TW202224019A - 電漿處理裝置、電漿處理系統及邊緣環之位置對準方法 - Google Patents

電漿處理裝置、電漿處理系統及邊緣環之位置對準方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種電漿處理裝置、電漿處理系統及邊緣環之位置對準方法，精度良好地將邊緣環載置於基板支持台。本發明之電漿處理裝置，對基板施行電漿處理，其包含:基板支持台，支持基板及配置於該基板之周圍的邊緣環；升降機構，使該邊緣環於上下方向移動；以及控制部；該邊緣環，具有與該邊緣環同心的孔；該基板支持台，具有載置該基板之往上方突出的凸部、以該凸部插入至該邊緣環的該孔之狀態載置該邊緣環的環載置部、及調節該凸部之溫度的調溫機構；該邊緣環的該孔與該基板支持台的該凸部，具有俯視時彼此對應之形狀；該控制部，控制該升降機構及該調溫機構，俾實行如下程序:使該邊緣環，往成為該基板支持台的該凸部插入至該邊緣環的該孔之狀態的既定位置移動；以及於該移動之程序後，將該基板支持台的該凸部加熱，使其於徑向膨脹。

Description

電漿處理裝置、電漿處理系統及邊緣環之位置對準方法
本發明係關於一種電漿處理裝置、電漿處理系統及邊緣環之位置對準方法。
專利文獻1揭露之電漿處理裝置，於載置台的頂面，以包圍半導體晶圓之周圍的方式設置對焦環。此外，於載置台上，設置用於將對焦環全體定位在載置台上的既定位置之定位銷；於對焦環，和該定位銷對應，設置定位孔。 [習知技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1:日本特開2005－033062號公報
[本發明所欲解決的問題]
本發明所揭露之技術，精度良好地將邊緣環載置於基板支持台。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣為對基板施行電漿處理之電漿處理裝置，其具有:基板支持台，支持基板及配置於該基板之周圍的邊緣環；升降機構，使該邊緣環於上下方向移動；以及控制部；該邊緣環，具有與該邊緣環同心的孔；該基板支持台，具有載置該基板之往上方突出的凸部、以該凸部插入至該邊緣環的該孔之狀態載置該邊緣環的環載置部、及調節該凸部之溫度的調溫機構；該邊緣環的該孔與該基板支持台的該凸部，具有俯視時彼此對應之形狀；該控制部，控制該升降機構及該調溫機構，俾實行如下程序:使該邊緣環，移動至成為該基板支持台的該凸部插入至該邊緣環的該孔之狀態的既定位置；以及於該移動之程序後，將該基板支持台的該凸部加熱，使其於徑向膨脹。 [本發明之效果]
依本發明，則可精度良好地將邊緣環載置於基板支持台。
在半導體元件等之製程中，對半導體晶圓（下稱「晶圓」）等基板，利用電漿，施行蝕刻等電漿處理。此一電漿處理，在將基板載置於減壓之處理容器內的基板支持台之狀態下施行。
此外，為了在基板之中央部與邊緣部獲得良好且均一的電漿處理結果，而有將以包圍基板支持台上的基板之周圍的方式配置之稱作對焦環、邊緣環等俯視時呈圓環狀的構件（下稱「邊緣環」）載置於基板支持台上之情形。使用邊緣環的情況，必須將邊緣環載置於基板支持台上的期望位置，俾於基板邊緣部中在圓周方向獲得均一的處理結果。例如，在專利文獻1，藉由設置於對焦環的定位孔、及設置於載置台的定位銷，將對焦環全體定位在載置台上的既定位置。
而在邊緣環有所消耗之情況的更換，一般而言，係由作業者施行，但亦考慮使用搬運邊緣環之搬運裝置進行更換。此一情況，藉由搬運裝置，將邊緣環載置於基板支持台之環載置部。例如，將支持邊緣環的搬運裝置從電漿處理裝置之處理室外往處理室內插入，在從基板支持台之環載置部往上方上升的升降銷上，載置邊緣環，而後，使搬運裝置從處理室退出。接著，使升降銷下降，將升降銷上之邊緣環載置於環載置部。
然則，使用搬運裝置施行邊緣環的更換之情況，在使用如同上述的定位孔與定位銷之構成中，無法以搬運裝置之邊緣環的搬運精度以上的精度，將邊緣環對於基板支持台定位。此係因，若為了正確地定位，使定位孔之內徑與定位銷之直徑的差較搬運精度更小，則有無法將定位銷插入至定位孔，無法於基板支持台上適當地載置邊緣環之情形的緣故。此外，搬運裝置之邊緣環的搬運精度，亦具有極限。
因而，本發明揭露之技術，精度良好地將邊緣環載置於基板支持台。
以下，參考圖式，並針對本實施形態的電漿處理裝置、電漿處理系統及邊緣環之位置對準方法予以說明。另，本說明書及圖式中，對於實質上具有相同功能構成之要素，給予相同符號，藉以省略重複說明。
（第1實施形態） ＜電漿處理系統＞ 圖1係顯示第1實施形態之電漿處理系統的構成之概要的俯視圖。
在圖1之電漿處理系統1，對作為基板之晶圓W，施行例如蝕刻等電漿處理。
如圖1所示，電漿處理系統1，具有大氣部10與減壓部11，此等大氣部10與減壓部11經由裝載鎖定模組20、21而一體地連接。大氣部10，具有在大氣壓氣體環境下對晶圓W施行既定處理之大氣模組。減壓部11，具有在減壓氣體環境（真空氣體環境）下對晶圓W施行既定處理之處理模組60。
裝載鎖定模組20、21，設置為經由閘閥（未圖示），將大氣部10所包含之裝載模組30，與減壓部11所包含之傳送模組50連結。裝載鎖定模組20、21，構成為將晶圓W暫時保持。此外，裝載鎖定模組20、21，構成為將內部在大氣壓氣體環境與減壓氣體環境切換。
大氣部10，具有具有後述搬運裝置40之裝載模組30、及載置前開式晶圓盒31之裝載埠32。前開式晶圓盒31，可保管複數片晶圓W。另，亦可於裝載模組30，連接調節晶圓W之水平方向的朝向之定向機構（未圖示）、及暫時收納複數片晶圓W之緩衝模組（未圖示）等。
裝載模組30，具有矩形筐體，筐體之內部維持為大氣壓氣體環境。於裝載模組30的構成筐體之長邊的一側面，並設複數個，例如5個裝載埠32。於裝載模組30的構成筐體之長邊的另一側面，並設裝載鎖定模組20、21。
於裝載模組30之內部，設置搬運晶圓W的搬運裝置40。搬運裝置40，具有支持晶圓W之搬運臂41、將搬運臂41以可旋轉的方式支持之旋轉台42、及搭載有旋轉台42之基台43。此外，於裝載模組30之內部，設置沿裝載模組30的長邊方向延伸之導軌44。基台43，設置於導軌44上；搬運裝置40，構成為可沿著導軌44移動。
