TW202215039A

TW202215039A - 氣體感測結構

Info

Publication number: TW202215039A
Application number: TW109134075A
Authority: TW
Inventors: 駱玠錞; 黃柏愷; 楊元秀
Original assignee: 新唐科技股份有限公司
Priority date: 2020-09-30
Filing date: 2020-09-30
Publication date: 2022-04-16
Also published as: CN114324492B; CN114324492A; TWI769542B

Abstract

氣體感測結構包含：基板、第一電極、第二電極以及感測層。基板具有定位點。第一電極設置於基板上。第一電極包含彼此連接的第一主體以及第一延伸部。第一延伸部係順時針環繞定位點。第二電極設置於基板上以相鄰於第一電極。第二電極包含彼此連接的第二主體以及第二延伸部。第二延伸部係逆時針環繞定位點。感測層設置於基板上且與定位點重疊。感測層與第一電極及第二電極接觸。其中，第一延伸部與第二延伸部係交錯排列。

Description

氣體感測結構

本揭露係關於一種氣體感測結構，特別是關於一種具有良好電阻穩定性與可靠性的氣體感測結構。

一般而言，氣體感測器主要可分為半導體式氣體感測器、光學式氣體感測器及電化學式氣體感測器。其中，半導體式氣體感測器具有低功耗的電性特徵，同時還能夠藉由半導體製造技術中的微機電系統進行整合及微小化，而易於與其他感測器及/或任何合適的裝置共同整合於半導體電路上。

一般而言，半導體式氣體感測器包含基板、電極與感測層。而在感測期間中，當待測氣體吸附至由諸如半導體氧化物等感測材料形成的感測層的表面時，感測層表面的導電特性會受到待測氣體的影響而產生變化。所以，能夠根據感測層的導電特性的改變來區分待測氣體的種類。

然而，目前的半導體式氣體感測器中的電極經常因感測層的位置或形狀的不穩定而導致電性的不穩定的問題。另外，在形成感測層的製程中，還可能會產生非預期的電子通道，進而造成感測結果產生更多的偏差。因此，雖然現存的氣體感測結構已逐步滿足它們既定的用途，但它們仍未在各方面皆徹底的符合要求。因此，關於氣體感測結構仍有一些問題需要克服。

鑒於上述問題，本揭露的一些實施例藉由設置第一電極與第二電極的特殊電極結構；搭配使用第一下電極與第二下電極；設置定位點及/或定位件；及/或設置具有特殊形狀的感測層於氣體感測結構中，來獲得具有良好電阻穩定性與可靠度的氣體感測結構。

根據一些實施例，提供氣體感測結構。前述氣體感測結構包含基板、第一電極、第二電極以及感測層。基板具有定位點。第一電極設置於基板上。第一電極包含彼此連接的第一主體以及第一延伸部。第一延伸部係順時針環繞定位點。第二電極設置於基板上以相鄰於第一電極。第二電極包含彼此連接的第二主體以及第二延伸部。第二延伸部係逆時針環繞定位點。感測層設置於基板上且與定位點重疊。感測層與第一電極及第二電極接觸。其中，第一延伸部與第二延伸部係交錯排列。

根據一些實施例，提供氣體感測結構。前述氣體感測結構包含基板、第一電極、第二電極以及感測層。基板具有定位點。第一電極設置於基板上。第一電極包含彼此連接的第一主體以及第一延伸部。第一延伸部環繞定位點且具有第一開口。第二電極設置於基板上以相鄰於第一電極。第二電極包含彼此連接的第二主體以及第二延伸部。第二延伸部環繞定位點且具有第二開口。感測層設置於基板上且與定位點重疊。感測層與第一電極及第二電極接觸。其中，第一主體穿過第二開口，且第二主體的延伸線穿過第一開口。

根據一些實施例，提供氣體感測結構。前述氣體感測結構包含基板、第一電極、第二電極以及感測層。基板具有定位點。第一電極設置於基板上。第一電極包含彼此連接的第一主體以及複數個第一延伸部。第一主體與定位點重疊，且各個第一延伸部的一端與第一主體連接。第二電極設置於基板上以相鄰於第一電極。第二電極包含彼此連接的第二主體以及複數個第二延伸部。第二主體具有封閉區域。複數個第二延伸部設置於封閉區域中，且各個第二延伸部的一端與第二主體連接，且各個第二延伸部的另一端朝向定位點延伸。感測層設置於基板上且與定位點重疊。感測層與第一電極及第二電極接觸。其中，第一延伸部與第二延伸部係交錯排列。

本揭露的一些實施例的氣體感測結構可應用於多種類型的感測裝置中，為讓本揭露之特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

