TW202225174A - 發光化合物、具有此化合物的有機發光二極體及有機發光裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於發光化合物以及具有此化合物的有機發光二極體及有機發光裝置，尤其係關於具有以下化學式1之結構的發光化合物、具有此發光化合物的有機發光二極體(OLED)及有機發光裝置。包含此發光化合物的有機發光二極體及有機發光裝置能改善其發光效率及發光壽命。

Description

發光化合物、具有此化合物的有機發光二極體及有機發光裝置
本發明係關於發光化合物，尤其係關於具有優異的發光效率及發光壽命的發光化合物、包含此化合物的有機發光二極體及有機發光裝置。
在廣泛使用的平板顯示裝置之中有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)作為快速取代液晶顯示裝置(liquid crystal display device，LCD)的顯示裝置已備受關注。有機發光二極體能形成為小於2000埃(Å)之有機薄膜並能藉由電極配置實現單向或雙向影像。並且，有機發光二極體甚至能形成於可撓性透明基板，例如塑膠基板，而使得能使用有機發光二極體輕易實現可撓性或可折疊的顯示裝置。此外，有機發光二極體能以較低的電壓驅動，且有機發光二極體相較於液晶顯示裝置具有優異的高色純度。
由於螢光材料在發光過程中僅使用單重態激子能量，故習知的螢光材料顯現出低的發光效率。相較於此，磷光材料由於其在發光過程中使用三重態激子能量以及單重態激子能量，故能顯現出高的發光效率。然而，藍色發光材料對於商業用途而言發光效率太低且壽命太短。因此，仍需要發展出能提升發光效率及發光壽命的化合物。
因此，本發明實施例係針對有機發光裝置，其實質上消除了因習知技術的限制和缺陷所致之一或多個問題。
本發明一態樣提供一種具有優異的發光效率及發光壽命的發光化合物、包含此化合物的有機發光二極體及有機發光裝置。
額外特徵及態樣將闡述於以下描述中，部分將透過以下描述而顯而易見，或可藉由實施本文所提供之發明概念而習得。本發明概念之其他特徵及態樣可由說明書中特別指出之結構或其衍生以及申請專利範圍及圖式來實現並獲得。
為了達成本發明概念之這些及其他態樣，如於此所實施並廣泛描述，在一態樣中，本發明提供一種發光化合物，其具有以下化學式1之結構：
〔化學式1〕
Figure 02_image001
其中A 1及A 2各自獨立為未取代或經取代之C 4-C 30脂環、未取代或經取代之C 3-C 30雜脂環、未取代或經取代之C 6-C 30芳環或是未取代或經取代之C 3-C 30雜芳環；A 3為未取代或經取代之C 6-C 30芳環或是未取代或經取代之C 3-C 30雜芳環；X為硼原子、P=O或P=S；Y 1及Y 2各自獨立為CR 3R 4、NR 3、O、S或SiR 3R 4；Z 1為碳原子，Z 2及Z 3之一者為CR 5或N，Z 2及Z 3之另一者為O或S，係為CR 5或N之Z 2或Z 3以雙鍵連接於Z 1；R 1及R 2各自獨立選自由氕、氘、鹵素、氰基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 2-C 20烯基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、羧基、腈基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基矽基、未取代或經取代之C 1-C 20鹵烷基、未取代或經取代之C 4-C 30脂環基、未取代或經取代之C 3-C 30雜脂環基、未取代或經取代之C 6-C 30芳族基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳族基組成之群組，或是R 1與R 2形成未取代或經取代之C 4-C 20脂環、未取代或經取代之C 3-C 20雜脂環、未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環；R 3至R 5各自獨立選自由氕、氘、鹵素、氰基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 2-C 20烯基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、羧基、腈基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基矽基、未取代或經取代之C 1-C 20鹵烷基、未取代或經取代之C 4-C 30脂環基、未取代或經取代之C 3-C 30雜脂環基、未取代或經取代之C 6-C 30芳族基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳族基組成之群組。
在一示例中，化學式1中之X可包含硼，Z 2及Z 3之一者可為N，Z 2及Z 3之另一者可為O或S，R 1與R 2可形成未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環。
在另一態樣中，本發明提供一種有機發光二極體，其包含第一電極；第二電極，面對第一電極；以及發光層，設置於第一電極及第二電極之間，並包含至少一發光材料層，其中至少一發光材料層包含發光化合物。
在一示例中，發光化合物可作為摻雜物包含於至少一發光材料層中。
發光層可具有單一發光部或多個發光部以形成串聯結構(tandem structure)。
在另一態樣中，本發明提供一種有機發光裝置，例如有機發光顯示裝置或有機發光發光裝置(organic light emitting illumination device)，其包含基板以及位於基板之上的有機發光二極體。
應理解，上述概略描述與下述詳細描述皆為示例性且解釋性的，並旨在提供所請發明概念之進一步解釋。
以下將對本發明之態樣、實施例及示例進行參考及討論，在附圖中繪示有部分示例。
〔發光化合物〕
在有機發光二極體中之發光材料應具有優異的發光效率及發光壽命。根據本發明之發光化合物包含具有剛性化學構形的多個稠環，而使得其具有優異的發光效率及發光壽命。本發明之發光化合物可具有以下化學式1之結構：
〔化學式1〕
Figure 02_image001
其中A 1及A 2各自獨立為未取代或經取代之C 4-C 30脂環、未取代或經取代之C 3-C 30雜脂環、未取代或經取代之C 6-C 30芳環或是未取代或經取代之C 3-C 30雜芳環；A 3為未取代或經取代之C 6-C 30芳環或是未取代或經取代之C 3-C 30雜芳環；X為硼原子、P=O或P=S；Y 1及Y 2各自獨立為CR 3R 4、NR 3、O、S或SiR 3R 4；Z 1為碳原子，Z 2及Z 3之一者為CR 5或N，Z 2及Z 3之另一者為O或S，係為CR 5或N之Z 2或Z 3以雙鍵連接於Z 1；R 1及R 2各自獨立選自由氕、氘、鹵素、氰基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 2-C 20烯基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、羧基、腈基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基矽基、未取代或經取代之C 1-C 20鹵烷基、未取代或經取代之C 4-C 30脂環基、未取代或經取代之C 3-C 30雜脂環基、未取代或經取代之C 6-C 30芳族基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳族基組成之群組，或是R 1與R 2形成未取代或經取代之C 4-C 20脂環、未取代或經取代之C 3-C 20雜脂環、未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環；R 3至R 5各自獨立選自由氕、氘、鹵素、氰基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 2-C 20烯基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、羧基、腈基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基矽基、未取代或經取代之C 1-C 20鹵烷基、未取代或經取代之C 4-C 30脂環基、未取代或經取代之C 3-C 30雜脂環基、未取代或經取代之C 6-C 30芳族基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳族基組成之群組
於此所使用之用語「未取代的」係指連接於氫，在此情況下，氫包含氕、氘及氚。
於此所使用之用語「經取代的」取代基包含但不限於未取代或經氘或鹵素取代之C 1-C 20烷基、未取代或經氘或鹵素取代之C 1-C 20烷氧基、鹵素、氰基、-CF 3、羥基、羧基、羰基、胺基、C 1-C 10烷基胺基、C 6-C 30芳基胺基、C 3-C 30雜芳基胺基、C 6-C 30芳基、C 3-C 30雜芳基、硝基、肼基、磺酸基、C 1-C 20烷基矽基、C 6-C 30芳基矽基及C 3-C 30雜芳基矽基。
於此所使用之用語「雜」，例如「雜烷(hetero alkyl)」、「雜烯(hetero alkenyl)」、「雜脂環基」、「雜芳族基」、「雜環伸烷基」、「雜伸芳基」、「雜芳伸烷基」、「雜芳伸氧基(hetero aryl oxylene group)」、「雜環烷基」、「雜芳基」、「雜芳烷基」、「雜芳氧基」、「雜芳基胺基」，係指構成脂族鏈、脂環基或脂環或芳族基或芳環之至少一碳原子，例如1-5個碳原子，經選自由N、O、S、P及其組合組成之群組之至少一雜原子取代。
在一示例性態樣中，當化學式1中之R 1至R 5各自獨立為C 6-C 30芳族基時，R 1至R 5可各自獨立為但不限於C 6-C 30芳基、C 7-C 30芳烷基、C 6-C 30芳氧基及C 6-C 30芳基胺基。作為一示例，當R 1至R 5各自獨立為C 6-C 30芳基時，R 1至R 5可各自獨立包含但不限於非稠合或稠合芳基，例如苯基、聯苯基、聯三苯基、萘基、蒽基、并環戊二烯基、茚基、茚并茚基、并環庚三烯基、伸聯苯基、二環戊二烯并苯基、丙烯合萘基、菲基、苯并菲基、二苯并菲基、薁基、芘基、丙二烯合茀基、聯伸三苯基、[艹快]基(chrysenyl)、四伸苯基、稠四苯基、[艹卜]基(pleiadenyl)、苉基、五伸苯基、稠五苯基、茀基、茚茀基及螺茀基。
或者，當化學式1中之R 1至R 5各自獨立為C 3-C 30雜芳族基時，R 1至R 5可各自獨立為但不限於C 3-C 30雜芳基、C 4-C 30雜芳烷基、C 3-C 30雜芳氧基及C 3-C 30雜芳基胺基。作為一示例，當R 1至R 5各自獨立為C 3-C 30雜芳基時，R 1至R 5可各自獨立包含但不限於非稠合或稠合雜芳基，例如吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡𠯤基、嗒𠯤基、三𠯤基、四𠯤基、咪唑基、吡唑基、吲哚基、異吲哚基、吲唑基、吲[口巾]基(indolizinyl)、吡[口巾]基(pyrrolizinyl)、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚咔唑基、茚咔唑基、苯并呋喃咔唑基、苯并噻吩咔唑基、咔啉基、喹啉基、異喹啉基、呔𠯤基、喹㗁啉基、㖕啉基、喹唑啉、喹[口巾]基(quinolizinyl)、嘌呤基、苯并喹啉基、苯并異喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹㗁啉基、吖啶基、啡𠯤基、啡㗁𠯤基、啡噻𠯤基、啡啉基、呸啶基、啡啶基、喋啶基、㖠啶基、呋喃基、哌喃基、㗁𠯤基、㗁唑基、㗁二唑基、三唑基、二氧𠮿基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、硫代哌喃基、𠮿基、𠳭唏基、異𠳭唏基、噻𠯤基、苯硫基、苯并苯硫基、二苯并苯硫基、二呋喃并吡𠯤基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并噻吩并苯并苯硫基、苯并噻吩并二苯并苯硫基、苯并噻吩并苯并呋喃基、苯并噻吩并二苯并呋喃基、連接𠮿[口星]之螺吖啶基(xanthene-linked spiro acridinyl)、經至少一C 1-C 10烷基取代的二氫吖啶基及N取代之螺茀基。
作為一示例，R 1至R 5之芳族基或雜芳族基可各自由一至三個芳環或雜芳環構成。當R 1至R 5之芳環或雜芳環的數量變得過大時，在整個分子內的共軛結構會變得過長，因此發光化合物可能具有過窄的能帶間隙。舉例而言，R 1至R 5之芳基或雜芳基可各自獨立包含但不限於苯基、聯苯基、萘基、蒽基、吡咯基、三𠯤基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、吡𠯤基、嘧啶基、嗒𠯤基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯硫基、苯并苯硫基、二苯并苯硫基、咔唑基、吖啶基、咔啉基、啡𠯤基、啡㗁𠯤基及/或啡噻𠯤基。
在一示例性態樣中，R 1至R 5之C 4-C 30脂環基可包含但不限於C 4-C 30環烷基及C 4-C 30環烯基，R 1至R 5之C 3-C 30雜脂環基可包含但不限於C 3-C 30雜環烷基及C 3-C 30雜環烯基。
作為一示例，位置相鄰的R 1及R 2可形成未取代或經取代之C 6-C 20芳環(例如C 6-C 15芳環)或未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環(例如C 3-C 15雜芳環)。由位置相鄰的R 1及R 2所形成之脂環、雜脂環、芳環及雜芳環並不限於特定的環。舉例而言，由這些基團所形成之芳環或雜芳環可包含但不限於未取代或經至少一C 1-C 10烷基取代之苯環、吡啶環、吲哚環、哌喃環、茀環。
此外，A 1至A 3之未取代或經取代之C 4-C 30脂環、未取代或經取代之C 4-C 30雜脂環、未取代或經取代之C 6-C 30芳環或是未取代或經取代之C 3-C 30雜芳環並不限於特定的環。舉例而言，A 1及A 2可各自獨立包含任何脂環、雜脂環、芳環及雜芳環，其可各自對應R 1至R 5之脂環基、雜脂環基、芳族基及雜芳族基，且其各自可為未取代或經取代的。並且，A 3可包含任何芳環及雜芳環，其可各自對應R 1至R 5之芳族基及雜芳族基，且其可各自為未取代或經取代的。作為一示例，A 1至A 3可各自經但不限於氘、C 1-C 10烷基(例如三級丁基)、C 6-C 20芳基(例如苯基)及C 3-C 20雜芳基(例如吡啶基)之至少一者取代。
