WO2022059562A1

WO2022059562A1 - 画像表示装置および画像表示装置の製造方法

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Publication number: WO2022059562A1
Application number: PCT/JP2021/032870
Authority: WO
Inventors: 肇秋元
Original assignee: 日亜化学工業株式会社
Priority date: 2020-09-18
Filing date: 2021-09-07
Publication date: 2022-03-24
Also published as: EP4216293A4; CN116134632A; JPWO2022059562A1; US20230216015A1; TW202224181A; EP4216293A1

Abstract

実施形態に係る画像表示装置は、基板と、第１方向に沿って前記基板上に形成された第１配線と、前記第１配線上に設けられ、第１発光面を有する第１発光素子と、前記第１方向に交差する第２方向に沿って形成され前記第１発光面上に設けられた第１透光性電極と、前記第１配線上に設けられた第１異方性導電部材と、前記第１異方性導電部材を介して、前記第１配線に電気的に接続された第１端子と、前記第１透光性電極上に設けられた第２異方性導電部材と、前記第２異方性導電部材を介して、前記第１透光性電極に電気的に接続された第２端子と、を備える。前記第１発光素子は、前記第１配線上に第１底面を有し、前記第１発光面は、前記第１底面の反対側に設けられる。

Description

画像表示装置および画像表示装置の製造方法

　本発明の実施形態は、画像表示装置および画像表示装置の製造方法に関する。

　１０００ｐｐｉ（pitch per inch）を超えるような高精細な画像表示装置の要求がある。また、このような高精細な画像表示装置が表示する映像素材では、高速応答性能が要求される場合がある。

　高速応答可能なディスプレイを実現するために、アクティブマトリクス方式が採用される場合がある（たとえば、特許文献１参照）。アクティブマトリクス方式では、画素を駆動するトランジスタの微細化が必要とされるが、最新の低温ポリシリコン（Low Temperature Polycrystalline Silicon、ＬＴＰＳ）プロセスを用いても１０００ｐｐｉを超えるような高精細ディスプレイを実現するのは困難である。

　一方で、画素駆動用のトランジスタを要しない従来のパッシブマトリクス方式の液晶ディスプレイや有機半導体を用いたディスプレイでは、応答速度が遅く、高速応答性を必要とする映像素材の表示には適さない場合がある。

　高精細かつ高速応答が可能な画像表示装置および画像表示装置の製造方法を実現することが望まれている。

国際公開第２０１８－１１６８１４号公報

　本発明の一実施形態は、発光素子の転写工程を短縮し、歩留りを向上した画像表示装置および画像表示装置の製造方法を提供する。

　本発明の一実施形態に係る画像表示装置は、基板と、第１方向に沿って前記基板上に形成された第１配線と、前記第１配線上に設けられ、第１発光面を有する第１発光素子と、前記第１方向に交差する第２方向に沿って形成され前記第１発光面上に設けられた第１透光性電極と、前記第１配線上に設けられた第１異方性導電部材と、前記第１異方性導電部材を介して、前記第１配線に電気的に接続された第１端子と、前記第１透光性電極上に設けられた第２異方性導電部材と、前記第２異方性導電部材を介して、前記第１透光性電極に電気的に接続された第２端子と、を備える。前記第１発光素子は、前記第１配線上に第１底面を有し、前記第１発光面は、前記第１底面の反対側に設けられる。

　本発明の一実施形態に係る画像表示装置は、基板と、第１方向に沿って前記基板上に形成された第１配線と、前記第１配線上に設けられた第１半導体層と、前記第１半導体層上に設けられた第１発光層と、前記第１発光層から前記第１方向に沿って離隔して前記第１半導体層上に設けられた第２発光層と、前記第１半導体層とは異なる導電形の半導体層であって、前記第１発光層上に設けられ、第１発光面を含む第２半導体層と、前記第２半導体層と同一の導電形の半導体層であって、前記第２発光層上に設けられ、第２発光面を含む第３半導体層と、前記第１方向に交差する第２方向に沿って形成され前記第１発光面上に設けられた第１透光性電極と、前記第２方向に沿って形成され前記第２発光面上に設けられた第２透光性電極と、前記第１配線に設けられた第１異方性導電部材と、前記第１異方性導電部材を介して、前記第１配線に電気的に接続された第１端子と、前記第１透光性電極上および前記第２透光性電極上に設けられた第２異方性導電部材と、前記第２異方性導電部材を介して、前記第１透光性電極に電気的に接続された第２端子と、前記第２異方性導電部材を介して、前記第２透光性電極に電気的に接続された第３端子と、を備える。前記第１発光面は、前記第１発光層に接する面の反対側に設けられる。前記第２発光面は、前記第２発光層に接する面の反対側に設けられる。

　本発明の一実施形態に係る画像表示装置の製造方法は、発光層を含む半導体層を第１基板上に形成した第２基板を準備する工程と、第３基板の第１面上に第１導電層を形成する工程と、前記半導体層を、前記第１導電層を介して前記第３基板に接合する工程と、前記第１基板を除去する工程と、前記第１導電層を加工して第１方向に沿う第１配線を形成する工程と、前記半導体層を加工して、第１発光面を有する第１発光素子および第２発光面を有する第２発光素子を形成する工程と、前記第１面、前記第１配線、前記第１発光素子および前記第２発光素子を覆う絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の一部を除去して、前記第１発光面および前記第２発光面を露出させる工程と、前記第１発光面上に、前記第１方向に交差する第２方向に沿って設けられた第１透光性電極を形成し、前記第２発光面上に、前記第２方向に沿って設けられた第２透光性電極を形成する工程と、第１端子と前記第１配線との間に第１異方性導電部材を設け、前記第１端子と前記第１配線との間に印加された圧力によって前記第１端子と前記第１配線とを電気的に接続する工程と、第２異方性導電部材を介して前記第１透光性電極と第２端子とを電気的に接続し、前記第２異方性導電部材を介して前記第２透光性電極と第３端子とを電気的に接続する工程と、を備える。前記第１発光素子は、前記第１配線に接続された第１底面を有し、前記第１発光面は、前記第１底面の反対側に設けられる。前記第２発光素子は、前記第１配線に接続された第２底面を有し、前記第２発光面は、前記第２底面の反対側に設けられる。

　本発明の一実施形態に係る画像表示装置の製造方法は、発光層を含む半導体層を第１基板上に形成した第２基板を準備する工程と、前記半導体層上に第２導電層を形成する工程と、第１面を有する第３基板を準備する工程と、前記半導体層を、前記第２導電層を介して前記第１面に接合する工程と、前記第１基板を除去する工程と、前記第２導電層を加工して第１方向に沿う第１配線を形成する工程と、前記半導体層を加工して、第１発光面を有する第１発光素子および第２発光面を有する第２発光素子を形成する工程と、前記第１面、前記第１配線、前記第１発光素子および前記第２発光素子を覆う絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の一部を除去して、前記第１発光面および前記第２発光面を露出させる工程と、前記第１発光面上に、前記第１方向に交差する第２方向に沿って設けられた第１透光性電極を形成し、前記第２発光面上に、前記第２方向に沿って設けられた第２透光性電極を形成する工程と、第１端子と前記第１配線との間に第１異方性導電部材を設け、前記第１端子と前記第１配線との間に印加された圧力によって前記第１端子と前記第１配線とを電気的に接続する工程と、第２異方性導電部材を介して前記第１透光性電極と第２端子とを電気的に接続し、前記第２異方性導電部材を介して前記第２透光性電極と第３端子とを電気的に接続する工程と、を備える。前記第１発光素子は、前記第１配線に接続された第１底面を有し、前記第１発光面は、前記第１底面の反対側に設けられる。前記第２発光素子は、前記第１配線に接続された第２底面を有し、前記第２発光面は、前記第２底面の反対側に設けられる。

　本発明の一実施形態によれば、高精細かつ高速応答が可能な画像表示装置が実現される。

　本発明の一実施形態によれば、高精細かつ高速応答が可能な画像表示装置の製造方法が実現される。

第１の実施形態に係る画像表示装置を例示する模式的な平面図である。第１の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な拡大図である。第１の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置を例示する模式的なブロック図である。第１の実施形態の画像表示装置の動作を説明するための模式的な動作波形図の例である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な平面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な平面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な斜視図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な平面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な平面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な平面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第１の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第２の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第２の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第２の実施形態の画像表示装置を例示する模式的なブロック図である。第２の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第２の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第２の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第２の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な平面図ある。第２の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第２の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な平面図である。第２の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第２の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な平面図である。第２の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第３の実施形態に係る画像表示装置の一部を例示する模式的な平面図である。第３の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第３の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第３の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第３の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第３の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第３の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第３の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第４の実施形態に係る画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第４の実施形態に係る画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第４の実施形態に係る画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第５の実施形態に係る画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第５の実施形態に係る画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第５の実施形態に係る画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第５の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第５の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第５の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第５の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第５の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第５の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第６の実施形態に係る画像表示装置の一部を例示する模式的な平面図である。第６の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第６の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第６の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第６の実施形態の画像表示装置を例示する模式的な斜視図である。第６の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な底面図である。第６の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第６の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な底面図である。第６の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第６の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第６の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第６の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第６の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第６の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第６の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第６の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第６の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第７の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第７の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第７の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第７の実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。第８の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な平面図である。第８の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第８の実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。第９の実施形態に係る画像表示装置を例示するブロック図である。第９の実施形態の変形例に係る画像表示装置を例示するブロック図である。

　以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
　なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
　なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略する。

　（第１の実施形態）
　図１は、本実施形態に係る画像表示装置を例示する模式的な平面図である。
　図１に示すように、本実施形態の画像表示装置１は、表示領域２と、行選択回路５と、電流駆動回路７と、を備える。表示領域２、行選択回路５および電流駆動回路７は、基板１００上に設けられている。基板１００上には、行配線領域６および列配線領域８も設けられている。行配線領域６は、表示領域２と行選択回路５との間に設けられており、表示領域２と行選択回路５とを電気的に接続する。列配線領域８は、表示領域２と電流駆動回路７との間に設けられており、表示領域２と電流駆動回路７とを電気的に接続する。基板１００には、上述のほか、行選択回路５および電流駆動回路７を外部回路に接続し、これらを適切に動作させるための電源および選択信号を供給するためのコネクタ１０６が設けられている。

　以下の説明では、ＸＹＺの３次元座標系を用いて説明することがある。表示領域２が形成されている基板１００の第１面１０３ａは、ＸＹ平面に平行な面である。表示領域２は、第１面１０３ａ上に形成されている。この例では、表示領域２は、Ｘ軸にほぼ平行かつ、Ｙ軸にほぼ平行な辺を有する長方形である。後述する図２に示すように、サブピクセル２０は、表示領域２内で、Ｘ軸に沿って配列され、Ｙ軸に沿って配列されている。

　行選択回路５、行配線領域６、電流駆動回路７および列配線領域８も第１面１０３ａ上に形成されている。行選択回路５は、表示領域２の１つの辺に沿って設けられている。行選択回路５が設けられている表示領域２の辺は、Ｙ軸に平行な辺である。電流駆動回路７は、表示領域２の他の１つ辺に設けられている。電流駆動回路７が設けられている表示領域２の辺は、Ｘ軸に平行な辺である。

　行選択回路５および行配線領域６は、たとえばＴＣＰ（Tape Carrier Package）で提供される半導体集積回路であり、電流駆動回路７および列配線領域８も、ＴＣＰで提供される半導体集積回路である。行選択回路５および電流駆動回路７は、ＴＣＰによって提供される場合に限らず、ＣＯＢ（Chip On Board）等によって提供されてもよい。

　後述の図２に示すように、サブピクセル２０は、発光素子１５０を含んでいる。発光素子１５０は、表示領域２内でＺ軸に沿った方向に光を放射する発光面１５１Ｓを有している。発光素子１５０の光の放射方向は、Ｚ軸の正方向である。以下では、Ｚ軸の正方向を「上」や「上方」、Ｚ軸の負方向を「下」や「下方」のようにいうことがあるが、Ｚ軸に沿う方向は、必ずしも重力がかかる方向であるとは限らない。また、Ｚ軸に沿った方向の長さを高さということがある。

　図２は、本実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な拡大図である。
　図２には、図１に示されたａ部、ｂ部およびｃ部の拡大図が示されている。ａ部は、図１において、表示領域２内の一部である。ｂ部は、図１において、表示領域２および行配線領域６にわたる領域の一部である。ｃ部は、図１において、表示領域２および列配線領域８にわたる領域の一部である。
　図２に示すように、画像表示装置１は、サブピクセル２０と、配線１１０ａと、発光素子１５０と、透光性電極１６０ｋと、第１端子３４と、第２端子４４と、を備える。

　配線１１０ａは、Ｘ軸方向（第１方向）に沿って設けられている。配線１１０ａは、複数本設けられている。複数の配線（第１配線、第２配線）１１０ａは、Ｙ軸方向に離間しほぼ等間隔で互いにほぼ平行になるように設けられている。配線１１０ａは、一方の端部において、図１に示した行配線領域６内の第１端子３４に接続されている。配線１１０ａは、接続領域３６において、第１端子３４に電気的に接続される。

　発光素子１５０は、配線１１０ａ上に設けられている。発光素子１５０は、複数個設けられており、複数の発光素子（第１発光素子、第２発光素子）１５０は、Ｘ軸方向にほぼ等間隔で離間して配線１１０ａ上に配列されている。

　透光性電極１６０ｋは、Ｙ軸方向（第２方向）に沿って設けられている。透光性電極１６０ｋは、複数本設けられている。複数の透光性電極（第１透光性電極、第２透光性電極）１６０ｋは、Ｘ軸方向に離間してほぼ等間隔で互いにほぼ平行になるように設けられている。透光性電極１６０ｋは、一方の端部において、図１に示した列配線領域８内の第２端子４４に接続されている。第１透光性電極１６０ｋは、接続領域４６において、第２端子４４に電気的に接続されている。

　配線１１０ａおよび透光性電極１６０ｋは、ほぼ直交するように設けられている。発光素子１５０は、配線１１０ａと透光性電極１６０ｋとの交差する交点に設けられている。したがって、発光素子１５０は、Ｘ軸方向に沿ってほぼ等間隔に配列され、Ｙ軸方向に沿ってほぼ等間隔に配列されている。発光素子１５０のＸ軸方向に離間する間隔は、発光素子１５０のＹ軸方向に離間する間隔とほぼ同じとされる。つまり、この例では、発光素子１５０は、間隔が均等なマトリクス状の配置とされている。

　発光素子１５０の配列は、上述に限らず、たとえば千鳥状とされてもよい。配線１１０ａおよび透光性電極１６０ｋは、発光素子１５０の配列に応じて直交する場合に限らず、また、直線状に設けられる場合に限らない。また、発光素子１５０は、間隔が均等なマトリクス状の配置に限らず、Ｘ軸方向の間隔と、Ｙ軸方向の間隔との比率を、たとえば１対３程度になるようにしてもよい。発光素子１５０は、適切な配列を任意に設定することができる。

　発光素子１５０がＸ軸方向に離間する間隔をＸ軸方向のピッチと呼び、Ｙ軸方向に離間する間隔をＹ軸方向のピッチと呼ぶ。以下説明する各実施形態における例では、発光素子のＸ軸方向のピッチおよびＹ軸方向のピッチは、ほぼ等しく設定されるので、発光素子１５０間の離間する間隔を単にピッチと呼ぶことがある。たとえば、Ｘ軸方向のピッチは、Ｘ軸方向に隣接する発光素子のＸ軸方向の長さの中心間の長さと定義され、Ｙ軸方向のピッチは、Ｙ軸方向に隣接する発光素子のＹ軸方向の長さの中心間の長さと定義される。

　図３Ａ～図４Ｂは、本実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。
　図３Ａは、図２のＡ－Ａ’線における断面図である。
　図３Ｂは、図２のＡＡ－ＡＡ’線における断面図である。
　図４Ａは、図２のＢ－Ｂ’線における断面図である。
　図４Ｂは、図２のＣ－Ｃ’線における断面図である。
　以下説明する例では、画像表示装置１の各サブピクセル２０では、カラーフィルタ１８０が発光素子１５０上に設けられている。本実施形態の画像表示装置１では、３つのサブピクセル２０で１つのピクセル１０を構成するものとする。なお、カラーフィルタ１８０は、表示する画像の色数に応じて、単色の光学フィルタにしてもよいし、光学フィルタを設けないようにしてもよい。単色の光学フィルタを設けた場合や光学フィルタを設けない場合には、１つのサブピクセル２０で１つのピクセルを構成するものとする。

　図３Ａおよび図３Ｂに示すように、ピクセル１０は、３つのサブピクセル２０を含む。３つのサブピクセル２０は、それぞれ異なる色変換部１８２を有しており、色変換部１８２は、たとえば、赤色、緑色および青色を出力するように配置されている。この例では、赤色、緑色および青色を出力する色変換部は、Ｘ座標の小さい順に配置されている。各サブピクセル２０の構成は、色変換部１８２が出力する色以外は、同一である。色変換部１８２を含むカラーフィルタ１８０の構成については、後述する。

　サブピクセル２０は、基板１００を含む。基板１００は、Ｓｉ基板１０２および酸化膜１０１，１０３を含む。酸化膜１０３は、Ｓｉ基板１０２の一方の面１０２ａ上にわたって形成されている。酸化膜１０１は、Ｓｉ基板１０２の他方の面１０２ｂ上にわたって形成されている。基板１００の第１面１０３ａは、酸化膜１０３の面である。

　サブピクセル２０は、配線１１０ａと、発光素子１５０と、透光性電極１６０ｋと、を含む。

　配線層１１０は、第１面１０３ａ上に設けられている。配線層１１０は、第１面１０３ａに設けられた複数の配線１１０ａを含む。複数の配線１１０ａは、第１面１０３ａ上をＸ軸に沿って形成されている。複数の配線１１０ａは、Ｙ軸方向に離間し互いにほぼ平行になるように設けられている。複数の配線１１０ａが離間する間隔は、発光素子１５０のＹ軸方向のピッチに等しくされる。複数の配線１１０ａのうち隣接する配線１１０ａの間は、絶縁層１１２によって分離されている。

　図３Ａ以降の断面図においては、特に断らない限り、配線層を表す符号は、その配線層を構成する配線の横に表示するものとする。

　配線１１０ａ上には、接合メタル（メタル層）１１４，１１５が設けられている。接合メタル１１４，１１５は、配線１１０ａの側からこの順で積層されている。接合メタル１１４，１１５は、発光素子１５０のＸ軸方向のピッチに等しくなるように配置されている。接合メタル１１５は、発光素子１５０とオーミック接続するために設けられており、配線１１０ａとの接続抵抗を低減する。適切な厚さの接合メタル１１４，１１５を設けることによって、発光素子１５０と配線１１０ａとをより低い抵抗値で接続することができる。

