TW202220431A - 攝像元件及電子機器 - Google Patents

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中田征志
篠崎裕考
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日商索尼半導體解決方案公司
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Abstract

根據本揭示，提供一種攝像元件，其構成為半導體晶片，且具備： 取得部，其於半導體晶片外設置光學構件，取得與前述光學構件相關之資訊；像素部，其具有對於經由光學構件輸入之輸入光之波長的分光特性互不相同之N(N為整數)種像素；轉換部，其將像素部之輸出信號轉換成數位之輸出信號；處理部，其使用資訊，基於轉換部輸出之輸出信號，而予以轉換處理為分光特性互不相同之N+1以上個處理信號；及輸出部，其將基於處理信號之信號輸出至半導體晶片外。

Description

攝像元件及電子機器
本發明之實施形態係關於一種攝像元件及電子機器。
多光譜(Multi Spectrum、Multispectral)圖像係記錄複數個頻帶之電磁波之圖像。多光譜圖像除了具有可見光線之頻帶之電磁波之資訊以外，亦具有紫外線、紅外線、及外紅外線等不可見光線之頻帶之電磁波之資訊，作為圖像信號。因此，多光譜圖像係為了使無法以眼睛識別之物體可視化而使用，或被用於進行物體識別或狀態判定。
即，與一般性圖像攝像用之攝像元件不同，必須具有較原色之紅(Red)/綠(Green)/藍(Blue)(有以後記載為R、G、B之情形)、及青(Cyan)、洋紅(Magenta)、黃色(Yellow)(有以後記載為C、M、Y之情形)更多之分光特性。因此，多光譜圖像用之攝像元件雖然根據用途而異，但一般而言具有5個以上之波長特性。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2008-136251號公報 專利文獻2：日本特開2013-45917號公報
[發明所欲解決之問題]
另一方面，為了具有細微之分光特性(例如參照圖20)，而必須設置相應數量之濾波器。因此，若設想向攝像元件內之搭載，則有每1個波長帶之像素數相對於總像素數減少，對於1個波長帶之解析度降低之虞。
又，若欲自攝像元件輸出與各波長帶對應之信號之後，利用運算，轉換成不同之分光，則因運算量等之增大而處理時間增加。因此，於智慧型手機等電子機器之軟體處理中，有阻礙即時性處理之虞。尤其是，必須對於最終產生之圖像信號冗餘地輸出圖像信號，亦招致資料量之增大。
又，多光譜圖像用之攝像元件(有將攝像元件記載為圖像感測器(Image Sensor，影像感測器)之情形)之像素排列與一般之相機攝像用攝像元件之2×2單位之像素排列(例如Bayer，拜耳)不同。例如，多光譜圖像用之攝像元件之像素排列成為2×4單位、或3×3單位以上之像素輸出。因此，於對多光譜圖像用之攝像元件輸出之圖像信號進行處理之後段之應用處理器等中，產生必須對應於如此之排列週期之必要。 [解決問題之技術手段]
為了解決上述之問題，根據本揭示，提供一種攝像元件，其構成為半導體晶片，且具備： 取得部，其於前述半導體晶片外設置光學構件，取得與前述光學構件相關之資訊； 像素部，其具有對於經由前述光學構件輸入之輸入光之波長的分光特性互不相同之N(N為整數)種像素； 轉換部，其將前述像素部之輸出信號轉換成數位之輸出信號； 處理部，其使用前述資訊，基於前述轉換部輸出之輸出信號，而予以轉換處理為分光特性互不相同之N+1以上個處理信號；及 輸出部，其將基於前述處理信號之信號輸出至前述半導體晶片外。
前述像素部可具有經由N種濾波器將輸入光轉換成前述輸出信號之複數個光電轉換元件。
前述N可為5以上。
前述攝像元件可於1個半導體晶片部或鄰接之複數個半導體晶片部內構成。
前述資訊係與位於前述攝像元件與被攝體之間之前述光學構件之光學特性相關者，可與透過率、反射率、折射率、發光波長、及波長依存性之至少一者相關。
前述光學構件可係彩色濾波器、電漿子、及有機光電轉換膜之至少任一者。
前述N種濾波器可具有透過紅(Red)色光、綠(Green)色光、藍(Blue)色光、青(Cyan)色光、洋紅(Magenta)色光、及黃(Yellow)色光之任一者之濾波器中之4種以上之濾波器。
可行的是，前述取得部係可記憶來自前述半導體晶片外之前述資訊的記憶體(EEPROM)，將前述記憶體記憶之來自前述半導體晶片外之前述資訊供給至前述處理部。
前述光學構件可為帶通濾波器。
前述帶通濾波器可透過特定可見光區域與特定紅外(IR)區域之光。
可行的是，前述處理部可進行使用與拍攝環境相關之參數之處理；且 前述取得部可取得至少包含與光源推定結果相關之資訊的前述參數。
可行的是，前述處理部輸出之前述處理信號係依照特定排列資訊之圖像資料；且 前述取得部可取得與前述N+1以上個分光特性相關之資訊、及與前述排列資訊相關之資訊之至少任一者。
可行的是，前述處理信號各者於特定波長範圍之輸入光之前述N+1以上個波長帶各者中具有光感度之峰值；且 前述處理部可根據來自前述半導體晶片外之參數設定，變更前述N+1以上個波長帶之至少任一範圍。
可行的是，前述處理部輸出之前述處理信號係依照特定排列資訊之圖像資料；且 前述處理部可根據來自前述半導體晶片外之參數設定，改變前述圖像資料之像素排列。
可行的是，前述光學構件至少為顯示用之顯示器面板；且 前述處理部至少利用與前述顯示器面板之光學特性相關之資訊，產生前述處理信號。
前述處理部亦可基於不同之攝像元件產生之輸出信號，產生前述處理信號。
前述像素部可具有有機光電轉換膜、及於剖面方向經分割之分割光電二極體之任一者。
可行的是，前述處理部之第1訊框中產生之前述處理信號內之組合、與繼前述第1訊框之後產生之第2訊框中產生之前述處理信號內之組合不同。
前述處理部可將前述N+1個前述處理信號內之M(M為整數、且M＜N+1)個處理信號作為前述第1訊框而產生，將前述N+1個前述處理信號內之其餘之處理信號作為前述第2訊框而產生。
前述像素部可於訊框間、或像素間進行不同之曝光控制。
前述像素部可具有白(White)像素、及灰(Gray)像素之至少一者，其等對於前述特定波長範圍之輸入光，在與其他像素具有感度之頻帶重疊之廣域頻帶中具有感度。
於前述N種濾波器之分光特性中，可於透過之波長帶之一處以上有重疊。
可行的是，前述分光特性表示處理信號之大小相對於特定波長範圍之輸入光之變動；且 前述處理部於前述光學構件為帶通濾波器(Band Pass Filter)之情形下，進行進一步縮小前述N+1以上個處理信號中至少任一者相對於輸入光之波長的處理信號之變動值之半高寬之處理。
前述處理部可於前述第1訊框內之處理信號與前述第2訊框內之處理信號中，分別包含至少一個具有共通分光特性之處理信號。
可行的是，前述處理部可使用具有前述共通分光特性之處理信號，進行被攝體之動態修正。
為了解決上述之問題，根據本揭示，可為具有攝像元件之電子機器。
以下，參照圖式，針對本發明之實施形態進行說明。此外，於本案說明書所附之圖式中，為了便於圖示與易於理解，而自實物之比例尺及縱橫之尺寸比等予以適宜變更、或誇張性表示。
