mol，包括在前述值中之任一者之間的範圍。

實例低分子量添加劑可包括偏二氟乙烯（VDF）、三氟乙烯（TrFE）、氯三氟乙烯（CTFE）、六氟丙烯（HFP）及氟乙烯（VF）之寡聚物及聚合物，以及其均聚物、共聚物、三聚合物、衍生物及組合。此類添加劑可容易溶於高分子量組分中，且視情況提供與高分子量組分匹配之折射率。實例添加劑可具有在652.9 nm處量測之自約1.38至約1.55之折射率。

低分子量添加劑之分子量可小於高分子量可結晶聚合物之分子量。在一些具體實例中，低分子量聚合物（添加劑）的平均分子量可為高分子量聚合物的平均分子量的約1%至約40%，例如約1%、約3%、約5%、約10%、約%、約30%或約40%，包括前述值中的任一者之間的範圍。

另外實例低分子量添加劑可包括可與PVDF家族成員鏈具有極性相互作用的寡聚物及聚合物。此類寡聚物及聚合物可包括酯、醚、羥基、磷酸酯、氟、鹵素或腈基團。特定實例包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙二醇及聚乙酸乙烯酯。舉例而言，基於PVDF聚合物及PVDF寡聚物之添加劑可包括反應性基團，諸如乙烯基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、環氧基、異氰酸酯、羥基、胺及其類似物。此類添加劑可藉由施加熱或光中之一或多者或藉由與適合催化劑反應來原位固化，即在聚合物薄膜內。

根據一些具體實例，另外實例低分子量添加劑可包括潤滑劑。一或多種潤滑劑之添加可提供與PVDF家族成員鏈之分子間相互作用及有益較低熔融黏度。實例潤滑劑包括金屬皂、烴蠟、低分子量聚乙烯、氟聚合物、醯胺蠟、脂肪酸、脂肪醇以及酯。

又另外實例極性添加劑可包括離子液體，諸如1-十八基-3-甲基咪唑溴化物、1-丁基-3-甲基咪唑[PF ₆]、1-丁基-3-甲基咪唑[BF ₄]、1-丁基-3-甲基咪唑[FeCl ₄]或[1-丁基-3-甲基咪唑[Cl]。根據一些具體實例，若使用，則離子液體之量可在聚合物薄膜的約1 wt.%至15 wt.%範圍內。

在一些實例中，低分子量添加劑可包括無機化合物。無機添加劑可增加聚合物薄膜之壓電效能。實例無機添加劑可包括奈米粒子（例如，陶瓷奈米粒子，諸如PZT、BNT或石英；或金屬或金屬氧化物奈米粒子）、鐵氧體奈米複合物（例如，Fe ₂O ₃-CoFe ₂O ₄），以及水合鹽或金屬鹵化物，諸如LiCl、Al(NO ₃) ₃-9H ₂O、BiCl ₃、硝酸Ce或Y六水合物，或氯酸Mg六水合物。若被使用，則無機添加劑之量可在聚合物薄膜之約0.001 wt.%至約5 wt.%範圍內。

大體上，低分子量添加劑可構成聚合物薄膜之至多約90 wt.%、例如，約0.001 wt.%、約0.002 wt.%、約0.005 wt.%、約0.01 wt.%、約0.02 wt.%、約0.05 wt.%、約0.1 wt.%、約0.2 wt.%、約0.5 wt.%、約1 wt.%、約2 wt.%、約5 wt.%、約10 wt.%、約20 wt.%、約30 wt.%、約40 wt.%、約50 wt.%、約60 wt.%、約70 wt.%、約80 wt.%或約90 wt.%，包括在前述值中之任一者之間的範圍。

在一些具體實例中，可使用一或多種添加劑。根據特定實例，可在薄膜之處理期間（例如，在澆鑄、壓延、拉伸、退火及/或極化期間）使用原始添加劑。其後，可移除原始添加劑且用輔助添加劑替代。舉例而言，在溶劑移除或拉伸製程期間產生的微空隙及宏空隙可由輔助添加劑填充。輔助添加劑可與結晶聚合物折射率匹配且可例如具有介於約1.38至約1.55範圍內的折射率。可藉由在熔融條件下或在溶劑浴中浸泡薄膜來添加輔助添加劑。輔助添加劑可具有小於約100℃之熔點。

在一些具體實例中，壓電聚合物薄膜可包括抗氧化劑。實例抗氧化劑包括受阻酚、亞磷酸酯、硫代增效劑、羥胺及寡聚物受阻胺光穩定劑（hindered amine light stabilizer；HALS）。

在某些實例中，高及低分子量聚合物之分子量分佈可獨立地選自單分散、雙峰或多分散。具有雙峰分子量分佈之聚合物（例如，高分子量聚合物）之特徵可藉由兩個分子量分佈最大值界定，一個在（較）低分子量區中且一個在（較）高分子量區中。

作為聚合物之分子量分佈的寬度之量度的多分散性（或不均勻性指數）可用於界定聚合物組成物之特徵。多分散性指數（PDI）可經計算為聚合物樣本之重量平均分子量（M _w）與數目平均分子量（M _n）之比，即PDI=M _w/M _n。根據某些具體實例，實例高分子量聚合物之多分散指數可為至少約2，例如約2、約2.5、約3、約3.5或約4或更大，包括前述值中之任一者之間的範圍。

在一些具體實例中，可結晶聚合物及低分子量添加劑可獨立地選擇以包括偏二氟乙烯（VDF）、三氟乙烯（TrFE）、氯三氟乙烯（CTFE）、六氟丙烯（HFP）、氟乙烯（VF），以及其均聚物、共聚物、三聚合物、衍生物及組合。聚合物薄膜之高分子量組分可具有至少100,000 g/mol之分子量，而低分子量添加劑可具有小於200,000 g/mol之分子量且可構成聚合物薄膜之20 wt.%至90 wt.%。

根據一個實例，可結晶聚合物可具有至少約100,000 g/mol之分子量，並且添加劑可具有小於約25,000 g/mol之分子量。根據另一實例，可結晶聚合物可具有至少約300,000 g/mol之分子量，並且添加劑可具有小於約200,000 g/mol之分子量。在一些實例中，術語「分子量（molecular weight）」在本文中之使用可指重量平均分子量。

聚合物薄膜可藉由澆鑄自聚合物溶液或熔融物形成。舉例而言，聚合物溶液可包括一或多個高分子量聚合物、一或多個低分子量添加劑及一或多個液體溶劑。如本文中所揭示，聚合物溶液或熔融物可包括（i）高分子量PVDF（及/或其共聚物）及（ii）低分子量PVDF（及/或其共聚物）之混合物或其與一或多種低分子量添加劑之混合物，該等低分子量添加劑包括可混溶聚合物、寡聚物及可固化單體。

適合液體溶劑可包括可至少部分地溶解或實質上使聚合物、寡聚物及單體成分膨脹之化合物或化合物之混合物。在一些具體實例中，液體溶劑在100℃下可具有至少約10毫托之蒸汽壓力。

液體溶劑（亦即，「溶劑」）可包括單一溶劑化合物或不同溶劑之混合物。在一些具體實例中，可結晶聚合物在液體溶劑中之溶解度在約25℃或更大（例如，50℃、75℃、100℃或150℃，包括在前述值中之任一者之間的範圍）之溫度下可為至少約0.1 g/100 g（例如，1 g/100 g或10 g/100 g）。溶劑之選擇可影響基於PVDF之聚合物薄膜之最大結晶度及β相含量百分比，此可影響其模數及/或壓電回應。另外，溶劑之極性可影響聚合物鏈在溶液中纏結之關鍵聚合物濃度。

實例溶劑包括但不限於二甲基甲醯胺（DMF）、環己酮、二甲基乙醯胺（DMAc）、二丙酮醇、二異丁酮、四甲基脲、乙醯乙酸乙酯、二甲亞碸（DMSO）、磷酸三甲酯、N-甲基-2-吡咯酮（NMP）、丁酸內酯、異佛爾酮、磷酸三乙酯、醋酸卡必醇、碳酸伸丙酯、三醋酸甘油酯、鄰苯二甲酸二甲酯、丙酮、四氫呋喃（THF）、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、二醇醚、二醇醚酯及正丁基醋酸。

根據一些具體實例，製造壓電聚合物物件之方法可包括經由孔口擠塑聚合物溶液或熔融物以形成澆鑄聚合物物件，並且隨後加熱及拉伸澆鑄聚合物物件。舉例而言，澆鑄方法可提供對溶劑、聚合物濃度及澆鑄溫度中之一或多者之控制，並且可有助於減少聚合物鏈之纏結，且允許聚合物薄膜或纖維在後續變形步驟期間實現較高拉伸比。

具有雙峰分子量或高多分散性指數之聚合物組成物可使用澆鑄操作來形成為單層。替代地，具有雙峰分子量或高多分散性指數之聚合物組成物可與其他聚合物或其他非聚合物材料澆鑄以形成多層薄膜。將單軸或雙軸應力施加至澆鑄單層或多層薄膜可用於配向聚合物鏈及/或再定向晶體以在其中誘發機械及壓電各向異性。澆鑄聚合物薄膜之退火可用於增加總結晶度及增加微晶大小。

壓電聚合物薄膜可由包括可結晶聚合物及低分子量添加劑之組成物形成。在特定具體實例中，具有高機電效率之壓電聚合物薄膜可藉由澆鑄來形成。實例方法可包括形成可結晶聚合物及溶劑之溶液、移除溶劑之部分以形成經澆鑄聚合物薄膜，定向，退火且隨後極化薄膜。溶劑之選擇可有助於例如在定向期間鏈解纏結及相應地聚合物鏈及偶極配向。在定向步驟期間，澆鑄聚合物可包括小於約10 wt.%液體溶劑。

在澆鑄之後，PVDF膜可單軸或雙軸定向為單層或多層以形成壓電各向異性膜。在一些具體實例中，PVDF薄膜之表面可藉由壓延處理。

根據一些實例，壓延製程可用於在室溫下或在高溫下定向聚合物鏈。根據另外實例，固態擠塑製程可用於定向聚合物鏈。液體溶劑可在拉伸及定向之前、期間或之後部分地或完全地移除。

