CN116134632A - 图像显示装置及图像显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

实施方式涉及的图像显示装置具备：基板；第一配线，其沿着第一方向而形成于所述基板上；第一发光元件，其设置于所述第一配线上，具有第一发光面；第一透光性电极，其沿着与所述第一方向交叉的第二方向而形成，设置于所述第一发光面上；第一各向异性导电部件，其设置于所述第一配线上；第一端子，其经由所述第一各向异性导电部件而与所述第一配线电连接；第二各向异性导电部件，其设置于所述第一透光性电极上；第二端子，其经由所述第二各向异性导电部件而与所述第一透光性电极电连接。所述第一发光元件在所述第一配线上具有第一底面，所述第一发光面设置于所述第一底面的相反侧。

Description

图像显示装置及图像显示装置的制造方法
技术领域
本发明的实施方式涉及图像显示装置及图像显示装置的制造方法。
背景技术
存在超过1000ppi(pitch per inch：每英寸间距)的高清晰度的图像显示装置的要求。另外，在这样的高清晰度的图像显示装置显示的影像素材中，有时要求高速响应性能。
为了实现能够高速响应的显示器，有时采用有源矩阵方式(例如，参照专利文献1)。在有源矩阵方式中，需要驱动像素的晶体管的微细化，但即使使用最新的低温多晶硅(Low Temperature Polycrystalline Silicon，LTPS)工艺也难以实现超过1000ppi的高清晰度显示器。
另一方面，在不需要像素驱动用的晶体管的以往的无源矩阵方式的液晶显示器、使用了有机半导体的显示器中，响应速度慢，有时不适合于需要高速响应性的影像素材的显示。
希望实现高清晰度且能够高速响应的图像显示装置及图像显示装置的制造方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2018-116814号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明的一实施方式提供缩短发光元件的转印工序且提高了成品率的图像显示装置及图像显示装置的制造方法。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一实施方式涉及的图像显示装置具备：基板；第一配线，其沿着第一方向而形成于所述基板上；第一发光元件，其设置于所述第一配线上，具有第一发光面；第一透光性电极，其沿着与所述第一方向交叉的第二方向而形成，设置于所述第一发光面上；第一各向异性导电部件，其设置于所述第一配线上；第一端子，其经由所述第一各向异性导电部件而与所述第一配线电连接；第二各向异性导电部件，其设置于所述第一透光性电极上；第二端子，其经由所述第二各向异性导电部件而与所述第一透光性电极电连接。所述第一发光元件在所述第一配线上具有第一底面，所述第一发光面设置于所述第一底面的相反侧。
本发明的一实施方式涉及的图像显示装置具备：基板；第一配线，其沿着第一方向而形成于所述基板上；第一半导体层，其设置于所述第一配线上；第一发光层，其设置于所述第一半导体层上；第二发光层，其从所述第一发光层沿着所述第一方向分开且设置于所述第一半导体层上；第二半导体层，其为与所述第一半导体层不同的导电型的半导体层，设置于所述第一发光层上，包括第一发光面；第三半导体层，其为与所述第二半导体层相同的导电型的半导体层，设置于所述第二发光层上，包括第二发光面；第一透光性电极，其沿着与所述第一方向交叉的第二方向而形成，设置于所述第一发光面上；第二透光性电极，其沿着所述第二方向而形成，设置于所述第二发光面上；第一各向异性导电部件，其设置于所述第一配线；第一端子，其经由所述第一各向异性导电部件而与所述第一配线电连接；第二各向异性导电部件，其设置于所述第一透光性电极上及所述第二透光性电极上；第二端子，其经由所述第二各向异性导电部件而与所述第一透光性电极电连接；第三端子，其经由所述第二各向异性导电部件而与所述第二透光性电极电连接。所述第一发光面设置于与所述第一发光层相接的面的相反侧。所述第二发光面设置于与所述第二发光层相接的面的相反侧。
本发明的一实施方式涉及的图像显示装置的制造方法具备：准备在第一基板上形成有包括发光层的半导体层的第二基板的工序；在第三基板的第一面上形成第一导电层的工序；将所述半导体层经由所述第一导电层而向所述第三基板接合的工序；除去所述第一基板的工序；加工所述第一导电层而形成沿着第一方向的第一配线的工序；加工所述半导体层而形成具有第一发光面的第一发光元件及具有第二发光面的第二发光元件的工序；形成覆盖所述第一面、所述第一配线、所述第一发光元件及所述第二发光元件的绝缘膜的工序；除去所述绝缘膜的一部分而使所述第一发光面及所述第二发光面露出的工序；在所述第一发光面上形成沿着与所述第一方向交叉的第二方向而设置的第一透光性电极且在所述第二发光面上形成沿着所述第二方向而设置的第二透光性电极的工序；在第一端子与所述第一配线之间设置第一各向异性导电部件且利用施加于所述第一端子与所述第一配线之间的压力来将所述第一端子和所述第一配线电连接的工序；经由第二各向异性导电部件而将所述第一透光性电极和第二端子电连接且经由所述第二各向异性导电部件而将所述第二透光性电极和第三端子电连接的工序。所述第一发光元件具有连接于所述第一配线的第一底面，所述第一发光面设置于所述第一底面的相反侧。所述第二发光元件具有连接于所述第一配线的第二底面，所述第二发光面设置于所述第二底面的相反侧。
本发明的一实施方式涉及的图像显示装置的制造方法具备：准备在第一基板上形成有包括发光层的半导体层的第二基板的工序；在所述半导体层上形成第二导电层的工序；准备具有第一面的第三基板的工序；将所述半导体层经由所述第二导电层而向所述第一面接合的工序；除去所述第一基板的工序；加工所述第二导电层而形成沿着第一方向的第一配线的工序；加工所述半导体层而形成具有第一发光面的第一发光元件及具有第二发光面的第二发光元件的工序；形成覆盖所述第一面、所述第一配线、所述第一发光元件及所述第二发光元件的绝缘膜的工序；除去所述绝缘膜的一部分而使所述第一发光面及所述第二发光面露出的工序；在所述第一发光面上下沿着与所述第一方向交叉的第二方向而设置的第一透光性电极且在所述第二发光面上形成沿着所述第二方向而设置的第二透光性电极的工序；在第一端子与所述第一配线之间设置第一各向异性导电部件且利用设置于所述第一端子与所述第一配线之间的压力来将所述第一端子和所述第一配线电连接的工序；经由第二各向异性导电部件而将所述第一透光性电极和第二端子电连接且经由所述第二各向异性导电部件而将所述第二透光性电极和第三端子电连接的工序。所述第一发光元件具有连接于所述第一配线的第一底面，所述第一发光面设置于所述第一底面的相反侧。所述第二发光元件具有连接于所述第一配线的第二底面，所述第二发光面设置于所述第二底面的相反侧。
发明的效果
根据本发明的一实施方式，可实现高清晰度且能够高速响应的图像显示装置。
根据本发明的一实施方式，可实现高清晰度且能够高速响应的图像显示装置的制造方法。
附图说明
图1是例示第一实施方式涉及的图像显示装置的示意性的俯视图。
图2是例示第一实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的放大图。
图3A是例示第一实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图3B是例示第一实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图4A是例示第一实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图4B是例示第一实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图5是例示第一实施方式的图像显示装置的示意性的框图。
图6是用于说明第一实施方式的图像显示装置的动作的示意性的动作波形图的例子。
图7A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图7B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图8A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的俯视图。
图8B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图9A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的俯视图。
图9B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图10A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图10B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图11A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图11B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图11C是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图12是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的立体图。
图13A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的俯视图。
图13B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图14A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的俯视图。
图14B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图15A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的俯视图。
图15B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图16A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图16B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图17A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图17B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图18是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图19A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图19B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图19C是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图19D是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图20A是例示第二实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图20B是例示第二实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图21是例示第二实施方式的图像显示装置的示意性的框图。
图22A是例示第二实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图22B是例示第二实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图22C是例示第二实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图23A是例示第二实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的俯视图。
图23B是例示第二实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图24A是例示第二实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的俯视图。
图24B是例示第二实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图25A是例示第二实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的俯视图。
图25B是例示第二实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图26是例示第三实施方式涉及的图像显示装置的一部分的示意性的俯视图。
图27A是例示第三实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图27B是例示第三实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图28A是例示第三实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图28B是例示第三实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图29A是例示第三实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图29B是例示第三实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图29C是例示第三实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图30A是例示第四实施方式涉及的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图30B是例示第四实施方式涉及的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图30C是例示第四实施方式涉及的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图31A是例示第五实施方式涉及的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图31B是例示第五实施方式涉及的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图31C是例示第五实施方式涉及的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图32A是例示第五实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图32B是例示第五实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图33A是例示第五实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图33B是例示第五实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图34A是例示第五实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图34B是例示第五实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图35是例示第六实施方式涉及的图像显示装置的一部分的示意性的俯视图。
图36A是例示第六实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图36B是例示第六实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图36C是例示第六实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图37是例示第六实施方式的图像显示装置的示意性的立体图。