　接合メタル１１４，１１５は、好ましくは、Ａｇ等の高い光反射性を有する金属材料で形成されている。接合メタル１１４，１１５は、発光素子１５０の底面１５３Ｂの下方に設けられている。そのため、接合メタル１１４，１１５は、光反射性を有することによって、発光素子１５０の下方への散乱光等を発光面１５１Ｓの側に反射して、発光素子１５０の実質的な発光効率を向上させることができる。

　発光素子（第１発光素子、第２発光素子）１５０は、接合メタル１１５上に設けられている。発光素子１５０は、底面（第１底面、第２底面）１５３Ｂと発光面（第１発光面、第２発光面）１５１Ｓとを含む。発光素子１５０は、接合メタル１１５上に底面１５３Ｂを有し、底面１５３Ｂの反対側の面に発光面１５１Ｓを有する円錐台状の素子である。ＸＹ平面視において、底面１５３Ｂの外周は、接合メタル１１４，１１５の外周にほぼ一致する。接合メタル１１４，１１５は、底面の外周にほぼ一致する円柱状に形成されている。発光素子１５０の形状は、円錐台に限らず、円柱であってもよいし、角錐台や角柱であってもよい。円錐台や円柱の場合には、外周形状は、円に限らず楕円であってもよい。角錐や角柱の場合には、外周形状は、四角に限らず、六角や八角等の多角形であってもよい。角錐や角柱の場合には、角部は、丸くなっていてもよい。

　発光素子１５０は、ｐ形半導体層１５３と、発光層１５２と、ｎ形半導体層１５１と、を含む。ｐ形半導体層１５３、発光層１５２およびｎ形半導体層１５１は、底面１５３Ｂから発光面１５１Ｓに向かって、この順に積層されている。ｐ形半導体層１５３は、底面１５３Ｂを含んでおり、接合メタル１１５は、ｐ形半導体層１５３に電気的に接続されている。したがって、ｐ形半導体層１５３は、接合メタル１１４，１１５を介して、配線１１０ａに電気的に接続されている。１本の配線１１０ａ上には、Ｘ軸方向に沿って、複数の発光素子１５０が設けられており、これら複数の発光素子１５０のｐ形半導体層１５３同士は、互いに電気的に接続されている。

　発光素子１５０には、たとえば、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１－Ｘ－Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等の発光層を含む窒化ガリウム系化合物半導体が好適に用いられる。以下では、上述の窒化ガリウム系化合物半導体を、単に窒化ガリウム（ＧａＮ）と呼ぶことがある。本発明の一実施形態における発光素子１５０は、いわゆる発光ダイオードである。発光素子１５０が発光する光の波長は、近紫外域から可視光域の範囲の波長であればよく、たとえば４６７ｎｍ±３０ｎｍ程度である。発光素子１５０が発光する光の波長は、４１０ｎｍ±３０ｎｍ程度の青紫発光としてもよい。発光素子１５０が発光する光の波長は、上述の値に限らず、適切なものとすることができる。

　発光素子１５０は、配線１１０ａ上を接合メタル１１４，１１５を介して、Ｘ軸上にＸ軸上のピッチをもって設けられている。同一の配線１１０ａ上に設けられた発光素子１５０のｐ形半導体層１５３は、互いに電気的に接続されている。

　絶縁膜１５６は、絶縁層１１２、接合メタル１１４，１１５および発光素子１５０を覆って設けられている。この例では、発光素子１５０の上部で絶縁膜１５６の一部が除去されており、絶縁膜１５６は、発光素子１５０の上部で除去された箇所以外を覆っている。絶縁膜１５６は、発光素子１５０を外部環境から保護するとともに、隣接する発光素子１５０同士を分離するために設けられている。発光面１５１Ｓは、絶縁膜１５６が除去された開口１５８から透光性電極１６０ｋを介して、光を放射する。発光面１５１ＳのＸＹ平面視での形状は、ｎ形半導体層１５１のＸＹ平面視での形状に相似な円であってもよいし、その他の形状であってもよい。

　透光性配線層１６０は、複数の透光性電極１６０ｋを含む。複数の透光性電極１６０ｋは、Ｙ軸に沿ってそれぞれ設けられている。複数の透光性電極１６０ｋは、Ｘ軸方向に離間して互いにほぼ平行になるように設けられている。透光性電極１６０ｋは、発光面１５１Ｓ上にわたって設けられている。発光素子１５０は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に一定のピッチをもって配列されている。そのため、隣接する透光性電極１６０ｋのＸ軸方向の中心間距離は、発光素子１５０のＸ軸方向のピッチと等しくされる。

　ｎ形半導体層１５１は、発光面１５１Ｓを含んでいるので、透光性電極１６０ｋは、ｎ形半導体層１５１に電気的に接続されている。これにより、配列された複数の発光素子１５０のｎ形半導体層１５１は、Ｙ軸方向に沿って互いに電気的に接続されている。

　絶縁膜１５６および透光性電極１６０ｋ上に、表面樹脂層１７０が設けられている。表面樹脂層１７０は、発光面１５１Ｓ上を覆っている。表面樹脂層１７０は、透明樹脂であり、絶縁膜１５６および透光性電極１６０ｋを保護するとともに、カラーフィルタ１８０を接着するための平坦化面を提供する。

　サブピクセル２０は、カラーフィルタ（波長変換部材）１８０を含む。カラーフィルタ１８０は、透明薄膜接着層１８８を介して、表面樹脂層１７０上に設けられている。透明薄膜接着層１８８は、表面樹脂層１７０およびカラーフィルタ１８０を接着するために設けられている。

　カラーフィルタ１８０は、遮光部１８１と色変換部１８２とを含む。色変換部１８２は、発光素子１５０の発光面１５１Ｓの直上に発光面１５１Ｓの形状に応じて設けられている。カラーフィルタ１８０では、色変換部１８２以外の部分は、遮光部１８１とされている。遮光部１８１は、いわゆるブラックマトリクスであり、隣接する色変換部１８２から発光される光の混色等によるにじみを低減し、シャープな画像を表示することを可能にする。

　色変換部１８２は、１層または２層以上とされる。図３Ａおよび図３Ｂには、色変換部１８２が２層の場合が示されている。色変換部１８２が１層であるか２層であるかは、サブピクセル２０が発光する光の色、すなわち波長によって決定される。サブピクセル２０の発光色が赤の場合には、好ましくは、色変換部１８２は、色変換層１８３および赤色の光を通過させるフィルタ層１８４の２層とされる。サブピクセル２０の発光色が緑の場合には、好ましくは、色変換部１８２は、色変換層１８３および緑色の光を通過させるフィルタ層１８４の２層とされる。サブピクセル２０の発光色が青の場合には、好ましくは１層とされる。

　色変換部１８２が２層の場合には、１層目が色変換層１８３であり、２層目がフィルタ層１８４である。１層目の色変換層１８３は、発光素子１５０により近い位置に設けられている。フィルタ層１８４は、色変換層１８３上に積層されている。

　色変換層１８３は、発光素子１５０が発光する光の波長を所望の波長に変換する。赤色を発光するサブピクセル２０の場合には、発光素子１５０の波長である４６７ｎｍ±３０ｎｍの光を、たとえば６３０ｎｍ±２０ｎｍ程度の波長の光に変換する。緑色を発光するサブピクセル２０の場合には、発光素子１５０の波長である４６７ｎｍ±３０ｎｍの光を、たとえば５３２ｎｍ±２０ｎｍ程度の波長の光に変換する。

　フィルタ層１８４は、色変換層１８３で色変換されずに残存した青色発光の波長成分を遮断する。

　サブピクセル２０が発光する光の色が青色の場合には、色変換層１８３を介してもよいし、色変換層１８３を介さずにそのまま出力するようにしてもよい。発光素子１５０が発光する光の波長が４６７ｎｍ±３０ｎｍ程度の場合には、色変換層１８３を介さずに光を出力してもよい。発光素子１５０が発光する光の波長を４１０ｎｍ±３０ｎｍとする場合には、出力する光の波長を４６７ｎｍ±３０ｎｍ程度に変換するために、１層の色変換層１８３を設けることが好ましい。

　青色のサブピクセル２０の場合であっても、サブピクセル２０は、フィルタ層１８４を有してもよい。青色のサブピクセル２０に青色の光が透過するフィルタ層１８４を設けることによって、発光素子１５０の表面で生じる青色の光以外の微小な外光反射が抑制される。

　図４Ａに示すように、配線１１０ａは、基板１００の第１面１０３ａ上に設けられている。配線１１０ａ上には、絶縁層１１２が設けられている。配線１１０ａ上の絶縁層１１２は、一部が除去されており、絶縁層１１２が除去された箇所に異方性導電部材（第１異方性導電部材）３０が設けられている。異方性導電部材３０は、異方性導電ペーストまたは異方性導電フィルムである。

　本明細書では、異方性導電部材は、異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste、ＡＣＰ）および異方性導電フィルム（Anisotropic Conductive Film、ＡＣＦ）を含むものとする。本実施形態および後述の他の実施形態において、異方性導電部材というときには、ＡＣＰまたはＡＣＦを区別することなく用いることができるものとする。なお、後述する製造方法の説明等では、ＡＣＰを用いる場合には、異方性導電部材を塗布し、のように記述し、ＡＣＦを用いる場合には、異方性導電部材を貼付する、のように記述することがある。

　異方性導電部材３０は、バインダー３１と異方性導電粒子３２とを含む。バインダー３１は、対向する配線１１０ａと第１端子３４とを固定する接着剤として機能する。異方性導電粒子３２は、バインダー３１中に均一に分散されており、圧力が印加された配線１１０ａと第１端子３４とを電気的に接続する。異方性導電粒子３２は、配線１１０ａと、その配線１１０ａのＺ軸方向に設けられた第１端子３４との間を電気的に接続するが、他の方向の導体間を電気的に接続しない。たとえば、配線１１０ａは、その配線１１０ａに平行な配線１１０ａが隣接して設けられており、２つの配線１１０ａ間に異方性導電粒子３２が存在しても、２つの配線１１０ａ間を電気的に接続しない。

　図４Ｂに示すように、第２端子４４は、絶縁膜１５６、透光性電極１６０ｋおよび異方性導電部材４０を介して、基板１００上に設けられている。第２端子４４は、異方性導電部材（第２異方性導電部材）４０を介して、透光性電極１６０ｋに電気的に接続されている。

　異方性導電部材４０は、バインダー４１と異方性導電粒子４２とを含む。バインダー４１は、対向する透光性電極１６０ｋと第２端子４４とを固定する接着剤として機能する。異方性導電粒子４２は、バインダー４１中に均一に分散されており、対向する透光性電極１６０ｋと第２端子４４とを電気的に接続する。異方性導電粒子４２も異方性導電粒子３２と同様の機能を発揮する。異方性導電粒子４２は、透光性電極１６０ｋと、その透光性電極１６０ｋのＺ軸方向に設けられた第２端子４４との間を電気的に接続するが、他の方向の導体間を電気的に接続しない。

　図１に示した行配線領域６では、行選択回路５から出る配線の端部が第１端子３４とされ、表示領域２に設けられた配線１１０ａと電気的に接続される。したがって、配線１１０ａ上に配列された発光素子１５０では、ｐ形半導体層１５３同士が接続され、第１端子３４を介して、図１に示した行選択回路５に電気的に接続される。

　図１に示した列配線領域８では、電流駆動回路７から出る配線の端部が第２端子４４とされ、表示領域２に設けられた透光性電極１６０ｋと電気的に接続される。したがって、Ｙ軸方向に配列された発光素子１５０は、ｎ形半導体層１５１同士が透光性電極１６０ｋにより互いに接続され、第２端子４４を介して、図１に示した電流駆動回路７に電気的に接続される。

　図１に示したコネクタ１０６は、第１面１０３ａ上に形成された図示しない配線を介して、行選択回路５および電流駆動回路７に電気的に接続される。行選択回路５および電流駆動回路７は、コネクタから、電源を供給され、行選択信号や輝度信号等を含む各種信号を供給される。

　図５は、本実施形態の画像表示装置を例示する模式的なブロック図である。
　図５には、画像表示装置１の回路構成の一部が示されており、図１のａ部に対応する箇所の回路構成が模式的に示されている。また、図５には、行選択回路５とａ部の回路要素との接続関係および電流駆動回路７とａ部の回路要素との接続関係も示されている。

　配線１１０ａは、行方向に沿って設けられており、透光性電極１６０ｋは、列方向に沿って設けられている。図１および図２において、行方向はＸ軸方向であり、列方向はＹ軸方向である。図５の説明では、３本の配線１１０ａについて、上から下へ、第Ｎ行、第Ｎ＋１行、第Ｎ＋２行と呼び、３本の透光性電極１６０ｋについて、右から左へ、第Ｍ列、第Ｍ＋１列、第Ｍ＋２列と呼ぶ。行選択回路５から見て、Ｍ列の透光性電極１６０ｋがもっとも近い位置に配置され、Ｍ＋２列の透光性電極１６０ｋがもっとも遠い位置に配置されている。電流駆動回路７から見て、第Ｎ行の配線１１０ａがもっとも近い位置に配置され、第Ｎ＋２列の配線１１０ａがもっとも遠い位置に配置されている。

　行選択回路５には、電源端子９ａおよび接地端子９ｂを介して、直流電源９が接続されている。電源端子９ａには、接地端子９ｂよりも十分に高い電圧が直流電源９によって印加される。行選択回路５は、配線１１０ａの本数に応じた行選択スイッチ５ａを含んでおり、各行選択スイッチ５ａは、第１端子３４を介して、配線１１０ａに接続されている。行選択スイッチ５ａは、初期状態では、接地端子９ｂ側に接続され、図示しない制御回路から供給される行選択信号にしたがって、電源端子９ａ側に接続される。

　電流駆動回路７は、透光性電極１６０ｋの本数に応じた電流源７ａを含んでおり、各電流源７ａは、端子４４を介して、透光性電極１６０ｋに接続されている。電流源７ａは、図示しない制御回路から供給される輝度信号にしたがって、設定された電流値を有する電流を出力するように動作する。

　発光素子１５０は、配線１１０ａと透光性電極１６０ｋとの交点に形成されるが、図５では、発光素子１５０は、ダイオードの回路記号によって表されている。発光素子１５０は、配線１１０ａの電圧値が透光性電極１６０ｋの電圧値よりも、発光素子１５０の順電圧降下分より高い場合に、電流を流す。

　たとえば、Ｎ行の行選択スイッチ５ａが電源端子９ａ側に接続されたときに、Ｎ行各列の発光素子１５０に電流が流れる。このときに、Ｎ行以外の行選択スイッチ５ａは、接地端子９ｂ側に接続されているので、Ｎ行以外の発光素子１５０の電流は遮断される。

　発光素子１５０は、二次元平面上に配置されているので、行選択回路５に接続されている配線１１０ａは、長さに応じた抵抗分を有する。したがって、行選択回路５から離れた位置にある列の発光素子１５０に印加できる電圧は、配線１１０ａの長さに応じた抵抗分による電圧降下を生じる。配線１１０ａによる電圧降下に打ち勝つために、直流電源９が出力する電圧値を高くすることが考えられるが、画像表示装置１の電力損失が増大する。そのため、配線１１０ａの抵抗分を極力抑制することが好ましい。

　図６は、本実施形態の画像表示装置の動作を説明するための模式的な動作波形図の例である。
　図６は、図５の回路の６箇所の信号および電圧値の時間変化を表している。
　図６の最上段の図は、行選択回路５の第Ｎ行の第１端子３４の出力信号の時間変化を表している。
　図６の２段目の図は、第Ｍ列の透光性電極１６０ｋの電圧値の時間変化を表している。
　図６の３段目の図は、第Ｎ行の配線１１０ａのうち、第Ｍ列側の電圧値の時間変化を表している。
　図６の４段目の図は、第Ｍ＋２列の透光性電極１６０ｋの電圧値の時間変化を表している。
　図６の５段目の図は、第Ｎ行の配線１１０ａのうち、第Ｍ＋２列側の電圧値の時間変化を表している。
　図６の最下段の図は、行選択回路５の第Ｎ＋１行の第１端子３４の出力信号の時間変化を表している。
　図６では、期間Ｔ１において、第Ｎ行の配線１１０ａが選択され、期間Ｔ２において、第Ｎ＋１行の配線１１０ａが選択されることを表している。

　図６に示すように、時刻ｔ１において、第Ｎ行を選択する期間Ｔ１が開始されると、少し遅れて時刻ｔ２において、第Ｎ行の行選択スイッチ５ａが電源端子９ａ側に接続され、第１端子３４から直流電源９の電圧が出力される。

　時刻ｔ１からｔ２では、第Ｍ列から第Ｍ＋２列を含むすべての発光素子１５０は、電流源７ａにより逆バイアス状態とされている。この期間には、透光性電極１６０ｋと接地間に形成されている寄生容量Ｃｃがプリチャージされる。この例では、プリチャージの期間は、行選択の切り替えタイミングの前後に設けられ、時刻ｔ３から時刻ｔ５もプリチャージの期間に設定されている。時刻ｔ２以前および時刻ｔ６以降も同様にプリチャージの期間が設定される。また、プリチャージ時の第Ｍ列の透光性電極１６０ｋと接地間の電圧はＶｐ１であり、第Ｍ＋２列の透光性電極１６０ｋと接地間の電圧はＶｐ２とされている。この例では、Ｖｐ２は、Ｖｐ１よりも高い値がプリチャージ時の電圧として寄生容量Ｃｃに印加されている。

　時刻ｔ２において、第Ｎ行の行選択スイッチ５ａが電源端子９ａ側に切り替わると、第Ｎ行にアノードが接続された発光素子１５０は、それぞれのカソードに接続された電流源７ａによって設定された電流が流れて、電流に応じた輝度で発光する。

　時刻ｔ３において、行選択回路５の第Ｎ行の選択が終了すると、順バイアス状態となっていた発光素子１５０が再度逆バイアス状態となり、寄生容量Ｃｃのプリチャージが開始される。

　時刻ｔ４において、第Ｎ＋１行の選択期間が開始され、プリチャージの期間を経て時刻ｔ５において、行選択回路５は、第Ｎ＋１行の端子から直流電源９の電圧を出力する。期間Ｔ１の場合と同様に、時刻ｔ６まで第Ｎ＋１行が選択され、第Ｎ＋１行に接続された配線１１０ａの電圧が上昇する。配線１１０ａの電圧が透光性電極１６０ｋの電圧および発光素子１５０の順電圧降下に応じた値に達すると第Ｎ＋１行に接続された発光素子１５０に電流が流れて、電流源７ａによって設定された電流に応じた輝度で発光する。

　ここで、配線１１０ａには、配線長に応じて発生する抵抗分による電圧降下が配線１１０ａの布線された方向に沿って発生する。そのため、電圧降下は、電流源７ａで設定された電流値および布線された長さに応じた抵抗分に応じて発生する。この例では、ａ部内の第Ｍ列および第Ｍ＋２列の２列分の波形が示されているが、ａ部からさらに外側の行選択回路５から離れた列に設けられた発光素子１５０ほど、アノードに印加できる電圧が低下する。

