TW202231127A - 流量測定方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題]高精度測定藉由分岐氣體配管分流，在處理室內流通的分岐後的氣體流量。 [解決手段]提供流量測定方法，係在具有：供應氣體的氣體供給配管；從前述氣體供給配管分岐的複數分岐氣體配管；連通至前述複數分岐氣體配管的金屬窗；配置於前述金屬窗的底部，具備從前述金屬窗流通前述氣體的氣體吐出孔的噴淋頭的基板處理裝置中測定氣體的流量的流量測定方法，具有：在連通至複數前述分岐氣體配管的前述金屬窗的供應口配置流量計，藉由前述流量計測定流至前述金屬窗的供應口的氣體流量的工程。

Description

流量測定方法及基板處理裝置
本揭示係有關於流量測定方法及基板處理裝置。
例如，專利文獻1提案在分別具有氣體吐出孔群的氣體擴散室連通的分岐配管部設置流量控制器，測定分岐配管的內部壓力進行噴淋頭的檢查。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2018-29153號公報
[發明所欲解決的問題]
此外，在基板處理裝置中，為了得到更高的加工均勻性，控制供應至處理室內的處理氣體的分佈是重要的。因此，為了不使製品不良發生，期望高精度測定藉由分岐氣體配管分流，供應至處理室內的氣體流量。
本揭示揭供流量測定方法及基板處理裝置，高精度測定藉由分岐氣體配管分流，在處理室內流通的分岐後的氣體流量。 [解決問題的手段]
根據本揭示的一態樣，提供流量測定方法，係在具有：供應氣體的氣體供給配管；從前述氣體供給配管分岐的複數分岐氣體配管；連通至前述複數分岐氣體配管的金屬窗；配置於前述金屬窗的底部，具備從前述金屬窗流通前述氣體的氣體吐出孔的噴淋頭的基板處理裝置中測定氣體的流量的流量測定方法，具有：在連通至複數前述分岐氣體配管的前述金屬窗的供應口配置流量計，藉由前述流量計測定流至前述金屬窗的供應口的氣體流量的工程。 [發明的效果]
根據一側面，能夠高精度測定藉由分岐氣體配管分流，在處理室內流通的分岐後的氣體流量。
以下，參照圖式說明關於用來實施本揭示的形態。在各圖式中，有於相同構成部分附加相同符號，將重複的說明省略的情形。
[基板處理裝置] 首先，參照圖1及圖2，說明關於實施形態的基板處理裝置100。圖1為表示一實施形態的基板處理裝置100的一例的剖面示意圖。基板處理裝置100為能執行實施形態的流量測定方法的裝置的一例。
基板處理裝置100例如為電漿處理裝置，生成感應耦合電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)。基板處理裝置100，利用生成的電漿，對矩形狀的基板G，實施蝕刻及灰化、成膜等的電漿處理。在本實施形態中，基板G例如是FPD(Flat Panel Display)用的玻璃基板。
基板處理裝置100具有處理容器20及控制裝置(控制部)90。處理容器20，例如，為由內壁面經陽極氧化處理的鋁等導電性材料形成的長方體狀的箱型容器，其內部成為處理基板G的處理室S。處理容器20接地。處理容器20，由具備上部蓋11、下部本體15、複數噴淋頭34的隔壁14畫分。複數噴淋頭34，對向於基板G，在上部具有複數金屬窗32A~32F(也總稱為「金屬窗32」。)。在本體15開設用來將基板G搬出入的搬出入口18，搬出入口18藉由閘閥24開關自如。
在隔壁14與噴淋頭34之間、及鄰接的噴淋頭34之間配置絕緣構件37，噴淋頭34藉由絕緣構件37相互電絕緣。取代噴淋頭34形成介電體窗也可以。
處理容器20藉由隔壁14上下畫分成上方空間即天線室A與處理室S。以隔壁14與本體15包圍的空間成為處理室S。蓋11與本體15通常時雖密閉，但能以隔壁14的下面分割，在基板處理裝置100組裝時，蓋11側例如向上方向移動而從本體15脫離，使得本體15內(處理室S)大氣開放。