图38A是例示第六实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的仰视图。
图38B是例示第六实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图39A是例示第六实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的仰视图。
图39B是例示第六实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图40A是例示第六实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图40B是例示第六实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图41A是例示第六实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图41B是例示第六实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图42A是例示第六实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图42B是例示第六实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图43A是例示第六实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图43B是例示第六实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图44A是例示第七实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图44B是例示第七实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图45A是例示第七实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图45B是例示第七实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图46是例示第八实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的俯视图。
图47A是例示第八实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图47B是例示第八实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图48是例示第九实施方式涉及的图像显示装置的框图。
图49是例示第九实施方式的变形例涉及的图像显示装置的框图。
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边对本发明的实施方式进行说明。
需要说明的是，附图是示意性或概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与现实相同。另外，即使在表示相同的部分的情况下，也存在由附图以互相的尺寸、比率不同的方式表示的情况。
需要说明的是，在本申请说明书和各图中，对于与关于已经出现的图而前述的要素同样的要素，标注相同的附图标记，适当省略详细的说明。
(第一实施方式)
图1是例示本实施方式涉及的图像显示装置的示意性的俯视图。
如图1所示，本实施方式的图像显示装置1具备显示区域2、行选择电路5及电流驱动电路7。显示区域2、行选择电路5及电流驱动电路7设置于基板100上。在基板100上也设置有行配线区域6及列配线区域8。行配线区域6设置于显示区域2与行选择电路5之间，将显示区域2和行选择电路5电连接。列配线区域8设置于显示区域2与电流驱动电路7之间，将显示区域2和电流驱动电路7电连接。除了上述之外，在基板100还设置有用于将行选择电路5及电流驱动电路7与外部电路连接且供给用于使它们合适地进行动作的电源及选择信号的连接器106。
在以下的说明中，有时使用XYZ的三维坐标系来说明。形成有显示区域2的基板100的第一面103a是与XY平面平行的面。显示区域2形成于第一面103a上。在该例子中，显示区域2是具有与X轴大致平行且与Y轴大致平行的边的长方形。如后述的图2所示，子像素20在显示区域2内沿着X轴而排列且沿着Y轴而排列。
行选择电路5、行配线区域6、电流驱动电路7及列配线区域8也形成于第一面103a上。行选择电路5沿着显示区域2的1个边而设置。设置有行选择电路5的显示区域2的边是与Y轴平行的边。电流驱动电路7设置于显示区域2的其他的1个边。设置有电流驱动电路7的显示区域2的边是与X轴平行的边。
行选择电路5及行配线区域6例如是由TCP(Tape Carrier Package：带载封装)提供的半导体集成电路，电流驱动电路7及列配线区域8也是由TCP提供的半导体集成电路。行选择电路5及电流驱动电路7不限于由TCP提供的情况，也可以由COB(Chip On Board：板上芯片)等提供。
如后述的图2所示，子像素20包括发光元件150。发光元件150具有在显示区域2内在沿着Z轴的方向上放射光的发光面151S。发光元件150的光的放射方向是Z轴的正方向。以下，有时将Z轴的正方向称作“上”“上方”，将Z轴的负方向称作“下”“下方”，但沿着Z轴的方向未必是重力施加的方向。另外，有时将沿着Z轴的方向的长度称作高度。
图2是例示本实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的放大图。
在图2中示出了图1所示的a部、b部及c部的放大图。a部在图1中是显示区域2内的一部分。b部在图1中是跨显示区域2及行配线区域6的区域的一部分。c部在图1中是跨显示区域2及列配线区域8的区域的一部分。
如图2所示，图像显示装置1具备子像素20、配线110a、发光元件150、透光性电极160k、第一端子34及第二端子44。
配线110a沿着X轴方向(第一方向)而设置。配线110a设置有多条。多个配线(第一配线、第二配线)110a在Y轴方向上隔开且以大致相等间隔互相大致平行地设置。配线110a在一方的端部处连接于图1所示的行配线区域6内的第一端子34。配线110a在连接区域36中与第一端子34电连接。
发光元件150设置于配线110a上。发光元件150设置有多个，多个发光元件(第一发光元件、第二发光元件)150在X轴方向上以大致相等间隔隔开且排列于配线110a上。
透光性电极160k沿着Y轴方向(第二方向)而设置。透光性电极160k设置有多条。多个透光性电极(第一透光性电极、第二透光性电极)160k在X轴方向上隔开且以大致相等间隔互相大致平行地设置。透光性电极160k在一方的端部处连接于图1所示的列配线区域8内的第二端子44。第一透光性电极160k在连接区域46中与第二端子44电连接。
配线110a及透光性电极160k以大致正交的方式设置。发光元件150设置于配线110a与透光性电极160k的交叉的交点。因此，发光元件150沿着X轴方向而排列成大致相等间隔，沿着Y轴方向而排列成大致相等间隔。发光元件150的在X轴方向上隔开的间隔与发光元件150的在Y轴方向上隔开的间隔大致相同。也就是说，在该例子中，发光元件150为间隔均等的矩阵状的配置。
发光元件150的排列不限于上述，例如也可以为交错状。配线110a及透光性电极160k不限于根据发光元件150的排列而正交的情况，另外，不限于设置成直线状的情况。另外，发光元件150不限于间隔均等的矩阵状的配置，也可以使X轴方向的间隔与Y轴方向的间隔的比率例如为1：3左右。发光元件150能够任意地设定合适的排列。
将发光元件150在X轴方向上隔开的间隔称作X轴方向的间距，将在Y轴方向上隔开的间隔称作Y轴方向的间距。在以下说明的各实施方式中的例子中，发光元件的X轴方向的间距及Y轴方向的间距被设定为大致相等，因此有时将发光元件150间的隔开的间隔简称作间距。例如，X轴方向的间距被定义为在X轴方向上相邻的发光元件的X轴方向的长度的中心间的长度，Y轴方向的间距被定义为在Y轴方向上相邻的发光元件的Y轴方向的长度的中心间的长度。
图3A～图4B是例示本实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图3A是图2的A-A’线处的剖视图。
图3B是图2的AA-AA’线处的剖视图。
图4A是图2的B-B’线处的剖视图。
图4B是图2的C-C’线处的剖视图。
在以下说明的例子中，在图像显示装置1的各子像素20中，滤色器180设置于发光元件150上。在本实施方式的图像显示装置1中，利用3个子像素20来构成1个像素10。需要说明的是，滤色器180可以根据显示的图像的色数而设为单色的滤光器，也可以不设置滤光器。在设置了单色的滤光器的情况、不设置滤光器的情况下，利用1个子像素20来构成1个像素。
如图3A及图3B所示，像素10包括3个子像素20。3个子像素20具有分别不同的颜色转换部182，颜色转换部182例如以输出红色、绿色及蓝色的方式配置。在该例子中，输出红色、绿色及蓝色的颜色转换部按照X坐标从小到大的顺序配置。各子像素20的结构除了颜色转换部182输出的颜色以外是相同的。关于包括颜色转换部182的滤色器180的结构，后述。
子像素20包括基板100。基板100包括Si基板102及氧化膜101、103。氧化膜103遍及Si基板102的一个面102a上而形成。氧化膜101遍及Si基板102的另一个面102b上而形成。基板100的第一面103a是氧化膜103的面。
子像素20包括配线110a、发光元件150及透光性电极160k。
配线层110设置于第一面103a上。配线层110包括设置于第一面103a的多个配线110a。多个配线110a在第一面103a上沿着X轴而形成。多个配线110a在Y轴方向上隔开且互相大致平行地设置。多个配线110a隔开的间隔与发光元件150的Y轴方向的间距相等。多个配线110a中的相邻的配线110a之间由绝缘层112分离。
在图3A以后的剖视图中，只要没有特别说明，表示配线层的附图标记就显示于构成该配线层的配线的旁边。
在配线110a上设置有接合金属(金属层)114、115。接合金属114、115从配线110a侧起依次层叠。接合金属114、115以与发光元件150的X轴方向的间距相等的方式配置。接合金属115为了与发光元件150欧姆连接而设置，降低与配线110a的连接电阻。通过设置合适的厚度的接合金属114、115，能够将发光元件150和配线110a以更低的电阻值连接。
接合金属114、115优选由Ag等具有高的光反射性的金属材料形成。接合金属114、115设置于发光元件150的底面153B的下方。因而，接合金属114、115通过具有光反射性，能够将发光元件150向下方的散射光等向发光面151S侧反射而使发光元件150的实质性的发光效率提高。
发光元件(第一发光元件、第二发光元件)150设置于接合金属115上。发光元件150包括底面(第一底面、第二底面)153B和发光面(第一发光面、第二发光面)151S。发光元件150是在接合金属115上具有底面153B且在底面153B的相反侧的面具有发光面151S的圆锥台状的元件。在以XY平面观察时，底面153B的外周与接合金属114、115的外周大致一致。接合金属114、115形成为与底面的外周大致一致的圆柱状。发光元件150的形状不限于圆锥台，也可以是圆柱，还可以是棱锥台、棱柱。在圆锥台、圆柱的情况下，外周形状不限于圆，也可以是椭圆。在棱锥、棱柱的情况下，外周形状不限于四边形，也可以是六边形、八边形等多边形。在棱锥、棱柱的情况下，角部也可以变圆。
发光元件150包括p型半导体层153、发光层152及n型半导体层151。p型半导体层153、发光层152及n型半导体层151从底面153B朝向发光面151S依次层叠。p型半导体层153包括底面153B，接合金属115与p型半导体层153电连接。因此，p型半导体层153经由接合金属114、115而与配线110a电连接。在1条配线110a上沿着X轴方向而设置有多个发光元件150，这多个发光元件150的p型半导体层153彼此互相被电连接。
对于发光元件150，例如优选使用包括InXAlYGa1-X-YN(0≤X，0≤Y，X+Y<1)等的发光层的氮化镓系化合物半导体。以下，有时将上述氮化镓系化合物半导体简称作氮化镓(GaN)。本发明的一实施方式中的发光元件150是所谓的发光二极管。发光元件150发出的光的波长只要是近紫外域～可见光域的范围的波长即可，例如是467nm±30nm左右。发光元件150发出的光的波长也可以设为410nm±30nm左右的蓝紫发光。发光元件150发出的光的波长不限于上述值，能够设为合适的值。
发光元件150在配线110a上隔着接合金属114、115而以在X轴上具有X轴上的间距的方式设置。设置于同一配线110a上的发光元件150的p型半导体层153互相被电连接。
绝缘膜156以覆盖绝缘层112、接合金属114、115及发光元件150的方式设置。在该例子中，在发光元件150的上部除去了绝缘膜156的一部分，绝缘膜156覆盖在发光元件150的上部被除去的部位以外。绝缘膜156为了将发光元件150相对于外部环境进行保护并且将相邻的发光元件150彼此分离而设置。发光面151S从绝缘膜156被除去后的开口158经由透光性电极160k而放射光。发光面151S的以XY平面观察时的形状可以是与n型半导体层151的以XY平面观察时的形状相似的圆，也可以是其他的形状。
透光性配线层160包括多个透光性电极160k。多个透光性电极160k沿着Y轴而分别设置。多个透光性电极160k在X轴方向上隔开且互相大致平行地设置。透光性电极160k遍及发光面151S上而设置。发光元件150在X轴方向及Y轴方向上以具有恒定的间距的方式排列。因而，相邻的透光性电极160k的X轴方向的中心间距离与发光元件150的X轴方向的间距相等。
由于n型半导体层151包括发光面151S，所以透光性电极160k与n型半导体层151电连接。由此，排列的多个发光元件150的n型半导体层151沿着Y轴方向而互相被电连接。
在绝缘膜156及透光性电极160k上设置有表面树脂层170。表面树脂层170覆盖发光面151S上。表面树脂层170是透明树脂，保护绝缘膜156及透光性电极160k，并且提供用于粘接滤色器180的平坦化面。
子像素20包括滤色器(波长转换部件)180。滤色器180隔着透明薄膜粘接层188而设置于表面树脂层170上。透明薄膜粘接层188为了粘接表面树脂层170和滤色器180而设置。
滤色器180包括遮光部181和颜色转换部182。颜色转换部182根据发光面151S的形状而设置于发光元件150的发光面151S的正上方。在滤色器180中，颜色转换部182以外的部分为遮光部181。遮光部181是所谓的黑色矩阵，能够降低由从相邻的颜色转换部182发出的光的混色等引起的渗色，显示锐利的图像。
颜色转换部182设为1层或2层以上。在图3A及图3B中示出了颜色转换部182为2层的情况。颜色转换部182是1层还是2层由子像素20发出的光的颜色即波长决定。在子像素20的发光色为红色的情况下，优选的是，颜色转换部182设为颜色转换层183及使红色的光通过的滤色层184这2层。在子像素20的发光色为绿色的情况下，优选的是，颜色转换部182设为颜色转换层183及使绿色的光通过的滤色层184这2层。在子像素20的发光色为蓝色的情况下，优选设为1层。
在颜色转换部182为2层的情况下，第1层是颜色转换层183，第2层是滤色层184。第1层的颜色转换层183设置于距发光元件150更近的位置。滤色层184层叠于颜色转换层183上。
颜色转换层183将发光元件150发出的光的波长转换为期望的波长。在发红色光的子像素20的情况下，将发光元件150的波长即467nm±30nm的光转换为例如630nm±20nm左右的波长的光。在发绿色光的子像素20的情况下，将发光元件150的波长即467nm±30nm的光转换为例如532nm±20nm左右的波长的光。
滤色层184切断不被颜色转换层183颜色转换而残留的蓝色发光的波长成分。
在子像素20发出的光的颜色为蓝色的情况下，可以经由颜色转换层183，也可以不经由颜色转换层183地直接输出。在发光元件150发出的光的波长为467nm±30nm左右的情况下，也可以不经由颜色转换层183地输出光。在使发光元件150发出的光的波长为410nm±30nm的情况下，为了将输出的光的波长转换为467nm±30nm左右，优选设置1层颜色转换层183。
