TW202240012A - 膜沉積系統及方法 - Google Patents

膜沉積系統及方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202240012A
TW202240012A TW111106899A TW111106899A TW202240012A TW 202240012 A TW202240012 A TW 202240012A TW 111106899 A TW111106899 A TW 111106899A TW 111106899 A TW111106899 A TW 111106899A TW 202240012 A TW202240012 A TW 202240012A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
precursor
silicon
germanium
reaction chamber
concentration
Prior art date
Application number
TW111106899A
Other languages
English (en)
Inventor
阿米爾 凱巴夫法拉
盧彦夫
卡列布 密斯金
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司
Publication of TW202240012A publication Critical patent/TW202240012A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/0245—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

所提供者係一種形成一結構之方法。該方法包括在一半導體處理系統的一反應室內支撐一基材、使一矽前驅物及一鍺前驅物流動至該反應室中、及用含矽前驅物及該鍺前驅物形成覆蓋該基材的一矽鍺層。在形成覆蓋該基材之該矽鍺層期間增加該反應室內該鍺前驅物的濃度。亦描述形成膜堆疊結構的方法、半導體裝置結構、及半導體處理系統。

Description

膜沉積系統及方法
本揭露大致上係關於形成結構。更特定言之，本揭露係關於控制經形成覆蓋基材的層結構之組成，諸如在經形成覆蓋基材的矽鍺層結構內之鍺組成。
膜（諸如矽鍺膜）在半導體基材上的電晶體半導體裝置之製造期間常見地沉積至基材上。可採用膜來界定電晶體裝置之各種結構，包括形成於基材上之各種電晶體裝置之源極、汲極、通道、及/或閘極結構。源極及汲極大致上彼此間隔開，通道典型地將汲極連接至源極，且閘極大致上與通道相關聯地形成，以控制通過通道的源極與汲極之間的電流之流動。典型地，基材上之電晶體裝置具有二維（例如，平面）或三維（例如，鰭片或環繞式閘極）架構。此類架構允許大量電晶體裝置在大型整合中使用各種製造操作（諸如膜沉積、圖案化、及蝕刻操作）在基材上逐漸形成。
在一些電晶體裝置中，某些膜的組成變化可影響電晶體裝置的物理及/或電氣性質。一些膜的厚度內成分濃度之變化（例如，在從基材表面向上的方向上）可與後繼蝕刻操作相互作用，相較於具有較小成分濃度的膜厚度之部份，所採用之蝕刻劑傾向於更快速（或更慢）地移除具有較大成分濃度之膜厚度的部份。結果，蝕刻劑可根據該層之成分濃度的梯度自該層之一側移除較該層之另一側更大量的材料，潛在地造成鄰接該層且意欲具有共同形狀的多個結構以不同形狀被形成。例如，在環繞式閘極電晶體裝置中形成通道的奈米線可由於中介矽鍺層中的鍺濃度變化而形成有不同的最小橫截面面積，潛在地變更併入了由奈米線所形成之通道結構的電晶體裝置之通道電氣性質及/或可靠性。針對彼原因，膜沉積操作大致上經控制，使得膜厚度內成分濃度輪廓中的變化在預定限制內，典型地採用已知對限制所沉積膜厚度內之成分濃度變化有效的各種製程控制技術及濃度變化對策。
此類用於沉積矽鍺膜的系統及方法大致上被認為適用於其等之意欲目的。然而，本技術領域中對於改善的形成結構之方法、形成膜堆疊之方法、半導體裝置結構、及半導體處理系統仍有需求。本揭露提供針對此需求的解決方案。
所提供者係一種形成一結構之方法。該方法包括在一半導體處理系統的一反應室內支撐一基材、使一矽前驅物及一鍺前驅物流動至該反應室中、及用含矽前驅物及該鍺前驅物形成覆蓋該基材的一矽鍺層。在形成覆蓋該基材的該矽鍺層期間增加該反應室內該鍺前驅物的濃度。
在某些實例中，該基材可包括一毯覆式基材。一電氣絕緣層可覆蓋該基材之一表面。該電氣絕緣層可包括氧化矽及/或氮化矽。
在某些實例中，該基材可包括一圖案化基材。
在某些實例中，該基材可包括一毯覆式基材。
在某些實例中，增加該鍺前驅物之濃度可包括在形成該矽鍺層期間連續地增加該反應室內該鍺前驅物之濃度。
在某些實例中，增加該鍺前驅物之濃度可包括在形成該矽鍺層期間根據一線性函數增加該反應室內該鍺前驅物之濃度。
在某些實例中，增加該鍺前驅物之濃度可包括在形成該矽鍺層期間根據一非線性函數增加該反應室內該鍺前驅物之濃度。
在某些實例中，增加該鍺前驅物之濃度可包括在形成該矽鍺層期間根據一指數函數增加該反應室內該鍺前驅物之濃度。
在某些實例中，增加該鍺前驅物之濃度可包括在形成該矽鍺層期間根據一對數函數增加該反應室內該鍺前驅物之濃度。
在某些實例中，該矽前驅物可包括一氫化矽前驅物及一氯化矽前驅物。