減壓部11，具有:傳送模組50，搬運晶圓W及邊緣環E1；作為電漿處理裝置之處理模組60，對從傳送模組50搬運之晶圓W施行期望的電漿處理；以及作為收納部之收納模組61，收納邊緣環E1。傳送模組50及處理模組60之內部（具體而言，後述減壓搬運室51及電漿處理腔室100之內部），各自維持為減壓氣體環境，收納模組61之內部亦維持為減壓氣體環境。對於1個傳送模組50，設置複數個，例如6個處理模組60，亦設置複數個，例如2個收納模組61。另，處理模組60的數量及配置並未限定於本實施形態，可任意設定，設置更換邊緣環E1所需之至少1個處理模組即可。此外，收納模組61的數量及配置，亦未限定於本實施形態，可任意設定，至少設置1個即可。
傳送模組50，包含具有多角形（圖示之例子為四角形）的筐體之減壓搬運室51；減壓搬運室51，連接至裝載鎖定模組20、21。傳送模組50，將搬入至裝載鎖定模組20之晶圓W往一個處理模組60搬運，並將藉由處理模組60施行過期望的電漿處理之晶圓W，經由裝載鎖定模組21而往大氣部10搬出。此外，傳送模組50，將收納模組61內之邊緣環E1往一個處理模組60搬運，並將處理模組60內的更換對象之邊緣環E1，往收納模組61搬出。
處理模組60，對晶圓W施行例如蝕刻等電漿處理。此外，處理模組60，經由閘閥62而與傳送模組50連接。另，此處理模組60的構成，將於之後內容說明。
收納模組61，收納邊緣環E1，具體而言，收納邊緣環E1、及將該邊緣環E1與後述覆蓋環E2一體化的環組件E。此外，收納模組61，經由閘閥63而與傳送模組50連接。於收納模組61，設置將邊緣環E1加熱之加熱裝置61a。加熱裝置61a，例如具有發光元件，利用來自該發光元件的光線將邊緣環E1加熱。加熱裝置61a的加熱方式，並未限定於上述方式，亦可為使用高溫氣體之方式等。
於傳送模組50的減壓搬運室51之內部，設置搬運晶圓W及邊緣環E1（具體而言，環組件E）的搬運裝置70。搬運裝置70，與前述搬運裝置40同樣地，具有:搬運臂71，在搬運時支持晶圓W及環組件E；旋轉台72，以可旋轉的方式支持搬運臂71；以及基台73，搭載旋轉台72。此外，於傳送模組50之內部，設置沿傳送模組50的長邊方向延伸之導軌74。基台73，設置於導軌74上；搬運裝置70，構成為可沿著導軌74移動。
在傳送模組50，使搬運臂71承接保持在裝載鎖定模組20內之晶圓W，往處理模組60搬入。此外，使搬運臂71承接保持在處理模組60內之晶圓W，往裝載鎖定模組21搬出。 進一步，在傳送模組50，使搬運臂71承接收納模組61內之邊緣環E1（具體而言，環組件E），往處理模組60搬入。此外，使搬運臂71承接保持在處理模組60內之邊緣環E1（具體而言，環組件E），往收納模組61搬出。
進一步，電漿處理系統1，具有控制裝置80。一實施形態中，控制裝置80，處理使電漿處理系統1實行本發明中所述之各種程序的電腦可實行之命令。控制裝置80，可構成為分別控制電漿處理系統1之其他要素，俾實行此處所述之各種程序。一實施形態中，亦可使控制裝置80的部分或全部包含於電漿處理系統1之其他要素。控制裝置80，例如亦可包含電腦90。電腦90，例如亦可包含處理部（CPU:Central Processing Unit, 中央處理器）91、記憶部92、及通訊介面93。處理部91，可構成為依據收納在記憶部92的程式，施行各種控制動作。記憶部92，亦可包含RAM（Random Access Memory, 隨機存取記憶體）、ROM（Read Only Memory, 唯讀記憶體）、HDD（Hard Disk Drive, 硬碟）、SSD（Solid State Drive, 固態硬碟）、或其等之組合。通訊介面93，亦可經由LAN（Local Area Network, 區域網路）等通訊線路而在與電漿處理系統1的其他要素之間進行通訊。
此外，控制裝置80，兼作為對於作為電漿處理裝置之處理模組60的控制部。
＜電漿處理系統1的晶圓處理＞ 接著，針對使用如同上述地構成之電漿處理系統1施行的晶圓處理予以說明。
首先，藉由搬運裝置40，從期望的前開式晶圓盒31將晶圓W取出，往裝載鎖定模組20搬入。而後，使裝載鎖定模組20內密閉，將其減壓。而後，使裝載鎖定模組20之內部與傳送模組50之內部連通。
接著，藉由搬運裝置70保持晶圓W，從裝載鎖定模組20往傳送模組50搬運。
接著，使閘閥62開放，藉由搬運裝置70將晶圓W往既定處理模組60搬入。而後，將閘閥62關閉，於處理模組60中對晶圓W施行既定處理。另，對於在此處理模組60中對晶圓W施行的處理，於之後內容說明。
接著，使閘閥62開放，藉由搬運裝置70將晶圓W從處理模組60搬出。而後，將閘閥62關閉。
接著，藉由搬運裝置70，將晶圓W往裝載鎖定模組21搬入。若往裝載鎖定模組21搬入晶圓W，則將裝載鎖定模組21內密閉，使其大氣開放。而後，使裝載鎖定模組21之內部與裝載模組30之內部連通。
接著，使搬運裝置40保持晶圓W，從裝載鎖定模組21經由裝載模組30返回期望的前開式晶圓盒31而收納。至此，結束電漿處理系統1中之一連串的晶圓處理。
＜處理模組60＞ 而後，利用圖2及圖3，針對處理模組60予以說明。圖2係顯示處理模組60的構成之概要的縱剖面圖。圖3係圖2的部分放大圖。
如圖2所示，處理模組60，包含作為處理容器的電漿處理腔室100、氣體供給部120、RF（Radio Frequency:高頻）電力供給部130及排氣系統140。進一步，處理模組60，包含作為基板支持台的晶圓支持台101、及上部電極102。
晶圓支持台101，配置於構成為可減壓的電漿處理腔室100內之電漿處理空間100s的下部區域。上部電極102，配置於晶圓支持台101之上方，可作為電漿處理腔室100之頂部（ceiling）的一部分而作用。
晶圓支持台101，構成為於電漿處理空間100s中支持晶圓W及邊緣環E1（具體而言，環組件E）。一實施形態中，晶圓支持台101，包含基台103、靜電吸盤104、足部105、升降銷106、及升降銷107。
基台103，具有作為下部電極的功能。此外，基台103，固定靜電吸盤104，支持絕緣環103c。基台103，例如以鋁等導電性的金屬形成。 基台103，於中央部具有固定靜電吸盤104的固定部103a，於邊緣部具有載置支持覆蓋環E2之絕緣環103c的載置部103b。固定部103a的頂面，較載置部103b的頂面更高。本實施形態中，基台103，使固定部103a與載置部103b成為一體而構成。
此外，於基台103之內部（具體而言，固定部103a之內部），形成作為調溫機構的調溫流體之流路103d。從設置於電漿處理腔室100之外部的急冷器單元（未圖示）供給調溫流體。供給至流路103d的調溫流體，返回急冷器單元。於流路103d中，藉由使作為調溫流體之例如低溫的鹽水循環，例如，可將晶圓支持台101、載置於晶圓支持台101之晶圓W及邊緣環E1冷卻至既定溫度。於流路103d中，藉由使作為調溫流體之例如高溫的鹽水循環，例如，可將晶圓支持台101、載置於晶圓支持台101之晶圓W及邊緣環E1加熱至既定溫度。
