TW202217482A - 全像光學元件以及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明是關於一種全像光學元件及其製造方法，且特定言之，是關於一種全像光學元件及其製造方法，其中使用延遲層製造全像光學元件以防止在光聚合物樹脂層中記錄干涉圖案的製程中形成不想要的干涉圖案。

Description

全像光學元件以及其製造方法
本申請案主張2020年9月14日向韓國智慧財產局（Korean Intellectual Property Office）申請的韓國專利申請案第10-2020-0117902號的申請日權益，所述專利申請案的全部內容以引用的方式併入本文中。
本發明是關於一種全像光學元件及其製造方法，且特定言之，是關於一種全像光學元件及其製造方法，其中使用延遲層製造全像光學元件以防止在光聚合物樹脂層中記錄干涉圖案的製程中形成不想要的干涉圖案。
一般而言，全息是指藉由使用同調光源在感光材料中記錄目標波與包含影像資訊的參考波之間的干涉圖案且用與記錄所用相同的參考波照射其中記錄有干涉圖案的感光材料藉此重建構記錄在感光材料中的影像資訊的技術。由於其中記錄有干涉圖案的感光材料藉由繞射而非反射或折射重建構影像資訊，故此感光材料亦分類為繞射光學元件（diffraction optical element；DOE）的一種類型。
圖1為繪示根據習知技術記錄干涉圖案以製造全像光學元件的製程的示意圖。如其中所繪示，全像光學元件通常藉由用參考光束（亦即,第一平行雷射光束L1）及目標光束（亦即,第二平行雷射光束L2）照射感光材料來製造，藉此記錄由參考光束與目標光束之間的干涉所產生的干涉圖案。然而，較佳的是將光束轉換為線性偏振光束以便增強參考光束與目標光束之間的干涉。
具體言之,當將參考光束及目標光束中的每一者轉換為P波（水平線性偏振光束）或當將參考光束及目標光束中的每一者轉換為S波（豎直線性偏振光束）時，兩個光束之間的建設性干涉變得更強，且其間的破壞性干涉變得更弱，以便產生清晰的干涉圖案。
然而，當參考光束或目標光束自具有高折射率的光聚合物樹脂層行進至具有低折射率的空氣層時，出現發生全反射且全反射光束與另一光束之間的干涉再次發生，造成不想要的干涉圖案,降低全像光學元件的繞射效率的問題。另外，存在當用經繞射的重建構光束照射不想要的干涉圖案時，其以尚未記錄的角度重建構的問題。
圖2為繪示示出根據習知技術將不想要的干涉圖案P'記錄在全像光學元件中的製程的示意圖。參考圖2，用參考光束（其為偏振為S波偏振的第一平行雷射光束L1）經由折射率為1.5的稜鏡13照射全像光學元件，且參考光束進入折射率為1.5的光聚合物樹脂層11。同時，用目標光束（其為偏振為S波偏振的第二平行雷射光束L2）照射全像光學元件，藉此記錄參考光束與目標光束之間的干涉圖案P。然而，當參考光束（其為偏振為S波偏振的第一平行雷射光束L1）自折射率為1.5的光聚合物樹脂層11行進至折射率為1的空氣層時，在光聚合物樹脂層11與空氣層之間的界面處發生全反射，且全反射參考光束再次與目標光束發生干涉，藉此形成不想要的干涉圖案P'。
如上文所描述，不想要的干涉圖案P'的問題在於其降低全像光學元件的繞射效率，且當用重建構光束照射不想要的干涉圖案P'時，其亦以尚未記錄的角度重建構。因此，迫切需要研發解決此問題的技術。
本發明的目標為提供全像干涉圖案及其製造方法，其中使用延遲層產生全像干涉圖案以便消除不想要的干涉圖案的出現。
然而，本發明的目標不限於上文提及的目標，且所屬領域中具有通常知識者將自以下描述清楚地理解本文未提及的其他目標。
本發明的實施例提供用於製造全像光學元件的方法，方法包含以下步驟：在光聚合物樹脂層的一個表面上設置延遲層，所述光聚合物樹脂層包含光聚合物樹脂；以及藉由用第一平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的另一表面且用第二平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的一個表面而在光聚合物樹脂層中記錄由第一平行雷射光束與第二平行雷射光束之間的干涉所產生的干涉圖案，所述光聚合物樹脂層的另一表面為延遲層不設置於其上的表面。
根據本發明的一個實施例，已照射光聚合物樹脂層的第一平行雷射光束入射在光聚合物樹脂層上的入射角可大於42度且小於90度。
根據本發明的一個實施例，第一平行雷射光束可為線性偏振光束，且第二平行雷射光束可為圓形偏振光束或橢圓偏振光束。
根據本發明的一個實施例，延遲層可具有λ/4波長相位延遲特徵。
根據本發明的一個實施例，稜鏡可進一步設置於光聚合物樹脂層的另一表面上。
根據本發明的一個實施例，延遲層的透光率可高於90%且低於或等於100%，且延遲層的混濁度可高於0%且低於1%。
根據本發明的一個實施例，延遲層可將圓形偏振光束或橢圓偏振光束轉換為線性偏振光束。
根據本發明的一個實施例,方法可更包含自其中記錄有干涉圖案的光聚合物樹脂層移除延遲層的步驟。
根據本發明的一個實施例，方法可更包含藉由用波長在紫外-可見光（UV-Vis）波長區域中的光照射來漂白其中記錄有干涉圖案的光聚合物樹脂層的步驟。
本發明的另一實施例提供全像光學元件，所述全像光學元件包含：光聚合物樹脂層，包含光聚合物樹脂；以及延遲層，設置於光聚合物樹脂層的一個表面上，其中將由光束之間的干涉所產生的干涉圖案記錄在光聚合物樹脂層中，且對於具有400奈米至1,600奈米的波長且在垂直於光聚合物樹脂層的另一表面的方向上照射光聚合物樹脂層的光，光聚合物樹脂層具有高於0%或低於或等於70%、或高於90%且低於或等於100%的透光率，所述光聚合物樹脂層的另一表面為延遲層不設置於其上的表面。