在實例製程中，乾燥或實質上乾燥之聚合物材料可經熱壓以形成在適合擠塑溫度下經由固態擠塑系統（亦即，擠塑機）饋入之所要形狀。舉例而言，固態擠塑機可包括分叉型噴嘴。熱壓溫度及擠塑溫度可各自小於約190℃。亦即，熱壓溫度及擠塑溫度可獨立地選自180℃、170℃、160℃、150℃、130℃、110℃、90℃或80℃，包括前述值中之任一者之間的範圍。根據特定具體實例，經擠塑聚合物材料可例如使用擠塑後單軸或雙軸拉伸製程來進一步拉伸。

各向異性聚合物薄膜可使用經組態以在其一或多個不同區內在至少一個平面內方向上加熱及拉伸聚合物薄膜之薄膜位向系統來形成。在一些具體實例中，薄膜位向系統可經組態以沿著僅一個平面內方向拉伸聚合物薄膜，即可結晶聚合物薄膜。舉例而言，薄膜定向系統可經組態以沿著x方向將平面內應力施加至聚合物薄膜，同時允許薄膜沿著正交平面內方向（亦即，沿著y方向）鬆弛。在某些實例中，聚合物薄膜之鬆弛可伴隨沿著鬆弛方向不存在所施加應力。

根據一些具體實例，在實例系統內，聚合物薄膜可橫向於穿過系統之膜行進之方向經加熱及拉伸。在此類具體實例中，聚合物薄膜可藉由複數個可移動夾沿著相對邊緣固持，該等可移動夾沿著發散軌道系統可滑動地安置，使得聚合物薄膜在其沿著縱向方向（MD）移動時經由薄膜位向系統之加熱及變形區域而在橫向方向（TD）上拉伸。

根據一些具體實例，在實例系統內，聚合物薄膜可平行於通過系統的膜行進之方向經加熱及拉伸。在此類具體實例中，聚合物薄膜可由複數個可移動夾子沿著相對邊緣固持，該複數個可移動夾子沿著會聚軌道系統可滑動地安置，使得聚合物薄膜在其沿著縱向方向（MD）移動通過薄膜定向系統之加熱及變形區域時在縱向方向（MD）上被拉伸。

在一些具體實例中，在橫向方向上之拉伸率及在縱向方向上之鬆弛率（或反之亦然）可獨立地且局部地經控制。在一些具體實例中，拉伸動作可包括恆定或改變薄膜溫度及/或恆定或改變應變率。在某些具體實例中，可使用卷軸式製造平台來實現大規模生產。

在某些態樣中，可沿著聚合物薄膜之縱向或橫向尺寸均勻地或非均勻地施加拉伸應力。聚合物薄膜之加熱可伴隨拉伸應力之應用。舉例而言，半結晶聚合物薄膜可加熱至大於室溫（約23℃）之溫度以有助於薄膜之變形以及其中之晶體及/或聚合物鏈之形成及重新配向。

聚合物薄膜之溫度可在拉伸動作之前、期間及/或之後（即，在預加熱區域或預加熱區域下游之變形區域內）維持在所要值或在所要範圍內，以便改進聚合物薄膜相對於未加熱聚合物薄膜之變形性。變形區域內之聚合物薄膜之溫度可小於、等於或大於預加熱區域內之聚合物薄膜之溫度。

在一些具體實例中，可在整個拉伸動作中將聚合物薄膜加熱至恆定溫度。在一些具體實例中，可將聚合物薄膜之不同區域加熱至不同溫度，即，在施加拉伸應力期間及/或之後。在某些具體實例中，回應於所施加之拉伸應力的拉伸比可為至少約1.2，例如約1.2、約1.5、約2、約3、約4、約5、約10、約12、約15或約20或更多，包括前述值中的任一者之間的範圍。拉伸比可計算為拉伸後之聚合物薄膜的長度除以拉伸前在對應長度。

在各種實例中，經拉伸聚合物薄膜沿著其拉伸方向之彈性模數可與拉伸比成比例。較高拉伸比可有效地展開相對彈性層狀聚合物晶體且增加所得壓電聚合物薄膜內之晶體配向程度。

在一些具體實例中，聚合物薄膜內之結晶含量可在拉伸操作期間增加。在一些具體實例中，拉伸可在實質上不改變結晶含量的情況下變更聚合物薄膜內的晶體之位向及/或平均微晶大小。

將單軸或雙軸應力施加至單層或多層薄膜可用於配向聚合物鏈及/或定向晶體以誘發光學及機械各向異性。此類薄膜可用以製造各向異性壓電基板、高帕松比薄膜、反射偏振器及其類似者，且可併入至單層及雙層致動器、觸感物件（例如，手套）、AR/VR頭戴裝置、AR/VR組合器中，或用以提供顯示亮度增強。

壓電聚合物物件可藉由將應力施加至澆鑄聚合物薄膜而形成。在一些具體實例中，具有雙峰分子量分佈或高多分散性指數之聚合物薄膜可經拉伸至比比較性聚合物薄膜（例如，缺乏低分子量添加劑）之拉伸比更大的拉伸比。在一些實例中，拉伸比可大於4，例如，5、10、20、30、40或更大。拉伸操作可包括單個拉伸步驟或複數個（亦即，連續）拉伸步驟，其中拉伸溫度及應變率中之一或多者可獨立地受控制。

形成壓電聚合物薄膜之實例方法可包括用至少約4（例如，5、10、20、30、40或更多，包括在前述值中之任一者之間的範圍）之拉伸比單軸定向澆鑄聚合物薄膜。形成壓電聚合物薄膜之另外實例方法可包括沿著各平面內方向用至少約4（例如，5、10、20、30、40或更多，包括在前述值中之任一者之間的範圍）之獨立拉伸比雙軸定向澆鑄聚合物薄膜。雙軸拉伸可同時地或在連續拉伸步驟中執行。

不希望受理論所束縛，一或多種低分子量添加劑可在整個澆鑄、壓延、拉伸、退火及極化製程中與高分子量聚合物相互作用以促進較少鏈纏結及較佳鏈配向，且在一些實例中在聚合物薄膜內產生較高結晶含量。即，具有雙峰分子量分佈或高多分散性指數之組成物可經澆鑄以形成薄膜，該薄膜可經拉伸以經由晶體及/或鏈重新配向誘發機械及壓電各向異性。拉伸可包括施加單軸應力或雙軸應力。在一些具體實例中，低分子量添加劑可在澆鑄期間有益地減小聚合物組成物之牽伸溫度。在一些具體實例中，聚合物薄膜可藉由擠塑來拉伸。

在實例方法中，在拉伸期間，可將聚合物薄膜加熱至自約60℃至約170℃之溫度，並且在自約0.1%/sec至約300%/sec之應變率下拉伸該聚合物薄膜。此外，溫度及應變率中之一者或兩者可在拉伸動作期間保持恆定或變化。舉例而言，在說明性但非限制性實例中，聚合物薄膜可在第一溫度及第一應變率（例如，130℃及50%/sec）下拉伸以實現第一拉伸比。隨後，聚合物薄膜之溫度可增加至第二溫度（例如，165℃），並且應變率可減小至第二應變率（例如，5%/sec）以實現第二拉伸比。

在聚合物薄膜之變形之後，可維持加熱持續預定時間量，之後冷卻聚合物薄膜。冷卻動作可包括允許聚合物薄膜在設定冷卻速率下或藉由淬滅（諸如藉由用低溫氣體吹掃）自然地冷卻，此可使聚合物薄膜熱穩定。

在一些具體實例中，在拉伸期間及/或之後，可對聚合物薄膜進行退火。退火可在固定或可變拉伸比及/或固定或可變所施加應力下執行。在一些具體實例中，聚合物薄膜可在施加至少約100 MPa之真實應力下時退火。退火溫度可為固定的或可變的。舉例而言，可變退火溫度可自初始退火溫度升高至最終退火溫度。退火溫度可大於聚合物之玻璃轉化溫度（T _g），且在某些實例中，可小於、實質上等於或大於對應於聚合物之熔融起始的溫度。實例退火溫度可大於約80℃，例如，100℃、130℃或170℃，包括在前述值中之任一者之間的範圍。在不希望受理論束縛之情況下，退火可使聚合物鏈之位向穩定且減小聚合物薄膜收縮之傾向。

退火可包括單個步驟過程（亦即，在單個溫度下）或多步驟過程。多步驟退火可包括將聚合物薄膜加熱至連續較大溫度。在多步驟退火期間，較小晶體可熔融且再結晶為較大晶體。在此類方法之情況下，較小及中等大小之晶體可重新形成為較大晶體，其可在多個退火步驟之後產生較高薄膜模數。

拉伸PVDF族膜可形成α相及β相PVDF晶體，但僅經配向β相晶體促成壓電回應。在拉伸製程期間及/或之後，以及在退火製程期間及/或之後，電場可施加至聚合物薄膜。電場之施加（亦即，極化）可誘發β相晶體在膜內之形成及配向。儘管較低電場（＜50 V/微米）可施加至配向β相晶體，但較高電場（≥50 V/微米）可經施加以既誘發自α相至β相之相變又促進β相晶體之配向。根據一些具體實例，極化動作可伴隨及/或跟隨聚合物薄膜之拉伸。根據一些具體實例，極化動作可伴隨及/或跟隨聚合物薄膜之退火。

根據其他具體實例，聚合物薄膜可曝露於光化輻射。在拉伸動作之前、期間及/或之後，聚合物薄膜可曝露於光化輻射。此外，光化輻射曝露可在退火之前、期間及/或之後發生。適合光化輻射之實例包括伽瑪、貝塔、及阿爾發輻射、電子射束、UV光及x射線。

在變形之後，晶體或鏈可至少部分地與所施加拉伸應力之方向配向。因此，聚合物薄膜可展現較高程度之光學透明度、小於約10%之體霧度、沿著平面內尺寸至少約4 GPa之楊氏模數、較高壓電係數（例如，大於約5 pC/N之d ₃₁)及/或較高機電耦合因數（例如，大於約0.2之k ₃₁）。

藉助於實例，具有雙峰分子量分佈之定向聚合物薄膜可具有大於約4 GPa（例如，4、5、10、12或15 GPa，包括前述值中之任一者之間的範圍）之平面內模數，及大於5 pC/N（例如，5、10、15或20 pC/N，包括前述值中之任一者之間的範圍）之壓電係數（d ₃₁）。高壓電效能可與PVDF家族聚合物中β相晶體之產生及配向相關聯。

