TW202224181A - 圖像顯示裝置及圖像顯示裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種高解析度且可高速響應之圖像顯示裝置及圖像顯示裝置之製造方法。 實施方式之圖像顯示裝置具備：基板；第1配線，其沿著第1方向形成於上述基板上；第1發光元件，其設置於上述第1配線上，且具有第1發光面；第1透光性電極，其沿著與上述第1方向交叉之第2方向形成，且設置於上述第1發光面上；第1各向異性導電構件，其設置於上述第1配線上；第1端子，其經由上述第1各向異性導電構件，電性連接於上述第1配線；第2各向異性導電構件，其設置於上述第1透光性電極上；及第2端子，其經由上述第2各向異性導電構件，電性連接於上述第1透光性電極。上述第1發光元件於上述第1配線上具有第1底面，上述第1發光面設置於上述第1底面之相反側。

Description

圖像顯示裝置及圖像顯示裝置之製造方法
本發明之實施方式係關於一種圖像顯示裝置及圖像顯示裝置之製造方法。
有例如超過1000 ppi(pitch per inch，每英吋間距)之高解析度圖像顯示裝置之需求。又，此種高解析度圖像顯示裝置所顯示之影像素材有時需要高速響應性能。
為了實現可高速響應之顯示器，有時採用主動矩陣方式(例如參照專利文獻1)。主動矩陣方式中，必須使驅動像素之電晶體微細化，但即便是使用最新之低溫多晶矽(Low Temperature Polycrystalline Silicon，LTPS)製程，亦難以實現如超過1000 ppi之高解析度顯示器。
另一方面，無需像素驅動用電晶體之先前之被動矩陣方式之液晶顯示器或使用了有機半導體之顯示器響應速度慢，有時不適於需要高速響應性之影像素材之顯示。
期望實現高解析度且可高速響應之圖像顯示裝置及圖像顯示裝置之製造方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2018-116814號公報
本發明之一實施方式提供一種發光元件之轉印步驟縮短且良率提高之圖像顯示裝置及圖像顯示裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明之一實施方式之圖像顯示裝置具備：基板；第1配線，其沿著第1方向形成於上述基板上；第1發光元件，其設置於上述第1配線上，且具有第1發光面；第1透光性電極，其沿著與上述第1方向交叉之第2方向形成，且設置於上述第1發光面上；第1各向異性導電構件，其設置於上述第1配線上；第1端子，其經由上述第1各向異性導電構件，電性連接於上述第1配線；第2各向異性導電構件，其設置於上述第1透光性電極上；及第2端子，其經由上述第2各向異性導電構件，電性連接於上述第1透光性電極。上述第1發光元件於上述第1配線上具有第1底面，上述第1發光面設置於上述第1底面之相反側。
本發明之一實施方式之圖像顯示裝置具備：基板；第1配線，其沿著第1方向形成於上述基板上；第1半導體層，其設置於上述第1配線上；第1發光層，其設置於上述第1半導體層上；第2發光層，其沿著上述第1方向與上述第1發光層分開地設置於上述第1半導體層上；第2半導體層，其係導電型與上述第1半導體層不同之半導體層，設置於上述第1發光層上，包含第1發光面；第3半導體層，其係導電型與上述第2半導體層相同之半導體層，設置於上述第2發光層上，包含第2發光面；第1透光性電極，其沿著與上述第1方向交叉之第2方向形成，且設置於上述第1發光面上；第2透光性電極，其沿著上述第2方向形成且設置於上述第2發光面上；第1各向異性導電構件，其設置於上述第1配線；第1端子，其經由上述第1各向異性導電構件，電性連接於上述第1配線；第2各向異性導電構件，其設置於上述第1透光性電極上及上述第2透光性電極上；第2端子，其經由上述第2各向異性導電構件，電性連接於上述第1透光性電極；及第3端子，其經由上述第2各向異性導電構件，電性連接於上述第2透光性電極。上述第1發光面設置於與上述第1發光層相接之面之相反側。上述第2發光面設置於與上述第2發光層相接之面之相反側。
本發明之一實施方式之圖像顯示裝置之製造方法具備如下步驟：準備於第1基板上形成包含發光層之半導體層而成之第2基板；於第3基板之第1面上形成第1導電層；介隔上述第1導電層將上述半導體層與上述第3基板接合；去除上述第1基板；對上述第1導電層進行加工而形成沿著第1方向之第1配線；對上述半導體層進行加工，而形成具有第1發光面之第1發光元件及具有第2發光面之第2發光元件；形成覆蓋上述第1面、上述第1配線、上述第1發光元件及上述第2發光元件之絕緣膜；去除上述絕緣膜之一部分，使上述第1發光面及上述第2發光面露出；於上述第1發光面上，形成沿著與上述第1方向交叉之第2方向設置之第1透光性電極，於上述第2發光面上，形成沿著上述第2方向設置之第2透光性電極；於第1端子與上述第1配線之間設置第1各向異性導電構件，藉由施加至上述第1端子與上述第1配線之間之壓力，將上述第1端子與上述第1配線電性連接；及經由第2各向異性導電構件將上述第1透光性電極與第2端子電性連接，經由上述第2各向異性導電構件將上述第2透光性電極與第3端子電性連接。上述第1發光元件具有與上述第1配線連接之第1底面，上述第1發光面設置於上述第1底面之相反側。上述第2發光元件具有與上述第1配線連接之第2底面，上述第2發光面設置於上述第2底面之相反側。
本發明之一實施方式之圖像顯示裝置之製造方法具備如下步驟：準備於第1基板上形成包含發光層之半導體層而成之第2基板；於上述半導體層上形成第2導電層；準備具有第1面之第3基板；介隔上述第2導電層將上述半導體層與上述第1面接合；去除上述第1基板；對上述第2導電層進行加工而形成沿著第1方向之第1配線；對上述半導體層進行加工，而形成具有第1發光面之第1發光元件及具有第2發光面之第2發光元件；形成覆蓋上述第1面、上述第1配線、上述第1發光元件及上述第2發光元件之絕緣膜；去除上述絕緣膜之一部分，使上述第1發光面及上述第2發光面露出；於上述第1發光面上，形成沿著與上述第1方向交叉之第2方向設置之第1透光性電極，於上述第2發光面上，形成沿著上述第2方向設置之第2透光性電極；於第1端子與上述第1配線之間設置第1各向異性導電構件，藉由施加至上述第1端子與上述第1配線之間之壓力，將上述第1端子與上述第1配線電性連接；及經由第2各向異性導電構件將上述第1透光性電極與第2端子電性連接，經由上述第2各向異性導電構件將上述第2透光性電極與第3端子電性連接。上述第1發光元件具有與上述第1配線連接之第1底面，上述第1發光面設置於上述第1底面之相反側。上述第2發光元件具有與上述第1配線連接之第2底面，上述第2發光面設置於上述第2底面之相反側。 [發明之效果]
根據本發明之一實施方式，能實現高解析度且可高速響應之圖像顯示裝置。
根據本發明之一實施方式，能實現高解析度且可高速響應之圖像顯示裝置之製造方法。
以下，參照圖式對本發明之實施方式進行說明。 再者，圖式係模式性或概念性之圖，各部分之厚度與寬度之關係、部分間之尺寸之比率等未必與實物相同。又，即便於表示相同部分之情形時，亦有根據圖式而將相互之尺寸或比率差別表示之情形。 再者，於本案說明書與各圖中，對與上文關於已出現之圖所描述之要素相同之要素標註相同符號並適當省略詳細之說明。
(第1實施方式) 圖1係例示本實施方式之圖像顯示裝置之模式性俯視圖。 如圖1所示，本實施方式之圖像顯示裝置1具備顯示區域2、列選擇電路5及電流驅動電路7。顯示區域2、列選擇電路5及電流驅動電路7設置於基板100上。於基板100上，亦設置有列配線區域6及行配線區域8。列配線區域6設置於顯示區域2與列選擇電路5之間，將顯示區域2與列選擇電路5電性連接。行配線區域8設置於顯示區域2與電流驅動電路7之間，將顯示區域2與電流驅動電路7電性連接。除上述以外，於基板100設置有連接器106，該連接器106用於將列選擇電路5及電流驅動電路7連接於外部電路，供給使列選擇電路5及電流驅動電路7適當地動作之電源及選擇信號。
以下說明中，有時使用XYZ之三維座標系統進行說明。形成有顯示區域2之基板100之第1面103a係與XY平面平行之面。顯示區域2形成於第1面103a上。該例中，顯示區域2係具有與X軸大致平行且與Y軸大致平行之邊之長方形。如下述圖2所示，子像素20於顯示區域2內沿著X軸排列，且沿著Y軸排列。
列選擇電路5、列配線區域6、電流驅動電路7及行配線區域8亦形成於第1面103a上。列選擇電路5沿著顯示區域2之一條邊設置。設置有列選擇電路5之顯示區域2之邊係與Y軸平行之邊。電流驅動電路7設置於顯示區域2之另一條邊。設置有電流驅動電路7之顯示區域2之邊係與X軸平行之邊。
列選擇電路5及列配線區域6係例如由TCP(Tape Carrier Package，帶載體封裝件)提供之半導體積體電路，電流驅動電路7及行配線區域8亦為由TCP提供之半導體積體電路。列選擇電路5及電流驅動電路7不限於由TCP提供之情形，亦可由COB(Chip On Board，晶片板)等提供。
如下述圖2所示，子像素20包含發光元件150。發光元件150具有於顯示區域2內朝沿著Z軸之方向放射光之發光面151S。發光元件150之光之放射方向係Z軸之正方向。以下，有時將Z軸之正方向稱為「上」或「上方」，將Z軸之負方向稱為「下」或「下方」，但沿著Z軸之方向未必為施加重力之方向。又，有時將沿著Z軸之方向之長度稱為高度。
圖2係例示本實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性放大圖。 圖2中示出圖1所示之a部、b部及c部之放大圖。a部係圖1中顯示區域2內之一部分。b部係圖1中，跨及顯示區域2及列配線區域6之區域之一部分。c部係圖1中跨及顯示區域2及行配線區域8之區域之一部分。 如圖2所示，圖像顯示裝置1具備子像素20、配線110a、發光元件150、透光性電極160k、第1端子34及第2端子44。
配線110a沿著X軸方向(第1方向)設置。配線110a設置有複數個。複數個配線(第1配線、第2配線)110a設置成於Y軸方向上隔開，以大致相等之間隔相互大致平行。配線110a於一端部，連接於圖1所示之列配線區域6內之第1端子34。配線110a於連接區域36電性連接於第1端子34。
發光元件150設置於配線110a上。發光元件150設置有複數個，複數個發光元件(第1發光元件、第2發光元件)150於X軸方向上以大致相等之間隔，隔開地排列於配線110a上。
透光性電極160k沿著Y軸方向(第2方向)設置。透光性電極160k設置有複數個。複數個透光性電極(第1透光性電極、第2透光性電極)160k設置成於X軸方向上隔開，以大致相等之間隔相互大致平行。透光性電極160k於一端部，連接於圖1所示之行配線區域8內之第2端子44。第1透光性電極160k於連接區域46，電性連接於第2端子44。
配線110a及透光性電極160k以大致正交之方式設置。發光元件150設置於配線110a與透光性電極160k交叉之交點。因此，發光元件150沿著X軸方向呈大致相等之間隔排列，且沿著Y軸方向呈大致相等之間隔排列。使發光元件150於X軸方向上隔開之間隔與發光元件150於Y軸方向上隔開之間隔大致相同。即，該例中，發光元件150成為間隔均等之矩陣狀之配置。
發光元件150之排列不限於上述，例如亦可為錯位狀。配線110a及透光性電極160k不限於根據發光元件150之排列而正交之情形，又，不限於設置成直線狀之情形。又，發光元件150不限於間隔均等之矩陣狀配置，亦可使X軸方向之間隔與Y軸方向之間隔之比率為例如1比3左右。發光元件150可任意設定適當之排列。
將發光元件150於X軸方向上隔開之間隔稱為X軸方向之間距，將於Y軸方向上隔開之間隔稱為Y軸方向之間距。以下說明之各實施方式之例中，發光元件之X軸方向之間距及Y軸方向之間距設定成大致相等，因此有時將發光元件150間隔開之間隔簡稱為間距。例如，X軸方向之間距被定義為X軸方向上鄰接之發光元件之X軸方向之長度的中心間長度，Y軸方向之間距被定義為Y軸方向上鄰接之發光元件之Y軸方向之長度的中心間長度。
圖3A～圖4B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖3A係圖2之A-A'線處之剖視圖。 圖3B係圖2之AA-AA'線處之剖視圖。 圖4A係圖2之B-B'線處之剖視圖。 圖4B係圖2之C-C'線處之剖視圖。 以下所說明之例中，於圖像顯示裝置1之各子像素20中，在發光元件150上設置有彩色濾光片180。本實施方式之圖像顯示裝置1中，由3個子像素20構成1個像素10。再者，彩色濾光片180根據所顯示之圖像之顏色數，可為單色光學濾光片，亦可不設置光學濾光片。於設置單色光學濾光片之情形時或不設置光學濾光片之情形時，由1個子像素20構成1個像素。
如圖3A及圖3B所示，像素10包含3個子像素20。3個子像素20分別具有不同之色轉換部182，色轉換部182例如以輸出紅色、綠色及藍色之方式配置。該例中，輸出紅色、綠色及藍色之色轉換部依照X座標由小及大之順序配置。除色轉換部182輸出之顏色以外，各子像素20之構成相同。下文對包含色轉換部182之彩色濾光片180之構成進行敍述。
子像素20包含基板100。基板100包含Si基板102及氧化膜101、103。氧化膜103遍及Si基板102之一面102a上形成。氧化膜101遍及Si基板102之另一面102b上形成。基板100之第1面103a為氧化膜103之面。
子像素20包含配線110a、發光元件150及透光性電極160k。
配線層110設置於第1面103a上。配線層110包含設置於第1面103a之複數個配線110a。複數個配線110a於第1面103a上沿著X軸形成。複數個配線110a設置成於Y軸方向上隔開且相互大致平行。複數個配線110a隔開之間隔與發光元件150之Y軸方向之間距相等。複數個配線110a中鄰接之配線110a之間藉由絕緣層112而分離。
圖3A之後之剖視圖中，只要未特別說明，則表示配線層之符號標記於構成該配線層之配線之旁側。
於配線110a上設置有接合金屬(金屬層)114、115。接合金屬114、115從配線110a一側依序積層。接合金屬114、115以與發光元件150之X軸方向之間距相等之方式配置。接合金屬115係為了與發光元件150歐姆連接而設置，減小與配線110a之連接電阻。藉由設置厚度適宜之接合金屬114、115，可將發光元件150與配線110a以更低之電阻值連接。
接合金屬114、115較佳為由Ag等具有較高之光反射性之金屬材料形成。接合金屬114、115設置於發光元件150之底面153B之下方。因此，接合金屬114、115具有光反射性，藉此可將發光元件150之朝下方之散射光等朝發光面151S側反射，可提高發光元件150之實際發光效率。
發光元件(第1發光元件、第2發光元件)150設置於接合金屬115上。發光元件150包含底面(第1底面、第2底面)153B及發光面(第1發光面、第2發光面)151S。發光元件150係圓錐台狀之元件，於接合金屬115上具有底面153B，於底面153B之相反側之面具有發光面151S。XY俯視下，底面153B之外周與接合金屬114、115之外周大致一致。接合金屬114、115形成為與底面之外周大致一致之圓柱狀。發光元件150之形狀不限於圓錐台，可為圓柱，亦可為角錐台或角柱。於圓錐台或圓柱之情形時，外周形狀不限於圓，而可為橢圓。於角錐或角柱之情形時，外周形狀不限於四邊形，亦可為六邊形或八邊形等多邊形。於角錐或角柱之情形時，角部可帶有弧度。
發光元件150包含p型半導體層153、發光層152及n型半導體層151。p型半導體層153、發光層152及n型半導體層151從底面153B朝向發光面151S依序積層。p型半導體層153包含底面153B，接合金屬115電性連接於p型半導體層153。因此，p型半導體層153經由接合金屬114、115電性連接於配線110a。於1個配線110a上，沿著X軸方向，設置有複數個發光元件150，該等複數個發光元件150之p型半導體層153彼此相互電性連接。
發光元件150例如適宜使用包含In XAl YGa 1 － X － YN(0≦X，0≦Y，X＋Y＜1)等發光層之氮化鎵系化合物半導體。以下，有時將上述氮化鎵系化合物半導體簡稱為氮化鎵(GaN)。本發明之一實施方式之發光元件150係所謂之發光二極體。發光元件150發出之光之波長只要是從近紫外線區域至可見光區域之範圍之波長即可，例如為467 nm±30 nm左右。發光元件150發出之光之波長亦可設為410 nm±30 nm左右之藍紫色發光。發光元件150發出之光之波長可設為適當之值，而不限於上述值。
發光元件150介隔接合金屬114、115，於X軸上以X軸上之間距設置於配線110a上。同一配線110a上所設置之發光元件150之p型半導體層153相互電性連接。
絕緣膜156覆蓋絕緣層112、接合金屬114、115及發光元件150而設置。該例中，於發光元件150之上部，絕緣膜156之一部分被去除，絕緣膜156於發光元件150之上部覆蓋在已去除之部位以外之部位。絕緣膜156係出於以下目的而設置，即，保護發光元件150免受外部環境影響，並且將鄰接之發光元件150彼此分離。發光面151S從絕緣膜156經去除之開口158，透過透光性電極160k放射光。發光面151S之XY俯視下之形狀可為與n型半導體層151之XY俯視下之形狀相似之圓，亦可為其他形狀。
