TW202213421A - 多射束工具及用於檢測樣品之方法 - Google Patents

多射束工具及用於檢測樣品之方法 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種用於使用一粒子射束檢測裝置檢測一樣品之改良式系統及方法,且更特定言之,係關於運用複數個帶電粒子射束掃描一樣品的系統及方法。使用 N個帶電粒子射束掃描一樣品之一區域的一種改良式方法包括在一第一方向移動該樣品,其中 N為大於或等於二之一整數,且其中該樣品之該區域包含具有 N個連續掃描線的複數個掃描區段。該方法亦包括運用該 N個帶電粒子射束之一第一帶電粒子射束掃描該複數個掃描區段中之至少一些掃描區段的若干第一掃描線,從而朝向該第一帶電粒子射束之一探測光點移動。該方法進一步包括運用該 N個帶電粒子射束之一第二帶電粒子射束掃描該複數個掃描區段中之至少一些掃描區段的若干第二掃描線,從而朝向該第二帶電粒子射束之一探測光點移動。

Description

多射束工具及用於檢測樣品之方法
本文中所提供之實施例大體而言係關於使用一粒子射束檢測裝置檢測一樣品,且更特定言之,係關於運用複數個帶電粒子射束掃描一樣品的系統及方法。
在製造半導體積體電路(IC)晶片時,圖案缺陷或未被邀請的粒子(殘餘物)在製造製程期間不可避免地出現在晶圓或光罩上,藉此降低良率。舉例而言,對於具有較小臨界特徵尺寸之圖案,未被邀請的粒子可為麻煩的,已採用該等圖案來滿足對IC晶片之日益高階的效能要求。
已使用運用帶電粒子射束之圖案檢測工具以偵測缺陷或未被邀請的粒子。此等工具通常使用掃描電子顯微鏡(SEM)。在SEM中,具有相對較高能量之初級電子射束以相對較低導降能量導降於樣品上且經聚焦以在其上形成探測光點。歸因於初級電子之此經聚焦探測光點,將自表面產生二次電子。二次電子可包含由初級電子與樣品之交互引發的後向散射電子、二次電子或歐傑電子。藉由遍及樣品表面掃描使探測光點且收集二次電子,圖案檢測工具可獲得樣品表面之影像。
本文中所提供之實施例揭示一種粒子射束檢測裝置,且更特定言之,係關於使用複數個帶電粒子射束的一種檢測裝置。
在一些實施例中,提供一種多射束工具。該多射束工具包括一射束組態系統,該射束組態系統包括:用於產生帶電粒子之一初級射束的一帶電粒子源、固持一樣品之一載物台,及經組態以將該初級射束分裂成一射束陣列的在該帶電粒子源與該載物台之間的一偏轉器系統。該射束組態系統經組態以向一經旋轉射束組態提供一旋轉角,該旋轉角基於該射束陣列之一列中的射束之一數目來判定。
在一些實施例中,提供一種多射束工具。該多射束工具包括:用於產生帶電粒子之一初級射束的一帶電粒子源、經組態以固持一樣品且經組態以在一第一方向移動之一載物台;及該帶電粒子源與該載物台之間的一偏轉器系統。該偏轉器系統經組態以:將該初級射束分裂成 n個射束,其中 n為一整數且 n≥2;參看該第一方向使該 n個射束旋轉,使得該 n個射束沿著該第一方向間隔開;使該 n個射束偏轉以同時i)遵循該載物台之移動,及ii)在該樣品之一表面上方掃描一或多組 n個掃描線。
在一些實施例中,提供一種多射束工具。該多射束工具包括一射束組態系統,該射束組態系統包括經組態以產生帶電粒子之一初級射束的一帶電粒子源、經組態以固持一樣品且經組態以在一第一方向移動之一載物台,及在該帶電粒子源與該載物台之間的一偏轉器系統。該偏轉器系統經組態以將該初級射束分裂成一射束陣列。該射束組態系統經組態以:經由該偏轉器系統使該射束陣列偏轉以i)在該射束組態系統之一視野中掃描一第一組掃描線,及ii)在該第一組掃描線之該掃描期間遵循該載物台之移動,其中該第一組掃描線沿著該第一方向在一第一距離上散佈;在掃描了該第一組掃描線之後,使該載物台在該第一方向移動該第一距離;及經由該偏轉器系統使該射束陣列偏轉以i)掃描該射束組態系統之該視野中之一第二組掃描線,及ii)在該第二組掃描線之該掃描期間遵循該載物台的移動;及在該第一組掃描線及該第二組掃描線經掃描時,在該第一方向移動該載物台。
在一些實施例中,提供一種控制複數個帶電粒子射束以掃描一樣品的方法。該方法包括:藉由一多射束工具產生帶電粒子之一初級射束;藉由該多射束工具分裂該初級射束為一射束陣列;及藉由該多射束工具使該射束陣列相對於待掃描之該樣品旋轉達一旋轉角,該旋轉角係基於該射束陣列之一列中的射束之一數目判定。
在一些實施例中,提供一種控制複數個帶電粒子射束以掃描一樣品的方法。該方法包括:藉由一多射束工具在一第一方向移動一樣品;藉由該多射束工具產生帶電粒子之一初級射束;藉由該多射束工具將該初級射束分裂成 n個射束,其中n為一整數且 n≥2;參看該第一方向使該 n個射束旋轉,使得該 n個射束沿著該第一方向間隔開;藉由該多射束工具使該 n個射束偏轉以同時i)遵循該樣品之移動,及ii)在該樣品之一表面上方掃描一或多組 n個掃描線。
在一些實施例中,提供一種控制複數個帶電粒子射束以掃描一樣品的方法。該方法包括:在一第一方向移動一樣品;藉由一多射束工具產生帶電粒子之一初級射束;藉由該多射束工具分裂該初級射束為一射束陣列;藉由該多射束工具使該射束陣列偏轉以i)在該多射束工具之一視野中掃描一第一組掃描線,及ii)在該第一組掃描線之該掃描期間遵循該樣品之移動,其中該第一組掃描線沿著該第一方向在一第一距離上散佈;在掃描了該第一組掃描線之後,藉由該多射束工具使該樣品在該第一方向移動該第一距離;藉由該多射束工具偏轉該射束陣列以i)在多射束工具之該視野中掃描一第二組掃描線,及ii)在該第二組掃描線之該掃描期間遵循該樣品的移動;及在該第一組掃描線及該第二組掃描線經掃描時,藉由該多射束工具在該第一方向移動該樣品。
在一些實施例中,提供一種儲存一指令集之非暫時性電腦可讀媒體。該指令集由耦接至一多射束工具之一控制器執行以使得該控制器執行包括以下操作之一方法:指導該多射束工具之一射束組態系統以使帶電粒子射束之一陣列相對於待由該多射束工具掃描之一樣品旋轉達一旋轉角,該旋轉角基於該射束陣列中一列中的射束之一數目來判定。該多射束工具產生帶電粒子之一初級射束並將該初級射束分裂成帶電粒子射束之陣列。
在一些實施例中,提供一種儲存一指令集之非暫時性電腦可讀媒體。該指令集由耦接至一多射束工具之一控制器執行以使得該控制器執行包括以下操作之一方法:指導該多射束工具之一樣品載物台以在一第一方向移動一樣品,該多射束工具產生帶電粒子之一初級射束且將該初級射束分裂成 n個射束,其中 n為一整數且 n≥2;指導該多射束工具之一射束組態系統以參看該第一方向使該 n個射束旋轉,使得該 n個射束沿著該第一方向間隔開;指導該射束組態系統以使該 n個射束偏轉以同時i)遵循該樣品之移動,及ii)在該樣品之一表面上方掃描一或多組 n個掃描線。
在一些實施例中,提供一種儲存一指令集之非暫時性電腦可讀媒體。該指令集由耦接至一多射束工具之一控制器執行以使得該控制器執行包括以下操作之一方法:指導該多射束工具之一樣品載物台以在一第一方向移動一樣品,該多射束工具產生帶電粒子之一初級射束及將該初級射束分裂成一射束陣列;指導該多射束工具之一射束組態系統以使該射束陣列偏轉以i)掃描該多射束工具之一視野中的一第一組掃描線,及ii)在該第一組掃描線之該掃描期間遵循該樣品的移動,其中該第一組掃描線沿著該第一方向在一第一距離上散佈;在掃描了該第一組掃描線之後,指導該樣品固持器以在該第一方向移動該樣品達該第一距離;指導該射束組態系統以使該射束陣列偏轉以i)在多射束工具之該視野中掃描一第二組掃描線,及ii)在該第二組掃描線之該掃描期間遵循該樣品的移動;及在該第一組掃描線及該第二組掃描線經掃描時在該第一方向移動該樣品。
所揭示實施例提供一種使用 N個帶電粒子射束掃描一樣品之一區域的方法,其中 N為大於或等於二之一整數,且其中該樣品之該區域包含N個連續掃描線之複數個掃描區段。該方法包括:在一第一方向移動該樣品之一位置;運用該 N個帶電粒子射束之一第一帶電粒子射束掃描該複數個掃描區段中之至少一些掃描區段的第一掃描線,從而朝向該第一帶電粒子射束之一探測光點移動;及運用該 N個帶電粒子射束之一第二帶電粒子射束掃描該複數個掃描區段中之至少一些掃描區段的第二掃描線,從而朝向該第二帶電粒子射束之一探測光點移動。
所揭示實施例提供一種儲存一指令集之非暫時性電腦可讀媒體,該指令集藉由一帶電粒子射束系統之一或多個處理器執行以使得該帶電粒子射束系統執行一方法,其中一帶電粒子射束源用以按一時間序列遞送 N個帶電粒子射束至一樣品之一表面。該方法包括:在一第一方向移動該樣品之一位置;運用該 N個帶電粒子射束之一第一帶電粒子射束掃描該複數個掃描區段中之至少一些掃描區段的第一掃描線,從而朝向該第一帶電粒子射束之一探測光點移動;及運用該 N個帶電粒子射束之一第二帶電粒子射束掃描該複數個掃描區段中之至少一些掃描區段的第二掃描線,從而朝向該第二帶電粒子射束之一探測光點移動。
本發明實施例亦提供一種藉由利用 N × M個帶電粒子射束之一多射束檢測系統掃描一樣品之方法, N為大於或等於二之一整數。該方法包括:定位該 N個帶電粒子射束以使得該 N個帶電粒子射束中之每一射束掃描一第一組 N個鄰接掃描線中的一不同掃描線;在一樣品正在第一方向以一第一速度移動同時,利用該 N個帶電粒子射束來掃描該樣品之該第一組 N個鄰接掃描線;相對於該第一組 N個鄰接掃描線之掃描的起始重新定位該 N個帶電粒子射束,以使得該 N個帶電粒子射束之每一射束能夠掃描一第二組鄰接掃描線中的一不同掃描線;及在該樣品在該第一方向以該第一速度移動同時,利用該 N個帶電粒子射束掃描同一樣品之該第二組 N個鄰接掃描線。
所揭示實施例亦提供一種藉由利用帶電粒子射束之 N × M陣列之一多射束檢測系統掃描定位於一載物台上之一樣品的方法, NM各自為大於或等於二之一整數。該方法包括:定位帶電粒子射束之該 N × M陣列以使得帶電粒子射束之 N × M陣列在一第一組位置處之每一射束能夠掃描該樣品之一第一組 N M個掃描區段中之一不同掃描區段。該方法亦包括:在該載物台正在第一方向以一第一速度移動同時,利用帶電粒子射束之該 N × M陣列掃描該樣品之該第一組 N M個掃描區段中之至少一些掃描區段的掃描線。該方法亦包括:相對於該第一組 N M個掃描區段之掃描的起始重新定位帶電粒子射束之該 N × M陣列以使得帶電粒子射束之該 N × M陣列在一第二組位置處之每一射束能夠掃描該樣品之一第二組 N M個掃描區段中的一不同掃描區段。該方法亦包括:在載物台正在該第一方向以該第一速度移動時,利用帶電粒子射束之該 N × M陣列掃描該樣品之該第二組 N M個掃描區段中之至少一些掃描區段的掃描線。
