TW202219648A - 成像光學系統、曝光設備及物件製造方法 - Google Patents

成像光學系統、曝光設備及物件製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202219648A
TW202219648A TW110123719A TW110123719A TW202219648A TW 202219648 A TW202219648 A TW 202219648A TW 110123719 A TW110123719 A TW 110123719A TW 110123719 A TW110123719 A TW 110123719A TW 202219648 A TW202219648 A TW 202219648A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
point
points
correction
concave surface
substrate
Prior art date
Application number
TW110123719A
Other languages
English (en)
Inventor
河野道生
Original Assignee
日商佳能股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商佳能股份有限公司 filed Critical 日商佳能股份有限公司
Publication of TW202219648A publication Critical patent/TW202219648A/zh

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08Catadioptric systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/0025Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration
    • G02B27/0037Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration with diffracting elements
    • G02B27/0043Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration with diffracting elements in projection exposure systems, e.g. microlithographic systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70233Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08Catadioptric systems
    • G02B17/0804Catadioptric systems using two curved mirrors
    • G02B17/0808Catadioptric systems using two curved mirrors on-axis systems with at least one of the mirrors having a central aperture
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2008Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the reflectors, diffusers, light or heat filtering means or anti-reflective means used
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70225Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70308Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70316Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements

Abstract

成像光學系統包括調整器,用於藉由向每一反射表面的後表面施加力來調整至少兩個反射表面中的每一者的形狀。藉由將調整器的力作用點投射在相對於反射面界定的光軸方向上而獲得的點被界定為校正點,作用點被設置為使得當從物件平面上的一個點發射出的光通量中的第一和第二光線時物件平面被第一反射表面和第二反射表面反射時,第一光線撞擊第一反射表面的校正點但沒有撞擊第二反射表面的校正點,第二光線沒有撞擊第一反射表面的校正點但撞擊第二反射表面的校正點。

Description

成像光學系統、曝光設備及物件製造方法
本發明係有關於成像光學系統,曝光設備及物件製造方法。
曝光設備是一種利用微影處理(lithography process)中的投影光學系統將原片(original)(標線片(reticle)或光罩)上的圖案轉移到感光基板(例如,表面形成有抗蝕劑層的晶圓或玻璃板)上的設備,該微影處理是半導體裝置、液晶顯示裝置等的製程。通常,反射式投影光學系統被使用作為曝光裝置的投影光學系統,其包括彼此幾乎被同心地配置的凹面反射鏡和凸面反射鏡,並使用偏軸環狀良好成像區域(off-axis annular good image area)將光罩上的圖案成像在基板上。在這樣的光學系統中,已經被提出的是使用大直徑凹面反射鏡作為用於像差校正的可變形反射鏡(例如,參見日本專利公開案第2019-28352號和第2017-211493號)。多個校正點被配置在可變形反射鏡中,該等校正點施加力以校正凹面反射鏡的表面形狀。在光學性能方面,希望在光通量中提供盡可能多的校正點。
當可變形反射鏡應用於反射投影光學系統時,從光罩上的一點發射的光通量在其被成像在基板上之前先被反射鏡反射多次。具體地,當使用大直徑凹面反射鏡時,光通量在相對於凹面反射鏡的中心線對稱的區域中被反射兩次。在常規的可變形反射鏡中,多個校正點被點對稱地配置。在這種情況下,從光罩上的一個點發射的光通量中的單個點在光通量的擴散中被校正兩次。這意味著光通量中能夠得到校正的點的數量基本上沒有增加。
此外,由於多個校正點中的每個點由複雜的機械構件形成並且在被驅動時產生熱量,所以相鄰校正點之間的距離不能容易地減小。因此,難以在一個反射表面上配置大量校正點。
由於上述問題,需要相對於光通量更有效地配置表面形狀校正點。考慮到上述問題,本發明提供了一種有利於提高像差校正精度的技術。
本發明在其一態樣中提供一種成像光學系統,其包括反射光線的多個反射表面,並且經由該等多個反射表面將從物件平面發射的光通量成像在像平面上,該系統包括多個調整器,該等多個調整器被建構成藉由向該等多個反射表面中的至少兩個反射表面中的每一者的後表面施加力來調整該至少兩個反射表面中的每一者的形狀,其中,如果藉由將該等多個調整器的力作用點沿相對於反射表面界定的光軸方向投影而獲得的點被界定為校正點的話,則作用點被設定為使得當從物件平面上的一個點發射的光通量中的第一光線和第二光線被第一反射表面和第二反射表面反射時,該第一光線撞擊第一反射表面的校正點但不撞擊第二反射表面的校正點,以及該第二光線不撞擊第一反射表面的校正點,但撞擊第二反射表面的校正點。
