TW202242997A - 一種半導體元件的溼式清洗製備方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一種用於半導體元件的無圖案塌陷的溼式清洗製備方法。透過使用含氟氣體如C2F6進行後反應離子蝕刻(RIE)，然後在單晶圓清洗機(SWC)中用稀釋的氫氟酸(HF)或氨和HF溶液進行清洗，可以獲得具有複數個無圖案塌陷的高縱橫比淺溝槽隔離(STI)特徵的基底。

Description

一種半導體元件的溼式清洗製備方法
本申請案主張2021/04/28申請之美國正式申請案第17/243,159號的優先權及益處，該美國正式申請案之內容以全文引用之方式併入本文中。
本揭露關於一種半導體元件的製備方法，特別是關於一種半導體元件的溼式清洗製備方法。
最近在開發具有更小尺寸和更大積體(integration)密度的半導體元件方面的趨勢導致了電晶體之間距離的減少。淺溝槽隔離(shallow trench isolation，STI)是目前應用最廣泛的隔離電晶體的方法。STI已經取代了習用的矽局部氧化(local oxidation of silicon，LOCOS)的方法，以滿足半導體世代小於0.18微米的要求。一般來說，在製備過程的某一階段，"深溝"(deep trenche)可以延伸到基底表面以下4至8微米。深溝通常是高縱橫比的溝槽。縱橫比"是指溝槽的深度與溝槽頂部開口的寬度相比的比率。舉例來說，在先進的半導體製造中，高縱橫比溝槽的縱橫比可能在20:1和60:1之間，甚至更高。
隨著半導體元件的尺寸越來越小，關鍵尺寸(critical dimension，CD)小於50奈米，使用溼式剝離(wet strip)製程製備具有高縱橫比溝槽的陣列可能導致溝槽邊界的扭曲，例如彎曲，或圖案塌陷。圖案塌陷現象首次在使用超低介電(ULK)膜案例的一後端(back end of line，BEOL)應用中被觀察到。隨著尺寸和間距的不斷縮小，在溼式清洗的過程中發生的圖案塌陷缺陷的頻率在不斷增加。此外，由於圖案的高縱橫比，塌陷問題經常發生在光阻劑層。圖案塌陷現象會導致半導體元件的漏電和短路，進而導致低產量。
經蝕刻後的調查證實，在現有技術的製造中，彎曲通常發生在溼式剝離的製程中，而不是在其之前。這一觀察證實，彎曲是由溼式剝離的製程所產生的溝槽側壁上的毛細力造成。然而，藉由從製程中消除溼式剝離並不是解決彎曲/塌陷問題的可行或具有吸引力的方法，因為溼式剝離還提供一顯著的功能，例如，用於移除聚合物殘留物。
因此，在半導體製造業中，需要一種用於處理半導體元件的基底(例如，晶圓)的方法，以減少或消除基底上高縱橫比特徵的塌陷，特別是具有大約10或更大縱橫比的特徵。
上文之「先前技術」說明僅係提供背景技術，並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的，不構成本揭露之先前技術，且上文之「先前技術」之任何說明均不應做為本案之任一部分。
本揭露的一實施例提供一種半導體元件的溼式清洗製備方法，包括：提供一基底，包括設置在該基底上的一墊氧化層，和設置在該墊氧化層上的一氧化層；執行一乾式蝕刻製程，蝕刻該基底，以在該基底上形成複數個高縱橫比(high aspect ratio)的淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation，STI)特徵，同時從該基底移除該氧化層；執行一清洗製程，使用一稀釋氫氟酸(HF)或一氨水和HF的溶液，在一單晶圓清洗機(Single Wafer Cleaner，SWC)中清洗該基底，以移除該乾式蝕刻製程留下的該墊氧化層和聚合物殘留物；以及執行一蒸氣蝕刻製程，使用一HF蒸氣蝕刻該基底，以形成具有複數個無圖案塌陷的高縱橫比STI特徵的基底。
在一些實施例中，該基底是一絕緣體上矽(Silicon On Insulator，SOI)基底。
在一些實施例中，該墊氧化物是一SiO2緩衝層。