即使在蓝色的子像素20的情况下，子像素20也可以具有滤色层184。通过在蓝色的子像素20设置蓝色的光透过的滤色层184，在发光元件150的表面产生的蓝色的光以外的微小的外光反射被抑制。
如图4A所示，配线110a设置于基板100的第一面103a上。在配线110a上设置有绝缘层112。配线110a上的绝缘层112的一部分被除去，在绝缘层112被除去的部位设置有各向异性导电部件(第一各向异性导电部件)30。各向异性导电部件30是各向异性导电膏或各向异性导电膜。
在本说明书中，各向异性导电部件包括各向异性导电膏(AnisotropicConductive Paste，ACP)及各向异性导电膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)。在本实施方式及后述的其他的实施方式中，在说成各向异性导电部件时，能够不区分ACP或ACF地使用。需要说明的是，在后述的制造方法的说明等中，有时，在使用ACP的情况下，如涂布各向异性导电部件这样记述，在使用ACF的情况下，如粘贴各向异性导电部件这样记述。
各向异性导电部件30包括粘合剂31和各向异性导电颗粒32。粘合剂31作为将对置的配线110a和第一端子34固定的粘接剂发挥功能。各向异性导电颗粒32均匀地分散于粘合剂31中，将被施加了压力的配线110a和第一端子34电连接。各向异性导电颗粒32将配线110a与设置于该配线110a的Z轴方向的第一端子34之间电连接，但不将其他的方向的导体间电连接。例如，关于配线110a，相邻地设置有与该配线110a平行的配线110a，即使在2个配线110a间存在各向异性导电颗粒32，也不将2个配线110a间电连接。
如图4B所示，第二端子44隔着绝缘膜156、透光性电极160k及各向异性导电部件40而设置于基板100上。第二端子44经由各向异性导电部件(第二各向异性导电部件)40而与透光性电极160k电连接。
各向异性导电部件40包括粘合剂41和各向异性导电颗粒42。粘合剂41作为将对置的透光性电极160k和第二端子44固定的粘接剂发挥功能。各向异性导电颗粒42均匀地分散于粘合剂41中，将对置的透光性电极160k和第二端子44电连接。各向异性导电颗粒42也发挥与各向异性导电颗粒32同样的功能。各向异性导电颗粒42将透光性电极160k和设置于该透光性电极160k的Z轴方向的第二端子44之间，但不将其他的方向的导体间电连接。
在图1所示的行配线区域6中，从行选择电路5出来的配线的端部为第一端子34，与设置于显示区域2的配线110a电连接。因此，在排列于配线110a上的发光元件150中，p型半导体层153彼此被连接，且经由第一端子34而与图1所示的行选择电路5电连接。
在图1所示的列配线区域8中，从电流驱动电路7出来的配线的端部为第二端子44，与设置于显示区域2的透光性电极160k电连接。因此，在Y轴方向上排列的发光元件150的n型半导体层151彼此由透光性电极160k互相连接，且经由第二端子44而与图1所示的电流驱动电路7电连接。
图1所示的连接器106经由形成于第一面103a上的未图示的配线而与行选择电路5及电流驱动电路7电连接。行选择电路5及电流驱动电路7从连接器接受电源的供给且接受包括行选择信号、辉度信号等的各种信号的供给。
图5是例示本实施方式的图像显示装置的示意性的框图。
在图5中示出了图像显示装置1的电路结构的一部分，示意性地示出了与图1的a部对应的部位的电路结构。另外，在图5中也示出了行选择电路5与a部的电路要素的连接关系及电流驱动电路7与a部的电路要素的连接关系。
配线110a沿着行方向而设置，透光性电极160k沿着列方向而设置。在图1及图2中，行方向是X轴方向，列方向是Y轴方向。在图5的说明中，关于3条配线110a，从上向下称作第N行、第N+1行、第N+2行，关于3条透光性电极160k，从右向左称作第M列、第M+1列、第M+2列。从行选择电路5观察，M列的透光性电极160k配置于最近的位置，M+2列的透光性电极160k配置于最远的位置。从电流驱动电路7观察，第N行的配线110a配置于最近的位置，第N+2列的配线110a配置于最远的位置。
在行选择电路5上经由电源端子9a及接地端子9b而连接有直流电源9。对于电源端子9a，由直流电源9施加比接地端子9b充分高的电压。行选择电路5包括与配线110a的条数相应的行选择开关5a，各行选择开关5a经由第一端子34而连接于配线110a。行选择开关5a在初始状态下与接地端子9b侧连接，按照从未图示的控制电路供给的行选择信号而与电源端子9a侧连接。
电流驱动电路7包括与透光性电极160k的条数相应的电流源7a，各电流源7a经由端子44而连接于透光性电极160k。电流源7a按照从未图示的控制电路供给的辉度信号，以输出具有设定的电流值的电流的方式进行动作。
发光元件150形成于配线110a与透光性电极160k的交点，但在图5中，发光元件150由二极管的电路符号表示。发光元件150在配线110a的电压值比透光性电极160k的电压值高出发光元件150的顺向电压降量的情况下使电流流动。
例如，在N行的行选择开关5a连接于电源端子9a侧时，电流向N行各列的发光元件150流动。此时，N行以外的行选择开关5a连接于接地端子9b侧，因此N行以外的发光元件150的电流被切断。
由于发光元件150配置于二维平面上，所以连接于行选择电路5的配线110a具有与长度相应的电阻量。因此，能够向处于从行选择电路5离开的位置的列的发光元件150施加的电压产生基于与配线110a的长度相应的电阻量的电压降。为了战胜由配线110a引起的电压降，可考虑提高直流电源9输出的电压值，但图像显示装置1的电力损失增大。因而，优选极力抑制配线110a的电阻量。
图6是用于说明本实施方式的图像显示装置的动作的示意性的动作波形图的例子。
图6表示图5的电路的6处的信号及电压值的时间变化。
图6的最上排的图表示行选择电路5的第N行的第一端子34的输出信号的时间变化。
图6的第2排的图表示第M列的透光性电极160k的电压值的时间变化。
图6的第3排的图表示第N行的配线110a中的第M列侧的电压值的时间变化。
图6的第4排的图表示第M+2列的透光性电极160k的电压值的时间变化。
图6的第5排的图表示第N行的配线110a中的第M+2列侧的电压值的时间变化。
图6的最下排的图表示行选择电路5的第N+1行的第一端子34的输出信号的时间变化。
在图6中，表示：在期间T1中，第N行的配线110a被选择，在期间T2中，第N+1行的配线110a被选择。
如图6所示，在时刻t1下，若选择第N行的期间T1开始，则在稍微延迟的时刻t2下，第N行的行选择开关5a与电源端子9a侧连接，从第一端子34输出直流电源9的电压。
在时刻t1～t2中，包括第M列～第M+2列的全部的发光元件150通过电流源7a而为逆向偏压状态。在该期间中，形成于透光性电极160k与接地之间的寄生电容Cc被预充电。在该例子中，预充电的期间设置于行选择的切换定时的前后，时刻t3～时刻t5也被设定为预充电的期间。在时刻t2以前及时刻t6以后也同样地设定预充电的期间。另外，预充电时的第M列的透光性电极160k与接地之间的电压是Vp1，第M+2列的透光性电极160k与接地之间的电压是Vp2。在该例子中，关于Vp2，比Vp1高的值作为预充电时的电压而施加于寄生电容Cc。
在时刻t2下，若第N行的行选择开关5a切换为电源端子9a侧，则在阳极连接于第N行的发光元件150中流动由连接于各自的阴极的电流源7a设定的电流，该发光元件150以与电流相应的辉度发光。
在时刻t3下，若行选择电路5的第N行的选择结束，则成为了顺向偏压状态的发光元件150再次成为逆向偏压状态，寄生电容Cc的预充电开始。
在时刻t4下，第N+1行的选择期间开始，在经过了预充电的期间的时刻t5下，行选择电路5从第N+1行的端子输出直流电源9的电压。与期间T1的情况同样，直到时刻t6为止，第N+1行被选择，连接于第N+1行的配线110a的电压上升。若配线110a的电压达到与透光性电极160k的电压及发光元件150的顺向电压降相应的值，则电流向连接于第N+1行的发光元件150流动，以与由电流源7a设定的电流相应的辉度发光。
在此，在配线110a中，基于根据配线长而产生的电阻量的电压降沿着配线110a被布设的方向而产生。因而，电压降根据由电流源7a设定的电流值及与布设的长度相应的电阻量而产生。在该例子中，示出了a部内的第M列及第M+2列这2列的波形，但越是设置于比a部进一步靠外侧的从行选择电路5离开的列的发光元件150，则能够向阳极施加的电压越下降。
关于透光性电极160k也同样地沿着透光性电极160k被布设的方向而产生基于与配线长相应的电阻量的电压降。
表示了：在时刻t2～时刻t3的期间中，第M+2列的透光性电极160k的电压降比第M列的透光性电极160k的电压降下降了ΔV1。在该期间中，关于第N行的配线也是，第M+2列侧的电压比第M列侧的电压下降了ΔV2。ΔV2表示随着配线110a从行选择电路离开而产生的电压降。
另外，表示了图5中的“第M+2列配线电压”的预充电时的电压Vp2需要被设定得比基于透光性电极160k的电阻量的电压降量ΔV1充分高。若能够使电压降量ΔV1充分低，则也能够使预充电时的电压低，能够抑制消耗电力。
在包括时刻t4～时刻t7的期间T2中，也与上述同样地选择各行，在选择的行的配线110a及透光性电极160k中，产生以与从行选择电路5的隔开距离相应的电压降。因此，通过降低配线110a的布设方向的电阻量，能够使能够向设置于从行选择电路5离开的位置的列的发光元件150施加的电压充分高。
对本实施方式的图像显示装置1的制造方法进行说明。
图7A～图7B是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
如图7A所示，在本实施方式的图像显示装置1的制造方法中，准备半导体生长基板(第二基板)1194。半导体生长基板1194包括晶体生长用基板1001及半导体层1150。晶体生长用基板(第一基板)1001例如是Si基板、蓝宝石基板等。优选的是，使用Si基板作为晶体生长用基板1001。另外，通过使用低温溅射法等低温晶体生长工艺，也能够使用更廉价的玻璃基板等作为晶体生长用基板1001。
半导体层1150形成于晶体生长用基板1001上。半导体层1150包括n型半导体层1151、发光层1152及p型半导体层1153。n型半导体层1151、发光层1152及p型半导体层1153从晶体生长用基板1001侧起依次层叠。半导体层1150例如包含GaN，更详细而言，包含InXAlYGa1-X-YN(0≤X，0≤Y，X+Y<1)等。
对于半导体层1150的形成，例如使用气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD法)，优选使用有机金属气相沉积法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD法)。根据低温溅射法，即使使工艺温度为700℃以下，也能够使半导体层1150外延晶体生长。在低温溅射法中，能够使用耐热性低的玻璃基板、装置，因此能够谋求制造成本的降低。
在该例子中，从n型半导体层1151起形成于晶体生长用基板1001上。在晶体生长的初期，有时会产生由晶格常数的不匹配引起的晶体缺陷，产生了晶体缺陷的晶体呈n型。因而，在如该例子这样将半导体层1150在晶体生长用基板1001上从n型半导体层1151起形成的情况下，能够使生产工艺上的余裕大，因此存在容易提高成品率这一长处。
虽然未图示，但在晶体生长用基板1001上形成半导体层1150的情况下，也可以隔着缓和层而形成半导体层1150。缓和层例如使用AlN等氮化物。通过在晶体生长用基板1001上隔着缓和层而使半导体层1150晶体生长，能够缓和GaN的晶体与晶体生长用基板1001的界面处的不匹配。因而，可期待半导体层1150的半导体晶体的品质提高。另一方面，在本实施方式中，由于将p型半导体层1153向后述的图10A所示的第一面103a贴合，所以追加在贴合前除去缓和层的工序。在后述的其他的实施方式的情况下也是同样的。
如图7B所示，在p型半导体层1153上形成金属层1115。金属层1115例如由Al、Al的合金、Al与Ti等的层叠膜等形成。优选的是，在Al等的金属层上设置Ag等光反射性高的金属材料。
图8A是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的俯视图。
图8B是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图8A是图1的a部的放大俯视图，图8B是图8A的AA-AA’线处的剖视图。
如图8A及图8B所示，准备基板(第三基板)100。基板100包括在双面形成有氧化膜101、103的Si基板102。或者，基板100也可以是玻璃等的绝缘性基板。在第一面103a上沿着X轴方向(第一方向)而互相大致平行地形成多个配线110a。配线110a的Y轴方向的间隔以成为发光元件150的间距的方式设定。在配线110a的形成中，通过溅射等而形成Ti与Al的层叠膜后，通过蚀刻等而形成为多个配线110a。在形成的配线110a上形成绝缘层112。关于形成的绝缘层112，除去发光元件的形成部位而露出配线110a。在该例子中，由于发光元件的以XY平面观察时的形状是圆形，所以呈圆形地除去绝缘层112。
图9A是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的俯视图。
图9B是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图9A是图1的a部的放大俯视图，图9B是图9A的AA-AA’线处的剖视图。
如图9A及图9B所示，在配线110a及绝缘层112上形成金属层1114。金属层1114例如是Ti、Pt及Au的层叠膜，通过溅射等而形成。在形成Ti、Pt及Au的层叠膜后，将层叠膜的表面通过CMP(Chemical Mechanical Planarization：化学机械平坦化)等而平坦化。
图10A及图10B是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图10A及图10B是相当于图9A的AA-AA’线处的截面的剖视图。
如图10A所示，将形成于半导体生长基板1194的金属层(第二导电层)1115以与金属层(第一导电层)1114对置的方式配置。通过将金属层1114、1115彼此接合来贴合2个基板。
在基板贴合的工序中，例如，通过将各基板加热并热压接来将基板彼此贴合。也可以在贴合前将各基板的贴合面进一步通过CMP等而平坦化后，在真空中将贴合面通过等离子体处理而洁净化并使其密合。
如图10B所示，在2个基板被贴合后，通过湿法蚀刻、激光剥离等而除去晶体生长用基板1001。
金属层1114具有通过设置于第一面103a、配线110a及绝缘层112上来提供用于晶圆接合的平坦化面的目的。另一方面，金属层1115的形成能够省略。通过省略金属层1115的形成工序，能够削减工序数。
图11A～图11C是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图11C是相当于图9A的AA-AA’线处的截面的剖视图。
在图11A～图11C中，示出了在晶体生长用基板1001基板上将半导体层1150从p型半导体层1153起形成的情况的例子。能够取代上述图7A及图7B所示的工序而应用图11A～图11C所示的工序。
如图11A所示，准备半导体生长基板1294。半导体生长基板1294包括晶体生长用基板1001和半导体层1150。半导体层1150形成于晶体生长用基板1001上。半导体层1150从晶体生长用基板1001侧起按照p型半导体层1153、发光层1152及n型半导体层1151的顺序层叠。
如图11B所示，将支承基板1190向图11A所示的n型半导体层1151的露出面1151E接合。支承基板1190例如由石英玻璃、Si等形成。之后，通过湿法蚀刻、激光剥离而除去晶体生长用基板1001。
如图11C所示，在基板1295中，在p型半导体层1153的露出面1153E上形成金属层1115。将半导体层1150经由金属层1115、1114而与基板100贴合。具体而言，将通过除去晶体生长用基板1001而露出的p型半导体层1153的露出面1153E以隔着金属层1115而与金属层1114对置的方式配置，将p型半导体层1153经由金属层1115而向金属层1114接合。如上述其他的实施方式的情况那样，也可以在露出面1153E上不形成金属层1115，将p型半导体层1153向金属层1114直接接合。
直到形成半导体生长基板1294为止的工序及进行形成基板1295后的处理的工序可以在同一工厂中执行，也可以在不同的工厂中执行。例如，可以将基板1295在第一工厂中制造，将基板1295向与第一工厂不同的第二工厂运入，执行贴合工序。