　透光性電極１６０ｋについても同様に、透光性電極１６０ｋが布線された方向に沿って、配線長に応じた抵抗分による電圧降下が発生する。

　時刻ｔ２から時刻ｔ３の期間では、第Ｍ＋２列の透光性電極１６０ｋの電圧降下が第Ｍ列の透光性電極１６０ｋの電圧降下よりも、ΔＶ１だけ低下していることを表している。この期間では、第Ｎ行の配線についても、第Ｍ＋２列側の電圧が第Ｍ列側の電圧よりもΔＶ２分だけ低下している。ΔＶ２は、配線１１０ａが行選択回路から離れるにしたがって生じる電圧降下を示している。

　また、図５中の“第Ｍ＋２列配線電圧”のプリチャージ時の電圧Ｖｐ２は、透光性電極１６０ｋの抵抗分による電圧降下分ΔＶ１よりも十分高く設定される必要があることを示している。電圧降下分ΔＶ１を十分に低くすることができれば、プリチャージ時の電圧も低くすることができ、消費電力を抑制することが可能になる。

　時刻ｔ４から時刻ｔ７を含む期間Ｔ２においても、上述と同様に各行が選択され、選択された行の配線１１０ａおよび透光性電極１６０ｋにおいて、行選択回路５からの離間距離に応じた電圧降下が生じる。したがって、配線１１０ａの布線方向の抵抗分を低減することにより、行選択回路５から離れた位置に設けられた列の発光素子１５０に印加できる電圧を十分に高くすることができる。

　本実施形態の画像表示装置１の製造方法について説明する。
　図７Ａ～図７Ｂは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図７Ａに示すように、本実施形態の画像表示装置１の製造方法では、半導体成長基板（第２基板）１１９４が準備される。半導体成長基板１１９４は、結晶成長用基板１００１および半導体層１１５０を含む。結晶成長用基板（第１基板）１００１は、たとえばＳｉ基板やサファイア基板等である。好ましくは、Ｓｉ基板が結晶成長用基板１００１として用いられる。また、低温スパッタ法等の低温結晶成長プロセスを用いることによって、より安価なガラス基板等を結晶成長用基板１００１として用いることもできる。

　半導体層１１５０は、結晶成長用基板１００１上に形成されている。半導体層１１５０は、ｎ形半導体層１１５１、発光層１１５２およびｐ形半導体層１１５３を含む。ｎ形半導体層１１５１、発光層１１５２およびｐ形半導体層１１５３は、結晶成長用基板１００１の側から、この順に積層されている。半導体層１１５０は、たとえば、ＧａＮを含み、より詳細には、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１－Ｘ－Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等を含む。

　半導体層１１５０の形成には、たとえば気相成長法（Chemical Vapor Deposition、ＣＶＤ法）が用いられ、有機金属気相成長法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition、ＭＯＣＶＤ法）が好適に用いられる。低温スパッタ法によれば、プロセス温度を７００℃以下としても、半導体層１１５０を、エピタキシャル結晶成長させることができる。低温スパッタ法では、耐熱性の低いガラス基板や装置を使うことができるので、製造コストの低減を図ることができる。

　この例では、ｎ形半導体層１１５１から結晶成長用基板１００１上に形成している。結晶成長の初期には結晶格子定数の不整合に起因する結晶欠陥を生じる場合があり、結晶欠陥を生じた結晶はｎ形を呈する。そのため、この例のように、半導体層１１５０を、結晶成長用基板１００１上にｎ形半導体層１１５１から形成した場合には、生産プロセス上のマージンを大きくとることができるので、歩留りを向上し易いという長所がある。

　図には示さないが、結晶成長用基板１００１上に半導体層１１５０を形成する場合には、バッファ層を介して半導体層１１５０を形成するようにしてもよい。バッファ層は、たとえばＡｌＮ等の窒化物が用いられる。結晶成長用基板１００１上にバッファ層を介して半導体層１１５０を結晶成長させることによって、ＧａＮの結晶と結晶成長用基板１００１との界面での不整合を緩和することができる。そのため、半導体層１１５０の半導体結晶の品質が向上することが期待される。一方、本実施形態では、ｐ形半導体層１１５３を後述する図１０Ａに示す第１面１０３ａに貼り合わせるので、貼り合わせの前にバッファ層を除去する工程が追加される。後述の他の実施形態の場合も同様である。

　図７Ｂに示すように、ｐ形半導体層１１５３上にメタル層１１１５が形成される。メタル層１１１５は、たとえばＡｌやＡｌの合金、ＡｌとＴｉ等との積層膜等によって形成されている。好ましくは、Ａｌ等の金属層上にＡｇ等の光反射性の高い金属材料が設けられる。

　図８Ａは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な平面図である。
　図８Ｂは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図８Ａは、図１のａ部の拡大平面図であり、図８Ｂは、図８ＡのＡＡ－ＡＡ’線における断面図である。
　図８Ａおよび図８Ｂに示すように、基板（第３基板）１００が準備される。基板１００は、両面に酸化膜１０１，１０３が形成されたＳｉ基板１０２を含む。あるいは、基板１００は、ガラス等の絶縁性基板でもよい。複数の配線１１０ａは、第１面１０３ａ上にＸ軸方向（第１方向）に沿って互いにほぼ平行となるように形成される。配線１１０ａのＹ軸方向の間隔は、発光素子１５０のピッチとなるように設定される。配線１１０ａの形成では、ＴｉとＡｌの積層膜がスパッタ等により形成された後、エッチング等によって、複数の配線１１０ａに形成される。形成された配線１１０ａ上には絶縁層１１２が形成される。形成された絶縁層１１２は、発光素子の形成箇所を除去されて配線１１０ａが露出される。この例では、発光素子のＸＹ平面視の形状が円形なので、円形に絶縁層１１２が除去される。

　図９Ａは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な平面図である。
　図９Ｂは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図９Ａは、図１のａ部の拡大平面図であり、図９Ｂは、図９ＡのＡＡ－ＡＡ’線における断面図である。
　図９Ａおよび図９Ｂに示すように、メタル層１１１４は、配線１１０ａおよび絶縁層１１２上に形成される。メタル層１１１４は、たとえば、Ｔｉ、ＰｔおよびＡｕの積層膜であり、スパッタ等により形成される。Ｔｉ、ＰｔおよびＡｕの積層膜を形成した後、積層膜の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Planarization）等により平坦化される。

　図１０Ａおよび図１０Ｂは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図１０Ａおよび図１０Ｂは、図９ＡのＡＡ－ＡＡ’線における断面に相当する断面図である。
　図１０Ａに示すように、半導体成長基板１１９４に形成されたメタル層（第２導電層）１１１５は、メタル層（第１導電層）１１１４と対向するように配置される。メタル層１１１４，１１１５同士を接合することによって、２つの基板が貼り合わされる。

　基板貼り合わせの工程では、たとえば、それぞれの基板を加熱して熱圧着することによって、基板同士が貼り合わせられる。貼り合わせの前にそれぞれの基板の貼り合わせ面をさらにＣＭＰ等によって平坦化した上で、真空中で貼り合わせ面をプラズマ処理により清浄化して密着させるようにしてもよい。

　図１０Ｂに示すように、２つの基板が張り合わされた後、結晶成長用基板１００１は、ウェットエッチングやレーザリフトオフ等によって除去される。

　メタル層１１１４は、第１面１０３ａ、配線１１０ａおよび絶縁層１１２上に設けられることによって、ウェハ接合のための平坦化面を提供する目的を有している。一方、メタル層１１１５の形成は、省略されることができる。メタル層１１１５の形成工程を省略することによって、工程数を削減することができる。

　図１１Ａ～図１１Ｃは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図１１Ｃは、図９ＡのＡＡ－ＡＡ’線における断面に相当する断面図である。
　図１１Ａ～図１１Ｃでは、結晶成長用基板１００１基板上に半導体層１１５０をｐ形半導体層１１５３から形成する場合の例が示されている。上述の図７Ａおよび図７Ｂに示した工程に代えて、図１１Ａ～図１１Ｃに示す工程を適用することができる。
　図１１Ａに示すように、半導体成長基板１２９４が準備される。半導体成長基板１２９４は、結晶成長用基板１００１と、半導体層１１５０と、を含む。半導体層１１５０は、結晶成長用基板１００１上に形成されている。半導体層１１５０は、結晶成長用基板１００１の側から、ｐ形半導体層１１５３、発光層１１５２およびｎ形半導体層１１５１の順に積層されている。

　図１１Ｂに示すように、支持基板１１９０は、図１１Ａに示したｎ形半導体層１１５１の露出面１１５１Ｅに接合される。支持基板１１９０は、たとえば石英ガラスやＳｉ等によって形成されている。その後、結晶成長用基板１００１は、ウェットエッチングやレーザリフトオフによって除去される。

　図１１Ｃに示すように、基板１２９５では、ｐ形半導体層１１５３の露出面１１５３Ｅ上にメタル層１１１５が形成される。半導体層１１５０は、メタル層１１１５，１１１４を介して基板１００と貼り合わされる。具体的には、結晶成長用基板１００１を除去することによって露出されたｐ形半導体層１１５３の露出面１１５３Ｅは、メタル層１１１５を介してメタル層１１１４に対向して配置され、ｐ形半導体層１１５３は、メタル層１１１５を介してメタル層１１１４に接合される。上述した他の実施形態の場合にように、露出面１１５３Ｅ上にメタル層１１１５は形成せずに、ｐ形半導体層１１５３をメタル層１１１４に直接接合するようにしてもよい。

　半導体成長基板１２９４を形成するまでの工程および基板１２９５を形成した後の処理を行う工程は、同一のプラントで実行されてもよいし、異なるプラントで実行されてもよい。たとえば、基板１２９５を第１プラントで製造し、第１プラントとは異なる第２プラントに基板１２９５を搬入して、貼り合わせ工程を実行してもよい。

　半導体層１１５０を基板１００に貼り合わせる方法は、上述に限らず、次の方法とすることもできる。すなわち、半導体層１１５０は、結晶成長用基板１００１上に形成後、容器に収納され、たとえば容器内では支持基板１１９０を装着されて、保管される。保管後、半導体層１１５０は、容器から取り出されて、メタル層１１１４を形成された基板１００に貼り合わせられる。また、半導体層１１５０を支持基板１１９０に装着することなく、容器に保管される。保管後、半導体層１１５０は、容器から取り出されて、そのままメタル層１１１４を形成された基板１００に貼り合わされる。

　半導体層１１５０を基板１００に貼り合わせる場合には、１つの半導体層１１５０を１枚の基板１００に貼り合わせるときと、複数の半導体層１１５０を１枚の基板１００に貼り合わせるときがある。１つの半導体層１１５０を１つの基板１００に貼り合わせるときには、基板１００のサイズは、たとえば数１０ｍｍ角から１５０ｍｍ角程度の長方形状や正方形状等とすることができる。この場合には、基板１１９５上に形成された半導体層１１５０は、基板１００のサイズに応じたサイズとすることができる。

　複数の半導体層１１５０を１つの基板１００に貼り合わせるときには、基板１００は、たとえば、１５００ｍｍ×１８００ｍｍ程度のほぼ長方形のガラス基板を用いることができる。基板１１９５に形成された半導体層１１５０は、数１０ｍｍ角から１５０ｍｍ角程度の長方形状または正方形状とされ、ウェハー寸法に換算して、たとえば、４インチから６インチ程度のサイズとすることができる。基板１００のサイズは、画像表示装置のサイズ等に応じて、適切に選定される。

　図１２は、本実施形態の画像表示装置の製造方法を例示する斜視図である。
　図１２は、複数の半導体層１１５０を１枚の基板１００に貼り合わせるときの例を模式的に示している。
　図１２の矢印の上の図は、複数の半導体成長基板１１９４が格子状に配置されていることを示している。図１２の矢印の下の図は、メタル層１１１４が形成された基板１００が配置されていることを示している。図１２は、格子状に配置された複数の半導体成長基板１１９４が、２点鎖線の位置に、複数の半導体成長基板１１９４が貼り合わされることを矢印によって示している。

　半導体層１１５０の端部およびその付近では、半導体結晶の品質が低下するため、半導体層１１５０の端部およびその付近に発光素子１５０が形成されないように留意する必要がある。
　図１２に示すように、半導体層１１５０の端部は、結晶成長用基板１００１の端部とほぼ一致するように形成されている。そのため、複数の半導体成長基板１１９４は、隣接する半導体成長基板１１９４同士で、なるべく隙間を生じないように、たとえば図１２の実線で示したように、格子状に、基板１００に対向して配置される。半導体層１１５０は、図１２の２点鎖線で示したように、基板１００のメタル層１１１４上に貼り合わされる。

　１つの基板１００に複数の半導体層１１５０が貼り合わされた場合には、その後の工程において、複数の半導体層１１５０が貼り合わされた基板１００を分割して、分割数に応じた数量およびサイズの画像表示装置とすることができる。半導体結晶の品質が低下している半導体層１１５０の端部が、表示領域の端部となることが好ましいので、分割する単位は、好ましくは、半導体成長基板１１９４の形状に一致するように設定される。

　図１３Ａは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な平面図である。
　図１３Ｂは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図１３Ａは、図１のａ部の拡大平面図であり、図１３Ｂは、図１３ＡのＡＡ－ＡＡ’線における断面図である。
　図１３Ａおよび図１３Ｂに示すように、図１０Ｂに示した半導体層１１５０は、エッチングされて、発光素子１５０が形成される。発光素子１５０は、この例では、円錐台形状に加工される。発光素子１５０を円錐台形状とすることによって、後述する図１４Ａおよび図１４Ｂに示す絶縁膜１５６を発光素子１５０上に形成する際に、絶縁膜１５６が発光素子１５０の側面に十分に密着させることができる。

　発光素子１５０を円錐台形状に成形するには、たとえば発光面１５１Ｓに近いほど高いエッチングレートが選定される。エッチングレートは、底面１５３Ｂの側から発光面１５１Ｓの側に向かって、ほぼ線形的に増大するように設定される。より具体的には、たとえば、ドライエッチング時のレジストマスクパターンをその端部に向かって次第に薄くなるように露光時に工夫しておく。これにより、ドライエッチング時にレジストの薄い部分から徐々に後退して、底面１５３Ｂの側から発光面１５１Ｓの側に向かってエッチング量を大きくすることができる。このようにして、円錐台形状の発光素子１５０を形成することができる。

　図１０Ｂに示したメタル層１１１５は、エッチングされて接合メタル１１５に加工される。図１０Ｂに示したメタル層１１１４は、エッチングされて接合メタル１１４に加工される。好ましくは、メタル層１１１４，１１１５は、同一のマスクを用いて連続的にエッチングされ、ＸＹ平面視で同一の外周形状を有する接合メタル１１４，１１５が形成される。

　図１４Ａは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な平面図である。
　図１４Ｂは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図１４Ａは、図１のａ部の拡大平面図であり、図１４Ｂは、図１４ＡのＡＡ－ＡＡ’線における断面図である。
　図１４Ａおよび図１４Ｂに示すように、絶縁膜１５６は、絶縁層１１２および発光素子１５０上に、これらを覆うように形成される。絶縁膜１５６は、ＳｉＯ_２等によって形成される場合には、たとえば、ＣＶＤやスパッタ等によって形成される。発光面１５１Ｓを露出させるように、絶縁膜１５６の一部が除去される。この例では、発光面１５１Ｓが露出された開口１５８は、ＸＹ平面視で、円形である。

　図１５Ａは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な平面図である。
　図１５Ｂは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図１５Ａは、図１のａ部の拡大平面図であり、図１５Ｂは、図１５ＡのＡＡ－ＡＡ’線における断面図である。
　図１５Ａおよび図１５Ｂに示すように、透光性電極１６０ｋは、Ｙ軸方向（第２方向）に沿って形成され、絶縁膜１５６および発光面１５１Ｓ上にわたって形成される。より具体的には、たとえば、ＩＴＯやＺｎＯ等の透光性を有する導電膜が絶縁膜１５６および発光面１５１Ｓ上を覆うように形成される。導電膜上にマスクが形成され、Ｙ軸方向に沿って配列された発光素子１５０の発光面１５１Ｓを相互に接続するように透光性電極１６０ｋが形成される。なお、透光性電極１６０ｋを形成する前に、発光面１５１Ｓが露出された開口１５８の表面を粗面化することで、発光素子１５０からの光取出し効率の向上を図ることもできる。

　図１６Ａ～図１７Ｂは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図１６Ａおよび図１６Ｂには、図２のｂ部のＢ－Ｂ’線における断面図が示されており、配線１１０ａおよび第１端子３４を電気的に接続する工程が示されている。
　図１７Ａおよび図１７Ｂには、図２のｃ部のＣ－Ｃ’線における断面図が示されており、透光性電極１６０ｋおよび第２端子４４を電気的に接続する工程が示されている。
　第１端子３４は、行選択回路５の出力配線の端部であり、第２端子４４は、電流駆動回路７の出力配線の端部である。

　図１６Ａに示すように、配線１１０ａは、絶縁層１１２に覆われており、絶縁層１１２の一部が除去されて配線１１０ａが露出されている。配線１１０ａが露出されている領域は、図２で示した接続領域３６である。

　図２に示した接続領域３６を含む領域に異方性導電部材３０ａが形成されている。異方性導電部材３０ａを形成する工程は、異方性導電部材３０ａを、接続領域３６を含む領域に塗布し、あるいは接続領域３６を含む領域に貼付する。たとえば、異方性導電部材３０ａが形成される領域は、図２において、Ｙ軸方向にならぶ接続領域３６を連続して含む領域である。つまり、隣接する接続領域３６間の領域にも異方性導電部材３０ａは設けられている。

　第１端子３４は、異方性導電部材３０ａを介して、接続領域３６で配線１１０ａに対向するように配置され、図１６Ａの矢印で示すように、異方性導電部材３０ａ上に載置される。異方性導電部材３０ａは、バインダー３１ａおよび異方性導電粒子３２ａを含んでいる。バインダー３１ａおよび異方性導電粒子３２ａは、圧力印加されておらず、加熱されていないため、初期の状態である。バインダー３１ａは初期状態では、流動性や粘着性を有する状態であり、接着力を発揮していない状態である。異方性導電粒子３２ａは、初期状態では、いずれの方向にも導通していない。

　図１６Ｂに示すように、第１端子３４および基板１００間に圧力が印加される。印加される圧力の方向は、図１６Ｂに矢印で示すように、Ｚ軸に沿う方向である。第１端子３４、基板１００および異方性導電部材３０は、矢印の方向に圧力を印加されながら、所定の温度に加熱される。異方性導電部材３０では、圧力印加方向に圧縮された異方性導電粒子３２は、圧力印加方向に導電路を形成する。加熱によって硬化したバインダー３１は、配線１１０ａおよび第１端子３４を、電気的接続された状態に固定する。