在某些實例中，氫化前驅物可選自包括下列之群組：矽烷(SiH 4)、二矽烷(Si 2H 6)、三矽烷(Si 3H 8)、及四矽烷(Si 4H 10)。
在某些實例中，該氯化矽前驅物可選自包括下列之群組：單氯矽烷(MCS)、二氯矽烷(DCS)、三氯矽烷(TCS)、六氯二矽烷(HCDS)、八氯三矽烷(OCS)、及四氯化矽(STC)。
在某些實例中，使該矽前驅物及該鍺前驅物流動至該反應室中可包括使一鹵化物流動至該反應室中，其中該鹵化物係選自包含下列之群組：氯(Cl 2)及氫氯酸(HCl)。
在某些實例中，可在形成該矽鍺層期間使一沖洗/載體氣體流動至該反應室中。該沖洗/載體氣體可選自包含下列之群組：氦(He)、氫(H 2)、氬(Ar)、氪(Kr)、及氮(N 2)。
在某些實例中，形成該矽鍺層可包括將該基材加熱至介於約400攝氏度(°C)與約800 °C之間的一溫度。
在某些實例中，形成該矽鍺層可包括在形成該矽鍺層期間將該反應室內的一壓力在該反應室內維持在介於約760托與約5托之間。
在某些實例中，在形成該矽鍺層期間增加該反應室內該鍺前驅物的濃度可包括將該鍺前驅物之濃度增加到介於該反應室內該鍺前驅物的一初始濃度之約100.5%與約180%之間。
在某些實例中，可於形成該矽鍺層之後使一第二矽前驅物流動至該反應室中。
在某些實例中，該第二矽前驅物可與第一矽前驅物相同。
在某些實例中，該第二矽前驅物可與第一矽前驅物不同。
提供一種形成一膜堆疊結構之方法。該方法包括在一半導體處理系統之一反應室內支撐一基材，其中該基材係一毯覆式基材；使一第一矽前驅物、一鍺前驅物、及一鹵化物流動至該反應室中，其中該鹵化物係選自包含氯(Cl 2)及氫氯酸(HCl)之群組；及用該第一矽前驅物及該鍺前驅物形成覆蓋該基材的一矽鍺層，其中該第一矽前驅物包含一氫化第一矽前驅物及一氯化第一矽前驅物。一第二矽前驅物至該反應室中，且一矽層係用該第二矽前驅物形成至該矽鍺層上，其中該第二矽前驅物係選自包含下列之群組：矽烷(SiH 4)、二矽烷(Si 2H 6)、三矽烷(Si 3H 8)、四矽烷(Si 4H 10)、及二氯矽烷(DCS)。使該鍺前驅物流動至該反應室中包括在形成覆蓋該基材之該矽鍺層期間增加該反應室內該鍺前驅物的濃度，且該鍺前驅物的濃度在形成該矽鍺層之該步驟期間根據一線性函數連續地增加。
提供一種半導體處理系統。該半導體處理系統包括一反應室、連接至該反應室之一矽前驅物源、連接至該反應室之一鍺前驅物源、及可操作地連接該矽前驅物源及該鍺前驅物源之一控制器。該控制器響應於一記憶體上記載之指令，以在該反應室內支撐一基材、使一矽前驅物及一鍺前驅物流動至該反應室中、用含矽前驅物及該鍺前驅物形成覆蓋該基材之一矽鍺層、且在形成覆蓋該基材之該矽鍺層期間增加該反應室內該鍺前驅物濃度。
提供本發明內容來以簡化形式介紹一系列概念。在以下本揭露的實例之詳細說明中進一步詳細描述此等概念。本發明內容並不意欲鑑別所主張之標的事項的關鍵特徵或基本特徵，亦不意欲用以限制所主張之標的事項的範疇。
雖然在下文揭示某些實施例及實例，本領域技術人員將理解並瞭解本揭露延伸超出其具體揭示的實例及/或該等實例的用途及/或該等實例之修改及其等同物。因此，所意欲者係本揭露的範疇應不受限於下文所描述的特定實例。
如本文中所使用，用語「基材(substrate)」可指可用以形成或在其上可形成裝置、電路、或膜之任何（多個）下伏材料。
如本文中所使用，用語「磊晶層(epitaxial layer)」可指在下伏的實質上單晶層或基材上的實質上單晶層。
如本文中所使用，用語「化學氣相沉積(chemical vapor deposition)」可指任何製程，其中將基材暴露至一或更多個揮發性前驅物，該等前驅物在基材表面上反應及/或分解，以在其上形成所欲層材料。
如本文中所使用，用語「矽鍺(silicon-germanium)」可指包含矽及鍺之半導體材料，且可表示為Si 1-xGe x。
本揭露大致上係關於形成覆蓋基材的結構之方法。更特定言之，本揭露係關於控制層厚度內之層成分的濃度，諸如矽鍺層內之鍺。本揭露之實例可提供形成包括矽鍺層覆蓋基材的結構之方法，其中矽鍺層之厚度內之鍺濃度係均勻，諸如在膜厚度之中間部份內。本揭露之實例亦可提供形成包括矽鍺層覆蓋基材的結構之方法，其中矽鍺層之厚度內的鍺濃度對應於預定輪廓，例如使得厚度輪廓之下部過渡部份內之鍺濃度對應於厚度輪廓之上部過渡部份內之鍺濃度。
參照圖1，顯示半導體處理系統100。半導體處理系統100包括反應室102、排氣凸緣104、注入凸緣106、及基材固持器108。半導體處理系統100亦包括第一矽前驅物源110、第二矽前驅物源112、鍺前驅物源114、鹵化物源116、及沖洗/載體氣體源118。如圖1所顯示，半導體處理系統100進一步包括第一矽前驅物閥120、第二矽前驅物閥122、鍺前驅物閥124、鹵化物閥126、沖洗/載體氣體閥128、及控制器130。雖然圖1中顯示且本文中描述特定類型之半導體處理系統100，例如，大氣化學氣相沉積(CVD)系統，但應理解並瞭解，其他類型的半導體處理系統亦可自本揭露受益（諸如原子層沉積系統及電漿增強CVD系統），且在本揭露之範疇內。
