TW202234093A - 附有多層膜之透明基體及圖像顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種附有多層膜之透明基體，其於具有兩個主面之透明基體之至少一個主面上，具備積層至少兩層以上折射率互不相同之層而成的多層膜，上述多層膜包含氧化矽層，且上述氧化矽層中之至少一層於波長550 nm下之折射率為1.460≦n＜1.478。

Description

附有多層膜之透明基體及圖像顯示裝置
本發明係關於一種附有多層膜之透明基體及圖像顯示裝置。
近年來，基於美觀性之觀點，採用在如液晶顯示器之類之圖像顯示裝置之前面設置覆蓋玻璃的方法。但是，由於覆蓋玻璃反射外光而引起之映入成為一個問題，為了解決該問題，通常於覆蓋玻璃之表面設置具有積層構造之多層膜。然而，於先前之抗反射膜中，圖像顯示裝置之黑框部分與圖像顯示部之邊界線突出，美觀性較差。
因此，已知藉由對抗反射膜即積層至少兩層以上折射率互不相同之介電層而成之多層膜賦予光吸收能力，可使圖像顯示裝置之黑框部分與圖像顯示部之邊界線不明顯，進而亦可抑制自覆蓋玻璃與抗反射膜之界面之反射。例如，專利文獻1中揭示有一種附有抗反射膜之透明基體，其具有光吸收能力且具有絕緣性。專利文獻2中揭示有一種透明導電積層體，其依次積層有氧化矽層及銅層。專利文獻3中揭示有一種抗反射膜，其於玻璃板表面具有包含高折射率材料之覆膜及包含低折射率材料之覆膜，且包含低折射率材料之覆膜配置於最表面。 先前技術文獻  專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2018-115105號公報 專利文獻2：日本專利特開2016-068470號公報 專利文獻3：日本專利特開2008-201633號公報
[發明所欲解決之問題]
如上所述，已知有一種技術，其藉由對多層膜賦予光吸收能力，從而具備美觀性，進而抑制自覆蓋玻璃與多層膜之界面之反射。然而，於先前之附有多層膜之透明基體中，有時於高溫環境下或高溫高濕環境下多層膜之透過率會發生變化。因此，本發明之目的在於提供一種附有多層膜之透明基體及具備該附有多層膜之透明基體圖像顯示裝置，上述附有多層膜之透明基體於高溫環境下或高溫高濕環境下多層膜之透過率變化得到抑制。 [解決問題之技術手段]
本發明人等發現，藉由使多層膜包含特定構成，可解決上述問題，從而完成了本發明。即，本發明之主旨如下。
1.一種附有多層膜之透明基體，其於具有兩個主面之透明基體之至少一個主面上，具備積層至少兩層以上折射率互不相同之層而成的多層膜， 上述多層膜包含氧化矽層，且 上述氧化矽層中之至少一層於波長550 nm下之折射率為1.460≦n＜1.478。 2.如上述1所記載之附有多層膜之透明基體，其中上述多層膜進而包含金屬氧化物層， 上述金屬氧化物層主要包含選自由Mo及W所組成之A群中之至少一種之氧化物與選自由Si、Nb、Ti、Zr、Ta、Al、Sn、及In所組成之B群中之至少一種之氧化物的混合氧化物，且 上述金屬氧化物層中，相對於上述混合氧化物所含之A群之元素與上述混合氧化物所含之B群之元素的合計，上述混合氧化物所含之B群之元素之含有率未達80質量%。 3.一種附有多層膜之透明基體，其於具有兩個主面之透明基體之至少一個主面上，具備積層至少兩層以上折射率互不相同之層而成的多層膜， 於將主要包含Mo及Nb之混合氧化物且於波長550 nm下之消光係數k大於0.004之層設為第1金屬氧化物層， 將主要包含Mo及Nb之混合氧化物且於波長550 nm下之消光係數k為0.004以下之層設為第2金屬氧化物層時， 上述多層膜包含上述第1金屬氧化物層， 上述第1金屬氧化物層中之至少一層以被兩個上述第2金屬氧化物層夾住之方式積層，且 夾住上述第1金屬氧化物層之上述第2金屬氧化物層之膜厚分別為8 nm以上。 4.如上述3所記載之附有多層膜之透明基體，其中上述多層膜進而包含氧化矽層，且 相對於上述第1金屬氧化物層所含之、包含Mo及W之A群之元素與包含Si、Nb、Ti、Zr、Ta、Al、Sn、及In之B群之元素的合計，B群之元素之含有率分別未達80質量%。 5.如上述1至4中任一項所記載之附有多層膜之透明基體，其於上述多層膜上進而具有防污膜。 6.如上述1至5中任一項所記載之附有多層膜之透明基體，其中上述透明基體為玻璃基板或樹脂基板。 7.如上述1至5中任一項所記載之附有多層膜之透明基體，其中上述透明基體為包含玻璃及樹脂基板之積層體。 8.如上述6或7所記載之附有多層膜之透明基體，其中上述玻璃經化學強化。 9.如上述1至8中任一項所記載之附有多層膜之透明基體，其中於上述透明基體中，對具有上述多層膜一側之主面實施有防眩處理。 10.一種圖像顯示裝置，其具備如上述1至9中任一項所記載之附有多層膜之透明基體。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種附有多層膜之透明基體及具備該附有多層膜之透明基體之圖像顯示裝置，上述附有多層膜之透明基體藉由使多層膜包含特定之構成，從而使高溫環境下或高溫高濕環境下之多層膜之透過率變化得到抑制。
以下，參照圖式，對本發明之實施方式進行詳細說明。
(附有多層膜之透明基體) 本實施方式之附有多層膜之透明基體於具有兩個主面之透明基體之至少一個主面上，具備積層至少兩層以上折射率互不相同之層而成的多層膜。
本實施方式之附有多層膜之透明基體之視感透過率較佳為20%～89%。由於當視感透過率為上述範圍時，具有適度的光吸收能力，故而於用作圖像顯示裝置之覆蓋玻璃之情形時，可抑制自覆蓋玻璃與多層膜之界面之反射。藉此，圖像顯示裝置之亮處對比度提高。再者，視感透過率可藉由JIS Z 8709(1999年)所規定之方法進行測定。本實施方式之附有多層膜之透明基體之視感透過率更佳為50%～89%，進而較佳為65%～85%。