在複數金屬窗32A~32F的各者的內部形成分岐氣體配管52。各分岐氣體配管52為用來將從處理容器20外部供應的氣體供應至各金屬窗32的配管。分岐氣體配管52連通至金屬窗32內的擴散室33。金屬窗32內的擴散室33底部藉由噴淋頭34形成。噴淋頭34形成氣體吐出孔36。從分岐氣體配管52供應至金屬窗32的氣體在金屬窗32內的擴散室33擴散。氣體從擴散室33向在噴淋頭34形成的氣體吐出孔36流動而向處理室S供應。連通至金屬窗32A~32F的分岐氣體配管52，連接至分岐氣體配管L1~L6。將分岐體配管52與形成在金屬窗32內的擴散室33連通的部分稱為金屬窗32的供應口35。也將分岐氣體配管L1~L6總稱為分岐氣體配管L。
分岐氣體配管L1~L6經由分岐器65連接至處理氣體配管68，處理氣體配管68連接至氣體供應部60。從氣體供應部60導入處理氣體配管68的處理氣體，由分岐器65分流。被分流的處理氣體，在分岐氣體配管L1~L6流通，從連通至金屬窗32A~32F內的擴散室33的多數氣體吐出孔36向處理室S以噴淋狀導入。
也就是說，處理氣體配管68，從處理容器20的外部連通到處理容器20內部的複數金屬窗32A~32F。氣體供應部60具有處理氣體供應源64及閥門62。處理氣體配管68經由閥門62連接至處理氣體供應源64。閥門62藉由開關控制處理氣體的供應及供應停止。
處理氣體配管68連接至分岐器65，以分岐器65分岐至複數分岐氣體配管L1~L6。分岐的各分岐氣體配管L1~L6，連接至設在複數金屬窗32A~32F的各分岐氣體配管52，各分岐氣體配管52，分別連接至位於隔壁14的不同的區域的金屬窗32A~32F。分岐的各氣體配管L1~L6具有流量比控制器(FRC：Flow Ratio Controller)63A~63F。流量比控制器63A~63F，將以處理氣體供應源64內的MFC (Mass Flow Controller)等流量控制器決定的流量分配成預定的比例。藉由流量比控制器63A~63F及分岐器65調節處理氣體的氣體流量及氣體分配，能夠控制供應至處理室S內的處理氣體的分佈。
還有，氣體供應部60具有不活性氣體供應源67、外部氣體配管66、不活性氣體分岐配管61A~61F及閥門69A~69F。外部氣體配管66連接至不活性氣體供應源67。不活性氣體分岐配管61A~61F從外部氣體配管66分岐。分岐的各不活性氣體分岐配管61A~61F連接至各分岐氣體配管L1~L6。在流量比控制器63A~63F與分岐氣體配管52之間，連接不活性氣體分岐配管61A~61F與分岐氣體配管L1~L6。閥門69A~69F設於不活性氣體分岐配管61A~61F。閥門69A~69F藉由開關控制不活性氣體的供應及供應停止。
外部氣體配管66與不活性氣體分岐配管61A~61F連結，分岐至分岐氣體配管L1~L6。以不活性氣體供應源67內的MFC(Mass Flow Controller)等流量控制器將預定的氣體流量供應至分岐氣體配管L1~L6。
例如，本實施形態的流量測定方法，在基板處理裝置100的組裝時，在將蓋11開啟使本體15內(處理室S)大氣開放的狀態下，將閥門62關閉，停止處理氣體的供應。接著，開啟閥門69A~69F從不活性氣體供應源67將氬(Ar)氣及氦(He)氣等不活性氣體供應至金屬窗32。此外，在基板處理時，將蓋11關閉使本體15內(處理室S)維持在預定的減壓狀態，將閥門69A~69F關閉停止不活性氣體的供應，將閥門62開啟將處理氣體供應至處理室S。
本實施形態的流量測定方法，在基板處理裝置100的組裝時，取代從外部氣體配管66供應不活性氣體，供應乾式空氣也可以。