或者，A 1至A 3可各自獨立包含但不限於未取代或經取代之C 6-C 20芳環及未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環，其中C 6-C 20芳環和C 3-C 20雜芳環可各自形成為具有位置相鄰之R 1與R 2的取代基。
在一示例性態樣中，化學式1中之X可包含硼，Z 2及Z 3之一者可為N，Z 2及Z 3之另一者可為O或S，R 1與R 2可形成未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環。並且，A 3可為但不限於六員環，例如苯環及/或吡啶環。
具有化學式1之結構的發光化合物包含核原子位於其中的多個環以實現多重共振效應，從而具有穩定的幾何結構。由於在發光過程中發光化合物的分子幾何不會改變，故發光化合物的斯托克斯位移(Stokes Shift)變小，因此能實現具有優異色純度的藍光。此外，在分子中的多重共振結構能夠使化合物的最高佔有分子軌域(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)與最低未佔有分子軌域(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)分離，而使得化合物能實現相當優異的發光性能。
在一示例性態樣中，具有化學式1之結構的發光化合物可由芳環及/或雜芳環構成，且形成在硼原子的一側有苯環及兩個五員環的稠環，而使得發光化合物可具有相對於硼原子的不對稱結構。此種發光化合物可具有以下化學式2之結構：
〔化學式2〕
Figure 02_image007
其中A 4及A 5各自獨立為未取代或經取代之C 6-C 30芳環或是未取代或經取代之C 3-C 30雜芳環；Y 3及Y 4各自獨立為NR 13或O；Z 11為碳原子，Z 12及Z 13之一者為N，Z 12及Z 13之另一者為O或S，係為N之Z 12或Z 13以雙鍵連接於Z 11；R 11及R 12各自獨立選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 30芳基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳基組成之群組，或是R 11與R 12形成未取代或經取代之C 4-C 20脂環、未取代或經取代之C 3-C 20雜脂環、未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環；R 13選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 30芳族基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳族基組成之群組。
作為一示例，化學式2中之R 11與R 12可形成未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環。發光化合物可為基於硼之化合物，其中多個未取代或經取代之苯環稠合或連接於硼原子，而使得發光化合物可具有相對於硼原子的不對稱結構。此種發光化合物可具有以下化學式3之結構：
〔化學式3〕
Figure 02_image009
其中R 11、R 12、Z 11、Z 12及Z 13各自相同於化學式2中所定義；R 21至R 24各自獨立選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 10烷基、未取代或經取代之C 1-C 10烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 20芳基及未取代或經取代之C 3-C 20雜芳基組成之群組，當a為二或更多時，各R 21彼此相同或不同，當b為二或更多時，各R 22彼此相同或不同，當c為二或更多時，各R 23彼此相同或不同，當d為二或更多時，各R 24彼此相同或不同，a、b、c及d各自分別為取代基R 21、R 22、R 23及R 24的數量，a及b各自獨立為0至5之整數，c為0至3之整數，d為0至4之整數。
在另一示例性態樣中，具有化學式1之結構的發光化合物可包含多個芳環及/或雜芳環，並可包含在硼原子的一側有苯環及兩個五員環的稠環，而使得發光化合物可具有相對於硼原子的對稱結構。此種發光化合物可具有以下化學式4之結構：
〔化學式4〕
Figure 02_image011
其中A 5為未取代或經取代之C 6-C 30芳環或是未取代或經取代之C 3-C 30雜芳環；Y 3及Y 4各自獨立為NR 15或O；Z 11及Z 21各自為碳原子，Z 12及Z 13之一者為N，Z 12及Z 13之另一者為O或S，係為N之Z 12或Z 13以雙鍵連接於Z 11，Z 22及Z 23之一者為N，Z 22及Z 23之另一者為O或S，係為N之Z 22或Z 23以雙鍵連接於Z 21，R 11至R 14各自獨立選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 30芳基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳基組成之群組，或是R 11與R 12及R 13與R 14各自獨立形成未取代或經取代之C 4-C 20脂環、未取代或經取代之C 3-C 20雜脂環、未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環；R 15選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 30芳族基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳族基組成之群組。
相似於化學式3，化學式4中之R 11與R 12及R 13與R 14可各自獨立形成未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環。發光化合物可為基於硼之化合物，其中多個未取代或經取代之苯環稠合或連接於硼原子，而使得發光化合物可具有相對於硼原子的對稱結構。此種發光化合物可具有以下化學式5之結構：
〔化學式5〕
Figure 02_image013
其中R 11至R 14、Z 11至Z 13及Z 21至Z 23各自相同於化學式4中所定義；R 21至R 23各自獨立選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 10烷基、未取代或經取代之C 1-C 10烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 20芳基及未取代或經取代之C 3-C 20雜芳基組成之群組，當a為二或更多時，各R 21彼此相同或不同，當b為二或更多時，各R 22彼此相同或不同，當c為二或更多時，各R 23彼此相同或不同，a、b及c各自分別為取代基R 21、R 22及R 23的數量，a及b各自獨立為0至5之整數，c為0至3之整數。
在一示例性態樣中，發光化合物可選自但不限於以下化學式6之化合物：
〔化學式6〕
Figure 02_image015
Figure 02_image017
由於具有化學式2至化學式6之結構的發光化合物的分子幾何不會改變，故發光化合物能實現具有優異色純度的藍光。此外，在分子中的多重共振結構能夠使化合物的HOMO與LUMO分離，而使得化合物能實現相當優異的發光性能。
〔有機發光裝置及有機發光二極體〕
藉由將具有化學式1至6之結構的發光化合物應用於發光層中，例如有機發光二極體的發光材料層，可實現具有降低的驅動電壓、優異的發光效率及改善的發光壽命的有機發光二極體。本發明之有機發光二極體可應用於有機發光裝置，例如有機發光顯示裝置或有機發光發光裝置。以下將說明包含有機發光二極體的有機發光顯示裝置。
圖1為根據本發明一示例性態樣所繪示之有機發光顯示裝置的電路示意圖。如圖1所示，在有機發光顯示裝置中，閘極線路GL、資料線路DL及電源線路PL各自彼此相交以界定出像素區域P。開關薄膜電晶體Ts、驅動薄膜電晶體Td、儲存電容器Cst及有機發光二極體D形成於像素區域P中。像素區域P可包含紅色(R)像素區域、綠色(G)像素區域及藍色(B)像素區域。
開關薄膜電晶體Ts連接於閘極線路GL及資料線路DL，驅動薄膜電晶體Td及儲存電容器Cst連接於開關薄膜電晶體Ts及電源線路PL之間。有機發光二極體D連接於驅動薄膜電晶體Td。當開關薄膜電晶體Ts由施加於閘極線路GL的閘極訊號開啟時，施加於資料線路DL的資料訊號會經由開關薄膜電晶體Ts施加於驅動薄膜電晶體Td的閘極電極及儲存電容器Cst的一電極。
驅動薄膜電晶體Td由施加於閘極電極的資料訊號開啟，而使得與資料訊號成比例之電流從電源線路PL經由驅動薄膜電晶體Td供應至有機發光二極體D。接者，有機發光二極體D放出具有與流經驅動薄膜電晶體Td之電流成比例的亮度之光線。在此情況下，儲存電容器Cst以與資料訊號成比例之電壓充電，而使得驅動薄膜電晶體Td中之閘極電極的電壓在一幀(frame)期間保持恆定。因此，有機發光顯示裝置能顯示出期望的影像。
圖2為根據本發明一示例性態樣所繪示之有機發光顯示裝置的剖面示意圖。如圖2所示，有機發光顯示裝置100包含基板102、位於基板102之上的薄膜電晶體Tr以及連接於薄膜電晶體Tr的有機發光二極體D。作為一示例，基板102界定出紅色像素區域、綠色像素區域及藍色像素區域，且有機發光二極體D可位於藍色像素區域中。
基板102可包含但不限於玻璃、薄的可撓性材料及/或聚合物塑膠。舉例而言，可撓性材料可選自由但不限於聚醯亞胺(PI)、聚醚碸(PES)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)及其組合所組成之群組。薄膜電晶體Tr及有機發光二極體D排列於基板102之上，基板102形成陣列基板。
緩衝層106可設置於基板102之上，薄膜電晶體Tr設置於緩衝層106之上。緩衝層106可被省略。
半導體層110設置於緩衝層106之上。在一示例性態樣中，半導體層110可包含但不限於氧化物半導體材料。在此情況下，遮光圖案可設置於半導體層110之下，且遮光圖案能防止光線入射至半導體層110，從而防止半導體層110因光線而劣化。或者，半導體層110可包含多晶矽。在此情況下，半導體層110之相對的邊緣可摻雜有雜質。
包含絕緣材料的閘極絕緣層120設置於半導體層110上。閘極絕緣層120可包含但不限於無機絕緣材料，例如氧化矽(SiO x)或氮化矽(SiN x)。
由導電材料(例如金屬)製成的閘極電極130設置於閘極絕緣層120之上以對應半導體層110的中心。儘管在圖2中閘極絕緣層120設置於基板102的整個區域，但閘極絕緣層120亦可被圖案化成與閘極電極130相同。
包含絕緣材料的層間絕緣層140設置於閘極電極130上且覆蓋基板102的整個表面。層間絕緣層140可包含無機絕緣材料或有機絕緣材料，無機絕緣材料例如氧化矽(SiO x)或氮化矽(SiN x)，有機絕緣材料例如苯并環丁烯或光丙烯酸樹脂(photo-acryl)。
層間絕緣層140具有暴露半導體層110的兩側的第一及第二半導體層接觸孔142及144。第一及第二半導體層接觸孔142及144設置於閘極電極130的相對側且與閘極電極130分隔開來。在圖2中第一及第二半導體層接觸孔142及144形成於閘極絕緣層120中。或者，當閘極絕緣層120被圖案化成與閘極電極130相同時，第一及第二半導體層接觸孔142及144僅形成於層間絕緣層140中。
由導電材料(例如金屬)製成之源極電極152和汲極電極154設置於層間絕緣層140上。源極電極152和汲極電極154相對於閘極電極130而彼此分隔，並分別透過第一及第二半導體層接觸孔142及144接觸半導體層110的兩側。
半導體層110、閘極電極130、源極電極152和汲極電極154構成薄膜電晶體Tr，其作為驅動元件。圖2之薄膜電晶體Tr具有共平面結構，其中閘極電極130、源極電極152和汲極電極154設置於半導體層110之上。或者，薄膜電晶體Tr可具有反向堆疊結構(inverted staggered structure)，其中閘極電極設置於半導體層之下，而源極電極和汲極電極設置於半導體層之上。在此情況下，半導體層可包含非晶矽。
儘管圖2未繪示，但彼此相交以界定出像素區域的閘極線路及資料線路以及連接於閘極線路及資料線路的開關元件可進一步形成於像素區域。開關元件連接於作為驅動元件的薄膜電晶體Tr。此外，電源線路平行分隔於閘極線路或資料線路，薄膜電晶體Tr可更包含儲存電容器，儲存電容器用以為一幀恆定地保持閘極電極的電壓。
鈍化層160設置於源極電極152和汲極電極154上且覆蓋位於基板102之上的薄膜電晶體Tr。鈍化層160具有平坦的頂面和汲極接觸孔162，汲極接觸孔162暴露薄膜電晶體Tr的汲極電極154。儘管汲極接觸孔162設置於第二半導體層接觸孔144上，但其亦可分隔於第二半導體層接觸孔144。
有機發光二極體(OLED) D包含第一電極210，第一電極210設置於鈍化層160上並連接於薄膜電晶體Tr的汲極電極154。有機發光二極體D更包含發光層230及第二電極220，其各自依序設置於第一電極210上。
第一電極210設置於各像素區域中。第一電極210可為陽極，並可包含具有相對高功函數值的導電材料。舉例而言，第一電極210可包含但不限於透明導電氧化物(TCO)。尤其，第一電極210可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化錫(SnO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鈰(ICO)、摻雜鋁之氧化鋅(AZO)及類似者。
在一示例性態樣中，當有機發光顯示裝置100為底部發光型(bottom-emission type)時，第一電極210可具有透明導電氧化物之單層結構。或者，當有機發光顯示裝置100為頂部發光型(top-emission type)時，反射電極或反射層可設置於第一電極210之下。舉例而言，反射電極或反射層可包含但不限於銀(Ag)或鋁鈀銅(APC)合金。在頂部發光型之有機發光顯示裝置100中，第一電極210可具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO之三層結構。
此外，堤層164設置於鈍化層160上以覆蓋第一電極210的邊緣。堤層164暴露第一電極210的中心。堤層164可被省略。
