TW202233404A - 面發光裝置、顯示裝置、面發光裝置用密封構件片及面發光裝置之製造方法 - Google Patents

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續木淳朗
金井喜洋
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Abstract

本發明提供一種面發光裝置，具有：具支撐基板、及被配置於前述支撐基板的一方面側的發光二極體元件之發光二極體基板，被配置於前述發光二極體基板的前述發光二極體元件側之面側，密封前述發光二極體元件之密封構件，以及被配置在前述密封構件之與前述發光二極體基板側相反的面側之擴散構件；前述密封構件，霧度值為4%以上，厚度比前述發光二極體元件的厚度還厚。

Description

面發光裝置、顯示裝置、面發光裝置用密封構件片及面發光裝置之製造方法
本發明，例如是關於面發光裝置、使用彼之顯示裝置、面發光裝置用密封構件片及面發光裝置之製造方法。
近年來於顯示裝置的領域，要求更高畫質的顯示。使用發光二極體元件的顯示裝置，具有亮度高可以提高對比的優點，所以受到矚目，正進行著開發。又，於以下的說明亦有將「發光二極體」稱為「LED」而進行說明的場合。例如，作為用於液晶顯示裝置的背光，進行著使用了LED元件的背光的開發。前述背光，也被稱為迷你LED背光。
此處，LED背光大致可分為直下型方式與側光型方式。於智慧型手機等攜帶終端等中小型的顯示裝置，通常多使用側光方式的LED背光，由亮度等觀點來看檢討著使用直下型方式的LED背光。另一方面，大畫面液晶電視等大型的顯示裝置，多數場合使用直下型方式的LEAD背光。
直下型方式的LED背光，具有於基板配置複數LED元件的構成。在這樣的直下型方式的LED背光，藉由獨立控制複數LED元件，可以配合顯示影像的明暗調整LED背光各區域的亮度，實現所謂的區域調光(local dimming)。藉此，可以謀求顯示裝置的大幅提高對比以及低耗電量化。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開2013/018902號公報
[發明所欲解決之課題]
於直下型方式的LED背光等之面發光裝置，由抑制亮度不均勻的觀點來看，在LED元件的上方配置擴散板或透過反射板(以下稱為擴散構件)。為了抑制亮度不均勻，必須要隔開配置LED元件與擴散構件。因此，薄型化是困難的。此外，從前，為了將LED元件與擴散構件之間維持在特定間隔而配置栓(pin)或間隔件(例如專利文獻1)。圖12(a)，是為了確保支撐基板62上的LED元件63與擴散構件66之間的距離d，而配置了栓65的從前的LED背光60。圖12(b1)，是在支撐基板62與擴散構件66之間配置間隔件67之從前的LED背光61，圖12(b2)為間隔件67的概略平面圖。
如此，配置栓或間隔件的場合，藉由由LED元件被射出的光被栓或間隔件或遮擋或被反射，而發生亮度不均勻，亮度的面內均勻性不佳。這樣的場合，例如在專利文獻1有在透過反射板的上方進而配置擴散板等的必要，模組的薄膜化變得更困難。如此，在從前的面發光裝置，有著同時實現亮度的面內均勻性的提高與薄型化很困難的問題。
本發明係有鑑於前述課題而完成之發明，主要目的在於提供提高亮度的面內均勻性，同時可以謀求薄型化的面發光裝置、顯示裝置及面發光裝置用密封構件片。 [供解決課題之手段]
為了達成前述目的，本發明提供一種面發光裝置，具有：具支撐基板、及被配置於前述支撐基板的一方面側的發光二極體元件之發光二極體基板，被配置於前述發光二極體基板的前述發光二極體元件側之面側，密封前述發光二極體元件之密封構件，以及被配置在前述密封構件之與前述發光二極體基板側相反的面側之擴散構件；前述密封構件，霧度值為4%以上，厚度比前述發光二極體元件的厚度還厚。
本發明，提供具備顯示面板，及被配置於前述顯示面板的背面之前述LED背光之顯示裝置。
本發明提供用於面發光裝置的面發光裝置用密封構件片；前述面發光裝置用密封構件片，包含熱塑性樹脂，藉由下列試驗方法測定的霧度值為4%以上之面發光裝置用密封構件片。 (試驗方法) 於2枚厚度100μm的乙烯-四氟乙烯共聚物膜間夾入前述面發光裝置用密封構件片，在加熱溫度150°，抽真空5分鐘，壓力100kPa，加壓時間7分鐘的條件下加熱加壓，冷卻至25℃，將前述2枚乙烯-四氟乙烯共聚物膜，由前述面發光裝置用密封構件片剝離，測定僅前述面發光裝置用密封構件片之霧度。
本發明提供一種面發光裝置之製造方法，是具有：具支撐基板、及被配置於前述支撐基板的一方面側的發光二極體元件之發光二極體基板，被配置於前述發光二極體基板的前述發光二極體元件側之面側，密封前述發光二極體元件之密封構件，以及被配置在前述密封構件之與前述發光二極體基板側相反的面側之擴散構件之面發光裝置之製造方法；具有使前述面發光裝置用密封構件片，層積於前述發光二極體基板之前述發光二極體元件側，藉由真空層疊進行熱壓接的步驟。 [發明之效果]
本發明發揮可以提供提高亮度的面內均勻性，同時可以謀求薄型化的面發光裝置。
以下，說明本發明之面發光裝置、顯示裝置及面發光裝置用密封構件片。又，本發明能夠以多種不同的態樣來實施，解釋上並不限定於以下所例示的實施型態的記載內容。此外，圖式可使說明更為明確，與實施的態樣相比，各構件的寬幅、厚度、形狀等亦有模式表示的場合，其終究只是一例示而已，並非用於限定本發明之解釋。此外，於本說明書與各圖式，關於已經圖示而與先前所述相同的要素會被賦予同一符號而適當省略詳細說明。
於本說明書，表現在某構件之上配置另一構件之態樣時，簡單表示為「於面側」之場合，在沒有特別說明的情況下，係包含於正上方或正下方配置另一構件以使與某構件相接之場合，或於某構件的上方或下方，中介著另外的構件而配置另一構件之場合之兩方。
又，於本說明書，「薄片」，「薄膜」或「板」之用語，僅僅是基於稱呼的不同，並非刻意互相區別。例如，「薄片」也包含得以稱為薄膜或板的構件之概念。
如前所述，在從前的面發光裝置，有著同時實現亮度的面內均勻化的提高與薄型化很困難的問題。為了解決這樣的問題，本案發明人等，嘗試在發光二極體元件與擴散構件之間配置密封構件。
如從前的面發光裝置那樣在發光二極體元件與擴散構件之間存在空間的場合，空間的空氣與發光二極體元件之折射率差相當大，所以由發光二極體元件發出的光，可能因前述折射率差而增大射出角。因此可以使擴散構件導致的光的擴散效果為良好，因此可得到某個程度的亮度的面內均勻化。但是，如前所述，在這樣的形態，要薄化面發光裝置是困難的。
另一方面，在發光二極體原件與擴散構件之間配置密封構件的場合，發光二極體元件與密封構件之折射率差，不像發光二極體元件與空氣的折射率差那麼大。亦即，在發光二極體元件發出的光的射出角並不充分。進而，為了薄化面發光裝置，也不能增大密封構件的厚度。因此，藉由在面發光裝置使用密封構件，無法達成充分的亮度的面內均勻化。
然而，本案發明人等，銳意檢討的結果，發現藉由將具有特定厚度及特定的霧度值的密封構件用於面發光裝置，可以實現薄型且亮度的面內均勻性良好的面發光裝置。
A.面發光裝置 以下，參照圖式說明本發明的面發光裝置。圖1係顯示本發明的面發光裝置之一例之概略剖面圖。如圖1所例示的，面發光裝置1，具有：具支撐基板2、及被配置於支撐基板2的一方面側的發光二極體元件3之發光二極體基板4，被配置於發光二極體基板4的發光二極體元件3側之面側，密封發光二極體元件3之密封構件5，以及被配置在密封構件5之與發光二極體基板4側相反的面側之擴散構件6。於圖1(a)、(b)，顯示發光二極體基板4具有反射層7之例。圖1(a)顯示發光二極體元件3與密封構件5相接之例。圖1(b)顯示發光二極體元件3與密封構件5之間中介著空隙之例。於圖1(c)，顯示發光二極體元件3的周圍藉由密封構件5覆蓋之例。本發明之密封構件5，特徵為霧度值4%以上，厚度T比發光二極體元件的厚度還厚。
根據本發明，密封構件的霧度值為特定值以上，且厚度比發光二極體元件的厚度還厚。因此，可以使發光二極體元件與擴散構件之間的距離d為光充分擴散的距離。接著，可以使由發光二極體元件射出的光射入擴散構件時的入射角比較大。因此，射入擴散構件之由發光二極體元件發出的光可以擴散至發光面全體，可以抑制亮度不均勻。 藉此，本發明之面發光裝置，可以兼顧亮度的面內均勻化以及薄型化。
1.密封構件 本發明之密封構件，霧度值為4%以上，厚度比發光二極體元件的厚度還厚。密封構件具有透光性，且被配置於發光二極體基板的發光面側。
(1)霧度値 本發明之密封構件的霧度值為4%以上，6%以上亦佳，較佳為8%以上，進而更佳為10%以上。比前述值還小的話，無法抑制亮度不均勻。另一方面，上限值沒有特別限定，例如，為85%以下，較佳為60%以下，進而更佳為30%以下。於本說明書內，霧度值，為密封構件全體之值，可以由面發光裝置切出密封構件，使用霧度計(HM-150、Murakami Color Research Laboratory製造)依據日本工業標準JIS K7136的方法來測定。
作為供得到前述的霧度值之霧度值的調整方法，沒有特別限定，可以舉出利用樹脂的結晶化度的大小之方法，或改變樹脂中的微粒子含量的方法等。其中，以調整樹脂的結晶化度的方法為佳。因為藉著增大樹脂的結晶化度來增大霧度值的場合，可以得到減低直進透過光的效果的緣故。樹脂的結晶化度，可以藉由選擇構成後述的密封構件的基礎樹脂的種類而調製。此外，可以藉由將密封構件片熱壓接於發光二極體基板之後的冷卻條件來調整。
(2)厚度 本發明之密封構件的厚度，只要比發光二極體元件還厚即可，具體而言以50μm以上為佳，更佳為80μm以上，進而更佳為200μm以上。另一方面，密封構件的厚度，例如為800μm以下，較佳為750μm以下，進而更佳為700μm以下。 又，本說明書之「厚度」，係可以採用可測定μ等級的大小之公知的測定方法來測定。例如，可以製作密封構件的剖面試樣，使用藉由剖面的光學顯微鏡或掃描型電子顯微鏡(SEM)之觀察影像進行測定。也可以使用接觸式膜厚測定裝置(例如，三豐(Mitutoyo)製造的厚度計547-301)。針對「大小」等尺寸的測定也是同樣的。
比前述厚度還小的話，厚度變得不充分而由發光二極體元件發出的光無法擴散至發光面全體，無法提高亮度的面內均勻性。此外，比前述厚度還大的話，無法謀求薄型化。
此外，如圖1所示，密封構件的厚度T亦可為與發光二極體元件3與擴散構件6之間的距離d相同(圖1(a))，密封構件的厚度T亦可比發光二極體元件3與擴散構件6之間的距離d還小(圖1(b))，密封構件的厚度T亦可比發光二極體元件3與擴散構件6之間的距離d還大(圖1(c))。
(3)密封構件的材料 作為本發明之密封構件所包含之材料，只要是可以成為前述霧度值之材料即可並無特別限定，但以熱塑性樹脂為佳。藉著使用熱塑性樹脂，例如與使用熱固性樹脂的場合相比，可以調高霧度值，進而可以在低溫形成密封構件。
此外，密封構件含有熱塑性樹脂之場合，可以使用由含有熱塑性樹脂的密封材組成物構成之薄片狀密封構件(以下，亦有稱為密封構件片之場合)。圖2係顯示本發明之密封構件的形成方法之一例之步驟圖。例如，如圖2(a)所示，準備發光二極體基板4與密封構件片5a。在發光二極體基板4的發光二極體元件3側的面側層積密封構件片5a之後，藉由使用例如真空層疊法，將密封構件片5a壓接在發光二極體基板4，如圖2(b)所示，可以形成密封構件5。