将半导体层1150向基板100贴合的方法不限于上述，也能够设为以下的方法。即，将半导体层1150在晶体生长用基板1001上形成后，向容器收纳，例如在容器内装配支承基板1190，进行保管。在保管后，将半导体层1150从容器取出，向形成有金属层1114的基板100贴合。另外，将半导体层1150不向支承基板1190装配地保管于容器。在保管后，将半导体层1150从容器取出，直接向形成有金属层1114的基板100贴合。
在将半导体层1150向基板100贴合的情况下，存在将1个半导体层1150向1张基板100贴合时和将多个半导体层1150向1张基板100贴合时。在将1个半导体层1150向1个基板100贴合时，基板100的尺寸例如能够设为数10mm边长～150mm边长左右的长方形状、正方形状等。在该情况下，形成于基板1195上的半导体层1150能够设为与基板100的尺寸相应的尺寸。
在将多个半导体层1150向1个基板100贴合时，基板100例如能够使用1500mm×1800mm左右的大致长方形的玻璃基板。形成于基板1195的半导体层1150设为数10mm边长～150mm边长左右的长方形状或正方形状，换算为晶圆尺寸，例如能够设为4英寸～6英寸左右的尺寸。基板100的尺寸根据图像显示装置的尺寸等而合适地选定。
图12是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的立体图。
图12示意性地示出了将多个半导体层1150向1张基板100贴合时的例子。
图12的箭头的上侧的图示出了多个半导体生长基板1194配置成格子状。图12的箭头的下侧的图示出了配置有形成有金属层1114的基板100。图12利用箭头示出了配置成格子状的多个半导体生长基板1194在双点划线的位置贴合多个半导体生长基板1194。
在半导体层1150的端部及其附近，半导体晶体的品质下降，因此需要留意不在半导体层1150的端部及其附近形成发光元件150。
如图12所示，半导体层1150的端部以与晶体生长用基板1001的端部大致一致的方式形成。因而，多个半导体生长基板1194以在相邻的半导体生长基板1194彼此之间尽量不产生间隙的方式，例如如图12的实线所示那样，与基板100对置而配置成呈格子状。半导体层1150如图12的双点划线所示那样向基板100的金属层1114上贴合。
在向1个基板100贴合了多个半导体层1150的情况下，能够在之后的工序中将贴合有多个半导体层1150的基板100分割，设为与分割数相应的数量及尺寸的图像显示装置。半导体晶体的品质下降的半导体层1150的端部优选成为显示区域的端部，因此分割的单位优选以与半导体生长基板1194的形状一致的方式设定。
图13A是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的俯视图。
图13B是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图13A是图1的a部的放大俯视图，图13B是图13A的AA-AA’线处的剖视图。
如图13A及图13B所示，蚀刻图10B所示的半导体层1150而形成发光元件150。在该例子中，发光元件150被加工成圆锥台形状。通过使发光元件150成为圆锥台形状，在发光元件150上形成后述的图14A及图14B所示的绝缘膜156时，能够使绝缘膜156与发光元件150的侧面充分地密合。
在将发光元件150成形为圆锥台形状时，例如距发光面151S越近则选定越高的蚀刻速率。蚀刻速率以从底面153B侧朝向发光面151S侧大致线性地增大的方式设定。更具体而言，例如，以使干法蚀刻时的抗蚀剂掩模图案朝向其端部逐渐变薄的方式在曝光时预先谋划。由此，在干法蚀刻时从抗蚀剂薄的部分逐渐后退，能够从底面153B侧朝向发光面151S侧增大蚀刻量。这样，能够形成圆锥台形状的发光元件150。
蚀刻图10B所示的金属层1115而加工成接合金属115。蚀刻图10B所示的金属层1114而加工成接合金属114。优选的是，使用同一掩模而连续地蚀刻金属层1114、1115，形成在以XY平面观察时具有相同的外周形状的接合金属114、115。
图14A是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的俯视图。
图14B是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图14A是图1的a部的放大俯视图，图14B是图14A的AA-AA’线处的剖视图。
如图14A及图14B所示，在绝缘层112及发光元件150上以覆盖它们的方式形成绝缘膜156。绝缘膜156在由SiO2等形成的情况下，例如通过CVD、溅射等而形成。以使发光面151S露出的方式除去绝缘膜156的一部分。在该例子中，发光面151S露出的开口158在以XY平面观察时是圆形。
图15A是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的俯视图。
图15B是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图15A是图1的a部的放大俯视图，图15B是图15A的AA-AA’线处的剖视图。
如图15A及图15B所示，沿着Y轴方向(第二方向)，遍及绝缘膜156及发光面151S上而形成透光性电极160k。更具体而言，例如，以覆盖绝缘膜156及发光面151S上的方式形成ITO、ZnO等的具有透光性的导电膜。在导电膜上形成掩模，以将沿着Y轴方向而排列的发光元件150的发光面151S相互连接的方式形成透光性电极160k。需要说明的是，在形成透光性电极160k前，通过将发光面151S露出的开口158的表面粗糙化，能够谋求来自发光元件150的光取出效率的提高。
图16A～图17B是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
在图16A及图16B中示出了图2的b部的B-B’线处的剖视图，示出了将配线110a和第一端子34电连接的工序。
在图17A及图17B中示出了图2的c部的C-C’线处的剖视图，示出了将透光性电极160k和第二端子44电连接的工序。
第一端子34是行选择电路5的输出配线的端部，第二端子44是电流驱动电路7的输出配线的端部。
如图16A所示，配线110a由绝缘层112覆盖，绝缘层112的一部分被除去而配线110a露出。配线110a露出的区域是图2所示的连接区域36。
在包括图2所示的连接区域36的区域形成有各向异性导电部件30a。形成各向异性导电部件30a的工序将各向异性导电部件30a向包括连接区域36的区域涂布或者向包括连接区域36的区域粘贴。例如，形成各向异性导电部件30a的区域在图2中是连续地包括在Y轴方向上排列的连接区域36的区域。也就是说，在相邻的连接区域36间的区域也设置有各向异性导电部件30a。
将第一端子34以隔着各向异性导电部件30a而在连接区域36中与配线110a对置的方式配置，如图16A的箭头所示，在各向异性导电部件30a上载置。各向异性导电部件30a包括粘合剂31a及各向异性导电颗粒32a。粘合剂31a及各向异性导电颗粒32a未被施加压力且未被加热，因此是初始的状态。粘合剂31a在初始状态下是具有流动性、粘着性的状态，是未发挥粘接力的状态。各向异性导电颗粒32a在初始状态下无论在哪个方向上都未导通。
如图16B所示，向第一端子34与基板100之间施加压力。如图16B的箭头所示，施加的压力的方向是沿着Z轴的方向。第一端子34、基板100及各向异性导电部件30一边在箭头的方向上被施加压力一边被加热到规定的温度。在各向异性导电部件30中，在压力施加方向上被压缩的各向异性导电颗粒32在压力施加方向上形成导电路。通过加热而固化的粘合剂31将配线110a和第一端子34固定成电连接的状态。
如图17A所示，透光性电极160k形成于绝缘膜156上。在透光性电极160k上形成各向异性导电部件40a。形成各向异性导电部件40a的区域是包括图2所示的连接区域46的区域。更具体而言，形成各向异性导电部件40a的区域在图2中是连续地包括在X轴方向上排列的连接区域46的区域。也就是说，各向异性导电部件40a也设置于连接区域46与相邻的连接区域46之间的区域。形成各向异性导电部件40a的工序将各向异性导电部件40a向包括连接区域46的区域涂布或者向包括连接区域46的区域粘贴。
将第二端子44以隔着各向异性导电部件40a而在图2所示的连接区域46中与透光性电极160k对置的方式配置，如图17A的箭头所示，在各向异性导电部件40a上载置。各向异性导电部件40a包括粘合剂41a及各向异性导电颗粒42a。粘合剂41a及各向异性导电颗粒42a未被施加压力且未被加热，因此是初始的状态。粘合剂41a在初始状态下是具有流动性、粘着性的状态，是未发挥粘接力的状态。各向异性导电颗粒42a在初始状态下无论在哪个方向上都未导通。
如图17B所示，向第二端子44与基板100之间施加压力。如图17B的箭头所示，施加的压力的方向是沿着Z轴的方向。第二端子44、基板100及图17A所示的各向异性导电部件40a一边被施加压力一边被加热到规定的温度。在图17B所示的各向异性导电部件40中，在压力施加方向上被压缩的各向异性导电颗粒42在压力施加方向上形成导电路。通过加热而固化的粘合剂41将透光性电极160k和第二端子44以电连接的状态固定。
配线110a与第一端子34的电连接工序可以与透光性电极160k与第二端子44的电连接工序同时进行，也可以依次进行。
图18是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
在与图18相关联的说明中，将包括配线110a、绝缘层112、发光元件150、绝缘膜156、透光性电极160k及表面树脂层170的构造物称作发光电路部172。在与图19A～图19D相关联的说明中，将包括基板100及发光电路部172的构造物称作构造体1192。
如图18所示，在形成有多个发光元件150的构造体1192上形成滤色器(波长转换部件)180。将滤色器180以一个面向构造体1192粘接。滤色器180的另一个面粘接于玻璃基板186。在滤色器180的一个面设置有透明薄膜粘接层188，经由透明薄膜粘接层188而向构造体1192的表面树脂层170的露出面粘接。
在该例子中，滤色器180按照红色、绿色、蓝色的顺序在X轴的正方向上排列有颜色转换部。关于红色，在第1层设置有红色的颜色转换层183R，在第2层设置有滤色层184，关于绿色，在第1层设置有绿色的颜色转换层183G，在第2层设置有滤色层184。关于蓝色，可以设置有单层的颜色转换层183B，也可以设置有滤色层184。在各颜色转换部之间设置有遮光部181，但当然能够针对颜色转换部的每个颜色而变更滤色层184的频率特性。
将各色的颜色转换层183R、183G、183B的位置向发光元件150的位置对准，将滤色器180向构造体1192粘贴。
图19A～图19D是示出本实施方式的图像显示装置的制造方法的变形例的示意性的剖视图。
在图19A～图19D中示出了以喷墨方式形成滤色器的方法。
如图19A所示，准备在基板100形成有发光元件150等构成要素的构造体1192。
如图19B所示，在构造体1192上形成遮光部181。遮光部181例如使用丝网印刷、光刻技术等而形成。
如图19C所示，从喷墨嘴喷出与发光色相应的荧光体，形成颜色转换层183。荧光体将未形成遮光部181的区域着色。荧光体使用例如使用了一般的荧光体材料、钙钛矿荧光体材料、量子点荧光体材料的荧光涂料。在使用了钙钛矿荧光体材料、量子点荧光体材料的情况下，能够实现各发光色，并且单色性高，能够提高颜色再现性，因此优选。在喷墨嘴的描绘后，以合适的温度及时间进行干燥处理。着色时的涂膜的厚度被设定为比遮光部181的厚度薄。
如已经说明的那样，关于蓝色发光的子像素，在不形成颜色转换部的情况下，不形成颜色转换层183。另外，在关于蓝色发光的子像素形成蓝色的颜色转换层时，在颜色转换部可以是1层的情况下，优选的是，蓝色的荧光体的涂膜的厚度设为与遮光部181的厚度相同的程度。
如图19D所示，从喷墨嘴喷出滤色层184用的涂料。涂料向荧光体的涂膜重叠地涂布。荧光体及涂料的涂膜的合计的厚度设为与遮光部181的厚度相同的程度。
不管是膜型的滤色器，还是喷墨式的滤色器，为了使颜色转换效率提高，颜色转换层183都优选尽可能厚。另一方面，若颜色转换层183过厚，则被颜色转换后的光的出射光近似于朗伯，而不被颜色转换的蓝色光由遮光部181限制射出角。因而，会产生在显示图像的显示色产生视角依存性这一问题。为了使设置颜色转换层183的子像素的光的配光与不被颜色转换的蓝色光的配光一致，颜色转换层183的厚度优选设为遮光部181的开口尺寸的一半左右。
例如，在1000ppi左右的高清晰度的图像显示装置的情况下，子像素20的开口成为10μm左右，因此颜色转换层183的厚度优选为5μm左右。在此，在颜色转换材料由球状的荧光体颗粒构成的情况下，为了抑制来自发光元件150的漏光，优选层叠成最密构造状。为此，颗粒的层至少需要设为3层。因此，构成颜色转换层183的荧光体材料的粒径例如优选设为2μm左右以下，进一步优选设为1μm左右以下。
对本实施方式的图像显示装置1的效果进行说明。
本实施方式的图像显示装置1具有将发光元件150利用以在发光元件150的上下交叉的方式设置的配线110a及透光性电极160k来驱动的无源矩阵构造。因而，为了驱动发光元件150，不需要晶体管等电路元件，因此能够缩短发光元件150间的距离即像素间隔。
例如，通过使像素间隔成为10μm左右，在3～4英寸尺寸的图像显示装置中，能够实现1000pp左右的非常高的清晰度的面板。近年来，虚拟现实用的眼镜的功能、性能提高，通过实现这样的高清晰度的面板，能够实现更加高功能、高性能的产品。
在本实施方式的图像显示装置1中，通过设为无源矩阵构造，无需将晶体管等主动元件形成于基板上，因此能够作为基板100而利用低成本的太阳能级Si基板。或者，由于不需要TFT形成工序这样的高温工艺，所以也能够使用玻璃基板。不管在使用了哪个基板的情况下，都能够与有源矩阵构造的显示器相比低成本化。
在本实施方式的图像显示装置1中，由行选择电路5驱动的配线110a能够使用高导电率的金属材料。因而，能够抑制配线110a中的电压降，因此能够将用于驱动发光元件150的直流电源的电压值抑制得低，能够谋求图像显示装置1的低消耗电力化。若某种程序允许图像显示装置1的消耗电力，则不用提高用于发光元件150的驱动的直流电源的电压值，就能够将面板尺寸大型化。
在本实施方式的图像显示装置1中，配线110a通过ACP、ACF等各向异性导电部件30而与来自行选择电路5的配线即第一端子34电连接。另外，透光性电极160k也能够通过各向异性导电部件40而与来自电流驱动电路7的配线即第二端子44电连接。通过作为各向异性导电颗粒而利用例如1μm～数μm程度以下的直径的各向异性导电颗粒，能够将10μm左右的子像素的间距的配线高精度地连接。
在本实施方式的图像显示装置1中，在发光元件150的底面153B与第一配线110a之间设置有接合金属114、115。接合金属114、115能够使用光反射性高的金属材料，因此能够将发光元件150向下方的散射光向发光面151S侧反射而使发光元件150的实质性的发光效率提高。
在本实施方式的图像显示装置1的制造方法中，将半导体层1150向基板100贴合后，蚀刻半导体层1150而形成发光元件150。因而，无需将单片化的发光元件向基板100单独转印，因此制造工序显著缩短。例如，与按单片化的发光元件的数量向基板上转印的情况相比，可认为发光元件的转印次数是本实施方式的制造方法中的基板贴合次数，因此相当于发光元件的转印次数的工序数被降低为发光元件的个数分之一。
而且，在本实施方式的制造方法中，由于将半导体层1150向形成有配线110a的基板100贴合后形成发光元件，所以不需要配合配线、电极的位置而连接发光元件的对位。因此，能够将贴合工序以短时间容易地进行。由于在贴合时无需进行对位，所以发光元件150的小型化也容易，能够实现高清晰度化的显示器。
在本实施方式的图像显示装置1的制造方法中，将基板100上的发光元件150、行选择电路5及电流驱动电路7的电连接利用具有微细的各向异性导电颗粒的各向异性导电部件来进行。因而，能够将短间距的连接正确且容易地进行。通过使用基于各向异性导电部件的连接方法，能够同时进行发光元件150与行选择电路5的电连接及发光元件150与电流驱动电路7的电连接，能够削减制造工序。
(第二实施方式)
在上述第一实施方式中，将发光元件的发光面利用n型半导体层来提供，但在本实施方式中，将发光元件的发光面利用p型半导体层来提供。在本实施方式中，除了发光元件的结构不同之外，与上述其他的实施方式的情况相同，对于相同的构成要素，标注相同的附图标记，适当省略详细的说明。