在本體15開設複數排氣口19，於排氣口19連接氣體排氣管25，氣體排氣管25經由開關閥26連接至排氣裝置27。藉由氣體排氣管25、開關閥26及排氣裝置27，形成氣體排氣部28。排氣裝置27具有渦輪分子泵等真空泵，能夠在製程中使本體15內自由地抽至預定的真空度。
在金屬窗32的上方空間即天線室A，與金屬窗32離間配設高頻天線51。高頻天線51有助於電漿的生成，將由銅等導電性金屬形成的天線線，卷裝成環狀或漩渦狀形成。例如，將環狀天線線多重配設也可以。高頻天線51，經由進行阻抗匹配的匹配器55連接至高頻電源56。
對高頻天線51從高頻電源56施加例如13.56MHz的高頻電力，經由金屬窗32在處理室S內形成感應電場。藉由該感應電場，將從噴淋頭34供應至處理室S的處理氣體電漿化生成感應耦合電漿，將電漿中的離子提供至基板G。
以隔壁14與本體15包圍的處理室S內部，設置基板支持部70。基板支持部70支持基板G。基板支持部70，經由進行阻抗匹配的匹配器82連接至偏壓源即高頻電源83。從高頻電源83對基板支持部70施加例如3.2MHz的高頻電力，產生RF偏壓，能夠使在高頻電源56生成的離子吸引附著至基板G。
高頻電源56為電漿產生用的源頭，連接至基板支持部70的高頻電源83，成為將產生的離子吸引附著賦予動能的偏壓源。藉此，在源頭利用感應耦合生成電漿，將別電源即偏壓源連接至基板支持部70進行離子能量控制。藉此，獨立進行電漿的生成與離子能量的控制，能夠提高製程的自由度。從高頻電源56輸出的高頻電力的頻率在0.1MHz至500MHz的範圍內設定較佳。
基板處理裝置100更具備控制裝置90。控制裝置90可以是具備處理器、記憶體等的記憶部、輸入裝置、顯示裝置、信號的輸出入介面等的電腦。控制裝置90控制基板處理裝置100的各部。在控制裝置90，利用輸入裝置，操作者為了管理基板處理裝置100能夠進行指令的輸入操作等。又，在控制裝置90，藉由顯示裝置，能夠將基板處理裝置100的運轉狀況可見化並顯示。再來，於記憶部儲存控制程式及配方資料。控制程式，為了以基板處理裝置100執行各種處理，藉由處理器執行。處理器執行控制程式，依照配方資料控制基板處理裝置100的各部。
[流量控制] 在基板處理裝置100中，為了得到更高的加工均勻性，控制供應至處理室S內的電漿密度及處理氣體的分佈是重要的。不過，從前並無法實測在金屬窗32A~32F的各者中分流的氣體流量。另一方面，從金屬窗32A~32F對處理室S內流通與想定不同的流量的氣體時，會有在基板產生製品不良的可能性。又，若無法正確地測定從金屬窗32A~32F供應至處理室S內的氣體流量，則在基板處理裝置100的製造工程中氣體的配管周圍的組裝有錯誤時無法檢測該錯誤。
因此，在本實施形態中，開啟蓋11，使本體15大氣開放，將噴淋頭34卸下，使金屬窗32A~32F上下逆轉配置，在金屬窗32A~32F各自的供應口35安裝流量計。接著，在金屬窗32A~32F的供應口35，分別測定分流後的氣體的流量。此外，金屬窗32A~32F的供應口35為與分岐氣體配管52、及分別形成於金屬窗32A~32F內的擴散室33連通的部分。
本實施形態的流量測定方法，複數金屬窗32之中，能夠同時測定在配置於預先設定的相同區域內的金屬窗32的供應口35流通的氣體流量。又，本實施形態的流量測定方法中，不需要常設的流量計等感測器及真空環境。基板處理裝置100的組裝時在複數金屬窗32A~32F的每個區域的供應口35配置流量計。接著，藉由流量計測定各區域的氣體的流量。藉此，能夠正確測定從各金屬窗32A~32F的各區域供應至處理室S的氣體的流量，且能夠檢測氣體的配管周圍的組裝錯誤。
流量計200，如圖2所示，在基板處理裝置100的組裝時安裝於金屬窗32的供應口。圖2示出藉由絕緣構件37電絕緣的金屬窗32的表面。也就是說，圖2將圖1的金屬窗32的底部的噴淋頭34卸下的狀態下使上下逆轉示出金屬窗32的表面、擴散室33的內部及流量計200的一例的圖。