另一方面，密封構件含有熱固性樹脂或光硬化性樹脂等的硬化性樹脂之場合，通常使用液狀的密封材。使用液狀密封材的場合，因表面張力等的關係，可能有發生與中央部相比，端部的厚度變厚或者變薄的現象之場合。此外，硬化性樹脂之場合，容易發生硬化時的體積收縮等，結果，有硬化後的密封構件的中央部與端部之厚度變得不均勻之場合。如此，密封構件的厚度為不均勻的話，會有產生亮度不均勻的場合。
對此，使用薄板狀的密封材之場合，可以迴避使用液狀密封材之場合會發生之密封構件表面凹凸情形，例如由於表面張力導致出現塗膜厚度分布、或由於熱收縮或光收縮導致厚度分布發生。因而，可以得到平坦性良好的密封構件，可以提供更高品質的顯示裝置。
(a)熱塑性樹脂 於本發明，作為前述熱塑性樹脂，例如，可以使用烯烴系樹脂、乙酸乙烯酯(EVA)、聚乙烯丁縮醛系樹脂等。
其中，前述熱塑性樹脂為烯烴系樹脂較佳。烯烴系樹脂，由於特別不易產生使發光二極體基板劣化之成分、且熔融黏度也低所以可以良好地密封前述之發光二極體元件之緣故。此外，烯烴系樹脂之中，以聚乙烯系樹脂、聚丙烯系樹脂、離子聚合物(ionomer)系樹脂為較佳。
在此，本說明書中聚乙烯系樹脂，不僅包含聚合乙烯而得到的通常的聚乙烯，也包含聚合具有α-烯烴等之類的乙烯性不飽和鍵的化合物而得到之樹脂、使具有乙烯性不飽和鍵的複數不同的化合物共聚合之樹脂、以及於這些樹脂接枝別的化學種而得到的變性樹脂等。
特別是本發明之密封材薄板，從得到前述霧度值的觀點來看，以密度0.870g/cm 3以上0.930g/cm 3以下的聚乙烯系樹脂作為基礎樹脂為佳。特別是以密度0.890g/cm 3以上0.930g/cm 3以下的聚乙烯系樹脂作為基礎樹脂為佳。密封構件如稍後所述那樣為多層構件的場合，芯層的基礎樹脂以使用前述密度的聚乙烯系樹脂為佳。
於本發明之密封構件，可以使用以α-烯烴與乙烯性不飽和矽烷化合物作為共聚單體共聚合而成之矽烷共聚合物(以下，亦稱「矽烷共聚合物」)較佳。藉由使用這樣的樹脂，可以得到發光二極體基板與密封構件之更高的密接性。前述矽烷共聚合物，可以使用日本專利特開2018-50027號公報所記載者。
(b)融點 作為被用於本發明的熱塑性樹脂之融點，只要可以密封發光二極體元件即可並未特別限定，例如，在90℃以上135℃以下為佳。其中，以不會因發光二極體發光中之發熱而軟化者為佳，使用90℃以上120℃以下的熱塑性樹脂為佳。 又，熱塑性樹脂之融點，例如，可以依據塑料的轉移溫度測定方法(JIS K7121)，利用微差掃描熱量法(DSC)予以測定。包含複數熱塑性樹脂的場合，為最高融點之值。密封構件如稍後所述那樣為多層構件的場合，芯層的基礎樹脂之熱塑性樹脂以使用具有前述融點者為佳。
(c)熔體質量流率(MFR) 此外，作為本發明之熱塑性樹脂，適宜使用具有熔融黏度的樹脂，可以藉由加熱，追隨被配置於發光二極體基板的一方的面側之發光二極體元件及其他構件的凹凸且進入間隙。
具體而言，使用的熱塑性樹脂之熔體質量流率(MFR)係在0.5g/10分鐘以上40g/10分鐘以下較佳，在2.0g/10分鐘以上40g/10分鐘以下更佳。藉由使MFR在前述範圍，可以進入發光二極體元件等的間隙。因此，能發揮充分的密封性能，進而能成為與發光二極體基板的密接性優異之密封構件。
又，本說明書之MFR係稱依照日本工業標準JIS K7210測定之190℃、荷重2.16kg之數值。但是，針對聚丙烯樹脂之MFR，係同樣依照日本工業標準JIS K7210之、230℃、荷重2.16kg之MFR數值。
針對如後述般密封構件為多層構件之場合之MFR，在所有層一體被層積的多層狀態下，利用前述測定方法進行測定，以得到的測定值為該多層的密封構件的MFR值。
(d)彈性率 此外，本發明之熱塑性樹脂，室溫(25℃)之彈性率以5.0×10 7Pa以上、1.0×10 9Pa以下為佳。可以發揮充分的與發光二極體基板之密接性，而且，例如在由外部對面發光裝置施加衝擊的場合等成為耐衝擊性優異的密封構件。密封構件如稍後所述那樣為多層構件的場合，芯層的基礎樹脂之熱塑性樹脂以使用具有前述彈性率者為佳。
(e)折射率 本發明之熱塑性樹脂的折射率以1.41以上1.58以下為佳。為前述值以上的話，光封入機能充分，提高根據高霧度的密封構件所導致的亮度的面內均勻性提高的效果。在前述值以下的話，在密封構件內部光不會有過剩地封入之虞，可以往外部射出，可以得到高亮度。
此外，本發明之密封構件，為被分散擴散劑(微粒子)的樹脂層的場合，樹脂層的樹脂成分(例如，熱塑性樹脂)與微粒子的折射率差以0.04以上1.3以下為佳。折射率差為前述值以上的話，具有充分的擴散性能，亮度的面內均勻性的效果提高。此外，比前述值更小的話，後方散射變強，根據使用高霧度的密封構件所導致的亮度的面內均勻性提高的效果降低。 密封構件，除了前述熱塑性樹脂以外，亦可添加防氧化劑，光安定劑等添加劑。
(4)密封構件的構造 本發明之面發光裝置之密封構件，例如圖1所示，密封構件5，亦可以是由單一的樹脂層構成之單層構件，此外，如圖3所示，密封構件5，亦可以是包含芯層51、與被配置於芯層51之至少一方表面的皮層52之被層積複數層的樹脂層(於圖3(a)為2層，於圖3(b)為3層)之多層構件。特別是，具有芯層，與被配置於芯層的發光二極體基板側的皮層之2層構造為佳。
本發明之密封構件，為具有芯層，與被配置於芯層的發光二極體基板側的皮層之2層構造的多層構件的場合，皮層與芯層之膜厚比(皮層：芯層)以1：0.1～1：10為佳，特佳為1：0.5～1：6。
此外，本發明之密封構件為3層構造的多層構件的場合，皮層與芯層之膜厚比(皮層：芯層)以1：1：1～1：10：1為佳，特佳為1：2：1～1：8：1。
本發明之密封構件為多層構件的場合，芯層與皮層，以具有密度範圍、融點等為不同的前述熱塑性樹脂為基礎樹脂為佳。因為以芯層擔保前述霧度值，以皮層擔保對發光二極體基板的密接性或成型性會變得容易的緣故。
前述多層構件之場合，於前述多層構件中位於發光二極體基板側之皮層，可以使用通常價格昂貴之密接性或進入發光二極體元件等的間隙的成型性良好之材料。於前述多層構件，作為構成被配置於發光二極體基板側的皮層之材料，只要密接性高、且成型性高者即可，並無特別限定。皮層包含前述熱塑性樹脂之場合，例如，配合前述之矽烷共聚合物等為較佳此外，前述熱塑性樹脂之場合，前述材料含有前述烯烴系樹脂與矽烷耦合劑較佳。又，於此層，亦可添加防氧化劑，光安定劑等添加劑。
(5)較佳的密封構件 本發明之密封構件，以由包含芯層，與被配置於至少一方的最表面的皮層之複數層所構成的多層構件為佳，芯層係以密度0.900g/cm 3以上0.930g/cm 3以下的聚乙烯系樹脂為基礎樹脂較佳，針對皮層，則以密度0.875g/cm 3以上0.910g/cm 3以下，且密度比芯層用的基礎樹脂還要低的聚乙烯系樹脂為基礎樹脂較佳。
作為芯層用的基礎樹脂，可以較佳地使用低密度聚乙烯系樹脂(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯系樹脂(LLDPE)、或有機茂金屬(metallocene)系直鏈低密度聚乙烯系樹脂(M-LLDPE)。其中，由長期信賴性之觀點而言，特好使用低密度聚乙烯系樹脂(LDPE)作為芯層用的基礎樹脂。
作為前述芯層用的基礎樹脂來使用之聚乙烯系樹脂的密度，在0.900g/cm 3以上0.930g/cm 3以下，更好是在0.920g/cm 3以下。藉由使芯層用密封的基礎樹脂之密度在前述範圍，可以將本發明的密封構件的霧度值保持在前述特定之值以上。此外，不必經過架橋處理，可以使密封構件具備必要足夠的耐熱性。
作為前述芯層用的基礎樹脂使用的聚乙烯系樹脂的融點，以融點90℃以上135℃以下為佳，融點90℃以上120℃以下更佳，融點90℃以上115℃以下進而更佳。藉由使在前述融點範圍，可以使密封構件的耐熱性與成型特性保持在良好的範圍內。又，藉由於芯層用的密封材組成物添加聚丙烯等的高融點樹脂，可以使密封構件的融點提高到165℃程度。此場合，聚丙烯對於芯層的全樹脂成分，含有5質量%以上40質量%以下較佳。
前述芯層含有的聚丙烯，為均聚聚丙烯(均聚PP)樹脂較佳。均聚PP，係僅由聚丙烯單體所組成的聚合物且結晶性高，所以與嵌段(Block)PP或隨機(Random)PP相比較，具有更高的剛性。藉由用此作為往芯層用密封材組成物的添加樹脂，可以提高密封構件的尺寸安定性。此外，用作往芯層用的密封材組成物的添加樹脂使用的均聚PP，依據日本工業標準JIS　K7210而測定的230℃、荷重2.16kg之MFR在5g/10分鐘以上125g/10分鐘以下較佳。前述MFR太小的話，分子量變大且剛性變得過高，而難以擔保密封材組成物最佳的足夠的柔軟性。此外，前述MFR過大的話，無法充分抑制佳熱食的流動性，而不能對密封構件片充分地賦予耐熱性及尺寸安定性。
用作前述芯層用的基礎樹脂之聚乙烯系樹脂的熔體質量流率(MFR)，於190℃、荷重2.16kg，在1.0g/10分鐘以上7.5g/10分鐘以下較佳，在1.5g/10分鐘以上6.0g/10分鐘以下更佳。藉由芯層用的基礎樹脂之MFR在前述範圍，可以將密封構件的耐熱性與成型特性保持在良好的範圍內。此外，可以充分提高製膜時的加工適性並有助於改善密封構件的生產性。
前述的基礎樹脂對前述芯層的全樹脂成分之含量為70質量%以上99質量%以下，在90質量%以上99質量%以下較佳。只要含有基礎樹脂在前述範圍內，就可以含有其他樹脂。
作為前述密封構件的皮層用的基礎樹脂，與芯層用密封材組成物同樣地，最好使用低密度聚乙烯系樹脂(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯系樹脂(LLDPE)、或有機茂金屬系直鏈低密度聚乙烯系樹脂(M-LLDPE)。其中，由成型特性之觀點而言，特好使用有機茂金屬系直鏈低密度聚乙烯系樹脂(M-LLDPE)作為皮層用密封材組成物。
用作前述皮層用的基礎樹脂之前述聚乙烯系樹脂的密度，在0.875g/cm 3以上0.910g/cm 3以下，更好是在0.899g/cm 3以下。藉由皮層用的基礎樹脂之密度在前述範圍內，可以將密封構件的密接性保持在良好的範圍內。
針對作為前述皮層用的基礎樹脂使用的聚乙烯系樹脂的之融點，以融點50℃以上100℃以下較佳，融點55℃以上95℃以下更佳。藉由在前述範圍內，可以使密封構件的密接性更確實地提升。
用作前述皮層用的基礎樹脂之聚乙烯系樹脂的熔體質量流率(MFR)，於190℃、荷重2.16kg，在1.0g/10分鐘以上7.0g/10分鐘以下較佳，在1.5g/10分鐘以上6.0g/10分鐘以下更佳。藉由皮層用的基礎樹脂之MFR在前述範圍內，可以將密封構件的密接性保持在更為良好的範圍內。此外，可以充分提高製膜時的加工適性並有助於改善密封構件的生產性。
前述的基礎樹脂對前述皮層用的全樹脂成分之含量為60質量%以上99質量%以下，在90質量%以上99質量%以下較佳。只要含有基礎樹脂在前述範圍內，就可以含有其他樹脂。
於以上已說明的所有密封材組成物，因應需要，於各密封材組成物含有一定量以α-烯烴與乙烯性不飽和矽烷化合物作為共聚單體共聚合而成之矽烷共聚合物為更佳。這樣的接枝共聚合物，使有助於接著力之矽烷醇基的自由度變高，所以能改善密封構件往其他構件之接著性。
矽烷共聚合物，例如，可列舉日本專利特開2003-46105號公報所記載之矽烷共聚合物。藉由使用前述矽烷共聚合物作為密封材組成物的成分，可以安定地、以低成本得到密封構件，於強度、耐久性等優異、且於耐天候性、耐熱性、耐水性、耐光性、其他諸特性優異，再者，配置密封構件時不受加熱壓接等製造條件影響且具有極優異的熱融接性。
