TW202226586A - 發光顯示裝置 - Google Patents

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金庸喆
李在鎬
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Abstract

根據本發明，藉由不對稱地設置發光顯示裝置的彎曲表面區域的突出部，來有效控制發光顯示裝置的光分佈，以最小化在彎曲表面區域中的亮度下降以及發光顯示裝置的平坦表面區域與彎曲表面區域之間的色感差異。

Description

發光顯示裝置
本發明涉及一種發光顯示裝置，更具體地說，涉及一種能夠調整光分佈的發光顯示裝置。
在當前的全面資訊時代，用於視覺地顯示資訊和資料的顯示領域得到快速發展。在這項工作中，正在繼續研究改進各種顯示裝置的性能，以便獲得具有薄厚度、重量輕和功耗低之改進的顯示裝置。
在各種顯示裝置中，發光顯示裝置是一種不需要獨立光源的自發光顯示裝置，其與需要背光單元作為獨立光源的液晶顯示裝置不同。發光顯示裝置的一個例子可以是OLED顯示裝置。
因此，可以製造發光顯示裝置以具有質量輕和厚度小。進一步地，由於發光顯示裝置是在低電壓下被驅動，其不僅在功耗方面有優勢，而且在色彩實現、響應速率、視角和對比度（CR）方面也有優勢。因此，發光顯示裝置正在各個領域中被廣泛地利用。
本發明要實現的一個目的是提供一種顯示裝置，其中將設置在彎曲表面區域中的塗覆層的突出部不對稱地設置，以控制彎曲表面區域中的光分佈到側表面方向。
本發明要實現的另一個目的是提供一種顯示裝置，其改善在彎曲表面區域中亮度的衰退以及在平坦表面區域與彎曲表面區域之間的色感差異。
本發明的目的不限於上述對象，所屬技術領域中具有通常知識者可以從以下描述中清楚地理解其他未在上面提及的目的。
根據本發明的一態樣，一種發光顯示裝置包括：覆蓋構件，包含平坦表面區域和彎曲表面區域；以及顯示面板，設置在覆蓋構件下方。顯示面板可以包括：基板，其中設置有複數個子像素；塗覆層，設置在基板上，並包含基底部和從基底部突出的突出部；複數個第一電極，設置以覆蓋突出部和基底部的側部分；堤岸層，設置在非發光區域中的複數個第一電極的一些上，以界定複數個子像素的發光區域和非發光區域；發光層，設置在複數個第一電極和堤岸層上；以及第二電極，設置在發光層上。複數個子像素可以包括：第一子像素，設置在平坦表面區域中；以及第二子像素，設置在彎曲表面區域中，並且突出部設置在第二子像素的發光區域的兩側之間較遠離平坦表面區域的一側上。
根據本發明的另一態樣，一種發光顯示裝置包括：覆蓋構件，包含平坦表面區域和彎曲表面區域；以及顯示面板，設置在覆蓋構件下方並具有平坦結構。顯示面板可以包括：基板，其中設置複數個子像素，包含有發光區域和非發光區域；塗覆層，設置在基板上，並包含基底部和突出部；複數個發光二極體，設置在塗覆層上的複數個子像素的每一個中，並包含第一電極、發光層和第二電極，其中，在複數個子像素之中設置在對應於平坦表面區域的複數個子像素中的突出部以相同的高度設置在發光區域的兩側上；在複數個子像素之中，設置在對應於彎曲表面區域的複數個子像素中的突出部包括：第一突出部，設置在發光區域的兩側之間較遠離平坦表面區域的一側上，以調節彎曲表面區域中的光分佈；以及第二突出部，具有比第一突出部更低的高度，並設置在發光區域的另一側上。
本例示性實施例的其他詳細事項包含在詳細描述和附圖中。
根據本發明，藉由不對稱地設置彎曲表面區域的突出部來控制發光顯示裝置的光分佈，以改善在彎曲表面區域中亮度的衰退以及在平坦表面區域與彎曲表面區域之間的色感差異。
根據本發明，改變光的路徑，光從對應於彎曲表面區域的子像素的發光層發射，以提高光提取效率。
根據本發明，可以藉由改善光提取效率來實現具有改進的功耗的發光顯示裝置。
根據本發明的效果不限於上述舉例的內容，更多的各種效果將包含在本說明書中。 【圖示簡單說明】
從以下結合圖示所擷取的詳細描述中，將更清楚地理解本發明的上述及其他方面、技術特徵和其他優點，其中： 圖1是根據本發明一例示性實施例之發光顯示裝置的立體圖； 圖2是沿圖1之I-I'線所截取的發光顯示裝置的剖面圖； 圖3是沿圖1之II-II'線所截取的發光顯示裝置的剖面圖； 圖4是沿圖1之III-III'線所截取的發光顯示裝置的剖面圖； 圖5是根據本發明另一例示性實施例在發光顯示裝置中的第二子像素的剖面圖； 圖6是根據本發明另一例示性實施例在發光顯示裝置中的第三子像素的剖面圖；以及 圖7是根據本發明另一例示性實施例在發光顯示裝置中的塗覆層的立體圖。
本發明的優點和特徵以及實現這些優點和特徵的方法將透過參照以下與附圖一起詳細描述的例示性實施例而明確。然而，本發明並不限於此處揭露的例示性實施例，而是將以各種實施形式。僅以舉例的方式提供例示性實施例，以便所屬技術領域中具有通常知識者能夠充分理解本發明的揭露內容和本發明的範圍。因此，本發明將僅由所附申請專利範圍來定義。
附圖中為描述本發明的例示性實施例而說明的形狀、尺寸、比例、角度、編數等只是例示，本發明不限於此。在整個說明書中，類似的參照編數一般表示類似的元件。
進一步地，在本發明的以下描述中，可以省略對已知相關技術的詳細解釋，以避免不必要地掩蓋本發明的主題。本文使用的用語如「包括、包含」 、「具有」 、「由...組成」，一般是為容許添加其他組件，除非這些用語與「僅」一起使用。任何提及單數的地方都可以包括複數，除非明確地另行說明。
即使沒有明確說明，組件也解釋為包括普通誤差範圍。
當使用諸如 「在...上」、「上方」、「上部」、「下方」、「在...下」和 「相鄰」等術語描述兩個構件之間的位置關係時，一個或多個構件可以定位在兩個構件之間，除非這些術語與術語 「立即」或 「直接 」一同使用。
當元件或層設置在另一元件或層「上」時，另一層或另一元件（或多個層／元件）可以直接插在又另一個元件上或其間。
儘管術語 「第一」、「第二」等被用於描述各種元件，但這些元件並不被這些術語所限制。這些術語僅僅用於將一個組件與其他組件區分開來，而不能界定順序或次序。因此，在本發明的技術概念中，以下要提到的第一組件可能是第二組件。
為了描述的方便，而示出圖中每一個組件的尺寸和厚度，並且本發明不限於圖中的組件的尺寸和厚度。
本發明的各種實施例的特徵可以部分地或完全地相互依附或結合，並可以在技術上以各種方式進行聯結和操作，並且各實施例可以獨立地或相互關聯地執行。
以下，將參照附圖詳細描述根據本發明例示性實施例的發光顯示裝置。根據本發明所有實施例的每一個發光顯示裝置的所有部件都可操作地耦接和配置。
圖1是根據本發明一例示性實施例之發光顯示裝置的立體圖。圖2是沿圖1之I-I'線所截取的發光顯示裝置的剖面圖。
參照圖1和圖2，發光顯示裝置100可以包括：基板110；薄膜電晶體（TFT）120；塗覆層130；堤岸層140；發光二極體150；封裝單元170；以及覆蓋構件180。從基板110到封裝單元170的部分可以稱為顯示面板。發光顯示裝置100實施為頂部發光型發光顯示裝置，但也可以是其他類型。在圖1中，為了描述的方便，在顯示裝置100的各種部件中，示出了基板110和覆蓋構件180，而其他部件可以不明確地示出。