以下揭露提供了很多不同的實施例或範例，用於實施所提供的氣體感測結構之不同元件。各元件和其配置的具體範例描述如下，以簡化本揭露實施例。當然，這些僅僅是範例，並非用以限定本揭露。舉例而言，敘述中若提及第一元件形成在第二元件之上，可能包含第一和第二元件直接接觸的實施例，也可能包含額外的元件形成在第一和第二元件之間，使得它們不直接接觸的實施例。此外，在不同圖式及說明的實施例中，相同或相似的元件符號被用來標明相同或相似的元件。另，本揭露實施例可能在不同的範例中重複參考數字及/或字母。如此重複是為了簡明和清楚，而非用以表示所討論的不同實施例及/或形態之間的關係。可以理解的是，在方法的前、中、後可以提供額外的操作，且一些敘述的操作可為了該方法的其他實施例被取代或刪除。

參照第1圖，氣體感測結構1包含基板100、第一電極200、第二電極300以及感測層400。基板100可包含玻璃纖維、環氧樹脂、氮化鋁(AlN)、碳化矽(SiC)、或其組合、或其他適合的基板，但本揭露不限制於此。在一些實施例中，基板100可為印刷電路(PCB，printed circuit board)基板。基板100具有能夠在後續設置第一電極200、第二電極300以及感測層400時，輔助定位基板100與第一電極200、第二電極300以及感測層400的相對位置之定位點P。定位點P可位於基板100的任意位置上。換句話說，定位點P可位在使得後續形成的第一電極200、第二電極300以及感測層400具有充裕的設置空間之基板100的任意位置上。在一些實施例中，定位點P可位於基板100的表面的中心處、或者定位點P可位於基板的角隅處。定位點P可為諸如墨水或刻痕的實際點、或者為輔助定位基板100與第一電極200、第二電極300以及感測層400的相對位置的虛擬點。

在一些實施例中，第一電極200設置於基板100上且可包含導電材料。前述導電材料可為諸如銅(Cu)、鋁(Al)或其類似物的金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、或其他合適的材料，但本揭露不限制於此。在一些實施例中，第一電極200可為金屬電極。在一些實施例中，第一電極200可藉由沉積製程來設置於基板100上。在一些實施例中，前述沉積製程可為化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)製程。前述CVD製程可為低壓化學氣相沉積法(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、低溫化學氣相沉積法(low temperature chemical vapor deposition，LTCVD)、快速升溫化學氣相沉積法(rapid thermal chemical vapor deposition，RTCVD)、PECVD、原子層化學氣相沉積法之原子層沉積法(atomic layer deposition，ALD)或其它合適的CVD製程，但本揭露不限制於此。

如第1圖所示，在一些實施例中，第一電極200包含第一主體210及第一延伸部220，且第一主體210與第一延伸部220彼此連接。具體而言，第一主體210與第一延伸部220可彼此電性連接。在一些實施例中，設置於基板100上的第一延伸部220順時針環繞位於基板100上的定位點P。換句話說，以俯視圖觀察時，第一延伸部220的一端順時針環繞定位點P。在一些實施例中，第一延伸部220具有螺旋形狀，且定位點P為前述螺旋形狀的中心。在一些實施例中，第一延伸部220以基板100的法線方向為軸線，順時針環繞定位點P，而使第一延伸部220具有螺旋形狀。第一延伸部220環繞定位點P的圈數可依據使用者的需求、基板100的尺寸、及/或在下文中詳述的感測層的尺寸決定。在一些實施例中，第一延伸部220環繞定位點P的圈數為1圈、1.5圈、2圈、2.5圈、或5圈、或前述數值所組成的任意範圍。在一些實施例中，第一延伸部220的每一圈之間是等距地環繞定位點P，或者是非等距的環繞定位點P。

類似於第一電極200，第二電極300設置於基板100上且可包含導電材料。前述導電材料可為諸如銅、鋁或其類似物的金屬、金屬合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、或其他合適的材料，但本揭露不限制於此。第二電極300的材料與第一電極100的材料可為相同或不同。在一些實施例中，第二電極300可為金屬電極。在一些實施例中，第二電極300可藉由沉積製程來設置於基板100上。在一些實施例中，前述沉積製程可為CVD製程。前述CVD製程可為LPCVD、LTCVD、RTCVD、PECVD、ALD、或其它合適的CVD製程，但本揭露不限制於此。在一些實施例中，形成第二電極300的製程與形成第一電極200的製程可為相同或不同。在一些實施例中，第一電極200及第二電極300可在不同的製程中先後形成，或者可在相同製程中形成。

