TW202233789A - 膜狀接著劑及其製造方法、切割晶粒接合一體型膜以及半導體裝置及其製造方法 - Google Patents

膜狀接著劑及其製造方法、切割晶粒接合一體型膜以及半導體裝置及其製造方法 Download PDF

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Abstract

揭示一種膜狀接著劑。該膜狀接著劑含有金屬粒子、熱固性樹脂、固化劑及彈性體。金屬粒子的平均粒徑（D 50）為1.0～2.5μm。又，揭示一種該膜狀接著劑之製造方法。該膜狀接著劑之製造方法包括：將含有金屬粒子、熱固性樹脂、固化劑、彈性體及有機溶劑之原料清漆在50℃以上的混合溫度下進行混合來製備接著劑清漆之步驟；及使用接著劑清漆形成膜狀接著劑之步驟。

Description

膜狀接著劑及其製造方法、切割晶粒接合一體型膜以及半導體裝置及其製造方法
本揭示係有關一種膜狀接著劑及其製造方法、切割晶粒接合（dicing/die-bonding）一體型膜以及半導體裝置及其製造方法。
以往，半導體裝置經過以下步驟而製造。首先，在切割用黏著片上貼附半導體晶圓，在該狀態下將半導體晶圓單片化為半導體晶片（切割步驟）。然後，實施拾取步驟、壓接步驟及晶粒接合步驟等。在專利文獻1中揭示了一種黏接著膜（切割晶粒接合一體型膜），其兼具在切割步驟中固定半導體晶圓之功能和在晶粒接合步驟中使半導體晶片與基板接著之功能。在切割步驟中，藉由將半導體晶圓及接著劑層單片化，能夠得到附有接著劑片之半導體晶片。
近年來，已普及進行電力的控制等之稱為功率半導體裝置之裝置。功率半導體裝置容易因所供給之電流而產生熱，要求優異的散熱性。在專利文獻2中揭示了一種膜狀接著劑，其固化後的散熱性比固化前的散熱性高。
[專利文獻1]日本特開2008-218571號公報 [專利文獻2]日本特開2016-103524號公報
伴隨半導體裝置的小型化，膜狀接著劑中要求具有優異的散熱性，並且薄膜化（例如30μm以下）。然而，以往的膜狀接著劑不能達到高水平的散熱性和薄膜形成性，而仍有改善的空間。
因此，本揭示的主要目的為，提供一種膜狀接著劑，其能夠製造散熱性優異的半導體裝置，並且能夠薄膜化。
本揭示的發明人等為了解決上述課題，著眼於金屬粒子的平均粒徑（D 50）而進行了深入研究，結果發現，藉由在膜狀接著劑中使用具有規定的平均粒徑（D 50）之金屬粒子，提高散熱性，並且能夠薄膜化，從而完成了本揭示的發明。
本揭示的一方面係有關一種膜狀接著劑。該膜狀接著劑含有金屬粒子、熱固性樹脂、固化劑及彈性體。金屬粒子的平均粒徑（D 50）為1.0～2.5μm。依據本揭示的膜狀接著劑，提供一種能夠製造散熱性優異的半導體裝置，並且能夠薄膜化的膜狀接著劑。
在膜狀接著劑的一態樣中，以金屬粒子、熱固性樹脂、固化劑及彈性體的合計量為基準，金屬粒子的含量為74.0質量%以上。在膜狀接著劑的另一態樣中，以金屬粒子、熱固性樹脂、固化劑及彈性體的合計量為基準，金屬粒子的含量為24.0體積%以上。以金屬粒子、熱固性樹脂、固化劑及彈性體的合計量為基準，熱固性樹脂及固化劑的合計含量可以為13.0質量%以上。
膜狀接著劑的厚度可以為5～30μm。
在膜狀接著劑中，在170℃下熱固化3小時後的導熱率（25℃±1℃）可以為2.0W/m·K以上。
本揭示的另一方面係有關一種上述的膜狀接著劑之製造方法。該膜狀接著劑之製造方法包括：將含有金屬粒子、熱固性樹脂、固化劑、彈性體及有機溶劑之原料清漆在50℃以上的混合溫度下進行混合來製備接著劑清漆之步驟；及使用接著劑清漆形成膜狀接著劑之步驟。
本揭示的另一方面係有關一種切割晶粒接合一體型膜。該切割晶粒接合一體型膜依序具備基材層、黏著劑層及由上述膜狀接著劑形成之接著劑層。
本揭示的另一方面係有關一種半導體裝置。該半導體裝置具備：半導體晶片；支撐構件，搭載半導體晶片；及接著構件，設置於半導體晶片與支撐構件之間，接著半導體晶片與支撐構件。接著構件為上述膜狀接著劑的固化物。
本揭示的另一方面係有關一種半導體裝置之製造方法。該半導體裝置之製造方法包括：在上述切割晶粒接合一體型膜的接著劑層上貼附半導體晶圓之步驟；藉由切割貼附有接著劑層之半導體晶圓，製作複數個單片化之附有接著劑片之半導體晶片之步驟；及將附有接著劑片之半導體晶片經由接著劑片接著於支撐構件之步驟。 [發明效果]
依據本揭示，提供一種膜狀接著劑，其能夠製造散熱性優異的半導體裝置，並且能夠薄膜化。又，依據本揭示，提供一種使用這樣的膜狀接著劑之切割晶粒接合一體型膜。進而，依據本揭示，提供一種使用這樣的膜狀接著劑或切割晶粒接合一體型膜之半導體裝置及其製造方法。
以下，適當參閱圖式對本揭示的實施形態進行說明。然而，本揭示並不限定於以下的實施形態。在以下的實施形態中，除了特別明示之情況以外，其構成要素（亦包括步驟等）不是必須的。各圖中的構成要素的大小為概念性的大小，構成要素之間的大小的相對關係並不限定於各圖所示之關係。
在本說明書中，使用“～”表示之數值範圍表示將記載於“～”前後之數值分別作為最小值及最大值包含之範圍。在本說明書中階段性地記載之數值範圍內，某一階段的數值範圍的上限值或下限值亦可以替換成其他階段的數值範圍的上限值或下限值。又，在本說明書中記載之數值範圍內，該數值範圍的上限值或下限值亦可以替換成實施例中所示之值。又，個別地記載之上限值及下限值能夠任意地進行組合。又，在本說明書中，“（甲基）丙烯酸酯”係指丙烯酸酯及與其對應之甲基丙烯酸酯中的至少一者。在“（甲基）丙烯醯基”等其他類似的表述中亦相同。又，“（聚）”係指有“聚”的前綴的情況和沒有的情況兩者。又，“A或B”只要包含A及B中的任一者即可，亦可以包含兩者。又，只要沒有特別說明，以下例示之材料可以單獨使用一種，亦可以組合兩種以上來使用。組成物中的各成分的含量在組成物中存在複數個符合各成分之物質之情況下，只要沒有特別說明，係指組成物中存在之該複數個物質的合計量。
[膜狀接著劑及其製造方法] 圖1係表示膜狀接著劑的一實施形態之示意剖面圖。圖1所示之膜狀接著劑10A具有熱固性，經過半固化（B階段）狀態，在固化處理後成為（完全）固化（C階段）狀態。如圖1所示，膜狀接著劑10A亦可以設置於支撐膜20上。膜狀接著劑10A可以為用於半導體晶片與支撐構件的接著或半導體晶片彼此的接著之晶粒接合膜。
作為支撐膜20，沒有特別限制，例如可舉出聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯亞胺等膜等。支撐膜亦可以實施脫模處理。支撐膜20的厚度例如可以為10～200μm或20～170μm。
膜狀接著劑10A含有金屬粒子（以下，有時稱為“（A）成分”。）、熱固性樹脂（以下，有時稱為“（B）成分”。）、固化劑（以下，有時稱為“（C）成分”。）及彈性體（以下，有時稱為“（D）成分”。）。膜狀接著劑10A還可以含有偶合劑（以下，有時稱為“（E）成分”。）、固化促進劑（以下，有時稱為“（F）成分”。）等。
（A）成分：金屬粒子 作為（A）成分的金屬粒子為用於在將膜狀接著劑適用於半導體裝置時提高散熱性的成分。
（A）成分例如可以為含有選自由銀、銅、金、鋁、鎂、鎢、鉬、鋅、鎳、鐵、鉑、錫、鉛和鈦組成的組中的至少一種的金屬之金屬粒子，亦可以為含有選自由銀、銅及金組成的組中的至少一種的金屬之金屬粒子。（A）成分可以為由一種金屬構成之金屬粒子，亦可以為由兩種以上的金屬構成之金屬粒子。由兩種以上的金屬構成之金屬粒子亦可以為用與該金屬粒子不同的金屬被覆金屬粒子的表面而成之金屬被覆金屬粒子。