同時參照圖1和圖2，覆蓋構件180設置在顯示面板上，該顯示面板可以包括：基板110；薄膜電晶體120；塗覆層130；堤岸層140；發光二極體150；以及封裝單元170。覆蓋構件180保護顯示面板免受外部衝擊，並抑制顯示面板因外部空氣如濕氣或氧氣而劣化。覆蓋構件180可以由具有高透光率和優良抗衝擊性的強化玻璃形成。
覆蓋構件180包括：平坦表面區域PA；以及彎曲表面區域CA。平坦表面區域PA是覆蓋構件180的上表面和下表面都由平坦表面形成的區域。彎曲表面區域CA是下表面由平坦表面形成，而上表面由彎曲表面形成的區域。例如，覆蓋構件180的下表面由在平坦表面區域PA和彎曲表面區域CA兩者中的平坦表面形成。另一方面，覆蓋構件180上表面的一部分由平坦表面區域PA的平坦上表面形成，而覆蓋構件180上表面的邊緣部分由彎曲表面形成。在一示例中，彎曲表面區域CA設置在平坦表面區域PA的兩側或兩個相對側上，使得彎曲表面區域CA的斜率隨著其遠離平坦表面區域PA移動而增加。
然而，本發明並不限於此，且設置在平坦表面區域PA兩側上的彎曲表面區域CA可以設置成具有不同的曲率半徑。進一步地，彎曲表面區域CA可以僅設置在平坦表面區域PA的一側上，或者設置在平坦表面區域PA的所有或一些側面中。例如，當平坦表面區域PA有四個側面時，彎曲表面區域CA可以設置在平坦表面區域的四個側面中的一個或多個側面上，或者可以設置在平坦表面區域PA的所有四個側面上。再者，根據平坦表面區域PA的形狀，彎曲表面區域CA的位置和設置可以相應地變化。
覆蓋構件180可以透過黏合構件黏附在顯示面板上。例如，黏合構件可以設置在覆蓋構件180與封裝單元170之間。例如，覆蓋構件180可以透過諸如光學透明膠（OCA）、光學透明樹脂（OCR）或壓敏膠（PSA）的黏合構件黏附到顯示面板上，但不限於此。
例如，包含平坦表面區域PA和彎曲表面區域CA的覆蓋構件180可以藉由將平坦的強化玻璃基板安裝在成型框架中並加熱來形成在具有曲率半徑的邊緣部分上。進一步地，可以藉由研磨平坦的強化玻璃基板的上表面的兩個邊緣來形成具有曲率半徑的覆蓋構件，但不限於此。
同時參照圖1和圖2，基板110可以支持和保護發光顯示裝置100的一個或多個部件。基板110可以由玻璃或具有彈性的塑膠材料形成。當基板110由塑膠材料形成時，例如，基板可以由聚醯亞胺（PI）形成，但不限於此。
基板110可以包括顯示區域AA和非顯示區域NA。顯示區域AA是在發光顯示裝置100中顯示影像的區域，並且顯示元件和用於驅動顯示元件的各種驅動元件設置在顯示區域AA中。例如，顯示元件可以由包含第一電極151、發光層152和第二電極153的發光二極體150構成。進一步地，用於驅動顯示元件的各種驅動元件（例如，驅動電路），諸如薄膜電晶體120、電容器或佈線可以設置在顯示區域AA中。
複數個子像素SP可以包含在顯示區域AA中。子像素SP是構成螢幕的最小單元，而複數個子像素SP中的每一個可以包括：發光二極體150；以及驅動電路，用於驅動發光二極體150。
進一步地，複數個子像素SP可以發射具有不同波長的光。例如，複數個子像素SP可以包括至少一個紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素。但不限於此，複數個子像素SP可以進一步包括白色子像素。
參照圖1的示例，複數個子像素SP可以包括：第一子像素SP1；第二子像素SP2；以及第三子像素SP3。第一子像素SP1是設置在對應於覆蓋構件180的平坦表面區域PA的顯示區域AA中的子像素。第二子像素SP2和第三子像素SP3是設置在對應於覆蓋構件180的彎曲表面區域CA的顯示區域AA中的子像素。例如，第一子像素SP1可以設置在對應於覆蓋構件180的平坦表面區域PA的基板110的一部分上，而第二子像素SP2和第三子像素SP3可以設置在對應於覆蓋構件180的彎曲表面區域CA的基板110的部分上。
進一步地，假定第三子像素SP3是比第二子像素SP2更遠離平坦表面區域PA的像素。將在下文中參照圖2至圖4詳細描述第一子像素SP1、第二子像素SP2、以及第三子像素SP3。
每個子像素SP的驅動電路是用於控制相對應的發光二極體150的驅動的電路。例如，驅動電路可以配置以包括薄膜電晶體120和電容，但不限於此。
非顯示區域NA是沒有顯示影像的區域，而用於驅動設置在顯示區域AA中的複數個子像素SP的各種組件可以設置在非顯示區域NA中。例如，可以在非顯示區域NA中設置驅動IC和可撓性薄膜，其中，驅動IC供應用於驅動複數個子像素SP的訊號。
非顯示區域NA可以是如圖1中所示之包圍顯示區域AA的區域，但不限於此。例如，非顯示區域NA可以是從顯示區域AA延伸的區域，並可以在顯示區域AA的一個或多個側上。
將參照圖2描述第一子像素SP1，其設置在對應於覆蓋構件180的平坦表面區域PA的基板110的該部分上。
參照圖2，緩衝層111設置在基板110上。緩衝層111可以改善形成在緩衝層111上的層與基板110之間的黏附性，並阻止從基板110洩漏的鹼性成分。緩衝層111可以由單層的氮化矽（SiNx）或氧化矽（SiOx）或多層的氮化矽（SiNx）和氧化矽（SiOx）形成，但不限於此。緩衝層111可以基於基板110的類型及/或材料及/或薄膜電晶體120的結構及/或類型而省略。
薄膜電晶體120設置在基板110上。薄膜電晶體120可以用作發光顯示裝置100的驅動元件。薄膜電晶體120包括：閘電極121；主動層122；源電極123；以及汲電極124。在根據本發明例示性實施例的發光顯示裝置100中，薄膜電晶體120具有一種其中主動層122設置在閘電極121上，而源電極123和汲電極124設置在主動層122上的結構。因此，薄膜電晶體120具有底部閘極結構，其中閘電極121設置在最底部，但不限於此。
薄膜電晶體120的閘電極121設置在基板110上。閘電極121可以是各種金屬材料中的任何一種，例如鉬（Mo）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、釹（Nd）和銅（Cu）中的任何一種或它們中的兩個或多個的合金，或其多層，但不限於此。
閘極絕緣層112設置在閘電極121和緩衝層111上。閘極絕緣層112是用於將閘電極121與主動層122電絕緣的層，並可以由絕緣材料形成。例如，閘極絕緣層112可以形成為單層的氮化矽（SiNx）或氧化矽（SiOx），其為一種無機材料，或者是多層的氮化矽（SiNx）或氧化矽（SiOx），但不限於此。
主動層122設置在閘極絕緣層112上。主動層122設置成與閘電極121重疊。例如，主動層122可以由氧化物半導體、非晶矽（a-Si）、多晶矽（poly-Si）、有機半導體或類似物形成。
蝕刻阻擋結構113設置在主動層122上。當使用蝕刻方法對源電極123和汲電極124進行圖案化時，由於電漿導致的主動層122的表面的損壞可以被蝕刻阻擋結構113抑制。蝕刻阻擋結構113的一側與源電極123重疊，而蝕刻阻擋結構113的另一側可以與汲電極124重疊。然而，蝕刻阻擋結構113可以省略，或者可以具有不同的設置。