根據本發明的一個實施例，延遲層可具有λ/4波長相位延遲特徵。
根據本發明的一個實施例，延遲層的透光率可高於90%且低於或等於100%，且延遲層的混濁度可高於0%且低於1%。
根據本發明的一個實施例，干涉圖案可為藉由用第一平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的另一表面且用第二平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的一個表面而由第一平行雷射光束與第二平行雷射光束之間的干涉所產生的干涉圖案，所述光聚合物樹脂層的另一表面為延遲層不設置於其上的表面。
根據作為本發明的一個實施例的用於製造全像光學元件的方法，藉由簡單方法消除不想要的干涉圖案的出現是可能的。
根據作為本發明的另一實施例的全像光學元件，在使所記錄的干涉圖案清晰的同時最大限度地減少不想要的干涉圖案的出現且提高全像光學元件的繞射效率是可能的。
本發明的效果不限於上文所描述的效果，且所屬領域中具有通常知識者將自本說明書及隨附圖式清楚地理解本文中未提及的效果。
貫穿本說明書，應理解，除非另外規定，否則當將任何部分稱為「包含」任何組分時，其不排除其他組分，而是可能更包含其他組分。
貫穿本說明書，當將任何構件稱為「在」另一構件「上」時，其不僅指其中任何構件與另一構件接觸的情況，且亦指其中第三構件存在於兩個構件之間的情況。
貫穿本說明書，單位「重量份」可指組分之間的重量的比率。
貫穿本說明書，術語「(甲基)丙烯酸酯」用於包含丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯兩者。
貫穿本說明書，「A及/或B」意謂「A及B」或「A或B」。
貫穿本說明書，術語「單體單元」可指在其聚合物中的反應單體的形式。具體言之，所述術語可指其中單體經由聚合反應形成聚合物的主幹（例如，主鏈或側鏈）的形式。
貫穿本說明書，術語「干涉圖案」是指由兩個或多於兩個光束之間的干涉所形成的圖案。
貫穿本說明書，術語「入射角」是指光入射的平面的虛擬豎直線與光入射在所述平面上時光行進的方向上的虛擬直線之間所形成的角。具體言之，所述術語是指入射平面的法線與光在入射在入射平面上時行進的方向上的虛擬直線之間所形成的角。
貫穿本說明書，術語「照射角」意謂在光經照射及行進的方向上的虛擬直線與垂直於經照射平面的虛擬豎直線之間所形成的角。
在下文中，將更詳細地描述本發明。
本發明的實施例提供用於製造全像光學元件的方法，方法包含以下步驟：在光聚合物樹脂層的一個表面上設置延遲層，所述光聚合物樹脂層包含光聚合物樹脂；以及藉由用第一平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的另一表面且用第二平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的一個表面而在光聚合物樹脂層中記錄由第一平行雷射光束與第二平行雷射光束之間的干涉所產生的干涉圖案，所述光聚合物樹脂層的另一表面為延遲層不設置於其上的表面。
根據作為本發明的一個實施例的用於製造全像光學元件的方法，藉由簡單方法消除不想要的干涉圖案的出現是可能的。
根據本發明的一個實施例，方法包含在光聚合物樹脂層的一個表面上設置延遲層的步驟，所述光聚合物樹脂層包含光聚合物樹脂。由於延遲層設置於含有如上文所描述的光聚合物樹脂的光聚合物樹脂層的一個表面上，故在記錄干涉圖案的製程中最大限度地減少不想要的干涉圖案的出現且提高全像光學元件的繞射效率是可能的。
根據本發明的一個實施例，光聚合物樹脂層包含光聚合物樹脂。由於光聚合物樹脂層包含如上文所描述的光聚合物樹脂，故可將由第一平行雷射光束與第二平行雷射光束之間的干涉所產生的干涉圖案有效地記錄在光聚合物樹脂層中。
根據本發明的一個實施例，光聚合物樹脂可包含自含有光反應性單體及光引發劑的光聚合物組成物獲得的聚合物。由於使用含有如上文所描述的光反應性單體及光引發劑的光聚合物組成物，故在實現光聚合物樹脂的基本物理特性的同時藉由用光束照射光聚合物樹脂層而在光聚合物樹脂層上形成圖案是可能的。
根據本發明的一個實施例，光反應性單體可包含多官能(甲基)丙烯酸酯單體或單官能(甲基)丙烯酸酯單體。
單體在如上文所描述的光聚合物組成物的光聚合期間聚合。因此，光聚合物樹脂層的折射率在存在相對大量聚合物的部分中增加，且在其他部分中折射率相對降低，導致折射率調變。繞射光柵，即干涉圖案可由此折射率調變產生。
根據本發明的一個實施例，光反應性單體可為(甲基)丙烯酸酯類α,β-不飽和羧酸衍生物。更具體言之，光反應性單體可為(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酸或含有乙烯基或硫醇基的化合物。
根據本發明的一個實施例，光反應性單體的實例包含具有1.5或高於1.5的折射率的多官能(甲基)丙烯酸酯單體。具有1.5或高於1.5的折射率的此等多官能(甲基)丙烯酸酯單體可含有鹵素原子（溴、碘等）、硫（S）、磷（P）或芳香環。
根據本發明的一個實施例，具有1.5或高於1.5的折射率的多官能(甲基)丙烯酸酯單體的實例包含雙酚A改性二丙烯酸酯系列、芴丙烯酸酯系列、雙酚芴環氧丙烯酸酯系列（HR6100、HR6060、HR6042等，由美源特殊化工有限公司（Miwon Specialty Chemical Co., Ltd）製造）以及鹵代環氧丙烯酸酯系列（HR1139、HR3362等，由美源特殊化工有限公司製造）。