作為矽烷共聚合物，可使用隨機共聚合物、交替共聚合物、嵌段共聚合物、及接枝共聚合物之任一種較佳，但以接枝共聚合物更佳，以聚合用聚乙烯為主鏈、且以乙烯性不飽和矽烷化合物為側鏈而聚合之接枝共聚合物又更佳。這樣的接枝共聚合物，使有助於接著力之矽烷醇基的自由度變高，所以能改善密封構件之接著性。
作為構成α-烯烴與乙烯性不飽和矽烷化合物的共聚合物時之乙烯性不飽和矽烷化合物之含量，對於全共聚合物質量，例如為0.001質量%以上15質量%以下，較佳為在0.01質量%以上10質量%以下，特佳為0.05質量%以上5質量%以下。在構成α-烯烴與乙烯性不飽和矽烷化合物的共聚合物之乙烯性不飽和矽烷化合物之含量多之場合，於機械性強度、及耐熱性等優異，但含量過多的話，可能有拉伸伸長度、及熱融接性等變差之傾向。
前述矽烷共聚合物的密封材組成物對全樹脂成分之含量，於前述芯層用密封材組成物為2質量%以上20質量%以下，於前述皮層用密封材組成物為5質量%以上40質量%以下較佳。特別是於皮層用密封材組成物，含有10質量%以上的矽烷共聚合物更佳。又，前述的矽烷共聚合物之矽烷變性量，在1.0質量%以上5.0質量%以下程度較佳。前述的密封材組成物中較佳的矽烷共聚合物的含量範圍，係以前述矽烷變性量在該範圍內為前提，最好是因應該變性量的變動而予以適宜微調整。
於所有的密封構件之層，亦可添加防氧化劑，光安定劑等添加劑。 此外，可以適宜地添加密接性提升劑。藉由密接性提升劑的添加，可以更加改善與其他構件之密接耐久性。作為密接性提升劑，可以使用公知的矽烷耦合劑。例如，可以特佳地使用具有環氧基的矽烷耦合劑、或者具有巰基的矽烷耦合劑。
(6)其他的密封構件 於本發明，密封構件為藉由複數層構成的多層構件的場合，作為被配置於發光二極體基板側的皮層，可以舉出黏著劑層。在此場合，如圖13所示那樣，密封構件5，具有黏著劑層54亦即皮層52，與密封層53也就是芯層51。構成黏著劑層的黏著劑的種類，例如，亦可為丙烯酸系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚氨基甲酸酯系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑等之任一。
進而，黏著劑層，以具有擴散劑為佳。因為可以提高霧度值。作為擴散劑，可以使用與後述的「3.擴散構件3.1第一擴散構件」所記載的同樣的物質。
如此多層構件具有黏著劑層的場合，密封構件的霧度，例如為4%以上，以10%以上為佳。密封構件的全光線透過率，例如為70%以上，以80%以上為佳。
密封構件為具有黏著劑層的多層構件的場合，製造面發光裝置時，能夠在常溫貼合密封構件片與發光二極體基板。因此，沒有熱壓接步驟的必要，可以抑制密封構件與發光二極體基板之線膨脹係數的不同導致的翹曲等的發生。
(6)全光線透過率 本發明之密封構件，只要可以作為面發光裝置發揮機能即可，沒有特別限定以70%以上為佳，其中又以80%以上為佳。又，密封構件的全光線透過率，例如，可以藉由依據日本工業標準JIS K7361-1：1997之方法進行測定。
(7)密封構件之形成方法 如前所述，本發明之密封構件，可以使用由含有前述熱塑性樹脂及其他成分的密封材組成物構成之密封構件片而形成。 前述密封構件片，係將密封材組成物、以從前公知的方法成型加工而形成薄板狀之物。
密封構件為多層構件的場合，藉由芯層用、皮層用的各密封材組成物，以特定的厚度，將芯層及被配置於芯層的一方表面的皮層構成的2層構造之多層膜成形，例如圖3(a)所示，可以製造芯層51、及皮層52之2層構造的密封構件5。此外，藉由成型在芯層的雙方表面配置皮層的3層構造之多層膜，例如圖3(b)所示，可以製造製造皮層52、芯層51、及皮層52之3層構造的密封構件5。
2.發光二極體基板 本發明之發光二極體基板，係於支撐基板的一方的面側被配置複數發光二極體元件之構件。
(1)發光二極體元件 發光二極體元件是被配置在支撐基板的一方面側的構件，作為光源發揮機能。
作為發光二極體元件，例如作為面發光裝置之場合可以照射白色光即可，並未特別限定，例如，可以列舉能發出白光、藍光、紫外線或者紅外線等之發光二極體元件。
發光二極體元件(LED元件)可以做成晶片狀的LED元件。作為LED元件之型態，例如，可以是發光部(亦稱LED晶片)本身，抑或表面實裝型或晶片板(COB)型等之封裝LED(亦稱晶片LED)。封裝LED，例如，可以具有發光部、與含有覆蓋發光部的樹脂之保護部。具體而言，LED元件為發光部本身之場合，作為LED元件，可以使用例如藍色LED元件、紫外線LED元件或紅外線LED元件。此外，LED元件為封裝LED之場合，作為LED元件，可以使用例如白色LED元件。
本發明之面發光裝置，為組合LED元件與前述波長變換構件並發出白光之場合，作為LED元件，為藍色LED元件、紫外線LED元件、或紅外線LED元件較佳。藍色LED元件，係藉由例如與黃色螢光體組合、或者組合紅色螢光體及綠色螢光體，可以生成白光。此外，紫外LED元件，係藉由例如與紅色螢光體、綠色螢光體及藍色螢光體，可以生成白光。其中，LED元件為藍色LED元件較佳。於本發明之面發光裝置，可以發出亮度高的白光之緣故。
此外，LED元件為白色LED元件之場合，作為白色LED元件，可依白色LED元件的發光方式等之不同而適宜選擇。作為白色LED元件之發光方式，例如，可以列舉紅色LED與綠色LED與藍色LED之組合、藍色LED與紅色螢光體與綠色螢光體之組合、藍色LED與黃色螢光體之組合、紫外線LED與紅色螢光體與綠色螢光體與藍色螢光體之組合等。因此，作為白色LED元件，例如，可以具有紅色LED發光部與綠色LED發光部與藍色LED發光部，抑或具有藍色LED發光部與含有紅色螢光體及綠色螢光體的保護部，抑或具有藍色LED發光部與含有黃色螢光體的保護部，抑或具有紫外LED發光部與含有紅色螢光體、綠色螢光體及藍色螢光體的保護部。其中，白色LED元件，具有藍色LED發光部與含有紅色螢光體及綠色螢光體的保護部，具有藍色LED發光部與含有黃色螢光體的保護部，或者，具有紫外LED發光部與含有紅色螢光體、綠色螢光體及藍色螢光體的保護部較佳。該等之中，白色LED元件，具有藍色LED發光部與含有紅色螢光體及綠色螢光體的保護部，或者，具有藍色LED發光部與含有黃色螢光體的保護部更佳。於本發明之面發光裝置，可以發出亮度高的白光之緣故。
作為發光二極體元件之構造，可以做成與一般的發光二極體元件相同。
發光二極體元件，通常，於支撐基板的一方的面側以等間隔被配置。作為發光二極體元件之配置，可因應本發明之面發光裝置之用途及大小、或發光二極體元件的尺寸等而適宜選擇。此外，LED元件之配置密度，亦可因應本發明之面發光裝置之用途及大小、或發光二極體元件的尺寸等而適宜選擇。
發光二極體元件的尺寸(晶片尺寸)，可以為一般的晶片尺寸，其中，以被稱為迷你LED的晶片尺寸為佳。發光二極體元件之尺寸，例如，可以是數百微米見方，抑或數十微米見方。具體而言，發光二極體元件之尺寸，可以為100μm見方以上2000μm見方以下。藉由使發光二極體元件之尺寸很小，能以高密度配置發光二極體元件、亦即可以縮小發光二極體元件間的間隔(間距)，可以縮短發光二極體基板及擴散構件之距離，也就是能薄化密封構件的厚度。藉此，可以謀求薄型化及重量輕化。
(2)支撐基板 本發明之支撐基板，係支撐前述的發光二極體元件、密封構件及擴散構件等之構件。
支撐基板可以是透明的，抑或不透明的。此外，支撐基板可以具有可撓性，抑或具有剛性。支撐基板之材質，可以是有機材料，抑或無機材料，抑或複合有機材料及無機材料之雙方之複合材料。
支撐基板之材質為有機材料之場合，作為支撐基板，可以使用樹脂基板。另一方面，支撐基板之材質為無機材料之場合，作為支撐基板，可以使用陶瓷基板、玻璃基板。此外，支撐基板之材質為複合材料之場合，作為支撐基板，可以使用玻璃環氧基板。此外，作為支撐基板，亦可使用例如金屬芯基板。作為支撐基板，亦可使用利用印刷形成電路之印刷電路基板。
支撐基板的厚度，並無特別限定，可因應可撓性或剛性之有無、或本發明之面發光裝置之用途或大小等而適宜選擇。
(3)其他 本發明之發光二極體基板，只要具有前述之支撐基板及發光二極體元件即可，並未特別限定，可適宜具有必要的構成。作為這樣的構成，例如，可以列舉配線部、端子部、絕緣層、反射層、散熱構件等。 針對各構成，可以與被用於公知的發光二極體基板者相同。
配線部係與發光二極體元件導電連接。配線部，通常為圖案狀地被配置。此外，配線部可以於支撐基材中介著接著層而配置。作為配線部之材料，例如，可以使用金屬材料或導電性高分子材料等。
配線部係藉由接合部而與前述發光二極體元件導電連接。作為接合部之材料，例如，可以使用具有金屬或導電性高分子等導電性材料之接合劑或焊料。
可以在支撐基板之被配置發光二極體元件之面，即發光二極體元件實裝區域以外的區域，配置反射層。例如，在後述的擴散構件的第2層被反射的光，能夠以支撐基板的反射層反射，再度射入擴散構件的第1層，可以提高光的利用效率。
反射層，可以與一般用於發光二極體基板的反射層相同。具體而言，作為反射層，可列舉含有金屬粒子、無機粒子或顏料與樹脂之白色樹脂膜、或金屬膜、多孔質膜等。反射層之厚度，只要可以得到所要的反射率之厚度即可並無特別限定，可適宜設定。
針對發光二極體基板之形成方法，可以與公知的形成方法相同。
3.擴散構件 作為擴散構件，被配置在密封構件之與發光二極體基板側相反的面側。作為擴散構件，只要是具有使由發光二極體(LED)元件射出的光擴散，於面方向均勻地射出的機能之構件即可，沒有特別限定，可以舉出以下的第一擴散構件、第二擴散構件、及第三擴散構件。
3.1 第一擴散構件 第一擴散構件，通常，至少具有被分散擴散劑之樹脂層。前述擴散構件，例如，亦可為被分散擴散劑之樹脂片，亦可為在透明基板上具有被分散擴散劑的樹脂層之層積體，以前者為更佳。作為含有於樹脂層的樹脂，只要能使擴散劑分散即可並無特別限定，但以熱塑性樹脂為佳。因為可使用使擴散劑分散的樹脂片形成擴散構件，所以可使平坦性為良好。
針對用於前述擴散構件的熱塑性樹脂，只要光透過度高者即可，沒有特別限定，一般可以使用在顯示裝置領域被泛用者。
作為前述擴散劑的材質，只要可以使來自LED元件的光擴散即可，沒有特別限定，例如，可為有機材料，亦可為無機材料。擴散劑的材質為有機材料的場合，例如可以舉出聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。另一方面，擴散劑的材質為無機材料的場合，例如可以舉出TiO 2、SiO 2、Al 2O 3、矽等。
擴散劑的折射率，只要可以使來自LED元件的光擴散即可，沒有特別限定，例如，為1.4以上2以下。這樣的折射率，可以藉由阿貝折射計、貝克法、最小偏角法、偏角解析、模式線法、橢圓偏振法等來測定。擴散劑的形狀，例如可以舉出粒子狀。擴散劑的平均粒徑，例如為1μm以上100μm以下。
擴散構件之擴散劑的比率，只要可以使來自LED元件的光擴散即可，沒有特別限定，例如，為40重量%以上60重量%以下。
3.2 第二擴散構件 第二擴散構件，是由前述LED基板側起依序具有第1層與第2層的構件，前述第1層，具有透光性及光擴散性，前述第2層，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角絕對值變大而透過率變大之構件。於本發明，藉由具有前述的擴散構件，可進而提高亮度的面內均勻性，同時謀求薄型化。此外，也可減低成本及消耗電力。