本實施方式之附有多層膜之透明基體藉由具有後述之構成，於高溫環境下之透過率變化得到抑制。具體而言，例如，於溫度為95℃之環境下保持500小時前後之透過率變化ΔTv之絕對值較佳為2.0%以下，更佳為1.0%以下。再者，ΔTv係使用分光光度計，藉由後述之實施例所記載之方法求出之值。
本實施方式之附有多層膜之透明基體藉由具有後述之構成，於高溫高濕環境下之透過率變化得到抑制。具體而言，例如，於溫度為85℃、濕度為85%RH之環境下保持500小時前後之透過率變化ΔTv之絕對值較佳為2.0%以下，更佳為1.0%以下。再者，ΔTv係使用分光光度計，藉由後述之實施例所記載之方法求出之值。
於本實施方式之附有多層膜之透明基體中，上述多層膜之薄片電阻較佳為10 4Ω/□以上。由於當多層膜之薄片電阻為上述範圍時，多層膜具有絕緣性，故而於用作圖像顯示裝置之覆蓋玻璃之情形時，即便賦予觸控面板功能，亦可保持靜電電容式觸控感測器所需之因手指接觸而引起之靜電電容變化，使觸控面板發揮作用。再者，薄片電阻可藉由ASTM D257或JIS K 6271-6(2008年)所規定之方法進行測定。本實施方式之附有多層膜之透明基體之多層膜之薄片電阻更佳為10 6Ω/□以上，進而較佳為10 8Ω/□以上，進而更佳為10 11Ω/□以上。
於本實施方式之附有多層膜之透明基體中，上述多層膜之視感反射率較佳為1%以下。當視感反射率為上述範圍時，於用作圖像顯示裝置之覆蓋玻璃之情形時，可提高防止外光映入至畫面之效果。再者，視感反射率可藉由JIS Z 8701(1999年)所規定之方法進行測定。視感反射率更佳為0.8%以下，進而較佳為0.6%以下。視感反射率之下限值並無特別規定，例如為0.05%以上，較佳為0.1%以上。
本實施方式之附有多層膜之透明基體於D65光源下之透射色下，b *值較佳為5以下。當b *值為上述範圍時，透射光不會帶黃色，因此適合用作圖像顯示裝置之覆蓋玻璃。再者，於D65光源下之透射色下之b *值可藉由JIS Z 8729(2004年)所規定之方法進行測定。b *值更佳為3以下，進而較佳為2以下。b *值較佳為-6以上，更佳為-4以上。當b *值為上述範圍時，透射光容易為無色，不干擾透射光之光，因此較佳。
(多層膜) 本實施方式之附有多層膜之透明基體於具有兩個主面之透明基體之至少一個主面上，具備積層至少兩層以上折射率互不相同之層而成的多層膜。上述多層膜具備以下第1態樣或第2態樣。
(第1態樣) 本實施方式之第1態樣之附有多層膜之透明基體中之多層膜較佳為具有下述構成。 於第1態樣中，多層膜包含氧化矽層，且上述氧化矽層中之至少一層於波長550 nm下之折射率n為1.460≦n＜1.478。
圖1係模式性地表示第1態樣之附有多層膜之透明基體之一構成例的剖視圖。於圖1之附有多層膜之透明基體20中，於透明基體10上形成有多層膜30。圖1所示之多層膜30具有積層作為折射率互不相同之層之兩層介電層32、34而成之積層構造。藉由積層折射率互不相同之介電層32、34，可抑制光之反射。於圖1之例中，介電層32為高折射率層，介電層34為低折射率層。再者，此處折射率互不相同例如較佳為於波長550 nm下之折射率n相差0.2以上。又，高折射率層例如係於波長550 nm下之折射率n為1.8以上之層，低折射率層例如係於波長550 nm下之折射率n為1.6以下之層。
多層膜包含主要含有SiO x之氧化矽層，上述氧化矽層中之至少一層於波長550 nm下之折射率n為1.460≦n＜1.478。例如，於圖1之構成中，介電層34係氧化矽層，該氧化矽層於波長550 nm下之折射率n為1.460≦n＜1.478。再者，本說明書中，「主要包含特定成分」係指以70質量%以上包含該特定成分而構成。
推測於高溫環境下及高溫高濕環境下透過率變化之原因在於，由於例如於該環境下多層膜中發生氧化還原反應等，多層膜之透過率發生變化。具體而言，考慮以下原因。 作為本實施方式中之多層膜之較佳構成，例如可例舉包含依次積層氧化矽層與金屬氧化物層之構成。關於該構成，考慮如下情形：於高溫環境下及高溫高濕環境下，由於氧化矽層與金屬氧化物層間之氧化還原反應，導致氧化矽層之氧化度增加，金屬氧化物層之氧化度降低。若金屬氧化物層之氧化度降低，則金屬氧化物層之吸收係數增加，多層膜之透過率降低。認為尤其是於高溫高濕環境下，由於存在水分，故而該氧化還原反應更加容易進行。 又，另一方面，關於上述構成，考慮於高溫環境下及高溫高濕環境下金屬氧化物層與外部之氧氣容易發生反應之情形時，由於該反應而使金屬氧化物層之氧化度增加，多層膜之透過率增大。
此處，已知就SiO x而言，其氧化度與折射率相關，氧化度越高，於波長550 nm下之折射率n之值越小。本發明人等發現，藉由對氧化矽層中SiO x之氧化度進行調整，使多層膜中包含n之值為特定範圍之氧化矽層，可抑制於高溫環境下及高溫高濕環境下多層膜之透過率發生變化。
即，認為藉由使上述氧化矽層之n未達上述值、且使氧化度相對較大，使得於高溫環境下及高溫高濕環境下SiO x不易被氧化，從而可抑制多層膜之透過率之降低。n未達1.478，較佳為1.464以下。另一方面，於SiO x之氧化度大於一定程度、或者SiO x被完全氧化之情形時，氧化矽層相對容易使氧氣或水蒸氣透過。因此，考慮藉由使n為1.460以上，可抑制氧氣或水蒸氣之透過，從而抑制多層膜之透過率之增加。
氧化矽層之膜厚並無特別限定，例如基於低反射特性之觀點考慮，較佳為20 nm以上，更佳為60 nm以上。又，基於生產性之觀點考慮，氧化矽層之總膜厚較佳為1000 nm以下，更佳為800 nm以下。
就容易獲得具有所需之光吸收能力且具有絕緣性之膜等而言，多層膜較佳為如上所述進而包含金屬氧化物層。金屬氧化物層更佳為如下金屬氧化物層：主要包含選自由Mo及W所組成之A群中之至少一種之氧化物、及選自由Si、Nb、Ti、Zr、Ta、Al、Sn、及In所組成之B群中之至少一種之氧化物的混合氧化物。例如，於圖1所示之多層膜30中，介電層32較佳為金屬氧化物層，更佳為主要包含上述混合氧化物之金屬氧化物層。