金屬窗32，在每個區域分成複數構件，於複數構件各自的氣體供應口35安裝流量計200。
說明關於金屬窗32的複數區域。圖2之例中，金屬窗32分成中央的中心區域C、外周的邊緣區域O、中心區域C與邊緣區域O之間的中間區域M，再來外周的邊緣區域O及中間區域M分成複數區域。
[氣體系統] 參照圖2及圖3，說明實施形態的氣體系統與區域的一例，在中心區域C，金屬窗32A分成4個構件C1~C4，在構件C1~C4的金屬窗32A的供應口35的各者分別安裝一個流量計200。如圖2所示，構件C1、C3設為三角形，構件C2、C4設為梯形的形狀。
例如，參照將金屬窗32A的構件C4擴大的圖2的下圖，藉由流量測定治具201將流量計200固定至金屬窗32A，在構件C4的金屬窗32A的供應口35安裝流量計200。關於流量計200的安裝部分的構造，參照示出圖2的A-A剖面的圖4並於後述。
圖3示出每個區域的氣體系統，例如，金屬窗32A的構件C1~C4在相同區域的中心區域C預先設定。分岐氣體配管L1成為4分岐，4分岐後的分岐氣體配管52連接至金屬窗32A的構件C1~C4，在設於相同區域內的4個構件C1~C4的各者的金屬窗32A的供應口35同時流通氣體。藉此，流量計200，能夠同時測定在C區域的構件C1~C4的各者分別設置的金屬窗32A的供應口35流通的氣體流量。
在中心區域M，將金屬窗32B的構件ML1~ML4預先設定在相同區域，將金屬窗32C的構件MS1~MS4預先設定在相同區域。分岐氣體配管L2成為4分岐，4分岐後的分岐氣體配管52連接至金屬窗32B的構件ML1~ML4，在設於相同區域內的4個構件ML1~ML4的各者的金屬窗32B的供應口35同時流通氣體。藉此，流量計200，能夠同時測定在ML區域的構件ML1~ML4的各者分別設置的金屬窗32B的供應口35流通的氣體流量。
分岐氣體配管L3成為4分岐，4分岐後的分岐氣體配管52連接至金屬窗32C的構件MS1~MS4，在設於相同區域內的4個構件MS1~MS4的各者的金屬窗32C的供應口35同時流通氣體。藉此，流量計200，能夠同時測定在MS區域的構件MS1~MS4的各者分別設置的金屬窗32C的供應口35流通的氣體流量。
在邊緣區域O，將金屬窗32D的構件OC1~OC8預先設定在相同區域，將金屬窗32E的構件OLS1、OLS2預先設定在相同區域。再來，將金屬窗32F的構件OSS1、OSS2預先設定在相同區域。分岐氣體配管L4成為8分岐，8分岐後的分岐氣體配管52連接至金屬窗32D的構件OC1~OC8，在設於相同區域內的8個構件OC1~OC8的各者的金屬窗32D的供應口35同時流通氣體。藉此，流量計200，能夠同時測定在OC區域的構件OC1~OC8的各者分別設置的金屬窗32D的供應口35流通的氣體流量。
分岐氣體配管L5成為2分岐，2分岐後的分岐氣體配管52連接至金屬窗32E的構件OLS1、OLS2，在設於相同區域內的2個構件OLS1、OLS2的各者的金屬窗32E的供應口35同時流通氣體。藉此，流量計200，能夠同時測定在OLS區域的構件OLS1、OLS2的各者分別設置的金屬窗32E的供應口35流通的氣體流量。
分岐氣體配管L6成為2分岐，2分岐後的分岐氣體配管52連接至金屬窗32F的構件OSS1、OSS2，在設於相同區域內的2個構件OSS1、OSS2的各者的金屬窗32F的供應口35同時流通氣體。藉此，流量計200，能夠同時測定在OSS區域的構件OSS1、OSS2的各者分別設置的金屬窗32F的供應口35流通的氣體流量。