關於前述內容，機電耦合因數kij可指示壓電材料可將電能轉換成機械能或反過來之有效性。對於聚合物薄膜，機電耦合因數k ₃₁可表示為k ₃₁=

，其中d ₃₁為壓電應變係數，e ₃₃為厚度方向上之介電電容率，且s ₃₁為縱向方向上之順應性。k ₃₁之較高值可藉由在拉伸之前將聚合物鏈解纏結以及促進結晶相內之偶極矩配向來實現。在一些具體實例中，聚合物薄膜之特徵可藉由在室溫下之至少約0.1（例如，0.1、0.2、0.3或更多，包括前述值中之任一者之間的範圍）之機電耦合係數k ₃₁界定。

根據各種具體實例，各向異性聚合物薄膜可包括非晶形聚合物、配向非晶形聚合物、部分結晶或完全結晶材料。此類材料亦可為機械各向異性的，其中選自抗壓強度、抗張強度、剪切強度、屈服強度、剛度、硬度、韌性、延展性、機械加工性、熱膨脹、壓電回應及蠕變行為之一或多個特徵可為方向依賴性的。

舉例言之，壓電聚合物薄膜之結晶含量可包括聚（偏二氟乙烯）、聚（三氟乙烯）、聚（氯三氟乙烯）、聚（六氟丙烯）及/或聚（氟乙烯）之晶體，但涵蓋另外結晶聚合物材料，其中在一些實例中，「結晶」或「半結晶」聚合物薄膜中之結晶相可構成聚合物薄膜之至少約1%。舉例而言，聚合物薄膜之總β相含量可為至少大約30%，例如，30%、40%、50%、60%、70%或80%，包括前述值中之任一者之間的範圍。

在一些具體實例中，諸如聚合物薄膜之壓電聚合物物件可沿著至少一個平面內方向（例如，長度或寬度）具有至少約4 GPa（例如，4 GPa、10 GPa、20 GPa，或30 GPa或更多，包括在前述值中之任一者之間的範圍）之楊氏模數。在一些具體實例中，壓電聚合物薄膜可沿著一對平面內方向（例如，長度及寬度）中之每一者具有可獨立地為至少約4 GPa（例如，4 GPa、10 GPa、20 GPa，或30 GPa或更多，包括在前述值中之任一者之間的範圍）之楊氏模數。壓電聚合物薄膜之特徵可藉由沿著至少一個方向為至少約5 pC/N（例如，5 pC/N、10 pC/N、20 pC/N、30 pC/N，或40 pC/N或更多，包括在前述值中之任一者之間的範圍）之壓電係數界定。

在PVDF材料中，較高β比率可引起較高壓電係數（d ₃₁）及較高機電耦合效率（k ₃₁）。在薄膜形成及薄膜拉伸/退火之後，針對低及高分子量PVDF均聚物樹脂評估組成對結晶含量（例如，β相含量）的影響。如本文所用，組成物A對應於低黏度（低分子量）PVDF均聚物樹脂，且組成物B對應於高黏度（高分子量）PVDF均聚物樹脂。樹脂經獨立測試且作為特徵可由雙峰分子量分佈界定之混合物進行測試。樣品描述及結晶資料概述於表1中。

表1.組成對PVDF薄膜之結晶度的影響

樣品	#1	#2	#3	#4	#5	對照
量A聚合物， （餘量B聚合物）[%]	0	50	60	70	100	市售PVDF
總結晶度[%]	70	69	84	84	81	52
β比率[%]	91	90	92	90	82	64
總β相含量[%]	64	62	77	75	66	33
模數[GPa]	5.1	6.9	7.8	7.1	7.7	2.3
最終拉伸比	9.9	11.6	11.1	10.6	12.6	N/A

各別組成物A及B（樣品1及5）以及其混合物（樣品2至4）形成為厚度為約100微米之薄膜。在量測結晶含量之前，對聚合物薄膜進行加熱及拉伸。在將薄膜樣品加熱至大約160℃之後，藉由施加增加至大約200 MPa之最大值的拉伸應力來拉伸薄膜。薄膜牽伸至大約9之拉伸比。其後，在維持恆定施加應力（200 MPa）的同時，將各薄膜樣品在大約160℃下退火20 min，以0.4℃/min之升溫速率加熱至大約180℃且在大約180℃下退火30 min，且隨後以0.4℃/min之升溫速率加熱至大約186℃且在大約186℃下再退火30 min。隨後使樣品在恆定施加應力200 MPa下冷卻至35℃以下，且隨後移除應力。

冷卻後，使用差示掃描量熱法（DSC）來量測總結晶含量，且使用傅立葉變換紅外光譜學（Fourier Transform Infrared Spectroscopy；FTIR）確定β比率。如本文所用，「β比率」係指總結晶含量之中的β相PVDF的相對含量。總β相含量計算為總結晶度與β比率之乘積。資料表明，具有雙峰分子量分佈之聚合物薄膜（樣品2至4）中的總β相含量可大於具有單峰分子量分佈之聚合物薄膜（樣品1及5）中的總β相含量。

在一些具體實例中，聚合物薄膜之總結晶含量可為至少約40%，例如，至少約40%、至少約50%、至少約60%、至少約70%、至少約80%或至少約90%，包括前述值中之任一者之間的範圍。在一些具體實例中，聚合物薄膜之β比率可為至少約70%，例如，至少約80%、至少約85%、至少約90%或至少約95%，包括前述值中之任一者之間的範圍。在一些具體實例中，聚合物薄膜之總β相含量可為至少約30%，例如，至少約30%、至少約40%、至少約50%、至少約60%、至少約70%、或至少約80%，包括前述值中之任一者之間的範圍。

根據在量測結晶含量之前加熱且拉伸聚合物薄膜（例如，樣品1至5）之其他具體實例，在將薄膜樣品加熱至160℃±10℃之後，可藉由施加增加至約200 MPa之最大值的拉伸應力來拉伸薄膜。薄膜可牽伸至大約9之拉伸比。其後，在維持恆定施加應力（200 MPa）的同時，可將各薄膜樣品在160℃±10℃下退火20 min，以0.4℃/min之升溫速率加熱至180℃±10℃且在180℃±10℃下退火30 min，且隨後以0.4℃/min之升溫速率加熱至186℃±10℃且在186℃±10℃下再退火30 min。隨後可使樣品在恆定施加應力200 MPa應力下冷卻至35℃以下，且移除應力。

本發明所揭示之各向異性基於PVDF之聚合物薄膜可表徵為光學品質聚合物薄膜，並且可形成光學元件或併入至光學元件中作為可致動層。光學元件可用於各種顯示裝置中，諸如虛擬實境（VR）及擴增實境（AR）眼鏡及頭戴裝置。此等及其他光學元件之效率可取決於光學清晰度及/或壓電回應之程度。

根據各種具體實例，「光學品質薄膜」或「光學品質聚合物薄膜」在一些實例中可藉由至少大約20%之可見光譜內之透射率界定特徵，例如20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%或95%，包括前述值中之任一者之間的範圍；及藉由小於大約10%之體霧度界定特徵，例如0%、1%、2%、4%、6%或8%體霧度，包括前述值中之任一者之間的範圍。

在另外具體實例中，光學品質基於PVDF之聚合物薄膜可併入至多層結構中，諸如ABAB多層中之「A」層。另外多層架構可包括AB、ABA、ABAB或ABC組態。每一B層（及每一C層，若提供）可包括另外聚合物組成物，諸如聚乙烯。根據一些具體實例，B（及C）層可為導電的且可包括例如氧化銦錫（indium tin oxide；ITO）或聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)。

在單層或多層架構中，每一PVDF族層可具有介於約100 nm至約5 mm範圍內的厚度，例如，100 nm、200 nm、500 nm、1000 nm、2000 nm、5000 nm、10000 nm、20000 nm、50000 nm、100000 nm、200000 nm、500000 nm、1000000 nm、2000000 nm或5000000 nm，包括在前述值中之任一者之間的範圍。多層堆疊可包括兩個或更多個此類層。在一些具體實例中，PVDF層或薄膜之密度可介於約1.7 g/cm ³至約1.9 g/cm ³之範圍內，例如，1.7、1.75、1.8、1.85或1.9 g/cm ³，包括在前述值中之任一者之間的範圍。

根據一些具體實例，各向異性PVDF族聚合物薄膜之面積尺寸（即，長度及寬度）可獨立地介於約5 cm至約50 cm或更多之範圍內，例如5、10、20、30、40，或50 cm或更多，包括在前述值中之任一者之間的範圍。實例壓電聚合物薄膜可具有約5 cm×5 cm、10 cm×10 cm、20 cm×20 cm、50 cm×50 cm、5 cm×10 cm、10 cm×20 cm、10 cm×50 cm等之面積尺寸。

如本文所用，術語「聚合物薄膜（polymer thin film）」及「聚合物層（polymer layer）」可互換使用。此外，除非上下文另外明確指示，否則提及「聚合物薄膜」或「聚合物層」可包括提及「多層聚合物薄膜」。

因此，本揭示內容之態樣係關於具有高壓電回應及改進之機械性質（包括強度及韌性）的單層或多層聚合物薄膜之形成。改進之機械性質還可包括改進之尺寸穩定性，以及符合諸如透鏡之具有化合物曲率之表面的改進之順應性。

來自本文所描述的具體實例中之任一者的特徵可根據本文中所描述之一般原理彼此組合使用。在結合隨附圖式及申請專利範圍讀取以下詳細描述後，將更全面理解此等及其他具體實例、特徵及優點。

下文將參考圖1至14提供具有高多分散性及高模數之壓電聚合物之製造及特徵界定的概述，以及將此類聚合物併入至光學系統中之概念。與圖1至7相關聯之論述係關於用於生產適合於多種光學、機械及光學機械應用之高強度及高模數壓電聚偏二氟乙烯薄膜的實例製造範例。與圖8至12相關聯之論述係關於壓電聚合物薄膜之微觀結構特徵及伴隨的機械及壓電回應。與圖13及圖14相關聯之論述係關於例示性虛擬實境及擴增實境裝置，其可包括一或多個壓電聚合物薄膜。