（A）成分例如可以為由導電性高的金屬（例如導電率（0℃）為40×10 6S/m以上之金屬或導熱率（20℃）為250W/m·K以上之金屬）構成之導電性粒子。藉由使用這樣的（A）成分，能夠進一步提高散熱性。
作為導電率（0℃）為40×10 6S/m以上之金屬，例如可舉出金（49×10 6S/m）、銀（67×10 6S/m）、銅（65×10 6S/m）等。導電率（0℃）亦可以為45×10 6S/m以上或50×10 6S/m以上。亦即，（A）成分為由銀及/或銅構成之導電性粒子為較佳。
作為導熱率（20℃）為250W/m·K以上之金屬，例如可舉出金（295W/m·K）、銀（418W/m·K）、銅（372W/m·K）等。導熱率（20℃）亦可以為300W/m·K以上或350W/m·K以上。亦即，（A）成分為由銀及/或銅構成之導電性粒子為較佳。
從導電率及導熱率優異，且不易被氧化之觀點而言，（A）成分可以為銀粒子。銀粒子例如亦可以為由銀構成之粒子（由銀單獨構成之粒子、銀粒子）或用銀被覆金屬粒子（銅粒子等）的表面而成之銀被覆金屬粒子。作為銀被覆金屬粒子，例如可舉出銀被覆銅粒子等。（A）成分可以為由銀構成之粒子。
銀粒子沒有特別限制，例如可舉出藉由還原法製造之銀粒子（藉由使用還原劑之液相（濕式）還原法製造之銀粒子）、藉由霧化法製造之銀粒子等。作為（A）成分的銀粒子可以為藉由還原法製造之銀粒子。
在使用還原劑之液相（濕式）還原法中，從粒徑控制、防止凝集·熔接的觀點而言，通常添加有表面處理劑（潤滑劑），藉由使用還原劑之液相（濕式）還原法製造之銀粒子的表面被表面處理劑（潤滑劑）被覆。因此，藉由還原法製造之銀粒子亦能夠稱為用表面處理劑進行表面處理之銀粒子。表面處理劑可舉出油酸（熔點：13.4℃）、肉豆蔻酸（熔點：54.4℃）、棕櫚酸（熔點：62.9℃）、硬脂酸（熔點：69.9℃）等脂肪酸化合物；油酸醯胺（熔點：76℃）、硬脂酸醯胺（熔點：100℃）等脂肪酸醯胺化合物；戊醇（熔點：-78℃）、己醇（熔點：-51.6℃）、油醇（熔點：16℃）、硬脂醇（熔點：59.4℃）等脂肪族醇化合物；齊墩果腈（熔點：-1℃）等脂肪族腈化合物等。表面處理劑可以為熔點低（例如，熔點100℃以下），且在有機溶劑中的溶解性高的表面處理劑。
（A）成分的形狀沒有特別限制，例如可以為片狀、樹脂狀、球狀等，亦可以為球狀。當（A）成分的形狀為球狀時，膜狀接著劑的表面粗糙度（Ra）具有容易改善之傾向。
（A）成分的平均粒徑為1.0～2.5μm。當（A）成分的平均粒徑為1.0μm以上時，具有發揮以下效果之傾向，即能夠防止製作接著劑清漆時的黏度上升，能夠使膜狀接著劑含有所期望的量的（A）成分，能夠確保膜狀接著劑對被接著體的潤濕性而發揮更良好的接著性等。當（A）成分的平均粒徑為2.5μm以下時，膜成形性更優異，藉由添加（A）成分能夠進一步提高散熱性。又，藉由（A）成分的平均粒徑為2.5μm以下，能夠使膜狀接著劑的厚度更薄，進而能夠使半導體晶片高積層化，並且能夠進一步防止因（A）成分從膜狀接著劑突出而導致半導體晶片產生裂紋。（A）成分的平均粒徑可以為1.1μm以上或1.2μm以上，亦可以為2.2μm以下、2.0μm以下、1.9μm以下、1.8μm以下、1.7μm以下或1.6μm以下。
在本說明書中，（A）成分的平均粒徑係指相對於（A）成分整體的體積的比率（體積分率）為50%時的粒徑（雷射50%粒徑（D 50））。平均粒徑（D 50）能夠藉由使用雷射散射型粒徑測量裝置（例如，麥奇克（Microtrac）），利用雷射散射法測量使（A）成分懸浮在水中之懸浮液來求出。
以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（A）成分的含量可以為74.0質量%以上，亦可以為74.5質量%以上、75.0質量%以上、75.5質量%以上或76.0質量%以上。當以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（A）成分的含量為74.0質量%以上時，能夠提高膜狀接著劑的導熱率，進一步提高半導體裝置的散熱性。以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（A）成分的含量例如可以為85.0質量%以下、84.0質量%以下、83.0質量%以下、82.0質量%以下、81.0質量%以下或80.0質量%以下。當以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（A）成分的含量為85.0質量%以下時，能夠使膜狀接著劑更充分地含有其他成分。藉此，能夠確保膜狀接著劑對被接著體的潤濕性而發揮更良好的接著性。
以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（A）成分的含量可以為24.0體積%以上，亦可以為24.5體積%以上、25.0體積%以上、25.5體積%以上或26.0體積%以上。當以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（A）成分的含量為24.0體積%以上時，能夠提高膜狀接著劑的導熱率，進一步提高半導體裝置的散熱性。以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（A）成分的含量例如可以為33.0體積%以下、31.0體積%以下、30.0體積%以下、29.0體積%以下或28.0體積%以下。當以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（A）成分的含量為33.0體積%以下時，能夠使膜狀接著劑更充分地含有其他成分。藉此，能夠確保膜狀接著劑對被接著體的潤濕性而發揮更良好的接著性。
（A）成分的含量（體積%）例如在將膜狀接著劑的密度設為x（g/cm 3），將（A）成分的密度設為y（g/cm 3），將膜狀接著劑中的（A）成分的質量比例設為z（質量%）時，能夠由下述式（I）計算。另外，膜狀接著劑中的（A）成分的質量比例例如能夠藉由使用熱重示差熱分析裝置（TG-DTA）進行熱重分析來求出。又，膜狀接著劑及（A）成分的密度能夠藉由使用比重計測量質量和比重來求出。 （A）成分的含量（體積%）=（x/y）×z（I） TG-DTA的測量條件：溫度範圍30～600℃（升溫速度30℃/分鐘），在600℃下維持20分鐘 Air流量：300mL/分鐘 熱重示差熱分析裝置：Seiko Instruments Inc.製造，TG/DTA220 比重計：ALFA MIRAGE CO.,LTD.製造，EW-300SG
（B）成分：熱固性樹脂 （B）成分為具有藉由加熱等在分子之間形成三維鍵而固化之性質之成分，且為在固化後顯示接著作用之成分。（B）成分可以為環氧樹脂。環氧樹脂只要係在分子內具有環氧基之樹脂，則能夠並無特別限制地使用。環氧樹脂可以在分子內具有兩個以上的環氧基。
作為環氧樹脂，例如可舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚F酚醛清漆型環氧樹脂、茋型環氧樹脂、三𠯤骨架含有環氧樹脂、茀骨架含有環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、伸茬基（xylylene）型環氧樹脂、聯苯芳烷基（biphenyl aralkyl）型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、多官能酚類、蒽等多環芳香族類的二環氧丙基醚化合物等。
