KR20210034095A - 기판 벌크 저항률 변동들에 응답하여 증착 레이트 또는 에칭 레이트 변화들을 감소시키기 위한 rf 전력 보상 - Google Patents

기판 벌크 저항률 변동들에 응답하여 증착 레이트 또는 에칭 레이트 변화들을 감소시키기 위한 rf 전력 보상 Download PDF

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웨이 이 루오
윤 기 홍
웨이우 종
히만수 초시
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Abstract

기판 프로세싱 시스템은 프로세싱 챔버 내에 배치된 전극에 (무선 주파수) RF 전력을 공급하도록 구성된 플라즈마 생성기를 포함한다. 센서는 전극에 공급된 RF 전력의 파라미터를 센싱하도록 구성된다. 제어기가 기판의 플라즈마 프로세싱 전 및 기판의 플라즈마 프로세싱이 시작된 후 미리 결정된 기간 후 중 적어도 하나에서 센서로 하여금 파라미터를 센싱하게 하고; 그리고 기판에 대해 센싱된 파라미터에 기초하여 기판의 플라즈마 프로세싱 동안 기판에 대한 RF 전력의 파라미터를 조정함으로써 기판 지지부 상에 배치된 기판의 벌크 저항률의 변동들로 인한 플라즈마 프로세스의 레이트의 변동들을 보상하도록 구성된다.

Description

기판 벌크 저항률 변동들에 응답하여 증착 레이트 또는 에칭 레이트 변화들을 감소시키기 위한 RF 전력 보상
관련 출원들에 대한 교차 참조
본 출원은 2018 년 8 월 17일 출원된 미국 가출원 번호 제 62/765,244 호의 이점을 주장한다. 참조된 출원들의 전체 개시는 본 명세서에 참조로서 인용된다.
기술 분야
본 개시는 기판 프로세싱 시스템들, 보다 구체적으로 기판 벌크 저항률의 변동들에 응답하여 증착 레이트 또는 에칭 레이트의 변동들을 감소시키기 위한 RF 전력 보상에 관한 것이다.
본 명세서에 제공된 배경기술 기술 (description) 은 일반적으로 본 개시의 맥락을 제시하기 위한 목적이다. 본 배경 기술 섹션에 기술된 범위까지, 현재 명명된 발명자들의 업적, 뿐만 아니라 출원시 종래 기술로서 달리 인정되지 않을 수도 있는 기술의 양태들은 본 개시에 대한 선행 기술로서 명시적으로 또는 묵시적으로 인정되지 않는다.
기판 프로세싱 시스템들은 반도체 웨이퍼들과 같은 기판들의 에칭, 증착, 세정 및/또는 다른 처리를 수행하도록 사용될 수도 있다. 프로세싱 동안, 기판은 기판 프로세싱 시스템의 프로세싱 챔버 내의 페데스탈, 정전 척 (ESC), 등과 같은 기판 지지부 상에 배치된다. 기판을 처리하기 위해 프로세스 가스 혼합물이 프로세싱 챔버 내로 도입된다. 플라즈마는 프로세싱 챔버 내에서 화학 반응들을 향상시키도록 스트라이킹될 수도 있다. RF 바이어스는 이온 에너지를 제어하기 위해 기판 지지부에 공급될 수도 있다.
기판 프로세싱 시스템은 프로세싱 챔버 내에 배치된 전극에 (무선 주파수 (radio frequency)) RF 전력을 공급하도록 구성된 플라즈마 생성기를 포함한다. 센서는 전극에 공급된 RF 전력의 파라미터를 센싱하도록 구성된다. 제어기가 기판의 플라즈마 프로세싱 전 및 기판의 플라즈마 프로세싱이 시작된 후 미리 결정된 기간 후 중 적어도 하나에서 센서로 하여금 파라미터를 센싱하게 하고; 그리고 기판에 대해 센싱된 파라미터에 기초하여 기판의 플라즈마 프로세싱 동안 기판에 대한 RF 전력의 파라미터를 조정함으로써 기판 지지부 상에 배치된 기판의 벌크 저항률의 변동들로 인한 플라즈마 프로세스의 레이트의 변동들을 보상하도록 구성된다.
다른 특징들에서, 파라미터는 제 1 주파수에서 RF 전압, RF 전류 및 RF 위상 각으로 구성된 그룹으로부터 선택된다. 파라미터는 제 1 주파수의 RF 전압을 포함한다. 제 1 주파수는 2 ㎒ 이하이다. 제 1 주파수는 300 ㎑ 내지 500 ㎑ 범위이다. 플라즈마 생성기는 제 1 주파수로 RF 전력의 적어도 일부를 공급하는 제 1 RF 소스; 및 제 1 RF 소스에 연결된 입력부 및 전극에 연결된 출력부를 포함하는 매칭 네트워크를 포함한다.
다른 특징들에서, 플라즈마 생성기는 제 2 주파수로 RF 전력의 적어도 일부를 공급하는 제 2 RF 소스를 포함한다. 제 2 RF 소스는 매칭 네트워크의 입력부에 연결되고 제 2 주파수는 제 1 주파수와 상이하다. 센서는 매칭 네트워크와 전극 사이에 연결된다.
다른 특징들에서, 플라즈마 프로세싱은 기판 상의 막의 증착을 포함하고 레이트는 증착 레이트를 포함한다. 플라즈마 프로세싱은 기판 상의 막의 에칭을 포함하고, 레이트는 에칭 레이트를 포함한다. 플라즈마 프로세싱은 베벨 에칭기에서 베벨 증착을 포함한다.
프로세싱 챔버 내에 배치된 전극에 (무선 주파수) RF 전력을 공급하는 단계; 전극으로 공급된 RF 전력의 파라미터를 센싱하는 단계; 및 기판의 플라즈마 프로세싱 전 및 기판의 플라즈마 프로세싱이 시작된 후 미리 결정된 기간 후 중 적어도 하나에 파라미터를 센싱하게 하고; 그리고 기판에 대해 센싱된 파라미터에 기초하여 기판의 플라즈마 프로세싱 동안 적어도 하나의 파라미터를 조정함으로써 기판 지지부 상에 배치된 기판의 벌크 저항률의 변동들로 인한 플라즈마 프로세스의 레이트를 보상하는 단계를 포함하는, 기판 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법.
다른 특징들에서, 파라미터는 RF 전압, RF 전류 및 RF 전력의 RF 위상 각으로 구성된 그룹으로부터 선택된다. 파라미터는 제 1 주파수의 RF 전압을 포함한다. RF 전압은 2 ㎒ 이하인 주파수를 갖는다. RF 전압은 300 ㎑ 내지 500 ㎑ 범위의 주파수를 갖는다.
다른 특징들에서, 방법은 제 1 주파수에서 동작하는 제 1 RF 소스를 사용하여 RF 전력의 적어도 일부를 공급하는 단계; 제 1 주파수보다 높은 제 2 주파수에서 동작하는 제 2 RF 소스를 사용하여 RF 전력의 적어도 일부를 공급하는 단계; 및 제 1 RF 소스 및 제 2 RF 소스의 임피던스를 전극에 매칭하도록 매칭 네트워크를 사용하는 단계를 포함한다.