結合各種具體實例，可參考與薄膜位向系統之縱向方向（MD）、橫向方向（TD）以及法線方向（ND）對準且可分別對應於聚合物薄膜之長度、寬度及厚度尺寸的三個相互正交軸描述聚合物薄膜。在本揭示內容之各種具體實例及實例中，縱向方向可對應於聚合物薄膜之y方向，橫向方向可對應於聚合物薄膜之x方向，並且法線方向可對應於聚合物薄膜之z方向。

用於製造具有低聚合物鏈纏結之澆鑄聚合物薄膜的方法展示於圖1中。在方法100中，將一或多種PVDF族聚合物樹脂（例如高分子量聚合物或含有高分子量聚合物及低分子量聚合物之混合物）溶解於第一溶劑中以形成原料溶液。抽汲系統105可用於將原料溶液引入至澆鑄模110中。

作為來自澆鑄模110之輸出，將聚合物層115饋送至含有第二溶劑125之容器120中，該第二溶劑替代第一溶劑以形成結晶聚合物薄膜130。自第二溶劑浴移除澆鑄且結晶的聚合物薄膜135且乾燥。在拉伸之前，可將澆鑄薄膜135剪切或輥壓以供儲存。

參看圖2，示意性地顯示用於形成溶劑澆鑄聚合物薄膜之其他方法。在方法200中，將一或多種PVDF族聚合物樹脂（例如高分子量聚合物或含有高分子量聚合物及低分子量聚合物之混合物）溶解於溶劑中以形成原料溶液。抽汲系統205可用於將原料溶液引入至澆鑄模230中。

作為來自澆鑄模230之輸出，層235可澆鑄至載體240上，諸如由滾筒245、250輸送之傳動帶。滾筒245、250可將澆鑄層235輸送穿過烘箱255，在烘箱255中，溶劑可以以有效地引起聚合物薄膜260中所需程度的鏈纏結及對應特性之移除速率進行移除。聚合物薄膜260可在拉伸之前經片化或輥壓（例如，在滾筒265上）以用於儲存。

根據一些具體實例，代替實施澆鑄模230，原料溶液可使用替代方法塗佈至載體240上，該等替代方法諸如邁爾桿塗佈（Mayer rod coating）、刀片刮抹、凹板印刷式塗佈、轉移塗佈及其類似方法。

在基於溶劑之方法的實例中，將高分子量PVDF均聚物溶解於二甲基甲醯胺（DMF）中以形成5 wt.%原料溶液。將原料溶液澆鑄至基板上且乾燥。三種溶劑澆鑄PVDF薄膜樣品之特徵概述於表2中。在拉伸/定向之前自基板釋放各聚合物薄膜。比較性（拉伸前）薄膜300、400、500之光學顯微圖分別展示於圖3至5中。

表2. 藉由溶劑澆鑄形成之PVDF薄膜的特徵

	溶液	乾燥溫度（C）	厚度	霧度
樣品1	5wt% PVDF/DMF	RT	~3 um	9.53
樣品2	5wt% PVDF/DMF	60	~10 um	28.0-43.0
樣品3	5wt% PVDF/DMF	60	~19um-40um	19.2-50.8

圖6中示意性地展示了用於形成各向異性壓電聚合物薄膜之薄膜定向系統。系統600可包括用於接收及預加熱聚合物薄膜605之可結晶部分610之薄膜輸入區630、用於輸出聚合物薄膜605之結晶及定向部分615之薄膜輸出區638，及在輸入區630與輸出區638之間延伸的夾子陣列620，該夾子陣列經組態以夾持及導引聚合物薄膜605穿過系統600，亦即自輸入區630至輸出區638。夾子陣列620可包括以可滑動方式安置於第一軌道625上的複數個可移動第一夾子624及以可滑動方式安置於第二軌道627上的複數個可移動第二夾子626。

聚合物薄膜605可包括單個聚合物層或多個（例如，交替的）第一及第二聚合物層，諸如多層ABAB…結構。替代地，聚合物薄膜605可包括具有可結晶聚合物薄膜及直接上伏於可結晶聚合物薄膜之高帕松比聚合物薄膜的複合架構（未單獨地展示）。在一些具體實例中，聚合物薄膜複合物可包括可逆地層壓至或列印在單一可結晶聚合物薄膜或多層聚合物薄膜上的高帕松比聚合物薄膜。

在操作期間，接近於輸入區630，夾子624、626可附連至聚合物薄膜605之各別邊緣部分，其中位於給定軌道625、627上之相鄰夾子可分別以夾子間距651、652安置。為簡單起見，在所繪示之視圖中，沿輸入區630內之第一軌道625的夾子間距651可等效於或實質上等效於沿輸入區630內之第二軌道627的夾子間距652。如應瞭解，在替代具體實例中，在輸入區630內，沿第一軌道625之夾子間距651可與沿第二軌道627之夾子間距652不同。

除了輸入區630及輸出區638以外，系統600亦可包括一或多個額外區632、634、636等，其中以下中之每一者可獨立地受控制：（i）聚合物薄膜605之平移速率；（ii）第一及第二軌道625、627之形狀；（iii）第一及第二軌道625、627之間的間距；（iv）夾子間距651至656；及（v）聚合物薄膜605之局部溫度等。

在一實例製程中，當聚合物薄膜605由夾子624、626導引通過系統600時，該聚合物薄膜可在區630、632、634、636、638中之每一者內經加熱至所選擇溫度。可使用更少或更多數目個熱控制區。如所說明，在區632內，第一軌道625及第二軌道627可沿著橫向方向發散，使得聚合物薄膜605可在加熱至例如大於室溫但小於熔融起始點的溫度時在橫向方向上拉伸。在一些具體實例中，橫向拉伸比（在橫向方向上之應變/在縱向方向上之應變）可為約6或更大，例如6、8、10、15、20、25或30，包括前述值中之任一者之間的範圍。

根據某些具體實例，聚合物薄膜可至少部分地歸因於其組分之高分子量而在不斷裂之情況下拉伸6倍或更多。特定言之，高分子量聚合物允許薄膜在較高溫度下拉伸，此可減小鏈纏結且在經拉伸薄膜中產生較高模數、高透明度及低霧度之所要組合。

仍參考圖6，在區632內，第一軌道625上之相鄰第一夾子624之間的間距653及第二軌道627上之相鄰第二夾子626之間的間距654可相對於輸入區630內之夾子間距651、652減小。在某些具體實例中，夾子間距653、654自初始間距651、652之減小可約按橫向拉伸比之平方根進行比例調整。實際比可取決於聚合物薄膜之帕松比（Poisson's ratio）以及對經拉伸薄膜之要求，包括平坦度、厚度等。因此，在一些具體實例中，垂直於拉伸方向之聚合物薄膜之平面內軸可鬆弛等於拉伸方向上之拉伸比之平方根的量。藉由相對於夾子間距651、652減小夾子間距653、654，可允許聚合物薄膜沿著縱向方向鬆弛，同時沿著橫向方向拉伸。舉例而言，聚合物薄膜可沿著縱向方向鬆弛達聚合物之帕松比的至少約10%，例如，聚合物薄膜之帕松比的10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%或80%，包括前述值中之任一者之間的範圍。

可在每一加熱區域內控制聚合物薄膜之溫度。舉例言之，在拉伸區域632內，可例如在子區域665、670內恆定或獨立地控制聚合物薄膜605之溫度。在一些具體實例中，可在拉伸聚合物薄膜605進入區634時降低聚合物薄膜605之溫度。在區632內之拉伸操作之後迅速地降低溫度（亦即，熱淬滅）可增強聚合物薄膜605之順應性。在一些具體實例中，聚合物薄膜605可為熱穩定的，其中可在拉伸後區域634、636、638中之每一者內控制聚合物薄膜605之溫度。聚合物薄膜之溫度可藉由強制熱對流或藉由輻射（例如，IR輻射）或其組合控制。

在拉伸區632下游，根據一些具體實例，在假定恆定分隔距離（例如，在輸出區638內）之前，第一軌道625與第二軌道627之間的橫向距離可保持恆定或如所示初始地減小（例如，在區634及區636內）。在相關脈絡中，拉伸區632下游之夾子間距可相對於沿第一軌道625之夾子間距653及沿第二軌道627之夾子間距654增加或減小。舉例而言，沿輸出區638內之第一軌道625的夾子間距655可小於拉伸區632內之夾子間距653，且沿輸出區638內之第二軌道627的夾子間距656可小於拉伸區632內之夾子間距654。根據一些具體實例，可藉由改變線性步進馬達線上之夾子之局部速度或藉由使用將夾子連接至對應軌道之附接及可變夾子間距機構來控制該等夾子之間的間距。

根據一些具體實例，拉伸及定向聚合物薄膜615可自系統600移除且在後續拉伸步驟中例如再次使用系統600或經由長度定向與鬆弛進一步拉伸，如圖7中所示。在實例製程中，聚合物薄膜可拉伸一或多次，例如1、2、3、4或5次或更多次。

參考圖7，展示用於形成各向異性聚合物薄膜之另一實例系統。薄膜定向系統700可包括用於接收及預加熱聚合物薄膜705之可結晶部分710之薄膜輸入區730、用於輸出聚合物薄膜705之至少部分結晶及定向部分715之薄膜輸出區745，及在輸入區730與輸出區745之間延伸的夾子陣列720，該夾子陣列經組態以夾持及導引聚合物薄膜705穿過系統700。如同先前具體實例，夾子陣列720可包括以可滑動方式安置於第一軌道725上的複數個第一夾子724及以可滑動方式安置於第二軌道727上的複數個第二夾子726。在某些具體實例中，結晶或可結晶部分710可對應於經拉伸及定向之聚合物薄膜615。

在一實例製程中，接近於輸入區730，第一及第二夾子724、726可附連至聚合物薄膜705之邊緣部分，其中位於給定軌道725、727上之相鄰夾子可以初始夾子間距750、755安置，該夾子間距可沿著輸入區730內之兩個軌道實質上恆定或可變。在輸入區730內，沿第一軌道725與第二軌道727之間的橫向方向的距離可為恆定或實質上恆定的。