環氧樹脂亦可以含有軟化點為90℃以下之環氧樹脂。藉由含有軟化點為90℃以下之環氧樹脂，環氧樹脂在高溫時充分地液狀化，因此具有進一步提高膜狀接著劑的埋入性之傾向。
在本說明書中，軟化點係指按照JIS K7234，藉由還原法測量之值。
環氧樹脂亦可以含有在25℃為液狀的環氧樹脂。作為環氧樹脂，藉由含有這樣的環氧樹脂，具有容易改善膜狀接著劑的表面粗糙度（Ra）之傾向。作為在25℃為液狀的環氧樹脂的市售品，例如可舉出EXA-830CRP（商品名，DIC Corporation製造）、YDF-8170C（商品名，NIPPON STEEL Chemical & Material Co., Ltd.）等。
環氧樹脂的環氧當量沒有特別限制，可以為90～300g/eq或110～290g/eq。當環氧樹脂的環氧當量在這樣的範圍內時，具有容易維持膜狀接著劑的體積強度，並且確保形成膜狀接著劑時的接著劑清漆的流動性之傾向。
以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（B）成分的含量可以為1.0質量%以上、3.0質量%以上、5.0質量%以上或7.0質量%以上，且可以為15.0質量%以下、14.0質量%以下、13.0質量%以下、12.0質量%以下或11.0質量%以下。
（C）成分：固化劑 （C）成分為作為（B）成分的固化劑發揮作用之成分。在（B）成分為環氧樹脂之情況下，（C）成分可以為環氧樹脂固化劑。作為（C）成分，例如可舉出酚醛樹脂（酚系固化劑）、酸酐系固化劑、胺系固化劑、咪唑系固化劑、膦系固化劑、偶氮化合物、有機過氧化物等。在（B）成分為環氧樹脂之情況下，從操作性、保存穩定性及固化性的觀點而言，（C）成分可以為酚醛樹脂。
酚醛樹脂只要係在分子內具有酚性羥基者，則能夠並無特別限制地使用。作為酚醛樹脂，例如可舉出將苯酚、甲酚、間苯二酚、鄰苯二酚、雙酚A、雙酚F、苯基苯酚、胺基苯酚等酚類及/或α-萘酚、β-萘酚、二羥基萘等萘酚類與甲醛等具有醛基之化合物在酸性觸媒下進行縮合或共縮合而得到之酚醛清漆型酚醛樹脂、由烯丙基化雙酚A、烯丙基化雙酚F、烯丙基化萘二醇、苯酚酚醛清漆、苯酚等酚類及/或萘酚類與二甲氧基對二甲苯或雙（甲氧基甲基）聯苯合成之苯酚芳烷基樹脂、萘酚芳烷基樹脂、聯苯芳烷基型酚醛樹脂、苯基芳烷基型酚醛樹脂等。
酚醛樹脂亦可以含有軟化點為90℃以下之酚醛樹脂。藉由含有軟化點為90℃以下之酚醛樹脂，酚醛樹脂在高溫時充分地液狀化，因此具有進一步提高膜狀接著劑的埋入性之傾向。
酚醛樹脂的羥基當量可以為40～300g/eq、70～290g/eq或100～280g/eq。當酚醛樹脂的羥基當量為40g/eq以上時，具有膜狀接著劑的儲存彈性模數進一步提高之傾向，當其為300g/eq以下時，能夠防止由發泡、釋氣等的產生引起之不良情況。
從固化性的觀點而言，作為（B）成分之環氧樹脂的環氧當量與作為（C）成分之酚醛樹脂的羥基當量之比（作為（B）成分之環氧樹脂的環氧當量/作為（C）成分之酚醛樹脂的羥基當量）可以為0.30/0.70～0.70/0.30、0.35/0.65～0.65/0.35、0.40/0.60～0.60/0.40或0.45/0.55～0.55/0.45。當該當量比為0.30/0.70以上時，具有得到更充分的固化性之傾向。當該當量比為0.70/0.30以下時，能夠防止黏度變得過高，能夠得到更充分的流動性。
以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（C）成分的含量可以為1.0質量%以上、2.0質量%以上、3.0質量%以上、4.0質量%以上或5.0質量%以上，且可以為15.0質量%以下、14.0質量%以下、13.0質量%以下、12.0質量%以下、11.0質量%以下、10.0質量%以下或9.0質量%以下。
以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（B）成分及（C）成分的合計含量可以為13.0質量%以上。當以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（B）成分及（C）成分的合計含量為13.0質量%以上時，能夠確保膜狀接著劑對被接著體的潤濕性而發揮更良好的接著性。以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（B）成分及（C）成分的合計含量亦可以為13.2質量%以上、13.5質量%以上、13.7質量%以上、14.0質量%以上、14.5質量%以上、15.0質量%以上或15.5質量%以上。以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（B）成分及（C）成分的合計含量亦可以為30.0質量%以下、27.0質量%以下、25.0質量%以下、22.0質量%以下、20.0質量%以下或18.0質量%以下。
（D）成分：彈性體 作為（D）成分，例如可舉出聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚伸苯醚樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂、改質聚伸苯醚樹脂等。（D）成分為該等樹脂，且可以為具有交聯性官能基之樹脂，亦可以為具有交聯性官能基之丙烯酸樹脂。在此，丙烯酸樹脂係指含有來自於（甲基）丙烯酸酯（（Meta）acrylic acid ester）之構成單元之（甲基）丙烯酸（共）聚合物。丙烯酸樹脂可以為含有來自於具有環氧基、醇性或酚性羥基、羧基等交聯性官能基之（甲基）丙烯酸酯之構成單元之（甲基）丙烯酸（共）聚合物。又，丙烯酸樹脂亦可以為（甲基）丙烯酸酯與丙烯酸腈的共聚物等丙烯酸橡膠。該等彈性體可以單獨使用一種或組合兩種以上來使用。
作為丙烯酸樹脂的市售品，例如可舉出SG-P3、SG-70L、SG-708-6、WS-023 EK30、SG-280 EK23、HTR-860P-3、HTR-860P-3CSP、HTR-860P-3CSP-3DB（均為Nagase ChemteX Corporation製造）等。
作為（D）成分的彈性體的玻璃轉移溫度（Tg）可以為-50～50℃或-30～20℃。當Tg為-50℃以上時，膜狀接著劑的黏性降低，因此具有操作性進一步提高之傾向。當Tg為50℃以下時，具有能夠更充分地確保形成膜狀接著劑時的接著劑清漆的流動性之傾向。在此，作為（D）成分的彈性體的Tg係指使用DSC（熱示差掃描量熱儀）（例如，Rigaku Corporation製造，商品名：Thermo Plus 2）測量之值。
作為（D）成分的彈性體的重量平均分子量（Mw）可以為5萬～160萬、10萬～140萬或30萬～120萬。當作為（D）成分的彈性體的玻璃轉移溫度為5萬以上時，具有成膜性更優異的傾向。當（D）成分的重量平均分子量為160萬以下時，具有形成膜狀接著劑時的接著劑清漆的流動性更優異的傾向。在此，作為（D）成分的彈性體的Mw係指利用凝膠滲透層析法（GPC）進行測量，使用基於標準聚苯乙烯之校準曲線換算之值。
