TW202241802A - 基於接觸線動作確定成形參數的系統及方法 - Google Patents

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Abstract

將膜成形和∕或確定將膜成形之成形條件的系統及方法，其可能包含：以第一組成形條件來將測試膜成形；分析將測試膜成形之時所獲得的時間系列散布相機影像以估計一組測試膜散布特徵；以及基於測試膜散布特徵而生成對非填充缺陷之可能減少的估計。

Description

基於接觸線動作確定成形參數的系統及方法
本揭示關於確定成形參數的系統和方法。特別是基於接觸線動作來確定成形參數。
奈米製作包括製作極小的結構，其具有等級在100奈米或更小的特色。奈米製作已具有相當大衝擊的一種應用是積體電路的製作。半導體處理工業持續努力在增加基板上所形成的每單位面積之電路的同時而有較大的產出。奈米製作的改善包括提供較大的製程控制和∕或改善產出率，而同時也允許持續減少所形成之結構的最小特色尺度。
今日所用的一種奈米製作技術通常稱為奈米壓印微影術。奈米壓印微影術可用於各式各樣的應用，舉例而言包括藉由在基板上將膜成形而製作整合裝置的一或更多層。整合裝置的範例包括但不限於互補式金屬氧化物半導體(CMOS)邏輯、微處理器、非及(NAND)快閃記憶體、非或(NOR)快閃記憶體、動態隨機存取記憶體(DRAM)記憶體、磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)、三維交叉點(3D cross point)記憶體、可變電阻式隨機存取記憶體(Re-RAM)、鐵電式隨機存取記憶體(Fe-RAM)、自旋轉移力矩式隨機存取記憶體(STT-RAM)、微機電系統(MEMS)及類似者。範例性奈米壓印微影術系統和過程則詳述於許多公開案，例如美國專利第8,349,241號、美國專利第8,066,930號、美國專利第6,936,194號，其皆併於此以為參考。
揭示於前述專利中之每一者的奈米壓印微影技術描述在基板上將膜成形，其係在可形成的材料(可聚合的)層中形成浮雕圖案。此膜的形狀然後可能用於將對應於浮雕圖案的圖案轉移至底下的基板之中和∕或之上。
成形過程使用與基板隔開的模板。可形成的液體施加至基板上。模板被帶去接觸可形成的液體，其可能已經沉積成液滴圖案，而使可形成的液體散布且填充模板和基板之間的空間。可形成的液體固化以形成膜，其所具有的形狀(圖案)順從模板的成形表面。在固化之後，模板與固化層分開，使得模板和基板隔開。
基板和固化層然後可能受到用於裝置(物件)製作的已知步驟和過程，舉例而言包括熟化、氧化、層形成、沉積、摻雜、平坦化、蝕刻、可形成的材料移除、切片、結合、封裝及類似者。舉例而言，固化層上的圖案可能受到蝕刻過程而將圖案轉移至基板中。
第一具體態樣可能是將膜成形的方法。方法可能包含：以模板來將膜成形；分析在將膜成形之時將膜成像所獲得的時間系列影像，以估計膜散布特徵；以及基於膜散布特徵而生成對非填充缺陷之可能減少的估計。
第一具體態樣可能進一步包含：在顯示裝置上呈現膜散布特徵和對非填充缺陷之可能減少的估計。
第一具體態樣可能進一步包含：基於對非填充缺陷之可能減少的估計而確定成形條件。
第一具體態樣可能是使用該成形方法來製造物件的方法。製造物件的方法可能進一步包含：以確定的成形條件而在產出裝置的基板上將產出裝置的膜成形；處理產出裝置的基板；以及從處理之產出裝置的基板形成物件。
於第一具體態樣的某方面，將測試膜成形可能包含：將成滴的可形成之材料的液滴圖案分配至測試基板上；以及在起始接觸時刻前，以起始背壓來彎折模板。在起始接觸時刻，彎折的模板可能定位在起始接觸位置。在起始接觸時刻，彎折模板的一部分可能接觸成滴的可形成之材料的一部分。在第一接觸時期，從起始接觸時刻開始，施加於模板的背壓可能沿著背壓軌跡而減少。在第一接觸時期，施加於模板的力可能沿著力軌跡而減少。在接觸時期之後的填充時期，施加於模板的背壓和力可能維持基本上恆定的。在填充時期之後的熟化時期，可形成的材料可能暴露於光化輻射。
第一具體態樣可能進一步包含：將一對初步測試膜成形。該對初步測試膜可能包括：短填充時間初步測試膜；以及長填充時間初步測試膜。短填充時間初步測試膜可能是以第一次組成形條件和短填充時間來成形。長填充時間初步測試膜可能是以第一次組成形條件和長填充時間來成形。第一具體態樣可能進一步包含：產生該對初步測試膜之非填充缺陷密度的一對初步地圖。該對初步地圖可能包括：短填充時間地圖；以及長填充時間地圖。第一具體態樣可能進一步包含：以短填充時間地圖中之閾限之上的缺陷密度和長填充時間地圖中之閾限之下的缺陷密度，而將一組非填充敏感位置辨識成該對初步地圖中的位置；分析在將短填充時間初步測試膜成形之時將短填充時間初步測試膜成像所獲得的初步系列影像，以估計一組初步測試膜散布特徵；產生關聯組，包含：該組非填充敏感位置；以及該組初步測試膜散布特徵。
於第一具體態樣的某方面，在將用於生成對非填充缺陷的可能減少之估計的膜成形之時，使用一組成形條件；該組成形條件可能包括第一次組成形條件的第一變化和短填充時間。
於第一具體態樣的某方面，生成對非填充缺陷之可能減少的估計包含：計算一組該測試膜散布特徵和在該組非填充敏感位置的該組初步測試膜散布特徵之間的一組散布特徵差異。
於第一具體態樣的某方面，生成該組初步測試膜散布特徵可能包含：比較該組散布特徵差異與閾限。
第一具體態樣可能進一步包含：基於非填充缺陷之預期改善的地圖，而確定第一變化是否改善第一次組成形條件和短填充時間。
於第一具體態樣的某方面，第一次組成形條件的第一變化可能包括調整以下一或二者：壓印力軌跡；以及壓印背壓軌跡。
於第一具體態樣的某方面，產生成對的初步地圖可能包含：檢視短填充時間初步測試膜以辨識構成短填充時間地圖之非填充缺陷的位置；以及檢視長填充時間初步測試膜以辨識構成長填充時間地圖之非填充缺陷的位置。第一具體態樣的該方面可能進一步包含：將短填充時間地圖中的缺陷做方位角平均，而產生缺陷密度的短填充時間徑向直方圖；以及將長填充時間地圖中的缺陷做方位角平均，而產生缺陷密度的長填充時間徑向直方圖。該組非填充敏感位置可能是一組非填充敏感徑向區域，當中的長填充時間徑向直方圖和短填充時間徑向直方圖之間的差異是在缺陷密度閾限之上。產生關聯組可能包含：基於對應於該組非填充敏感徑向區域的該組初步測試膜散布特徵，而辨識一組非填充敏感散布時間。
於第一具體態樣的某方面，該組初步測試膜散布特徵可能包括初步時間系列之徑向平均的估計接觸半徑。辨識該組非填充敏感散布時間可能包含：辨識在該時間系列之徑向平均的估計接觸半徑中之該徑向平均的估計接觸半徑是在該組非填充敏感徑向區域裡的時期。
