TW202224921A - 積層膜及應變感測器之製造方法 - Google Patents

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安井智史
澁谷克則
梨木智剛
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Abstract

本發明之積層膜(1)於厚度方向上依序具備絕緣性之基材膜(2)、及電阻層(3)。電阻層(3)之厚度為150 nm以下。將積層膜(1)以相互正交之第1方向及第2方向上各自之長度為15 mm及5 mm之方式進行切割而製作樣品，於85℃、85%RH之氛圍下，以49 mN/5 mm之力將樣品之第1方向兩端部拉伸4小時後，第1方向及第2方向上各自之尺寸變化率之絕對值均為0.025%以下。

Description

積層膜及應變感測器之製造方法
本發明係關於一種積層膜及應變感測器之製造方法。
先前，已知有一種應變計，其具備包含聚醯亞胺之基材、及形成於基材之上的包含氮化鉻之電阻體(例如，參照下述專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2019-66312號公報
[發明所欲解決之問題]
但，要求應變計可抑制因在濕熱環境下保管所引起之溫度電阻係數之變動。然而，專利文獻1所記載之應變計有無法充分滿足上述要求之缺陷。
又，有如下缺陷：若應變計之電阻體產生裂痕，則無法感測受檢體之應變。
本發明提供一種因在濕熱環境下保管所引起之溫度電阻係數之變動得到抑制、且裂痕之產生得到抑制之積層膜及應變感測器之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明(1)包含一種積層膜，其於厚度方向上依序具備絕緣性之基材膜、及電阻層，且上述電阻層之厚度為150 nm以下，將上述積層膜以與上述厚度方向正交且相互正交之第1方向及第2方向上各自之長度為15 mm及5 mm之方式進行切割而製作樣品，於85℃、85%RH之氛圍下，以49 mN/5 mm之力將上述樣品之第1方向兩端部拉伸4小時後，上述第1方向及上述第2方向上各自之尺寸變化率之絕對值均為0.025%以下。
本發明之積層膜中，由於各第1方向及第2方向上之積層膜之尺寸變化率之絕對值均為0.025%以下，故因在濕熱環境下保管所引起之溫度電阻係數之變動得到抑制。又，本發明之積層膜中，由於電阻層之厚度為150 nm以下，故可抑制裂痕之產生。
本發明(2)包含一種積層膜，其於厚度方向上依序具備絕緣性之基材膜、及電阻層，且上述電阻層之厚度為150 nm以下，將上述基材膜以與上述厚度方向正交且相互正交之第1方向及第2方向上各自之長度為15 mm及5 mm之方式進行切割而製作樣品，於85℃、85%RH之氛圍下，以49 mN/5 mm之力將上述樣品之第1方向兩端部拉伸4小時後，上述第1方向及上述第2方向上各自之尺寸變化率之絕對值均為0.040%以下。
本發明之積層膜中，由於各第1方向及第2方向上之基材膜之尺寸變化率之絕對值均為0.040%以下，故積層膜因在濕熱環境下保管所引起之溫度電阻係數之變動得到抑制。又，本發明之積層膜中，由於電阻層之厚度為150 nm以下，故可抑制裂痕之產生。
本發明(3)包含如(1)或(2)之積層膜，其中上述電阻層包含氮化鉻。
本發明(4)包含如(1)至(3)之積層膜，其中上述基材膜為聚醯亞胺或聚萘二甲酸乙二酯。
本發明(5)包含一種應變感測器之製造方法，其係將如(1)或(2)之積層膜中之上述電阻層圖案化而形成應變感測器部。
根據本發明之製造方法，可製造一種因在濕熱環境下保管所引起之溫度電阻係數之變動得到抑制、且裂痕之產生得到抑制之應變感測器。 [發明之效果]
