TW202219248A - 蝕刻劑組合物 - Google Patents

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Abstract

本發明提供相對於存在的低k介電層選擇性地蝕刻硬遮罩層及/或光阻蝕刻殘留物之組合物及方法。更特定言之，本發明係關於一種相對於低k介電層選擇性地蝕刻氮化鈦及/或光阻蝕刻殘留物之組合物及方法。可能存在於微電子裝置上之其他材料不應由該等組合物基本上移除或腐蝕。

Description

蝕刻劑組合物
本發明係關於一種在其他材料存在下選擇性地蝕刻氮化鈦及/或光阻蝕刻殘留物之組合物及方法。
光阻遮罩常在半導體行業中用於對諸如半導體或介電質之材料進行圖案化。在一種應用中，光阻遮罩用於雙鑲嵌製程，以在微電子裝置之後端金屬化中形成互連件。雙鑲嵌製程涉及在覆蓋金屬導體層(諸如銅層)之低k介電層上形成光阻遮罩。隨後根據光阻遮罩蝕刻低k介電層，以形成暴露金屬導體層之通孔及/或溝槽。通孔及溝槽，通常稱為雙鑲嵌結構，通常使用兩個微影步驟來定義。隨後，在將導電材料沈澱至通孔及/或溝槽中以形成互連件之前，自低k介電層移除光阻遮罩。
隨著微電子裝置之尺寸減小，達成通孔及溝槽之臨界尺寸變得更困難。因此，使用金屬硬遮罩提供更好的通孔及溝槽輪廓控制。金屬硬遮罩可由鈦或氮化鈦製成，且在形成雙鑲嵌結構之通孔及/或溝槽後，藉由濕式蝕刻製程移除。至關重要的是，濕式蝕刻製程使用的移除化學試劑有效移除金屬硬遮罩及/或光阻蝕刻殘留物，而不影響下方低k介電材料。換言之，相對於低k介電層，移除化學試劑需要對金屬硬遮罩具有高度選擇性。
因此，需要改良的組合物，以相對於低k介電層選擇性地移除硬遮罩材料以及存在的銅或氧化鋁，而不損害硬遮罩之蝕刻速率。
綜上所述，本發明提供一種在其他材料存在下選擇性地蝕刻氮化鈦及/或光阻蝕刻殘留物之組合物及方法。在一個態樣中，本發明提供一種組合物，其包含： a.     溶劑組合物，包含： i.      水； ii.     水混溶性有機溶劑； iii. N-甲基𠰌啉- N-氧化物；及 iv.    二甲碸； b.     氧化劑； c.     螯合劑； d.     腐蝕抑制劑； e.     至少一種蝕刻劑或至少一種pH調節劑。
在其他態樣中，本發明提供相對於存在於微電子裝置上之低k介電層選擇性地蝕刻硬遮罩層及/或光阻蝕刻殘留物之方法。
大體而言，本發明係關於相對於存在的低k介電層選擇性蝕刻硬遮罩層及/或光阻蝕刻殘留物之組合物及方法。更特定言之，本發明係關於一種相對於低k介電層選擇性地蝕刻氮化鈦及/或光阻蝕刻殘留物之組合物及方法。可能存在於微電子裝置上之其他材料不應由該等組合物基本上移除或腐蝕。
如本說明書及隨附申請專利範圍中所用，除非內容另外明確規定，否則單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該」包括複數個指示物。如本說明書及隨附申請專利範圍中所用，除非內容另外明確規定，否則術語「或」通常以其包括「及/或」之意義使用。
術語「約」通常指被認為等效於所述值之數字範圍(例如具有相同功能或結果)。在許多情況下，術語「約」可包括四捨五入至最接近之有效數字的數字。
使用端點表示之數字範圍包括所有歸入該範圍之數字(例如1至5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4及5)。
為便於參考，術語「微電子裝置」對應於製造用於微電子、積體電路、能量收集或電腦晶片應用中之半導體基板、平板顯示器、相變記憶體裝置、太陽電池板及其他產品，包括太陽電池裝置、光伏打及微機電系統(MEMS)。應理解，術語「微電子裝置」、「微電子基板」及「微電子裝置結構」並不意謂以任何方式為限制性的且包括最終將成為微電子裝置或微電子組件之任何基板或結構。微電子裝置可為經圖案化、經圍包及/或控制及/或測試裝置。
如本文所用之「硬遮罩覆蓋層」對應於沈澱於介電材料上方之材料，以在電漿蝕刻步驟期間保護介電材料。硬遮罩覆蓋層傳統上為氮化矽、氮氧化矽、氮化鈦、氮氧化鈦、鈦及其他類似化合物。
如本文所用，「氮化鈦」及「TiN x」對應於純氮化鈦以及包括不同化學計量及氧含量之不純氮化鈦(TiO xN y)。
如本文所定義，「低k介電材料」對應於在分層微電子裝置中用作介電材料之任何材料，其中該材料之介電常數小於約3.5。在某些實施例中，低k介電材料包括低極性材料，諸如含矽有機聚合物、含矽混合有機/無機材料、有機矽酸鹽玻璃(OSG)、TEOS、氟化矽酸鹽玻璃(FSG)、二氧化矽及碳摻雜氧化物(CDO)玻璃。應瞭解，低k介電材料可具有不同密度及不同孔隙率。