系統700可另外包括一或多個區735、740等。系統700之動力學允許獨立控制：（i）聚合物薄膜705之平移速率，（ii）第一及第二軌道725、727之形狀，（iii）沿橫向方向之第一及第二軌道725、727之間的間距，（iv）輸入區730內以及輸入區之下游之夾子間距750、755（例如夾子間距752、754、757、729），及（v）聚合物薄膜之局部溫度等。

在一實例製程中，當聚合物薄膜705由夾子724、726導引通過系統700時，該聚合物薄膜可在區730、735、740、745中之每一者內經加熱至所選擇溫度。可在變形期間（亦即，在區735內）使用大於聚合物薄膜705之組分之玻璃轉移溫度的溫度，而可在一或多個下游區中之每一者內使用較小溫度、同等溫度或較大溫度。

如在先前具體實例中，可局部控制拉伸區735內的聚合物薄膜705之溫度。根據一些具體實例，聚合物薄膜705之溫度可在拉伸動作期間維持在恆定或實質上恆定的值。根據其他具體實例，聚合物薄膜705之溫度可在拉伸區735內遞增地增加。亦即，隨著聚合物薄膜705沿縱向方向前進，聚合物薄膜之溫度可在拉伸區735內增加。藉助於實例，拉伸區735內的聚合物薄膜705之溫度可在加熱區a、b及c中的每一者內局部地控制。

溫度輪廓可為連續的、不連續的或其組合。如圖7中所示出，加熱區a、b及c可延伸跨過聚合物薄膜705之寬度，且各區內之溫度可根據關係（室溫＜T _a＜T _b＜T _c＜T _m）獨立地受控制。相鄰加熱區域之間的溫度差可小於約20℃，例如，小於約10℃，或小於約5℃。

仍參考圖7，在區735內，第一軌道725上之相鄰第一夾子724之間的間距752及第二軌道727上之相鄰第二夾子726之間的間距757可相對於輸入區730內之夾子間距750、755增加，其可將平面內拉伸應力施加至聚合物薄膜705且沿著縱向方向拉伸聚合物薄膜。變形區735內的一個或兩個軌道725、727上之夾子間距的範圍可為恆定或可變的，且例如，隨沿縱向方向之位置而增加。

在拉伸區735內，夾子間距752、757可線性地增加，使得主要變形模式可處於恆定速度。舉例而言，聚合物薄膜之應變率可沿著縱向方向減小。在其他具體實例中，聚合物薄膜705可以恆定應變率予以拉伸，其中夾子間距可按指數律成比例增加。

在某些實例中，可實施逐漸減小之應變率。舉例而言，在拉伸區735內，夾子間距可經組態成使得各連續對之夾子724、726之間的距離沿著縱向方向增加。可獨立地控制各連續對之夾子之間的夾子間距，以達成沿著縱向方向之所需應變率。

回應於沿著縱向方向施加之拉伸應力，第一軌道725及第二軌道727可在區735內沿著橫向方向會聚，使得聚合物薄膜705可在橫向方向上鬆弛同時在縱向上被拉伸。使用單個拉伸步驟或多個拉伸步驟，聚合物薄膜705可被拉伸至少約4倍（例如，4倍、5倍、6倍、7倍、8倍、9倍、10倍、20倍、40倍、100倍或更多，包括前述值中之任一者之間的範圍）。

在拉伸區735內，第一軌道725及第二軌道727之傾角（亦即，相對於縱向方向）可為恆定或可變的。在特定實例中，拉伸區735內的傾角可沿縱向方向減小。亦即，根據某些具體實例，加熱區a內之傾角可大於加熱區b內之傾角，且加熱區b內之傾角可大於加熱區c內之傾角。此類組態可用於在聚合物薄膜前進通過系統700時提供拉伸區735內之鬆弛率（沿橫向方向）的逐漸減小。

在一些具體實例中，可在拉伸聚合物薄膜705離開區735時降低聚合物薄膜705之溫度。在一些具體實例中，聚合物薄膜705可為熱穩定的，其中可以在變形後區740、745中之每一者內控制聚合物薄膜705之溫度。聚合物薄膜之溫度可藉由強制熱對流或藉由輻射（例如，IR輻射）或其組合控制。

在變形區735下游，相對於沿第一軌道725之夾子間距752及沿第二軌道757之夾子間距727，夾子間距可增加或保持實質上恆定。舉例而言，沿輸出區745內之第一軌道725的夾子間距754可實質上等於夾子離開區735時之夾子間距752，且沿輸出區745內之第二軌道727的夾子間距759可實質上等於夾子離開區735時之夾子間距757。在拉伸動作之後，聚合物薄膜705可例如在一或多個下游區740、745內經退火。

薄膜定向系統700之應變影響由單元區段760、765示意性地展示，該等單元區段分別示出聚合物薄膜705之選定區域之變形前尺寸及變形後尺寸。在所說明之具體實例中，聚合物薄膜705具有拉伸前寬度（例如沿著橫向方向）及拉伸前長度（例如沿著縱向方向）。如應瞭解，拉伸後寬度可小於拉伸前寬度，且拉伸後長度可大於拉伸前長度。

在一些具體實例中，卷軸式系統可與諸如薄膜定向系統600或薄膜定向系統700之薄膜定向系統整合以操控聚合物薄膜。在其他具體實例中，卷軸式系統自身可經組態為薄膜定向系統。

如本文所用，術語「工程應力」可指等於施加至薄膜上之力除以薄膜的初始橫截面積的值，而術語「實際應力」可指施加之力除以動態橫截面積，即在拉伸動作期間確定的面積。為簡化實際應力計算，本文所報導之「實際應力」計算為施加之力與薄膜之最終橫截面積的商，即在拉伸動作之後。

與具有雙峰分子量分佈之聚合物材料（60%低分子量PVDF樹脂及40%高分子量PVDF樹脂）熔融相關的差示掃描量熱法（DSC）吸熱如圖8所示。未拉伸且未退火PVDF薄膜之資料描繪為曲線801。曲線802及曲線803分別描繪拉伸、未退火且拉伸以及退火之薄膜的熔融吸熱。

不希望受理論束縛，圖8中所示之DSC資料與圖9中示意性地描繪之聚合物鏈配向及晶體大小的演變一致，其展示具有分散於整個基質中之聚合物基質910及微晶920之PVDF薄膜的微觀結構。

首先參考圖9A，在未拉伸且未退火狀態下，實例聚合物薄膜約為48%結晶，且亦參考圖8，在約170℃下呈現主要吸熱801。

隨著拉伸動作，且參考圖9B，應變誘發之結晶可在聚合物鏈910配向時增加聚合物薄膜中之微晶數目，但歸因於一些晶體920之應變誘發之斷裂，平均微晶大小可相對於未應變狀態而減小。如再次參看圖8，此微觀結構轉形可將拉伸薄膜之主要吸熱802轉移至較低溫度。拉伸且未退火之聚合物薄膜的總結晶含量經計算為約63%。

現參看圖9C，在應力下進行退火步驟之後，平均晶體大小及總結晶含量均可增加，其如圖8中所示，伴隨著熔融吸熱峰803向較高溫度之變化。拉伸且退火之聚合物薄膜的總結晶含量經計算為約84%。

退火及聚合物組成物對實例PVDF薄膜之模數的影響展示於圖10至12中。

具有不同PVDF組成物之拉伸聚合物薄膜的模數資料繪製於圖10中。多步驟退火之影響為明顯的。經退火後之樣品在不同組成物下之模數可大於約4 GPa，且顯著大於對應經退火前之樣品之模數。展示具有0%低分子量組分及70%低分子量組分之樣品的模數演變的其他資料分別展示於圖11及12中。

參看圖11，拉伸後進行多步驟退火經展示以使由高分子量聚合物形成之PVDF薄膜的模數相對於澆鑄薄膜增加多達約190%。經由一或多個退火步驟，由高分子量聚合物形成之PVDF薄膜可具有至少約4 GPa的模數。

參看圖12，拉伸後進行多步驟退火經展示以使由雙峰式分子量分佈形成之PVDF薄膜的模數相對於澆鑄薄膜增加多達約290%。聚合物組成物包括70%低分子量PVDF均聚物樹脂及30%高分子量PVDF均聚物樹脂。經由一或多個退火步驟，PVDF薄膜可具有至少約6 GPa的模數。

揭示壓電聚合物及製造壓電聚合物薄膜之方法，該等壓電聚合物薄膜沿著至少一個方向展現較高模數且展現其壓電回應之伴隨增強。壓電回應可藉由將聚合物材料拉伸至極高拉伸比來改進，此可展開彈性層狀聚合物晶體且重新定向聚合物基質內之微晶及/或聚合物鏈。

對於許多低分子量聚合物，必需拉伸水準典型地導致斷裂或空洞，從而損害光學品質。另外，高分子量聚合物之鏈纏結及高黏度特徵可限制其可處理性。此外，高拉伸比可限制經拉伸薄膜之最大可實現厚度。根據各種具體實例，申請人已展示高模數薄膜可由適合超高或高分子量材料及中等、低或極低分子量可混溶聚合物、寡聚物或可固化單體之多分散混合物產生。

實例聚合物系統中超高及高MW組分與中等至極低MW組分之比可介於約1:99至約99:1之範圍內。相比於比較性聚合物組成物，可實現大於約6之拉伸比。一或多個退火步驟可增加總β相含量及/或微晶大小，此可增加此類薄膜之模數。此外，拉伸可在較高溫度下執行，視情況與曝露於光化輻射結合，此可減小鏈纏結之傾向且使得能夠形成具有高模數而不誘發實質上不透明度或霧度之薄膜。實例聚合物可包括PVDF及其共聚物，諸如PVDF-TrFE。 實例具體實例

實施例1：一種聚合物薄膜包括聚偏二氟乙烯（PVDF）且該聚合物薄膜之特徵藉由沿平面內尺寸至少約4 GPa之楊氏模數，及在25℃下至少約0.1之機電耦合因數（k ₃₁）界定。

實施例2：如實施例1之聚合物薄膜，其中該聚偏二氟乙烯包括選自偏二氟乙烯（VDF）、三氟乙烯（TrFE）、氯三氟乙烯（CTFE）、六氟丙烯（HFP）、氟乙烯（VF）及其均聚物、共聚物、三聚合物、衍生物及混合物的部分。