本發明之其他優勢將自結合附圖進行之以下描述為顯而易見,在附圖中藉助於說明及實例闡述本發明之某些實施例。
現將詳細參考例示性實施例,其實例說明於附圖中。以下描述參考附圖,其中除非另外表示,否則不同圖式中之相同編號表示相同或類似元件。闡述於例示性實施例之以下描述中之實施並不表示符合本發明的所有實施。實情為,其僅為符合關於所附申請專利範圍中所列舉的本發明之態樣的裝置及方法之實例。
電子器件由形成於被稱作基板之矽塊上的電路構成。許多電路可一起形成於同一矽塊上且被稱作積體電路或IC。此等電路之大小已顯著地減小,使得電路中之許多電路可適配於基板上。舉例而言,智慧型手機中之IC晶片可小達極小東西且仍可包括20億個以上電晶體,每一電晶體之大小可小達人類毛髮之大小的1/1000。
製造此等極小IC為常常涉及數百個個別步驟之複雜、耗時且昂貴的製程。甚至一個步驟中之錯誤具有導致成品IC中之缺陷的可能,該等缺陷致使成品IC為無用的。因此,製造製程之一個目標為避免此等缺陷以使在此製程中製造之功能IC的數目最大化,即,改良製程之總良率。
提高良率之一個組件為監視晶片,從而使得製程確保其正生產足夠數目個功能積體電路。監視該製程之一種方式為在電路結構形成之各種階段處檢測晶片電路結構。可使用掃描電子顯微鏡(SEM)來施行檢測。SEM可用以實際上將此等極小結構成像,從而獲取結構的「圖像」。影像可用以判定結構是否經恰當地形成,且又結構是否形成於恰當部位中。若結構為有缺陷的,則製程可經調整,使得缺陷不大可能再次出現。
SEM運用初級電子之聚焦射束掃描樣品之表面。初級電子與樣品相互作用,且產生二次電子。藉由運用聚焦射束掃描樣品且運用偵測器捕獲二次電子,SEM產生樣品之經掃描區域的影像。
習知SEM藉由在固持於載物台上之樣品上方光柵掃描電子射束來產生影像。光柵掃描藉由重複地進行如下操作來執行:移動初級射束以越過樣品掃描一行像素;及在到達掃描線之最後像素之後,將初級射束移動回以掃描下一行之第一像素從而掃描該行像素。用於將射束自一行中之最後像素移動至下一行中之第一像素要求/花費的額外時間被稱為行額外耗用。通常,在習知SEM系統中,載物台保持靜止,同時初級電子射束光柵掃描其視野內之樣品區域(例如,一組一或多個掃描行)。在區域經充分掃描之後,載物台進行跳轉以將未經掃描樣品區域移動至視野中,使得初級射束可開始掃描新區域。為了高產出率檢測,較新檢測系統中之一些使用多個電子射束。由於多個電子射束可同時掃描晶圓之不同部分,因此多射束電子檢測系統相較於單一射束系統以高得多之速度檢測晶圓。
然而,通常,甚至具有多個電子射束之此等較新系統在樣品載物台固持靜止同時仍使用相同光柵掃描技術。在多個射束結束掃描其個別視野內之當前樣品區域之後,樣品載物台或射束可能需要進行大「跳轉」以至未經掃描樣品區域。此外,掃描每當樣品載物台移動時可需要停止,且可僅在平台充分安定之後恢復,此亦添加顯著量的非生產時間。
本發明之態樣中的一者係關於配置、組態或控制複數個電子射束以同時且連續地掃描樣品之系統及方法。如下文更詳細地描述,所揭示之系統及方法可減小或最小化與光柵掃描相關聯之行額外耗用或載物台移動的等待時間。此外,所揭示之系統及方法可使多個電子射束至簡單重複上下運動的移動最佳化,而不需要至未經掃描區域的大型「跳轉」移動,藉此提高總體檢測之產出率且減小針對該多射束工具之控制機構的複雜度。
出於清楚起見,圖式中之組件的相對尺寸可予以放大。在以下圖式描述內,相同或類似參考編號係指相同或類似組件或實體,且僅描述關於個別實施例之差異。如本文中所使用,除非另外特定陳述,否則術語「或」涵蓋所有可能組合,除非不可行。舉例而言,若陳述組件可包括A或B,則除非另外特定陳述或不可行,否則組件可包括A,或B,或A及B。作為第二實例,若陳述組件可包括A、B或C,則除非另外特定陳述或不可行,否則組件可包括A,或B,或C,或A及B,或A及C,或B及C,或A及B及C。
現參考圖1,其為符合本發明之實施例的說明例示性帶電粒子射束檢測系統100的示意圖。如圖1中所展示,帶電粒子射束檢測系統100包括主腔室10、裝載鎖定腔室20、電子射束工具40,及裝備前端模組(EFEM) 30。電子射束工具40定位於主腔室10內。雖然描述內容及圖式係針對電子射束,但應瞭解,實施例並非用以將本發明限於特定帶電粒子。
EFEM 30包括第一裝載埠30a及第二裝載埠30b。EFEM 30可包括額外裝載埠。第一裝載埠30a及第二裝載埠30b可例如收納含有待檢測之晶圓(例如,半導體晶圓或由其他材料製成之晶圓)或樣品的晶圓前開式單元匣(FOUP) (晶圓及樣品在下文中被集體地稱作「晶圓」)。EFEM 30中之一或多個機器人臂(圖中未示)將晶圓輸送至裝載鎖定腔室20。
裝載鎖定腔室20可連接至裝載鎖定真空泵系統(圖中未示),其移除裝載鎖定腔室20中之氣體分子以達到低於大氣壓力之第一壓力。在達到第一壓力之後,一或多個機器人臂(未展示)可將晶圓自裝載鎖定腔室20運輸至主腔室10。主腔室10連接至主腔室真空泵系統(圖中未示),其移除主腔室10中之氣體分子以達到低於第一壓力之第二壓力。在達到第二壓力之後,晶圓經受電子射束工具40進行之檢測。在一些實施例中,電子射束工具40可包含單一射束電子檢測工具。在其他實施例中,電子射束工具40可包含多射束電子檢測工具。
控制器50電子地連接至電子射束工具40。控制器50可為經組態以執行帶電粒子射束檢測系統100之各種控制的電腦。控制器50亦可包括經組態以執行各種信號及影像處理功能的處理電路系統。雖然控制器50在圖1中被展示為在包括主腔室10、裝載鎖定腔室20及EFEM 30之結構外部,但應瞭解,控制器50可係該結構之部分。雖然本發明提供收容電子射束檢測工具之主腔室10的實例,但應注意,本發明之態樣在其最廣泛意義上而言不限於收容電子射束檢測工具之腔室。實情為,應瞭解,亦可將前述原理應用於在第二壓力下操作之其他工具。
現參考圖2,其為符合本發明之實施例的說明包括係圖1之例示性帶電粒子射束檢測系統100之部分的多射束電子檢測工具之例示性電子射束工具40的示意圖。多射束電子射束工具40(在本文中亦被稱作裝置40)包含電子源201、槍孔徑板271、聚光器透鏡210、源轉換單元220、初級投影光學系統230、機動載物台209及樣品固持器207,該樣品固持器由機動載物台209支撐以固持待檢測之樣品208(例如,晶圓或光罩)。多射束電子射束工具40可進一步包含次級投影系統250及電子偵測器件240。初級投影光學系統230可包含物鏡231。電子偵測器件240可包含複數個偵測元件241、242及243。射束分離器233及偏轉掃描單元232可安置於初級投影光學系統230內部。
電子源201、槍孔徑板271、聚光器透鏡210、源轉換單元220、射束分離器233、偏轉掃描單元232及初級投影光學系統230可與裝置40之主光軸204對準。次級投影系統250及電子偵測器件240可與裝置40之次光軸251對準。
電子源201可包含陰極(圖中未示)及抽取器或陽極(圖中未示),其中在操作期間,電子源201經組態以自陰極發射初級電子且藉由抽取器及/或陽極提取或加速初級電子以形成初級電子射束202,該初級電子射束形成初級射束交越(虛擬或真實的) 203。初級電子射束202可被視覺化為自初級射束交越203發射。
源轉換單元220可包含影像形成元件陣列(圖中未示)、場彎曲補償器陣列(圖中未示)、像散補償器陣列(圖中未示)及射束限制孔徑陣列(圖中未示)。影像形成元件陣列可包含複數個微型偏轉器或微透鏡以影響初級電子射束202之複數個初級小射束211、212、213且形成初級射束交越203之複數個平行影像(虛擬或真實的),一個影像係關於初級小射束211、212及213中之每一者。場彎曲補償器陣列可包含複數個微透鏡以補償初級小射束211、212及213之場彎曲像差。像散補償器陣列可包含複數個微像散校正器以補償初級小射束211、212及213之散光畸變。射束限制孔徑陣列可經組態以限制個別初級小射束211、212及213之直徑。圖2展示三個初級小射束211、212及213作為一實例,且應瞭解,源轉換單元220可經組態以形成任何數目個初級小射束。控制器50可連接至圖1之帶電粒子射束檢測系統100之各種部分,諸如電子偵測器件240、初級投影光學系統230或機動載物台209。在一些實施例中,如下文將進一步詳細地解釋,控制器50可執行各種影像及信號處理功能。控制器50亦可產生各種控制信號以管控帶電粒子射束檢測系統100之操作。
聚光器透鏡210經組態以聚焦初級電子射束202。聚光器透鏡210可經進一步組態以藉由使聚光器透鏡210之聚焦倍率變化而調整源轉換單元220下游的初級小射束211、212及213之電流。替代地,可藉由變更射束限制孔徑陣列內之對應於個別初級小射束的射束限制孔徑之徑向大小來改變電流。可藉由變更射束限制孔徑之徑向大小及聚光器透鏡210之聚焦倍率兩者來改變電流。聚光器透鏡210可係可經組態以使得其第一主平面之位置可移動的可移動聚光器透鏡。可移動聚光器透鏡可經組態以具磁性,此可使得離軸小射束212及213以旋轉角導降於小射束限制機構上。旋轉角隨著可移動聚光器透鏡之聚焦倍率及第一主平面的位置而改變。在一些實施例中,可移動聚光器透鏡可係可移動反旋轉聚光器透鏡,其涉及具有可移動第一主平面之反旋轉透鏡。
物鏡231可經組態以將小射束211、212及213聚焦於樣品208上以供檢測,且在當前實施例中在樣品208之表面上形成三個探測光點221、222及223。槍孔徑板271在操作中經組態以阻擋初級電子射束202之周邊電子以減小庫侖(Coulomb)效應。庫侖效應可放大初級小射束211、212、213之探測光點221、222及223中之每一者的大小,且因此使檢測解析度劣化。
射束分離器233可例如為韋恩濾波器,其包含產生靜電偶極子場及磁偶極子場(皆在圖2中未展示)之靜電偏轉器。在操作中,射束分離器233可經組態以由靜電偶極子場對初級小射束211、212及213之個別電子施加靜電力。靜電力與由射束分離器233之磁偶極子場對個別電子施加之磁力的量值相等但方向相反。初級小射束211、212及213可因此以至少大體上零偏轉角至少大體上筆直地通過射束分離器233。