다른 특징들에서, 방법은 매칭 네트워크와 전극 사이의 파라미터를 센싱하는 단계를 포함한다. 플라즈마 프로세싱은 기판 상의 막의 증착을 포함하고, 레이트는 증착 레이트를 포함한다. 플라즈마 프로세싱은 기판 상의 막의 에칭을 포함하고, 레이트는 에칭 레이트를 포함한다.
기판 프로세싱 시스템은 프로세싱 챔버 내에 배치된 전극에 (무선 주파수) RF 전력을 공급하도록 구성된 플라즈마 생성기를 포함한다. 제 1 RF 소스는 제 1 주파수로 RF 전력의 적어도 일부를 공급한다. 제 2 RF 소스는 제 1 주파수보다 큰 제 2 주파수로 RF 전력의 적어도 일부를 공급한다. 매칭 네트워크는 제 1 RF 소스 및 제 2 RF 소스에 연결된 입력부 및 전극에 연결된 출력부를 포함한다. 센서는 제 1 주파수에서 RF 전력의 파라미터를 센싱하도록 구성된다. 제어기가 기판의 플라즈마 프로세싱 전 및 기판의 플라즈마 프로세싱이 시작된 후 미리 결정된 기간 후 중 적어도 하나에서 센서로 하여금 파라미터를 센싱하게 하고; 그리고 기판에 대해 센싱된 파라미터에 기초하여 기판의 플라즈마 프로세싱 동안 적어도 하나의 기판에 대한 RF 전력의 파라미터를 조정함으로써 기판 지지부 상에 배치된 기판의 벌크 저항률의 변동들로 인한 플라즈마 프로세스의 증착 레이트 및 에칭 레이트 중 하나의 변동들을 보상하도록 구성된다.
본 개시의 추가 적용 가능 영역들은 상세한 기술, 청구항들 및 도면들로부터 명백해질 것이다. 상세한 설명 및 구체적인 예들은 단지 예시를 목적으로 의도되고 본 개시의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다.
본 개시는 상세한 설명 및 첨부된 도면들로부터 보다 완전히 이해될 것이다.
도 1은 본 개시에 따른 기판 프로세싱 시스템의 일부의 예의 단면도이다.
도 2는 HF 전압의 함수로서 증착 레이트의 예를 예시하는 그래프이다.
도 3은 LF 전압의 함수로서 증착 레이트의 예를 예시하는 그래프이다.
도 4는 LF 전력의 함수로서 증착 레이트의 예를 예시하는 그래프이다.
도 5는 시간의 함수로서 순방향 LF 전력 및 LF 전압을 예시하는 그래프이다.
도 6은 산화 단계 동안 LF 전압의 함수로서 증착 레이트의 예를 예시하는 그래프이다.
도 7은 산화 단계 동안 HF 순방향 전력, LF 순방향 전력 및 LF 전압 및 증착 단계 동안 LF 전력 보상의 예를 예시하는 그래프이다.
도 8은 본 개시에 따른 RF 전력 보상을 제어하기 위한 제어 시스템의 예의 기능적 블록도이다.
도 9는 본 개시에 따른 RF 전력 보상을 제어하기 위한 방법의 예를 예시하는 플로우 차트이다.
도면들에서, 참조 번호들은 유사하고 그리고/또는 동일한 엘리먼트들을 식별하기 위해 재사용될 수도 있다.
기판 프로세싱 시스템들은 공통 프로세스를 사용하여 많은 수의 기판들을 프로세싱하도록 구성된다. 결함들을 감소시키기 위해, 프로세스는 기판 각각에 대해 동일한 방식으로 수행되어야 한다. 예를 들어, 증착 레이트 및/또는 에칭 레이트는 주어진 단계 동안 레시피에 의해 프로세싱된 모든 기판들에 대해 동일해야 한다. 그러나, 기판 프로세싱 시스템에 공급되는 기판들은 프로세스 균일도에 부정적으로 영향을 줄 수도 있는 상이한 특성들을 가질 수도 있다. 예를 들어, 기판 프로세싱 시스템으로 전달된 기판들은 벌크 저항률의 변동들을 가질 수도 있다.
베벨 증착을 위한 현재 툴들은 기판 벌크 저항률이 1 내지 500 Ω·㎝의 범위에서 가변하기 때문에 ± 17 %보다 큰 증착 레이트 변동들을 경험한다. 유사한 에칭 레이트 변동들은 기판 벌크 저항률의 차들로 인해 예상된다. 일부 제조사들은 비용을 상승시키는, 공급된 기판들의 기판 벌크 저항률을 선택하고 제어함으로써 증착 레이트 변동들을 완화시키려고 시도한다.
본 개시는 기판 벌크 저항률의 변동들로 인해 발생하는 증착 레이트 변동 또는 에칭 레이트 변동을 완화시키기 위해 플라즈마-기반 기판 프로세싱 시스템들에서 동적 RF 전력 보상을 위한 시스템들 및 방법들에 관한 것이다. 개시된 시스템들 및 방법들은 개별적인 기판 각각에 대해 RF 전력 보상을 수행할 수 있다. 일부 예들에서, 시스템들 및 방법들은 기판 벌크 저항률과 관련된 RF 전압을 검출하기 위해 RF 전압 센서를 사용하지만, 전류, 위상 각, 등과 같은 다른 파라미터들이 사용될 수 있다. 제어기는 기판 벌크 저항률 변동을 갖는 증착 레이트 변화를 완화시키기 위해 측정된 파라미터에 기초하여 RF 전력을 보상한다.
예를 들어, RF 전압은 비 증착 단계 동안 검출되고 이어서 검출된 RF 전압은 증착 단계 동안 RF 전력을 보상하도록 사용된다. 대안적으로, RF 전압은 증착 단계의 시작시 검출되고 이어서 검출된 RF 전압은 증착 단계의 나머지 동안 RF 전력을 보상하도록 사용된다.
다른 예들에서, RF 전압은 비-에칭 단계 동안 검출되고 이어서 검출된 RF 전압은 에칭 단계 동안 RF 전력을 보상하도록 사용된다. 일부 예들에서, RF 전압은 에칭 단계의 시작시 검출되고 이어서 검출된 RF 전압은 나머지 에칭 단계 동안 RF 전력을 보상하도록 사용된다.
이하의 기술은 기판 벌크 저항률의 변동들을 보상하기 위해 베벨 증착 동안 기판 프로세싱 시스템에 공급된 RF 전력의 보상에 관한 것이지만, 본 명세서에 기술된 원리들은 또한 베벨 에칭기에서 에칭을 위해 사용될 수 있다. 이 원리들은 또한 다른 타입들의 플라즈마 프로세싱 챔버들 및/또는 프로세스들 (예를 들어, CVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) 또는 PEALD (plasma enhanced atomic layer deposition)) 에서의 증착 또는 에칭에 적용될 수도 있다.