在一些實施例中，透過一熱氧化製程在該基底上生長出該墊氧化層，該熱氧化製程是在大約800攝氏度( oC)至1200攝氏度範圍內的溫度下進行。
在一些實施例中，該氧化物層是一四氯矽酸(tetraethylorthosilicate，TEOS)層。
在一些實施例中，該乾式蝕刻製程是透過使用一含氟氣體的一後反應離子蝕刻(RIE)進行。
在一些實施例中，該含氟氣體選自CF4、CH2F2、CHF3和C2F6組成的一組。
在一些實施例中，該含氟氣體是C2F6。
在一些實施例中，該乾式蝕刻製程在該基底上形成複數個高縱橫比STI特徵，其中該複數個高縱橫比STI特徵的至少一部分的一縱橫比是20:1或更大的縱橫比。
在一些實施例中，該乾式蝕刻製程在該基底上形成該複數個高縱橫比STI特徵，其中該複數個高縱橫比STI特徵的該至少一部分的該縱橫比在20：1至60：1的範圍內。
在一些實施例中，該乾式蝕刻製程在該基底上形成該複數個高縱橫比STI特徵，其中該複數個高縱橫比STI特徵的該至少一部分的該縱橫比在30：1至60：1的範圍內。
在一些實施例中，該清洗製程的該稀釋HF的濃度是0.5%或更高稀釋濃度的HF。
在一些實施例中，該清洗製程的該稀釋HF的濃度在1%至5%的範圍內。
在一些實施例中，該蒸氣蝕刻製程是在一醇類存在下使用該HF蒸氣進行。
由於本揭露的溼式清洗製備方法的設計，其中包括使用含氟氣體如C2F6進行後RIE，然後在SWC中用稀釋的HF或在氨和HF的溶液中進行清洗，可以得到具有複數個圖案塌陷的高縱橫比STI特徵的基底。由於半導體元件中塌陷現象的顯著減少或消除，半導體元件的產量得到提高。
上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可做為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所定義之本揭露的精神和範圍。
為了簡潔起見，本揭露內容可或不詳細描述與半導體元件與積體電路(IC)製造有關的常規技術。此外，本文描述的各種任務與製程步驟可以併入一個更全面的程序或製程中，該程序或製程具有未在本文中詳細描述的額外步驟或功能。特別是，製造半導體元件和基於半導體的積體電路的各種步驟是眾所周知，因此，為了簡潔起見，許多常規步驟在本揭露將只簡要提及，或完全省略，不提供眾所周知的製程細節。
本揭露之以下說明伴隨併入且組成說明書之一部分的圖式，說明本揭露之實施例，然而本揭露並不受限於該實施例。此外，以下的實施例可適當整合以下實施例以完成另一實施例。
「一實施例」、「實施例」、「例示實施例」、「其他實施例」、「另一實施例」等係指本揭露所描述之實施例可包括特定特徵、結構或是特性，然而並非每一實施例必須包括該特定特徵、結構或是特性。再者，重複使用「在實施例中」一語並非必須指相同實施例，然而可為相同實施例。
應當理解，以下揭露內容提供用於實作本揭露的不同特徵的諸多不同的實施例或實例。以下闡述組件及排列形式的具體實施例或實例以簡化本揭露內容。當然，該些僅為實例且不旨在進行限制。舉例而言，元件的尺寸並非僅限於所揭露範圍或值，而是可相依於製程條件及/或裝置的所期望性質。此外，以下說明中將第一特徵形成於第二特徵「之上」或第二特徵「上」可包括其中第一特徵及第二特徵被形成為直接接觸的實施例，且亦可包括其中第一特徵與第二特徵之間可形成有附加特徵、進而使得所述第一特徵與所述第二特徵可能不直接接觸的實施例。為簡潔及清晰起見，可按不同比例任意繪製各種特徵。在附圖中，為簡化起見，可省略一些層/特徵。
此外，為易於說明，本文中可能使用例如「之下(beneath)」、「下面(below)」、「下部的(lower)」、「上方(above)」、「上部的(upper)」等空間相對關係用語來闡述圖中所示的一個元件或特徵與另一(其他)元件或特徵的關係。所述空間相對關係用語旨在除圖中所繪示的取向外亦囊括元件在使用或操作中的不同取向。所述元件可具有其他取向(旋轉90度或處於其他取向)且本文中所用的空間相對關係描述語可同樣相應地進行直譯。