固定部103a，形成為圓柱狀，與靜電吸盤104之後述環載置部104b幾近同徑。 載置部103b，形成為圓環板狀。
絕緣環103c，為俯視時呈圓環狀的構件，由隔熱性及電氣絕緣性高的材料形成。絕緣環103c之內徑，較基台103的固定部103a之徑略大；絕緣環103c之外徑，與基台103的載置部103b之外徑幾近相同。 絕緣環103c，於在晶圓支持台101載置使邊緣環E1與覆蓋環E2一體化的環組件E時，支持覆蓋環E2。
邊緣環E1及覆蓋環E2，皆為俯視時呈圓環狀的構件。
邊緣環E1，以包圍載置於靜電吸盤104之晶圓W的方式配置。邊緣環E1，俯視時呈圓環狀，故具有與該邊緣環E1同心之圓形的孔E1a。邊緣環E1的材料，例如使用導電性的矽（Si）或碳化矽（SiC）。 邊緣環E1，其內徑形成為較靜電吸盤104的後述晶圓載置部104a之外徑略大，例如形成為大0.3～0.8mm。
覆蓋環E2，覆蓋邊緣環E1的外側面，並在邊緣環E1的搬運時及升降時，與邊緣環E1一體化而成為環組件E。覆蓋環E2的材料，例如使用隔熱性及電氣絕緣性高的材料。 覆蓋環E2，其外徑較邊緣環E1之外徑更大，其內徑較邊緣環E1之內徑更大、較邊緣環E1之外徑更小。此外，覆蓋環E2，其內徑形成為較靜電吸盤104的後述環載置部104b及基台103的固定部103a之外徑略大。另，覆蓋環E2之內徑與環載置部104b之外徑的差，成為較邊緣環E1之內徑與晶圓載置部104a之外徑的差更大；在靜電吸盤104膨脹時，先與邊緣環E1抵接而非覆蓋環E2，成為不與覆蓋環E2抵接。 在環組件E之狀態，亦即與邊緣環E1一體化之狀態中，覆蓋環E2，俯視時一部分與邊緣環E1重疊，從下方支持邊緣環E1。
於覆蓋環E2的頂面，如圖3所示，形成與該覆蓋環E2同心之環狀突起E2a。此外，在邊緣環E1之與環狀突起E2a對應的位置，以和環狀突起E2a卡合的方式形成與該邊緣環E1同心之環狀凹部E1b。藉由使環狀突起E2a和環狀凹部E1b卡合，例如，可防止在電漿處理時自由基從邊緣環E1與覆蓋環E2之間的間隙往晶圓W側侵入。
靜電吸盤104，設置於基台103的固定部103a上，藉由靜電力將晶圓W與邊緣環E1雙方吸附保持。
靜電吸盤104，於中央部具有載置晶圓W之晶圓載置部104a，於邊緣部具有載置邊緣環E1之環載置部104b。晶圓載置部104a的頂面，較環載置部104b的頂面更高。
換而言之，靜電吸盤104，具有載置晶圓W之往上方突出的凸部（相當於晶圓載置部104a的上部）、以及設置於該凸部之周圍的環載置部104b。此外，於環載置部104b，以該凸部（即晶圓載置部104a的上部）插入至邊緣環E1的孔E1a之狀態，載置該邊緣環E1。 靜電吸盤104的該凸部（即晶圓載置部104a的上部）與邊緣環E1的孔E1a，具有俯視時彼此對應之形狀。在本實施形態，邊緣環E1的孔E1a如同上述地呈圓形，故靜電吸盤104的該凸部（即晶圓載置部104a的上部）之俯視時的形狀，例如為圓形。
於靜電吸盤104的晶圓載置部104a，設置用於將晶圓W藉由靜電吸附而保持之電極108；於環載置部104b，設置用於將邊緣環E1藉由靜電吸附而保持之電極109。晶圓載置部104a及環載置部104b，具有在由絕緣材料構成的絕緣材之間將電極108、109夾入的構成。
對電極108，施加來自直流電源（未圖示）的直流電壓。藉由藉此產生的靜電力，於晶圓載置部104a將晶圓W吸附保持。同樣地，對電極109，施加來自直流電源（未圖示）的直流電壓。藉由藉此產生的靜電力，於環載置部104b將邊緣環E1吸附保持。
此外，晶圓載置部104a，例如，形成為較晶圓W的直徑更為小徑之圓柱狀；在將晶圓W載置於晶圓載置部104a時，晶圓W的邊緣部從晶圓載置部104a伸出。 另，邊緣環E1，於其上部形成段差，將外周部的頂面形成為較內周部的頂面更高。邊緣環E1的內周部，形成為往從晶圓載置部104a伸出之晶圓W的邊緣部之下側探入。亦即，邊緣環E1，其內徑形成為較晶圓W之外徑更小。
環載置部104b，例如形成為圓環板狀，其外徑較邊緣環E1之內徑更大、較邊緣環E1之外徑更小；在將邊緣環E1載置於環載置部104b時，邊緣環E1的邊緣部從環載置部104b伸出。 另，覆蓋環E2，於其上部形成段差，將外周部的頂面形成為較內周部的頂面更高。覆蓋環E2之內周部，形成為往從環載置部104b伸出之邊緣環E1的邊緣部之下側探入。
雖圖示省略，但於晶圓載置部104a，為了對載置於該晶圓載置部104a之晶圓W的背面供給熱傳氣體，形成氣體供給孔；同樣地，於環載置部104b，為了對載置於該晶圓載置部104a之邊緣環E1的背面供給熱傳氣體，形成氣體供給孔。從此等氣體供給孔，供給來自氣體供給部（未圖示）之熱傳氣體。氣體供給部，亦可包含一或複數個氣體源及一或複數個壓力控制器。一實施形態中，氣體供給部，例如構成為將來自氣體源之熱傳氣體，經由壓力控制器往熱傳氣體供給孔供給。 本實施形態中，靜電吸盤104，構成為使晶圓載置部104a與環載置部104b成為一體。
足部105，係以陶瓷等絕緣材料形成之圓筒狀的構件，支持基台103。足部105，例如形成為具有與基台103之外徑同等之外徑，支持基台103的邊緣部。
如圖2所示，升降銷106，係以從靜電吸盤104之晶圓載置部104a的頂面伸出縮入之方式升降的柱狀構件，例如由陶瓷形成。升降銷106，沿著靜電吸盤104之圓周方向，具體而言，沿著晶圓載置部104a的頂面之圓周方向，彼此隔著間隔而設置3根以上。升降銷106，例如，沿著上述圓周方向等間隔地設置。升降銷106，設置為沿上下方向延伸。
升降銷106，與使該升降銷106升降之銷升降機構110連接。銷升降機構110，例如具有:支持構件111，支持複數根升降銷106；以及驅動部112，產生使支持構件111升降的驅動力，使複數根升降銷106升降。驅動部112，具有產生上述驅動力之驅動組件或驅動機構（例如，致動器、馬達及／或其他元件）。
升降銷106貫穿過貫通孔113；該貫通孔113，從靜電吸盤104之晶圓載置部104a的頂面往下方延伸，到達至基台103的底面。貫通孔113，換而言之，形成為貫通靜電吸盤104的晶圓載置部104a及基台103。 升降銷106的上端面，在升降銷106上升時支持晶圓W的背面。