如本文所用，術語「光阻蝕刻殘留物」對應於包含光阻材料或在蝕刻或灰化步驟之後作為光阻副產物之材料的任何殘留物。
在第一態樣中，本發明提供一種組合物，其包含： a.     溶劑組合物，包含： i.      水； ii.     水混溶性有機溶劑； iii. N-甲基𠰌啉- N-氧化物；及 iv.    二甲碸； b.     氧化劑； c.     螯合劑； d.     腐蝕抑制劑； e.     至少一種蝕刻劑或pH調節劑。
在另一個實施例中，本發明由或基本上由上文所列之組分a.至e.組成。
本發明之組合物可用於選擇性地移除氮化鈦及/或光阻蝕刻殘留物。在一個實施例中，組合物為移除介電層上之金屬硬遮罩及/或光阻蝕刻殘留物之濕式蝕刻溶液，且對介電層具有高度選擇性。在另一個實施例中，組合物為移除氮化鈦層及/或光阻蝕刻殘留物之濕式蝕刻溶液，其對低k介電材料具有高度選擇性。
在一個實施例中，組合物之pH值在約5至約12之範圍內。
在一個實施例中，氧化劑包括但不限於過氧化氫H 2O 2、FeCl 3、FeF 3、Fe(NO 3) 3、Sr(NO 3) 2、CoF 3、MnF 3、過硫酸氫鉀(2KHSO 5·KHSO 4·K 2SO 4)、過碘酸、碘酸、氧化釩(V)、氧化釩(IV、V)、釩酸銨、多原子銨鹽(例如過氧單硫酸銨、亞氯酸銨(NH 4ClO 2)、氯酸銨(NH 4ClO 3)、碘酸銨(NH 4IO 3)、硝酸銨(NH 4NO 3)、過硼酸銨(NH 4BO 3)、二硼酸銨[(NH 4) 2B 4O 7]、五硼酸銨[(NH 4)B 5O 8]或以上硼酸鹽化合物與過氧化氫之組合、過氯酸銨(NH 4ClO 4)、過碘酸銨(NH 4IO 4)、過硫酸銨[(NH 4) 2S 2O 8]、次氯酸銨(NH 4ClO)、鎢酸銨[(NH 4) 10H 2(W 2O 7)]、磷酸氫二銨[(NH 4) 2HPO 4]與過氧化氫之組合、磷酸二氫銨[(NH 4)H 2PO 4]與過氧化氫之組合、磷酸與過氧化氫之組合、多原子鈉鹽(例如過硫酸鈉(Na 2S 2O 8)、次氯酸鈉(NaClO)、過硼酸鈉)、多原子鉀鹽(例如，碘酸鉀(KIO 3)、高錳酸鉀(KMnO 4)、過硫酸鉀、硝酸(HNO 3)、過硫酸鉀(K 2S 2O 8)、次氯酸鉀(KClO))、四甲銨或四烷基銨多原子鹽(例如亞氯酸四甲銨[(N(CH 3) 4)ClO 2]、氯酸四甲銨[(N(CH 3) 4)ClO 3]、碘酸四甲銨[(N(CH 3) 4)IO 3]、過硼酸四甲銨[(N(CH 3) 4)BO 3]、過氯酸四甲銨[(N(CH 3) 4)ClO 4]、過碘酸四甲銨[(N(CH 3) 4)IO 4]、過硫酸四甲銨[(N(CH 3) 4)S 2O 8]、過氧單硫酸四丁銨、過氧單硫酸、硝酸鐵[Fe(NO 3) 3]、過氧化脲[(CO(NH 2) 2)H 2O 2]，過羧酸，諸如過甲酸[H(CO)OOH]、過乙酸[CH 3(CO)OOH]、過丁酸[CH 3CH 2(CO)OOH]、過苯甲酸、過氧三氟乙酸[CF 3(CO)OOH]或乙酸、甲酸、三氟乙酸、苯甲酸或其鹽與過氧化氫之組合、1,4-苯醌、甲苯醌、二甲基-1,4-苯醌、四氯醌、四氧嘧啶、 N-甲基𠰌啉 N-氧化物、三甲胺N-氧化物及其組合。當氧化劑為鹽時，其可為水合的或無水的。氧化劑可在製造商處、在將組合物引入裝置晶圓之前或者在裝置晶圓處，亦即原位引入組合物中。在一個實施例中，用於組合物之氧化劑包含過氧化氫。在另一個實施例中，氧化劑包含過氧化氫、具有強鹼之過氧化氫(例如TMAH、氫氧化(2-羥乙基)三甲銨)、碘酸銨(NH 4IO 3)、過碘酸銨(NH 4IO 4)、磷酸氫二銨[(NH 4) 2HPO 4]、磷酸二氫銨[(NH 4)H 2PO 4]或以上一種磷酸鹽與過氧化氫之組合、過乙酸[CH 3(CO)OOH]、過氧三氟乙酸[CF 3(CO)OOH]過甲酸[H(CO)OOH]、過乙酸[CH 3(CO)OOH]、過丁酸[CH 3CH 2(CO)OOH]、過氧三氟乙酸[CF 3(CO)OOH]或乙酸、甲酸、三氟乙酸與過氧化氫之組合。當氧化劑包含碘酸鹽或過碘酸鹽時，較佳向移除組合物中添加碘清除劑。儘管不希望受理論束縛，但認為隨著碘酸鹽或過碘酸鹽還原，碘積聚，由此提高銅之蝕刻速率。