圖1是流程圖，例示本揭露一實施例之溼式清洗製備方法10，圖2A和圖2B、圖3A和圖3B、圖4A至圖4D和圖5A至圖5D是例示本揭露一些實施例，執行該製備方法的步驟後半導體結構200的俯視圖或剖視圖。
圖2A是示意性俯視圖，例示本揭露一實施例在圖1所示步驟S101的半導體結構。圖2B是例示本揭露一些實施例沿圖2A中A-A線拍攝的剖視示意圖。參照圖1，圖2A和圖2B，在步驟S101中，在基底201的表面上生長出墊氧化層202，並在墊氧化層202上方生長出氧化層203。
在本揭露中，半導體元件一般是指可以利用半導體特性而發揮作用的元件，如電光(electro-optic)元件、發光顯示(light-emitting display)元件、半導體電路和電子元件都包括在半導體元件的範疇內。此外，圖案塌陷可以指經過溼式處理和乾燥之後相鄰特徵之間的非故意接觸。特別是，接觸可以在乾燥製程中發生，並在乾燥完成後保持。在接觸的位置以下，圖案的底層特徵並沒有被破壞，相反，這些特徵是變形的，也就是說，它們已經向彼此彎曲，形成接觸。
在本揭露內容中，術語 "基底"是指在其上形成材料的基礎材料或結構。應可理解的是，基底可以包括單個材料、複數個不同材料的層、具有不同材料區域或不同結構的單層或多層，或其他類似組合的材料。基底的材料可以包括半導體、絕緣體、導體，或其組合的材料。例如，可以是一半導體基底、一支撐結構上的基礎半導體(base semiconductor)層、一金屬電極，或一其上形成有單層或多層、結構或區域的半導體基底。基底201可以是習用的矽基底或其他包括半導電材料層的塊狀(bulk)基底。在一些實施例中，基底201可以是一矽(Si)基底、一鍺(Ge)基底、一矽鍺(SiGe)基底、一藍寶石上的矽(SOS)基底、一石英上的矽基底、一絕緣體上矽(SOI)基底、一III-V化合物半導體、其組合或類似物。優選的是，基底201是一SOI基底。一般來說，複合層結構，如SOI，是透過將兩個晶圓直接接觸，因此藉由凡得瓦力(van der Waals forces)啟動結合，然後進行熱處理以加強結合。絕緣體的選擇在很大程度上取決於所預期的應用，藍寶石用於高性能射頻(RF)和輻射敏感的應用，而二氧化矽用於其他微電子元件中的短通道效應的減弱。在一些實施例中，基底是一複合層結構，一般包括一處理晶圓(wafer)或一層，一元件絕緣層，以及在該處理晶圓和元件絕緣層之間的一隔離膜(即介電質)的層(通常是氧化層)。一般來說，一元件層的厚度在0.01微米(mm)至20微米的範圍內，如0.05至20微米的範圍。一厚膜元件層的厚度可在大約1.5微米和大約20微米的範圍內。一薄膜元件層的厚度可在大約0.01微米至約大約0.20微米的範圍內。
墊氧化層202的材料可以包括氧化矽(SiO)、氧化鉿(HfO2)、氧化鉿矽(HfSiO4)、氧化鋯矽(ZrSiO4)，或其組合的材料。在一優選的實施例中，墊氧化層202是一SiO2緩衝層。舉例來說，墊氧化層202(例如，SiO2緩衝層)可以透過一熱氧化(thermal oxidation)製程而在基底201上生長。通常，該熱氧化製程是在大約800攝氏度( oC)至1200攝氏度的溫度下進行的。在該熱氧化製程中，例如一矽晶圓的基底被消耗並被氧化矽取代。例如，墊氧化層202可以包括氧化矽、氮化矽、氧氮化矽(silicon oxynitride)或其組合的層，可以形成為一單層結構或一多層結構。在一些實施例中，墊氧化層202的厚度在大約150埃(Å)至大約2000埃的範圍內。
舉例而言，氧化層203的製作技術可以是一薄膜相關製程。在一實施例中，製作氧化層203的一製程氣體可包括四氯矽酸(TEOS)和一氧化二氮(N2O)。在另一實施例中，製作氧化層203的該製程氣體可包括一TEOS和一氧氣(O2)。在任一情況下，該製程氣體可包括一種或多種載氣(例如，惰性氣體，如氦(He)或氬(Ar))，以促進該製程氣體在一製程室中的輸送和分配。在一舉例中，該製程氣體包括TEOS、N2O和Ar。在另一舉例中，該製程氣體包括TEOS、He和O2。在一些實施例中，氧化層203的製作技術是一電漿增強氧化物(PEOX)、一未摻雜的矽酸鹽玻璃(USG)或類似物。在一些實施例中，該氧化層203是一TEOS層。在一些實施例中，氧化層203的厚度在大約150埃(Å)至大約2000埃的範圍內。