(第1實施形態) 圖1係顯示本實施形態之像素部120之基本單位之例之圖。於本實施形態中，將使受光面分割成包含複數個像素之矩形之像素區塊時之該像素區塊稱為基本單位。於圖1中，圖示4×4像素作為構成基本單位之像素群。本實施形態之像素部120例如於橫向及縱向重複排列如上述之基本單位。此外，本實施形態之像素部120可構成為以數百萬之等級具有如此之基本單位。
像素R、B、G、Y、C、IR、M、W之種別係根據對於受光波長之感度特性來分類。於各像素，例如，於晶片上形成有紅(R：Red)、藍(B：Blue)、綠(G：Green)、黃色(Y：Yellow)、青(C：Cyan)、紅外(IR)、洋紅(M：Magenta)、白(W：White)之彩色濾波器。亦即，使各像素之種別對應於彩色濾波器，賦予R、B、G、Y、C、IR、M、W之符號。紅(R：Red)、藍(B：Blue)、綠(G：Green)、黃色(Y：Yellow)、青(C：Cyan)、紅外(IR)、洋紅(M：Magenta)、白(W：White)濾波器各者具有供紅色頻帶、藍色頻帶、綠色頻帶、黃色頻帶、青色頻帶、紅外色頻帶、洋紅色頻帶、白色頻帶之光透過之特性。
如圖1所示，於最上段之列中，自左側起依序配置與綠(G：Green)、藍(B：Blue)、黃色(Y：Yellow)、青(C：Cyan)對應之像素。進而，於其下方之列中，自左側起依序配置與紅(R：Red)、紅外(IR、IR有表現為黑(Black)之情形)、洋紅(M：Magenta)、白(W：White)對應之像素。進而，於其下方之列中，自左側起依序配置與(Y：Yellow)、青(C：Cyan)、綠(G：Green)、藍(B：Blue)對應之像素。於最下段之列中，自左側起依序配置與洋紅(M：Magenta)、白(W：White)、紅(R：Red)、紅外(IR)對應之像素。
圖2係顯示像素R、B、G、Y、C、IR、M、W之分光特性之圖。縱軸表示效應(QE)，橫軸表示波長(Wavelength)。效應QE係將像素R、B、G、Y、C、IR、M、W對於波長之受光感度除以波長後之值。於圖2中圖示與像素R、B、G、Y、C、IR、M、W之輸出對應之8種效應QE之分光曲線。如圖2所示，將朝像素R、B、G、Y、C、IR、M、W輸入之輸入光就每一波長進行測定(分光)，將表示對於該光之信號值之比例者稱為分光特性(分光分佈)。藉此，藉由表示像素R、B、G、Y、C、IR、M、W之分光特性之分光曲線，示出具有何種波長頻帶之色彩、或峰值之形狀成為何種形狀等之資訊。於圖2中，圖示與像素R、B、G、Y、C、IR、M、W之輸出對應之8種分光曲線。
像素R、B、G、Y、C、IR、M、W之分光曲線各者具有較寬(Broad)之分光寬度(半高寬)。於本實施形態中，將對於特定波長範圍、例如300～900奈米之信號值之數稱為分光數。例如，於圖2中，由於分光曲線為8種，故分光數為8。又，於本實施形態中，有將信號值稱為像素值之情形。將表示R、B、G、Y、C、IR、M、W等色彩之資訊與信號值建立關聯。或，將表示R、B、G、Y、C、IR、M、W等色彩之資訊與由信號值構成之圖像資料之排列之資訊建立關聯。
圖3A係顯示某2像素對於波長之輸出值O22、O24之例之圖。縱軸表示輸出值，橫軸表示波長。於圖3A之例中，為2像素對於波長之輸出值O22、O24無重疊之例。另一方面，圖3B係顯示另外之2像素對於波長之輸出值O26、O28之例之圖。縱軸表示輸出值，橫軸表示波長。於本實施形態中，於如輸出值O26、O28般存在重疊之情形下，進行使重疊減少之分光產生處理。
例如以像素R、B、G、Y、C、IR、M、W之輸出信號值之組合乘以係數，產生與分光特性相應之新的輸出信號。更具體而言，如(1)式所示，以Y像素之信號值乘以係數a，以G像素之信號值乘以係數-b，以B像素之信號值乘以係數-c，並相加。藉此，可產生具有新的分光特性之輸出信號值α。 [數1] α=aY-bG-cB                       (1)
如此，藉由對於例如像素R、B、G、Y、C、IR、M、W之輸出信號值，進行N列8行之色彩矩陣之運算，而可獲得N個具有新的分光特性之信號值。例如，色彩矩陣可藉由製造時之初始實驗、或計算模擬等，預先設定。
圖4係顯示對於圖2所示之像素R、B、G、Y、C、IR、M、W之輸出信號值進行12列8行之色彩矩陣運算後之處理信號之例之圖。α表示(1)式所示之分光特性之峰值之位置。亦即，於12列8行之色彩矩陣中，與輸出α對應之列之矩陣參數即係數為例如(0、-c、-b、a、0、0、0、0)。更詳細而言，若將像素R、B、G、Y、C、IR、M、W之輸出值設為信號值行(R、B、G、Y、C、IR、M、W)，則列係數(0、-c、-b、a、0、0、0、0)×信號值行(R、B、G、Y、C、IR、M、W)成為(1)式。又，於本實施形態中，由於具有例如效應(QE)之半高寬更寬之W像素，故可覆蓋寬幅之分光區域。因此，藉由與其他像素R、B、G、Y、C、IR、M之輸出信號之運算，可獲得覆蓋寬幅之分光區域之具有新的分光特性之處理信號。此外，降低W像素之透過率之灰色(Gray)亦同樣，可利用灰色(Gray)像素。如此，本實施形態之像素具有白(White)像素、及灰(Gray)像素之至少任一者，其等對於特定波長範圍、例如300～1000奈米之輸入光在與具有其他像素R、B、G、Y、C、IR、M之感度之頻帶重疊之廣域之頻帶下具有感度。
又，藉由進行對於像素R、B、G、Y、C、IR、M、W之輸出信號之運算處理，而可根據目的來變更攝像元件之分光特性。例如，於N列8行之色彩矩陣中，可使N多於8。如此，於將彩色濾波器之數量設為N之情形下，可產生具有N+1以上個分光數之輸出。換言之，可於抑制彩色濾波器之數量之狀態下，使分光特性(例如參照圖20)細化。藉此，可於抑制解析度之降低之狀態下，使分光特性細化。此外，於本實施形態中，將分光特性變細，意指使分光曲線(參照圖2、圖4)之半高寬較處理前更窄，且使分光曲線之數量增加。
此處，參照圖5，針對本實施形態之攝像元件之基本的概略構成進行說明。圖5係顯示本實施形態之攝像元件之構成例之圖。如圖5所示，本實施形態將進行如例如上述所記載之信號處理之處理部構成於攝像元件(影像感測器)330、340、350內之邏輯電路334、345、355。
作為第1例，圖5上段所示之攝像元件330於1個半導體晶片331內搭載像素區域332、控制電路333、包含上述之信號處理電路之邏輯電路334而構成。
作為第2例，圖5中段所示之攝像元件340包含第1半導體晶片部341及第2半導體晶片部342。於第1半導體晶片部341搭載像素區域343與控制電路344，於第2半導體晶片部342搭載包含上述之信號處理電路之邏輯電路345。而且，藉由第1半導體晶片部341及第2半導體晶片部342相互電性連接，而構成作為1個半導體晶片之攝像元件340。
作為第3例，圖5下段所示之攝像元件350包含第1半導體晶片部351及第2半導體晶片部352。於第1半導體晶片部351搭載像素區域353，於第2半導體晶片部352搭載控制電路354、及包含上述之信號處理電路之邏輯電路355。而且，藉由第1半導體晶片部351及第2半導體晶片部352相互電性連接，而構成作為1個半導體晶片之攝像元件350。
圖6A係顯示本實施形態之攝像模組110之構成例之圖。攝像模組110具備透鏡系統112、光學濾波器114、攝像元件116、及記憶部(記憶體：EEPROM)118。