反應室102具有注入端132及對立排氣端134。排氣凸緣104連接至反應室102之排氣端134，且經組態以使反應室102之内部136流體耦接至排氣源，諸如洗滌器。基材固持器108在反應室102之排氣端134與注入端132之間支撐於反應室之內部136內，且經組態以在覆蓋基材10的一或多個層（例如包含矽鍺層14及矽層16的膜堆疊12）的形成期間將基材10支撐於其上。注入凸緣106連接至反應室102之注入端132，藉由反應室102之內部136流體耦接至排氣凸緣104，且流體耦接前驅物源中之一或多者（例如第一矽前驅物源110、第二矽前驅物源112、鍺前驅物源114、鹵化物源116、及/或沖洗/載體氣體源118）至反應室102之內部136。已設想到，注入凸緣106可與混合器138配合，用於將流動至反應室102中的前驅物、鹵化物、及/或沖洗/載體氣體互相混合。反應室102可係如顯示及描述於2009年1月13日發佈的Pomarede等人的美國專利第7,476,627號中者，其內容以參照方式全文併入本文中。
第一矽前驅物源110包括第一矽前驅物140，且例如經由前驅物導管160連接至反應室102。更具體言之，第一矽前驅物源110藉由注入凸緣106連接至反應室102。具體言之，第一矽前驅物源110藉由第一矽前驅物閥120連接至反應室102，該第一矽前驅物閥可包括可操作地與控制器130相關聯之質量流量控制器(MFC)、及注入凸緣106，第一矽前驅物源110藉此經組態以使第一矽前驅物140流動至反應室102中。在某些實例中，第一矽前驅物源110可通過混合器138連接至反應室102，以使第一矽前驅物140與另一前驅物、鹵化物、及/或沖洗/載體氣體流動至反應室102中。第一矽前驅物140可包括氫化第一矽前驅物或氯化第一矽前驅物。例如，氫化第一矽前驅物可選自包含下列之群組：矽烷(SiH 4)、二矽烷(Si 2H 6)、三矽烷(Si 3H 8)、及四矽烷(Si 4H 10)。例如，氯化第一矽前驅物可選自包含下列之群組：單氯矽烷(MCS)、二氯矽烷(DCS)、三氯矽烷(TCS)、六氯二矽烷(HCDS)、八氯三矽烷(OCS)、及四氯化矽(STC)。
第二矽前驅物源112包括第二矽前驅物142，且例如經由前驅物導管160連接至反應室102。更具體言之，第二矽前驅物源112藉由注入凸緣106連接至反應室102。具體言之，第二矽前驅物源112藉由第二矽前驅物閥122連接至反應室102，該第二矽前驅物閥亦可包括與控制器130可操作相關聯之MFC、及注入凸緣106，第二矽前驅物源112藉此經組態以使第二矽前驅物142流動至反應室102中。在某些實例中，第二矽前驅物源112可通過混合器138連接至反應室102，以使第二矽前驅物142與第一矽前驅物140、另一前驅物、鹵化物、及/或沖洗/載體氣體中之一或多者流動至反應室102中。第二矽前驅物142可包括氫化矽前驅物或氯化矽前驅物。例如，氫化第二矽前驅物可選自包含下列之群組：矽烷(SiH 4)、二矽烷(Si 2H 6)、三矽烷(Si 3H 8)、及四矽烷(Si 4H 10)。例如，氯化第二矽前驅物可選自包含下列之群組：單氯矽烷(MCS)、二氯矽烷(DCS)、三氯矽烷(TCS)、六氯二矽烷(HCDS)、八氯三矽烷(OCS)、及四氯化矽(STC)。
鍺前驅物源114包括鍺前驅物144，且例如經由前驅物導管160連接至反應室102。更具體言之，鍺前驅物源114藉由注入凸緣106連接至反應室102。具體言之，第二矽前驅物源112藉由鍺前驅物閥124連接至反應室102，該鍺前驅物閥可額外地包括與控制器130可操作地相關聯之MFC、及注入凸緣106，鍺前驅物源114藉此經組態以使鍺前驅物144流動至反應室102中。在某些實例中，鍺前驅物源114可通過混合器138連接至反應室102，以使鍺前驅物144與第一矽前驅物140、第二矽前驅物142、鹵化物、及/或沖洗/載體氣體148中之一或多者流動至反應室102中。例如，鍺前驅物144可選自包含下列之群組：鍺烷(GeH 4)、二鍺烷(Ge 2H 6)、三鍺烷(Ge 3H 8)、及鍺烷基矽烷(GeH 6Si)。
鹵化物源116包括鹵化物146，且例如經由蝕刻劑導管162連接至反應室102。更具體言之，鹵化物源116藉由注入凸緣106連接至反應室102。具體言之，鹵化物源116藉由鹵化物閥126連接至反應室102，該鹵化物閥可包括與控制器130可操作地相關聯之MFC、及注入凸緣106，鹵化物源116藉此經組態以使鹵化物146流動至反應室102中。在某些實例中，鹵化物源116可通過混合器138連接至反應室102，以使鹵化物146與第一矽前驅物140、第二矽前驅物142、鍺前驅物144、及/或沖洗/載體氣體中之一或多者流動至反應室102中。鹵化物146可例如選自包含下列之群組：氯(Cl 2)及氫氯酸(HCl)。
沖洗/載體氣體源118包括沖洗/載體氣體148，且例如經由蝕刻劑導管162連接至反應室102。更具體言之，沖洗/載體氣體源118藉由注入凸緣106至反應室102。具體言之，沖洗/載體氣體源118藉由沖洗/載體氣體閥128及注入凸緣106連接至反應室102，沖洗/載體氣體源118藉此經組態以使沖洗/載體氣體148流動至反應室102中。在某些實例中，沖洗/載體氣體源118可藉由混合器138連接至反應室102，例如通過該等前驅物源及/或鹵化物源中之一或多者，以使沖洗/載體氣體148與第一矽前驅物140、第二矽前驅物142、鍺前驅物144、及/或鹵化物146中之一或多者流動至反應室102中。例如，沖洗/載體氣體148可選自包含下列之群組：氦(He)、氫(H 2)、氬(Ar)、氪(Kr)、氮(N 2)、及其混合物。