根據本發明的一個實施例，光反應性單體的實例包含單官能(甲基)丙烯酸酯單體。單官能(甲基)丙烯酸酯單體在分子中可含有醚鍵及芴官能基。此單官能(甲基)丙烯酸酯單體的特定實例包含(甲基)丙烯酸苯氧基苯苄酯、鄰苯基苯酚環氧乙烷(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸2-(苯硫基)乙酯或(甲基)丙烯酸聯苯甲酯。
根據本發明的一個實施例，光反應性單體可具有50公克/莫耳至1,000公克/莫耳或200公克/莫耳至600公克/莫耳的分子量。
根據本發明的一個實施例，光聚合物組成物含有光引發劑。由於含有如上文所描述的光引發劑（其為由光或光化輻射活化的化合物），其引發含有諸如光反應性單體的光反應性官能基的化合物的聚合。
根據本發明的一個實施例，光引發劑的實例包含光自由基聚合引發劑及光陽離子聚合引發劑。
根據本發明的一個實施例，光自由基聚合引發劑的實例包含咪唑衍生物、雙咪唑衍生物、N-芳基甘胺酸衍生物、有機疊氮化合物、二茂鈦、鋁酸鹽錯配物、有機過氧化物、N-烷氧基吡啶鎓鹽、噻噸酮衍生物及類似物。具體而言，光自由基聚合引發劑的實例包含1,3-二(三級丁基二氧羰基)苯甲酮、3,3',4,4"-四(三級丁基二氧羰基)苯甲酮、3-苯基-5-異噁唑酮、2-巰基苯并咪唑、雙(2,4,5-三苯基)咪唑、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮（產品名稱：豔佳固（Irgacure）651；製造商：BASF）、1-羥基-環己基-苯基-酮（產品名稱：豔佳固184；製造商：BASF）、2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1（產品名稱：豔佳固369/製造商：BASF）、雙(η5-2,4-環戊二烯-1-基)-雙(2,6-二芴-3-(1H-吡咯-1-基)-苯基)鈦（產品名稱：豔佳固784；製造商：BASF）及類似物。
根據本發明的一個實施例，光陽離子聚合引發劑的實例包含重氮鹽、鋶鹽或碘鹽，且其實例包含磺酸酯、亞胺基磺酸鹽、二烷基-4-羥基鋶鹽、芳基磺酸-對硝基苄酯、矽烷醇-鋁錯配物、(η6-苯)(η5-環戊二烯基)鐵(II)及類似物。另外，亦可提及安息香甲苯磺酸鹽、2,5-二硝基苯基甲苯磺酸鹽、N-甲苯磺醯鄰苯二甲酸醯亞胺及類似物。光陽離子聚合引發劑的更特定實例包含商業上可獲得的產品，諸如Cyracure UVI-6970、Cyracure UVI-6974及Cyracure UVI-6990（製造商：在美國的陶氏化學公司（Dow Chemical Co.））、豔佳固264及豔佳固250（製造商：BASF）或CIT-1682（製造商：日本曹打（Nippon Soda））。
根據本發明的一個實施例，光聚合物組成物可含有單分子（類型I）引發劑或雙分子（類型II）引發劑。用於自由基光聚合的單分子（類型I）引發劑的實例包含與三級胺組合的芳香酮化合物諸如苯甲酮、烷基苯甲酮、4,4'-雙(二甲胺基)苯甲酮（米其勒酮）、蒽酮及鹵代苯甲酮或其混合物。雙分子（類型II）引發劑的實例包含安息香及其衍生物、苄基縮酮、醯基氧化膦，例如，2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦、雙醯基氧化膦、苯基乙醛酸酯、樟腦醌、α-胺基烷基苯酮、α-二烷氧基苯乙酮、1-[4-(苯硫基)苯基]辛烷-1,2-二酮2-(O-苯甲醯基肟)、α-羥烷基苯酮及類似物。
根據本發明的一個實施例,光聚合物組成物可含有10 wt%至70 wt%的光反應性單體及0.1 wt%至15 wt%的光引發劑,或含有20 wt%至60 wt%的光反應性單體及0.1 wt%至10 wt%的光引發劑。當光聚合物組成物進一步含有如下文所描述的有機溶劑時，上文所描述的組分的含量按上文所描述組分的總重量（不包含有機溶劑的組分的總重量）計。
根據本發明的一個實施例，光聚合物組成物可進一步含有光敏染料。光敏染料充當光敏顏料對光引發劑進行敏化。具體言之，光敏染料可由照射光聚合物組成物的光刺激且亦可充當引發劑以引發單體及交聯單體的聚合。光聚合物組成物可含有0.01 wt%至30 wt%或0.05 wt%至20 wt%的光敏染料。
根據本發明的一個實施例，光敏染料的實例包含神經醯胺的鋶衍生物、新亞甲藍、硫代赤蘚紅三乙基銨、6-乙醯胺基-2-甲基神經醯胺、曙紅、赤蘚紅、孟加拉玫紅、硫甯、鹼性黃、氯化頻哪氰醇（pinacyanol chloride）、玫瑰紅6G、花菁、乙基紫、維多利亞藍R、天青石藍、喹吶啶紅、結晶紫、亮綠、鹼性橙G、達羅紅、派洛寧Y、鹼性紅29、碘化哌喃鎓、番紅O、花青、亞甲藍、天藍A及其兩者或多於兩者的組合。
根據本發明的一個實施例，光聚合物組成物可進一步含有有機溶劑。有機溶劑的非限制性實例包含酮、乙醇、乙酸鹽、醚及其兩者或多於兩者的混合物。
根據本發明的一個實施例，有機溶劑的實例包含：酮，諸如甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙醯基丙酮或異丁基酮；醇，諸如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇或三級丁醇；乙酸酯，諸如乙酸乙酯、乙酸異丙酯或聚乙二醇單甲醚乙酸酯；醚，諸如四氫呋喃或丙二醇單甲醚；或其兩者或多於兩者的混合物。