作為（D）成分的彈性體的Mw的測量裝置、測量條件等例如如下所述。 泵：L-6000（Hitachi,Ltd.製造） 管柱：依序連接凝膠袋（Gelpack）GL-R440（Hitachi Chemical Co., Ltd.製造）、凝膠袋（Gelpack）GL-R450（Hitachi Chemical Co., Ltd.製造）及凝膠袋GL-R400M（Hitachi Chemical Co., Ltd.製造）（各10.7mm（直徑）×300mm）而成之管柱 溶離液：四氫呋喃（以下，稱為“THF”。） 樣品：將試樣120mg溶解於THF5mL中之溶液 流速：1.75mL/分鐘
以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（D）成分的含量可以為15.0質量%以下、12.0質量%以下、10.0質量%以下或9.0質量%以下。當以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（D）成分的含量為15.0質量%以下時，能夠防止黏度過高而（A）成分的分散性下降，並且散熱性下降。從膜加工性的觀點而言，以（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計量為基準，（D）成分的含量的下限可以為1.0質量%以上、1.5質量%以上、2.0質量%以上、2.5質量%以上或3.0質量%以上。
（E）成分：偶合劑 （E）成分亦可以為矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑，例如可舉出γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-（2-胺乙基）胺基丙基三甲氧基矽烷等。
（F）成分：固化促進劑 作為（F）成分，例如可舉出咪唑類及其衍生物、有機磷系化合物、二級胺類、三級胺類、四級銨鹽等。該等之中，從反應性的觀點而言，（F）成分亦可以為咪唑類及其衍生物。
作為咪唑類，例如可舉出2-甲基咪唑、1-芐基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑等。該等亦可以單獨使用一種或組合兩種以上來使用。
膜狀接著劑還可以含有其他成分。作為其他成分，例如可舉出顏料、離子捕捉劑、抗氧化劑等。
以膜狀接著劑的總質量為基準，（E）成分、（F）成分及其他成分的合計含量可以為0.005～10質量%。
圖1所示之膜狀接著劑10A之製造方法沒有特別限制，例如能夠藉由以下製造方法得到，該製造方法包括：將至少含有（A）成分和有機溶劑之原料清漆進行混合，製備含有（A）成分、（B）成分、（C）成分、（D）成分及有機溶劑之接著劑清漆之步驟（混合步驟）；及使用接著劑清漆形成膜狀接著劑之步驟（形成步驟）。依據需要，接著劑清漆還可以含有（E）成分、（F）成分及其他成分等。
（混合步驟） 混合步驟為將至少含有（A）成分和有機溶劑之原料清漆進行混合，製備含有（A）成分、（B）成分、（C）成分、（D）成分及有機溶劑之接著劑清漆之步驟。
有機溶劑只要能夠溶解（A）成分以外的成分，則沒有特別限制。作為有機溶劑，例如可舉出甲苯、二甲苯、對稱三甲苯、異丙苯、對異丙甲苯等芳香族烴；己烷、庚烷等脂肪族烴；甲基環己烷等環狀烷烴；四氫呋喃、1,4-二㗁烷等環狀醚；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁酮、環己酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等酮；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯、丁基卡必醇乙酸酯、乙基卡必醇乙酸酯等酯；碳酸伸乙酯、碳酸丙烯酯等碳酸酯；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮等醯胺；丁基卡必醇、乙基卡必醇等醇等。該等亦可以單獨使用一種或組合兩種以上來使用。該等之中，從表面處理劑的溶解性及沸點的觀點而言，有機溶劑亦可以為N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、丁基卡必醇、乙基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、乙基卡必醇乙酸酯或環己酮。以原料清漆的總質量為基準，原料清漆中的固體成分濃度可以為10～80質量%。
原料清漆例如能夠藉由將各成分添加到攪拌機中使用之容器中而得到。在該情況下，添加各成分的順序沒有特別限制，能夠依據各成分的性狀適當設定。
混合能夠適當組合高速分散機、三合一馬達、攪拌器、行星式攪拌機（planetary mixer）、擂潰機等通常的攪拌機來進行。攪拌機亦可以具備能夠管理原料清漆或接著劑清漆的溫度條件之加熱器單元等加溫設備。在將高速分散機用於混合之情況下，高速分散機的轉數可以為3000旋轉/分鐘以上。
混合步驟的混合溫度沒有特別限制，可以為50℃以上。依據需要，混合步驟的混合溫度亦可以用加溫設備等進行加溫。依據本揭示的發明人等的研究，發現當混合步驟的混合溫度為50℃以上時，例如，在使用銀粒子（較佳為藉由還原法製造之銀粒子）之情況下，所得到之膜狀接著劑能夠在C階段狀態下含有銀粒子的燒結體。這樣的現象在作為（A）成分使用藉由還原法製造之銀粒子時更顯著地顯現。顯現這樣的現象之原因並不明確，但本揭示的發明人等認為如下。作為（A）成分的（藉由使用還原劑之液相（濕式）還原法製造）銀粒子的表面通常被表面處理劑（潤滑劑）被覆。在此，推測當混合步驟的混合溫度為50℃以上時，被覆銀粒子之表面處理劑解離（處於還原狀態）而銀表面容易露出。進而，推測由於這樣的銀表面露出之銀粒子彼此容易直接接觸，因此當在使膜狀接著劑固化之條件下加熱時，銀粒子彼此燒結而容易形成銀粒子的燒結體。藉此，認為膜狀接著劑在C階段狀態下含有銀粒子的燒結體。另外，藉由霧化法製造之銀粒子由於其製造方法上的特性，在銀粒子的表面被氧化銀膜覆蓋。依據本揭示的發明人等的研究，確認了在使用藉由霧化法製造之銀粒子之情況下，即使混合步驟的混合溫度為50℃以上，所得到之膜狀接著劑在C階段狀態下難以含有銀粒子的燒結體。混合步驟的混合溫度亦可以為55℃以上、60℃以上、65℃以上或70℃以上。混合步驟的混合溫度的上限例如可以為120℃以下、110℃以下、100℃以下、90℃以下或80℃以下。混合步驟的混合時間例如可以為1分鐘以上、5分鐘以上、10分鐘以上或20分鐘以上，且可以為80分鐘以下、60分鐘以下或40分鐘以下。
（B）成分、（C）成分、（D）成分、（E）成分、（F）成分或其他成分能夠依據各成分的性狀在任意階段包含在接著劑清漆中。該等成分例如可以藉由在混合步驟之前添加到原料清漆中而包含在接著劑清漆中，亦可以藉由在混合步驟後添加到接著劑清漆中而包含在接著劑清漆中。（B）成分及（C）成分藉由在混合步驟之前添加到原料清漆中而包含在接著劑清漆中為較佳。（D）成分可以藉由在混合步驟之前添加到原料清漆中而包含在接著劑清漆中，亦可以藉由在混合步驟後添加到接著劑清漆中而包含在接著劑清漆中。（E）成分及（F）成分藉由在混合步驟後添加到接著劑清漆中而包含為較佳。在混合步驟後添加到接著劑清漆中之情況下，在添加後，例如亦可以在低於50℃的溫度條件（例如，室溫（25℃））下進行混合。此時的條件可以為室溫（25℃））下0.1～48小時。
混合步驟可以為在一實施形態中，將含有（A）成分、（B）成分、（C）成分、（D）成分及有機溶劑之原料清漆在50℃以上的混合溫度下進行混合，製備含有（A）成分、（B）成分、（C）成分、（D）成分及有機溶劑之接著劑清漆之步驟。
以此方式，能夠製備含有（A）成分、（B）成分、（C）成分、（D）成分及有機溶劑之接著劑清漆。接著劑清漆亦可以在製備後，藉由真空脫氣等去除清漆中的氣泡。