又，金屬氧化物層較佳為非晶質。由於當金屬氧化物層為非晶質時，可於相對低溫下製作，故而於透明基體為樹脂基板等之情形時，可抑制透明基體因熱而受到損壞。
於金屬氧化物層主要包含上述混合氧化物之情形時，構成該混合氧化物之元素之中，A群中較佳為Mo，B群中較佳為Nb。即，上述金屬氧化物層進而較佳為主要包含Mo及Nb之混合氧化物之層。先前，存在氧缺陷之氧化矽層於可見光下容易帶黃色。與此相對，藉由使多層膜含有包含Mo及Nb之金屬氧化物層，即便於多層膜包含存在氧缺陷之氧化矽層之情形時亦可抑制其帶黃色。
又，基於在金屬氧化物層主要包含上述混合氧化物之情況下將附有多層膜之透明基體之b *值抑制為5以下之觀點考慮，相對於該混合氧化物所含之A群之元素與上述混合氧化物所含之B群之元素的合計，該混合氧化物所含之B群之元素之含有率(以下記載為B群含有率)較佳為未達80質量%。B群含有率更佳為70質量%以下，進而較佳為60質量%以下。又，B群含有率之下限並無特別限定，例如較佳為10質量%以上。
基於使與介電層34之折射率差處於適當範圍內而獲得較佳之低反射特性之觀點考慮，介電層32於波長550 nm下之折射率較佳為1.8～2.3。
介電層32於波長550 nm下之消光係數k較佳為大於0.004，更佳為0.01以上。又，介電層32之消光係數k較佳為3以下，更佳為1以下，進而較佳為0.38以下。 於消光係數k大於0.004之情形時，可以合適之層數實現所需之光吸收率。又，當消光係數k為3以下時，相對容易兼顧反射色調與透過率。調整介電層32之消光係數k之方法並無特別限定，例如於介電層32為金屬氧化物層之情形時，消光係數k根據所含之元素種類或其氧化度而變化。典型為，於金屬氧化物之氧化度相對較大、或者金屬氧化物被完全氧化之情形時，消光係數k容易減小，於金屬氧化物之氧化度相對較小之情形時，消光係數k容易增大。
於第1態樣中，多層膜亦可為積層三層以上折射率互不相同之層而成之積層構造。於此情形時，無需所有層之折射率都不同。例如，於多層膜為三層積層構造之情形時，可為低折射率層、高折射率層、低折射率層之三層積層構造、或高折射率層、低折射率層、高折射率層之三層積層構造。於前者之情形時存在有兩層之低折射率層彼此亦可具有相同折射率，於後者之情形時存在有兩層之高折射率層彼此亦可具有相同折射率。於多層膜為四層積層構造之情形時，可為低折射率層、高折射率層、低折射率層、高折射率層之四層積層構造、或高折射率層、低折射率層、高折射率層、低折射率層之四層積層構造。於此情形時，分別存在有兩層之低折射率層彼此及高折射率層彼此之至少一者可具有相同折射率。再者，構成多層膜之積層數或各層之膜厚可根據所需之光學特性等而適當變更。
於第1態樣中，於多層膜包含複數個氧化矽層之情形時，至少一層於波長550 nm下之折射率n為1.460≦n＜1.478即可。又，多層膜較佳為如上所述包含氧化矽層、且進而包含金屬氧化物層，但多層膜亦可為除了該等層以外進而包含其他層之構成。
其中，於多層膜中，最表面之層較佳為氧化矽層。其原因在於，當最表面之層為氧化矽層以獲得低反射性時，相對容易製作。又，於形成後述之防污膜之情形時，基於與防污膜之耐久性相關之結合性之觀點考慮，較佳為於氧化矽層上形成。
於多層膜中最表面之層為氧化矽層之情形時，使最表面之氧化矽層之n為1.460≦n＜1.478亦較佳。另一方面，於最表面設置n相對較大之氧化矽層亦較佳，於此情形時，1.478≦n亦較佳。其原因在於，氧氣或水蒸氣向多層膜中之透過容易自多層膜之表面側發生，藉由使最表面之氧化矽層之n相對增加，即氧化度相對減小，使氧氣或水蒸氣更加不易透過，從而更容易抑制由於氧氣或水蒸氣向多層膜中之透過而產生之透過率變化。與此情形時，關於n之上限，例如基於充分抑制光之反射之觀點考慮，較佳為n＜1.6，n更佳為1.481以下，進而較佳為1.480以下。 作為具體之構成例，例如，於多層膜包含複數層氧化矽層之情形時，使除了最表面以外之氧化矽層中之至少一層之n為1.460≦n＜1.478，最表面之氧化矽層之n相對較大，且1.478≦n＜1.6亦較佳，更佳為1.478≦n≦1.481，進而較佳為1.478≦n≦1.480。 或者，將最表面之氧化矽層設為積層n不同之兩種氧化矽層而成之構成，與下層之界面一側之氧化矽層為1.460≦n＜1.478，表面側之氧化矽層之n相對較大，1.478≦n＜1.6亦較佳，更佳為1.478≦n≦1.481，進而較佳為1.478≦n≦1.480。
(第2態樣) 本實施方式之第2態樣之附有多層膜之透明基體中之多層膜較佳為具有下述構成。 於將主要包含Mo及Nb之混合氧化物且於波長550 nm下之消光係數k大於0.004之層設為第1金屬氧化物層，將主要包含Mo及Nb之混合氧化物且於波長550 nm下之消光係數k為0.004以下之層設為第2金屬氧化物層時，第2態樣中之多層膜包含第1金屬氧化物層，第1金屬氧化物層中之至少一層以被兩個上述第2金屬氧化物層夾住之方式積層，且夾住第1金屬氧化物層之上述第2金屬氧化物層之膜厚分別為8 nm以上。
圖2係模式性地表示第2態樣之附有多層膜之透明基體之一構成例的剖視圖。於圖2之附有多層膜之透明基體20中，於透明基體10上形成有多層膜30。圖1所示之多層膜30具有積層作為折射率互不相同之層之兩層介電層32、34而成之積層構造。藉由使折射率互不相同之介電層32、34積層，可抑制光之反射。於圖2之例中，介電層32為高折射率層，介電層34為低折射率層。於第2態樣中，介電層32係主要包含Mo及Nb之混合氧化物且於波長550 nm下之消光係數k大於0.004之層，即第1金屬氧化物層。作為第1金屬氧化物層之介電層32以被作為第2金屬氧化物層之介電層33夾住之方式積層。夾住第1金屬氧化物層之上述第2金屬氧化物層(介電層33)之膜厚分別為8 nm以上。