이제 도 1을 참조하면, 기판 (118) 의 베벨 에지를 세정하고 그리고/또는 기판 (118) 의 베벨 에지 상에 박막을 증착하기 위한 기판 프로세싱 시스템 (100) 이 도시된다. 기판 프로세싱 시스템 (100) 은 게이트 (142) 를 갖는 챔버 벽 (102) 을 포함하고, 게이트를 통해 기판 (118) 이 로딩/언로딩된다. 상부 전극 어셈블리 (104) 는 지지부 (108) 에 연결된다. 기판 프로세싱 시스템 (100) 은 하부 전극 어셈블리 (106) 를 포함한다. 액추에이터 (미도시) 는 상부 전극 어셈블리 (104) 와 기판 (118) 사이의 갭을 조정하기 위해 상부 전극 어셈블리 (104) 를 위아래로 (양방향 화살표 방향으로) 이동시키기 위해 지지부 (108) 에 부착된다.
금속 벨로우즈 (148) 는 지지부 (108) 로 하여금 챔버 벽 (102) 에 대해 수직으로 이동하게 하는 동안 챔버 벽 (102) 과 지지부 (108) 사이에 진공 시일을 형성한다. 지지부 (108) 는 중심 가스 피드 (통로) (112) 및 에지 가스 피드 (통로) (120) 를 갖는다. 가스 피드들 (112, 120) 중 하나 또는 모두는 베벨 에지를 세정하고 그리고/또는 그 위에 박막을 증착하기 위해 플라즈마 가스 혼합물을 전달할 수 있다.
동작 동안, 플라즈마는 기판 (118) 의 베벨 에지 둘레에 형성되고 일반적으로 링 형상이다. 플라즈마가 기판 (118) 의 중심 부분에 도달하는 것을 방지하기 위해, 상부 전극 어셈블리 (104) 상의 유전체 플레이트 (116) 와 기판 (118) 사이의 볼륨이 작고 프로세스 가스는 중심 피드로부터 (예를 들어, 단차진 홀 (114) 을 통해) 공급된다. 이어서, 가스는 기판의 방사상 방향으로 상부 전극 어셈블리 (104) 와 기판 (118) 사이의 갭을 통과한다.
일부 예들에서, 퍼지 가스는 중심 가스 피드 (112) 를 통해 주입되는 한편, 프로세스 가스는 에지 가스 피드 (120) 를 통해 주입된다. 플라즈마/프로세스 가스는 복수의 홀들 (유출구들) (141) 을 통해 챔버 볼륨 (151) 으로부터 하단 볼륨 (140) 으로 인출된다. 일부 예들에서, 진공 펌프 (143) 는 세정 또는 증착 동작 동안 하단 볼륨 (140) 을 배기하도록 사용될 수 있다.
상부 전극 어셈블리 (104) 는 상부 유전체 플레이트 (116) 및 적합한 패스닝 (fastening) 메커니즘에 의해 지지부 (108) 에 고정되고 지지부 (108) 를 통해 접지된 상부 금속 컴포넌트 (110) 를 포함한다. 상부 금속 컴포넌트 (110) 는 하나 이상의 에지 가스 통로들 또는 쓰루 홀들 (122a, 122b) 및 에지 가스 플레넘 (124a) 을 갖는다. 에지 가스 통로들 또는 쓰루 홀들 (122a, 122b) 은 동작 동안 유체 연통을 위해 에지 가스 피드 (120) 에 커플링된다. 상부 유전체 플레이트 (116) 는 상부 금속 컴포넌트 (110) 에 부착된다.
하부 전극 어셈블리 (106) 는 상부 부분 (126a) 및 하부 부분 (126b) 을 갖는 전력 공급된 (powered) 전극 (126) 을 포함한다. 핀 동작 유닛 (pin operating unit) (132) 및 리프트 핀들 (130) 은 기판 (118) 을 위아래로 이동시킨다. 하단 유전체 링 (138) 은 상부 부분 (138a) 및 하부 부분 (138b) 을 포함한다. 일부 예들에서, 척은 정전 척 또는 진공 척을 포함한다. 이하, 용어 전력 공급된 전극은 상부 및 하부 부분들 (126a, 126b) 중 하나 또는 모두를 지칭한다. 유사하게, 용어 하단 유전체 링 (138) 은 상부 부분 및 하부 부분 (138a, 138b) 중 하나 또는 모두를 지칭한다. 전력 공급된 전극 (126) 은 동작 동안 RF 전력을 수신하도록 하나의 무선 주파수 (RF) 전력 소스 (170) 또는 2 개의 주파수 (RF) 전력 소스들 (170 및 171) 에 커플링된다.
리프트 핀들 (130) 은 실린더 형 홀들 또는 경로들 (131) 내에서 수직으로 이동하고 전력 공급된 전극 (126) 에 위치된 핀 동작 유닛 (132) 에 의해 상부 위치와 하부 위치 사이에서 이동된다. 핀 동작 유닛 (132) 은 핀들 둘레에 진공 시일링된 분위기를 유지하기 위해 리프트 핀 각각 둘레에 하우징을 포함한다. 핀 작동 유닛 (132) 은 로봇 (133) (예를 들어, 하우징 각각 내로 연장하고 핀 각각에 부착된 세그먼트들을 갖는 수평 암) 및 핀 가이드 어셈블리 (133a) 를 갖는 암 액추에이팅 디바이스 (미도시) 와 같은 임의의 적합한 리프트 핀 메커니즘을 포함한다.
기판 (118) 은 하부 전극 상 또는 하부 구성 가능한 PEZ (plasma-exclusion-zone) 링 (160) 상에 장착된다. 용어 PEZ는 기판의 중심으로부터 베벨 에지를 세정하기 위한 또는 베벨 에지 상의 증착을 위한 플라즈마가 배제되는 영역의 외측 에지까지의 방사상 거리를 지칭한다. 일 실시 예에서, 전력 공급된 전극 (126) 의 상단 표면, 기판 (118) 의 하단 표면, 및 하부 구성 가능한 PEZ 링 (160) 의 내측 주변부는 진공 펌프 (136) 와 같은 진공 소스와 유체로 연통하는 봉지된 (enclosed) 진공 영역 리세스 (진공 영역) (119) 를 형성할 수 있다. 리프트 핀들 (130) 을 위한 실린더 형 홀들 또는 경로들은 또한 가스 통로들로서 공유되고, 이를 통해 진공 펌프 (136) 가 동작 동안 진공 영역 (119) 을 배기한다. 전력 공급된 전극 (126) 은 진공 영역 (119) 내 일시적 압력 변동들을 감소시키기 위해 플레넘 (134) 을 포함한다. 복수의 리프트 핀들이 사용되는 경우들에서, 플레넘 (134) 은 실린더형 홀들에 대해 균일한 흡입 레이트를 제공한다.