透鏡系統112使來自被攝體之光經由光學濾波器114成像於像素部120。光學濾波器114例如為紅外截止濾波器(IR-Cut Filter)。此外，亦可無光學濾波器114。又，一般而言對於攝像元件116，乃根據處理目的而變更光學濾波器114。例如，光學濾波器114如後述般可使用帶通濾波器(Band Pass Filter)、電漿子、有機光電轉換膜等。亦即，於本實施形態中，將會對分光形狀(參照圖2)造成影響之物體總稱為濾波器。如此，由於在製造出攝像元件116之後安裝透鏡系統112及光學濾波器114，故攝像元件116之信號處理部於製造時點無法辨識包含該等透鏡系統112及光學濾波器114之濾波器之特性。
又，於本實施形態中，將取得二維圖像資料通稱為攝像。亦即，攝像亦包含自攝像元件11使輸出信號輸出作為物體識別或狀態識別等感測資料。
攝像元件116對應於例如圖5所示之攝像元件(影像感測器：Image Sensor)330、340、350，具有像素部120、AD轉換器122、光源推定部124、分光產生處理部126、及輸出介面128。此外，像素部120構成於例如圖5所示之像素區域332、343、353內。又，AD轉換器122、光源推定部124、及分光產生處理部126構成於例如圖5所示之邏輯電路334、345、355內。此外，本實施形態之AD轉換器122對應於轉換部。又，本實施形態之光源推定部124與分光產生處理部126對應於處理部。又，本實施形態之輸出介面128對應於輸出部。
像素部120以例如圖1所說明之基本單位構成。經由透鏡系統112、及光學濾波器114之來自被攝體之反射光由像素部120之各像素予以光電轉換。亦即，此處之像素部120可為圖1所示之像素配置，或可為其他配置。
AD轉換器122將像素部120之各像素之輸出信號轉換成數位之信號值。此外，於本實施形態中，將信號值與具有信號值之配置資訊之資料稱為圖像資料或圖像。亦即，AD轉換器122將像素部120之各像素之輸出信號轉換成數位之信號值，產生多光譜(Multi Spectrum、Multispectral)圖像。
光源推定部124進行光源推定處理。光源推定部124於例如AD轉換器122產生之多光譜圖像中進行背景檢測，基於背景檢測之結果設定光源推定用區域。而且，光源推定部124基於光源推定用區域，進行拍攝到多光譜圖像時之光源之種類之推定處理。
朝攝像元件116輸入之輸入光例如以被攝體反射率×光源分光×透鏡透過率×光學濾波器透過率×像素之分光特性(例如參照圖2)表示。因此，於意圖利用多光譜圖像求得之特性為被攝體反射率之情形下，為了正確地識別其，而利用光源分光、即光源推定部124之處理結果。此時，由於透鏡透過率、及光學濾波器透過率對於製造時之攝像元件而言為未知之特性，故藉由自外部將包含透鏡透過率、及光學濾波器透過率等資訊之濾波器特性輸入至攝像元件116，而可進一步提高光源推定處理之精度。
分光產生處理部126藉由例如包含(1)式之色彩矩陣運算，而產生與分光相應之處理信號。此時，基於感測器分光進行運算處理。亦即，於分光特性在透鏡系統112、及光學濾波器114改變之情形下，計算出其作為原始分光。例如，雖然將包含(1)式之色彩矩陣運算設為運算處理之基礎，但於分光特性在透鏡系統112、及光學濾波器114改變之情形下，利用該光學特性來變更包含(1)式之色彩矩陣運算之係數。
此外，本實施形態之分光產生處理部126藉由例如包含(1)式之色彩矩陣運算而產生與分光相應之處理信號(有稱為像素信號或像素值之情形)，但不限定於此。例如，可藉由將像素R、B、G、Y、C、IR、M、W(參照圖2)之輸出信號設為輸入信號，與視為目的之分光相應之處理信號設為示教信號之學習資料，而學習類神經網路(NN)。亦即，可利用該學習之類神經網路(NN)，構成分光產生處理部126。此時亦較理想為輸入透鏡系統112、及光學濾波器114之特性。又，自外部，可輸入分光特性本身作為光學特性，但亦可輸入加入任何計算後之參數。例如，可輸入如線性矩陣之矩陣運算、或逆矩陣運算所利用之矩陣參數。又，分光產生處理部126基於自記憶部118供給之資訊，亦產生所產生之信號值之排列資訊。如此，分光產生處理部126將色彩數為N個之圖像資料轉換成具有N+1以上個色彩數之圖像資料。
由分光產生處理部126產生之具有特定分光特性之處理信號經由輸出IF 128而輸出。此外，可如後述般，經由輸出IF輸出進行如像素內插或像素再排列之變更輸出圖像之規格之處理後之處理信號。
分光產生處理部126之處理於先前處理中係由自攝像元件116輸出後之軟體處理等執行。因此，於如先前處理般，於後段進行處理之情形下，必須自攝像元件116輸出所有像素輸出之輸出信號(圖像資料)。例如，於上述之例中，為了獲得分光α，而必須要有像素Y、G、B之至少3個輸出信號。若如上述般，輸出信號之資料尺寸變大，則存在資料量增大，對攝像元件之訊框率造成影響，或消耗電力增大之弊端。對此，本實施形態之分光產生處理部126可於攝像元件116內進行運算處理。因此，本實施形態之分光產生處理部126可抑制資料量之增大，抑制攝像元件116之訊框率之影響、及消耗電力之增大。
另一方面，分光產生處理部126之處理被安裝於攝像元件116內。若於攝像元件116內搭載分光產生處理部126等計算電路，則無法考量製造步驟之偏差、及於感測器製造步驟之後步驟安裝之光學濾波器114之特性等諸多分光變動因素。因此，如圖6所示，記憶部118可自攝像元件116之外側輸入濾波器特性等資訊。亦即，記憶部118供給包含在光源推定部124、及分光產生處理部126所需之參數之資訊。於參數中如上述般包含如線性矩陣之矩陣運算、及逆矩陣運算所利用之矩陣參數等。此外，濾波器特性等資訊之輸入方法可為任意，亦可為自應用處理器直接經由任意之IF(I2C、I3C、SPI、MIPI等)而輸入者。
圖6B係顯示本實施形態之攝像模組110之另一構成例之圖。攝像模組110具備：透鏡系統112、光學濾波器114、攝像元件116、及資訊輸入部1180。資訊輸入部1180例如將濾波器特性或所需波長等之調整值及光學特性資訊與「1」、「2」等之參數建立關聯而記憶。藉此，若自例如應用處理器1120發送「1」、「2」等之參數，則將與「1」、「2」等之參數建立關聯之調整值及光學特性設定於光源推定部124、及分光產生處理部126等。
圖6C係顯示本實施形態之攝像模組110之又一構成例之圖。攝像模組110具備：透鏡系統112、光學濾波器114、攝像元件116、及內部記憶部(OTP)1122。內部記憶部1122為與記憶部118同等之構成。亦即，內部記憶部1122供給包含在光源推定部124、及分光產生處理部126所需之參數之資訊。此外，本實施形態之記憶部118、資訊輸入部1180、內部記憶部1122及任意之IF(I2C、I3C、SPI、MIPI等)對應於取得部。
如以上所說明般，根據本實施形態，分光產生處理部126將與N個彩色濾波器對應之像素R、B、G、Y、C、IR、M、W之信號值設為輸入信號，產生具有特定分光特性之N+1以上個處理信號。藉此，可產生具有N+1以上個分光數之信號值。又，由於將分光產生處理部126構成於攝像元件116內，故可不將圖像資料輸出至攝像元件116外，產生具有特定分光特性之N+1以上個信號值，可抑制資料傳送之負載。此時，由於可自記憶部118、及任意之IF(I2C、I3C、SPI、MIPI等)等輸入濾波器特性等之運算處理所必需之資訊，故即便濾波器特性於攝像元件116之製造後變更或確定，亦可進行精度更高之光源推定部124、及分光產生處理部126之運算處理。