升降銷107，係以從靜電吸盤104之環載置部104b的頂面伸出縮入之方式升降的柱狀構件，例如由氧化鋁、石英、SUS等形成。升降銷107，沿著靜電吸盤104之圓周方向，具體而言，沿著環載置部104b的頂面之圓周方向，彼此隔著間隔而設置3根以上。升降銷107，例如，沿著上述圓周方向等間隔地設置。升降銷107，設置為沿上下方向延伸。
升降銷107，與將升降銷107驅動之銷升降機構114連接。銷升降機構114，例如具有:支持構件115，支持複數根升降銷107；以及驅動部116，產生使支持構件115升降的驅動力，使複數根升降銷107升降。驅動部116，具有產生上述驅動力之驅動組件或驅動機構（例如，致動器、馬達及／或其他元件）。
升降銷107貫穿過貫通孔117；該貫通孔117，從基台103的載置部103b所載置之絕緣環103c的頂面往下方延伸，到達至基台103的底面。貫通孔117，換而言之，形成為貫通絕緣環103c及基台103的載置部103b。
如同上述之升降銷107，係為了在處理模組60與傳送模組50之間的邊緣環E1（具體而言，環組件E）之傳遞而支持該邊緣環E1（具體而言，環組件E）使其升降的傳遞構件。升降銷107的上端面，構成為支持環組件E之覆蓋環E2的底面。 此外，升降銷107與銷升降機構114，構成為使邊緣環E1（具體而言，環組件E）於上下方向移動，亦即升降之升降機構。
上部電極102，亦作為將來自氣體供給部120之一或複數種處理氣體往電漿處理空間100s供給的沖淋頭而作用。一實施形態中，上部電極102，具有氣體入口102a、氣體擴散室102b、及複數個氣體出口102c。氣體入口102a，例如，和氣體供給部120及氣體擴散室102b流體連通。複數個氣體出口102c，和氣體擴散室102b及電漿處理空間100s流體連通。一實施形態中，上部電極102，構成為將一或複數種處理氣體，從氣體入口102a經由氣體擴散室102b及複數個氣體出口102c，往電漿處理空間100s供給。
氣體供給部120，亦可包含一或複數個氣體源121及一或複數個流量控制器122。一實施形態中，氣體供給部120，例如構成為將一或複數種處理氣體，從各自對應之氣體源121，經由各自對應之流量控制器122而往氣體入口102a供給。各流量控制器122，例如，亦可包含質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。進一步，氣體供給部120，亦可包含將一或複數種處理氣體的流量予以調變或脈波化之一或複數個流量調變元件。
RF電力供給部130，構成為將RF電力，例如一或複數RF訊號，對係下部電極之基台103、上部電極102、或係下部電極之基台103及上部電極102雙方的一或複數個電極供給。藉此，由供給至電漿處理空間100s之一或複數種處理氣體生成電漿。因此，RF電力供給部130，可作為構成為於電漿處理腔室中由一或複數種處理氣體生成電漿之電漿生成部的至少一部分而作用。RF電力供給部130，例如包含2個RF生成部131a、131b，及2個匹配電路132a、132b。一實施形態中，RF電力供給部130，構成為將第一RF訊號，從第一RF生成部131a經由第一匹配電路132a而對作為下部電極的基台103供給。例如，第一RF訊號，亦可具有27MHz～100MHz之範圍內的頻率。
此外，一實施形態中，RF電力供給部130，構成為將第二RF訊號，從第二RF生成部131b經由第二匹配電路132b而對作為下部電極的基台103供給。例如，第二RF訊號，亦可具有400kHz～13.56MHz之範圍內的頻率。取而代之，亦可使用DC（Direct Current）脈波生成部取代第二RF生成部131b。
進一步，雖圖示省略，但本發明中亦考量其他實施形態。例如，於代替實施形態中，RF電力供給部130，亦可構成為將第一RF訊號從RF生成部對係下部電極的基台103供給，將第二RF訊號從另一RF生成部對作為下部電極的基台103供給，將第三RF訊號從更另一RF生成部對係下部電極的基台103供給。此外，於另一代替實施形態中，亦可對上部電極102施加DC電壓。
此外，進一步，於各種實施形態中，亦可將一或複數RF訊號（即第一RF訊號、第二RF訊號等）之振幅予以脈波化或調變。振幅調變，亦可包含在ON（導通）狀態與OFF（關閉）狀態之間，抑或在2種或以上之不同的ON狀態之間將RF訊號振幅脈波化。
排氣系統140，例如可與設置於電漿處理腔室100之底部的排氣口100e連接。排氣系統140，亦可包含壓力閥及真空泵。真空泵，亦可包含渦輪分子泵、粗抽真空泵或其等的組合。
＜處理模組60的晶圓處理＞ 接著，針對使用處理模組60施行的晶圓處理之一例予以說明。另，在處理模組60，對晶圓W施行例如蝕刻處理、成膜處理等處理。
首先，往電漿處理腔室100之內部搬入晶圓W，藉由升降銷106之升降將晶圓W載置於靜電吸盤104上。而後，對靜電吸盤104之電極108施加直流電壓，藉此，藉由靜電力，將晶圓W靜電吸附於靜電吸盤104，予以保持。此外，在晶圓W的搬入後，藉由排氣系統140，將電漿處理腔室100之內部減壓至既定的真空度。
接著，從氣體供給部120，經由上部電極102而對電漿處理空間100s供給處理氣體。此外，從RF電力供給部130，對係下部電極之基台103供給電漿生成用的高頻電力HF，藉此，激發處理氣體，生成電漿。此時，亦可從RF電力供給部130供給離子導入用的高頻電力LF。而後，藉由生成之電漿的作用，對晶圓W施行電漿處理。
電漿處理結束時，停止來自RF電力供給部130的高頻電力HF之供給、及來自氣體供給部120的處理氣體之供給。於電漿處理中供給高頻電力LF之情況，亦停止該高頻電力LF之供給。接著，停止直流電壓的對電極108之施加，停止靜電吸盤104所進行的晶圓W之吸附保持。
而後，藉由升降銷106使晶圓W上升，使晶圓W從靜電吸盤104脫離。亦可於此一脫離時，施行晶圓W的電性中和。而後，從電漿處理腔室100將晶圓W搬出，結束一連串的晶圓處理。
＜安裝處理之例1＞ 而後，利用圖4～圖8，說明使用前述電漿處理系統1施行的邊緣環E1之往處理模組60內的安裝處理，其係包含邊緣環E1之對於晶圓支持台101的位置對準處理的處理之一例。圖4～圖8係本例之安裝處理中的晶圓支持台101之周邊狀態的示意圖。另，以後的圖式中，以向右黑箭頭表示各構件因加熱而膨脹的情況，以向左白箭頭表示各構件因冷卻而收縮的樣子。