透光性配線層160包含複數個透光性電極160k。複數個透光性電極160k分別沿著Y軸設置。複數個透光性電極160k設置成於X軸方向上隔開且相互大致平行。透光性電極160k遍及發光面151S上而設置。發光元件150於X軸方向及Y軸方向上以固定之間距排列。因此，鄰接之透光性電極160k之X軸方向之中心間距離與發光元件150之X軸方向之間距相等。
n型半導體層151包含發光面151S，因此透光性電極160k電性連接於n型半導體層151。藉此，經排列之複數個發光元件150之n型半導體層151沿著Y軸方向相互電性連接。
於絕緣膜156及透光性電極160k上設置有表面樹脂層170。表面樹脂層170覆蓋於發光面151S上。表面樹脂層170係透明樹脂，提供用於保護絕緣膜156及透光性電極160k，並且供接著彩色濾光片180之平坦面。
子像素20包含彩色濾光片(波長轉換構件)180。彩色濾光片180介隔透明薄膜接著層188而設置於表面樹脂層170上。透明薄膜接著層188係為了將表面樹脂層170與彩色濾光片180接著而設置。
彩色濾光片180包含遮光部181及色轉換部182。色轉換部182對應於發光面151S之形狀，設置於發光元件150之發光面151S之正上方。於彩色濾光片180中，將色轉換部182以外之部分設為遮光部181。遮光部181係所謂之黑矩陣，可減少因從鄰接之色轉換部182發出之光之混色等引起之模糊，可顯示清晰之圖像。
色轉換部182為1層或2層以上。圖3A及圖3B中示出色轉換部182為2層之情形。色轉換部182是1層還是2層係由子像素20發出之光之顏色、即波長決定。於子像素20之發光色為紅色之情形時，色轉換部182較佳為色轉換層183及供紅色光通過之濾光片層184這兩層。於子像素20之發光色為綠色之情形時，色轉換部182較佳為色轉換層183及供綠色光通過之濾光片層184這兩層。於子像素20之發光色為藍色之情形時，較佳為1層。
於色轉換部182為2層之情形時，第1層為色轉換層183，第2層為濾光片層184。第1層之色轉換層183設置於更靠近發光元件150之位置。濾光片層184積層於色轉換層183上。
色轉換層183係將發光元件150發出之光之波長轉換為所期望之波長。於發出紅色光之子像素20之情形時，將發光元件150所發出之波長467 nm±30 nm之光轉換為例如630 nm±20 nm左右之波長之光。於發出綠色光之子像素20之情形時，將發光元件150所發出之波長467 nm±30 nm之光轉換為例如532 nm±20 nm左右之波長之光。
濾光片層184將未利用色轉換層183進行色轉換而殘存之藍色發光之波長分量遮斷。
於子像素20發出之光之顏色為藍色之情形時，可經由色轉換層183輸出光，亦可不經由色轉換層183而直接輸出光。於發光元件150發出之光之波長為467 nm±30 nm左右之情形時，亦可不經由色轉換層183而輸出光。將發光元件150發出之光之波長設為410 nm±30 nm之情形時，為了將輸出之光之波長轉換為467 nm±30 nm左右，較佳為設置1層色轉換層183。
於藍色之子像素20之情形時，子像素20亦可具有濾光片層184。藉由於藍色之子像素20設置供藍色光透過之濾光片層184，可抑制於發光元件150之表面產生之藍色光以外之微小之外界光反射。
如圖4A所示，配線110a設置於基板100之第1面103a上。於配線110a上，設置有絕緣層112。配線110a上之絕緣層112之一部分被去除，於絕緣層112經去除之部位設置有各向異性導電構件(第1各向異性導電構件)30。各向異性導電構件30係各向異性導電膏或各向異性導電膜。
本說明書中，各向異性導電構件包含各向異性導電膏(Anisotropic Conductive Paste，ACP)及各向異性導電膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)。本實施方式及下述其他實施方式中，稱為各向異性導電構件時，可不加以區分地使用ACP或ACF。再者，下述製造方法之說明等中，於使用ACP之情形時，有時記述為塗佈各向異性導電構件，於使用ACF之情形時，有時記述為貼附各向異性導電構件。
各向異性導電構件30包含黏合劑31及各向異性導電粒子32。黏合劑31作為將對向之配線110a與第1端子34固定之接著劑發揮功能。各向異性導電粒子32均勻地分散於黏合劑31中，將被施加壓力之配線110a與第1端子34電性連接。各向異性導電粒子32將配線110a與設置於該配線110a之Z軸方向之第1端子34之間電性連接，不將其他方向之導體間電性連接。例如，鄰接於配線110a設置有與該配線110a平行之配線110a，即便2個配線110a間存在各向異性導電粒子32，亦不會將2個配線110a間電性連接。
如圖4B所示，第2端子44介隔絕緣膜156、透光性電極160k及各向異性導電構件40，設置於基板100上。第2端子44經由各向異性導電構件(第2各向異性導電構件)40，電性連接於透光性電極160k。
各向異性導電構件40包含黏合劑41及各向異性導電粒子42。黏合劑41作為將對向之透光性電極160k與第2端子44固定之接著劑發揮功能。各向異性導電粒子42均勻地分散於黏合劑41中，將對向之透光性電極160k與第2端子44電性連接。各向異性導電粒子42亦發揮與各向異性導電粒子32相同之功能。各向異性導電粒子42將透光性電極160k與設置於該透光性電極160k之Z軸方向之第2端子44之間電性連接，但不將其他方向之導體間電性連接。
圖1所示之列配線區域6中，從列選擇電路5引出之配線之端部成為第1端子34，與設置於顯示區域2之配線110a電性連接。因此，於排列在配線110a上之發光元件150中，p型半導體層153彼此連接，且經由第1端子34電性連接於圖1所示之列選擇電路5。
圖1所示之行配線區域8中，從電流驅動電路7引出之配線之端部成為第2端子44，與設置於顯示區域2之透光性電極160k電性連接。因此，排列於Y軸方向之發光元件150之n型半導體層151彼此藉由透光性電極160k而相互連接，且經由第2端子44電性連接於圖1所示之電流驅動電路7。
圖1所示之連接器106經由第1面103a上所形成之未圖示之配線，電性連接於列選擇電路5及電流驅動電路7。列選擇電路5及電流驅動電路7從連接器被供給電源，且被供給包含列選擇信號或亮度信號等之各種信號。
圖5係例示本實施方式之圖像顯示裝置之模式性方塊圖。 圖5中示出圖像顯示裝置1之電路構成之一部分，且模式性地示出與圖1之a部對應之部位之電路構成。又，圖5中，已示出列選擇電路5與a部之電路要素之連接關係及電流驅動電路7與a部之電路要素之連接關係。
配線110a沿著列方向設置，透光性電極160k沿著行方向設置。圖1及圖2中，列方向為X軸方向，行方向為Y軸方向。圖5之說明中，對於3個配線110a，從上至下，稱為第N列、第N＋1列、第N＋2列，對於3個透光性電極160k，從右至左，稱為第M行、第M＋1行、第M＋2行。從列選擇電路5觀察，M行之透光性電極160k配置於最近之位置，M＋2行之透光性電極160k配置於最遠之位置。從電流驅動電路7觀察，第N列之配線110a配置於最近之位置，第N＋2行之配線110a配置於最遠之位置。
於列選擇電路5，經由電源端子9a及接地端子9b，連接有直流電源9。對電源端子9a，藉由直流電源9而施加充分高於接地端子9b之電壓。列選擇電路5包含與配線110a之個數對應之列選擇開關5a，各列選擇開關5a經由第1端子34連接於配線110a。列選擇開關5a於初始狀態下連接於接地端子9b側，根據從未圖示之控制電路供給之列選擇信號，而連接於電源端子9a側。
電流驅動電路7包含與透光性電極160k之個數對應之電流源7a，各電流源7a經由端子44，連接於透光性電極160k。電流源7a以如下方式動作，即，根據從未圖示之控制電路供給之亮度信號，輸出具有所設定之電流值之電流。
發光元件150形成於配線110a與透光性電極160k之交點，圖5中，用二極體之電路符號表示發光元件150。發光元件150於配線110a之電壓值較透光性電極160k之電壓值高出發光元件150之順向電壓降量之情形時，流通電流。
例如，於N列之列選擇開關5a連接於電源端子9a側時，電流流入N列各行之發光元件150。此時，N列以外之列選擇開關5a連接於接地端子9b側，故N列以外之發光元件150之電流被遮斷。
發光元件150配置於二維平面上，因此，連接於列選擇電路5之配線110a具有與長度對應之電阻量。因此，可施加至處於遠離列選擇電路5之位置之行之發光元件150的電壓因配線110a之與長度對應之電阻量而產生電壓降。為了克服由配線110a引起之電壓降，考慮到使直流電源9輸出之電壓值變大，但圖像顯示裝置1之電力損耗增大。因此，較佳為儘可能抑制配線110a之電阻量。
圖6係用以說明本實施方式之圖像顯示裝置之動作的模式性動作波形圖之例。 圖6表示圖5之電路之6部位的信號及電壓值之時間變化。 圖6之最上段之圖表示列選擇電路5之第N列之第1端子34之輸出信號的時間變化。 圖6之第2段之圖表示第M行之透光性電極160k之電壓值的時間變化。 圖6之第3段之圖表示第N列之配線110a中之第M行側之電壓值的時間變化。 圖6之第4段之圖表示第M＋2行之透光性電極160k之電壓值的時間變化。 圖6之第5段之圖表示第N列之配線110a中之第M＋2行側之電壓值的時間變化。 圖6之最下段之圖表示列選擇電路5之第N＋1列之第1端子34之輸出信號的時間變化。 圖6中表示於期間T1選擇第N列之配線110a，於期間T2選擇第N＋1列之配線110a。
如圖6所示，於時刻t1，選擇第N列之期間T1開始後，稍許延遲地於時刻t2，將第N列之列選擇開關5a連接於電源端子9a側，從第1端子34輸出直流電源9之電壓。
時刻t1至t2期間，包含第M行至第M＋2行之所有發光元件150藉由電流源7a而成為逆向偏壓狀態。於此期間，將形成於透光性電極160k與接地間之寄生電容Cc預充電。該例中，預充電之期間設於列選擇之切換時點之前後，時刻t3至時刻t5亦被設定為預充電期間。於時刻t2以前及時刻t6以後亦同樣地設定預充電期間。又，預充電時之第M行之透光性電極160k與接地間之電壓為Vp1，第M＋2行之透光性電極160k與接地間之電壓為Vp2。該例中，Vp2以較Vp1高之值，作為預充電時之電壓被施加至寄生電容Cc。
於時刻t2，第N列之列選擇開關5a切換至電源端子9a側時，陽極連接於第N列之發光元件150中，流通由連接於各陰極之電流源7a設定之電流，以對應於電流之亮度發光。
於時刻t3，列選擇電路5之第N列之選擇結束時，已成為順向偏壓狀態之發光元件150再次成為逆向偏壓狀態，寄生電容Cc之預充電開始。
於時刻t4，第N＋1列之選擇期間開始，經過預充電期間，於時刻t5，列選擇電路5從第N＋1列之端子輸出直流電源9之電壓。與期間T1之情形同樣，選擇第N＋1列直至時刻t6為止，連接於第N＋1列之配線110a之電壓上升。當配線110a之電壓達到與透光性電極160k之電壓及發光元件150之順向電壓降對應之值時，連接於第N＋1列之發光元件150中流通電流，以與由電流源7a設定之電流對應之亮度發光。
此處，配線110a沿著配線110a佈線之方向，產生由對應於配線長產生之電阻量引起之電壓降。因此，根據由電流源7a設定之電流值及與佈線之長度對應之電阻量而產生電壓降。該例中，示出a部內之第M行及第M＋2行之2行波形，但越是設置於遠離較a部更靠外側之列選擇電路5之行之發光元件150，可施加至陽極之電壓越低。
關於透光性電極160k亦同樣，沿著透光性電極160k佈線之方向，產生由與配線長對應之電阻量引起之電壓降。
於時刻t2至時刻t3期間，表示第M＋2行之透光性電極160k之電壓降較第M行之透光性電極160k之電壓降減小ΔV1。於此期間，關於第N列之配線，第M＋2行側之電壓亦較第M行側之電壓減小ΔV2。ΔV2表示隨著配線110a遠離列選擇電路而產生之電壓降。
又，表示必須將圖5中之“第M＋2行配線電壓”之預充電時之電壓Vp2設定得充分高於由透光性電極160k之電阻量引起之電壓降量ΔV1。只要可充分減小電壓降量ΔV1，則亦可減小預充電時之電壓，可抑制耗電。
於包含時刻t4至時刻t7之期間T2，與上述同樣地選擇各列，所選擇之列之配線110a及透光性電極160k產生對應於與列選擇電路5隔開之距離之電壓降。因此，藉由減小配線110a之佈線方向之電阻量，能夠充分提高可對設置於遠離列選擇電路5之位置之行之發光元件150施加的電壓。
對本實施方式之圖像顯示裝置1之製造方法進行說明。 圖7A～圖7B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 如圖7A所示，於本實施方式之圖像顯示裝置1之製造方法中，準備半導體生長基板(第2基板)1194。半導體生長基板1194包含晶體生長用基板1001及半導體層1150。晶體生長用基板(第1基板)1001例如為Si基板或藍寶石基板等。較佳為使用Si基板作為晶體生長用基板1001。又，藉由利用低溫濺鍍法等低溫晶體生長製程，亦可使用價格更低廉之玻璃基板等作為晶體生長用基板1001。
半導體層1150形成於晶體生長用基板1001上。半導體層1150包含n型半導體層1151、發光層1152及p型半導體層1153。n型半導體層1151、發光層1152及p型半導體層1153從晶體生長用基板1001側依序積層。半導體層1150例如包含GaN，更詳細而言，包含In XAl YGa 1 － X － YN(0≦X，0≦Y，X＋Y＜1)等。
半導體層1150之形成例如可使用氣相生長法(Chemical Vapor Deposition，CVD法)，適宜使用有機金屬氣相生長法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition(金屬有機化學氣相沈積)，MOCVD法)。根據低溫濺鍍法，即便將製程溫度設為700℃以下，半導體層1150亦能晶體外延生長。於低溫濺鍍法中，可使用耐熱性較低之玻璃基板或裝置，因此可實現製造成本之降低。
該例中，從n型半導體層1151形成於晶體生長用基板1001上。晶體生長初期有時會因晶格常數失配而產生晶體缺陷，產生晶體缺陷之晶體呈n型。因此，當如上例那樣於晶體生長用基板1001上由n型半導體層1151形成半導體層1150時，生產製程上可獲得較大裕度，因此有容易提高良率之優勢。
雖未圖示，但於晶體生長用基板1001上形成半導體層1150之情形時，可介隔緩衝層形成半導體層1150。緩衝層係使用例如AlN等氮化物。藉由介隔緩衝層使半導體層1150於晶體生長用基板1001上晶體生長，可緩和GaN之晶體與晶體生長用基板1001之界面處之失配。因此，可期待半導體層1150之半導體晶體之品質提高。另一方面，本實施方式中，由於要將p型半導體層1153貼合於下述圖10A所示之第1面103a，故於貼合之前追加去除緩衝層之步驟。下述其他實施方式之情形時亦同樣如此。
如圖7B所示，於p型半導體層1153上形成金屬層1115。金屬層1115例如由Al或Al之合金、Al與Ti等之積層膜等形成。較佳為，於Al等金屬層上設置Ag等光反射性較高之金屬材料。
圖8A係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性俯視圖。 圖8B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖8A係圖1之a部之放大俯視圖，圖8B係圖8A之AA-AA'線處之剖視圖。 如圖8A及圖8B所示，準備基板(第3基板)100。基板100包含兩面形成有氧化膜101、103之Si基板102。或者，基板100亦可為玻璃等絕緣性基板。複數個配線110a以於第1面103a上沿著X軸方向(第1方向)相互大致平行之方式形成。配線110a之Y軸方向之間隔被設定為發光元件150之間距。關於配線110a之形成，於藉由濺鍍等形成Ti與Al之積層膜後，藉由蝕刻等形成為複數個配線110a。於所形成之配線110a上形成絕緣層112。所形成之絕緣層112於發光元件之形成部位被去除，令配線110a露出。該例中，由於發光元件之XY俯視形狀為圓形，故將絕緣層112呈圓形去除。
圖9A係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性俯視圖。 圖9B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖9A係圖1之a部之放大俯視圖，圖9B係圖9A之AA-AA'線處之剖視圖。 如圖9A及圖9B所示，金屬層1114形成於配線110a及絕緣層112上。金屬層1114例如為Ti、Pt及Au之積層膜，藉由濺鍍等而形成。形成Ti、Pt及Au之積層膜後，藉由CMP(Chemical Mechanical Planarization，化學機械研磨)等使積層膜之表面變平坦。
圖10A及圖10B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖10A及圖10B係相當於圖9A之AA-AA'線處之截面之剖視圖。 如圖10A所示，半導體生長基板1194上所形成之金屬層(第2導電層)1115以與金屬層(第1導電層)1114對向之方式配置。藉由將金屬層1114、1115彼此接合，而將2個基板貼合。