(第2實施形態) 第1實施形態之攝像模組110將紅外截止濾波器(IR- Cut Filter)用於光學濾波器114，但第1實施形態之攝像模組110就將帶通濾波器(Band Pass Filter(BPF))用於光學濾波器114之點不同。以下，說明與第1實施形態之攝像模組110不同之點。
圖7係顯示利用帶通濾波器之情形之攝像元件116之輸出信號例之圖。左圖A係顯示無光學濾波器114之情形之像素部120之分光特性之輸出例。縱軸示出例如效應作為輸出值(Output)，橫軸表示波長(Wavelength)。中圖B係顯示帶通濾波器之波長透過特性之圖。縱軸表示透過率(Transpareency)，橫軸表示波長(Wavelength)。右圖C係顯示具有光學濾波器114之情形之分光產生處理部126之分光特性之輸出例。
如左圖A所示，於無帶通濾波器之情形下，於例如紅外(IR)區域中，分光峰值變少。因此，即便進行分光產生處理部126之分光處理運算，亦難以產生半高寬較窄之分光。
如中圖B所示般，帶通濾波器可將紅外(IR)區域之透過光僅縮限為例如800-900奈米。同樣，該帶通濾波器可將可見光區域之透過光縮限為例如400-700奈米。藉此，若進行分光產生處理部126之分光處理運算，則如右圖C所示般，於紅外(IR)區域中獲得半高寬較窄之分光曲線。同樣，於可見光區域中，獲得半高寬較窄之分光曲線。
於如此之情形下，可自記憶部118或輸入系統(參照圖6)輸入包含帶通濾波器之特性資訊之信號。該情形下，可為基於帶通濾波器之特性而算出之其他參數。藉此，可將例如分光產生處理部126之運算所利用之線性矩陣之參數即係數變更成更適合帶通濾波器之特性之係數。亦即，可將與帶通濾波器對應之線性矩陣之參數預先記憶於記憶部118，亦可自輸入系統(參照圖6)輸入。此外，本實施形態之帶通濾波器配置於光學濾波器114，但不限定於此。例如，可於攝像元件116內構成帶通濾波器。
如以上所說明般，根據本實施形態，對於光學濾波器114，利用具有特定波長區域(400-700 nm、800-900 nm)之透過特性之帶通濾波器。藉此，分光產生處理部126在與特定波長區域(400-700 nm、800-900 nm)對應之波長區域中，可獲得半高寬較窄之分光曲線。
(第3實施形態) 第1實施形態之攝像模組110進行了使像素部120之單位單元之各像素之分光數多於配置於單位單元之彩色濾波器之種類N之分光處理，但第3實施形態之攝像模組110就亦可進行使像素部120之單位單元之各像素之信號輸出之分光數少於配置於單位單元之彩色濾波器之種類N之分光處理之點不同。以下，說明與第1實施形態之攝像模組110不同之點。
圖8A係顯示第3實施形態之攝像模組110之構成例之圖。攝像模組110進一步具備輸入波長資訊(AP)之第2輸入部132。第2輸入部132由例如記憶體構成。或，第2輸入部132可構成為自應用處理器直接經由任意之IF(I2C、I3C、SPI、MIPI等)取得資訊之輸入處理部。因此，即便波長資訊(AP)於攝像元件116之製造後變更，亦可應對。攝像元件116進一步具備像素內插處理部130。
像素部120具有4×4像素作為構成基本單位之像素群。又，於構成基本單位之像素群，將例如8種彩色濾波器配置於晶片上。因此，構成像素部120之基本單位之像素群之分光數為8。
分光產生處理部126基於自第2輸入部132輸入之波長資訊(AP)，自記憶部118取得例如矩陣運算所利用之參數。例如，於所輸入之波長資訊(AP)之分光數為4之情形下，分光產生處理部126對於4×4像素之輸出信號值進行4列8行之矩陣式之運算處理。此外，4×4像素之輸出信號由AD轉換部122轉換成數位之信號值。
像素內插處理部130利用分光產生處理部126之處理結果，將4×4像素之像素值之排列轉換成僅4色之排列。像素內插處理部130亦可於將4×4像素之像素值之排列轉換成僅4色之排列時進行像素內插處理。於該像素內插處理中，可進行如先前之相機信號處理所使用之根據周邊像素之資訊進行內插之(Demosic，去馬賽克)處理，或可進行利用類神經網路之內插處理。針對此時之排列順序，像素內插處理部130可基於自第2輸入部132輸入之波長資訊(AP)，基於自外部輸入之資訊進行排列。此外，本實施形態之分光產生處理部126、與像素內插處理部130對應於處理部。又，本實施形態之第2輸入部132對應於取得部。
如此，藉由分光產生處理部126與像素內插處理部130之處理，可自8色之編碼轉換成4色之編碼。一般之相機信號處理多以利用3-4色之方式構築系統，藉由設為4色以下之輸出，而亦有可沿用先前型之諸多信號處理之優點。此外，於本實施形態中轉換成4色，但該數字為任意，不限定於其。此外，與第1實施形態同樣，分光產生處理部126藉由變更矩陣運算所利用之參數，而亦可變更成較彩色濾波器之種類N更多之分光數之輸出信號。該情形下，像素內插處理部130可自N色之編碼轉換成較具有較N色更多之色之編碼。
圖8B係顯示不具有透鏡之攝像模組110之構成例之圖。如圖8B所示，攝像模組110可為無透鏡(Lens-Less)之攝像系統、例如針孔相機或針孔像素之構造。
如以上所說明般，根據本實施形態，攝像模組110進行了使像素部120之單位單元之各像素之信號輸出之分光數少於較配置於單位單元之彩色濾波器之種類N之分光處理。藉此，可變更成利用攝像模組110之圖像資料進行處理之後段之處理部之圖像資料形式。
(第4實施形態) 第4實施形態之攝像模組110就利用雙鏡頭相機之輸出信號產生具有新的分光特性之輸出信號之點與第3實施形態之攝像模組110不同。以下，說明與第3實施形態之攝像模組110不同之點。
圖9係顯示第4實施形態之攝像模組110之構成例之圖。第4實施形態之攝像模組110具備：第1透鏡系統112a、第1光學濾波器114a、第1攝像元件(Image Sensor，影像感測器1)116a、第2透鏡系統112b、及第2攝像元件(Image Sensor，影像感測器2)116b。於圖9中進一步圖示應用處理電路(Application Processor)200。於圖9中，對與第1攝像元件116a相關之構成賦予a，對與第2攝像元件116b相關之構成賦予b。又，對與上述之構成同樣之構成賦予同一編號，且省略說明。亦即，第1攝像元件116a具備：像素部120a、AD轉換器122a、箝位部132a、及輸出介面128a。另一方面，第1攝像元件116b具有：像素部120b、AD轉換器122b、箝位部132b、輸入介面134b、記憶體部136b、光源推定部124、分光產生處理部126b、像素內插處理部130b、輸出介面128b、及資訊輸入部138b。此外，本實施形態之資訊輸入部138b對應於取得部。
圖10係顯示像素部120a與像素部120b之基本單位之像素排列例之圖。如圖10所示，像素部120a以4×4像素為基本單位，由青(Cyan)色、洋紅(Magenta)色、黃(Yellow)色之像素構成。
另一方面，像素部120b以4×4像素為基本單位，由紅(Red)色、綠(Green)色、藍(Blue)色、紅外(IR)色之像素構成。亦即，青(Cyan)色像素、與紅(Red)色像素具有補色之關係，洋紅(Magenta)色像素與綠(Green)色像素具有補色之關係，黃色(Yellow)色像素與藍(Blue)色像素具有補色之關係。
再次參照圖9，箝位部132a例如執行與圖像之接地之位準相關之處理。箝位部132a例如規定黑位準，從由AD轉換器122a輸出之圖像資料減去該規定之黑位準並輸出。