以下，參照圖式並說明本發明之第二擴散構件。圖4係顯示第二擴散構件之一例之概略剖面圖。如圖4所例示，擴散構件11係依序具有第1層12與第2層13。第1層12具有透光性及光擴散性，透過及擴散由第1層12之與第2層13側的面相反的面12A射入之光L1、L2。此外，第2層13，隨著第2層13之對於第1層12側之面13A的光的入射角的絕對值變小而反射率變大，隨著第2層13之對於第1層12側之面13A的光的入射角絕對值變大而透過率變大。因此，第2層13，能使第2層13之對於第1層12側之面13A以低入射角θ1射入的光L1反射，使第2層13之對於第1層12側之面13A以高入射角θ2射入的光L2透過。又，低入射角係稱入射角的絕對值小者，高入射角係稱入射角的絕對值大者。
圖5係顯示圖4之具備第二擴散構件的本發明的面發光裝置之一例之概略剖面圖。如圖5所例示的，面發光裝置10，具有：被配置於支撐基板2的一方面側的LED元件3之發光二極體基板4，被配置於發光二極體基板4的發光二極體元件3側之面側，密封發光二極體元件3之密封構件5，以及被配置在密封構件5之與發光二極體基板4側相反的面側之擴散構件11。擴散構件11，以第1層12側之面11A對向於密封構件5之方式被配置。
如圖4所示，使由擴散構件11的第1層12的面11A射入的光在第1層12擴散，同時，透過第1層12而擴散的光之中，第2層13之對於第1層12側之面13A以低入射角θ1射入的光L1，如圖5所示，可以在第2層13之第1層12側之面13A反射，再次射入第1層12並擴散。接著，透過第1層12而擴散的光之中，第2層13之對於第1層12側之面13A以高入射角θ2射入的光L2、L2′，可以透過第2層13，由擴散構件11的第2層13側之面11B射出。此外，藉由組合第1層及第2層，由擴散構件之第1層側之面射入之光，特別是由擴散構件之第1層側之面以低入射角射入之光，可以多次透過第1層並擴散，所以可由擴散構件之第2層側之面以高出射角射出。亦即，具有這樣的擴散構件之面發光裝置(特別是直下型方式的LED背光)，可以使由發光二極體元件發出的光擴散於發光面全體，可進而提升亮度的面內均勻性。
此外，藉由組合第1層及第2層，由擴散構件之第1層側之面以低入射角射入之光，可以多次透過第1層，因而可以增加光由擴散構件之第1層側之面射入起到由擴散構件之第2層側之面射出之光徑長。藉此，從發光二極體元件發出後由擴散構件之第2層側之面射出之光的一部分，並不是在發光二極體元件的正上方，而可以由面內方向上遠離LED元件的位置射出。
1.第1層 本發明之第1層，係被配置於後述的第2層之一方之面側，具有透光性及光擴散性之構件。作為第1層具有的透光性，例如第1層的全光線透過率為50%以上較佳，其中在70%以上更佳，在90%以上特佳。藉由第1層的全光線透過率在前述範圍，可以提高本發明的面發光裝置的亮度。
又，第1層的全光線透過率，例如，可以藉由依據日本工業標準JIS K7361-1：1997之方法予以測定。
作為第1層的光擴散性，例如，可以是隨機地擴散光的光擴散性，抑或主要在特定方向擴散光之光擴散性。主要在特定方向擴散光之光擴散性，係使光偏轉的性質，亦即改變光的行進方向之性質。作為第1層的光擴散性，隨機地擴散光之光擴散性之場合，例如，朝第1層射入的光的擴散角可以是10°以上，15°以上，抑或20°以上。此外，朝第1層射入的光的擴散角，例如可以是85°以下，60°以下，抑或50°以下。藉由前述擴散角在前述範圍內，可以進而提高本發明之面發光裝置的亮度的面內均勻性。
在此，說明擴散角。圖6係例示透光強度分布之圖，且說明擴散角之圖。本說明書中，光垂直地射入構成擴散構件之第1層之一方之面，並由第1層之另一方之面被射出之光的最大透光強度Imax的2分之1，將2個角度的差即半值幅(FWHM)定義為擴散角α。
又，擴散角可以使用變角光度計或變角分光測色器予以測定。擴散角的測定上，例如，可以使用村上色彩技術研究所(股)公司製造的變角光度計(GONIOPHOTOMETER)GP-200等。
作為第1層，只要是具有前述的透光性及光擴散性者即可，沒有特別限定，例如，可列舉透過型繞射光柵、微透鏡陣列、含有擴散劑及樹脂的含擴散劑樹脂膜等。具體而言，第1層為具有主要朝特定方向擴散光的光擴散性之場合，可列舉透過型繞射光柵、微透鏡陣列。另一方面，第1層為具有隨機地擴散光之光擴散性之場合，可列舉含擴散劑樹脂膜。其中，由光擴散性之觀點而言，透過型繞射光柵、微透鏡陣列為較佳。又，透過型繞射光柵也被稱為透過型繞射光學元件(DOE;Diffractive Optical Elements)。
第1層為透過型繞射光柵之場合，作為透過型繞射光柵，只要是具有前述的透光性及光擴散性者即可並未特別限定。作為透過型繞射光柵的間距等，只要可以得到前述的透光性及光擴散性即可，可適宜調整。具體而言，LED元件所輸出的波長為紅色、綠色、藍色等單色之場合，可以藉由因應各波長設定間距，而有效地彎曲來自發光二極體元件的光。
作為構成透過型繞射光柵的材料，只要是可以得到具有前述的透光性及光擴散性的透過型繞射光柵之材料即可，可以採用一般上被用於透過型繞射光柵的材料。此外，作為透過型繞射光柵的形成方法，可以與一般的透過型繞射光柵的形成方法相同。
第1層為微透鏡陣列之場合，作為微透鏡陣列，只要是具有前述的透光性及光擴散性者即可並未特別限定。作為微透鏡陣列的形狀、間距、大小等，只要可以得到前述的透光性及光擴散性即可，可適宜調整。作為構成微透鏡的材料，只要是可以得到具有前述的透光性及光擴散性的微透鏡之材料即可，可以採用一般上被用於微透鏡的材料。此外，作為微透鏡的形成方法，可以與一般的微透鏡的形成方法相同。
第1層為含擴散劑樹脂膜之場合，作為含擴散劑樹脂膜，只要是具有前述的透光性及光擴散性者即可並未特別限定。
第1層為具有可以發現光擴散性的構造者即可，例如，可以是在層全體發現光擴散性者，抑或在面發現光擴散性者。作為在面發現光擴散性者，例如，可列舉凹凸型繞射光柵或微透鏡陣列。另一方面，作為在層全體發現光擴散性者，例如，可列舉體積型繞射光柵或含擴散劑樹脂膜。作為層積第1層及第2層之方法，例如，可列舉使第1層及第2層中介著接著層或黏接層而貼合之方法，或於第2層的一方的面直接形成第1層之方法等。作為於第2層的一方的面直接形成第1層之方法，例如，可列舉印刷法、利用金屬模具的樹脂賦形等。
2.第2層 本發明之第2層，被配置於前述第1層之一方之面側，是具有隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大這樣的反射率的入射角依存性，與隨著前述第2層之對於前述第1層側之面的光的入射角絕對值變大而透過率變大這樣的透過率的入射角依存性之構件。
第2層，係具有隨著第2層之對於第1層側之面的光的入射角的絕對值變小而反射率變大這樣的反射率的入射角依存性。亦即，第2層之對於第1層側之面以低入射角射入的光的反射率，係比第2層之對於第1層側之面以高入射角射入的光的反射率還要大。其中，第2層之對於第1層側之面以低入射角射入的光的反射率大較佳。
具體而言，第2層之對於第1層側之面以入射角±60°以内射入的可見光的正反射率，為50%以上未滿100%較佳，其中在80%以上未滿100%更佳，在90%以上未滿100%特佳。又，於入射角±60°以内的所有入射角，可見光的正反射率滿足前述範圍較佳。藉由前述正反射率在前述範圍，可以進而提高本發明之面發光裝置的亮度的面內均勻性。
此外，第2層之對於第1層側之面以入射角±60°以内射入的可見光的正反射率的平均值，例如，為80%以上99%以下較佳，其中在90%以上97%以下更佳。又，前述正反射率的平均值，係稱在各入射角下可見光的正反射率的平均值。藉由前述正反射率的平均值在前述範圍，可以進而提高本發明之面發光裝置的亮度的面內均勻性。
此外，第2層之對於第1層側之面以入射角0°射入的(垂直地射入的)可見光的正反射率，例如，為80%以上未滿100%較佳，其中在90%以上未滿100%更佳，在95%以上未滿100%特佳。藉由前述正反射率在前述範圍，可以進而提高本發明之面發光裝置的亮度的面內均勻性。
又，「可見光」，本說明書中意味波長380nm以上波長780nm以下的光。此外，正反射率可以使用變角光度計或變角分光測色器予以測定。正反射率的測定，例如，可以使用村上色彩技術研究所(股)公司製造的變角光度計(GONIOPHOTOMETER)GP-200等。
第2層，係具有隨著第2層之對於第1層側之面的光的入射角的絕對值變大而透過率變大這樣的透過率的入射角依存性。亦即，第2層之對於第1層側之面以高入射角射入的光的透過率，係比第2層之對於第1層側之面以低入射角射入的光的透過率還要大。其中，第2層之對於第1層側之面以高入射角射入的光的透過率大較佳。具體而言，第2層之對於第1層側之面以入射角70°以上未滿90°射入的光的全光線透過率，為30%以上較佳，其中在40%以上更佳，在50%以上特佳。又，於入射角70°以上未滿90°的所有入射角，全光線透過率滿足前述範圍較佳。又，於入射角的絕對值為70°以上未滿90°之場合，全光線透過率滿足前述範圍較佳。藉由前述全光線透過率在前述範圍，可以進而提高本發明之面發光裝置的亮度的面內均勻性。
又，第2層的全光線透過率，例如，可以利用變角光度計或變角分光測色器，藉由依據日本工業標準JIS K7361-1：1997之方法予以測定。全光線透過率的測定，例如，可以使用日本分光(股)公司製造的紫外光-可見光-近紅外光(UV/Visible/NIR)分光光譜儀V-7200等。
作為第2層，只要是具有前述的反射率及透過率的入射角依存性者即可，並沒有特別限定，可以採用具有前述的反射率及透過率的入射角依存性之各種構成。作為第2層，例如，可列舉介電質多層膜，或由前述第1層側起依序具有圖案狀的第1反射膜與圖案狀的第2反射膜、使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊、第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置之反射構造體，或反射型繞射光柵等。
以下，說明第2層為介電質多層膜、反射構造體、或者反射型繞射光柵之場合。
(1)介電質多層膜 第2層為介電質多層膜之場合，作為介電質多層膜，例如，可列舉折射率不同的無機層交互地層積之無機化合物多層膜、或折射率不同的樹脂層交互地層積之樹脂多層膜。
(無機化合物多層膜) 介電質多層膜為折射率不同的無機層交互地層積之無機化合物多層膜之場合，作為無機化合物多層膜，只要是具有前述的反射率及透過率的入射角依存性者即可並未特別限定。
折射率不同的無機層之中，作為折射率高的高折射率無機層含有的無機化合物，例如，折射率可以為1.7以上，在1.7以上2.5以下亦可。作為這樣的無機化合物，例如，可列舉以氧化鈦、氧化鋯、五氧化鉭、五氧化鈮、氧化鑭、氧化釔、氧化鋅、硫化鋅、氧化銦為主成分，且含有少量氧化鈦、氧化錫、氧化鈰之無機化合物等。
此外，折射率不同的無機層之中，作為折射率低的低折射率無機層含有的無機化合物，例如，折射率可以為1.6以下，在1.2以上1.6以下亦可。作為這樣的無機化合物，例如，可列舉二氧化矽、氧化鋁、氟化鑭、氟化鎂、六氟化鋁鈉等。
高折射率無機層及低折射率無機層的層積數，只要可以得到前述的反射率及透過率的入射角依存性即可，可適宜調整。具體而言，高折射率無機層及低折射率無機層之總層積數可以為4層以上。此外，前述總層積數的上限並未特別限定，但是製程會隨層積數增加而增加，所以可以為例如24層以下。
無機化合物多層膜的厚度，只要可以得到前述的反射率及透過率的入射角依存性即可，例如，可以是0.5μm以上10μm以下。作為無機化合物多層膜的形成方法，例如，可列舉藉由CVD法、濺鍍法、真空蒸鍍法、或者濕式塗敷法等，交互地層積高折射率無機層與低折射率無機層之方法。