以接著劑清漆的總質量為基準，接著劑清漆中的固體成分濃度可以為10～80質量%。
（形成步驟） 形成步驟為使用接著劑清漆形成膜狀接著劑之步驟。作為形成膜狀接著劑之方法，例如可舉出將接著劑清漆塗佈於支撐膜之方法等。
作為將接著劑清漆塗佈於支撐膜之方法，能夠使用公知的方法，例如可舉出刮刀塗佈法、輥塗法、噴塗法、凹版塗佈法、棒塗法及簾式塗佈法等。
在將接著劑清漆塗佈於支撐膜後，依據需要，亦可以將有機溶劑加熱乾燥。加熱乾燥只要為所使用之有機溶劑充分地揮發之條件，則沒有特別限制，例如，加熱乾燥溫度可以為50～200℃，加熱乾燥時間可以為0.1～30分鐘。加熱乾燥亦可以在不同的加熱乾燥溫度或加熱乾燥時間階段性地進行。
以此方式，能夠得到膜狀接著劑10A。膜狀接著劑10A的厚度能夠依據用途適當調整，但本揭示的膜狀接著劑10A能夠薄膜化，例如能夠將厚度設為30μm以下。膜狀接著劑10A的厚度例如可以為5～30μm。膜狀接著劑10A的厚度可以為6μm以上、8μm以上或10μm以上，且可以為28μm以下、26μm以下或25μm以下。
在170℃下熱固化3小時後（C階段狀態）的膜狀接著劑10A的導熱率（25℃±1℃）可以為2.0W/m·K以上。當導熱率為2.0W/m·K以上時，具有半導體裝置的散熱性更優異的傾向。導熱率亦可以為2.5W/m·K以上、3.0W/m·K以上、3.5W/m·K以上、4.0W/m·K以上、4.5W/m·K以上、5.0W/m·K以上、5.5W/m·K以上或6.0W/m·K以上。膜狀接著劑10A的C階段狀態下的導熱率（25℃±1℃）的上限沒有特別限制，可以為30W/m·K以下。
在170℃下熱固化3小時後（C階段狀態）的膜狀接著劑10A的導熱率（25℃±1℃）例如能夠依據以下方法進行測量。首先，將膜狀接著劑切斷成規定的尺寸，準備規定的片數的膜片，以使積層時厚度成為200μm。例如，在使用厚度為25μm的膜狀接著劑之情況下，準備8片的膜片。在使用厚度為10μm的膜狀接著劑之情況下，準備20片的膜片。將該等膜片在70℃的熱板上使用橡膠輥層合，準備厚度為200μm之積層體。接著，藉由在潔淨烘箱（ESPEC CORP製造）中將各積層體在170℃下熱固化3小時，獲得處於C階段狀態的試樣。將所得到的試樣切成1cm×1cm，將其作為導熱率測量用膜在以下測定項目/條件下測量導熱率。
（導熱率的計算） 導熱率測量用膜的厚度方向的導熱率λ藉由下述式進行計算。 導熱率λ（W/m·K）=熱擴散率α（m 2/s）×比熱Cp（J/kg·K）×密度ρ（g/cm 3） 另外，熱擴散率α、比熱Cp及密度ρ藉由以下方法進行測量。導熱率λ大係指在半導體裝置中散熱性更優異。
（熱擴散率α的測量） 藉由用石墨噴霧對導熱率測量用膜的兩面進行黑化處理，製作測量樣品。對於測量樣品，例如使用下述測量裝置在下述條件下藉由雷射閃光法（氙閃光法）求出導熱率測量用膜的熱擴散率α。 ·測量裝置：熱擴散率測量裝置（NETZSCH Japan K.K.製造，商品名：LFA447 nanoflash） ·脈衝光照射的脈衝寬度：0.1ms ·脈衝光照射的施加電壓：236V ·測量樣品的處理：用石墨噴霧對導熱率測量用膜的兩面進行黑化處理 ·測量環境溫度：25℃±1℃
（比熱Cp（25℃）的測量） 例如藉由使用下述測量裝置在下述條件下進行示差掃描熱量測量（DSC）而求出導熱率測量用膜的比熱Cp（25℃）。 ·測量裝置：示差掃描熱量測量裝置（PerkinElmer Japan Co., Ltd.製造，商品名：Pyris1） ·基準物質：藍寶石 ·升溫速度：10℃/分鐘 ·升溫溫度範圍：室溫（25℃）～60℃
（密度ρ的測量） 例如使用下述測量裝置在下述條件下藉由阿基米德法測量導熱率測量用膜的密度ρ。 ·測量裝置：電子比重計（ALFA MIRAGE CO.,LTD.製造，商品名：SD200L） ·水溫：25℃
在170℃下熱固化3小時後（C階段狀態）的膜狀接著劑10A的導熱率（25℃±1℃）例如能夠依據增加（A）成分的含量的（減少除（A）成分以外的成分的含量）等的方法來提高。
膜狀接著劑10A的110℃下的剪切黏度例如可以為30000Pa·s以下、28000Pa·s以下、26000Pa·s以下、24000Pa·s以下或22000Pa·s以下，且可以為3000Pa·s以上、5000Pa·s以上、7000Pa·s以上或10000Pa·s以上。
110℃下的剪切黏度例如能夠藉由以下方法測量。首先，將膜狀接著劑切斷成規定的尺寸，準備規定的片數的膜片，以使積層時厚度成為300μm。例如，在使用厚度為25μm的膜狀接著劑之情況下，準備12片的膜片。在使用厚度為10μm的膜狀接著劑之情況下，準備30片的膜片。將該等膜片在70℃的熱板上使用橡膠輥層合，準備厚度為300μm之積層體。接著，用φ9mm的衝頭衝切積層體而製作試樣，將所製作之試樣使用旋轉式黏彈性測量裝置（TA Instruments Japan公司製造，商品名：ARES-RDA）在以下測量條件下測量剪切黏度。此時，110℃下的剪切黏度的測量值為110℃下的剪切黏度。另外，設定間隙時，調節間隙，以使施加於試樣之荷重成為10～15g。 （測量條件） 盤板：鋁製，8mmφ 測量頻率：1Hz 升溫速度：5℃/分鐘 應變：5% 測量溫度：35～150℃ 初始荷重：100g
膜狀接著劑10A的110℃下的損耗彈性模數可以為200kPa以下、180kPa以下、160kPa以下、140kPa以下或135kPa以下，且可以為10kPa以上、30kPa以上、50kPa以上或70kPa以上。
110℃下的損耗彈性模數能夠與上述110℃下的剪切黏度的測量方法同樣地由旋轉式黏彈性測量裝置求出。
110℃下的剪切黏度及損耗彈性模數例如能夠藉由減少（A）成分的含量（增加除（A）成分以外的成分的含量）、增大（B）成分及（C）成分的合計量相對於（A）成分、（B）成分、（C）成分、及（D）成分的合計量的比例、適用軟化點為90℃以下之（B）成分或（C）成分、適用分子量小的（D）成分等方法來減少。
[切割晶粒接合一體型膜及其製造方法] 圖2係表示切割晶粒接合一體型膜的一實施形態之示意剖面圖。圖2所示之切割晶粒接合一體型膜100依序具備基材層40、黏著劑層30及由膜狀接著劑10A形成之接著劑層10。切割晶粒接合一體型膜100亦能夠具備：切割帶50（切割膜），具備基材層40及設置於基材層40上之黏著劑層30；及接著劑層10，設置於切割帶50的黏著劑層30上。切割晶粒接合一體型膜100亦可以為膜狀、片狀、帶狀等。切割晶粒接合一體型膜100亦可以在接著劑層10的與黏著劑層30相反一側的表面上具備支撐膜20。
作為切割帶50上的基材層40，例如可舉出聚四氟乙烯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚醯亞胺膜等塑膠膜等。又，基材層40亦可以依據需要實施底漆塗佈、UV處理、電暈放電處理、研磨處理、蝕刻處理等表面處理。
切割帶50上的黏著劑層30只要具有切割時半導體晶片不飛散之充分的黏著力，在之後的半導體晶片的拾取步驟中具有不損傷半導體晶片之程度的低黏著力，則沒有特別限制，能夠使用在切割帶領域中以往公知的黏著劑層。黏著劑層30可以為由感壓型黏著劑形成之黏著劑層，亦可以為由紫外線固化型黏著劑形成之黏著劑層。在黏著劑層為由紫外線固化型黏著劑形成之黏著劑層之情況下，黏著劑層能夠藉由照射紫外線來降低黏著性。