於基板貼合步驟中，例如藉由將各基板加熱並熱壓接而使基板彼此貼合。亦可於貼合之前進而藉由CMP等使各基板之貼合面變平坦，之後於真空中藉由電漿處理使貼合面變得清潔後，使其等密接。
如圖10B所示，將2個基板貼合後，藉由濕式蝕刻或雷射拉離等去除晶體生長用基板1001。
金屬層1114設置於第1面103a、配線110a及絕緣層112上，目的在於藉此提供用於晶圓接合之平坦面。另一方面，可省略金屬層1115之形成。藉由省略金屬層1115之形成步驟，可減少步驟數。
圖11A～圖11C係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖11C係相當於圖9A之AA-AA'線處之截面之剖視圖。 圖11A～圖11C中示出於晶體生長用基板1001基板上從p型半導體層1153起形成半導體層1150之情形之例。可取代上述圖7A及圖7B所示之步驟，應用圖11A～圖11C所示之步驟。 如圖11A所示，準備半導體生長基板1294。半導體生長基板1294包含晶體生長用基板1001及半導體層1150。半導體層1150形成於晶體生長用基板1001上。半導體層1150從晶體生長用基板1001側，按照p型半導體層1153、發光層1152及n型半導體層1151之順序積層。
如圖11B所示，支持基板1190接合於圖11A所示之n型半導體層1151之露出面1151E。支持基板1190例如由石英玻璃或Si等形成。其後，藉由濕式蝕刻或雷射舉離來去除晶體生長用基板1001。
如圖11C所示，基板1295中，於p型半導體層1153之露出面1153E上形成有金屬層1115。半導體層1150介隔金屬層1115、1114，與基板100貼合。具體而言，藉由去除晶體生長用基板1001而露出之p型半導體層1153之露出面1153E介隔金屬層1115，與金屬層1114對向地配置，p型半導體層1153介隔金屬層1115接合於金屬層1114。亦可如上述其他實施方式之情形，於露出面1153E上不形成金屬層1115，而將p型半導體層1153直接接合於金屬層1114。
形成半導體生長基板1294之前之步驟及進行形成基板1295之後之處理之步驟可利用同一設備執行，亦可利用不同設備執行。例如，亦可利用第1設備來製造基板1295，並將基板1295搬入至與第1設備不同之第2設備，來執行貼合步驟。
將半導體層1150貼合於基板100之方法不限於上述方法，亦可採用以下方法。即，於晶體生長用基板1001上形成半導體層1150之後，將該半導體層1150收納於容器中，例如於容器內安裝並保管於支持基板1190上。保管後，將半導體層1150從容器取出，並貼合於形成有金屬層1114之基板100。又，不將半導體層1150安裝於支持基板1190，而是保管於容器中。保管後，將半導體層1150從容器取出，直接貼合於形成有金屬層1114之基板100。
將半導體層1150貼合於基板100之情形時，有時將1個半導體層1150貼合於1片基板100，有時將複數個半導體層1150貼合於1片基板100。將1個半導體層1150貼合於1個基板100時，基板100之尺寸可為例如數10 mm見方至150 mm見方左右之長方形或正方形等。此情形時，基板1195上所形成之半導體層1150可為與基板100之尺寸對應之尺寸。
將複數個半導體層1150貼合於1個基板100時，基板100例如可使用1500 mm×1800 mm左右之大致長方形之玻璃基板。基板1195上所形成之半導體層1150為數10 mm見方至150 mm見方左右之長方形或正方形，以晶圓大小計，例如可為4英吋至6英吋左右之尺寸。基板100之尺寸可對應於圖像顯示裝置之尺寸等適當選定。
圖12係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之立體圖。 圖12模式性地表示將複數個半導體層1150貼合於1片基板100時之例。 圖12之箭頭之上之圖表示複數個半導體生長基板1194呈格子狀配置。圖12之箭頭之下之圖表示配置有形成了金屬層1114之基板100。圖12表示根據箭頭將呈格子狀配置之複數個半導體生長基板1194貼合於2點鏈線之位置。
於半導體層1150之端部及其附近，半導體晶體之品質下降，因此須留意勿於半導體層1150之端部及其附近形成發光元件150。 如圖12所示，半導體層1150之端部形成為與晶體生長用基板1001之端部大致一致。因此，複數個半導體生長基板1194以鄰接之半導體生長基板1194彼此儘可能不產生間隙之方式，例如如圖12之實線所示，呈格子狀與基板100對向地配置。如圖12之2點鏈線所示，半導體層1150貼合於基板100之金屬層1114上。
於1個基板100上貼合有複數個半導體層1150之情形時，可於其後之步驟中，將貼合有複數個半導體層1150之基板100分割，而形成與分割數對應之數量及尺寸之圖像顯示裝置。半導體晶體之品質降低之半導體層1150之端部較佳為成為顯示區域之端部，因此分割之單位較佳為設定為與半導體生長基板1194之形狀一致。
圖13A係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性俯視圖。 圖13B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖13A係圖1之a部之放大俯視圖，圖13B係圖13A之AA-AA'線處之剖視圖。 如圖13A及圖13B所示，圖10B所示之半導體層1150經蝕刻而形成發光元件150。該例中，發光元件150被加工成圓錐台形狀。藉由使發光元件150成為圓錐台形狀，於發光元件150上形成下述圖14A及圖14B所示之絕緣膜156時，可使絕緣膜156充分地密接於發光元件150之側面。
為了使發光元件150成形為圓錐台形狀，例如越靠近發光面151S則選定越高之蝕刻速率。蝕刻速率被設定為從底面153B側朝向發光面151S側大致線性地增大。更具體而言，例如，於曝光時設法使乾式蝕刻時之抗蝕劑遮罩圖案朝向其端部逐漸變薄。藉此，可於乾式蝕刻時從抗蝕劑較薄之部分慢慢地後退，使蝕刻量從底面153B側朝向發光面151S側變大。如此一來，可形成圓錐台形狀之發光元件150。
圖10B所示之金屬層1115經蝕刻而被加工成接合金屬115。圖10B所示之金屬層1114經蝕刻而被加工成接合金屬114。較佳為，使用同一遮罩連續地對金屬層1114、1115進行蝕刻，形成XY俯視下具有相同之外周形狀之接合金屬114、115。
圖14A係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性俯視圖。 圖14B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖14A係圖1之a部之放大俯視圖，圖14B係圖14A之AA-AA'線處之剖視圖。 如圖14A及圖14B所示，絕緣膜156以覆蓋絕緣層112及發光元件150之方式形成於其等之上。絕緣膜156於由SiO 2等形成之情形時，例如藉由CVD或濺鍍等形成。以使發光面151S露出之方式，去除絕緣膜156之一部分。該例中，令發光面151S露出之開口158於XY俯視下為圓形。
圖15A係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性俯視圖。 圖15B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖15A係圖1之a部之放大俯視圖，圖15B係圖15A之AA-AA'線處之剖視圖。 如圖15A及圖15B所示，透光性電極160k沿著Y軸方向(第2方向)形成，且遍及絕緣膜156及發光面151S上而形成。更具體而言，例如，以覆蓋於絕緣膜156及發光面151S上之方式形成ITO或ZnO等具有透光性之導電膜。於導電膜上形成遮罩，且以將沿著Y軸方向排列之發光元件150之發光面151S相互連接之方式形成透光性電極160k。再者，藉由於形成透光性電極160k之前，使令發光面151S露出之開口158之表面粗糙化，亦可實現從發光元件150之光擷取效率之提高。
圖16A～圖17B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖16A及圖16B中示出圖2之b部之B-B'線處之剖視圖，且示出將配線110a及第1端子34電性連接之步驟。 圖17A及圖17B中示出圖2之c部之C-C'線處之剖視圖，示出將透光性電極160k及第2端子44電性連接之步驟。 第1端子34係列選擇電路5之輸出配線之端部，第2端子44係電流驅動電路7之輸出配線之端部。
如圖16A所示，配線110a由絕緣層112覆蓋，絕緣層112之一部分被去除而令配線110a露出。配線110a露出之區域係圖2所示之連接區域36。
於圖2所示之包含連接區域36之區域形成有各向異性導電構件30a。形成各向異性導電構件30a之步驟係將各向異性導電構件30a塗佈於包含連接區域36之區域，或貼附於包含連接區域36之區域。例如，形成有各向異性導電構件30a之區域係圖2中連續地包含排列於Y軸方向之連接區域36之區域。即，於鄰接之連接區域36間之區域亦設置有各向異性導電構件30a。
第1端子34以介隔各向異性導電構件30a，於連接區域36與配線110a對向之方式配置，如圖16A之箭頭所示，載置於各向異性導電構件30a上。各向異性導電構件30a包含黏合劑31a及各向異性導電粒子32a。黏合劑31a及各向異性導電粒子32a未被施加壓力，且未經加熱，因此為初始狀態。黏合劑31a於初始狀態下，為具有流動性及黏著性之狀態，且為未發揮接著力之狀態。各向異性導電粒子32a於初始狀態下，於任一方向上均不導通。
如圖16B所示，對第1端子34及基板100間施加壓力。所施加之壓力之方向如圖16B中箭頭所示，為沿著Z軸之方向。第1端子34、基板100及各向異性導電構件30被朝箭頭方向施加壓力，並且被加熱至特定之溫度。各向異性導電構件30中，於壓力施加方向上被壓縮之各向異性導電粒子32於壓力施加方向上形成導電路。藉由加熱而硬化之黏合劑31將配線110a及第1端子34以電性連接之狀態固定。
如圖17A所示，透光性電極160k形成於絕緣膜156上。各向異性導電構件40a形成於透光性電極160k上。形成有各向異性導電構件40a之區域係圖2所示之包含連接區域46之區域。更具體而言，形成有各向異性導電構件40a之區域係圖2中連續地包含排列於X軸方向之連接區域46之區域。即，各向異性導電構件40a亦設置於連接區域46及鄰接之連接區域46間之區域。形成各向異性導電構件40a之步驟係將各向異性導電構件40a塗佈於包含連接區域46之區域，或貼附於包含連接區域46之區域。
第2端子44以介隔各向異性導電構件40a，於圖2所示之連接區域46與透光性電極160k對向之方式配置，如圖17A之箭頭所示，載置於各向異性導電構件40a上。各向異性導電構件40a包含黏合劑41a及各向異性導電粒子42a。黏合劑41a及各向異性導電粒子42a未被施加壓力，且未經加熱，因此為初始狀態。黏合劑41a於初始狀態下，為具有流動性及黏著性之狀態，且為未發揮接著力之狀態。各向異性導電粒子42a於初始狀態下，於任一方向上均不導通。
如圖17B所示，對第2端子44及基板100間施加壓力。所施加之壓力之方向如圖17B中箭頭所示，為沿著Z軸之方向。第2端子44、基板100及圖17A所示之各向異性導電構件40a被施加壓力，並且被加熱至特定之溫度。圖17B所示之各向異性導電構件40中，於壓力施加方向上被壓縮之各向異性導電粒子42於壓力施加方向上形成導電路。藉由加熱而硬化之黏合劑41將透光性電極160k及第2端子44以電性連接之狀態固定。
配線110a和第1端子34之電性連接步驟可與透光性電極160k和第2端子44之電性連接步驟同時進行，亦可依次進行。
圖18係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 與圖18相關之說明中，將包含配線110a、絕緣層112、發光元件150、絕緣膜156、透光性電極160k及表面樹脂層170之構造物稱為發光電路部172。與圖19A～圖19D相關之說明中，將包含基板100及發光電路部172之構造物稱為構造體1192。
如圖18所示，彩色濾光片(波長轉換構件)180形成於構造體1192上，該構造體1192形成有複數個發光元件150。彩色濾光片180於一面接著於構造體1192。彩色濾光片180之另一面接著於玻璃基板186。於彩色濾光片180之一面設置有透明薄膜接著層188，經由透明薄膜接著層188而接著於構造體1192之表面樹脂層170之露出面。
該例中，彩色濾光片180係按照紅色、綠色、藍色之順序朝X軸之正方向排列有色轉換部。關於紅色，於第1層設置有紅色之色轉換層183R，關於綠色，於第1層設置有綠色之色轉換層183G，紅色及綠色之任一者分別於第2層設置有濾光片層184。關於藍色，可設置有單層之色轉換層183B，亦可設置有濾光片層184。於各色轉換部之間，設置有遮光部181，但當然可針對色轉換部之每種顏色變更濾光片層184之頻率特性。
將各色之色轉換層183R、183G、183B之位置與發光元件150之位置對準，而將彩色濾光片180貼合於構造體1192。
圖19A～圖19D係表示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之變化例的模式性剖視圖。 圖19A～圖19D中示出以噴墨方式形成彩色濾光片之方法。
如圖19A所示，準備於基板100上形成有發光元件150等構成要素之構造體1192。
如圖19B所示，於構造體1192上形成遮光部181。遮光部181係例如使用網版印刷或光微影技術等形成。
如圖19C所示，從噴墨噴嘴噴出對應於發光色之螢光體，形成色轉換層183。螢光體將未形成有遮光部181之區域著色。螢光體可採用例如使用了通常之螢光體材料或鈣鈦礦螢光體材料、量子點螢光體材料之螢光塗料。於使用鈣鈦礦螢光體材料或量子點螢光體材料之情形時，能夠實現各發光色，並且單色性較高，可提高色再現性，因而較佳。於利用噴墨噴嘴進行繪圖之後，以適當之溫度及時間進行乾燥處理。著色時之塗膜之厚度設定為較遮光部181之厚度薄。
如已作說明，關於藍色發光之子像素，於不形成色轉換部之情形時，不形成色轉換層183。又，關於藍色發光之子像素，於形成藍色之色轉換層時，色轉換部宜為1層之情形時，藍色螢光體之塗膜之厚度較佳為設為與遮光部181之厚度相同程度。
如圖19D所示，從噴墨噴嘴噴出用於濾光片層184之塗料。將塗料重疊地塗佈於螢光體之塗膜上。將螢光體及塗料之塗膜之合計厚度設為與遮光部181之厚度相同程度。
不論是薄膜型彩色濾光片，還是噴墨式彩色濾光片，為了提高色轉換效率，色轉換層183較理想的是儘可能地厚。另一方面，若色轉換層183過厚，則經色轉換之光之出射光近似於朗伯型(Lambertian)，與此相對，未經色轉換之藍色光之出射角受到遮光部181限制。因此，會產生如下問題，即，顯示圖像之顯示色產生視角依存性。為了使設置色轉換層183之子像素之光之配光與未經色轉換之藍色光之配光一致，色轉換層183之厚度較理想的是遮光部181之開口尺寸之一半左右。
例如於1000 ppi左右之高解析度圖像顯示裝置之情形時，子像素20之開口為10 μm左右，因此色轉換層183之厚度較理想的是5 μm左右。此處，於色轉換材料包含球狀螢光體粒子之情形時，較佳為呈最密構造狀積層，以抑制從發光元件150漏光。因此，必須至少使粒子層為3層。因此，構成色轉換層183之螢光體材料之粒徑例如較佳為設為2 μm左右以下，進而較佳為設為1 μm左右以下。
對本實施方式之圖像顯示裝置1之效果進行說明。 本實施方式之圖像顯示裝置1具有被動矩陣構造，藉由以於發光元件150之上下交叉之方式設置之配線110a及透光性電極160k來驅動發光元件150。因此，無需電晶體等電路元件來驅動發光元件150，故可縮短發光元件150間之距離即像素間隔。
例如，藉由將像素間隔設為10 μm左右，於3～4英吋之圖像顯示裝置中，可實現1000 pp左右之極高解析度之面板。近年來，虛擬實境用護目鏡之功能、性能提高，藉由實現此種高解析度面板，可實現更高功能、高性能之製品。
本實施方式之圖像顯示裝置1為被動矩陣構造，藉此，無須於基板上形成電晶體等主動元件，可利用低成本之太陽級Si基板作為基板100。或者，由於無需諸如TFT形成步驟這種高溫製程，故亦可使用玻璃基板。不論使用哪種基板之情形，與主動矩陣構造之顯示器相比，均可降低成本。
本實施方式之圖像顯示裝置1中，由列選擇電路5驅動之配線110a可使用高導電率之金屬材料。因此，可抑制配線110a中之電壓降，故可將用以驅動發光元件150之直流電源之電壓值抑制得較低，可實現圖像顯示裝置1之低耗電化。若於某種程度上容許圖像顯示裝置1之耗電，則不提高用於驅動發光元件150之直流電源之電壓值，便能使面板尺寸變大。
本實施方式之圖像顯示裝置1中，配線110a藉由ACP或ACF等各向異性導電構件30而電性連接於作為來自列選擇電路5之配線之第1端子34。又，透光性電極160k亦可藉由各向異性導電構件40，電性連接於作為來自電流驅動電路7之配線之第2端子44。作為各向異性導電粒子，例如利用直徑為1 μm～數 μm左右以下者，藉此可將子像素之間距為10 μm左右之配線高精度地連接。