本發明之積層膜、及藉由應變感測器之製造方法而製造之應變感測器，抑制了因在濕熱環境下保管所引起之溫度電阻係數之變動，且抑制了裂痕之產生。
＜第1實施方式＞ 參照圖1對本發明之積層膜之第1實施方式進行說明。
＜積層膜＞ 積層膜1係下文所要說明之應變感測器15(參照圖2A～圖2B)之製造中所使用之應變感測器用膜。即，積層膜1係用以製作應變感測器15之中間構件。但，積層膜1係作為零件獨立流通且能夠於產業上使用之器件。該積層膜1沿與厚度方向正交之面方向延伸。具體而言，積層膜1朝向厚度方向一側依序具備基材膜2及電阻層3。
＜基材膜＞ 基材膜2呈絕緣性。基材膜2形成積層膜1之厚度方向另一面。基材膜2沿面方向延伸。
關於基材膜2於25℃～155℃下之熱膨脹係數，在與厚度方向正交且相互正交之第1方向及第2方向之任一方向上，均例如為28 ppm/℃以下，較佳為20 ppm/℃以下，更佳為17 ppm/℃以下，又，例如為1 ppm/℃以上。若基材膜2之熱膨脹係數為上述上限以下，則可使積層膜1之尺寸變化率之絕對值(下述)為特定範圍。於下文之實施例中，熱膨脹係數之測定方法例如係按照JIS(Japanese Industrial Standards，日本工業標準) K 7197(1991)之記載來測定。
又，基材膜2於200℃下之熱收縮率例如為0.05%以下，較佳為0.04%以下，更佳為0.03%以下，特佳為0.02%以下，又，例如超過0%。若基材膜2之熱收縮率為上述上限以下，則可使積層膜1之尺寸變化率之絕對值(下述)為特定範圍。熱膨脹係數係按照JIS K 7133(1999)之記載來測定。
基材膜2之材料並無特別限定，具體而言，選擇具有上述熱膨脹係數及/或熱收縮率之範圍之材料。作為基材膜2之材料，例如，可列舉聚醯亞胺(PI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等樹脂。其等可單獨使用或併用。就獲得低熱膨脹係數及低熱收縮率之觀點而言，較佳為可列舉PI、PEN。基材膜2可使用市售品，例如，可使用Kapton200V、Kapton200EN、Kapton150EN(以上為東麗杜邦(TORAY DUPONT)公司製造之聚醯亞胺膜)、Teonex series(帝人公司製造之聚萘二甲酸乙二酯膜)等。
基材膜2之厚度並無特別限定，例如為2 μm以上，較佳為10 μm以上，更佳為20 μm以上，且例如為500 μm以下，較佳為300 μm以下，更佳為100 μm以下。
為了提高與電阻層3之密接性，可對基材膜2之厚度方向一面實施例如電暈放電處理、紫外線照射處理、電漿處理、濺鍍蝕刻處理等處理。
＜電阻層＞ 電阻層3係自積層膜1製造應變感測器15(參照圖2A～圖2B)時被圖案化之層。電阻層3配置於基材膜2之厚度方向一面。電阻層3形成積層膜1之厚度方向一面。具體而言，電阻層3與整個基材膜2之厚度方向一面接觸。
電阻層3包含氮化鉻。具體而言，電阻層3之材料含有氮化鉻作為主成分。另一方面，容許在電阻層3之材料中混入例如不可避免之雜質。電阻層3中之不可避免之雜質之比率例如為1原子%以下，較佳為0.1原子%以下，更佳為0.05原子%以下。較佳為電阻層3包含氮化鉻。
氮化鉻中，相對於鉻原子100莫耳份而言之氮原子之莫耳份例如為1.0莫耳份以上，且例如為10.0莫耳份以下。相對於鉻原子100莫耳份而言之氮原子之莫耳份係藉由拉塞福逆散射譜法(RBS)來測定。
電阻層3之厚度為150 nm以下。另一方面，若電阻層3之厚度超過150 nm，則電阻層3中易產生裂痕。
電阻層3之厚度較佳為100 nm以下，更佳為90 nm以下，進而佳為80 nm以下，又，例如為10 nm以上，較佳為20 nm以上。若電阻層3之厚度為上述下限以上，則可確保較高之靈敏係數。
＜積層膜之製造方法＞ 關於積層膜1之製造方法，例如以卷對卷方式形成積層膜1。