於第一具體態樣的某方面，對於將用於生成對非填充缺陷的可能減少之估計的該膜成形，使用第一組成形條件；第一組成形條件可能包括第一次組成形條件的變化。該變化可能包括在該組非填充敏感散布時間的至少一時期中調整以下一或二者：第一次組成形條件中的背壓軌跡和力軌跡。
於第一具體態樣的某方面，該組初步測試膜散布特徵可能包括一組初步散布時間，其關聯於一組初步徑向平均的估計接觸半徑。膜散布特徵可能包括一組測試散布時間，其關聯於一組測試徑向平均的估計接觸半徑。方法可能進一步包含計算以下之間的散布時間差異：在該組測試徑向平均的估計接觸半徑中之該組非填充敏感位置的該組測試散布時間；以及在該組初步徑向平均的估計接觸半徑中之該組非填充敏感位置的該組初步散布時間。對非填充缺陷之可能減少的估計可能是基於該散布時間差異。
於第一具體態樣的某方面，該組初步測試膜散布特徵可能包括一組初步徑向平均的估計接觸角，其關聯於一組初步徑向平均的估計接觸半徑。膜散布特徵可能包括一組測試徑向平均的估計接觸角，其關聯於一組測試徑向平均的估計接觸半徑。方法可能進一步包含計算以下之間的接觸角差異：在該組測試徑向平均的估計接觸半徑中之該組非填充敏感位置的該組測試徑向平均的估計接觸角；以及在該組初步徑向平均的估計接觸半徑中之該組非填充敏感位置的該組初步徑向平均的估計接觸角。對非填充缺陷之可能減少的估計是基於該接觸角差異。
第二具體態樣可能是確定用於將膜成形之成形條件的方法，包含：(a)以包括在閾限之下之短散布時間和在閾限之上之長散布時間的複數個成形條件，將膜成形於複數個場域；(b)分析複數個場域以辨識第一組位置，其中非填充缺陷在短散布時間中出現且不在長散布時間中出現；(c)分析在複數個場域的成形期間將複數個場域中之膜成像所獲得的時間系列影像，而針對第一組位置的每一者和複數個成形條件的每一者來確定第一組散布速率和第一組接觸角；(d)以一組測試成形條件而將膜成形於測試場域；(e)分析在測試場域以測試成形條件做成形的期間將測試場域中之膜成像所獲得的一系列測試影像，而針對第一組位置的每一者來確定一組測試散布速率和一組測試接觸角；(f)基於該組測試散布速率、該組測試接觸角、第一組散布速率、及第一組接觸角，而確定在第一組位置有一或更多個非填充缺陷的測試預期改善；以及(g)以不同的測試成形條件來重複步驟(d)~(f)，而將具有最低測試預期改善的測試成形條件辨識為成形條件。
第三具體態樣可能是成形系統控制設備，包含：記憶體；以及處理器。處理器可能建構成：傳送成形條件給成形系統，其中成形系統將以成形條件來將膜成形；從成形系統接收在將膜成形之時將膜成像所獲得的時間系列影像，並且將時間系列影像儲存於記憶體中；分析時間系列影像以估計膜散布特徵；以及基於膜散布特徵而生成對非填充缺陷之可能減少的估計。
當搭配所附圖式來閱讀本揭示以下範例性具體態樣的詳述和所提供的請求項時，本揭示此等和其他的目的、特色和優點將變得明顯。
奈米壓印微影技術可以用於從可形成的材料而在基板上將膜成形。成形過程是在接觸時期進行，接著是熟化時期。在接觸時期前，模板(或覆板)的成形表面(圖案化表面或平坦化表面)被彎折。在接觸時期，彎折的成形表面被帶去接觸基板上之可形成的材料。然後將成形表面平坦化。在接觸時期後，可形成的材料暴露於光化輻射，其使可形成的材料熟化。在接觸時期，成形表面和基板之間的氣體則逃脫。當熟化時期開始時仍在成形表面和基板之間的氣體可以造成非填充缺陷。
在增加產出率之時使非填充缺陷的數目最小化則改善奈米壓印微影技術的效能。使非填充缺陷的數目最小化包括確定使非填充缺陷之數目最小化的成形參數。有許多成形參數會在接觸時期影響如何控制成形表面。確定此等成形參數之先前技術的方法包括以不同的成形參數來進行實驗，並且檢視此等實驗所產生的成形膜以辨識非填充缺陷。確定此等成形參數則是耗費時間和資源的過程。申請人已發現減少確定此等成形參數所需之時間和資源的系統和方法。 ＜成形系統＞
圖1是可能實施具體態樣之成形系統100(舉例而言為奈米壓印微影術系統或噴墨調適型平坦化系統)的圖示。成形系統100用於在基板102上產生壓印(成形)膜。基板102可能耦合於基板夾盤104。基板夾盤104可能是但不限於真空夾盤、針銷型夾盤、溝槽型夾盤、靜電夾盤、電磁夾盤和∕或類似者。
基板102和基板夾盤104可能進一步由基板定位臺座106所支撐。基板定位臺座106可能提供沿著位置軸x、y、z和旋轉軸θ、ψ、φ中的一或更多者的平移和∕或旋轉動作。基板定位臺座106、基板102、基板夾盤104也可能定位在基座上(未顯示)。基板定位臺座可能是定位系統的零件。於替代選擇性具體態樣，基板夾盤104可能附接於基座。
與基板102隔開的是模板108(也稱為覆板)。模板108可能包括本體，其具有在模板108之正面上延伸朝向基板102的凸臺(也稱為模具)110。凸臺110可能也在模板108的正面上具有成形表面112。成形表面112(也已知為圖案化表面)是模板將可形成的材料124成形之表面。於具體態樣，成形表面112是平坦的且用於將可形成的材料平坦化。替代選擇而言，模板108可能形成為沒有凸臺110；在該情形，模板面對基板102的表面等同於凸臺110，並且成形表面112是模板108面對基板102的表面。
模板108可能是由包括但不限於融熔矽石、石英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、硼矽酸鹽玻璃、氟碳聚合物、金屬、硬化藍寶石和∕或類似的材料所形成。成形表面112可能具有特色，其由複數個隔開的模板凹陷114和∕或模板突起116所界定。成形表面112所界定的圖案則形成待形成在基板102上之圖案的基礎。於替代選擇性具體態樣，成形表面112無特色；在該情形，平坦的表面形成在基板上。於替代選擇性具體態樣，成形表面112無特色且尺寸相同於基板，並且平坦的表面跨越整個基板而形成。
模板108可能耦合於模板夾盤118。模板夾盤118可能是但不限於真空夾盤、針銷型夾盤、溝槽型夾盤、靜電夾盤、電磁夾盤和∕或其他類似的夾盤類型。模板夾盤118可能建構成施加跨越模板108而變化的應力、壓力和∕或應變至模板108。模板夾盤118可能包括模板放大控制系統121。模板放大控制系統121可能包括壓電致動器(或其他致動器)，其可以擠壓和∕或伸展模板108的不同部分。模板夾盤118可能包括例如基於區域的真空夾盤、致動器陣列、壓力囊…等系統，其可以施加壓差至模板的背面而使模板彎曲和變形。
模板夾盤118可能耦合於成形頭120，其為定位系統的零件。成形頭120可能可移動地耦合於橋臺。成形頭120可能包括一或更多個致動器，例如音圈馬達、壓電馬達、線性馬達、螺帽螺桿馬達…等，其建構成相對於基板而至少在z軸方向和其他可能的方向(譬如位置軸x、y和旋轉軸θ、ψ、φ)來移動模板夾盤118。