圖3A是示意性俯視圖，例示本揭露一實施例在圖1所示步驟S102的半導體結構。圖3B是例示本揭露一些實施例沿圖3A中B-B線拍攝的剖視示意圖。參照圖1和圖3A和圖3B，在步驟S102中，執行一乾式蝕刻製程，以蝕刻墊氧化層202和基底201。墊氧化層202和基底201的上部可以被該乾式蝕刻製程部分移除，因此在基底201上形成複數個高縱橫比(high aspect ratio)的淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation，STI)特徵。複數個高縱橫比的STI特徵的尺寸可以在32奈米或更小的範圍內。雖然圖示的STI描示為相等，但複數個高縱橫比STI特徵之間的間距可以在不同的相鄰特徵之間變化。應當理解的是，複數個高縱橫比STI特徵之間的間距可以是圖案塌陷的一個因素。
在一些實施例中，該乾式蝕刻製程可以使用一含氧氣體、一含氟氣體(例如CF4、CH2F2、CHF3和/或C2F6)、一含氯氣體(例如Cl2、CHCl3、CCl4和/或BCl3)、一含溴氣體(例如HBr和/或CHBr3)、一含碘氣體、其他適合的氣體和/或電漿，或其組合的氣體和/或電漿。優選的是，該乾式蝕刻製程使用該含氟的氣體進行。更優選的，該乾式蝕刻製程使用一化學式是CnFxHy的一碳氟化合物氣體，其中n是1或2的整數，x是1至6的整數，y是0至3的整數。在一些實施例中，(x+y)等於6。在一些實施例中，該碳氟化合物氣體可以是CF4、C2F6、CHF3，或其組合的氣體。最優選的是，該乾式蝕刻製程是使用C2F6的氣體。
在一優選的實施例中，該乾式蝕刻製程是透過一後反應離子蝕刻(reactive ion etching，RIE)執行的。RIE具有許多重要的微加工功能，包括在低介電(low-k)或超低介電(ULK)層間介電層上的溝槽/通孔特徵的圖案化，光阻劑的灰化/移除，底部抗反射塗料(BARC)的蝕刻/移除，電漿蝕刻聚合物的最小化/移除，有機污染物的蝕刻/移除，以及從低介電材料的損傷中恢復。在執行步驟S102後，氧化層203從基底201上被移除，並在基底201上形成複數個高縱橫比STI特徵。複數個高縱橫比STI特徵在橫截面視圖中是相互分離的。
在一些實施例中，該乾式蝕刻製程在基底201上形成複數個高縱橫比STI特徵，其中複數個高縱橫比STI特徵的至少一部分的縱橫比是20:1或更大，優選的縱橫比在20:1至60:1的範圍內，更優選的縱橫比在30:1至60:1的範圍內。STI特徵的一特徵尺寸，如一特徵寬度，可以小於40奈米。在其他實施例中，該特徵尺寸可以小於30奈米。在另一實施例中，該特徵尺寸可以小於25奈米。
隨著半導體元件的設計規則降低到次微米(submicron)尺度，在製造製程中產生的污染物的可容忍尺寸也在降低。次微米大小的污染物(或顆粒)很難被移除，因為顆粒和基底之間有很強的黏附力，例如凡得瓦力、毛細管力、化學鍵和/或靜電力。可以選擇使用一還原劑進行一預清洗製程，以從基底表面移除次微米大小的污染物。該還原劑可以是一四氯化鈦、一四氯化鉭，或其組合。如果需要，可以重複多次該預清洗製程。