源電極123和汲電極124設置在主動層122和蝕刻阻擋結構113上。源電極123和汲電極124設置在同一層上，以彼此間隔開。源電極123和汲電極124可以與主動層122接觸，以便與主動層122電性連接。源電極123和汲電極124可以是各種金屬材料中的任何一種，例如鉬（Mo）、鋁（Al）、鉻（Cr）、金（Au）、鈦（Ti）、鎳（Ni）、釹（Nd）和銅（Cu）或其中兩個或多個的合金，或其多層，但不限於此。
塗覆層130形成在薄膜電晶體120上。塗覆層130保護薄膜電晶體120，並使設置在基板110上的層的階差（step）平緩或最小。塗覆層130可以由丙烯酸樹脂、環氧樹脂、苯酚樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯樹脂、聚苯硫化物樹脂、苯環丁烯和光阻劑中的一種形成，但不限於此。
塗覆層130可以包括：基底部131；以及突出部132。如圖2所示，基底部131和突出部132可以一體成形。例如，基底部131和突出部132由相同的材料透過相同的製程同時形成，例如，透過光罩製程，但不限於此。
塗覆層130的基底部131設置在薄膜電晶體120和閘極絕緣層112上。基底部131的上表面具有與基板110平行的表面。因此，基底部131保護薄膜電晶體120，並平坦化設置在基板110上的各層的階差。
塗覆層130的突出部132設置在基底部131上。突出部132與基底部131一體成形以從基底部131突出。因此，突出部132的上表面可以形成為比下表面小，但不限於此。
在第一子像素SP1中，突出部132可以設置在具有相同高度的發光區域EA的兩側上。在此情況下，從發光層152發射的光被分配為雙側對稱，使得在正面方向的亮度很好，並在顯示面板的發光區域EA中發射。作為一示例，突出部132的高度h1可以在1微米至10微米的範圍內，但不限於此。每個突出部132可以具有高度h1。
每個突出部132具有上表面和側表面。突出部132的上表面是設置在突出部132的最上部分上的表面，並可以是平行於或實質平行於基底部131或基板110的表面。突出部132的側表面可以是連接突出部132的上表面和基底部131的表面。突出部132的側表面可以從突出部132的上表面朝基底部131傾斜。
即使在圖2中描述了塗覆層130包括：具有平坦上表面的基底部131；以及從基底部131突出的突出部132，但並不限於此。進一步地，設置在對應於平坦表面區域PA的基板110上的複數個子像素SP可以不包括突出部132。在此情況下，塗覆層130僅由平坦的基底部131形成，因此，設置在其上方的第一電極151可以具有平坦的形狀，而不是傾斜的形狀，例如，在發光區域EA和非發光區域NEA中的整個第一電極151可以設置成平坦而無階差。例如，當從設置在對應於平坦表面區域PA的基板110上的複數個子像素SP（例如第一子像素SP1）的發光層152發射的光具有雙側對稱的光分佈時，塗覆層130的詳細設置可以以各種形式改變。
參照圖2，發光二極體150設置在塗覆層130上。發光二極體150包括：第一電極151，設置在塗覆層130上；發光層152，設置在第一電極151上；以及第二電極153，設置在發光層152上。
第一電極151設置在塗覆層130上以覆蓋基底部131和突出部132的側部分和上部分。例如，第一電極151設置在未設置突出部132的基底部131的上表面、突出部132的側表面和上表面的部分區域上。第一電極151可以按照基底部131和突出部132的形狀進行設置。因此，第一電極151可以在基底部131的上表面和塗覆層130的突出部132的上表面上具有平坦的上表面，而在突出部132的側表面具有傾斜的上表面。對於每一個子像素SP，第一電極151可以形成為分開的。
第一電極151由反射層和設置在反射層上的透明導電層配置，以電性連接到塗覆層130的基底部131上的薄膜電晶體120。由於根據本發明該實施例的發光顯示裝置100是作為示例的頂部發光型發光顯示裝置，因此反射層可以向上反射從發光二極體150發射的光。
反射層可以由金屬材料形成。例如，反射層可以由諸如鋁（Al）、銀（Ag）、銅（Cu）和鎂銀合金（Mg:Ag）等金屬材料形成，但不限於此。反射層可以通過形成在塗覆層130中的接觸孔與汲電極124電性連接。但並不侷限於此，反射層可以通過形成在塗覆層130中的接觸孔與源電極123電性連接。
第一電極151的透明導電層設置在反射層上，以透過反射層與汲極電極124電性連接。透明導電層可以由具有高功函數的導電材料形成，以向發光層152供應電洞。例如，透明導電層可以由透明導電氧化物形成，例如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化銦錫鋅（ITZO）、氧化鋅（ZnO）和氧化錫（TO），但不限於此。
參照圖2，堤岸層140設置在第一電極151和塗覆層130上。堤岸層140可以設置以覆蓋發光二極體150的第一電極151的一部分，以包含發射區域EA和非發光區域NEA。例如，堤岸層140可以設置在非發光區域NEA中的第一電極151的一部分上，以包含複數個子像素SP的發光區域EA和非發光區域NEA。在圖2的示例中，兩個非發光區域NEA顯示為設置在發光區域EA的相對兩側上，但本發明不限於此。
作為一示例，堤岸層140可以設置在非發光區域NEA中的第一電極151與發光層152之間，以阻止在非發光區域NEA中的光的產生。進一步地，堤岸層140不設置在發光區域EA中，使得發光層152設置在第一電極151上以在發光層152中產生光。
堤岸層140可以由有機材料或無機材料形成。例如，如果堤岸層140由有機材料形成，則堤岸層可以由聚醯亞胺、丙烯酸或苯環丁烯樹脂形成。另一方面，如果堤岸層140由無機材料形成，則堤岸層140可以由非晶矽、氧化矽、氮化矽或氮氧化矽形成，但不限於此。
發光層152設置在第一電極151和堤岸層140上。例如，將發光層152設置在發光區域EA的第一電極151上，並設置在非發光區域NEA中的堤岸層140上。
發光層152是用於發射具有特定顏色的光的層，並包含紅色發光層、綠色發光層、藍色發光層和白色發光層中的至少一個。進一步地，發光層152可以進一步包括各種層，諸如電洞傳輸層、電洞注入層、電洞阻斷層、電子注入層、電子阻斷層或電子傳輸層。發光層152可以是由有機材料形成的有機發光層，但不限於此。例如，發光層152可以是量子點發光層或微型LED。
發光層152設置在非發光區域NEA中的堤岸層140上，使得發光層152也可以按照堤岸層140的形狀形成。因此，發光層152在發光區域EA的第一電極151的上表面和非發光區域NEA的堤岸層140的上表面上可以具有平坦的上表面，並且在堤岸層140的側傾斜表面上可以具有傾斜的上表面。