根據本發明的一個實施例，有機溶劑可在混合包含在光聚合物組成物中的各別組分時添加，或可藉由添加分散或混合於有機溶劑中的各別組分而包含在光聚合物組成物中。當光聚合物組成物中的有機溶劑的含量過低時，光聚合物組成物的可流動性可能降低，導致在最後製造的薄膜上出現諸如條紋圖案等缺陷。另外，若添加過量有機溶劑，則固體含量降低，且塗佈及薄膜形成不充分，使得薄膜的物理特性及表面特徵可能降低且可能在乾燥及固化製程期間出現缺陷。因此，光聚合物組成物可含有有機溶劑以使得其中所含有的組分的總固體含量為1 wt%至70 wt%或2 wt%至50 wt%。
根據本發明的一個實施例，光聚合物組成物可進一步含有其他添加劑、觸媒及類似物。光聚合物組成物可含有通常已知的觸媒以促進光反應性單體的聚合。觸媒的實例包含辛酸錫、辛酸鋅、二月桂酸二丁基錫、二甲基雙[(1-側氧基新癸基)氧基]錫烷、二羧酸二甲基錫、雙(乙基己酸)鋯、乙醯丙酮鋯或三級胺，例如1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷、二氮雜雙環壬烷、二氮雜雙環十一烷、1,1,3,3-四甲基胍、1,3,4,6,7,8-六氫-1-甲基-2H-嘧啶并(1,2-a）嘧啶及類似物。
根據本發明的一個實施例，使用延遲層執行用於製造全像光學元件的方法。藉由使用如上文所描述的延遲層，改變第一平行雷射光束及/或第二平行雷射光束的相位是可能的。
根據本發明的一個實施例，延遲層可具有單層結構或層壓兩個或多於兩個層的多層結構。當延遲層具有多層結構時，多層結構的層可由黏合劑或黏著劑附著在一起或可藉由直接塗佈層壓在一起。如上文所描述，由於延遲層可具有單層結構或層壓兩個或多於兩個層的多層結構，其可有效地改變第一平行雷射光束及/或第二平行雷射光束的相位。
根據本發明的一個實施例，延遲層可為液晶膜或聚合物膜。具體言之，使用藉由以適當的方式拉伸透光聚合物膜獲得的膜或使用藉由對準液晶化合物所形成的液晶膜是可能的，所述透光聚合物膜可藉由拉伸提供光學各向異性。另外，只要未拉伸聚合物膜具有光學各向異性，亦可使用未拉伸聚合物膜。由於液晶膜及/或聚合物膜用作如上文所描述的延遲層，故延遲層可有效地改變第一平行雷射光束及/或第二平行雷射光束的相位。
根據本發明的一個實施例，方法包含藉由用第一平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的另一表面且用第二平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的一個表面而在光聚合物樹脂層中記錄由第一平行雷射光束與第二平行雷射光束之間的干涉所產生的干涉圖案的步驟，所述光聚合物樹脂層的另一表面為延遲層不設置於其上的表面。如上文所描述，由於藉由用第一平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的另一表面且用第二平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的一個表面而將由第一平行雷射光束與第二平行雷射光束之間的干涉所產生的干涉圖案記錄在光聚合物樹脂層中，所述光聚合物樹脂層的另一表面為延遲層不設置於其上的表面，故消除光聚合物樹脂層上的不想要的干涉圖案的出現是可能的。
根據本發明的一個實施例,可藉由允許第一平行雷射光束以預定入射角入射在光聚合物樹脂層的一側上且允許第二平行雷射光束入射在光聚合物樹脂層的另一側上而將干涉圖案記錄在光聚合物樹脂層中。由於允許第一平行雷射光束及第二平行雷射光束入射在光聚合物樹脂層上，故有效地增強光聚合物樹脂層中的干涉圖案是可能的。
根據本發明的一個實施例,全像光學元件包含藉由第一平行雷射光束與第二平行雷射光束之間的干涉而記錄在光聚合物樹脂層中的干涉圖案，所述第一平行雷射光束已以預定入射角處入射在光聚合物樹脂層的一側上，所述第二平行雷射光束已入射在光聚合物樹脂層的另一側上。在本說明書中，藉由第一平行雷射光束與第二平行雷射光束之間的干涉所形成的圖案定義為干涉圖案。具體言之，當允許第一平行雷射光束入射在光聚合物樹脂層的一側上且隨後允許第二平行雷射光束入射在與所述一側形成角的另一側上時，光聚合物樹脂層中的平行雷射光束之間發生干涉。此後，在形成於光聚合物樹脂層中的干涉圖案中的交疊部分中，亦即在發生建設性干涉的部分中，光聚合物樹脂層中的組分進行額外的聚合反應，且因此所述部分的折射率改變。另外，在干涉圖案中的非交疊部分（發生破壞性干涉的部分）中，發生較弱的額外的聚合反應，且因此所述部分的折射率變弱。因此，藉由兩個光束之間的干涉記錄重複建設性干涉部分及破壞性干涉部分的干涉圖案。因此，當允許光入射在光聚合物樹脂層上時，光由記錄在光聚合物樹脂層中的具有不同折射率的圖案部分均一地折射。
根據本發明的一個實施例，第一平行雷射光束及第二平行雷射光束的波長不受特別限制，且考慮到所製造的全像光學元件的預期用途可適當地選擇。具體言之，可將具有任一個波長的單個雷射或具有不同波長的兩個或多於兩個雷射用作平行雷射光束。更具體言之，為產生全色全息圖，具有與紅色（R）、綠色（G）以及藍色（B）區域對應的三個波長的雷射可組合使用。
根據本發明的一個實施例，第一平行雷射光束及/或第二平行雷射光束兩者可為連續波（continuous wave；CW）雷射。由於與脈衝雷射相比連續波雷射具有穩定的輸出，故具有均一的光學特性的干涉圖案可記錄於感光材料的曝光區域中。