本實施方式之圖像顯示裝置1中，於發光元件150之底面153B與第1配線110a之間設置有接合金屬114、115。接合金屬114、115可使用光反射性較高之金屬材料，因此可將發光元件150之朝下方之散射光朝發光面151S側反射，可提高發光元件150之實際發光效率。
本實施方式之圖像顯示裝置1之製造方法中，於基板100上貼合半導體層1150後，對半導體層1150進行蝕刻而形成發光元件150。因此，無須將經單片化之發光元件逐個轉印至基板100，故製造步驟顯著縮短。例如，由於發光元件之轉印次數被認為是本實施方式之製造方法中之基板貼合次數，故與相應於經單片化之發光元件之數量轉印至基板上之情形相比，相當於發光元件之轉印次數之步驟數減少為發光元件之個數分之一。
進而，本實施方式之製造方法中，於將半導體層1150貼合於形成有配線110a之基板100之後，形成發光元件，故無需與配線或電極之位置對準地將發光元件連接之對位。因此，可容易地於短時間內進行貼合步驟。由於貼合時無須進行對位，故亦容易使發光元件150變小，可實現高解析度之顯示器。
本實施方式之圖像顯示裝置1之製造方法中，藉由具有微細之各向異性導電粒子之各向異性導電構件來進行基板100上之發光元件150、列選擇電路5及電流驅動電路7之電性連接。因此，可準確且容易地進行短間距之連接。藉由使用各向異性導電構件之連接方法，可同時進行發光元件150與列選擇電路5之電性連接、及發光元件150與電流驅動電路7之電性連接，可減少製造步驟。
(第2實施方式) 上述第1實施方式中，藉由n型半導體層來提供發光元件之發光面，本實施方式中，藉由p型半導體層來提供發光元件之發光面。本實施方式中，除發光元件之構成不同以外，與上述其他實施方式之情形相同，對相同構成要素標註相同符號並適當省略詳細之說明。 圖20A及圖20B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖20A係相當於圖2之A-A'線處之截面之剖視圖。圖20B係相當於圖2之AA-AA'線處之截面之剖視圖。 如圖20A及圖20B所示，像素210包含3個子像素220。子像素220包含配線210k、發光元件250及透光性電極260a。配線210k沿著X軸方向形成。配線層110包含複數個配線210k。複數個配線210k設置成於Y軸方向上隔開，以大致相等之間隔相互大致平行。鄰接之配線210k之間之距離設定為與發光元件250之間距一致。複數個配線210k於圖1所示之顯示區域2之端部，連接於列選擇電路5。
發光元件250形成於接合金屬115上，從接合金屬115側依序積層有n型半導體層251、發光層252及p型半導體層253。
發光元件250包含底面251B及發光面253S。底面251B係與接合金屬115連接之面。發光面253S係底面251B之相反側之面。n型半導體層251包含底面251B，因此，接合金屬115電性連接於n型半導體層251。接合金屬115歐姆連接於n型半導體層251。
接合金屬114、115連接於配線210k，因此，n型半導體層251電性連接於配線210k。接合金屬114、115之構成、材料及功能與第1實施方式之情形相同，省略詳細之說明。
透光性電極260a沿著Y軸方向設置，遍及發光面253S上而設置。透光性配線層160包含複數個透光性電極260a。複數個透光性電極260a設置成於X軸方向上隔開，以大致相等之間隔相互平行。p型半導體層253包含發光面253S，因此透光性電極260a電性連接於p型半導體層253。複數個透光性電極260a於圖1所示之顯示區域2之端部電性連接於電流驅動電路7。
圖21係例示本實施方式之圖像顯示裝置之模式性方塊圖。 如圖21所示，本實施方式之圖像顯示裝置與上述其他實施方式之情形之不同點在於，發光元件之構成不同，發光元件之極性不同。根據發光元件之極性差異而變更電路構成。 如圖21所示，配線210k沿著列方向設置。配線210k經由第1端子34連接於列選擇電路205。透光性電極260a沿著行方向設置。透光性電極260a經由第2端子44連接於電流驅動電路207。
列選擇電路205包含列選擇開關205a，配線210k經由第1端子34，連接於列選擇開關205a。列選擇開關205a於選擇其中一列時，從第1端子34輸出電源端子9a之電壓。列選擇開關205a於未選擇其中一列時，從第1端子34輸出電源端子9a之電壓。於電源端子9a連接有直流電源9，該直流電源9對接地端子9b供給以接地端子9b之電壓為基準時充分高於電源端子9a之電壓值之直流電壓。
電流驅動電路207包含電流源207a，透光性電極260a經由第2端子44，連接於電流源207a。電流源207a以從第2端子44湧出電流之方式動作。
發光元件250之陽極經由第2端子44連接於電流源207a，發光元件250之陰極經由第1端子34連接於列選擇開關205a。當根據來自外部之控制信號，選擇列選擇開關205a時，從第1端子34輸出電源端子9b之電壓。電源端子9b之電壓值成為充分低於接地端子9a之電壓值，因此，與所選擇之列之配線210k連接之發光元件250中流通電流。電流於電流源207a、第2端子44、發光元件250之陽極、發光元件250之陰極、第1端子34及列選擇開關205a之路徑中流動。
對本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法進行說明。 圖22A～圖22C係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 如圖22A所示，準備半導體生長基板1194。半導體生長基板1194與上述其他實施方式之情形時關聯圖7A所作說明相同。
如圖22B所示，於半導體生長基板1194之p型半導體層1153接合支持基板1190。其後，去除晶體生長用基板1001，形成基板1195。晶體生長用基板1001之去除係使用濕式蝕刻或雷射舉離。
如圖22C所示，於基板1195，在p型半導體層1153之露出面1153E上形成金屬層1115。半導體層1150介隔金屬層1115、1114，與基板100貼合。其後，藉由濕式蝕刻或雷射舉離而去除支持基板1190。
圖23A係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性俯視圖。 圖23B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖23A係相當於圖1之a部之部分之放大俯視圖，圖23B係圖23A之AA-AA'線處之剖視圖。 如圖23A及圖23B所示，藉由蝕刻對圖22C所示之半導體層1150進行加工，形成發光元件250。發光元件250與上述其他實施方式之情形之發光元件150同樣，藉由蝕刻速率之調整而成形為從底面251B朝向發光面253S直徑變小之圓錐台形狀。藉由蝕刻對圖22C所示之金屬層1114、1115進行加工，形成接合金屬114、115。
圖24A係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性俯視圖。 圖24B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖24A係相當於圖1之a部之部分之放大俯視圖，圖24B係圖24A之AA-AA'線處之剖視圖。 如圖24A及圖24B所示，於絕緣層112、接合金屬114、115及發光元件250上形成絕緣膜156。於絕緣膜156為SiO 2之情形時，藉由CVD或濺鍍等形成絕緣膜156。以使發光面253S露出之方式，去除絕緣膜156之一部分。該例中，與上述其他實施方式之情形同樣，令發光面253S露出之開口158於XY俯視下為圓形。
圖25A係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性俯視圖。 圖25B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖25A係相當於圖1之a部之部分之放大俯視圖，圖25B係圖25A之AA-AA'線處之剖視圖。 如圖25A及圖25B所示，透光性電極260a遍及絕緣膜156及發光面253S上而形成。更具體而言，例如，以覆蓋於絕緣膜156及發光面253S上之方式形成ITO等具有透光性之導電膜。於導電膜上形成沿著Y軸方向之遮罩，且以將沿著Y軸方向排列之發光元件250之發光面253S相互連接之方式形成透光性電極260a。
對本實施方式之圖像顯示裝置之效果進行說明。 本實施方式之圖像顯示裝置與上述其他實施方式之圖像顯示裝置同樣，具有無需電晶體等電路元件之被動矩陣構造，故可縮短子像素之間距。此外，可將p型半導體層253作為發光面253S，將n型半導體層251作為底面251B。n型半導體層251與p型半導體層253相比，可使電阻值變小，故可將與發光元件250及配線210k相關之電阻值抑制得較小。因此，有可抑制連接於圖21所示之列選擇電路205之配線210k側之電阻值的優點。
本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法中，於晶體生長用基板1001上形成半導體層1150之後，將半導體層1150轉印至支持基板1190，藉此可將p型半導體層253作為發光面253S。藉由採用該製造步驟，可從n型半導體層1151起形成於晶體生長用基板1001上，故可使半導體層1150之半導體晶體之品質提高且穩定，從而可提高製造良率。
(第3實施方式) 圖26係例示本實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性俯視圖。 圖26係相當於圖1所示之顯示區域2之a部之部分的放大圖。 如圖26所示，本實施方式之圖像顯示裝置與上述其他實施方式之情形之不同點在於，於第1配線110a上所形成之p型半導體層353a上，設置有複數個發光面351S1～351S3。對相同構成要素標註相同符號並適當省略詳細之說明。
該例中，1個p型半導體層353a具有3個發光面351S1～351S3，但不限於此，1個p型半導體層353a上可具有2個以上之發光面。
p型半導體層353a設置於配線110a上。p型半導體層353a於圖26中雖未示出，但於1個配線110a上可設置複數個。複數個p型半導體層353a於X軸方向上設置有複數個，於形成有發光面時，以發光面之間隔成為大致固定之間距之方式配置。
配線110a設置有複數個，複數個配線110a於Y軸方向上隔開，以大致相等之間隔相互大致平行地設置。因此，複數個p型半導體層353a於Y軸方向上隔開，以大致相等之間隔大致平行地設置。配線110a及p型半導體層353a之Y軸方向之隔開距離與發光面之間距大致相等。
圖27A及圖27B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖27A係圖26之A-A'線處之剖視圖。 圖27B係圖26之AA-AA'線處之剖視圖。 如圖27A及圖27B所示，本圖像顯示裝置之像素310包含3個子像素320。表示實施方式之以下之圖中，為了避免顯示之繁雜，省略彩色濾光片之顯示。彩色濾光片如上述其他實施方式中所作說明，於絕緣膜156及透光性電極160k上形成有表面樹脂層170，於表面樹脂層170上設置有彩色濾光片。再者，包含上述其他實施方式之情形在內，亦可不設置彩色濾光片，而製成單色圖像顯示裝置。
子像素320包含基板100。基板100與上述其他實施方式之情形相同，省略詳細之說明。
於第1面103a上設置有配線層110，配線層110包含複數個配線110a。於第1面103a上，在平行於Y軸方向而設置之鄰接之2個配線110a之間，設置有絕緣層112。
於配線110a上設置有接合金屬314、315。接合金屬314、315從第1面103a側起依序積層。接合金屬314、315與第1配線110a一同沿著X軸方向形成。接合金屬314、315設置有複數個，複數個接合金屬314、315於Y軸方向上隔開，以大致相等之間隔大致平行地設置。Y軸方向上鄰接之接合金屬314、315之隔開距離係設定成發光面之間距。接合金屬314、315可由與上述其他實施方式之情形之接合金屬114、115相同之材料形成，具有相同之功能。
半導體層350包含p型半導體層353a、第1發光層352a1～第3發光層352a3、第1 n型半導體層351a1～第3 n型半導體層351a3。第1發光層352a1～第3發光層352a3設置於p型半導體層350a上。第1發光層352a1～第3發光層352a3相互分離且隔開，設置於p型半導體層353a上。第1 n型半導體層351a1設置於第1發光層352a1上。第2 n型半導體層351a2設置於第2發光層352a2上。第3 n型半導體層351a3設置於第3發光層352a3上。第1 n型半導體層351a1～第3 n型半導體層351a3相互分離且隔開，分別設置於第1發光層352a1～第3發光層352a3上。
p型半導體層353a沿著接合金屬315設置於接合金屬315上。即，複數個p型半導體層353a與配線110a及接合金屬314、315一同設置成於Y軸方向上隔開且大致平行。底面353B係p型半導體層353a之一部分，底面353B與接合金屬315相接。因此，p型半導體層353a電性連接於接合金屬315。
第1發光層352a1～第3發光層352a3之排列與配線110a、接合金屬314、315及p型半導體層353a一同設置成於Y軸方向上隔開且大致平行。
第1 n型半導體層351a1～第3 n型半導體層351a3分別設置於第1發光層352a1～第3發光層352a3上。因此，第1 n型半導體層351a1～第3 n型半導體層351a3之排列亦與配線110a、接合金屬314、315、p型半導體層353a及第1發光層352a1～第3發光層352a3之排列一同設置成於Y軸方向上隔開且大致平行。
第1 n型半導體層351a1具有第1發光面351S1。第1發光面351S1係與第1發光層352a1相接之第1 n型半導體層351a1之面之相反側的面。第2 n型半導體層351a2具有第2發光面351S2。第2發光面351S2係與第2發光層352a2相接之第2 n型半導體層351a2之面之相反側的面。第3 n型半導體層351a3具有發光面351S3。第3發光面351S3係與第3發光層352a3相接之第3 n型半導體層351a3之面之相反側的面。因此，第1發光面351S1～第3發光面351S3沿著X軸方向呈大致相等之間隔排列。複數個第1發光面351S1～第3發光面351S3之排列設置成於Y軸方向上相互隔開且大致平行。
絕緣膜156覆蓋絕緣層112、接合金屬314、315、p型半導體層353a、第1發光層352a1～第3發光層352a3及第1 n型半導體層351a1～第3 n型半導體層351a3而設置。絕緣膜156之一部分被去除，以令第1發光面351S1～第3發光面351S3露出。
透光性配線層160設置於絕緣膜156及第1發光面351S1～第3發光面351S3上。透光性配線層160包含複數個透光性電極160k。透光性配線層160遍及第1發光面351S1～第3發光面351S3之排列上而設置。複數個透光性電極160k於X軸方向上隔開且以大致相等之間隔平行地設置。鄰接之透光性電極160k之X軸方向之隔開距離與發光面之間距大致相等。
對本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法進行說明。 圖28A～圖29C係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖29A～圖29C係相當於圖26之A-A'線處之截面之剖視圖。 如圖28A所示，於基板100之第1面103a上形成有配線層110，且形成有配線110a。於包含配線110a之配線層110上形成有絕緣層112。絕緣層112於半導體層350與配線110a連接之區域中被去除。於絕緣層112及配線110a上形成有金屬層1114，較佳為，金屬層1114之表面變平坦。
如圖28B所示，藉由將半導體層1150上所形成之金屬層1115貼附於金屬層1114，而將半導體層1150介隔金屬層1115、1114貼合於基板100上。該等步驟可以與上述其他實施方式之情形相同之方式進行。
如圖29A所示，藉由蝕刻對圖28B所示之金屬層1114、1115進行加工，形成接合金屬314、315。接合金屬314、315以沿著配線110a之方式成形，於XY俯視下，成形為與第1配線110a相同之形狀。
藉由蝕刻對圖28B所示之半導體層1150進行加工，形成圖29A所示之半導體層350。於半導體層350之形成步驟中，p型半導體層353a以沿著接合金屬315之方式成形，於XY俯視下，成形為與接合金屬314、315及配線110a相同之形狀。
形成p型半導體層353a之後，形成第1發光層352a1～第3發光層352a3及第1 n型半導體層351a1～第3 n型半導體層351a3。第1發光層352a1及第1 n型半導體層351a1於XY俯視下，成形為相同形狀。第2發光層352a2及第2 n型半導體層351a2於XY俯視下，成形為相同形狀。第3發光層352a3及第3 n型半導體層351a3於XY俯視下，成形為相同形狀。第1 n型半導體層351a1～第3 n型半導體層351a3同時形成，第1發光層352a1～第3發光層352a3同時形成。此時，夾於第1發光層352a1～第3發光層352a3之間之p型半導體層353a可稍許或全部被蝕刻。