實施例3：如實施例1及2中任一項之聚合物薄膜，其中該聚合物薄膜之組成物的特徵藉由雙峰分子量分佈界定。

實施例4：如實施例1及2中任一項之聚合物薄膜，其中該聚合物薄膜之組成物的特徵藉由多分散分子量分佈界定。

實施例5：如實施例1至4中任一項之聚合物薄膜，其中該楊氏模數沿一對相互正交之平面內尺寸中之每一者為至少約4 GPa。

實施例6：如實施例1至5中任一項之聚合物薄膜，其中該機電耦合因數（k ₃₁）在25℃下為至少約0.15。

實施例7：如實施例1至6中任一項之聚合物薄膜，其中該聚合物薄膜之壓電係數（d ₃₁）為至少約5 pC/N。

實施例8：如實施例1至7中任一項之聚合物薄膜，其中該聚合物薄膜之特徵藉由在550 nm下之至少約80%透明度及小於約10%體霧度界定。

實施例9：如實施例1至8中任一項之聚合物薄膜，其中該聚合物薄膜包括至少約40%總結晶含量。

實施例10：如實施例1至9中任一項之聚合物薄膜，其中該聚合物薄膜包括至少約30%總β相含量。

實施例11：一種聚合物物件，其特徵藉由以下界定：沿至少一個尺寸至少約4 GPa之楊氏模數；在25℃下至少約0.1之機電耦合因數（k ₃₁）；及沿厚度尺寸至少約80%之光學透明度。

實施例12：如實施例11之聚合物物件，其中該聚合物物件包括至少約30%總β相含量。

實施例13：一種方法包括：將聚合物組成物形成為聚合物薄膜；沿至少一個平面內方向且以有效地誘發該聚合物薄膜中至少約5之拉伸比的量將拉伸應力施加至該聚合物薄膜；以及在該聚合物薄膜之厚度尺寸上施加電場。

實施例14：如實施例13之方法，其中該形成包括選自澆鑄、擠塑、模製及壓延的製程。

實施例15：如實施例13及14中任一項之方法，其中該聚合物組成物包括高分子量聚合物與低分子量聚合物及寡聚物中之一或多者之混合物。

實施例16：如實施例13至15中任一項之方法，其進一步包括在施加該拉伸應力時加熱該聚合物薄膜。

實施例17：如實施例13至16中任一項之方法，其進一步包括在施加該拉伸應力的同時，將該聚合物薄膜加熱至比該聚合物組成物之熔融峰值溫度低至少10℃之溫度。

實施例18：如實施例13至17中任一項之方法，其進一步包括在施加該拉伸應力之後加熱該聚合物薄膜。

實施例19：如實施例13至18中任一項之方法，其中在施加該拉伸應力時或在施加該拉伸應力之後施加該電場。

實施例20：如實施例13至19中任一項之方法，其中在加熱該聚合物薄膜時或在加熱該聚合物薄膜之後施加該電場。

本揭示內容之具體實例可包括各種類型之人工實境系統或結合各種類型之人工實境系統加以實施。人工實境為在呈現給使用者之前已以某一方式調節的實境形式，其可包括例如虛擬實境、擴增實境、混合實境、混雜實境或其某一組合及/或衍生物。人工實境內容可包括完全由電腦產生之內容或與所捕捉之（例如，真實世界）內容組合之電腦產生之內容。人工實境內容可包括視訊、音訊、觸覺回饋或其某一組合，其中之任一者可在單個通道中或在多個通道中呈現（諸如，對觀看者產生三維（3D）效應之立體視訊）。另外，在一些具體實例中，人工實境亦可與用以例如在人工實境中產生內容及/或另外用於人工實境中（例如，在人工實境中執行活動）之應用、產品、附件、服務或其某一組合相關聯。

人工實境系統可以各種不同外觀尺寸及組態來實施。一些人工實境系統可經設計為在無近眼顯示器（NED）之情況下工作。其他人工實境系統可包括NED，該NED亦提供對真實世界（諸如圖13中之擴增實境系統1300）之可視性或讓使用者在視覺上沉浸在人工實境（諸如圖14中之虛擬實境系統1400）中。雖然一些人工實境裝置可為自含式系統，但其他人工實境裝置可與外部裝置通信及/或協調以向使用者提供人工實境體驗。此類外部裝置之實例包括手持式控制器、行動裝置、桌上型電腦、由使用者配戴之裝置、由一或多個其他使用者配戴之裝置，及/或任何其他適合之外部系統。

轉向圖13，擴增實境系統1300可包括具有框架1310之眼鏡裝置1302，該框架經組態以將左側顯示裝置1315(A)及右側顯示裝置1315(B)固持在使用者眼睛前方。顯示裝置1315(A)及1315(B)可共同地或獨立地起作用以向使用者呈現影像或一系列影像。雖然擴增實境系統1300包括兩個顯示器，但本發明之具體實例可實施於具有單個NED或多於兩個NED之擴增實境系統中。

在一些具體實例中，擴增實境系統1300可包括一或多個感測器，諸如感測器1340。感測器1340可回應於擴增實境系統1300之運動而產生量測信號，且可位於框架1310之實質上任何部分上。感測器1340可表示多種不同感測機構中之一或多者，該等感測機構諸如位置感測器、慣性量測單元（inertial measurement unit；IMU）、深度攝影機總成、結構化光發射器及/或偵測器，或其任何組合。在一些具體實例中，擴增實境系統1300可包括或可不包括感測器1340，或可包括多於一個感測器。在感測器1340包括IMU之具體實例中，IMU可基於來自感測器1340之量測信號而產生校準資料。感測器1340之實例可包括但不限於加速計、陀螺儀、磁力計、偵測運動之其他合適類型的感測器、用於IMU之誤差校正的感測器，或其某一組合。

在一些實例中，擴增實境系統1300亦可包括具有統稱為聲音換能器1320之複數個聲音換能器1320(A)-1320(J)的麥克風陣列。聲音換能器1320可表示偵測由聲波誘發之氣壓變化的換能器。每一聲音換能器1320可經組態以偵測聲音且將經偵測聲音轉換為電子格式（例如，類比或數位格式）。圖13中之麥克風陣列可包括例如十個聲音換能器：1320(A)及1320(B)，其可經設計以置放在使用者之對應的耳朵內部；聲音換能器1320(C)、1320(D)、1320(E)、1320(F)、1320(G)及1320(H)，其可定位於框架1310上之各種位置處；及/或聲音換能器1320(I)及1320(J)，其可定位於對應的頸帶1305上。

在一些具體實例中，聲音換能器1320(A)至(J)中之一或多者可用作輸出換能器（例如，揚聲器）。舉例而言，聲音換能器1320(A)及/或1320(B)可為耳塞或任何其他合適類型的耳機或揚聲器。

麥克風陣列之聲音換能器1320的組態可不同。雖然擴增實境系統1300在圖13中展示為具有十個聲音換能器1320，但聲音換能器1320之數目可大於或小於十。在一些具體實例中，使用較高數目個聲音換能器1320可增加經收集音訊資訊之量及/或提高音訊資訊之敏感度及準確度。相比之下，使用較小數目個聲音換能器1320可減小相關聯控制器1350處理所收集音訊資訊所需之計算能力。另外，麥克風陣列之每一聲音換能器1320之位置可不同。舉例而言，聲音換能器1320之位置可包括關於使用者之經界定位置、關於框架1310之經界定座標、與每一聲音換能器1320相關聯之定向，或其某一組合。

聲音換能器1320(A)及1320(B)可定位於使用者耳朵之不同部分上，諸如耳廓後方、耳屏後方及/或在耳廓或窩內。或者，除了耳道內部之聲音換能器1320以外，耳朵上或周圍亦可存在額外聲音換能器1320。使聲音換能器1320緊鄰使用者之耳道定位可使得麥克風陣列能夠收集關於聲音如何到達耳道之資訊。藉由將聲音換能器1320中之至少兩者定位在使用者頭部之任一側上（例如，作為雙耳麥克風），擴增實境裝置1300可模擬雙耳聽覺且捕獲使用者頭部周圍的3D立體聲聲場。在一些具體實例中，聲音換能器1320(A)及1320(B)可經由有線連接1330連接至擴增實境系統1300，且在其他具體實例中，聲音換能器1320(A)及1320(B)可經由無線連接（例如，藍牙連接）連接至擴增實境系統1300。在另其他具體實例中，聲音換能器1320(A)及1320(B)可根本不結合擴增實境系統1300來使用。

框架1310上之聲音換能器1320可以多種不同方式定位，包括沿著鏡腿之長度、橫越橋接件、在顯示裝置1315(A)及1315(B)上方或下方，或其某一組合。聲音換能器1320亦可定向成使得麥克風陣列能夠在環繞配戴擴增實境系統1300之使用者的廣泛範圍的方向上偵測聲音。在一些具體實例中，可在擴增實境系統1300之製造期間執行最佳化製程以判定麥克風陣列中之每一聲音換能器1320的相對定位。

在一些實例中，擴增實境系統1300可包括或連接至外部裝置（例如，成對裝置），諸如頸帶1305。頸帶1305通常表示任何類型或形式的成對裝置。因此，頸帶1305之以下論述亦可適用於各種其他成對裝置，諸如充電箱、智慧型手錶、智慧型手機、腕帶、其他穿戴式裝置、手持式控制器、平板電腦、膝上型電腦、其他外部計算裝置等。

如所展示，頸帶1305可經由一或多個連接器耦接至眼鏡裝置1302。連接器可為有線或無線的，並且可包括電及/或非電（例如，結構化）組件。在一些情況下，眼鏡裝置1302及頸帶1305可在其間無任何有線或無線連接之情況下獨立地操作。雖然圖13說明處於眼鏡裝置1302及頸帶1305上之實例位置中之眼鏡裝置1302及頸帶1305的組件，但該等組件可位於其他地方及/或以不同方式分佈在眼鏡裝置1302及/或頸帶1305上。在一些具體實例中，眼鏡裝置1302及頸帶1305之組件可位於與眼鏡裝置1302、頸帶1305或其某一組合配對的一或多個額外周邊裝置上。