第二電極153設置在發光層152上。第二電極153向發光層152供應電子。第二電極153可以由透明導電氧化物形成，例如銦錫氧化物（ITO）、銦鋅氧化物（IZO）、銦錫鋅氧化物（ITZO）、鋅氧化物（ZnO）和錫氧化物（TO）或鐿（Yb）合金。進一步地，第二電極153可以由金屬材料形成，例如銀（Ag）、銅（Cu）或鎂銀合金（Mg:Ag）或具有很薄厚度的金屬材料。然而，由於示例中的發光顯示裝置100是頂部發光型，所以第二電極153具有非常薄的厚度，因此第二電極153的折射率可以不影響光的行進。
由於第二電極153設置在非發光區域NEA中的發光層152上，因此第二電極153也可以按照堤岸層140的形狀設置。因此，第二電極153在發光區域EA的第一電極151的上表面和非發光區域NEA的堤岸層140的上表面上具有平坦的上表面，並且在堤岸層140的側傾斜表面上具有傾斜的上表面。為了加工的方便，對於每一個子像素SP，第二電極153不形成為分離的，而是可以形成為連續的單層。
參照圖2，封裝單元170設置在發光二極體150上。封裝單元170可以設置以覆蓋第二電極153。封裝單元170保護發光二極體150不受來自發光顯示裝置100外部的濕氣或氧氣的滲透。進一步地，封裝單元170可以透過發光二極體150來平坦化階差。
封裝單元170可以包括：第一封裝層171；第二封裝層172；以及第三封裝層173。
第一封裝層171設置在第二電極153上，以抑制或消除濕氣或氧氣的滲透。第一封裝層171可以由無機材料形成，例如氮化矽（SiNx）、氮氧化矽（SiNxOy）或氧化鋁（AlyOz），但不限於此。
第一封裝層171設置在第二電極153上，使得第一封裝層171也按照第二電極153的形狀設置。因此，第一封裝層171在發光區域EA的第一電極151的上表面和非發光區域NEA的堤岸層140的上表面上可以具有平坦的上表面，並且在堤岸層140的側傾斜表面上可以具有傾斜的上表面。
將第二封裝層172設置在第一封裝層171上，以平坦化在其下方形成的結構的上表面。進一步地，第二封裝層172可以覆蓋在製造加工中可能產生的外來物質或顆粒。第二封裝層172可以由有機材料形成，例如碳氧化矽（SiOxCz）、丙烯酸或環氧樹脂，但不限於此。
將第三封裝層173設置在第二封裝層172上，並像第一封裝層171一樣抑制濕氣或氧氣的滲透。第三封裝層173可以由無機材料形成，例如氮化矽（SiNx）、氮氧化矽（SiNxOy）、氧化矽（SiOx）或氧化鋁（AlyOz），但不限於此。第三封裝層173可以由與第一封裝層171相同的材料形成，或者由與第一封裝層171不同的材料形成。作為一種變化型態，第三封裝層173可以省略，或者額外的封裝層可以設置在第三封裝層173上。
根據本發明例示性實施例的發光顯示裝置100是頂部發光型發光顯示裝置，使得可以製造發光顯示裝置100以實現微共振腔。具體而言，即使第二電極153具有透射特性，但從發光層152發出的部分光可以被具有透射特性的第二電極153反射以導向第一電極151。光再次從第一電極151的反射層反射出來，這樣就可以產生在反射層與第二電極153之間反復反射的光。此時，有可能實現微共振腔，其中在從發光層152發出的光之中，具有特定波長的光的亮度可以透過基於光被反復反射的層之間的距離的建設性干涉來改善。因此，在根據本發明例示性實施例的發光顯示裝置100中，第一電極151的反射層與第二電極153之間的距離設定為對從發光層152發射的光實施建設性干涉。因此，可以提高光學效率。
以下，將參照圖3一起更詳細地描述設置在基板110的一部分上的第二子像素SP2，其對應於在圖2中的覆蓋構件180的彎曲表面區域CA。
特別地，圖3是沿圖1的II-II'線所截取的發光顯示裝置的剖面圖。儘管覆蓋構件180在彎曲表面區域CA中具有彎曲表面形狀，但是一個子像素SP的尺寸非常小，因此在圖3中，說明彎曲表面區域CA的覆蓋構件180具有平坦表面形狀，而不是彎曲表面形狀。進一步地，為了簡潔起見，圖3的討論將集中在第二子像素SP2的結構與上文已詳細描述的第一子像素SP1的結構之間的差異。
參照圖1和圖3，第二子像素SP2可以設置在對應於覆蓋構件180的彎曲表面區域CA的基板110的一部分上。
參照圖3，設置在對應於覆蓋構件180的彎曲表面區域CA的基板110的該部分上的突出部132可以設置在發光區域EA的兩側中的一側上。第二子像素SP2的發光區域EA的一側（也稱為第一側）是發光區域EA的側表面，其較遠離覆蓋構件180的平坦表面區域PA，而第二子像素SP2的發光區域EA的另一側（也稱為第二側）比第一側更接近平坦表面區域PA。發光區域EA的第一側和第二側是相對側。
例如，設置在第二子像素SP2中的突出部132可以僅設置在發光區域EA的兩個側之中較遠離平坦表面區域PA的一側。也就是說，圖3中的塗覆層130包括基底部131和僅在發光區域EA的一側（第一側）突出的突出部132，但突出部132不存在發光區域EA的另一側（第二側）上。僅有基底部131設置在第二子像素SP2的發光區域EA的第二側上。
設置在第二子像素SP2的發光區域EA的一側（例如第一側）上的突出部132的高度h2可以等於或高於設置在平坦表面區域PA中的第一子像素SP1的突出部132的高度h1。彎曲表面區域CA的斜率越大，第二子像素SP2的突出部132的高度h2可以越高。例如，隨著覆蓋構件180的平坦表面區域PA和彎曲表面區域CA形成的角度增加，第二子像素SP2的突出部132的高度h2可以增加。例如，第二子像素SP2的突出部132的高度h2可以是1微米至10微米。然而，並不侷限於此，高度可以根據由覆蓋構件180的平坦表面區域PA和彎曲表面區域CA形成的角度而變化。
由第二子像素SP2中的突出部132的側表面和基底部131的上表面形成的角度，例如，在第二子像素SP2中的突出部132的側表面斜率角度，在此可以稱為第一角度θ1。例如，突出部132的側表面可以以第一角度θ1設置在基底部131上。第一角度θ1可以是40°至80°，更理想的是45°至65°，但不限於此。進一步地，在第二子像素SP2中的突出部132的側表面斜率角度可以等於（或大於）在第一子像素SP1中的突出部132的側表面斜率角度。
第一電極151設置在塗覆層130上以覆蓋基底部131和突出部132的側部分及上部分。因此，第二子像素SP2的第一電極151按照塗覆層130的突出部132的形狀設置在發光區域EA的一側（例如第一側）上，使得第一電極151可以在突出部132的側表面上具有傾斜的上表面。進一步地，第二子像素SP2的第一電極151可以具有平坦上表面，其對應於在發光區域EA和發光區域EA的另一側（例如，第二側）中的塗覆層130的基底部131的上表面。例如，第一電極151直接設置在非發光區域NEA的其中之一（鄰近發光區域EA的第二側）中的基底部131上，而第一電極151直接設置在鄰近於發光區域EA的第一側的另一個非發光區域NEA中的突出部132上。在圖3的示例中，發光區域EA的第一側是右側，而發光區域EA的第二側是左側。
以下，將參照圖4一起更詳細地描述第三子像素SP3，其設置在對應於覆蓋構件180的彎曲表面區域CA的基板110的一部分上。進一步地，為了簡潔起見，圖4的討論將集中在第三子像素SP3的結構與上文已詳細描述的第二子像素SP2的結構之間的差異。