本發明的其它特徵從下面(參考附圖)對示範性實施例的描述中將變得明顯。
在下文中,實施例將參考附圖被詳細描述。應指出的是,下面的實施例不旨在限制所要求保護的發明的範圍。在實施例中描述了多個特徵,但是並非將限制套用於需要所有這種特徵的發明,可以適當地組合多個這種特徵。此外,在附圖中,相同的元件符號用於相同或相似的配置,並且省略了其冗餘的描述。
圖26是顯示出實施例中的曝光裝置的配置的圖式。在本說明書中,將在XYZ坐標系上指示方向,其中水平表面被界定為X-Y平面。通常,基板P被放置在基板台401上,使得基板P的表面變得平行於水平表面(X-Y平面)。因此,在下面的描述中,在沿著基板P的表面的平面中彼此正交的方向被界定為X軸和Y軸,並且垂直於X軸和Y軸的方向被界定為Z軸。然而,由於曝光裝置的配置,Z軸和Y軸之間的關係可以通過偏轉鏡相互轉換。因此,Z軸和Y軸之間的關係可以根據要參考的附圖互換。
照明光學系統1可以包括光源101、ND濾光器102、光學積分器103、孔徑光闌104、聚光透鏡105、狹縫106、透鏡107、反射鏡108和透鏡109。光源101是高壓汞燈或類此者,並且發射紫外光。ND濾光器102具有預定透射率,並且調整從光源101發射的光的強度。光學積分器103由例如複眼透鏡(fly-eye lens)形成。複眼透鏡由一組多個微小透鏡形成,並且多個次級光源形成在複眼透鏡的發光表面附近。孔徑光闌104是用於確定由光學積分器103形成的一組次級光源的整體形狀的孔徑光闌。該組次級光源的整體形狀被稱為照明形狀。聚光透鏡105使用來自光學積分器103的光對狹縫106執行柯勒照明。狹縫106使來自光源的光成形。狹縫106的開口部分被形成為藉由遮蔽刀片照射光罩的形狀。已經穿過狹縫106的光經由透鏡107、反射鏡108和透鏡109照射光罩M。
光罩台201可以保持光罩M並在Y軸方向上移動。雷射干涉儀202測量光罩台201的位置。
投影光學系統3是成像光學系統,其包括多個反射鏡,每一反射鏡包括反射光的反射表面和作為反射表面的相反側上的表面的後表面,並且經由多個反射鏡的反射表面將從物件平面發射的光通量成像在像平面上。更具體地,投影光學系統3將被繪製在光罩M上的圖案(例如,電路圖案)投影到基板P上,該基板P是其上施加有光敏劑的基板。投影光學系統3是所謂的奧夫納(Offner)光學系統。在奧夫納光學系統中,為了確保良好的圖像區域,弧形光被施加到光罩M。因此,狹縫106的透光部分(開口部分)的形狀和到達基板P的曝光光的照射形狀中的每一者都是弧形的。透射通過光罩M的圖案的光在被第一平面反射鏡T1、凹面反射鏡Mo的第一反射區Moa、凸面反射鏡Mt、凹面反射鏡Mo的第二反射區Mob和第二平面反射鏡T2依所述順序反射之後到達基板P。因此,光罩M的圖案被轉印到基板P上。
在此處,凹面反射鏡Mo被描述為包括第一反射區Moa和第二反射區Mob的一個反射鏡。然而,由於光被第一反射區Moa和第二反射區Mob反射兩次,因此凹面反射鏡Mo實質上與被分成包括第一反射區Moa的第一凹面反射鏡和包括第二反射區Mob的第二凹面反射鏡相同。然而,圖26所示的投影光學系統旨在以相等的倍率執行成像,並且不需要由單獨的主體形成。因此,在此處,第一凹面反射鏡和第二凹面反射鏡由單個光學構件形成,使得凹面反射鏡Mo被描述為一個反射鏡。凹面反射鏡Mo被分成兩個主體以提供放大系統或縮小系統的配置將稍後被描述。
基板台401可以保持基板P並且至少移動在X方向和Y方向上。藉由與光罩台201同步地保持基板P並在Y方向上驅動的基板台401,基板P的掃描曝光可被實施。控制單元5由例如包括CPU和記憶體的電腦形成,並且全面控制包括掃描曝光的曝光裝置的操作。
使用者可以經由操作單元6來執行曝光裝置的各種參數的設定。一輸入參數值被傳輸到控制單元5,並且控制單元5可以調整曝光裝置中的每一單元。
在此實施例中,在使用偏軸環形良好圖像區域來投影圖案的投影光學系統3時,多個反射鏡中的至少兩個反射鏡是可變形反射鏡。藉由有效地校正可變形反射鏡的表面形狀,螢幕中的放大或失真、聚焦和諸如像散之類的光學像差被改善。例如,在投影光學系統3中,實質上包括第一凹面反射鏡和第二凹面反射鏡的凹面反射鏡Mo是可變形反射鏡,並且設置了多個調整器7,各個調整器7向凹面反射鏡Mo的後表面上的多個部分中的各個部分施加力。多個調整器7中的每個調整器可以由諸如音圈馬達的致動器形成。
在本說明書中,可變形反射鏡上的多個調整器7的力作用點中的每一者也被稱為調整點。此外,藉由在相對於可變形反射鏡(例如,凹面反射鏡)界定的光軸方向上將調整點投影到可變形反射鏡的反射表面上而獲得的點被界定為校正點。應指出的是,這裡的“點”是沒有面積的虛擬點。
圖2A和圖2B分別是平面圖和剖面圖,其顯示出在日本專利公開No.2019-28352中公開的投影光學系統中使用的凹面反射鏡是可變形反射鏡的情況下的致動器的配置示例。在圖2A和圖2B中,多個調整點Ac(每一調整點Ac由一對致動器元件ac1(例如,磁體)和致動器元件ac2(例如,線圈)形成)在光軸的橫截面中沿周向方向和徑向方向(徑向向量延伸的方向)排列。在圖2A和圖2B所示的例子中,如日本專利公開No.2017-211493中所述,調整點Ac被相對於光軸點對稱地配置,它們根據基於光學像差或表面位移量的校正指令值被驅動。利用這種配置,反射表面側的表面形狀被變形。
接下來,光通量的擴散與凹面反射鏡上的校正點之間的位置關係將被描述。參考圖3和圖4,凹面反射鏡上的有效光通量將被描述。圖3是顯示出光罩表面M上的弧形曝光區域的圖式。如上所述,位於照明光學系統1內部的狹縫106的開口部分具有弧形形狀。該狹縫106允許僅在投影光學系統3的偏軸環形良好圖像區域上進行選擇性照明。圖3顯示出了曝光區域,並且在X軸方向上具有曝光寬度W且在Y軸方向上具有狹縫寬度Sw的一照明區域被形成。在圖3中,光罩表面M上的Y方向對應於圖1中的繪圖表面內的橫向方向,圖1是稍後要描述的投影光學系統3的光線圖(ray diagram)。光罩和基板在該方向上被同步掃描以暴露出基板的整個表面。在圖3中,R表示形成環形曝光區域的弧的最外半徑,並且弧的中心與投影光學系統的光軸o相匹配(match)。最內弧存在於通過在Y方向(掃描方向)上使弧移位Sw而獲得的位置處。
藉由提供這樣的照明區域,當實施光罩和基板的掃描曝光時,可以在整個曝光寬度(X方向)上獲得均勻的積分曝光量。應指出的是,為了獲得均勻的積分曝光量,與圖3不同地,還可以使弧的最內半徑的中心與光軸o相匹配,並且在藉由使最內半徑在Y方向上移位Sw而獲得的位置處形成最外弧。在圖3中,點C1指出Y軸上的弧的最高點,且點C2指出其最低點。此外,點R2和L2分別指出在X方向上距Y軸最遠的弧的右最低點和左最低點。從光罩上的一個點發射的光通量在其被成像在基板上之前被反射鏡反射多次。在大直徑凹面反射鏡中,光通量在相對於凹面反射鏡的中心點對稱的區域中被反射兩次。