第1金屬氧化物層主要包含Mo及Nb之混合氧化物，於波長550 nm下之消光係數k大於0.004。於第1金屬氧化物層中，於波長550 nm下之消光係數k較佳為0.01以上，更佳為0.04以上。又，第1金屬氧化物層於波長550 nm下之消光係數k較佳為3以下，更佳為1以下，進而較佳為0.38以下。 藉由使消光係數k大於0.004，可以合適之層數實現所需之光吸收率。又，當消光係數k為3以下時，相對容易兼顧反射色調與透過率。
第2金屬氧化物層主要包含Mo及Nb之混合氧化物，於波長550 nm下之消光係數k為0.004以下。於第2金屬氧化物層中，於波長550 nm下之消光係數k較佳為0.004以下。於波長550 nm下之消光係數k之下限並無特別限定，例如較佳為0.000以上，更佳為0.0001以上。
於第1金屬氧化物層及第2金屬氧化物層中，消光係數k根據所含之元素種類或其氧化度變化。其調整方法並無特別限定，例如，於第1金屬氧化物層主要包含Mo及Nb之混合氧化物MoNbO y之情形時，藉由使MoNbO y之氧化度相對較小，從而容易使消光係數k大於0.004，因此較佳。又，於第2金屬氧化物層主要包含Mo及Nb之混合氧化物MoNbO y之情形時，藉由使MoNbO y之氧化度相對較大、或使其完全氧化，從而容易使消光係數k為0.004以下，因此較佳。
於第2態樣中，多層膜中之第1金屬氧化物中之至少一層以被兩個第2金屬氧化物層夾住之方式積層，夾住第1金屬氧化物層之第2金屬氧化物層之膜厚分別為8 nm以上，藉此可抑制於高溫環境下及高溫高濕環境下多層膜之透過率發生變化。其原因尚不明確，推測由於包含用氧化度相對較大之第2金屬氧化物層夾住第1金屬氧化物層之構成，導致例如於上述多層膜中之氧化還原反應中，還原反應種類與先前不同等，因此反應得到抑制，透過率變化亦得到抑制。
基於將附有多層膜之透明基體之b *值抑制為5以下之觀點考慮，相對於第1金屬氧化物層所含之、包含Mo及W之A群之元素與包含Si、Nb、Ti、Zr、Ta、Al、Sn、及In之B群之元素的合計，B群之元素之含有率(B群含有率)較佳為分別未達80質量%。B群含有率更佳為70質量%以下，進而較佳為60質量%以下。又，B群含有率之下限並無特別限定，例如較佳為10質量%以上。B群含有率於第2金屬氧化物層中亦較佳為同樣之範圍。
第1金屬氧化物層較佳為非晶質。由於當第1金屬氧化物層為非晶質時，可於相對低溫下製作，故而於透明基體為樹脂基板等之情形時，可抑制透明基體因熱而受到損壞。又，基於相同之原因，第2金屬氧化物層亦較佳為非晶質。
基於使與介電層34之折射率差處於合適之範圍，而獲得較佳之低反射特性之觀點，介電層32於波長550 nm下之折射率較佳為1.8～2.3。
第1金屬氧化物層之膜厚並無特別限定，例如基於低反射特性之觀點考慮，較佳為10 nm以上，更佳為40 nm以上。又，基於生產性之觀點考慮，包含第1金屬氧化物層之膜厚之多層膜總膜厚較佳為1000 nm以下，更佳為800 nm以下。
第2金屬氧化物層之膜厚亦並無特別限定，夾住第1金屬氧化物之第2金屬氧化物層之膜厚為8 nm以上，較佳為10 nm以上，更佳為50 nm以上。第2金屬氧化物層之膜厚之上限並無特別限定，例如較佳為100 nm以下。
基於低反射特性之觀點考慮，多層膜較佳為進而包含主要包含SiO x之氧化矽層。例如，圖2中之介電層34較佳為氧化矽層。
基於低反射特性之觀點考慮，介電層34於波長550 nm下之折射率n較佳為1.3～1.6。
於第2態樣中，多層膜亦可為積層三層以上折射率互不相同之層而成之積層構造。於此情形時，無需所有層之折射率不同。例如，於三層積層構造之情形時，可為低折射率層、高折射率層、低折射率層之三層積層構造、或高折射率層、低折射率層、高折射率層之三層積層構造。於前者之情形時存在有兩層之低折射率層彼此可具有相同之折射率，於後者之情形時存在有兩層之高折射率層彼此可具有相同之折射率。於四層積層構造之情形時，可為低折射率層、高折射率層、低折射率層、高折射率層之四層積層構造、或高折射率層、低折射率層、高折射率層、低折射率層之四層積層構造。於此情形時，分別存在有兩層之低折射率層彼此及高折射率層彼此之至少一者可具有相同之折射率。再者，構成多層膜之積層數或各層之膜厚可根據所需之光學特性等適當變更。
於第2態樣中，多層膜較佳為如上所述包含第1金屬氧化物層、且進而包含氧化矽層，但多層膜亦可具有除了該等層及第2金屬氧化物層以外進而包含其他層之構成。又，於第2態樣中，多層膜可包含氧化矽層，可使氧化矽層中之至少一層於波長550 nm下之折射率n為1.460≦n＜1.478。即，多層膜可具有同時滿足第2態樣與第1態樣之構成。
其中，於多層膜中，最表面之層較佳為氧化矽層。其原因在於，當最表面之層為氧化矽層以獲得低反射性時，可相對容易地製作。又，於形成後述之防污膜之情形時，基於與防污膜之耐久性相關之結合性之觀點考慮，較佳為於氧化矽層上形成。
再者，作為具有光吸收能力且具有絕緣性之透光膜，已知有於半導體製造領域中使用之半色調光罩。作為半色調光罩，可使用如包含少量Mo之Mo-SiO x膜之類之氧缺陷膜。又，作為具有光吸收能力、且具有絕緣性之透光膜，存在有於半導體製造領域中使用之窄帶隙膜。 然而，由於該等膜於可見光中短波長一側之光吸收能力較強，故而透射光帶黃色。因此，不適於圖像顯示裝置之覆蓋玻璃。
關於構成第1態樣及第2態樣中之多層膜之各層之組成或光學常數，可於形成有多層膜之狀態下，根據利用XPS(X射線光電子光譜法)或SIMS(二次離子質譜法)等之鑑定、或光學特性之測定結果來算出。再者，關於各層之光學常數，於可特定出各層之成膜條件之情形時，亦可藉由如下方法算出：於與各層之成膜條件相同之條件下在透明基體上形成單膜，即僅包含一層之膜，針對該單膜進行分光測定。