　図１７Ａに示すように、透光性電極１６０ｋは、絶縁膜１５６上に形成されている。異方性導電部材４０ａは、透光性電極１６０ｋ上に形成される。異方性導電部材４０ａが形成される領域は、図２で示した接続領域４６を含む領域である。より具体的には、異方性導電部材４０ａが形成される領域は、図２において、Ｘ軸方向にならぶ接続領域４６を連続して含む領域である。つまり、異方性導電部材４０ａは、接続領域４６および隣接する接続領域４６間の領域にも設けられている。異方性導電部材４０ａを形成する工程は、異方性導電部材４０ａを、接続領域４６を含む領域に塗布し、あるいは接続領域４６を含む領域に貼付する。

　第２端子４４は、異方性導電部材４０ａを介して、図２に示す接続領域４６で透光性電極１６０ｋに対向するように配置され、図１７Ａの矢印で示すように、異方性導電部材４０ａ上に載置される。異方性導電部材４０ａは、バインダー４１ａおよび異方性導電粒子４２ａを含んでいる。バインダー４１ａおよび異方性導電粒子４２ａは、圧力印加されておらず、加熱されていないため、初期の状態である。バインダー４１ａは初期状態では、流動性や粘着性を有する状態であり、接着力を発揮していない状態である。異方性導電粒子４２ａは、初期状態では、いずれの方向にも導通していない。

　図１７Ｂに示すように、第２端子４４および基板１００間に圧力が印加される。印加される圧力の方向は、図１７Ｂに矢印で示すように、Ｚ軸に沿う方向である。第２端子４４、基板１００および図１７Ａに示した異方性導電部材４０ａは、圧力を印加されながら、所定の温度に加熱される。図１７Ｂに示した異方性導電部材４０では、圧力印加方向に圧縮された異方性導電粒子４２は、圧力印加方向に導電路を形成する。加熱によって硬化したバインダー４１は、透光性電極１６０ｋおよび第２端子４４を、電気的に接続された状態で固定する。

　配線１１０ａと第１端子３４との電気的接続工程は、透光性電極１６０ｋと第２端子４４との電気的接続工程と同時に行ってもよいし、順次行うようにしてもよい。

　図１８は、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図１８に関連する説明では、配線１１０ａ、絶縁層１１２、発光素子１５０、絶縁膜１５６、透光性電極１６０ｋおよび表面樹脂層１７０を含む構造物を発光回路部１７２と呼ぶ。図１９Ａ～図１９Ｄに関連する説明では、基板１００および発光回路部１７２を含む構造物を構造体１１９２と呼ぶ。

　図１８に示すように、カラーフィルタ（波長変換部材）１８０は、複数の発光素子１５０が形成された構造体１１９２上に形成される。カラーフィルタ１８０は、一方の面で構造体１１９２に接着される。カラーフィルタ１８０の他方の面は、ガラス基板１８６に接着されている。カラーフィルタ１８０の一方の面には、透明薄膜接着層１８８が設けられており、透明薄膜接着層１８８を介して、構造体１１９２の表面樹脂層１７０の露出面に接着される。

　カラーフィルタ１８０は、この例では、赤色、緑色、青色の順にＸ軸の正方向に色変換部が配列されている。赤色については、１層目に赤色の色変換層１８３Ｒが設けられており、緑色については１層目に緑色の色変換層１８３Ｇが設けられており、いずれも２層目にはフィルタ層１８４がそれぞれ設けられている。青色については、単層の色変換層１８３Ｂが設けられていてもよいし、フィルタ層１８４が設けられていてもよい。各色変換部の間には、遮光部１８１が設けられているが、色変換部の色ごとにフィルタ層１８４の周波数特性を変更することができることはいうまでもない。

　各色の色変換層１８３Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂの位置を発光素子１５０の位置に合わせて、カラーフィルタ１８０は、構造体１１９２に貼り付けられる。

　図１９Ａ～図１９Ｄは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の変形例を示す模式的な断面図である。
　図１９Ａ～図１９Ｄには、カラーフィルタをインクジェット方式で形成する方法が示されている。

　図１９Ａに示すように、基板１００に発光素子１５０等の構成要素が形成された構造体１１９２が準備される。

　図１９Ｂに示すように、構造体１１９２上に遮光部１８１が形成される。遮光部１８１は、たとえばスクリーン印刷やフォトリソグラフィ技術等を用いて形成される。

　図１９Ｃに示すように、発光色に応じた蛍光体は、インクジェットノズルから噴出され、色変換層１８３を形成する。蛍光体は、遮光部１８１が形成されていない領域を着色する。蛍光体は、たとえば一般的な蛍光体材料やペロブスカイト蛍光体材料、量子ドット蛍光体材料を用いた蛍光塗料が用いられる。ペロブスカイト蛍光体材料や量子ドット蛍光体材料を用いた場合には、各発光色を実現できるとともに、単色性が高く、色再現性を高くできるので好ましい。インクジェットノズルによる描画の後、適切な温度および時間で乾燥処理を行う。着色時の塗膜の厚さは、遮光部１８１の厚さよりも薄く設定されている。

　すでに説明したように、青色発光のサブピクセルについては、色変換部を形成しない場合には、色変換層１８３は形成されない。また、青色発光のサブピクセルについて、青色の色変換層を形成する際に、色変換部は１層でよい場合には、好ましくは、青色の蛍光体の塗膜の厚さは、遮光部１８１の厚さと同じ程度とされる。

　図１９Ｄに示すように、フィルタ層１８４のための塗料は、インクジェットノズルから噴出される。塗料は、蛍光体の塗膜に重ねて塗布される。蛍光体および塗料の塗膜の合計の厚さは、遮光部１８１の厚さと同じ程度とされる。

　フィルムタイプのカラーフィルタであっても、インクジェット式のカラーフィルタであっても、色変換効率を向上させるためには、色変換層１８３は可能な限り厚いことが望ましい。その一方で、色変換層１８３が厚すぎると、色変換された光の出射光はランバーシアンに近似されるのに対して、色変換されない青色光は、遮光部１８１によって射出角が制限される。そのために、表示画像の表示色に視角依存性が生じてしまうという問題が生じてしまう。色変換されない青色光の配光に、色変換層１８３を設けるサブピクセルの光の配光を合わせるためには、色変換層１８３の厚さは、遮光部１８１の開口サイズの半分程度とすることが望ましい。

　たとえば、１０００ｐｐｉ程度の高精細な画像表示装置の場合には、サブピクセル２０の開口は、１０μｍ程度となるので、色変換層１８３の厚さは、５μｍ程度が望ましい。ここで、色変換材料が球状の蛍光体粒子からなる場合には、発光素子１５０からの光漏れを抑制するために、最密構造状に積層されることが好ましい。そのためには、少なくとも粒子の層は３層とされる必要がある。したがって、色変換層１８３を構成する蛍光体材料の粒径は、たとえば、２μｍ程度以下とすることが好ましく、１μｍ程度以下とすることがさらに好ましい。

　本実施形態の画像表示装置１の効果について説明する。
　本実施形態の画像表示装置１は、発光素子１５０を、発光素子１５０の上下で交差するように設けられた配線１１０ａおよび透光性電極１６０ｋによって駆動するパッシブマトリクス構造を有する。そのため、発光素子１５０を駆動するために、トランジスタ等の回路素子を必要としないので、発光素子１５０間の距離である画素間隔を短縮することができる。

　たとえば、画素間隔を１０μｍ程度とすることによって、３～４インチサイズの画像表示装置において、１０００ｐｐ程度の非常に高精細なパネルを実現することができる。近年、バーチャルリアリティ用のゴーグルの機能、性能が向上しており、このような高精細なパネルを実現することによって、より高機能、高性能な製品を実現することが可能になる。

　本実施形態の画像表示装置１では、パッシブマトリクス構造とすることによって、トランジスタ等の能動素子を基板上に形成する必要がないので、基板１００として低コストなソーラーグレードＳｉ基板を利用することができる。あるいは、ＴＦＴ形成工程のような高温プロセスを要しないので、ガラス基板を用いることもできる。いずれの基板を用いた場合であっても、アクティブマトリクス構造のディスプレイよりも、低コスト化することが可能になる。

　本実施形態の画像表示装置１は、行選択回路５によって駆動される配線１１０ａは、高い導電率の金属材料を用いることができる。そのため、配線１１０ａにおける電圧降下を抑制することができるので、発光素子１５０を駆動するための直流電源の電圧値を低く抑えることができ、画像表示装置１の低消費電力化を図ることができる。画像表示装置１の消費電力をある程度許せば、発光素子１５０の駆動のための直流電源の電圧値を高くすることなく、パネルサイズを大型化することが可能になる。

　本実施形態の画像表示装置１では、配線１１０ａは、ＡＣＰやＡＣＦ等の異方性導電部材３０によって、行選択回路５からの配線である第１端子３４に電気的に接続される。また、透光性電極１６０ｋも、異方性導電部材４０によって、電流駆動回路７からの配線である第２端子４４に電気的に接続することができる。異方性導電粒子として、たとえば１μｍ～数μｍ程度以下の径のものを利用することによって、１０μｍ程度のサブピクセルのピッチの配線を高精度に接続することができる。

　本実施形態の画像表示装置１では、発光素子１５０の底面１５３Ｂと第１配線１１０ａとの間に接合メタル１１４，１１５を設けている。接合メタル１１４，１１５は、光反射性の高い金属材料を用いることができるので、発光素子１５０の下方への散乱光を発光面１５１Ｓ側に反射して、発光素子１５０の実質的な発光効率を向上させることができる。

　本実施形態の画像表示装置１の製造方法では、基板１００に半導体層１１５０を貼り合わせた後、半導体層１１５０をエッチングして発光素子１５０が形成される。そのため、基板１００に個片化された発光素子を個々に転写する必要がないので、製造工程が著しく短縮される。たとえば、個片化された発光素子の数だけ基板上に転写する場合に比べると、発光素子の転写回数は、本実施形態の製造方法における基板貼り合わせ回数と考えられるので、発光素子の転写回数に相当する工程数は、発光素子の個数分の１に低減される。

　さらに、本実施形態の製造方法では、半導体層１１５０を配線１１０ａが形成された基板１００に貼り合わせた後に発光素子を形成するので、配線や電極の位置に合わせて発光素子を接続する位置合わせが不要となる。したがって、貼り合わせ工程を短時間で容易に行うことが可能になる。貼り合わせ時に位置合わせをする必要がないので、発光素子１５０の小型化も容易であり、高精細化されたディスプレイを実現することができる。

　本実施形態の画像表示装置１の製造方法では、基板１００上における発光素子１５０、行選択回路５および電流駆動回路７の電気的接続を微細な異方性導電粒子を有する異方性導電部材によって行う。そのため、短ピッチの接続を正確かつ容易に行うことができる。異方性導電部材による接続方法を用いることによって、発光素子１５０と行選択回路５との電気的接続、および、発光素子１５０と電流駆動回路７との電気的接続を同時に行うことができ、製造工程を削減することができる。

　（第２の実施形態）
　上述の第１の実施形態では、発光素子の発光面をｎ形半導体層により提供するものであるが、本実施形態では、発光素子の発光面をｐ形半導体層により提供する。本実施形態では、発光素子の構成が異なるほかは、上述した他の実施形態の場合と同じであり、同一の構成要素には同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略する。
　図２０Ａおよび図２０Ｂは、本実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。
　図２０Ａは、図２のＡ－Ａ’線における断面に相当する断面図である。図２０Ｂは、図２のＡＡ－ＡＡ’線における断面に相当する断面図である。
　図２０Ａおよび図２０Ｂに示すように、ピクセル２１０は、３つのサブピクセル２２０を含む。サブピクセル２２０は、配線２１０ｋと、発光素子２５０と、透光性電極２６０ａと、を含む。配線２１０ｋは、Ｘ軸方向に沿って形成されている。配線層１１０は、複数の配線２１０ｋを含む。複数の配線２１０ｋは、Ｙ軸方向に離間してほぼ等間隔で互いにほぼ平行になるように設けられている。隣接する配線２１０ｋの間の距離は、発光素子２５０のピッチに合わせて設定される。複数の配線２１０ｋは、図１に示した表示領域２の端部で、行選択回路５に接続される。

　発光素子２５０は、接合メタル１１５上に形成されており、接合メタル１１５の側から、ｎ形半導体層２５１、発光層２５２およびｐ形半導体層２５３の順に積層されている。

　発光素子２５０は、底面２５１Ｂと発光面２５３Ｓとを含む。底面２５１Ｂは、接合メタル１１５に接続された面である。発光面２５３Ｓは、底面２５１Ｂの反対側の面である。ｎ形半導体層２５１は、底面２５１Ｂを含んでいるので、接合メタル１１５は、ｎ形半導体層２５１に電気的に接続されている。接合メタル１１５は、ｎ形半導体層２５１にオーミック接続されている。

　接合メタル１１４，１１５は、配線２１０ｋに接続されているので、ｎ形半導体層２５１は、配線２１０ｋに電気的に接続されている。接合メタル１１４，１１５の構成、材料および機能は、第１の実施形態の場合と同じであり、詳細な説明を省略する。

　透光性電極２６０ａは、Ｙ軸方向に沿って設けられ、発光面２５３Ｓ上にわたって設けられている。透光性配線層１６０は、複数の透光性電極２６０ａを含んでいる。複数の透光性電極２６０ａは、Ｘ軸方向に離間してほぼ等間隔で互いに平行になるように設けられている。ｐ形半導体層２５３は、発光面２５３Ｓを含んでいるので、透光性電極２６０ａは、ｐ形半導体層２５３に電気的に接続されている。複数の透光性電極２６０ａは、図１に示した表示領域２の端部で電流駆動回路７に電気的に接続されている。

　図２１は、本実施形態の画像表示装置を例示する模式的なブロック図である。
　図２１に示すように、本実施形態の画像表示装置では、上述の他の実施形態の場合と発光素子の構成が異なり、発光素子の極性が異なっている。発光素子の極性の相違に応じて、回路構成が変更されている。
　図２１に示すように、配線２１０ｋは、行方向に沿って設けられている。配線２１０ｋは、第１端子３４を介して、行選択回路２０５に接続されている。透光性電極２６０ａは、列方向に沿って設けられている。透光性電極２６０ａは、第２端子４４を介して、電流駆動回路２０７に接続されている。

　行選択回路２０５は、行選択スイッチ２０５ａを含んでおり、配線２１０ｋは、第１端子３４を介して、行選択スイッチ２０５ａに接続されている。行選択スイッチ２０５ａは、その行を選択するときに、電源端子９ａの電圧を第１端子３４から出力する。行選択スイッチ２０５ａは、その行を選択しないときには、電源端子９ａの電圧を第１端子３４から出力する。電源端子９ａには、接地端子９ｂの電圧を基準にしたときに、電源端子９ａの電圧値よりも十分高い直流電圧を接地端子９ｂに供給する直流電源９が接続されている。

　電流駆動回路２０７は、電流源２０７ａを含んでおり、透光性電極２６０ａは、第２端子４４を介して、電流源２０７ａに接続されている。電流源２０７ａは、第２端子４４から電流を吐き出すように動作する。

　発光素子２５０のアノードは、第２端子４４を介して電流源２０７ａに接続され、発光素子２５０のカソードは、第１端子３４を介して行選択スイッチ２０５ａに接続される。外部からの制御信号によって、行選択スイッチ２０５ａが選択されると、第１端子３４からは電源端子９ｂの電圧が出力される。電源端子９ｂの電圧値は、接地端子９ａよりも十分に低い電圧値となるので、選択された行の配線２１０ｋに接続された発光素子２５０には、電流が流れる。電流は、電流源２０７ａ、第２端子４４、発光素子２５０のアノード、発光素子２５０のカソード、第１端子３４および行選択スイッチ２０５ａの経路で流れる。

　本実施形態の画像表示装置の製造方法について説明する。
　図２２Ａ～図２２Ｃは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図２２Ａに示すように、半導体成長基板１１９４が準備される。半導体成長基板１１９４は、上述の他の実施形態の場合の図７Ａに関連して説明したものと同じである。

　図２２Ｂに示すように、半導体成長基板１１９４のｐ形半導体層１１５３に支持基板１１９０が接合される。その後、結晶成長用基板１００１は除去されて、基板１１９５が形成される。結晶成長用基板１００１の除去には、ウェットエッチングやレーザリフトオフが用いられる。

　図２２Ｃに示すように、基板１１９５では、ｐ形半導体層１１５３の露出面１１５３Ｅ上に、メタル層１１１５が形成される。半導体層１１５０は、メタル層１１１５，１１１４を介して、基板１００と貼り合わされる。その後、支持基板１１９０は、ウェットエッチングやレーザリフトオフにより除去される。

　図２３Ａは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な平面図ある。
　図２３Ｂは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図２３Ａは、図１のａ部に相当する部分の拡大平面図であり、図２３Ｂは、図２３ＡのＡＡ－ＡＡ’線における断面図である。
　図２３Ａおよび図２３Ｂに示すように、図２２Ｃに示した半導体層１１５０は、エッチングにより加工され、発光素子２５０が形成される。発光素子２５０は、上述した他の実施形態の場合の発光素子１５０と同様にエッチングレートの調整によって、底面２５１Ｂから発光面２５３Ｓに向かって径が小さくなる円錐台形状に成形される。図２２Ｃに示したメタル層１１１４，１１１５は、エッチングにより加工され、接合メタル１１４，１１５が形成される。

　図２４Ａは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な平面図ある。
　図２４Ｂは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図２４Ａは、図１のａ部に相当する部分の拡大平面図であり、図２４Ｂは、図２４ＡのＡＡ－ＡＡ’線における断面図である。
　図２４Ａおよび図２４Ｂに示すように、絶縁層１１２、接合メタル１１４，１１５および発光素子２５０上に、絶縁膜１５６が形成される。絶縁膜１５６がＳｉＯ_２の場合には、絶縁膜１５６は、ＣＶＤやスパッタ等によって形成される。発光面２５３Ｓを露出させるように、絶縁膜１５６の一部が除去される。この例では、上述の他の実施形態の場合と同様に、発光面２５３Ｓが露出された開口１５８は、ＸＹ平面視で、円形である。

　図２５Ａは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な平面図ある。
　図２５Ｂは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図２５Ａは、図１のａ部に相当する部分の拡大平面図であり、図２５Ｂは、図２５ＡのＡＡ－ＡＡ’線における断面図である。
　図２５Ａおよび図２５Ｂに示すように、透光性電極２６０ａは、絶縁膜１５６および発光面２５３Ｓ上にわたって形成される。より具体的には、たとえば、ＩＴＯ等の透光性を有する導電膜が絶縁膜１５６および発光面２５３Ｓ上を覆うように形成される。導電膜上にＹ軸方向に沿うマスクが形成され、Ｙ軸方向に沿って配列された発光素子２５０の発光面２５３Ｓを相互に接続するように透光性電極２６０ａが形成される。