輸入介面134b輸入輸出介面128a輸出之第1圖像資料。記憶體部136b將第1圖像資料、箝位部132b輸出之第2圖像資料建立對應關係而記憶。資訊輸入部138b自應用處理電路200取得包含濾波器特性、及與所需波長相關之資訊之信號，並供給至光源推定部124及分光產生處理部126b。
分光產生處理部126b利用第1圖像資料之各基本單位中所含之第1信號、及第2圖像資料之對應之各基本單位中所含之第2信號，產生每一基本單位之具有新的光特性之輸出信號。於本實施形態中，第1信號具由青(Cyan)色、洋紅(Magenta)色、黃(Yellow)色之像素之輸出信號。另一方面，第2信號具有紅(Red)色、綠(Green)色、藍(Blue)色、紅外(IR)色之像素之輸出信號。藉此，分光產生處理部126b可就每一基本單位處理與7色對應之信號。而且，分光產生處理部126b例如藉由M列7行之矩陣運算，產生M個具有新的分光特性之信號。該情形下，可使M多於7。如此，藉由使用複數個攝像模組110之輸出信號，可使M多於7。該情形下，與僅使用第1攝像元件116a及第2攝像元件116b中之一者相比，可使用更多個波長帶之信號，可進一步提高分光處理之精度。由此可知，可對第1攝像元件116a及第2攝像元件使用不同之光學系統112a、112b、及不同之第1濾波器114a，且分光產生處理部126b可使用更多個波長帶之信號。
此外，在具有紅外(IR)色之像素之情形下，因無法使用紅外截止濾波器(IR-Cut Filter)，故第2攝像元件可設為不具有紅外截止濾波器(IR-Cut Filter)之構成。或，可使用帶通濾波器(Band Pass Filter)。如此，可對第1攝像元件116a及第2攝像元件之每一者，使用適於各者之光學濾波器及透鏡。
圖11係顯示與圖10不同之像素部120a與像素部120b之基本單位之像素排列例之圖。如圖11所示，像素部120a以4×4像素為基本單位，由青(Cyan)色、洋紅(Magenta)色、黃(Yellow)色之像素構成。
另一方面，像素部120b以4×4像素為基本單位，由紅(Red)色、綠(Green)色、藍(Blue)色之像素構成。亦即，青(Cyan)色像素與紅(Red)色像素具有補色之關係，洋紅(Magenta)色像素與綠(Green)色像素具有補色之關係，黃色(Yellow)色像素與藍(Blue)色像素具有補色之關係。
圖12係顯示進而不同之像素部120a與像素部120b之基本單位之像素排列例之圖。如圖12所示，像素部120a以4×4像素為基本單位，由青(Cyan)色、洋紅(Magenta)色、黃(Yellow)色、綠(Green)色之像素構成。
另一方面，像素部120b以4×4像素為基本單位，由紅(Red)色、綠(Green)色、藍(Blue)色之像素構成。亦即，青(Cyan)色像素、與紅(Red)色像素具有補色之關係，洋紅(Magenta)色像素與綠(Green)色像素具有補色之關係，黃色(Yellow)色像素與藍(Blue)色像素具有補色之關係。
圖13顯示與圖10至圖12不同之像素部120a與像素部120b之基本單位之像素排列例之圖。如圖13所示，像素部120a以4×4像素為基本單位，由青(Cyan)色、洋紅(Magenta)色、黃(Yellow)色之像素構成。
另一方面，像素部120b以4×4像素為基本單位，由紅(Red)色、綠(Green)色、藍(Blue)色、白(White)色之像素構成。亦即，青(Cyan)色像素、與紅(Red)色像素具有補色之關係，洋紅(Magenta)色像素與綠(Green)色像素具有補色之關係，黃色(Yellow)色像素與藍(Blue)色像素具有補色之關係。
如以上所說明般，根據本實施形態，分光產生處理部126b利用第1攝像元件116a之產生之第1圖像資料之各基本單位中所含之第1信號、與第2攝像元件116b之產生之第2圖像資料之對應之各基本單位中所含之第2信號，產生每一基本單位之具有新的光特性之輸出信號。藉此，較僅利用第1攝像元件116a、及第2攝像元件116b中之一者，可使用更多個波長帶之信號，可進一步提高分光處理之精度。
(第5實施形態) 圖14係顯示第5實施形態之像素部120之基本構成之例之圖。如圖14所示，基本構成之像素係由8×8個構成。又，左右鄰接之像素具有同一彩色濾波器M、R、Y、G、C之任一者。亦即，左右經分割之矩形對應於光電轉換部(PhotoDiode，光電二極體)。如此，針對應用之像素排列，可為任意之像素排列。又，晶載透鏡(On Chip Lens)可就每一色設置1個。晶載透鏡之形狀可為正方之晶載透鏡，亦可為長方形等其他形狀。第5實施形態之像素部120可用於第1至第4實施形態之像素部120。
圖15係顯示第5實施形態之像素部120之另一基本構成之例之圖。如圖15所示，基本構成之像素係由4×4個構成。又，2×2個像素可類比地進行相加讀出，藉由相加讀出，亦可獲得不同之分光(參照專利文獻2)。亦即，左上之2×2像素由像素M、R構成，右上之2×2像素由像素Y、G構成，左下之2×2像素由像素Y、G構成，右下之2×2像素由像素C、B構成。而且，像素M、R之相加色Cmr、像素Y、G之相加色Cyg、像素Y、G之相加色Cyg、像素C、B之相加色Ccb如右圖所示般輸出。
圖16係與圖15同樣地顯示可類比地進行相加讀出之像素例之圖。如圖16所示，基本構成之像素係由6×6個構成。又，3×3個像素可類比地進行相加讀出，藉由相加讀出，亦可獲得不同之分光。亦即，左上之3×3像素由像素M、R構成，右上之3×3像素由像素Y、G構成，左下之3×3像素由像素Y、G構成，右下之43×3像素由像素C、B構成。而且，像素M、R之相加色Cmr、像素Y、G之相加色Cyg、像素Y、G之相加色Cyg、像素C、B之相加色Ccb與圖15之右圖同樣地輸出。圖15、及圖16所示之像素部120可用於第1至第4實施形態之像素部120。
(第6實施形態) 圖17係顯示第6實施形態之像素部120之剖視圖之一部分之圖。如圖17所示，像素部120具有：例如晶載透鏡(On ChipLense)400、有機光電轉換膜402、404，406、及光電轉換元件(PhotoDide，光電二極體)404、406、408。有機光電轉換膜402具有與不使綠(Green)色光透過之彩色濾波器同等之功能。因此，作為自透過有機光電轉換膜402之光剩餘之光之洋紅(Magenta)色光由光電轉換元件408予以光電轉換。同樣，有機光電轉換膜404具有與不使紅(Red)色光透過之彩色濾波器同等之功能。因此，作為自透過有機光電轉換膜404之光剩餘之光之光由光電轉換元件410予以光電轉換。同樣，有機光電轉換膜406具有與不使藍(Blue)色光透過之彩色濾波器同等之功能。因此，作為自透過有機光電轉換膜404之光剩餘之光之光由光電轉換元件410予以光電轉換。於如圖17之情況之情形下，可視為包含6色作為濾波器特性。即，根據本發明之實施 ，可進行6+1之7色以上之輸出。圖17所示之像素部120可用於第1至第5實施形態之像素部120。
如此，於本實施形態之像素中，濾波器意指對分光造成影響之所有濾波器。例如，包含有機光電轉換膜402、404、406、及光電轉換元件(PhotoDide，光電二極體)404、406、408本身之分光特性地稱為濾波器。例如，於將利用電漿子共振之電漿子濾波器、利用折射率差之法布裡-伯羅用於分光之情形下，濾波器係包含電漿子濾波器、法布裡-伯羅者。