碘清除劑包括但不限於酮，較佳羰基α位為氫之酮，諸如4-甲基-2-戊酮、2,4-二甲基-3-戊酮、環己酮、5-甲基-3-庚酮、3-戊酮、5-羥基-2-戊酮、2,5-己二酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、丙酮、丁酮、2-甲基-2-丁酮、3,3-二甲基-2-丁酮、4-羥基-2-丁酮、環戊酮、2-戊酮、3-戊酮、1-苯基乙酮、苯乙酮、二苯甲酮、2-己酮、3-己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2,6-二甲基-4-庚酮、2-辛酮、3-辛酮、4-辛酮、二環己基酮、2,6-二甲基環己酮、2-乙醯環己酮、2,4-戊二酮、薄荷酮及其組合。較佳地，碘清除劑包括4-甲基-2-戊酮、2,4-二甲基-3-戊酮或環己酮。
適合之蝕刻劑或pH調節劑包括但不限於HF、氟化銨、四氟硼酸、六氟矽酸、其他含有B--F或Si--F鍵之化合物、四氟硼酸四丁銨(TBA-BF 4)、氟化四烷基銨(NR 1R 2R 3R 4F)、強鹼，諸如氫氧化四烷基銨(NR 1R 2R 3R 4OH)，其中R 1、R 2、R 3、R 4可彼此相同或不同，且係選自由以下組成之群：氫、直鏈或分支鏈C 1-C 6烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基)、經C 1-C 6烷氧基(例如羥乙基、羥丙基)取代或未經取代之芳基(例如苯甲基)、弱鹼及其組合。在某些實施例中，氟源包含四氟硼酸、六氟矽酸、H 2ZrF 6、H 2TiF 6、HPF 6、氟化銨、氟化四甲銨、六氟矽酸銨、六氟鈦酸銨或氟化銨與氟化四甲銨之組合。替代地，或除氟源之外，蝕刻劑可包含強鹼，諸如氫氧化四甲銨(TMAH)、氫氧化四乙銨(TEAH)、氫氧化四丙銨(TPAH)、氫氧化四丁銨(TBAH)、氫氧化苯甲基三甲銨(BTMAH)、氫氧化鉀、氫氧化銨、氫氧化苯甲基三乙銨(BTEAH)、氫氧化四丁鏻(TBPH)、氫氧化(2-羥乙基)三甲銨(氫氧化膽鹼)、氫氧化(2-羥乙基)三乙銨、氫氧化(2-羥乙基)三丙銨、氫氧化(1-羥丙基)三甲銨、氫氧化乙基三甲銨、氫氧化二乙基二甲銨(DEDMAH)、氫氧化三乙基甲銨、氫氧化正十六烷基三甲銨1,1,3,3-四甲基胍(TMG)、碳酸胍、精胺酸及其組合。考慮的弱鹼包括但不限於氫氧化銨、單乙醇胺(MEA)、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)、乙二胺、半胱胺酸及其組合。在一個實施例中，蝕刻劑包含強鹼，諸如TMAH、1,1,3,3-四甲基胍、氫氧化(2-羥乙基)三甲銨、氫氧化苯甲基三甲銨及其組合。在一個實施例中，蝕刻劑選自氫氧化銨及氫氧化膽鹼。
在某些實施例中，為了確保濕潤，尤其當pH值低時，可向水性組合物中添加界面活性劑，宜為抗氧化的氟化陰離子界面活性劑。本發明之組合物中考慮的陰離子界面活性劑包括但不限於氟界面活性劑，諸如ZONYL® UR及ZONYL® FS-62 (DuPont Canada Inc., Mississauga, Ontario, Canada)，以及氟烷基磺酸銨，諸如Novec TM(3M)。在某些實施例中，當所用蝕刻劑包含氟化物時，氟化長鏈四烷基銨可用作界面活性劑以及蝕刻劑。
在一個實施例中，上文提及之溶劑組合物可包含： (i)        水； (ii)      至少一種水混溶性有機溶劑或其組合，其中該至少一種水混溶性有機溶劑係選自甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、戊醇、己醇、2-乙基-1-己醇、庚醇、辛醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、碳酸丁二酯、碳酸乙二酯、碳酸丙二酯、二丙二醇、二乙二醇、二乙二醇單甲醚、三乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、三乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單丁醚、三乙二醇單丁醚、乙二醇單己醚、二乙二醇單己醚、乙二醇苯基醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚(DPGME)、三丙二醇甲基醚(TPGME)、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙基醚、丙二醇正丙基醚、二丙二醇正丙基醚(DPGPE)、三丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇正丁基醚、丙二醇苯基醚、2,3-二氫十氟戊烷、乙基全氟丁醚、甲基全氟丁醚、二甲亞碸(DMSO)、環丁碸、4-甲基-2-戊醇、乙二醇單甲醚及二乙二醇單甲醚，及其組合。