圖4是顯示出凹面反射鏡Mo上的有效光通量區域的示意圖。更嚴格地說,圖4是光通量被投影到垂直於投影光學系統3的光軸(在z軸方向上延伸)的平面上並且穿過凹面反射鏡Mo的光軸的圖式。因此,圖4中的Y軸對應於圖1中的Z軸。在稍後要描述的第一實施例中,圖1的細節將被描述。被交替的一長兩短虛線所圍繞的區域EA1是光通量被凹面反射鏡第一次反射時的有效光通量區域,且被虛線圍繞的區域EA2是光通量被凹面反射鏡第二次反射時的有效光通量區域。在此處,從弧的中心部分中的點C2發射並被凹面反射鏡第一次反射的光通量(以C2為中心的φ2)和被凹面反射鏡第二次反射的光通量(以C22為中心的φ22)的被顯示出來。另外,從弧的右端部分中的點R2發射並被凹面反射鏡第一次反射的光通量(以R2為中心的φr)和被凹面反射鏡第二次反射的光通量(以R22為中心的φr2)被顯示出。
圖5是藉由疊加圖2和圖4而獲得的圖式,且是一顯示出校正點陣列的配置狀態與凹面反射鏡上的有效光通量區域之間的關係的圖式。與圖4一樣地,圖5中的Y軸對應於圖1中的Z軸。可以看出的是,用於校正表面形狀的點陣列存在於從弧上的點C2和R2發射的光通量中。在此處,應注意的是,第一次在凹面反射鏡上被反射的光通量和第二次在凹面反射鏡上被反射的光通量相對於光軸被點對稱地配置,且凹面反射鏡上的校正點陣列也如圖2所示地被點對稱地配置。利用這種配置,從光罩上的一個點發射的光通量中的單一點在光通量的擴散中被校正兩次。這意味著有效校正點的數量小,並且具有以下的問題。在光學性能方面,有必要在光通量中提供盡可能多的校正點,以校正由Zernike展開項表示的高階像差。在未來,隨著NA上升,這種需求將變得更強烈。另一方面,每一校正點由複雜的機械構件形成,而且在驅動時產生熱量。因此,相鄰的校正點之間的距離不能被輕易地減小。換言之,不能在一個反射表面上安排大量的校正點。因此,需要表面形狀校正點陣列相對於光通量的更有效的配置。用於解決上述問題的配置例將在下面的每一實施例中被描述。 (第一實施例)
圖1是第一實施例中的投影光學系統3的光線圖。光罩表面M上的點C1、C2、R2和L2在圖3中被示出。從這些點中的每一個點發出的光通量穿過光罩表面正下方的光學構件G1,其光程受第一平面反射鏡T1的作用被直角彎曲,然後撞擊凹面反射鏡Mo。被凹面反射鏡Mo反射的光通量穿過位於光軸oo’附近的光學構件G2,然後撞擊凸面反射鏡Mt。凸面反射鏡Mt被設置在投影光學系統3的孔徑平面上。被凸面反射鏡Mt反射的光通量再次穿過光學構件G2,然後撞擊凹面反射鏡Mo。被凹面反射鏡Mo反射的光通量再次朝向第二平面反射鏡T2行進,其光程受第二平面反射鏡T2的作用被直角彎曲,穿過基板P正上方的光學構件G3,並且成像在基板P上。被分別配置在光罩附近和基板附近的上述光學構件G1和G3中的每一者是具有折射力的光學構件,並且可以包括例如具有非球形表面形狀的透鏡。
在圖1中,一介於光軸oo’與從光罩表面上的點R2和L2中的每一者發出的光通量的最接近凹面反射鏡Mo上的光軸oo’的點之間的距離D被示出。應指出的是,由於投影光學系統3是等倍率系統,因此光學系統和光程係相對於位於投影光學系統3的孔徑平面上的凸面反射鏡Mt垂直地對稱。因此,距光軸oo’的上部的距離和距光軸oo’的下部的距離都等於D。在此實施例中,成像倍率是等倍率。在一個例子中,數值孔徑(NA)為0.135,並且曝光寬度為820mm。弧半徑為600mm,狹縫寬度為60mm。作為曝光波長,範圍為300nm至365nm的波段中的DUV光被使用,且對其實施像差校正。每一光學構件的曲率半徑R、距離D、玻璃構件的光學折射率N以及用於實現上述配置的相應光學構件的參考符號在以下表1中總結。應指出的是,一些光學構件中的每一者被形成為具有非球形表面表面,並且用於界定非球形表面形狀的等式在下面的等式1中給出。個別係數的例子被示於下面的表2中。
Figure 02_image001
其中,在表1中,r是1/R。
Figure 02_image003
Figure 02_image005
在此處,參考圖6和圖7,將描述凹面反射鏡Mo上的有效光通量將被描述。圖6是顯示出本實施例中的凹面反射鏡Mo上的有效光通量區域的光學跡線圖。圖6中的Y軸對應於圖1中的Z軸。從此圖中可以看出的是,從圖3所示的光罩表面M上的弧形區域中的總共15個點(包括X方向上的五個點和Y方向上的三個點)發射的成像光通量在凹面反射鏡Mo上形成一組圓圈。在圖6中,φ表示從光罩上的一個點發射的光通量在凹面反射鏡Mo上的有效光通量的直徑,並且D表示有效光通量組與x軸之間的最小接近距離,如圖1所示。
圖7是顯示出圖1所示的光學系統中的凹面反射鏡Mo上的有效光通量區域的示意圖。更嚴格地,圖7是一藉由將光通量投影到垂直於光軸oo’並穿過凹面反射鏡Mo的光軸的平面上而獲得的圖式。因此,圖7中的Y軸對應於圖1中的Z軸。在圖1中,由第一平面反射鏡T1彎曲的光通量撞擊凹面反射鏡Mo。在此實施例中,其被設計成使得主光線在光罩表面和基板表面之間幾乎是遠心的(telecentric)。因此,從光罩表面M上的每一點(C1、C2、R2和L2)發射的成像光通量的每一主光線都幾乎平行於光軸oo’行進並撞擊凹面反射鏡Mo。因此,在凹面反射鏡Mo上,圖3所示的弧形區域被完整地投影,並且成像光通量的擴散區域被添加到其上。光通量的有效區域因而被確定。在圖7中,由交替的一長兩短虛線表示的弧形區域等於圖3所示的光罩表面上的弧形區域,且r表示每個點處擴散的光通量的半徑。更具體地,r幾乎等於從光罩表面M到凹面反射鏡Mo的光學距離與成像光通量的數值孔徑(NA)的乘積。在圖7中,弧的翹曲量
Figure 02_image007
由下面的等式界定:
Figure 02_image009
因此,至於圖7中由交替的一長兩短虛線表示的凹面反射鏡Mo上的有效光通量區域,Y方向上的擴展寬度係使用到目前為止被界定的數值用Sw+2r+
Figure 02_image007
來表示。X方向上的擴展寬度用W+2r來表示。在此處,在此實施例中,藉由注意有效光通量區域中最靠近X軸的點K和H,介於點K和H中的每一者與X軸之間的距離D被界定。點K和H分別是從圖3中的光罩表面上的點R2和L2發射的光通量的最接近光軸的點。在此處,相對於光軸o的上半圓中的圓圈組EA1是從光罩表面發射並被凹面反射鏡Mo第一次反射的光通量組,且圖1所示的最短距離D也在圖7中示出。相對於光軸o的下半圓中的圓圈組EA2是被凹面反射鏡Mo第二次反射的光通量組。由於該光學系統是等倍率系統,因此EA1和EA2相對於光軸o點被對稱地配置。
圖6中所示的一組圓圈的區域對應於圖7中所示的由交替的一長兩短虛線圍繞的區域。此外,最短距離D也在圖6中顯示為正數,且這指出上部光通量和下部光通量彼此充分地分開。在此實施例中,凹面反射鏡上每一點的有效光通量的直徑(φ=2r)為645mm,且最短距離D的值為+57mm。
在此實施例中,多個調整器7的力作用點被設置,使得當從光罩上的一個點發射的光通量中的第一光線和第二光線被第一凹面反射鏡和第二凹面反射鏡反射時,滿足以下兩個條件(a)和(b)。
(a)第一光線撞擊第一凹面反射鏡(凹面反射鏡Mo的第一反射區Moa)的校正點,但不撞擊第二凹面反射鏡(凹面反射鏡Mo的第二反射區Mob)的校正點。
(b)第二光線不撞擊第一凹面反射鏡(凹面反射鏡Mo的第一反射區Moa)的校正點,但撞擊第二凹面反射鏡(凹面反射鏡Mo的第二反射區Mob)的校正點。