首先，於該方法中，例如準備長條之基材膜2。於該情形時，若將長度方向設為第1方向，將與長度方向及厚度方向正交之寬度方向設為第2方向，則基材膜2之第1方向上之50～200℃下之熱膨脹係數之絕對值例如為28 ppm/℃以下，較佳為20 ppm/℃以下，更佳為15 ppm/℃以下，又，例如為1 ppm/℃以上。基材膜2之第2方向上之50～200℃下之熱膨脹係數之絕對值例如為28 ppm/℃以下，較佳為15 ppm/℃以下，更佳為10 ppm/℃以下，又，例如為0.5 ppm/℃以上。
其次，於該方法中，一面搬送長條之基材膜2，一面於基材膜2之厚度方向一面形成電阻層3。作為該電阻層3之成膜方法，例如可列舉濺鍍法、真空蒸鍍法、離子鍍覆法等。較佳為可列舉濺鍍法，更佳為可列舉反應性濺鍍。
反應性濺鍍中，靶含有鉻，使用氬氣等惰性氣體與氮氣之混合氣體作為濺鍍氣體。相對於惰性氣體100體積份而言之氮氣之體積份數例如為0.5～15體積份。
藉此，製作具備基材膜2及電阻層3之積層膜1。
其後，視需要對積層膜1進行加熱，以提高電阻層3之結晶性從而提高穩定性。加熱溫度並無特別限定，例如為100℃以上，較佳為125℃以上，且例如為200℃以下，較佳為180℃以下。 加熱時間例如為1分鐘以上，較佳為5分鐘以上，且例如為3小時以下，較佳為2小時以下。
藉此，獲得具備基材膜2及電阻層3之積層膜1。
且，積層膜1之於第1方向及第2方向上各自之尺寸變化率之絕對值均為0.025%以下。由於積層膜1之於第1方向及第2方向上各自之尺寸變化率之絕對值均為0.025%以下，故因在濕熱環境下保管所引起之溫度電阻係數之變動得到抑制。
各第1方向及第2方向上之積層膜1之尺寸變化率之絕對值均較佳為0.020%以下，更佳為0.010%以下，進而佳為0.005%以下，特佳為0.003%以下，又，例如超過0.000%。
為了求出各第1方向及第2方向上之積層膜1之尺寸變化率，首先，將積層膜1以第1方向及第2方向上各自之長度為18 mm及5 mm之方式進行切割而製作樣品。其次，將樣品之第1方向兩端部使用夾盤治具以其間隔為15 mm之方式固定，於85℃、85%RH之氛圍下，以49 mN/5 mm之力拉伸4小時。測定拉伸後之樣品之第1方向上之長度。其後，利用下式求出第1方向之尺寸變化率。使用同樣之方法亦測定第2方向之尺寸變化率。
第1方向長度之尺寸變化率[%]＝(拉伸後之樣品之第1方向長度－拉伸前之樣品之第1方向長度)/拉伸前之樣品之第1方向長度×100
第2方向長度之尺寸變化率[%]＝(拉伸後之樣品之第2方向長度－拉伸前之樣品之第2方向長度)/拉伸前之樣品之第2方向長度×100
電阻層3於85℃、85%RH下保管240小時前後之電阻溫度係數之差例如為100 ppm/℃以下，較佳為55 ppm/℃以下，更佳為50 ppm/℃以下，進而佳為35 ppm/℃以下，特佳為30 ppm/℃以下，又，例如為1 ppm/℃以上。若保管前後之電阻溫度係數之差為上述上限以下，則應變感測器15之測定精度提高。
為了求出保管前後之電阻溫度係數之差，將電阻層3圖案化之後，利用玻璃板將積層膜1之厚度方向一面及另一面固定，並於85℃、85%RH之氛圍下將其等保管240小時。求出保管前後之電阻溫度係數之差。關於求出保管前後之電阻溫度係數之差之方法的詳情，將在下文之實施例中記載。
＜應變感測器之製造方法＞ 接下來，參照圖2A～圖2B對應變感測器15之製造方法進行說明。
如圖2A～圖2B所示，該製造方法中，將上述積層膜1中之電阻層3圖案化而形成電阻圖案4。作為將電阻層3圖案化之方法，例如可列舉蝕刻，具體而言，可列舉乾式蝕刻、濕式蝕刻，較佳為可列舉乾式蝕刻，更佳為可列舉雷射蝕刻。
電阻圖案4一體地包含應變感測器部5、端子6、及配線7。