동작 동안, 기판 보잉은 기판 (118) 의 상단 표면과 하단 표면 사이의 압력 차를 사용함으로써 감소될 수 있다. 진공 영역 (119) 내의 압력은 플레넘 (134) 에 커플링된 진공 펌프 (136) 에 의해 동작 동안 진공 하에 유지된다. 상부 유전체 플레이트 (116) 와 기판 (118) 의 상단 표면 사이의 갭을 조정함으로써, 갭 내의 가스 압력은 프로세스 가스(들)의 전체 플로우 레이트를 변화시키지 않고 가변될 수 있다. 따라서, 갭 내의 가스 압력을 제어함으로써, 기판 (118) 의 상단 표면과 하단 표면 사이의 압력 차가 가변될 수 있고, 이에 따라 기판 (118) 상에 인가된 벤딩 힘이 제어될 수 있다.
일부 예들에서, 하단 유전체 링의 하부 부분 (138b) 은 전력 공급된 전극 (126) 의 하부 에지 상의 리세스와 매이팅하도록 (mate) 상부 표면의 내측 주변부 상에 형성된 단차부 (152) 를 갖는다. 일부 예들에서, 하부 부분 (138b) 은 포커스 링으로 지칭되는, 하단 유전체 링의 상부 부분 (138a) 상의 단차진 표면과 매이팅하도록 외주 상에 형성된 단차부 (150) 를 갖는다. 단차부들 (150, 152) 은 하단 유전체 링 (138) 을 전력 공급된 전극 (126) 과 정렬한다. 단차부 (150) 는 또한 전력 공급된 전극 (126) 과 챔버 벽 (102) 사이의 직접적인 가시선을 제거하도록 이의 표면을 따라 구불구불한 (tortuous) 갭을 형성하여, 전력 공급된 전극 (126) 과 챔버 벽 (102) 사이의 2 차 플라즈마 스트라이킹 가능성을 감소시킨다.
제어기 (190) 는 기판 프로세싱 시스템 (100) 의 동작을 제어한다. 제어기는 프로세스 동안 적절한 시간들에 기판 프로세싱 시스템 (100) 으로 가스들을 전달하도록 가스 전달 시스템 (192) 과 통신한다. 제어기 (190) 는 RF 전압 또는 RF 전압, 전류 및 위상 각을 센싱하는 RF 센서 (본 명세서에 미도시) 와 통신한다. RF 센서는 RF 매칭 네트워크 (여기서는 미도시) 와 프로세싱 챔버 사이에 설치된다. 제어기 (190) 는 기판 프로세싱 시스템의 압력을 제어하도록 진공 펌프들 (136 및 143) 과 통신하고 제어한다. 제어기 (190) 는 로봇 (133) 과 통신하고 제어한다. 제어기 (190) 는 2 개의 RF 전력 소스들 (170 및 171) 과 통신하고 제어한다.
이제 도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 벌크 저항률은 통상적으로 공통 레시피를 사용하여 프로세싱 챔버 내에서 프로세싱될 기판들의 그룹에 대해 가변할 것이다. 상기 기술된 바와 같이, 기판 벌크 저항의 변동은 증착 레이트 및/또는 에칭 레이트에 부정적으로 영향을 준다. 도 2에서, 기판 벌크 저항률이 1 내지 500 Ω·㎝까지의 미리 결정된 저항률 범위에서 가변함에 따라 증착 레이트가 HF 전압의 함수로서 도시된다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, HF는 2 ㎒ 내지 120 ㎒의 RF 주파수들을 지칭한다. 예를 들어, HF는 13.56 ㎒를 지칭할 수도 있다. 도 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 플라즈마의 HF 전압과 증착 레이트 사이에는 명백한 관계가 없고, HF 전압은 166 V로부터 173 V로 작은 변동을 갖고, 이는 플라즈마로 전달된 HF 전력이 상이한 웨이퍼 벌크 저항률에 의해 크게 영향을 받지 않는다는 것을 암시한다. 따라서, HF 전압은 웨이퍼 벌크 저항률로 증착 레이트 변화를 감소시키기 위해 HF 전력 보상을 위한 웨이퍼 벌크 저항률의 지표로서 사용될 수 없다. 플라즈마 내로 전달된 HF 전력의 변동은 증착 레이트 변화에 주된 원인이 아니다.
도 3에서, 증착 레이트는 기판 벌크 저항률이 미리 결정된 저항률 범위에서 가변함에 따라 증착 단계에서 LF 전압의 함수로서 도시된다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, LF는 2 ㎒ 미만의 보다 낮은 RF 주파수들을 지칭한다. 예를 들어, LF는 300 내지 500 ㎑ (예를 들어, 400 ㎑) 의 범위일 수도 있다. 이해될 수 있는 바와 같이, 도 3에 도시된 바와 같이 플라즈마의 LF 전압과 증착 레이트 사이에는 매우 우수한 선형 관계가 있다. 증착 단계의 2 초에서 샘플링된 LF 전압은 365 V로부터 420 V로 큰 변동을 갖고, 이는 플라즈마로 전달된 LF 전력이 상이한 웨이퍼 벌크 저항률에 의해 영향을 받는다는 것을 나타낸다. 웨이퍼 벌크 저항률이 증가함에 따라, 보다 많은 LF 전력 손실이 웨이퍼 상에서 발생하고 보다 적은 순 전력이 플라즈마로 전달된다. 따라서, 증착 레이트는 보다 높은 웨이퍼 벌크 저항률과 함께 감소된다. 도 4에 도시된 바와 같이 또한 플라즈마의 LF 전력과 증착 레이트 사이에 우수한 선형 관계가 있다. 따라서, LF 전압은 웨이퍼 벌크 저항률에 따른 증착 레이트 변화를 감소시키기 위해 LF 전력 보상을 위한 웨이퍼 벌크 저항률의 주 지표로서 사용될 수 있다. 플라즈마로 전달된 LF 전력의 변동은 증착 레이트 변화에 대한 주요 원인이다.
예를 들어, 증착 단계가 시작될 때, LF 전압은 플라즈마가 스트라이킹된 후 미리 결정된 시간 (예컨대 증착 단계의 2 초에서) 에 매칭 네트워크와 프로세싱 챔버 사이에 위치된 센서를 사용하여 검출된다. 이어서, 증착 레이트 D/R은:
D/R = a*V_LF+b
이 예에서, 도 3에 도시된 바와 같이 a = -52.761 및 b = 33402이다. 13,000 Å/min의 D/R을 얻기 위해, LF 전력 보상은
ΔP = (D/R-13000)/k이고,
여기서, 도 4에 도시된 바와 같이 이 예에서 k = 22.392이다.
LF 전력은 다음에 기초하여 증착 단계의 종료까지 LF 전압 샘플이 취해진 직후에 새로운 보상된 전력으로 보상되거나 변화될 것이다:
P_new = P_original - ΔP
이 예에서, P_original = 300 W.
LF 전력 보상을 위해 이전 방정식들을 결합하면,
P_new = P_original - (a*V_LF+b-13000)/k,
여기서 이 예에서, a = -52.761, b = 33402, k = 22.392이다.