成形系統100可能進一步包含流體分配器122。流體分配器122也可能可移動地耦合於橋臺。於具體態樣，流體分配器122和成形頭120共享一或更多個或所有的定位組件。於替代選擇性具體態樣，流體分配器122和成形頭120彼此獨立地移動。流體分配器122可能用於以液滴圖案而將液態之可形成的材料124(譬如可聚合的材料)沉積至基板102上。在可形成的材料124沉積至基板102上以前，額外可形成的材料124也可能使用例如滴配、旋塗、浸塗、化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積和∕或類似的技術而添加至基板102。可形成的材料124可能在所欲的體積界定在成形表面112和基板102之間以前和∕或以後分配至基板102上，此視設計考量而定。可形成的材料124可能包含混合物，其包括單體，如美國專利第7,157,036號和美國專利第8,076,386號所述，此二者併於此以為參考。
不同的流體分配器122可能使用不同的科技來分配可形成的材料124。當可形成的材料124是可噴射時，噴墨型分配器可能用於分配可形成的材料。舉例而言，熱噴墨、基於微機電系統(microelectromechanical system，MEMS)的噴墨、閥噴射、壓電噴墨是用於分配可噴射的液體之常見技術。
成形系統100可能進一步包含熟化系統，其誘發液態可形成的材料相變為固態材料，而其頂面是由成形表面112的形狀所確定。熟化系統可能包括至少輻射源126，其沿著曝光路徑128來指引光化能量。成形頭和基板定位臺座106可能建構成將模板108和基板102定位成與曝光路徑128重疊。在模板108已接觸可形成的材料124之後，輻射源126沿著曝光路徑128來傳送光化能量。圖1示範當模板108未接觸可形成的材料124時的曝光路徑128，這麼做是為了示範，如此則可以輕易辨識個別組件的相對位置。熟於此技術者會了解當模板108被帶去接觸可形成的材料124時，曝光路徑128不會有基本上改變。於具體態樣，光化能量可能被指引穿過模板夾盤118和模板108二者而至模板108下方之可形成的材料124中。於具體態樣，輻射源126所產生的光化能量是紫外(UV)光，其誘發可形成的材料124中之單體的聚合。
成形系統100可能進一步包含場域相機136，其定位成在模板108已接觸可形成的材料124之後來觀看可形成的材料124之散布。圖1將場域相機之成像場的光軸示範成虛線。如圖1所示範，成形系統100可能包括一或更多個光學組件(分色鏡、光束組合器、稜鏡、透鏡、反射鏡…等)，其將光化輻射與待由場域相機偵測的光做組合。場域相機136可能建構成偵測模板108底下之可形成的材料之散布。圖1所示範之場域相機136的光軸是直的，但可能被一或更多個光學組件所彎曲。場域相機136可能包括以下一或更多者：電荷耦合裝置(CCD)、感應器陣列、線型相機、光偵測器，其建構成收集光而光所具有的波長顯示模板108底下接觸可形成的材料的區域和模板108底下不接觸可形成的材料124的區域之間的對比。場域相機136可能建構成收集可見光的單色影像。場域相機136可能建構成提供模板108底下之可形成的材料124的散布影像、模板108與熟化之可形成的材料之分離、以及可以用於追蹤壓印(成形)過程。場域相機136也可能建構成測量干涉條紋，其隨著成形表面112和基板表面130之間間隙中所散布之可形成的材料124而改變。
成形系統100可能進一步包含與場域相機136分開的小滴檢視系統138。小滴檢視系統138可能包括以下一或更多者：CCD、相機、線型相機、光偵測器。小滴檢視系統138可能包括一或更多個光學組件，例如透鏡、反射鏡、光圈、濾鏡、稜鏡、偏振器、窗口、調適性光學器材和∕或光源。小滴檢視系統138可能定位成在成形表面112接觸基板102上之可形成的材料124之前先檢視小滴。於替代選擇性具體態樣，場域相機136可能建構成小滴檢視系統138，並且在成形表面112接觸可形成的材料124之前來使用。
成形系統100可能進一步包括熱輻射源134，其可能建構成提供熱輻射的空間分布給模板108和基板102中的一或二者。熱輻射源134可能包括一或更多個熱電磁輻射源，其將加熱基板102和模板108中的一或二者且不使可形成的材料124固化。熱輻射源134可能包括空間光調變器(SLM)，例如數位微反射鏡裝置(digital micromirror device，DMD)、矽上液晶(liquid crystal on silicon，LCoS)、液晶裝置(liquid crystal device，LCD)…等，以調變熱輻射的時空分布。成形系統100可能進一步包含一或更多個光學組件，其用於將光化輻射、熱輻射、場域相機136所收集的輻射組合至單一光學路徑上，其當模板108變成接觸基板102上之可形成的材料124時則與壓印場域相交。在模板108已接觸可形成的材料124之後，熱輻射源134可能沿著熱輻射路徑(其在圖1示範成2條粗黑線)來傳送熱輻射。圖1示範當模板108未接觸可形成的材料124時的熱輻射路徑，這麼做是為了示範，如此則可以輕易辨識個別組件的相對位置。熟於此技術者會了解當模板108被帶去接觸可形成的材料124時，熱輻射路徑不會有基本上改變。於圖1，熱輻射路徑顯示成終結在模板108，但它也可能終結在基板102。於替代選擇性具體態樣，熱輻射源134是在基板102底下，並且熱輻射路徑不與光化輻射和可見光做組合。
在可形成的材料124分配至基板上以前，基板塗層132可能施加於基板102。於具體態樣，基板塗層132可能是黏著層。於具體態樣，在基板被裝載至基板夾盤104上以前，基板塗層132可能施加於基板102。於替代選擇性具體態樣，基板塗層132可能於基板102在基板夾盤104上之時施加於基板102。於具體態樣，基板塗層132可能藉由旋塗、浸塗、滴配、槽縫分配…等而施加。於具體態樣，基板102可能是半導體晶圓。於另一具體態樣，基板102可能是空白模板(複製毛胚)，其可能用於在壓印之後生成子模板。
成形系統100可能包括壓印場域氣氛控制系統，例如氣體和∕或真空系統，其範例描述於美國專利案公開第2010/0096764和2019/0101823號，其併於此以為參考。氣體和∕或真空系統可能包括泵、閥、螺線管、氣體源、氣體管線…等的一或更多者，其建構成使一或更多種不同的氣體在不同時刻和不同區域來流動。氣體和∕或真空系統可能連接至第一氣體傳輸系統，其傳輸氣體來往於基板102的邊緣且藉由控制氣體在基板102之邊緣的流動而控制壓印場域氣氛。氣體和∕或真空系統可能連接至第二氣體傳輸系統，其傳輸氣體來往於模板108的邊緣且藉由控制氣體在模板108之邊緣的流動而控制壓印場域氣氛。氣體和∕或真空系統可能連接至第三氣體傳輸系統，其傳輸氣體來往於模板108的頂部且藉由控制氣體經過模板108的流動而控制壓印場域氣氛。第一、第二和第三氣體傳輸系統中的一或更多者可能組合或分開地使用以控制壓印場域中和周圍的氣體流動。