根據本發明的一個實施例，第一平行雷射光束及/或第二平行雷射光束兩者可為單一縱向模式雷射。此是因為當使用多模式雷射時，穿過延遲層的光與繞射光之間的相干性可能降低。
根據本發明的一個實施例，可控制平行雷射光束以在用平行雷射光束照射的光聚合物樹脂層的整個區域中具有相同的強度。如上文所描述，可控制產生於光聚合物樹脂層中的光學特性。
根據本發明的一個實施例，用第一平行雷射光束及第二平行雷射光束以預定照射角照射光聚合物樹脂層。具體言之，用第一平行雷射光束及第二平行雷射光束以預定照射角照射光聚合物樹脂層，且第一平行雷射光束及第二平行雷射光束隨後以預定入射角入射在光聚合物樹脂層上。第一平行雷射光束及第二平行雷射光束的照射角不受特別限制，且可考慮待記錄在光聚合物樹脂層中的全息圖及待製造的全像光學元件的特性，來判定。
根據本發明的一個實施例，已照射光聚合物樹脂層的第一平行雷射光束入射在光聚合物樹脂層上的入射角可大於42度且小於90度。具體言之，第一平行雷射光束的照射角可為43度至小於90度、44度至小於90度、小於45度、小於90度、46度至小於90度、47度至小於90度、48度至小於90度、49度至小於90度、50度至小於90度、55度至小於90度、60度至小於90度、65度至小於90度、70度至小於90度、75度至小於90度或80度至小於90度。更具體言之，第一平行雷射光束的入射角可為在光聚合物層與空氣層之間的界面處發生全反射的入射角。由於將第一平行雷射光束的入射角控制在上文所描述的範圍內，故將由光聚合物層與空氣層之間的界面處的全反射引起的干涉圖案由延遲層轉換為光，其引起破壞性干涉，且因此防止不想要的干涉圖案的出現是可能的。
根據本發明的一個實施例，用第一平行雷射光束及第二平行雷射光束照射光聚合物樹脂層使得干涉發生於光聚合物樹脂層內。在製造全像光學元件的領域中，為了在感光材料中記錄全息圖，應使用相關的目標及參考光束，且應用目標光束及參考光束照射光聚合物樹脂以便藉由目標光束與光聚合物樹脂內部的參考光束之間的干涉將干涉光束記錄於光聚合物樹脂中。
根據本發明的一個實施例，可用兩個平行雷射光束照射聚合物樹脂層以使得用兩個光束照射的光聚合物樹脂層的線性區在同一的表面或相對的表面上彼此一致。
根據本發明的一個實施例，當用第一平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的任一個表面且用第二平行雷射光束照射與所述一個表面相對的表面時，用第一平行雷射光束照射的區域及用第二平行雷射光束照射的區域位於彼此相對的各別的表面上的彼此對應的位置處。因此，第一平行雷射光束及第二平行雷射光束在包含於光聚合物樹脂層中的光聚合物樹脂內行進的光學路徑可彼此交疊，且光束之間可能會出現干涉。
根據本發明的一個實施例，當用第一平行雷射光束及第二平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的同一一個表面時，用第一平行雷射光束及第二平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的同一一個表面上的同一區域。因此，第一平行雷射光束及第二平行雷射光束在包含於光聚合物樹脂層中的光聚合物樹脂內行進的光學路徑可彼此交疊，且光束之間可能會出現干涉。
根據本發明的一個實施例，第一平行雷射光束可為線性偏振光束。具體言之，第一平行雷射光束可為S波或P波。由於選擇S波或P波作為第一平行雷射光束，故可產生清晰的干涉圖案。
根據本發明的一個實施例，第二平行雷射光束可為圓形偏振光束或橢圓偏振光束。具體言之，在第一平行雷射光束為S波的情況下，當第二平行雷射光束穿過延遲層時第二平行雷射光束較佳地改變為S波。另外，在第一平行雷射光束為p波的情況下，當第二平行雷射光束穿過延遲層時第二平行雷射光束較佳地改變為P波。由於第二平行雷射光束為圓形極化的或橢圓極化的光束且受控制以在穿過如上文所描述的延遲層時改變，故可消除光聚合物樹脂層中不想要的干涉圖案的出現。
根據本發明的一個實施例，延遲層可具有λ/4波長相位延遲特徵。如本文中所使用，術語「λ/n波長相位延遲特徵」是指能夠在波長範圍的至少一部分內將入射光束延遲n倍的入射光束波長的特徵。λ/n波長相位延遲特徵可為將入射的線性偏振光束轉換為橢圓偏振光束或圓形偏振光束的特徵，或將入射的橢圓偏振光束或圓形偏振光束轉換為線性偏振光束的特徵。如由於控制延遲層以具有如上文所描述的λ/4波長相位延遲特徵，故可消除光聚合物樹脂層中不想要的干涉圖案的出現。
根據本發明的一個實施例，稜鏡可進一步設置於光聚合物樹脂層的另一表面上。具體言之,由於稜鏡進一步設置於光聚合物樹脂層的另一表面上，故可用穿過稜鏡的第一平行雷射光束照射光聚合物樹脂層，藉此防止不發生全反射。因此，由於稜鏡進一步設置於光聚合物樹脂層的另一表面上，故可以製造全像光學元件，其中以特定波長照射光聚合物樹脂層的的雷射可以預定角度或預定波長操作。
根據本發明的一個實施例，延遲層的透光率可高於90%且低於或等於100%。具體言之，延遲層的透光率可為91%至99%、92%至98%、93%至97%或94%至96%。由於延遲層的透光率控制在上文所描述的範圍內，故提高平行雷射光束的光學效率是可能的。
根據本發明的一個實施例，延遲層的混濁度可高於0%且低於1%。由於延遲層的混濁度控制在以上範圍內，故防止平行雷射光束的散射穿過延遲層是可能的。
根據本發明的一個實施例，延遲層可將圓形偏振光束或橢圓偏振光束轉換為線性偏振光束。由於選擇將圓形偏振光束或橢圓偏振光轉換為線性偏振光束的一者作為如上文所描述的延遲層，故可消除光聚合物樹脂層中不想要的干涉圖案的出現。