再次參照第1圖所示，第二電極300包含第二主體310及第二延伸部320，且第二主體310與第二延伸部320彼此連接。具體而言，第二主體310與第二延伸部320彼此電性連接。在一些實施例中，設置於基板100上的第二延伸部320逆時針環繞位於基板100上的定位點P。換句話說，以俯視圖觀察時，第二延伸部320的一端逆時針環繞定位點P。在一些實施例中，第二延伸部320具有螺旋形狀，且定位點P為前述螺旋形狀的中心。在一些實施例中，第二延伸部320以基板100的法線方向為軸線，逆時針環繞定位點P，而使第二延伸部320具有螺旋形狀。在一些實施例中，第二延伸部320環繞定位點P的圈數與第一延伸部220環繞定位點P的圈數可為相同或不同。第二延伸部320環繞定位點P的圈數可依據使用者的需求、基板100的尺寸、及/或在下文中詳述的感測層的尺寸決定。在一些實施例中，第二延伸部320環繞定位點P的圈數為1圈、1.5圈、2圈、2.5圈、或5圈、或前述數值所組成的任意範圍。在一些實施例中，第二延伸部320的每一圈之間是等距地環繞定位點P，或者是非等距的環繞定位點P。此外，第一電極200與第二電極300不重疊設置，且第一延伸部220與第二延伸部320交錯排列，以避免氣體感測結構1中產生短路的現象。

另外，還須說明的是，為使便於理解，在本揭露的一些實施例中，以第一電極200與第二電極300的寬度、延伸長度以及環繞定位點P的圈數皆為相同的情況進行詳細敘述並顯示於圖式中，然而本揭露係不限制於此。也就是說，根據使用者的需求，第一電極200與第二電極300的寬度、延伸長度以及環繞定位點P的圈數可為實質上不同。此外，第一電極200及第二電極300可分別作為氣體感測結構的正極或負極，舉例而言，第一電極200為正極時，第二電極300為負極；反之亦然，當第一電極200為負極時，第一電極300為正極。

接續上述，感測層400設置於基板100上且與定位點P重疊，並與第一電極200及第二電極300接觸，以藉由感測層400來感測待測氣體的種類。在一些實施例中，待測氣體可包含一氧化碳(CO)、二氧化氮(NO ₂)、或其他氣體，但本揭露不限制於此。在一些實施例中，感測層400可包含二氧化錫(SnO ₂)、氧化鋅(ZnO)、二氧化鈦(TiO ₂)、氧化鎳(NiO)、氧化鐵(Fe ₂O ₃)、氧化鎢(WO ₃)、氧化銅(CuO)、諸如釔安定氧化鋯(yttria-stabilized zirconia，YSZ)之固態電解質材料、或其他合適的感測材料，但本揭露不限制於此。在一些實施例中，感測材料可為包含感測粒子及溶劑的混合物。在一些實施例中，溶劑可為酒精或異丙醇(IPA)。在一些實施例中，感測材料具有5~100cp的黏度，較佳地具有10~30cp的黏度。在一些實施例中，依據待測氣體的種類及/或使用者的需求，來選擇相對應的感測層400的材料。舉例而言，若本揭露的一些實施例之氣體感測器結構1是用於鑑定是否存在一氧化碳，則可選擇使用二氧化錫作為感測層400。在一些實施例中，感測層400可藉由塗佈製程將感測材料塗佈於設置在基板100上的第一電極200與第二電極300上來形成。在一些實施例中，前述塗佈製程包含藉由點膠機(dispenser)來執行。在一些實施例中，使用非接觸式的點膠機來執行塗佈製程。在一些實施例中，當感測層400是藉由點膠機來形成，且點膠機具有偵測單元的情況中，能夠藉由使用偵測單元來偵測基板100上的定位點P的位置，而更為良好地定位並設置感測層400於基板100的定位點P上，使感測層400與基板100的定位點P重疊。在一些實施例中，形成感測層400的步驟進一步包含烘乾、或其他合適的製程，但本揭露不限制於此。

需特別說明的是，由於第一電極200包含第一延伸部220且第二電極300包含第二延伸部320，在第一延伸部220與第二延伸部320交錯排列的情況下，第一電極200與第二電極300共同形成了感測材料較易被留滯的區域。換句話說，因為第一延伸部220與第二延伸部320係設置在基板100上，因此第一延伸部220與第二延伸部320具有類似於圍欄的功能，而能將大部分的感測材料留滯於第一延伸部220與第二延伸部320環繞的區域中。據此，藉由調整第一延伸部220與第二延伸部320個別的形狀以及共同形成的形狀，能夠影響感測材料的留滯，而改變感測層400的形狀。當感測層400具有實質上對應於第一電極200及第二電極300的完整形狀時，感測層400與第一電極200及第二電極300的電性接觸良好，因此感測層400具有穩定的電阻值。所以，本揭露的一些實施例之包含感測層400的氣體感測結構1的感測結果穩定，而具優良的可靠性。此外，在下文中，還可以進一步搭配選擇用來形成感測層的感測材料的黏度來改變感測層與第一電極200及第二電極300的相互設置位置及感測層的面積。