偏轉掃描單元232在操作中經組態以使初級小射束211、212及213偏轉以越過樣品208之表面之區段中的個別掃描區域來掃描探測光點221、222及223。回應於初級小射束211、212及213在探測光點221、222及223處的入射,電子自樣品208顯現且產生三個次級電子射束261、262及263。次級電子射束261、262及263中之每一者通常包含具有不同能量之電子,包括次級電子(具有≤50 eV之電子能量)及反向散射電子(具有介於50 eV與初級小射束211、212及213之導降能量之間的電子能量)。射束分離器233經組態以使次級電子射束261、262及263朝向次級投影系統250偏轉。次級投影系統250隨後將次級電子射束261、262及263聚焦於電子偵測器件240之偵測元件241、242及243上。偵測元件241、242及243經配置以偵測對應次級電子射束261、262及263且產生對應信號,該等信號經發送至控制器50或信號處理系統(圖中未示),例如以構建樣品208之對應經掃描區域的影像。
在一些實施例中,偵測元件241、242及243分別偵測對應次級電子射束261、262及263,且產生對應強度信號輸出(圖中未示)至影像處理系統(例如,控制器50)。在一些實施例中,每一偵測元件241、242及243可包含一或多個像素。偵測元件之強度信號輸出可為藉由偵測元件內之所有像素產生的信號之總和。
在一些實施例中,控制器50可包含影像處理系統,該影像處理系統包括一影像獲取器(圖中未示)、儲存器(圖中未示)。影像獲取器可包含一或多個處理器。舉例而言,影像獲取器可包含電腦、伺服器、大型電腦主機、終端機、個人電腦、任何種類之行動計算器件及類似者,或其一組合。影像獲取器可經由諸如以下各者之媒體通信耦接至裝置40之電子偵測器件240:電導體、光纖纜線、可攜式儲存媒體、IR、藍牙、網際網路、無線網路、無線電等,或其一組合。在一些實施例中,影像獲取器可自電子偵測器件240接收信號,且可構建一影像。影像獲取器可因此獲取樣品208之影像。影像獲取器亦可執行各種後處理功能,諸如產生輪廓線、疊加指示符於所獲取影像上,及類似者。影像獲取器可經組態以執行對所獲取影像之亮度及對比度等的調整。在一些實施例中,儲存器可為諸如以下各者之儲存媒體:硬碟、隨身碟、雲端儲存器、隨機存取記憶體(RAM)、其他類型之電腦可讀記憶體,及其類似者。儲存器可與影像獲取器耦接,且可用於保存經掃描原始影像資料作為原始影像及後處理影像。
在一些實施例中,影像獲取器可基於接收自電子偵測器件240之成像信號獲取樣品之一或多個影像。成像信號可對應於用於進行帶電粒子成像之掃描操作。所獲取影像可為包含複數個成像區域之單一影像。單一影像可儲存於儲存器中。單一影像可為可劃分成複數個區的原始影像。區中之每一者可包含含有樣品208之特徵的一個成像區域。所獲取影像可包含按一時間序列取樣多次的樣品208之單一成像區域的多個影像。多個影像可儲存於儲存器中。在一些實施例中,控制器50可經組態以運用樣品208之同一部位之多個影像執行影像處理步驟。
在一些實施例中,控制器50可包括量測電路系統(例如,類比至數位轉換器)以獲得經偵測次級電子的分佈。在偵測時間窗期間收集到之電子分佈資料結合入射於晶圓表面上之初級電子射束202的對應掃描路徑資料可用以重建構待檢測之晶圓結構的影像。經重構建影像可用以顯露樣品208之內部或外部結構的各種特徵,且藉此可用以顯露可能存在於晶圓中的任何缺陷。
在一些實施例中,控制器50可控制機動載物台209以在樣品208之檢測期間移動樣品208。在一些實施例中,控制器50可使得機動載物台209能夠在一方向以一恆定速度連續地移動樣品208。在其他實施例中,控制器50可使得機動載物台209能夠依據掃描製程之步驟隨時間改變樣品208之移動的速度。
儘管圖2展示裝置40使用三個初級電子小射束,但應瞭解,裝置40可產生或使用兩個或兩個以上數目個初級電子小射束。本發明並不限制用於裝置40中之初級電子小射束的數目。
現參考圖3A及圖3B,其示意性地說明使用多重帶電粒子射束檢測樣品。在藉由圖3A及圖3B說明之實施例中,四個初級小射束在樣品(諸如,圖2中之樣品208)上產生四個探測光點310A至310D。圖3A展示四個探測光點310A至310D相對於樣品之移動。圖3B展示四個探測光點310A至310D及樣品相對於絕對參考系之移動。四個探測光點310A至310D可但未必配置成列。在所說明之實施例中,四個探測光點之直徑係 W。然而,在所揭示實施例中,探測光點之直徑不必相同。待檢測區域300為矩形形狀,但不必如此。出於解釋方便,兩個方向 xy在絕對參考系中界定。 xy方向相互垂直。
在一些實施例中,探測光點之移動可與樣品之移動協調。舉例而言,四個探測光點310A至310D在時段 T1期間於在y方向不移動情況下相對於樣品在 x方向移動長度 L,如圖3A中所示。對應地,在同一時段 T1期間,樣品在 y方向相對於絕對參考系移動長度 K但不在 x方向相對於絕對參考系移動;且四個探測光點310A至310D在 y方向相對於絕對參考系移動長度 K且在 x方向相對於絕對參考系移動長度 L,如圖3B中所展示。因而,在時段 T1期間,四個探測光點310A至310D以與樣品相同之速度在 y方向移動。
探測光點310A至310D在時段 T1期間之移動方向不一定必須為相同的。探測光點310A至310D在時段 T1期間移動之長度不必為相同的。探測光點310A至310D可或可不必須相對於彼此移動。
在藉由圖3A及圖3B說明之實施例中,在時段 T1期間,四個子區301A、302A、303A及304A分別藉由四個探測光點310A、310B、310C及310D檢測。在時段 T1結束時,四個探測光點310A至310D在 - x方向相對於絕對參考系移動長度 L,且在 - y方向相對於絕對參考系移動寬度 W(亦即四個探測光點310A至310D中之一者之寬度)。因此,相對於樣品,四個探測光點310A至310D分別移動至子區301B、302B、303B及304B之 - x端,其可分別為鄰接子區301A、302A、303A及304A。如此,在達到掃描線之最後像素之後,每一探測光點橫越回至下一掃描線的起點。鄰接掃描線可分離開對應於藉由電子射束工具產生之影像之像素大小的距離。回掃要求之額外時間被稱作線額外耗用。在一些狀況下,此回掃可足夠快,使得線額外耗用為可忽略的。另外,線額外耗用可包括於時段 T1中。
在時段 T2T3期間,四個探測光點310A至310D及樣品以與在時段 T1期間相同之方式移動。如此,四個子區301B、302B、303B及304B在 T2期間經檢測,且四個子區301C、302C、303C及304C在 T3期間藉由四個探測光點310A至310D檢測。
在時段 T2結束時,四個探測光點310A至310D在時段 T1結束時以相同方式分別移動至子區301C、302C、303C及304C的-x末端。子區301C、302C、303C及304C可分別鄰接子區301B、302B、303B及304B。
在由圖3A及圖3B說明之實例中,四個探測光點310A至310D在y方向之間距 S等於 3W。因此,在時段 T3結束時,經檢測子區301C、301B、301A、302C、302B、302A、...及304A之組合在 y方向無間隙。在時段 T3結束時,四個探測光點310A至310D在 - x方向相對於絕對參考系移動長度 L,且在 - y方向相對於絕對參考系移動 10W。舉例而言,在時段 T3結束時,探測光點310D需要自子區304C之 + x端移動至子區304D的 - x端。實際上,探測光點310D相對於絕對參考系在 - x方向移動長度 L,且在 - y方向移動 10W- y方向 10W之移動可藉由在 - y方向偏轉四個初級小射束來達成。替代地或另外,此移動可藉由允許樣品在 y方向移動來達成。因此,相對於樣品,四個探測光點310A至310D分別移動至子區301D、302D、303D及304D之 - x端,在該等 - x端之間,子區304D鄰接子區301C。在此移動之後,四個探測光點310A至310D相對於絕對參考系在與時段 T1之開始時相同之部位處。額外子區(例如,301D、302D、303D、304D等)可在額外時段(例如時段 T4)期間由四個探測光點310A至310D檢測。
在時段 T1T3期間,樣品在 y方向相對於絕對參考系移動 3K(參見圖3B);四個探測光點310A至310D在 y方向相對於絕對參考系移動零;四個探測光點310A至310D在 - y方向相對於樣品移動 12W。因此, 3K等於 12W,亦即 K等於 4W。樣品在時段 T1T3期間的速度可保持恆定。
概括而言,當探測光點之數目為 M且探測光點在 x方向之間距為 S = NW(其中 N為等於或大於2之整數)時,經檢測子區之組合在 x方向不具有間隙所需之時段的數目為 N且在時段中之每一者期間樣品行進之距離 K等於 MW。在圖3A及圖3B之實例中, N = 3 M = 4K = 4W
圖3C示意性地展示探測光點310A至310D中之一者在時段 T1 T2T3中之一者期間相對於樣品之移動。相對於樣品,探測光點在此時段期間僅在 x方向移動距離 L,但不在 y方向移動。圖3D示意性地展示探測光點在彼時段期間相對於絕對參考系之移動。相對於絕對參考系,探測光點在此時段期間在 x方向移動距離 L且在 y方向移動距離 K。相對於絕對參考系,探測光點之移動方向及樣品之移動方向具有角度 θ = arctan ( L / K )
上述實施例要求,探測光點310A至310D在時段 T3結束時相對於絕對參考系在- y方向進行為 10W的「跳轉」。然而,在一些實施例中,在時段 T3結束時不執行此跳轉。實情為,四個探測光點310A至310D在時段 T1T2結束時以相同的方式連續地移動至後續鄰接子區的末端。具體而言,參看圖3A,在時段 T3結束時,探測光點310D移動至子區303A之 - x端,該 - x端先前已藉由探測光點310C掃描;探測光點310C移動至子區302A之 - x端,該 - x端先前已藉由探測光點310B掃描;探測光點310B移動至子區301A之 - x端,該 - x端先前已藉由探測光點310A掃描;且探測光點310A移動至鄰接子區301C的子區304D之 - x端。如此,四個探測光點310A至310D中之每一者將分離地檢測同一子區。即,一些子區可藉由初級小射束掃描四次。因此,所產生之信號可用以執行訊框平均,以便改良經構建之樣品影像的信號雜訊比。