發光層230設置於第一電極210上。在一示例性實施例中，發光層230可具有單層結構之發光材料層(emitting material layer，EML)。或者，如圖3及圖4所示，發光層230可具有電洞注入層(hole injection layer，HIL)、電洞傳輸層(hole transport layer，HTL)、電子阻擋層(electron blocking layer，EBL)、發光材料層(emitting material layer，EML)、電洞阻擋層(hole blocking layer，HBL)、電子傳輸層(electron transport layer，ETL)、電子注入層(electron injection layer，EIL)及/或電荷產生層(charge generation layer，CGL)之多層結構。發光層230可具有單一發光部或是可具有多個發光部以形成串聯結構。
在藍色像素區域中發光層230可包含至少一發光材料層，發光材料層包含具有化學式1至6之結構的發光化合物。發光層230使有機發光二極體D及有機發光顯示裝置100能夠顯著改善其發光效率及發光壽命。
第二電極220設置於設置有發光層230的基板102之上。第二電極220可設置於整個顯示區域，並可包含具有相較於第一電極210相對低功函數值的導電材料，並可為陰極。舉例而言，第二電極220可包含但不限於高反射性材料，例如鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、銀(Ag)、其合金及其組合，例如鋁鎂合金(Al-Mg)。當有機發光顯示裝置100為頂部發光型時，第二電極220為薄的以具有光透射(半透射)特性。
此外，封裝膜170可設置於第二電極220之上以防止外界水氣滲透進有機發光二極體D。封裝膜170可具有但不限於第一無機絕緣膜172、有機絕緣膜174及第二無機絕緣膜176之疊層結構(laminated structure)。封裝膜170可被省略。
有機發光顯示裝置100可更包含偏光板以減少外界光線反射。舉例而言，偏光板可為圓形偏光板。當有機發光顯示裝置100為底部發光型時，偏光板可位於基板102之下。或者，當有機發光顯示裝置100為頂部發光型時，偏光板可附接於封裝膜170上。再者，在頂部發光型之有機發光顯示裝置100中覆蓋窗可附接於封裝膜170或偏光板上。在此情況下，基板102及覆蓋窗可具有可撓性而能建構可撓性顯示裝置。
如上所述，有機發光二極體D中之發光層230包含具有化學式1至6之結構的發光化合物，而使得有機發光二極體能提升其發光效率及發光壽命。圖3為根據本發明一示例性實施例所繪示之具有單一發光部之有機發光二極體的剖面示意圖。
如圖3所示，根據本發明第一實施例之有機發光二極體D1包含彼此面對的第一及第二電極210及220以及設置於第一及第二電極210及220之間的發光層230。在一示例性實施例中，發光層230包含發光材料層340。發光層230可包含設置於第一電極210及發光材料層340之間的電子阻擋層330以及設置於發光材料層340及第二電極220之間的電洞阻擋層350，電子阻擋層330可為第一電子阻擋層，電洞阻擋層350可為第一電洞阻擋層。此外，發光層230可更包含設置於第一電極210及電子阻擋層330之間的電洞注入層310、設置於電洞注入層310及電子阻擋層330之間的電洞傳輸層320以及設置於電洞阻擋層350及第二電極220之間的電子注入層360中的至少一者。在另一實施例中，發光層230可更包含設置於電洞阻擋層350及電子注入層360之間的電子傳輸層。有機發光顯示裝置100(圖2)包含紅色像素區域、綠色像素區域及藍色像素區域，且有機發光二極體D1可位於藍色像素區域中。
第一及第二電極210及220之一者可為陽極，第一及第二電極210及220之另一者可為陰極。並且，第一及第二電極210及220之一者可為透射(半透射)電極，第一及第二電極210及220之另一者可為反射電極。舉例而言，第一及第二電極210及220各自的厚度可為但不限於約30奈米(nm)至約300 nm。
發光材料層340包含具有化學式1至6之結構的發光化合物的摻雜物342及主體材料344，而使得發光材料層340發出藍光(B)，其中摻雜物342可為第一摻雜物。舉例而言，基於蒽之化合物的主體材料344可具有以下化學式7之結構：
〔化學式7〕
Figure 02_image019
其中Ar 1及Ar 2各自獨立為C 6-C 30芳基或C 5-C 30雜芳基，其中該芳基及該雜芳基各自獨立為未取代或經氘及C 1-C 10烷基之至少一者取代；L為單鍵或C 6-C 30伸芳基，其中該伸芳基為未取代或經氘及C 1-C 10烷基之至少一者取代；R 51至R 58各自獨立選自由氕、氘及C 1-C 10烷基組成之群組。
在化學式7中，Ar 1及Ar 2可各自獨立為苯基、萘基、二苯并呋喃基或稠合二苯并呋喃基，L可為單鍵或伸苯基。舉例而言，在化學式7中Ar 1可為萘基、二苯并呋喃基或稠合二苯并呋喃基，Ar 2可為苯其或萘基。或者，Ar 1及Ar 2可皆為萘基，L可為單鍵或伸苯基。
尤其，在可作為發光材料層340中之主體材料344的基於蒽之化合物中，1-萘基基團直接連接於蒽基團，2-萘基基團直接或透過伸苯基(橋基)連接於蒽基團。或者，基於蒽之化合物中至少一(例如所有的)氕被氘化(deuterated)。舉例而言，基於蒽之化合物可選自但不限於以下化學式8之化合物：
〔化學式8〕
Figure 02_image021
Figure 02_image023
Figure 02_image025
在一示例性實施例中，在發光材料層340中主體材料344的含量可為約70重量百分比(wt%)至約99.9 wt%，摻雜物342的含量可為約0.1 wt%至約30 wt%。舉例而言，發光材料層340中之摻雜物342的含量可為約0.1 wt%至約10 wt%，例如約1 wt%至約5 wt%，而使得發光材料層340可實現足夠的發光效率及發光壽命。發光材料層340的厚度可為但不限於約10 nm至約200 nm，例如約20 nm至約100 nm或約20 nm至約50 nm。
發光材料層340包含具有化學式1至6之結構的發光化合物。在有機發光二極體D1中發光材料層包含發光化合物作為摻雜物，具有穩定幾何的發光化合物能夠使有機發光二極體D1提升其發光效率及發光壽命。在基於蒽之化合物的主體材料344中的兩個萘基團可連接於蒽基團且至少一(例如所有的)氕被氘化，基於蒽之化合物的主體材料344使有機發光二極體D1及有機發光顯示裝置100可顯著改善其發光效率及發光壽命。
電洞注入層310設置於第一電極210及電洞傳輸層320之間，並改善無機之第一電極210及有機之電洞傳輸層320之間的界面性質。在一示例性實施例中，電洞注入層310可包含電洞注入材料，其選自由但不限於4,4’,4”-三(3-甲基苯基胺基)三苯胺(MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基胺基)三苯胺(NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基胺基)三苯胺(1T-NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基胺基)三苯胺(2T-NATA)、銅酞青(CuPc)、三(4-咔唑-9-基苯基)胺(TCTA)、4,4’-二胺基-N,N’-二苯基-N,N’-雙(1-萘基)-1,1’-聯苯(NPB；NPD)、1,4,5,8,9,11-六氮聯伸三苯六腈(二吡𠯤[2,3-f:2’3’-h]喹㗁啉-2,3,6,7,10,11-六腈；HAT-CN)、1,3,5-三[4-(二苯基胺基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸鹽(PEDOT/PSS)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌基二甲烷(F4TCNQ)、2-胺基-N-(聯苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀及其組合組成之群組。
或者，電洞注入層310可包含電洞注入主體材料及電洞注入摻雜物。作為一示例，電洞注入主體材料可包含具有以下化學式9之結構的基於螺茀(spirofluorene)之化合物，電洞注入摻雜物可包含具有以下化學式10之結構的基於軸烯(radialene)之化合物，但不限於此。
〔化學式9〕
Figure 02_image027
〔化學式10〕
Figure 02_image029
當電洞注入層310包含電洞注入主體材料及電洞注入摻雜物時，電洞注入層310中之電洞注入摻雜物的含量可為但不限於約1 wt%至約50 wt%，例如約1 wt%至約30 wt%。電洞注入層310可配合有機發光二極體D1之特性而被省略。
電洞傳輸層320設置於電洞注入層310及電子阻擋層330之間。在一示例性實施例中，電洞傳輸層320可包含電洞傳輸材料，其選自但不限於4,4’-二胺基-N,N’-二苯基-N,N’-雙(3-甲基苯基)-1,1’-聯苯(TPD)、NPB(NPD)、4,4'-二胺基-N,N'-雙[4-[雙(3-甲基苯基)胺基]苯基]-N,N'-二苯基-1,1'-聯苯(DNTPD)、4,4’-雙(N-咔唑基)-1,1’-聯苯(CBP)、聚[N,N’-雙(4-丁基苯基)-N,N’-雙(苯基)-聯苯胺](Poly-TPD)、共聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)/(4,4’-(N-(4-二級丁基苯基)二苯胺))](TFB)、1,1-雙[4-(N,N’-二對甲苯基胺基)苯基]環己烷(TAPC)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)-N,N-二苯基苯胺(DCDPA)、2-胺基-N-(聯苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀、4-胺基-N-(聯苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)聯苯、2-胺基-N-(1,1’-聯苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀、4,4'-二胺-N4,N4,N4',N4'-四([1,1'-聯苯]-4-基)-1,1'-聯苯及/或具有化學式9之結構的基於螺茀之化合物。
在一示例性實施例中，電洞注入層310及電洞傳輸層320各自的厚度可獨立為但不限於約5 nm至約200 nm，例如約5 nm至約100 nm。
電子阻擋層330防止電子從發光材料層340傳遞至第一電極210。電子阻擋層330可包含具有以下化學式11之結構的基於螺芳基胺(spiroaryl amine)的化合物之電子阻擋材料。
〔化學式11〕
Figure 02_image031
其中L 3為C 6-C 30伸芳基；o為0或1；R 121及R 122各自獨立為C 6-C 30芳基或C 5-C 30雜芳基，其中C 6-C 30芳基及C 5-C 30雜芳基各自可選地分別經C 1-C 10烷基及C 6-C 30芳基之至少一者取代。
作為一示例，L 3可為伸苯基，R 121至R 122可各自獨立為未取代或經C 1-C 10烷基及C 6-C 30芳基(例如苯基)之至少一者取代，並可選自由苯基、聯苯基、茀基、咔唑基、苯基咔唑基、咔唑基苯基、二苯并呋喃基及二苯并苯硫基組成之群組。
舉例而言，電子阻擋層330中之電子阻擋材料可選自任何具有以下化學式12之結構的基於螺芳基胺之化合物：
〔化學式12〕
Figure 02_image033
Figure 02_image035
Figure 02_image037
Figure 02_image039
Figure 02_image041
Figure 02_image043
或者，有機發光二極體D1可更包含電洞阻擋層350，其可防止電洞從發光材料層340傳遞至第二電極220。作為一示例，電洞阻擋層350可包含具有以下化學式13之結構的基於𠯤(azine)之化合物及/或具有以下化學式15之結構的基於苯并咪唑之化合物之電洞阻擋材料：
〔化學式13〕
Figure 02_image045
其中Y 1至Y 5各自獨立為CR 131或N，Y 1至Y 5之一至三者為N，R 131為C 6-C 30芳基；L為C 6-C 30伸芳基；R 132為C 6-C 30芳基或C 5-C 30雜芳基，其中該C 6-C 30芳基可選地經另一C 6-C 30芳基或C 5-C 30雜芳基取代或是與C 10-C 30稠合芳環或C 10-C 30稠合雜芳環形成螺結構(spiro structure)，其中該另一C 6-C 30芳基可選地進一步經其他C 6-C 30芳基或C 5-C 30雜芳基取代或是與C 10-C 30稠合芳環形成螺結構；R 133為氫或是相鄰兩個R 133形成稠合芳環；r為0或1；s為1或2；t為0至4之整數。
〔化學式15〕
Figure 02_image047
其中Ar為C 10-C 30伸芳基；R 141為C 6-C 30芳基或C 5-C 30雜芳基，該C 6-C 30芳基及該C 5-C 30雜芳基各自可選地經C 1-C 10烷基取代；R 142及R 143各自獨立為氫、C 1-C 10烷基或C 6-C 30芳基。
在一示例性實施例中，化學式13中構成R 132之芳基可為未取代或進一步經另一C 6-C 30芳基或C 5-C 30雜芳基取代或是與其他稠合芳環或稠合雜芳環形成螺結構。舉例而言，可取代至R 132之芳基或雜芳基可為C 10-C 30稠合芳基或C 10-C 30稠合雜芳基。化學式13中之R 133可稠合以形成萘基。在一示例性實施例中，在電洞阻擋層350中作為電洞阻擋材料的基於𠯤之化合物可選自任何具有以下化學式14之結構的基於𠯤之化合物：
〔化學式14〕
Figure 02_image049
Figure 02_image051
Figure 02_image053
Figure 02_image055
Figure 02_image057
Figure 02_image059
作為一示例，化學式15中之「Ar」可為伸萘基或伸蒽基，化學式15中之R 141可為苯基或苯并咪唑基，化學式15中之R 142可為甲基、乙基或苯基，化學式15中之R 143可為氫、甲基或苯基。在一示例性實施例中，在電洞阻擋層350中作為電洞阻擋材料之苯并咪唑化合物可選自任何具有以下化學式16之結構的基於苯并咪唑之化合物：
〔化學式16〕
Figure 02_image061
Figure 02_image063
在一示例性實施例中，電子阻擋層330及電洞阻擋層350各自的厚度可獨立為但不限於約5 nm至約200 nm，例如約5 nm至約100 nm。
具有化學式13至16之結構的化合物具有良好的電子傳輸性質與優異的電洞阻擋性質。因此，包含具有化學式13至16之結構的化合物的電洞阻擋層350可發揮電洞阻擋層及電子傳輸層的功能。
在另一實施例中，有機發光二極體D1可更包含設置於電洞阻擋層350及電子注入層360之間的電子傳輸層。在一示例性實施例中，電子傳輸層可更包含但不限於基於㗁二唑之化合物、基於三唑之化合物、基於菲啉之化合物、基於苯并㗁唑之化合物、基於苯并噻唑之化合物、基於苯并咪唑之化合物、基於三𠯤之化合物及類似者。