參照第2圖，在一些實施例中，感測層400可包含依序堆疊的複數個子感測層410、420、430以及440。在一些實施例中，前述複數個子感測層410、420、430以及440中最遠離基板100的子感測層440的面積小於複數個子感測層410、420、430以及440中最接近基板100的子感測層410的面積。在一些實施例中，感測層400可為類似金字塔或圓錐形狀。舉例而言，子感測層410、420、430以及440的面積係從最接近基板100的子感測層410的面積依序遞減。在一些實施例中，子感測層410、420、430以及440皆與定位點P重疊。在一些實施例中，子感測層410、420、430以及440與定位點P在基板100的法線方向上重疊，或者不在基板100的法線方向上重疊。舉例而言，感測層400可具有沿著遠離基板100的方向逐漸遞減的面積，因此感測層400可為圓錐形狀。在一些實施例中，前述圓錐形狀的頂點與定位點P可在基板100的法線方向上重疊。

在一些實施例中，感測層400中的各個子感測層410、420、430以及440的面積大小藉由調整感測材料的黏度以及烘乾製程的參數決定。換句話說，藉由塗佈可流動的感測材料，使得感測材料均勻地分布於第一電極200及第二電極300上，並藉由調整感測材料的黏度來決定感測層400的面積尺寸。舉例而言，在一些實施例中，可選用黏度為1~1,000cP的三氧化鉬，藉由0~30psi參數塗佈感測材料於第一電極200及第二電極300上，並執行120~150℃、30~60分鐘的烘乾製程形成子感測層410。接著，藉由0~30psi參數塗佈感測材料於子感測層410上，並執行120~150℃、30~60分鐘參數的烘乾製程形成設置於子感測層410上的子感測層420。接著，藉由0~30psi參數塗佈感測材料於子感測層420上，並執行120~150℃、30~60分鐘的烘乾製程形成設置於子感測層420上的子感測層430。接著，藉由0~30psi參數塗佈感測材料於子感測層430上，並執行120~150℃、30~60分鐘的烘乾製程形成設置於子感測層430上的子感測層440，而獲得具有類似金字塔形狀之感測層400，其中類似金字塔形狀之感測層相較於習知的平面結構感測層具有與氣體更多的接觸面積，因此，類似金字塔形狀之感測層的靈敏度將高於習知的平面結構感測層。

在一些實施例中，使用者可預先設定所需的氣體感測結構1的感測阻值，接著進行前述形成各子感測層410、420、430以及440的步驟。當包含各子感測層410、420、430以及440的感測層400整體的阻值符合預設的感測阻值時，停止形成下一個子感測層。舉例而言，若形成子感測層430之後，感測層400整體的阻值已經符合預設的感測阻值時，可不繼續形成子感測層440。在本實施例中，藉由形成金字塔形狀之感測層400，確保感測材料中的感測粒子的濃度足夠且為均勻分布。

如第2圖所示，本揭露的一些實施例之氣體感測結構1可進一步包含設置於基板100上且與定位點P重疊的定位件500。定位件500可包含墨水、刻痕、金屬材料、或任何合適用於標註定位點P的材料。定位件P可具有各種形狀，舉例而言，圓形、正方形、十字形，但本揭露不限制於此。在一些實施例中，定位件P可具有十字形形狀，以進一步使具有偵測單元的點膠機能夠更為精準地定位。

參照第3圖，其是基於第2圖所示的氣體感測結構1的俯視圖。由於定位件500與定位點P重疊，舉例而言，定位件500與定位點P重疊沿著基板100的法線方向重疊。因此在下文中，以定位件500輔助定位基板100與第一電極200、第二電極300以及感測層400的相對位置。如第3圖所示，感測層400與順時針圍繞定位件500設置的第一電極200、及逆時針圍繞定位件500設置的第二電極300良好地接觸之外，感測層400形成在第一電極200及第二電極300共同作為圍欄的區域內，而與定位件500重疊。因此，本揭露的一些實施例之氣體感測結構1的電阻穩定而具有良好的可靠性。

接續上述，由於本揭露的一些實施例之氣體感測結構具有其他態樣，因此在下文中，提供類似於本揭露的一些實施例之氣體感測結構1的氣體感測結構2及3。為使便於說明，相同或類似的結構、製程、及敘述不再重複。

如第4圖所示，本揭露的一些實施例之氣體感測結構2亦包含基板100、第一電極200、第二電極300、感測層400以及定位件500。氣體感測結構2中的基板100、第一電極200、第二電極300、感測層400以及定位件500可與氣體感測結構1中的基板100、第一電極200、第二電極300、感測層400以及定位件500相同或不同。在一些實施例中，氣體感測結構2的感測層400可包含如前所述的各子感測層410、420、430以及440，惟不在此進行贅述。

在一些實施例中，第一電極200亦包含彼此電性連接的第一主體210及第一延伸部220，且第二電極300亦包含彼此電性連接的第二主體310及第二延伸部320。其中，需特別說明的是，第一延伸部220環繞定位件500且具有第一開口230，且第二延伸部320環繞定位件500且具有第二開口230。