從經濟性及膜的操作性的觀點而言，切割帶50（基材層40及黏著劑層30）的厚度可以為60～150μm或70～130μm。
圖2所示之切割晶粒接合一體型膜100能夠藉由以下製造方法得到，該製造方法包括：準備切割帶50之步驟，該切割帶50具備膜狀接著劑10A、基材層40及設置於基材層40上之黏著劑層30；及將膜狀接著劑10A與切割帶50的黏著劑層30貼合之步驟。作為將膜狀接著劑10A與切割帶50的黏著劑層30貼合之方法，能夠使用公知的方法。
[半導體裝置及其製造方法] 圖3係表示半導體裝置之製造方法的一實施形態之示意剖面圖。圖3（a）、（b）、（c）、（d）、（e）及（f）係示意性地表示各步驟之剖面圖。半導體裝置之製造方法包括：在上述切割晶粒接合一體型膜100的接著劑層10上貼附半導體晶圓W之步驟（晶圓層合步驟，參閱圖3（a）、（b））；藉由切割貼附有接著劑層10之半導體晶圓W來製作複數個單片化之附有接著劑片之半導體晶片60之步驟（切割步驟，參閱圖3（c））；及將附有接著劑片之半導體晶片60經由接著劑片10a接著於支撐構件80之步驟（半導體晶片接著步驟，參閱圖3（f）））。半導體裝置之製造方法在切割步驟與半導體晶片接著步驟之間，依據需要還可以包括：對黏著劑層30（隔著基材層40）照射紫外線之步驟（紫外線照射步驟，參閱圖3（d））；從黏著劑層30a拾取附著有接著劑片10a之半導體晶片Wa（附有接著劑片之半導體晶片60）之步驟（拾取步驟，參閱圖3（e））；及使接著於支撐構件80之附有接著劑片之半導體晶片60上的接著劑片10a熱固化之步驟（熱固化步驟）。
＜晶圓層合步驟＞ 在本步驟中，首先，將切割晶粒接合一體型膜100配置於規定的裝置中。接著，在切割晶粒接合一體型膜100的接著劑層10上貼附半導體晶圓W的表面Ws（參閱圖3（a）、（b））。半導體晶圓W的電路面亦可以設置於與表面Ws相反一側的面。
作為半導體晶圓W，例如可舉出單晶矽、多晶矽、各種陶瓷、砷化鎵等化合物半導體等。
＜切割步驟＞ 在本步驟中，將半導體晶圓W及接著劑層10切割使其單片化（參閱圖3（c））。此時，黏著劑層30的一部分或黏著劑層30的全部及基材層40的一部分亦可以被切割而單片化。如此，切割晶粒接合一體型膜100亦作為切割片發揮作用。
＜紫外線照射步驟＞ 在黏著劑層30為紫外線固化型黏著劑層之情況下，半導體裝置之製造方法亦可以包括紫外線照射步驟。在本步驟中，對黏著劑層30（隔著基材層40）照射紫外線（參閱圖3（d））。在紫外線照射中，紫外線的波長可以為200～400nm。紫外線照射條件可以為照度及照射量分別在30～240mW/cm 2的範圍及50～500mJ/cm 2的範圍。
＜拾取步驟＞ 在本步驟中，藉由擴展基材層40使單片化後的附有接著劑片之半導體晶片60彼此分離，並且用吸引夾頭74從基材層40側吸引由針72頂起之附有接著劑片之半導體晶片60，並將其從黏著劑層30a拾取（參閱圖3（e））。另外，附有接著劑片之半導體晶片60具有半導體晶片Wa及接著劑片10a。半導體晶片Wa為半導體晶圓W單片化而成之半導體晶片，接著劑片10a為接著劑層10單片化而成之接著劑片。又，黏著劑層30a為黏著劑層30單片化而成之黏著劑層。黏著劑層30a在拾取附有接著劑片之半導體晶片60後能夠殘留於基材層40上。在本步驟中，未必需要擴展基材層40，但藉由擴展基材層40能夠進一步提高拾取性。
針72的上推量能夠適當設定。進而，從對極薄晶圓亦確保充分的拾取性之觀點而言，例如亦可以進行2級或3級的上推。又，亦可以利用使用吸引夾頭74的方法以外的方法來拾取附有接著劑片之半導體晶片60。
＜半導體晶片接著步驟＞ 在本步驟中，藉由熱壓接，將所拾取之附有接著劑片之半導體晶片60經由接著劑片10a接著於支撐構件80（參閱圖3（f））。亦可以將複數個附有接著劑片之半導體晶片60接著於支撐構件80。
熱壓接中的加熱溫度例如可以為80～160℃。熱壓接中的荷重例如可以為5～15N。熱壓接中的加熱時間例如可以為0.5～20秒。
＜熱固化步驟＞ 在本步驟中，使接著於支撐構件80之附有接著劑片之半導體晶片60上的接著劑片10a熱固化。藉由使接著半導體晶片Wa與支撐構件80之接著劑片10a或接著劑片的固化物10ac（進一步）熱固化，能夠更牢固地接著固定。又，在（A）成分為銀粒子（較佳為藉由還原法製造之銀粒子）之情況下，藉由使接著劑片10a或接著劑片的固化物10ac（進一步）熱固化，具有更容易得到銀粒子的燒結體之傾向。在進行熱固化之情況下，亦可以同時施加壓力使其固化。本步驟中的加熱溫度能夠依據接著劑片10a的構成成分適當變更。加熱溫度例如可以為60～200℃，亦可以為90～190℃或120～180℃。加熱時間可以為30分鐘～5小時，亦可以為1～3小時或2～3小時。另外，溫度或壓力亦可以在階段性地變更的同時進行。
接著劑片10a能夠藉由經過半導體晶片接著步驟或熱固化步驟而固化，成為接著劑片的固化物10ac。在（A）成分為銀粒子（較佳為藉由還原法製造之銀粒子）之情況下，接著劑片的固化物10ac能夠含有銀粒子的燒結體。因此，所得到之半導體裝置能夠具有優異的散熱性。
半導體裝置之製造方法亦可以依據需要包括將支撐構件的端子部（內部引線）的末端與半導體元件上的電極墊（electrode pad）用接合導線電連接之步驟（導線接合步驟）。作為接合導線，例如使用金線、鋁線、銅線等。進行導線接合時的溫度可以在80～250℃或80～220℃的範圍內。加熱時間可以為數秒～數分鐘。亦可以在上述溫度範圍內加熱之狀態下，藉由併用基於超聲波的振動能量和基於施加加壓的壓接能量來進行導線接合。
半導體裝置之製造方法亦可以依據需要包括利用密封材料密封半導體元件之步驟（密封步驟）。本步驟係為了保護搭載於支撐構件上之半導體元件或接合導線而進行。本步驟能夠藉由用模具成形密封用樹脂（密封樹脂）來進行。作為密封樹脂，例如可以為環氧系樹脂。藉由密封時的熱及壓力埋入支撐構件及殘渣，能夠防止由接著界面中的氣泡引起之剥離。
半導體裝置之製造方法亦可以依據需要包括使在密封步驟中固化不充分的密封樹脂完全固化之步驟（後固化步驟）。在密封步驟中，即使在接著劑片未熱固化之情況下，在本步驟中，亦能夠在固化密封樹脂的同時使接著劑片熱固化來接著固定。本步驟中的加熱溫度能夠依據密封樹脂的種類而適當設定，例如可以在165～185℃的範圍內，加熱時間可以為0.5～8小時左右。
半導體裝置之製造方法亦可以依據需要包括使用回焊爐對接著於支撐構件之附有接著劑片之半導體元件進行加熱之步驟（加熱熔融步驟）。在本步驟中，樹脂密封之半導體裝置亦可以表面安裝於支撐構件上。作為表面安裝的方法，例如可舉出預先將焊料供給到印刷配線板上後，利用溫風等加熱熔融，進行焊接之回焊等。作為加熱方法，例如可舉出熱風回焊、紅外線回焊等。又，加熱方法可以對整體進行加熱，亦可以對局部進行加熱。加熱溫度例如可以在240～280℃的範圍內。
圖4係表示半導體裝置的一實施形態之示意剖面圖。圖4所示之半導體裝置200具備半導體晶片Wa、搭載半導體晶片Wa之支撐構件80、及接著構件12。接著構件12設置於半導體晶片Wa與支撐構件80之間，接著半導體晶片Wa與支撐構件80。接著構件12為膜狀接著劑的固化物（接著劑片的固化物10ac）。半導體晶片Wa的連接端子（未圖示）亦可以經由導線70與外部連接端子（未圖示）電連接。半導體晶片Wa亦可以被由密封材料形成之密封材料層92密封。亦可以在與支撐構件80的表面80A相反一側的面上形成焊球94，用於與外部基板（母版）（未圖示）的電連接。