圖4A是示意性俯視圖，例示本揭露一實施例在圖1所示步驟S103的半導體結構。圖4B是例示本揭露一些實施例沿圖4A中C-C線拍攝的剖視示意圖。參照圖1，圖4A和圖4B，在步驟S103中，基底201在一單晶圓清洗機(Single Wafer Cleaner，SWC)中使用一稀釋的HF(氫氟酸)或在一氨和HF的溶液中進行一清洗製程。在步驟S103執行後，該乾式蝕刻製程留下的聚合物殘留物從基底201上被移除，而墊氧化層202也從基底201上被移除。單晶圓清洗機(SWC)因其在清洗大直徑(特別是300毫米)晶圓方面的高性能而被普遍用於微電子製程中。具體而言，SWC使得限制晶圓邊緣的某些缺陷成為可能，這通常與批量清洗機(batch cleaner)有關，後者透過在化學浴中的一系列浸泡來工作。在一些實施例中，該清洗製程使用濃度是0.5%或更高的稀釋的HF進行。優選的是，該清洗製程使用濃度在1%到5%之間的稀釋的HF。更優選的，該清洗製程使用濃度在2%至5%範圍內的稀釋的HF進行。在該清洗製程中可以使用任何常規的SWC。已經報告與製造SWC有關的各種文件，例如，US 5,148,823、US 6,730,176 B2等。
圖5A是示意性俯視圖，例示本揭露一實施例在圖1所示步驟S104的半導體結構。圖5B是例示本揭露一些實施例沿圖5A中E-E線拍攝的剖視示意圖。參照圖1，圖5A和圖5B，在步驟S104中，基底201被置於使用HF蒸氣的一蒸氣蝕刻製程(vapor-etching process)中。在一些實施例中，該蒸氣蝕刻製程是在有醇類存在的情況下用HF蒸氣進行的。醇類使得該HF蒸氣電離(ionize)並作為催化劑。使用HF蒸氣的該蒸氣蝕刻製程可以使用任何商業上可用的HF蒸氣蝕刻系統進行，例如，SPTS技術公司製造的Primaxx® Monarch 25、Primaxx® Monarch 3或Primaxx® Uetch。
可選地，在該蒸氣蝕刻製程後，可以透過一金屬化製程，如一化學蒸鍍製程、一物理蒸鍍製程、一濺鍍製程或類似的製程，在複數個高縱橫比STI特徵中沉積一導電材料，如鋁、銅、鎢、鈷或其他合適的金屬或金屬合金。
由於本揭露的該溼式清洗製備方法的設計，即透過使用一含氟氣體如C2F6進行一後RIE製程，然後在一SWC中用一稀釋的HF或在一氨和HF的溶液中進行清洗，本揭露能夠實現具有複數個無圖案塌陷的高縱橫比STI特徵的基底。由於半導體元件中圖案塌陷的顯著減少或消除，半導體元件的產量得到提高。
本揭露的一實施例提供一種半導體元件的溼式清洗製備方法，包括：提供一基底，包括設置在該基底上的一墊氧化層，和設置在該墊氧化層上的一氧化層；執行一乾式蝕刻製程，蝕刻該基底，以在該基底上形成複數個高縱橫比的淺溝槽隔離(STI)特徵，同時從該基底移除該氧化層；執行一清洗製程，使用一稀釋氫氟酸(HF)或一氨水和HF的溶液，在一單晶圓清洗機(SWC)中清洗該基底，以移除該乾式蝕刻製程留下的該墊氧化層和聚合物殘留物；以及執行一蒸氣蝕刻製程，使用一HF蒸氣蝕刻該基底，以形成具有複數個無圖案塌陷的高縱橫比STI特徵的基底。
雖然已詳述本揭露及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多製程，並且以其他製程或其組合替代上述的許多製程。
再者，本申請案的範圍並不受限於說明書中所述之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法與步驟之特定實施例。該技藝之技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文所述之對應實施例具有相同功能或是達到實質上相同結果之現存或是未來發展之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟。據此，此等製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟係包括於本申請案之申請專利範圍內。
10:溼式清洗製備方法 200:半導體結構 201:基底 202:墊氧化層 203:氧化層 S101:步驟 S102:步驟 S103:步驟 S104:步驟