이해될 수 있는 바와 같이, 상수 파라미터들 a, b 및 k는 기판 실행 데이터에 의해 프로세스 및 시스템 각각에 대해 결정된다. 즉, 방정식 파라미터 a, b 및 k는 상이한 프로세스들/레시피들 및/또는 프로세싱 챔버들에 대해 구성가능하다.
이제 도 5를 참조하면, 시간의 함수로서 (LF에서) 순방향 RF 전력 및 LF 전압을 예시하는 그래프가 도시된다. 일부 예들에서, 전압의 샘플링은 플라즈마를 스트라이킹한 후 2 초와 같은 미리 결정된 시간에 V 또는 VI 프로브에 의해 수행된다. 이어서 보상된 LF 전력은 LF 전압 샘플링 시간 (예를 들어, 2 초에서 샘플링 및 증착 단계의 종료까지 2.5 초 또는 3.0 초로부터 보상) 후 증착 단계의 나머지 동안 인가된다. 그러나, LF 전압 샘플링은 비 증착 단계 동안 수행될 수 있다. 샘플링된 LF 전압은 전체 증착 단계 동안 LF 전력을 보상하도록 사용된다.
상기 기술된 바와 같이, LF 전압 측정은 듀얼 RF (HF+LF) 플라즈마가 존재하고 기판이 프로세싱 챔버 내에 배치될 때 취해질 수도 있다. 예를 들어, 선행하는 플라즈마 프로세싱 단계는 LF 전압을 측정하도록 사용될 수도 있고 측정된 LF 전압은 후속하는 플라즈마 증착 프로세싱 단계 동안 LF 전력을 보상하도록 사용될 수 있다.
도 6 및 도 7에서 일 예는 일 단계 (710) 동안 LF 전압의 측정 (예를 들어, 산화 또는 비 증착 단계) 및 측정된 LF 전압에 기초하여 후속하는 증착 단계 (720) 동안 LF 전력의 보상을 예시한다. 이 예에서, 기판은 프로세싱 챔버 내에 배치되고 플라즈마는 두 단계들 동안 프로세싱 챔버 내에서 스트라이킹된다. 일부 예들에서, 플라즈마는 두 단계들 사이에서 소화된다. 다른 예들에서, 플라즈마는 두 단계들 동안 유지되고 플라즈마 프로세스 파라미터들은 단계들 사이에서 변경된다. 일부 예들에서, 플라즈마 프로세싱 단계들은 단계들 개입 없이 순차적이다. 다른 예들에서, 하나 이상의 개입된 기판 프로세싱 단계들 (플라즈마 또는 비-플라즈마 프로세싱 단계들) 이 플라즈마 프로세싱 단계들 사이에 수행될 수도 있다.
도 6을 참조하면, 예시적인 그래프는 산화 (비 증착) 단계 동안 측정된 LF 전압의 함수로서 증착 레이트를 예시한다. 산화 단계 동안 측정된 LF 전압은 산화 단계에 후속하는 증착 단계 동안 LF 순방향 전력을 보상하도록 사용된다. 이해될 수 있는 바와 같이, (방정식 (P_new = P_original-(a*V_LF+b-13000)/k) 을 사용하여) LF 전력 보상을 위해 도 6 및 도 4로부터 획득된 LF 전력 보상 파라미터들 a = -107, b = 26301, k = 22.392는 위의 예에서 도 3 및 도 4로부터 획득된 것과 상이하다. 도 7에서, HF 순방향 전력, LF 순방향 전력 및 LF 전압이 산화 단계 (710) 및 증착 단계 (720) 동안 도시된다. 산화 단계 (710) 에서 측정된 LF 전압 118 V은 산화 단계에 후속하는 증착 단계 (720) 동안 새로운 보상된 LF 전력 274 W을 결정하도록 사용된다. 이 RF 전력 보상 방법에서, 웨이퍼 벌크 저항률 범위 1 내지 500 Ω·㎝에 대한 증착 레이트 변화는 +/- 17 %에서 +/- 3 %로 상당히 감소된다.
이제 도 8을 참조하면, 본 개시에 따른 RF 전력을 제어/보상하기 위한 제어 시스템 (800) 이 도시된다. 제어 시스템 (800) 은 도 1에 도시된 프로세싱 챔버와 함께 또는 증착 및/또는 에칭을 위해 사용되는 다른 플라즈마 프로세싱 챔버들과 함께 사용될 수도 있다. 제어 시스템 (800) 은 HF (high-frequency) 생성기 (820) 및 LF (low frequency) 생성기 (824) 에 전력 제어 신호들을 제공하는 제어기 (810) 를 포함한다. HF 생성기 (820) 는 듀얼 주파수 임피던스 매칭 네트워크 (830) 로 출력되는 HF RF 전력을 생성한다. LF 생성기 (824) 는 듀얼 주파수 임피던스 매칭 네트워크 (830) 로 출력되는 LF RF 전력을 생성한다. 일부 예들에서, RF 전압을 센싱하기 위한 RF 전압 센서 또는 VI 프로브 (832) 가 듀얼 주파수 임피던스 매칭 네트워크 (830) 와 프로세싱 챔버 (840) 사이에 배치되지만, RF 전압은 플라즈마 프로세싱 챔버 주변의 다른 위치들에서 센싱될 수 있다.
프로세싱 챔버 (840) 는 제 1 전극 (842) 및 제 2 전극 (844) 을 포함한다. 가스 전달 시스템 (192) (이 도면에 미도시) 은 가스 혼합물을 프로세싱 챔버 (840) 로 공급한다. 일부 예들에서, 가스 전달 시스템 (192) 은 하나 이상의 밸브들, 질량 유량 제어기들 및/또는 매니폴드들에 의해 프로세싱 챔버 (840) 에 연결된 하나 이상의 가스 소스들을 포함한다.
HF 생성기 (820) 및 LF 생성기 (824) 의 출력부들은 듀얼 주파수 매칭 네트워크 (830) 를 통해 제 1 전극 (842) 또는 제 2 전극 (844) 중 하나에 연결된다. 제 1 전극 (842) 또는 제 2 전극 (844) 중 다른 하나는 접지와 같은 기준 전위에 연결된다. 플라즈마는 제 1 전극 (842) 과 제 2 전극 (844) 사이의 플라즈마 가스 혼합물이 RF 전력에 의해 여기될 때 생성된다. 이해될 수 있는 바와 같이, 가스 혼합물은 증착 프로세스들을 위한 하나 이상의 증착 전구체들 또는 에칭 프로세스들을 위한 에칭 가스들을 포함할 수 있다.
임피던스 매칭 네트워크 (830) 는 HF 생성기 (820) 및 LF 생성기 (824) 의 임피던스들을 전극들, 플라즈마 및 프로세싱 챔버의 유효 임피던스와 매칭시키려고 시도한다. 매칭되면, 최대 전력 전송이 반사 없이 발생한다. 제어기 (810) 는 850에서 식별된 전압 프로브 또는 전압 및 전류 (VI) 프로브에 의해 측정될 때 측정된 LF 전압에 기초하여 LF 생성기 (824) 에 공급된 전력 제어 신호를 조정하고, 이는 RF 센서가 매칭 네트워크 (830) 와 프로세싱 챔버 (840) 사이에 설치될 때 832를 포함한다.