如圖2B所示，應變感測器部5於俯視下具有大致曲折形狀。具體而言，應變感測器部5具有複數條第1線8、複數條第1連接線9、及複數條第2連接線10。
複數條第1線8分別沿著第1方向延伸。複數條第1線8於第2方向上隔開間隔地排列配置。
複數條第1連接線9將第2方向上相鄰之第1線8之第1方向一端部連接。
複數條第2連接線10將第2方向上相鄰之第1線8之第1方向另一端部連接。當向第1方向投影時，第1連接線9及第2連接線10係交替地配置。
端子6與應變感測器部5在面方向上隔開間隔。端子6例如於俯視下具有大致矩形之岸台形狀。端子6隔開間隔而設置有2個。
配線7將2個端子6與應變感測器部5之兩端連接。
應變感測器部5中形成有1條導電路徑，該導電路徑係自一個端子6起通過一個配線7、應變感測器部5及另一個配線7而到達另一端子6。
應變感測器部5之尺寸係根據用途及目的而適當設定。第1線8、第1連接線9及第2連接線10之寬度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，更佳為10 μm以上，且例如為150 μm以下，較佳為100 μm以下，更佳為70 μm以下。
又，基材膜2之形狀亦係根據應變感測器15之用途及目的而適當設定，例如，藉由外形加工而成為所需之尺寸。
＜藉由應變感測器進行之應變量之測定＞ 接下來，對將應變感測器15配置於受檢體20來測定受檢體20之應變量(變形量)之方法進行說明。
如圖2A所示，將應變感測器15之基材膜2介隔接著層21貼合於受檢體20之表面。又，於2個端子6，經由導電性接著層22而連接導線23。導線23與外部之電阻測定電路(未圖示)電性連接。
且，當受檢體20變形時，應變感測器部5之電阻值會發生變化。基於此，於電阻測定電路中算出應變量。
具體而言，當受檢體20於第1方向上伸展時，會對第1線8賦予拉伸應變，從而第1線8之剖面面積減小，應變感測器部5之電阻變大。另一方面，當受檢體20收縮時，會對第1線8賦予壓縮應變，從而第1線8之剖面面積增大，應變感測器部5之電阻變小。根據該電阻變化量來算出受檢體20之應變量。
＜第1實施方式之作用效果＞ 且，該積層膜1中，由於各第1方向及第2方向上之積層膜1之尺寸變化率之絕對值均為0.025%以下，故因在濕熱環境下保管所引起之溫度電阻係數之變動得到抑制。又，積層膜1中，由於電阻層3之厚度為150 nm以下，故可抑制裂痕之產生。
又，根據第1實施方式之製造方法，可製造因在濕熱環境下保管所引起之溫度電阻係數之變動得到抑制、且裂痕之產生得到抑制之應變感測器15。
＜第1實施方式之變化例＞ 於第1實施方式中，將以卷對卷方式製造之積層膜1之長度方向(MD方向)設為第1方向，將寬度方向(TD方向)設為第2方向，求出第1方向及第2方向上之尺寸變化率，但並不限定於此。具體而言，不論積層膜1之製造方式為何種方式，均可將與厚度方向正交之任一方向設為第1方向，將與該第1方向正交之方向設為第2方向，求出該等方向上之尺寸變化率。該各第1方向及第2方向上之積層膜1之尺寸變化率之絕對值亦均為0.025%以下。
＜第2實施方式＞ 於以下之第2實施方式中，對與上述第1實施方式相同之構件及步驟附上相同之參照符號，並省略其詳細說明。又，除特別記載以外，第2實施方式可發揮與第1實施方式相同之作用效果。進而，可將第1實施方式及第2實施方式適當組合。
於第1實施方式中，規定了積層膜1之尺寸變化率，但並不限定於此，如圖3所示，於第2實施方式中，可規定基材膜2之尺寸變化率。
如圖3所示，成為尺寸變化率之對象之基材膜2具體而言為最初所準備之長條之基材膜2。
將該基材膜2於85℃、85%RH之氛圍下保管4小時後之第1方向及第2方向上之尺寸變化率之絕對值均為0.040%以下。另一方面，若第1方向及第2方向中至少一方向上之尺寸變化率之絕對值超過0.040%，則因在濕熱環境下保管所引起之溫度電阻係數之變動無法得到抑制。