成形系統100可能由一或更多個處理器140(控制器)所調節、控制和∕或指引，該處理器140則與例如基板夾盤104、基板定位臺座106、模板夾盤118、成形頭120、流體分配器122、輻射源126、熱輻射源134、場域相機136、壓印場域氣氛控制系統和∕或小滴檢視系統138的一或更多個組件和∕或次系統通訊。處理器140可能基於儲存於非暫態之電腦可讀取的記憶體142中之電腦可讀取的程式之指令來操作。處理器140可能是或包括以下一或更多者：中央處理單元(CPU)、數學處理單元(MPU)、圖形處理單元(GPU)、特用積體電路(ASIC)、場可程式化閘陣列(FPGA)、數位訊號處理器(DSP)、通用電腦。處理器140可能是限定用途的控制器，或者可能是調適成控制器的通用運算裝置。非暫態之電腦可讀取的記憶體之範例包括但不限於RAM、唯讀記憶體(ROM)、光碟(CD)、數位萬用光碟(DVD)、藍光碟、硬碟、連網附接型儲存器(networked attached storage，NAS)、連接網內網路之非暫態電腦可讀取的儲存裝置、連接網際網路之非暫態電腦可讀取的儲存裝置。控制器140可能包括複數個處理器，其都包括在成形系統100中且與成形系統100通訊。處理器140可能與連網電腦140a通訊而在其上進行分析和產生例如液滴圖案的控制檔案。於具體態樣，在連網電腦140a和與處理器140通訊之顯示器中的一或二者上有一或更多個圖形使用者介面(graphical user interface，GUI)141，其呈現給操作員和∕或使用者。
成形頭120和基板定位臺座106中的任一或二者變化模具110和基板102之間的距離以界定填充可形成的材料124的所欲空間(三維的物理界限範圍)。舉例而言，成形頭120可能施力給模板108，使得模具110接觸可形成的材料124。在所欲體積填充了可形成的材料124之後，輻射源126產生光化輻射(譬如UV、248奈米、280奈米、350奈米、365奈米、395奈米、400奈米、405奈米、435奈米…等)，其使可形成的材料124熟化、固化和∕或交聯，而順從基板表面130和成形表面112的形狀以在基板102上界定圖案化層。可形成的材料124在模板108接觸可形成的材料124之時熟化，而在基板102上形成圖案化層。因此，成形系統100使用成形過程來形成圖案化層，其所具有的凹陷和突起是成形表面112之圖案的相反。於替代選擇性具體態樣，成形系統100使用成形過程來形成具有無特色之成形表面112的平坦層。
可能在跨越基板表面130而散布的複數個壓印場域(也已知就是場或射)重複做成形過程。每個壓印場域的尺寸可能相同於凸臺110或僅凸臺110的圖案區域。凸臺110的圖案區域是成形表面112的區域，其用於在基板102上壓印圖案，該圖案是裝置的特色或者然後用於後續過程以形成裝置的特色。凸臺110的圖案區域可能包括或不包括質量速度變化特色(流體控制特色)，其用於避免在壓印場域邊緣上形成擠溢。於替代選擇性具體態樣，基板102僅有一個壓印場域，其尺寸相同於基板102或基板102待以凸臺110來圖案化的區域。於替代選擇性具體態樣，壓印場域有所重疊。某些壓印場域可能是與基板102之邊界相交的部分壓印場域。
圖案化層可能形成而使得它具有殘餘層，其所具有的殘餘層厚度(residual layer thickness，RLT)是每個壓印場域中的基板表面130和成形表面112之間可形成的材料124之最小厚度。圖案化層也可能包括一或更多個特色，例如延伸高於具有厚度之殘餘層的突起。此等突起匹配凸臺110中的凹陷114。 ＜模板＞
圖2是可能用於具體態樣之模板108的圖示(未按比例)。成形表面112可能是在凸臺110(由圖2的虛線框所辨識)上。凸臺110被模板之正面上的凹陷表面244所包圍。凸臺側壁246將凹陷表面244連接至凸臺110的成形表面112。凸臺側壁246包圍凸臺110。於凸臺是圓的或具有圓角的具體態樣，凸臺側壁246是指單一凸臺側壁，其為連續壁而無角落。於具體態樣，凸臺側壁246可能具有以下一或更多者：垂直輪廓、有角輪廓、彎曲輪廓、階梯輪廓、乙狀輪廓、上凸輪廓、或這些輪廓所組合的輪廓。 ＜成形過程＞
圖3是製造物件(裝置)的方法流程圖，其包括成形系統100所進行的成形過程300。成形過程300可以用於在一或更多個壓印場域(也稱為圖案區或射區)上之可形成的材料124中形成圖案。成形過程300可能由成形系統100而在複數個基板102上重複進行。處理器140可能用於控制成形過程300。
於替代選擇性具體態樣，成形過程300用於將基板102平坦化。於該情形，成形表面112無特色且尺寸也可能相同或大於基板102。
成形過程300的開始可能包括模板安裝步驟，其使模板傳遞機構將模板108安裝至模板夾盤118上。成形過程300也可能包括基板安裝步驟，處理器140可能使基板傳遞機構將基板102安裝至基板夾盤104上。基板可能具有一或更多個塗層和∕或結構。模板108和基板102安裝至成形系統100上的次序則無特殊限制，並且可能依序或同時安裝模板108和基板102。
於定位步驟，處理器140可能使基板定位臺座106和∕或分配器定位臺座中的一或二者將基板102的壓印場域i(指標i可能起初設為1)移動至流體分配器122下方的流體分配位置。基板102可能劃分成N個壓印場域，其中每個壓印場域是以成形場域指標i來辨識，其中N是成形場域的數目且為正整實數，例如1、10、62、75、84、100…等{N ∈ Z +}。於分配步驟S302，處理器140可能使流體分配器122基於液滴圖案而將可形成的材料分配至壓印場域上。於具體態樣，流體分配器122將可形成的材料124分配成複數個小滴。流體分配器122可能包括一個噴嘴或多個噴嘴。流體分配器122可能同時從一或更多個噴嘴來排出可形成的材料124。在流體分配器正在排出可形成的材料124的同時，壓印場域可能相對於流體分配器122而移動。因此，某些小滴落在基板上的時刻可能跨越壓印場域i而變化。分配步驟S302可能針對每個壓印場域i而在分配時期T d進行。
於具體態樣，在分配步驟S302期間，可形成的材料124依據液滴圖案而分配至基板102上。液滴圖案所可能包括的資訊例如是要沉積成滴的可形成之材料的一或更多個位置、成滴的可形成之材料的體積、可形成的材料之類型、成滴的可形成之材料的形狀參數…等。於具體態樣，液滴圖案可能僅包括待分配的液滴體積和要沉積小滴的位置。