在某些實施例中，溶劑組合物包含水，諸如去離子水。在一個實施例中，水混溶性有機溶劑包含至少一種選自以下之物種：二醇醚(例如二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚)、乙二醇單甲醚、DMSO及其組合。在另一個實施例中，水混溶性有機溶劑為二乙二醇單乙醚與二乙二醇單丁醚之混合物； (iii) N-甲基𠰌啉- N-氧化物；及 (iv)     二甲碸。
組合物亦包含一或多種螯合劑，諸如膦酸，諸如氮基參(亞甲基)三膦酸(例如，Dequest 2000EG, Solutia, Inc., St. Louis, Mo.)、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸(HEDP)、1-羥基乙烷-1,1-二膦酸、氮基參(亞甲基膦酸) (NTMPA)、N,N,N',N'-乙二胺四(亞甲基膦)酸(EDTMP)、1,5,9-三氮雜環十二烷-N,N',N''-參(亞甲基膦酸) (DOTRP)、反式-1,2-二胺基環己烷-N,N,N',N'-四乙酸(CDTA)、1,4,7,10-四氮雜環十二烷-N,N',N'',N'''-肆(亞甲基膦酸) (DOTP)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸) (DETAP)、胺基三(亞甲基膦酸)、雙(六亞甲基)三胺膦酸、1,4,7-三氮雜環壬烷-N,N',N''-參(亞甲基膦酸) (NOTP)、磷酸之酯、磷酸，諸如焦磷酸；其鹽；及其組合。
組合物亦包含一或多種腐蝕抑制劑，其用於防止腐蝕或以其他方式保護微電子裝置上之銅表面。此類腐蝕抑制劑包括以下化合物：諸如5-胺基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇(ATDT)、苯并三唑(BTA)、檸檬酸、草酸、鞣酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、尿酸、1,2,4-三唑(TAZ)、甲苯基三唑、5-甲基-1 H-苯并三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-胺基-5-巰基-1,2,4-三唑、1-胺基-1,2,4-三唑、羥基苯并三唑、2-(5-胺基-戊基)-苯并三唑、1-胺基-1,2,3-三唑、1-胺基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-胺基-1,2,4-三唑、3-巰基-1,2,4-三唑、3-異丙基-1,2,4-三唑、5-苯硫醇-苯并三唑、鹵基-苯并三唑(鹵基=F、Cl、Br或I)、萘三唑、2-巰基苯并咪唑(MBI)、2-巰基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巰基噻唑啉、5-胺基四唑、2,4-二胺基-6-甲基-1,3,5-三𠯤、噻唑、三𠯤、甲基四唑、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、1,5-五亞甲基四唑、1-苯基-5-巰基四唑、二胺基甲基三𠯤、咪唑啉硫酮、巰基苯并咪唑、4-甲基-4 H-1,2,4-三唑-3-硫醇及苯并噻唑，及其組合。
在另一個實施例中，組合物可進一步包含磷酸，其用於抑制氧化鋁腐蝕。 例示性組合物包括以下重量百分比之比例範圍(=100%)：
例示性組合物 去離子水 蝕刻劑 50% NMMO 水混溶性有機溶劑A 水混溶性有機溶劑B 水混溶性有機溶劑C pH調節劑 螯合劑
A 50-70 0.1-1.5 0 1-30 1-30 1-30 6-10 ＜1
B 25-45 0 1-30 1-30 1-30 1-30 0 ＜1
C 25-45 0 1-30 1-30 1-30 1-30 ＜1 ＜1
D 30-50 1.5-2.5 1-30 1-30 1-30 1-30 ＜1 ＜1
E 30-50 0 1-30 1-30 1-30 1-30 ＜1 ＜1