特別地，圖4是沿圖1的III-III'線所截取的發光顯示裝置的剖面圖。儘管覆蓋構件180在彎曲表面區域CA中具有彎曲表面形狀，但是一個子像素SP的尺寸非常小，因此在圖4中，說明彎曲表面區域CA的覆蓋構件180具有平坦表面形狀，而不是彎曲表面形狀。
參照圖1和圖4，複數個子像素SP包括第三子像素SP3。第三子像素SP3可以設置在對應於覆蓋構件180的彎曲表面區域CA的基板110的一部分上。第三子像素SP3可以設置在基板110上，其對應於比第二子像素SP2更遠離平坦表面區域PA的彎曲表面區域CA。例如，第三子像素SP3可以設置成比第二子像素SP2更遠離平坦表面區域PA。例如，對應於第三子像素SP3的位置的彎曲表面區域CA的斜率角度可以比對應於第二子像素SP2的位置的彎曲表面區域CA的斜率角度大。第三子像素SP3可以比第二子像素SP2設置在更接近基板110的外部。
第三子像素SP3的突出部132可以設置在發光區域EA的兩側中的一側上。第三子像素SP3的發光區域EA的一側（在此也稱為第一側）是發光區域EA的側表面，其較遠離覆蓋構件180的平坦表面區域PA，並且第三子像素SP3的發光區域EA的另一側（在此也稱為第二側）比第一側更靠近平坦表面區域PA，並與第三子像素SP3的發光區域EA的第一側相對。第三子像素SP3的突出部132可以僅設置在發光區域EA的兩側之中較遠離平坦表面區域PA的一側（例如第三子像素SP3的發光區域EA的第一側）。因此，第三子像素SP3包括：基底部131；以及突出部132，位於發光區域EA的一側（例如，第三子像素SP3的發光區域EA的第一側）從基底部131突出，而沒有突出部132存在於第三子像素SP3的發光區域EA的第二側上。在第三子像素SP3的發光區域EA的第二側上，僅存在塗覆層130的基底部131（而不是突出部132）。
隨著與平坦表面區域PA的距離增加，設置在彎曲表面區域CA內的複數個子像素SP中的突出部132的高度h2和h3可以增加。例如，第三子像素SP3的突出部132的高度h3可以比第二子像素SP2的突出部132的高度h2高。
在第三子像素SP3中的突出部132的側表面斜率角度，其在此也稱為第二角度θ2，可以是40°至80°。進一步地，在第三子像素SP3中的突出部132的側表面斜率角度可以等於在第二子像素SP2中的突出部132的側表面斜率角度。例如，第二角度θ2可以等於第一角度θ1。
近年來，為了改善發光顯示裝置的美感、握感和觸感，正在開發一種藉由在客製化步驟中對蓋板玻璃的上表面邊緣進行加工，使用具有平坦表面區域和彎曲表面區域的邊緣彎曲蓋板玻璃的產品。具體而言，當使用邊緣彎曲蓋板玻璃實現發光顯示裝置時，像素形成在平坦的基板上。然而，在設置在像素上方的邊緣彎曲蓋板玻璃中，彎曲表面區域形成在邊緣彎曲蓋板玻璃的邊緣，並且隨著與平坦表面區域的距離增加，彎曲表面區域的斜率也增加。
當使用邊緣彎曲蓋板玻璃實現發光顯示裝置時，由於折射率的不同，在彎曲表面區域中向發光顯示裝置外部發射的光的路徑可以與平坦表面區域的路徑不同。因此，可能會造成平坦表面區域與彎曲表面區域之間的色感差異。例如，當假定白光從發光顯示裝置發出時，從前表面提取白光，並且亮度隨著靠近側表面而降低，因此可能提取出偏藍的白光，而以較高角度傳播的光可能被提取為偏黃的白光。在平坦表面區域中，以較高角度傳播之偏黃的白光被蓋板玻璃完全反射而消失，沒有被提取到外面。相反地，在彎曲表面區域中，完全反射特性消失，所以偏黃的白光被提取到外面。當使用僅包含平坦表面區域的蓋板玻璃時，由於完全反射，偏黃的白光基本上不向外發射，因此中心部分與邊緣之間的色感差異可以很低。然而，當使用邊緣彎曲蓋板玻璃時，如上所述，偏黃的白光在彎曲表面區域中向外發射，因此平坦表面區域與彎曲表面區域之間的亮度和色感差異可能很大。
因此，在根據本發明例示性實施例的發光顯示裝置100中，突出部132不對稱地形成在設置以對應於覆蓋構件180的彎曲表面區域CA的子像素SP中，以調整在彎曲表面區域CA中的光分佈。例如，當突出部132僅形成在較遠離平坦表面區域PA的一個側表面上時，在設置以對應於彎曲表面區域CA的第二子像素SP2的發光區域EA的兩個側表面之間，從發光層152發射的一些光可以被第一電極151反射，其中第一電極151設置在突出部132的側表面上。因此，從發光層152發出的一些光被第一電極151反射，從而改變了光的移動路徑。結果，從發光層152發射的光的光分佈可以向發光顯示裝置100的側表面方向傾斜。因此，在根據本發明例示性實施例的發光顯示裝置100中，從彎曲表面區域CA中的發光層152發射的光的光分佈被調整為指向發光顯示裝置100的側表面方向。透過如此作法，改善了在發光顯示裝置100的彎曲表面區域CA中亮度的下降，並可以有效解決或處理平坦表面區域PA與彎曲表面區域CA之間亮度不規則和顏色協調變化的問題。
進一步地，在根據本發明例示性實施例的發光顯示裝置100中，突出部132的高度按照彎曲表面區域CA的斜率進行調整，以調節在彎曲表面區域CA中的光分佈。例如，當彎曲表面區域CA的斜率隨著與平坦表面區域PA的距離增加而增加時，第三子像素SP3設置在第二子像素SP2的外部。進一步地，在第三子像素SP3中的突出部132的高度h3可以設置成高於在第二子像素SP2中的突出部132的高度h2。因此，在第三子像素SP3中的光分佈可以比在第二子像素SP2中的光分佈朝發光顯示裝置100的側表面傾斜更大的角度。相應地，隨著覆蓋構件180的彎曲表面區域CA的斜率增加，突出部132的高度設置為更高，從而可以最小化平坦表面區域PA與彎曲表面區域CA之間的亮度不規則和色感變化。
圖5是根據本發明另一例示性實施例在發光顯示裝置中的第二子像素（例如， SP2）的剖面圖。圖6是根據本發明另一例示性實施例在發光顯示裝置中的第三子像素（例如，SP3）的剖面圖。與圖1至圖4所示的發光顯示裝置100相比，在圖5和圖6所示之根據本發明另一例示性實施例的發光顯示裝置200中，除了在彎曲表面區域CA中的塗覆層230和第一電極151的形狀以外，其他組件都是相同或基本相同。因此，將省略多餘的描述，或者可以簡要地描述。
進一步地，當描述根據本發明另一例示性實施例的發光顯示裝置200時，為了描述的方便，將一起參照在圖1中所示之發光顯示裝置的立體圖和在圖2中所示之第一子像素的剖面圖。儘管覆蓋構件180在彎曲表面區域CA中具有彎曲表面形狀，但是一個子像素SP的尺寸非常小，因此在圖5和圖6中，說明彎曲表面區域CA的覆蓋構件180具有平坦表面形狀，而不是彎曲表面形狀。
參照圖5和圖6，根據本發明另一例示性實施例的發光顯示裝置200包括：基板110；薄膜電晶體120；塗覆層230；堤岸層140；發光二極體150；封裝單元170；以及覆蓋構件180。
如圖5所示，在發光顯示裝置200中的第二子像素SP2可以設置在基板110的一部分上，其對應於覆蓋構件180的彎曲表面區域CA。