半導體晶片Wa（半導體元件）例如可以為IC（集成電路）等。作為支撐構件80，例如可舉出42合金引線框、銅引線框等引線框；聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂等塑膠膜；在玻璃不織布等基材中含浸、固化聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂等塑膠而成之改質塑膠膜；氧化鋁等陶瓷等。
半導體裝置200具備上述膜狀接著劑的固化物作為接著構件，因此具有優異的散熱性。 [實施例]
以下，基於實施例對本揭示具體地進行說明，但本揭示並不限定於該等。
（實施例1～5及比較例1、2） ＜接著劑清漆的製備＞ 以表1所示之記號及組成比（單位：質量份），在（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分中加入作為有機溶劑的環己酮，製備了原料清漆。使用高速分散機（Tajima Chemical Machinery Co., Ltd.製造，T．K．HOMO MIXER MARK II），在70℃的混合溫度條件下以4000旋轉/分鐘攪拌該原料清漆20分鐘，得到接著劑清漆。接著，將接著劑清漆放置到20～30℃後，在接著劑清漆中添加（E）成分及（F）成分，使用三合一馬達以250旋轉/分鐘攪拌整夜。以此方式，分別製備了（A）成分、（B）成分、（C）成分及（D）成分的合計含量為61質量%的實施例1～5及比較例1、2的接著劑清漆。
表1的各成分的記號表示如下。
（A）成分：金屬粒子 （A-1）銀粒子AG-5-1F（商品名，DOWA Electronics Materials Co.,Ltd.製造，形狀：球狀、平均粒徑（雷射50%粒徑（D 50））：2.9μm） （A-2）銀粒子AG-4-1F（商品名，DOWA Electronics Materials Co.,Ltd.製造，形狀：球狀、平均粒徑（雷射50%粒徑（D 50））：2.0μm） （A-3）銀粒子AG-3-1F（商品名，DOWA Electronics Materials Co.,Ltd.製造，形狀：球狀、平均粒徑（雷射50%粒徑（D 50））：1.4μm） （A-4）銀粒子AG-2-1C（商品名，DOWA Electronics Materials Co.,Ltd.製造，形狀：球狀、平均粒徑（雷射50%粒徑（D 50））：0.8μm）
（B）成分：熱固性樹脂 （B-1）N-500P-10（商品名，DIC Corporation製造，甲酚酚醛清漆型環氧樹脂，環氧當量：204g/eq，軟化點：84℃） （B-2）EXA-830CRP（商品名，DIC Corporation製造，雙酚F型環氧樹脂，環氧當量：159g/eq，在25℃為液狀）
（C）成分：固化劑 （C-1）MEH-7800M（商品名，MEIWA KAGAKU KOUGYOU CO.,LTD製造，苯基芳烷基型酚醛樹脂，羥基當量：174g/eq，軟化點：80℃）
（D）成分：彈性體 （D-1）HTR-860P-3CSP（商品名，Nagase ChemteX Corporation製造，丙烯酸橡膠，重量平均分子量：80萬，Tg：-7℃）
（E）成分：偶合劑 （E-1）Z-6119（商品名，Dow Toray Co.,Ltd.製造、3-脲基丙基三乙氧基矽烷）
（F）成分：固化促進劑 （F-1）2PZ-CN（商品名，SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION製造，1-氰基乙基-2-苯基咪唑）
＜膜狀接著劑的製作＞ 使用上述各接著劑清漆製作了膜狀接著劑。對各接著劑清漆進行真空脫泡，將之後的接著劑清漆塗佈於作為支撐膜之實施脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜（厚度：38μm）上。將塗佈之接著劑清漆在90℃下5分鐘，接著在130℃下5分鐘分2階段進行加熱乾燥，在支撐膜上得到處於B階段狀態之厚度25μm的實施例1、3～5及比較例1、2的膜狀接著劑，以及厚度10μm的實施例2的膜狀接著劑。
＜體積%的計算＞ （A）成分的含量（體積%）在將膜狀接著劑的密度設為x（g/cm 3），將（A）成分的密度設為y（g/cm 3），將膜狀接著劑中的（A）成分的質量比例設為z（質量%）時，由下述式（I）計算。另外，膜狀接著劑中的（A）成分的質量比例藉由使用熱重示差熱分析裝置（TG-DTA）進行熱重分析來求出。又，膜狀接著劑及（A）成分的密度藉由使用比重計測量質量和比重來求出。 （A）成分的含量（體積%）=（x/y）×z（I） TG-DTA的測量條件：溫度範圍30～600℃（升溫速度30℃/分鐘），在600℃下維持20分鐘 Air流量：300mL/分鐘 熱重示差熱分析裝置：Seiko Instruments Inc.製造，TG/DTA220 比重計：ALFA MIRAGE CO.,LTD.製造，EW-300SG
＜導熱率的測量＞ （導熱率測量用膜的製作） 將膜狀接著劑切斷成規定的尺寸，準備了8片的實施例1、3～5及比較例1、2的膜狀接著劑（厚度：25μm）的膜片、20片的實施例2的膜狀接著劑（厚度：10μm）的膜片。接著，將該等膜片在70℃的熱板上使用橡膠輥層合，準備了厚度為200μm之積層體。接著，藉由在潔淨烘箱（ESPEC CORP製造）中將各積層體在170℃下熱固化3小時，獲得了處於C階段狀態的試樣。將所製作的試樣切成1cm×1cm，將其作為導熱率測量用膜在以下測定項目/條件下測量了導熱率。將結果示於表1中。
（導熱率的計算） 導熱率測量用膜的厚度方向的導熱率λ藉由下述式進行了計算。將結果示於表1中。 導熱率λ（W/m·K）=熱擴散率α（m 2/s）×比熱Cp（J/kg·K）×密度ρ（g/cm 3） 另外，熱擴散率α、比熱Cp及密度ρ藉由以下方法進行了測量。導熱率λ大係指在半導體裝置中散熱性更優異。
（熱擴散率α的測量） 藉由用石墨噴霧對導熱率測量用膜的兩面進行黑化處理，製作了測量樣品。對於測量樣品，使用下述測量裝置在下述條件下藉由雷射閃光法（氙閃光法）求出了導熱率測量用膜的熱擴散率α。 ·測量裝置：熱擴散率測量裝置（NETZSCH Japan K.K.製造，商品名：LFA447 nanoflash） ·脈衝光照射的脈衝寬度：0.1ms ·脈衝光照射的施加電壓：236V ·測量樣品的處理：用石墨噴霧對導熱率測量用膜的兩面進行黑化處理 ·測量環境溫度：25℃±1℃
（比熱Cp（25℃）的測量） 藉由使用下述測量裝置在下述條件下進行示差掃描熱量測量（DSC）而求出導熱率測量用膜的比熱Cp（25℃）。 ·測量裝置：示差掃描熱量測量裝置（PerkinElmer Japan Co., Ltd.製造，商品名：Pyris1） ·基準物質：藍寶石 ·升溫速度：10℃/分鐘 ·升溫溫度範圍：室溫（25℃）～60℃
（密度ρ的測量） 使用下述測量裝置在下述條件下藉由阿基米德法測量了導熱率測量用膜的密度ρ。 ·測量裝置：電子比重計（ALFA MIRAGE CO.,LTD.製造，商品名：SD200L） ·水溫：25℃