(樹脂多層膜) 介電質多層膜為折射率不同的樹脂層交互地層積之樹脂多層膜之場合，作為樹脂多層膜，只要是具有前述的反射率及透過率的入射角依存性者即可並未特別限定。
作為構成樹脂層的樹脂，例如，可以列舉熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂。其中，由於形成性良好，所以熱塑性樹脂較佳。
於樹脂層，也可以添加各種添加劑，例如，抗氧化劑、防帶電劑、結晶核劑、無機粒子、有機粒子、減黏劑、熱安定劑、滑劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、供調整折射率用之摻雜劑等。
作為熱塑性樹脂，例如，可以使用聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基戊烯等的聚烯烴樹脂、脂環族聚烯烴樹脂、尼龍6、尼龍66等的聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚丙烯對苯二甲酸酯、聚丁二酸丁二醇酯、聚乙烯-2,6-萘二甲酸酯等的聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚芳香酯樹脂、聚乙縮醛樹脂、聚苯硫醚樹脂、4氟化乙烯樹脂、3氟化乙烯樹脂、3氟氯化乙烯樹脂、4氟化乙烯-6氟化伸丙基共聚合物、偏二氟乙烯樹脂等的氟樹脂、丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚乙縮醛樹脂、聚乙醇酸樹脂、聚乳酸樹脂等。其中，由強度、耐熱性、透明性之觀點而言，以聚酯為更佳。
本說明書中，聚酯係稱二羧酸成分骨架與二醇成分骨架之聚縮合物即均聚酯或共聚合聚酯。在此，作為均聚酯，例如，可列舉聚乙烯對苯二甲酸酯、聚丙烯對苯二甲酸酯、聚伸丁基對苯二甲酸酯、聚乙烯-2,6-萘二甲酸酯、聚-1,4-環己烷二亞甲基對苯二甲酸酯、聚乙烯二苯甲酸酯等。其中，聚對苯二甲酸乙二酯，由於便宜，可用於非常廣泛的用途而較佳。
此外，本說明書中，共聚合聚酯定義為由選自以下列舉的具有二羧酸骨架的成分與具有二醇骨架的成分之至少3種以上成分所構成之聚縮合物。作為具有二羧酸骨架之成分，例如，可列舉對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、1,4-萘二羧酸、1,5-萘二羧酸、2,6-萘二羧酸、4,4-二苯基二羧酸、4,4-二苯基磺基二羧酸、己二酸、癸二酸、二體酸、環己烷二羧酸與該等之酯衍生物等。作為具有甘醇骨架之成分，例如，可列舉乙二醇、1,2-丙烷二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、二甘醇、聚烯烴二醇、2,2-雙(4-β-羥乙氧基苯基)丙烷、異己二烯酸酯、1,4-環己烷二甲醇、螺甘油等。
折射率不同的樹脂層之中，折射率高的高折射率樹脂層與折射率低的低折射率樹脂層之面內平均折射率之差，為0.03以上較佳，在0.05以上更佳，在0.1以上又更佳。前述面內平均折射率之差太小的話，有無法得到足夠的反射率之場合。
此外，高折射率樹脂層的面內平均折射率與厚度方向折射率之差為0.03以上較佳；低折射率樹脂層之面內平均折射率與厚度方向折射率之差為0.03以下較佳。此場合，即使入射角變大，也不易發生反射峰的反射率降低。
被用於高折射率樹脂層之高折射率樹脂與被用於低折射率樹脂層之低折射率樹脂之較佳組合，首先，高折射率樹脂及低折射率樹脂的SP值之差之絕對值為1.0以下較佳。SP值之差之絕對值在前述範圍的話，不易發生層間剝離。此場合，高折射率樹脂及低折射率樹脂包含相同的基本骨架更佳。在此，基本骨架，係構成樹脂的重複單元。例如，一方的樹脂為聚對苯二甲酸乙二酯之場合，對苯二甲酸乙二酯為基本骨架。此外，例如，一方的樹脂為聚乙烯之場合，乙烯為基本骨架。高折射率樹脂及低折射率樹脂為包含相同的基本骨架之樹脂的話，更不易發生層間的剝離。
作為被用於高折射率樹脂層之高折射率樹脂與被用於低折射率樹脂層之低折射率樹脂之較佳組合，第二是高折射率樹脂及低折射率樹脂的玻璃轉移溫度之差為20℃以下較佳。玻璃轉移溫度之差過大的話，有高折射率樹脂層及低折射率樹脂層之製作層積膜時的厚度均勻性不良之場合。此外，在形成前述層積膜時，也會有發生過延伸之場合。
此外，高折射率樹脂為聚對苯二甲酸乙二酯或者聚萘二甲酸乙二醇酯，低折射率樹脂為包含螺甘油之聚酯較佳。在此，包含螺甘油之聚酯，係稱將螺甘油共聚合了的共聚酯、或者均聚酯、或者摻合了該等之聚酯。包含螺甘油之聚酯，與聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二醇酯之玻璃轉移溫度之差小，因而不易在成形時變得過延伸，並且不易發生層間剝離，因此較佳。更好是高折射率樹脂為聚對苯二甲酸乙二酯或者聚萘二甲酸乙二醇酯，低折射率樹脂為包含螺甘油及環己烷二羧酸之聚酯較佳。低折射率樹脂為包含螺甘油及環己烷二羧酸之聚酯的話，與聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二醇酯之面內折射率之差會增加，因而容易得到高的反射率。此外，與聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二醇酯之玻璃轉移溫度之差減少，對接著性優異，因而成形時不易變得過延伸，並且不易發生層間剝離。
此外，高折射率樹脂為聚對苯二甲酸乙二酯或者聚萘二甲酸乙二醇酯，低折射率樹脂為包含環己烷二甲醇之聚酯也較佳。在此，包含環己烷二甲醇之聚酯，係稱將環己烷二甲醇共聚合了的共聚酯、或者均聚酯、或者摻合了該等之聚酯。包含環己烷二甲醇之聚酯，與聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二醇酯之玻璃轉移溫度之差小，因而不易在成形時變得過延伸，並且不易發生層間剝離，因此較佳。此場合，低折射率樹脂，以環己烷二甲醇的共聚合量為15mol%以上60mol%以下之對苯二甲酸乙二酯聚縮合物更佳。藉由這作法，具有高的反射性能，同時特別減少因加熱或經時造成的光學特性變化，且也不易發生層間的剝離。環己烷二甲醇的共聚合量在前述範圍內之對苯二甲酸乙二酯聚縮合物，係與聚對苯二甲酸乙二酯非常強地接著。此外，該環己烷二甲醇基作為幾何異構物有順式或反式，此外作為構形異構物也有椅型或船型，因而即使與聚對苯二甲酸乙二酯共延伸也不易進行配向結晶化，且具有高反射率，因熱履歷導致的光學特性變化也更少，製膜時也不易發生破裂。
於前述之樹脂多層膜，只要具有高折射率樹脂層與低折射率樹脂層在厚度方向上交互地被層積之構造之部分存在即可。亦即，高折射率樹脂層及低折射率樹脂層之厚度方向的配置順序不是隨機的狀態較佳，高折射率樹脂層及低折射率樹脂層以外之樹脂層的配置順序則沒有特別限定。此外，前述的樹脂多層膜，具有高折射率樹脂層與低折射率樹脂層與其他樹脂層之場合，作為這些的配置順序，在設定高折射率樹脂層為A、低折射率樹脂層為B、其他樹脂層為C時，依照A(BCA) n、A(BCBA) n、A(BABCBA) n等的規則順序層積各層更佳。在此，n為重複單元數，例如A(BCA) n中n=3之場合，表示沿厚度方向上依照ABCABCABCA的順序被層積。
此外，高折射率樹脂層及低折射率樹脂層的層積數，只要可以得到前述的反射率及透過率的入射角依存性即可，可適宜調整。具體而言，高折射率樹脂層及低折射率樹脂層可以交互地各層積30層以上，各層積200層以上亦可。此外，高折射率樹脂層及低折射率樹脂層之總層積數，例如可以為600層以上。層積數太少的話，有無法得到足夠的反射率之場合。此外，藉由層積數在前述範圍，可以容易地得到所期待的反射率。此外，前述總層積數的上限並未特別限定，但是考慮到裝置大型化或由於層數太多導致的層積精度降度，可以為例如1500層以下。
再者，前述的樹脂多層膜，至少於單面具有含有厚度3μm以上的聚對苯二甲酸乙二酯或者聚萘二甲酸乙二醇酯之表面層較佳，其中，於雙面具有前述表面層較佳。此外，表面層的厚度5μm以上為更佳。藉由具有前述表面層，可以保護前述的樹脂多層膜的表面。
作為前述的樹脂多層膜之製造方法，例如，可列舉共擠押出(Co-Extrusion)法等。具體而言，可以參照日本專利特開2008-200861號公報記載之層積膜之製造方法。
此外，作為前述的樹脂多層膜，可以使用市售的層積膜，具體而言，可列舉TORAY(股)公司製造的PICASUS(註冊商標)、3M(股)公司製造的ESR等。
(2)反射構造體 反射構造體，係由前述第1層側起依序具有圖案狀的第1反射膜與圖案狀的第2反射膜、使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊、第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置之反射構造體。
反射構造體係有2個態樣。反射構造體之第1態樣，係具有透明基材、被配置於透明基材的一方的面之圖案狀的第1反射膜、與被配置於透明基材的另一方的面之圖案狀的第2反射膜；使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊，第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置之態樣。此外，反射構造體之第2態樣，係具有透明基材、被配置於透明基材的一方的面且具有透光性的圖案狀的凸部、被配置於與凸部的透明基材側的面相反的面側之圖案狀的第1反射膜、與被配置於透明基材的一方的面的凸部的開口部之圖案狀的第2反射膜；使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊，第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置之態樣。以下，分別說明各態樣。
(反射構造體之第1態樣) 本發明之反射構造體之第1態樣，係具有透明基材、被配置於透明基材的一方的面之圖案狀的第1反射膜、與被配置於透明基材的另一方的面之圖案狀的第2反射膜；使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊，第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置之態樣。本態樣的反射構造體之場合，於第二擴散構件，於反射構造體的第1反射膜側的面側配置第1層。
圖7(a)、(b)係顯示本態樣之反射構造體之一例之概略平面圖及剖面圖；圖7(a)係反射構造體之由第1反射膜側之面來看之平面圖；圖7(b)係圖7(a)之A-A線剖面圖。如圖7(a)、(b)所示，反射構造體20，係具有透明基材21、被配置於透明基材21的一方的面之圖案狀的第1反射膜22、與被配置於透明基材21的另一方的面之第2反射膜24。使第1反射膜22的開口部23及第2反射膜24的開口部25定位成平面俯視上不重疊。此外，第1反射膜22及第2反射膜24，於透明基材21的雙面分別被配置著，且於厚度方向上分開配置。又，於圖7(a)，第2反射膜的開口部係以虛線顯示。此外，圖7(c)係顯示具備具有本態樣的反射構造體之擴散構件之面發光裝置之一例之概略剖面圖。