控制器130操作性地連接至半導體處理系統100，且經組態以使用一或多個前驅物、鹵化物及/或沖洗/載體氣體來形成覆蓋基材的結構（例如，層）。在此繪示實例中，控制器130包括處理器150、裝置界面152、使用者界面154、及記憶體156。裝置界面152將控制器130連接至半導體處理系統100，例如經由有線或無線連結，用於通過其與反應室102、第一矽前驅物閥120、第二矽前驅物閥122、鍺前驅物閥124、鹵化物閥126、及/或沖洗/載體氣體閥128中之一或多者操作性連接。使用者界面154係與處理器150操作性地相關聯，且經組態以溝通輸出及/或接收來自使用者的輸入。記憶體156經設置與處理器150溝通，且在彼處記載有複數個程式模組158，該等程式模組處具有當被處理器150讀取時造成處理器150執行某些操作的指令。在該等操作中，有形成覆蓋基材之結構（例如覆蓋基材10之矽鍺層14）之方法200的操作。
參照圖2，顯示根據闡釋性及非限制性實例方法的方法200。如方塊210所顯示，例如基材10（顯示於圖1）的基材被支撐於半導體處理系統的反應室內，例如反應室102（顯示於圖1）。如方塊220所顯示，第一矽前驅物及鍺前驅物於反應室內流動，例如，第一矽前驅物140（顯示於圖1）及鍺前驅物144（顯示於圖1）。如方塊230所顯示，使用第一矽前驅物及鍺前驅物形成覆蓋基材之矽鍺層，例如覆蓋基材10（顯示於圖1）的矽鍺層14（顯示於圖1）。如方塊240所顯示，在形成矽鍺層期間增加反應室內鍺前驅物的濃度。可選地，如方塊250及方塊260所顯示，第二矽前驅物可流動至反應室中，且例如矽層16（顯示於圖1）的矽層被形成至矽鍺層上。
在反應室內支撐210基材可包括在反應室內支撐毯覆式基材。毯覆式基材可從塊材半導體材料（諸如矽）形成，且可包括矽晶圓。電氣絕緣層可覆蓋基材。電氣絕緣層可包括氧化矽材料。電氣絕緣層可包括氮化矽材料。
在反應室內支撐210基材包括在反應室內支撐圖案化基材。圖案化基材可包括形成至基材之表面之中或之上之半導體裝置結構。例如，圖案化基材可包括經部分製造的半導體裝置結構，諸如電晶體、記憶體元件、或電力電子電路元件。圖案化基材可包括非平面表面，該非平面表面具有從基材的表面向上延伸的一或多個鰭式FET結構及/或環繞式閘極結構，及/或延伸至基材表面中的一或多個凹陷。在某些實例中，圖案化基材可具有非單晶表面，諸如多晶表面或非晶表面。多晶或非晶表面可包括介電材料，諸如氧化物、氮氧化物、或氮化物，諸如氧化矽及氮化矽。依據某些實例，圖案化基材可具有單晶表面。單晶表面之實例包括矽(Si)表面、矽鍺(SiGe)表面、鍺錫(GeSn)表面、及鍺(Ge)表面。
在反應室內支撐210基材可包括將基材加熱至預定矽鍺層沉積溫度。預定矽鍺沉積溫度可小於約800攝氏度(°C)、或小於約700 °C、或小於約600 °C、或小於約500 °C、或甚至小於約400 °C。在某些實例中，形成230矽鍺層可包括將基材加熱至介於約400 °C與約800 °C之間的預定矽鍺沉積溫度。
在反應室內支撐210基材可包括在反應室內建立預定矽鍺層沉積壓力。預定矽鍺層沉積壓力可小於約760托、或小於約600托、或小於約400托、或小於約200托、或小於約50托、或甚至小於約5托。在某些實例中，形成230矽鍺層可包含與反應室維持介於約5托與約760托之間的壓力。
使第一矽前驅物及鍺前驅物流動220至反應室中可包括使氫化第一矽前驅物流動至反應室中。例如，氫化第一矽前驅物可選自包含下列之群組：矽烷(SiH 4)、二矽烷(Si 2H 6)、三矽烷(Si 3H 8)、及四矽烷(Si 4H 10)。使第一矽前驅物及鍺前驅物流動220至反應室中可包括使氯化第一矽前驅物流動至反應室中。例如，氯化第一矽前驅物可選自包含下列之群組：單氯矽烷(MCS)、二氯矽烷(DCS)、三氯矽烷(TCS)、六氯二矽烷(HCDS)、八氯三矽烷(OCS)、及四氯化矽(STC)。
使第一矽前驅物及鍺前驅物流動220至反應室中可包括使氫化鍺前驅物流動至反應室中。例如，氫化鍺前驅物可選自包含下列之群組：鍺烷(GeH 4)、二鍺烷(Ge 2H 6)、三鍺烷(Ge 3H 8)、及鍺烷基矽烷(GeH 6Si)。使第一矽前驅物及鍺前驅物流動220至反應室中可包括使鹵化物與第一矽前驅物及鍺前驅物流動至反應室中。例如，鹵化物可選自包含下列之群組：氯(Cl 2)及氫氯酸(HCl)。
形成230矽鍺層可包括形成矽鍺層作為矽鍺磊晶層。在某些實例中，使用第一矽前驅物及鍺前驅物形成230矽鍺層可包括使第一矽前驅物以預定第一矽前驅物流動速率流動至反應室中，該預定第一矽前驅物流動速率係小於約500每分鐘標準立方公分(sccm)、或小於約250 sccm、或甚至小於約50 sccm。例如，預定第一矽前驅物流動速率可介於約1 sccm與約500 sccm之間。使用第一矽前驅物及鍺前驅物形成230矽鍺層可包括使鍺前驅物以預定鍺前驅物流動速率流動至反應室中。例如，可使鍺前驅物以預定鍺前驅物流動速率流動至反應室中，該預定鍺前驅物流動速率係介於小於約1000 sccm、或小於約300 sccm、或小於約10 sccm之間。例如，可使鍺前驅物以介於約1 sccm與1000約sccm之間的流動速率流動至反應室中。使用第一矽前驅物及鍺前驅物形成230矽鍺層可包括使鹵化物氣體以預定鹵化物氣體流動速率流動至反應室中，該預定鹵化物氣體流動速率係小於約500 sccm、或小於約250 sccm、或小於約100 sccm。例如，可使鹵化物氣體以介於約1 sccm與約500 sccm之間的預定鹵化物氣體流動速率流動至反應室中。