為了實現這一點,例如,多個調整器7被配置成使得多個調整器7的力作用點相對於與凸面反射鏡Mt的光軸正交的水平線(X軸)是非軸對稱的。下面將參考圖8和圖9描述作用點(調整點)的這種設置的具體例子。
圖8是顯示出此實施例中的有效光通量區域和校正點之間的關係的圖式,且其係藉由疊加圖2和圖7獲得。因此,圖7中的Y軸對應於圖1中的Z軸。圖8是與顯示出傳統例子的圖5相對應的圖式,但以下所列諸點與圖5不同。亦即,在圖8中,Y座標相對於X軸為正的區域(包括第一象限和第二象限並且在下文中被稱為北半球)中的校正點的配置與Y座標相對於X軸為負的區域(包括第三象限和第四象限且在下文中被稱為南半球)中的校正點的配置相對彼此移位。在北半球中,所有校正點(圖8中的黑點)被配置在沿圓周方向和徑向方向(徑向向量延伸的方向)劃分的線上。亦即,在北半球中,所有校正點分別配置在以光軸o為中心的多個同心圓和以光軸o為中心的多個徑向延伸的徑向向量線的交叉點處。另一方面,在南半球中,所有校正點(圖8中的白點)被配置在沿徑向方向相對於交叉點移位多個同心圓之間的節距的一半的位置處。應指出的是,在圖8中,在六個光通量中的每一個光通量的中心處顯示星形標記。它們作為各個光通量的中心點指出從圖3中的光罩上的三個點(C2、R2和L2)發射的光通量中的每一光通量的主光線的通過凹面反射鏡Mo的兩個反射位置。以這種方式,在此實施例中,各個調整點被設置,使得凹面反射鏡Mo的第二反射區Mob(即,第二凹面反射鏡)中的校正點被配置在沿著以光軸o為中心的徑向方向相對於凹面反射鏡Mo的第一反射區Moa(即,第一凹面反射鏡)中的校正點移位的位置處。
圖9是顯示出此實施例中在一個光通量中的有效校正點的陣列的圖式。在圖8中,當在凹面反射鏡Mo上被反射兩次時,從光罩上的點C2發射的光通量形成φ2和φ22,並且接收在這些區域中存在的校正點組的作用。然而,根據圖8所示的配置,兩個光通量中的校正點組在徑向方向上彼此相對移位。因此,如圖9所示,在到達基板上的光通量中存在實質上是傳統例子中的校正點組的兩倍的校正點組,並且光通量接收其作用。從光罩上的其他點(R2和L2)發射的光通量,可以獲得類似的效果。
(第二實施例) 圖10是顯示出第二實施例中的有效光通量區域和校正點之間的關係的圖式,且其係藉由疊加圖2和圖7獲得。因此,圖10中的Y軸對應於圖1中的Z軸。圖10是與第一實施例中的圖8對應的圖式,但是南半球中的校正點的配置模式不同於圖8中的配置模式。圖10與圖8的類似之處在於,北半球中的所有校正點(圖10中的黑點)分別配置在以光軸o為中心的多個同心圓和以光軸o為中心的多個徑向延伸的徑向向量線的交叉點處。另一方面,在圖10所示的南半球中,所有校正點(圖10中的點)配置在沿圓周方向相對於交叉點移位多條徑向向量線之間的節距的一半的位置處。
圖11是顯示出此實施例中在一個光通量中的有效校正點的陣列的圖式。在圖10中,當在凹面反射鏡Mo上被反射兩次時,從光罩上的點C2發射的光通量形成φ2和φ22,並且接收這些區域中存在的校正點組的作用。然而,根據圖10所示的配置,兩個光通量中的校正點組在圓周方向上彼此相對移位。因此,如圖11所示,到達基板上的光通量中存在基本上是傳統例子中的校正點組的兩倍的校正點組,並且光通量接收校正點組的作用。從光罩上的其他點(R2和L2)發射的光通量,可以獲得類似的效果。
(第三實施例) 圖27是顯示出第三實施例中的曝光裝置的配置的圖式。圖27與圖26的不同之處在於,不是凹面反射鏡Mo而是第一平面反射鏡T1和第二平面反射鏡T2是可變形反射鏡。因此,多個調整器7被配置在第一平面反射鏡T1和第二平面反射鏡T2的後表面上。
在此實施例中,藉由將多個調整器7的力作用點沿與第一平面反射鏡T1正交的方向投影在第一平面反射鏡T1上而獲得的點和藉由將多個調整器7的力作用點沿與第二平面反射鏡T2正交的方向投影在第二平面反射鏡T2上而獲得的點被界定為校正點。
在此實施例中,多個調整器7的力作用點被設置,使得當從光罩上的一個點發射的光通量中的第一光線和第二光線被第一平面反射鏡T1和第二平面反射鏡T2反射時,滿足以下兩個條件(a)和(b)。
(a)第一光線撞擊第一平面反射鏡T1的校正點,但不撞擊第二平面反射鏡T2的校正點。
(b)第二光線不撞擊第一平面反射鏡T1的校正點,但撞擊第二平面反射鏡T2的校正點。
為了實現這一點,例如,多個調整器7被配置成使得多個調整器7的力作用點相對於與凸面反射鏡Mt的光軸正交的水平線(X軸)是非軸對稱的。作用點(調整點)的這種設置的具體例子將在下文中參考圖12和圖13加以描述。
圖12是顯示出第三實施例中的第一平面反射鏡和第二平面反射鏡上的有效光通量區域與校正點之間的關係的圖式。在從切線方向(圖12中的p1p2的方向)觀察的第一平面反射鏡T1的表面中,所有校正點(圖12中的黑點)配置在沿X方向等分的多條線上。另一方面,第二平面反射鏡T2的校正點的作用點被設置成使得作用點被配置在沿平移方向相對於第一平面反射鏡T1的校正點移位的位置處。例如,在從切線方向(圖12中的q1q2的方向)觀察的第二平面反射鏡T2的表面中,所有校正點(圖12中的白點)配置在相對於沿X方向等分的線移位一半節距的位置處。
圖13是顯示出此實施例中在一個光通量中的有效校正點的陣列的圖式。在圖12中,當在凹面反射鏡Mo上反射兩次時,從光罩上的點C2發射的光通量形成φ2和φ22,並且接收這些區域中存在的校正點組的作用。然而,根據圖12所示的配置,兩個光通量中的校正點組在X方向上彼此相對移位。因此,如圖13所示,在到達基板上的光通量中存在實質上是傳統例子中的校正點組的兩倍的校正點組,並且光通量接收其作用。光罩上的其他點(R2和L2),可以獲得類似的效果。
此實施例是在作為平移方向的X方向上移位第二次反射時的校正點的例子,但可以藉由在作為平移方向的Y方向上移位校正點獲得類似的效果。或者,校正點可在X方向和Y方向二者上被移位。
(第四實施例) 類似於第三實施例,在第四實施例中,第一平面反射鏡T1和第二平面反射鏡T2是可變形反射鏡。圖14是顯示出第四實施例中的第一平面反射鏡和第二平面反射鏡上的有效光通量區域與校正點之間的關係的圖式。在圖14中,在從切線方向(圖14的p1p2的方向)觀察的第一平面反射鏡T1的表面中,所有校正點(圖14中的黑點)配置在沿X方向等分的多條線中的每隔一條線上。另一方面,在從切線方向(圖14中的q1q2的方向)觀察的第二平面反射鏡T2的表面中,所有校正點(圖14中的白點)配置在沿X方向等分的多條線中沒有配置黑點的每隔一條線上。
圖15是顯示出此實施例中在一個光通量中的有效校正點的陣列的圖式。在圖14中,當在凹面反射鏡Mo上反射兩次時,從光罩上的點C2發射的光通量形成φ2和φ22,並且接收這些區域中存在的校正點組的作用。然而,根據圖14所示的配置,兩個光通量中的校正點組在X方向上彼此相對移位。因此,如圖15所示,在到達基板上的光通量中存在與變稀疏之前實質相同數量的校正點組,且光通量接收其作用。從光罩上的其他點(R2和L2)發射的光通量,可以獲得類似的效果。
利用這種配置,每一平面反射鏡的校正點的數量可被減少至一半。因此,從校正點產生的熱量可被減少,並且曝光期間由熱量引起的空氣波動可被抑制,使得圖像性能被穩定。此外,成本降低的效果也很大。此實施例是第二次反射時的校正點在X方向上移位的例子,但是類似的效果可藉由將校正點在Y方向上移位來獲得。或者,校正點可在X方向和Y方向二者上被移位。