這樣的反射構造體中，層積著圖案狀的第1反射膜及第2反射膜、使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊，所以，將具有本態樣的反射構造體之擴散構件用於面發光裝置之場合，例如圖7(c)所示，第1反射膜22及第2反射膜24之至少任一方必須存在於發光二極體元件3的正上方。因此，例如圖7(b)所示，反射構造體20的第1反射膜22側的面，亦即反射構造體20(第2層)之對於被配置第1層(未圖示)之側之面13A以低入射角射入之光L11，可以在第1反射膜22及第2反射膜24反射。此外，使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊，且第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置，所以，反射構造體20的第1反射膜22側的面，亦即反射構造體20(第2層)之對於被配置第1層(未圖示)之側之面13A以高入射角射入之光L12、L13，可以由第1反射膜22的開口部23及第2反射膜24的開口部25射出。藉此，從發光二極體元件發出後由擴散構件之第2層側之面射出之光的一部分，並不是在發光二極體元件的正上方，而可以由面內方向上遠離發光二極體元件的位置射出。因而，可以提高亮度的面內均勻性。
作為第1反射膜及第2反射膜，可以使用一般的反射膜，例如，可以使用金屬膜、介電質多層膜等。作為金屬膜的材料，可以採用被使用於一般的反射膜之金屬材料，例如，可列舉鋁、金、銀、及該等的合金等。此外，作為介電質多層膜，可以採用被使用於一般的反射膜之多層膜，例如，可列舉氧化鋯與氧化矽交互地被層積的多層膜等之無機化合物多層膜。第1反射膜及第2反射膜所含的材料，可以是相同的，抑或互為不同。
作為第1反射膜及第2反射膜的開口部之間距，只要可以得到前述之反射率及透過率之入射角依存性即可，可以因應使用本態樣的擴散構件之面發光裝置中發光二極體元件的配光特性、尺寸、間距及形狀，或發光二極體基板與擴散構件之距離等而適宜設定。第1反射膜及第2反射膜的開口部之間距，可以是相同，抑或互為不同。
第1反射膜的開口部之間距，例如，也可以比LED元件的尺寸還要大。 具體而言，第1反射膜的開口部之間距可以設為0.1mm以上20mm以下。
此外，第2反射膜的開口部之間距，只要能抑制亮度不均勻即可並未特別限定，但是，其中以前述第1反射膜的開口部之間距以下為佳，比前述第1反射膜的開口部之間距要小較佳。具體而言，第2反射膜的開口部之間距可以設為0.1mm以上2mm以下。藉由如前述使第2反射膜的開口部的間距微細化，能不易辨識出第2反射膜的部分與第2反射膜的開口部的部分之圖案，可形成沒有不均勻的面發光。
又，第1反射膜的開口部的間距，係稱例如圖7(a)所示般，相鄰接的第1反射膜22的開口部23之中心間的距離P1。此外，第2反射膜的開口部的間距，係稱例如圖7(a)所示般，相鄰接的第2反射膜24的開口部25之中心間的距離P2。
作為第1反射膜及第2反射膜的開口部之大小，只要可以得到前述之反射率及透過率之入射角依存性即可，可以因應LED元件的配光特性、尺寸、間距及形狀，或LED基板與擴散構件之距離等而適宜設定。第1反射膜及第2反射膜的開口部之大小，可以是相同，抑或互為不同。
作為第1反射膜的開口部之大小，具體而言，於第1反射膜的開口部之形狀為矩形狀之場合，第1反射膜的開口部之長度可以為0.1mm以上5mm以下。
此外，第2反射膜的開口部之大小，只要能抑制亮度不均勻即可並未特別限定，但是，其中以前述第1反射膜的開口部之大小以下為佳，比前述第1反射膜的開口部之大小要小較佳。具體而言，於第2反射膜的開口部之形狀為矩形狀之場合，第2反射膜的開口部之長度可以為0.05mm以上2mm以下。藉由如前述使第2反射膜的開口部的大小微細化，能不易辨識出第2反射膜的部分與第2反射膜的開口部的部分之圖案，可形成沒有不均勻的面發光。
又，第1反射膜的開口部的大小，係稱例如第1反射膜的開口之形狀為矩形狀之場合，如圖7(a)所示般，第1反射膜22的開口部23之長度x1。此外，第2反射膜的開口部的大小，係稱例如圖7(a)所示般，第2反射膜24的開口部25之長度x2。
作為第1反射膜及第2反射膜的開口部之形狀，例如，可以為矩形狀、圓形狀等，任意形狀。作為第1反射膜及第2反射膜之厚度，只要可以得到前述的反射率及透過率的入射角依存性即可，可適宜調整。具體而言，第1反射膜及第2反射膜之厚度可以設為0.05μm以上100μm以下。
第1反射膜及第2反射膜，可以是於透明基材之面被形成，抑或薄板狀的反射膜。作為第1反射膜及第2反射膜之形成方法，只要可以於透明基材之面圖案狀地形成反射膜之方法即可並未特別限定，例如，可列舉濺鍍法、真空蒸鍍法等。此外，第1反射膜及第2反射膜為薄板狀的反射膜之場合，作為開口部之形成方法，例如，可列舉利用沖壓加工等來形成複數貫通孔之方法等。此場合，作為透明基材及薄板狀的反射膜之層積方法，例如，可以採用於透明基材中介著接著層或黏接層貼合薄板狀的反射膜之方法。
本態樣的反射構造體之透明基材，係支撐前述之第1反射膜及第2反射膜等之構件，此外，用以使第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置之構件。
透明基材係具有透光性。作為透明基材的透光性，透明基材的全光線透過率在例如80%以上為佳，其中在90%以上較佳。 又，透明基材的全光線透過率，例如，可以藉由依據日本工業標準JIS K7361-1：1997之方法予以測定。
作為構成透明基材之材料，只要是具有前述之全光線透過率之材料即可，例如，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、丙烯酸、環烯烴、聚酯、聚苯乙烯、丙烯酸苯乙烯等之樹脂、或石英玻璃、pyrex(註冊商標)、合成石英等之玻璃。
作為透明基材之厚度，例如圖7(b)所示，使反射構造體20的第1反射膜22側的面，亦即反射構造體20(第2層)之對於被配置第1層(未圖示)之側之面13A以高入射角射入之光L12，可以由第1反射膜22的開口部23及第2反射膜24的開口部25射出之厚度較佳，且可因應第1反射膜及第2反射膜的開口部之間距及大小、或第1反射膜及第2反射膜之厚度等而適宜設定。具體而言，透明基材之厚度可以為0.05mm以上2mm以下，其中在0.1mm以上0.5mm以下較佳。
(反射構造體之第2態樣) 反射構造體之第2態樣，係具有透明基材、被配置於透明基材的一方的面且具有透光性的圖案狀的凸部、被配置於與凸部的透明基材側的面相反的面側之圖案狀的第1反射膜、與被配置於透明基材的一方的面的凸部的開口部之圖案狀的第2反射膜；使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊，第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置之態樣。本態樣的反射構造體之場合，於第二擴散構件，於反射構造體的第1反射膜側的面側配置第1層。
圖8(a)、(b)係顯示本發明之反射構造體之第2態樣之一例之概略平面圖及剖面圖；圖8(a)係反射構造體之由第1反射膜側之面來看之平面圖；圖8(b)係圖8(a)之A-A線剖面圖。如圖8(a)、(b)所示，反射構造體20，係具有透明基材21、被配置於透明基材21的一方的面、具有透光性之圖案狀的凸部26，被配置於與凸部26的透明基材21側的面相反的面之圖案狀的第1反射膜22、與被配置於透明基材21的一方的面的凸部26的開口部之圖案狀的第2反射膜24。使第1反射膜22的開口部23及第2反射膜24的開口部25定位成平面俯視上不重疊。此外，第1反射膜22及第2反射膜24，藉由凸部26而被隔開，且於厚度方向上分開配置。
這樣的反射構造體中，層積著圖案狀的第1反射膜及第2反射膜、使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊，所以，使用了具有本態樣的反射構造體之擴散構件的面發光裝置(特別是LED背光)，第1反射膜及第2反射膜之至少任一方必定存在於LED元件的正上方。因此，與前述反射構造體的第1態樣同樣地，例如圖8(b)所示，反射構造體20的第1反射膜22側的面，亦即反射構造體20(第2層)之對於被配置第1層(未圖示)之側之面13A以低入射角射入之光L11，可以在第1反射膜22及第2反射膜24反射。此外，使第1反射膜的開口部及第2反射膜的開口部定位成平面俯視上不重疊，且第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置，所以，反射構造體20的第1反射膜22側的面，亦即反射構造體20(第2層)之對於被配置第1層(未圖示)之側之面13A以高入射角射入之光L12，可以由凸部26的側面及第2反射膜24的開口部25射出。藉此，從LED元件發出後由擴散構件之第2層側之面射出之光的一部分，並不是在LED元件的正上方，而可以由面內方向上遠離LED元件的位置射出。因而，可以提高亮度的面內均勻性。此外，本態樣中具有凸部，所以第1反射膜及第2反射膜之開口部可自動對準，能削減製造成本。
又，針對第1反射膜及第2反射膜之材料、第1反射膜及第2反射膜之開口部的間距、第1反射膜及第2反射膜之開口部的大小、第1反射膜及第2反射膜之開口部的形狀、第1反射膜及第2反射膜之厚度、以及第1反射膜及第2反射膜之形成方法等，可以與前述第1態樣相同。
此外，針對透明基材，可以與前述第1態樣相同。
本態樣的反射構造體之凸部，係用以使前述的第1反射膜及第2反射膜於厚度方向上分開配置之構件。凸部係具有透光性。作為凸部的透光性，凸部的全光線透過率在例如80%以上為佳，其中在90%以上較佳。又，凸部的全光線透過率，例如，可以藉由依據日本工業標準JIS K7361-1：1997之方法予以測定。
作為構成凸部之材料，只要可形成圖案狀的凸部、且具有前述的全光線透過率之材料即可，例如，可列舉熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等。
作為凸部之高度，例如圖8(b)所示，使反射構造體20的第1反射膜22側的面，亦即反射構造體20(第2層)之對於被配置第1層(未圖示)之側之面13A以高入射角射入之光L12，可以由凸部26的側面及第2反射膜24的開口部25射出那樣的高度較佳，且因應第1反射膜及第2反射膜的開口部之間距及大小、或第1反射膜及第2反射膜之厚度等而可適宜設定。具體而言，凸部之高度可以為0.05mm以上2mm以下，其中在0.1mm以上0.5mm以下較佳。
針對凸部的間距、大小及平面俯視形狀，可以與前述第2反射膜之開口部的間距、大小及形狀相同。凸部之表面，例如可以如圖8(b)所示為平滑面，抑或如圖9(a)所示為粗糙面。凸部的表面為粗糙面之場合，可以對凸部賦予光擴散性。
此外，作為凸部之表面形狀，可以例如圖8(b)所示為平面，抑或如圖9(b)所示為曲面。凸面的表面為曲面之場合，可以對凸部賦予光擴散性。
作為凸部之形成方法，只要可以形成圖案狀的凸部之方法即可並未特別限定，例如，可列舉印刷法、利用金屬模具的樹脂賦形等。
(3)反射型繞射光柵 第2層為反射型繞射光柵之場合，作為反射型繞射光柵，只要是具有前述的反射率及透過率之入射角依存性者即可並未特別限定。
作為反射型繞射光柵之間距等，只要可以得到前述的反射率及透過率之入射角依存性即可，可適宜調整。具體而言，LED元件所輸出的波長為紅色、綠色、藍色等單色之場合，可以藉由因應各波長設定間距，而有效地使LED元件的光反射。
作為構成反射型繞射光柵的材料，只要是可以得到具有前述的反射率及透過率的入射角依存性之反射型繞射光柵之材料即可，可以採用一般上被用於反射型繞射光柵的材料。此外，作為反射型繞射光柵的形成方法，可以與一般的反射型繞射光柵的形成方法相同。