現參考圖4A及圖4B,其示意性地說明根據本發明之例示性實施例之使用多個帶電粒子射束檢測樣品。在藉由圖4A及圖4B說明之實施例中,三個初級小射束可在樣品(諸如,圖2中之樣品208)上產生三個探測光點451、452及453。圖4A展示三個探測光點451、452、453相對於樣品之移動。圖4B展示三個探測光451、452、453及樣品相對於絕對參考系之移動。三個探測光點451、452、453可但不必配置成列。出於解釋方便,兩個方向 xy在絕對參考系中界定。 xy方向相互垂直。
在一些實施例中,待檢測之樣品之掃描區域460為矩形形狀,但不必如此。樣品之掃描區域460可被劃分為複數個掃描線400、401、402、...、434及435。掃描線之寬度可匹配或大體上類似於探測光點之寬度。在此類實施例中,掃描線可藉由探測光點掃描並檢測。儘管圖4A展示三十六個掃描線(掃描線400至435),但應瞭解,掃描區域460依據掃描區域460之大小及探測光點之寬度可包括任何數目個掃描線。
在一些實施例中,每三個連續掃描線可經分組在一起且形成掃描區段。舉例而言,前三個掃描線400、401、402可形成掃描區段471;下三個掃描線403、404、405可形成掃描區段472;且下三個掃描線406、407、408可形成掃描區段473等。在一些實施例中,三個探測光點451、452、453可經配置,使得每一探測光點可掃描僅掃描區段之對應掃描線。舉例而言,如圖4A中所示,探測光點451可經組態以掃描掃描區段中之若干第一掃描線(最右掃描線);探測光點452可經組態以掃描掃描區段中之若干第二掃描線(中間掃描線);且探測光點453可經組態以掃描掃描區段中之若干第三掃描線(最左掃描線)。因此,在此類實施例中,探測光點451可分別在時段 T1 T2 T3 ... T6等期間掃描400、403、406、...、415;探測光點452可分別在時段 T1 T2 T3 ... T6等期間掃描404、407、410、...、423;且探測光點453可分別在時段 T1 T2 T3 ... T6等期間掃描408、411、414、...、423。儘管圖4A及圖4B說明探測光點及樣品在前六個時段( T1T6)期間的移動,但應瞭解,序列可繼續,直至樣品經充分掃描並檢測。
在一些實施例中,在每一時段期間,樣品可相對於絕對參考系在 y方向移動長度 K,同時探測光點451、452及453掃描該等掃描線。在此類實施例中,樣品可能並非相對於絕對參考系在 x方向移動。對應地,在每一時段期間,探測光點451、452及453可在 x方向移動以掃描該等掃描線,同時亦以與樣品相同之速度(例如,速度 K)在 y方向正在移動,藉此在掃描掃描線同時遵循樣品的移動。且在掃描完成之後,探測光點451、452及453可在 - x方向及 - y方向縮回至下一組掃描線的起點。在其他實施例中,在每一時段期間,探測光點451、452及453可僅在 x方向而非在 y方向相對於絕對參考系移動。因此,在此類實施例中,掃描線可相對於樣品遠離移動方向(亦即,並非垂直於 y方向)而傾斜遠離以適應樣品移動。
舉例而言,如圖4B中所示,樣品可每時段移動 3W(亦即,掃描區段之寬度)(亦即,K=3W/時段),藉此在每一時段中提供新掃描區段至探測光點。在此類實施例中,在時段 T1之前半期間,探測光點451、452、453可在 x方向移動以分別掃描掃描線400、404、408,同時亦在 y方向移動 1 . 5W。在掃描完成之後,在時段 T1之第二半期間,探測光點451、452及453可在 - x方向移回,同時亦在 - y方向移動 1 . 5W至下一組掃描線(例如,403、407及411)之起點。如此,在達到掃描線之最後像素之後,每一探測光點橫越回至下一掃描線的起點。在後續時段(例如, T2 T3、...)期間,探測光點451、452、453及樣品可以相同樣方式經反覆地移動,如在時段 T1期間。因此,掃描線403、407及411可在時段 T2期間經掃描;掃描線406、410、414可在時段 T3期間經掃描等。
與關於其中探測光點需要在時段 T3結束時在 - y方向進行「跳轉」的圖3A及圖3B描述之實施例形成對比,此「跳轉」不需要在展示於圖4A及圖4B中之實施例中執行,此係由於每一探測光點掃描僅掃描區段之對應組之掃描線。替代進行「跳轉」,探測光點451、452及453可在樣品正在移動同時連續地重複上述移動以掃描掃描線。
一般而言,樣品動作之速度 K可判定如下: K = MW /時段,                    等式(1) 其中 M為探測光點之數目,且 W為探測光點之寬度。此外,探測光點之間距 S可判定如下: S = ( nM + 1 ) × W,              等式(2) 其中 n為等於或大於2之整數。在圖4A及圖4B之實例中,探測光點之數目為3 (亦即, M=3)且 n=1,藉此致使每 K = 3W/時段,且 S = 4W。儘管圖4A及圖4B說明使用三個探測光點(亦即, M = 3)之例示性實施例,但應瞭解,任何數目個探測光點可用以掃描樣品。
在一些實施例中,前兩個掃描區段(例如,掃描區段471及472)中之一些掃描線可能並不藉由上述掃描序列來掃描。因此,在一些實施例中,掃描區域460可需要包括並不被要求予以檢測的緩衝區域490。在此類實施例中,除緩衝區域490中之掃描線外,所有掃描線(例如,掃描線406、407、408、409、...、等)可在無任何間隙情況下連續地予以掃描。儘管僅一個緩衝器區域(例如,緩衝區域490)說明於圖4A及圖4B中,但應理解,掃描區域460可包括一個以上緩衝區域。舉例而言,另一緩衝區域(圖中未示)可在掃描區域460結束時(例如,最左掃描區段)被包括。
現參考圖5A及圖5B,其示意性地說明根據本發明之例示性實施例之使用多個帶電粒子射束檢測樣品。圖5A及圖5B展示具有與圖4A及圖4B中之組態相同的掃描組態,除探測光點之間距 S(例如,圖5A中探測光點551與探測光點552之間的距離)在展示於圖5A及圖5B中之實施例中較大。
類似於圖4A,樣品之掃描區域560可經劃分成複數個掃描線500、501、502、...、534及535。掃描線之寬度可匹配或大體上類似於探測光點之寬度。在此類實施例中,掃描線可藉由探測光點掃描並檢測。儘管圖5A展示三十六個掃描線(掃描線500至535),但應瞭解,掃描區域560依據掃描區域560之大小及探測光點之寬度可包括任何數目個掃描線。
在一些實施例中,每三個連續掃描線可經分組在一起且形成掃描區段。舉例而言,前三個掃描線500、501、502可形成掃描區段571;下三個掃描線503、504、505可形成掃描區段572;等。在一些實施例中,三個探測光點551、552、553可經配置,使得每一探測光點可掃描僅掃描區段之對應掃描線。舉例而言,如圖5A中所示,探測光點551可經組態以掃描掃描區段中之若干第一掃描線(最右掃描線);探測光點552可經組態以掃描掃描區段中之若干第二掃描線(中間掃描線);且探測光點553可經組態以掃描掃描區段中之若干第三掃描線(最左掃描線)。因此,在此類實施例中,探測光點551可分別在時段T1、T2、T3、...、T8等期間掃描500、503、506、...、521;探測光點552可分別在時段T1、T2、T3、...、T8等期間掃描507、510、513、...、528;且探測光點553可分別在時段T1、T2、T3、...、T8等期間掃描514、517、520、...、535。儘管圖5A及圖5B說明探測光點及樣品在前八個時段(T1至T8)期間的移動,但應瞭解,序列可繼續,直至樣品經充分掃描並檢測。
類似於展示於圖4A及圖4B中之實施例,在每一時段期間,樣品可相對於絕對參考系在 y方向移動長度 K,同時探測光點551、552及553掃描該等掃描線。在此類實施例中,樣品可能並非相對於絕對參考系在 x方向移動。對應地,在每一時段期間,探測光點551、552及553可在 x方向移動以掃描該等掃描線,同時亦以與樣品相同之速度(例如,速度 K)在 y方向移動,藉此在掃描掃描線同時遵循樣品的移動。且在掃描完成之後,探測光點551、552及553可在 - x方向及 - y方向縮回至下一組掃描線的起點。
舉例而言,如圖5B中所示,樣品可每時段移動 3W(亦即,掃描區段之寬度)(亦即, K = 3W/時段),藉此在每一時段中提供新的掃描區段至探測光點。在此類實施例中,在時段 T1之前半期間,三個探測光點551、552、553可在 x方向移動以分別掃描掃描線500、507、514,同時亦在 y方向移動 1 . 5W。在掃描完成之後,在時段 T1之第二半期間,探測光點551、552及553可在 - x方向移回,同時亦在 - y方向移動 1 . 5W至下一組掃描線之起點(例如,503、510及517)。如此,在達到掃描線之最後像素之後,每一探測光點橫越回至下一掃描線的起點。在後續時段(例如, T2 T3、...)期間,探測光點551、552、553及樣品可以相同方式經反覆地移動,如在時段 T1期間。因此,掃描線503、510及517可在時段 T2期間經掃描;掃描線506、513、520可在時段 T3期間經掃描等。
類似於關於圖4A及圖4B所描述之實施例,不需要「跳轉」在展示於圖5A及圖5B中之實施例中執行,此係由於每一探測光點掃描僅掃描區段之對應組之掃描線。替代進行「跳轉」,探測光點551、552及553可連續地重複上述移動以在樣品正在移動同時掃描掃描線。
如關於圖4A及圖4B所描述,樣品移動之速度 K可判定如下: K = MW/時段,            等式(3) 其中 M為探測光點之數目,且 W為探測光點之寬度。此外,探測光點之間距 S可判定如下: S = (nM + 1) × W,       等式(4) 其中 n為等於或大於2之整數。
圖5A及圖5B說明探測光點之數目為3 (亦即, M=3)且 n=2之實施例。因此,速度 K等於 3W/時段,且間距 S等於 7W