參閱實施方式與申請專利範圍合併考量圖式時，可得以更全面了解本申請案之揭示內容，圖式中相同的元件符號係指相同的元件。 圖1是例示本揭露一實施例之一種半導體元件的溼式清洗製備方法的流程圖。 圖2A是例示本揭露一實施例在圖1所示步驟S101的半導體結構的俯視示意圖。 圖2B是例示本揭露一些實施例沿圖2A中A-A線拍攝的剖視示意圖。 圖3A是例示本揭露一實施例在圖1所示步驟S102的半導體結構的俯視示意圖。 圖3B是例示本揭露一些實施例沿圖3A中B-B線拍攝的剖視示意圖。 圖4A是例示本揭露一實施例在圖1所示步驟S103的半導體結構的俯視示意圖。 圖4B是例示本揭露一些實施例沿圖4A中C-C線拍攝的剖視示意圖。 圖4C是例示本揭露一實施例在圖1所示步驟S103的半導體結構的俯視顯微照片圖。 圖4D是例示本揭露一些實施例沿圖4C中D-D線拍攝的剖視顯微照片圖。 圖5A是例示本揭露一實施例在圖1所示步驟S104的半導體結構的俯視示意圖。 圖5B是例示本揭露一些實施例沿圖5A中E-E線拍攝的剖視示意圖。 圖5C是例示本揭露一實施例在圖1所示步驟S104的半導體結構的俯視顯微照片圖。 圖5D是例示本揭露一些實施例沿圖5C中F-F線拍攝的剖視顯微照片圖。
200:半導體結構
201:基底
202:墊氧化層

Claims (14)

  1. 一種半導體元件的溼式清洗製備方法，包括： 提供一基底，包括設置在該基底上的一墊氧化層，和設置在該墊氧化層上的一氧化層； 執行一乾式蝕刻製程，蝕刻該基底，以在該基底上形成複數個高縱橫比(high aspect ratio)的淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation，STI)特徵，同時從該基底移除該氧化層； 執行一清洗製程，使用一稀釋氫氟酸(HF)或一氨水和HF的溶液，在一單晶圓清洗機(Single Wafer Cleaner，SWC)中清洗該基底，以移除該乾式蝕刻製程留下的該墊氧化層和聚合物殘留物；以及 執行一蒸氣蝕刻製程，使用一HF蒸氣蝕刻該基底，以形成具有複數個無圖案塌陷的高縱橫比STI特徵的基底。
  2. 如請求項1所述的溼式清洗製備方法，其中該基底是一絕緣體上矽(Silicon On Insulator，SOI)基底。
  3. 如請求項1所述的溼式清洗製備方法，其中該墊氧化物是一SiO2緩衝層。
  4. 如請求項1所述的溼式清洗製備方法，其中透過一熱氧化製程在該基底上生長出該墊氧化層，該熱氧化製程是在大約800攝氏度( oC)至1200攝氏度範圍內的溫度下進行。
  5. 如請求項1所述的溼式清洗製備方法，其中該氧化物層是一四氯矽酸(tetraethylorthosilicate，TEOS)層。
  6. 如請求項1所述的溼式清洗製備方法，其中該乾式蝕刻製程是透過使用一含氟氣體的一後反應離子蝕刻(RIE)進行。
  7. 如請求項6所述的溼式清洗製備方法，其中該含氟氣體選自CF4、CH2F2、CHF3和C2F6組成的一組。
  8. 如請求項7所述的溼式清洗製備方法，其中該含氟氣體是C2F6。
  9. 如請求項1所述的溼式清洗製備方法，其中該乾式蝕刻製程在該基底上形成複數個高縱橫比STI特徵，其中該複數個高縱橫比STI特徵的至少一部分的一縱橫比是20:1或更大的縱橫比。
  10. 如請求項9所述的溼式清洗製備方法，其中該乾式蝕刻製程在該基底上形成該複數個高縱橫比STI特徵，其中該複數個高縱橫比STI特徵的該至少一部分的該縱橫比在20：1至60：1的範圍內。
  11. 如請求項9所述的溼式清洗製備方法，其中該乾式蝕刻製程在該基底上形成該複數個高縱橫比STI特徵，其中該複數個高縱橫比STI特徵的該至少一部分的該縱橫比在30：1至60：1的範圍內。
  12. 如請求項1所述的溼式清洗製備方法，其中該清洗製程的該稀釋HF的濃度是0.5%或更高稀釋濃度的HF。
  13. 如請求項12所述的溼式清洗製備方法，其中該清洗製程的該稀釋HF的濃度在1%至5%的範圍內。
  14. 如請求項1所述的溼式清洗製備方法，其中該蒸氣蝕刻製程是在一醇類存在下使用該HF蒸氣進行。
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