所有量均以重量百分比表示，以總組合物=100%計。此等組合物可隨後與氧化劑組合。目標pH值之範圍通常為5至12。在某些實施例中，蝕刻劑或pH調節劑係選自氫氧化四甲銨(TMAH)、氫氧化銨、1,1,3,3-四甲基胍(TMG)、氫氧化四乙銨(TEAH)、氫氧化膽鹼、單乙醇胺及三乙醇胺。
在某些實施例中，水混溶性有機溶劑A、B及C係選自乙二醇、二甲亞碸(DMSO)、二乙二醇單丁醚、三乙二醇單乙醚、二乙二醇單乙醚、二丙二醇甲基醚(DPGME)及三丙二醇甲基醚(TPGME)。
在某些實施例中，螯合劑係選自乙二胺四乙酸(EDTA)、反式-1,2-二胺基環己烷-N,N,N',N'-四乙酸、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸(HEDP)、1-羥基乙烷-1,1-二膦酸、N,N,N,'N'-乙二胺四(亞甲基膦)酸、氮基參(亞甲基)三膦酸和氮基參(亞甲基膦酸) (NTMPA)。 *NMMO為4-甲基𠰌啉 N-氧化物(CAS編號7529-22-8)
應瞭解，慣例為將組合物製成濃縮形式，在使用前進行稀釋。舉例而言，組合物可以更濃縮形式製造，且其後在製造商處、在使用之前及/或在晶圓廠使用期間用至少一種溶劑稀釋。稀釋比率可在約0.1份稀釋劑:1份組合物濃縮物至約100份稀釋劑:1份組合物濃縮物之範圍內。應進一步瞭解，本文所描述之組合物包括氧化劑，其隨時間推移可能不穩定。因此，濃縮形式可基本上不含氧化劑，且氧化劑可在使用之前及/或在晶圓廠使用期間由製造商引入濃縮物中或經稀釋之組合物中。
本文所描述之組合物容易藉由簡單添加各個成分且混合至均質狀態來調配。此外，組合物可容易調配為單封裝調配物或在使用時或使用前混合之多部分調配物，較佳為多部分調配物。多部分調配物之各個部分可在工具處，或在諸如線內混合器之混合區/區域中，或在工具上游之儲存槽中混合。經考慮，多部分調配物之各個部分可含有成分/組分之任何組合，當混合在一起時形成所需組合物。各個成分之濃度可在組合物之特定倍數中廣泛變化，亦即更稀或更濃，且應瞭解，組合物可不同地及替代地包含以下、由以下組成或基本上由以下組成：符合本文揭示內容之成分的任何組合。
因此，在另一態樣中，本發明提供一種套組，其在一或多個容器中包含一或多種適於形成本文所描述之組合物的組分。套組之容器必須適合於儲存及運送該等移除組合物之組分，例如，NOWPak®容器(Advanced Technology Materials, Inc., Danbury, Conn., USA)。含有組合物之組分的一或多個容器較佳地包括用於使該一或多個容器中之組分流體連通以進行摻合及分配之構件。舉例而言，參考NOWPak®容器，氣體壓力可施加至該一或多個容器中之襯裡外部，以使得襯裡之至少一部分內容物排出且因此實現用於摻合及分配之流體連通。或者，可將氣體壓力施加至可用於實現流體連通之習知可加壓容器或泵的頂部空間。另外，系統較佳包括分配口，用於將經摻合組合物分配至處理工具。
基本上化學惰性、無雜質、可撓性及彈性聚合物膜材料，諸如高密度聚乙烯，可用於製造該一或多個容器之襯裡。不需要共擠壓或障壁層，且不需要任何顏料、UV抑制劑或可能不利地影響安置於襯裡中之組分的純度要求之加工劑來處理合乎需要之襯裡材料。合乎需要之襯裡材料之清單包括包含原生(亦即無添加物)聚乙烯、原生聚四氟乙烯(PTFE)、聚丙烯、聚胺基甲酸酯、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、聚縮醛、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚丁烯等之膜。此類襯裡材料之較佳厚度在約5 mm (0.005吋)至約30 mm (0.030吋)之範圍內，例如20 mm (0.020吋)之厚度。
關於套組之容器，以下專利及專利申請案之揭示內容各自以全文引用的方式併入本文中：美國專利第7,188,644號，名稱為「APPARATUS AND METHOD FOR MINIMIZING THE GENERATION OF PARTICLES IN ULTRAPURE LIQUIDS」；美國專利第6,698,619號，名稱為「RETURNABLE AND REUSABLE, BAG-IN-DRUM FLUID STORAGE AND DISPENSING CONTAINER SYSTEM」；及2008年5月9日申請之PCT/US08/63276，名稱為「SYSTEMS AND METHODS FOR MATERIAL BLENDING AND DISTRIBUTION」。