在分配小滴之後，然後可能啟動接觸步驟S304，處理器140可能使基板定位臺座106和模板定位臺座中的一或二者把模板108的成形表面112帶去接觸在特殊壓印場域中之可形成的材料124。接觸步驟S304可能是在接觸時期T 接觸進行，其在分配時期T d之後開始且開始於成形表面112與可形成的材料124的起始接觸。於具體態樣，在接觸時期T 接觸的開始，模板夾盤118建構成彎折模板108，如此則僅部分的成形表面112接觸部分之可形成的材料。於具體態樣，當模板108不再被模板夾盤118彎折時，接觸時期T 接觸結束。成形表面112相對於基板表面130的彎折程度可能是以散布相機136來估計。散布相機136可能建構成記錄干涉條紋，其係因為來自至少成形表面112和基板表面130之反射的緣故。相鄰干涉條紋之間的距離愈窄，成形表面112的彎折程度就愈大。
在填充步驟S306期間，可形成的材料124朝向壓印場域的邊緣和凸臺側壁246散布出去。壓印場域的邊緣可能是由凸臺側壁246所界定。可形成的材料124如何散布和填充凸臺則可能經由場域相機136來觀察且可能用於追蹤可形成的材料之流體前緣的進展。於具體態樣，填充步驟S306發生在填充時期T f。填充時期T f開始於當接觸步驟S304結束之時。填充時期T f結束於熟化時期T c的開始。於具體態樣，在填充時期T f施加於模板的背壓和力係維持基本上恆定的。本文中之基本上恆定的意謂背壓變化和力變化是在成形系統100的控制公差裡，其可能小於設定點數值的0.1%。
於熟化步驟S308，處理器140可能傳送指令給輻射源126，以在固化時期T c傳送光化輻射的熟化照明圖案而穿過模板108、凸臺110、成形表面112。熟化照明圖案提供足夠的能量以熟化(聚合)成形表面112下方之可形成的材料124。熟化時期T c是模板下方之可形成的材料接收強度夠高而足以固化(熟化)可形成的材料之光化輻射的時期。於替代選擇性具體態樣，可形成的材料124在熟化時期T c之前先暴露於光化輻射的凝膠化照明圖案，其不熟化可形成的材料但卻增加可形成的材料之黏稠度。
於分離步驟S310，處理器140使用基板夾盤104、基板定位臺座106、模板夾盤118、成形頭120中的一或更多者而在分離時期T s從基板102上熟化之可形成的材料分開模板108的成形表面112。若有額外的壓印場域待壓印，則過程移動回到步驟S302。於替代選擇性具體態樣，在步驟S302期間，二或更多個壓印場域接收可形成的材料124，並且過程移動回到步驟S302或S304。
於具體態樣，在完成成形過程300之後，於處理步驟S312，在基板102上進行額外的半導體製造處理，如此以生成製造的物件(譬如半導體裝置)。於具體態樣，每個壓印場域包括複數個裝置。
處理步驟S312中的進一步半導體製造處理可能包括蝕刻過程以將浮雕影像轉移至基板中，該影像對應於圖案化層中的圖案或該圖案的相反。處理步驟S312中的進一步處理也可能包括用於物件製作的已知步驟和過程，舉例而言包括檢視、熟化、氧化、層形成、沉積、摻雜、平坦化、蝕刻、可形成的材料之移除、切片、結合、封裝、安裝、電路板組裝及類似者。基板102可能做處理以生產複數個物件(裝置)。 ＜非填充缺陷＞
圖4是在基板102上具有非填充缺陷424b的熟化之可形成的材料424a之顯微照片。非填充缺陷是一種在成形過程300期間所可能發生的缺陷。此等非填充缺陷可能是以顯微鏡、輪廓儀、自動化檢視工具(舉例而言為先前由加州Milpitas之KLA-Tencor公司所販售的WI-2200晶圓檢視器)、原子力顯微鏡或能夠檢視基板上之小特色的別的裝置來檢視熟化之可形成的材料而發現。當可形成的材料124沒有時間來填充成形表面112下方的特殊區域時，可以發生非填充缺陷。換言之，成形表面112下方所捕陷的氣體在熟化步驟S308之前沒有時間逃脫。
成形過程300的二個目標是使熟化之可形成的材料424a中之非填充缺陷的數目最小化和使用於進行成形過程300的總成形時間(T 總和)最小化。此等是衝突的目標。使成形過程300最佳化包括修改成形條件，使得非填充缺陷的數目低於非填充缺陷閾限且總成形時間T 總和低於目標總成形時間。於先前技術，完成此點則是以複數個成形條件來將複數個基板成形，然後檢視每個基板上的熟化之可形成的材料以辨識非填充缺陷。
申請人已發現：當填充時期T f為短時，基板的特定區域要比基板的其他區域對非填充缺陷更敏感。當填充時期T f長於此等位置中的非填充缺陷消失而不太可能發生。圖5A是當填充時期T f為短時之非填充缺陷位置分布的實驗資料。圖5B是當填充時期T f為長時之非填充缺陷位置分布的實驗資料。於本語境中，長填充時期是短填充時期的至少二倍長。
申請人已確定非填充資料時常有徑向徵兆。非填充資料的此徑向徵兆可以用徑向直方圖來特徵化，如長填充時期徑向直方圖和短填充時期徑向直方圖所示範，其在圖5C以對數刻度(y軸)直方圖來示範。
基板120可能劃分成複數個成形場域548。成形場域548可能採取任何形狀，舉例而言：矩形、多邊形、或具有一或更多個線性邊緣和一或更多個彎曲邊緣的形狀。成形場域548可能劃分成複數個徑向分格，如圖5D之交替的灰色和白色分格所示範。此等徑向分格可能內切在成形場域裡，如圖5D所示。缺陷數可能是基於與成形場域548相交之徑向環分格的單位面積(如圖5E所示)而正規化。徑向直方圖可能藉由在與成形場域548相交之徑向環的面積上將每個長填充時間地圖的缺陷做方位角平均而形成。
在接觸步驟S304期間，成形表面112從成形場域548的中央開始碰觸可形成的材料，然後以徑向方式散布至邊緣。在接觸步驟S304期間所發生之可形成的材料之動態散布期間，可能生成缺陷的徑向分布。若填充步驟S306太短，則此等缺陷將維持。換言之，若填充步驟S306夠長，則缺陷的徑向分布將減少。
動態散布可能藉由在接觸步驟S304期間控制力軌跡和模板背壓軌跡而控制。申請人已實驗證實：改變力軌跡和模板背壓軌跡已影響非填充缺陷的徑向分布。先前要發現一組良好的成形條件(舉例而言為力軌跡、背壓軌跡)則包括以下反覆過程：以一組測試成形條件來將測試膜成形；檢視熟化的測試膜以偵測次微米非填充缺陷；然後以新的一組測試組成形條件來重複該過程，直到非填充缺陷是低於閾限為止。此反覆過程是耗費時間和資源的過程。申請人已發現改善的過程，其花較少時間、較少資源且允許有較快過程來確定一組良好的成形條件。 ＜最佳化過程＞