各第1方向及第2方向上之基材膜2之尺寸變化率之絕對值均較佳為0.020%以下，更佳為0.010%以下，進而佳為0.005%以下，特佳為0.004%以下，又，例如超過0.000%。求出基材膜2之尺寸變化率之方法與積層膜1之尺寸變化率之求出方法相同。
於準備基材膜2作為長條之基材膜2之情形時，將基材膜2之長度方向設為第1方向，將寬度方向設為第2方向。基材膜2之第1方向上之尺寸變化率例如為0.025%以下，更佳為0.010%以下，進而佳為0.005%以下，特佳為0.004%以下，又，例如超過0.000%。基材膜2之第2方向上之尺寸變化率例如為0.040%以下，更佳為0.010%以下，進而佳為0.007%以下，特佳為0.005%以下，又，例如超過0.000%。
為了製造積層膜1而準備之基材膜2並非係於85℃、85%RH之氛圍下拉伸4小時(高溫高濕拉伸試驗)後之基材膜2，而是不具有上述濕熱變形(高溫高濕拉伸試驗)之歷程(所謂之未處理)之基材膜2。即，上述高溫高濕拉伸試驗係用以求出尺寸變化率之測定所需之步驟，並非為基材膜2之製造步驟。
積層膜1之製造方法中，於具有上述特定尺寸變化率之基材膜2之厚度方向一面，以與一實施方式相同之方式形成電阻層3，並視需要進行加熱，藉此獲得積層膜1。
其後，將積層膜1之電阻層3圖案化而形成應變感測器部5。
＜第2實施方式之作用效果＞ 且，該積層膜1中，由於各第1方向及第2方向上之基材膜2之尺寸變化率之絕對值均為0.040%以下，故因在濕熱環境下保管所引起之溫度電阻係數之變動得到抑制。又，積層膜1中，由於電阻層3之厚度為150 nm以下，故可抑制裂痕之產生。
又，根據第2實施方式之製造方法，可製造因在濕熱環境下保管所引起之溫度電阻係數之變動得到抑制、且裂痕之產生得到抑制之應變感測器15。
＜第2實施方式之變化例＞ 於第2實施方式中，規定了製造積層膜1之前之基材膜2之尺寸變化率，但製造積層膜1之後且去除積層膜1之電阻層3之後之基材膜2的尺寸變化率，亦可為上述範圍。
＜第1實施方式及第2實施方式之變化例＞ 積層膜1亦可為其尺寸變化率滿足第1實施方式之範圍(0.025%以下)，且基材膜2之尺寸變化率滿足第2實施方式之範圍(0.040%以下)。
較佳為，積層膜1係其尺寸變化率滿足第1實施方式之範圍，且基材膜2之尺寸變化率滿足第2實施方式之範圍。藉此，因在濕熱環境下保管所引起之溫度電阻係數之變動更進一步得到抑制。 [實施例]
以下示出實施例及比較例，更具體地對本發明進行說明。再者，本發明不受實施例及比較例任何限定。又，以下記載中所使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體數值，可替代為上述「實施方式」中所記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義為「以上」、「超過」之數值)。
實施例1 準備包含東麗杜邦公司製造之聚醯亞胺膜(Kapton200V)之厚度50 μm之基材膜2。
將基材膜2設置於濺鍍裝置。將濺鍍裝置內排氣至真空度達到1×10 -3Pa以下之後，於下述條件下，藉由反應性脈衝DC(direct current，直流電)濺鍍(脈衝寬度：1 μs，頻率：100 kHz)，而形成包含氮化鉻之電阻層3。
靶：鉻、500 mm×150 mm之平板形狀 電力：5 kW(電力密度：6.7 W/cm 2) 磁通密度(靶表面)：30 mT 基板溫度：150℃ 濺鍍氣體：氬氣及氮氣之混合氣體 成膜壓力：0.085 Pa
如表1所示般調整相對於導入至濺鍍裝置中之氬氣100體積份而言之導入濺鍍裝置中之氮氣之體積份數。
藉此，製造具備基材膜2及電阻層3之長條之積層膜1。
其次，將積層膜1於155℃下加熱(退火)60分鐘。