이제 도 9를 참조하면, 증착 또는 에칭 동안 RF 전력을 제어/보상하기 위한 방법 (900) 이 도시된다. 920에서, 기판은 기판 지지부 상에 배치된다 (또는 기판은 이전 프로세싱 단계로부터 이미 존재한다). 924에서, 프로세스 가스들은 프로세싱 챔버로 공급되고 플라즈마는 LF 생성기 및 HF 생성기를 사용하여 전력을 공급함으로써 스트라이킹된다. 증착이 수행되면, 프로세스 가스들은 하나 이상의 전구체들을 포함한다. 에칭이 수행되면, 프로세스 가스들은 하나 이상의 에칭 가스들을 포함한다.
926에서 미리 결정된 기간을 대기한 후, LF 전압과 같은 파라미터가 930에서 측정된다. LF 전력은 기판이 프로세싱 챔버 내에 위치되고 플라즈마가 존재하는 동안 계산된다. 934에서, LF 전력 보상은 센싱된 파라미터 (예를 들어, 이 예에서 LF 전압) 에 기초하여 상기 기술된 바와 같이 결정된다. 938에서, LF 전력은 934에서 계산된 LF 전력 보상에 기초하여 조정된다.
942에서, 방법은 증착 또는 에칭이 완료되었는지 여부를 결정한다. 942가 참이면, 방법은 946에서 플라즈마를 소화하고 프로세스 가스들의 플로우를 중단한다. 상기 개시된 RF 전력 보상 방법은 측정된 RF 전압 (예를 들어, LF 전압) 을 활용한다. 그러나, 동일한 RF 전력 보상 방법은 RF 전류 센서 또는 VI 프로브로부터의 RF 전류, VI 프로브로부터의 위상 각 또는 다른 파라미터들과 같은 다른 RF 파라미터들을 활용할 수도 있다. 이에 더하여, 상기 기술된 웨이퍼 벌크 저항률 범위는 1 내지 500 Ω·㎝이지만, RF 전력 보상 방법은 이 웨이퍼 벌크 저항률 범위로만 제한되지 않는다.
전술한 기술은 본질적으로 단지 예시적이고 본 개시, 이의 적용, 또는 사용들을 제한하도록 의도되지 않는다. 본 개시의 광범위한 교시들은 다양한 형태들로 구현될 수 있다. 따라서, 본 개시가 특정한 예들을 포함하지만, 본 개시의 진정한 범위는 도면들, 명세서, 및 이하의 청구항들의 연구시 명백해질 것이기 때문에 그렇게 제한되지 않아야 한다. 방법 내에서 하나 이상의 단계들은 본 개시의 원리들을 변경하지 않고 상이한 순서로 (또는 동시에) 실행될 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 실시 예들 각각이 특정한 특징들을 갖는 것으로 상기 기술되었지만, 본 개시의 임의의 실시 예에 대해 기술된 임의의 하나 이상의 이들 특징들은, 임의의 다른 실시 예들의 특징들로 구현될 수 있고 그리고/또는 조합이 명시적으로 기술되지 않더라도 결합될 수 있다. 즉, 기술된 실시 예들은 상호 배타적이지 않고, 서로에 대한 하나 이상의 실시 예들의 치환들은 본 개시의 범위 내에 있다.
엘리먼트들 사이 (예를 들어, 모듈들, 회로 엘리먼트들, 반도체 층들, 등 사이) 의 공간적 및 기능적 관계들은 "연결된", "인게이지된 (engaged)", "커플링된", "인접한 (adjacent)", "옆에 (next to)", "상에 (on top of)", "위에", "아래에" 그리고 "배치된 (disposed)"을 포함하는, 다양한 용어들을 사용하여 기술된다. 상기 개시에서 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이의 관계가 기술될 때 "직접적인"것으로 명시적으로 기술되지 않는 한, 이 관계는 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 다른 중개 엘리먼트가 존재하지 않는 직접적인 관계일 수 있지만, 또한 제 1 엘리먼트와 제 2 엘리먼트 사이에 하나 이상의 중개 엘리먼트들이 (공간적으로 또는 기능적으로) 존재하는 간접적인 관계일 수 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 구 A, B 및 C 중 적어도 하나는 비배타적인 논리 OR를 사용하는 논리 (A OR B OR C) 를 의미하도록 해석되어야 하고, "적어도 하나의 A, 적어도 하나의 B, 및 적어도 하나의 C"를 의미하는 것으로 해석되지 않아야 한다.
일부 구현 예들에서, 제어기는 상기 기술된 예들의 일부일 수도 있는 시스템의 일부이다. 이러한 시스템들은, 프로세싱 툴 또는 툴들, 챔버 또는 챔버들, 프로세싱용 플랫폼 또는 플랫폼들, 및/또는 특정 프로세싱 컴포넌트들 (웨이퍼 기판 지지부, 가스 플로우 시스템, 등) 을 포함하는, 반도체 프로세싱 장비를 포함할 수 있다. 이들 시스템들은 반도체 웨이퍼 또는 기판의 프로세싱 이전에, 프로세싱 동안에 그리고 프로세싱 이후에 그들의 동작을 제어하기 위한 전자장치와 통합될 수도 있다. 전자장치는 시스템 또는 시스템들의 다양한 컴포넌트들 또는 하위부분들을 제어할 수도 있는 "제어기"로서 지칭될 수도 있다. 제어기는, 시스템의 프로세싱 요건들 및/또는 타입에 따라서, 프로세싱 가스들의 전달, 온도 설정사항들 (예를 들어, 가열 및/또는 냉각), 압력 설정사항들, 진공 설정사항들, 전력 설정사항들, 무선 주파수 (RF) 생성기 설정사항들, RF 매칭 회로 설정사항들, 주파수 설정사항들, 플로우 레이트 설정사항들, 유체 전달 설정사항들, 위치 및 동작 설정사항들, 툴 및 다른 이송 툴들 및/또는 특정 시스템과 연결되거나 인터페이싱된 로드록들 내외로의 웨이퍼 이송들을 포함하는, 본 명세서에 개시된 프로세스들 중 임의의 프로세스들을 제어하도록 프로그래밍될 수도 있다.