使用第一矽前驅物及鍺前驅物形成230矽鍺層可包括以預定矽鍺層厚度形成矽鍺層。例如，預定矽鍺層厚度可大於約5埃、或大於約10埃、或大於約20埃、或大於約40埃、或大於約60埃、或甚至大於約80埃。在某些實例中，預定矽鍺層厚度可大於約100埃、或大於約250埃、或甚至大於約500埃。預定矽鍺層厚度可小於約20埃、或小於約10埃、或甚至小於約5埃。在某些實例中，預定矽鍺層厚度可介於約10埃與約500埃之間。
形成230矽鍺層可包括以預定鍺濃度形成矽鍺層。例如，矽鍺(Si 1-xGe x)層可具有大於約0.05、或大於約0.3、或大於約0.4、或大於約0.5、或大於約0.6、或甚至大於約0.7之鍺含量(x)。在某些實例中，矽鍺(Si 1-xGe x)層可具有介於約0.05與約0.7之間或介於約0.3與約0.5之間的鍺含量(x)。
增加240反應室內鍺前驅物的濃度可包括在形成矽鍺層期間相對於反應內矽前驅物之分壓增加反應室內鍺前驅物的分壓。例如，增加240反應室內鍺前驅物的濃度可包括使鍺前驅物增加到小於矽鍺層之形成開始時的鍺前驅物濃度之約180%。增加240反應室內鍺前驅物的濃度可增加至小於矽鍺層形成開始時的鍺前驅物濃度的約160%、或小於矽鍺層形成開始時的鍺前驅物濃度的約140%、或小於矽鍺層形成開始時的鍺前驅物濃度的約120%、或小於矽鍺層形成開始時的鍺前驅物的約100.5%。例如，增加240反應室內鍺前驅物的濃度可包括使鍺前驅物的濃度增加到介於矽鍺層之形成開始時的鍺前驅物濃度之約100.5%與約180%之間。
參照圖3A至圖3C和圖4A至圖4C，在某些實例中，增加240（顯示於圖2）反應室內鍺前驅物濃度可包括在形成矽鍺層期間連續地增加鍺前驅物濃度。例如，如圖3A所顯示，增加反應室（例如，反應室102（顯示於圖1））內鍺前驅物的濃度可在形成矽鍺層期間根據線性函數300增加。有利地，如圖4A所顯示，在形成矽鍺層（例如矽鍺層14（顯示於圖1）期間根據線性函數300增加反應室內鍺前驅物的濃度造成相較於標稱濃度輪廓402，鍺濃度在介於矽鍺層的底部（以最左側垂直虛線顯示）與矽鍺層之頂部（以最右側垂直虛線顯示）之間係均勻，該標稱濃度輪廓例如在形成矽鍺層期間鍺前驅物濃度保持恆定所導致的鍺濃度輪廓。如本領域技術人員鑑於本揭露將瞭解，在矽鍺層之厚度內的鍺濃度之均勻性可被採用來限制（或消除）變化，若非如此該變化則由於鍺濃度對某些蝕刻劑的選擇性可具有影響而可能被引入至矽鍺層所界定之半導體裝置結構中，該等矽鍺層所界定的半導體裝置結構例如環繞式電晶體裝置結構內的奈米線。
如圖3B與圖3C所顯示，增加240（顯示於圖2）反應室內鍺前驅物濃度可係在形成矽鍺層期間根據非線性函數。例如，如圖3B所顯示，反應室內鍺前驅物的濃度可在形成矽鍺層期間根據對數函數302增加。有利地，如圖4B所顯示，在形成矽鍺層期間根據對數函數302增加反應室內鍺前驅物的濃度可導致鍺濃度輪廓404，其中鍺濃度在介於矽鍺層之底部（圖3B及圖4B中的最左側垂直虛線所顯示）與矽鍺層之頂部（圖3B及圖4B中最右側的垂直虛線所顯示）之間增加。如本領域技術人員鑑於本揭露亦將瞭解，在矽鍺層底部與頂部之間增加鍺濃度允許增加的鍺濃度被採用作為由矽鍺層界定之半導體裝置中的製程工具。例如，可由於某些蝕刻劑之蝕刻速率隨鍺濃度增加的趨勢，而使形成至矽鍺層上之矽層16（顯示於圖1）在襯底基材（或層）之前暴露至蝕刻劑。
如圖3C所顯示，增加240（顯示於圖2）反應室內鍺前驅物濃度可在形成矽鍺層期間根據指數函數304增加。有利地，如圖4C所顯示，根據指數函數304（顯示於圖3C）增加反應室內鍺前驅物的濃度可導致鍺濃度輪廓406，其中鍺濃度在介於矽鍺層之底部（圖3C及圖4C中的最左側垂直虛線所顯示）與頂部（圖3C及圖4C中最右側的垂直虛線所顯示）之間減少。如本領域技術人員鑑於本揭露將進一步瞭解，在矽鍺層底部與頂部之間減少鍺濃度允許減少的鍺濃度被採用作為由矽鍺層界定之半導體裝置中的製程工具。例如，形成至矽鍺層上之矽層16（顯示於圖1）可由於某些蝕刻劑之蝕刻速率隨鍺濃度增加的趨勢，而於襯底基材（或層）之後被暴露至蝕刻劑。
繼續參照圖2，使第二矽前驅物流動250至反應室中可包括使氫化第二矽前驅物流動至反應室中。例如，氫化第二矽前驅物可選自包含下列之群組：矽烷(SiH 4)、二矽烷(Si 2H 6)、三矽烷(Si 3H 8)、或四矽烷(Si 4H 10)。使第二矽前驅物流動250至反應室中可包括使氯化第二矽前驅物流動至反應室中。例如，氯化第二矽前驅物可選自包含下列之群組：單氯矽烷(MCS)、二氯矽烷(DCS)、三氯矽烷(TCS)、六氯二矽烷(HCDS)、八氯三矽烷(OCS)、及四氯化矽(STC)。在某些實例中，該第二矽前驅物可與第一矽前驅物相同。依據某些實例，第二矽前驅物可與第一矽前驅物不同。亦設想到，依據某些實例，第二矽前驅物可係氯化第二前驅物，且第一矽前驅物可係氫化第一矽前驅物。