在一些實施例中,前四個掃描區段(例如,掃描區段571、572、573及574)中之一些掃描線可能並不藉由上述掃描序列掃描。因此,在一些實施例中,掃描區域560可需要包括並不被要求予以檢測的緩衝區域590。在此類實施例中,除緩衝區域590中之掃描線外,所有掃描線(例如,掃描線512、513、514、515、...、等)可在無任何間隙情況下連續地予以掃描。儘管僅一個緩衝區域(例如,緩衝區域590)說明於圖5A及圖5B中,但應瞭解,掃描區域560可包括一個以上緩衝區域。舉例而言,另一緩衝區域(圖中未示)可在掃描區域560(例如,最左掃描區段)結束之處被包括。
現參考圖6,其示意性地說明根據本發明之例示性實施例之使用多個帶電粒子射束檢測樣品。儘管圖4A、圖4B、圖5A及圖5B展示,三個探測光點(例如,圖4A及圖4B中之探測光點451、452、453,及圖5A及圖5B中之探測光點551、552、553)沿著樣品(諸如,圖2之樣品208)之移動方向排列成線,但探測光點且因此初級小射束可具有其他空間配置。在一些實施例中,多個初級小射束可配置成矩陣。舉例而言,如圖6中所示,九個探測光點601、602、...、609可配置成3×3矩陣組態。在此類實施例中,第一列探測光點(601、602、603)可掃描第一掃描區域660A。類似地,第二列(604、605、606)及第三列(607、608、609)可分別掃描第二掃描區域660B及第三掃描區域660C。雖然圖6展示鄰接列之探測光點掃描鄰接掃描區域,但應瞭解,鄰接列之探測光點可掃描非鄰接掃描區域。舉例而言,第一列探測光點(601、602、603)可掃描第一掃描區域660A,同時第二列探測光點(604、605、606)可掃描第三區域660C。
類似於上文所展示之實施例,包括掃描區域660A、660B及660C之樣品可相對於絕對參考系以速度 Ky方向恆定地移動,同時掃描區域660A、660B及660C中之掃描線藉由三列探測光點同時予以掃描。在此類實施例中,每一掃描區域(例如,660A、660B或660C)可以與關於圖4A及圖4B描述之方式相同的方式予以掃描。
如關於圖4A及圖4B所描述,前兩個掃描區段(例如,掃描區段671及672)中之一些掃描線可能並非藉由上述掃描序列來掃描。因此,在一些實施例中,掃描區域660A、660B及660C可需要包括並不被要求予以檢測的緩衝區域690。在此類實施例中,除緩衝區域690中之掃描線外,所有掃描線(例如,掃描區段673、674、675、...、等中之掃描線)可在無任何間隙情況下連續地予以掃描。儘管僅一個緩衝區域(例如,緩衝區域690)說明於圖6中,但應瞭解,掃描區域660A、660B及660C可包括一個以上緩衝區域。舉例而言,另一緩衝區域(圖中未示)可在掃描區域660A、660B及660C結束之處(例如,最左掃描區段)被包括。
儘管圖6說明其中九個探測光點601至609配置成3×3矩陣之初級小射束的組態,但應瞭解,本文中所揭示之原理可應用至任何數目個初級小射束及初級小射束的組態,諸如配置成3×2、4×4、5×5、3×5、8×5、20×20或任何大小矩陣組態的初級小射束。
現參考圖7,其為說明符合本發明之實施例的說明例示性多射束掃描方法之步驟的流程圖。方法可藉由多射束電子射束工具(諸如,圖1之電子射束工具40)執行。
在步驟710中,多射束電子射束工具遞送 N個帶電粒子小射束至待檢測之樣品(諸如,圖2中之樣品208)之區域的表面,其中 N個帶電粒子小射束在樣品上產生 N個探測光點(諸如,圖4A中之探測光點451、452及453)。在一些實施例中,樣品之掃描區域可被劃分成複數個掃描線(諸如,圖4A中之掃描線400、401、402、...、435),且每 N個連續掃描線可分組在一起且形成掃描區段。舉例而言,如圖4A中所示,在使用三個探測光點之處,前三個掃描線400、401、402可形成掃描區段471;後續三個掃描線403、404、405可形成掃描區段472;等等。
在步驟720中,多射束電子射束工具控制機動樣品台(諸如,圖2之機動載物台209)以在樣品正經掃描及檢測同時在第一方向移動樣品。在一些實施例中,樣品可以恆定速度連續地移動。在其他實施例中,樣品移動之速度可依據掃描製程之步驟隨時間發生改變。應瞭解,步驟720可先於步驟710,或步驟710及720之執行可經並行地開始。
在步驟730及740中,多射束電子射束工具使 N個帶電粒子小射束偏轉以移動樣品之表面上的 N個探測光點以掃描掃描線。舉例而言,在每一時段期間,多射束電子射束工具在第二方向(諸如圖4A及圖4B中之 x方向)上移動 N個探測光點以掃描掃描線,同時亦以與樣品相同之速度(例如,速度 K)在第一方向(亦即,樣品之移動方向,諸如圖4A及圖4B之 y方向)上移動,藉此在掃描掃描線同時遵循樣品的移動。且在掃描完成之後, N個探測光點可折回回至下一組掃描線的起點。
在一些實施例中, N個探測光點經配置,使得每一探測光點可掃描掃描區段之對應掃描線。舉例而言,第一探測光點(諸如,圖4A之探測光點451)可經組態以掃描僅掃描區段之若干第一掃描線,第二探測光點(諸如,圖4A之探測光點452)可經組態以掃描僅掃描區段之若干第二掃描線,且類似地,第N探測光點可經組態以掃描掃描區段的僅若干第N掃描線。如此,多射束電子射束工具並不需要進行大「跳轉」移動,此係由於每一探測光點在無許多(若存在)重疊情況下掃描僅對應組的掃描線。替代進行「跳轉」, N個探測光點可沿著樣品之掃描線連續地重複上述移動,同時樣品正在該第一方向移動。
儘管圖3A及圖3B展示,四個探測光點310A至310D沿著樣品之移動方向排列成線,但探測光點且因此初級小射束可具有其他空間配置。舉例而言,多個初級小射束可配置成矩陣,如圖8A及圖8B中所展示。圖8A為符合本發明之實施例的說明在初級小射束圍繞光軸(例如,圖2之主光軸204)旋轉之前及之後多個初級小射束(例如,圖2之初級小射束211、212及213)在樣品之表面上的分佈之示意圖。圖8B為符合本發明之實施例的說明旋轉之前及之後的樣品之表面上多個初級小射束之掃描型樣的示意圖。儘管圖8A及圖8B展示配置成2×2矩陣之四個探測光點(或初級小射束),但預期到,本文中所揭示之原理可應用至任何數目個初級小射束,諸如配置成3×3、4×5、5×5或20×20矩陣的初級小射束。
參考圖8A及圖8B,四個探測光點810A至810D可初始地配置成2×2矩陣,其中矩陣之各行係沿著樣品之移動方向(參見圖8A及圖8B之左側)。探測光點810A至810D中之每一者可以類似於說明於圖3A至圖3D中之方式的方式執行樣品上之區800之一部分的x-y掃描。符合所揭示之實施例,四個探測光點810A至810D可相對於樣品進行旋轉,使得四個探測光點810A至810D中之每一者可在不重疊掃描線上移動(參見圖8A及圖8B之右側)。鄰接掃描線可分離開對應於藉由電子射束工具產生之影像之像素大小的距離。此旋轉可藉由但不限於以下操作來達成:控制圖2之偏轉掃描單元232以旋轉初級小射束,重新配置電子射束工具40中之影像形成元件的陣列,或旋轉該樣品。在旋轉之後,探測光點810A至810D中之每一者可在無重疊情況下在更長掃描線上移動。因為探測光點切換掃描線之時間為固定的,所以與每一掃描線相關聯之時間額外耗用可被減低,且電子射束工具40之總產出率可得以改良。
如藉由圖8B之右側所說明,在射束旋轉之後,四個探測光點810A至810D不再沿著樣品移動方向對準。因此,使得藉由四個探測光點810A至810D掃描之實際區域(藉由掃描線覆蓋之區域)大於電子射束工具之視野。具體而言,在圖8B中,區域800為藉由電子射束工具成像之區域。掃描線1、2、3、4、...中之每一者長於區域800之寬度,使得所有掃描線可統一覆蓋區域800。
圖9為符合本發明之實施例的說明選擇旋轉角用於展示於圖8A及圖8B中之旋轉製程的示意圖。僅出於說明目的,圖9展示配置成矩陣之九個探測光點1、2、3、4、...、9。在旋轉發生之後,探測光點沿著樣品之移動方向具有間距大小S。在探測光點之圖案旋轉一角度之後,沿著移動方向之射束距離 D具有以下關係:
Figure 02_image001
等式(5)
Figure 02_image003
等式(6)
符合所揭示之實施例,一個旋轉角φ可使得探測光點沿著移動方向具有相同射束距離D,亦即:
Figure 02_image005
等式(7) 以上等式(5)至(7)導致:
Figure 02_image007
等式(8) 因此,
Figure 02_image009
等式(9)
為了一般化對配置成 M × N矩陣(亦即,具有 M列及 N行之矩陣,且矩陣之行初始地與樣品之移動方向對準)之探測光點(亦即,初級小射束)之以上計算,沿著移動方向之射束距離 D應滿足:
Figure 02_image011
等式(10) 且旋轉角應滿足:
Figure 02_image013
等式(11) 因此,恰當旋轉角φ為:
Figure 02_image015
等式(12), 其中 N為藉由探測光點形成之圖案(例如,矩陣)中行的數目,或藉由探測光點形成之圖案之列中探測光點的數目。
在一些實施例中,探測光點可較佳配置成 N × N矩陣或六邊形形狀以達成針對每一探測光點之圓形光學像差自由區的更好填充因數。在該圖案情況下,旋轉角將保持為
Figure 02_image017
圖10為符合說明於圖8A、圖8B及圖9中之實施例的多射束掃描方法1000的流程圖。舉例而言,方法1000可用於電子射束工具40中以改良系統產出率。參考圖10,方法1000包括以下步驟。
在步驟1010中,電子射束工具(例如,圖1及圖2之電子射束工具40)產生初級小射束陣列,且將該等初級小射束投影於樣品(例如,圖2之樣品208)之表面上。初級小射束在待檢測之區中形成探測光點之陣列。探測光點之陣列形成預定圖案,諸如 N × N矩陣。在一些實施例中, N × N矩陣之每一行可與樣品之移動方向對準。
在步驟1020中,電子射束工具使初級小射束之陣列圍繞電子射束工具之主光軸(例如,圖2之主光軸204)旋轉。旋轉可以類似於示範於圖9中之方式來執行。旋轉相對於樣品執行。在各種實施例中,電子射束工具可藉由以下操作來執行旋轉:控制偏轉掃描單元232以使初級小射束旋轉,重新配置電子射束工具40中之影像形成元件的陣列,或旋轉該樣品。旋轉角可設定為等於