實施例2～比較例2 按照表1之記載變更基材膜2之種類、基材膜2之厚度、濺鍍時之氮氣導入量等、電阻層3之厚度等，除此以外，與實施例1同樣地進行處理而製造積層膜1。
＜評估＞ 針對各實施例～各比較例之積層膜1測定以下事項。將其等之結果示於表1。
＜觀察電阻層＞ 藉由目視觀察電阻層3，觀察有無裂痕。
＜電阻層之厚度＞ 藉由FIB(Focused Ion Beam，聚焦離子束)微採樣法，對積層膜1以剖面露出之方式進行處理後，實施剖面之FE-TEM(field-emission transmission electron microscopy，場發射穿透式電子顯微鏡)觀察。
FIB裝置：Hitachi製造之FB2200、加速電壓：40 kV FE-TEM裝置：JEOL製造之JEM-2800、加速電壓：200 kV
＜電阻層於85℃、85%RH下保管240小時前後之電阻溫度係數之差＞ 將積層膜1切割成10 mm×200 mm之尺寸，藉由雷射圖案化而將電阻層3圖案化為寬度30 μm之曲折形狀，製成應變感測器15。此時，以配線7之電阻為約10 kΩ，應變感測器部5之電阻為配線7之電阻之30倍之方式調整圖案化。
於應變感測器15之兩表面，介隔接著劑貼合玻璃板而製成樣品。
將樣品之應變感測器部5之溫度設為5℃。於2個端子6之各者連接測試器，流通定電流並讀取電壓，藉此，測定5℃下之2端子電阻。以相同之方式測定25℃及45℃下之2端子電阻。
然後，求出根據5℃及25℃之電阻值而計算出之電阻溫度係數、與根據25℃及45℃之電阻值而計算出之電阻溫度係數之平均值，作為應變感測器部5(電阻層3)之電阻溫度係數。
另外，將上述樣品於85℃、85%RH下保管240小時。求出保管後之樣品中之應變感測器部5之電阻溫度係數。
然後，求出應變感測器部5之保管前後之電阻溫度係數之差。
＜積層膜及基材膜之尺寸變化率＞ A.積層膜之尺寸變化率 將長條之積層膜1之尺寸切割成15 mm×5 mm之尺寸而製成樣品。再者，樣品之長度15 mm相當於積層膜1之長度方向(第1方向)(MD方向)之長度。樣品之寬度5 mm相當於積層膜1之寬度方向(第2方向)(TD方向)之長度。
將樣品設置於熱機械分析裝置(TMA 4000SE，NETZSCH Japan公司製造)。具體而言，利用夾盤固持樣品之長度方向之一端部及另一端部。 將測定室設定為85℃、85%RH。以49 mN/5 mm之力將樣品拉伸4小時。
其後，求出拉伸前後之積層膜1之於各長度方向及寬度方向上之尺寸變化率。
B.基材膜之尺寸變化率 針對形成電阻層3之前之基材膜2，亦與上述同樣地求出保管前後之基材膜2之於各長度方向及寬度方向上之尺寸變化率。
＜基材膜之熱膨脹係數＞ 基於JIS K 7197(1991)，以下述裝置及條件測定基材膜2之熱膨脹係數。
裝置：精工電子奈米科技公司製造 TMA/SS7100 測定模式：拉伸法 測定負荷：19.6 mN 溫度範圍：25℃～155℃ 升溫速度：10℃/min 測定氛圍：大氣(空氣)
＜基材膜之熱收縮率＞ 按照JIS K 7133(1999)之記載來測定基材膜2於200℃下之熱收縮率。
[表1]
表1
   基材膜 電阻層 積層膜
實施例、比較例 種類 厚度 (μm) 50〜200℃下之線膨脹係數 (ppm/℃) 200℃下之熱收縮率 (%) 85℃、85%RH下保管4小時前之尺寸變化率 (%) 厚度 (nm) 裂痕之 有無 相對於導入Ar100體積份而言之導入N 2之體積份數 85℃、85%RH下保管240小時前後之電阻溫度係數之差 (ppm/℃) 85℃、85%RH下保管4小時前之尺寸變化率 (%)
第1方向 第2方向 第1方向 第2方向 第1方向 第2方向
實施例1 聚醯亞胺 Kapton 200V 50 27 27 0.05 0.023 0.040 60 無 4.2 57 0.014 0.022