图20A及图20B是例示本实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图20A是相当于图2的A-A’线处的截面的剖视图。图20B是相当于图2的AA-AA’线处的截面的剖视图。
如图20A及图20B所示，像素210包括3个子像素220。子像素220包括配线210k、发光元件250及透光性电极260a。配线210k沿着X轴方向而形成。配线层110包括多个配线210k。多个配线210k在Y轴方向上隔开且以大致相等间隔互相大致平行地设置。相邻的配线210k之间的距离配合发光元件250的间距而设定。多个配线210k在图1所示的显示区域2的端部处连接于行选择电路5。
发光元件250形成于接合金属115上，从接合金属115侧起按照n型半导体层251、发光层252及p型半导体层253的顺序层叠。
发光元件250包括底面251B和发光面253S。底面251B是连接于接合金属115的面。发光面253S是底面251B的相反侧的面。n型半导体层251包括底面251B，因此接合金属115与n型半导体层251电连接。接合金属115与n型半导体层251欧姆连接。
接合金属114、115连接于配线210k，因此n型半导体层251与配线210k电连接。接合金属114、115的结构、材料及功能与第一实施方式的情况相同，省略详细的说明。
透光性电极260a沿着Y轴方向而设置，遍及发光面253S上而设置。透光性配线层160包括多个透光性电极260a。多个透光性电极260a在X轴方向上隔开且以大致相等间隔互相平行地设置。p型半导体层253包括发光面253S，因此透光性电极260a与p型半导体层253电连接。多个透光性电极260a在图1所示的显示区域2的端部处与电流驱动电路7电连接。
图21是例示本实施方式的图像显示装置的示意性的框图。
如图21所示，在本实施方式的图像显示装置中，发光元件的结构与上述其他的实施方式的情况不同，发光元件的极性与上述其他的实施方式的情况不同。根据发光元件的极性的不同而变更了电路结构。
如图21所示，配线210k沿着行方向而设置。配线210k经由第一端子34而连接于行选择电路205。透光性电极260a沿着列方向而设置。透光性电极260a经由第二端子44而连接于电流驱动电路207。
行选择电路205包括行选择开关205a，配线210k经由第一端子34而连接于行选择开关205a。行选择开关205a在选择该行时，将电源端子9a的电压从第一端子34输出。行选择开关205a在不选择该行时，将电源端子9a的电压从第一端子34输出。在电源端子9a上连接有在以接地端子9b的电压为基准时将比电源端子9a的电压值充分高的直流电压向接地端子9b供给的直流电源9。
电流驱动电路207包括电流源207a，透光性电极260a经由第二端子44而连接于电流源207a。电流源207a以从第二端子44喷出电流的方式进行动作。
发光元件250的阳极经由第二端子44而连接于电流源207a，发光元件250的阴极经由第一端子34而连接于行选择开关205a。若通过来自外部的控制信号而选择行选择开关205a，则从第一端子34输出电源端子9b的电压。电源端子9b的电压值成为比接地端子9a充分低的电压值，因此电流向连接于被选择的行的配线210k的发光元件250流动。电流以电流源207a、第二端子44、发光元件250的阳极、发光元件250的阴极、第一端子34及行选择开关205a的路径流动。
对本实施方式的图像显示装置的制造方法进行说明。
图22A～图22C是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
如图22A所示，准备半导体生长基板1194。半导体生长基板1194和与上述其他的实施方式的情况下的图7A相关联地说明的半导体生长基板1194相同。
如图22B所示，对半导体生长基板1194的p型半导体层1153接合支承基板1190。之后，除去晶体生长用基板1001，形成基板1195。对于晶体生长用基板1001的除去，使用湿法蚀刻、激光剥离。
如图22C所示，在基板1195中，在p型半导体层1153的露出面1153E上形成金属层1115。将半导体层1150经由金属层1115、1114而与基板100贴合。之后，通过湿法蚀刻、激光剥离而除去支承基板1190。
图23A是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的俯视图。
图23B是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图23A是相当于图1的a部的部分的放大俯视图，图23B是图23A的AA-AA’线处的剖视图。
如图23A及图23B所示，通过蚀刻而加工图22C所示的半导体层1150，形成发光元件250。发光元件250与上述其他的实施方式的情况下的发光元件150同样地通过蚀刻速率的调整而被成形为直径从底面251B朝向发光面253S变小的圆锥台形状。通过蚀刻而加工图22C所示的金属层1114、1115，形成接合金属114、115。
图24A是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的俯视图。
图24B是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图24A是相当于图1的a部的部分的放大俯视图，图24B是图24A的AA-AA’线处的剖视图。
如图24A及图24B所示，在绝缘层112、接合金属114、115及发光元件250上形成绝缘膜156。在绝缘膜156是SiO2的情况下，绝缘膜156通过CVD、溅射等而形成。以使发光面253S露出的方式除去绝缘膜156的一部分。在该例子中，与上述其他的实施方式的情况同样，发光面253S露出的开口158在以XY平面观察时是圆形。
图25A是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的俯视图。
图25B是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图25A是相当于图1的a部的部分的放大俯视图，图25B是图25A的AA-AA’线处的剖视图。
如图25A及图25B所示，遍及绝缘膜156及发光面253S上而形成透光性电极260a。更具体而言，例如，以覆盖绝缘膜156及发光面253S上的方式形成ITO等的具有透光性的导电膜。在导电膜上形成沿着Y轴方向的掩模，以将沿着Y轴方向而排列的发光元件250的发光面253S相互连接的方式形成透光性电极260a。
对本实施方式的图像显示装置的效果进行说明。
在本实施方式的图像显示装置中，与上述其他的实施方式的图像显示装置同样，由于具有不需要晶体管等电路元件的无源矩阵构造，所以能够缩短子像素的间距。除此之外，能够使p型半导体层253成为发光面253S，使n型半导体层251成为底面251B。n型半导体层251能够使电阻值比p型半导体层253小，因此能够将与发光元件250和配线210k相关联的电阻值抑制得小。因此，存在能够抑制与图21所示的行选择电路205连接的配线210k侧的电阻值这一长处。
在本实施方式的图像显示装置的制造方法中，通过将半导体层1150形成于晶体生长用基板1001后向支承基板1190转印，能够使p型半导体层253成为发光面253S。通过采用该制造工序，能够在晶体生长用基板1001上从n型半导体层1151起形成，因此能够使半导体层1150的半导体晶体的品质提高且稳定，使制造成品率提高。
(第三实施方式)
图26是例示本实施方式涉及的图像显示装置的一部分的示意性的俯视图。
图26是相当于图1所示的显示区域2的a部的部分的放大图。
如图26所示，在本实施方式的图像显示装置中，在形成于第一配线110a上的p型半导体层353a上设置有多个发光面351S1～351S3，在这一点上与上述其他的实施方式的情况不同。对于相同的构成要素，标注相同的附图标记，适当省略详细的说明。
在该例子中，在1个p型半导体层353a具有3个发光面351S1～351S3，但不限于此，能够在1个p型半导体层353a上具有2个以上的发光面。
p型半导体层353a设置于配线110a上。虽然在图26中未示出，但p型半导体层353a能够在1条配线110a上设置多个。多个p型半导体层353a在X轴方向上设置多个，以在形成了发光面时发光面的间隔成为大致恒定的间距的方式配置。
配线110a设置有多条，多个配线110a在Y轴方向上隔开且以大致相等间隔互相大致平行地设置。因此，多个p型半导体层353a在Y轴方向上隔开且以大致相等间隔大致平行地设置。配线110a及p型半导体层353a的Y轴方向的隔开距离与发光面的间距大致相等。
图27A及图27B是例示本实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图27A是图26的A-A’线处的剖视图。
图27B是图26的AA-AA’线处的剖视图。
如图27A及图27B所示，本图像显示装置的像素310包括3个子像素320。在表示实施方式的以后的图中，为了避免显示的繁杂，省略滤色器的显示。关于滤色器，如在上述其他的实施方式中说明的那样，在绝缘膜156及透光性电极160k上形成表面树脂层170，在表面树脂层170上设置滤色器。需要说明的是，包括上述其他的实施方式的情况，也能够不设置滤色器而设为黑白的图像显示装置。
子像素320包括基板100。基板100与上述其他的实施方式的情况相同，省略详细的说明。
在第一面103a上设置有配线层110，配线层110包括多个配线110a。在第一面103a上，在Y轴方向上在平行地设置的相邻的2条配线110a之间设置有绝缘层112。
在配线110a上设置有接合金属314、315。接合金属314、315从第一面103a侧起依次层叠。接合金属314、315与第一配线110a一起沿着X轴方向而形成。接合金属314、315设置有多条，多条接合金属314、315在Y轴方向上隔开且以大致相等间隔大致平行地设置。在Y轴方向上相邻的接合金属314、315的隔开距离以成为发光面的间距的方式设定。接合金属314、315能够由与上述其他的实施方式的情况下的接合金属114、115相同的材料形成，具有同样的功能。
半导体层350包括p型半导体层353a、第一发光层352a1～第三发光层352a3及第一n型半导体层351a1～第三n型半导体层351a3。第一发光层352a1～第三发光层352a3设置于p型半导体层350a上。第一发光层352a1～第三发光层352a3互相分离、隔开地设置于p型半导体层353a上。第一n型半导体层351a1设置于第一发光层352a1上。第二n型半导体层351a2设置于第二发光层352a2上。第三n型半导体层351a3设置于第三发光层352a3上。第一n型半导体层351a1～第三n型半导体层351a3互相分离、隔开地分别设置于第一发光层352a1～第三发光层352a3上。
p型半导体层353a沿着接合金属315而设置于接合金属315上。也就是说，多个p型半导体层353a与配线110a及接合金属314、315一起在Y轴方向上隔开且大致平行地设置。底面353B是p型半导体层353a的一部分，底面353B与接合金属315相接。因此，p型半导体层353a与接合金属315电连接。
第一发光层352a1～第三发光层352a3的排列与配线110a、接合金属314、315及p型半导体层353a一起在Y轴方向上隔开且大致平行地设置。
第一n型半导体层351a1～第三n型半导体层351a3分别设置于第一发光层352a1～第三发光层352a3上。因而，第一n型半导体层351a1～第三n型半导体层351a3的排列也与配线110a、接合金属314、315、p型半导体层353a及第一发光层352a1～第三发光层352a3的排列一起在Y轴方向上隔开且大致平行地设置。
第一n型半导体层351a1具有第一发光面351S1。第一发光面351S1是与第一发光层352a1相接的第一n型半导体层351a1的面的相反侧的面。第二n型半导体层351a2具有第二发光面351S2。第二发光面351S2是与第二发光层352a2相接的第二n型半导体层351a2的面的相反侧的面。第三n型半导体层351a3具有发光面351S3。第三发光面351S3是与第三发光层352a3相接的第三n型半导体层351a3的面的相反侧的面。因此，第一发光面351S1～第三发光面351S3沿着X轴方向而以大致相等间隔排列。多个第一发光面351S1～第三发光面351S3的排列在Y轴方向上互相隔开且大致平行地设置。
绝缘膜156以覆盖绝缘层112、接合金属314、315、p型半导体层353a、第一发光层352a1～第三发光层352a3及第一n型半导体层351a1～第三n型半导体层351a3的方式设置。绝缘膜156的一部分为了使第一发光面351S1～第三发光面351S3露出而被除去。
透光性配线层160设置于绝缘膜156及第一发光面351S1～第三发光面351S3上。透光性配线层160包括多个透光性电极160k。透光性配线层160遍及第一发光面351S1～第三发光面351S3的排列上而设置。多个透光性电极160k在X轴方向上隔开且以大致相等间隔平行地设置。相邻的透光性电极160k的X轴方向的隔开距离与发光面的间距大致相等。
对本实施方式的图像显示装置的制造方法进行说明。
图28A～图29C是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图29A～图29C是相当于图26的A-A’线处的截面的剖视图。
如图28A所示，在基板100的第一面103a上形成配线层110，形成配线110a。在包括配线110a的配线层110上形成绝缘层112。关于绝缘层112，将半导体层350与配线110a连接的区域除去。在绝缘层112及配线110a上形成金属层1114，优选将金属层1114的表面平坦化。
如图28B所示，通过将形成于半导体层1150上的金属层1115向金属层1114粘贴，将半导体层1150经由金属层1115、1114而向基板100贴合。这些工序能够与上述其他的实施方式的情况同样地进行。
如图29A所示，通过蚀刻而加工图28B所示的金属层1114、1115，形成接合金属314、315。接合金属314、315以沿着配线110a的方式成形，在以XY平面观察时成形为与第一配线110a相同的形状。
通过蚀刻而加工图28B所示的半导体层1150，形成图29A所示的半导体层350。在半导体层350的形成工序中，p型半导体层353a以沿着接合金属315的方式成形，在以XY平面观察时成形为与接合金属314、315及配线110a相同的形状。
在形成了p型半导体层353a后，形成第一发光层352a1～第三发光层352a3及第一n型半导体层351a1～第三n型半导体层351a3。第一发光层352a1及第一n型半导体层351a1在以XY平面观察时成形为相同的形状。第二发光层352a2及第二n型半导体层351a2在以XY平面观察时成形为相同的形状。第三发光层352a3及第三n型半导体层351a3在以XY平面观察时成形为相同的形状。第一n型半导体层351a1～第三n型半导体层351a3同时形成，第一发光层352a1～第三发光层352a3同时形成。此时，由第一发光层352a1～第三发光层352a3夹着的p型半导体层353a即使些许或全部被蚀刻也无妨。
如图29B所示，以覆盖绝缘层112、接合金属314、315及图29A所示的半导体层350的方式设置绝缘膜156。除去第一n型半导体层351a1～第三n型半导体层351a3上的绝缘膜156的一部分，露出第一发光面351S1～第三发光面351S3。
如图29C所示，沿着Y轴方向而形成第一透光性配线层160。第一透光性电极160k在第一发光面351S1～第三发光面351S3上分别形成。
这样，形成包括多个子像素320的像素310。
对本实施方式的图像显示装置的效果进行说明。
在本实施方式的图像显示装置中，与上述其他的实施方式的图像显示装置同样，由于具有不需要晶体管等电路元件的无源矩阵构造，所以能够缩短第一发光面351S1～第三发光面351S3的间距。除此之外，在本实施方式中，在半导体层350的形成时，无需针对每个发光元件进行截断，因此有可能缩短制造工序。
(第四实施方式)
图30A～图30C是例示本实施方式涉及的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图30A是相当于图2的A-A’线处的截面的剖视图。图30B是相当于图2的AA-AA’线处的截面的剖视图。图30C是相当于图2的C-C’线处的截面的剖视图。需要说明的是，相当于图2的B-B’线处的截面的截面与上述其他的实施方式的图4A所示的截面相同，因此省略图示及详细的说明。