尤其，電子傳輸層可包含電子傳輸材料，其選自但不限於由三(8-羥喹啉)鋁(Alq 3)、2-聯苯-4-基-5-(4-三級丁基苯基)-1,3,4-㗁二唑(PBD)、螺-PBD、喹啉鋰(Liq)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、雙(2-甲基-8-喹啉-N1,O8)-(1,1’-聯苯-4-基)鋁(BAlq)、4,7-二苯基-1,10-菲啉(Bphen)、2,9-雙(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啉(BCP)、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-三級丁基苯基-1,2,4-三𠯤(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三𠯤(NTAZ)、1,3,5-三(對吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)聯苯-3-基)-1,3,5-三𠯤(TmPPPyTz)、交替共聚[9,9-雙(3’-(N,N-二甲基)-N-乙基銨)-丙基)-2,7-茀]/2,7-(9,9-二辛基茀)](PFNBr)、三(苯基喹㗁啉)(TPQ)、氧化二苯基-4-三苯基矽基苯基膦(TSPO1)、2-[4-(9,10-二-2-萘基-2-煾基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑(ZADN)、1,3-雙(9-苯基-1,10-菲啉-2-基)苯、1,4-雙(2-苯基-1,10-菲啉-4-基)苯(p-bPPhenB)及/或1,3-雙(2-苯基-1,10-菲啉-4-基)苯(m-bPPhenB)組成之群組。
電子注入層360設置於電洞阻擋層350及第二電極220之間，並能改善第二電極220的物理性質，並因此能提升有機發光二極體D1的壽命。在一示例性實施例中，電子注入層360可包含但不限於鹼金屬鹵化物或鹼土金屬鹵化物，例如LiF、CsF、NaF、BaF 2及類似者，及/或有機金屬化合物，例如Liq、苯甲酸鋰、硬脂酸鈉及類似者。
在另一實施例中，電子注入層360可為摻雜有鹼金屬(例如Li、Na、K及/或Cs)及/或鹼土金屬(例如Mg、Sr、Ba及/或Ra)之有機層。電子注入層360中所使用之有機主體材料可為電子傳輸材料，電子注入層360中之鹼金屬及/或鹼土金屬的含量可為但不限於約1 wt%至約30 wt%。舉例而言，電子注入層360可包含具有以下化學式17之結構的電子傳輸材料：
〔化學式17〕
Figure 02_image065
作為一示例，電子傳輸層及電子注入層360各自的厚度可獨立為但不限於約10 nm至約200 nm，例如約10 nm至100 nm。
在發光過程中，具有化學式1至6之結構的發光化合物的分子幾何不會改變，而使得發光化合物能發出具有優異色純度的藍光。此外，分子內多重共振結構能夠使化合物的HOMO與LUMO分離，而使得發光化合物具有非常優異的發光性能。當發光材料層340包含具有化學式1至6之結構的發光化合物作為摻雜物時，有機發光二極體D1能使其發光效率及發光壽命最大化。
在示例性第一實施例中，有機發光二極體D1可具有單一發光部。根據本發明之有機發光二極體可具有包含多個發光部的串聯結構。圖4為根據本發明另一示例性實施例所繪示之具有兩個發光部的有機發光二極體的剖面示意圖。
如圖4所示，根據本發明第二實施例之有機發光二極體D2包含彼此面對的第一及第二電極210及220以及設置於第一及第二電極210及220之間的發光層230A。發光層230A包含設置於第一電極210及第二電極220之間的第一發光部400、設置於第一發光部400及第二電極220之間的第二發光部500以及設置於第一發光部400及第二發光部500之間的電荷產生層470。有機發光顯示裝置100(圖2)包含紅色像素區域、綠色像素區域及藍色像素區域，且有機發光二極體D2可位於藍色像素區域中。
第一及第二電極210及220之一者可為陽極，第一及第二電極210及220之另一者可為陰極。並且，第一及第二電極210及220之一者可為透射(半透射)電極，第一及第二電極210及220之另一者可為反射電極。
第一發光部400包含設置於第一電極210及電荷產生層470之間的第一發光材料層(EML1) 440。第一發光部400可包含設置於第一電極210及第一發光材料層440之間的第一電子阻擋層(EBL1) 430以及設置於第一發光材料層440及電荷產生層470之間的第一電洞阻擋層(HBL1) 450。此外，第一發光部400可更包含設置於第一電極210及第一電子阻擋層430之間的電洞注入層410以及設置於電洞注入層410及第一電子阻擋層430之間的第一電洞傳輸層(HTL1) 420。
第二發光部500包含設置於電荷產生層470及第二電極220之間的第二發光材料層(EML2) 540。第二發光部500可包含設置於電荷產生層470及第二發光材料層540之間的第二電子阻擋層(EBL2) 530以及設置於第二發光材料層540及第二電極220之間的第二電洞阻擋層(HBL2) 550。此外，第二發光部500可更包含設置於電荷產生層470及第二電子阻擋層530之間的第二電洞傳輸層(HTL2) 520以及設置於第二電洞阻擋層550及第二電極220之間的電子注入層560。
電洞注入層410、第一電洞傳輸層420、第二電洞傳輸層520及電子注入層560可各自獨立包含如上所述之相同的材料。第一電洞傳輸層420可包含與第二電洞傳輸層520相同或不同的材料。
第一發光材料層440包含具有化學式1至6之結構的發光化合物之第一摻雜物442以及基於蒽之化合物之第一主體材料444，而使得第一發光材料層440發出藍光(B)。第二發光材料層540包含具有化學式1至6之結構的發光化合物之第二摻雜物542以及基於蒽之化合物之第二主體材料544，而使得第二發光材料層540發出藍光(B)。
發光化合物之第一摻雜物442及第二摻雜物542以及基於蒽之化合物之第一主體材料444及第二主體材料544可不經氘化或是可部分或全部經氘化。作為一示例，第一主體材料444及第二主體材料544可各自獨立具有化學式7至8之結構。第一摻雜物442與第二摻雜物542可相同或不同，第一主體材料444與第二主體材料544可相同或不同。
在一示例性實施例中，分別在第一發光材料層440及第二發光材料層540中，第一主體材料444及第二主體材料544各自的含量可獨立為約70 wt%至約99.9 wt%，第一摻雜物442及第二摻雜物542各自的含量可獨立為約0.1 wt%至約30 wt%。舉例而言，分別在第一發光材料層440及第二發光材料層540中之第一摻雜物442及第二摻雜物542的含量可為約0.1 wt%至約10 wt%，例如約1 wt%至約5 wt%，而使得第一發光材料層440及第二發光材料層540皆可實現足夠的發光效率及發光壽命。
第一電子阻擋層430及第二電子阻擋層530各自分別防止電子從第一發光材料層440或第二發光材料層540傳遞至第一電極210或電荷產生層470。第一電子阻擋層430及第二電子阻擋層530可各自分別獨立包含具有化學式11至12之結構的基於螺芳基胺之化合物。第一電子阻擋層430中之電子阻擋材料可相同於或不同於第二電子阻擋層530中之電子阻擋材料。
第一電洞阻擋層450及第二電洞阻擋層550各自分別防止電洞從第一發光材料層440或第二發光材料層540傳遞至電荷產生層470或第二電極220。第一電洞阻擋層450及第二電洞阻擋層550可各自分別獨立包含具有化學式13至14之結構的基於𠯤之化合物及/或具有化學式15至16之結構的基於苯并咪唑之化合物。第一電洞阻擋層450中之電洞阻擋材料可相同於或不同於第二電洞阻擋層550中之電洞阻擋材料。
如上所述，具有化學式13至16之結構的化合物具有優異的電子傳輸性質與電洞阻擋性質。因此，第一電洞阻擋層450及第二電洞阻擋層550可各自發揮電洞阻擋層及電子傳輸層的功能。
在另一實施例中，第一發光部400可更包含設置於第一電洞阻擋層450及電荷產生層470之間的第一電子傳輸層(ETL1)及/或第二發光部500可更包含設置於第二電洞阻擋層550及電子注入層560之間的第二電子傳輸層(ETL2)。
電荷產生層470設置於第一發光部400及第二發光部500之間，而使得第一發光部400及第二發光部500透過電荷產生層470連接。電荷產生層470可為具有N型電荷產生層(N-CGL) 480及P型電荷產生層(P-CGL) 490之PN接合(PN-junction)電荷產生層。N型電荷產生層480設置於第一電洞阻擋層450及第二電洞傳輸層520之間，P型電荷產生層490設置於N型電荷產生層480及第二電洞傳輸層520之間。N型電荷產生層480將電子注入至第一發光部400，P型電荷產生層490將電洞注入至第二發光部500。
作為一示例，N型電荷產生層480可為摻雜有鹼金屬(例如Li、Na、K及/或Cs)及/或鹼土金屬(例如Mg、Sr、Ba及/或Ra)的有機層。舉例而言，N型電荷產生層480中所使用之有機主體材料可包含但不限於有機化合物，例如Bphen或MTDATA。鹼金屬及/或鹼土金屬可以約0.01 wt%至約30 wt%摻雜於N型電荷產生層480中。
P型電荷產生層490可包含但不限於無機材料及/或有機材料，其中無機材料選自由氧化鎢(WO x)、氧化鉬(MoO x)、氧化鈹(Be 2O 3)、氧化釩(V 2O 5)及其組合組成之群組，有機材料選自由NPD、HAT-CN、F4TCNQ、TPD、N,N,N’,N’-四萘基聯苯胺(TNB)、TCTA、N,N’-二辛基-3,4,9,10-苝基二醯亞胺(PTCDI-C8)及其組合組成之群組。
或者，P型電荷產生層490可包含具有化學式9之結構的P型主體材料以及具有化學式10之結構的P型摻雜物。當P型電荷產生層490 包含P型主體材料及P型摻雜物時，P型電荷產生層490中之P型摻雜物的含量可為但不限於約1 wt%至約50 wt%，例如約1 wt%至約30 wt%。
第一發光材料層440及第二發光材料層540各自分別包含具有化學式1至6之結構的發光化合物之第一及第二摻雜物442及542以及基於蒽之化合物之第一及第二主體材料444及544，其中在基於蒽之化合物中沒有氫原子被氘化或是有至少一個氫原子被氘化。在第一發光材料層440及第二發光材料層540中之具有穩定幾何結構的發光化合物能夠使有機發光二極體D2及有機發光顯示裝置100提升其發光效率及發光壽命。此外，有機發光顯示裝置100(請參見圖2)藉由層疊各自發出藍光(B)之兩個發光部(第一及第二發光部400及500)之雙層堆疊結構能實現具有高色純度的影像。
在第二實施例中，有機發光二極體D2具有兩個發光部的串聯結構。或者，有機發光二極體可包含三個或更多個發光部，例如除了電子注入層1260之外還可包含第二電荷產生層以及設置於第二發光部1100上的第三發光部(請參見圖7)。
在上述實施例中，有機發光顯示裝置100及有機發光二極體D1及D2實現藍色(B)放光。或者，有機發光顯示裝置及有機發光二極體能夠實現包含白色(W)放光之全彩顯示裝置。圖5為根據本發明另一示例性實施例所繪示之有機發光顯示裝置的剖面示意圖。
如圖5所示，有機發光顯示裝置600包含第一基板602、第二基板604、薄膜電晶體Tr、有機發光二極體D及濾光層680，其中第一基板602界定出各紅色像素區域RP、綠色像素區域GP及藍色像素區域BP，第二基板604面對第一基板602，薄膜電晶體Tr位於第一基板602之上，有機發光二極體D設置於第一及第二基板602及604之間並發出白光(W)，濾光層680設置於有機發光二極體D及第二基板604之間。
第一及第二基板602及604可各自包含但不限於玻璃、可撓性材料及/或聚合物塑膠。舉例而言，第一及第二基板602及604可各自由PI、PES、PEN、PET、PC及其組合製成。薄膜電晶體Tr及有機發光二極體D排列於第一基板602之上，第一基板602形成陣列基板。
緩衝層606可設置於第一基板602之上，薄膜電晶體Tr設置於緩衝層606之上並對應各紅色像素區域RP、綠色像素區域GP及藍色像素區域BP。緩衝層606可被省略。
半導體層610設置於緩衝層606之上。半導體層610可由氧化物半導體材料或多晶矽製成。
包含絕緣材料的閘極絕緣層620設置於半導體層610上，絕緣材料為例如無機絕緣材料，例如氧化矽(SiO x)或氮化矽(SiN x)。
由導電材料(例如金屬)製成之閘極電極630設置於閘極絕緣層620之上以對應半導體層610的中心。包含絕緣材料的層間絕緣層640設置於閘極電極630上，絕緣材料為例如無機絕緣材料或有機絕緣材料，無機絕緣材料例如氧化矽(SiO x)或氮化矽(SiN x)，有機絕緣材料例如苯并環丁烯或光丙烯酸樹脂。
層間絕緣層640具有暴露半導體層610的兩側的第一及第二半導體層接觸孔642及644。第一及第二半導體層接觸孔642及644設置於閘極電極630的相對側且與閘極電極630分隔開來。
由導電材料(例如金屬)製成之源極電極652和汲極電極654設置於層間絕緣層640上。源極電極652和汲極電極654相對於閘極電極630而彼此分隔，並分別透過第一及第二半導體層接觸孔642及644接觸半導體層610的兩側。
半導體層610、閘極電極630、源極電極652和汲極電極654構成薄膜電晶體Tr，其作為驅動元件。
儘管圖5未繪示，但彼此相交以界定出像素區域的閘極線路及資料線路以及連接於閘極線路及資料線路的開關元件可進一步形成於像素區域。開關元件連接於作為驅動元件的薄膜電晶體Tr。此外，電源線路平行分隔於閘極線路或資料線路，薄膜電晶體Tr可更包含儲存電容器，儲存電容器用以為一幀恆定地保持閘極電極的電壓。
鈍化層660設置於源極電極652和汲極電極654上且覆蓋整個第一基板602之上的薄膜電晶體Tr。鈍化層660具有汲極接觸孔662，汲極接觸孔662暴露薄膜電晶體Tr的汲極電極654。
有機發光二極體(OLED) D未於鈍化層660之上。有機發光二極體D包含第一電極710、第二電極720及發光層730，其中第一電極710連接於薄膜電晶體Tr的汲極電極654，第二電極720面對第一電極710，發光層730設置於第一電極710及第二電極720之間。
各像素區域所形成之第一電極710可為陽極，並可包含具有相對高功函數值的導電材料，例如透明導電氧化物。作為一示例，第一電極710可包含ITO、IZO、ITZO、SnO、ZnO、ICO、AZO及類似者。
當有機發光顯示裝置600為底部發光型時，第一電極710可具有透明導電氧化物之單層結構。或者，當有機發光顯示裝置600為頂部發光型時，反射電極或反射層可設置於第一電極710之下。舉例而言，反射電極或反射層可包含但不限於Ag或APC合金。在頂部發光型之有機發光顯示裝置600中，第一電極710可具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO之三層結構。