圖6A是關聯組產生過程600a的圖示。圖6B是利用關聯組之成形條件最佳化過程600b的圖示。關聯組產生過程600a可能包括使用成形過程300來形成一對初步測試膜。成形過程300使用形成長填充時間初步測試膜的次組成形條件和長填充時期來進行。成形過程300也使用形成短填充時間初步測試膜的次組成形條件和短填充時期來進行。在成形過程300期間，在接觸時期產生初步系列影像(散布相機影像)。初步系列影像可能是以散布相機來獲得且可能由於來自至少成形表面112和基板表面130的反射而包括干涉條紋。圖7是當形成短填充時間初步測試膜時在成形過程300的接觸時期T 接觸所產生之初步系列影像的範例。
關聯組產生過程600a可能包括檢視步驟S614，其中檢視膜以形成缺陷地圖。檢視步驟S614進行二次以形成一對非填充缺陷密度的初步地圖。檢視步驟S614可能基於檢視短填充時間初步測試膜而產生短填充時間地圖(見圖5A)。檢視步驟S614也可能基於檢視長填充時間初步測試膜而產生長填充時間地圖(見圖5B)。檢視步驟S614可能使用顯微鏡、輪廓儀、自動化檢視工具(舉例而言為加州Milpitas之KLA-Tencor公司先前所販售的WI-2200晶圓檢視器)、原子力顯微鏡、或能夠檢視基板上可形成的材料之熟化膜中的小特色之別的裝置來進行。
關聯組產生過程600a可能包括辨識步驟S616以辨識一組非填充敏感位置。辨識步驟S616包括辨識短填充時間地圖中的非填充缺陷位置，其不被辨識成長填充時間地圖中的缺陷。此等辨識位置有可能是非填充敏感位置。於具體態樣，此辨識步驟S616是以統計方式來做，其中缺陷做方位角地加總及在特定半徑上區分以形成例如圖5C所示範的直方圖。舉例而言，非填充敏感位置是在圖5C中的9~20毫米。如圖5C所示範，在此等位置，短填充時間中的缺陷大於長填充時間中的缺陷。此等位置所具有的傾向是當填充時間不足時可形成的材料不理想地散布。因而，那些缺陷稱為非填充缺陷。於具體態樣，此辨識步驟S616是以統計方式來做，其中缺陷做方位角平均及在特定半徑上區分以形成直方圖。於具體態樣，此辨識步驟S616是以統計方式來做，其中缺陷做方位角平均、在特定半徑上區分、在平均面積上正規化以形成直方圖。於具體態樣，此辨識步驟S616是以統計方式來做，其中缺陷做方位角平均、在特定半徑上區分、在平均面積上正規化以形成直方圖，並且將差異與閾限做比較。
關聯組產生過程600a可能包括分析影像步驟S618以估計一組初步測試膜散布特徵。分析影像步驟S618可能包括分析當形成短填充時間初步測試膜時在接觸時期T 接觸所獲得的初步系列影像。如圖7所示範，初步系列影像包括干涉條紋。此等干涉條紋的分析可以用於將成形表面112下方之可形成的材料之散布加以特徵化。對干涉條紋的主要影響是來自成形表面112和基板表面130的干涉形式反射。
在接觸時期T 接觸，接觸角θ隨著接觸半徑b增加而減少。最內條紋的位置r是當RLT小於測量波長λ時之接觸半徑b的合理估計值，如圖8所示範。該組初步測試膜散布特徵可能包括如時間系列最內條紋半徑r(t)所估計的時間系列接觸半徑b(t)。時間系列最內條紋半徑r(t)可能反轉以給出為半徑函數的一系列散布時間t 散布(r)。該組初步測試膜散布特徵可能包括為半徑函數的一系列散布時間t 散布(r)。該組初步測試膜散布特徵可能包括如由時間系列最內條紋半徑的時間導數所估計之接觸半徑的時間系列散布速率v(t)[v(t)=dr∕dt]。該組初步測試膜散布特徵可能包括為最內條紋半徑的函數之徑向系列的散布速率v(r)。
第二最內條紋和第一最內條紋之間的條紋差異Δr則與接觸角θ和測量波長λ有關，如下面方程式(1)和圖8所述。該組初步測試膜散布特徵可能包括時間系列條紋差異Δr(t)。該組初步測試膜散布特徵可能包括時間系列接觸角θ(t)。該組初步測試膜散布特徵可能包括時間系列之接觸角的時間導數(ω(t)=dθ∕dt)。該組初步測試膜散布特徵可能包括徑向系列之接觸角的時間導數(ω(r)=dθ∕dt)。 θ=tan -1(λ∕Δr)           (1)
關聯組產生過程600a可能包括產生關聯組步驟S620。產生關聯組步驟S620可能包括將該組初步測試膜散布特徵關聯於非填充敏感位置。產生關聯組步驟S620可能包括將散布特徵的一或更多個數值和特殊的非填充敏感位置加以關聯。產生關聯組步驟S620可能包括基於該組非填充敏感位置而確定一組非填充敏感半徑。產生關聯組步驟S620可能包括將非填充敏感半徑關聯於該組初步測試膜。
圖6B所示範的成形條件最佳化過程600b可能包括用於產生測試成形條件的測試成形條件產生步驟S620a。測試成形條件產生步驟S620a基於關聯組、短填充時間、次組成形條件來產生。測試成形條件產生步驟S620a包括調整一或更多個次組成形條件。可能被調整的成形條件包括以下一或更多者：在接觸時期T 接觸的力軌跡；以及在接觸時期T 接觸的背壓軌跡。力軌跡或背壓軌跡可能在基於關聯組所確定的時期調整。
成形條件最佳化過程600b可能包括使用測試成形條件而以成形過程300來將測試膜成形。一系列測試時間影像可能在成形過程300期間產生。成形條件最佳化過程600b可能包括如上所述的分析影像步驟S618，但是用於測試時間系列影像以產生測試膜散布特徵。測試時間系列影像可能是以散布相機所獲得且可能由於來自至少成形表面112和基板表面130的反射而包括干涉條紋。
成形條件最佳化過程600b可能包括估計減少步驟S622，其中估計非填充缺陷有所減少的預期改善E。估計減少步驟S622藉由在該組非填充位置來比較該組測試膜散布特徵與該組初步測試膜散布特徵而進行，如圖11A~D所示範，其可能顯示於顯示器或電腦上的GUI 141，顯示器則連接至成形系統100，電腦則從成形系統100接收資訊。
成形條件最佳化過程600b可能包括比較步驟S624，其中預期改善E與預期改善閾限E T做比較。預期改善E和預期改善閾限E T可能在成形場域上有所變化。預期改善E和預期改善閾限E T可能在成形場域上具有徑向變化。若預期改善E不大於閾限，則進行產生新的測試成形條件步驟S620b。產生新的測試成形條件步驟S620b可能對先前所用的該組測試成形條件產生變化，其中調整了力軌跡和∕或壓力軌跡。若預期改善E大於閾限，則一組產出裝置的成形條件可能在產生步驟S620c中產生。在產生步驟S620c之前或期間，測試膜可能於檢視步驟S614中檢視以證實預期改善E是正確的。若預期改善E不正確，則再調整估計S622且重複過程600b。產出裝置的成形條件可能由成形過程300所使用以產生產出裝置的基板。此等產出裝置的基板可能在處理步驟S312中處理以產出裝置(物件)。 ＜模板在接觸時期的彎折＞