如圖29B所示，絕緣膜156覆蓋於絕緣層112、接合金屬314、315及圖29A所示之半導體層350而設置。第1 n型半導體層351a1～第3 n型半導體層351a3上之絕緣膜156之一部分被去除，第1發光面351S1～第3發光面351S3露出。
如圖29C所示，沿著Y軸方向形成有第1透光性配線層160。第1透光性電極160k分別形成於第1發光面351S1～第3發光面351S3上。
以此方式形成包含複數個子像素320之像素310。
對本實施方式之圖像顯示裝置之效果進行說明。 本實施方式之圖像顯示裝置與上述其他實施方式之圖像顯示裝置同樣，具有無需電晶體等電路元件之被動矩陣構造，故可縮短第1發光面351S1～第3發光面351S3之間距。此外，本實施方式中，形成半導體層350時，無須逐一發光元件地分斷，故製造步驟可能會縮短。
(第4實施方式) 圖30A～圖30C係例示本實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖30A係相當於圖2之A-A'線處之截面之剖視圖。圖30B係相當於圖2之AA-AA'線處之截面之剖視圖。圖30C係相當於圖2之C-C'線處之截面之剖視圖。再者，與圖2之B-B'線處之截面相當之截面和上述其他實施方式之圖4A所示者相同，故省略圖示及詳細之說明。 如圖30A及圖30B所示，本實施方式之圖像顯示裝置包含複數個子像素420。子像素420與上述其他實施方式之情形之不同點在於，包含絕緣膜156a。對相同構成要素標註相同符號，適當省略詳細之說明。
本實施方式中，絕緣膜156a覆蓋發光元件150之側面，並且亦設置於鄰接之發光元件150之間。該例中，2個鄰接之發光元件150之間之絕緣膜156a之距第1面103a之高度設定得較發光面151S距第1面103a之高度高。絕緣膜156a由具有光反射性之材料形成。絕緣膜156a例如由白色樹脂形成。藉由採用白色樹脂作為絕緣膜156a，可將發光元件150之橫向之出射光等反射。又，藉由使2個鄰接之發光元件150之間之絕緣膜156a之距第1面103a之高度高於發光面151S距第1面103a之高度，可將從發光面151S朝橫向擴散之光反射。藉由該等，發光元件150之發光效率實質性地提高。
白色樹脂係藉由使具有米氏(Mie)散射效應之散射性微粒子分散於SOG(Spin On Glass，旋塗式玻璃)等矽系樹脂或酚醛清漆型酚系樹脂等透明樹脂中而形成。散射性微粒子為無色或白色，具有發光元件150發出之光之波長之1/10左右至數倍左右之直徑。適宜使用之散射性微粒子具有光之波長之1/2左右之直徑。例如，作為此種散射性微粒子，可例舉TiO 2、Al 2O 3、ZnO等。
或者，白色樹脂亦可藉由有效利用分散於透明樹脂內之多個微細之孔洞等而形成。
亦可對圖3A等所示之由SiO 2等無機膜形成之絕緣膜156實施使之具有光反射性之處理。於使SiO 2變為白色時，可與SOG等重疊地，例如使用藉由ALD(Atomic-Layer-Deposition，原子層沈積)或CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)形成之SiO 2膜等。
絕緣膜156a可採用透光性較低之材料。例如，絕緣膜156a可由黑色樹脂形成。藉由採用黑色樹脂作為絕緣膜156a，能抑制子像素420內之光之散射，能更有效地抑制雜散光。雜散光得到抑制之圖像顯示裝置可顯示更清晰之圖像。
如圖30C所示，第2端子44介隔各向異性導電構件40設置於透光性電極160k上。本實施方式中，將絕緣膜156a之厚度設定得較發光面151S之高度厚，因此，第2端子44介隔各向異性導電構件40與較厚之絕緣膜156a上所設置之透光性電極160k電性連接，此點與上述其他實施方式之情形不同，除此以外與其他實施方式之情形相同。
對本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法進行說明。 本實施方式與上述其他實施方式之情形之不同點在於絕緣膜156a之形成步驟，除此以外與其他實施方式之情形相同。於絕緣膜156a為有機樹脂之情形時，採用塗佈步驟或使用模具之射出成型等。於絕緣膜156a為包含SiO 2等之無機材料之情形時，如上所述，利用CVD、ALD、濺鍍等來形成絕緣膜156a。
對本實施方式之圖像顯示裝置之效果進行說明。 本實施方式之圖像顯示裝置與上述其他實施方式之圖像顯示裝置同樣，具有無需電晶體等電路元件之被動矩陣構造，故可縮短子像素420之間距。此外，圖像顯示裝置為了實現發光元件150間之分離而具有子像素420，該子像素420包含具有光反射性之絕緣膜156a。因此，可將於側面反射之散射光等或朝斜上方出射之光反射，使從發光面151S出射之光量變多。因此，可提高發光元件150之實際發光效率。
(第5實施方式) 圖31A～圖31C係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖31A係相當於圖2之A-A'線處之截面之剖視圖。圖31B係相當於圖2之AA-AA'線處之截面之剖視圖。圖31C係相當於圖2之B-B'線處之截面之剖視圖。再者，與圖2之C-C'線處之截面相當之截面與上述第4實施方式之圖30C所示者相同，故省略圖示及詳細之說明。 如圖31A及圖31B所示，本實施方式之圖像顯示裝置具有包含金屬配線510之子像素520。金屬配線510代替上述其他實施方式之配線110a、210k，沿著X軸方向設置。金屬配線510與配線110a、210k同樣，設置有複數個，複數個金屬配線510於Y軸方向上隔開，以大致相等之間隔大致平行地設置。鄰接之金屬配線510之隔開距離設定為與發光元件150之間距大致相等。
於金屬配線510上，在X軸方向上以大致相等之間隔設置有發光元件150。金屬配線510包含接合金屬514、515，接合金屬514、515從第1面103a側起依序積層並接合。發光元件150之底面153B與接合金屬515相接，p型半導體層153與接合金屬515歐姆連接。因此，p型半導體層153電性連接於第1金屬配線510，與於X軸方向上鄰接地設置之發光元件150電性連接。
該例中，絕緣膜156a由具有光反射性之絕緣材料形成，但亦可如第1實施方式或第2實施方式之情形，由透明樹脂形成。
與第1實施方式之情形同樣，透光性電極160k沿著Y軸方向形成，與沿著Y軸方向排列之發光元件150之發光面151S連接。
如圖31C所示，金屬配線510設置於基板100之第1面103a上。更具體而言，於第1面103a上設置有接合金屬514，於接合金屬514上設置有接合金屬515。第1端子34介隔各向異性導電構件30設置於接合金屬515上。第1端子34經由各向異性導電構件30之各向異性導電粒子32，電性連接於金屬配線510。各向異性導電構件30中之黏合劑31如根據上述其他實施方式之情形之圖4A等所作說明，為了將第1端子34與金屬配線510之連接固定而設置。
對本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法進行說明。 圖32A～圖34B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖33A及圖34A係相當於圖2之A-A'線處之截面之剖視圖。 圖33B及圖34B係相當於圖2之AA-AA'線處之截面之剖視圖。 如圖32A所示，準備半導體生長基板1194，於半導體生長基板之p型半導體層1153上形成金屬層1115。半導體生長基板1194介隔金屬層1115、1114，貼合於基板100之第1面103a。介隔金屬層1114、1115之半導體層1150與基板100之貼合步驟已於上述其他實施方式中關聯圖10A加以說明，故省略。
如圖32B所示，藉由濕式蝕刻或雷射舉離而去除圖32A所示之晶體生長用基板1001。
如圖33A及圖33B所示，藉由蝕刻對圖32B所示之金屬層1115、1114進行加工，形成金屬配線510。複數個金屬配線510以於Y軸方向上隔開，以大致相等之間隔大致平行之方式被分斷而形成單個之金屬配線510。使用同一遮罩連續地對圖32B所示之金屬層1115、1114進行蝕刻。
藉由蝕刻對圖32B所示之半導體層1150進行加工，如圖33A及圖33B所示，形成發光元件150。該例中，發光元件150成為於發光元件150之高度方向上直徑大致相等之圓柱形狀，但亦可成為角柱形狀。又，亦可與上述其他實施方式之情形同樣，成為圓錐台形狀或角錐台形狀。
如圖34A及圖34B所示，絕緣膜156a覆蓋第1面103a、金屬配線510及發光元件150而形成。該例中，絕緣膜156a由具有光反射性之絕緣材料形成。絕緣膜156a形成為，絕緣膜156a之距第1面103a之高度高於發光面151S之距第1面103a之高度。
將發光元件150之上部之絕緣膜156a之一部分去除，使發光面151S露出。包含複數個透光性電極160k之透光性配線層160形成於絕緣膜156a及發光面151S上。透光性電極160k沿著Y軸方向形成，於X軸方向上隔開並以大致相等之間隔大致平行地形成。
之後，視需要而於發光面151S之上方設置彩色濾光片。
以此方式形成子像素520。
對本實施方式之圖像顯示裝置之效果進行說明。 本實施方式之圖像顯示裝置與上述其他實施方式之圖像顯示裝置同樣，具有無需電晶體等電路元件之被動矩陣構造，故可縮短子像素520之間距。此外，圖像顯示裝置之子像素520包含金屬配線510，將金屬配線設為與列選擇電路5連接之配線。金屬配線510係由具有足夠厚度之金屬層1114、1115形成，故可使佈線方向之電阻量變低。因此，即便於圖2所示之顯示區域2中設置於與列選擇電路5分離之行之發光元件150中流通電流時，亦可抑制金屬配線510之電壓降。因此，可將供給至列選擇電路5之直流電源之電壓設定得更低，可減少圖像顯示裝置之耗電。於容許在某種程度上將供給至列選擇電路5之直流電源之電壓設定得較高之情形時，對設置於距離列選擇電路5更遠之位置之發光元件亦可供給充分之電壓，故可實現具有更大尺寸之畫面之圖像顯示裝置。
本實施方式之圖像顯示裝置中，可代替上述其他實施方式之情形之配線110a，採用金屬配線510。金屬配線510亦可作為其他實施方式之情形時之接合金屬發揮功能。因此，可省略形成包含複數個配線110a之配線層110及絕緣層112之步驟。因此，可縮短圖像顯示裝置之製造步驟，可實現成本降低、生產性提高等。
(第6實施方式) 圖35係例示本實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性俯視圖。 圖35表示圖1所示之a部、b部及c部之放大圖。a部係與圖1所示之顯示區域2內之一部分相當之部分。b部係與跨及圖1所示之顯示區域2及列配線區域6的區域之一部分相當之部分。c部係與跨及圖1所示之顯示區域2及行配線區域8的區域之一部分相當之部分。
如圖35所示，本實施方式之圖像顯示裝置601具備配線110a、發光元件150、透光性電極670k、第1端子34、第2端子644及透光性基板680。本實施方式中，圖像顯示裝置601與上述其他實施方式之情形之不同點在於具備透光性基板680。本實施方式之圖像顯示裝置601與上述其他實施方式之情形之不同點在於第2端子644之構成。又，本實施方式之圖像顯示裝置601與上述其他實施方式之情形之不同點在於子像素620之構成。對與上述其他實施方式之情形相同之構成要素標註相同符號，並適當省略詳細之說明。
圖像顯示裝置601中，透光性基板680以覆蓋圖1所示之顯示區域2之方式設置。透光性基板680以越過顯示區域2，覆蓋圖1所示之行配線區域8之一部分之方式設置。透光性基板680例如為玻璃基板。透光性電極670k沿著Y軸方向設置。透光性電極670k設置有複數個。複數個透光性電極670k設置成於X軸方向上隔開，以大致相等之間隔相互大致平行。透光性基板680及透光性電極670k如下述圖36A以後所作說明，設置於發光元件150之上方，圖35中以2點鏈線表示。
圖像顯示裝置601之子像素620與上述其他實施方式之情形之不同點在於，於發光元件150之上方具有透光性基板680。第2端子644與上述其他實施方式之情形之不同點在於，與透光性基板680上所設置之透光性電極670k連接。對與其他實施方式之情形相同之構成要素，標註相同之符號並適當省略詳細之說明。
圖36A～圖36C係例示本實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖36A係圖35之A-A'線處之剖視圖。圖36B係圖35之AA-AA'線處之剖視圖。圖36C係圖35之C-C'線處之剖視圖。再者，圖35之B-B'線處之截面與上述其他實施方式之圖4A所示者相同，故省略圖示及詳細之說明。 本實施方式中所說明之例係未設置彩色濾光片之單色圖像顯示裝置。以下，由於1個子像素構成1個像素，故將1個像素稱為子像素。
如圖36A及圖36B所示，於基板600之一面即第1面600a上設置有金屬配線510及絕緣膜156a。該例中，基板600係具有透光性之基板，例如為玻璃基板。亦可代替玻璃基板，如上述其他實施方式之情形，使用兩面形成有氧化膜之Si基板。第1面600a係與XY平面大致平行之平面。金屬配線510與第5實施方式之情形相同。金屬配線510沿著X軸方向設置。金屬配線510設置有複數個，複數個金屬配線510設置成於Y軸方向上隔開，以大致相等之間隔相互大致平行。亦可代替金屬配線510，如第1實施方式之情形，於圖3A等所示之配線110a上逐一發光元件地設置接合金屬114、115。
複數個發光元件(第1發光元件、第2發光元件)150與第5實施方式之情形同樣，設置於金屬配線510上，底面(第1底面、第2底面)153B與接合金屬515相接。因此，p型半導體層153電性連接於金屬配線510。發光元件150於金屬配線510上排列有複數個，複數個發光元件於金屬配線510上在Y軸方向上隔開，以大致相等之間隔設置。
遍及發光面151S上設置有透光性電極(第3透光性電極、第4透光性電極)660k。透光性電極660k設置於複數個發光元件150各自之發光面(第1發光面、第2發光面)151S。透光性電極660k於各向異性導電構件650與發光面151S之間，隔開地設置於每個發光元件150。藉由將透光性電極660k設置於每個發光面151S，於連接於各向異性導電構件650之情形時，與未設置透光性電極660k時相比可降低連接電阻。
絕緣膜156a覆蓋第1面600a、金屬配線510、p型半導體層153及發光層152而設置。絕緣膜156a覆蓋n型半導體層151之側面而設置，為了確保發光面151S上之透光性，未覆蓋發光面151S及發光面151S附近之n型半導體層151之側面。
各向異性導電構件(第3各向異性導電構件)650設置於絕緣膜156a、n型半導體層151之側面中之未由絕緣膜156a覆蓋之部分及透光性電極660k上。各向異性導電構件650包含黏合劑651及各向異性導電粒子652。黏合劑651具有與圖4A及圖4B所示之黏合劑31、41相同之功能，但由具有透光性之材料構成。黏合劑651只要具有透光性，則可由與黏合劑31、41相同之材料形成，亦可由與黏合劑31、41不同之材料形成。黏合劑651作為將對向之透光性電極660k與透光性電極670k固定之接著劑發揮功能。各向異性導電粒子652具有與圖4A及圖4B所示之各向異性導電粒子32、42相同之功能。各向異性導電粒子652可由與各向異性導電粒子32、42相同之構成、材料形成，亦可由與各向異性導電粒子32、42不同之構成、材料形成。各向異性導電粒子652將對向之透光性電極660k與透光性電極670k電性連接。
透光性電極670k介隔各向異性導電構件650設置於透光性電極660k上。透光性電極670k沿著Y軸方向設置。透光性電極670k設置有複數個，複數個透光性電極670k設置成於X軸方向上隔開，以大致相等之間隔相互大致平行。
發光元件150及透光性電極660k於金屬配線510上沿著X軸方向排列有複數個。各向異性導電構件650設置於透光性電極670k與透光性電極660k之間，並且亦設置於在X軸方向上鄰接之透光性電極670k之間。進而，各向異性導電構件650亦設置於在X軸方向上鄰接之透光性電極660k之間，且亦設置於在X軸方向上鄰接之n型半導體層151之n型半導體層151之間。
各向異性導電構件650亦設置於在Y軸方向上鄰接之透光性電極660k之間，且亦設置於在Y軸方向上鄰接之發光元件150之n型半導體層151之間。
透光性電極670k之各者介隔各向異性導電構件650，設置於透光性電極660k上。於圖36A所示之透光性電極670k之寬度W之區域中，各向異性導電構件650之各向異性導電粒子652處於導通狀態。於透光性電極670k與在X軸方向上鄰接於該透光性電極670k而設置之透光性電極670k之間之區域中，各向異性導電粒子652成為非導通狀態。因此，透光性電極660k經由第3各向異性導電構件650和與透光性電極660k對向地設置之透光性電極670k電性連接。