[流量計] 接著，參照圖4說明關於流量計200的配置的一例。圖4為表示圖2的A-A剖面的圖。如圖4(a)及(b)所示，將流量測定治具201固定在金屬窗32上(金屬窗的表面)，使流量計200藉由流量測定治具201固定在金屬窗32。流量計200內的量測管200a、與金屬窗32的供應口35的末端部35a連通，流量計200測定通過金屬窗32的供應口35的末端部35a的氣體流量。
圖4(a)表示在分岐氣體配管52未設置限流孔105時的金屬窗32的供應口35附近的流量計200的配置。圖4(b)表示在分岐氣體配管52設置限流孔105時的金屬窗32的供應口35附近的流量計200的配置。
圖4(a)及(b)中，藉由在金屬窗32形成的分岐氣體配管52，形成金屬窗32的供應口35。分岐氣體配管52例如由陶瓷構成。
流量測定治具201位於金屬窗32上，在形成金屬窗32的供應口35的末端部35a的分岐氣體配管52的氣體孔的端部(前端)，經由密封構件101配置。分岐氣體配管52的氣體孔及流量計200內的量測管200a貫通密封構件101與流量測定治具201。在密封構件101與分岐氣體配管52之間，設置密封構件104，在密封構件101與流量測定治具201之間，設置密封構件103。密封構件101、103、104密封流經供應口35的氣體。密封構件101例如由SUS構成也可以。密封構件103、104例如由O形環形成也可以。
流量計200在金屬窗32的供應口35的末端部35a安裝於流量測定治具201。
圖4(b)之例中，鄰接供應口35的基端部35b配置限流孔105，藉由限流孔105減縮從金屬窗32的供應口35流入擴散室33的氣流。又，圖4(b)之例中，在供應口35的內壁設置螺旋形狀的溝52a，具有使以限流孔105減縮的氣體平穩送出至供應口35的末端部35a的構造。此外，圖4(a)之例中，在供應口35的內壁雖未設置螺旋形狀的溝52a，但設置溝52a也可以。
該構造中，流量計200，在製造基板處理裝置100後，於工廠內組裝基板處理裝置100時安裝。也就是說，流量計200並非常設，在製造基板處理裝置100後，於進行在工廠內組裝的基板處理裝置100的金屬窗32的供應口35流通的氣流量的測定時安裝，測定結束後從金屬窗32卸下。因此，藉由基板處理裝置100對基板G進行所期望的處理的基板處理時，流量計200呈卸下的狀態。
控制裝置90，控制藉由流量計200測定流至金屬窗32A~32F的供應口35的氣體流量的工程。大氣環境下將流量計200配置於金屬窗32的供應口35，藉由流量計200測定流至測定供應口35的末端部35a的氣體流量。測定後，流量計200能夠從金屬窗32的供應口35卸下。
又，氣體流量的測定中，將金屬窗32分成複數區域，能夠同時測定流至相同區域內的金屬窗32的供應口35的氣體流量。
測定氣體流量時，將圖1所示的閥門62關閉，停止處理氣體的供應，開啟閥門69A~69F，使從不活性氣體供應源67輸出的不活性氣體流至金屬窗32A~32F的各者的供應口35。取代不活性氣體，使乾式空氣流至金屬窗32A~32F的各者的供應口35也可以。
測定氣體流量的工程中，將金屬窗32分成複數區域，能夠同時測定流至相同區域內的金屬窗32的供應口35的氣體流量。
[測定結果] 參照圖5說明將金屬窗32分為圖3所示的6區域(C區域、ML區域、MS區域、OC區域、OLS區域、OSS區域)，同時測定流至相同區域內的金屬窗32的供應口35的氣體流量的結果。圖5為表示實施形態的流量計200所致的氣體流量的測定結果及計算結果的一例的圖。
圖5(a)表示同時測定流至C區域內的金屬窗32的供應口35的氣體流量的結果的流量計200的實測值。圖5(b)表示為了得到圖5(a)的測定結果而以實際將與從不活性氣體供應源67供應的不活性氣體的總流量值相同流量的氣體供應至C區域內的金屬窗32為條件進行模擬時的模擬結果的計算值。各者都求出同時流至C區域的相同區域1內的金屬窗32的構件C1~C4的供應口35的末端部35a的氣體的流量。