在一些實施例中，第一主體210穿過第二開口330，且第二主體310的延伸線穿過第一開口230。舉例而言，第二電極300的第二延伸部320具有以定位件550為中心的圓弧形狀，且前述圓弧形狀形成第二開口330。因此，相對於第二電極300設置的第一電極200的第一主體210可對應穿過第二開口230。然而，雖然由於第一電極200的第一延伸部220具有以定位件550為中心的圓弧形狀，且前述圓弧形狀形成第一開口230。但是，由於第二延伸部320可環繞第一延伸部220，換句話說，第二延伸部320與定位件500的最短距離大於第一延伸部220與定位件500的最短距離。同時，第二延伸部320可相較於第二主體310更接近定位件500。因此，第二主體320的延伸線穿過第一開口230。

在一些實施例中，第一延伸部220及第二延伸部320提供為複數個，也就是說第一電極200包含複數個第一延伸部220，且第二電極300包含複數個第二延伸部320。複數個第一延伸部220具有對應於各第一延伸部200的複數個第一開口230，且複數個第二延伸部320具有對應於各第二延伸部320的複數個第二開口330。其中，第一主體210穿過複數個第二開口330中的每一個，然而，第二主體310的延伸線穿過複數個第一開口230中最接近定位件500的第一開口230，且第二主體310穿過複數個第一開口230中的其他第一開口230。亦即，由於第一延伸部220與第二延伸部230可交錯排列，且第一延伸部220相鄰於第二延伸部230，因此最遠離定位件500的第二延伸部320可環繞最遠離定位件500的第一延伸部220。換句話說，最遠離定位件500的第二延伸部320與定位件500的最短距離大於最遠離定位件500的第一延伸部220與定位件500的最短距離。同時，第二延伸部320可相較於第二主體310更接近定位件500。因此，第二主體320的延伸線穿過最接近定位件500的第一開口230，然而第二主體310穿過其他第一開口230。

另外，在第一延伸部220及/或第二延伸部320提供為複數個的情況下，即使部分的第一延伸部220及/或第二延伸部320因為外力或是良率問題影響而斷裂時，仍有其他第一延伸部220及/或第二延伸部320能夠作為電極，而能確保整體氣體感測結構2正常運作。也就是說，包含具有複數個第一延伸部220及/或第二延伸部320的電極的氣體感測結構2具有優良的裝置可靠性。

如第5圖所示，本揭露的一些實施例之氣體感測結構3亦包含基板100、第一電極200、第二電極300、感測層400以及定位件500。氣體感測結構3中的基板100、第一電極200、第二電極300、感測層400以及定位件500可與氣體感測結構1或2中的基板100、第一電極200、第二電極300、感測層400以及定位件500相同或不同。在一些實施例中，氣體感測結構3的感測層400可包含如前所述的各子感測層410、420、430以及440，惟不在此進行贅述。

需特別說明的是，第一電極200包含第一主體210及複數個第一延伸部220。第一主體210與定位點P重疊，換句話說，第一主體210與定位件500在基板100的法線方向上重疊。同時，每個第一延伸部220的一端與第一主體210連接。在一些實施例中，第一主體210可作為中心，而第一延伸部220則以放射狀環繞第一主體210設置。在一些實施例中，相鄰的各第一延伸部220之間具有複數個第一夾角a1，且複數個第一夾角a1相等。也就是說，各第一延伸部220在相鄰第二延伸部220之間的夾角相等的情況下，放射狀環繞第一主體210設置。舉例而言，當第一電極200具有24個第一延伸部220時，相鄰的各第一延伸部220之間的第一夾角a1為15度。

第二電極300包含彼此連接的第二主體310以及複數個第二延伸部320。第二主體310可為封閉環狀，因此可具有封閉區域。複數個第二延伸部320設置於封閉區域中，且各第二延伸部320的一端與第二主體310連接，且各第二延伸部320的另一端朝向定位點P延伸，換句話說，各第二延伸部320的一端與第二主體310連接，且各第二延伸部320的另一端朝向定位點P收斂或集中。在一些實施例中，相鄰的各第二延伸部320的延伸線之間具有複數個第二夾角a2，且複數個第二夾角a2相等。也就是說，各二延伸部320在相鄰二延伸部320之間的夾角相等的情況下，朝向第二主體310收斂。舉例而言，當第二電極300具有24個第二延伸部320時，相鄰的各第二延伸部320的延伸線之間的第二夾角a2為15度。

在一些實施中，各第一延伸部220與各第二延伸部320係交錯排列。在一些實施例中，第一延伸部210設置在相鄰的第二延伸部320之間。舉例而言，對於任意第一延伸部210而言，所述第一延伸部210與所述第一延伸部210最接近的兩個第二延伸部320的延伸線之間的夾角相同，也就是說夾角為第一夾角a1的一半。或者，第一延伸部210以及與前述第一延伸部210最接近的兩個第二延伸部320的延伸線之間的夾角可為不同，代表第一延伸部210較為靠近前述兩個第二延伸部320中的一個。