以下，針對本實施方式之附有多層膜之透明基體進行進一步記載。以下構成為第1態樣及第2態樣共通之構成。
(透明基體) 關於透明基體，只要係透光性優異之透明之基體則並無特別限定，較佳為折射率為1.4以上1.7以下之材質。其原因在於，於將顯示器或觸控面板等進行光學接著之情形時，可充分抑制於接著面之反射。
作為透明基體，較佳為玻璃基板或樹脂基板。透明基體亦可為包含玻璃及樹脂基板之積層體。
作為玻璃基板，可利用具有各種組成之玻璃。例如，本實施方式中使用之玻璃較佳為包含鈉，較佳為可藉由成形、化學強化處理進行強化之組成。具體而言，例如可例舉：鋁矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、硼矽酸玻璃、鉛玻璃、鹼鋇玻璃、鋁硼矽酸玻璃等。
玻璃基板之厚度並無特別限制，為了於進行化學強化處理之情形時將其有效地進行，通常較佳為5 mm以下，更佳為3 mm以下。
玻璃基板或包含玻璃及樹脂基板之積層體中之玻璃較佳為經化學強化以提高覆蓋玻璃之強度的化學強化玻璃。再者，於對玻璃基板實施防眩處理之情形時，化學強化較佳為在防眩處理之後且形成多層膜之前進行。
於玻璃基板中，較佳為對具有多層膜一側之主面實施有防眩處理。防眩處理方法並無特別限定，可利用針對玻璃主面實施表面處理而形成所需之凹凸之方法。具體而言，可例舉於玻璃基板之主面進行化學處理之方法，例如實施磨砂處理之方法。作為磨砂處理，例如可將作為被處理體之玻璃基板浸漬於氟化氫與氟化銨之混合溶液，對浸漬面進行化學表面處理。又，除了此種基於化學處理之方法以外，亦可使用例如基於如下等物理處理之方法：用加壓空氣將結晶質二氧化矽粉、碳化矽粉等吹送至玻璃基板表面之噴砂處理；或使用經水濕潤之附著有結晶質二氧化矽粉、碳化矽粉等之刷進行研磨。
作為樹脂基板，較佳為樹脂膜。作為樹脂膜，可使用熱塑性樹脂或熱硬化性樹脂。作為熱塑性樹脂或熱硬化性樹脂，例如可例舉：聚氯乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、聚酯樹脂、聚胺酯樹脂、纖維素系樹脂、丙烯酸樹脂、AS(丙烯腈-苯乙烯)樹脂、ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂、氟系樹脂、熱塑性彈性體、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚縮醛樹脂、聚碳酸酯樹脂、改性聚苯醚樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚乳酸系樹脂、環狀聚烯烴樹脂、聚苯硫醚樹脂等。其中，較佳為纖維素系樹脂，更佳為三乙醯纖維素樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂。該等樹脂可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
樹脂膜之厚度並無特別限制，較佳為20～150 μm，更佳為40～80 μm。
於使用樹脂膜作為透明基體10之情形時，作為實施方式之一，可具有於透明基體10上配置硬塗層(未圖示)、且於其上設置多層膜30之構成。
進而，作為其他實施方式，對樹脂膜之具有多層膜一側之主面實施防眩處理亦較佳，於此情形時，亦可具有於上述硬塗層上配置防眩層(未圖示)、且於其上設置多層膜30之構成。
作為硬塗層，可塗佈使高分子樹脂溶解而成者。防眩層藉由於膜之單面形成凹凸形狀來增加霧度，賦予防眩性。防眩層與硬塗層同樣地，可塗佈溶解有高分子樹脂之溶液。構成防眩層之防眩層組成物包含使至少其自身具有防眩性之粒子狀物質分散於溶解有作為黏合劑之高分子樹脂之溶液中而成者。
作為上述具有防眩性之粒子狀物質，例如除了矽石、黏土、滑石、碳酸鈣、硫酸鈣、硫酸鋇、矽酸鋁、氧化鈦、合成沸石、氧化鋁、膨潤石等無機微粒子以外，還可例舉包含苯乙烯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯并胍胺樹脂、矽酮樹脂、丙烯酸樹脂等之有機微粒子。
又，關於作為上述硬塗層、上述防眩層之黏合劑之高分子樹脂，例如可使用包含聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯系樹脂、聚酯丙烯酸酯系樹脂、聚胺酯丙烯酸酯系樹脂、環氧丙烯酸酯系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂之高分子樹脂。
(附有多層膜之透明基體之製造方法) 上述多層膜可使用濺鍍法、真空蒸鍍法、或塗佈法等公知之成膜方法形成於透明基體之主面。即，較佳為使用濺鍍法、真空蒸鍍法、或塗佈法等公知之成膜方法，使構成多層膜之各層根據其積層次序形成於透明基體之主面。
作為用以成膜介電體多層膜之濺鍍法，例如可例舉：活用DC(Direct Current，直流)濺鍍、DC脈衝濺鍍、AC(Alternating Current，交流)濺鍍等之反應性濺鍍、或數位濺鍍等方法。
例如，反應性濺鍍法為如下方法：當氣體離子原子碰撞於介電體材料或金屬材料之表面，被擊出之濺射原子堆積時，與氬氣等稀有氣體中任意含有之氧氣、二氧化碳、或氮氣等反應性氣體發生反應，從而形成作為氧化物或氮化物之介電體之連續膜。
例如，數位濺鍍法係如下方法：與上述直接形成介電體之反應性濺鍍不同，首先，藉由濺鍍形成金屬之超薄膜，然後於同一腔室內反覆進行藉由照射氧電漿、氧離子、或氧自由基來進行氧化之步驟，從而形成金屬氧化物之薄膜。於此情形時，由於成膜分子附膜於基板時為金屬，故而推測與以金屬氧化物進行附膜之情形相比更具延展性。因此，認為即便為相同能量，亦容易發生成膜分子之重新配置，結果形成緻密且平滑之膜。
氧化矽層或金屬氧化物層之成膜方法亦並無特別限定，可藉由上述方法等成膜，作為調整各層之氧化度之方法，例如可例舉：於數位濺鍍法之情形時，調整氧化時氧氣之流量或施加於氧氣之電力之強度。