在上述位置對準處理，具體而言，施行使靜電吸盤104之晶圓載置部104a的中心軸與邊緣環E1的中心軸接近之中心調整（centering）。另，下述處理，係在控制裝置80之控制下，於真空氣體環境中施行。
（步驟S1:邊緣環E1的搬運） 首先，將收納在收納模組61的邊緣環E1，往係邊緣環E1的安裝對象之處理模組60搬運。 具體而言，藉由搬運裝置70之搬運臂71，保持收納模組61內的環組件E。接著，將保持環組件E之搬運臂71，經由搬出入口（未圖示），往上述係安裝對象之處理模組60所具有的經過減壓之電漿處理腔室100內插入。而後，將保持在搬運臂71的環組件E，往位於靜電吸盤104之邊緣部的環載置部104b之上方搬運。接著，施行升降銷107之上升，將環組件E從搬運臂71往升降銷107傳遞。而後，施行搬運臂71的從電漿處理腔室100之退出，亦即搬運臂71之退避。
（步驟S2:邊緣環E1之下降） 而後，如圖4所示，使邊緣環E1下降，俾將晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）插入邊緣環E1的孔E1a。 具體而言，施行從搬運臂71承接過環組件E的升降銷107之下降。
（步驟S3:邊緣環E1的往既定位置之移動） 接著，如圖5所示，使邊緣環E1，往成為晶圓支持台101的凸部（亦即晶圓載置部104a的上部）插入至邊緣環E1的孔E1a之狀態的既定位置移動。 具體而言，例如，施行從搬運臂71承接過環組件E的升降銷107之下降，直至邊緣環E1之位置成為上述既定位置為止。上述既定位置，例如，係在晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）插入至邊緣環E1的孔E1a之狀態下，邊緣環E1從環載置部104b的頂面往上方分離之位置。上述既定位置中之從邊緣環E1的底面至環載置部104b之距離，可將邊緣環E1與環載置部104b真空隔熱即可，例如為0.3～1mm。 此外，從步驟S1至步驟S3之間，邊緣環E1及靜電吸盤104之溫度為常溫（例如25℃）。
（步驟S4:凸部之膨脹） 步驟S3後，如圖6所示，將晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）加熱，使其膨脹。如此地使其膨脹時，若邊緣環E1對晶圓載置部104a偏心，則該凸部與上述既定位置之邊緣環E1抵接。若其後仍繼續膨脹，則隨著膨脹，靜電吸盤104之晶圓載置部104a的中心軸與邊緣環E1的中心軸接近。
更具體而言，使高溫的流體於基台103之流路103d流通，將包含靜電吸盤104的晶圓載置部104a在內之晶圓支持台101全體加熱，使晶圓載置部104a膨脹。此時，即便將晶圓支持台101全體加熱，由於邊緣環E1仍位於上述既定位置，從環載置部104b分離，故並未加熱。在如此地膨脹時，若邊緣環E1對晶圓載置部104a偏心，則晶圓載置部104a（具體而言，其側面），與上述既定位置之邊緣環E1從形成孔E1a的內周面側抵接。抵接後，仍使高溫的流體於基台103之流路103d持續流通，將晶圓載置部104a加熱而使其膨脹，藉以將邊緣環E1推抵住晶圓載置部104a，在覆蓋環E2上移動。藉此，使靜電吸盤104之晶圓載置部104a的中心軸與邊緣環E1的中心軸接近。
此一程序，例如，在高溫的流體之流通開始後經過既定時間時結束。 在此一程序，例如將晶圓載置部104a加熱至100℃以上。另，若僅使高溫的流體於流路103d流通，則在無法將晶圓載置部104a充分地加熱而無法充分膨脹之情況，亦可在流路103d以外，或取代流路103d，設置加熱能力更高之其他加熱機構。其他加熱機構，例如為電阻加熱器，例如設置於靜電吸盤104。
（步驟S5:凸部之收縮） 在步驟S4之膨脹程序後，如圖7所示，停止晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）之加熱，將該凸部冷卻，使其於徑向收縮。 具體而言，停止高溫的流體之對於基台103的流路103d之流通，將晶圓載置部104a例如冷卻至常溫，使其於徑向收縮。藉此，即便為步驟S4中，晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）與邊緣環E1抵接之情況，仍可於該凸部與邊緣環E1之間形成間隙（clearance）。因此，在後續程序使邊緣環E1下降時，可防止中心調整後之邊緣環E1與該凸部摩擦而使位置偏移、產生微粒等的情形。另，亦可將此一程序省略。此外，省略的情況，亦可預先以潤滑材料被覆該凸部（即晶圓載置部104a的上部）的側面及邊緣環E1的內周面之至少任一方。 此外，本程序中之晶圓支持台101的凸部之冷卻時，亦可使低溫的流體於基台103之流路103d流通。藉此，可在短時間將晶圓載置部104a冷卻至期望之溫度。
（步驟S6:邊緣環E1之載置） 靜電吸盤104之冷卻後，如圖8所示，使邊緣環E1下降，將其載置於環載置部104b。 具體而言，施行支持環組件E的升降銷107之下降，將邊緣環E1載置於環載置部104b，將覆蓋環E2載置於載置部103b上之絕緣環103c。而後，對設置於環載置部104b之電極109，施加來自直流電源（未圖示）的直流電壓，藉由藉此產生之靜電力，將邊緣環E1吸附保持在環載置部104b的頂面。 至此，結束一連串之邊緣環E1的安裝處理。 藉由上述安裝處理，無論搬運裝置70之邊緣環E1的搬運精度，而以在晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）與邊緣環E1之間涵蓋全周隔著略均等的間隙（例如，0.1～0.2mm的間隙）之狀態，將邊緣環E1載置於環載置部104b。
另，邊緣環E1（具體而言，環組件E）的卸除處理，與利用升降銷106將晶圓W從晶圓支持台101取下之周知處理相同，故省略其說明。
＜安裝處理之例2＞ 而後，利用圖9～圖11，說明邊緣環E1的安裝處理之另一例。圖9～圖11係本例之安裝處理中的晶圓支持台101之周邊狀態的示意圖。另，下述處理，係在控制裝置80之控制下，於真空氣體環境中施行。
首先，施行上述步驟S1之邊緣環E1的搬運。
（步驟S1a:凸部之收縮） 接著，於步驟S2的使邊緣環E1下降之程序前，如圖9所示，將晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）冷卻，使其於徑向收縮。 具體而言，使低溫的流體於基台103之流路103d流通，將包含靜電吸盤104的晶圓載置部104a在內之晶圓支持台101全體冷卻，使晶圓載置部104a收縮。