如图30A及图30B所示，本实施方式的图像显示装置包括多个子像素420。子像素420在包括绝缘膜156a这一点上与上述其他的实施方式的情况不同。关于相同的构成要素，标注相同的附图标记，适当省略详细的说明。
在本实施方式中，绝缘膜156a覆盖发光元件150的侧面，并且也设置于相邻的发光元件150之间。在该例子中，2个相邻的发光元件150之间的绝缘膜156a的从第一面103a起的高度被设定得比发光面151S的第一面103a的高度高。绝缘膜156a由具有光反射性的材料形成。绝缘膜156a例如由白色树脂形成。通过将绝缘膜156a设为白色树脂，能够反射发光元件150的横向的出射光等。另外，通过使2个相邻的发光元件150之间的绝缘膜156a的从第一面103a起的高度比发光面151S的第一面103a的高度高，能够反射要从发光面151S向横向扩展的光。由此，发光元件150的发光效率实质性地提高。
白色树脂通过使米氏(Mie)散射效应的散射性微粒分散于SOG(Spin On Glass：旋涂玻璃)等硅系树脂、酚醛清漆型酚醛系树脂等透明树脂而形成。散射性微粒为无色或白色，具有发光元件150发出的光的波长的1/10左右～数倍左右的直径。优选使用的散射性微粒具有光的波长的1/2左右的直径。例如，作为这样的散射性微粒，可举出TiO2、Al2O3、ZnO等。
或者，白色树脂也能够通过活用分散于透明树脂内的许多微细的空孔等来形成。
也可以实施使图3A等所示的由SiO2等的无机膜形成的绝缘膜156具有光反射性的处理。在将SiO2白色化的情况下，也可以重叠于SOG等而使用例如通过ALD(Atomic-Layer-Deposition：原子层沉积)、CVD形成的SiO2膜等。
绝缘膜156a也可以设为光透过性低的材料。例如，绝缘膜156a也可以由黑色树脂形成。通过将绝缘膜156a设为黑色树脂，子像素420内的光的散射被抑制，杂散光更有效地被抑制。杂散光被抑制的图像显示装置能够显示更锐利的图像。
如图30C所示，第二端子44隔着各向异性导电部件40而设置于透光性电极160k上。在本实施方式中，由于将绝缘膜156a的厚度设定得比发光面151S的高度厚，所以第二端子44经由各向异性导电部件40而与设置于厚的绝缘膜156a上的透光性电极160k电连接，在这一点上与上述其他的实施方式的情况不同，在其他的点上与其他的实施方式的情况相同。
对本实施方式的图像显示装置的制造方法进行说明。
在本实施方式中，绝缘膜156a的形成工序与上述其他的实施方式的情况不同，在其他的点上与其他的实施方式的情况相同。在绝缘膜156a是有机树脂的情况下，使用涂布工序是、使用了模具的注射成型等。在绝缘膜156a是包括SiO2等的无机材料的情况下，如上所述，对于绝缘膜156a的形成，使用CVD、ALD、溅射等。
对本实施方式的图像显示装置的效果进行说明。
本实施方式的图像显示装置与上述其他的实施方式的图像显示装置同样，由于具有不需要晶体管等电路元件的无源矩阵构造，所以能够缩短子像素420的间距。除此之外，图像显示装置具有包含发光元件150间的分离所需的光反射性的绝缘膜156a的子像素420。因而，能够反射在侧面反射后的散射光等、向斜上方出射的光而使从发光面151S出射的光的量变多。因而，能够使发光元件150的实质性的发光效率提高。
(第五实施方式)
图31A～图31C是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图31A是相当于图2的A-A’线处的截面的剖视图。图31B是相当于图2的AA-AA’线处的截面的剖视图。图31C是相当于图2的B-B’线处的截面的剖视图。需要说明的是，相当于图2的C-C’线处的截面的截面与上述第四实施方式的图30C所示的截面相同，因此省略图示及详细的说明。
如图31A及图31B所示，本实施方式的图像显示装置具有包括金属配线510的子像素520。金属配线510取代上述其他的实施方式中的配线110a、210k而沿着X轴方向设置。金属配线510与配线110a、210k同样地设置有多条，多个金属配线510在Y轴方向上隔开且以大致相等间隔大致平行地设置。相邻的金属配线510的隔开距离以与发光元件150的间距大致相等的方式设定。
在金属配线510上，发光元件150在X轴方向上以大致相等间隔设置。金属配线510包括接合金属514、515，接合金属514、515从第一面103a侧依次层叠、接合。发光元件150的底面153B与接合金属515相接，p型半导体层153与接合金属515欧姆连接。因此，p型半导体层153与第一金属配线510电连接，与在X轴方向上相邻地设置的发光元件150电连接。
在该例子中，绝缘膜156a由具有光反射性的绝缘材料形成，但也可以如第一实施方式、第二实施方式的情况那样由透明树脂形成。
与第一实施方式的情况同样，透光性电极160k沿着Y轴方向而形成，连接于沿着Y轴方向而排列的发光元件150的发光面151S。
如图31C所示，金属配线510设置于基板100的第一面103a上。更具体而言，在第一面103a上设置有接合金属514，在接合金属514上设置有接合金属515。第一端子34隔着各向异性导电部件30而设置于接合金属515上。第一端子34经由各向异性导电部件30的各向异性导电颗粒32而与金属配线510电连接。各向异性导电部件30中的粘合剂31如通过上述其他的实施方式的情况下的图4A等而说明的那样，为了将第一端子34与金属配线510的连接固定而设置。
对本实施方式的图像显示装置的制造方法进行说明。
图32A～图34B是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图33A及图34A是相当于图2的A-A’线处的截面的剖视图。
图33B及图34B是相当于图2的AA-AA’线处的截面的剖视图。
如图32A所示，准备半导体生长基板1194，在半导体生长基板的p型半导体层1153上形成金属层1115。将半导体生长基板1194经由金属层1115、1114而向基板100的第一面103a贴合。经由金属层1114、1115的半导体层1150与基板100的贴合工序与上述其他的实施方式中的图10A相关联地进行了说明，因此省略。
如图32B所示，通过湿法蚀刻、激光剥离而除去图32A所示的晶体生长用基板1001。
如图33A及图33B所示，通过蚀刻而加工图32B所示的金属层1115、1114，形成金属配线510。多个金属配线510以在Y轴方向上隔开且以大致相等间隔大致平行的方式被截断而形成各金属配线510。图32B所示的金属层1115、1114使用同一掩模而连续地被蚀刻。
通过蚀刻而加工图32B所示的半导体层1150，如图33A及图33B所示，形成发光元件150。在该例子中，发光元件150设为在发光元件150的高度方向上直径大致相等的圆柱形状，但也可以设为棱柱形状。另外，与上述其他的实施方式的情况同样，还可以设为圆锥台形状、棱锥台形状。
如图34A及图34B所示，以覆盖第一面103a、金属配线510及发光元件150的方式形成绝缘膜156a。在该例子中，绝缘膜156a由具有光反射性的绝缘材料形成。关于绝缘膜156a，绝缘膜156a的从第一面103a起的高度被形成得比发光面151S的从第一面103a起的高度高。
除去发光元件150的上部的绝缘膜156a的一部分，露出发光面151S。在绝缘膜156a及发光面151S上形成包括多个透光性电极160k的透光性配线层160。透光性电极160k沿着Y轴方向而形成，在X轴方向上隔开且以大致相等间隔大致平行地形成。
之后，根据需要而在发光面151S的上方设置滤色器。
这样，形成子像素520。
对本实施方式的图像显示装置的效果进行说明。
本实施方式的图像显示装置与上述其他的实施方式的图像显示装置同样，由于具有不需要晶体管等电路元件的无源矩阵构造，所以能够缩短子像素520的间距。除此之外，图像显示装置的子像素520包括金属配线510，将金属配线设为与行选择电路5连接的配线。金属配线510由具有充分的厚度的金属层1114、1115形成，因此能够使布设方向的电阻量低。因而，即使在向在图2所示的显示区域2中设置于从行选择电路5离开的列的发光元件150流动了电流时，也能够抑制金属配线510的电压降。因此，能够将向行选择电路5供给的直流电源的电压设定得更低，能够降低图像显示装置的消耗电力。在允许将向行选择电路5供给的直流电源的电压某种程度设定得高的情况下，也能够向设置于从行选择电路5更离开的位置的发光元件供给充分的电压，因此能够实现具有更大的尺寸的画面的图像显示装置。
在本实施方式的图像显示装置中，能够取代上述其他的实施方式的情况下的配线110a而设为金属配线510。金属配线510也作为其他的实施方式的情况下的接合金属发挥功能。因而，能够省略形成包括多个配线110a的配线层110及绝缘层112的工序。因此，能够缩短图像显示装置的制造工序，能够谋求成本的降低、生产性的提高等。
(第六实施方式)
图35是例示本实施方式涉及的图像显示装置的一部分的示意性的俯视图。
图35示出了图1所示的a部、b部及c部的放大图。a部是相当于图1所示的显示区域2内的一部分的部分。b部是相当于图1所示的跨显示区域2及行配线区域6的区域的一部分的部分。c部是相当于图1所示的跨显示区域2及列配线区域8的区域的一部分的部分。
如图35所示，本实施方式的图像显示装置601具备配线110a、发光元件150、透光性电极670k、第一端子34、第二端子644及透光性基板680。在本实施方式中，图像显示装置601在具备透光性基板680这一点上与上述其他的实施方式的情况不同。在本实施方式的图像显示装置601中，第二端子644的结构与上述其他的实施方式的情况不同。另外，在本实施方式的图像显示装置601中，子像素620的结构与上述其他的实施方式的情况不同。对于与上述其他的实施方式的情况相同的构成要素，标注相同的附图标记，适当省略详细的说明。
在图像显示装置601中，透光性基板680以覆盖图1所示的显示区域2的方式设置。透光性基板680以超过显示区域2而覆盖图1所示的列配线区域8的一部分的方式设置。透光性基板680例如是玻璃基板。透光性电极670k沿着Y轴方向而设置。透光性电极670k设置有多条。多个透光性电极670k在X轴方向上隔开且以大致相等间隔互相大致平行地设置。透光性基板680及透光性电极670k如在后述的图36A以后说明的那样，设置于发光元件150的上方，在图35中，由双点划线表示。
图像显示装置601的子像素620在发光元件150的上方具有透光性基板680这一点上与上述其他的实施方式的情况不同。第二端子644在与设置于透光性基板680的透光性电极670k连接这一点上与上述其他的实施方式的情况不同。对于与其他的实施方式的情况相同的构成要素，标注相同的附图标记，适当省略详细的说明。
图36A～图36C是例示本实施方式涉及的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图36A是图35的A-A’线处的剖视图。图36B是图35的AA-AA’线处的剖视图。图36C是图35的C-C’线处的剖视图。需要说明的是，图35的B-B’线处的截面与上述其他的实施方式的图4A所示的截面相同，因此省略图示及详细的说明。
在本实施方式中说明的例子是不设置滤色器的黑白的图像显示装置。以下，由于1个子像素构成1个像素，所以将1个像素称作子像素。
如图36A及图36B所示，在基板600的一个面即第一面600a上设置有金属配线510及绝缘膜156a。在该例子中，基板600是具有透光性的基板，例如是玻璃基板。也可以取代玻璃基板而如上述其他的实施方式的情况那样使用在双面形成有氧化膜的Si基板。第一面600a是与XY平面大致平行的平面。金属配线510与第五实施方式的情况相同。金属配线510沿着X轴方向而设置。金属配线510设置有多条，多个金属配线510在Y轴方向上隔开且以大致相等间隔互相大致平行地设置。也可以取代金属配线510而如第一实施方式的情况那样在图3A等所示的配线110a上针对每个发光元件设置接合金属114、115。
多个发光元件(第一发光元件、第二发光元件)150与第五实施方式的情况同样地设置于金属配线510上，底面(第一底面、第二底面)153B与接合金属515相接。因此，p型半导体层153与金属配线510电连接。发光元件150在金属配线510上排列有多个，多个发光元件在金属配线510上在Y轴方向上隔开且以大致相等间隔设置。
遍及发光面151S上而设置有透光性电极(第三透光性电极、第四透光性电极)660k。透光性电极660k设置于多个发光元件150各自的发光面(第一发光面、第二发光面)151S。透光性电极660k在各向异性导电部件650与发光面151S之间针对每个发光元件150隔开设置。通过针对每个发光面151S设置透光性电极660k，在连接于各向异性导电部件650的情况下，能够与不设置透光性电极660k时相比使连接电阻下降。
绝缘膜156a以覆盖第一面600a、金属配线510、p型半导体层153及发光层152的方式设置。绝缘膜156a以覆盖n型半导体层151的侧面的方式设置，为了确保发光面151S上的光透过性，未覆盖发光面151S及发光面151S附近的n型半导体层151的侧面。
各向异性导电部件(第三各向异性导电部件)650设置于绝缘膜156a、n型半导体层151的侧面中的未被绝缘膜156a覆盖的部分及透光性电极660k上。各向异性导电部件650包括粘合剂651及各向异性导电颗粒652。粘合剂651具有与图4A及图4B所示的粘合剂31、41相同的功能，但由具有光透过性的材料构成。粘合剂651只要具有光透过性即可，可以由与粘合剂31、41相同的材料形成，也可以不同。粘合剂651作为将对置的透光性电极660k和透光性电极670k固定的粘接剂发挥功能。各向异性导电颗粒652具有与图4A及图4B所示的各向异性导电颗粒32、42相同的功能。各向异性导电颗粒652可以由与各向异性导电颗粒32、42相同的结构、材料形成，也可以不同。各向异性导电颗粒652将对置的透光性电极660k和透光性电极670k电连接。
透光性电极670k隔着各向异性导电部件650而设置于透光性电极660k上。透光性电极670k沿着Y轴方向而设置。透光性电极670k设置有多条，多个透光性电极670k在X轴方向上隔开且以大致相等间隔互相大致平行地设置。
发光元件150及透光性电极660k在金属配线510上沿着X轴方向而排列有多个。各向异性导电部件650设置于透光性电极670k与透光性电极660k之间，并且也设置于在X轴方向上相邻的透光性电极670k之间。而且，各向异性导电部件650也设置于在X轴方向上相邻的透光性电极660k之间，也设置于在X轴方向上相邻的n型半导体层151的n型半导体层151之间。
各向异性导电部件650也设置于在Y轴方向上相邻的透光性电极660k之间，也设置于在Y轴方向上相邻的发光元件150的n型半导体层151之间。
透光性电极670k的各自隔着各向异性导电部件650而设置于透光性电极660k上。在图36A所示的透光性电极670k的宽度W的区域中，各向异性导电部件650的各向异性导电颗粒652处于导通状态。在透光性电极670k和与该透光性电极670k在X轴方向上相邻地设置的透光性电极670k之间的区域中，各向异性导电颗粒652为非导通状态。因此，透光性电极660k经由第三各向异性导电部件650而与和透光性电极660k对置地设置的透光性电极670k电连接。
透光性基板680设置于第三各向异性导电部件650上。透光性基板680是具有透光性的基板，例如是玻璃基板。
如图36C所示，第二端子644经由各向异性导电部件(第二各向异性导电部件)640而连接于形成于透光性基板680上的透光性电极670k。各向异性导电部件640包括粘合剂641及各向异性导电颗粒642。粘合剂641及各向异性导电颗粒642的结构、材料及功能与粘合剂651及各向异性导电颗粒652相同。各向异性导电颗粒642与透光性电极670k和第二端子644接触，将透光性电极670k和第二端子644电连接。
第二端子644设置有多个，多个第二端子644在X轴方向上隔开且以大致相等间隔互相大致平行地设置。各向异性导电部件640分别设置于多个透光性电极670k与多个各向异性导电部件640之间。各向异性导电部件640也设置于在X轴方向上相邻的透光性电极670k之间，也设置于在X轴方向上相邻的第二端子(第三端子)644之间。
n型半导体层151经由透光性电极660k、各向异性导电部件650及透光性电极670k而与图1所示的电流驱动电路7电连接。
图37是例示本实施方式的图像显示装置的示意性的立体图。
如图37所示，本实施方式的图像显示装置在基板600上包括排列成矩阵状的许多发光元件150。排列有许多发光元件150的区域是图1所示的显示区域2，在显示区域2的端部设置有第一端子34。在排列成矩阵状的发光元件150上设置有包括粘合剂651及各向异性导电颗粒652的各向异性导电部件650。在各向异性导电部件650上设置有形成有透光性电极670k的透光性基板680。透光性电极670k与各向异性导电部件650对置地形成，透光性电极670k和排列成矩阵状的发光元件150如上述那样经由各向异性导电部件650而被电连接。