堤層664設置於鈍化層660上以覆蓋第一電極710的邊緣。堤層664暴露對應各紅色像素區域RP、綠色像素區域GP及藍色像素區域BP之第一電極710的中心。堤層664可被省略。
包含多個發光部的發光層730設置於第一電極710上。由於有機發光二極體D在各紅色、綠色及藍色像素區域RP、GP及BP中發出白光，故發光層730可由共用層形成，而不需在紅色、綠色及藍色像素區域RP、GP及BP中分隔開來。
如圖6及圖7所示，發光層730可包含多個發光部800、900、1000、1100及1200以及至少一電荷產生層870、1070及1170。發光部800、900、1000、1100及1200可各自包含發光材料層，並可各自更包含電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層、電洞阻擋層、電子傳輸層及/或電子注入層中的至少一者。
第二電極720設置於設置有發光層730的第一基板602之上。第二電極720可設置於整個顯示區域，並可包含具有相較於第一電極710相對低功函數值的導電材料，並可為陰極。舉例而言，第二電極720可包含但不限於Al、Mg、Ca、Ag、其合金及其組合，例如Al-Mg合金。
在根據本發明第二實施例之有機發光顯示裝置600中，由於從發光層730發出的光線經由第二電極720入射至濾光層680，故第二電極720的厚度薄而使得光線能夠透射。
濾光層680設置於有機發光二極體D之上，並包含紅色濾光器682、綠色濾光器684及藍色濾光器686，其各自分別對應紅色像素區域RP、綠色像素區域GP及藍色像素區域BP設置。儘管圖5未繪示，但濾光層680可透過黏合層附接於有機發光二極體。或者，濾光層680可直接設置於有機發光二極體D。
此外，封裝膜可設置於第二電極720之上以防止外界水氣滲透進有機發光二極體D。封裝膜可具有但不限於第一無機絕緣膜、有機絕緣膜及第二無機絕緣膜之疊層結構(請參見圖2之封裝膜170)。此外，有機發光顯示裝置600可更包含偏光板以減少外界光線反射。舉例而言，偏光板可為圓形偏光板。當有機發光顯示裝置600為底部發光型時，偏光板可位於第一基板602之下。或者，當有機發光顯示裝置600為頂部發光型時，偏光板可位於第二基板604之上。
在圖5中，從有機發光二極體D發出的光線透射通過第二電極720，濾光層680設置於有機發光二極體D之上。或者，從有機發光二極體D發出的光線透射通過第一電極710，濾光層680可設置於有機發光二極體D及第一基板602之間。此外，色彩轉換層可形成於有機發光二極體D及濾光層680之間。色彩轉換層可包含紅色色彩轉換層、綠色色彩轉換層及藍色色彩轉換層，其各自分別對應各像素區域(紅色像素區域RP、綠色像素區域GP及藍色像素區域BP)設置，以將白光(W)分別轉換成紅光、綠光及藍光。
如上所述，從有機發光二極體D發出的白光(W)透射通過紅色濾光器682、綠色濾光器684及藍色濾光器686，其各自分別對應紅色像素區域RP、綠色像素區域GP及藍色像素區域BP設置，從而在紅色像素區域RP、綠色像素區域GP及藍色像素區域BP中顯現出紅光、綠光及藍光。
圖6為繪示具有兩個發光部之串聯結構的有機發光二極體的剖面示意圖。如圖6所示，根據本發明示例性實施例之有機發光二極體(OLED) D3包含第一及第二電極710及720以及設置於第一及第二電極710及720之間的發光層730。發光層730包含設置於第一及第二電極710及720之間的第一發光部800、設置於第一發光部800及第二電極720之間的第二發光部900以及設置於第一及第二發光部800及900之間的電荷產生層870。
第一及第二電極710及720之一者可為陽極，第一及第二電極710及720之另一者可為陰極。並且，第一及第二電極710及720之一者可為透射(半透射)電極，第一及第二電極710及720之另一者可為反射電極。
此外，第一及第二發光部800及900之一者發出藍光(B)，第一及第二發光部800及900之另一者發出紅綠光(RG)或黃綠光(YG)。以下將詳細說明有機發光二極體D3，其中第一發光部800發出藍光(B)且第二發光部900發出紅綠光(RG)及/或黃綠光(YG)。
第一發光部800包含設置於第一電極710及電荷產生層870之間的第一發光材料層840。第一發光部800可包含設置於第一電極710及第一發光材料層840之間的第一電子阻擋層830以及設置於第一發光材料層840及電荷產生層870之間的第一電洞阻擋層850。此外，第一發光部800可更包含設置於第一電極710及第一電子阻擋層830之間的電洞注入層810以及設置於電洞注入層810及第一電子阻擋層830之間的第一電洞傳輸層820。或者，第一發光部800可更包含設置於第一電洞阻擋層850及電荷產生層870之間的第一電子傳輸層。
第二發光部900包含設置於電荷產生層870及第二電極720之間的第二發光材料層940。第二發光部900可包含設置於電荷產生層870及第二發光材料層940之間的第二電洞傳輸層920、設置於第二電極720及第二發光材料層940之間的第二電子傳輸層950以及設置於第二電極720及第二電子傳輸層950之間的電子注入層960。或者，第二發光部900可更包含設置於第二電洞傳輸層920及第二發光材料層940之間的第二電子阻擋層及/或設置於第二發光材料層940及第二電子傳輸層950之間的第二電洞阻擋層。
電荷產生層870設置於第一發光部800及第二發光部900之間。電荷產生層870可為具有N型電荷產生層880及P型電荷產生層890之PN接合電荷產生層。N型電荷產生層880設置於第一電洞阻擋層850及第二電洞傳輸層920之間，P型電荷產生層890設置於N型電荷產生層880及第二電洞傳輸層920之間。
電洞注入層810、第一電洞傳輸層820、第二電洞傳輸層920、電子注入層960及電荷產生層870可各自獨立包含如上所述之相同的材料。第一電洞傳輸層820可包含與第二電洞傳輸層920相同或不同的材料。
第一發光材料層840包含具有化學式1至6之結構的發光化合物之摻雜物842以及基於蒽之化合物之主體材料844，而使得第一發光材料層840發出藍光(B)。基於蒽之化合物之主體材料844可不被氘化或可至少部分被氘化，且可具有化學式7至8之結構。
在一示例性實施例中，在第一發光材料層840中，主體材料844的含量可為約70 wt% 至約99.9 wt%，摻雜物842的含量可為約0.1 wt%至約30 wt%。舉例而言，第一發光材料層840中之摻雜物842的含量可為約0.1 wt%至約10 wt%，例如約1 wt%至約5 wt%，而使得第一發光材料層840能實現足夠的發光效率及發光壽命。
第一電子阻擋層830防止電子從第一發光材料層840傳遞至第一電極710，並可包含電子阻擋材料。第一電子阻擋層830可包含具有化學式11至12之結構的螺芳基胺之化合物。
第一電洞阻擋層850防止電洞從第一發光材料層840傳遞至電荷產生層870，並可包含電洞阻擋材料。第一電洞阻擋層850可包含具有化學式13至14之結構的基於𠯤之化合物及/或具有化學式15至16之結構的基於苯并咪唑之化合物。如上所述，具有化學式13至16之結構的化合物具有優異的電子傳輸性質與電洞阻擋性質。因此，第一電洞阻擋層850可發揮電洞阻擋層及第一電子傳輸層的功能。
在一示例性態樣中，第二發光材料層940可發出黃綠光(YG)。舉例而言，第二發光材料層940可包含黃綠色摻雜物943及主體材料945。
第二發光材料層940中之主體材料945可包含但不限於9,9’-二苯基-9H,9’H-3,3’-聯咔唑(BCzPh)、CBP、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)、TCTA、4,4’-雙(咔唑-9-基)-2,2’-二甲基聯苯(CDBP)、2,7-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲基茀(DMFL-CBP)、2,2’,7,7’-四(咔唑-9-基)-9,9-螺茀(Spiro-CBP)、氧化雙[2-(二苯基膦基)苯基]醚(DPEPO)、3,5-二氰基-4’-(9H-咔唑-9-基)聯苯(PCzB-2CN)、3,5-二氰基-3’-(9H-咔唑-9-基)聯苯(mCzB-2CN)、3,6-雙(咔唑-9-基)-9-(2-乙基己基)-9H-咔唑(TCz1)、雙(2-羥基苯基)-吡啶)鈹(Bepp 2)、雙(10-羥基苯[h]喹啉)鈹(Bebq 2)及/或1,3,5-三(1-芘基)苯(TPB3)。
綠色摻雜物943可包含黃綠色螢光材料、黃綠色磷光材料及黃綠色延遲螢光材料中的至少一者。作為一示例，黃綠色摻雜物943可包含但不限於5,6,11,12-四苯基萘(Rubrene)、2,8-二(三級丁基)-5,11-雙(4-三級丁基苯基)-6,12-二苯稠四苯(TBRb)、雙(2-苯基苯并硫唑)(乙醯丙酮)銥(Ⅲ)(Ir(BT) 2(acac))、雙(2-(9,9-二乙基茀-2-基)-1-苯基-1H-苯[d]咪唑)(乙醯丙酮)銥(Ⅲ)(Ir(fbi) 2(acac))、雙(2-苯基吡啶)(3-(吡啶-2-基)-2H-𠳭唏-2-酮)銥(Ⅲ)(fac-Ir(ppy) 2Pc)、雙(2-(2,4-二氟苯基)喹啉)(吡啶甲酸)銥(Ⅲ)(FPQIrpic)及類似者。
或者，第二發光材料層940可發出紅綠光(RG)。在此情況下，第二發光材料層940可包含綠色及紅色摻雜物943及主體材料945。在此情況下，第二發光材料層940可具有包含主體材料、綠色摻雜物及紅色摻雜物之單層結構，或可具有包含下層(第一層)及上層(第二層)之雙層結構，其中下層(第一層)包含主體材料及綠色摻雜物(或紅色摻雜物)，上層(第二層)包含主體材料及紅色摻雜物(或綠色摻雜物)。
在第二發光材料層940中發出紅綠光(RG)的主體材料945可相同於發出黃綠光(YG)的主體材料。
第二發光材料層940中之綠色摻雜物943可包含綠色螢光材料、綠色磷光材料及綠色延遲螢光材料中的至少一者。作為一示例，綠色摻雜物943可包含但不限於[雙(2-苯基吡啶)](吡啶基-2-苯并呋喃[2,3-b]吡啶)銥、面三(2-苯基吡啶)銥(Ⅲ)(fac-Ir(ppy) 3)、雙(2-苯基吡啶)(乙醯丙酮)銥(Ⅲ)(Ir(ppy) 2(acac))、四(2-對甲苯基吡啶)銥(Ⅲ)(Ir(mppy) 3)、雙(2-(萘-2-基)吡啶)(乙醯丙酮)銥(Ⅲ)(Ir(npy) 2acac)、三(2-苯基-3-甲基吡啶)銥(Ir(3mppy) 3)、面三(2-(3-對二甲苯基)苯基)吡啶銥(Ⅲ)(TEG)及類似者。
第二發光材料層940中之紅色摻雜物943可包含紅色螢光材料、紅色磷光材料及紅色延遲螢光材料中的至少一者。作為一示例，紅色摻雜物943可包含但不限於[雙(2-(4,6-二甲基)苯基喹啉)](2,2,6,6-四甲基庚-3,5-二酮)銥(Ⅲ)、雙[2-(4-正己基苯基)喹啉](乙醯丙酮)銥(Ⅲ)(Hex-Ir(phq) 2(acac))、三[2-(4-正己基苯基)喹啉]銥(Ⅲ)(Hex-Ir(phq) 3)、三[2-苯基-4-甲基喹啉]銥(Ⅲ)(Ir(Mphq) 3)、雙(2-苯基喹啉)(2,2,6,6-四甲基庚-3,5-二酮)銥(Ⅲ)(Ir(dpm)PQ 2)、雙(苯基異喹啉)(2,2,6,6-四甲基庚-3,5-二酮)銥(Ⅲ)(Ir(dpm)(piq) 2)、雙[(4-正己基苯基)異喹啉](乙醯丙酮)銥(Ⅲ)(Hex-Ir(piq) 2(acac))、三[2-(4-正己基苯基)喹啉]銥(Ⅲ)(Hex-Ir(piq) 3)、三(2-(3-甲基苯基)-7-甲基喹啉)銥(Ir(dmpq) 3)、雙[2-(2-甲基苯基)-7-甲基喹啉](乙醯丙酮)銥(Ⅲ)(Ir(dmpq) 2(acac))、雙[2-(3,5-二甲基苯基)-4-甲基喹啉](乙醯丙酮)銥(Ⅲ)(Ir(mphmq) 2(acac))及類似者。
在另一態樣中，第二發光材料層940可具有第一層、第二層及第三層之三層結構，其中第一層包含主體材料及紅色摻雜物，第二層包含主體材料及黃綠色摻雜物，第三層包含主體材料及綠色摻雜物。
當第二發光材料層940發出紅綠光(RG)或黃綠光(YG)時，在第二發光材料層940中，主體材料945可為約70 wt%至約99.9 wt%，摻雜物943的含量可為約0.01 wt%至約30 wt%。舉例而言，第二發光材料層940中之摻雜物943的含量可為約0.1 wt%至約10 wt%，例如約1 wt%至約5 wt%，而使得第二發光材料層940能實現足夠的發光效率及發光壽命。
第一電子傳輸層及第二電子傳輸層950可各自獨立包含基於㗁二唑之化合物、基於三唑之化合物、基於菲啉之化合物、基於苯并㗁唑之化合物、基於苯并噻唑之化合物、基於苯并咪唑之化合物、基於三𠯤之化合物及類似者。舉例而言，第一電子傳輸層及第二電子傳輸層950可各自獨立包含電子傳輸材料，其選自但不限於Alq 3、PBD、spiro-PBD、Liq、TPBi、BAlq、Bphen、NBphen、BCP、TAZ、NTAZ、TpPyPB、TmPPPyTz、PFNBr、TPQ、TSPO1、ZADN、1,3-雙(9-苯基-1,10-菲啉-2-基)苯、p-bPPhenB、m-bPPhenB及其組合。
第二電子阻擋層可設置於第二電洞傳輸層920及第二發光材料層940之間，並可包含第二電子阻擋材料。作為一示例，第二電子阻擋材料可包含具有化學式11至12之結構的基於螺芳基胺之化合物。
或者，第二電子阻擋層可包含但不限於TCTA、三[4-(二乙基胺基)苯基]胺、2-胺基-N-(聯苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀、TAPC、MTDATA、1,3-雙(咔唑-9-基)苯(mCP)、3,3-二(9H-咔唑-9-基)聯苯(mCBP)、CuPc、DNTPD、TDAPB、DCDPA、2,8-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯[b,d]噻吩、3,6-雙(N-咔唑基)-N-苯基咔唑及其組合。
第二電洞阻擋層可設置於第二發光材料層940及第二電子傳輸層950之間，並可包含第二電洞阻擋材料。作為一示例，第二電洞阻擋材料可包含具有化學式13至14之結構的基於𠯤之化合物及/或具有化學式15至16之結構的基於苯并咪唑之化合物。或者，第二電洞阻擋材料可包含基於㗁二唑之化合物、基於三唑之化合物、基於菲啉之化合物、基於苯并㗁唑之化合物、基於苯并噻唑之化合物、基於苯并咪唑之化合物、基於三𠯤之化合物及類似者，其能用作為第二電子傳輸層950中之電子傳輸材料。
在有機發光二極體D3中，第一發光材料層840包含具有化學式1至6之結構的發光化合物之摻雜物842以及基於蒽之化合物之主體材料844，其中在基於蒽之化合物中沒有氕被氘化或是有至少一個氕經氘取代，第二發光材料層940發出紅綠光(RG)及/或黃綠光(YG)。或者，第一發光材料層840可發出紅綠光(RG)及/或黃綠光(YG)，第二發光材料層940可包含基於硼之化合物之摻雜物842以及基於蒽之化合物之主體材料844以發出藍光(B)。