其結果，流至圖5(a)及(b)的縱軸所示的供應口35的末端部35a的流量，在圖5(a)的實測值與圖5(b)的計算值幾乎一致。藉此，能夠確認實施形態的流量測定方法的有效性。又，得知氣體均勻供應至C區域內的金屬窗32的構件C1~C4的供應口35。以上，根據本實施形態的流量測定方法，能夠高精度測定藉由分岐氣體配管52分流，流至處理室S內的氣體的流量。
此外，如圖2所示，構件C1、C3的面積比構件C2、C4還小。其他區域，金屬窗32的各構件的面積大致相同。其中，在構件C1、C3使用設置圖4(b)所示的限流孔105的機構，在構件C2、C4使用未設置圖4(a)所示的限流孔105的機構。藉此，以限流孔105控制面積比構件C2、C4還小的構件C1、C3的供應口35的基端部35b的孔，減縮供應至構件C1、C3的氣體流量。
其結果，在圖5(a)及(b)中，流至構件C2、C4的供應口35的末端部35a的氣體流量(L/min)，比流至構件C1、C3的供應口35的末端部35a的氣體流量(L/min)還多。
例如，基板處理裝置100的組裝時，本來，在構件C2、C4安裝未設置圖4(a)所示的限流孔105的機構，在構件C1、C3安裝設置圖4(b)所示的限流孔105的機構。但是，也有發生在構件C1、C3安裝未設置圖4(a)所示的限流孔105的機構，在構件C2、C4安裝設置圖4(b)所示的限流孔105的機構的錯誤的情形。此時，藉由本實施形態的流量測定方法求出的流至構件C2、C4的供應口35的氣體流量的測定值，具有比流至構件C1、C3的供應口35的氣體流量的測定值還小的值。
也就是說，圖5(a)的構件C1、C3與構件C2、C4的柱狀圖的大小關係，與現在的圖5(a)的柱狀圖相反。藉此，作業者能夠發現在構件C1、C3與構件C2、C4中於分岐氣體配管52的安裝位置有誤。
以上，根據本實施形態的流量測定方法，能夠在基板處理裝置100的製造工程中於氣體配管等的組裝檢測錯誤。又，例如，預先設定用來檢測組裝錯誤的閾值，控制裝置90，將藉由本實施形態的流量測定方法測定到的氣流量的測定值(實測值)與閾值自動對照也可以。控制裝置90，在測定值與閾值有預定以上偏差時，自動判定成於組裝發生錯誤也可以。
圖6表示就實施形態的各區域(C區域、ML區域、MS區域、OC區域、OLS區域、OSS區域)，藉由本實施形態的流量測定方法測定到的各相同區域的各構件的氣流量的測定值(實測值)的一例的圖。該實驗中，取代不活性氣體供應乾式空氣。
圖6(a)表示C區域的各構件C1~C4的金屬窗32A的供應口的氣體流量的測定結果。圖6(b)表示ML區域的各構件ML1~ML4的金屬窗32B的供應口的氣體流量的測定結果。圖6(c)表示MS區域的各構件MS1~MS4的金屬窗32C的供應口的氣體流量的測定結果。圖6(d)表示OC區域的各構件OC1~OC8的金屬窗32D的供應口的氣體流量的測定結果。圖6(e)表示OLS區域的各構件OLS1、OLS2的金屬窗32E的供應口的氣體流量的測定結果。圖6(f)表示OSS區域的各構件OSS1、OSS2的金屬窗32F的供應口的氣體流量的測定結果。
其結果，圖6(b)~圖6(f)所示的任何區域，相同區域內的各構件的測定值幾乎一致。關於圖6(a)，構件C1、C3的流量的測定值幾乎一致，構件C2、C4的流量的測定值幾乎一致。構件C1、C3的流量的測定值與構件C2、C4的流量的測定值產生差異是因為如同前述，在構件C1、C3使用限流孔105減縮氣體流量，在構件C2、C4未使用限流孔105而產生的差異。
如以上說明那樣，根據本實施形態的流量測定方法及基板處理裝置，能夠高精度測定藉由分岐氣體配管分流，流至處理室內的分岐後的氣體流量。又，在基板處理裝置100的製造工程中能夠檢測氣體配管的組裝錯誤。藉此，在組裝後的基板處理裝置中，能夠事先防止供應與在處理室內設定的流量不同流量的氣體。