根據本發明的一個實施例,方法可更包含自其中記錄有干涉圖案的光聚合物樹脂層移除延遲層的步驟。由於方法更包含移除如上文所描述的延遲層的步驟，故全像光學元件可微型化。
根據本發明的一個實施例，方法可更包含藉由用波長在紫外-可見光（UV-Vis）波長區域中的光照射來漂白其中記錄有干涉圖案的光聚合物樹脂層的步驟。由於方法更包含漂白如上文所描述的其中記錄有干涉圖案的光聚合物樹脂層的步驟，故可完成包含於光聚合物樹脂層中的光聚合物樹脂中的未反應的光反應性單體的反應。
根據本發明的一個實施例，用於漂白步驟中的光的波長可位於可見波長區域或紫外線波長區域中。由於如上文所描述控制用於漂白步驟中的光的波長，故可有效地完成光聚合物樹脂中的未反應的光反應性單體的反應。
根據本發明的一個實施例，方法可包含在漂白步驟之後額外固化光聚合物樹脂層的步驟。固化可為熱固化或光固化。由於如上文所描述額外固化光聚合物樹脂，故進一步設置記錄在光聚合物樹脂層中的干涉圖案藉此增強其高溫耐久性是可能的。
本發明的另一實施例提供全像光學元件，所述全像光學元件包含：光聚合物樹脂層，包含光聚合物樹脂；以及延遲層，設置於光聚合物樹脂層的一個表面上，其中將由光束之間的干涉所產生的干涉圖案記錄在光聚合物樹脂層中，且對於具有400奈米至1,600奈米的波長且在垂直於光聚合物樹脂層的另一表面的方向上照射光聚合物樹脂層的光，光聚合物樹脂層具有高於0%或低於或等於70%、或高於90%且低於或等於100%的透光率，所述光聚合物樹脂層的另一表面為延遲層不設置於其上的表面。
根據作為本發明的另一實施例的全像光學元件，在使所記錄的干涉圖案清晰的同時最大限度地減少不想要的干涉圖案的出現且提高全像光學元件的繞射效率是可能的。
貫穿本發明，省略與用於製造全像光學元件的方法交疊的內容。
根據本發明的一個實施例，對於具有400奈米至1,600奈米的波長且在垂直於光聚合物樹脂層的另一表面的方向上照射光聚合物樹脂層的光，全像光學元件具有高於0%或低於或等於70%、或高於90%且低於或等於100%的透光率，所述光聚合物樹脂層的另一表面為延遲層不設置於其上的表面。貫穿本發明，術語「透光率」可指透射穿過特定目標的光量與照射特定目標的光量的比率。具體言之，對於具有400奈米至1,600奈米的波長且在垂直於所述光聚合物樹脂層的另一表面的方向上照射束射光聚合物樹脂層的光，全像光學元件可具有不屬於高於70%至低於或等於90%的範圍的透光率，所述光聚合物樹脂層的另一表面為延遲層不設置於其上的表面。更具體言之，對於具有400奈米至1,600奈米的波長且在垂直於光聚合物樹脂層的另一表面的方向上照射光聚合物樹脂層的光，全像光學元件可包含具有高於90%至低於或等於100%的透光率的一部分且具有高於0%且低於或等於70%的透光率的其餘部分，所述光聚合物樹脂層的另一表面為延遲層不設置於其上的表面。由於檢查全像光學元件對於具有特定波長的光是否具有在上文所描述的範圍內的透光率，故確認不想要的干涉圖案的存在或不存在是可能的，且提高全像光學元件的繞射效率是可能的。
根據本發明的一個實施例，照射全像光學元件以檢查透光率的光的波長可為400奈米至1,600奈米。具體言之，照射全像光學元件以檢查透光率的光的的波長可為450奈米至1,550奈米、500奈米至1,500奈米、550奈米至1,450奈米、600奈米至1,400奈米、650奈米至1,350奈米、700奈米至1,300奈米、750奈米至1,250奈米、800奈米至1,200奈米、850奈米至1,150奈米、900奈米至1,100奈米或950奈米至1,050奈米。由於照射全像光學元件以檢查透光率的光的的波長控制在上文所描述的範圍內，故提高確認不想要的干涉圖案的存在或不存在的準確性是可能的。
根據本發明的一個實施例，延遲層可具有λ/4波長相位延遲特徵。由於控制延遲層以具有如上文所描述的λ/4波長相位延遲特徵，故消除光聚合物樹脂層中不想要的干涉圖案的出現是可能的。
根據本發明的一個實施例，延遲層的透光率可高於90%且低於或等於100%。具體言之，延遲層的透光率可為91%至99%、92%至98%、93%至97%或94%至96%。由於延遲層的透光率控制在上文所描述的範圍內，故提高平行雷射光束的光學效率是可能的。
根據本發明的一個實施例，延遲層的混濁度可高於0%且低於1%。由於延遲層的混濁度控制在以上範圍內，故防止平行雷射光束的散射穿過延遲層是可能的。
根據本發明的一個實施例，干涉圖案可為藉由用第一平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的另一表面且用第二平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的一個表面而由第一平行雷射光束與第二平行雷射光束之間的干涉所產生的干涉圖案，所述光聚合物樹脂層的另一表面為延遲層不設置於其上的表面。由於干涉圖案如上文所描述形成，故形成待產生的干涉圖案是可能的。
在下文中，將參考實例詳細地描述本發明。然而，根據本發明的實例可修改成各種不同形式，且本發明的範疇不解譯為限於以下描述的實例。提供本發明的實例以向所屬領域中具通常知識者更完整地解釋本發明。
圖3為繪示根據本發明的一個實施例的記錄干涉圖案P以製造全像光學元件的製程的示意圖。全像光學元件通常藉由用第一平行雷射光束L1及第二平行雷射光束L2照射感光材料來製造，藉此記錄由第一平行雷射光束L1與第二平行雷射光束L2之間的干涉所產生的干涉圖案。