使諸如頸帶1305之外部裝置與擴增實境眼鏡裝置配對可使得眼鏡裝置能夠實現一副眼鏡之外觀尺寸，同時仍為擴展能力提供足夠的電池功率及計算能力。擴增實境系統1300之電池功率、計算資源及/或額外特徵中之一些或全部可由成對裝置提供或在成對裝置與眼鏡裝置之間共用，因此整體上減小眼鏡裝置之重量、熱分佈及外觀尺寸，同時仍保持所要功能性。舉例而言，頸帶1305可允許原本將包括在眼鏡裝置上之組件包括於頸帶1305中，此係由於使用者可在其肩部上承受比其將在其頭部上承受的更重的重量負載。頸帶1305亦可具有較大表面積，以在該表面積上方將熱擴散且分散至周圍環境。因此，頸帶1305可允許比獨立眼鏡裝置上可能另外存在的電池及計算容量大的電池及計算容量。由於頸帶1305中所攜載之重量相比於眼鏡裝置1302中所攜載之重量對於使用者之侵入性可更小，因此使用者可承受配戴較輕眼鏡裝置且承受攜載或配戴成對裝置之時間長度大於使用者將承受配戴較重的獨立式眼鏡裝置之時間長度，進而使得使用者能夠將人工實境環境更充分地併入至其日常活動中。

頸帶1305可以通信方式與眼鏡裝置1302及/或其他裝置耦接。此等其他裝置可向擴增實境系統1300提供某些功能（例如，追蹤、定位、深度映射、處理、儲存等）。在圖13之具體實例中，頸帶1305可包括兩個聲音換能器（例如，1320(I)及1320(J)），其為麥克風陣列之部分（或可能形成其自身的麥克風子陣列）。頸帶1305亦可包括控制器1325及電源1335。

頸帶1305之聲音換能器1320(I)及1320(J)可經組態以偵測聲音且將經偵測聲音轉換為電子格式（類比或數位）。在圖13之具體實例中，聲音換能器1320(I)及1320(J)可定位於頸帶1305上，進而增加頸帶聲音換能器1320(I)及1320(J)與定位於眼鏡裝置1302上之其他聲音換能器1320之間的距離。在一些情況下，增加麥克風陣列之聲音換能器1320之間的距離可提高經由麥克風陣列執行之波束成形之準確度。舉例而言，若聲音係由聲音換能器1320(C)及1320(D)偵測到且聲音換能器1320(C)與1320(D)之間的距離大於例如聲音換能器1320(D)與1320(E)之間的距離，則經偵測聲音之經判定源位置可比聲音係由聲音換能器1320(D)及1320(E)偵測到之情況更準確。

頸帶1305之控制器1325可處理由頸帶1305及/或擴增實境系統1300上之感測器產生的資訊。舉例而言，控制器1325可處理來自麥克風陣列之描述由麥克風陣列偵測到之聲音的資訊。對於每一經偵測聲音，控制器1325可執行到達方向（DOA）估計以估計經偵測聲音自哪一方向到達麥克風陣列。當麥克風陣列偵測到聲音時，控制器1325可用資訊填充音訊資料集。在擴增實境系統1300包括慣性量測單元之具體實例中，控制器1325可根據位於眼鏡裝置1302上之IMU計算所有慣性及空間計算。連接器可在擴增實境系統1300與頸帶1305之間及在擴增實境系統1300與控制器1325之間傳送資訊。該資訊可呈光學資料、電資料、無線資料或任何其他可傳輸資料形式之形式。將由擴增實境系統1300產生的資訊之處理移動至頸帶1305可縮減眼鏡裝置1302中之重量及熱，從而使該眼鏡裝置對於使用者而言更舒適。

頸帶1305中之電源1335可將電力提供至眼鏡裝置1302及/或頸帶1305。電源1335可包括但不限於鋰離子電池、鋰聚合物電池、鋰原電池、鹼性電池或任何其他形式之電力儲存器。在一些情況下，電源1335可為有線電源。將電源1335包括在頸帶1305上而非眼鏡裝置1302上可幫助較佳地分佈由電源1335產生之重量及熱。

如所提及，代替將人工實境與實際實境融合，一些人工實境系統可實質上用虛擬體驗來替換使用者對真實世界之感測感知中之一或多者。此類型系統之一個實例為頭戴式顯示系統，諸如圖14中之虛擬實境系統1400，其主要或完全地覆蓋使用者之視場。虛擬實境系統1400可包括塑形成圍繞使用者頭部裝配的前部剛體1402及帶1404。虛擬實境系統1400亦可包括輸出音訊換能器1406(A)及1406(B)。此外，雖然圖14中未展示，但前部剛體1402可包括一或多個電子元件，其包括一或多個電子顯示器、一或多個慣性量測單元（IMU）、一或多個追蹤發射器或偵測器及/或用於產生人工實境體驗之任何其他合適的裝置或系統。

人工實境系統可包括各種類型的視覺反饋機構。舉例而言，擴增實境系統1300及/或虛擬實境系統1400中之顯示裝置可包括一或多個液晶顯示器（LCD）、發光二極體（LED）顯示器、、微型LED顯示器、有機LED（OLED）顯示器、數位光投影（DLP）微顯示器、矽上液晶（LCoS）微顯示器，及/或任何其他適合類型的顯示螢幕。此等人工實境系統可包括用於兩個眼睛之單一顯示螢幕或可為每一眼睛提供顯示螢幕，此可允許用於變焦調整或用於校正使用者之屈光不正的額外靈活性。此等人工實境系統中之一些亦可包括具有一或多個透鏡（例如，凹透鏡或凸透鏡、菲涅耳（Fresnel）透鏡、可調整液體透鏡等）之光學子系統，使用者可經由該一或多個透鏡檢視顯示螢幕。此等光學子系統可用於各種目的，包括使光準直（例如，使物件出現在比其實體距離更大的距離處）、放大光（例如，使物件看起來比其實際大小大）及/或中繼光（將光中繼至例如檢視者之眼睛）。此等光學子系統可用於非光瞳形成架構（諸如直接使光準直但產生所謂的枕形失真之單透鏡組態）及/或光瞳形成架構（諸如產生所謂的桶形失真以消除枕形失真之多透鏡組態）中。

除了使用顯示螢幕以外或代替使用顯示螢幕，本文所描述之一些人工實境系統亦可包括一或多個投影系統。舉例而言，擴增實境系統1300及/或虛擬實境系統1400中之顯示裝置可包括微型LED投影儀，其（使用例如波導）將光投影至顯示裝置中，該等顯示裝置諸如允許環境光穿過之清晰的組合器透鏡。顯示裝置可將經投影光朝向使用者瞳孔折射且可使得使用者能夠同時觀看人工實境內容及真實世界兩者。顯示裝置可使用多種不同光學組件中之任一者來實現此情形，該等光學組件包括波導組件（例如，全像、平面、繞射、偏振及/或反射波導元件）、光操縱表面及元件（諸如繞射、反射及折射元件以及光柵）、耦合元件等。人工實境系統亦可經組態成具有任何其他適合類型或形式之影像投影系統，諸如用於虛擬視網膜顯示器中之視網膜投影儀。

本文中所描述之人工實境系統亦可包括各種類型之電腦視覺組件及子系統。舉例而言，擴增實境系統1300及/或擴增實境系統1400可包括一或多個光學感測器，諸如二維（2D）或3D相機、結構化光傳輸器及偵測器、飛行時間深度感測器、單束或掃掠雷射測距儀、3D LiDAR感測器及/或任何其他合適類型或形式的光學感測器。人工實境系統可處理來自此等感測器中之一或多者之資料以識別使用者之方位、繪製真實世界、向使用者提供關於真實世界環境之情境及/或進行各種其他功能。

本文中所描述的人工實境系統亦可包括一或多個輸入及/或輸出音訊換能器。輸出音訊換能器可包括音圈揚聲器、帶式揚聲器、靜電揚聲器、壓電揚聲器、骨傳導換能器、軟骨傳導換能器、耳屏振動換能器及/或任何其他適合類型或形式的音訊換能器。類似地，輸入音訊換能器可包括電容式麥克風、動態麥克風、帶式麥克風及/或任何其他類型或形式之輸入換能器。在一些具體實例中，單一換能器可用於音訊輸入及音訊輸出兩者。

在一些具體實例中，本文中所描述之人工實境系統亦可包括觸感（亦即，觸覺）回饋系統，其可併入至頭飾、手套、連體套裝、手持式控制器、環境裝置（例如，椅子、地墊等）及/或任何其他類型的裝置或系統中。觸覺回饋系統可提供各種類型之皮膚回饋，包括振動、力、牽引力、紋理及/或溫度。觸覺回饋系統亦可提供各種類型之動覺回饋，諸如運動及順應性。觸覺回饋可使用馬達、壓電致動器、流體系統及/或各種其他類型之回饋機構來實施。觸覺回饋系統可獨立於其他人工實境裝置、在其他人工實境裝置內及/或結合其他人工實境裝置來實施。

藉由提供觸覺感覺、聽覺內容及/或視覺內容，人工實境系統可在多種情境及環境中產生整個虛擬體驗或增強使用者之真實世界體驗。舉例而言，人工實境系統可在特定環境內輔助或延伸使用者之感知、記憶或認知。一些系統可增強使用者與真實世界中之其他人的互動或可實現與虛擬世界中之其他人的更具沉浸式之互動。人工實境系統亦可用於教學目的（例如，用於在學校、醫院、政府組織、軍事組織、商業企業等中進行教學或訓練）、娛樂目的（例如，用於播放視訊遊戲、聽音樂、觀看視訊內容等）及/或用於無障礙性目的（例如，作為助聽器、視覺輔助物等）。本文中所揭示之具體實例可在此等情境及環境中之一或多者中及/或在其他情境及環境中實現或增強使用者之人工實境體驗。

本文中所描述及/或說明之製程參數及步驟序列僅作為實例給出且可按需要變化。舉例而言，即使本文中所說明及/或描述之步驟可以特定次序展示或論述，但此等步驟未必需要以所說明或論述之次序執行。本文中所描述及/或說明之各種例示性方法亦可省略本文中所描述或說明之步驟中之一或多者或包括除所揭示之彼等步驟之外的額外步驟。