3.3 第三擴散構件 作為第三擴散構件，例如可以舉出聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯等具有透光性樹脂的樹脂板，內部存在多數空隙者，或者，於表面具有凹凸者，可以使用一般於顯示裝置領域被泛用者。
4.波長變換構件 本發明之面發光裝置，例如，可以於擴散構件之與發光二極體基板側相反的面側配置波長變換構件，抑或於擴散構件的發光二極體基板側配置波長變換構件。
波長變換構件，係吸收由發光二極體元件被射出的光，含有發出激發光的螢光體之構件。波長變換構件，藉由與發光二極體基板組合，而具有生成白色光之機能。
波長變換構件，通常至少具有包含螢光體及樹脂之波長變換層。 波長變換構件，例如，可以是波長變換層單體，抑或是於透明基材的一方的面側具有波長變換層之層積體。其中，由薄型化之點而言，波長變換層單體為較佳。更佳為使用薄板狀的波長變換構件。
作為前述螢光體，可以因應來自發光二極體元件的發光色而適宜選擇，例如，可以列舉藍色螢光體、綠色螢光體、紅色螢光體、黃色螢光體等。例如，LED元件為藍色LED元件之場合，作為螢光體，可以使用綠色螢光體與紅色螢光體，抑或使用黃色螢光體。此外，例如，LED元件為紫外線LED元件之場合，作為螢光體，可以使用紅色螢光體與綠色螢光體與藍色螢光體。
作為螢光體，例如可以採用被用於LED背光的波長變換構件之螢光體。此外，也可以將量子點用作螢光體。波長變換構件層中的螢光體含量，只要是能生成所要的白色光之程度即可並未特別限定，可以與一般的LED背光的波長變換構件之螢光體含量相同。
此外，作為波長變換構件所含的樹脂，只要能使螢光體分散即可並無特別限定。作為前述樹脂，可以是與被用於一般的LED背光的波長變換構件之樹脂相同，例如，可以列舉聚矽氧系樹脂或環氧系樹脂等的熱硬化性樹脂。
作為波長變換構件之厚度，使用於面發光裝置之場合，只要是能生成所要的白色光之厚度即可並未特別限定，例如可以為10μm以上1000μm以下。
5.其他光學構件 本發明之面發光裝置，例如，可以進而於擴散構件之與發光二極體基板側相反的面側配置光學構件。作為光學構件，例如，可列舉稜鏡片、反射型偏光片等。
(1)稜鏡片 本發明之稜鏡片，係具有將射入的光聚光，集中地提升正面方向的亮度之機能。稜鏡片，例如，係於透明樹脂基材的一方的面側，配置包含丙烯酸樹脂等的稜鏡圖案。作為稜鏡片，例如，可以使用3M(股)公司製造的增亮膜BEF系列。
(2)反射型偏光片 本發明之反射型偏光片，係具有僅使第1直線偏光成分(例如P偏光)透過，並且反射而不吸收與第1直線偏光成分直交的第2直線偏光成分(例如S偏光)之機能。在反射型偏光片被反射的第2直線偏光成分會再度被反射，在偏光被解除的狀態(包含第1直線偏光成分與第2直線偏光成分雙方之狀態)下，再度，朝反射型偏光片射入。因而，反射型偏光片使在度射入的光的第1直線偏光成分透過，與第1直線偏光成分直交的第2直線偏光成分再度被反射。以下，藉由反覆進行同上列的過程，70%～80%程度的由前述第2層射出的光會作為第1直線偏光成分的光被發出。亦即，將本發明的面發光裝置用於顯示裝置之場合，藉由使反射型偏光片的第1直線偏光成分(透過軸成分)的偏光方向與顯示面板的偏光板的透過軸方向一致，所有來自面發光裝置的出射光都可利用於顯示面板上的影像形成。因此，即使由發光二極體元件被投入的光能相同，與未配置反射型偏光片之場合相比，也可形成更高亮度的影像。
作為反射型偏光片，例如，可以使用3M(股)公司製造的增亮膜DBEF系列。此外，作為反射型偏光片，例如，也可以使用Shinwha Intertek(股)公司製造的高亮度偏光片WRPS、金屬線柵偏光片(Wire-grid Polarizer)等。
6.用途 本發明之面發光裝置的用途沒有特別限定，可以適宜地使用於顯示裝置。此外，也可以使用於照明裝置等。
7.製造方法 製造本發明之面發光裝置的方法沒有特別限定。例如，可以舉出準備以前述方法形成的前述密封構件片，及以前述發光二極體元件成為密封構件片側的方式配置的前述發光二極體基板被層積之層積體，將前述層積體進行熱壓接之方法。作為熱壓接法，只要是可以熱壓接這些的方法即可，沒有特別限定，可以使用真空層疊法、真空包裝法、熱層疊法等。
本發明之密封構件為多層構件的場合，把藉由共壓出成型為多層膜的密封構件片，層積於發光二極體基板，進行熱壓接的方法為佳。此外，皮層為黏著劑層的場合，也可以舉出在發光二極體基板的發光元件側依序逐次貼合黏著膜、密封層之構成芯層的密封膜的方法。
藉由在被壓接的前述層積體的密封構件側配置擴散構件，可以製造面發光裝置。
B.顯示裝置 本發明，提供具備顯示面板，及被配置於前述顯示面板的背面之前述LED背光之顯示裝置。
圖10係顯示本發明的顯示裝置之一例之模式圖。如圖10所例示，顯示裝置100，係具備顯示面板31，及被配置於顯示面板31的背面之本發明的面發光裝置1。
根據本發明，藉由具有前述的面發光裝置，可提高亮度的面內均勻性，同時謀求薄型化。從而，可以得到高品質的顯示裝置。
1.面發光裝置 本發明之面發光裝置，可以與前述「A.面發光裝置」之項記載者相同。
2.顯示面板 作為本發明之顯示面板，並沒有特別限定，例如，可列舉液晶面板。
C.密封構件片 在本發明，提供用於面發光裝置的面發光裝置用密封構件片；前述面發光裝置用密封構件片，包含熱塑性樹脂，藉由下列試驗方法測定的霧度值為4%以上之面發光裝置用密封構件片。
(試驗方法) 於2枚厚度100μm的乙烯-四氟乙烯共聚物膜間夾入前述面發光裝置用密封構件片，在加熱溫度150°，抽真空5分鐘，壓力100kPa，加壓時間7分鐘的條件下加熱加壓，冷卻至25℃，將前述2枚乙烯-四氟乙烯共聚物膜，由前述面發光裝置用密封構件片剝離，測定僅前述面發光裝置用密封構件片之霧度。
本發明之密封構件片，在特定的加熱加壓及冷卻條件後，為具有特定的霧度值者。霧度值，是與前述「A.面發光裝置1.密封構件(1)霧度值」同樣之值。此外，加熱加壓及冷卻條件如前所述。 此外，真空度，以200Pa以下為佳，其中以150Pa以下更佳，特別以133Pa以下更佳。
此外，本發明之密封構件片，例如，在前述試驗方法後，以變得比密封的發光二極體元件的厚度還厚為佳，具體而言，可以是與前述「A.面發光裝置1.密封構件(2)厚度」同樣的值。此外，本發明之密封構件片，可以將「A.面發光裝置1.密封構件(3)密封構件的材料」所記載的前述熱塑性樹脂及含有其他成分的密封材組成物，以從前公知的方法成型加工成薄片狀而形成。進而也可以採用「A.面發光裝置1.密封構件(4)密封構件之構造」所記載的構造及「(5)較佳的密封構件」。
D.面發光裝置之製造方法 於本發明，提供一種面發光裝置之製造方法，是具有：具支撐基板、及被配置於前述支撐基板的一方面側的發光二極體元件之發光二極體基板，被配置於前述發光二極體基板的前述發光二極體元件側之面側，密封前述發光二極體元件之密封構件，以及被配置在前述密封構件之與前述發光二極體基板側相反的面側之擴散構件之面發光裝置之製造方法；具有使前述面發光裝置用密封構件片，層積於前述發光二極體基板之前述發光二極體元件側，藉由真空層疊進行熱壓接的步驟。密封構件片，與「C.密封構件片」同樣，此處省略說明。真空層疊條件及其後的冷卻條件，只要是可以熱壓接面發光裝置用密封構件片與發光二極體基板的條件且可得前述霧度值的條件即可，沒有特別限定。例如，可以採用實施例記載的條件。
又，本發明並不以前述實施型態為限。前述實施型態僅為例示，與本發明的申請專利範圍所記載的技術思想具有實質上相同的構成，可以發揮同樣的作用效果者，均被包含於本發明的技術範圍。 [實施例]
以下顯示實施例及比較例，進而詳細說明本發明。 (實施例1) 如圖11所示，製造了具有具支撐基板2及發光二極體元件3的發光二極體基板4、密封構件A(厚度450μm)5、擴散構件A6、波長變換構件9的面發光裝置1。密封構件A的霧度值、層構成、基礎樹脂的密度及波長450nm之透過率顯示於表1。以下列方法評估的亮度不均勻的評估結果顯示於表2。
面發光裝置以如下的方式製造。又，使用的構件如下所述。 ・發光二極體基板 LED晶片B0815ACQ0(晶片尺寸0.2mm×0.4mm，晶片厚度0.1mm，GeneLite製造)以6mm的間距正方配置於支撐基板(反射率95%)上。 ・擴散構件A(擴散板) 55K3(Entire製造) ・波長變換構件(QD) QF-6000(Showa Denko Materials Co製造)
(密封構件A用組成物) 對下列的基礎樹脂1 100質量部，以添加樹脂1(耐天候劑Master Badge)5質量部，添加樹脂2(矽烷變性聚乙烯樹脂)20質量部的比率混合，作為密封構件A用組成物。
・基礎樹脂1 密度0.901g/cm 3，融點93℃，在190℃之MFR為2.0g/ 10分鐘之有機茂金屬系直鏈低密度聚乙烯系樹脂(M-LLDPE)。
・添加樹脂1(耐天候劑Master Badge) 對密度0.919g/cm 3，在190℃的MFR為3.5g/10分鐘之低密度聚乙烯系樹脂100質量部，添加KEMISTAB62 (HALS)：0.6質量部、KEMISORB12(UV吸收劑)：3.5質量部、KEMISORB79(UV吸收劑)：0.6質量部之塑膠用著色劑(Master Badge)。
・添加樹脂2(矽烷變性聚乙烯樹脂) 對密度0.898g/cm 3，MFR為3.5g/10分鐘的有機茂金屬系直鏈低密度聚乙烯系樹脂95質量部，混合乙烯基三甲氧基矽烷5質量部，與作為自由基產生劑(反應觸媒)之過氧化二異丙苯0.15質量部，在200℃熔融、混練而得的矽烷變性聚乙烯樹脂。此添加樹脂2的密度為0.901g/cm 3，MFR為1.0g/10分鐘。
藉由壓出機使前述密封構件A用組成物成形為單層膜，得到密封構件片A。
使層積前述密封構件片A，與以LED元件成為密封構件片側的方式配置的發光二極體基板，接著，使用真空層疊機，以與下列條件相同的條件，實時發光二極體基板與前述密封構件片之層疊。具體而言，以玻璃(厚度3mmt)/ETFE(乙烯-四氟乙烯共聚物膜)膜(厚度100μm)/發光二極體基板/密封構件片/ETFE膜(厚度100μm)/玻璃(厚度3mmt)的構成，藉由下列的真空層疊條件進行了層疊。玻璃是為了得到適切的平坦面而使用的。
(真空層疊條件) (a)抽真空：5.0分鐘 (b)加壓：(0kPa～100kPa)：5秒 (c)壓力保持：(100kPa)：7分鐘 (d)溫度：150℃
真空層疊的冷卻條件(實施例1及後述的實施例2～4、比較例5、6)如以下所述。亦即，在設置厚度2mm的鐵板之棚架上，以前述構成的層疊品約花30分鐘由150℃自然冷卻到25℃。冷卻後，在層疊品之密封構件側配置擴散構件及波長變換構件。
又，密封構件的厚度及表1所示的光學特性，是將密封構件片以ETFE膜(厚度100μm)夾入，藉由真空層疊進行加熱處理，測定冷卻後的密封構件用試樣之值。光學特性的測定，是剝除ETFE膜，僅測定密封構件用試樣。真空層疊條件及冷卻條件與面發光裝置在製造時的條件相同。
(實施例2) 除了替代擴散構件A，使用以下的擴散構件B以外，與實施例1同樣評估了亮度不均勻的發生。結果顯示於表2。 ・擴散構件B 第1層為稜鏡面被形成於發光二極體元件側的稜鏡構造，第2層為具有介電質多層膜的第二擴散構件。
(實施例3、4) 替代實施例1、2之密封構件A，製造被配置表1所示的密封構件B(厚度450μm)的面發光裝置，評估了亮度不均勻的發生。密封構件B的霧度值、層構成、基礎樹脂的密度及波長450nm之透過率顯示於表2。面發光裝置以如下的方式製造。