具體言之，較佳的是將光束轉換為線性偏振光束以便增強第一平行雷射光束L1與第二平行雷射光束L2之間的干涉。更具體言之，當第一平行雷射光束L1轉換為S波（豎直線性偏振光束）且第二平行雷射光束L2（其為圓形偏振光束或橢圓偏振光束）藉由穿過延遲層轉換為S波（豎直線性偏振的光束）時，兩個光束之間的建設性干涉變得更強，且其間的破壞性干涉變得更弱，以使得產生清晰的干涉圖案。
在另一方面，當將第一平行雷射光束L1轉換為P波（水平線性偏振光束）且第二平行雷射光束L2（其為圓形偏振光束或橢圓偏振光束）藉由穿過延遲層轉換為P波（水平線性偏振光束）時，兩個光束之間的建設性干涉變得更強，且其間的破壞性干涉變得更弱，以使得產生清晰的干涉圖案。
圖4為繪示根據本發明的一個實施例的消除全像光學元件中不想要的干涉圖案的出現的製程的示意圖。具體言之，圖4為根據本發明的一個實施例的示出在全像光學元件中最大限度地減少不想要的干涉圖案的出現的製程的示意圖。參考圖4，當第一平行雷射光束L1改變為如上文所描述的S波（豎直線性偏振光束）時，在延遲層與空氣層之間的界面處發生全反射，且因此第一平行雷射光束L1自S波改變為P波。同時，P波（其為第一平行雷射光束L1）不藉由與S波引起破壞性干涉來形成干涉圖案，所述S波為藉由穿過延遲層改變的第二平行雷射光束L2，其使得不形成不想要的干涉圖案成為可能。
同樣地，當第一平行雷射光束L1改變為如上文所描述的P波（水平線性偏振光束）時，在延遲層與空氣層之間的界面處發生全反射，且因此第一平行雷射光束L1自P波改變為S波。同時，S波（其為第一平行雷射光束L1）不藉由與P波引起破壞性干涉來形成干涉圖案，所述P波為藉由穿過延遲層改變的第二平行雷射光束L2，其使得不形成不想要的干涉圖案成為可能。 ＜ 參考實例 1＞
用具有400奈米至1,600奈米的波長的光豎直地照射僅包含光聚合物樹脂層的全像光學元件的一個表面，且量測全像光學元件的透光率。量測的結果繪示於圖5中。 ＜ 參考實例 2＞
延遲層不設置於僅包含光聚合物樹脂層的全像光學元件的一個表面上，且藉由用第二平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的一個表面且用第一平行雷射光束照射光聚合物樹脂層的另一表面而將由第一平行雷射光束與第二平行雷射光束之間的干涉產生的干涉圖案記錄在光聚合物樹脂層中。此後，用具有400奈米至1,600奈米的波長的光豎直地照射全像光學元件的一個表面，且量測全像光學元件的透光率。量測的結果繪示於圖5中。
圖5為繪示的參考實例1及參考實例2中的每一者對於具有400奈米至1,600奈米的波長的光的透光率的圖。參考圖5，確認在參考實例1中不存在干涉圖案，且因此與高於90%的透光率對應的峰值出現在整個波長區域（400奈米至1,600奈米）中。在另一方面，確認在參考實例2中，在不設置延遲層的狀態下記錄干涉圖案以記錄不想要的干涉圖案，且因此峰值出現在高於0%且低於或等於70%或高於90%且低於或等於100%的透光率處。具體言之，確認在參考實例2中，峰值出現在與高於70%且低於或等於90%的透光率對應的區域中，其指示記錄不想要的干涉圖案。
因此，根據本發明，藉由在記錄干涉圖案的製程中使用延遲層，消除不想要的干涉圖案的出現且提高全像光學元件的繞射效率是可能的。
儘管已參考有限實施例描述本發明，但本發明不限於此等實施例，且所屬技術領域中具有通常知識者將瞭解可在不脫離本發明的技術精神及隨附申請專利範圍的等效物的情況下進行各種修改及變化。
11:光聚合物樹脂層 13:稜鏡 L1:第一平行雷射光束 L2:第二平行雷射光束 P、P':干涉圖案
圖1為繪示根據習知技術記錄干涉圖案以製造全像光學元件的製程的示意圖。 圖2為繪示根據習知技術將不想要的干涉圖案記錄在全像光學元件中的製程的示意圖。 圖3為繪示根據本發明的一個實施例的記錄干涉圖案以製造全像光學元件的製程的示意圖。 圖4為繪示根據本發明的一個實施例的消除全像光學元件中不想要的干涉圖案的出現的製程的示意圖。 圖5為繪示參考實例1及參考實例2中的每一者對於具有400奈米至1,600奈米的波長的光的透光率的圖。
L1:第一平行雷射光束
L2:第二平行雷射光束
P':干涉圖案

Claims (13)

  1. 一種用於製造全像光學元件的方法，所述方法包括以下步驟： 在光聚合物樹脂層的一個表面上設置延遲層,所述光聚合物樹脂層包括光聚合物樹脂；以及 藉由用第一平行雷射光束照射所述光聚合物樹脂層的另一表面且用第二平行雷射光束照射所述光聚合物樹脂層的所述一個表面而在所述光聚合物樹脂層中記錄由所述第一平行雷射光束與所述第二平行雷射光束之間的干涉所產生的干涉圖案,所述光聚合物樹脂層的所述另一表面為所述延遲層不設置於其上的表面。
  2. 如請求項1所述的用於製造全像光學元件的方法，其中已照射所述光聚合物樹脂層的所述第一平行雷射光束入射在所述光聚合物樹脂層上的入射角大於42度且小於90度。
  3. 如請求項1所述的用於製造全像光學元件的方法，其中所述第一平行雷射光束為線性偏振光束，且所述第二平行雷射光束為圓形偏振光束或橢圓偏振光束。
  4. 如請求項1所述的用於製造全像光學元件的方法，其中所述延遲層具有λ/4波長相位延遲特徵。
  5. 如請求項1所述的用於製造全像光學元件的方法，其中稜鏡進一步設置於所述光聚合物樹脂層的所述另一表面上。
  6. 如請求項1所述的用於製造全像光學元件的方法，其中所述延遲層具有高於90%且100%以下的透光率，且所述延遲層具有高於0%且低於1%的混濁度。