能够如图37的例子那样在透光性基板680上进一步设置滤色器180。在设置滤色器180的情况下，为了降低透光性基板680的光透过时的损失，也可以将透光性基板680薄板化。
图37是将透光性电极670k经由各向异性导电部件650而与发光元件150连接的情况的例子，但在上述其他的实施方式中，在发光元件150上直接设置有透光性电极160k的方式中，发光元件150也与该例子同样地呈矩阵状地排列有许多。
对本实施方式的图像显示装置的制造方法进行说明。
图38A是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的仰视图。
图38B是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的剖视图。
图38A是将透光性基板680从Z轴的负方向朝向正方向观察时的仰视图。图38B是图38A的D-D’线处的剖视图。
如图38A及图38B所示，透光性基板(第四基板)680具有第一面680a及第二面680b。第二面680b是第一面680a的相反侧的面。多个透光性电极(第一透光性电极、第二透光性电极)670k形成于第二面680b。关于透光性电极670k，例如，遍及第二面680b上而形成透光性导电膜，蚀刻透光性导电膜而形成沿着Y轴方向的透光性电极670k。在图38A中示出了透光性电极670k的端部设为连接区域646。
图39A是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的仰视图。
图39B是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的剖视图。
图39A是将透光性基板680从Z轴的负方向朝向正方向观察时的仰视图。图39B是图39A的D-D’线处的剖视图。
如图39A及图39B所示，经由各向异性导电部件640而将多个透光性电极(第一透光性电极、第二透光性电极)670k与多个第二端子(第二端子、第三端子)644分别电连接。各向异性导电部件640例如以包括连接区域646的方式遍及X轴方向而向第二面680b的端部涂布或粘贴。也就是说，各向异性导电部件640也设置于相邻的2个连接区域646之间的区域。
通过将透光性基板680和第二端子644在Z轴方向上加压、加热，经由连接区域646内的各向异性导电颗粒642而将透光性电极670k和第二端子644电连接。包括热固性粘接剂的粘合剂641通过加热而固化，因此第二端子644一边维持与透光性电极670k的电连接一边被固定。
图40A及图40B是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图40A、图41A、图42A及图43A是相当于图35的A-A’线处的截面的剖视图。
图40B、图41B、图42B及图43B是相当于图35的AA-AA’线处的截面的剖视图。
在以后的制造工序中，应用与在第五实施方式的情况下的图32A及图32B中说明的内容相同的结构。以下，从图32A及图32B的工序之后的工序进行说明。
如图40A及图40B所示，针对每个发光元件150在发光面151S上形成透光性电极660k。在透光性电极660k的形成工序中，例如，在图32A及图32B所示的n型半导体层1151上形成透光性的导电膜，通过蚀刻而加工导电膜，从而形成透光性电极660k。之后，通过蚀刻而加工图32A及图32B所示的半导体层1150，形成发光元件150。
如图41A及图41B所示，以覆盖绝缘膜156a、发光元件150及透光性电极660k的方式涂布或粘贴各向异性导电部件650a。在该例子中，发光元件150中的未被绝缘膜156a覆盖的n型半导体层151的侧面由各向异性导电部件650a覆盖。各向异性导电部件650a设置于透光性电极660k上，并且也设置于相邻的发光元件150之间。
各向异性导电部件650a包括粘合剂651a及各向异性导电颗粒652a。粘合剂651a及各向异性导电颗粒652a未被施加压力且未被加热，因此是初始的状态。粘合剂651a在初始状态下是具有流动性、粘着性的状态，是未发挥粘接力的状态。各向异性导电颗粒652a在初始状态下，无论在哪个方向上都未导通。
如图42A及图42B所示，准备连接有未图示的第二端子644的透光性基板680。将透光性基板680以第二面680b与各向异性导电部件650a对置的方式配置。使透光性电极670k成为与金属配线510正交的朝向，与设置于发光面151S上的透光性电极660k对位而配置。
如图43A及图43B所示，对透光性基板680及基板600在Z轴方向上施加压力并加热。通过施加的压力，透光性电极670k及透光性电极660k经由各向异性导电颗粒652而被电连接。通过加热而固化的粘合剂651将透光性电极660k和透光性电极670k以电连接的状态固定。
各向异性导电部件650沿着压力施加的方向而形成导通路径。因而，透光性电极660k和透光性电极670k被电连接的范围例如成为由透光性电极670k的X轴方向的长度规定的范围。在X轴方向上相邻的2条透光性电极670k之间的区域中，不会在X轴方向上施加压力，因此在这2条透光性电极670k之间不确立电连接。
在Y轴方向上相邻的2个透光性电极660k之间的各向异性导电部件650不会被施加Y轴方向的压力，因此这2个透光性电极660k之间的电连接不会确立。
在上述中，对将各向异性导电部件650设置于发光元件150侧的情况进行了说明，但各向异性导电部件650也可以遍及透光性基板680的第二面680b及透光性电极670k上而涂布或粘贴。
关于各向异性导电部件640的功能也是同样的。即，隔着各向异性导电部件640而对置地设置的第二端子644及透光性电极670k通过Z轴方向的压力而确保导通。相对于此，在X轴方向上相邻的2条第二端子644间及在X轴方向上相邻的2条透光性电极670k间，不会在X轴方向上施加压力。因而，在这2条第二端子644间及2条透光性电极670k间不会确保导通。
对本实施方式的图像显示装置的效果进行说明。
与上述其他的实施方式的图像显示装置同样，由于不需要具有晶体管等电路元件的无源矩阵构造，所以能够缩短子像素620的间距。在本实施方式中，如上所述，在制造方法中，将在发光元件150上形成的透光性电极670k在透光性基板680上预先形成，使用各向异性导电部件650而与发光元件150连接。因而，不会在具有台阶的面上形成透光性电极，因此，即使使发光元件150的间距短，也能够降低由透光性电极的断线等引起的成品率的下降。
另外，由于经由各向异性导电部件650而将透光性电极670k和透光性电极660k连接，所以能够减轻制造时的热应力。
而且，能够将透光性电极670k的连接工序缩短成各向异性导电部件650的形成工序及连接工序。因而，图像显示装置的制造工序被缩短，能够谋求成本降低。
(第七实施方式)
图44A及图44B是例示本实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图44A是相当于图35的A-A’线处的截面的剖视图。
图44B是相当于图35的AA-AA’线处的截面的剖视图。
如图44A及图44B所示，在本实施方式的图像显示装置中，子像素720包括基板702。基板702由有机树脂形成，优选具有挠性。在基板702上设置有具有SiO2等Si化合物的层703。层703在形成金属配线510的情况下，为了使与金属材料的密合性提高而设置。金属配线510及绝缘膜156a设置于第一面703a上。
在本实施方式的图像显示装置中，子像素720包括基板781。基板781例如由透明的有机树脂制的材料形成，优选具有挠性。基板781具有第一面781a及第二面781b。第二面781b是第一面781a的相反侧的面。透光性电极670k设置于第二面781b上。本实施方式的图像显示装置除了上述具有层703的基板702及基板781之外，包括与第六实施方式的情况相同的构成要素。关于相同的构成要素，标注相同的附图标记，省略详细的说明。
对本实施方式的图像显示装置的制造方法进行说明。
图45A及图45B是例示本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的剖视图。
图45A及图45B是相当于图35的A-A’线处的截面的剖视图。
如图45A所示，在准备的基板700上形成在第六实施方式等中说明的金属配线510、发光元件150、透光性电极660k、绝缘膜156a及第三各向异性导电部件650。基板700包括2层基板701、702及层703。例如，基板702通过在基板702的第一面701a上涂布聚酰亚胺材料且进行烧成而形成。也可以在形成基板702前在一个面701a上形成SiNx等的无机膜。在该情况下，基板702通过在形成于面701a上的无机膜上涂布聚酰亚胺材料且进行烧成而形成。层703遍及基板701的第一面701a上而形成。
在本实施方式中，取代图38A～图39B所示的透光性基板680而使用基板780。基板(第四基板)780包括2层基板781、782。基板782例如是具有透光性的基板，是玻璃基板。基板781是透明的有机树脂制的基板。如图45B所示，基板781形成于基板782的面782a上。基板781、782例如由粘接剂等贴合。
将基板701例如通过湿法蚀刻、激光剥离而除去。将基板782也例如通过湿法蚀刻等而除去。
对本实施方式的图像显示装置的效果进行说明。
在本实施方式中，由于基板702、781由成形得薄的有机树脂形成，所以能够使图像显示装置更轻量、薄型化。由于能够使基板702、781为具有挠性的材料，所以能够作为图像显示装置而进行弯曲加工，能够将向曲面的粘贴、向虚拟现实用的眼镜等可穿戴终端的利用等无违和感地实现。
(第八实施方式)
图46是例示本实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的俯视图。
在上述其他的实施方式的情况下，将谋求与行选择电路的连接的配线利用金属等具有高导电性的导电材料而形成，但在本实施方式中，谋求与电流驱动电路的连接的配线也由具有高导电率的导电材料形成。
如图46所示，本实施方式的图像显示装置包括第一金属配线812k、发光元件250、透光性电极260a及第二金属配线880a。第一金属配线812k沿着X轴方向而设置。第一金属配线812k设置有多条，多个第一金属配线812k在Y轴方向上隔开且以大致相等间隔大致平行地设置。第一金属配线812k的Y轴方向的隔开距离以成为发光元件250的间距的方式设定。需要说明的是，在本实施方式中，能够将第二金属配线880a与第二端子44直接连接。
透光性电极260a沿着Y轴方向而设置。透光性电极260a设置有多条，多个透光性电极260a在X轴方向上隔开且以大致相等间隔大致平行地设置。第二金属配线880a沿着Y轴方向而设置。第二金属配线880a设置有多条，多个第二金属配线880a在X轴方向上隔开且以大致相等间隔大致平行地设置。第二金属配线880a是与透光性电极260a不同的层，在以XY平面观察时以与透光性电极260a大致平行的方式设置。
发光元件250设置于第一金属配线812k与第二金属配线880a的交叉的交点。第二金属配线880a是与透光性电极260a不同的层，在以XY平面观察时与透光性电极260a大致平行地设置，因此发光元件250设置于第一金属配线812k与透光性电极260a的交叉的交点。
在本实施方式中，发光元件250是具有正方形截面的棱锥台形状，后述的图47A及图47B所示的发光面253S为圆形。发光元件250的形状与上述其他的实施方式的情况同样，也可以是圆锥台形状，还可以是圆柱、棱柱。
图47A及图47B是例示本实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图47A是图46的A-A’线处的剖视图。
图47B是图46的AA-AA’线处的剖视图。
如图47A及图47B所示，在基板800上形成有包括第二金属配线880a、第一金属配线812k、发光元件250及透光性电极260a的上部构造物。基板800例如是透光性基板，是玻璃基板。也可以如上述其他的实施方式的情况那样是包括Si基板及氧化膜的基板。在基板800的第一面800a上设置有第二金属配线880a。第二金属配线880a沿着Y轴方向而设置。第二金属配线880a设置有多条，多个第二金属配线880a在X轴方向上隔开且以大致相等间隔大致平行地设置。第二金属配线880a在图1所示的显示区域2的端部处连接于电流驱动电路7。第二金属配线880a例如由Al、Cu等具有高导电率的金属材料或包含Al、Cu等的合金形成。
在第一面800a及第二金属配线880a上设置有绝缘层802。绝缘层802例如是SiO2等的氧化膜等，例如通过CVD等而形成。
绝缘层802的表面被平坦化，在平坦化的绝缘层802上形成有第一金属配线812k。第一金属配线812k沿着X轴方向而形成。第一金属配线812k设置有多条，多个第一金属配线812k在Y轴方向上隔开且以大致相等间隔大致平行地设置。第一金属配线812k在图1所示的显示区域2的端部处连接于行选择电路5。
遍及第一金属配线812k上而设置有接合金属810k，在接合金属810k上设置有发光元件250。在本实施方式中，设为使p型半导体层253成为发光面253S且使n型半导体层251成为底面的发光元件250。接合金属810k与上述其他的实施方式的情况同样，为了与发光元件250的n型半导体层251欧姆连接而设置。另外，接合金属810k为了将发光元件250向下方的散射光等向发光面253S侧反射而设置。由此，发光元件250的实质性的发光效率提高。关于发光元件250的结构，与第二实施方式的情况相同，省略详细的说明。
绝缘膜156以覆盖绝缘层802、第一金属配线812k、接合金属810k及发光元件250的方式设置。在发光元件250的上方除去绝缘膜156的一部分而形成有发光面253S。绝缘膜156的材料与上述其他的实施方式的情况相同，省略详细的说明。绝缘膜156与上述其他的实施方式的情况相同，也可以设为由具有光反射性的绝缘材料形成的绝缘膜156a也是同样的。
透光性电极260a在绝缘膜156及发光元件250上沿着Y轴方向而设置。透光性电极260a以将沿着Y轴方向而排列的发光元件250的发光面253S互相连接的方式设置。透光性电极260a设置有多条。多个透光性电极260a在X轴方向上隔开且以大致相等间隔大致平行地设置。多个透光性电极260a及多个第二金属配线880a是不同的层，大致平行地分别形成。更具体而言，在存在发光元件250的区域中，多个透光性电极260a及多个第二金属配线880a隔着发光元件250、接合金属810k、第一金属配线812k及绝缘层802而在Z轴方向上层叠，以具有相同的XY坐标的方式分别配置。在不存在发光元件250的区域中，多个透光性电极260a及多个第二金属配线880a隔着绝缘膜156及绝缘层802而在Z轴方向上层叠，以具有相同的XY坐标的方式分别配置。
透光性电极260a具有接触部861a，以接触部861a与导孔862a连接。接触部861a及导孔862a设置于相邻的发光元件250之间。接触部861a及导孔862a各设置有多个，在该例子中，设置于相邻的每2个发光元件250之间。不限于该例子，也可以针对在Y轴方向上排列的多个发光元件的每个组来设置接触部861a及导孔862a。
导孔862a以贯通绝缘膜156及绝缘层802而到达第二金属配线880a的方式设置。导孔862a设置于透光性电极260a与第二金属配线880a之间，将透光性电极260a和第二金属配线880a电连接。因此，p型半导体层253经由透光性电极260a、接触部861a、导孔862a及第二金属配线880a而与电流驱动电路7电连接。
在该例子中，接触部861a及导孔862a由与透光性电极260a相同的材料形成。通过将透光性电极260a、接触部861a及导孔862a利用相同的材料形成，能够同时进行透光性电极260a的形成和导孔862a的形成。通过同时进行透光性电极260a及导孔862a的形成，接触部861a处的相互的连接也能够与透光性电极260a及导孔862a的形成同时进行。
接触部861a的形状及导孔862a的截面形状能够根据接触部861a及导孔862a的材料而合适地设定。在该例子中，由于使接触部861a及导孔862a的材料为与透光性电极260a相同的材料，所以为了降低电阻值而充分取得截面积。
对本实施方式的图像显示装置的制造方法进行说明。
在本实施方式的图像显示装置的制造方法中，第二金属配线880a的形成工序及导孔862a的形成工序与上述其他的实施方式的情况不同。在其他的点上，能够应用上述其他的实施方式的情况。