使用第二矽前驅物形成260矽層可包括將矽磊晶層形成至矽鍺層上。在某些實例中，形成260矽層可包括將基材加熱至預定矽層沉積溫度。例如，預定矽層沉積溫度可小於約850 °C、或小於約700 °C、或小於約600 °C、或小於約500 °C、或甚至小於約400 °C。預定矽層沉積溫度可小於約550 °C、或小於約500 °C、或小於約450 °C、或甚至小於約400 °C。在某些實例中，可將基材加熱至介於約450 °C與約850 °C之間的預定矽層沉積溫度。依據某些實例，預定矽層沉積溫度可等效於預定矽鍺層沉積溫度。
將矽層形成260至矽鍺層上可包括在反應室內建立預定矽層沉積壓力。例如，預定矽層沉積壓力可小於約760托、或小於約500托、或小於約200托。預定矽層沉積壓力可小於約100托、或小於約50托、或甚至小於約5托。在某些實例中，預定矽層沉積壓力可介於約760托與約5托之間。
使用第二矽前驅物形成260矽層可包括在矽鍺層上形成矽層以形成膜堆疊，例如膜堆疊12（顯示於圖1）。在某些實例中，形成260矽層可包括以預定矽層厚度形成矽層。例如，預定矽層厚度可大於約10埃、或大於約20埃、或大於約40埃、或大於約60埃、或大於約80埃。在某些實例中，預定矽層厚度可大於約100埃、或大於約250埃、或甚至大於約500埃。依據某些實例，預定矽層厚度可小於約20埃、或小於約10埃、或甚至小於約5埃。在進一步實例中，預定矽厚度可介於約20埃與約500埃之間。在某些實例中，預定矽層厚度及預定矽鍺層厚度可實質上等效。依據某些實例，預定矽層厚度可大於或小於預定矽鍺層厚度。
如箭頭270所顯示，矽鍺層及矽層可係第一層對，且方法200可包括在將至少一第二層對形成至第一層對上。第二層對可包括形成至矽層上且覆蓋基材之第二矽鍺，以及形成至第二矽鍺層上且進一步覆蓋基材的之第二矽層。第一層對及第二層對可形成膜堆疊，諸如用於鰭式FET或環繞式閘極半導體裝置結構之源極、汲極、及/或通道的膜堆疊。
上文所呈現之實例並未限制本揭露之範疇，因為此等實例僅繪示本發明，其係由所附申請專利範圍及法律等效物所界定。任何等效實施例皆意欲在本揭露之範疇內。實際上，除本文中所顯示及所描述者以外，所屬技術領域中具有通常知識者可由本說明書明白本揭露之各種修改，諸如所描述元件之替代可用組合。此類修改及實施例亦意欲落在文後申請專利範圍的範疇內。
本文中所使用的術語僅為了描述特定實例，而非意欲限制申請專利範圍。除非上下文清楚指示，否則如本文中所使用，單數形式的「一(a/an)」及「該(the)」亦意欲包括複數形式。當進一步理解的是，當在本說明書中使用時，用語「包括(includes/including)」、「具有(has/having)」、及/或「包含(comprises/comprising)」係表明所陳述特徵、整數、步驟、操作、元件、及/或組件（組分）的存在，但並未排除一或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件（組分）、及/或其等之群組的存在或添加。
10:基材 12:膜堆疊 14:矽鍺層 16:矽層 18:下部過渡厚度部份 20:中間厚度部份 22:上部過渡厚度部份 100:半導體處理系統 102:反應室 104:排氣凸緣 106:注入凸緣 108:基材固持器 110:第一矽前驅物源 112:第二矽前驅物源 114:鍺前驅物源 116:鹵化物源 118:沖洗/載體氣體源 120:第一矽前驅物閥 122:第二矽前驅物閥 124:鍺前驅物閥 126:鹵化物閥 128:沖洗/載體氣體閥 130:控制器 132:注入端 134:排氣端 136:內部 138:混合器 140:第一矽前驅物 142:第二矽前驅物 144:鍺前驅物 146:鹵化物 148:沖洗/載體氣體 150:處理器 152:裝置界面 154:使用者界面 156:記憶體 158:程式模組 160:前驅物導管 162:鹵化物導管 200:方法 210:方塊 220:方塊 230:方塊 240:方塊 250:方塊 260:方塊 270:層 300:線性函數 302:對數函數 304:指數函數 400:用線性增加的Ge前驅物濃度之層内Ge濃度 402:用恆定Ge前驅物濃度之層内Ge濃度 404:用對數增加的Ge前驅物濃度之層内Ge濃度 406:用指數增加的Ge前驅物濃度之層内Ge濃度
雖然本說明書以特定指出且明確主張被視為本揭露實施例之權利的申請專利範圍作為結論，但是當結合伴隨圖式閱讀時，可從本揭露的實施例之某些實例的描述更容易地探知本揭露之實施例的優點，其中： 圖1係依據本揭露所建構之半導體處理系統的示意性視圖，顯示與用於形成覆蓋基材之層結構之控制器操作性相關聯的反應室； 圖2係形成結構的方法之製程流程圖，顯示根據該方法之闡釋性與非限制性實例的方法之操作； 圖3A至圖3C係在形成矽鍺層結構期間鍺前驅物之濃度的圖，其等顯示在形成矽鍺層結構期間，反應室內鍺前驅物的濃度根據線性函數與非線性函數增加；及 圖4A至圖4C係在增加反應室內鍺前驅物的濃度時所形成之矽鍺層內之鍺濃度輪廓的圖，相對於用恒定鍺前驅物濃度形成的層顯示所得矽鍺層內之鍺濃度變化。 應瞭解，圖式中的元件是為了簡單與清楚而繪示，且不必然按比例繪製。例如，圖式中之元件中之一些元件之相對大小可相對於其他元件而言誇大，以幫助改善對所繪示本揭露實施例的理解。
200:方法
210:方塊(在反應室內支撐基材)
220:方塊(使第一矽前驅物及鍺前驅物流動至反應室中)
230:方塊(形成矽鍺層)
240:方塊(增加反應室內鍺前驅物的濃度)