  7. 如請求項1所述的用於製造全像光學元件的方法，其中所述延遲層將圓形偏振光束或橢圓偏振光束轉換為線性偏振光束。
  8. 如請求項1所述的用於製造全像光學元件的方法，更包括自其中記錄有所述干涉圖案的所述光聚合物樹脂層移除所述延遲層的步驟。
  9. 如請求項1所述的用於製造全像光學元件的方法，更包括藉由用波長在紫外-可見光波長區域中的光照射來漂白其中記錄有所述干涉圖案的所述光聚合物樹脂層的步驟。
  10. 一種全像光學元件，包括： 光聚合物樹脂層，包括光聚合物樹脂；以及 延遲層，設置於所述光聚合物樹脂層的一個表面上， 其中所述光聚合物樹脂層具有由光束之間的干涉產生且記錄於所述光聚合物樹脂層中的干涉圖案，且 對於具有400奈米至1,600奈米的波長且在垂直於所述光聚合物樹脂層的另一表面的方向上照射所述光聚合物樹脂層的光,所述光聚合物樹脂層具有高於0%且70%以下、或高於90%且100%以下的透光率，所述光聚合物樹脂層的所述另一表面為所述延遲層不設置於其上的表面。
  11. 如請求項10所述的全像光學元件，其中所述延遲層可具有λ/4波長相位延遲特徵。
  12. 如請求項10所述的全像光學元件，其中所述延遲層具有高於90%且100%以下的透光率，且所述延遲層具有高於0%且低於1%的混濁度。
  13. 如請求項10所述的全像光學元件，其中所述干涉圖案為藉由用第一平行雷射光束照射所述光聚合物樹脂層的所述另一表面且用第二平行雷射光束照射所述光聚合物樹脂層的所述一個表面而由所述第一平行雷射光束與所述第二平行雷射光束之間的干涉所產生的干涉圖案，所述光聚合物樹脂層的所述另一表面為所述延遲層不設置於其上的所述表面。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4942102A (en) * 1988-01-15 1990-07-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Holographic optical elements having a reflection hologram formed in a photopolymer
JPH09185313A (ja) * 1995-12-27 1997-07-15 Asahi Glass Co Ltd ホログラム作製法
EP2012173A3 (en) * 2007-07-03 2009-12-09 JDS Uniphase Corporation Non-etched flat polarization-selective diffractive optical elements
JP5201580B2 (ja) * 2008-06-06 2013-06-05 新オプトウエア株式会社 ホログラム作成装置及びホログラムプリンタ
DE102009044910A1 (de) * 2009-06-23 2010-12-30 Seereal Technologies S.A. Räumliche Lichtmodulationseinrichtung zum Modulieren eines Wellenfeldes mit komplexer Information
US10534121B2 (en) * 2015-07-23 2020-01-14 Konica Minolta, Inc. Holographic optical element and method for producing the same
JP2017126390A (ja) * 2016-01-12 2017-07-20 株式会社日立エルジーデータストレージ 光情報記録装置、及び光情報記録方法
JP6843299B2 (ja) * 2017-10-20 2021-03-17 エルジー・ケム・リミテッド 光アイソレーション素子
US11561507B2 (en) * 2018-04-17 2023-01-24 Meta Platforms Technologies, Llc Methods for three-dimensional arrangement of anisotropic molecules, patterned anisotropic films, and optical elements therewith
KR102048497B1 (ko) * 2018-06-29 2019-11-26 광운대학교 산학협력단 고각 특성을 갖는 풀칼라 투명 홀로글래스 스크린 제작 방법 및 시스템
KR102135878B1 (ko) * 2018-06-29 2020-07-20 광운대학교 산학협력단 복굴절 확산판을 이용한 풀칼라 투명 홀로글래스 스크린 제작 방법 및 시스템
KR102388925B1 (ko) * 2018-09-12 2022-04-22 주식회사 엘지화학 홀로그래픽 광학소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 홀로그래픽 광학소자를 포함하는 디스플레이 장치
KR102309427B1 (ko) * 2018-09-27 2021-10-05 주식회사 엘지화학 홀로그램 매체
KR20200117902A (ko) 2019-04-05 2020-10-14 한길토건(주) 식생토가 적토된 지오셀방식의 옹벽구조물

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