本發明可進一步藉由以下其較佳實施例之實例說明，但應理解，除非另外具體指示，否則包括此等實例僅出於說明之目的，且不意欲限制本發明之範疇。
實驗部分調配以下組合物且在氮化鈦、Al ox及Cu測試晶圓上進行測試。
組合物編號 去離子水 46.8%膽鹼 29% NH 4OH 50% NMMO 環丁碸 丁基卡必醇 乙基卡必醇 *H 3PO 4 60% AAc CDTA pH 1 pH 2
1 60.55 1       10 10 10    8.33 0.12 8.27 7.58
2 34.88       20 25 20          0.12 7.60 6.28
3 34.88       20 25 20    0.5    0.12 6.83 5.39
4 42.38 2    20 15 20    0.5    0.12 8.61 6.89
5 44.28    0.1 20 15 20    0.5    0.12 6.55 5.58
AAc=乙酸銨 *H 3PO 4為85%
所有量均以重量百分比表示，以總組合物=100%計。此等組合物與31% H 2O 2以1:1 (重量:重量)組合。pH 1之值為在與H 2O 2混合之前組合物之值，且pH 2為在與H 2O 2混合之後量測的。此等混合之組合物在59℃下在鐵氟龍(Teflon)燒杯中用於測試晶圓上之實驗，如下所示：
組合物編號 氮化鈦標準晶圓上之平均蝕刻速率(埃/分鐘) 氧化鋁標準晶圓上之平均蝕刻速率(埃/分鐘)
1 294 17
2 92 11.3
3 64 1.9
4 118 2.5
5 100 2.2
組合物編號 去離子水mL 46.8%膽鹼 29% NH 4OH 50% NMMO DMSO DMSO 2 丁基卡必醇 乙基卡必醇 *H 3PO 4 EDTMP CDTA pH 1 pH 2
6 74.13    0.5 10    5 10    0.25    0.12 8.88 7.72
7 74.13    0.5 10    5 10    0.25 0.12    8.70 7.50
8 73.75    0.5 10 5    10    0.25    0.5 6.57 5.91
9 73.75    0.5 10 5    10    0.25 0.5    6.87 5.97
*H 3PO 4為85%水溶液
所有量均以重量百分比表示，以總組合物=100%計。此等組合物與31% H 2O 2以1:1 (重量:重量)組合。pH 1之值為在與H 2O 2混合之前組合物之值，且pH 2為在與H 2O 2混合之後量測的。此等混合之組合物在59℃下在鐵氟龍(Teflon)燒杯中用於測試晶圓上之實驗，如下所示：
組合物編號 氮化鈦標準晶圓上之平均蝕刻速率(埃/分鐘) 氧化鋁標準晶圓上之平均蝕刻速率(埃/分鐘) Cu晶圓上之平均蝕刻速率(埃/分鐘)
6 251 15.1
7 237 2.9
8 123 0.7 64.0
9 149 0.3 36.6
組合物編號 去離子水 46.8重量%膽鹼 29重量% NH 4OH 50重量% NMMO DMSO 2 丁基卡必醇 乙基卡必醇 *H 3PO 4 EDTMP **BTA pH 1 pH 2
10 73.95    0.5 10 5 10    0.25 0.3    7.43 6.38
11 73.05    0.5 10 5 10    0.25 0.3 0.9 6.93 5.94
*H 3PO 4為85%水溶液 **BTA=苯并三唑
所有量均以重量百分比表示，以總組合物=100%計。此等組合物與31% H 2O 2以1:1 (重量:重量)組合。pH 1之值為在與H 2O 2混合之前組合物之值，且pH 2為在與H 2O 2混合之後量測的。此等混合之組合物在59℃下在鐵氟龍(Teflon)燒杯中用於測試晶圓上之實驗，如下所示：
組合物編號 氮化鈦標準晶圓上之平均蝕刻速率(埃/分鐘) 氧化鋁標準晶圓上之平均蝕刻速率(埃/分鐘) Cu晶圓上之平均蝕刻速率(埃/分鐘)
10 169 15.1 20.2
11 159 2.9 2.1
組合物編號 去離子水mL 蝕刻劑/pH調節劑 50重量% NMMO DMSO 2 丁基卡必醇 乙基卡必醇 85重量% H 3PO 4 EDTMP Cu抑制劑
12 63.05 0.5 (29% NH 4OH) 10 5 10 10 0.25 0.3 0.9 BTA