(第7實施形態) 圖18係顯示將本實施形態之攝像模組(立體攝影機模組)110a、b應用於作為電子機器之智慧型手機1000b之例之圖。智慧型手機1000a將相機1002a配置於顯示器1006a側。因此，必須將相機1002a配置於框緣，對於顯示器1006a之配置具有設計上之制約。
圖18所示之本實施形態之智慧型手機1000b係組入有於本揭示之第1至第6實施形態中所說明之攝像模組(圖像產生裝置)110之智慧型手機。其係具備2個攝像模組110之立體型之例。本實施形態之智慧型手機1000b將攝像模組110a、b與零件層1004b一起配置於顯示器1006b之背面側，經由顯示器1006b進行攝像。因此，於顯示器1006b之設計上無制約，可將顯示器1006b配置於智慧型手機1000b之全面。顯示器1006a係例如OLED面板。
如此，於將本實施形態之攝像模組110a、b配置於智慧型手機1000a之情形下，可產生具有與物體識別等之目的相應之分光特性之圖像信號。因此，可於相機拍攝時提高物體識別之精度。藉此，藉由物體識別，使得相機拍攝時之場景判定等之精度提高，可進行適切之拍攝。又，於將本實施形態之攝像模組110a、b應用於智慧型手機1000a之情形下，資料效率進一步提高。亦即，由於能夠根據目的來限定輸出之波長，故可實現提高識別精度之效果、及可於攝像模組110a、b內進行波長產生處理，故而可抑制消耗電力
又，藉由如圖18所示般於顯示器下(觸控面板下)配置攝像模組110a、b，而可感測使用者之手指，可進行血液循環及氧飽和度之檢測。該情形下，亦可將OLED之光源作為光源朝手指照射。於如此之例之情形下，於濾波器特性之輸入時，亦可輸入OLED面板之透過率等之資訊。又，因光源為已知，故亦可同時輸入OLED光源之波長資訊等。藉此，於攝像模組110a、b中，可產生具有更適於感測之分光特性之輸出信號。又，濾波器特性之輸入除了與上述之光學濾波器相關之資訊以外，還可為與攝像模組110a、b接收之波長資訊相關之所有資訊，亦可進一步包含光源分光及製造偏差等資訊。
圖19係顯示將本實施形態之攝像模組(圖像產生裝置)110a、b應用於作為電子機器之VR/AR/MR之HMD(頭戴式顯示器)之例之圖。圖19所示之頭戴式顯示器係組入有於本揭示之第1至第6實施形態中所說明之攝像模組(圖像產生裝置)110之頭部安裝型顯示器(頭戴式顯示器)。圖18所示之頭戴式顯示器具備：安裝於觀察者40之頭部之眼鏡型鏡框10、及2個攝像模組(圖像產生裝置)110a、b。結合構件20安裝於位於觀察者40之2個瞳孔41之間之鏡框10之中央部分10C之面向觀察者之側。鏡框10包含：配置於觀察者40之正面之前部10B、經由鉸鏈11轉動自如地安裝於前部10B之兩端之2個鏡腿部12、及安裝於各鏡腿部12之前端部之鏡腳部13，結合構件20安裝於位於觀察者40之2個瞳孔41之間之前部10B之中央部分10C。頭戴耳機部用配線17經由鏡腿部12、及鏡腳部13之內部自鏡腳部13之前端部向頭戴耳機部16延伸。頭戴耳機部用配線17更具體而言自鏡腳部13之前端部以迂迴繞入耳廓(耳殼)之後側之方式向頭戴耳機部16延伸。
如此，組入有於本揭示之第1至第6實施形態中所說明之攝像模組110之電子機器不限定於智慧型手機，可為如圖19之VR/AR/MR之HMD(頭戴式顯示器，亦可為單反相機或膠囊內視鏡。又，攝像模組110未必限定於拍攝相片之目的，可包含出於認證感測器、皮膚分析、健康照護等之目的之感測。或，攝像模組110可為具有其他目的之感測功能者。
(第8實施形態) 本實施形態之攝像模組110就分光產生處理部126可進一步具有就每一攝像訊框變更分光處理之功能之點，與第1至第7實施形態之攝像模組110不同。以下，說明與第1至第7實施形態之攝像模組110不同之點。
分光產生處理部126就每一攝像訊框變更例如線性矩陣之參數。例如，於最初之訊框中輸出與400、450、500 nm之3波長(3色)對應之信號，於下一訊框中輸出與550、600、650 nm之波長對應之信號。由於在攝像模組110內進行分光產生處理部126之運算處理，故時間軸方向之控制可任意地變更。藉此，可即時就每一訊框輸出具有不同之分光特性之輸出信號。接收攝像模組110之輸出信號之應用處理器之如前述般一般以接收3～4色之排列之前提而構築之情形變多。
例如，本實施形態之攝像模組110於第1訊框中輸出與400、450、500 nm之3波長對應之信號，於第2訊框中輸出與550、600、650 nm之3波長對應之信號。因此，對於以例如接收3色之排列之前提而構築之應用處理器，亦可收具有6色之排列之圖像資料。如此，於存在配色數之制約之情形下，藉由如本實施形態般就每一訊框輸出與不同之頻帶對應之信號，而可解除配色數之制約。此外，時間之分割數、及與輸出信號對應之頻帶可任意地設定
又，分光產生處理部126可在訊框間輸出與相同之頻帶對應之信號。又，分光產生處理部126可利用具有共通之分光特性之處理信號，進行被攝體之動態修正。例如可於訊框1中輸出與400 nm、500 nm、600 nm之3波長對應之信號，於訊框2中輸出與300 nm、500 nm、700 nm之3波長對應之信號。亦即，可在訊框間輸出與相同之波長之對應之信號。於例如被攝體為移動之物體(動態被攝體)之情形下，藉由在訊框間輸出與同一波長對應之信號，而可更正確地修正同一被攝體之移動。
又，如圖2所示，各像素之對於輸入光之感度不同。尤其是紅外(IR、Black)像素之光感度變低。為了修正如此之色別之感度差，而於攝像模組110中，可就每一像素、或每一訊框，於攝像模組110間等改變曝光控制。又，彩色濾波器可重疊複數個彩色濾波器來製作色彩。例如，若實體上積層藍(Blue)與紅(Red)之彩色濾波器，則成為黑(Black)(僅供IR透過之)彩色濾波器。
如以上所說明般，根據本實施形態，分光產生處理部126進一步具備就每一攝像訊框變更分光處理之功能。藉此，對於當同時處理複數個色彩時具有配色數之制約之應用處理器，亦可輸出信號。
圖20係顯示分光特性之一例之圖。橫軸表示波長，縱軸表示信號值例。信號值O1～O12表示信號之大小對於特定波長範圍、例如300～1000奈米之輸入光之變動。信號力值O1～O12各者將例如紫外區至紅外區分成12個頻帶，於各個頻帶具有信號值之最大值。於圖20中，根據與信號值(亦有稱為輸出(Output)之情形)之最大值對應之波長帶，自低波長側對於高波長側依序賦予O1～O12之符號。
此外，本技術可採用如以下之構成。
(1) 一種攝像元件，其構成為半導體晶片，且具備： 取得部，其於前述半導體晶片外設置光學構件，取得與前述光學構件相關之資訊； 像素部，其具有對於經由前述光學構件輸入之輸入光之波長的分光特性互不相同之N(N為整數)種像素； 轉換部，其將前述像素部之輸出信號轉換成數位之輸出信號； 處理部，其使用前述資訊，基於前述轉換部輸出之輸出信號，而予以轉換處理為分光特性互不相同之N+1以上個處理信號；及 輸出部，其將基於前述處理信號之信號輸出至前述半導體晶片外。
(2) 如(1)之攝像元件，其中前述像素部具有經由N種濾波器將輸入光轉換成前述輸出信號之複數個光電轉換元件。
(3) 如(2)之攝像元件，其中前述N為5以上。
(4) 如(1)之攝像元件，其中前述攝像元件於1個半導體晶片部或鄰接之複數個半導體晶片部內構成。
(5) 如(1)之攝像元件，其中前述資訊係與位於前述攝像元件與被攝體之間之前述光學構件之光學特性相關者，與透過率、反射率、折射率、發光波長、及波長依存性之至少一者相關。
(6) 如(1)之攝像元件，其中前述光學構件係彩色濾波器、電漿子、及有機光電轉換膜之至少任一者。