透光性基板680設置於第3各向異性導電構件650上。透光性基板680係具有透光性之基板，例如為玻璃基板。
如圖36C所示，第2端子644經由各向異性導電構件(第2各向異性導電構件)640，與透光性基板680上所形成之透光性電極670k連接。各向異性導電構件640包含黏合劑641及各向異性導電粒子642。黏合劑641及各向異性導電粒子642之構成、材料及功能與黏合劑651及各向異性導電粒子652相同。各向異性導電粒子642與透光性電極670k及第2端子644接觸，將透光性電極670k與第2端子644電性連接。
第2端子644設置有複數個，複數個第2端子644設置成於X軸方向上隔開，以大致相等之間隔相互大致平行。各向異性導電構件640分別設置於複數個透光性電極670k與複數個各向異性導電構件640之間。各向異性導電構件640亦設置於在X軸方向上鄰接之透光性電極670k之間，且亦設置於在X軸方向上鄰接之第2端子(第3端子)644之間。
n型半導體層151經由透光性電極660k、各向異性導電構件650及透光性電極670k，電性連接於圖1所示之電流驅動電路7。
圖37係例示本實施方式之圖像顯示裝置之模式性立體圖。 如圖37所示，本實施方式之圖像顯示裝置於基板600上包含呈矩陣狀排列之多個發光元件150。排列有多個發光元件150之區域係圖1所示之顯示區域2，於顯示區域2之端部設置有第1端子34。於呈矩陣狀排列之發光元件150上設置有包含黏合劑651及各向異性導電粒子652之各向異性導電構件650。於各向異性導電構件650上，設置有形成了透光性電極670k之透光性基板680。透光性電極670k與各向異性導電構件650對向地形成，透光性電極670k與呈矩陣狀排列之發光元件150如上所述經由各向異性導電構件650而電性連接。
如圖37之例，可於透光性基板680上進而設置彩色濾光片180。於設置彩色濾光片180之情形時，為了減少透光性基板680於光透過時之損耗，亦可使透光性基板680變薄。
圖37係將透光性電極670k經由各向異性導電構件650連接於發光元件150之情形之例，但於上述其他實施方式中，即便是於發光元件150上直接設置有透光性電極160k之態樣，發光元件150亦與該例同樣地呈矩陣狀排列多個。
對本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法進行說明。 圖38A係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的仰視圖。 圖38B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的剖視圖。 圖38A係從Z軸之負方向朝向正方向觀察透光性基板680所得之仰視圖。圖38B係圖38A之D-D'線處之剖視圖。 如圖38A及圖38B所示，透光性基板(第4基板)680具有第1面680a及第2面680b。第2面680b係第1面680a之相反側之面。複數個透光性電極(第1透光性電極、第2透光性電極)670k形成於第2面680b上。透光性電極670k例如遍及第2面680b上，形成有透光性導電膜，對透光性導電膜進行蝕刻，形成沿著Y軸方向之透光性電極670k。圖38A中，表示透光性電極670k之端部成為連接區域646。
圖39A係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的仰視圖。 圖39B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的剖視圖。 圖39A係從Z軸之負方向朝向正方向觀察透光性基板680所得之仰視圖。圖39B係圖39A之D-D'線處之剖視圖。 如圖39A及圖39B所示，複數個透光性電極(第1透光性電極、第2透光性電極)670k經由各向異性導電構件640，分別電性連接於複數個第2端子(第2端子、第3端子)644。各向異性導電構件640例如以包含連接區域646之方式，遍及X軸方向塗佈或貼附於第2面680b之端部。即，各向異性導電構件640亦設置於鄰接之2個連接區域646之間之區域。
藉由於Z軸方向上對透光性基板680與第2端子644進行加壓、加熱，而經由連接區域646內之各向異性導電粒子642將透光性電極670k與第2端子644電性連接。包含熱固性接著劑之黏合劑641係藉由加熱而硬化，故第2端子644可維持與透光性電極670k之電性連接，且被固定。
圖40A及圖40B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖40A、圖41A、圖42A及圖43A係相當於圖35之A-A'線處之截面之剖視圖。 圖40B、圖41B、圖42B及圖43B係相當於圖35之AA-AA'線處之截面之剖視圖。 以下之製造步驟中，應用與第5實施方式之情形之圖32A及圖32B中所說明之內容相同之構成。以下，從圖32A及圖32B之步驟之後之步驟加以說明。 如圖40A及圖40B所示，逐一發光元件150地於發光面151S上形成透光性電極660k。於透光性電極660k之形成步驟中，例如於圖32A及圖32B所示之n型半導體層1151上形成透光性之導電膜，藉由蝕刻對導電膜進行加工，藉此形成透光性電極660k。其後，藉由蝕刻對圖32A及圖32B所示之半導體層1150進行加工，形成發光元件150。
如圖41A及圖41B所示，以覆蓋絕緣膜156a、發光元件150及透光性電極660k之方式塗佈或貼附各向異性導電構件650a。該例中，發光元件150中之未經絕緣膜156a覆蓋之n型半導體層151之側面由各向異性導電構件650a覆蓋。各向異性導電構件650a設置於透光性電極660k上，並且亦設置於鄰接之發光元件150之間。
各向異性導電構件650a包含黏合劑651a及各向異性導電粒子652a。黏合劑651a及各向異性導電粒子652a未被施加壓力，且未經加熱，因此為初始狀態。黏合劑651a於初始狀態下，為具有流動性及黏著性之狀態，且為未發揮接著力之狀態。各向異性導電粒子652a於初始狀態下，於任一方向上均不導通。
如圖42A及圖42B所示，準備連接有未圖示之第2端子644之透光性基板680。透光性基板680係以使第2面680b與各向異性導電構件650a對向之方式配置。透光性電極670k成為與金屬配線510正交之朝向，且與發光面151S上所設置之透光性電極660k對位地配置。
如圖43A及圖43B所示，透光性基板680及基板600於Z軸方向上被施加壓力，且被加熱。藉由所施加之壓力，透光性電極670k與透光性電極660k經由各向異性導電粒子652而電性連接。藉由加熱而硬化之黏合劑651將透光性電極660k與透光性電極670k以電性連接之狀態固定。
各向異性導電構件650沿著被施加壓力之方向，形成導通路徑。因此，將透光性電極660k與透光性電極670k電性連接之範圍成為例如根據透光性電極670k之X軸方向之長度界定之範圍。於X軸方向上鄰接之2個透光性電極670k之間之區域，於X軸方向上未施加有壓力，故該等2個透光性電極670k之間未確立電性連接。
Y軸方向上鄰接之2個透光性電極660k之間之各向異性導電構件650未被施加Y軸方向之壓力，故該等2個透光性電極660k之間之電性連接未確立。
上文中，對將各向異性導電構件650設置於發光元件150側之情形進行了說明，但各向異性導電構件650亦可遍及透光性基板680之第2面680b及透光性電極670k上而塗佈或貼附。
關於各向異性導電構件640之功能亦同樣。即，介隔各向異性導電構件640對向地設置之第2端子644及透光性電極670k藉由Z軸方向之壓力而確保導通。與此相對，無須於X軸方向上對在X軸方向上鄰接之2個第2端子644間及在X軸方向上鄰接之2個透光性電極670k間施加壓力。因此，無須於該等2個第2端子644間及2個透光性電極670k間確保導通。
對本實施方式之圖像顯示裝置之效果進行說明。 由於與上述其他實施方式之圖像顯示裝置同樣，具有無需電晶體等電路元件之被動矩陣構造，故可縮短子像素620之間距。本實施方式中，如上所述，於製造方法中，在透光性基板680上預先形成發光元件150上所形成之透光性電極670k，使用各向異性導電構件650將其與發光元件150連接。因此，於具有階差之面上未形成透光性電極，故即便縮短發光元件150之間距，亦可減少因透光性電極斷開等引起之良率降低。
又，經由各向異性導電構件650將透光性電極670k與透光性電極660k連接，故可減輕製造時之熱應力。
進而，可將透光性電極670k之連接步驟縮短為各向異性導電構件650之形成步驟及連接步驟。因此，得以縮短圖像顯示裝置之製造步驟，可實現成本降低。
(第7實施方式) 圖44A及圖44B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖44A係相當於圖35之A-A'線處之截面之剖視圖。 圖44B係相當於圖35之AA-AA'線處之截面之剖視圖。 如圖44A及圖44B所示，本實施方式之圖像顯示裝置中，子像素720包含基板702。基板702由有機樹脂形成，較佳為具有可撓性。於基板702上，設置有具有SiO 2等Si化合物之層703。設置層703之目的在於，於形成金屬配線510之情形時，提高金屬材料之密接性。金屬配線510及絕緣膜156a設置於第1面703a上。
本實施方式之圖像顯示裝置中，子像素720包含基板781。基板781例如由透明之有機樹脂製之材料形成，較佳為具有可撓性。基板781具有第1面781a及第2面781b。第2面781b係第1面781a之相反側之面。透光性電極670k設置於第2面781b上。本實施方式之圖像顯示裝置除包含上述具有層703之基板702及基板781以外，還包含與第6實施方式之情形相同之構成要素。對相同構成要素標註相同符號並省略詳細之說明。
對本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法進行說明。 圖45A及圖45B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖45A及圖45B係相當於圖35之A-A'線處之截面之剖視圖。 如圖45A所示，於所準備之基板700上，形成第6實施方式等中已作說明之金屬配線510、發光元件150、透光性電極660k、絕緣膜156a及第3各向異性導電構件650。基板700包含2層基板701、702及層703。例如，基板702係藉由於基板702之第1面701a上塗佈聚醯亞胺材料並焙燒而形成。亦可於形成基板702之前，於一面701a上形成SiN x等無機膜。此情形時，基板702係藉由於面701a上所形成之無機膜上塗佈聚醯亞胺材料並焙燒而形成。層703遍及基板701之第1面701a上而形成。
本實施方式中，代替圖38A～圖39B所示之透光性基板680，而使用基板780。基板(第4基板)780包含2層基板781、782。基板782係例如具有透光性之基板，且係玻璃基板。基板781係透明之有機樹脂製之基板。如圖45B所示，基板781形成於基板782之面782a上。基板781、782係藉由例如接著劑等而貼合。
基板701係藉由例如濕式蝕刻或雷射舉離而去除。基板782亦藉由例如濕式蝕刻等而去除。
對本實施方式之圖像顯示裝置之效果進行說明。 本實施方式中，藉由較薄地成形之有機樹脂來形成基板702、781，故可使圖像顯示裝置更輕量、薄型化。可採用具有可撓性之材料作為基板702、781，故可彎曲加工成圖像顯示裝置，可協調地實現向曲面之貼附、或對虛擬實境用護目鏡等可穿戴終端之利用等。
(第8實施方式) 圖46係例示本實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性俯視圖。 上述其他實施方式之情形時，藉由金屬等具有較高導電性之導電材料形成實現與列選擇電路之連接之配線，但本實施方式中，實現與電流驅動電路之連接之配線亦由具有高導電率之導電材料形成。 如圖46所示，本實施方式之圖像顯示裝置包含第1金屬配線812k、發光元件250、透光性電極260a及第2金屬配線880a。第1金屬配線812k沿著X軸方向設置。第1金屬配線812k設置有複數個，複數個第1金屬配線812k於Y軸方向上隔開，以大致相等之間隔大致平行地設置。第1金屬配線812k之Y軸方向之隔開距離設定為發光元件250之間距。再者，本實施方式中，可將第2金屬配線880a直接連接於第2端子44。
透光性電極260a沿著Y軸方向設置。透光性電極260a設置有複數個，複數個透光性電極260a於X軸方向上隔開，以大致相等之間隔大致平行地設置。第2金屬配線880a沿著Y軸方向設置。第2金屬配線880a設置有複數個，複數個第2金屬配線880a於X軸方向上隔開，以大致相等之間隔大致平行地設置。第2金屬配線880a處於與透光性電極260a不同之層，XY俯視下與透光性電極260a大致平行地設置。
發光元件250設置於第1金屬配線812k與第2金屬配線880a交叉之交點。第2金屬配線880a處於與透光性電極260a不同之層，XY俯視下與透光性電極260a大致平行地設置，故發光元件250設置於第1金屬配線812k與透光性電極260a交叉之交點。
本實施方式中，發光元件250係具有正方形截面之角錐台形狀，下述圖47A及圖47B所示之發光面253S成為圓形。發光元件250之形狀與上述其他實施方式之情形同樣，可為圓錐台形狀，亦可為圓柱或角柱。
圖47A及圖47B係例示本實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖47A係圖46之A-A'線處之剖視圖。 圖47B係圖46之AA-AA'線處之剖視圖。 如圖47A及圖47B所示，於基板800上，形成有包含第2金屬配線880a、第1金屬配線812k、發光元件250及透光性電極260a之上部構造物。基板800係例如透光性基板，且為玻璃基板。如上述其他實施方式之情形，亦可為Si基板及包含氧化膜之基板。於基板800之第1面800a上設置有第2金屬配線880a。第2金屬配線880a沿著Y軸方向設置。第2金屬配線880a設置有複數個，複數個第2金屬配線880a於X軸方向上隔開，以大致相等之間隔大致平行地設置。第2金屬配線880a於圖1所示之顯示區域2之端部，連接於電流驅動電路7。第2金屬配線880a由例如Al或Cu等具有高導電率之金屬材料、或包含Al或Cu等之合金形成。
於第1面800a及第2金屬配線880a上設置有絕緣層802。絕緣層802例如為SiO 2等氧化膜等，例如藉由CVD等而形成。
絕緣層802之表面變平坦，於變平坦之絕緣層802上形成有第1金屬配線812k。第1金屬配線812k沿著X軸方向形成。第1金屬配線812k設置有複數個，複數個第1金屬配線812k於Y軸方向上隔開，以大致相等之間隔大致平行地設置。第1金屬配線812k於圖1所示之顯示區域2之端部，連接於列選擇電路5。
遍及第1金屬配線812k上，設置有接合金屬810k，於接合金屬810k上設置有發光元件250。本實施方式中，成為將p型半導體層253作為發光面253S，將n型半導體層251作為底面之發光元件250。與上述其他實施方式之情形同樣，接合金屬810k係為了與發光元件250之n型半導體層251進行歐姆連接而設置。又，接合金屬810k係為了將發光元件250之朝下方之散射光等朝發光面253S側反射而設置。藉此，能提高發光元件250之實際發光效率。關於發光元件250之構成，與第2實施方式之情形相同，省略詳細之說明。
絕緣膜156覆蓋絕緣層802、第1金屬配線812k、接合金屬810k及發光元件250而設置。於發光元件250之上方去除絕緣膜156之一部分而形成發光面253S。絕緣膜156之材料與上述其他實施方式之情形相同，省略詳細之說明。絕緣膜156與上述其他實施方式之情形相同，下述情況亦相同，即可成為由具有光反射性之絕緣材料形成之絕緣膜156a。
透光性電極260a沿著Y軸方向設置於絕緣膜156及發光元件250上。透光性電極260a設置成將沿著Y軸方向排列之發光元件250之發光面253S相互連接。透光性電極260a設置有複數個。複數個透光性電極260a於X軸方向上隔開，以大致相等之間隔大致平行地設置。複數個透光性電極260a及複數個第2金屬配線880a處於不同之層，分別形成為大致平行。更具體而言，於存在發光元件250之區域，複數個透光性電極260a及複數個第2金屬配線880a分別配置成介隔發光元件250、接合金屬810k、第1金屬配線812k及絕緣層802，於Z軸方向上積層，具有相同之XY座標。於不存在發光元件250之區域，複數個透光性電極260a及複數個第2金屬配線880a分別配置成介隔絕緣膜156及絕緣層802，積層於Z軸方向，具有相同之XY座標。
透光性電極260a具有接觸部861a，利用接觸部861a與通孔862a連接。接觸部861a及通孔862a設置於鄰接之發光元件250之間。接觸部861a及通孔862a各設置有複數個，該例中，分別設置於鄰接之2個發光元件250之間。不限於該例，亦可對排列於Y軸方向上之複數個發光元件之組分別設置接觸部861a及通孔862a。