而後，施行上述步驟S2的邊緣環E1之下降。此一下降時，藉由上述步驟S1a的程序，使晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）收縮。因此，即便於步驟S1之搬運程序中，邊緣環E1（具體而言，環組件E）之往升降銷107的傳遞位置之精度劣化，在本步驟S2之下降程序仍可使邊緣環E1不覆於晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）之上。
（步驟S2a） 接著，於步驟S3的使邊緣環E1往既定位置移動之程序前，如圖10所示，將邊緣環E1載置於環載置部104b並冷卻，使其於徑向收縮。 具體而言，施行支持環組件E的升降銷107之下降，將邊緣環E1載置於環載置部104b，將覆蓋環E2載置於載置部103b上之絕緣環103c。而後，對設置於環載置部104b之電極109，施加來自直流電源（未圖示）的直流電壓，藉由藉此產生之靜電力，將邊緣環E1吸附保持在環載置部104b的頂面。此外，使低溫的流體於基台103之流路103d流通，將包含靜電吸盤104的環載置部104b在內之晶圓支持台101全體冷卻。進一步，往邊緣環E1的背面供給熱傳氣體。藉此，將邊緣環E1冷卻，使其收縮。
而後，施行上述步驟S3的使邊緣環E1往既定位置移動之程序。具體而言，在藉由停止直流電壓的對電極109之施加而解除邊緣環E1的吸附保持，且亦停止熱傳氣體的供給後，使升降銷107上升。藉此，將邊緣環E1（具體而言，環組件E）往升降銷107傳遞。而後，施行升降銷107之上升，直至邊緣環E1成為前述既定位置為止。
而後，如圖11所示，施行上述步驟S4之使晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）膨脹之程序。此一膨脹時，藉由上述步驟S2a之程序，使邊緣環E1收縮。因此，即便在步驟S4使晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）膨脹之量小，仍可大幅修正邊緣環E1的對於晶圓載置部104a之偏心度。換而言之，即便作為調溫機構之流路103d的加熱能力低，仍可大幅修正邊緣環E1的對於晶圓載置部104a之偏心度。
而後，施行將上述步驟S5之晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）冷卻，使其於徑向收縮之程序，施行將邊緣環E1載置於環載置部104b之程序。 至此，結束一連串之邊緣環E1的安裝處理。
＜安裝處理之例3＞ 而後，利用圖12，說明邊緣環E1的安裝處理之另一例。圖12係本例之安裝處理中的晶圓支持台101之周邊狀態的示意圖。另，下述處理，係在控制裝置80之控制下，於真空氣體環境中施行。
本例的安裝處理，與前述安裝處理之例1、例2同樣地，施行步驟S1的搬運邊緣環E1之程序。 在安裝處理之例2，將收納在收納模組61之邊緣環E1，在常溫的狀態下，搬運至處理模組60。相對於此，本例中，將收納在收納模組61之邊緣環E1，如圖12所示，在加熱至常溫以上的高溫而膨脹之狀態下，往處理模組60搬運。
具體而言，將收納模組61內的環組件E，於加熱裝置61a加熱。將加熱後的環組件E，藉由搬運裝置70之搬運臂71保持。接著，將保持環組件E之搬運臂71，經由搬出入口（未圖示），往上述係安裝對象之處理模組60所具有的經過減壓之電漿處理腔室100內插入。而後，將保持在搬運臂71的環組件E，往環載置部104b之上方搬運。接著，施行升降銷107之上升，將環組件E從搬運臂71往升降銷107傳遞。而後，施行搬運臂71的從電漿處理腔室100之退出，亦即搬運臂71之退避。
之後的處理，與前述安裝處理之例1或例2相同。亦即，本例中，在步驟S2的使邊緣環E1下降之程序的階段，使邊緣環E1膨脹。因此，即便於步驟S1之搬運程序中邊緣環E1（具體而言，環組件E）之往升降銷107的傳遞位置之精度劣化，在步驟S2之下降程序仍可使邊緣環E1不覆於晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）之上。 此外，藉由組合如同本例地預先使邊緣環E1膨脹之程序、及如同前述安裝處理之例2的步驟S1a地預先使晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）收縮之程序，而可更確實地防止前述邊緣環E1的上覆。
如同上述，在本實施形態的邊緣環之位置對準，使邊緣環E1，往成為晶圓支持台101的凸部（亦即晶圓載置部104a的上部）插入至邊緣環E1的孔E1a之狀態的既定位置移動。而後，將晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）加熱，使其於徑向膨脹。因此，在邊緣環E1對晶圓載置部104a偏心之情況，可使靜電吸盤104之晶圓載置部104a的中心軸與邊緣環E1的中心軸接近。亦即，可修正偏心。因此，依本實施形態，無論搬運裝置70之邊緣環E1的搬運精度，可精度良好地將邊緣環E1載置於晶圓支持台101。
在本實施形態，使用覆蓋環E2；成為在安裝邊緣環E1時，使邊緣環E1以與覆蓋環E2一體化之狀態於上下方向移動的構成。本發明所揭露之技術，並未限定於此一構成，亦可應用在安裝邊緣環E1時，使邊緣環E1單體於上下方向移動的構成。然則，修正邊緣環E1的對於晶圓載置部104a之偏心時，為前者的構成之情況，邊緣環E1在升降銷107所支持之覆蓋環E2上移動；相對於此，為後者的構成之情況，邊緣環E1在升降銷107上移動。因此，前者的構成，可更順暢地修正上述偏心。
此外，本實施形態的邊緣環E1之位置對準，係以載置處理對象之晶圓W的靜電吸盤104為基準進行位置對準，而非基台103，。因此，即便靜電吸盤對於基台103偏離固定，仍可使靜電吸盤104與邊緣環E1之位置關係適當。
（第2實施形態） ＜處理模組60a＞ 圖13係顯示第2實施形態之處理模組的構成之概要的部分放大剖面圖。
在圖13之處理模組60a中，靜電吸盤104，使晶圓載置部104a與環載置部104b成為分開的構件。 此外，固定部103a，使固定靜電吸盤104的晶圓載置部104a之第1固定部201，與固定環載置部104b之第2固定部202，成為分開的構件。進一步，於第1固定部201形成調溫流體之第1流路201a，於第2固定部202形成調溫流體之第2流路202a，將調溫流體的往第1流路201a之流通、與調溫流體的往第2流路202a之流通，彼此獨立地控制。第2流路202a，構成將環載置部104b之溫度獨立於晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）而調節的調溫機構。另一方面，第1流路201a，構成將該凸部（即晶圓載置部104a的上部）之溫度獨立於環載置部104b之溫度而調節的另一調溫機構。