(7) 如(2)之攝像元件，其中前述N種濾波器具有透過紅(Red)色光、綠(Green)色光、藍(Blue)色光、青(Cyan)色光、洋紅(Magenta)色光、及黃(Yellow)色光之任一者之濾波器中之4種以上之濾波器。
(8) 如(1)之攝像元件，其中前述取得部係可記憶來自前述半導體晶片外之前述資訊的記憶體(EEPROM)，將前述記憶體記憶之來自前述半導體晶片外之前述資訊供給至前述處理部。
(9) 如(1)之攝像元件，其中前述光學構件係帶通濾波器。
(10) 如(9)之攝像元件，其中前述帶通濾波器透過特定可見光區域與特定紅外(IR)區域之光。
(11) 如(1)之攝像元件，其中前述處理部可進行使用與拍攝環境相關之參數之處理；且 前述取得部可取得至少包含與光源推定結果相關之資訊的前述參數。
(12) 如(1)之攝像元件，其中前述處理部輸出之前述處理信號係依照特定排列資訊之圖像資料；且 前述取得部可取得與前述N+1以上個分光特性相關之資訊、及與前述排列資訊相關之資訊之至少任一者。
(13) 如(1)之攝像元件，其中前述處理信號各者於特定波長範圍之輸入光之前述N+1以上個波長帶各者中具有光感度之峰值；且 前述處理部可根據來自前述半導體晶片外之參數設定，變更前述N+1以上個波長帶之至少任一範圍。
(14) 如(1)之攝像元件，其中前述處理部輸出之前述處理信號係依照特定排列資訊之圖像資料；且 前述處理部可根據來自前述半導體晶片外之參數設定，改變前述圖像資料之像素排列。
(15) 如(1)之攝像元件，其中前述光學構件至少為顯示用之顯示器面板；且 前述處理部至少利用與前述顯示器面板之光學特性相關之資訊，產生前述處理信號。
(16) 如(1)之攝像元件，其中前述處理部亦基於不同之攝像元件產生之輸出信號，產生前述處理信號。
(17) 如(1)之攝像元件，其中前述像素部具有有機光電轉換膜、及於剖面方向經分割之分割光電二極體之任一者。
(18) 如(1)之攝像元件，其中前述處理部之第1訊框中產生之前述處理信號內之組合、與繼前述第1訊框之後產生之第2訊框中產生之前述處理信號內之組合不同。
(19) 如(18)之攝像元件，其中前述處理部將前述N+1個前述處理信號內之M(M為整數、且M＜N+1)個處理信號作為前述第1訊框而產生，將前述N+1個前述處理信號內之其餘之處理信號作為前述第2訊框而產生。
(20) 如(1)之攝像元件，其中前述像素部於訊框間、或像素間進行不同之曝光控制。
(21) 如(13)之攝像元件，其中前述像素部具有白(White)像素、及灰(Gray)像素之至少一者，其等對於前述特定波長範圍之輸入光，在與其他像素具有感度之頻帶重疊之廣域頻帶中具有感度。
(22) 如(2)之攝像元件，其中於前述N種濾波器之分光特性中，於透過之波長帶之一處以上有重疊。
(23) 如(1)之攝像元件，其中前述分光特性表示處理信號之大小相對於特定波長範圍之輸入光之變動；且 前述處理部於前述光學構件為帶通濾波器(Band Pass Filter)之情形下，進行進一步縮小前述N+1以上個處理信號中至少任一者相對於輸入光之波長的處理信號之變動值之半高寬之處理。
(24) 如(18)之攝像元件，其中前述處理部於前述第1訊框內之處理信號與前述第2訊框內之處理信號中，分別包含至少一個具有共通分光特性之處理信號。
(25) 如(24)之攝像元件，其中前述處理部可使用具有前述共通分光特性之處理信號，進行被攝體之動態修正。
(26) 一種電子機器，其具有(1)之攝像元件。
本揭示之態樣並非係限定於上述之各個實施形態者，亦包含熟悉此項技術者可想到之各種變化，本發明之效果亦不並不限定於上述之內容。亦即，於不脫離根據由申請專利範圍規定之內容及其均等物導出之本揭示之概念性思想與旨趣之範圍內，可進行各種追加、變更及局部削除。
10:鏡框 10B:前部 10C:中央部分 11:鉸鏈 12:鏡腿部 13:鏡腳部 16:頭戴耳機部 17:頭戴耳機部用配線 20:結合構件 40:觀察者 41:瞳孔 110:攝像模組(圖像產生裝置) 112:透鏡系統 112a:第1透鏡系統 114:光學濾波器 114a:第1光學濾波器/第1濾波器 116:攝像元件 116a:第1攝像元件(Image Sensor，影像感測器1) 116b:第2攝像元件(Image Sensor，影像感測器2) 118:記憶部 120,120a,120b:像素部 122,122a,122b:AD轉換器 124:光源推定部 126,126b:分光產生處理部 128:輸出介面/輸出IF 128a,128b:輸出介面 130,130b:像素內插處理部 132:第2輸入部 132a,132b:箝位部 134b:輸入介面 136b:記憶體部 138b,1180:資訊輸入部 200:應用處理電路(Application Processor) 330,340,350:攝像元件(影像感測器) 331:半導體晶片 332,343,353:像素區域 333,344,354:控制電路 334,345,355:邏輯電路 341,351:第1半導體晶片部 342,352:第2半導體晶片部 400:晶載透鏡(On ChipLense) 402:有機光電轉換膜 404,406:有機光電轉換膜/光電轉換元件(PhotoDide，光電二極體) 408:光電轉換元件(PhotoDide，光電二極體) 410:光電轉換元件 1000a,1000b:智慧型手機 1002a:相機 1004b:零件層 1006a,1006b:顯示器 1120:應用處理器 1122:內部記憶部(OTP) B,C,G,IR,M,R,W,Y:像素 Ccb,Cmr,Cyg:相加色 O1～O12,O22,O24,O26,O28:信號值 QE:效應 α:輸出信號值/分光特性之峰值之位置/分光
圖1係顯示本實施形態之像素部之基本單位之例之圖。 圖2係顯示像素之分光特性之圖。 圖3A係顯示2像素對於波長之輸出值之例之圖。 圖3B係顯示另外之2像素對於波長之輸出值之例之圖。 圖4係顯示對於顯示像素之輸出信號值進行12列8行之色彩矩陣運算後之處理例之圖。 圖5係顯示本實施形態之攝像元件之構成例之圖。 圖6A係顯示本實施形態之攝像模組之構成例之圖。 圖6B係顯示本實施形態之攝像模組之另一構成例之圖。 圖6C係顯示本實施形態之攝像模組之又一構成例之圖。 圖7A-7C係顯示利用帶通濾波器之情形之攝像元件之輸出信號例之圖。 圖8A係顯示第3實施形態之攝像模組之構成例之圖。 圖8B係顯示不具有透鏡之攝像模組之構成例之圖。 圖9係顯示第4實施形態之攝像模組之構成例之圖。 圖10係顯示像素部之基本單位之像素排列例之圖。 圖11係顯示與圖10不同之像素部之基本單位之像素排列例之圖。 圖12係顯示進而不同之像素部之基本單位之像素排列例之圖。 圖13係顯示與圖10至圖12不同之像素部之基本單位之像素排列例之圖。 圖14係顯示第5實施形態之像素部之基本構成之例之圖。 圖15係顯示第5實施形態之像素部之另一基本構成之例之圖。 圖16係顯示可類比地進行相加讀出之像素例之圖。 圖17係顯示第6實施形態之像素部之剖視圖之一部分之圖。 圖18係顯示將攝像模組應用於作為電子機器之智慧型手機之例之圖。 圖19係將顯示攝像模組應用於作為電子機器之頭戴式顯示器之例之圖。 圖20係顯示分光特性之一例之圖。
110:攝像模組(圖像產生裝置)
112:透鏡系統
114:光學濾波器
116:攝像元件
118:記憶部