通孔862a設置成貫通絕緣膜156及絕緣層802，到達第2金屬配線880a。通孔862a設置於透光性電極260a與第2金屬配線880a之間，將透光性電極260a與第2金屬配線880a電性連接。因此，p型半導體層253經由透光性電極260a、接觸部861a、通孔862a及第2金屬配線880a，電性連接於電流驅動電路7。
該例中，接觸部861a及通孔862a由與透光性電極260a相同之材料形成。藉由利用相同材料形成透光性電極260a、接觸部861a及通孔862a，可同時進行透光性電極260a之形成、及通孔862a之形成。藉由同時進行透光性電極260a及通孔862a之形成，利用接觸部861a之相互連接亦可與透光性電極260a及通孔862a之形成同時進行。
接觸部861a之形狀及通孔862a之截面形狀可根據接觸部861a及通孔862a之材料而適當設定。該例中，可使接觸部861a及通孔862a之材料成為與透光性電極260a相同之材料，故充分地獲得截面面積以降低電阻值。
對本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法進行說明。 本實施方式之圖像顯示裝置之製造方法中，第2金屬配線880a之形成步驟及通孔862a之形成步驟與上述其他實施方式之情形不同。其他方面可應用上述其他實施方式之情形。
於第2金屬配線880a之形成步驟中，於所準備之基板800之第1面800a上形成金屬層，可藉由蝕刻而形成第2金屬配線880a。形成第2金屬配線880a後，覆蓋第1面800a及第2金屬配線880a而形成絕緣層802，絕緣層802之表面變平坦。
通孔862a之形成步驟係於絕緣膜156之形成步驟後執行。於通孔862a之形成步驟中，於作為通孔862a與第2金屬配線880a之連接位置之接觸部861a形成導孔。如上所述，接觸部861a選定了於Y軸方向上鄰接之2個發光元件250之間之位置。用於通孔862a之導孔形成為貫通絕緣膜156及絕緣層802，到達第2金屬配線880a。
該例中，遍及絕緣膜156及發光元件250上形成導電膜，對所形成之導電膜進行蝕刻而形成透光性電極260a，該導電膜具有用於形成透光性電極260a之透光性。通孔862a係藉由於形成導電膜時利用導電膜材料將導孔填埋而形成，亦同時進行通孔862a與透光性電極之經由接觸部861a之連接。
對本實施方式之圖像顯示裝置之效果進行說明。 本實施方式之圖像顯示裝置與上述其他實施方式之圖像顯示裝置同樣，具有無需電晶體等電路元件之被動矩陣構造，故可縮短子像素820之間距。此外，電流驅動電路7與各發光元件250之連接除可藉由透光性電極260a實現以外，還可藉由第2金屬配線880a實現。藉由透光性電極260a與第2金屬配線880a並聯連接，可減小電流驅動電路7與各發光元件250之間之配線之佈線方向的電阻值。藉由對第2金屬配線880a使用包含具有較高導電率之Al或Cu等之金屬材料，可減小電流驅動電路7與各發光元件250之間之佈線方向之電阻量。因此，對各發光元件250供給電流之配線之電阻量降低，故可使驅動各發光元件250之直流電源之電壓值變得更低，可進一步減少圖像顯示裝置之耗電。即便使驅動各發光元件250之直流電源之電壓變低，亦可對各發光元件250之端子間施加充分之電壓，故可使顯示區域更大。
於製造本實施方式之圖像顯示裝置之情形時，已確立了形成貫通複數個絕緣層之通孔之技術，可藉由具有實際成果之製程來製造圖像顯示裝置，故可提高製造良率，可實現因連接不良等減少而促成之品質提高。
本實施方式中，對將p型半導體層253作為發光面253S之例進行了說明，藉由應用上述其他實施方式之例，例如亦可容易地製造將圖3A所示之n型半導體層151作為發光面151S之圖像顯示裝置。
(第9實施方式) 關於上述圖像顯示裝置，作為具有適當像素數之圖像顯示模組，例如可設為電腦用顯示器、電視、智慧型手機之類之攜帶用終端或汽車導航等。
圖48係例示本實施方式之圖像顯示裝置之方塊圖。 圖48中示出電腦用顯示器之構成之主要部分。 如圖48所示，圖像顯示裝置901具備圖像顯示模組902。圖像顯示模組902係例如具備上述第1實施方式之情形之構成之圖像顯示裝置。圖像顯示模組902包含顯示區域2、列選擇電路5及電流驅動電路7，該顯示區域2由包含子像素20之複數個子像素排列而成。
圖像顯示裝置901進而具備控制器970。控制器970輸入經未圖示之介面電路分離、產生之控制信號，對列選擇電路5及電流驅動電路7控制各子像素之驅動及驅動順序。
(變化例) 關於上述圖像顯示裝置，作為具有適當像素數之圖像顯示模組，例如可設為電腦用顯示器、電視、智慧型手機之類之攜帶用終端或汽車導航等。
圖49係例示本實施方式之變化例之圖像顯示裝置之方塊圖。 圖49中示出高解析度薄型電視之構成。 如圖49所示，圖像顯示裝置901a具備圖像顯示模組902a。圖像顯示模組902a係例如具備上述第1實施方式之情形之構成之圖像顯示裝置1。圖像顯示裝置901a具備控制器970a及圖框記憶體980a。控制器970a基於藉由匯流排940a供給之控制信號，控制顯示區域2之各子像素之驅動順序。圖框記憶體980a儲存1圖框量之顯示資料，用於順利地播放動畫等處理。
圖像顯示裝置901a具有I/O(Input/Output，輸入/輸出)電路910a。圖49中，將I/O電路910a簡記為「I/O」。I/O電路910a提供用以與外部之終端或裝置等連接之介面電路等。I/O電路910a包含例如連接外部安裝之硬碟裝置等之USB(Universal Serial Bus，通用串列匯流排)介面或聲頻介面等。
圖像顯示裝置901a具有接收部920a及信號處理部930a。於接收部920a連接有天線822，自天線922a所接收到之電波中分離、產生所需之信號。信號處理部930a包含DSP(Digital Signal Processor，數位信號處理器)、或CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)等，經接收部920a分離、產生之信號藉由信號處理部930a而分離、產生為圖像資料或音頻資料等。
藉由將接收部920a及信號處理部930a作為行動電話之收發用或WiFi用、GPS(Global Positioning System，全球定位系統)接收器等高頻通信模組，亦可製成其他圖像顯示裝置。例如，可將具備適當之畫面尺寸及解像度之圖像顯示模組之圖像顯示裝置作為智慧型手機或汽車導航系統等攜帶型資訊終端。
本實施方式之情形時之圖像顯示模組不限於第1實施方式之情形時之圖像顯示裝置之構成，亦可設為其他變化例或其他實施方式之情形。本實施方式及變化例之情形時之圖像顯示模組如圖37所示，構成為包含多個子像素。
根據以上所說明之實施方式，可實現高解析度且可高速響應之圖像顯示裝置。
以上，對本發明之若干實施方式進行了說明，但該等實施方式係作為示例而提出，並不意圖限定發明之範圍。該等新穎之實施方式能夠以其他各種形態實施，可於不脫離發明主旨之範圍內進行各種省略、置換、變更。該等實施方式或其變化包含於發明之範圍或主旨中，並且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等物之範圍內。又，上述各實施方式可相互組合而實施。
1:圖像顯示裝置 2:顯示區域 5:列選擇電路 5a:列選擇開關 6:列配線區域 7:電流驅動電路 7a:電流源 8:行配線區域 9:直流電源 9a:電源端子 9b:接地端子 10:像素 20:子像素 30:各向異性導電構件 30a:各向異性導電構件 31:黏合劑 31a:黏合劑 32:各向異性導電粒子 32a:各向異性導電粒子 34:第1端子 36:連接區域 40:各向異性導電構件 40a各向異性導電構件 41:黏合劑 41a:黏合劑 42:各向異性導電粒子 42a:各向異性導電粒子 44:第2端子 46:連接區域 100:基板 101,103:氧化膜 102:Si基板 102a:一面 102b:另一面 103a:第1面 106:連接器 110:配線層 110a:配線 112:絕緣層 114,115:接合金屬 150:發光元件 151:n型半導體層 151S:發光面 152:發光層 153:p型半導體層 153B:底面 156:絕緣膜 156a:絕緣膜 158:開口 160:透光性配線層 160k:透光性電極 170:表面樹脂層 172:發光電路部 180:彩色濾光片 181:遮光部 182:色轉換部 183:色轉換層 183B:色轉換層 183G:色轉換層 183R:色轉換層 184:濾光片層 186:玻璃基板 188:透明薄膜接著層 201:圖像顯示裝置 205:列選擇電路 205a:列選擇開關 207:電流驅動電路 207a:電流源 210:像素 210k:配線 220:子像素 250:發光元件 251:n型半導體層 251B:底面 252:發光層 253:p型半導體層 253S:發光面 260a:透光性電極 310:像素 314,315:接合金屬 320:子像素 350:半導體層 351S1~351S3:發光面 351a1:第1 n型半導體層 351a2:第2 n型半導體層 351a3:第3 n型半導體層 352a1:第1發光層 352a2:第2發光層 352a3:第3發光層 353a:p型半導體層 353B:底面 420:子像素 510:金屬配線 514,515:接合金屬 520:子像素 600:基板 600a:第1面 601:圖像顯示裝置 620:子像素 640:各向異性導電構件 641:黏合劑 642:各向異性導電粒子 644:第2端子 646:連接區域 650:各向異性導電構件 650a:各向異性導電構件 651:黏合劑 651a:黏合劑 652:各向異性導電粒子 652a:各向異性導電粒子 660k:透光性電極 670k:透光性電極 680:透光性基板 680a:第1面 680b:第2面 700:基板 701,702:基板 701a:第1面 703:層 703a:第1面 720:子像素 780:基板 781,782:基板 781a:第1面 781b:第2面 782a:基板之面 800:基板 800a:第1面 802:絕緣層 810k:接合金屬 812k:第1金屬配線 820:子像素 861a:接觸部 862a:通孔 880a:第2金屬配線 901:圖像顯示裝置 901a:圖像顯示裝置 902:圖像顯示模組 902a:圖像顯示模組 910a:I/O電路 920a:接收部 922a:天線 930a:信號處理部 940a:匯流排 970:控制器 970a:控制器 980a:圖框記憶體 1001:晶體生長用基板 1114,1115:金屬層 1150:半導體層 1151:n型半導體層 1151E:露出面 1152:發光層 1153:p型半導體層 1153E:露出面 1190:支持基板 1192:構造體 1194:半導體生長基板 1195:基板 1294:半導體生長基板 1295:基板 a,b,c:部 Cc:寄生電容
圖1係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之模式性俯視圖。 圖2係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性放大圖。 圖3A係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖3B係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖4A係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖4B係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖5係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之模式性方塊圖。 圖6係用以說明第1實施方式之圖像顯示裝置之動作的模式性動作波形圖之例。 圖7A係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖7B係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖8A係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性俯視圖。 圖8B係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖9A係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性俯視圖。 圖9B係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖10A係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖10B係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖11A係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖11B係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖11C係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖12係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性立體圖。 圖13A係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性俯視圖。 圖13B係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖14A係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性俯視圖。 圖14B係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖15A係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性俯視圖。 圖15B係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖16A係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖16B係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖17A係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖17B係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖18係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖19A係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖19B係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖19C係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖19D係例示第1實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖20A係例示第2實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖20B係例示第2實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖21係例示第2實施方式之圖像顯示裝置之模式性方塊圖。 圖22A係例示第2實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖22B係例示第2實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖22C係例示第2實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖23A係例示第2實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性俯視圖。 圖23B係例示第2實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖24A係例示第2實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性俯視圖。 圖24B係例示第2實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖25A係例示第2實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性俯視圖。 