　本実施形態の画像表示装置の効果について説明する。
　本実施形態の画像表示装置では、上述した他の実施形態の画像表示装置と同様に、トランジスタ等の回路素子を必要としないパッシブマトリクス構造を有するので、サブピクセルのピッチを短縮することができる。このほか、ｐ形半導体層２５３を発光面２５３Ｓとし、ｎ形半導体層２５１を底面２５１Ｂとすることができる。ｎ形半導体層２５１は、ｐ形半導体層２５３よりも、抵抗値を小さくすることができるので、発光素子２５０と配線２１０ｋとに関連する抵抗値を小さく抑制することができる。したがって、図２１に示した行選択回路２０５に接続される配線２１０ｋ側の抵抗値を抑制することができるとの長所がある。

　本実施形態の画像表示装置の製造方法では、半導体層１１５０を結晶成長用基板１００１に形成後、支持基板１１９０に転写することによって、ｐ形半導体層２５３を発光面２５３Ｓとすることができる。この製造工程を採用することによって、結晶成長用基板１００１にｎ形半導体層１１５１から形成することができるので、半導体層１１５０の半導体結晶の品質を向上かつ安定させ、製造歩留りを向上させることができる。

　（第３の実施形態）
　図２６は、本実施形態に係る画像表示装置の一部を例示する模式的な平面図である。
　図２６は、図１に示した表示領域２のａ部に相当する部分の拡大図である。
　図２６に示すように、本実施形態の画像表示装置では、第１配線１１０ａ上に形成されたｐ形半導体層３５３ａ上に複数の発光面３５１Ｓ１～３５１Ｓ３が設けられており、この点で、上述した他の実施形態の場合と相違する。同一の構成要素には同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略する。

　この例では、１つのｐ形半導体層３５３ａに３つの発光面３５１Ｓ１～３５１Ｓ３を有しているが、これに限らず、１つのｐ形半導体層３５３ａ上に２つ以上の発光面を有するものとすることができる。

　ｐ形半導体層３５３ａは、配線１１０ａ上に設けられている。ｐ形半導体層３５３ａは、図２６には示さないが、１本の配線１１０ａ上に複数個設けることができる。複数個のｐ形半導体層３５３ａは、Ｘ軸方向に複数個設けられ、発光面が形成されたときに、発光面の間隔がほぼ一定のピッチとなるように配置される。

　配線１１０ａは、複数本設けられており、複数の配線１１０ａは、Ｙ軸方向に離間してほぼ等間隔で互いにほぼ平行に設けられている。したがって、複数のｐ形半導体層３５３ａは、Ｙ軸方向に離間してほぼ等間隔でほぼ平行に設けられている。配線１１０ａおよびｐ形半導体層３５３ａのＹ軸方向の離間距離は、発光面のピッチにほぼ等しくされる。

　図２７Ａおよび図２７Ｂは、本実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。
　図２７Ａは、図２６のＡ－Ａ’線における断面図である。
　図２７Ｂは、図２６のＡＡ－ＡＡ’線における断面図である。
　図２７Ａおよび図２７Ｂに示すように、本画像表示装置のピクセル３１０は、３つのサブピクセル３２０を含む。実施形態を表す以降の図では、表示の煩雑さを避けるため、カラーフィルタの表示が省略される。カラーフィルタは、上述の他の実施形態において説明したように、絶縁膜１５６および透光性電極１６０ｋ上に表面樹脂層１７０が形成され、表面樹脂層１７０上にカラーフィルタが設けられる。なお、上述の他の実施形態の場合を含め、カラーフィルタを設けずに、モノクロの画像表示装置とすることも可能である。

　サブピクセル３２０は、基板１００を含む。基板１００は、上述した他の実施形態の場合と同じであり、詳細な説明を省略する。

　第１面１０３ａ上に配線層１１０が設けられ、配線層１１０は、複数の配線１１０ａを含んでいる。第１面１０３ａ上で、Ｙ軸方向に平行して設けられた隣接する２本の配線１１０ａの間には、絶縁層１１２が設けられている。

　配線１１０ａ上に、接合メタル３１４，３１５が設けられている。接合メタル３１４，３１５は、第１面１０３ａの側からこの順に積層されている。接合メタル３１４，３１５は、第１配線１１０ａとともに、Ｘ軸方向に沿って形成されている。接合メタル３１４，３１５は、複数本設けられており、複数本の接合メタル３１４，３１５は、Ｙ軸方向に離間してほぼ等間隔でほぼ平行に設けられている。Ｙ軸方向に隣接する接合メタル３１４，３１５の離間距離は、発光面のピッチとなるように設定される。接合メタル３１４，３１５は、上述の他の実施形態の場合の接合メタル１１４，１１５と同じ材料で形成されることができ、同様の機能を有する。

　半導体層３５０は、ｐ形半導体層３５３ａと、第１発光層３５２ａ１～第３発光層３５２ａ３と、第１ｎ形半導体層３５１ａ１～第３ｎ形半導体層３５１ａ３と、を含む。第１発光層３５２ａ１～第３発光層３５２ａ３は、ｐ形半導体層３５０ａ上に設けられている。第１発光層３５２ａ１～第３発光層３５２ａ３は、互い分離され離間して、ｐ形半導体層３５３ａ上に設けられている。第１ｎ形半導体層３５１ａ１は、第１発光層３５２ａ１上に設けられている。第２ｎ形半導体層３５１ａ２は、第２発光層３５２ａ２上に設けられている。第３ｎ形半導体層３５１ａ３は、第３発光層３５２ａ３上に設けられている。第１ｎ形半導体層３５１ａ１～第３ｎ形半導体層３５１ａ３は、互いに分離され離間して、第１発光層３５２ａ１～第３発光層３５２ａ３上にそれぞれ設けられている。

　ｐ形半導体層３５３ａは、接合メタル３１５上に、接合メタル３１５に沿って設けられている。つまり、複数のｐ形半導体層３５３ａは、配線１１０ａおよび接合メタル３１４，３１５とともに、Ｙ軸方向に離間して、ほぼ平行になるように設けられている。底面３５３Ｂは、ｐ形半導体層３５３ａの一部であり、底面３５３Ｂは接合メタル３１５に接している。したがって、ｐ形半導体層３５３ａは、接合メタル３１５に電気的に接続されている。

　第１発光層３５２ａ１～第３発光層３５２ａ３の配列は、配線１１０ａ、接合メタル３１４，３１５およびｐ形半導体層３５３ａとともに、Ｙ軸方向に離間してほぼ平行に設けられている。

　第１ｎ形半導体層３５１ａ１～第３ｎ形半導体層３５１ａ３は、第１発光層３５２ａ１～第３発光層３５２ａ３上にそれぞれ設けられている。そのため、第１ｎ形半導体層３５１ａ１～第３ｎ形半導体層３５１ａ３の配列も、配線１１０ａ、接合メタル３１４，３１５、ｐ形半導体層３５３ａおよび第１発光層３５２ａ１～第３発光層３５２ａ３の配列とともに、Ｙ軸方向に離間してほぼ平行に設けられている。

　第１ｎ形半導体層３５１ａ１は、第１発光面３５１Ｓ１を有する。第１発光面３５１Ｓ１は、第１発光層３５２ａ１に接する第１ｎ形半導体層３５１ａ１の面の反対側の面である。第２ｎ形半導体層３５１ａ２は、第２発光面３５１Ｓ２を有する。第２発光面３５１Ｓ２は、第２発光層３５２ａ２に接する第２ｎ形半導体層３５１ａ２の面の反対側の面である。第３ｎ形半導体層３５１ａ３は、発光面３５１Ｓ３を有する。第３発光面３５１Ｓ３は、第３発光層３５２ａ３に接する第３ｎ形半導体層３５１ａ３の面の反対側の面である。したがって、第１発光面３５１Ｓ１～第３発光面３５１Ｓ３は、Ｘ軸方向に沿ってほぼ等間隔に配列されている。複数の第１発光面３５１Ｓ１～第３発光面３５１Ｓ３の配列は、Ｙ軸方向に互いに離間してほぼ平行に設けられている。

　絶縁膜１５６は、絶縁層１１２、接合メタル３１４，３１５、ｐ形半導体層３５３ａ、第１発光層３５２ａ１～第３発光層３５２ａ３および第１ｎ形半導体層３５１ａ１～第３ｎ形半導体層３５１ａ３を覆って設けられている。絶縁膜１５６の一部は、第１発光面３５１Ｓ１～第３発光面３５１Ｓ３を露出するために除去されている。

　透光性配線層１６０は、絶縁膜１５６および第１発光面３５１Ｓ１～第３発光面３５１Ｓ３上に設けられている。透光性配線層１６０は、複数の透光性電極１６０ｋを含んでいる。透光性配線層１６０は、第１発光面３５１Ｓ１～第３発光面３５１Ｓ３の配列上にわたって設けられている。複数の透光性電極１６０ｋは、Ｘ軸方向に離間しほぼ等間隔で平行に設けられている。隣接する透光性電極１６０ｋのＸ軸方向の離間距離は、発光面のピッチにほぼ等しい。

　本実施形態の画像表示装置の製造方法について説明する。
　図２８Ａ～図２９Ｃは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図２９Ａ～図２９Ｃは、図２６のＡ－Ａ’線における断面に相当する断面図である。
　図２８Ａに示すように、基板１００の第１面１０３ａ上に配線層１１０が形成され、配線１１０ａが形成される。配線１１０ａを含む配線層１１０上に絶縁層１１２が形成される。絶縁層１１２は、半導体層３５０が配線１１０ａに接続される領域を除去される。絶縁層１１２および配線１１０ａ上にメタル層１１１４が形成され、好ましくは、メタル層１１１４の表面は、平坦化される。

　図２８Ｂに示すように、半導体層１１５０上に形成されたメタル層１１１５を、メタル層１１１４に貼り付けることによって、半導体層１１５０を、メタル層１１１５，１１１４を介して、基板１００に貼り合わせる。これらの工程は、上述した他の実施形態の場合と同様に行うことができる。

　図２９Ａに示すように、図２８Ｂに示したメタル層１１１４，１１１５は、エッチングにより加工され、接合メタル３１４，３１５が形成される。接合メタル３１４，３１５は、配線１１０ａに沿うように成形され、ＸＹ平面視で、第１配線１１０ａと同じ形状に成形される。

　図２８Ｂに示した半導体層１１５０は、エッチングにより加工され、図２９Ａに示す半導体層３５０が形成される。半導体層３５０の形成工程では、ｐ形半導体層３５３ａが、接合メタル３１５に沿うように成形され、ＸＹ平面視で、接合メタル３１４，３１５および配線１１０ａと同じ形状に成形される。

　ｐ形半導体層３５３ａを形成した後、第１発光層３５２ａ１～第３発光層３５２ａ３および第１ｎ形半導体層３５１ａ１～第３ｎ形半導体層３５１ａ３が形成される。第１発光層３５２ａ１および第１ｎ形半導体層３５１ａ１は、ＸＹ平面視で、同じ形状に成形される。第２発光層３５２ａ２および第２ｎ形半導体層３５１ａ２は、ＸＹ平面視で、同じ形状に成形される。第３発光層３５２ａ３および第３ｎ形半導体層３５１ａ３は、ＸＹ平面視で、同じ形状に成形される。第１ｎ形半導体層３５１ａ１～第３ｎ形半導体層３５１ａ３は、同時に形成され、第１発光層３５２ａ１～第３発光層３５２ａ３は、同時に形成される。このとき、第１発光層３５２ａ１～第３発光層３５２ａ３に挟まれたｐ形半導体層３５３ａは、多少、あるいはすべてがエッチングされてしまっても構わない。

　図２９Ｂに示すように、絶縁膜１５６は、絶縁層１１２、接合メタル３１４，３１５および図２９Ａに示した半導体層３５０を覆って設けられる。第１ｎ形半導体層３５１ａ１～第３ｎ形半導体層３５１ａ３上の絶縁膜１５６の一部が除去されて、第１発光面３５１Ｓ１～第３発光面３５１Ｓ３が露出される。

　図２９Ｃに示すように、Ｙ軸方向に沿って、第１透光性配線層１６０が形成される。第１透光性電極１６０ｋは、第１発光面３５１Ｓ１～第３発光面３５１Ｓ３上にそれぞれ形成される。

　このようにして、複数のサブピクセル３２０を含むピクセル３１０が形成される。

　本実施形態の画像表示装置の効果について説明する。
　本実施形態の画像表示装置では、上述した他の実施形態の画像表示装置と同様に、トランジスタ等の回路素子を必要としないパッシブマトリクス構造を有するので、第１発光面３５１Ｓ１～第３発光面３５１Ｓ３のピッチを短縮することができる。そのほか、本実施形態では、半導体層３５０の形成時に、発光素子ごとに分断する必要がないので、製造工程が短縮される可能性がある。

　（第４の実施形態）
　図３０Ａ～図３０Ｃは、本実施形態に係る画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。
　図３０Ａは、図２のＡ－Ａ’線における断面に相当する断面図である。図３０Ｂは、図２のＡＡ－ＡＡ’線における断面に相当する断面図である。図３０Ｃは、図２のＣ－Ｃ’線における断面に相当する断面図である。なお図２のＢ－Ｂ’線における断面に相当する断面は、上述した他の実施形態の図４Ａに示したものと同じなので、図示および詳細な説明を省略する。
　図３０Ａおよび図３０Ｂに示すように、本実施形態の画像表示装置は、複数のサブピクセル４２０を含む。サブピクセル４２０は、絶縁膜１５６ａを含む点で上述した他の実施形態の場合と相違する。同一の構成要素は、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略する。

　本実施形態では、絶縁膜１５６ａは、発光素子１５０の側面を覆うとともに、隣接する発光素子１５０との間にも設けられている。この例では、２つの隣接する発光素子１５０の間の絶縁膜１５６ａの第１面１０３ａからの高さは、発光面１５１Ｓの第１面１０３ａの高さよりも高く設定されている。絶縁膜１５６ａは、光反射性を有する材料で形成されている。絶縁膜１５６ａは、たとえば、白色樹脂で形成されている。絶縁膜１５６ａを白色樹脂とすることによって、発光素子１５０の横方向の出射光等を反射することができる。また、２つの隣接する発光素子１５０の間の絶縁膜１５６ａの第１面１０３ａからの高さを、発光面１５１Ｓの第１面１０３ａの高さよりも高くすることによって、発光面１５１Ｓから横方向へ広がろうとする光を反射することができる。これらにより、発光素子１５０の発光効率は、実質的に向上される。

　白色樹脂は、ＳＯＧ（Spin On Glass）等のシリコン系樹脂やノボラック型フェノール系樹脂等の透明樹脂に、ミー（Mie）散乱効果を有する散乱性微粒子を分散させることによって形成される。散乱性微粒子は、無色または白色であり、発光素子１５０が発光する光の波長の１／１０程度から数倍程度の直径を有する。好適に用いられる散乱性微粒子は、光の波長の１／２程度の直径を有する。たとえば、このような散乱性微粒子としては、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ等が挙げられる。

　あるいは、白色樹脂は、透明樹脂内に分散された多数の微細な空孔などを活用することによっても、形成されることができる。

　図３Ａ等に示した、ＳｉＯ_２等の無機膜で形成された絶縁膜１５６に光反射性をもたせる処理を施してもよい。ＳｉＯ_２を白色化する場合には、ＳＯＧ等に重ねて、たとえば、ＡＬＤ（Atomic-Layer-Deposition）やＣＶＤで形成されたＳｉＯ_２膜等を用いてもよい。

　絶縁膜１５６ａは、光透過性の低い材料としてもよい。たとえば、絶縁膜１５６ａは、
黒色樹脂で形成されていてもよい。絶縁膜１５６ａを黒色樹脂とすることによって、サブピクセル４２０内における光の散乱が抑制され、迷光がより効果的に抑制される。迷光が抑制された画像表示装置は、よりシャープな画像を表示することが可能である。

　図３０Ｃに示すように、第２端子４４は、異方性導電部材４０を介して、透光性電極１６０ｋ上に設けられている。本実施形態では、絶縁膜１５６ａの厚さを発光面１５１Ｓの高さよりも厚く設定しているので、第２端子４４は、異方性導電部材４０を介して、厚い絶縁膜１５６ａ上に設けられた透光性電極１６０ｋに、電気的に接続されている点で上述の他の実施形態の場合と相違し、他の点では他の実施形態の場合と同じである。

　本実施形態の画像表示装置の製造方法について説明する。
　本実施形態では、絶縁膜１５６ａの形成工程が、上述した他の実施形態の場合と相違し、他の点では、他の実施形態の場合と同じである。絶縁膜１５６ａが有機樹脂の場合には、塗布工程や、金型を用いた射出成型等が用いられる。絶縁膜１５６ａがＳｉＯ_２等を含む無機材料の場合には、上述したとおり、絶縁膜１５６ａの形成には、ＣＶＤ、ＡＬＤ、スパッタ等が用いられる。

　本実施形態の画像表示装置の効果について説明する。
　本実施形態の画像表示装置は、上述した上述した他の実施形態の画像表示装置と同様に、トランジスタ等の回路素子を必要としないパッシブマトリクス構造を有するので、サブピクセル４２０のピッチを短縮することができる。そのほか、画像表示装置は、発光素子１５０間の分離に光反射性を有する絶縁膜１５６ａを含むサブピクセル４２０を有する。そのため、側面で反射した散乱光等や斜め上方に出射する光を反射して、発光面１５１Ｓから出射する光の量を多くすることができる。そのため、発光素子１５０の実質的な発光効率を向上させることができる。

　（第５の実施形態）
　図３１Ａ～図３１Ｃは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図３１Ａは、図２のＡ－Ａ’線における断面に相当する断面図である。図３１Ｂは、図２のＡＡ－ＡＡ’線における断面に相当する断面図である。図３１Ｃは、図２のＢ－Ｂ’線のおける断面に相当する断面図である。なお図２のＣ－Ｃ’線における断面に相当する断面は、上述した第４の実施形態の図３０Ｃに示したものと同じなので、図示および詳細な説明を省略する。
　図３１Ａおよび図３１Ｂに示すように、本実施形態の画像表示装置は、メタル配線５１０を含むサブピクセル５２０を有する。メタル配線５１０は、上述の他の実施形態における配線１１０ａ，２１０ｋに代えて、Ｘ軸方向に沿って設けられている。メタル配線５１０は、配線１１０ａ，２１０ｋと同様に、複数本設けられており、複数のメタル配線５１０は、Ｙ軸方向に離間してほぼ等間隔でほぼ平行に設けられている。隣接するメタル配線５１０の離間距離は、発光素子１５０のピッチにほぼ等しくなるように設定されている。