圖9A示範模板108是在分配時期T d後且在接觸時期T 接觸前而由模板夾盤118所固持的時刻t 0；此時模板被背壓P(t 0)所彎折；以及以高度z(t 0)固持在基板102上之可形成的材料124上方。圖9B示範模板108是在接觸時期T 接觸的開始而由模板夾盤118所固持的時刻t 1；此時模板被背壓P(t 1)所彎折；成形表面112的起始部分於高度z(t 1)接觸在基板102上之可形成的材料124的一部分；以及力F(t 1)由致動器供應至模板夾盤118的背面。圖9C示範模板108是在接觸時期T 接觸而由模板夾盤118所固持的時刻t 2；此時模板被背壓P(t 2)所彎折；成形表面112的一部分於高度z(t 2)接觸在基板102上之可形成的材料124的一部分；以及力F(t 2)由致動器供應至模板夾盤118的背面。圖9D示範模板108在接觸時期T 接觸結束且填充時期T f開始而由模板夾盤118所固持的時刻t 3；此時模板不被背壓P(t 3)所彎折；成形表面112於高度z(t 3)接觸在基板102上之可形成的材料124；以及力F(t 3)由致動器供應至模板夾盤118的背面。
圖10A的圖示範在接觸時期T 接觸、填充時期T f、熟化時期T 熟化的初步力軌跡Fa，其或可在關聯組產生過程600a中用於形成短填充時間初步測試膜和長填充時間初步測試膜。圖10B的圖示範測試力軌跡Fb，其可能用於成形條件最佳化過程600b而以測試成形條件來形成測試膜。當非填充敏感位置較靠近成形場域的邊緣而非較靠近中央時，則可能起初使用較大的力，稍後再使用較小的力，如圖10B相對於圖10A所示範。
圖11A~D的圖示範在形成初步測試膜和測試膜之時從獲得的影像所獲得的散布特徵。圖11A的圖以場域百分比來顯示短填充時間初步測試膜和測試膜在接觸時期T 接觸之最內條紋的平均半徑。場域百分比意謂相對於從成形場域之中央到成形場域之最遠角落的半徑來看。在特定半徑(舉例而言為60%之場域)的預期改善E可能基於短填充時間初步測試膜和測試膜之間的平均半徑差異(圖11A的灰色箭號所示範)而估計。特定半徑可能關聯於例如圖5C之資料所確定的非填充敏感位置。若此差異是在預期改善閾限E T之上，則用於測試膜的成形條件便估計成用於短填充時間初步測試膜之成形條件的改善。資料可能做內插以確定在特定半徑的改善。
圖11B的圖顯示為壓印場域之改變百分比的散布時間如何隨著時間而改變，此恰為圖11A所呈現之資料的旋轉，且分析相同於圖11A。
圖11C的圖針對短填充時間初步測試膜和測試膜而顯示為成形場域百分比之最內條紋和第二最內條紋的平均半徑之間的差異而成接觸時期T 接觸之百分比的函數。此可能使用上面方程式(1)而轉換成接觸角，並且不用接觸時期而可能改用估計的接觸半徑，如圖11D所示範。注意在60%，接觸角僅有小改善，如圖11D的灰色箭號所示範。
於具體態樣，預期改善E可能確定成多個不同散布特徵之改變的加權總和。上面範例所顯示的資料是在半徑上平均，但這不是必要的步驟且可能改在特定的非填充敏感位置來收集資訊。
熟於此技術者鑒於本敘述將明白有多樣方面的進一步修改和替代選擇性具體態樣。據此，本敘述是要解讀成僅為示例性的。要了解在此所示和所述的形式是要視為具體態樣的範例。元件和材料可能替換在此所示範和所描述者，零件和過程可能逆轉，並且可能獨立地利用特定的特色，這些在熟於此技術者得益於本敘述之後都會明白。
100:成形系統 102:基板 104:基板夾盤 106:基板定位臺座 108:模板 110:凸臺 112:成形表面 114:模板凹陷 116:模板突起 118:模板夾盤 120:成形頭 121:模板放大控制系統 122:流體分配器 124:可形成的材料 126:輻射源 128:曝光路徑 130:基板表面 132:基板塗層 134:熱輻射源 136:場域相機、散布相機 138:小滴檢視系統 140:處理器 140a:連網電腦 141:圖形使用者介面 142:記憶體 244:凹陷表面 246:凸臺側壁 300:成形過程 424a:固化之可形成的材料 424b:非填充缺陷 548:成形場域 600a:關聯組產生過程 600b:成形條件最佳化過程 b:接觸半徑 F a:初步力軌跡 F b:測試力軌跡 F(t 1)~F(t 3):力 P(t 0)~P(t 3):背壓 r:最內條紋半徑 RLT:殘餘層厚度 S302~S312:成形過程的步驟 S614~S624:成形條件最佳化過程的步驟 t 0~t 3:時刻 T d:分配時間 T f:填充時間 T s:分離時間 T 總和:總成形時間 T 接觸:接觸時間 T 固化:固化時間 z(t 0)~z(t 3):高度 Δr:條紋位置差異 θ:接觸角 λ:測量波長
參考所附圖式示範的具體態樣而可能有本發明之具體態樣的更特殊敘述，如此則可以詳細了解本發明的特色和優點。然而，要注意所附圖式僅示範本發明的典型具體態樣，因而不是要視為其範圍的限制，因為本發明可能還有其他同樣有效的具體態樣。
[圖1]是如具體態樣所用之範例性奈米壓印微影術系統的圖示，其所具有的模板具有與基板隔開的凸臺。
[圖2]是範例性模板的圖示，其可能用於具體態樣。
[圖3]是流程圖，其示範如具體態樣所用的範例性壓印方法。
[圖4]是或可於範例性具體態樣中辨識之非填充缺陷的顯微照片。
[圖5A~B]是或可於範例性具體態樣中產生之非填充缺陷位置的分布地圖。
[圖5C]示範或可於具體態樣中產生之缺陷數的直方圖。
[圖5D]示範或可用於具體態樣以產生直方圖的成形場域，其劃分成徑向分格。
[圖5E]是或可用於具體態樣而示範圖5D之分格面積的變化圖，其或可用於將圖5C的資訊正規化。
[圖6A~B]是流程圖，其示範或可於具體態樣中實施的方法。
[圖7]是或可於範例性具體態樣中產生的一系列散布相機影像。
[圖8]是或可用於具體態樣而示範散布相機影像中的條紋與模板形狀之間關係的圖解。
[圖9A~D]是顯示在範例性具體態樣的接觸時期所可能採取之模板形狀的圖示。
[圖10A~B]是示範或可用於範例性具體態樣的範例性力軌跡圖。
[圖11A~D]是或可於範例性具體態樣中產生的散布特徵圖。
全篇圖中相同的參考數字和字符除非另有所述，否則用於代表所示範之具體態樣的相似特色、元件、組件或部件。再者，雖然現在將參考圖式來詳述主題揭示，但這是關聯於示例性的範例性具體態樣來做。打算可以對所述範例性具體態樣做出改變和修飾，而不偏離如所附請求項界定之主題揭示的真實範圍和精神。
102:基板
108:模板
b:接觸半徑
r:最內條紋半徑
RLT:殘餘層厚度
△r:條紋位置差異
λ:測量波長
θ:接觸角

Claims (18)

  1. 一種將膜成形的方法，包含： 以模板來將該膜成形； 分析在將該膜成形之時將該膜成像所獲得的時間系列影像，以估計膜散布特徵；以及 基於該膜散布特徵而生成對非填充缺陷之可能減少的估計。
  2. 如請求項1的方法，進一步包含：在顯示裝置上呈現該膜散布特徵和對非填充缺陷之該可能減少的該估計。
  3. 如請求項1的方法，進一步包含：基於對非填充缺陷之該可能減少的該估計而確定成形條件。