＜膜狀接著劑的110℃下的剪切黏度、儲存彈性模數、損耗彈性模數及tanδ的測量＞ 將膜狀接著劑切斷成規定的尺寸，準備了12片的實施例1、3～5及比較例1、2的膜狀接著劑（厚度：25μm）的膜片、30片的實施例2的膜狀接著劑（厚度：10μm）的膜片。接著，將該等膜片在70℃的熱板上使用橡膠輥層合，準備了厚度為300μm之積層體。接著，用φ9mm的衝頭衝切各積層體而製作試樣，將所製作之試樣使用旋轉式黏彈性測量裝置（TA Instruments Japan公司製造，商品名：ARES-RDA）在以下測量條件下測量110℃下的剪切黏度、儲存彈性模數、損耗彈性模數及tanδ。另外，設定間隙時，調節間隙，以使施加於試樣之荷重成為10～15g。將結果示於表1中。 （測量條件） 盤板：鋁製，8mmφ 測量頻率：1Hz 升溫速度：5℃/分鐘 應變：5% 測量溫度：35～150℃ 初始荷重：100g
【表1】
  比較例1 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例2
（A） （A-1） - - - - - - 76.0
（A-2） - - - - - 76.0 -
（A-3） - 38.0 76.0 76.0 80.0 - -
（A-4） 76.0 38.0 - - - - -
（A）的平均粒徑（D 50）（μm） 0.8 1.2 1.4 1.4 1.4 2.0 2.9
（B） （B-1） 4.9 3.9 4.9 4.9 2.7 3.9 4.9
（B-2） 4.9 5.8 4.9 4.9 5.4 5.8 4.9
（C） （C-1） 7.8 7.9 7.8 7.8 6.8 7.9 7.8
（D） （D-1） 6.4 6.4 6.4 6.4 5.1 6.4 6.4
（E） （E-1） 0.025 0.025 0.025 0.025 0.025 0.025 0.025
（F） （F-1） 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005
（A）/[（A）+（B）+（C）+（D）]*100（質量%） 76.0 76.0 76.0 76.0 80.0 76.0 76.0
（A）/[（A）+（B）+（C）+（D）]*100（體積%） 26.1 26.1 26.1 26.1 30.8 26.1 26.1
[（B）+（C）]/[（A）+（B）+（C）+（D）]*100（質量%） 17.6 17.6 17.6 17.6 14.9 17.6 17.6
膜厚（μm） 25 25 10 25 25 25 25
導熱率（W/m･K） 1.3 3.6 3.6 5.0 6.0 4.0 1.3
剪切黏度（Pa･s）@110℃ 7800 14030 12650 21800 16160 11960 10700
儲存彈性模數（kPa）@110℃ 6.1 22 16 30 24 11 24
損耗彈性模數（kPa）@110℃ 48 85 78 134 99 74 63
tanδ@110℃ 7.9 3.9 4.9 4.5 4.1 7.0 2.6
在實施例1～5及比較例1、2中，明確了能夠形成厚度為30μm以下的膜狀接著劑。又，如表1所示，導熱率與（A）成分的平均粒徑（D 50）的大小相関性高、金屬粒子的平均粒徑（D 50）為1.0～2.5μm之實施例1～5的膜狀接著劑的導熱率與未滿足該要件之比較例1、2的膜狀接著劑相比更高。由以上結果，確認到本揭示的膜狀接著劑能夠製造散熱性優異的半導體裝置，並且能夠薄膜化。
10:接著劑層 10A:膜狀接著劑 10a:接著劑片 10ac:接著劑片的固化物 12:接著構件 20:支撐膜 30,30a:黏著劑層 40:基材層 50:切割帶 60:附有接著劑片之半導體晶片 70:導線 72:針 74:吸引夾頭 80:支撐構件 92:密封材料層 94:焊球 100:切割晶粒接合一體型膜 200:半導體裝置 W:半導體晶圓 Wa:半導體晶片
圖1係表示膜狀接著劑的一實施形態之示意剖面圖。 圖2係表示切割晶粒接合一體型膜的一實施形態之示意剖面圖。 圖3係表示半導體裝置之製造方法的一實施形態之示意剖面圖。圖3（a）、（b）、（c）、（d）、（e）及（f）係示意性地表示各步驟之剖面圖。 圖4係表示半導體裝置的一實施形態之示意剖面圖。
10A:膜狀接著劑
20:支撐膜

Claims (10)

  1. 一種膜狀接著劑，其含有金屬粒子、熱固性樹脂、固化劑及彈性體， 前述金屬粒子的平均粒徑（D 50）為1.0～2.5μm。
  2. 如請求項1所述之膜狀接著劑，其中 以前述金屬粒子、前述熱固性樹脂、前述固化劑及前述彈性體的合計量為基準，前述金屬粒子的含量為74.0質量%以上。
  3. 如請求項1所述之膜狀接著劑，其中 以前述金屬粒子、前述熱固性樹脂、前述固化劑及前述彈性體的合計量為基準，前述金屬粒子的含量為24.0體積%以上。
  4. 如請求項2或請求項3所述之膜狀接著劑，其中 以前述金屬粒子、前述熱固性樹脂、前述固化劑及前述彈性體的合計量為基準，前述熱固性樹脂及前述固化劑的合計含量為13.0質量%以上。
  5. 如請求項1至請求項4之任一項所述之膜狀接著劑，其厚度為5～30μm。
  6. 如請求項1至請求項5之任一項所述之膜狀接著劑，其中 在170℃下熱固化3小時後的導熱率（25℃±1℃）為2.0W/m·K以上。
  7. 一種膜狀接著劑之製造方法，其為請求項1至請求項6之任一項所述之膜狀接著劑之製造方法，前述膜狀接著劑之製造方法包括： 將含有前述金屬粒子、前述熱固性樹脂、前述固化劑、前述彈性體及有機溶劑之原料清漆在50℃以上的混合溫度下進行混合來製備接著劑清漆之步驟；及 使用前述接著劑清漆來形成膜狀接著劑之步驟。
  8. 一種切割晶粒接合一體型膜，其依序具備基材層、黏著劑層及由請求項1至請求項6之任一項所述之膜狀接著劑構成之接著劑層。
  9. 一種半導體裝置，其具備： 半導體晶片； 支撐構件，搭載前述半導體晶片；及 接著構件，設置於前述半導體晶片及前述支撐構件之間，並且接著前述半導體晶片與前述支撐構件， 前述接著構件為請求項1至請求項6之任一項所述之膜狀接著劑的固化物。
  10. 一種半導體裝置之製造方法，其包括： 在請求項8所述之切割晶粒接合一體型膜的前述接著劑層上貼附半導體晶圓之步驟； 藉由切割貼附有前述接著劑層之前述半導體晶圓，製作複數個單片化之附有接著劑片之半導體晶片之步驟；及 將前述附有接著劑片之半導體晶片經由接著劑片接著於支撐構件之步驟。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2008065728A1 (fr) * 2006-11-29 2008-06-05 Nihon Handa Co., Ltd. Composition de particules métalliques de frittage ayant une plasticité, procédé de production de celle-ci, agent de liaison et procédé de liaison
JP4430085B2 (ja) 2007-03-01 2010-03-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP6033734B2 (ja) * 2013-04-30 2016-11-30 日東電工株式会社 フィルム状接着剤、ダイシングテープ一体型フィルム状接着剤、及び、半導体装置の製造方法
JP6396189B2 (ja) 2014-11-27 2018-09-26 日東電工株式会社 導電性フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ及び半導体装置の製造方法

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