在有機發光二極體D3中，第一發光材料層840包含具有化學式1至6之結構的發光化合物之摻雜物842以及基於蒽之化合物之主體材料844。具有穩定幾何結構的摻雜物842可使有機發光二極體D3及有機發光顯示裝置600實現優異的發光效率及發光壽命。
或者，有機發光二極體可具有三或更多個發光部。圖7為根據本發明另一實施例所繪示之有機發光二極體的剖面示意圖。如圖7所示，有機發光二極體(OLED) D4包含彼此面對的第一及第二電極710及720以及設置於第一及第二電極710及720之間的發光層730A。發光層730A包含設置於第一及第二電極710及720之間的第一發光部1000、設置於第一發光部1000及第二電極720之間的第二發光部1100、設置於第二發光部1100及第二電極720之間的第三發光部1200、設置於第一及第二發光部1000及1100之間的第一電荷產生層1070以及設置於第二及第三發光部1100及1200之間的第二電荷產生層1170。
第一至第三發光部1000、1100及1200之至少一者可發出藍光(B)，第一至第三發光部1000、1100及1200之至少另一者可發出紅綠光(RG)或黃綠光(YG)。以下將詳細說明有機發光二極體D4，其中第一及第三發光部1000及1200發出藍光(B)，第二發光部1100發出紅綠光(RG)及/或黃綠光(YG)。
第一發光部1000包含設置於第一電極710及第一電荷產生層1070之間的第一發光材料層1040。第一發光部1000可包含設置於第一電極710及第一發光材料層1040之間的第一電子阻擋層1030以及設置於第一發光材料層1040及第一電荷產生層1070之間的第一電洞阻擋層1050。此外，第一發光部1000可更包含設置於第一電極710及第一電子阻擋層1030之間的電洞注入層1010、設置於電洞注入層1010及第一電子阻擋層1030之間的第一電洞傳輸層1020以及可選擇地包含設置於第一電洞阻擋層1050及第一電荷產生層1070之間的第一電子傳輸層。
第二發光部1100包含設置於第一電荷產生層1070及第二電荷產生層1170之間的第二發光材料層1140。第二發光部1100可包含設置於第一電荷產生層1070及第二發光材料層1140之間的第二電洞傳輸層1120以及設置於第二發光材料層1140及第二電荷產生層1170之間的第二電子傳輸層1150。此外，第二發光部1100可更包含設置於第二電洞傳輸層1120及第二發光材料層1140之間的第二電子阻擋層及/或設置於第二發光材料層1140及第二電子傳輸層1150之間的第二電洞阻擋層。
第三發光部1200包含設置於第二電荷產生層1170及第二電極720之間的第三發光材料層(EML3) 1240。第三發光部1200可包含設置於第二電荷產生層1170及第三發光材料層1240之間的第三電子阻擋層(EBL3) 1230以及設置於第三發光材料層1240及第二電極720之間的第三電洞阻擋層(HBL3) 1250。此外，第三發光部1200可更包含設置於第二電荷產生層1170及第三電子阻擋層1230之間的第三電洞傳輸層(HTL3) 1220、設置於第三電洞阻擋層1250及第二電極720之間的電子注入層1260以及可選擇地包含設置於第三電洞阻擋層1250及電子注入層1260之間的第三電子傳輸層(ETL3)。
第一電荷產生層1070設置於第一發光部1000及第二發光部1100之間。第一電荷產生層1070可為具有第一N型電荷產生層1080及第一P型電荷產生層1090之PN接合電荷產生層。第一N型電荷產生層1080設置於第一電洞阻擋層1050及第二電洞傳輸層1120之間，第一P型電荷產生層1090設置於第一N型電荷產生層1080及第二電洞傳輸層1120之間。第一N型電荷產生層1080將電子注入至第一發光部1000，第一P型電荷產生層1090將電洞注入至第二發光部1100。
第二電荷產生層1170設置於第二發光部1100及第三發光部1200之間。第二電荷產生層1170可為具有第二N型電荷產生層1180及第二P型電荷產生層1190之PN接合電荷產生層。第二N型電荷產生層1180可設置於第二電子傳輸層1150及第三電洞傳輸層1220之間，第二P型電荷產生層1190設置於第二N型電荷產生層1180及第三電洞傳輸層1220之間。第二N型電荷產生層1180將電子注入至第二發光部1100，第二P型電荷產生層1190將電洞注入至第三發光部1200。
電洞注入層1010、第一電洞傳輸層1020、第二電洞傳輸層1120、第三電洞傳輸層1220、電子注入層1260、第一電荷產生層1070及第二電荷產生層1170可各自獨立包含如上所述之相同的材料。第一電洞傳輸層1020、第二電洞傳輸層1120及第三電洞傳輸層1220可各自包含彼此相同或不同的材料。此外，第一電荷產生層1070可包含與第二電荷產生層1170相同或不同的材料。
第一發光材料層1040包含具有化學式1至6之結構的發光化合物之第一摻雜物1042以及基於蒽之化合物之第一主體材料1044，而使得第一發光材料層1040發出藍光(B)。第三發光材料層1240包含具有化學式1至6之結構的發光化合物之第二摻雜物1242以及基於蒽之化合物之第二主體材料1244，而使得第三發光材料層1240發出藍光(B)。
發光化合物之第一摻雜物1042及第二摻雜物1242以及基於蒽之化合物之第一主體材料1044及第二主體材料1244各自可不被氘化或是可至少部分被氘化。第一摻雜物1042可相同於或不同於第二摻雜物1242，第一主體材料1044可相同於或不同於第二主體材料1244。
在一示例性實施例中，分別在第一發光材料層1040及第三發光材料層1240中，第一主體材料1044及第二主體材料1244各自的含量可獨立為約70 wt%至約99.9 wt%，第一摻雜物1042及第二摻雜物1242各自的含量可獨立為約0.1 wt%至約30 wt%。舉例而言，分別在第一發光材料層1040及第三發光材料層1240中，第一摻雜物1042及第二摻雜物1242的含量可為約0.1 wt%至約10 wt%，例如約1 wt%至約5 wt%，而使得第一發光材料層1040及第三發光材料層1240能實現足夠的發光效率及發光壽命。
第一電子阻擋層1030及第三電子阻擋層1230各自分別防止電子從第一發光材料層1040或第三發光材料層1240傳遞至第一電極710或第二電荷產生層1170。第一電子阻擋層1030及第三電子阻擋層1230可各自分別獨立包含具有化學式11至12之結構的基於螺芳基胺之化合物。第一電子阻擋層1030中之電子阻擋材料可相同於或不同於第三電子阻擋層1230中之電子阻擋材料。
第一電洞阻擋層1050及第三電洞阻擋層1250各自分別防止電洞從第一發光材料層1040或第三發光材料層1240傳遞至第一電荷產生層1070或第二電極720。第一電洞阻擋層1050及第三電洞阻擋層1250可各自分別獨立包含具有化學式13至14之結構的基於𠯤之化合物及/或具有化學式15至16之結構的基於苯并咪唑之化合物。第一電洞阻擋層1050中之電洞阻擋材料可相同於或不同於第三電洞阻擋層1250中之電洞阻擋材料。
如上所述，具有化學式13至16之結構的化合物具有優異的電子傳輸性質與電洞阻擋性質。因此，第一電洞阻擋層1050及第三電洞阻擋層1250可各自發揮電洞阻擋層及電子傳輸層的功能。
在一示例性態樣中，第二發光材料層1140可發出黃綠光(YG)。舉例而言，第二發光材料層1140可包含黃綠色摻雜物1143及主體材料1145。
或者，第二發光材料層1140可發出紅綠光(RG)，並可包含紅色及綠色摻雜物1143以及主體材料1145。在此情況下，第二發光材料層1140可具有包含主體材料、綠色摻雜物及紅色摻雜物之單層結構，或可具有包含下層(第一層)及上層(第二層)之雙層結構，其中下層(第一層)包含主體材料及綠色摻雜物(或紅色摻雜物)，上層(第二層)包含主體材料及紅色摻雜物(或綠色摻雜物)。
在另一態樣中，第二發光材料層1140可具有第一層、第二層及第三層之三層結構，其中第一層包含主體材料及紅色摻雜物，第二層包含主體材料及黃綠色摻雜物，第三層包含主體材料及綠色摻雜物。第二發光材料層1140中之摻雜物1143及主體材料1145可相同於如上參考圖6所述之對應的材料。
第一電子傳輸層、第二電子傳輸層1150、第三電子傳輸層、設置於第二電洞傳輸層1120及第二發光材料層1140之間的第二電子阻擋層以及設置於第二發光材料層1140及第二電子傳輸層1150之間的第二電洞阻擋層可各自包含與如上所述之材料相同的材料。
第一發光材料層1040及第三發光材料層1240各自包含具有化學式1至6之結構的發光化合物之第一及第二摻雜物1042及1242以及基於蒽之化合物之第一及第二主體材料1044及1244。因此，有機發光二極體D4及有機發光顯示裝置600能夠改善其發光效率及發光壽命。
此外，有機發光二極體D4包含各自發出藍光(B)之第一及第三發光部1000及1200以及發出黃綠光(YG)或紅綠光(RG)之第二發光部1100，從而有機發光二極體D4能夠發出白光(W)。
在圖7中，繪示具有三個發光部之串聯結構的有機發光二極體D4。或者，有機發光二極體可更包含至少一額外的發光部及至少一額外的電荷產生層。
此外，根據本發明之有機發光裝置可包含色彩轉換層。圖8為根據本發明另一示例性實施例所繪示之有機發光顯示裝置的剖面示意圖。
如圖8所示，有機發光顯示裝置1300包含第一基板1302、第二基板1304、薄膜電晶體Tr、有機發光二極體(OLED) D及色彩轉換層1380，其中第一基板1302界定出各紅色像素區域RP、綠色像素區域GP及藍色像素區域BP，第二基板1304面對第一基板1302，薄膜電晶體Tr位於第一基板1302之上，有機發光二極體D設置於第一基板1302及第二基板1304之間並發出藍光(B)，色彩轉換層1380設置於有機發光二極體D及第二基板1304之間。儘管圖8未繪示，濾光層可設置於第二基板1304及各色彩轉換層1380之間。
薄膜電晶體Tr設置於第一基板1302之上並對應各紅色像素區域RP、綠色像素區域GP及藍色像素區域BP。鈍化層1360形成且覆蓋整個第一基板1302之上的薄膜電晶體Tr，其中鈍化層1360具有暴露一電極(例如構成薄膜電晶體Tr的汲極電極)的汲極接觸孔1362。
有機發光二極體D包含第一電極1410、發光層1430及第二電極1420，並設置於鈍化層1360之上。第一電極1410可透過汲極接觸孔1362連接於薄膜電晶體Tr的汲極電極。此外，覆蓋第一電極1410的邊緣的堤層1364形成於紅色像素區域RP、綠色像素區域GP及藍色像素區域BP之間的邊界處。在此情況下，有機發光二極體D可具有圖3或圖4之結構，並可發出藍光(B)。有機發光二極體D設置於各紅色像素區域RP、綠色像素區域GP及藍色像素區域BP中以提供藍光(B)。
色彩轉換層1380可包含對應紅色像素區域RP的第一色彩轉換層1382以及對應綠色像素區域GP的第二色彩轉換層1384。作為一示例，色彩轉換層1380可包含無機發光材料，例如量子點(quantum dot，QD)。
從紅色像素區域RP中之有機發光二極體D發出的藍光(B)藉由第一色彩轉換層1382轉換成紅光(R)，從綠色像素區域GP中之有機發光二極體D發出的藍光(B)藉由第二色彩轉換層1384轉換成綠光(G)。因此，有機發光顯示裝置1300能夠實現彩色影像。
此外，當從有機發光二極體D發出的光線透過第一基板1302顯示時，色彩轉換層1380可設置於有機發光二極體D及第一基板1302之間。
合成示例1：化合物1-1的合成
(1)中間產物1-1C的合成
〔反應式1-1〕
Figure 02_image066
將化合物1-1A (8.5克(g)，50毫莫耳(mmol))、化合物1-1B (23.0 g，50 mmol)、乙酸鈀(0.45 g，2 mmol)、三級丁醇鈉(18.9 g，196 mmol)、三(三級丁基)膦(0.8 g, 4 mmol)及甲苯(300毫升(ml))放入500 ml反應容器，接著將溶液攪拌回流5小時。反應完成後，將溶液過濾，將濾液濃縮，接著以管柱層析分離粗產物以獲得中間產物1-1C(17.8 g，產率：60%)。
(2)化合物1-1的合成
〔反應式1-2〕
Figure 02_image068
將中間產物1-1C (7.4 g，12.5 mmol)及三級丁基苯(60 ml)放入500 ml反應容器。將正丁基鋰(45 ml，37.5 mmol)於-78°C逐滴加入反應容器，接著將溶液於60°C攪拌3小時。將氮氣於60°C吹入反應容器以移除副產物，將三溴化硼(6.3 g，25 mmol)於-78°C逐滴加入溶液，接著將溶液於室溫(RT)攪拌1小時。將N,N-二異丙基胺(3.2 g，25 mmol)於0°C逐滴加入溶液，接著將溶液於120°C攪拌2小時。反應完成後，將乙酸鈉水溶液於室溫加入反應容器，接著將溶液攪拌。使用乙酸乙酯萃取有機層並將其濃縮，接著以管柱層析純化粗產物以獲得化合物1-1 (1.1 g，產率：16%)。
合成示例2：化合物1-2的合成
(1)中間產物1-2C的合成
〔反應式2-1〕
Figure 02_image070
將化合物1-2A (8.5 g，50 mmol)、化合物1-2B (23.0 g，50 mmol)、乙酸鈀(0.45 g，2 mmol)、三級丁醇鈉(18.9 g，196 mmol)、三(三級丁基)膦(0.8 g，4 mmol)及甲苯(300 ml)放入500 ml反應容器，接著將溶液攪拌回流5小時。反應完成後，將溶液過濾，將濾液濃縮，接著以管柱層析分離粗產物以獲得中間產物1-2C (18.3 g，產率：62%)。
(2)化合物1-2的合成
〔反應式2-2〕
Figure 02_image072
將中間產物1-2C (7.0 g，12.5 mmol)及三級丁基苯(60 ml)放入500 ml反應容器。將正丁基鋰(45 ml，37.5 mmol)於-78°C逐滴加入反應容器，接著將溶液於60°C攪拌3小時。將氮氣於60°C吹入反應容器以移除副產物，將三溴化硼(6.3 g，25 mmol)於-78°C逐滴加入溶液，接著將溶液於室溫攪拌1小時。將N,N-二異丙基胺(3.2 g，25 mmol)於0°C逐滴加入溶液，接著將溶液於120°C攪拌2小時。反應完成後，將乙酸鈉水溶液於室溫加入反應容器，接著將溶液攪拌。使用乙酸乙酯萃取有機層並將其濃縮，接著以管柱層析純化粗產物以獲得化合物1-2 (1.3 g，產率：19%)。
合成示例3：化合物1-3的合成
(1)中間產物1-3C的合成
〔反應式3-1〕
Figure 02_image074
將化合物1-3A (34.7 g，110 mmol)、化合物1-3B (9.1 g，50 mmol)、乙酸鈀(0.45 g，2 mmol)、三級丁醇鈉(18.9 g，196 mmol)、三(三級丁基)膦(0.8 g，4 mmol)及甲苯(300 ml)放入500 ml反應容器，接著將溶液攪拌回流5小時。反應完成後，將溶液過濾，將濾液濃縮，接著以管柱層析分離粗產物以獲得中間產物1-3C (19.2 g，產率：52%)。