又，基於抑制於高溫環境下及高溫高濕環境下因外部氧氣或水蒸氣之透過而導致之透過率變化之觀點考慮，多層膜中各層之密度較佳為大於一定程度。調整各層密度之方法並無特別限定，例如可例舉：於數位濺鍍法之情形時，調整成膜時之壓力。進一步具體而言，於數位濺鍍法之情形時，成膜氧化矽層時之壓力例如較佳為0.05～1.0 Pa，成膜金屬氧化物層時之壓力例如較佳為0.05～1.0 Pa。
再者，於本實施方式之附有多層膜之透明基體中，多層膜可設置於透明基體之至少一個主面，亦可視需要設為設置於透明基體之兩個主面之構成。
(防污膜) 基於保護膜最表面之觀點考慮，本實施方式之附有多層膜之透明基體亦可於上述多層膜上進而具有防污膜(亦稱為「AFP(Anti Finger Print，抗指紋)膜」)。防污膜例如可含有含氟之有機矽化合物。含氟之有機矽化合物並無特別限定，只要可賦予防污性、撥水性、撥油性即可，例如可例舉具有選自由全氟聚醚基、全氟伸烷基、及全氟烷基所組成之群中之一種以上基之含氟之有機矽化合物。再者，全氟聚醚基係指具有全氟伸烷基與醚性氧原子交替鍵結而成之結構之二價基。
又，作為市售之具有選自由全氟聚醚基、全氟伸烷基、及全氟烷基所組成之群中之一種以上基之含氟之有機矽化合物，可較佳地使用KP-801(商品名，信越化學工業股份有限公司製造)、KY-178(商品名，信越化學工業股份有限公司製造)、KY-130(商品名，信越化學工業股份有限公司製造)、KY-185(商品名，信越化學工業股份有限公司製造)、OPTOOL(註冊商標) DSX及OPTOOL AES(均為商品名，大金工業股份有限公司製造)等。
防污膜較佳為積層於作為抗反射膜之上述多層膜上。於在玻璃基板或樹脂基板之兩個主面上成膜多層膜之情形時，亦可於兩者之多層膜上成膜防污膜，但亦可為僅於任一面積層防污膜之構成。其原因在於，防污膜設置於人手等可能會接觸之地方即可，可根據其用途等進行選擇。
本實施方式之附有多層膜之透明基體適合作為圖像顯示裝置之覆蓋玻璃，尤其是如搭載於車輛等之導航系統之圖像顯示裝置一類的搭載於車輛等之圖像顯示裝置之覆蓋玻璃。即，本發明亦係關於一種具備上述附有多層膜之透明基體之圖像顯示裝置。於本實施方式之圖像顯示裝置中，附有多層膜之透明基體之較佳態樣與上述相同。 [實施例]
以下，列舉實施例對本發明進行具體說明，但本發明並不限定於該等。例2～5及例10～12為實施例，例1及例6～9為比較例。
於以下方法中，於透明基體之一主面形成多層膜，製作附有多層膜之透明基體。作為透明基體，使用厚度為40 μm之三乙醯纖維素樹脂膜(以下稱為TAC膜)。
於各例中，金屬氧化物層係以如下方法成膜。藉由數位濺鍍法，使用將鈮與鉬以重量比計為60：40之比率混合並燒結而得到之靶，快速地重複用氬氣成膜具有微小膜厚之金屬膜並於其後立即用氧氣使其氧化，藉此成膜MoNbO y層作為金屬氧化物層。
於各例中，氧化矽層係以如下方法成膜。藉由數位濺鍍法，使用矽靶，快速地重複用氬氣進行矽膜成膜及於其後立即用氧氣使其氧化，藉此成膜氧化矽膜，從而成膜包含氧化矽[二氧化矽(SiO x)]之氧化矽層。
(例1) 於實施了防眩處理之透明基體之一主面依次成膜以下所示之介電層(1)～(4)作為多層膜。 介電層(1)：金屬氧化物層(MoNbO y層，9 nm) 介電層(2)：氧化矽層(SiO x層，36 nm) 介電層(3)：金屬氧化物層(MoNbO y層，105 nm) 介電層(4)：氧化矽層(SiO x層，80 nm) 此處，於成膜金屬氧化物層時施加於靶之放電功率(表1中之「DC」)為3.4 kW，氬氣之流量(Ar)為300 sccm，氧氣之流量(O 2)為1200 sccm，ECR(Electron Cyclotron Resonator，電子回旋共振器)之放電功率為900 W。此時，壓力為0.36 Pa。於成膜氧化矽層時施加於靶之放電功率為6.0 kW，氬氣之流量(Ar)為100 sccm，氧氣之流量(O 2)為900 sccm，ECR之放電功率為1400 W。此時，壓力為0.12 Pa。
其次，藉由下述方法於介電層(4)上形成4 nm之防污膜(AFP)，獲得附有多層膜之透明基體。 向金屬製坩堝(蒸發源)投入KY-185(商品名，信越化學工業股份有限公司製造)作為含氟之有機矽化合物，於230℃～350℃下使其加熱蒸發。使蒸發之粒子蒸發擴散至設置有基板之真空狀態之腔室，而附著於基板表面。一面藉由利用晶體振子之控制進行蒸鍍速率之監測，一面形成厚度為4 nm之防污膜。
(例2～9) 除了如表1所記載設置金屬氧化物層(MoNbO y層)及氧化矽層(SiO x層)之成膜條件以外，以與例1同樣之方式成膜介電層(1)～(4)作為多層膜。其次，於其上成膜4 nm與上述相同之防污膜，從而獲得附有多層膜之透明基體。
(例10) 除了如表1所記載變更金屬氧化物層及氧化矽層之成膜條件以外，以與例1同樣之方式成膜介電層(1)～(4)及防污膜，從而獲得附有多層膜之透明基體。其中，介電層(2)之成膜條件為表1之「SiO x」列、「例10」行中上一排之條件，介電層(4)之成膜條件為表1之「SiO x」列、「例10」行中下一排之條件。即，於例10中，依次成膜如下所示之介電層(1)～(4)作為多層膜。其次，於其上成膜4 nm與上述相同之防污膜，從而獲得附有多層膜之透明基體。 介電層(1)：金屬氧化物層(MoNbO y層，9 nm) 介電層(2)：氧化矽層(SiO x1層，36 nm，成膜條件為上一排) 介電層(3)：金屬氧化物層(MoNbO y層，105 nm) 介電層(4)：氧化矽層(SiO x2層，80 nm，成膜條件為下一排)