　メタル配線５１０上には、発光素子１５０がＸ軸方向にほぼ等間隔で設けられている。メタル配線５１０は、接合メタル５１４，５１５を含んでおり、接合メタル５１４，５１５は、第１面１０３ａの側からこの順に積層され、接合されている。発光素子１５０の底面１５３Ｂは、接合メタル５１５に接しており、ｐ形半導体層１５３は、接合メタル５１５にオーミック接続されている。したがって、ｐ形半導体層１５３は、第１メタル配線５１０に電気的に接続されており、Ｘ軸方向に隣接して設けられた発光素子１５０と電気的に接続されている。

　この例では、絶縁膜１５６ａは、光反射性を有する絶縁材料で形成されているが、第１の実施形態や第２の実施形態の場合のように、透明樹脂によって形成されてもよい。

　第１の実施形態の場合と同様に、透光性電極１６０ｋがＹ軸方向に沿って形成され、Ｙ軸方向に沿って配列された発光素子１５０の発光面１５１Ｓに接続されている。

　図３１Ｃに示すように、メタル配線５１０は、基板１００の第１面１０３ａ上に設けられている。より具体的には、第１面１０３ａ上に接合メタル５１４が設けられ、接合メタル５１４上に接合メタル５１５が設けられている。第１端子３４は、異方性導電部材３０を介して、接合メタル５１５上に設けられている。第１端子３４は、異方性導電部材３０の異方性導電粒子３２を介して、メタル配線５１０に電気的に接続されている。異方性導電部材３０中のバインダー３１は、上述の他の実施形態の場合の図４Ａ等によって説明したように、第１端子３４とメタル配線５１０との接続を固定するために設けられている。

　本実施形態の画像表示装置の製造方法について説明する。
　図３２Ａ～図３４Ｂは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図３３Ａおよび図３４Ａは、図２のＡ－Ａ’線における断面に相当する断面図である。
　図３３Ｂおよび図３４Ｂは、図２のＡＡ－ＡＡ’線における断面に相当する断面図である。
　図３２Ａに示すように、半導体成長基板１１９４が準備され、半導体成長基板のｐ形半導体層１１５３上にメタル層１１１５が形成される。半導体成長基板１１９４は、メタル層１１１５，１１１４を介して、基板１００の第１面１０３ａに貼り合わされる。メタル層１１１４，１１１５を介した半導体層１１５０と基板１００との貼り合わせ工程は、上述の他の実施形態における図１０Ａに関連して説明したので省略する。

　図３２Ｂに示すように、図３２Ａに示した結晶成長用基板１００１は、ウェットエッチングやレーザリフトオフによって、除去される。

　図３３Ａおよび図３３Ｂに示すように、図３２Ｂに示したメタル層１１１５，１１１４は、エッチングにより加工され、メタル配線５１０が形成される。複数のメタル配線５１０は、Ｙ軸方向に離間してほぼ等間隔でほぼ平行となるように分断されて個々のメタル配線５１０が形成される。図３２Ｂに示したメタル層１１１５，１１１４は、同一のマスクを用いて連続的にエッチングされる。

　図３２Ｂに示した半導体層１１５０は、エッチングにより加工され、図３３Ａおよび図３３Ｂに示すように、発光素子１５０が形成される。この例では、発光素子１５０は、発光素子１５０の高さ方向に径がほぼ等しい円柱形状とされているが、角柱形状としてもよい。また、上述の他の実施形態の場合と同様に、円錐台形状や角錐台形状としてもよい。

　図３４Ａおよび図３４Ｂに示すように、絶縁膜１５６ａは、第１面１０３ａ、メタル配線５１０および発光素子１５０を覆って形成される。この例では、絶縁膜１５６ａは、光反射性を有する絶縁材料で形成されている。絶縁膜１５６ａは、絶縁膜１５６ａの第１面１０３ａからの高さは、発光面１５１Ｓの第１面１０３ａからの高さよりも高く形成されている。

　発光素子１５０の上部の絶縁膜１５６ａの一部が除去されて、発光面１５１Ｓが露出される。複数の透光性電極１６０ｋを含む透光性配線層１６０が、絶縁膜１５６ａおよび発光面１５１Ｓ上に形成される。透光性電極１６０ｋは、Ｙ軸方向に沿って形成され、Ｘ軸方向に離間してほぼ等間隔でほぼ平行に形成される。

　この後、必要に応じて、発光面１５１Ｓの上方にカラーフィルタが設けられる。

　このようにして、サブピクセル５２０が形成される。

　本実施形態の画像表示装置の効果について説明する。
　本実施形態の画像表示装置は、上述した他の実施形態の画像表示装置と同様に、トランジスタ等の回路素子を必要としないパッシブマトリクス構造を有するので、サブピクセル５２０のピッチを短縮することができる。そのほか、画像表示装置のサブピクセル５２０は、メタル配線５１０を含み、メタル配線を行選択回路５に接続される配線としている。メタル配線５１０は、十分な厚さを有するメタル層１１１４，１１１５によって形成されているので、布線方向の抵抗分を低くすることができる。そのため、図２に示した表示領域２中で行選択回路５から離れた列に設けられた発光素子１５０に電流が流れたときでも、メタル配線５１０の電圧降下を抑制することができる。したがって、行選択回路５に供給する直流電源の電圧をより低く設定することができ、画像表示装置の消費電力を低減することができる。行選択回路５に供給する直流電源の電圧をある程度高く設定することが許される場合には、行選択回路５からより離れた位置に設けられた発光素子にも十分な電圧を供給することができるので、より大きなサイズの画面を有する画像表示装置を実現することができる。

　本実施形態の画像表示装置では、上述した他の実施形態の場合の配線１１０ａに代えて、メタル配線５１０とすることができる。メタル配線５１０は、他の実施形態の場合の接合メタルとしても機能する。そのため、複数の配線１１０ａを含む配線層１１０および絶縁層１１２を形成する工程を省略することができる。したがって、画像表示装置の製造工程を短縮することが可能になり、コストの低減、生産性の向上等を図ることができる。

　（第６の実施形態）
　図３５は、本実施形態に係る画像表示装置の一部を例示する模式的な平面図である。
　図３５は、図１に示したａ部、ｂ部およびｃ部の拡大図が示されている。ａ部は、図１に示した表示領域２内の一部に相当する部分である。ｂ部は、図１に示した表示領域２および行配線領域６にわたる領域の一部に相当する部分である。ｃ部は、図１に示した表示領域２および列配線領域８にわたる領域の一部分に相当する部分である。

　図３５に示すように、本実施形態の画像表示装置６０１は、配線１１０ａと、発光素子１５０と、透光性電極６７０ｋと、第１端子３４と、第２端子６４４と、透光性基板６８０と、を備える。本実施形態では、画像表示装置６０１は、透光性基板６８０を備える点で上述の他の実施形態の場合と相違する。本実施形態の画像表示装置６０１は、第２端子６４４の構成が上述の他の実施形態の場合と相違する。また、本実施形態の画像表示装置６０１は、サブピクセル６２０の構成が上述の他の実施形態の場合と相違する。上述の他の実施形態の場合と同一の構成要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略する。

　画像表示装置６０１では、透光性基板６８０は、図１に示した表示領域２を覆うように設けられている。透光性基板６８０は、表示領域２を超えて、図１に示した列配線領域８の一部を覆うように設けられている。透光性基板６８０は、たとえばガラス基板である。透光性電極６７０ｋは、Ｙ軸方向に沿って設けられている。透光性電極６７０ｋは、複数本設けられている。複数の透光性電極６７０ｋは、Ｘ軸方向に離間してほぼ等間隔で互いにほぼ平行になるように設けられている。透光性基板６８０および透光性電極６７０ｋは、後述の図３６Ａ以降で説明するように、発光素子１５０の上方に設けられており、図３５では、２点鎖線で示されている。

　画像表示装置６０１のサブピクセル６２０は、発光素子１５０の上方に透光性基板６８０を有する点で上述の他の実施形態の場合と相違する。第２端子６４４は、透光性基板６８０に設けられた透光性電極６７０ｋに接続される点で上述の他の実施形態の場合と相違する。他の実施形態の場合と同一の構成要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略する。

　図３６Ａ～図３６Ｃは、本実施形態に係る画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。
　図３６Ａは、図３５のＡ－Ａ’線における断面図である。図３６Ｂは、図３５のＡＡ－ＡＡ’線における断面図である。図３６Ｃは、図３５のＣ－Ｃ’線における断面図である。なお、図３５のＢ－Ｂ’線における断面は、上述した他の実施形態の図４Ａに示したものと同じなので、図示および詳細な説明を省略する。
　本実施形態において説明する例は、カラーフィルタを設けないモノクロの画像表示装置であるものとする。以下では、１つのサブピクセルが１つのピクセルを構成するので、１つのピクセルをサブピクセルと呼ぶものとする。

　図３６Ａおよび図３６Ｂに示すように、基板６００の一方の面である第１面６００ａ上にメタル配線５１０および絶縁膜１５６ａが設けられている。この例では、基板６００は、透光性を有する基板であり、たとえばガラス基板である。ガラス基板に代えて、上述の他の実施形態の場合のように、両面に酸化膜を形成したＳｉ基板を用いるようにしてもよい。第１面６００ａは、ＸＹ平面にほぼ平行な平面である。メタル配線５１０は、第５の実施形態の場合と同じものである。メタル配線５１０は、Ｘ軸方向に沿って設けられている。メタル配線５１０は、複数本設けられおり、複数のメタル配線５１０は、Ｙ軸方向に離間してほぼ等間隔で互いにほぼ平行になるように設けられている。メタル配線５１０に代えて、第１の実施形態の場合のように、図３Ａ等に示した配線１１０ａ上に、発光素子ごとに接合メタル１１４，１１５を設けるようにしてもよい。

　複数の発光素子（第１発光素子、第２発光素子）１５０は、第５の実施形態の場合と同様に、メタル配線５１０上に設けられており、底面（第１底面、第２底面）１５３Ｂが接合メタル５１５に接している。したがって、ｐ形半導体層１５３は、メタル配線５１０に電気的に接続されている。発光素子１５０は、メタル配線５１０上に複数個配列されており、複数の発光素子は、メタル配線５１０上でＹ軸方向に離間してほぼ等間隔で設けられている。

　発光面１５１Ｓ上にわたって透光性電極（第３透光性電極、第４透光性電極）６６０ｋが設けられている。透光性電極６６０ｋは、複数の発光素子１５０それぞれの発光面（第１発光面、第２発光面）１５１Ｓに設けられている。透光性電極６６０ｋは、異方性導電部材６５０と発光面１５１Ｓとの間に、発光素子１５０ごとに離間して設けられている。発光面１５１Ｓごとに透光性電極６６０ｋを設けることによって、異方性導電部材６５０に接続した場合に、透光性電極６６０ｋを設けないときよりも接続抵抗を低下させることができる。

　絶縁膜１５６ａは、第１面６００ａ、メタル配線５１０、ｐ形半導体層１５３および発光層１５２を覆って設けられている。絶縁膜１５６ａは、ｎ形半導体層１５１の側面を覆って設けられており、発光面１５１Ｓ上の光透過性を確保するために、発光面１５１Ｓおよび発光面１５１Ｓ付近のｎ形半導体層１５１の側面を覆っていない。

　異方性導電部材（第３異方性導電部材）６５０は、絶縁膜１５６ａ、ｎ形半導体層１５１の側面のうち絶縁膜１５６ａで覆われていない部分および透光性電極６６０ｋ上に設けられている。異方性導電部材６５０は、バインダー６５１および異方性導電粒子６５２を含んでいる。バインダー６５１は、図４Ａおよび図４Ｂに示したバインダー３１，４１と同じ機能を有するが、光透過性を有する材料で構成されている。バインダー６５１は、光透過性を有するのであればバインダー３１，４１と同じ材料で形成されていてもよいし、異なっていてもよい。バインダー６５１は、対向する透光性電極６６０ｋと透光性電極６７０ｋとを固定する接着剤として機能する。異方性導電粒子６５２は、図４Ａおよび図４Ｂに示した異方性導電粒子３２，４２と同じ機能を有する。異方性導電粒子６５２は、異方性導電粒子３２，４２と同じ構成、材料で形成されていてもよいし、異なっていてもよい。異方性導電粒子６５２は、対向する透光性電極６６０ｋと透光性電極６７０ｋとを電気的に接続する。

　透光性電極６７０ｋは、異方性導電部材６５０を介して、透光性電極６６０ｋ上に設けられている。透光性電極６７０ｋは、Ｙ軸方向に沿って設けられている。透光性電極６７０ｋは、複数本設けられており、複数の透光性電極６７０ｋは、Ｘ軸方向に離間してほぼ等間隔で互いにほぼ平行になるように設けられている。

　発光素子１５０および透光性電極６６０ｋは、メタル配線５１０上をＸ軸方向に沿って複数個配列されている。異方性導電部材６５０は、透光性電極６７０ｋと透光性電極６６０ｋとの間に設けられるとともに、Ｘ軸方向に隣接する透光性電極６７０ｋの間にも設けられている。さらに異方性導電部材６５０は、Ｘ軸方向に隣接する透光性電極６６０ｋの間にも設けられ、Ｘ軸方向に隣接するｎ形半導体層１５１のｎ形半導体層１５１の間にも設けられている。

　異方性導電部材６５０は、Ｙ軸方向に隣接する透光性電極６６０ｋの間にも設けられ、Ｙ軸方向に隣接する発光素子１５０のｎ形半導体層１５１の間にも設けられている。

　透光性電極６７０ｋのそれぞれは、異方性導電部材６５０を介して、透光性電極６６０ｋ上に設けられている。図３６Ａに示す透光性電極６７０ｋの幅Ｗの領域において、異方性導電部材６５０の異方性導電粒子６５２は、導通状態にある。透光性電極６７０ｋと、その透光性電極６７０ｋに、Ｘ軸方向に隣接して設けられた透光性電極６７０ｋとの間の領域では、異方性導電粒子６５２は非導通状態となっている。したがって、透光性電極６６０ｋは、透光性電極６６０ｋに対向して設けられた透光性電極６７０ｋと第３異方性導電部材６５０を介して電気的に接続される。

　透光性基板６８０は、第３異方性導電部材６５０上に設けられている。透光性基板６８０は、透光性を有する基板であり、たとえばガラス基板である。

　図３６Ｃに示すように、第２端子６４４は、異方性導電部材（第２異方性導電部材）６４０を介して、透光性基板６８０上に形成された透光性電極６７０ｋに接続されている。異方性導電部材６４０は、バインダー６４１および異方性導電粒子６４２を含んでいる。バインダー６４１および異方性導電粒子６４２の構成、材料および機能は、バインダー６５１および異方性導電粒子６５２と同じである。異方性導電粒子６４２は、透光性電極６７０ｋと第２端子６４４とに接触しており、透光性電極６７０ｋと第２端子６４４とを電気的に接続している。

　第２端子６４４は、複数個設けられており、複数個の第２端子６４４は、Ｘ軸方向に離間してほぼ等間隔で互いにほぼ平行になるように設けられている。異方性導電部材６４０は、複数の透光性電極６７０ｋと複数の異方性導電部材６４０との間にそれぞれ設けられている。異方性導電部材６４０は、Ｘ軸方向に隣接する透光性電極６７０ｋの間にも設けられており、Ｘ軸方向に隣接する第２端子（第３端子）６４４の間にも設けられている。

　ｎ形半導体層１５１は、透光性電極６６０ｋ、異方性導電部材６５０および透光性電極６７０ｋを介して、図１に示した電流駆動回路７に電気的に接続されている。

　図３７は、本実施形態の画像表示装置を例示する模式的な斜視図である。
　図３７に示すように、本実施形態の画像表示装置は、基板６００上に、マトリクス状に配列された多数の発光素子１５０を含んでいる。多数の発光素子１５０が配列された領域は、図１に示した表示領域２であり、表示領域２の端部に第１端子３４が設けられている。マトリクス状に配列された発光素子１５０上にバインダー６５１および異方性導電粒子６５２を含む異方性導電部材６５０が設けられている。異方性導電部材６５０上には、透光性電極６７０ｋが形成された透光性基板６８０が設けられている。透光性電極６７０ｋは、異方性導電部材６５０に対向して形成されており、透光性電極６７０ｋとマトリクス状に配列された発光素子１５０とは、上述したように異方性導電部材６５０を介して、電気的に接続されている。

　図３７の例のように、透光性基板６８０上にさらにカラーフィルタ１８０を設けることができる。カラーフィルタ１８０を設ける場合には、透光性基板６８０の光透過時の損失を低減するために、透光性基板６８０を薄板化するようにしてもよい。

　図３７は、透光性電極６７０ｋを、異方性導電部材６５０を介して、発光素子１５０に接続する場合の例であるが、上述の他の実施形態においても、発光素子１５０上に、透光性電極１６０ｋが直接設けられた態様においても、発光素子１５０は、この例と同様にマトリクス状に多数配列されている。

　本実施形態の画像表示装置の製造方法について説明する。
　図３８Ａは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する底面図である。
　図３８Ｂは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する断面図である。
　図３８Ａは、透光性基板６８０をＺ軸の負方向から正方向に向かってみた底面図である。図３８Ｂは、図３８ＡのＤ－Ｄ’線における断面図である。
　図３８Ａおよび図３８Ｂに示すように、透光性基板（第４基板）６８０は、第１面６８０ａおよび第２面６８０ｂを有する。第２面６８０ｂは、第１面６８０ａの反対側の面である。複数の透光性電極（第１透光性電極、第２透光性電極）６７０ｋは、第２面６８０ｂに形成される。透光性電極６７０ｋは、たとえば、第２面６８０ｂ上にわたって、透光性導電膜が形成され、透光性導電膜をエッチングして、Ｙ軸方向に沿う透光性電極６７０ｋが形成される。図３８Ａには、透光性電極６７０ｋの端部は、接続領域６４６とされることが示されている。

　図３９Ａは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する底面図である。
　図３９Ｂは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する断面図である。
　図３９Ａは、透光性基板６８０をＺ軸の負方向から正方向に向かってみた底面図である。図３９Ｂは、図３９ＡのＤ－Ｄ’線における断面図である。
　図３９Ａおよび図３９Ｂに示すように、異方性導電部材６４０を介して、複数の透光性電極（第１透光性電極、第２透光性電極）６７０ｋは、複数の第２端子（第２端子、第３端子）６４４にそれぞれに電気的に接続される。異方性導電部材６４０は、たとえば、接続領域６４６を含むように、第２面６８０ｂの端部にＸ軸方向にわたって、塗布または貼付される。つまり、異方性導電部材６４０は、隣接する２つの接続領域６４６の間の領域にも設けられている。