實施例2 聚醯亞胺 Kapton 200EN 50 17 13 0.01 0.003 0.006 60 無 4.2 51 -0.002 0.001
實施例3 聚醯亞胺 Kapton 150EN 38 12 5 0.01 0.004 0.002 60 無 4.2 33 0.000 0.001
實施例4 聚醯亞胺 Kapton 150EN 38 12 5 0.01 0004 0.002 60 無 3.5 37 0.003 -0.001
實施例5 聚醯亞胺 Kapton 150EN 38 12 5 0.01 0.004 0.002 60 無 5.7 29 0.003 0.000
實施例6 聚萘二甲酸乙二酯 Teonex 50 11 17 0.5 0.005 -0.007 60 無 4.2 28 0.000 0.000
實施例7 聚醯亞胺 Kapton 150EN 38 17 13 0.01 0.004 0.002 120 無 4.5 34 0.001 0.001
比較例1 聚對苯二甲酸乙二酯 Diafoil 50 29 19 2.0 0.047 -0.023 60 無 4.2 122 0.029 -0.018
比較例2 聚醯亞胺 Kapton150EN 38 12 5 0.01 0.004 0.002 180 有 4.5 因存在裂痕而無法測定 0.003 0.000
再者，上述發明係作為本發明所例示之實施方式而提供，但此僅為例示，不應限定性地來解釋。該技術領域之業者所明白之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。 [產業上之可利用性]
積層膜用以製造應變感測器。
1:積層膜 2:基材膜 3:電阻層 4:電阻圖案 5:感測器部 6:端子 7:配線 8:第1線 9:第1連接線 10:第2連接線 15:應變感測器 20:受檢體 21:接著層 22:導電性接著層 23:導線
圖1係本發明之一實施方式之積層膜之剖視圖。 圖2A～圖2B係將圖1所示之電阻層圖案化而成之應變感測器，圖2A係剖視圖，圖2B係俯視圖。 圖3係成為尺寸變化率之測定對象之基材膜之剖視圖。
1:積層膜
2:基材膜
3:電阻層

Claims (6)

  1. 一種積層膜，其特徵在於：於厚度方向上依序具備絕緣性之基材膜、及電阻層，且 上述電阻層之厚度為150 nm以下， 將上述積層膜以與上述厚度方向正交且相互正交之第1方向及第2方向上各自之長度為15 mm及5 mm之方式進行切割而製作樣品，於85℃、85%RH之氛圍下，以49 mN/5 mm之力將上述樣品之第1方向兩端部拉伸4小時後，上述第1方向及上述第2方向上各自之尺寸變化率之絕對值均為0.025%以下。
  2. 一種積層膜，其特徵在於：於厚度方向上依序具備絕緣性之基材膜、及電阻層，且 上述電阻層之厚度為150 nm以下， 將上述基材膜以與上述厚度方向正交且相互正交之第1方向及第2方向上各自之長度為15 mm及5 mm之方式進行切割而製作樣品，於85℃、85%RH之氛圍下，以49 mN/5 mm之力將上述樣品之第1方向兩端部拉伸4小時後，上述第1方向及上述第2方向上各自之尺寸變化率之絕對值均為0.040%以下。
  3. 如請求項1或2之積層膜，其中上述電阻層包含氮化鉻。
  4. 如請求項1或2之積層膜，其中上述基材膜為聚醯亞胺或聚萘二甲酸乙二酯。
  5. 如請求項3之積層膜，其中上述基材膜為聚醯亞胺或聚萘二甲酸乙二酯。
  6. 一種應變感測器之製造方法，其特徵在於：將如請求項1至5中任一項之積層膜中之上述電阻層圖案化而形成應變感測器部。
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