(第五實施例) 圖28是顯示出第五實施例中的曝光裝置的配置的圖式。圖28與圖26的不同之處在於投影光學系統3是放大系統。在放大系統的情況下,凹面反射鏡Mo被分成第一凹面反射鏡Mo1和第二凹面反射鏡Mo2,並且它們具有不同的曲率。多個調整器7被配置在第一凹面反射鏡Mo1和第二凹面反射鏡Mo2的後表面上。
圖16是第五實施例中的投影光學系統3的光程圖。如上所述,放大系統被形成。從光罩表面M上所示的點C1、C2、R2和L2發射的光通量穿過光罩表面正下方的光學構件G1和G2。之後,它們的光程在第一平面反射鏡T1的作用下被直角彎曲,並且光通量撞擊第一凹面反射鏡Mo1。光罩表面上的點C1、C2、R2和L2之間的位置關係已參考圖3被描述。被第一凹面反射鏡Mo1反射的各個光通量穿過位於光軸oo’附近的折射光學構件G3,然後撞擊凸面反射鏡Mt。凸面反射鏡Mt被設置在成像光學系統的孔徑平面上。被凸面反射鏡Mt反射的光通量再次穿過折射光學構件G3,然後撞擊第二凹面反射鏡Mo2。被第二凹面反射鏡Mo2反射的光通量行進到第二平面反射鏡T2,並且其光程在第二平面反射鏡T2的作用下被直角彎曲。光通量穿過基板P正上方的光學構件G4和G5,並且成像在基板P上。配置在光罩附近的上述光學構件G1和G2以及配置在基板附近的上述光學構件G4和G5中的每一者都是具有折射力的光學構件,並且可以包括例如具有非球形表面形狀的透鏡。
在圖16中,顯示出了光軸oo’與從光罩表面上的點R2和L2中的每一個發射的光通量的最接近第一凹面反射鏡Mo1上的光軸oo’的點之間的距離Du,以及光軸oo’與其最接近第二凹面反射鏡Mo2上的光軸oo’的點之間的距離Dl。距離Du和Dl的值對應於圖7中所示的距離D的值。然而,由於圖7所示的光學系統是等倍率系統,而圖16所示的光學系統是放大系統,因此圖7所示的EA1和EA2在圖16中彼此不相等。因此,Du和Dl具有不同的值。在此實施例中,成像倍率為×1.15,數值孔徑(NA)為0.105,且曝光寬度為750mm。它們都是光罩表面上的值。i線、h線或g線被使用作為曝光波長,且像差校正被實施於其上。每一光學構件的曲率半徑R、距離D、玻璃構件的光學折射率N以及用於實現上述配置的相應光學構件的參考符號被總結在下面的表3中。應指出的是,一些光學構件中的每一者被形成為具有非球形表面,且一用於界定非球形表面形狀的等式由上述等式1給出。相應係數的例子在下面的表4中示出。
Figure 02_image011
Figure 02_image013
圖17A是顯示出第五實施例中的第一凹面反射鏡上的有效光通量區域和校正點之間的關係的示意圖,圖17B是顯示出第五實施例中的第二凹面反射鏡上的有效光通量區域和校正點之間的關係的示意圖。圖17A和圖17B的每一者中的Y軸對應於圖16中的Z軸。圖17A中的校正點與圖17B中的校正點之間的位置關係與圖10中所示的校正點在圓周方向上移位的關係類似。然而,由於在此實施例中光學系統是放大系統,所以第一凹面反射鏡Mo1和第二凹面反射鏡Mo2具有不同的曲率半徑和有效光通量直徑。亦即,圖17A中的φ2的大小不同於圖17B中的φ22的大小。類似地,φr和φr2具有不同的大小,而φ1和φ12具有不同的大小。通常,光學系統的放大率或預定的比例關係存在於光通量直徑之間,並且相應的光通量具有相似的形狀。
圖18是顯示出該實施例中在一個光通量中的有效校正點的陣列的圖式。根據上述光通量之間的關係,如圖18所示,在到達基板上的光通量中存在實質上兩倍數量的圓周方向上的校正點組,並且光通量接收其作用。從光罩上的其他點(R2和L2)發射的光通量,可以獲得類似的效果。
(第六實施例) 圖29是顯示出第六實施例中的曝光裝置的配置的圖式。圖29與圖28的不同之處在於,不是第一凹面反射鏡Mo1和第二凹面反射鏡Mo2,而是第一平面反射鏡T1和第二平面反射鏡T2是可變形反射鏡。因此,多個調整器7被配置在第一平面反射鏡T1和第二平面反射鏡T2的後表面上。
圖19A是顯示出第六實施例中的第一平面反射鏡T1上的有效光通量區域和校正點之間的關係的示意圖,圖19B是示出第六實施例中的第二平面反射鏡T2上的有效光通量區域和校正點之間的關係的示意圖。圖19A中的校正點與圖19B中的校正點之間的位置關係與圖12所示的校正點在X方向上移位的關係類似。然而,由於在該實施例中光學系統是放大系統,所以第一平面反射鏡T1上的有效光通量(φ2)的直徑不同於第二平面反射鏡T2上的有效光通量(φ22)的直徑。類似地,φr和φr2具有不同的直徑,而φ1和φ12具有不同的直徑。通常,光學系統的放大率或預定的比例關係存在於光通量直徑之間,並且相應的光通量具有相似的形狀。
圖20是顯示出該實施例中在一個光通量中的有效校正點的陣列的圖式。根據上述關係,如圖20所示,在到達基板上的光通量中存在實質上兩倍數量的X方向上的校正點組,並且光通量接收其作用。從光罩上的其他點(R2和L2)發射的光通量,可以獲得類似的效果。
此實施例是一個例子,在此例子中,用於第二次反射時的校正點被移位於X方向上,但是類似的效果可以藉由在Y方向上移位校正點獲得。或者,校正點可被移位於X方向和Y方向者二者上。
應指出的是,放大投影光學系統被例示在第五實施例和第六實施例的每一者中,但是本發明可被類似地應用於縮小投影光學系統。
(第七實施例) 圖30是顯示出第七實施例中的曝光裝置的配置的圖式。圖30與圖26的不同之處在於,不是凹面反射鏡Mo而是第一平面反射鏡T1和凸面反射鏡Mt是可變形反射鏡。因此,多個調整器7被配置在第一平面反射鏡T1和凸面反射鏡Mt的後表面上。
在此實施例中,藉由將多個調整器7的力作用點沿垂直於第一平面反射鏡T1的方向投影在第一平面反射鏡T1上而獲得的點和藉由將多個調整器7的力作用點沿平行於凸面反射鏡Mt的光軸的方向投影在凸面反射鏡Mt上而獲得的點被界定為校正點。
在此實施例中,多個調整器7的力作用點被設置,使得當從光罩上的一個點發射的光通量中的第一光線和第二光線被第一平面反射鏡T1和凸面反射鏡Mt反射時,下面兩個條件(a)和(b)被滿足。
(a)第一光線撞擊第一平面反射鏡T1的校正點,但不撞擊凸面反射鏡Mt的校正點。
(b)第二光線不撞擊第一平面反射鏡T1的校正點,但撞擊凸面反射鏡Mt的校正點。
在此處,考量區域和位置的疊加,包括: (1)作為第一平面反射鏡T1的有效光通量區域的第一有效光通量區域; (2)投影在第一有效光通量區域中的多個調整器7的力作用點的位置; (3)作為凸面反射鏡Mt的有效光通量區域的第二有效光通量區域;以及 (4)投影在第二有效光通量區域中的多個調整器7的力作用點的位置。
在一個例子中,多個調整器7被配置成使得當疊加被實施時,被投影在第一有效光通量區域中的多個調整器7的力作用點的位置不同於被投影在第二有效光通量區域中的多個調整器7的力作用點的位置。這種設定作用點(調整點)的具體例子將參考圖21至圖23在下文中被描述。
圖21是顯示出第一平面反射鏡T1上的有效光通量區域與校正點之間的關係的示意圖,圖22是顯示出凸面反射鏡Mt上的有效光通量區域與校正點之間的關係的示意圖。圖21與圖19A實質相同,但在圖22中,凸面反射鏡Mt的幾乎整個表面(由最外圓周上的虛線指示的區域)是有效光通量區域。這是因為凸面反射鏡Mt位於整個光學系統的孔徑平面上。