使用顯示於下的樹脂成分及添加劑，調製了供形成皮層(第1外層)、芯層(內層)、皮層(第2外層)之各層之樹脂組成物。使用的樹脂成分及添加劑顯示如下。 ・基礎樹脂1： 有機茂金屬系直鏈低密度聚乙烯，密度0.880g/cm 3融點60℃ MFR3.5g/10分鐘(190℃) ・基礎樹脂2： 低密度聚乙烯密度0.919g/cm 3融點106℃ MFR3.5g/10分鐘(190℃) ・耐天候劑Master Badge(MB)： 對粉碎密度0.880g/cm 3的齊格勒直鏈狀低密度聚乙烯之粉末100質量部，混合苯酚系紫外線吸收劑3.8質量部，受阻胺系光安定劑5質量部、磷系熱安定劑0.5質量部而熔融加工，得到錠化的Master Badge。 ・矽烷變性樹脂： 對密度0.898g/cm 3，MFR為3.5g/10分鐘的有機茂金屬系直鏈低密度聚乙烯系樹脂95質量部，混合乙烯基三甲氧基矽烷5質量部，與作為自由基產生劑(反應觸媒)之過氧化二異丙苯0.15質量部，在200℃熔融、混練而得的矽烷變性聚乙烯樹脂。此矽烷變性樹脂的密度為0.901g/cm 3，MFR為1.0g/10分鐘。
(密封構件B皮層用組成物) 對前述有機茂金屬系直鏈低密度聚乙烯(基礎樹脂1)90質量部，以前述「耐天候劑Master Badge」2質量部，「矽烷變性聚乙烯樹脂」13質量部的比率混合。
(密封構件B芯層用組成物) 對前述有機茂金屬系直鏈低密度聚乙烯(基礎樹脂1)15質量部，以前述的低密度聚乙烯(基礎樹脂2)85質量部，前述的「耐天候劑Master Badge」2質量部，「矽烷變性聚乙烯樹脂」1質量部的比率的比率混合。
藉由共壓出前述各層用的組成物，成形為皮層：芯層：皮層之膜厚比為1：6：1之多層膜，得到密封構件片B。除使用密封構件片B以外，與實施例1同樣，製造了面發光裝置。
(實施例5、6) 替代實施例1、2之密封構件A，製造被配置表1所示的密封構件D(厚度450μm)的面發光裝置，評估了亮度不均勻的發生。密封構件D的霧度值、層構成、基礎樹脂的密度及波長450nm之透過率顯示於表2。面發光裝置以如下的方式製造。
除使真空層疊的冷卻條件如以下所述以外，與實施例2同樣，製造了被配置密封構件D的面發光裝置。 冷卻條件為藉由從前述構成之層疊品取下玻璃(厚度3mmt)，直接投入加入25℃冷卻水5L的長25cm×寬35cm×深10cm的冷卻盤，3分鐘後取出，進行水冷。
(比較例1、2) 除了替代密封構件A，在擴散構件與發光二極體基板之間設置栓以外，與實施例1，2同樣地評估了亮度不均勻的發生。結果顯示於表2。此時，發光二極體元件與擴散構件之間的距離為500μm。
(比較例3、4) 除了替代密封構件A，設置使用了高透明裝填(potting)型之液狀聚矽氧組成物之Si硬化物(厚度450μm)以外，與實施例1，2同樣地評估了亮度不均勻的發生。結果顯示於表2。
(比較例5、6) 替代密封構件A，製造被配置表1所示的密封構件C(厚度450μm)的面發光裝置，與實施例1、2同樣地評估了亮度不均勻的發生。結果顯示於表2。密封構件C的霧度值、層構成、基礎樹脂的密度及波長450nm之透過率顯示於表2。面發光裝置以如下的方式製造。
・基礎樹脂： 有機茂金屬系直鏈低密度聚乙烯(M-LLDPE)密度0.880g/cm 3融點60℃ MFR3.5g/10分鐘(190℃) ・耐天候劑Master Badge(MB)： 對粉碎密度0.880g/cm 3的齊格勒直鏈狀低密度聚乙烯之粉末100質量部，混合苯酚系紫外線吸收劑3.8質量部，受阻胺系光安定劑5質量部、磷系熱安定劑0.5質量部而熔融加工，得到錠化的Master Badge。 ・架橋劑Master Badge(MB)： 架橋劑Master Badge：對融點60℃，密度0.880g/ cm 3，在190℃的MFR為3.1g/10分鐘的M-LLDPE錠100質量部，作為架橋劑含浸2,5-二甲-2,5-二(三級丁過氧)己烷 0.5質量部，得到Master Badge。 ・矽烷變性樹脂： 對密度0.880g/cm 3，MFR為3.5g/10分鐘的有機茂金屬系直鏈低密度聚乙烯系樹脂95質量部，混合乙烯基三甲氧基矽烷5質量部，與作為自由基產生劑(反應觸媒)之過氧化二異丙苯0.15質量部，在200℃熔融、混練而得的矽烷變性聚乙烯樹脂。此矽烷變性樹脂的密度為0.883g/cm 3，MFR為1.0g/10分鐘。
(密封構件C皮層用組成物) 對前述的「有機茂金屬系直鏈低密度聚乙烯(M-LLDPE)」90質量部，以前述「耐天候劑Master Badge」2質量部，「矽烷變性聚乙烯樹脂」13質量部，「架橋劑Master Badge(MB)」5質量部的比率混合。
(密封構件C芯層用組成物) 對前述的「有機茂金屬系直鏈低密度聚乙烯(M-LLDPE)」94質量部，以前述「耐天候劑Master Badge」2質量部，「矽烷變性聚乙烯樹脂」1質量部，「架橋劑Master Badge(MB)」8質量部的比率混合。
藉由共壓出前述各層用的組成物，成形為皮層：芯層：皮層之膜厚比為1：6：1之多層膜，得到密封構件C。除使用密封構件片C以外，與實施例1，2同樣，製造了面發光裝置。
Figure 02_image001
[亮度不均勻評估方法] 針對所得到的面發光裝置，使用2次元色彩亮度計CA2000測定LED發光時的亮度，評估了亮度不均勻。亮度不均勻的指標，藉由均勻度(Uniformity)的數值以如下的方式判斷。 [評估基準] 均勻度=正面亮度的最小值/正面亮度的最大值 A：均勻度＞0.9 B：均勻度0.8～0.9 C：均勻度＜0.8
【表2】
支撐構件 擴散構件 亮度不均勻評估
實施例1 密封構件A 擴散構件A A
實施例2 密封構件A 擴散構件B A
實施例3 密封構件B 擴散構件A A
實施例4 密封構件B 擴散構件B A
實施例5 密封構件D 擴散構件A A
實施例6 密封構件D 擴散構件B A
比較例１ 栓(pin) 擴散構件A B
比較例2 栓 擴散構件B B
比較例3 液狀Si 擴散構件A B
比較例4 液狀Si 擴散構件B B
比較例5 密封構件C 擴散構件A C
比較例6 密封構件C 擴散構件B C
本發明之面發光裝置(實施例1～6)，可以抑制亮度不均勻的發生，另一方面，在替代密封構件A而設置栓的比較例1、2，使用了液狀Si的硬化物之比較例3、4，以及使用了霧度值低的密封構件C的比較例5、6，都無法抑制亮度不均勻的發生。
1,10:面發光裝置 2:支撐基板 3:發光二極體元件 4:發光二極體基板 5:密封構件 6:擴散構件 100:顯示裝置
[圖1]係例示本發明之面發光裝置之概略剖面圖。 [圖2]係顯示本發明之密封構件的形成方法之一例之步驟圖。 [圖3]係例示本發明之面發光裝置的密封構件的構造之概略剖面圖。 [圖4]係顯示第二擴散構件之一例之概略剖面圖。 [圖5]係顯示本發明之具備第二擴散構件的面發光裝置之一例之概略剖面圖。 [圖6]係例示透光強度分布之圖。 [圖7]係顯示第二擴散構件的反射構造體的第1態樣之一例之概略平面圖及剖面圖。 [圖8]係顯示第二擴散構件的反射構造體的第2態樣之一例之概略平面圖及剖面圖。 [圖9]係顯示第二擴散構件的反射構造體的第2態樣之另一例之概略剖面圖。 [圖10]係顯示本發明的顯示裝置之一例之模式圖。 [圖11]係顯示在實施例製造的面發光裝置之概略剖面圖。 [圖12]係顯示從前的LED背光之概略剖面圖。 [圖13]係例示本發明之面發光裝置之概略剖面圖。
1:面發光裝置
2:支撐基板
3:發光二極體元件
4:發光二極體基板
5:密封構件
6:擴散構件
7:反射層

Claims (18)

  1. 一種面發光裝置，具有： 具支撐基板、及被配置於前述支撐基板的一方面側的發光二極體元件之發光二極體基板， 被配置於前述發光二極體基板的前述發光二極體元件側之面側，密封前述發光二極體元件之密封構件，以及 被配置在前述密封構件之與前述發光二極體基板側相反的面側之擴散構件；前述密封構件，霧度值為4%以上，厚度比前述發光二極體元件的厚度還厚。
  2. 如請求項1之面發光裝置， 前述密封構件，厚度為50μm以上800μm以下。
  3. 如請求項1或2之面發光裝置， 前述密封構件具有熱塑性樹脂。
  4. 如請求項1至3之任一之面發光裝置， 前述密封構件，具有密度0.870g/cm 3以上0.930g/cm 3以下的聚乙烯系樹脂作為基礎樹脂。
  5. 如請求項1至3之任一之面發光裝置， 前述密封構件，具有芯層，及被配置於前述芯層之至少一方之面側的皮層。
  6. 如請求項5之面發光裝置， 前述芯層與前述皮層，作為基礎樹脂含有的熱塑性樹脂的融點不同。
  7. 如請求項5之面發光裝置， 前述密封構件，作為前述芯層的基礎樹脂，具有融點90℃以上120℃以下之熱塑性樹脂。
  8. 如請求項5之面發光裝置， 前述密封構件之前述芯層，以密度0.900g/cm 3以上0.930g/cm 3以下的聚乙烯系樹脂為基礎樹脂，前述皮層，以密度0.875g/cm 3以上0.910g/cm 3以下、且密度比前述芯層用基礎樹脂還低的聚乙烯系樹脂為基礎樹脂。
  9. 如請求項5之面發光裝置， 前述密封構件之前述皮層為黏著劑層。
  10. 一種顯示裝置，具備： 顯示面板，及 被配置於前述顯示面板的背面的請求項1至3之任一之面發光裝置。
  11. 一種面發光裝置用密封構件片，用於面發光裝置； 前述面發光裝置用密封構件片，包含熱塑性樹脂， 藉由下列試驗方法測定的霧度值為4%以上； (試驗方法) 於2枚厚度100μm的乙烯-四氟乙烯共聚物膜間夾入前述面發光裝置用密封構件片，在加熱溫度150°，抽真空5分鐘，壓力100kPa，加壓時間7分鐘的條件下加熱加壓，冷卻至25℃，將前述2枚乙烯-四氟乙烯共聚物膜，由前述面發光裝置用密封構件片剝離，測定僅前述面發光裝置用密封構件片之霧度。
  12. 如請求項11之面發光裝置用密封構件片， 前述面發光裝置用密封構件片，在前述試驗方法後的厚度為50μm以上800μm以下。
  13. 如請求項11或12之面發光裝置用密封構件片， 具有密度0.870g/cm 3以上0.930g/cm 3以下的聚乙烯系樹脂作為基礎樹脂。
  14. 如請求項11至13之任一之面發光裝置用密封構件片， 具有芯層，及被配置於前述芯層之至少一方之面側的皮層。
  15. 如請求項14之面發光裝置用密封構件片， 前述芯層與前述皮層，作為基礎樹脂含有的熱塑性樹脂的融點不同。
  16. 如請求項14之面發光裝置用密封構件片， 作為前述芯層的基礎樹脂，具有融點90℃以上120℃以下之熱塑性樹脂。
  17. 如請求項14之面發光裝置用密封構件片， 前述芯層，以密度0.900g/cm 3以上0.930g/cm 3以下的聚乙烯系樹脂為基礎樹脂，前述皮層，以密度0.875g/cm 3以上0.910g/cm 3以下、且密度比前述芯層用基礎樹脂還低的聚乙烯系樹脂為基礎樹脂。
  18. 一種面發光裝置之製造方法，是具有： 具支撐基板、及被配置於前述支撐基板的一方面側的發光二極體元件之發光二極體基板， 被配置於前述發光二極體基板的前述發光二極體元件側之面側，密封前述發光二極體元件之密封構件，以及 被配置在前述密封構件之與前述發光二極體基板側相反的面側之擴散構件之面發光裝置之製造方法； 具有使請求項11之17之任一之面發光裝置用密封構件片，層積於前述發光二極體基板之前述發光二極體元件側，藉由真空層疊進行熱壓接的步驟。
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