應考慮本次揭示的本實施形態的流量測定方法及基板處理裝置，於所有的點都是例示並非限制。實施形態，在不脫離申請專利範圍及其主旨的情況下，也能夠以各種形態進行變形及改良。上述複數實施形態記載的事項，在不矛盾的範圍內也能夠取得其他構造，又在不矛盾的範圍內也能夠組合。
本揭示的基板處理裝置無論是Atomic Layer Deposition(ALD)裝置、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)的任何態樣的裝置都能適用。
又，作為基板處理裝置的一例舉電漿處理裝置進行說明，但基板處理裝置，為在基板施予預定處理(例如，成膜處理、蝕刻處理等)的裝置即可，不限於電漿處理裝置。
11:蓋 14:隔壁 15:本體 20:處理容器 32,32A~32F:金屬窗 33:擴散室 34:噴淋頭 35:金屬窗的供應口 52:分岐氣體配管 60:氣體供應部 61A~61F:不活性氣體分岐配管 63A~63F:流量比控制器 65:分岐器 66:外部氣體配管 67:不活性氣體供應源 68:處理氣體配管 70:基板支持部 90:控制裝置(控制部) 100:基板處理裝置 101:密封構件 200:流量計 200a:量測管 201:流量測定治具 L,L1~L6:分岐氣體配管 S:處理室
[圖1]表示實施形態的基板處理裝置的一例的剖面示意圖。 [圖2]表示實施形態的金屬窗的表面、擴散室及流量計的一例的圖。 [圖3]示意表示實施形態的氣體系統的一例的圖。 [圖4]表示圖2的A-A剖面的圖。 [圖5]表示實施形態的流量計所致的中心區域的測定值及計算值的一例的圖。 [圖6]表示實施形態的各相同區域的各構件的測定值的一例的圖。
14:隔壁
32,32A:金屬窗
37:絕緣構件
200:流量計
201:流量測定治具
A:天線室
C:中心區域
C4:構件
M:中心區域
ML1~ML4:構件
MS1~MS4:構件
O:邊緣區域
OC1~OC8:構件
OLS1,OLS2:構件
OSS1,OSS2:構件
C1:構件
C2:構件
C3:構件

Claims (6)

  1. 一種流量測定方法，係在具有：供應氣體的氣體供給配管； 從前述氣體供給配管分岐的複數分岐氣體配管； 連通至前述複數分岐氣體配管的金屬窗；及 配置於前述金屬窗的底部，具備從前述金屬窗流通前述氣體的氣體吐出孔的噴淋頭 的基板處理裝置中測定氣體的流量的流量測定方法，具有： 在連通至複數前述分岐氣體配管的前述金屬窗的供應口配置流量計，藉由前述流量計測定流至前述金屬窗的供應口的氣體流量的工程。
  2. 如請求項1記載的流量測定方法，其中，測定前述氣體的流量的工程， 將前述流量計配置於前述金屬窗的供應口的末端部。
  3. 如請求項1或2記載的流量測定方法，其中，測定前述氣體的流量的工程， 就預先區分的前述金屬窗的複數區域，能夠進行同時流至相同區域內的前述金屬窗的供應口的氣體的流量的測定。
  4. 如請求項1至3中任一項記載的流量測定方法，其中，前述流量計能夠從前述金屬窗的供應口卸下。
  5. 如請求項1至4中任一項記載的流量測定方法，其中，測定前述氣體的流量的工程， 在大氣環境下測定流至前述金屬窗的供應口的氣體的流量。
  6. 一種基板處理裝置，具有：供應氣體的氣體供給配管； 從前述氣體供給配管分岐的複數分岐氣體配管； 連通至前述複數分岐氣體配管的金屬窗； 配置於前述金屬窗的底部，具有從前述金屬窗流通前述氣體的氣體吐出孔的噴淋頭； 及控制部； 前述控制部，控制： 在連通至複數前述分岐氣體配管的前述金屬窗的供應口配置流量計，藉由前述流量計測定流至前述金屬窗的供應口的氣體流量的工程。
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