圖23是顯示出該實施例中在一個光通量中的有效校正點的陣列的圖式。在圖23中,凸面反射鏡Mt上的校正點組是由旋轉對稱排列的黑點標示,且第一平面反射鏡T1上的校正點組是由在Y軸方向上排列的白點標示。由於黑點和白點被定位在光通量中的不同位置處,因此可以認為校正點數量的增加已被實現,且這是本發明的目的。黑點和白點在某些部分重疊,但這與本發明不衝突。
光通量從光罩上的其它點(R2和L2)被發射可以獲得類似的效果。在此實施例中,不僅可以校正旋轉對稱像差,而且可以校正在一個維度上變化的像差。
(第八實施例) 圖24顯示出根據第八實施例的示例,在此實施例中本發明被應用於如日本專利No. 3724517中所公開的包括中間成像平面和配置在中間成像平面之前和之後的多個孔徑平面的光學系統的孔徑平面。圖22所示的校正點組被配置在第一孔徑平面上,且圖24所示的校正點組被配置在第二孔徑平面上。圖24所示的校正點組是藉由將圖22所示的校正點組在圓周方向上旋轉半個節距而獲得的。圖25顯示出由這些校正點組所形成的一個光通量中的有效校正點的陣列。
在此實施例中,由可變形反射鏡形成的兩個表面都是孔徑平面。因此,在光學上,整個螢幕共有的像差(聚焦、像散、彗差等)可被高精度地校正。另外,應用此實施例的光學系統不限於如日本專利No. 3724517中所示之連接Dyson光學系統的類型。例如,本發明亦適用於如圖1所示串聯地連接兩個如圖1所示的凹面反射鏡和凸面反射鏡而形成光學系統且凸面反射鏡是由兩個作為可變形反射鏡的凸面反射鏡Mt形成的情況。
(總結) 各種實施例已經在上文中描述。應指出的是,上述實施例可被適當地組合。這些實施例可以全面地總結如下。在每一上述實施例中,成像光學系統被示出,其包括多個反射鏡,每一反射鏡都包括反射光的反射表面和在反射表面的相對側的後表面,且藉由多個反射鏡的反射表面將從物件平面發射的光通量成像在像平面上。成像光學系統包括多個調整器,該等多個調整器藉由向多個反射鏡中的至少兩個反射鏡中的每一反射鏡的後表面施加力來調整該至少兩個反射鏡中的每一反射鏡的反射表面的形狀。在此處,藉由將該等多個調整器的力作用點投影在相對於反射表面被界定的光軸方向上而獲得的點被界定為校正點。此時,當從物件平面上的一個點發射的光通量中的第一光線和第二光線被第一反射表面和第二反射表面反射時,第一光線撞擊第一反射表面的校正點,但不撞擊第二反射表面的校正點。此外,第二光線不撞擊第一反射表面的校正點,但撞擊第二反射表面的校正點。多個調整器的作用點被設定以實現這一點。
根據上述實施例,表面形狀校正點陣列相對於光通量的更有效的配置被實現。藉由這種配置,即使校正點的數量與校正點被點對稱地配置在反射表面上的情況相同,在光學上,也可以使用更大數量的校正點對一個光通量實施像差校正。像差校正精度因而被提高了。
或者,即使校正點的數量較少,也可以使用與傳統例子中的點對稱配置的校正點的數量相等的數量的校正點來對一個光通量實施像差校正。由於可以相應地減少校正點的數量,因此分散了驅動時產生的熱量,使得校正精度被提高並穩定。
此外,如每一實施例所示,本發明可應用於包括孔徑平面在內的任意反射表面。因此,不僅可以校正螢幕中的均勻像差,而且可以校正螢幕中變化的聚焦或像散。亦可校正倍率和失真。此外,當大的曝光區域被共同地曝光時,高聚焦精度和高定位精度可被確保。
由於上述效果,高解析度在曝光期間被保持,並且變得能夠以高生產率曝光高解析度面板。
<物件製造方法的實施例> 根據本發明的實施例的物件製造方法適合於製造物件,例如,諸如半導體裝置的微型裝置或具有微型結構的元件。此實施例的物件製造方法包括藉由使用上述曝光裝置來在被施加於基板上的光敏劑上形成潛像圖案的步驟(將基板曝光的步驟),以及將已在上述步驟中形成潛像圖案的基板顯影的步驟。此外,該製造方法包括其它眾所周知的步驟(氧化、成膜、沉積、摻雜、平面化、蝕刻、抗蝕劑去除、切割、接合、封裝等)。本實施例的物件製造方法在物件的性能、品質、生產率和生產成本中的至少一個方面比傳統方法更有利。
雖然本發明已經參考示範性實施例被描述,但是應當理解的是,本發明不限於被揭露的示範性實施例。下面的申請專利範圍的範圍應被賦予最廣泛的解釋,以便涵蓋所有此類修改以及等效的結構和功能。
101:光源 1:照明光學系統 102:ND濾光器 103:光學積分器 104:孔徑光闌 105:聚光透鏡 106:狹縫 107:透鏡 108:反射鏡 109:透鏡 201:光罩台 202:雷射干涉儀 3:投影光學系統 P:基板 M:光罩(光罩表面) T1:第一平面反射鏡 Moa:第一反射區 Mo:凹面反射鏡 Mt:凸面反射鏡 Mob:第二反射區 T2:第二平面反射鏡 401:基板台 5:控制單元 6:操作單元 7:調整器 ac1:致動器元件 ac2:致動器元件 W:曝光寬度 Sw:狹縫寬度 EA1:區域(圓圈組) EA2:區域(圓圈組) C2:點 R2:點 C1:點 L2:點 oo’:光軸 G1:光學構件 G2:光學構件 T2:第二平面反射鏡 G3:光學構件 D:距離 R:曲率半徑 NA:數值孔徑 K:點 H:點 o:光軸 φ2:光通量 φ22:光通量 p1p2:方向 q1q2:方向 Mo1:第一凹面反射鏡 Mo2:第二凹面反射鏡 G4:光學構件 G5:光學構件 φ1:光通量 φ12:光通量 φr:光通量 φr2:光通量 Ac:調整點 r:半徑
[圖1]是依據第一實施例的投影光學系統的光程(optical path)圖;
[圖2A]及[圖2B]是顯示傳統例子中的可變形反射鏡的致動器的配置的圖式;
[圖3]是顯示光罩表面上的湖形曝光區域的圖式;
[圖4]是顯示傳統的凹面反射鏡上的有效光通量區域的示意圖;
[圖5]是顯示出傳統的凹面反射鏡上的有效光通量區域與校正點之間的位置關係的圖式;
[圖6]是顯示出第一實施例中的凹面反射鏡上的有效光通量區域的光學跡線圖;
[圖7]是顯示出第一實施例中的凹面反射鏡上的有效光通量區域的示意圖;
[圖8]是顯示出第一實施例中的有效光通量區域和校正點之間的位置關係的圖式;
[圖9]是顯示出第一實施例中的一個光通量中的有效校正點的陣列的圖式;
[圖10]是顯示出第二實施例中的有效光通量區域和校正點之間的位置關係的圖式;
[圖11]是顯示出第二實施例中的一個光通量中的有效校正點的陣列的圖式;
[圖12]是顯示出第三實施例中的平面反射鏡上的有效光通量區域和校正點之間的位置關係的圖式;
[圖13]是顯示出第三實施例中的一個光通量中的有效校正點的陣列的圖式;
[圖14]是顯示出第四實施例中的平面反射鏡上的有效光通量區域和校正點之間的位置關係的圖式;
[圖15]是顯示出第四實施例中的一個光通量中的有效校正點的陣列的圖式;
[圖16]是根據第五實施例的投影光學系統的光程圖;
[圖17A]和[圖17B]分別是顯示出第五實施例中第一凹面反射鏡和第二凹面反射鏡上的有效光通量區域與校正點之間的位置關係的示意圖;
[圖18]是顯示出第五實施例中的一個光通量中的有效校正點的陣列的圖式;
[圖19A]和[圖19B]分別是顯示出第六實施例中的第一平面反射鏡和第二平面反射鏡上的有效光通量區域與校正點之間的位置關係的示意圖;
[圖20]是顯示出第六實施例中的一個光通量中的有效校正點的陣列的圖式;
[圖21]是顯示出第七實施例中的第一平面反射鏡上的有效光通量區域與校正點之間的位置關係的圖式;
[圖22]是顯示出第七實施例中的凸面反射鏡上的有效光通量區域與校正點之間的位置關係的圖式;
[圖23]是顯示出第七實施例中的一個光通量中的有效校正點的陣列的圖式;
[圖24]是顯示出第八實施例中的凸面反射鏡上的有效光通量區域與校正點之間的位置關係的圖式;