接續上述，由於本揭露的一些實施例之氣體感測結構具有其他態樣，因此在下文中，進一步提供分別類似於本揭露的一些實施例之氣體感測結構1、2及3的氣體感測結構4、5及6。具體而言，氣體感測結構4、5及6中的第一電極200、第二電極300或其組合可為具有封閉形狀的電極。為使便於說明，相同或類似的結構、製程、及敘述不再重複。

參照第6圖，其為氣體感測結構4的示意圖。在氣體感測結構4中，第一電極200及第二電極300為具有封閉形狀的電極。在一些實施例中，氣體感測結構4可進一步包含第一下電極600與第一接觸物110，以使第一電極200具有封閉形狀。第一下電極600設置於基板100上，且基板100設置於第一電極200與第一下電極600之間，換句話說，第一下電極600係相對於設置有第一電極200的基板100的另一側設置。同時，基板100可具有貫穿基板100的通孔CT，並將第一接觸物110設置於通孔CT中，因此第一電極200與第一下電極600可藉由第一接觸物110彼此連接，以形成封閉形狀的電極。在一些實施例中，通孔CT可設置在對應於第一主體210的一部分的基板100的位置上，並設置在對應於第一延伸部220的一端的基板100的位置上，以形成具有封閉形狀的電極。在一些實施例中，第一接觸物110可包含用於形成第一電極200的材料，但本揭露不限制於此。在一些實施例中，第一下電極600可包含用於形成第一電極200的材料，但本揭露不限制於此。在一些實施例中，第一電極200、第一接觸物110以及第一下電極600由相同材料形成。在一些實施例中，第一下電極600的面積可大於第一電極200的面積，因此在形成氣體感測結構4之後，將氣體感測結構4與其他裝置或元件連接時，能夠具有較大的接觸面積，而增加製程裕度。此外，在同時具有第一電極200及第一下電極600的封閉電極的氣體感測結構4中，當第一電極200或第一下電極600中的一者因為外力或是良率問題影響而斷裂時，仍有第一下電極600或第一電極200能夠作為電極，而能確保整體氣體感測結構4正常運作。也就是說，設置具有封閉形狀的電極的氣體感測結構4具有優良的裝置可靠性。

在一些實施例中，氣體感測結構4可進一步包含第二下電極700與第二接觸物120，以使第二電極300具有封閉形狀。在一些實施例中，第二下電極700與第二接觸物120具有與第一下電極600及第一接觸物110相似的功能。第二下電極700設置於基板100上，且基板100設置於第二電極300與第二下電極700之間，換句話說，第二下電極700係相對於設置有第二電極300的基板100的另一側設置。第二下電極700與第一下電極600相鄰，且第二下電極700與第一下電極600可設置在基板100的同一側。同時，基板100可具有貫穿基板100的通孔CT，並將第二接觸物120設置於通孔CT中，因此第二電極300與第二下電極700可藉由第二接觸物120彼此連接，以形成封閉形狀的電極。在一些實施例中，第二接觸物120可包含用於形成第二電極300的材料，但本揭露不限制於此。在一些實施例中，第二下電極700可包含用於形成第二電極300的材料，但本揭露不限制於此。在一些實施例中，第二電極300、第二接觸物120以及第二下電極700由相同材料形成。在一些實施例中，第二下電極700的面積可大於第二電極300的面積，因此在形成氣體感測結構4之後，將氣體感測結構4與其他裝置或元件連接，舉例而言與微控制器(microcontroller unit，MCU)連接時，能夠具有較大的接觸面積，而增加製程裕度。此外，在同時具有第二電極300及第二下電極700的封閉電極的氣體感測結構4中，當第二電極300或第二下電極700中的一者因為外力或是良率問題影響而斷裂時，仍有第二下電極700或第二電極300能夠作為電極，而能確保整體氣體感測結構4正常運作。也就是說，設置具有封閉形狀的電極的氣體感測結構4具有優良的裝置可靠性。在一些實施例中，同時設置第一電極200、第一下電極600、第二電極300及第二下電極700，以進一步改善氣體感測結構4的裝置可靠性。

需特別說明的是，第一下電極600及/或第二下電極700的形狀使得第一電極200及/或第二電極300具有封閉形狀，換句話說，第一下電極600可為能夠使得第一電極200、第一接觸物110以及第一下電極600形成封閉形狀的任意形狀，且第二下電極700可為能夠使得第二電極300、第二接觸物120以及第二下電極700形成封閉形狀的任意形狀。舉例而言，第一下電極600及/或第二下電極700可具有如第6圖所顯示的直線形狀，然本揭露不限制於此。第一下電極600及/或第二下電極700亦可能具有曲線形狀、圓形形狀、半圓形形狀、或不規則形狀，甚至是對應於設置於基板100上的其他元件的形狀。