(例11) 除了如表1所記載變更金屬氧化物層及氧化矽層之成膜條件以外，以與例1同樣之方式形成介電層(1)～(3)。其中，介電層(2)之成膜條件為表1之「SiO x」列、「例11」行中上一排之條件。其次，於表1之「SiO x」列、「例11」行中上一排之條件下成膜40 nm氧化矽層作為介電層(4-1)，其次，於下一排之條件下成膜40 nm氧化矽層作為介電層(4-2)。即，於例11中，依次成膜如下所示之介電層(1)、(2)、(3)、(4-1)、及(4-2)作為多層膜。其次，於其上成膜4 nm與上述相同之防污膜，從而獲得附有多層膜之透明基體。 介電層(1)：金屬氧化物層(MoNbO y層，9 nm) 介電層(2)：氧化矽層(SiO x1層，36 nm，成膜條件為上一排) 介電層(3)：金屬氧化物層(MoNbO y層，105 nm) 介電層(4-1)：氧化矽層(SiO x1層，40 nm，成膜條件為上一排) 介電層(4-2)：氧化矽層(SiO x2層，40 nm，成膜條件為下一排)
(例12) 除了如表1所記載變更金屬氧化物層及氧化矽層之成膜條件以外，以與例1同樣之方式形成介電層(1)、(2)。其中，介電層(1)係於表1之「MoNbO y」列、「例12」行中上一排之條件下形成。其次，除了設為表1之「MoNbO y」列、「例12」行之中間一排之條件以外，以與上述相同之方法成膜10 nm金屬氧化物層作為介電層(3'-1)，然後於下一排之條件下成膜85 nm金屬氧化物層作為介電層(3)，於其上再次於中間一排之條件下形成10 nm金屬氧化物層作為介電層(3'-2)，於表1所記載之成膜條件下成膜80 nm氧化矽層作為介電層(4)。即，於例12中，依次成膜如下所示之介電層(1)、(2)、(3'-1)、(3)、(3'-2)、及(4)作為多層膜。其次，於其上成膜4 nm與上述相同之防污膜，從而獲得附有多層膜之透明基體。 介電層(1)：金屬氧化物層(MoNbO y1層，9 nm，成膜條件為上一排) 介電層(2)：氧化矽層(SiO x層，36 nm) 介電層(3'-1)：金屬氧化物層(MoNbO y2層，10 nm，成膜條件為中間一排) 介電層(3)：金屬氧化物層(MoNbO y3層，85 nm，成膜條件為下一排) 介電層(3'-2)：金屬氧化物層(MoNbO y2層，10 nm，成膜條件為中間一排) 介電層(4)：氧化矽層(SiO x層，80 nm)
(光學常數) 在與成膜構成各例之多層膜之各介電層時同樣之各成膜條件下，於玻璃基板上製作膜厚為300 nm以上之氧化矽層或金屬氧化物層之單膜(僅由一層構成之膜)，進行分光測定。根據所獲得之分光光譜算出光學常數。將於波長550 nm下之折射率n與於波長550 nm下之消光係數k分別示於表1作為各例之金屬氧化物層(MoNbO y層)之光學常數。又，將波長550 nm下之折射率n示於表1作為各例之氧化矽層(SiO x層)之光學常數。再者，氧化矽層於波長550 nm下之消光係數k於任一例中均幾乎為0。
(耐濕熱性試驗) 使用所獲得之附有多層膜之透明基體，藉由分光光度計(島津製作所股份有限公司製造，商品名：SolidSpec-3700)，針對投入至溫度為85℃、濕度為85%RH之可靠性試驗槽前之附有多層膜之透明基體、及投入後經過500小時之附有多層膜之透明基體分別測定分光透過率，藉由計算求出視感透過率(於JIS Z 8701：1999中規定之刺激值Y)，根據投入前之視感透過率與經過500小時後之視感透過率求出視感透過率變化量ΔTv。於ΔTv之絕對值為2.0以下之情形時評價為「可」，於大於2.0之情形時評價為「不可」。
(耐熱性試驗) 使用所獲得之附有多層膜之透明基體，藉由分光光度計(島津製作所股份有限公司製造，商品名：SolidSpec-3700)，針對投入至溫度為95℃之可靠性試驗槽前之附有多層膜之透明基體、及投入後經過500小時之附有多層膜之透明基體分別測定分光透過率，藉由計算求出視感透過率(於JIS Z 8701：1999中規定之刺激值Y)，根據投入前之視感透過率及經過500小時後之視感透過率求出視感透過率變化量ΔTv。於ΔTv之絕對值為2.0以下之情形時評價為「可」，於大於2.0之情形時評價為「不可」。 又，於表1之「判定」一列中，將耐濕熱性試驗與耐熱性試驗兩者均可之例評價為「可」，於任一者或兩者均不可之情形時評價為「不可」。
[表1]
表1
   構成 MoNbO y SiO x 85℃ 85%RH_500 h ΔTv≦2.0 95℃_500 h ΔTv≦2.0 判定
DC (kW) Ar (sccm) O 2(sccm) ECR (W) 光學常數@550 nm DC (kW) Ar (sccm) O 2(sccm) ECR (W) 光學常數@550 nm
例1 TAC/MoNbO y/SiO x/MoNbO y/SiO x/AFP 3.4 300 1200 900 n 2.276 k 0.022 6.0 100 900 1400 1.458 可 -0.6 不可 +2.2 不可
例2 TAC/MoNbO y/SiO x/MoNbO y/SiO x/AFP 3.4 300 1200 900 n 2.276 k 0.022 6.0 100 900 800 1.476 可 -0.5 可 +1.9 可
例3 TAC/MoNbO y/SiO x/MoNbO y/SiO x/AFP 3.4 300 1200 900 n 2.276 k 0.022 6.0 100 600 1400 1.464 可 -0.7 可 -0.1 可
例4 TAC/MoNbO y/SiO x/MoNbO y/SiO x/AFP 3.4 300 1200 900 n 2.276 k 0.022 6.0 100 600 800 1.465 可 -1.4 可 +0.9 可
例5 TAC/MoNbO y/SiO x/MoNbO y/SiO x/AFP 3.4 300 1200 900 n 2.276 k 0.022 6.0 100 350 800 1.474 可 -1.9 可 -1.5 可