일반적으로 말하면, 제어기는 인스트럭션들을 수신하고, 인스트럭션들을 발행하고, 동작을 제어하고, 세정 동작들을 인에이블하고, 엔드 포인트 측정들을 인에이블하는, 등을 하는 다양한 집적 회로들, 로직, 메모리, 및/또는 소프트웨어를 갖는 전자장치로서 규정될 수도 있다. 집적 회로들은 프로그램 인스트럭션들을 저장하는 펌웨어의 형태의 칩들, 디지털 신호 프로세서들 (DSP), ASICs (Application Specific Integrated Circuits) 로서 규정되는 칩들, 및/또는 프로그램 인스트럭션들 (예를 들어, 소프트웨어) 을 실행하는 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 마이크로제어기들을 포함할 수도 있다. 프로그램 인스트럭션들은 반도체 웨이퍼 상에서 또는 반도체 웨이퍼에 대한 특정 프로세스를 실행하기 위한 동작 파라미터들을 규정하는, 다양한 개별 설정사항들 (또는 프로그램 파일들) 의 형태로 제어기로 또는 시스템으로 전달되는 인스트럭션들일 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 동작 파라미터들은 하나 이상의 층들, 재료들, 금속들, 산화물들, 실리콘, 실리콘 이산화물, 표면들, 회로들, 및/또는 웨이퍼의 다이들의 제조 동안에 하나 이상의 프로세싱 단계들을 달성하도록 프로세스 엔지니어들에 의해서 규정된 레시피의 일부일 수도 있다.
제어기는, 일부 구현 예들에서, 시스템과 통합되거나, 시스템에 커플링되거나, 이와 달리 시스템에 네트워킹되거나, 또는 이들의 조합으로 될 수 있는 컴퓨터에 커플링되거나 이의 일부일 수도 있다. 예를 들어, 제어기는 웨이퍼 프로세싱의 원격 액세스를 가능하게 할 수 있는 공장 (fab) 호스트 컴퓨터 시스템의 전부 또는 일부이거나 "클라우드" 내에 있을 수도 있다. 컴퓨터는 제조 동작들의 현 진행을 모니터링하고, 과거 제조 동작들의 이력을 조사하고, 복수의 제조 동작들로부터 경향들 또는 성능 계측치들을 조사하고, 현 프로세싱의 파라미터들을 변경하고, 현 프로세싱을 따르는 프로세싱 단계들을 설정하고, 또는 새로운 프로세스를 시작하기 위해서 시스템으로의 원격 액세스를 인에이블할 수도 있다. 일부 예들에서, 원격 컴퓨터 (예를 들어, 서버) 는 로컬 네트워크 또는 인터넷을 포함할 수도 있는 네트워크를 통해 프로세스 레시피들을 시스템에 제공할 수 있다. 원격 컴퓨터는 차후에 원격 컴퓨터로부터 시스템으로 전달될 파라미터들 및/또는 설정사항들의 입력 또는 프로그래밍을 인에이블하는 사용자 인터페이스를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 제어기는 하나 이상의 동작들 동안 수행될 프로세싱 단계들 각각에 대한 파라미터들을 특정하는, 데이터의 형태의 인스트럭션들을 수신한다. 파라미터들은 수행될 프로세스의 타입 및 제어기가 인터페이싱하거나 제어하도록 구성된 툴의 타입에 특정적일 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 상기 기술된 바와 같이, 제어기는 예를 들어, 함께 네트워킹되고 공통 목적, 예컨대 본 명세서에 기술된 프로세스들 및 제어들을 향해 작동하는 하나 이상의 개별 제어기들을 포함함으로써 분산될 수도 있다. 이러한 목적들을 위한 분산형 제어기의 예는 챔버 상의 프로세스를 제어하도록 결합하는 (예를 들어, 플랫폼 레벨에서 또는 원격 컴퓨터의 일부로서) 원격으로 위치된 하나 이상의 집적 회로들과 통신하는 챔버 상의 하나 이상의 집적 회로들일 것이다.
비한정적으로, 예시적인 시스템들은 플라즈마 에칭 챔버 또는 모듈, 증착 챔버 또는 모듈, 스핀-린스 챔버 또는 모듈, 금속 도금 챔버 또는 모듈, 세정 챔버 또는 모듈, 베벨 에지 에칭 챔버 또는 모듈, PVD (Physical Vapor Deposition) 챔버 또는 모듈, CVD (Chemical Vapor Deposition) 챔버 또는 모듈, ALD 챔버 또는 모듈, ALE 챔버 또는 모듈, 이온 주입 챔버 또는 모듈, 트랙 (track) 챔버 또는 모듈, 및 반도체 웨이퍼들의 제조 및/또는 제작 시에 사용되거나 연관될 수도 있는 임의의 다른 반도체 프로세싱 시스템들을 포함할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 툴에 의해서 수행될 프로세스 단계 또는 단계들에 따라서, 제어기는, 반도체 제작 공장 내의 툴 위치들 및/또는 로드 포트들로부터 그리고 툴 위치들 및/또는 로드 포트들로 웨이퍼들의 컨테이너들을 이동시키는 재료 이송 시에 사용되는, 다른 툴 회로들 또는 모듈들, 다른 툴 컴포넌트들, 클러스터 툴들, 다른 툴 인터페이스들, 인접 툴들, 이웃하는 툴들, 공장 도처에 위치한 툴들, 메인 컴퓨터, 또 다른 제어기, 또는 툴들 중 하나 이상과 통신할 수도 있다.

Claims (20)

  1. 기판 프로세싱 시스템에 있어서,
    프로세싱 챔버 내에 배치된 전극에 (무선 주파수 (radio frequency)) RF 전력을 공급하도록 구성된 플라즈마 생성기;
    상기 전극에 공급된 상기 RF 전력의 파라미터를 센싱하도록 구성된 센서; 및
    제어기로서,
    상기 센서로 하여금 상기 기판의 플라즈마 프로세싱 전 및 상기 기판의 플라즈마 프로세싱이 시작된 후 미리 결정된 기간 후 중 적어도 하나에 상기 파라미터를 센싱하게 하고; 그리고
    상기 기판에 대해 센싱된 상기 파라미터에 기초하여 상기 기판의 상기 플라즈마 프로세싱 동안 상기 기판에 대한 상기 RF 전력의 파라미터를 조정하게 함으로써 기판 지지부 상에 배치된 기판의 벌크 저항률의 변동들로 인한 플라즈마 프로세스의 레이트의 변동들을 보상하도록 구성되는, 상기 제어기를 포함하는, 기판 프로세싱 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 파라미터는 RF 전압, RF 전류 및 제 1 주파수에서의 RF 위상 각으로 구성된 그룹으로부터 선택되는, 기판 프로세싱 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 파라미터는 제 1 주파수의 RF 전압을 포함하는, 기판 프로세싱 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 주파수는 2 ㎒ 이하인, 기판 프로세싱 시스템.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 주파수는 300 ㎑ 내지 500 ㎑의 범위인, 기판 프로세싱 시스템.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 플라즈마 생성기는,
    상기 제 1 주파수에서 상기 RF 전력의 적어도 일부를 공급하는 제 1 RF 소스; 및
    상기 제 1 RF 소스에 연결된 입력부 및 상기 전극에 연결된 출력부를 포함하는 매칭 네트워크를 포함하는, 기판 프로세싱 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 플라즈마 생성기는 제 2 주파수로 상기 RF 전력의 적어도 일부를 공급하는 제 2 RF 소스를 포함하고, 상기 제 2 RF 소스는 상기 매칭 네트워크의 상기 입력부에 연결되고, 상기 제 2 주파수는 상기 제 1 주파수와 상이한, 기판 프로세싱 시스템.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 센서는 상기 매칭 네트워크와 상기 전극 사이에 연결되는, 기판 프로세싱 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱은,
    상기 기판 상에 막의 증착으로서, 상기 레이트는 증착 레이트를 포함하는, 상기 증착; 및
    상기 기판 상의 막의 에칭으로서, 상기 레이트는 에칭 레이트를 포함하는, 상기 에칭 중 하나를 포함하는, 기판 프로세싱 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱은 베벨 에칭기에서 베벨 증착을 포함하는, 기판 프로세싱 시스템.