[圖25]是顯示出第八實施例中的一個光通量中的有效校正點的陣列的圖式;
[圖26]是顯示出第一實施例和第二實施例中的曝光裝置的配置的圖式;
[圖27]是顯示出第三實施例和第四實施例中的曝光裝置的配置的圖式;
[圖28]是顯示出第五實施例中的曝光裝置的配置的圖式;
[圖29]是顯示出第六實施例中的曝光裝置的配置的圖式;以及
[圖30]是示出第七實施例中的曝光裝置的配置的視圖。
C1,C2:點
D:距離
G1,G2,G3:光學構件
M:光罩(光罩表面)
Mo:凹面反射鏡
Mt:凸面反射鏡
P:基板
R2,L2:點
T1:第一平面反射鏡
T2:第二平面反射鏡

Claims (15)

  1. 一種成像光學系統,包括反射光線的多個反射表面,並且經由該等多個反射表面將從物件平面發射的光通量成像在像平面上,該系統包含: 多個調整器,其被建構成藉由向該等多個反射表面的至少兩個反射表面的每一者的後表面施加力來調整該至少兩個反射表面的每一者的形狀, 其中,如果藉由將該等多個調整器的力作用點沿相對於該反射表面被界定的光軸方向投影所獲得的點界定為校正點的話, 則作用點被設定為使得當從該物件平面上的一個點發射的光通量的第一光線和第二光線被第一反射表面和第二反射表面反射時,該第一光線撞擊該第一反射表面的校正點但不撞擊該第二反射表面的校正點,以及該第二光線不撞擊該第一反射表面的校正點,但撞擊該第二反射表面的校正點。
  2. 一種曝光設備,其在掃描光罩和基板的同時時將該基板曝光,該曝光設備包含: 投影光學系統,其被建構為藉由使用偏軸環狀良好成像區域(off-axis annular good image area)來促使從該光罩的圖案發射出的光通量被第一平面表面、第一凹表面、凸表面、第二凹表面和第二平面表面依此順序地反射,然後被成像在基板上;及 多個調整器,其被建構為藉由對該第一凹表面和該第二凹表面的每一者的後表面施加力來調整該第一凹表面和該第二凹表面的每一者的形狀, 其中,如果藉由將該等多個調整器的力作用點沿與該凸表面的光軸平行的方向投影在該第一凹表面和該第二凹表面上所獲得的點被界定為校正點的話,則 該等作用點被設定為使得當從該光罩上的一個點發射出的光通量中的第一光線和第二光線被該第一凹表面和該第二凹表面反射時,該第一光線撞擊該第一凹表面的校正點但不撞擊該第二凹表面的校正點,且該第二光線不撞擊該第一凹表面的校正點但撞擊該第二凹表面的校正點。
  3. 如請求項2之曝光設備,其中 該等作用點被設定為使得該第二凹表面的該等校正點被配置在沿著以該光軸為中心的徑向方向上相對於該第一凹表面的該等校正點移位的位置處。
  4. 如請求項2之曝光設備,其中該等作用點被設定為使得該第二凹表面的該等校正點被配置在沿著以該光軸為中心的圓周方向上相對於該第一凹表面的該等校正點移位的位置處。
  5. 如請求項2之曝光設備,其中 該投影光學系統是放大系統。
  6. 如請求項2之曝光設備,其中 該投影光學系統是縮小系統。
  7. 如請求項2之曝光設備,其中 該第一凹表面和該第二凹表面是由訊號光學構件所形成,且該投影光學系統實施等倍率成像。
  8. 如請求項2之曝光設備,其中 該投影光學系統包括光學構件,每一光學構件具有折射力且分別被配置在該光罩附近和該基板附近,且該光學構件包括具有非球形表面形狀的透鏡。
  9. 一種曝光設備,其在掃描光罩和基板的同時將該基板曝光,該曝光設備包含: 投影光學系統,其被建構為藉由使用偏軸環狀良好成像區域來促使從該光罩的圖案發射出的光通量被第一平面表面、第一凹表面、凸表面、第二凹表面和第二平面表面依此順序地反射,然後被成像在基板上;及 多個調整器,其被建構為藉由對該第一平面表面和該第二平面表面的每一者的後表面施加力來調整該第一平面表面和該第二平面表面的每一者的形狀, 其中,如果藉由將該等多個調整器的力作用點沿與該第一平面表面正交的方向投影在該第一平面表面上所獲得的點和藉由將該等多個調整器的力作用點沿與該第二平面表面正交的方向投影在該第二平面表面上所獲得的點被界定為校正點的話,則 該等作用點被設定為使得當從該光罩上的一個點發射出的光通量中的第一光線和第二光線被該第一平面表面和該第二平面表面反射時,該第一光線撞擊該第一平面表面的校正點但不撞擊該第二平面表面的校正點,且該第二光線不撞擊該第一平面表面的校正點但撞擊該第二平面表面的校正點。
  10. 如請求項3之曝光設備,其中 該等作用點被設定為使得該第二平面表面的校正點被配置在沿平移方向相對於第一平面表面的校正點移位的位置處。
  11. 一種曝光設備,其在掃描光罩和基板的同時將該基板曝光,該曝光設備包含: 投影光學系統,其被建構為藉由使用偏軸環狀良好成像區域來促使從該光罩的圖案發射出的光通量被第一平面表面、第一凹表面、凸表面、第二凹表面和第二平面表面依此順序地反射,然後被成像在基板上;及 多個調整器,其被建構為藉由對該第一平面表面和該凸表面的每一者的後表面施加力來調整該第一平面表面和該凸表面的每一者的形狀, 其中,如果藉由將該等多個調整器的力作用點沿與該第一平面表面正交的方向投影在該第一平面表面上所獲得的點和藉由將該等多個調整器的力作用點沿與該凸表面的光軸平行的方向投影在該凸表面上所獲得的點被界定為校正點的話,則 該等作用點被設定為使得當從該光罩上的一個點發射出的光通量中的第一光線和第二光線被該第一平面表面和該凸表面反射時,該第一光線撞擊該第一平面表面的校正點但不撞擊該凸表面的校正點,且該第二光線不撞擊該第一平面表面的校正點但撞擊該凸表面的校正點。
  12. 一種曝光設備,其在掃描光罩和基板的同時將該基板曝光,該曝光設備包含: 投影光學系統,其被建構來將該光罩上的圖案投影至該基板上, 其中該投影光學系統包括第一凹表面、凸表面和第二凹表面,且被建構來促使透射穿過該光罩的該圖案的光被該第一凹表面、該凸表面和該第二凹表面依此順序地反射, 該投影光學系統更包括多個調整器,其被建構來對該第一凹表面和該第二凹表面的每一者的後表面施加力以調整該第一凹表面和該第二凹表面的每一者的形狀,且 該等多個調整器被配置成使得該等多個調整器在該第一凹表面和該第二凹表面上的力作用點相對於與該凸表面的光軸正交的水平線是非軸對稱的。
  13. 一種曝光設備,其在掃描光罩和基板的同時將該基板曝光,該曝光設備包含: 投影光學系統,其被建構來將該光罩上的圖案投影至該基板上, 其中該投影光學系統包括第一平面表面、第一凹表面、凸表面、第二凹表面和第二平面表面,且被建構來促使透射穿過該光罩的該圖案的光被該第一平面表面、該第一凹表面、該凸表面、該第二凹表面和該第二平面表面依此順序地反射, 該投影光學系統更包括多個調整器,其被建構來對該第一平面表面和該第二平面表面的每一者的後表面施加力以調整該第一平面表面和該第二平面表面的每一者的形狀,且 該等多個調整器被配置成使得該等多個調整器在該第一平面表面和該第二平面表面上的力作用點相對於與該凸表面的光軸正交的水平線是非軸對稱的。