例6 TAC/MoNbO y/SiO x/MoNbO y/SiO x/AFP 3.4 300 1200 900 n 2.276 k 0.022 6.0 100 200 800 1.479 不可 -2.1 可 -1.6 不可
例7 TAC/MoNbO y/SiO x/MoNbO y/SiO x/AFP 3.4 300 1200 900 n 2.276 k 0.022 6.0 100 200 500 1.486 不可 -2.5 可 -1.8 不可
例8 TAC/MoNbO y/SiO x/MoNbO y/SiO x/AFP 3.4 120 810 900 n 2.277 k 0.021 6.0 100 500 200 1.479 不可 -2.7 不可 -2.1 不可
例9 TAC/MoNbO y/SiO x/MoNbO y/SiO x/AFP 3.4 120 1200 900 n 2.276 k 0.022 6.0 300 150 200 1.481 不可 -2.0 不可 +2.9 不可
例10 TAC/MoNbO y/SiO x1(n1.476)/MoNbO y/SiO x2(n1.479)/AFP 3.4 120 810 900 n 2.277 k 0.021 6.0 100 900 800 1.476 可 -2.0 可 -1.0 可
6.0 150 500 200 1.479
例11 TAC/MoNbD y/SiO x1(n1.476)/MoNbOy/ SiO x1(n1.476_40 nm)/SiO x2(n1.479_40 nm)/AFP 3.4 120 810 900 n 2.277 k 0.021 6.0 100 900 800 1.476 可 -0.8 可 -0.7 可
6.0 150 500 200 1.479
例12 TAC/MoNbO y1(k0.022)/SiO x(n1.479)/ MoNbO y2(k0.000_10 nm)/MoNbO y3(k0.029)/MoNbO y2(k0.000_10 nm)/SiO x(n1.479)/AFP 3.4 120 1200 900 n 2.276 k 0.022 6.0 150 500 200 1.479 可 -2.0 可 -1.3 可
3.4 120 810 1200 n 2.273 k 0.000
3.4 120 780 900 n 2.278 k 0.029
如表1所示，關於實施例之例2～5、例10～12之附有多層膜之透明基體，於耐熱性試驗及耐濕熱性試驗前後之透過率變化相對較小，於高溫環境下及高溫高濕環境下之透過率變化之抑制較為優異。
雖然已參考特定實施方式對本發明進行了詳細說明，但對於本領域技術人員而言，顯然可於不脫離本發明之精神及範圍之情況下進行各種變更與修改。本申請基於2021年2月26日提出申請之日本專利申請(日本專利特願2021-030879)，其內容以參照之形式併入至本文。
10:透明基體 20:附有多層膜之透明基體 30:多層膜 32:介電層 33:介電層 34:介電層
圖1係模式性地表示第1態樣之附有多層膜之透明基體之一構成例的剖視圖。 圖2係模式性地表示第2態樣之附有多層膜之透明基體之一構成例的剖視圖。
10:透明基體
20:附有多層膜之透明基體
30:多層膜
32:介電層
34:介電層

Claims (10)

  1. 一種附有多層膜之透明基體，其於具有兩個主面之透明基體之至少一個主面上，具備積層至少兩層以上折射率互不相同之層而成的多層膜， 上述多層膜包含氧化矽層，且 上述氧化矽層中之至少一層於波長550 nm下之折射率為1.460≦n＜1.478。
  2. 如請求項1之附有多層膜之透明基體，其中上述多層膜進而包含金屬氧化物層， 上述金屬氧化物層主要包含選自由Mo及W所組成之A群中之至少一種之氧化物與選自由Si、Nb、Ti、Zr、Ta、Al、Sn、及In所組成之B群中之至少一種之氧化物的混合氧化物，且 上述金屬氧化物層中，相對於上述混合氧化物所含之A群之元素與上述混合氧化物所含之B群之元素的合計，上述混合氧化物所含之B群之元素之含有率未達80質量%。
  3. 一種附有多層膜之透明基體，其於具有兩個主面之透明基體之至少一個主面上，具備積層至少兩層以上折射率互不相同之層而成的多層膜， 於將主要包含Mo及Nb之混合氧化物且於波長550 nm下之消光係數k大於0.004之層設為第1金屬氧化物層， 將主要包含Mo及Nb之混合氧化物且於波長550 nm下之消光係數k為0.004以下之層設為第2金屬氧化物層時， 上述多層膜包含上述第1金屬氧化物層， 上述第1金屬氧化物層中之至少一層以被兩個上述第2金屬氧化物層夾住之方式積層，且 夾住上述第1金屬氧化物層之上述第2金屬氧化物層之膜厚分別為8 nm以上。
  4. 如請求項3之附有多層膜之透明基體，其中上述多層膜進而包含氧化矽層，且 相對於上述第1金屬氧化物層所含之、包含Mo及W之A群之元素與包含Si、Nb、Ti、Zr、Ta、Al、Sn、及In之B群之元素的合計，B群之元素之含有率分別未達80質量%。
  5. 如請求項1至4中任一項之附有多層膜之透明基體，其於上述多層膜上進而具有防污膜。
  6. 如請求項1至5中任一項之附有多層膜之透明基體，其中上述透明基體為玻璃基板或樹脂基板。
  7. 如請求項1至5中任一項之附有多層膜之透明基體，其中上述透明基體為包含玻璃及樹脂基板之積層體。
  8. 如請求項6或7之附有多層膜之透明基體，其中上述玻璃經化學強化。
  9. 如請求項1至8中任一項之附有多層膜之透明基體，其中於上述透明基體中，對具有上述多層膜一側之主面實施有防眩處理。
  10. 一種圖像顯示裝置，其具備如請求項1至9中任一項之附有多層膜之透明基體。
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