圖25B係例示第2實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖26係例示第3實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性俯視圖。 圖27A係例示第3實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖27B係例示第3實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖28A係例示第3實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖28B係例示第3實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖29A係例示第3實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖29B係例示第3實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖29C係例示第3實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖30A係例示第4實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖30B係例示第4實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖30C係例示第4實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖31A係例示第5實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖31B係例示第5實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖31C係例示第5實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖32A係例示第5實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖32B係例示第5實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖33A係例示第5實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖33B係例示第5實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖34A係例示第5實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖34B係例示第5實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖35係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性俯視圖。 圖36A係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖36B係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖36C係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖37係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之模式性立體圖。 圖38A係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性仰視圖。 圖38B係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖39A係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性仰視圖。 圖39B係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖40A係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖40B係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖41A係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖41B係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖42A係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖42B係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖43A係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖43B係例示第6實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖44A係例示第7實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖44B係例示第7實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖45A係例示第7實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖45B係例示第7實施方式之圖像顯示裝置之製造方法之一部分的模式性剖視圖。 圖46係例示第8實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性俯視圖。 圖47A係例示第8實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖47B係例示第8實施方式之圖像顯示裝置之一部分之模式性剖視圖。 圖48係例示第9實施方式之圖像顯示裝置之方塊圖。 圖49係例示第9實施方式之變化例之圖像顯示裝置之方塊圖。
1:圖像顯示裝置
20:子像素
34:第1端子
36:連接區域
44:第2端子
46:連接區域
110a:配線
150:發光元件
151S:發光面
160k:透光性電極
a,b,c:部

Claims (24)

  1. 一種圖像顯示裝置，其具備： 基板； 第1配線，其沿著第1方向形成於上述基板上； 第1發光元件，其設置於上述第1配線上，且具有第1發光面； 第1透光性電極，其沿著與上述第1方向交叉之第2方向形成，且設置於上述第1發光面上； 第1各向異性導電構件，其設置於上述第1配線上； 第1端子，其經由上述第1各向異性導電構件，電性連接於上述第1配線； 第2各向異性導電構件，其設置於上述第1透光性電極上；及 第2端子，其經由上述第2各向異性導電構件，電性連接於上述第1透光性電極；且 上述第1發光元件於上述第1配線上具有第1底面，上述第1發光面設置於上述第1底面之相反側。
  2. 如請求項1之圖像顯示裝置，其進而具備絕緣膜，該絕緣膜設置於上述第1發光元件之側面、上述第1配線及上述基板上， 上述第2端子介隔上述絕緣膜、上述第1透光性電極及上述第2各向異性導電構件設置於上述基板上。
  3. 如請求項2之圖像顯示裝置，其中上述絕緣膜具有光反射性。
  4. 如請求項1之圖像顯示裝置，其進而具備金屬層，該金屬層設置於上述第1配線與上述第1發光元件之間。
  5. 如請求項1之圖像顯示裝置，其進而具備： 第2發光元件，其鄰接於上述第1發光元件設置於上述第1配線上，具有第2發光面； 第2透光性電極，其沿著上述第2方向形成且設置於上述第2發光面上； 透光性基板，其設置於上述第1透光性電極上及上述第2透光性電極上；及 第3各向異性導電構件，其設置於上述第1發光面與上述第1透光性電極之間，將上述第1發光面與上述第1透光性電極電性連接，且設置於上述第2發光面與上述第2透光性電極之間，將上述第2發光面與上述第2透光性電極電性連接；且 上述第2發光元件於上述第1配線上具有第2底面，上述第2發光面設置於上述第2底面之相反側。
  6. 如請求項5之圖像顯示裝置，其進而具備： 第3透光性電極，其設置於上述第1發光面與上述第3各向異性導電構件之間；及 第4透光性電極，其設置於上述第2發光面與上述第3各向異性導電構件之間； 上述第1發光面經由上述第3透光性電極及上述第3透光性電極上之上述第3各向異性導電構件而電性連接於上述第1透光性電極， 上述第2發光面經由上述第4透光性電極及上述第4透光性電極上之上述第3各向異性導電構件而電性連接於上述第2透光性電極。
  7. 如請求項5之圖像顯示裝置，其進而具備第3端子，該第3端子經由上述第2各向異性導電構件連接於上述第2透光性電極， 上述第2端子經由上述第2端子與上述第1透光性電極之間之上述第2各向異性導電構件連接於上述第1透光性電極， 上述第3端子經由上述第3端子與上述第2透光性電極之間之上述第2各向異性導電構件連接於上述第2透光性電極。
  8. 如請求項5之圖像顯示裝置，其中上述透光性基板包含玻璃基板。
  9. 如請求項5之圖像顯示裝置，其中上述透光性基板包含具有可撓性之基板。
  10. 如請求項5之圖像顯示裝置，其中上述第1發光元件包含第1半導體層、第1發光層及第2半導體層， 上述第1半導體層、上述第1發光層及上述第2半導體層從上述第1底面朝向上述第1發光面依序積層， 上述第2發光元件包含第3半導體層、第2發光層及第4半導體層， 上述第3半導體層、上述第2發光層及上述第4半導體層從上述第2底面朝向上述第2發光面依序積層， 上述第1半導體層及上述第3半導體層為n型，上述第2半導體層及上述第4半導體層為p型。
  11. 如請求項1之圖像顯示裝置，其中上述第1發光元件包含氮化鎵化合物。
  12. 如請求項1之圖像顯示裝置，其於上述第1發光元件上進而具備波長轉換構件。
  13. 一種圖像顯示裝置，其具備： 基板； 第1配線，其沿著第1方向形成於上述基板上； 第1半導體層，其設置於上述第1配線上； 第1發光層，其設置於上述第1半導體層上； 第2發光層，其沿著上述第1方向與上述第1發光層分開地設置於上述第1半導體層上； 第2半導體層，其係導電型與上述第1半導體層不同之半導體層，設置於上述第1發光層上，包含第1發光面； 第3半導體層，其係導電型與上述第2半導體層相同之半導體層，設置於上述第2發光層上，包含第2發光面； 第1透光性電極，其沿著與上述第1方向交叉之第2方向形成，且設置於上述第1發光面上； 第2透光性電極，其沿著上述第2方向形成且設置於上述第2發光面上； 第1各向異性導電構件，其設置於上述第1配線； 第1端子，其經由上述第1各向異性導電構件，電性連接於上述第1配線； 第2各向異性導電構件，其設置於上述第1透光性電極上及上述第2透光性電極上； 第2端子，其經由上述第2各向異性導電構件，電性連接於上述第1透光性電極；及 第3端子，其經由上述第2各向異性導電構件，電性連接於上述第2透光性電極；且 上述第1發光面設置於與上述第1發光層相接之面之相反側， 上述第2發光面設置於與上述第2發光層相接之面之相反側。
  14. 一種圖像顯示裝置之製造方法，其包含如下步驟： 準備於第1基板上形成包含發光層之半導體層而成之第2基板； 於第3基板之第1面上形成第1導電層； 介隔上述第1導電層將上述半導體層與上述第3基板接合； 去除上述第1基板； 對上述第1導電層進行加工而形成沿著第1方向之第1配線； 對上述半導體層進行加工，而形成具有第1發光面之第1發光元件及具有第2發光面之第2發光元件； 形成覆蓋上述第1面、上述第1配線、上述第1發光元件及上述第2發光元件之絕緣膜； 去除上述絕緣膜之一部分，使上述第1發光面及上述第2發光面露出； 於上述第1發光面上，形成沿著與上述第1方向交叉之第2方向設置之第1透光性電極，於上述第2發光面上，形成沿著上述第2方向設置之第2透光性電極； 於第1端子與上述第1配線之間設置第1各向異性導電構件，藉由施加至上述第1端子與上述第1配線之間之壓力，將上述第1端子與上述第1配線電性連接；及 經由第2各向異性導電構件將上述第1透光性電極與第2端子電性連接，經由上述第2各向異性導電構件將上述第2透光性電極與第3端子電性連接；且 上述第1發光元件具有與上述第1配線連接之第1底面，上述第1發光面設置於上述第1底面之相反側， 上述第2發光元件具有與上述第1配線連接之第2底面，上述第2發光面設置於上述第2底面之相反側。
  15. 一種圖像顯示裝置之製造方法，其包含如下步驟： 準備於第1基板上形成包含發光層之半導體層而成之第2基板； 於上述半導體層上形成第2導電層； 準備具有第1面之第3基板； 介隔上述第2導電層將上述半導體層與上述第1面接合； 去除上述第1基板； 對上述第2導電層進行加工而形成沿著第1方向之第1配線； 對上述半導體層進行加工，而形成具有第1發光面之第1發光元件及具有第2發光面之第2發光元件； 形成覆蓋上述第1面、上述第1配線、上述第1發光元件及上述第2發光元件之絕緣膜； 去除上述絕緣膜之一部分，使上述第1發光面及上述第2發光面露出； 於上述第1發光面上，形成沿著與上述第1方向交叉之第2方向設置之第1透光性電極，於上述第2發光面上，形成沿著上述第2方向設置之第2透光性電極； 於第1端子與上述第1配線之間設置第1各向異性導電構件，藉由施加至上述第1端子與上述第1配線之間之壓力，將上述第1端子與上述第1配線電性連接；及 經由第2各向異性導電構件將上述第1透光性電極與第2端子電性連接，經由上述第2各向異性導電構件將上述第2透光性電極與第3端子電性連接；且 上述第1發光元件具有與上述第1配線連接之第1底面，上述第1發光面設置於上述第1底面之相反側， 上述第2發光元件具有與上述第1配線連接之第2底面，上述第2發光面設置於上述第2底面之相反側。
  16. 如請求項14之圖像顯示裝置之製造方法，   其中 將上述第1透光性電極與上述第2端子電性連接，將上述第2透光性電極與上述第3端子電性連接之步驟包含如下步驟： 將上述第2各向異性導電構件設置於上述第1透光性電極與上述第2端子之間，並且設置於上述第2透光性電極與上述第3端子之間，藉由施加至上述第2端子與上述第1透光性電極之間之壓力而將上述第2端子與上述第1透光性電極電性連接，藉由施加至上述第2透光性電極與上述第3端子之間之壓力而將上述第3端子與上述第2透光性電極電性連接。
  17. 如請求項14之圖像顯示裝置之製造方法，其中形成上述第1透光性電極及上述第2透光性電極之步驟包含如下步驟： 於具有透光性之第4基板之第2面上形成第1透光性電極及第2透光性電極；及 介隔第3各向異性導電構件，以與上述第2面對向之方式配置上述第1發光面及上述第2發光面，藉由施加至上述第4基板與上述第3基板之間之壓力，將上述第1發光面與上述第1透光性電極電性連接，並且將上述第2發光面與上述第2透光性電極電性連接。
  18. 如請求項14之圖像顯示裝置之製造方法，其進而具備如下步驟： 於使上述第1發光面及上述第2發光面露出之步驟之後，在上述第1發光面上形成第3透光性電極，在上述第2發光面上形成第4透光性電極。
  19. 如請求項17之圖像顯示裝置之製造方法，其中將上述第1透光性電極與上述第2端子電性連接，將上述第2透光性電極與上述第3端子電性連接之步驟包含： 將上述第2各向異性導電構件設置於上述第1透光性電極與上述第2端子之間，並且設置於上述第2透光性電極與上述第3端子之間，藉由施加至上述第2端子與上述第4基板之間之壓力而將上述第2端子與第1透光性電極電性連接，並且藉由施加至上述第4基板與上述第3端子之間之壓力而將上述第3端子與第2透光性電極電性連接。
  20. 如請求項17之圖像顯示裝置之製造方法，其中上述第4基板包含玻璃層。
  21. 如請求項20之圖像顯示裝置之製造方法，其中上述第4基板進而包含上述玻璃層上所設置之有機樹脂層， 上述圖像顯示裝置之製造方法進而具備如下步驟：介隔第3各向異性導電構件，以與上述第4基板之第2面對向之方式配置上述第1發光面及上述第2發光面，藉由施加至上述第4基板與上述第3基板之間之壓力，將上述第1發光面與上述第1透光性電極電性連接，並且將上述第2發光面與上述第2透光性電極電性連接之步驟之後，去除上述玻璃層。
  22. 如請求項14之圖像顯示裝置之製造方法，其中形成上述第1配線之步驟係於將上述半導體層貼合於上述第3基板之步驟之後執行。
  23. 如請求項14之圖像顯示裝置之製造方法，其進而具備如下步驟： 於上述第1發光元件上及上述第2發光元件上形成波長轉換構件。
  24. 如請求項23之圖像顯示裝置之製造方法，其中形成上述波長轉換構件之步驟包含如下步驟：於包含上述第1發光元件及上述第2發光元件之複數個發光元件上形成上述波長轉換構件。
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