13 61.24 2.5 (44.1%膽鹼) 10 5 10 10 ---- 0.5 0.9 BTA
所有量均以重量百分比表示，以總組合物=100%計。此等組合物與31% H 2O 2以1:1 (重量:重量)組合。 符號： NMMO=4-甲基𠰌啉 N-氧化物(CAS編號7529-22-80) DMSO 2=二甲碸 EDTMP=乙二胺四(亞甲基膦酸) CDTA=反式-1,2-二胺基環己烷-N,N,N',N'-四乙酸(CAS編號125572-95-4) *H 3PO 4為85%水溶液 **BTA=苯并三唑 丁基卡必醇，二乙二醇單丁醚(CAS編號112-34-5) 乙基卡比醇，二乙二醇單乙醚(CAS編號111-90-0)
所有量均以重量百分比表示，以總組合物=100%計。此等組合物與31% H 2O 2以1:1 (重量:重量)組合。pH 1之值為在與H 2O 2混合之前組合物之值，且pH 2為在與H 2O 2混合之後量測的。此等混合之組合物在59℃下在鐵氟龍(Teflon)燒杯中用於測試晶圓上之實驗，如下所示：
實例 混合製備 溫度 原始pH POU 氮化鈦(蝕刻速率；500埃2分鐘) 氧化鋁(蝕刻速率；200埃10分鐘) 銅(蝕刻速率；3KA 10分鐘)
12 31% H 2O 2 59℃ 7.58 7.46 191 0.4 2.1
13 31% H 2O 2 59℃ 8.43 6.47 142 0.2 1.5
符號： POU=使用點 ERSTD 1=蝕刻速率標準晶圓(內標)氮化鈦；值為500埃晶圓2分鐘之平均蝕刻速率 氧化鋁標準晶圓-200埃2分鐘 ERSTD 2=蝕刻速率標準晶圓
已特別參考本發明之某些實施例詳細描述本發明，但應理解，可在本發明之精神及範疇內實現變化及修改。

Claims (9)

  1. 一種組合物，其包含： a.  溶劑組合物，包含： i.     水； ii.    水混溶性有機溶劑； iii. N-甲基𠰌啉- N-氧化物；及 iv.   二甲碸； b.  氧化劑； c.  螯合劑； d.  腐蝕抑制劑； e.  至少一種蝕刻劑或pH調節劑。
  2. 如請求項1之組合物，其中該水混溶性溶劑係選自二乙二醇單丁醚及二乙二醇單乙醚或其混合物。
  3. 如請求項1之組合物，其中該氧化劑為過氧化氫。
  4. 如請求項1之組合物，其中該蝕刻劑或pH調節劑係選自氫氧化膽鹼及氫氧化銨。
  5. 如請求項1之組合物，其中該蝕刻劑或pH調節劑為氫氧化銨。
  6. 如請求項1之組合物，其中該腐蝕抑制劑係選自苯并三唑及磷酸。
  7. 如請求項1之組合物，其進一步包含界面活性劑。
  8. 一種用於自微電子裝置移除氮化鈦及/或光阻蝕刻殘留物之方法，其包含使該裝置與如請求項1之組合物接觸。
  9. 一種套組，其在一或多個容器中包括一或多種如請求項1所主張之組分a.至e.。
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Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4224652B2 (ja) * 1999-03-08 2009-02-18 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法
AU2003238773A1 (en) * 2002-06-07 2003-12-22 Mallinckrodt Baker Inc. Microelectronic cleaning compositions containing oxidizers and organic solvents
US8236485B2 (en) * 2002-12-20 2012-08-07 Advanced Technology Materials, Inc. Photoresist removal
KR20060064441A (ko) * 2004-12-08 2006-06-13 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 비수성 비부식성 마이크로전자 세정 조성물
WO2007044446A1 (en) 2005-10-05 2007-04-19 Advanced Technology Materials, Inc. Oxidizing aqueous cleaner for the removal of post-etch residues