(2)化合物1-3的合成
〔反應式3-2〕
Figure 02_image076
將中間產物1-3C (9.2 g，12.5 mmol)及三級丁基苯(60 ml)放入500 ml反應容器。將正丁基鋰(45 ml，37.5 mmol)於-78°C逐滴加入反應容器，接著將溶液於60°C攪拌3小時。將氮氣於60°C吹入反應容器以移除副產物，將三溴化硼(6.3 g，25 mmol)於-78°C逐滴加入溶液，接著將溶液於室溫攪拌1小時。將N,N-二異丙基胺(3.2 g，25 mmol)於0°C逐滴加入溶液，接著將溶液於120°C攪拌2小時。反應完成後，將乙酸鈉水溶液於室溫加入反應容器，接著將溶液攪拌。使用乙酸乙酯萃取有機層並將其濃縮，接著以管柱層析純化粗產物以獲得化合物1-3 (1.6 g，產率：18%)。
合成示例4：化合物1-4的合成
(1)中間產物1-4C的合成
〔反應式4-1〕
Figure 02_image078
將化合物1-4A (8.5 g，50 mmol)、化合物1-4B (22.2 g，50 mmol)、乙酸鈀(0.45 g，2 mmol)、三級丁醇鈉(18.9 g，196 mmol)、三(三級丁基)膦(0.8 g，4 mmol)及甲苯(300 ml)加入500 ml反應容器，接著將溶液攪拌回流5小時。反應完成後，將溶液過濾，將濾液濃縮，接著以管柱層析分離粗產物以獲得中間產物1-4C (18.5 g，產率：64%)。
(2)化合物1-4的合成
〔反應式4-2〕
Figure 02_image080
將中間產物1-4C (7.2 g，12.5 mmol)及三級丁基苯(60 ml)放入500 ml反應容器。將正丁基鋰(45 ml，37.5 mmol)於-78°C逐滴加入反應容器，接著將溶液於60°C攪拌3小時。將氮氣於60°C吹入反應容器以移除副產物，將三溴化硼(6.3 g，25 mmol)於-78°C逐滴加入溶液，接著將溶液於室溫攪拌1小時。將N,N-二異丙基胺(3.2 g，25 mmol)於0°C逐滴加入溶液，接著將溶液於120°C攪拌2小時。反應完成後，將乙酸鈉水溶液於室溫加入反應容器，接著將溶液攪拌。使用乙酸乙酯萃取有機層並將其濃縮，接著以管柱層析純化粗產物以獲得化合物1-4 (1.0 g，產率：15%)。
合成示例5：化合物1-6的合成
(1)中間產物1-6C的合成
〔反應式5-1〕
Figure 02_image082
將化合物1-6A (32.9 g，110 mmol)、化合物1-6B (9.1 g，50 mmol)、乙酸鈀(0.45 g，2 mmol)、三級丁醇鈉(18.9 g，196 mmol)、三(三級丁基)膦(0.8 g，4 mmol)及甲苯(300 ml)加入500 ml反應容器，接著將溶液攪拌回流5小時。反應完成後，將溶液過濾，將濾液濃縮，接著以管柱層析分離粗產物以獲得中間產物1-6C (19.1 g，產率：54%)。
(2)化合物1-6的合成
〔反應式5-2〕
Figure 02_image084
將中間產物1-6C (8.8 g，12.5 mmol)及三級丁基苯(60 ml)加入500 ml反應容器。將正丁基鋰(45 ml，37.5 mmol)於-78°C逐滴加入反應容器，接著將溶液於60°C攪拌3小時。將氮氣於60°C吹入反應容器以移除副產物，將三溴化硼(6.3 g，25 mmol)於-78°C逐滴加入溶液，接著將溶液於室溫攪拌1小時。將N,N-二異丙基胺(3.2 g，25 mmol)於0°C逐滴加入溶液，接著將溶液於120°C攪拌2小時。反應完成後，將乙酸鈉水溶液於室溫加入反應容器，接著將溶液攪拌。使用乙酸乙酯萃取有機層並將其濃縮，接著以管柱層析純化粗產物以獲得化合物1-6 (1.4 g，產率：17%)。
示例1 (Ex.1)：有機發光二極體的製造
將於合成示例1所獲得之化合物1-1應用於發光材料層，製造有機發光二極體。將塗佈有ITO(100 nm)作為薄膜之玻璃基板以溶劑(例如異丙醇、丙酮)超聲波清理及清洗並於100°C烘箱乾燥。將基板轉移至真空腔室以沉積發光層。隨後，在約5～7x10 -7Torr下以沉積速率1 Å/s之設定藉由舟蒸鍍(heating boat)以下列順序沉積發光層及陰極：
電洞注入層(化學式9 (97 wt%)及化學式10 (3 wt%)，100 Å)；電洞傳輸層(化學式9，100 Å)；電子阻擋層(化學式12中之H23，100 Å)；發光材料層(主體材料(化學式8中之2-1，98 wt%)及摻雜物(1-1，2 wt%)，200 Å)；電洞阻擋層(化學式14中之E1，100 Å)；電子注入層(化學式17 (98 wt%)，Li (2 wt%)，200 Å)；以及陰極(Al，500 Å)。
接著，以UV固化環氧樹脂及吸濕劑(moisture getter)封裝有機發光二極體。
示例2～5 (Ex. 2～5)：有機發光二極體的製造
除了分別使用化合物1-2 (Ex. 2)、化合物1-3 (Ex. 3)、化合物1-4 (Ex. 4)及化合物1-6 (Ex. 5)取代化合物1-1作為發光材料層中之摻雜物以外，使用與示例1相同的程序與相同的材料製造有機發光二極體。
比較例1～2 (Ref. 1～2)：有機發光二極體的製造
除了分別使用以下Ref-1 (Ref. 1)及Ref-2 (Ref. 2)取代化合物1-1作為發光材料層中之摻雜物以外，使用與示例1相同的程序與相同的材料製造有機發光二極體。
〔參考化合物〕
Figure 02_image086
實驗1：量測有機發光二極體的發光特性
將於示例1至5及比較例1至2所製造之有機發光二極體(具有9 mm 2發光面積)各自連接於外部電源，接著使用恆定電流電源(KEITHLEY)及光度計PR650於室溫下評估所有有機發光二極體的發光特性。尤其係量測電流密度10 mA/cm 2時之驅動電壓(V)、外部量子效率(EQE)、CIE色座標以及亮度從最初亮度減少至95%之時間(T 95，相對值)。量測結果揭示於下表1。
表1：有機發光二極體的發光特性
樣品 摻雜物 V EQE (%) CIE(x, y) T 95(hr)
Ref. 1 Ref-1 3.95 6.31 (0.140, 0.060) 76
Ref. 2 Ref-2 3.94 6.28 (0.140, 0.075) 72
Ex.1 1-1 3.91 7.05 (0.140, 0.088) 70
Ex.2 1-2 3.94 7.03 (0.142, 0.089) 72
Ex.3 1-3 3.89 7.28 (0.140, 0.112) 66
Ex.4 1-4 3.91 7.10 (0.141, 0.087) 84
Ex.5 1-6 3.92 7.30 (0.141, 0.111) 61
如表1所示，相較於比較例所製造之有機發光二極體，以根據本發明之發光化合物作為發光材料層中之摻雜物的有機發光二極體展現出相同或稍低的驅動電壓，並改善其EQE及T 95分別達16.6%及16.7%。因此，發明人證實藉由將發光化合物作為摻雜物應用於發光材料層，有機發光二極體能夠降低其驅動電壓並改善其發光效率及發光壽命。
對於本領域具有通常知識者顯而易見的是，在不脫離本發明的範圍下，可對本發明進行多種修改及變化。因此，本發明涵蓋本發明所提供之修改及變化，且這些修改及變化落於申請專利範圍的範圍。
DL:資料線路 GL:閘極線路 PL:電源線路 Ts:開關薄膜電晶體 Td:驅動薄膜電晶體 Cst:儲存電容器 D、D1、D2、D3、D4:有機發光二極體 P:像素區域 Tr:薄膜電晶體 RP:紅色像素區域 GP:綠色像素區域 BP:藍色像素區域 100、600、1300:有機發光顯示裝置 102:基板 602、1302:第一基板 604、1304:第二基板 106、606:緩衝層 110、610:半導體層 120、620:閘極絕緣層 130、630:閘極電極 140、640:層間絕緣層 142、642:第一半導體層接觸孔 144、644:第二半導體層接觸孔 152、652:源極電極 154、654:汲極電極 160、660、1360:鈍化層 162、662、1362:汲極接觸孔 164、664、1364:堤層 170:封裝膜 172:第一無機絕緣膜 174:有機絕緣膜 176:第二無機絕緣膜 210、710、1410:第一電極 220、720、1420:第二電極 230、230A、730、730A、1430:發光層 680:濾光層 682:紅色濾光器 684:綠色濾光器 686:藍色濾光器 1380:色彩轉換層 1382:第一色彩轉換層 1384:第二色彩轉換層 310、410、810、1010:電洞注入層 320:電洞傳輸層 330:電子阻擋層 340:發光材料層 342、842、943、1143:摻雜物 344、844、945、1145:主體材料 350:電洞阻擋層 360、560、960、1260:電子注入層 400、800、1000:第一發光部 420、820、1020:第一電洞傳輸層 430、830、1030:第一電子阻擋層 440、840、1040:第一發光材料層 442、1042:第一摻雜物 444、1044:第一主體材料 450、850、1050:第一電洞阻擋層 470、870:電荷產生層 480、880:N型電荷產生層 490、890:P型電荷產生層 500、900、1100:第二發光部 520、920、1120:第二電洞傳輸層 530:第二電子阻擋層 540、940、1140:第二發光材料層 542、1242:第二摻雜物 544、1244:第二主體材料 550:第二電洞阻擋層 950、1150:第二電子傳輸層 1070:第一電荷產生層 1080:第一N型電荷產生層 1090:第一P型電荷產生層 1170:第二電荷產生層 1180:第二N型電荷產生層 1190:第二P型電荷產生層 1200:第三發光部 1230:第三電子阻擋層 1240:第三發光材料層 1250:第三電洞阻擋層
附圖被包含於此以提供對本發明之進一步的理解並合併於本申請案且構成本申請案的一部分，附圖繪示本發明之實施例並與以下說明一起用以解釋本發明的原理。
圖1為根據本發明所繪示之有機發光顯示裝置的電路示意圖。
圖2為根據本發明一示例性態樣所繪示之作為有機發光裝置之一示例的有機發光顯示裝置的剖面示意圖。
圖3為根據本發明一示例性態樣所繪示之具有單一發光部的有機發光二極體的剖面示意圖。
圖4為根據本發明另一示例性態樣所繪示之具有雙層堆疊結構的有機發光二極體的剖面示意圖。
圖5為根據本發明另一示例性態樣所繪示之有機發光顯示裝置的剖面示意圖。
圖6為根據本發明另一示例性態樣所繪示之具有雙層堆疊結構的有機發光二極體的剖面示意圖。
圖7為根據本發明另一示例性態樣所繪示之具有三層堆疊結構的有機發光二極體的剖面示意圖。
圖8為根據本發明另一示例性態樣所繪示之有機發光顯示裝置的剖面示意圖。
Figure 110129055-A0101-11-0003-3
D1:有機發光二極體
210:第一電極
220:第二電極
230:發光層
310:電洞注入層
320:電洞傳輸層
330:電子阻擋層
340:發光材料層
342:摻雜物
344:主體材料
350:電洞阻擋層
360:電子注入層

Claims (21)

  1. 一種發光化合物，具有以下化學式1之結構：〔化學式1〕
    Figure 03_image001
    其中A 1及A 2各自獨立為未取代或經取代之C 4-C 30脂環、未取代或經取代之C 3-C 30雜脂環、未取代或經取代之C 6-C 30芳環或是未取代或經取代之C 3-C 30雜芳環；A 3為未取代或經取代之C 6-C 30芳環或是未取代或經取代之C 3-C 30雜芳環；X為硼原子、P=O或P=S；Y 1及Y 2各自獨立為CR 3R 4、NR 3、O、S或SiR 3R 4；Z 1為碳原子，Z 2及Z 3之一者為CR 5或N，Z 2及Z 3之另一者為O或S，係為CR 5或N之Z 2或Z 3以雙鍵連接於Z 1；R 1及R 2各自獨立選自由氕、氘、鹵素、氰基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 2-C 20烯基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、羧基、腈基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基矽基、未取代或經取代之C 1-C 20鹵烷基、未取代或經取代之C 4-C 30脂環基、未取代或經取代之C 3-C 30雜脂環基、未取代或經取代之C 6-C 30芳族基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳族基組成之群組，或是R 1與R 2形成未取代或經取代之C 4-C 20脂環、未取代或經取代之C 3-C 20雜脂環、未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環；R 3至R 5各自獨立選自由氕、氘、鹵素、氰基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 2-C 20烯基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、羧基、腈基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基矽基、未取代或經取代之C 1-C 20鹵烷基、未取代或經取代之C 4-C 30脂環基、未取代或經取代之C 3-C 30雜脂環基、未取代或經取代之C 6-C 30芳族基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳族基組成之群組。
  2. 如請求項1所述之發光化合物，其中X包含硼，Z 2及Z 3之一者為N，Z 2及Z 3之另一者為O或S，R 1與R 2形成未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環。
  3. 如請求項1所述之發光化合物，其中該發光化合物具有以下化學式2之結構：〔化學式2〕
    Figure 03_image007