　透光性基板６８０と第２端子６４４とを、Ｚ軸方向に加圧し、加熱することによって、接続領域６４６内の異方性導電粒子６４２を介して、透光性電極６７０ｋと第２端子６４４とを電気的に接続する。熱硬化性接着剤を含むバインダー６４１は、加熱によって、硬化するので、第２端子６４４は、透光性電極６７０ｋとの電気的接続を維持しつつ、固定される。

　図４０Ａおよび図４０Ｂは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図４０Ａ、図４１Ａ、図４２Ａおよび図４３Ａは、図３５のＡ－Ａ’線における断面に相当する断面図である。
　図４０Ｂ、図４１Ｂ、図４２Ｂおよび図４３Ｂは、図３５のＡＡ－ＡＡ’線における断面に相当する断面図である。
　以降の製造工程では、第５の実施形態の場合の図３２Ａおよび図３２Ｂにおいて説明した内容と同一の構成が適用される。以下では、図３２Ａおよび図３２Ｂの工程の後の工程から説明する。
　図４０Ａおよび図４０Ｂに示すように、発光素子１５０ごとに発光面１５１Ｓ上に透光性電極６６０ｋが形成される。透光性電極６６０ｋの形成工程では、たとえば、図３２Ａおよび図３２Ｂに示したｎ形半導体層１１５１上に透光性の導電膜が形成され、導電膜をエッチングにより加工することにより、透光性電極６６０ｋが形成される。その後、図３２Ａおよび図３２Ｂに示した半導体層１１５０は、エッチングにより加工されて、発光素子１５０が形成される。

　図４１Ａおよび図４１Ｂに示すように、異方性導電部材６５０ａは、絶縁膜１５６ａ、発光素子１５０および透光性電極６６０ｋを覆うように塗布または貼付される。この例では、発光素子１５０のうち、絶縁膜１５６ａに覆われていないｎ形半導体層１５１の側面が異方性導電部材６５０ａに覆われる。異方性導電部材６５０ａは、透光性電極６６０ｋ上に設けられるとともに、隣接する発光素子１５０の間にも設けられる。

　異方性導電部材６５０ａは、バインダー６５１ａおよび異方性導電粒子６５２ａを含んでいる。バインダー６５１ａおよび異方性導電粒子６５２ａは、圧力印加されておらず、加熱されていないため、初期の状態である。バインダー６５１ａは初期状態では、流動性や粘着性を有する状態であり、接着力を発揮していない状態である。異方性導電粒子６５２ａは、初期状態では、いずれの方向にも導通していない。

　図４２Ａおよび図４２Ｂに示すように、図示されていない第２端子６４４が接続された透光性基板６８０が準備される。透光性基板６８０は、第２面６８０ｂを異方性導電部材６５０ａに対向して配置される。透光性電極６７０ｋは、メタル配線５１０に直交する向きとされ、発光面１５１Ｓ上に設けられた透光性電極６６０ｋに位置合わせされて配置される。

　図４３Ａおよび図４３Ｂに示すように、透光性基板６８０および基板６００は、Ｚ軸方向に圧力が印加され、加熱される。印加された圧力により、透光性電極６７０ｋおよび透光性電極６６０ｋは、異方性導電粒子６５２を介して電気的に接続される。加熱によって硬化したバインダー６５１は、透光性電極６６０ｋおよび透光性電極６７０ｋを、電気的に接続された状態で固定する。

　異方性導電部材６５０は、圧力が印加された方向に沿って、導通経路が形成される。そのため、透光性電極６６０ｋおよび透光性電極６７０ｋが電気的に接続される範囲は、たとえば透光性電極６７０ｋのＸ軸方向の長さで規定される範囲となる。Ｘ軸方向に隣接する２本の透光性電極６７０ｋの間の領域では、Ｘ軸方向に圧力が印加されることはないため、これら２本の透光性電極６７０ｋの間には、電気的接続は確立されない。

　Ｙ軸方向に隣接する２つの透光性電極６６０ｋの間の異方性導電部材６５０は、Ｙ軸方向の圧力が印加されることがないので、これら２つの透光性電極６６０ｋの間の電気的接続が確立されることはない。

　上述では、異方性導電部材６５０を発光素子１５０の側に設ける場合について説明したが、異方性導電部材６５０は、透光性基板６８０の第２面６８０ｂおよび透光性電極６７０ｋ上にわたって塗布または貼付するようにしてもよい。

　異方性導電部材６４０の機能についても同様である。すなわち、異方性導電部材６４０を介して対向して設けられた第２端子６４４および透光性電極６７０ｋは、Ｚ軸方向の圧力で導通が確保される。これに対して、Ｘ軸方向に隣接する２本の第２端子６４４間およびＸ軸方向に隣接する２本の透光性電極６７０ｋ間には、Ｘ軸方向に圧力が印加されることはない。そのため、これら２本の第２端子６４４間および２本の透光性電極６７０ｋ間には導通が確保されることはない。

　本実施形態の画像表示装置の効果について説明する。
　上述した他の実施形態の画像表示装置と同様に、トランジスタ等の回路素子を必要としないパッシブマトリクス構造を有するので、サブピクセル６２０のピッチを短縮することができる。本実施形態では、上述したように、製造方法において、発光素子１５０上に形成される透光性電極６７０ｋを、透光性基板６８０上にあらかじめ形成し、異方性導電部材６５０を用いて発光素子１５０と接続する。そのため、段差を有する面上に透光性電極を形成することがないので、発光素子１５０のピッチを短くしても、透光性電極の断線等による歩留りの低下を低減することができる。

　また、異方性導電部材６５０を介して、透光性電極６７０ｋと透光性電極６６０ｋとを接続するので、製造時の熱ストレスを軽減することができる。

　さらに、透光性電極６７０ｋの接続工程を、異方性導電部材６５０の形成工程および接続工程に短縮することができる。そのため、画像表示装置の製造工程が短縮され、コスト低減を図ることができる。

　（第７の実施形態）
　図４４Ａおよび図４４Ｂは、本実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。
　図４４Ａは、図３５のＡ－Ａ’線における断面に相当する断面図である。
　図４４Ｂは、図３５のＡＡ－ＡＡ’線における断面に相当する断面図である。
　図４４Ａおよび図４４Ｂに示すように、本実施形態の画像表示装置では、サブピクセル７２０は、基板７０２を含む。基板７０２は、有機樹脂によって形成されており、好ましくは、可撓性を有する。基板７０２上には、ＳｉＯ_２等のＳｉ化合物を有する層７０３が設けられている。層７０３は、メタル配線５１０を形成する場合に、金属材料の密着性を向上させるために設けられている。メタル配線５１０および絶縁膜１５６ａは、第１面７０３ａ上に設けられている。

　本実施形態の画像表示装置では、サブピクセル７２０は、基板７８１を含む。基板７８１は、たとえば透明の有機樹脂製の材料で形成されており、好ましくは可撓性を有する。基板７８１は、第１面７８１ａおよび第２面７８１ｂを有する。第２面７８１ｂは、第１面７８１ａの反対側の面である。透光性電極６７０ｋは、第２面７８１ｂ上に設けられている。本実施形態の画像表示装置は、上述した層７０３を有する基板７０２および基板７８１を除いて、第６の実施形態の場合と同じ構成要素を含んでいる。同一の構成要素は、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

　本実施形態の画像表示装置の製造方法について説明する。
　図４５Ａおよび図４５Ｂは、本実施形態の画像表示装置の製造方法の一部を例示する模式的な断面図である。
　図４５Ａおよび図４５Ｂは、図３５のＡ－Ａ’線における断面に相当する断面図である。
　図４５Ａに示すように、準備された基板７００上に、第６の実施形態等において説明したメタル配線５１０、発光素子１５０、透光性電極６６０ｋ、絶縁膜１５６ａおよび第３異方性導電部材６５０が形成される。基板７００は、２層の基板７０１，７０２および層７０３を含む。たとえば、基板７０２は、基板７０２の第１面７０１ａ上に、ポリイミド材料を塗布し、焼成することによって形成される。基板７０２を形成する前に、一方の面７０１ａ上にＳｉＮ_ｘ等の無機膜を形成してもよい。この場合には、基板７０２は、面７０１ａ上に形成された無機膜上にポリイミド材料を塗布し、焼成することによって形成される。層７０３は、基板７０１の第１面７０１ａ上にわたって形成される。

　本実施形態では、図３８Ａ～図３９Ｂに示した透光性基板６８０に代えて、基板７８０が用いられる。基板（第４基板）７８０は、２層の基板７８１，７８２を含む。基板７８２は、たとえば、透光性を有する基板であり、ガラス基板である。基板７８１は、透明の有機樹脂製の基板である。図４５Ｂに示すように、基板７８１は、基板７８２の面７８２ａ上に形成されている。基板７８１，７８２は、たとえば接着剤等により貼り合わされている。

　基板７０１は、たとえばウェットエッチングやレーザリフトオフによって除去される。基板７８２も、たとえばウェットエッチング等によって除去される。

　本実施形態の画像表示装置の効果について説明する。
　本実施形態では、基板７０２，７８１が薄く成形された有機樹脂によって形成されているので、画像表示装置をより軽量、薄型化が可能になる。基板７０２，７８１を可撓性のある材料とすることができるので、画像表示装置として曲げ加工が可能になり、曲面への貼り付けや、バーチャルリアリティ用のゴーグル等のウェアラブル端末への利用等を違和感なく実現することができる。

　（第８の実施形態）
　図４６は、本実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な平面図である。
　上述した他の実施形態の場合には、行選択回路との接続を図る配線を金属等の高い導電性を有する導電材料で形成したが、本実施形態では、電流駆動回路との接続を図る配線も高導電率を有する導電材料で形成される。
　図４６に示すように、本実施形態の画像表示装置は、第１メタル配線８１２ｋと、発光素子２５０と、透光性電極２６０ａと、第２メタル配線８８０ａと、を含む。第１メタル配線８１２ｋは、Ｘ軸方向に沿って設けられている。第１メタル配線８１２ｋは、複数本設けられており、複数の第１メタル配線８１２ｋは、Ｙ軸方向に離間しほぼ等間隔でほぼ平行に設けられている。第１メタル配線８１２ｋのＹ軸方向の離間距離は、発光素子２５０のピッチとなるように設定される。なお、本実施形態では、第２メタル配線８８０ａを第２端子４４に直接接続することができる。

　透光性電極２６０ａは、Ｙ軸方向に沿って設けられている。透光性電極２６０ａは、複数本設けられており、複数の透光性電極２６０ａは、Ｘ軸方向に離間しほぼ等間隔でほぼ平行に設けられている。第２メタル配線８８０ａは、Ｙ軸方向に沿って設けられている。第２メタル配線８８０ａは、複数本設けられており、複数の第２メタル配線８８０ａは、Ｘ軸方向に離間しほぼ等間隔でほぼ平行に設けられている。第２メタル配線８８０ａは、透光性電極２６０ａと異なる層で、ＸＹ平面視で透光性電極２６０ａとほぼ平行になるように設けられている。

　発光素子２５０は、第１メタル配線８１２ｋと第２メタル配線８８０ａとの交差する交点に設けられている。第２メタル配線８８０ａは、透光性電極２６０ａと異なる層で、ＸＹ平面視で透光性電極２６０ａとほぼ平行に設けられているので、発光素子２５０は、第１メタル配線８１２ｋと透光性電極２６０ａとの交差する交点に設けられている。

　本実施形態では、発光素子２５０は、正方形断面を有する角錐台形状であり、後述の図４７Ａおよび図４７Ｂに示す発光面２５３Ｓが円形とされている。発光素子２５０の形状は、上述の他の実施形態の場合と同様に、円錐台形状でもよいし、円柱や角柱であってもよい。

　図４７Ａおよび図４７Ｂは、本実施形態の画像表示装置の一部を例示する模式的な断面図である。
　図４７Ａは、図４６のＡ－Ａ’線における断面図である。
　図４７Ｂは、図４６のＡＡ－ＡＡ’線における断面図である。
　図４７Ａおよび図４７Ｂに示すように、基板８００上に、第２メタル配線８８０ａ、第１メタル配線８１２ｋ、発光素子２５０および透光性電極２６０ａを含む上部構造物が形成されている。基板８００は、たとえば透光性基板であり、ガラス基板である。上述の他の実施形態の場合のようにＳｉ基板および酸化膜を含む基板であってもよい。基板８００の第１面８００ａ上に、第２メタル配線８８０ａが設けられている。第２メタル配線８８０ａは、Ｙ軸方向に沿って設けられている。第２メタル配線８８０ａは複数本設けられており、複数の第２メタル配線８８０ａは、Ｘ軸方向に離間してほぼ等間隔でほぼ平行に設けられている。第２メタル配線８８０ａは、図１に示した表示領域２の端部において、電流駆動回路７に接続される。第２メタル配線８８０ａは、たとえばＡｌやＣｕ等の高導電率を有する金属材料、あるいはＡｌやＣｕ等を含む合金で形成されている。

　第１面８００ａおよび第２メタル配線８８０ａ上に、絶縁層８０２が設けられている。絶縁層８０２は、たとえばＳｉＯ_２等の酸化膜等であり、たとえば、ＣＶＤ等によって形成されている。

　絶縁層８０２の表面は平坦化されており、平坦化された絶縁層８０２上に、第１メタル配線８１２ｋが形成されている。第１メタル配線８１２ｋは、Ｘ軸方向に沿って形成されている。第１メタル配線８１２ｋは、複数本設けられており、複数の第１メタル配線８１２ｋは、Ｙ軸方向に離間しほぼ等間隔でほぼ平行に設けられている。第１メタル配線８１２ｋは、図１に示した表示領域２の端部において、行選択回路５に接続されている。

　第１メタル配線８１２ｋ上わたって、接合メタル８１０ｋが設けられており、接合メタル８１０ｋ上に発光素子２５０が設けられている。本実施形態では、ｐ形半導体層２５３を発光面２５３Ｓとし、ｎ形半導体層２５１を底面とする発光素子２５０とされている。接合メタル８１０ｋは、上述した他の実施形態の場合と同様に、発光素子２５０のｎ形半導体層２５１とオーミック接続をとるために設けられている。また、接合メタル８１０ｋは、発光素子２５０の下方への散乱光等を発光面２５３Ｓ側に反射するために設けられている。これによって、発光素子２５０の実質的な発光効率が向上される。発光素子２５０の構成については、第２の実施形態の場合と同じであり、詳細な説明を省略する。

　絶縁膜１５６は、絶縁層８０２、第１メタル配線８１２ｋ、接合メタル８１０ｋおよび発光素子２５０を覆って設けられている。発光素子２５０の上方で絶縁膜１５６の一部が除去されて発光面２５３Ｓが形成されている。絶縁膜１５６の材料は、上述した他の実施形態の場合と同じであり、詳細な説明を省略する。絶縁膜１５６は、上述の他の実施形態の場合と同じであり、光反射性を有する絶縁材料で形成された絶縁膜１５６ａとしてもよいのも同様である。

　透光性電極２６０ａは、絶縁膜１５６および発光素子２５０上を、Ｙ軸方向に沿って設けられている。透光性電極２６０ａは、Ｙ軸方向に沿って配列された発光素子２５０の発光面２５３Ｓを互いに接続するように設けられている。透光性電極２６０ａは、複数本設けられている。複数の透光性電極２６０ａは、Ｘ軸方向に離間してほぼ等間隔でほぼ平行に設けられている。複数の透光性電極２６０ａおよび複数の第２メタル配線８８０ａは、異なる層で、ほぼ平行にそれぞれ形成されている。より具体的には、発光素子２５０が存在する領域では、複数の透光性電極２６０ａおよび複数の第２メタル配線８８０ａは、発光素子２５０、接合メタル８１０ｋ、第１メタル配線８１２ｋおよび絶縁層８０２を介して、Ｚ軸方向に積層され、同一のＸＹ座標を有するようにそれぞれ配置されている。発光素子２５０が存在しない領域では、複数の透光性電極２６０ａおよび複数の第２メタル配線８８０ａは、絶縁膜１５６および絶縁層８０２を介して、Ｚ軸方向に積層され、同一のＸＹ座標を有するようにそれぞれ配置されている。

　透光性電極２６０ａは、コンタクト部８６１ａを有しており、コンタクト部８６１ａでビア８６２ａと接続されている。コンタクト部８６１ａおよびビア８６２ａは、隣接する発光素子２５０の間に設けられている。コンタクト部８６１ａおよびビア８６２ａは、複数個ずつ設けられ、この例では、隣接する２つの発光素子２５０の間ごとに設けられている。この例に限らず、Ｙ軸方向に配列された複数の発光素子の組ごとにコンタクト部８６１ａおよびビア８６２ａを設けるようにしてもよい。

　ビア８６２ａは、絶縁膜１５６および絶縁層８０２を貫通し、第２メタル配線８８０ａに達するように設けられている。ビア８６２ａは、透光性電極２６０ａと第２メタル配線８８０ａとの間に設けられ、透光性電極２６０ａと第２メタル配線８８０ａとを電気的に接続する。したがって、ｐ形半導体層２５３は、透光性電極２６０ａ、コンタクト部８６１ａ、ビア８６２ａおよび第２メタル配線８８０ａを介して、電流駆動回路７に電気的に接続されている。

　コンタクト部８６１ａおよびビア８６２ａは、この例では、透光性電極２６０ａと同じ材料で形成されている。透光性電極２６０ａ、コンタクト部８６１ａおよびビア８６２ａを同じ材料で形成することによって、透光性電極２６０ａの形成と、ビア８６２ａの形成を同時に行うことができる。透光性電極２６０ａおよびビア８６２ａの形成を同時に行うことによって、コンタクト部８６１ａでの相互の接続も透光性電極２６０ａおよびビア８６２ａの形成と同時に行うことができる。

　コンタクト部８６１ａの形状およびビア８６２ａの断面形状は、コンタクト部８６１ａおよびビア８６２ａの材料に応じて適切に設定することができる。この例では、コンタクト部８６１ａおよびビア８６２ａの材料を透光性電極２６０ａと同じ材料とするため、抵抗値を下げるために断面積を十分にとっている。

　本実施形態の画像表示装置の製造方法について説明する。
　本実施形態の画像表示装置の製造方法では、第２メタル配線８８０ａの形成工程およびビア８６２ａの形成工程が上述の他の実施形態の場合と相違する。他の点では、上述の他の実施形態の場合を適用することができる。

　第２メタル配線８８０ａの形成工程では、準備された基板８００の第１面８００ａ上にメタル層を形成し、エッチングにより第２メタル配線８８０ａを形成することができる。第２メタル配線８８０ａの形成後、第１面８００ａおよび第２メタル配線８８０ａを覆って絶縁層８０２が形成され、絶縁層８０２の表面が平坦化される。