WO2007111694A2 (en) 2005-11-09 2007-10-04 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon
JP2010524208A (ja) 2007-03-31 2010-07-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド ウエハ再生のために材料を剥離する方法
EP2540870A1 (en) 2007-12-21 2013-01-02 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent
KR20100071136A (ko) * 2008-12-19 2010-06-29 램테크놀러지 주식회사 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 반도체 패턴 형성 방법
EP2814895A4 (en) * 2012-02-15 2015-10-07 Entegris Inc POST-CMP DISPOSAL USING COMPOSITIONS AND USE PROCESSES
SG11201509933QA (en) * 2013-06-06 2016-01-28 Advanced Tech Materials Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
SG11201601158VA (en) 2013-08-30 2016-03-30 Advanced Tech Materials Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
US20150104952A1 (en) * 2013-10-11 2015-04-16 Ekc Technology, Inc. Method and composition for selectively removing metal hardmask and other residues from semiconductor device substrates comprising low-k dielectric material and copper
WO2015119925A1 (en) * 2014-02-05 2015-08-13 Advanced Technology Materials, Inc. Non-amine post-cmp compositions and method of use
JP6486957B2 (ja) 2014-10-31 2019-03-20 富士フイルム株式会社 Ｍｒａｍドライエッチング残渣除去組成物、磁気抵抗メモリの製造方法、及び、コバルト除去組成物
US9976111B2 (en) * 2015-05-01 2018-05-22 Versum Materials Us, Llc TiN hard mask and etch residual removal
CN110506100A (zh) * 2017-04-11 2019-11-26 恩特格里斯公司 化学机械研磨后调配物和使用方法
US10934484B2 (en) * 2018-03-09 2021-03-02 Versum Materials Us, Llc Etching solution for selectively removing silicon-germanium alloy from a silicon-germanium/ germanium stack during manufacture of a semiconductor device
US11499236B2 (en) 2018-03-16 2022-11-15 Versum Materials Us, Llc Etching solution for tungsten word line recess
US11017995B2 (en) * 2018-07-26 2021-05-25 Versum Materials Us, Llc Composition for TiN hard mask removal and etch residue cleaning

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