Figure 02_image019
,外加其他。
在步驟1030中,電子射束工具使初級小射束之陣列偏轉以越過工具之視野來掃描。當射束經旋轉時,初級小射束之陣列可能能夠沿著非重疊且更長之掃描線進行掃描,如在圖8B及圖11之右側中所示範。鄰接掃描線可分離開對應於藉由電子射束工具產生之影像之像素大小的距離。
在步驟1040中,在掃描樣品之處於視野下之區域之後,電子射束工具將樣品之未經掃描區域至視野中。舉例而言,如圖3A中所示範,在 T3結束時,探測光點310A至310D可移動至包括子區301D、302D、303D、304D等之下一未經掃描區域。因此,步驟1030可經重複以繼續掃描未經掃描區域。
在所揭示之實施例中,步驟1030及1040可經重複,直至整個樣品得以檢測。因此,電子射束工具可被要求以「步進及掃描」模式來操作,且移動(或「步進」)至下一位置,使得未經掃描區域「跳轉」至電子射束工具之視野中(步驟1030),在該「步進及掃描」模式中,樣品載物台(例如,機動載物台209)保持於一位置,同時初級小射束之陣列經偏轉以掃描視野中之區域(步驟1030)。舉例而言,如結合圖3A及圖3B所描述,在時段 T3結束時, - y方向之 10W的移動可藉由在 y方向移動樣品來達成。然而,因為在「步進及掃描」模式中,掃描重複地等待樣品載物台步進及安放,所以「步進及掃描」模式通常慢於「連續掃描」模式,在該「連續掃描」模式中,樣品載物台以緩慢速度連續地移動,同時初級小射束經偏轉以掃描樣品。
為了允許上述射束旋轉方法與更快「連續掃描」模式一起使用,經旋轉之初級小射束可經組態以使用交錯掃描型樣來掃描樣品,如符合本發明之實施例的圖11中所描述,圖11說明例示性多射束交錯掃描型樣。如圖11中所展示,在圖8A及圖8B中之探測光點810A至810D經旋轉之後,電子射束工具可控制初級小射束,使得:探測光點810A沿著掃描線1、5、9、13、17等移動;探測光點810B沿著掃描線2、6、10、14、18等移動;探測光點810C沿著掃描線3、7、11、15、19等移動;且探測光點810D沿著掃描線4、8、12、16、20等移動。此等掃描線大體上平行於彼此。如此,探測光點810A至810D可在樣品載物台連續地移動同時在不同掃描線之間移動。藉由利用此類技術,樣品載物台之大型「跳轉」可被避免。
圖11之右側展示探測光點相對於絕對參考系之例示性移動軌跡。軌跡可被分為四個階段。在階段1中,探測光點遵循樣品之移動,且沿著第一方向進行掃描。在階段2中,探測光點相對於樣品之移動方向移動,以便到達第二掃描線之起點。在階段3中,探測光點遵循樣品之移動,且沿著第二方向進行掃描。在階段4中,探測光點相對於樣品之移動方向移動,以便到達第三掃描線的起點。四個階段在交錯掃描期間重複。
圖12展示符合說明於圖11中之實施例的在交錯掃描期間探測光點810A至810D相對於樣品之例示性移動軌跡。參考圖12,移動軌跡81、82、83及84分別對應於探測光點810A至810D。每一移動軌跡81、82、83及84具有在樣品之連續移動期間形成的連續圖案。
儘管在上述實施例中,交錯掃描結合射束旋轉使用,但預期到交錯掃描亦可在無射束旋轉情況下應用至多射束掃描。圖13為符合本發明之實施例的說明多射束交錯掃描型樣在無射束旋轉情況下的示意圖。參考圖13,探測光點810A至810D配置成2×2矩陣,其中矩陣之每一行與樣品之移動方向對準。即,探測光點810A至810D之圖案並不參看樣品旋轉。由於樣品沿著某方向(例如,如圖13中所示範的下游方向)連續地移動,因此區800中之未經掃描區域首先進入探測光點810A及810B之視野,且接著進入探測光點810C及810D之視野。探測光點810A至810D中之每一者可在區800上形成掃描線。藉由恰當地控制沿著樣品移動方向之探測光點810A與810C之間的射束距離,亦即,射束間距,藉由探測光點810A與810C形成的掃描線可具有交錯圖案。類似地,藉由恰當地控制沿著樣品移動方向之探測光點810B與810D之間的射束距離,亦即,射束間距,藉由探測光點810B及810D形成之掃描線具有交錯圖案。藉由交錯掃描,多射束掃描可在有或無射束旋轉情況下與快速「連續掃描模式」組合。因此,系統產出率得以改良。此外,由於並不要求射束旋轉,與射束旋轉耦合之偵測器(例如,圖2之電子偵測器240)複雜度可被避免。
圖14為符合說明於圖11至圖13中之實施例的多射束交錯掃描方法1400的流程圖。舉例而言,方法1400可用於電子射束工具40中以改良系統產出率。參考圖14,方法1400包括以下步驟。
在步驟1410中,電子射束工具(例如,圖1及圖2之電子射束工具40)產生 N個初級小射束陣列,且將該等初級小射束投影於樣品(例如,圖2之樣品208)之表面上。 N為等於或大於2之整數。初級小射束在待檢測之區中形成 N個探測光點之陣列。
在步驟1420中,電子射束工具控制樣品以連續地移動。舉例而言,電子射束工具可控制載物台(例如,圖2之機動載物台209)以連續地移動樣品。
在步驟1430中,如圖11至圖13中所示範,電子射束工具使 N個初級小射束偏轉以同時i)遵循樣品之移動,及ii)在樣品表面上方分別掃描 N個掃描線。
在步驟1440中,在掃描了 N個掃描線之後,電子射束工具藉由在與樣品移動方向相對之方向使 N個初級小射束相對於樣品偏轉 N個掃描線,使得藉由初級小射束形成之探測光點到達新群組之掃描線的起點。符合所揭示實施例,步驟1430及1440重複地執行以便形成交錯掃描型樣,例如說明於圖11至圖13中之交錯掃描型樣。
如上文所述,為了形成交錯掃描型樣,初級小射束或對應探測光點可被要求以在先前間隔開。舉例而言,對於具有10 μm之射束間距,射束對準誤差可被需要限於1 nm內以避免將離開未經掃描之樣品之部分的鄰接探測光點之間的非所要間隙。為了使對射束對準之要求放鬆,準交錯掃描可在一些實施例中使用。
圖15為符合本發明之實施例的說明多射束準交錯掃描型樣的示意圖。如圖15中所示,探測光點810A至810D中之每一者經允許以在樣品載物台連續地移動同時首先執行小型區域中的連續 x - y掃描(例如,掃描多個掃描線)。在完成了 x - y掃描之後,樣品進行小的「跳轉」以移動至探測光點810A至810D之視野中的下一未經掃描區域。因此,藉由探測光點810A及810C掃描之區域可形成交錯圖案,且藉由探測光點810B及810D掃描之區域可形成交錯圖案。
準交錯掃描使用探測光點810A與810C之間且探測光點810B與810D之間的恰當間隔。然而,相較於交錯掃描,射束對準在準交錯掃描中可為較不重要的,此係因為其允許交錯區域具有某重疊。此外,相較於典型「步進及掃描」模式,樣品載物台在準交錯掃描中進行相對小的「跳轉」,且因此花費較少時間來跳轉及安放。因此,準交錯掃描可改良系統產出率。
圖16為符合本發明之實施例的多射束準交錯掃描方法之流程圖。舉例而言,方法1600可用於電子射束工具(例如,圖1及圖2之電子射束工具40)中以改良系統產出率。參考圖16,方法1600包括以下步驟。
在步驟1610中,電子射束工具產生 N個初級小射束之陣列,且將該等初級小射束投影於樣品(例如,圖2之樣品208)之表面上。 N為等於或大於2之整數。初級小射束在待檢測之區中形成 N個探測光點之陣列。
在步驟1620中,電子射束工具控制樣品以連續地移動。舉例而言,電子射束工具可控制載物台(例如,圖2之機動載物台209)以連續地移動樣品。
在步驟1630中,如圖15中所示範,電子射束工具使 N個初級小射束偏轉以同時i)遵循樣品之移動,及ii)分別在樣品上方掃描每一小射束之視野內的一組 M個掃描線。 M為等於或大於2之整數。
在步驟1640中,如圖15中所示範,在 N個初級小射束掃描其各別視野內之該組 M個掃描線之後,電子射束工具移動樣品以暴露未經掃描區域至該 N個初級小射束的視野。在一些實施例中,電子射束工具可移動樣品達 M個掃描線。如此,藉由初級小射束掃描之區域可形成交錯圖案。
符合所揭示實施例,步驟1630及1640經重複地執行,使得類似於說明於圖15中之交錯掃描型樣的交錯掃描型樣可經形成。此外,藉由圖15及圖16說明之準交錯掃描製程可在有射束旋轉或無射束旋轉情況下使用。
如上文所描述,連續掃描模式通常較快,且因此可達成比步進及掃描模式高的產出率。圖17為符合本發明之實施例的說明處於連續掃描模式之多個初級小射束的分佈。參看圖17,電子射束工具(例如,圖1及圖2之電子射束工具40)可具有九個初級小射束171、172、173、……、及179。在一些實施例中,為了使得電子射束工具適用於連續掃描模式,九個初級小射束可排列成垂直於樣品移動方向之直線且分離開相等距離(參見圖17之左側)。如此,每一初級小射束可在無任何跳轉情況下連續地掃描樣品。然而,如上文結合圖8A及圖8B所描述,在此配置下,探測光點之視野為重疊的,且因此系統產出率並未經最大化。為了改良系統產出率,初級小射束之一些或所有可沿著樣品移動方向相對於其他初級小射束重新定位,以便沿著垂直於樣品之方向有效地增大射束距離(參見圖17之右側)。如此,類似於說明於圖8A及圖8B中之射束旋轉,每一初級小射束可掃描更長掃描線。此外,為了使電子射束工具以連續掃描方式起作用,電子射束工具可控制經重新定位之初級小射束而以類似於說明於圖7及圖8之方式的方式執行交錯掃描。
圖17中之實施例亦可經調適以包括沿著樣品移動方向排列之多個初級小射束。舉例而言,參看圖18,電子射束工具可進一步包括初級小射束181至189,其沿著樣品移動方向分別與初級小射束171至179對準且沿著樣品移動方向分別與初級小射束171至179間隔開相同距離。沿著樣品移動方向排列之每一對初級小射束可經控制而以類似於說明於圖15中之方式的方式執行準交錯掃描以減小或避免進行此大跳轉。替代地,初級小射束171至179之群組及初級小射束181至189之群組可分離地執行交錯掃描(圖18中未示),在該狀況下,沿著樣品移動方向排列之每一對初級小射束連續地掃描同一區域且因此可執行訊框平均。
現參考圖19,其為符合本發明之實施例的說明使用一組旋轉初級小射束之例示性掃描型樣的示意圖。如較早所描述,為了達成較高系統產出率,需要的是每一初級小射束掃描一更長掃描線。在檢測期間維持樣品之連續且恆定移動亦可增大檢測系統之產出率(例如,較早章節中描述之連續掃描模式)。