先前描述已經提供以使所屬領域中具有通常知識者能夠最佳利用本文中所揭示之例示性具體實例的各種態樣。此例示性描述並不意欲為詳盡的或限制於所揭示之任何精確形式。在不脫離本發明之精神及範圍之情況下，許多修改及變化係可能的。本文所揭示之具體實例應在所有態樣視為說明性且非限制性的。在判定本揭示內容之範圍時應參考隨附申請專利範圍及其等效物。

除非另外指出，否則如說明書及申請專利範圍中所使用的術語「連接至（connected to）」及「耦接至（coupled to）」（及其衍生詞）被解釋為准許直接及間接（亦即，經由其他元件或組件）連接兩者。另外，如說明書及申請專利範圍中使用之術語「一（a或an）」被視為意謂「中之至少一者」。最終，為易於使用，如說明書及申請專利範圍中所使用的術語「包括」及「具有」（及其衍生詞）可與詞「包含」互換並具有與詞「包含」相同之含義。

應理解，在諸如層或區之元件被稱作形成在另一元件上、沈積在另一元件上或安置在另一元件「上（on）」或安置在另一元件「之上（over）」時，其可直接位於另一元件之至少部分上，或亦可存在一或多個介入元件。相比之下，當元件被稱為「直接在另一元件上（directly on）」或「直接在另一元件上方（directly over）」時，其可位於另一元件之至少一部分上，其中不存在介入元件。

如本文中所使用，參考給定參數、性質或條件之術語「實質上」可意謂且包括所屬技術領域中具有通常知識者將在一定程度上理解給定參數、性質或條件符合較小程度之差異，諸如在可接受的製造公差內。藉助於實例，取決於實質上符合之特定參數、特性或條件，可至少約90%符合、至少約95%符合或甚至至少約99%符合參數、特性或條件。

如本文中所使用，在某些具體實例中，參考特定數值或值範圍的術語「約」可意謂且包括所陳述值以及在所陳述值之10%內的所有值。因此，作為實例，在某些具體實例中，作為「約50」來提及數值「50」可包括等於50±5之值，亦即，在45至55之範圍內之值。

雖然可使用過渡片語「包含（comprising）」來揭示特定具體實例之各種特徵、元件或步驟，但應理解暗示了替代性具體實例，包括可使用過渡片語「組成」或「主要由…組成（consisting essentially of）」來描述的彼等具體實例。因此，舉例言之，包含或包括聚偏二氟乙烯之聚合物薄膜的暗示替代性具體實例包括其中聚合物薄膜基本上由聚偏二氟乙烯組成之具體實例及其中聚合物薄膜由聚偏二氟乙烯組成之具體實例。

100:方法 105:抽汲系統 110:澆鑄模 115:聚合物層 120:容器 125:第二溶劑 130:結晶聚合物薄膜 135:澆鑄且結晶的聚合物薄膜 200:方法 205:抽汲系統 230:澆鑄模 235:澆鑄層 240:載體 245:滾筒 250:滾筒 255:烘箱 260:聚合物薄膜 265:滾筒 300:薄膜 400:薄膜 500:薄膜 600:系統 605:聚合物薄膜 610:可結晶部分 615:結晶及定向部分 620:夾子陣列 624:可移動第一夾子 625:第一軌道 626:可移動第二夾子 627:第二軌道 630:輸入區 632:區 634:區 636:區 638:輸出區 651:夾子間距 652:夾子間距 653:夾子間距 654:夾子間距 655:夾子間距 656:夾子間距 665:子區域 670:子區域 ND:法線方向 MD:縱向方向 TD:橫向方向 700:薄膜定向系統 705:聚合物薄膜 710:結晶或可結晶部分 715:至少部分結晶及定向部分 720:夾子陣列 724:第一夾子 725:第一軌道 726:第二夾子 727:第二軌道 730:輸入區 735:區 740:區 745:輸出區 750:夾子間距 752:夾子間距 754:夾子間距 755:夾子間距 757:夾子間距 759:夾子間距 760:單元區段 765:單元區段 a:加熱區 b:加熱區 c:加熱區 801:曲線 802:曲線 803:曲線 910:聚合物基質 920:微晶 1300:擴增實境系統 1302:眼鏡裝置 1305:頸帶 1310:框架 1315(A):顯示裝置 1315(B):顯示裝置 1320(A):聲音換能器 1320(B):聲音換能器 1320(C):聲音換能器 1320(D):聲音換能器 1320(E):聲音換能器 1320(F):聲音換能器 1320(G):聲音換能器 1320(H):聲音換能器 1320(I):聲音換能器 1320(J):聲音換能器 1325:控制器 1330:有線連接 1335:電源 1340:感測器 1350:相關聯控制器 1400:虛擬實境系統 1402:前部剛體 1404:帶 1406(A):音訊換能器 1406(B):音訊換能器

隨附圖式說明數個例示性具體實例且為本說明書之一部分。連同以下描述，此等圖式展現及解釋本發明之各種原理。

[圖1]為根據某些具體實例的用於製造澆鑄PVDF薄膜之設備的示意圖。

[圖2]為根據一些具體實例的用於製造溶劑澆鑄PVDF薄膜之設備的示意圖。

[圖3]為根據一些具體實例的比較性澆鑄PVDF薄膜的光學顯微圖。

[圖4]為根據其他具體實例的比較性澆鑄PVDF薄膜的光學顯微圖。

[圖5]為根據另外其他具體實例的比較性澆鑄PVDF薄膜的光學顯微圖。

[圖6]為根據一些具體實例的用於製造各向異性壓電聚合物薄膜之薄膜位向系統之示意圖。

[圖7]為根據一些具體實例的用於製造各向異性壓電聚合物薄膜之薄膜位向系統之示意圖。

[圖8]展示根據一些具體實例的未拉伸、拉伸且未退火以及拉伸且退火之聚偏二氟乙烯（PVDF）薄膜之差示掃描量熱法吸熱。

[圖9]為根據各種具體實例的展示拉伸及退火對聚偏二氟乙烯之微觀結構的影響的示意性圖示。

[圖10]為根據各種具體實例的展示組成物及退火對PVDF薄膜之模數的影響的曲線圖。

[圖11]為根據各種具體實例的展示拉伸及退火對高分子量聚偏二氟乙烯薄膜之模數的影響的條形圖。

[圖12]為根據各種具體實例的展示拉伸及退火對具有雙峰分子量分佈之聚偏二氟乙烯薄膜之模數的影響的條形圖。

[圖13]為可結合本發明之具體實例使用的例示性擴增實境眼鏡之圖示。

[圖14]為可結合本發明之具體實例使用的例示性虛擬實境頭戴裝置之圖示。

貫穿圖式，相同參考標號及描述指示類似但未必相同的元件。雖然本文中所描述的例示性具體實例易受各種修改及替代形式之影響，但在圖式中已以舉例方式顯示了特定具體實例，且將在本文中對其進行詳細描述。然而，本文中所描述之例示性具體實例並不意欲限於所揭示之特定形式。實情為，本發明涵蓋屬於所附申請專利範圍之範疇內之全部修改、等效物及替代方式。

100:方法

105:抽汲系統

110:澆鑄模

115:聚合物層

120:容器

125:第二溶劑

130:結晶聚合物薄膜

135:澆鑄且結晶的聚合物薄膜

Claims (20)

1. 一種聚合物薄膜，其包含聚偏二氟乙烯（PVDF）且該聚合物薄膜之特徵藉由以下界定： 沿平面內尺寸至少約4 GPa之楊氏模數；及 在25℃下至少約0.1之機電耦合因數（k ₃₁）。
2. 如請求項1之聚合物薄膜，其中該聚偏二氟乙烯包含選自由偏二氟乙烯（VDF）、三氟乙烯（TrFE）、氯三氟乙烯（CTFE）、六氟丙烯（HFP）、氟乙烯（VF）及其均聚物、共聚物、三聚合物、衍生物及混合物組成之群的部分。
3. 如請求項1之聚合物薄膜，其中該聚合物薄膜之組成物的特徵藉由雙峰分子量分佈界定。
4. 如請求項1之聚合物薄膜，其中該聚合物薄膜之組成物的特徵藉由多分散分子量分佈界定。
5. 如請求項1之聚合物薄膜，其中該楊氏模數沿一對相互正交之平面內尺寸中之每一者為至少約4 GPa。
6. 如請求項1之聚合物薄膜，其中該機電耦合因數（k ₃₁）在25℃下為至少約0.15。
7. 如請求項1之聚合物薄膜，其中該聚合物薄膜之壓電係數（d ₃₁）為至少約5 pC/N。
8. 如請求項1之聚合物薄膜，其中該聚合物薄膜之特徵藉由在550 nm下之至少約80%透明度及小於約10%體霧度界定。
9. 如請求項1之聚合物薄膜，其包含至少約40%總結晶含量。
10. 如請求項1之聚合物薄膜，其包含至少約30%總β相含量。
11. 一種聚合物物件，其特徵藉由以下界定： 沿至少一個尺寸至少約4 GPa之楊氏模數； 在25℃下至少約0.1之機電耦合因數（k ₃₁）；及 沿厚度尺寸至少約80%之光學透明度。
12. 如請求項11之聚合物物件，其包含至少約30%總β相含量。
13. 一種方法，其包含： 將聚合物組成物形成為聚合物薄膜； 沿至少一個平面內方向且以有效地誘發該聚合物薄膜中至少約5之拉伸比的量將拉伸應力施加至該聚合物薄膜；及 在該聚合物薄膜之厚度尺寸上施加電場。
14. 如請求項13之方法，其中該形成包含選自由以下組成之群的製程：澆鑄、擠塑、模製及壓延。
15. 如請求項13之方法，其中該聚合物組成物包含高分子量聚合物與低分子量聚合物及寡聚物中之一或多者的混合物。
16. 如請求項13之方法，其進一步包含在施加該拉伸應力時加熱該聚合物薄膜。
17. 如請求項13之方法，其進一步包含在施加該拉伸應力的同時，將該聚合物薄膜加熱至比該聚合物組成物之熔融峰值溫度低至少10℃之溫度。
18. 如請求項13之方法，其進一步包含在施加該拉伸應力之後加熱該聚合物薄膜。
19. 如請求項13之方法，其中在施加該拉伸應力時或在施加該拉伸應力之後施加該電場。
20. 如請求項13之方法，其中在加熱該聚合物薄膜時或在加熱該聚合物薄膜之後施加該電場。

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