在第二金属配线880a的形成工序中，能够在准备的基板800的第一面800a上形成金属层，通过蚀刻而形成第二金属配线880a。在第二金属配线880a的形成后，以覆盖第一面800a及第二金属配线880a的方式形成绝缘层802，将绝缘层802的表面平坦化。
导孔862a的形成工序在绝缘膜156的形成工序后执行。在导孔862a的形成工序中，在导孔862a与第二金属配线880a的连接位置即接触部861a形成通孔。关于接触部861a，如上所述，选定在Y轴方向上相邻的2个发光元件250之间的位置。导孔862a用的通孔以贯通绝缘膜156及绝缘层802而到达第二金属配线880a的方式形成。
在该例子中，将用于形成透光性电极260a的具有透光性的导电膜遍及绝缘膜156及发光元件250上而形成，将形成的导电膜蚀刻而形成透光性电极260a。导孔862a通过在导电膜的形成时通孔由导电膜材料埋入而形成，经由接触部861a的导孔862a与透光性电极的连接也同时进行。
对本实施方式的图像显示装置的效果进行说明。
在本实施方式的图像显示装置中，与上述其他的实施方式的图像显示装置同样，由于具有不需要晶体管等电路元件的无源矩阵构造，所以能够缩短子像素820的间距。除此之外，电流驱动电路7与各发光元件250的连接除了透光性电极260a之外还由第二金属配线880a实现。通过透光性电极260a和第二金属配线880a并联连接，电流驱动电路7与各发光元件250之间的配线的布设方向的电阻值被降低。通过对第二金属配线880a使用包括具有高导电率的Al、Cu等的金属材料，能够降低电流驱动电路7与各发光元件250之间的布设方向的电阻量。因而，向各发光元件250供给电流的配线的电阻量下降，因此能够使驱动各发光元件250的直流电源的电压值更低，能够进一步降低图像显示装置的消耗电力。由于即使使驱动各发光元件250的直流电源的电压低也能够向各发光元件250的端子间施加充分的电压，所以能够使显示区域更大。
在制造本实施方式的图像显示装置的情况下，形成贯通多个绝缘层的导孔的技术已经确立，能够利用具有实绩的工艺来制造图像显示装置，因此能够提高制造成品率，谋求由连接不良等的降低实现的品质的提高。
在本实施方式中，对使p型半导体层253成为发光面253S的例子进行了说明，但通过应用上述其他的实施方式的例子，例如，图3A所示的使n型半导体层151成为发光面151S的图像显示装置也能够容易地制造。
(第九实施方式)
上述图像显示装置能够作为具有合适的像素数的图像显示模块而例如设为计算机用显示器、电视机、智能手机这样的便携用终端或者汽车导航等。
图48是例示本实施方式涉及的图像显示装置的框图。
在图48中示出了计算机用显示器的结构的主要部分。
如图48所示，图像显示装置901具备图像显示模块902。图像显示模块902是例如具备上述第一实施方式的情况下的结构的图像显示装置。图像显示模块902包括排列有包括子像素20的多个子像素的显示区域2、行选择电路5及电流驱动电路7。
图像显示装置901还具备控制器970。控制器970将由未图示的接口电路分离、生成的控制信号输入，对行选择电路5及电流驱动电路7控制各子像素的驱动及驱动顺序。
(变形例)
上述图像显示装置能够作为具有合适的像素数的图像显示模块而例如设为计算机用显示器、电视机、智能手机这样的便携用终端或者汽车导航等。
图49是例示本实施方式的变形例涉及的图像显示装置的框图。
在图49中示出了高清晰度薄型电视机的结构。
如图49所示，图像显示装置901a具备图像显示模块902a。图像显示模块902a是例如具备上述第一实施方式的情况的结构的图像显示装置1。图像显示装置901a具备控制器970a及帧存储器980a。控制器970a基于由总线940a供给的控制信号来控制显示区域2的各子像素的驱动顺序。帧存储器980a保存1帧的显示数据，为了顺畅的视频播放等处理而使用。
图像显示装置901a具有I/O电路910a。I/O电路910a在图49中被简记为“I/O”。I/O电路910a提供用于与外部的终端、装置等连接的接口电路等。I/O电路910a例如包括连接外设的硬盘装置等的USB接口、音频接口等。
图像显示装置901a具有接收部920a及信号处理部930a。在接收部920a上连接有天线922a，从由天线922a接收到的电波分离、生成需要的信号。信号处理部930a包括DSP(Digital Signal Processor：数字信号处理器)、CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)等，由接收部920a分离、生成的信号由信号处理部930a分离、生成为图像数据、语音数据等。
通过将接收部920a及信号处理部930a设为便携电话的收发用、WiFi用、GPS接收器等高频通信模块，也能够设为其他的图像显示装置。例如，具备合适的画面尺寸及分辨率的图像显示模块的图像显示装置能够设为智能手机、汽车导航系统等便携信息终端。
本实施方式的情况的图像显示模块不限于第一实施方式的情况下的图像显示装置的结构，也可以设为其变形例、其他的实施方式的情况。如图37所示，本实施方式及变形例的情况的图像显示模块设为包括许多子像素的结构。
根据以上说明的实施方式，能够实现高清晰度且能够高速响应的图像显示装置。
以上，说明了本发明的一些实施方式，但这些实施方式作为例子而提示，未意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围、主旨，并且包含于权利要求书所记载的发明及其等效物的范围。另外，前述的各实施方式能够相互组合而实施。
附图标记说明
1、201、601、901、901a图像显示装置，2显示区域，5、205行选择电路，6行配线区域，7、207电流驱动电路，8列配线区域，10、210、310像素，20、220、320、420、520、620、720、820子像素，30、40、640、650各向异性导电部件，100、600、702基板，110a、210k配线，112绝缘层，150、250发光元件，151S、253S发光面，156、156a绝缘膜，160k、260a、660k、670k透光性电极，180滤色器，350半导体层，510金属配线，680透光性基板，812k第一金属配线，880a第二金属配线，1001晶体生长用基板，1150半导体层，1190支承基板，1194、1294半导体生长基板。

Claims (24)

1.一种图像显示装置，其特征在于，具备：
基板；
第一配线，其沿着第一方向而形成于所述基板上；
第一发光元件，其设置于所述第一配线上，具有第一发光面；
第一透光性电极，其沿着与所述第一方向交叉的第二方向而形成，设置于所述第一发光面上；
第一各向异性导电部件，其设置于所述第一配线上；
第一端子，其经由所述第一各向异性导电部件而与所述第一配线电连接；
第二各向异性导电部件，其设置于所述第一透光性电极上；
第二端子，其经由所述第二各向异性导电部件而与所述第一透光性电极电连接，
所述第一发光元件在所述第一配线上具有第一底面，所述第一发光面设置于所述第一底面的相反侧。
2.根据权利要求1所述的图像显示装置，
还具备设置于所述第一发光元件的侧面、所述第一配线及所述基板上的绝缘膜，
所述第二端子隔着所述绝缘膜、所述第一透光性电极及所述第二各向异性导电部件而设置于所述基板上。
3.根据权利要求2所述的图像显示装置，
所述绝缘膜具有光反射性。
4.根据权利要求1所述的图像显示装置，
还具备设置于所述第一配线与所述第一发光元件之间的金属层。
5.根据权利要求1所述的图像显示装置，还具备：
第二发光元件，其在所述第一配线上与所述第一发光元件相邻地设置，具有第二发光面；
第二透光性电极，其沿着所述第二方向而形成，设置于所述第二发光面上；
透光性基板，其设置于所述第一透光性电极上及所述第二透光性电极上；
第三各向异性导电部件，其设置于所述第一发光面与所述第一透光性电极之间而将所述第一发光面和所述第一透光性电极电连接，且设置于所述第二发光面与所述第二透光性电极之间而将所述第二发光面和所述第二透光性电极电连接，
所述第二发光元件在所述第一配线上具有第二底面，所述第二发光面设置于所述第二底面的相反侧。
6.根据权利要求5所述的图像显示装置，还具备：
第三透光性电极，其设置于所述第一发光面与所述第三各向异性导电部件之间；
第四透光性电极，其设置于所述第二发光面与所述第三各向异性导电部件之间，
所述第一发光面经由所述第三透光性电极及所述第三透光性电极上的所述第三各向异性导电部件而与所述第一透光性电极电连接，
所述第二发光面经由所述第四透光性电极及所述第四透光性电极上的所述第三各向异性导电部件而与所述第二透光性电极电连接。
7.根据权利要求5所述的图像显示装置，
还具备经由所述第二各向异性导电部件而连接于所述第二透光性电极的第三端子，
所述第二端子经由所述第二端子与所述第一透光性电极之间的所述第二各向异性导电部件而连接于所述第一透光性电极，
所述第三端子经由所述第三端子与所述第二透光性电极之间的所述第二各向异性导电部件而连接于所述第二透光性电极。
8.根据权利要求5所述的图像显示装置，
所述透光性基板包括玻璃基板。
9.根据权利要求5所述的图像显示装置，
所述透光性基板包括具有挠性的基板。
10.根据权利要求5所述的图像显示装置，
所述第一发光元件包括第一半导体层、第一发光层及第二半导体层，
所述第一半导体层、所述第一发光层及所述第二半导体层从所述第一底面朝向所述第一发光面依次层叠，
所述第二发光元件包括第三半导体层、第二发光层及第四半导体层，
所述第三半导体层、所述第二发光层及所述第四半导体层从所述第二底面朝向所述第二发光面依次层叠，
所述第一半导体层及所述第三半导体层为n型，所述第二半导体层及所述第四半导体层为p型。
11.根据权利要求1所述的图像显示装置，
所述第一发光元件包含氮化镓化合物。
12.根据权利要求1所述的图像显示装置，
在所述第一发光元件上还具备波长转换部件。
13.一种图像显示装置，其特征在于，具备：
基板；
第一配线，其沿着第一方向而形成于所述基板上；
第一半导体层，其设置于所述第一配线上；
第一发光层，其设置于所述第一半导体层上；
第二发光层，其从所述第一发光层沿着所述第一方向分开且设置于所述第一半导体层上；
第二半导体层，其为与所述第一半导体层不同的导电型的半导体层，设置于所述第一发光层上，包括第一发光面；
第三半导体层，其为与所述第二半导体层相同的导电型的半导体层，设置于所述第二发光层上，包括第二发光面；
第一透光性电极，其沿着与所述第一方向交叉的第二方向而形成，设置于所述第一发光面上；
第二透光性电极，其沿着所述第二方向而形成，设置于所述第二发光面上；
第一各向异性导电部件，其设置于所述第一配线；
第一端子，其经由所述第一各向异性导电部件而与所述第一配线电连接；
第二各向异性导电部件，其设置于所述第一透光性电极上及所述第二透光性电极上；
第二端子，其经由所述第二各向异性导电部件而与所述第一透光性电极电连接；
第三端子，其经由所述第二各向异性导电部件而与所述第二透光性电极电连接；
所述第一发光面设置于与所述第一发光层相接的面的相反侧，
所述第二发光面设置于与所述第二发光层相接的面的相反侧。
14.一种图像显示装置的制造方法，其特征在于，具备：
准备在第一基板上形成有包括发光层的半导体层的第二基板的工序；
在第三基板的第一面上形成第一导电层的工序；
将所述半导体层经由所述第一导电层而向所述第三基板接合的工序；
除去所述第一基板的工序；
加工所述第一导电层而形成沿着第一方向的第一配线的工序；
加工所述半导体层而形成具有第一发光面的第一发光元件及具有第二发光面的第二发光元件的工序；
形成覆盖所述第一面、所述第一配线、所述第一发光元件及所述第二发光元件的绝缘膜的工序；
除去所述绝缘膜的一部分而使所述第一发光面及所述第二发光面露出的工序；
在所述第一发光面上形成沿着与所述第一方向交叉的第二方向而设置的第一透光性电极且在所述第二发光面上形成沿着所述第二方向而设置的第二透光性电极的工序；
在第一端子与所述第一配线之间设置第一各向异性导电部件且利用施加于所述第一端子与所述第一配线之间的压力来将所述第一端子和所述第一配线电连接的工序；
经由第二各向异性导电部件而将所述第一透光性电极和第二端子电连接且经由所述第二各向异性导电部件而将所述第二透光性电极和第三端子电连接的工序，
所述第一发光元件具有连接于所述第一配线的第一底面，所述第一发光面设置于所述第一底面的相反侧，
所述第二发光元件具有连接于所述第一配线的第二底面，所述第二发光面设置于所述第二底面的相反侧。
15.一种图像显示装置的制造方法，其特征在于，具备：
准备在第一基板上形成有包括发光层的半导体层的第二基板的工序；
在所述半导体层上形成第二导电层的工序；
准备具有第一面的第三基板的工序；
将所述半导体层经由所述第二导电层而向所述第一面接合的工序；
除去所述第一基板的工序；
加工所述第二导电层而形成沿着第一方向的第一配线的工序；
加工所述半导体层而形成具有第一发光面的第一发光元件及具有第二发光面的第二发光元件的工序；
形成覆盖所述第一面、所述第一配线、所述第一发光元件及所述第二发光元件的绝缘膜的工序；
除去所述绝缘膜的一部分而使所述第一发光面及所述第二发光面露出的工序；
在所述第一发光面上形成沿着与所述第一方向交叉的第二方向而设置的第一透光性电极且在所述第二发光面上形成沿着所述第二方向而设置的第二透光性电极的工序；
在第一端子与所述第一配线之间设置第一各向异性导电部件且利用施加于所述第一端子与所述第一配线之间的压力来将所述第一端子和所述第一配线电连接的工序；
经由第二各向异性导电部件而将所述第一透光性电极和第二端子电连接且经由所述第二各向异性导电部件而将所述第二透光性电极和第三端子电连接的工序，
所述第一发光元件具有连接于所述第一配线的第一底面，所述第一发光面设置于所述第一底面的相反侧，
所述第二发光元件具有连接于所述第一配线的第二底面，所述第二发光面设置于所述第二底面的相反侧。
16.根据权利要求14所述的图像显示装置的制造方法，
将所述第一透光性电极和所述第二端子电连接且将所述第二透光性电极和所述第三端子电连接的工序包括：
将所述第二各向异性导电部件设置于所述第一透光性电极与所述第二端子之间并且设置于所述第二透光性电极与所述第三端子之间，利用施加于所述第二端子与所述第一透光性电极之间的压力来将所述第二端子和所述第一透光性电极电连接，利用施加于所述第二透光性电极与所述第三端子之间的压力来将所述第三端子和所述第二透光性电极电连接的工序。
17.根据权利要求14所述的图像显示装置的制造方法，
形成所述第一透光性电极及所述第二透光性电极的工序包括：
在具有透光性的第四基板的第二面上形成第一透光性电极及第二透光性电极的工序；
隔着第三各向异性导电部件而将所述第一发光面及所述第二发光面所述第二面对置地配置，利用施加于所述第四基板与所述第三基板之间的压力来将所述第一发光面和所述第一透光性电极电连接并且将所述第二发光面和所述第二透光性电极电连接的工序。
18.根据权利要求14所述的图像显示装置的制造方法，
还具备在使所述第一发光面及所述第二发光面露出的工序之后在所述第一发光面上形成第三透光性电极且在所述第二发光面上形成第四透光性电极的工序。
19.根据权利要求17所述的图像显示装置的制造方法，
将所述第一透光性电极和所述第二端子电连接且将所述第二透光性电极和所述第三端子电连接的工序包括：
将所述第二各向异性导电部件设置于所述第一透光性电极与所述第二端子之间并且设置于所述第二透光性电极与所述第三端子之间，利用施加于所述第二端子与所述第四基板之间的压力来将所述第二端子和第一透光性电极电连接并且利用设置于所述第四基板与所述第三端子之间的压力来将所述第三端子和第二透光性电极电连接的工序。
20.根据权利要求17所述的图像显示装置的制造方法，
所述第四基板包括玻璃层。
21.根据权利要求20所述的图像显示装置的制造方法，
所述第四基板还包括设置于所述玻璃层上的有机树脂层，
还具备在隔着第三各向异性导电部件而将所述第一发光面及所述第二发光面与所述第四基板的第二面对置地配置且利用施加于所述第四基板与所述第三基板之间的压力来将所述第一发光面和所述第一透光性电极电连接并且将所述第二发光面和所述第二透光性电极电连接的工序之后除去所述玻璃层的工序。
22.根据权利要求14所述的图像显示装置的制造方法，
形成所述第一配线的工序在将所述半导体层向所述第三基板贴合的工序之后执行。
23.根据权利要求14所述的图像显示装置的制造方法，
还具备在所述第一发光元件上及所述第二发光元件上形成波长转换部件的工序。
24.根据权利要求23所述的图像显示装置的制造方法，
形成所述波长转换部件的工序包括将所述波长转换部件在包括所述第一发光元件及所述第二发光元件的多个发光元件上形成的工序。
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