    其中A 4及A 5各自獨立為未取代或經取代之C 6-C 30芳環或是未取代或經取代之C 3-C 30雜芳環；Y 3及Y 4各自獨立為NR 13或O；Z 11為碳原子，Z 12及Z 13之一者為N，Z 12及Z 13之另一者為O或S，係為N之Z 12或Z 13以雙鍵連接於Z 11；R 11及R 12各自獨立選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 30芳基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳基組成之群組，或是R 11與R 12形成未取代或經取代之C 4-C 20脂環、未取代或經取代之C 3-C 20雜脂環、未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環；R 13選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 30芳族基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳族基組成之群組。
  4. 如請求項3所述之發光化合物，其中R 11與R 12形成未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環。
  5. 如請求項3所述之發光化合物，其中該發光化合物以下化學式3之結構：〔化學式3〕
    Figure 03_image009
    其中R 11、R 12、Z 11、Z 12及Z 13各自相同於化學式2中所定義；R 21至R 24各自獨立選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 10烷基、未取代或經取代之C 1-C 10烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 20芳基及未取代或經取代之C 3-C 20雜芳基組成之群組，當a為二或更多時，各R 21彼此相同或不同，當b為二或更多時，各R 22彼此相同或不同，當c為二或更多時，各R 23彼此相同或不同，當d為二或更多時，各R 24彼此相同或不同，a、b、c及d各自分別為取代基R 21、R 22、R 23及R 24的數量，a及b各自獨立為0至5之整數，c為0至3之整數，d為0至4之整數。
  6. 如請求項1所述之發光化合物，其中該發光化合物具有以下化學式4之結構：〔化學式4〕
    Figure 03_image011
    其中A 5為未取代或經取代之C 6-C 30芳環或是未取代或經取代之C 3-C 30雜芳環；Y 3及Y 4各自獨立為NR 15或O；Z 11及Z 21各自為碳原子，Z 12及Z 13之一者為N，Z 12及Z 13之另一者為O或S，係為N之Z 12或Z 13以雙鍵連接於Z 11，Z 22及Z 23之一者為N，Z 22及Z 23之另一者為O或S，係為N之Z 22或Z 23以雙鍵連接於Z 21，R 11至R 14各自獨立選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 30芳基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳基組成之群組，或是R 11與R 12及R 13與R 14各自獨立形成未取代或經取代之C 4-C 20脂環、未取代或經取代之C 3-C 20雜脂環、未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環；R 15選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 30芳族基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳族基組成之群組。
  7. 如請求項6所述之發光化合物，其中R 11與R 12及R 13與R 14各自獨立形成未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環。
  8. 如請求項6所述之發光化合物，其中該發光化合物具有以下化學式5之結構：〔化學式5〕
    Figure 03_image013
    其中R 11至R 14、Z 11至Z 13及Z 21至Z 23各自相同於化學式4中所定義；R 21至R 23各自獨立選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 10烷基、未取代或經取代之C 1-C 10烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 20芳基及未取代或經取代之C 3-C 20雜芳基組成之群組，當a為二或更多時，各R 21彼此相同或不同，當b為二或更多時，各R 22彼此相同或不同，當c為二或更多時，各R 23彼此相同或不同，a、b及c各自分別為取代基R 21、R 22及R 23的數量，a及b各自獨立為0至5之整數，c為0至3之整數。
  9. 如請求項1所述之發光化合物，其中該發光化合物選自以下化合物：
    Figure 03_image015
    Figure 03_image017
    。
  10. 一種有機發光二極體，包含：一第一電極；一第二電極，面對該第一電極；以及一發光層，設置於該第一電極及該第二電極之間，並包含至少一發光材料層，其中該至少一發光材料層包含具有以下化學式1之結構的一發光化合物：〔化學式1〕
    Figure 03_image001
    其中A 1及A 2各自獨立為未取代或經取代之C 4-C 30脂環、未取代或經取代之C 3-C 30雜脂環、未取代或經取代之C 6-C 30芳環或是未取代或經取代之C 3-C 30雜芳環；A 3為未取代或經取代之C 6-C 30芳環或是未取代或經取代之C 3-C 30雜芳環；X為硼原子、P=O或P=S；Y 1及Y 2各自獨立為CR 3R 4、NR 3、O、S或SiR 3R 4；Z 1為碳原子，Z 2及Z 3之一者為CR 5或N，Z 2及Z 3之另一者為O或S，係為CR 5或N之Z 2或Z 3以雙鍵連接於Z 1；R 1及R 2各自獨立選自由氕、氘、鹵素、氰基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 2-C 20烯基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、羧基、腈基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基矽基、未取代或經取代之C 1-C 20鹵烷基、未取代或經取代之C 4-C 30脂環基、未取代或經取代之C 3-C 30雜脂環基、未取代或經取代之C 6-C 30芳族基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳族基組成之群組，或是R 1與R 2形成未取代或經取代之C 4-C 20脂環、未取代或經取代之C 3-C 20雜脂環、未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環；R 3至R 5各自獨立選自由氕、氘、鹵素、氰基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 2-C 20烯基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、羧基、腈基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基矽基、未取代或經取代之C 1-C 20鹵烷基、未取代或經取代之C 4-C 30脂環基、未取代或經取代之C 3-C 30雜脂環基、未取代或經取代之C 6-C 30芳族基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳族基組成之群組。
  11. 如請求項10所述之有機發光二極體，其中該發光化合物具有以下化學式2之結構：〔化學式2〕
    Figure 03_image007
    其中A 4及A 5各自獨立為未取代或經取代之C 6-C 30芳環或是未取代或經取代之C 3-C 30雜芳環；Y 3及Y 4各自獨立為NR 13或O；Z 11為碳原子，Z 12及Z 13之一者為N，Z 12及Z 13之另一者為O或S，係為N之Z 12或Z 13以雙鍵連接於Z 11；R 11及R 12各自獨立選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 30芳基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳基組成之群組，或是R 11與R 12形成未取代或經取代之C 4-C 20脂環、未取代或經取代之C 3-C 20雜脂環、未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環；R 13選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 30芳族基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳族基組成之群組。
  12. 如請求項11所述之有機發光二極體，其中該發光化合物具有以下化學式3之結構：〔化學式3〕
    Figure 03_image009
    其中R 11、R 12、Z 11、Z 12及Z 13各自相同於化學式2中所定義；R 21至R 24各自獨立選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 10烷基、未取代或經取代之C 1-C 10烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 20芳基及未取代或經取代之C 3-C 20雜芳基組成之群組，當a為二或更多時，各R 21彼此相同或不同，當b為二或更多時，各R 22彼此相同或不同，當c為二或更多時，各R 23彼此相同或不同，當d為二或更多時，各R 24彼此相同或不同，a、b、c及d各自分別為取代基R 21、R 22、R 23及R 24的數量，a及b各自獨立為0至5之整數，c為0至3之整數，d為0至4之整數。
  13. 如請求項10所述之有機發光二極體，其中該發光化合物具有以下化學式4之結構：〔化學式4〕
    Figure 03_image011
    其中A 5為未取代或經取代之C 6-C 30芳環或是未取代或經取代之C 3-C 30雜芳環；Y 3及Y 4各自獨立為NR 15或O；Z 11及Z 21各自為碳原子，Z 12及Z 13之一者為N，Z 12及Z 13之另一者為O或S，係為N之Z 12或Z 13以雙鍵連接於Z 11，Z 22及Z 23之一者為N，Z 22及Z 23之另一者為O或S，係為N之Z 22或Z 23以雙鍵連接於Z 21，R 11至R 14各自獨立選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 30芳基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳基組成之群組，或是R 11與R 12及R 13與R 14各自獨立形成未取代或經取代之C 4-C 20脂環、未取代或經取代之C 3-C 20雜脂環、未取代或經取代之C 6-C 20芳環或是未取代或經取代之C 3-C 20雜芳環；R 15選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 20烷基、未取代或經取代之C 1-C 20烷氧基、胺基、未取代或經取代之C 1-C 20烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 30芳族基及未取代或經取代之C 3-C 30雜芳族基組成之群組。
  14. 如請求項13所述之有機發光二極體，其中該發光化合物具有以下化學式5之結構：〔化學式5〕
    Figure 03_image013
    其中R 11至R 14、Z 11至Z 13及Z 21至Z 23各自相同於化學式4中所定義；R 21至R 23各自獨立選自由氕、氘、鹵素、未取代或經取代之C 1-C 10烷基、未取代或經取代之C 1-C 10烷基胺基、未取代或經取代之C 6-C 20芳基及未取代或經取代之C 3-C 20雜芳基組成之群組，當a為二或更多時，各R 21彼此相同或不同，當b為二或更多時，各R 22彼此相同或不同，當c為二或更多時，各R 23彼此相同或不同，a、b及c各自分別為取代基R 21、R 22及R 23的數量，a及b各自獨立為0至5之整數，c為0至3之整數。
  15. 如請求項10所述之有機發光二極體，其中該至少一發光材料層包含一主體材料及一摻雜物，其中該摻雜物包含該發光化合物。
  16. 如請求項15所述之有機發光二極體，其中該主體材料包含具有以下化學式7之結構的一基於蒽之化合物：〔化學式7〕
    Figure 03_image096
    其中Ar 1及Ar 2各自獨立為C 6-C 30芳基或C 5-C 30雜芳基，其中該芳基及該雜芳基各自獨立為未取代或經氘及C 1-C 10烷基之至少一者取代；L為單鍵或C 6-C 30伸芳基，其中該伸芳基為未取代或經氘及C 1-C 10烷基之至少一者取代；R 51至R 58各自獨立選自由氕、氘及C 1-C 10烷基組成之群組。
  17. 如請求項10所述之有機發光二極體，其中該發光層包含一第一發光部、一第二發光部及一第一電荷產生層，該第一發光部設置於該第一電極及該第二電極之間並包含一第一發光材料層，該第二發光部設置於該第一發光部及該第二電極之間並包含一第二發光材料層，該第一電荷產生層設置於該第一發光部及該第二發光部之間，其中該第一發光材料層及該第二發光材料層之至少一者包含該發光化合物。
  18. 如請求項17所述之有機發光二極體，其中該發光層更包含一第三發光部及一第二電荷產生層，該第三發光部設置於該第二發光部及該第二電極之間並包含一第三發光材料層，該第二電荷產生層設置於該第二發光部及該第三發光部之間。
  19. 一種有機發光裝置，包含：一基板；以及如請求項10所述之有機發光二極體，位於該基板之上。
  20. 如請求項19所述之有機發光裝置，其中該基板界定一紅色像素區域、一綠色像素區域及一藍色像素區域，該有機發光二極體位於對應該紅色像素區域、該綠色像素區域及該藍色像素區域的位置，該有機發光裝置更包含一濾光層，該濾光層設置於該基板及該有機發光二極體之間或位於對應該紅色像素區域、該綠色像素區域及該藍色像素區域之該有機發光二極體之上。
  21. 如請求項19所述之有機發光裝置，其中該基板界定一紅色像素區域、一綠色像素區域及一藍色像素區域，該有機發光二極體位於對應該紅色像素區域、該綠色像素區域及該藍色像素區域的位置，該有機發光裝置更包含一色彩轉換層，該色彩轉換層設置於該基板及該有機發光二極體之間或位於對應該紅色像素區域及該綠色像素區域之該有機發光二極體之上。
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