在第二子像素SP2中的突出部232可以包括：第一突出部232a；以及第二突出部232b。第一突出部232a和第二突出部232b可以設置在發光區域EA的兩側上。例如，第一突出部232a可以設置在發光區域EA的一側上，第二突出部232b可以設置在發光區域EA的另一側上。此時，設置有第一突出部232a的發光區域EA的一側是發光區域EA的側表面，其比設置有第二突出部232b的發光區域EA的另一側較遠離平坦表面區域PA。例如，第二突出部232b可以設置成比第一突出部232a更鄰近於平坦表面區域PA。因此，第一突出部232a可以設置在比第二突出部232b更外側。
由第一突出部232a的側表面和第二突出部232b的側表面以及第二子像素SP2中的基底部131的上表面形成的角度，例如在第二子像素SP中的第一突出部232a的側表面斜率角度和第二突出部232b的側表面斜率角度，可以各為第一角度θ1。例如，第一突出部232a的側表面和第二突出部232b的側表面可以以第一角度θ1設置在基底部131上。第一角度θ1可以是40°至80°或45°至65°，但不限於此。進一步地，第一突出部232a的側表面的斜率角度和第二突出部232b的側表面的斜率角度可以形成為不同。例如，第一突出部232a的側表面的斜率角度可以比第二突出部232b的側表面的斜率角度大。
在第二子像素SP2中，第一突出部232a和第二突出部232b可以具有不同高度。例如，在第一突出部232a與第二突出部232b之間，設置成較遠離平坦表面區域PA的第一突出部232a的高度h2a可以比第二突出部232b的高度h2b高。因此，在彎曲表面區域CA中的發光顯示裝置200的光分佈可以朝側表面傾斜。例如，在第二子像素SP2中的每一個的第一突出部232a的高度h2a和第二突出部232b的高度h2b可以在1微米至10微米的範圍內選擇。此時，第一突出部232a的高度h2a可以比第二突出部232b的高度h2b高。例如，在第二子像素SP2中，第二突出部232b的高度h2b和第一突出部232a的高度h2a的比率（h2b : h2a）可以是1 : 1.5至1 : 3。然而，並不限於此，因此只要第一突出部232a的高度h2a比第二突出部232b的高度h2b高，該比率可以以各種方式變化。
在第二子像素SP2中的第二突出部232b的高度h2b和第一突出部232a的高度h2a的比率h2b : h2a可以隨著彎曲表面區域CA的斜率增加而增加。例如，該比率可以隨著覆蓋構件180的平坦表面區域PA和彎曲表面區域CA形成的角度增加而增加。如參照圖1至圖4所示，突出部可以僅設置在彎曲表面區域CA中的發光區域EA的兩側中遠離平坦表面區域PA的一側上，或者藉由調整設置在遠離平坦表面區域PA的一側中的突出部的高度和斜率角度來不對稱地設置突出部。透過如此作法，如果光分佈實現為朝發光顯示裝置的側表面傾斜，則突出部的高度、高度差和高度比可以以各種方式變化。
在發光顯示裝置200的第二子像素SP2中，第二子像素SP2中的第二突出部232b的高度h2b可以等於或低於在發光顯示裝置200的第一子像素SP1中的突出部132的高度h1。
以下，將參照圖7一起更詳細地描述塗覆層230的形狀。在圖5和圖6中的塗覆層230可以具有在圖7中所示之塗覆層230的構造作為變化。
圖7是根據本發明另一例示性實施例在發光顯示裝置中的塗覆層的立體圖。在圖7中，為了描述的方便，僅示意性地說明包圍一個子像素SP的塗覆層230。
參照圖7，在設置以對應於彎曲表面區域CA的複數個第二子像素SP2和第三子像素SP3中，除了第一突出部232a和第二突出部232b之外，突出部232進一步包括第三突出部232c和第四突出部232d。第三突出部232c和第四突出部232d設置在第一突出部232a與第二突出部232b之間，以連接第一突出部232a和第二突出部232b的一側和另一側。此時，第一突出部232a的高度h2a高於第二突出部232b的高度h2b，使得第三突出部232c的高度和第四突出部232d的高度可以從第二突出部232b朝第一突出部232a增加。例如，第三突出部232c的高度和第四突出部232d的高度可以朝第一突出部232a增加。因此，第一突出部232a、第二突出部232b、第三突出部232c和第四突出部232d可以設置以包圍第二子像素SP2的發光區域EA。
返回圖5，第一電極151設置在塗覆層230上以覆蓋基底部131和突出部232（包含第一突出部232a和第二突出部232b）的側部分及上部分。例如，第一電極151設置在未設置突出部232的基底部131的上表面上、以及在突出部232的側表面和上表面的部分區域上。第一電極151按照基底部131和突出部232的形狀設置。因此，在第二子像素SP2中，第一電極151在基底部131的上表面和塗覆層230的突出部232的上表面上具有平坦的上表面，並且在突出部232的側表面上具有傾斜的上表面。
將參照圖6詳細描述發光顯示裝置200的第三子像素SP3。在圖6中所示之第三子像素SP3與在圖5中所示之第二子像素SP2的塗覆層230具有不同的形狀，並且將省略或可簡要地提供多餘的描述。
參照圖6，複數個子像素包括第三子像素SP3。第三子像素SP3可以設置在對應於覆蓋構件180的彎曲表面區域CA的基板110的一部分上。進一步地，第三子像素SP3可以設置在對應於比第二子像素SP2更遠離平坦表面區域PA的彎曲表面區域CA的基板110上。例如，第三子像素SP3可以設置成比第二子像素SP2更遠離平坦表面區域PA。例如，對應於第三子像素SP3的位置的彎曲表面區域CA的斜率角度可以比對應於第二子像素SP2的位置的彎曲表面區域CA的斜率角度大。第三子像素SP3可以設置在比第二子像素SP2更在基板110的外側。
第三子像素SP3可以包括：第一突出部232a；以及第二突出部232b。在第三子像素SP3中，第一突出部232a和第二突出部232b可以設置在發光區域EA的兩側上。例如，第一突出部232a可以設置在發光區域EA的一側上，而第二突出部232b可以設置在發光區域EA的另一側上。此時，設置第一突出部232a的發光區域EA的一側是發光區域EA的側表面，其比設置第二突出部232b的發光區域EA的另一側更遠離平坦表面區域PA。例如，第二突出部232b可以設置成比第一突出部232a更鄰近於平坦表面區域PA。因此，第一突出部232a可以設置在比第二突出部232b更外側。
在第三子像素SP3中，第一突出部232a和第二突出部232b可以具有不同高度。例如，在第一突出部232a與第二突出部232b之間，設置成遠離平坦表面區域PA的第一突出部232a的高度h3a可以比第二突出部232b的高度h3b高。進一步地，第三子像素SP3的第一突出部232a的高度h3a可以比第二子像素SP2的第一突出部232a的高度h2a高。例如，離平坦表面區域PA越遠，設置在彎曲表面區域CA內的複數個子像素SP中的第一突出部232a的高度h2a和h3a就越高。因此，離平坦表面區域PA越遠，設置在複數個子像素SP中的第一突出部232a的高度h2a和h3a就越高。因此，在彎曲表面區域CA中的發光顯示裝置200的光分佈可以朝側表面傾斜。