圖19展示其中產生配置成3×3矩陣組態之九個探測光點1901、1902、...、1909之初級小射束之3乘3陣列的多射束檢測系統。類似於較早實施例,樣品(例如,圖2之樣品208)可以恆定速度 Ky方向移動,同時樣品藉由探測光點1901至1909之3乘3陣列進行掃描。在一些實施例中,初級小射束之3乘3陣列可相對於樣品移動方向旋轉一角度。旋轉角可藉由一列中之初級小射束的數目(例如,3乘3陣列組態中三個)判定,如在關於圖9之等式(12)中所描述。在一些實施例中,樣品可被旋轉該旋轉角,使得探測光點相對於樣品移動方向經實際旋轉。在一些實施例中,小射束及樣品可同時旋轉,藉此使得小射束相對於樣品移動方向旋轉該旋轉角。
在一些實施例中,探測光點1901至1909可在垂直於樣品移動方向之方向掃描樣品。舉例而言,探測光點1901至1909可如藉由箭頭1921至1929說明在 x方向掃描,同時樣品在y方向移動。在此類實施例中,初級小射束之掃描寬度可藉由在不導致藉由鄰接初級小射束掃描之區之間的過多重疊情況下每一初級小射束可掃描樣品之寬度(例如,探測光點1901之如藉由箭頭1921之長度所說明的移動跨度)來判定。儘管經旋轉小射束組態可支援連續掃描模式,但 x方向此相對較短之掃描寬度可限制系統產出率的改良,此係因為掃描型樣之額外耗用(例如,非掃描射束移動關於掃描射束移動之相對百分數)可為本質上高的。
在一些實施例中,探測光點至1901至1909可在平行於樣品移動方向之方向掃描樣品。舉例而言,探測光點1901至1909可如藉由箭頭1931至1939說明在 y方向移動,同時樣品亦在 y方向移動。在此類實施例中,初級小射束之掃描寬度不受初級小射束之組態(例如,間距或旋轉角)限制,此係因為增大掃描寬度將不產生藉由鄰接小射束掃描之區之間的任何重疊。且,增大之掃描寬度可改良系統產出率,此係因為掃描型樣之額外耗用可經顯著地減小。
儘管圖19說明其中九個探測光點1901至1909配置成3×3矩陣之初級小射束的組態,但應瞭解,本文中所揭示之原理可應用至任何數目個初級小射束及初級小射束之組態,諸如配置成3×2、4×4、5×5、3×5、8×5、20×20或任何大小矩陣組態的初級小射束。
現參考圖20A、圖20B、圖20C及圖20D,其為符合本發明之實施例的說明使用展示於圖19中之經旋轉初級小射束的例示性多射束掃描型樣。在一些實施例中,探測光點至1901至1909之掃描方向平行於樣品移動方向。在此類實施例中,每一探測光點掃描沿著樣品移動方向定位之複數個掃描區段。舉例而言,如圖20A中所示,第一列之掃描區段(例如,掃描區段2011、2021等)可藉由對應於探測光點1901之初級小射束來掃描。類似地,第二列之掃描區段(例如,掃描區段2012、2022等)可藉由對應於探測光點1902之初級小射束掃描。類似地,第三、第四、第五、第六、第七、第八及第九列之掃描區段可分別藉由探測光點1903、1904、1905、1906、1907、1908及1909來掃描。
在一些實施例中,每一掃描區段運用光柵掃描型樣來掃描。舉例而言,在區段2011內,探測光點1901可經由掃描路線2071掃描一掃描線,繼之以返回至另一側之折回路線2072以開始掃描下一掃描線。此等步驟可經重複地執行,直至掃描區段之所有掃描線經掃描。儘管圖20A說明每一掃描區段內之光柵掃描型樣,但應瞭解,任何其他掃描方法可用以掃描每一掃描區段。舉例而言,在一些實施例中,探測光點1901可掃描且在相對方向折回,例如自右向左掃描且自左向右折回。
在一些實施例中,探測光點1901至1909可首先掃描第一組掃描區段(例如,掃描區段2011、2012、2013、...、2019)。在掃描第一組掃描區段完成之後,探測光點1901至1909可經重新定位以準備好以掃描第二組掃描區段(例如,掃描區段2021、2022、2023、...、2029)。如圖20B中所示,初級小射束之重新定位可涉及將每一探測光點自第一組之掃描結束之點移動至第二組之掃描將開始的點,如箭頭2081、2082、2083、...、2089所說明。在重新定位之後,探測光點1901至1909可開始掃描第二組之掃描區段。在一些實施例中,掃描及重新定位步驟可重複,直至所關注之整個樣品區域經掃描並檢測。儘管圖20B說明第一組之掃描在遠右隅角處結束,但應瞭解,掃描之端點可取決於所使用之各種掃描型樣而不同。舉例而言,如先前章節中所描述,若相對方向用於掃描及折回(例如,自右向左掃描且自左向右折回),則第一組之掃描可在遠左隅角處結束。在此狀況下,重新定位距離可較短。
為了避免可在初級小射束之重新定位期間引入之鄰接掃描區段(例如,掃描區段2011與2021)之間的掃描資料中之任何間隙,鄰接掃描區段可部分重疊。舉例而言,如圖20C中所示,掃描區段2011及2021可部分重疊,藉此產生重疊區2091。類似地,掃描區段2012及2022可產生重疊區2092。此等重疊區可經掃描兩次或兩次以上。舉例而言,重疊區2091可在掃描區段2011之掃描期間經第一次掃描,且接著在掃描區段2021之掃描期間經第二次掃描。控制器(例如,圖2之控制器50)可收集掃描資料,包括來自每一重疊區之多個掃描資料;及處理掃描資料以產生樣品之連續影像以供檢測。
在一些實施例中,在固持樣品之載物台正以恆定速度連續地移動同時,掃描及重新定位步驟可發生。在此類實施例中,探測光點之移動可經調整以適應載物台之連續移動。舉例而言,圖20D說明在掃描於樣品正在y方向連續地移動同時發生時,探測光點1901相對於多射束檢測工具之固定位置隨時間的移動。在此等情形下,用於掃描步驟之小射束路線(例如,掃描路線2071)及折回步驟的小射束路線(例如,折回路線2072)可經調整以適應載物台的移動。舉例而言,掃描路線2071可經延伸,此係因為樣品亦在同一方向移動。折回路線2072可經縮短,此係因為樣品例如在探測光點1901折回至左側的時間正相對於折回方向的相對方向移動,樣品可能已經進一步向右移動。
如關於較早實施例所描述,在一些實施例中,控制器可控制初級小射束及載物台之移動,使得初級小射束可僅重複移動之圖案。在控制器控制掃描、折回、重新定位及載物台移動之速度的情況下,探測光點1901可連續地重複如展示於圖20B中的移動圖案。
舉例而言,關於圖20D,在 T1處,探測光點1901定位於位置 A處以開始掃描掃描區段2011。在自 T1T2之時段期間,探測光點1901反覆執行掃描及折回,同時樣品正在y方向連續地移動,直至探測光點1901完成掃描區段之最後掃描線。在 T2處,探測光點1901在完成掃描掃描區段2011時到達位置B。在 T2T3之時段期間,探測光點1901正重新定位回至位置 A,同時樣品正在 y方向連續地移動。在 T3處,探測光點1901重新定位回至位置A。同時,在 T3,下一掃描區段(例如,掃描區段2021)在掃描區段2021之左上角中移動,且左上角(區段內之掃描開始之處)可與位置 A對準。因此,在此等情境下,探測光點1901可僅在位置 A與位置 B之間連續地重複移動圖案,如圖20D中所展示。在探測光點1901之此重複移動的情況下,對應列之掃描區段(例如,掃描區段2011、2021、2031等)可藉由探測光點1901連續地掃描。
儘管圖20A、圖20B及圖20C說明其中九個探測光點1901至1909配置成3×3矩陣之初級小射束的組態,但應瞭解,本文中所揭示之原理可應用至任何數目個初級小射束及初級小射束的組態,諸如配置成3×2、4×4、5×5、3×5、8×5、20×20或任何大小矩陣組態的初級小射束。
可使用以下條項進一步描述實施例: 1.        一種多射束工具,其包含: 一射束組態系統,其包括用於產生帶電粒子之一初級射束的一帶電粒子源、固持一樣品之一載物台,及經組態以將該初級射束分裂成一射束陣列的在該帶電粒子源與該載物台之間的一偏轉器系統, 其中該射束組態系統經組態以向一經旋轉射束組態提供一旋轉角,該旋轉角基於該射束陣列之一列中的射束之一數目來判定。 2.        如條項1之多射束工具,其中: 該射束陣列經安置而圍繞該多射束工具之一光軸;且 該經旋轉射束組態包括經組態以圍繞該光軸旋轉的該載物台。 3.        如條項1之多射束工具,其中: 該射束陣列經安置而圍繞該多射束工具之一光軸;且 該經旋轉射束組態包括經組態以圍繞該光軸旋轉該射束陣列的該偏轉器系統。 4.        如條項1至3中任一項之多射束工具,其中: 該多射束工具經組態以產生該樣品之一表面區域的一影像;且 該經旋轉射束組態使得該射束陣列能夠掃描大於該成像表面區域的一區域。 5.        如條項1至4中任一項所述之多射束工具,其中: 該載物台經組態以沿著一第一方向移動;及 跨越視野之射束陣列掃描包括該射束陣列沿著一第二方向掃描覆蓋該視野之一組掃描線。 6.        如條項5之多射束工具,其中該第二方向相對於該樣品大體上垂直於該第一方向。 7.        如條項5之多射束工具,其中該第二方向相對於該樣品大體上平行於該第一方向。 8.        如條項5至7中任一項之多射束工具,其中該組掃描線間隔開一定距離,該距離對應於藉由該多射束工具產生的一影像之一像素大小。 9.        如條項1至8中任一項之多射束工具,其中該射束組態系統進一步包括與該載物台耦接之一控制器,該控制器經組態以控制該載物台之移動。 10.      如條項1至9中任一項之多射束工具,其中該射束組態系統進一步包括與該偏轉器系統耦接之一控制器,該控制器經組態以控制該偏轉器系統以使該射束陣列偏轉。 11.      一種多射束工具,其包含: 一射束組態系統,其包括用於產生帶電粒子之一初級射束的一帶電粒子源、經組態以固持一樣品且經組態以在一第一方向移動之一載物台,及該帶電粒子源與該載物台之間的一偏轉器系統,該射束組態系統經組態以: 將該初級射束分裂成 n個射束,其中n為一整數且 n 2; 參看該第一方向使該 n個射束旋轉,使得該 n個射束沿著該第一方向間隔開; 使該 n個射束偏轉以同時i)遵循該載物台之移動,及ii)在該樣品之一表面上方掃描一或多組 n個掃描線。 12.      