　ビア８６２ａの形成工程は、絶縁膜１５６の形成工程後に実行される。ビア８６２ａの形成工程では、ビア８６２ａと第２メタル配線８８０ａとの接続位置であるコンタクト部８６１ａにビアホールが形成される。コンタクト部８６１ａは、上述したようにＹ軸方向に隣接する２つの発光素子２５０の間の位置が選定される。ビア８６２ａのためのビアホールは、絶縁膜１５６および絶縁層８０２を貫通し、第２メタル配線８８０ａに達するように形成される。

　この例では、透光性電極２６０ａを形成するための透光性を有する導電膜を絶縁膜１５６および発光素子２５０上にわたって形成し、形成された導電膜をエッチングして透光性電極２６０ａが形成される。ビア８６２ａは、導電膜の形成時にビアホールが導電膜材料で埋め込まれることによって形成され、コンタクト部８６１ａを介した、ビア８６２ａと透光性電極との接続も同時に行われる。

　本実施形態の画像表示装置の効果について説明する。
　本実施形態の画像表示装置では、上述した他の実施形態の画像表示装置と同様に、トランジスタ等の回路素子を必要としないパッシブマトリクス構造を有するので、サブピクセル８２０のピッチを短縮することができる。そのほか、電流駆動回路７と各発光素子２５０との接続は、透光性電極２６０ａのほか、第２メタル配線８８０ａによって実現される。透光性電極２６０ａと第２メタル配線８８０ａが並列に接続することによって、電流駆動回路７と各発光素子２５０との間の配線の布線方向の抵抗値が低減される。第２メタル配線８８０ａに高い導電率を有するＡｌやＣｕ等を含む金属材料を用いることによって、電流駆動回路７と各発光素子２５０との間の布線方向の抵抗分を低減することができる。そのため、各発光素子２５０に電流を供給する配線の抵抗分が低下するので、各発光素子２５０を駆動する直流電源の電圧値をより低くすることができ、画像表示装置の消費電力をより低減することが可能になる。各発光素子２５０を駆動する直流電源の電圧を低くしても各発光素子２５０の端子間に十分な電圧を印加することができるので、表示領域をより大きなものにすることが可能になる。

　本実施形態の画像表示装置を製造する場合に、複数の絶縁層を貫通するビアを形成する技術は、すでに確立されており、実績のあるプロセスで画像表示装置を製造することができるので、製造歩留りを高くし、接続不良等の低減による品質の向上を図ることができる。

　本実施形態では、ｐ形半導体層２５３を発光面２５３Ｓとする例について説明をしたが、上述の他の実施形態の例を適用することによって、たとえば、図３Ａに示したｎ形半導体層１５１を発光面１５１Ｓとする画像表示装置も容易に製造することができる。

　（第９の実施形態）
　上述した画像表示装置は、適切なピクセル数を有する画像表示モジュールとして、たとえばコンピュータ用ディスプレイ、テレビ、スマートフォンのような携帯用端末、あるいは、カーナビゲーション等とすることができる。

　図４８は、本実施形態に係る画像表示装置を例示するブロック図である。
　図４８には、コンピュータ用ディスプレイの構成の主要な部分が示されている。
　図４８に示すように、画像表示装置９０１は、画像表示モジュール９０２を備える。画像表示モジュール９０２は、たとえば上述した第１の実施形態の場合の構成を備えた画像表示装置である。画像表示モジュール９０２は、サブピクセル２０を含む複数のサブピクセルが配列された表示領域２、行選択回路５および電流駆動回路７を含む。

　画像表示装置９０１は、コントローラ９７０をさらに備えている。コントローラ９７０は、図示しないインタフェース回路によって分離、生成される制御信号を入力して、行選択回路５および電流駆動回路７に対して、各サブピクセルの駆動および駆動順序を制御する。

　（変形例）
　上述した画像表示装置は、適切なピクセル数を有する画像表示モジュールとして、たとえばコンピュータ用ディスプレイ、テレビ、スマートフォンのような携帯用端末、あるいは、カーナビゲーション等とすることができる。

　図４９は、本実施形態の変形例に係る画像表示装置を例示するブロック図である。
　図４９には、高精細薄型テレビの構成が示されている。
　図４９に示すように、画像表示装置９０１ａは、画像表示モジュール９０２ａを備える。画像表示モジュール９０２ａは、たとえば上述した第１の実施形態の場合の構成を備えた画像表示装置１である。画像表示装置９０１ａは、コントローラ９７０ａおよびフレームメモリ９８０ａを備える。コントローラ９７０ａは、バス９４０ａによって供給される制御信号にもとづいて、表示領域２の各サブピクセルの駆動順序を制御する。フレームメモリ９８０ａは、１フレーム分の表示データを格納し、円滑な動画再生等の処理のために用いられる。

　画像表示装置９０１ａは、Ｉ／Ｏ回路９１０ａを有する。Ｉ／Ｏ回路９１０ａは、図４９では、単に「Ｉ／Ｏ」と表記されている。Ｉ／Ｏ回路９１０ａは、外部の端末や装置等と接続するためのインタフェース回路等を提供する。Ｉ／Ｏ回路９１０ａは、たとえば外付けのハードディスク装置等を接続するＵＳＢインタフェースや、オーディオインタフェース等が含まれる。

　画像表示装置９０１ａは、受信部９２０ａおよび信号処理部９３０ａを有する。受信部９２０ａには、アンテナ９２２ａが接続され、アンテナ９２２ａによって受信された電波から必要な信号を分離、生成する。信号処理部９３０ａは、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）やＣＰＵ（Central Processing Unit）等を含んでおり、受信部９２０ａによって分離、生成された信号は、信号処理部９３０ａによって、画像データや音声データ等に分離、生成される。

　受信部９２０ａおよび信号処理部９３０ａを、携帯電話の送受信用やＷｉＦｉ用、ＧＰＳ受信器等の高周波通信モジュールとすることによって、他の画像表示装置とすることもできる。たとえば、適切な画面サイズおよび解像度の画像表示モジュールを備えた画像表示装置は、スマートフォンやカーナビゲーションシステム等の携帯情報端末とすることができる。

　本実施形態の場合の画像表示モジュールは、第１の実施形態の場合の画像表示装置の構成に限らず、その変形例や他の実施形態の場合としてもよい。本実施形態および変形例の場合の画像表示モジュールは、図３７で示したように、多数のサブピクセルを含む構成とされる。

　以上説明した実施形態によれば、高精細かつ高速応答が可能な画像表示装置を実現することができる。

　以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他のさまざまな形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明およびその等価物の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。

　１，２０１，６０１，９０１，９０１ａ　画像表示装置、２　表示領域、５，２０５　行選択回路、６　行配線領域、７，２０７　電流駆動回路、８　列配線領域、１０，２１０，３１０　ピクセル、２０，２２０，３２０，４２０，５２０，６２０，７２０，８２０　サブピクセル、３０，４０，６４０，６５０　異方性導電部材、１００，６００，７０２　基板、１１０ａ，２１０ｋ　配線、１１２　絶縁層、１５０，２５０　発光素子、１５１Ｓ，２５３Ｓ　発光面、１５６，１５６ａ　絶縁膜、１６０ｋ，２６０ａ，６６０ｋ，６７０ｋ　透光性電極、１８０　カラーフィルタ、３５０　半導体層、５１０　メタル配線、６８０　透光性基板、８１２ｋ　第１メタル配線、８８０ａ　第２メタル配線、１００１　結晶成長用基板、１１５０　半導体層、１１９０　支持基板、１１９４，１２９４　半導体成長基板

Claims

　基板と、
　第１方向に沿って前記基板上に形成された第１配線と、
　前記第１配線上に設けられ、第１発光面を有する第１発光素子と、
　前記第１方向に交差する第２方向に沿って形成され前記第１発光面上に設けられた第１透光性電極と、
　前記第１配線上に設けられた第１異方性導電部材と、
　前記第１異方性導電部材を介して、前記第１配線に電気的に接続された第１端子と、
　前記第１透光性電極上に設けられた第２異方性導電部材と、
　前記第２異方性導電部材を介して、前記第１透光性電極に電気的に接続された第２端子と、
　を備え、
　前記第１発光素子は、前記第１配線上に第１底面を有し、前記第１発光面は、前記第１底面の反対側に設けられた画像表示装置。
　前記第１発光素子の側面、前記第１配線および前記基板上に設けられた絶縁膜
　をさらに備え、
　前記第２端子は、前記絶縁膜、前記第１透光性電極および前記第２異方性導電部材を介して前記基板上に設けられた請求項１記載の画像表示装置。
　前記絶縁膜は、光反射性を有する請求項２記載の画像表示装置。
　前記第１配線と前記第１発光素子との間に設けられたメタル層
　をさらに備えた請求項１記載の画像表示装置。
　前記第１配線上で前記第１発光素子に隣接して設けられ、第２発光面を有する第２発光素子と、
　前記第２方向に沿って形成され前記第２発光面上に設けられた第２透光性電極と、
　前記第１透光性電極上および前記第２透光性電極上に設けられた透光性基板と、
　前記第１発光面と前記第１透光性電極との間に設けられ前記第１発光面と前記第１透光性電極とを電気的に接続し、前記第２発光面と前記第２透光性電極との間に設けられ前記第２発光面と前記第２透光性電極とを電気的に接続する第３異方性導電部材と、
　をさらに備え、
　前記第２発光素子は、前記第１配線上に第２底面を有し、前記第２発光面は、前記第２底面の反対側に設けられた請求項１記載の画像表示装置。
　前記第１発光面と前記第３異方性導電部材の間に設けられた第３透光性電極と、
　前記第２発光面と前記第３異方性導電部材の間に設けられた第４透光性電極と、
　をさらに備え、
　前記第１発光面は、前記第３透光性電極および前記第３透光性電極上の前記第３異方性導電部材を介して前記第１透光性電極に電気的に接続され、
　前記第２発光面は、前記第４透光性電極および前記第４透光性電極上の前記第３異方性導電部材を介して前記第２透光性電極に電気的に接続された請求項５記載の画像表示装置。
　前記第２異方性導電部材を介して、前記第２透光性電極に接続された第３端子
　をさらに備え、
　前記第２端子は、前記第２端子と前記第１透光性電極との間の前記第２異方性導電部材を介して前記第１透光性電極に接続され、
　前記第３端子は、前記第３端子と前記第２透光性電極との間の前記第２異方性導電部材を介して前記第２透光性電極に接続された請求項５記載の画像表示装置。
　前記透光性基板は、ガラス基板を含む請求項５記載の画像表示装置。
　前記透光性基板は、可撓性を有する基板を含む請求項５記載の画像表示装置。
　前記第１発光素子は、第１半導体層と、第１発光層と、第２半導体層と、を含み、
　前記第１半導体層、前記第１発光層および前記第２半導体層は、前記第１底面から前記第１発光面に向かってこの順に積層され、
　前記第２発光素子は、第３半導体層と、第２発光層と、第４半導体層と、を含み、
　前記第３半導体層、前記第２発光層および前記第４半導体層は、前記第２底面から前記第２発光面に向かってこの順に積層され、
　前記第１半導体層および前記第３半導体層は、ｎ形であり、前記第２半導体層および前記第４半導体層は、ｐ形である請求項５記載の画像表示装置。
　前記第１発光素子は、窒化ガリウム化合物を含む請求項１記載の画像表示装置。
　前記第１発光素子上に波長変換部材
　をさらに備えた請求項１記載の画像表示装置。
　基板と、
　第１方向に沿って前記基板上に形成された第１配線と、
　前記第１配線上に設けられた第１半導体層と、
　前記第１半導体層上に設けられた第１発光層と、
　前記第１発光層から前記第１方向に沿って離隔して前記第１半導体層上に設けられた第２発光層と、
　前記第１半導体層とは異なる導電形の半導体層であって、前記第１発光層上に設けられ、第１発光面を含む第２半導体層と、
　前記第２半導体層と同一の導電形の半導体層であって、前記第２発光層上に設けられ、第２発光面を含む第３半導体層と、
　前記第１方向に交差する第２方向に沿って形成され前記第１発光面上に設けられた第１透光性電極と、
　前記第２方向に沿って形成され前記第２発光面上に設けられた第２透光性電極と、
　前記第１配線に設けられた第１異方性導電部材と、
　前記第１異方性導電部材を介して、前記第１配線に電気的に接続された第１端子と、
　前記第１透光性電極上および前記第２透光性電極上に設けられた第２異方性導電部材と、
　前記第２異方性導電部材を介して、前記第１透光性電極に電気的に接続された第２端子と、
　前記第２異方性導電部材を介して、前記第２透光性電極に電気的に接続された第３端子と、
　を備え、
　前記第１発光面は、前記第１発光層に接する面の反対側に設けられ、
　前記第２発光面は、前記第２発光層に接する面の反対側に設けられた画像表示装置。
　発光層を含む半導体層を第１基板上に形成した第２基板を準備する工程と、
　第３基板の第１面上に第１導電層を形成する工程と、
　前記半導体層を、前記第１導電層を介して前記第３基板に接合する工程と、
　前記第１基板を除去する工程と、
　前記第１導電層を加工して第１方向に沿う第１配線を形成する工程と、
　前記半導体層を加工して、第１発光面を有する第１発光素子および第２発光面を有する第２発光素子を形成する工程と、
　前記第１面、前記第１配線、前記第１発光素子および前記第２発光素子を覆う絶縁膜を形成する工程と、
　前記絶縁膜の一部を除去して、前記第１発光面および前記第２発光面を露出させる工程と、
　前記第１発光面上に、前記第１方向に交差する第２方向に沿って設けられた第１透光性電極を形成し、前記第２発光面上に、前記第２方向に沿って設けられた第２透光性電極を形成する工程と、
　第１端子と前記第１配線との間に第１異方性導電部材を設け、前記第１端子と前記第１配線との間に印加された圧力によって前記第１端子と前記第１配線とを電気的に接続する工程と、
　第２異方性導電部材を介して前記第１透光性電極と第２端子とを電気的に接続し、前記第２異方性導電部材を介して前記第２透光性電極と第３端子とを電気的に接続する工程と、
　を備え、
　前記第１発光素子は、前記第１配線に接続された第１底面を有し、前記第１発光面は、前記第１底面の反対側に設けられ、
　前記第２発光素子は、前記第１配線に接続された第２底面を有し、前記第２発光面は、前記第２底面の反対側に設けられた画像表示装置の製造方法。
　発光層を含む半導体層を第１基板上に形成した第２基板を準備する工程と、
　前記半導体層上に第２導電層を形成する工程と、
　第１面を有する第３基板を準備する工程と、
　前記半導体層を、前記第２導電層を介して前記第１面に接合する工程と、
　前記第１基板を除去する工程と、
　前記第２導電層を加工して第１方向に沿う第１配線を形成する工程と、
　前記半導体層を加工して、第１発光面を有する第１発光素子および第２発光面を有する第２発光素子を形成する工程と、
　前記第１面、前記第１配線、前記第１発光素子および前記第２発光素子を覆う絶縁膜を形成する工程と、
　前記絶縁膜の一部を除去して、前記第１発光面および前記第２発光面を露出させる工程と、
　前記第１発光面上に、前記第１方向に交差する第２方向に沿って設けられた第１透光性電極を形成し、前記第２発光面上に、前記第２方向に沿って設けられた第２透光性電極を形成する工程と、
　第１端子と前記第１配線との間に第１異方性導電部材を設け、前記第１端子と前記第１配線との間に印加された圧力によって前記第１端子と前記第１配線とを電気的に接続する工程と、
　第２異方性導電部材を介して前記第１透光性電極と第２端子とを電気的に接続し、前記第２異方性導電部材を介して前記第２透光性電極と第３端子とを電気的に接続する工程と、
　を備え、
　前記第１発光素子は、前記第１配線に接続された第１底面を有し、前記第１発光面は、前記第１底面の反対側に設けられ、
　前記第２発光素子は、前記第１配線に接続された第２底面を有し、前記第２発光面は、前記第２底面の反対側に設けられた画像表示装置の製造方法。
　前記第１透光性電極と前記第２端子とを電気的に接続し、前記第２透光性電極と前記第３端子とを電気的に接続する工程は、
　前記第２異方性導電部材を、前記第１透光性電極と前記第２端子との間に設けるとともに前記第２透光性電極と前記第３端子との間に設けて、前記第２端子と前記第１透光性電極との間に印加された圧力によって前記第２端子と前記第１透光性電極とを電気的に接続し、前記第２透光性電極と前記第３端子との間に印加された圧力によって前記第３端子と前記第２透光性電極とを電気的に接続する工程
　を含む請求項１４記載の画像表示装置の製造方法。
　前記第１透光性電極および前記第２透光性電極を形成する工程は、
　透光性を有する第４基板の第２面上に第１透光性電極および第２透光性電極を形成する工程と、
　第３異方性導電部材を介して、前記第１発光面および前記第２発光面を前記第２面に対向させて配置し、前記第４基板と前記第３基板との間に印加された圧力によって、前記第１発光面と前記第１透光性電極とを電気的に接続するとともに前記第２発光面と前記第２透光性電極とを電気的に接続する工程と、
　を含む請求項１４記載の画像表示装置の製造方法。
　前記第１発光面および前記第２発光面を露出する工程の後に、前記第１発光面上に第３透光性電極を形成し、前記第２発光面上に第４透光性電極を形成する工程
　をさらに備えた請求項１４記載の画像表示装置の製造方法。
　前記第１透光性電極と前記第２端子とを電気的に接続し、前記第２透光性電極と前記第３端子とを電気的に接続する工程は、
　前記第２異方性導電部材を、前記第１透光性電極と前記第２端子との間に設けるとともに前記第２透光性電極と前記第３端子との間に設けて、前記第２端子と前記第４基板との間に印加された圧力によって前記第２端子と第１透光性電極とを電気的に接続するとともに、前記第４基板と前記第３端子との間に印加された圧力によって前記第３端子と第２透光性電極とを電気的に接続する工程を含む請求項１７記載の画像表示装置の製造方法。
　前記第４基板は、ガラス層を含む請求項１７記載の画像表示装置の製造方法。
　前記第４基板は、前記ガラス層上に設けられた有機樹脂層をさらに含み、
　第３異方性導電部材を介して、前記第１発光面および前記第２発光面を前記第４基板の第２面に対向させて配置し、前記第４基板と前記第３基板との間に印加された圧力によって、前記第１発光面と前記第１透光性電極とを電気的に接続するとともに前記第２発光面と前記第２透光性電極とを電気的に接続する工程の後に、前記ガラス層を除去する工程をさらに備えた請求項２０記載の画像表示装置の製造方法。
　前記第１配線を形成する工程は、前記半導体層を前記第３基板に貼り合わせる工程の後に実行される請求項１４記載の画像表示装置の製造方法。
　前記第１発光素子上および前記第２発光素子上に波長変換部材を形成する工程
　をさらに備えた請求項１４記載の画像表示装置の製造方法。
　前記波長変換部材を形成する工程は、前記波長変換部材を、前記第１発光素子および前記第２発光素子を含む複数の発光素子上に形成する工程を含む請求項２３記載の画像表示装置の製造方法。