為了提高晶圓載置部104a與環載置部104b之間的隔熱性，亦可於兩者之間，設置由隔熱材料形成的隔熱部211。同樣地，為了提高第1固定部201與第2固定部202之間的隔熱性，亦可於兩者之間，設置由隔熱材料形成的隔熱部212。
使用此一處理模組60a之情況，邊緣環E1的安裝，可與使用第1實施形態之處理模組60a的情況同樣地施行。例如，在使用處理模組60a的情況，亦可藉由前述的安裝處理之例1～例3，安裝邊緣環E1。另，此一情況，於步驟S4之將晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）加熱而使其於徑向膨脹之程序中，亦可不將環載置部104b加熱地，於該環載置部104b載置邊緣環E1。換而言之，亦可使步驟S4之使晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）膨脹之程序中的係邊緣環E1之位置的「既定位置」，為載置於環載置部104b的位置，而非從環載置部104b分離的位置。
然則，在步驟S4之使晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）膨脹之程序，藉由先使邊緣環E1從環載置部104b分離，而可防止在邊緣環E1推抵該凸部而移動時因與環載置部104b摩擦而造成之影響。
此外，在步驟S4之使晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）膨脹之程序，於環載置部104b載置邊緣環E1的情況，亦可如同下述地進行。亦即，在步驟S4之使晶圓支持台101的凸部膨脹之程序，亦可控制使用第2流路202a的環載置部104b之溫度調節，俾將載置於環載置部104b之邊緣環E1冷卻，使其於徑向收縮。具體而言，亦可藉由使高溫的流體於第1流路201a流通，而將晶圓載置部104a加熱，使其膨脹，並使低溫的流體於第2流路202a流通，藉以將環載置部104b冷卻並將載置於該環載置部104b之邊緣環E1冷卻，使其收縮。
＜安裝處理之例4＞ 而後，利用圖14，說明在使用處理模組60a的情況特有之邊緣環E1的安裝處理之例子。圖14係本例之安裝處理中的晶圓支持台101之周邊狀態的示意圖。另，下述處理，係在控制裝置80之控制下，於真空氣體環境中施行。
首先，施行前述步驟S1之邊緣環E1的搬運及步驟S2之邊緣環E1的下降。另，亦可與前述安裝處理之例2中的步驟S1a同樣地，於步驟S2之邊緣環E1的下降前，將晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）冷卻，使其於徑向收縮。
（步驟S3’:邊緣環E1之載置） 接著，使邊緣環E1移動，以晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）插入至邊緣環E1的孔E1a之狀態，載置於環載置部104b。 具體而言，施行從搬運臂71承接過環組件E的升降銷107之下降，直至將邊緣環E1載置於環載置部104b為止。
（步驟S4:凸部之膨脹） 步驟S3後，如圖14所示，將載置有邊緣環E1之環載置部104b冷卻，將邊緣環E1冷卻，使其於徑向收縮。更具體而言，僅將環載置部104b冷卻，使載置於該環載置部104b之邊緣環E1冷卻，並未使低溫的流體於基台103的第1固定部201之第1流路201a流通而將靜電吸盤104的晶圓載置部104a冷卻。在如此地收縮時，若邊緣環E1對晶圓載置部104a偏心，則邊緣環E1與晶圓支持台101的凸部（即晶圓載置部104a的上部）抵接。若其後仍繼續收縮，則隨著收縮，靜電吸盤104之晶圓載置部104a的中心軸與邊緣環E1的中心軸接近。
此一程序，例如，在從低溫的流體之流通開始後經過既定時間時結束。 至此，結束一連串之邊緣環E1的安裝處理。
如同上述，依本實施形態，則在邊緣環E1對晶圓載置部104a偏心的情況，可使靜電吸盤104之晶圓載置部104a的中心軸與邊緣環E1的中心軸接近。亦即，可修正偏心。因此，藉由本實施形態，亦無論搬運裝置70之邊緣環E1的搬運精度，可精度良好地將邊緣環E1載置於晶圓支持台101。
＜變形例＞ 在以上例子中，加熱邊緣環E1之加熱裝置61a，設置於收納模組61內，但亦可設置於收納模組61外。此外，邊緣環E1的加熱，亦可藉由未施行電漿處理之處理模組60的調溫機構施行。 此外，在以上例子中，邊緣環E1，收納在和傳送模組50連接之收納模組61，但亦可與晶圓W同樣地，收納在裝載埠32所載置之前開式晶圓盒。
以上，雖針對各種例示性實施形態進行說明，但並未限定於上述例示性實施形態，亦可進行各式各樣的追加、省略、置換、及變更。此外，可將不同實施形態中之要素組合，形成另一實施形態。
1:電漿處理系統 10:大氣部 11:減壓部 20,21:裝載鎖定模組 30:裝載模組 31:前開式晶圓盒 32:裝載埠 40,70:搬運裝置 41,71:搬運臂 42,72:旋轉台 43,73:基台 44,74:導軌 50:傳送模組 51:減壓搬運室 60,60a:處理模組 61:收納模組 61a:加熱裝置 62,63:閘閥 80:控制裝置 90:電腦 91:處理部 92:記憶部 93:通訊介面 100:電漿處理腔室 100e:排氣口 100s:電漿處理空間 101:晶圓支持台 102:上部電極 102a:氣體入口 102b:氣體擴散室 102c:氣體出口 103:基台 103a:固定部 103b:載置部 103c:絕緣環 103d:流路 104:靜電吸盤 104a:晶圓載置部 104b:環載置部 105:足部 106,107:升降銷 108,109:電極 110,114:銷升降機構 111,115:支持構件 112,116:驅動部 113,117:貫通孔 120:氣體供給部 121:氣體源 122:流量控制器 130:RF(Radio Frequency:高頻)電力供給部 131a,131b:RF生成部 132a,132b:匹配電路 140:排氣系統 201:第1固定部 201a:第1流路 202:第2固定部 202a:第2流路 211,212:隔熱部 E:環組件 E1:邊緣環 E1a:孔 E1b:環狀凹部 E2:覆蓋環 E2a:環狀突起 W:晶圓