250:方塊(使第二矽前驅物流動至反應室中)
260:方塊(形成矽層)
270:箭頭

Claims (20)

  1. 一種形成一結構之方法，其包含： 在一半導體處理系統之一反應室內支撐一基材； 使一矽前驅物及一鍺前驅物流動至該反應室中； 用該含矽前驅物及該鍺前驅物形成覆蓋該基材的一矽鍺層；及 其中形成該矽鍺層之該步驟包含在該形成覆蓋該基材的該矽鍺層期間增加該反應室內該鍺前驅物的濃度。
  2. 如請求項1之方法，其中該基材係一毯覆式基材或一圖案化基材。
  3. 如請求項1之方法，其中增加該鍺前驅物之濃度包含在形成該矽鍺層之該步驟期間連續地增加該反應室內該鍺前驅物之濃度。
  4. 如請求項1之方法，其中增加該鍺前驅物之濃度包含在形成該矽鍺層之該步驟期間根據一線性函數增加該反應室內該鍺前驅物之濃度。
  5. 如請求項1之方法，其中增加該鍺前驅物之濃度包含在形成該矽鍺層之該步驟期間根據一非線性函數增加該反應室內該鍺前驅物之濃度。
  6. 如請求項1之方法，其中增加該鍺前驅物之濃度包含在形成該矽鍺層之該步驟期間根據一指數函數增加該反應室內該鍺前驅物之濃度。
  7. 如請求項1之方法，其中增加該鍺前驅物之濃度包含在形成該矽鍺層之該步驟期間根據一對數函數增加該反應室內該鍺前驅物之濃度。
  8. 如請求項1之方法，其中該矽前驅物包含一氫化矽前驅物及一氯化矽前驅物。
  9. 如請求項8之方法，其中該氫化前驅物選自包含下列之群組：矽烷(SiH 4)、二矽烷(Si 2H 6)、三矽烷(Si 3H 8)、及四矽烷(Si 4H 10)。
  10. 如請求項8之方法，其中該氯化矽前驅物選自包含下列之群組：單氯矽烷(MCS)、二氯矽烷(DCS)、三氯矽烷(TCS)、六氯二矽烷(HCDS)、八氯三矽烷(OCS)、及四氯化矽(STC)。
  11. 如請求項1之方法，其中使該矽前驅物及該鍺前驅物流動至該反應室中之該步驟包含使一鹵化物流動至該反應室中，其中該鹵化物係選自包含下列之群組：氯(Cl 2)及氫氯酸(HCl)。
  12. 如請求項1之方法，其進一步包含在該形成該矽鍺層期間使一沖洗/載體氣體流動至該反應室中，其中該沖洗/載體氣體係選自包含下列之群組：氦(He)、氫(H 2)、氬(Ar)、氪(Kr)、及氮(N 2)。
  13. 如請求項1之方法，其中形成該矽鍺層的該步驟包含將該基材加熱至介於約400 °C與約800 °C之間的一溫度。
  14. 如請求項1之方法，其中形成該矽鍺層之該步驟包含將該反應室內的一壓力維持在介於約760托與約5托之間。
  15. 如請求項1之方法，其進一步包含於形成該矽鍺層之後使一第二矽前驅物流動至該反應室中。
  16. 如請求項15之方法，其中該第二矽前驅物與該第一矽前驅物相同。
  17. 如請求項15之方法，其中該第二矽前驅物與該第一矽前驅物不同。
  18. 如請求項1之方法，其中在該形成該矽鍺層期間增加該反應室內該鍺前驅物的濃度包含將該鍺前驅物之濃度增加從到介於該鍺前驅物的一初始濃度之約100.5%與約180%之間。
  19. 一種形成一膜堆疊結構之方法，其包含： 在一半導體處理系統之一反應室內支撐一基材，其中該基材係一毯覆式基材； 使一第一矽前驅物、一鍺前驅物、及一鹵化物流動至該反應室中，其中該鹵化物係選自包含氯(Cl 2)及氫氯酸(HCl)之群組； 用該第一矽前驅物及該鍺前驅物形成覆蓋該基材的一矽鍺層，其中該第一矽前驅物包含一氫化第一矽前驅物及一氯化第一矽前驅物； 使一第二矽前驅物流動至該反應室中； 用該第二矽前驅物將一矽層形成至該矽鍺層上，其中該第二矽前驅物係選自包含下列之群組：矽烷(SiH 4)、二矽烷(Si 2H 6)、三矽烷(Si 3H 8)、四矽烷(Si 4H 10)、及二氯矽烷(DCS)； 其中使該含鍺前驅物流動至該反應室中之該步驟包含在該形成覆蓋該基材的該矽鍺層期間增加該反應室內該鍺前驅物之濃度；及 其中在形成該矽鍺層之該步驟期間該鍺前驅物係根據一線性函數連續地增加。
  20. 一種半導體處理系統，其包含： 一反應室，其經組態以支撐一基材； 一矽前驅物源，其連接至該反應室； 一鍺前驅物源，其連接至該反應室；及 一控制器，其可操作地連接該矽前驅物源及該鍺前驅物源，其中該控制器響應於一記憶體上記載的指令，以： 在該反應室內支撐一基材； 使一矽前驅物及一鍺前驅物流動至該反應室中； 用該含矽前驅物及該鍺前驅物形成覆蓋該基材的一矽鍺層；及 在形成覆蓋該基材之該矽鍺層期間增加該反應室內該鍺前驅物的濃度。
TW111106899A 2021-03-05 2022-02-25 膜沉積系統及方法 TW202240012A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202163157294P 2021-03-05 2021-03-05
US63/157,294 2021-03-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202240012A true TW202240012A (zh) 2022-10-16

Family

ID=83116896