第三子像素SP3所在的彎曲表面區域CA的斜率可以比第二子像素SP2所在的彎曲表面區域CA的斜率大。因此，在第三子像素SP3中的第二突出部232b的高度h3b與第一突出部232a的高度h3a的比率h3b : h3a可以比在第二子像素SP2中的第二突出部232b的高度h2b與第一突出部232a的高度h2a的比率h2b : h2a大。因此，在彎曲表面區域CA中之發光顯示裝置200的光分佈朝側表面傾斜，從而可以解決在彎曲表面區域CA中亮度下降和色度座標變化的問題。例如，當在第二子像素SP2中的第二突出部232b的高度h2b與第一突出部232a的高度h2a的比率h2b : h2a為1 : 1.5時，在第三子像素SP3中的第二突出部232b的高度h3b與第一突出部232a的高度h3a的比率h3b : h3a可以是1 : 2。然而，並不限於此，且比率可以根據彎曲表面區域的斜率以各種方式變化。
進一步地，在第三子像素SP3中第一突出部232a的側表面斜率角度，其在此也稱為第二角度θ2，可以是40°至80°。在一個變化中，在第三子像素SP3中的第一突出部232a的側表面斜率角度可以等於在第二子像素SP2中的第一突出部232a的側表面斜率角度。例如，第二角度θ2可以等於在圖5和圖6中的第一角度θ1。
本發明的例示性實施例也可以描述如下。
根據本發明的一態樣，一種發光顯示裝置，包括：覆蓋構件，包含平坦表面區域和彎曲表面區域；以及顯示面板，設置在覆蓋構件下方，其中顯示面板包括：基板，其中設置有複數個子像素；塗覆層，設置在基板上，並包含基底部和從基底部突出的突出部；複數個第一電極，設置以覆蓋突出部和基底部的側部分；堤岸層，設置在非發光區域中的複數個第一電極的一些上，以界定複數個子像素的發光區域和非發光區域；發光層，設置在複數個第一電極和堤岸層上；以及第二電極，設置在發光層上；複數個子像素包括：第一子像素，設置在對應於平坦表面區域的基板上；以及第二子像素，設置在對應於彎曲表面區域的基板上，並且突出部設置在第二子像素的發光區域的兩側之間較遠離平坦表面區域的一側上。
彎曲表面區域的斜率可以隨著與平坦表面區域的距離增加而增加。
突出部可以以相同的高度設置在第一子像素的發光區域的兩側上。
設置在第二子像素中的突出部可以包括：第一突出部，設置在發光區域的一側上；以及第二突出部，具有低於第一突出部的高度並設置在發光區域的另一側上，並且第二突出部可以設置成比第一突出部更靠近平坦表面區域。
第二突出部的高度與第一突出部的高度的比率可以為1 : 1.5至1 : 3。
設置在第二子像素中的突出部可以進一步包括連接第一突出部和第二突出部的第三突出部及第四突出部，並且第三突出部和第四突出部的高度可以朝第一突出部增加。
第一突出部到第四突出部可以設置以包圍發光區域。
第一突出部的高度可以隨著與平坦表面區域的距離增加而增加。
第一突出部的高度與第二突出部的高度之間的差值隨著由平坦表面區域和彎曲表面區域形成的角度增加而增加。
複數個子像素可以包括第三子像素，其設置在對應於彎曲表面區域的基板上，並可以設置成比第二子像素更遠離平坦表面區域，並且設置在第三子像素中的突出部可以設置在第三子像素的發光區域的兩側之間更遠離平坦表面區域的一側上，並可以具有比設置在第二子像素中的突出部的高度更高的高度。
設置在第二子像素中的突出部可以包括：第一突出部，設置在發光區域的一側上；第二突出部，具有比第一突出部更低的高度並設置在發光區域的另一側上，而設置在第三子像素中的突出部可以包括：第一突出部，設置在發光區域的一側中；第二突出部，具有比第一突出部更低的高度並設置在發光區域的另一側上，並且第三子像素的第一突出部的高度可以比第二子像素的第一突出部的高度高。
對應於第三子像素的彎曲表面區域的斜率角度可以比對應於第二子像素的彎曲表面區域的斜率角度大。
顯示面板的上表面和下表面具有平坦表面，並且覆蓋構件的下表面可以是平坦的，而且對應於彎曲表面區域的覆蓋構件的上表面可以具有彎曲表面結構。
根據本發明的另一態樣，一種發光顯示裝置，包括：覆蓋構件，包含平坦表面區域和彎曲表面區域；以及顯示面板，設置在覆蓋構件下方並具有平坦結構，其中顯示面板包括：基板，其中設置有包含發光區域和非發光區域的複數個子像素；塗覆層，設置在基板上，並包含基底部和突出部；以及複數個發光二極體，設置在塗覆層上的複數個子像素的每一個中，並包含第一電極、發光層和第二電極；在複數個子像素之中設置在對應於平坦表面區域的複數個子像素中的突出部以相同的高度設置在發光區域的兩側上，其中在複數個子像素之中，設置在對應於彎曲表面區域的複數個子像素中的突出部包括：第一突出部，設置在發光區域的兩側之間較遠離平坦表面區域的一側上，以調節彎曲表面區域中的光分佈；以及第二突出部，具有比第一突出部更低的高度並設置在發光區域的另一側上。
第二突出部的高度與第一突出部的高度的比率可以為1 : 1.5至1 : 3。
儘管已經參照附圖詳細描述了本發明的例示性實施例，但本發明不限於此，並可以在不脫離本發明的技術概念的情況下以許多不同的形式體現出來。因此，本發明的例示性實施例僅用於說明目的，而不是為了限制本發明的技術概念。本發明的技術概念的範圍不限於此。
因此，應該理解，以上描述的例示性實施例在所有方面都是說明性，並不限於本發明。本發明的保護範圍應基於以下申請專利範圍進行釋明，其均等範圍內的所有技術概念都應被解釋為屬於本發明的範圍。
本申請主張於2020年12月30日向韓國智慧財產局提交之專利申請第10-2020-0188486號的優先權，其全部內容作為參考在此併入本申請案中。
100:發光顯示裝置 110:基板 111:緩衝層 112:閘極絕緣層 113:蝕刻阻擋結構 120:薄膜電晶體 121:閘電極 122:主動層 123:源電極 124:汲電極 130:塗覆層 131:基底部 132:突出部 140:堤岸層 150:發光二極體 151:第一電極 152:發光層 153:第二電極 170:封裝單元 171:第一封裝層 172:第二封裝層 173:第三封裝層 180:覆蓋構件 200:發光顯示裝置 230:塗覆層 232:突出部 232a:第一突出部 232b:第二突出部 232c:第三突出部 232d:第四突出部 AA:顯示區域 CA:彎曲表面區域 EA:非發光區域 h1,h2,h2a,h2b,h3,h3a,h3b:高度 NA:非顯示區域 NEA:非發光區域 PA:平坦表面區域 SP:子像素 SP1:第一子像素 SP2:第二子像素 SP3:第三子像素 θ1:第一角度
100:發光顯示裝置
110:基板
180:覆蓋構件
AA:顯示區域
PA:平坦表面區域
SP1:第一子像素
SP2:第二子像素
SP3:第三子像素
CA:彎曲表面區域
NA:非顯示區域

Claims (20)

  1. 一種發光顯示裝置，包括： 一顯示面板，包括複數個子像素；以及 一覆蓋構件，包括一平坦表面區域和一彎曲表面區域，並覆蓋該顯示面板， 其中，該顯示面板包括： 一基板，其中設置該複數個子像素； 一塗覆層，設置在該基板上，並包括一基底部和一突出部，其中，該突出部從該基底部突出； 複數個第一電極，包含在該複數個子像素中，並設置以覆蓋該基底部和該突出部的一側部分； 一堤岸層，設置在非發光區域中的該複數個第一電極中的一些上，以界定該複數個子像素中的每一個的一發光區域和一非發光區域； 一發光層，包含在該複數個子像素中，並設置在該複數個第一電極和該堤岸層上；以及 一第二電極，包含在該複數個子像素中，並設置在該發光層上， 其中，該複數個子像素包括：一第一子像素，設置在與該覆蓋構件的該平坦表面區域相對應的該基板上；以及一第二子像素，設置在與該覆蓋構件的該彎曲表面區域相對應的該基板上，以及 該塗覆層的該突出部設置在該第二子像素的一發光區域的一第一側上，該第一側比該第二子像素的該發光區域的一第二側更遠離該覆蓋構件的該平坦表面區域。