參照第7圖，其為氣體感測結構5的示意圖。在氣體感測結構5中，第一電極200及第二電極300為具有封閉形狀的電極。在一些實施例中，氣體感測結構5的通孔CT可設置在對應於第一開口230的基板100的位置上，也就是說設置在對應於第一延伸部220的兩端的基板100的位置上，以形成具有封閉形狀的電極。此外，氣體感測結構5的通孔CT亦可設置在對應於第二開口330的基板100的位置上，也就是說設置在對應於第二延伸部320的兩端的基板100的位置上，以形成具有封閉形狀的電極。

參照第8圖，其為氣體感測結構6的示意圖。在氣體感測結構6中，第一電極200及第二電極300為具有封閉形狀的電極。在一些實施例中，氣體感測結構6的通孔CT可設置在對應於第一主體210的基板100的位置上，且第一下電極600的面積可大於第一主體210的面積，因此在形成氣體感測結構6之後，將氣體感測結構6與其他裝置或元件連接時，能夠具有較大的接觸面積，而增加製程裕度。

綜上所述，根據本揭露的一些實施例，本揭露藉由設置第一電極與第二電極的特殊電極結構，更為精準地調整後續形成的感測層的形狀，使得感測層能夠作為良好的電子通道，進而改善氣體感測結構的電性特徵與可靠性。舉例而言，由於本揭露的一些實施例的感測層與第一電極及第二電極完整地接觸，因此降低感測層電阻不穩定的問題。同時，由於第一電極與第二電極的特殊電極結構能夠做為類似圍欄的功能，而能夠減少額外的電子通道，避免因為額外的電子通道產生感測雜訊的問題。再者，由於本揭露的一些實施例的氣體感測結構設置有定位點及/或定位件，能夠進一步提升形成感測層於第一電極與第二電極上的精準性，亦能進一步減少產生額外的電子通道的可能性，還能夠獲得平均分佈的感測材料。

不僅如此，本揭露的一些實施例的氣體感測結構還藉由第一電極搭配第一下電極及/或第二電極搭配第二下電極所形成的封閉形狀的電極，減少製造過程中因部份電極斷裂即使得整個電極斷路的問題，換句話說，封閉形狀的電極能夠提升整體氣體感測結構的可靠性。除此之外，由於本揭露的一些實施例的氣體感測結構可進一步包含面積大於第一電極的第一下電極及/或面積大於第二電極的第二下電極，因此能夠簡化後續進行的封裝製程，進而提升製程裕度。

雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露一些實施例之揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本揭露一些實施例使用。因此，本揭露之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一申請專利範圍構成個別的實施例，且本揭露之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。

以上概述數個實施例，以便在本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以更理解本揭露實施例的觀點。在本發明所屬技術領域中具有通常知識者應該理解，他們能以本揭露實施例為基礎，設計或修改其他製程和結構，以達到與在此介紹的實施例相同之目的及/或優勢。在本發明所屬技術領域中具有通常知識者也應該理解到，此類等效的製程和結構並無悖離本揭露的精神與範圍，且他們能在不違背本揭露之精神和範圍之下，做各式各樣的改變、取代和替換。

1,2,3,4,5,6:氣體感測結構 100:基板 110:第一接觸物 120:第二接觸物 200:第一電極 210:第一主體 220:第一延伸部 230:第一開口 300:第二電極 310:第二主體 320:第二延伸部 330:第二開口 400:感測層 410,420,430,440:子感測層 500:定位件 600:第一下電極 700:第二下電極 a1:第一夾角 a2:第二夾角 CT:接觸孔 P:定位點

藉由以下的詳述配合所附圖式，我們能更加理解本揭露實施例的觀點。值得注意的是，根據工業上的標準慣例，一些部件(feature)可能沒有按照比例繪製。事實上，為了能清楚地討論，不同部件的尺寸可能被增加或減少。第1圖及第2圖分別是根據本揭露的一些實施例繪示的氣體感測結構的示意圖。第3圖是基於第2圖所示的氣體感測結構的俯視圖。第4圖至第8圖分別是根據本揭露的一些實施例繪示的氣體感測結構的示意圖。