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111106899A TW202240012A (zh) 2021-03-05 2022-02-25 膜沉積系統及方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220282370A1 (zh)
KR (1) KR20220125686A (zh)
TW (1) TW202240012A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230420521A1 (en) * 2022-06-28 2023-12-28 Applied Materials, Inc. Graded superlattice structure for gate all around devices

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1168011C (zh) * 1999-12-02 2004-09-22 因芬尼昂技术股份公司 具有加密的微处理装置
JP3660897B2 (ja) * 2001-09-03 2005-06-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP5288707B2 (ja) * 2003-03-12 2013-09-11 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド シリコンゲルマニウムの、平坦化及び欠陥密度を減少させる方法
US6909186B2 (en) * 2003-05-01 2005-06-21 International Business Machines Corporation High performance FET devices and methods therefor
US7166528B2 (en) * 2003-10-10 2007-01-23 Applied Materials, Inc. Methods of selective deposition of heavily doped epitaxial SiGe
US7902049B2 (en) * 2004-01-27 2011-03-08 United Solar Ovonic Llc Method for depositing high-quality microcrystalline semiconductor materials
US7785995B2 (en) * 2006-05-09 2010-08-31 Asm America, Inc. Semiconductor buffer structures
US11031242B2 (en) * 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220125686A (ko) 2022-09-14
US20220282370A1 (en) 2022-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI839400B (zh) 沉積硼摻雜矽鍺膜之方法
KR102648942B1 (ko) 실리콘 함유 에피택셜층을 형성하기 위한 방법 및 관련 반도체 소자 구조체
KR101850666B1 (ko) 저온에서 얇은 에피택셜 필름들을 성장시키는 방법
JP5173140B2 (ja) 電気的に活性なドープト結晶性Ｓｉ含有膜の堆積方法
US7863163B2 (en) Epitaxial deposition of doped semiconductor materials
US20080026149A1 (en) Methods and systems for selectively depositing si-containing films using chloropolysilanes
KR101369355B1 (ko) 에피택셜 층 형성 동안에 형태를 제어하는 방법
TW202240012A (zh) 膜沉積系統及方法
TW202143294A (zh) 形成應變通道層的方法
US8158495B2 (en) Process for forming a silicon-based single-crystal portion
US11946157B2 (en) Method for depositing boron containing silicon germanium layers
US20230245888A1 (en) Methods of forming silicon germanium structures
US20240006176A1 (en) Method of forming p-type doped silicon-germanium layers and system for forming same
US20070254450A1 (en) Process for forming a silicon-based single-crystal portion
KR20230004313A (ko) 상향식 충진 기술을 이용한 구조체의 형성
TW202425095A (zh) 用於增強磊晶成核及潤濕的表面改質劑