  2. 如請求項1所述的發光顯示裝置，其中，該覆蓋構件的該彎曲表面區域的一斜率隨著與該平坦表面區域的距離的增加而增加。
  3. 如請求項1所述的發光顯示裝置，其中，將該塗覆層的該突出部以相同高度設置在該第一子像素的該發光區域的兩個相對側上。
  4. 如請求項1所述的發光顯示裝置，其中，設置在該第二子像素中的該突出部包括： 一第一突出部，設置在該第二子像素的該發光區域的該第一側上，以及 一第二突出部，具有比該第一突出部的高度更低的高度，並設置在該第二子像素的該發光區域的該第二側上，以及 其中，該第二突出部設置成比該第一突出部更接近該覆蓋構件的該平坦表面區域。
  5. 如請求項4所述的發光顯示裝置，其中，該第二突出部的該高度與該第一突出部的該高度之比約為1 : 1.5至約1 : 3。
  6. 如請求項4所述的發光顯示裝置，其中，設置在該第二子像素中的該突出部進一步包括連接該第一突出部與該第二突出部的一第三突出部和一第四突出部，以及 該第三突出部和該第四突出部的高度朝該第一突出部增加。
  7. 如請求項6所述的發光顯示裝置，其中，該第一突出部至該第四突出部設置以包圍該第二子像素的該發光區域。
  8. 如請求項4所述的發光顯示裝置，其中，該第一突出部的該高度隨著與該平坦表面區域的距離增加而增加。
  9. 如請求項4所述的發光顯示裝置，其中，該第一突出部的該高度和與第二突出部的該高度之間的差值隨著該平坦表面區域和該彎曲表面區域形成的角度增加而增加。
  10. 如請求項1所述的發光顯示裝置，其中，該複數個子像素進一步包括：一第三子像素，設置在對應於該覆蓋構件的該彎曲表面區域的該基板上， 該第三子像素設置成比該第二子像素更遠離該平坦表面區域， 在該第三子像素中的該突出部設置在該第三子像素的一發光區域的兩側之中離該平坦表面區域較遠的一側上，以及 在該第三子像素中的該突出部具有比設置在該第二子像素中的該突出部的高度更高的高度。
  11. 如請求項10所述的發光顯示裝置，其中，設置在該第二子像素中的該突出部包括： 一第一突出部，設置在該第二子像素的該發光區域的該第一側中，以及 一第二突出部，具有比在該第二子像素中的該第一突出部更低的高度，並設置在該第二子像素的該發光區域的該第二側上， 其中，設置在該第三子像素中的該突出部包括： 一第一突出部，設置在該第三子像素的該發光區域的一側中；以及 一第二突出部，具有比該第三子像素的該第一突出部更低的高度，並設置在該第三子像素的該發光區域的另一側上，以及 其中該第三子像素的該第一突出部的高度比該第二子像素的該第一突出部的高度更高。
  12. 如請求項11所述的發光顯示裝置，其中，對應於該第三子像素的該彎曲表面區域的斜率角度比對應於該第二子像素的該彎曲表面區域的斜率角度更大。
  13. 如請求項1所述的發光顯示裝置，其中，該顯示面板的一上表面和一下表面具有平坦表面， 該覆蓋構件的一下表面是平坦的，以及 與該彎曲表面區域相對應的該覆蓋構件的一上表面具有一彎曲表面結構。
  14. 一種發光顯示裝置，包括： 一顯示面板，包括複數個子像素；以及 一覆蓋構件，包括一平坦表面區域和一彎曲表面區域，並覆蓋該顯示面板， 其中，該顯示面板包括： 一基板，其中該複數個子像素各自包括一發光區域和一非發光區域； 一塗覆層，設置在該基板上，並包括在該複數個子像素的每一個中的一基底部和至少一突出部；以及 複數個發光二極體，包含在該複數個子像素中並設置在該塗覆層上，該複數個發光二極體中的每一個都包括一第一電極、一發光層和一第二電極， 其中，針對設置在對應於該複數個子像素之中的該平坦表面區域相的該基板上的一第一子像素，將具有相同高度的該突出部設置在該第一子像素的該發光區域的兩側上，以及 其中，針對設置在對應於複數個子像素之中的該彎曲表面區域的該基板上的一第二子像素和一第三子像素中的至少一個，該突出部包括： 一第一突出部，設置在對應於該第二子像素或該第三子像素的該發光區域的一第一側和一第二側之中遠離該平坦表面區域的該第一側上，以調整該彎曲表面區域中的一光分佈；以及 一第二突出部，具有比該第一突出部更低的高度，並設置在對應該第二子像素或該第三子像素的該發光區域的該第二側上。
  15. 如請求項14所述的發光顯示裝置，其中，該第二突出部的高度與該第一突出部的高度之比約為1 : 1.5至約1 : 3。
  16. 一種發光顯示面板，配置成由一覆蓋構件覆蓋，該覆蓋構件具有一平坦表面區域和從該平坦表面區域延伸的一彎曲表面區域，該發光顯示面板包括： 複數個子像素，設置在一基板上，且每個子像素包括：一第一電極；一發光層，設置在該第一電極上；以及一第二電極，設置在該發光層上， 其中，該複數個子像素包括：一第一子像素，對應於該平坦表面區域；以及一第二子像素，對應於該彎曲表面區域，以及 其中，該第一子像素和該第二子像素中的每一個包括一發光區域和相鄰於該發光區域的至少一個非發光區域； 一堤岸層，設置在該第一電極上；以及 一塗覆層，設置在該第一電極下， 其中，在該第一子像素中，該塗覆層包括兩個突出部，設置在該第一子像素的該非發光區域中，並具有實質相同的高度，以及 其中，在該第二子像素中，該塗覆層包括至少一個突出部，設置在該第二子像素的該非發光區域中，且該突出部的高度等於或高於該第一子像素中的該兩個突出部的高度。
  17. 如請求項16所述的發光顯示面板，其中，在該第二子像素中，該至少一個突出部是一單個突出部，設置在該第二子像素的兩個非發光區域之中位於遠離該平坦表面區域的該第二子像素的該兩個非發光區域的其中之一中。
  18. 如請求項16所述的發光顯示面板，其中，在該第二子像素中，該至少一個突出部包括一第一突出部和一第二突出部，分別設置在該第二子像素的兩個非發光區域中，以及 該第一突出部的高度比該第二突出部的高度更高。
  19. 如請求項18所述的發光顯示面板，其中，在該第二子像素中，該塗覆層的該至少一個突出部進一步包括從該第一突出部和該第二突出部延伸的一第三突出部和一第四突出部。
  20. 如請求項18所述的發光顯示面板，其中，該複數個子像素進一步包括一第三子像素，對應於該彎曲表面區域，並設置比該第二子像素更遠離該平坦表面區域， 該第三子像素包括一發光區域和一非發光區域，該非發光區域設置比該第三子像素的該發光區域更遠離該平坦表面區域，以及 在該第三子像素中，該塗覆層包括至少一個突出部，設置在該第三子像素的該非發光區域中，並且該突出部的高度比設置在該第二子像素的該非發光區域中的該至少一個突出部的高度更高。
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