  14. 一種曝光設備,其在掃描光罩和基板的同時將該基板曝光,該曝光設備包含: 投影光學系統,其被建構來將該光罩上的圖案投影至該基板上, 其中該投影光學系統包括第一平面表面、第一凹表面、凸表面、第二凹表面和第二平面表面,且被建構來促使透射穿過該光罩的該圖案的光被該第一平面表面、該第一凹表面、該凸表面、該第二凹表面和該第二平面表面依此順序地反射, 該投影光學系統更包括多個調整器,其被建構來對該第一平面表面和該凸表面的每一者的後表面施加力以調整該第一平面表面和該凸表面的每一者的形狀,且 該等多個調整器被配置成使得當該第一平面表面的有效光通量區域是第一有效光通量區域且該等多個調整器的力作用點被投影在第一有效光通量區域中的位置、以及該凸表面的有效光通量區域是第二有效光通量區域且該等多個調整器的力作用點被投影在第二有效光通量區域中的位置被疊加時,被投影在該第一有效光通量區域中的該等多個調整器的力作用點的位置不同於被投影在該第二有效光通量區域中的該等多個調整器的力作用點的位置。
  15. 一種物件製造方法,包含: 用如請求項2至14中任一項所述之曝光設備將基板曝光;及 將該被曝光的基板顯影, 其中物件從該被顯影的基板被製造出來。
TW110123719A 2020-07-10 2021-06-29 成像光學系統、曝光設備及物件製造方法 TW202219648A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-119449 2020-07-10
JP2020119449A JP2022022911A (ja) 2020-07-10 2020-07-10 結像光学系、露光装置、および物品製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202219648A true TW202219648A (zh) 2022-05-16

Family

ID=79172451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110123719A TW202219648A (zh) 2020-07-10 2021-06-29 成像光學系統、曝光設備及物件製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11966043B2 (zh)
JP (1) JP2022022911A (zh)
KR (1) KR20220007530A (zh)
CN (1) CN113917789A (zh)
TW (1) TW202219648A (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6093410A (ja) * 1983-10-27 1985-05-25 Canon Inc 反射光学系
JP3724517B2 (ja) 1995-01-18 2005-12-07 株式会社ニコン 露光装置
US7184124B2 (en) * 2004-10-28 2007-02-27 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus having an adjustable projection system and device manufacturing method
US20090042139A1 (en) * 2007-04-10 2009-02-12 Nikon Corporation Exposure method and electronic device manufacturing method
JP6748482B2 (ja) 2016-05-25 2020-09-02 キヤノン株式会社 露光装置、および、物品の製造方法
JP6598827B2 (ja) * 2017-08-01 2019-10-30 キヤノン株式会社 光学装置、これを用いた露光装置、および物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220007530A (ko) 2022-01-18
CN113917789A (zh) 2022-01-11
JP2022022911A (ja) 2022-02-07
US20220011571A1 (en) 2022-01-13
US11966043B2 (en) 2024-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102074476B1 (ko) 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI399569B (zh) 投影光學系統、曝光裝置以及元件製造方法
JP6651124B2 (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
KR101892766B1 (ko) 반사 결상 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7292316B2 (en) Illumination optical system and exposure apparatus having the same
JP2004158786A (ja) 投影光学系及び露光装置
JP2005315918A (ja) 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置
TWI825339B (zh) 曝光裝置,及物品的製造方法
TW202219648A (zh) 成像光學系統、曝光設備及物件製造方法
JP4640688B2 (ja) 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2006080444A (ja) 測定装置、テストレチクル、露光装置及びデバイス製造方法
JP7340167B2 (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2005122132A (ja) 反射型投影光学系、当該投影光学系を有する露光装置、並びに、デバイス製造方法
JP7332415B2 (ja) 投影光学系、走査露光装置および物品製造方法
JPH09213618A (ja) 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2004266125A (ja) 投影露光装置及び投影露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2004271552A (ja) 拡大投影光学系
WO2012137699A1 (ja) 光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2002110502A (ja) 照明装置及び露光装置
JP2006047670A (ja) 露光装置および露光方法
JP2022030810A (ja) 投影光学系、露光装置及び物品の製造方法
JP2020074031A (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2006066429A (ja) 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2009162951A (ja) 反射屈折型投影光学系及びそれを有する露光装置
JP2004342711A (ja) 照明光学装置、露光装置、および露光方法