圖1係顯示第1實施形態之電漿處理系統的構成之概要的俯視圖。 圖2係顯示處理模組的構成之概要的縱剖面圖。 圖3係圖2的部分放大圖。 圖4係例1之安裝處理中的晶圓支持台之周邊狀態的示意圖。 圖5係例1之安裝處理中的晶圓支持台之周邊狀態的示意圖。 圖6係例1之安裝處理中的晶圓支持台之周邊狀態的示意圖。 圖7係例1之安裝處理中的晶圓支持台之周邊狀態的示意圖。 圖8係例1之安裝處理中的晶圓支持台之周邊狀態的示意圖。 圖9係例2之安裝處理中的晶圓支持台之周邊狀態的示意圖。 圖10係例2之安裝處理中的晶圓支持台之周邊狀態的示意圖。 圖11係例2之安裝處理中的晶圓支持台之周邊狀態的示意圖。 圖12係例3之安裝處理中的晶圓支持台之周邊狀態的示意圖。 圖13係顯示第2實施形態之處理模組的構成之概要的部分放大剖面圖。 圖14係例4之安裝處理中的晶圓支持台之周邊狀態的示意圖。
103:基台
103a:固定部
103b:載置部
103c:絕緣環
103d:流路
104:靜電吸盤
104a:晶圓載置部
104b:環載置部
105:足部
107:升降銷
108,109:電極
E:環組件
E1:邊緣環
E1a:孔
E2:覆蓋環

Claims (12)

  1. 一種電漿處理裝置，對基板施行電漿處理，其包含: 基板支持台，用來支持基板及配置於該基板之周圍的邊緣環； 升降機構，使該邊緣環於上下方向移動；以及 控制部； 該邊緣環，具有與該邊緣環同心的孔； 該基板支持台，具有；凸部，往上方突出，且載置該基板；環載置部，以該凸部插入至該邊緣環的該孔之狀態載置該邊緣環；及調溫機構，調節該凸部之溫度； 該邊緣環的該孔與該基板支持台的該凸部，具有俯視時彼此對應之形狀； 該控制部，控制該升降機構及該調溫機構，俾實行如下程序: 使該邊緣環，移動至成為該基板支持台的該凸部插入至該邊緣環的該孔之狀態的既定位置；以及 於該移動之程序後，將該基板支持台的該凸部加熱，使其於徑向膨脹。
  2. 如請求項1之電漿處理裝置，其中， 該控制部，控制該升降機構及該調溫機構，俾實行如下程序: 使該邊緣環下降俾將該基板支持台的該凸部插入該邊緣環的該孔；以及 於該下降之程序前，將該基板支持台的該凸部冷卻，使其於徑向收縮。
  3. 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中， 該調溫機構，將該環載置部之溫度與該基板支持台的該凸部之溫度一同調節； 該控制部，控制該調溫機構，俾於該移動之程序前，實行將該環載置部載置於該邊緣環並冷卻，使其於徑向收縮之程序。
  4. 如請求項1之電漿處理裝置，其中， 該基板支持台，包含另一調溫機構，其將該環載置部之溫度獨立於該凸部之溫度而調整； 該既定位置，係將該邊緣環載置於該環載置部的位置； 該控制部，控制該另一調溫機構，俾在該膨脹之程序，將載置於該環載置部之邊緣環冷卻，使其於徑向漸收縮。
  5. 如請求項1至3中任一項之電漿處理裝置，其中， 該既定位置，係該邊緣環從該環載置部分離的位置； 該控制部，控制該升降機構，俾於該膨脹之程序後，實行使該邊緣環從該既定位置下降，將其載置於該環載置部之程序。
  6. 如請求項5之電漿處理裝置，其中， 該控制部，控制該調溫機構，俾於該膨脹之程序後、該載置之程序前，實行停止該基板支持台的該凸部之加熱，將該凸部冷卻，使其於徑向收縮之程序。
  7. 如請求項1至6中任一項之電漿處理裝置，其中， 該升降機構，使該邊緣環，以與外徑及內徑較該邊緣環更大之覆蓋環一體化之狀態於上下方向移動。
  8. 一種電漿處理裝置，對基板施行電漿處理，其包含: 基板支持台，支持基板及配置於該基板之周圍的邊緣環； 升降機構，使該邊緣環於上下方向移動；以及 控制部； 該邊緣環，具有與該邊緣環同心的孔； 該基板支持台，具有；凸部，往上方突出，且載置該基板；環載置部，以該凸部插入至該邊緣環的該孔之狀態載置該邊緣環；及調溫機構，獨立於該凸部之溫度而調節該環載置部之溫度； 該邊緣環的該孔與該基板支持台的該凸部，具有俯視時彼此對應之形狀； 該控制部，控制該升降機構及調溫機構，俾實行如下程序: 使該邊緣環移動，將其以該基板支持台的該凸部插入至該孔之狀態載置於該環載置部；以及 於該載置之程序後，將載置有該邊緣環之該環載置部冷卻，將該邊緣環冷卻，使其於徑向收縮。
  9. 如請求項8之電漿處理裝置，其中， 該基板支持台，包含另一調溫機構，其將該凸部之溫度獨立於該環載置部之溫度而控制； 該控制部，控制該升降機構及該另一調溫機構，俾實行如下程序: 使該邊緣環下降俾將該基板支持台的該凸部插入該邊緣環的該孔；以及 於該下降之程序前，將該基板支持台的該凸部冷卻，使其於徑向收縮。
  10. 一種電漿處理系統，包含: 如請求項1至9中任一項之電漿處理裝置； 收納部，收納該邊緣環； 加熱裝置，將該邊緣環加熱； 搬運裝置，搬運該邊緣環；以及 控制裝置； 該控制裝置，控制該加熱裝置及該搬運裝置，俾實行將收納在該收納部之該邊緣環，在受到加熱而於徑向膨脹之狀態，搬運至該電漿處理裝置之程序。
  11. 一種位置對準方法，對於支持基板及配置於該基板之周圍的邊緣環之基板支持台，將該邊緣環進行位置對準； 該邊緣環，於中心部具有與該邊緣環同心的孔； 該基板支持台，具有；凸部，往上方突出，且載置該基板；及環載置部，以該凸部插入至該邊緣環的該孔之狀態載置該邊緣環； 該邊緣環的該孔與該基板支持台的該凸部，具有俯視時彼此對應之形狀； 該位置對準方法，包含如下程序: 使該邊緣環，移動至成為該基板支持台的該凸部插入至該邊緣環的該孔之狀態的既定位置；以及 於該移動之程序後，將該基板支持台的該凸部加熱，使其於徑向膨脹。
  12. 一種位置對準方法，對於支持基板及配置於該基板之周圍的邊緣環之基板支持台，將該邊緣環進行位置對準； 該邊緣環，具有與該邊緣環同心的孔； 該基板支持台，具有；凸部，往上方突出，且載置該基板；及環載置部，以該凸部插入至該邊緣環的該孔之狀態載置該邊緣環； 該邊緣環的該孔與該基板支持台的該凸部，具有俯視時彼此對應之形狀； 該位置對準方法，包含如下程序: 使該邊緣環移動，將其以該基板支持台的該凸部插入至該孔之狀態載置於該環載置部；以及 於該載置之程序後，將載置有該邊緣環之該環載置部冷卻，將該邊緣環冷卻，使其於徑向收縮。
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