  4. 一種使用如請求項3之方法來製造物件的方法，進一步包含： 以該確定的成形條件而在產出裝置的基板上將產出裝置的膜成形； 處理該產出裝置的基板；以及 從該處理之產出裝置的基板形成該物件。
  5. 如請求項1的方法，其中將該膜成形包含： 將成滴的可形成之材料的液滴圖案分配至基板上； 在起始接觸時刻前，以起始背壓來彎折該模板； 在該起始接觸時刻，將彎折的該模板定位在起始接觸位置，其中在該起始接觸時刻，彎折的該模板的一部分接觸該成滴的可形成之材料的一部分； 在第一接觸時期，從該起始接觸時刻開始，沿著背壓軌跡而減少施加於該模板的背壓； 在該第一接觸時期，沿著力軌跡而減少施加於該模板的力； 在該接觸時期之後的填充時期，將施加於該模板的該背壓和該力維持基本上恆定的； 在該填充時期之後的熟化時期，將該可形成的材料暴露於光化輻射。
  6. 如請求項1的方法，進一步包含： 將一對初步測試膜成形； 其中該對初步測試膜包括：短填充時間初步測試膜；以及長填充時間初步測試膜； 其中該短填充時間初步測試膜是以第一次組成形條件和短填充時間來成形； 其中該長填充時間初步測試膜是以該第一次組成形條件和長填充時間來成形； 產生該對初步測試膜之非填充缺陷密度的一對初步地圖； 其中該對初步地圖包括：短填充時間地圖；以及長填充時間地圖； 以該短填充時間地圖中之閾限之上的缺陷密度和該長填充時間地圖中之該閾限之下的缺陷密度，而將一組非填充敏感位置辨識成該對初步地圖中的位置； 分析在將該短填充時間初步測試膜成形之時將該短填充時間初步測試膜成像所獲得的初步系列影像，以估計一組初步測試膜散布特徵； 產生關聯組，包含：該組非填充敏感位置；以及該組初步測試膜散布特徵。
  7. 如請求項6的方法，其中在將用於生成對非填充缺陷的該可能減少之該估計的該膜成形之時，使用一組成形條件；該組成形條件包括該第一次組成形條件的第一變化和該短填充時間。
  8. 如請求項7的方法，其中生成對非填充缺陷之該可能減少的該估計包含： 計算一組該膜散布特徵和在該組非填充敏感位置的該組初步測試膜散布特徵之間的一組散布特徵差異。
  9. 如請求項8的方法，其中生成該組初步測試膜散布特徵包含： 比較該組散布特徵差異與閾限。
  10. 如請求項7的方法，進一步包含：基於非填充缺陷之預期改善的地圖，而確定該第一變化是否改善該第一次組成形條件和該短填充時間。
  11. 如請求項7的方法，其中該第一次組成形條件的該第一變化包括調整以下一或二者：壓印力軌跡；以及壓印背壓軌跡。
  12. 如請求項6的方法，其中產生成對的初步地圖包含： 檢視該短填充時間初步測試膜以辨識構成該短填充時間地圖之非填充缺陷的位置；以及 檢視該長填充時間初步測試膜以辨識構成該長填充時間地圖之非填充缺陷的位置；以及 該方法進一步包含： 將該短填充時間地圖中的缺陷做方位角平均，而產生缺陷密度的短填充時間徑向直方圖；以及 將該長填充時間地圖中的缺陷做方位角平均，而產生缺陷密度的長填充時間徑向直方圖；以及 其中該組非填充敏感位置是一組非填充敏感徑向區域，當中的該長填充時間徑向直方圖和該短填充時間徑向直方圖之間的差異是在缺陷密度閾限之上； 其中產生該關聯組包含：基於對應於該組非填充敏感徑向區域的該組初步測試膜散布特徵，而辨識一組非填充敏感散布時間。
  13. 如請求項12的方法，其中該組初步測試膜散布特徵包括初步時間系列之徑向平均的估計接觸半徑；以及 其中辨識該組非填充敏感散布時間包含：辨識在該時間系列之徑向平均的估計接觸半徑中之該徑向平均的估計接觸半徑是在該組非填充敏感徑向區域裡的時期。
  14. 如請求項13的方法，其中對於將用於生成對非填充缺陷的該可能減少之該估計的該膜成形，使用第一組成形條件；該第一組成形條件包括該第一次組成形條件的變化； 其中該變化包括在該組非填充敏感散布時間的至少一時期中調整以下一或二者：該第一次組成形條件中的背壓軌跡和力軌跡。
  15. 如請求項6的方法，其中該組初步測試膜散布特徵包括一組初步散布時間，其關聯於一組初步徑向平均的估計接觸半徑； 其中該膜散布特徵包括一組測試散布時間，其關聯於一組測試徑向平均的估計接觸半徑； 該方法可能進一步包含計算以下之間的散布時間差異： 在該組測試徑向平均的估計接觸半徑中之該組非填充敏感位置的該組測試散布時間；以及 在該組初步徑向平均的估計接觸半徑中之該組非填充敏感位置的該組初步散布時間； 其中對非填充缺陷之該可能減少的該估計是基於該散布時間差異。
  16. 如請求項6的方法，其中該組初步測試膜散布特徵包括一組初步徑向平均的估計接觸角，其關聯於一組初步徑向平均的估計接觸半徑； 其中該膜散布特徵包括一組測試徑向平均的估計接觸角，其關聯於一組測試徑向平均的估計接觸半徑； 該方法可能包含計算以下之間的接觸角差異： 在該組測試徑向平均的估計接觸半徑中之該組非填充敏感位置的該組測試徑向平均的估計接觸角；以及 在該組初步徑向平均的估計接觸半徑中之該組非填充敏感位置的該組初步徑向平均的估計接觸角； 其中對非填充缺陷之該可能減少的該估計是基於該接觸角差異。
  17. 一種確定用於將膜成形之成形條件的方法，包含： (a)以包括在閾限之下之短散布時間和在該閾限之上之長散布時間的複數個成形條件，將膜成形於複數個場域； (b)分析該複數個場域以辨識第一組位置，其中非填充缺陷在短散布時間中出現且不在長散布時間中出現； (c)分析在該複數個場域的該成形期間將該複數個場域中之該膜成像所獲得的時間系列影像，而針對該第一組位置的每一者和該複數個成形條件的每一者來確定第一組散布速率和第一組接觸角； (d)以一組測試成形條件而將膜成形於測試場域； (e)分析在該測試場域以該測試成形條件做該成形的期間將該測試場域中之該膜成像所獲得的一系列測試影像，而針對該第一組位置的每一者來確定一組測試散布速率和一組測試接觸角； (f)基於該組測試散布速率、該組測試接觸角、該第一組散布速率、及該第一組接觸角，而確定在該第一組位置有一或更多個非填充缺陷的測試預期改善；以及 (g)以不同的測試成形條件來重複步驟(d)~(f)，而將具有最低測試預期改善的測試成形條件辨識成該成形條件。
  18. 一種成形系統控制設備，包含： 記憶體；以及 處理器； 其中該處理器建構成： 傳送成形條件給成形系統，其中該成形系統將以該成形條件來將膜成形； 從該成形系統接收在將該膜成形之時將該膜成像所獲得的時間系列影像，並且將該時間系列影像儲存於該記憶體中； 分析該時間系列影像以估計膜散布特徵；以及 基於該膜散布特徵而生成對非填充缺陷之可能減少的估計。
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