1:氣體感測結構

100:基板

200:第一電極

210:第一主體

220:第一延伸部

300:第二電極

310:第二主體

320:第二延伸部

400:感測層

P:定位點

Claims

一種氣體感測結構，其包含：一基板，具有一定位點；一第一電極，設置於該基板上，包含彼此連接的一第一主體以及一第一延伸部，該第一延伸部係順時針環繞該定位點；一第二電極，設置於該基板上以相鄰於該第一電極，包含彼此連接的一第二主體以及一第二延伸部，該第二延伸部係逆時針環繞該定位點；以及一感測層，設置於該基板上且與該定位點重疊，並與該第一電極及該第二電極接觸；其中，該第一延伸部與該第二延伸部係交錯排列。
如請求項1之氣體感測結構，其中該感測層包含依序堆疊的複數個子感測層，且該複數個子感測層中最遠離該基板的子感測層的面積小於該複數個子感測層中最接近該基板的子感測層的面積，且各該子感測層與該定位點重疊。
如請求項1之氣體感測結構，其中該感測層具有沿著遠離該基板的方向逐漸遞減的面積。
如請求項1之氣體感測結構，其中該第一電極、該第二電極、或其組合為具有封閉形狀的電極。
如請求項1之氣體感測結構，其進一步包含：一第一下電極，設置於該基板上，且該基板設置於該第一電極與該第一下電極之間；以及一第一接觸物，設置於該基板中且貫穿該基板，該第一接觸物連接該第一電極與該第一下電極。
如請求項5之氣體感測結構，其進一步包含：一第二下電極，設置於該基板上以相鄰於該第一下電極，且該基板設置於該第二電極與該第二下電極之間；以及一第二接觸物，設置於該基板中且貫穿該基板，該第二接觸物連接該第二電極與該第二下電極。
一種氣體感測結構，其包含：一基板，具有一定位點；一第一電極，設置於該基板上，包含彼此連接的一第一主體以及一第一延伸部，且該第一延伸部環繞該定位點且具有一第一開口；一第二電極，設置於該基板上以相鄰於該第一電極，包含彼此連接的一第二主體以及一第二延伸部，且該第二延伸部環繞該定位點且具有一第二開口；以及一感測層，設置於該基板上且與該定位點重疊，並與該第一電極及該第二電極接觸；其中，該第一主體穿過該第二開口，且該第二主體的延伸線穿過該第一開口。
如請求項7之氣體感測結構，其中：該第一延伸部提供為複數個，且複數個該第一延伸部具有對應於各該第一延伸部的複數個該第一開口；該第二延伸部提供為複數個，且複數個該第二延伸部具有對應於各該第二延伸部的複數個該第二開口；以及該第一主體穿過複數個該第二開口，該第二主體的延伸線穿過複數個該第一開口中最接近該定位點的第一開口，且該第二主體穿過複數個該第一開口中的其他第一開口。
如請求項7之氣體感測結構，其中該感測層包含依序堆疊的複數個子感測層，且該複數個子感測層中最遠離該基板的子感測層的面積小於該複數個子感測層中最接近該基板的子感測層的面積，且各該子感測層與該定位點重疊。
如請求項7之氣體感測結構，其中該感測層具有沿著遠離該基板的方向逐漸遞減的面積。
如請求項7之氣體感測結構，其中該第一電極、該第二電極、或其組合為具有封閉形狀的電極。
如請求項7之氣體感測結構，其進一步包含：一第一下電極，設置於該基板上，且該基板設置於該第一電極與該第一下電極之間；以及一第一接觸物，設置於該基板中且貫穿該基板，該第一接觸物連接該第一電極與該第一下電極。
如請求項12之氣體感測結構，其進一步包含：一第二下電極，設置於該基板上以相鄰於該第一下電極，且該基板設置於該第二電極與該第二下電極之間；以及一第二接觸物，設置於該基板中且貫穿該基板，該第二接觸物連接該第二電極與該第二下電極。
一種氣體感測結構，其包含：一基板，具有一定位點；一第一電極，設置於該基板上，包含彼此連接的一第一主體以及複數個第一延伸部，且該第一主體與該定位點重疊，且各該第一延伸部的一端與該第一主體連接；一第二電極，設置於該基板上以相鄰於該第一電極，包含彼此連接的一第二主體以及複數個第二延伸部，該第二主體具有一封閉區域，該複數個第二延伸部設置於該封閉區域中，各該第二延伸部的一端與該第二主體連接，且各該第二延伸部的另一端朝向該定位點延伸；以及一感測層，設置於該基板上且與該定位點重疊，並與該第一電極及該第二電極接觸；其中，該第一延伸部與該第二延伸部係交錯排列。
如請求項14之氣體感測結構，其中相鄰的各該第一延伸部之間的夾角相等。
如請求項14之氣體感測結構，其中相鄰的各該第二延伸部的延伸線之間的夾角相等。
如請求項14之氣體感測結構，其進一步包含：一第一下電極，設置於該基板上，且該基板設置於該第一電極與該第一下電極之間；以及一第一接觸物，設置於該基板中且貫穿該基板，該第一接觸物連接該第一電極與該第一下電極。
如請求項17之氣體感測結構，其中該第一下電極的面積大於該第一主體的面積。
如請求項14之氣體感測結構，其中該感測層包含依序堆疊的複數個子感測層，且該複數個子感測層中最遠離該基板的子感測層的面積小於該複數個子感測層中最接近該基板的子感測層的面積，且各該子感測層與該定位點重疊。
如請求項14之氣體感測結構，其中該感測層具有沿著遠離該基板的方向逐漸遞減的面積。