120:像素部
122:AD轉換器
124:光源推定處理部
126:分光產生處理部
128:輸出介面/輸出IF
1180:資訊輸入部
1120:應用處理器
1122:內部記憶部(OTP)

Claims (26)

  1. 一種攝像元件，其構成為半導體晶片，且具備： 取得部，其於前述半導體晶片外設置光學構件，取得與前述光學構件相關之資訊； 像素部，其具有對於經由前述光學構件輸入之輸入光之波長的分光特性互不相同之N(N為整數)種像素； 轉換部，其將前述像素部之輸出信號轉換成數位之輸出信號； 處理部，其使用前述資訊，基於前述轉換部輸出之輸出信號，而予以轉換處理為分光特性互不相同之N+1以上個處理信號；及 輸出部，其將基於前述處理信號之信號輸出至前述半導體晶片外。
  2. 如請求項1之攝像元件，其中前述像素部具有經由N種濾波器將輸入光轉換成前述輸出信號之複數個光電轉換元件。
  3. 如請求項2之攝像元件，其中前述N為5以上。
  4. 如請求項1之攝像元件，其中前述攝像元件於1個半導體晶片部內或電性連接之複數個半導體晶片部內構成。
  5. 如請求項1之攝像元件，其中前述資訊係與位於前述像素部與被攝體之間之前述光學構件之光學特性相關者，與透過率、反射率、折射率、發光波長、及波長依存性之至少一者相關。
  6. 如請求項1之攝像元件，其中前述光學構件係彩色濾波器、電漿子、及有機光電轉換膜之至少任一者。
  7. 如請求項3之攝像元件，其中前述N種濾波器具有透過紅(Red)色光、綠(Green)色光、藍(Blue)色光、青(Cyan)色光、洋紅(Magenta)色光、及黃(Yellow)色光之任一者之濾波器中之4種以上之濾波器。
  8. 如請求項1之攝像元件，其中前述取得部係可記憶來自前述半導體晶片外之前述資訊的記憶體(EEPROM)，將前述記憶體記憶之來自前述半導體晶片外之前述資訊供給至前述處理部。
  9. 如請求項1之攝像元件，其中前述光學構件係帶通濾波器。
  10. 如請求項9之攝像元件，其中前述帶通濾波器透過特定可見光區域與特定紅外(IR)區域之光。
  11. 如請求項1之攝像元件，其中前述處理部可進行使用與拍攝環境相關之參數之處理；且 前述取得部可取得至少包含與光源推定結果相關之資訊的前述參數。
  12. 如請求項1之攝像元件，其中前述處理部輸出之前述處理信號係依照特定排列資訊之圖像資料；且 前述取得部可取得與前述N+1以上個分光特性相關之資訊、及與前述排列資訊相關之資訊之至少任一者。
  13. 如請求項1之攝像元件，其中前述處理信號各者於特定波長範圍之輸入光之前述N+1以上個波長帶各者中具有光感度之峰值；且 前述處理部可根據來自前述半導體晶片外之參數設定，變更前述N+1以上個波長帶之至少任一範圍。
  14. 如請求項1之攝像元件，其中前述處理部輸出之前述處理信號係依照特定排列資訊之圖像資料；且 前述處理部可根據來自前述半導體晶片外之參數設定，改變前述圖像資料之像素排列。
  15. 如請求項1之攝像元件，其中前述光學構件至少為顯示用之顯示器面板；且 前述處理部至少利用與前述顯示器面板之光學特性相關之資訊，產生前述處理信號。
  16. 如請求項1之攝像元件，其中前述處理部亦基於不同之攝像元件產生之輸出信號，產生前述處理信號。
  17. 如請求項1之攝像元件，其中前述像素部具有有機光電轉換膜、及於剖面方向經分割之分割光電二極體之任一者。
  18. 如請求項1之攝像元件，其中前述處理部之第1訊框中產生之前述處理信號內之組合、與繼前述第1訊框之後產生之第2訊框中產生之前述處理信號內之組合不同。
  19. 如請求項18之攝像元件，其中前述處理部將前述N+1個前述處理信號內之M(M為整數、且M＜N+1)個處理信號作為前述第1訊框而產生，將前述N+1個前述處理信號內之其餘之處理信號作為前述第2訊框而產生。
  20. 如請求項1之攝像元件，其中前述像素部於訊框間、或像素間進行不同之曝光控制。
  21. 如請求項13之攝像元件，其中前述像素部具有白(White)像素、及灰(Gray)像素之至少一者，其等對於前述特定波長範圍之輸入光，在與其他像素具有感度之頻帶重疊之廣域頻帶中具有感度。
  22. 如請求項2之攝像元件，其中於前述N種濾波器之分光特性中，於透過之波長帶之一處以上有重疊。
  23. 如請求項1之攝像元件，其中前述分光特性表示處理信號之大小相對於特定波長範圍之輸入光之變動；且 前述處理部於前述光學構件為帶通濾波器(Band Pass Filter)之情形下，進行進一步縮小前述N+1以上個處理信號中至少任一者相對於輸入光之波長的處理信號之變動值之半高寬之處理。
  24. 如請求項18之攝像元件，其中前述處理部於前述第1訊框內之處理信號與前述第2訊框內之處理信號中，分別包含至少一個具有共通分光特性之處理信號。
  25. 如請求項24之攝像元件，其中前述處理部可使用具有前述共通分光特性之處理信號，進行被攝體之動態修正。
  26. 一種電子機器，其具有請求項1之攝像元件。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4633129B2 (ja) 2003-11-11 2011-02-16 オリンパス株式会社 マルチスペクトル画像撮影装置
JP4967440B2 (ja) * 2006-04-03 2012-07-04 ソニー株式会社 撮像装置およびその光源推定装置
BRPI0906069A2 (pt) * 2008-10-21 2015-06-30 Sony Corp Dispositivo de captação de imagem, de exibição e captação de imagem e eletrônico.
JP5760811B2 (ja) * 2011-07-28 2015-08-12 ソニー株式会社 固体撮像素子および撮像システム
JP5999750B2 (ja) 2011-08-25 2016-09-28 ソニー株式会社 撮像素子、撮像装置及び生体撮像装置
EP3417762B1 (en) * 2016-02-16 2023-07-05 Sony Group Corporation Image processing device, image processing method, and program
JP6789792B2 (ja) * 2016-12-13 2020-11-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、電子機器
TWI832864B (zh) * 2018-08-07 2024-02-21 日商索尼半導體解決方案公司 攝像裝置及攝像系統
JP6746855B2 (ja) * 2018-09-28 2020-08-26 エスゼット ディージェイアイ テクノロジー カンパニー リミテッドＳｚ Ｄｊｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ 撮像装置、制御方法、及びプログラム
WO2020202904A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 ソニー株式会社 信号処理装置、撮像装置、信号処理方法

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