  11. 기판 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법에 있어서,
    프로세싱 챔버 내에 배치된 전극에 (무선 주파수) RF 전력을 공급하는 단계;
    상기 전극으로 공급된 상기 RF 전력의 파라미터를 센싱하는 단계; 및
    상기 기판의 플라즈마 프로세싱 전 및 상기 기판의 상기 플라즈마 프로세싱이 시작된 후 미리 결정된 기간 후 중 적어도 하나에 상기 파라미터를 센싱하게 하고; 그리고
    상기 기판에 대해 센싱된 상기 파라미터에 기초하여 상기 기판의 상기 플라즈마 프로세싱 동안 적어도 하나의 상기 파라미터를 조정함으로써 기판 지지부 상에 배치된 기판의 벌크 저항률의 변동들로 인한 플라즈마 프로세스의 레이트를 보상하는 단계를 포함하는, 기판 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 파라미터는 RF 전압, RF 전류 및 상기 RF 전력의 RF 위상 각으로 구성된 그룹으로부터 선택되는, 기판 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 파라미터는 제 1 주파수의 RF 전압을 포함하는, 기판 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 RF 전압은 2 ㎒보다 작거나 같은 주파수를 갖는, 기판 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 RF 전압은 300 ㎑ 내지 500 ㎑ 범위의 주파수를 갖는, 기판 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법.
  16. 제 11 항에 있어서,
    제 1 주파수에서 동작하는 제 1 RF 소스를 사용하여 상기 RF 전력의 적어도 일부를 공급하는 단계;
    상기 제 1 주파수보다 높은 제 2 주파수에서 동작하는 제 2 RF 소스를 사용하여 상기 RF 전력의 적어도 일부를 공급하는 단계; 및
    상기 전극에 상기 제 1 RF 소스 및 상기 제 2 RF 소스의 임피던스를 매칭시키기 위해 매칭 네트워크를 사용하는 단계를 더 포함하는, 기판 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 매칭 네트워크와 상기 전극 사이의 상기 파라미터를 센싱하는 단계를 더 포함하는, 기판 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱은 상기 기판 상에 막의 증착을 포함하고, 상기 레이트는 증착 레이트를 포함하는, 기판 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱은 상기 기판 상의 막의 에칭을 포함하고, 상기 레이트는 에칭 레이트를 포함하는, 기판 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법.
  20. 기판 프로세싱 시스템에 있어서,
    프로세싱 챔버 내에 배치된 전극에 (무선 주파수) RF 전력을 공급하도록 구성된 플라즈마 생성기로서,
    제 1 주파수로 상기 RF 전력의 적어도 일부를 공급하는 제 1 RF 소스;
    상기 제 1 주파수보다 큰 제 2 주파수로 상기 RF 전력의 적어도 일부를 공급하는 제 2 RF 소스; 및
    상기 제 1 RF 소스 및 상기 제 2 RF 소스에 연결된 입력부 및 상기 전극에 연결된 출력부를 포함하는 매칭 네트워크.
    상기 제 1 주파수에서 상기 RF 전력의 파라미터를 센싱하도록 구성된 센서; 및
    제어기로서,
    상기 센서로 하여금 상기 기판의 플라즈마 프로세싱 전 및 상기 기판의 플라즈마 프로세싱이 시작된 후 미리 결정된 기간 후 중 적어도 하나에 상기 파라미터를 센싱하게 하고; 그리고
    상기 기판에 대해 센싱된 상기 파라미터에 기초하여 상기 기판의 상기 플라즈마 프로세싱 동안 적어도 하나의 상기 기판에 대한 상기 RF 전력의 상기 파라미터를 조정하게 함으로써 기판 지지부 상에 배치된 기판의 벌크 저항률의 변동들로 인한 플라즈마 프로세스의 증착 레이트 및 에칭 레이트 중 하나의 변동들을 보상하도록 구성되는, 상기 제어기를 포함하는, 기판 프로세싱 시스템.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11158488B2 (en) * 2019-06-26 2021-10-26 Mks Instruments, Inc. High speed synchronization of plasma source/bias power delivery
US11990319B2 (en) * 2022-01-05 2024-05-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4310812A (en) * 1980-08-18 1982-01-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army High power attenuator and termination having a plurality of cascaded tee sections
US5556549A (en) * 1994-05-02 1996-09-17 Lsi Logic Corporation Power control and delivery in plasma processing equipment
US6238528B1 (en) * 1998-10-13 2001-05-29 Applied Materials, Inc. Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source
US6829056B1 (en) * 2003-08-21 2004-12-07 Michael Barnes Monitoring dimensions of features at different locations in the processing of substrates
US7615132B2 (en) * 2003-10-17 2009-11-10 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus having high frequency power source with sag compensation function and plasma processing method
US8333842B2 (en) * 2008-05-15 2012-12-18 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching semiconductor wafers
US20090297404A1 (en) * 2008-05-29 2009-12-03 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with high speed plasma impedance tuning by modulation of source power or bias power
US20100018648A1 (en) * 2008-07-23 2010-01-28 Applied Marterials, Inc. Workpiece support for a plasma reactor with controlled apportionment of rf power to a process kit ring
US8624501B2 (en) * 2010-12-08 2014-01-07 Mks Instruments, Inc. Measuring and controlling parameters of a plasma generator
US8895415B1 (en) * 2013-05-31 2014-11-25 Novellus Systems, Inc. Tensile stressed doped amorphous silicon
US9502221B2 (en) * 2013-07-26 2016-11-22 Lam Research Corporation Etch rate modeling and use thereof with multiple parameters for in-chamber and chamber-to-chamber matching
US9508529B2 (en) * 2014-10-23 2016-11-29 Lam Research Corporation System, method and apparatus for RF power compensation in a plasma processing system
JP6488150B2 (ja) * 2015-02-27 2019-03-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US9704692B2 (en) * 2015-07-01 2017-07-11 Lam Research Corporation System for instantaneous radiofrequency power measurement and associated methods
US9792393B2 (en) * 2016-02-08 2017-10-17 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for etch profile optimization by reflectance spectra matching and surface kinetic model optimization
JP6392266B2 (ja) * 2016-03-22 2018-09-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US10725485B2 (en) * 2016-12-15 2020-07-28 Lam Research Corporation System and method for calculating substrate support temperature

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