如條項11之多射束工具,其中 該一或多組 n個掃描線包括沿著該第一方向在一第一距離上散佈之一第一組 n個掃描線;且 該射束組態系統經進一步組態以: 在掃描了該第一組 n個掃描線之後,使該 n個射束沿著與該第一方向相對之一方向偏移達該第一距離;及 使該 n個射束偏轉以同時i)遵循該載物台之移動,及ii)在該樣品之該表面上方掃描一第二組 n個掃描線。 13.      如條項12之多射束工具,其中該第一組 n個掃描線及該第二組 n個掃描線大體上為平行線。 14.      如條項12及13中任一項之多射束工具,其中該第一組 n個掃描線及該第二組 n個掃描線中之每一者間隔開一定距離,該距離對應於藉由該多射束工具產生的一影像之一像素大小。 15.      如條項11至14中任一項之多射束工具,其中該一或多組 n個掃描線相對於該樣品係沿著大體上垂直於該第一方向的一第二方向。 16.      如條項11至14中任一項之多射束工具,其中該一或多組 n個掃描線相對於該樣品係沿著大體上平行於該第一方向的一第二方向。 17.      如條項11至16中任一項之多射束工具,其中: 該 n個射束經投影至該樣品之該表面且來自該表面上之 n個探測光點;及 該 n個射束遵循該載物台之該移動包括該 n個探測光點以與該載物台相同之一速度在該第一方向移動。 18.      如條項11至17中任一項之多射束工具,其中該載物台以一恆定速度移動。 19.      如條項11至18中任一項之多射束工具,其中該射束組態系統經組態以: 使該 n個射束旋轉一旋轉角,該旋轉角基於該 n個射束中一列中的射束之一數目來判定。 20.      如條項19之多射束工具,其中: 該 n個射束經安置而圍繞該多射束工具之一光軸;且 經組態以使該 n個射束旋轉之該射束組態系統包括該射束組態系統,該射束組態系統經組態以使該載物台圍繞該光軸旋轉。 21.      如條項19之多射束工具,其中: 該 n個射束經安置而圍繞該多射束工具之一光軸;且 經組態以使該 n個射束旋轉之該射束組態系統包括該偏轉器系統,該偏轉器系統經組態以圍繞該光軸旋轉該 n個射束。 22.      如條項11至21中任一項之多射束工具,其中該射束組態系統進一步包括與該載物台耦接之一控制器,該控制器經組態以控制該載物台之移動。 23.      如條項11至22中任一項之多射束工具,其中該射束組態系統進一步包括與該偏轉器系統耦接之一控制器,該控制器經組態以控制該 n個射束之該偏轉。 24.      一種多射束工具,其包含: 一射束組態系統,其包括經組態以產生帶電粒子之一初級射束的一帶電粒子源、經組態以固持一樣品且經組態以在一第一方向移動之一載物台,及經組態以將該初級射束分裂成一射束陣列之在該帶電粒子源與該載物台之間的一偏轉器系統, 其中該射束組態系統經組態以: 經由該偏轉器系統使該射束陣列偏轉以i)在該射束組態系統之一視野中掃描一第一組掃描線,及ii)在該第一組掃描線之該掃描期間遵循該載物台之移動,其中該第一組掃描線沿著該第一方向在一第一距離上散佈; 在掃描了該第一組掃描線之後,使該載物台在該第一方向移動該第一距離; 經由該偏轉器系統使該射束陣列偏轉以i)掃描該射束組態系統之該視野中之一第二組掃描線,及ii)在該第二組掃描線之該掃描期間遵循該載物台的移動,且 在該第一組掃描線及該第二組掃描線經掃描時,在該第一方向移動該載物台。 25.      如條項24之多射束工具,其中: 該射束陣列包括一第一射束;及 其中經由該偏轉器系統使該射束陣列偏轉以i)在該射束組態系統之一視野中掃描一第一組掃描線及ii)在該第一組掃描線之該掃描期間遵循該載物台之移動的該射束組態系統包括經組態以進行以下操作的該射束組態系統: 使該第一射束偏轉以同時i)遵循該載物台之移動,及ii)掃描一第一掃描線; 在掃描了該第一掃描線之後,沿著與該第一方向相對之一方向使該第一射束偏轉一預定距離;及 使該第一射束偏轉以同時i)遵循該載物台之該移動,及ii )掃描一第二掃描線。 26.      如條項24及25中任一項之多射束工具,其中該射束組態系統經進一步組態以: 將該射束陣列投影於該樣品之一表面上以在該表面上形成一探測光點陣列, 其中該射束陣列遵循該載物台之該移動包括該探測光點陣列以與該載物台相同之一速度在該第一方向移動。 27.      如條項24至26中任一項之多射束工具,其中在該第一組掃描線及該第二組掃描線之掃描期間,該射束組態系統進一步經組態以使該載物台以一恆定速度在該第一方向移動。 28.      如條項24至27中任一項之多射束工具,其中該第一組掃描線及該第二組掃描線中之每一者間隔開一定距離,該距離對應於藉由該多射束工具產生的一影像之一像素大小。 29.      如條項24至28中任一項之多射束工具,其中該第一組掃描線及該第二組掃描線相對於該樣品係大體上垂直於該第一方向。 30.      如條項24至29中任一項之多射束工具,其中該第一組掃描線及該第二組掃描線大體上為平行線。 31.      如條項24至30中任一項之多射束工具,其中該射束組態系統進一步包括與該載物台耦接之一控制器,該控制器經組態以控制該載物台之移動。 32.      如條項24至31中任一項之多射束工具,其中該射束組態系統進一步包括與該偏轉器系統耦接之一控制器,該控制器經組態以控制該射束陣列的該偏轉。 33.      一種方法,其包含: 藉由一多射束工具產生帶電粒子之一初級射束; 藉由該多射束工具分裂該初級射束為一射束陣列;及 藉由該多射束工具使該射束陣列旋轉且相對於待掃描之該樣品旋轉達一旋轉角,該旋轉角係基於該射束陣列之一列中的射束之一數目判定。 34.      如條項33之方法,其中使該射束陣列相對於該樣品旋轉包含使該樣品圍繞該多射束工具之一光軸旋轉。 35.      如條項33之方法,其中使射束陣列相對於該樣品旋轉包含使該射束陣列圍繞該多射束工具之一光軸旋轉。 36.      如條項33至35中任一項之方法,其中使得該射束陣列相對於該樣品旋轉使得該射束陣列掃描一區域,該區域大於藉由該多射束工具成像之一樣品表面區域。 37.      如條項33至36中任一項之方法,其進一步包含: 藉由該多射束工具沿著一第一方向移動該樣品, 其中該射束陣列沿著一第二方向掃描覆蓋成像表面區域之一組掃描線。 38.      如條項37之方法,其中該第二方向相對於該樣品大體上垂直於該第一方向。 39.      如條項37之方法,其中該第二方向相對於該樣品大體上平行於該第一方向。 40.      如條項37至39中任一項之方法,其中該組掃描線間隔開對應於一影像之一像素大小的一距離,該影像藉由該多射束工具產生。 41.      一種方法,其包含: 藉由一多射束工具在一第一方向移動一樣品; 藉由該多射束工具產生帶電粒子之一初級射束; 藉由該多射束工具將該初級射束分裂成 n個射束,其中 n為一整數且 n≥2; 藉由該多射束工具參看該第一方向使該 n個射束旋轉,使得該 n個射束沿著該第一方向間隔開; 藉由該多射束工具使該 n個射束偏轉以同時i)遵循該樣品之移動,及ii)在該樣品之一表面上方掃描一或多組 n個掃描線。 42.      如條項41之方法,其中該一或多組 n個掃描線包括一第一組 n個掃描線,其沿著該第一方向在一第一距離上方散佈,該方法進一步包含: 在掃描了該第一組 n個掃描線之後,使該 n個射束沿著與該第一方向相對之一方向偏移達該距離;及 藉由該多射束工具使該n個射束偏轉以同時i)遵循該樣品之移動,及ii)在該樣品之該表面上方掃描一第二組 n個掃描線。 43.      如條項42之方法,其中該第一組 n個掃描線及該第二組 n個掃描線大體上為平行線。 44.      如條項42及43中任一項之方法,其中該第一組 n個掃描線及該第二組 n個掃描線中之每一者間隔開一定距離,該距離對應於藉由該多射束工具產生的一影像之一像素大小。 45.      如條項42至44中任一項之方法,其中該一或多組 n個掃描線相對於該樣品係沿著大體上垂直於該第一方向的一第二方向。 46.      如條項42至44中任一項之方法,其中該一或多組 n個掃描線相對於該樣品係沿著大體上平行於該第一方向的一第二方向。 47.      如條項45至46中任一項之方法,其中該第一組n個掃描線沿著該第二方向覆蓋該多射束工具之一視野。 48.      如條項42至47中任一項之方法,其中該 n個射束經投影至該樣品之該表面,且在該表面上形成 n個探測光點,該方法進一步包含: 使該 n個射束偏轉以允許該 n個探測光點以與該樣品相同之一速度在該第一方向移動。 49.      如條項42至48中任一項之方法,其中在該第一方向移動該樣品包含以一恆定速度在該第一方向移動該樣品。 50.      一種方法,其包含: 在一第一方向移動一樣品; 藉由一多射束工具產生帶電粒子之一初級射束; 藉由該多射束工具分裂該初級射束為一射束陣列; 藉由該多射束工具使該射束陣列偏轉以i)在該多射束工具之一視野中掃描一第一組掃描線,及ii)在該第一組掃描線之該掃描期間遵循該樣品之移動,其中該第一組掃描線沿著該第一方向在一第一距離上散佈; 在掃描了該第一組掃描線之後,藉由該多射束工具使該樣品在該第一方向移動該第一距離; 藉由該多射束工具偏轉該射束陣列以i)在多射束工具之該視野中掃描一第二組掃描線,及ii)在該第二組掃描線之該掃描期間遵循該樣品的移動;及 在該第一組掃描線及該第二組掃描線經掃描時,藉由該多射束工具在該第一方向移動該樣品。 51.      如條項50之方法,其中偏轉該射束陣列以i)在多射束工具之該視野中掃描該第一組掃描線及ii)在該第一組掃描線之該掃描期間遵循該樣品的移動包含: 偏轉該射束陣列中之一第一射束以同時i)遵循該樣品之該移動,及ii )掃描一第一掃描線; 在掃描了該第一掃描線之後,沿著與該第一方向相對之一方向使該第一射束偏轉一預定距離;及 使該第一射束偏轉以同時i)遵循該樣品之該移動,及ii )掃描一第二掃描線。 52.      如條項50及51中任一項之方法,其中使該射束陣列偏轉以遵循該樣品之該移動包含使該射束陣列偏轉以允許該樣品上藉由該射束陣列形成之一探測光點陣列以與該樣品相同之一速度在該第一方向移動。 53.      如條項50至52中任一項之方法,其進一步包含: 在該第一組掃描線及該第二組掃描線之掃描期間,以一恆定速度在該第一方向移動該樣品。 54.      如條項50至53中任一項之方法,其中該第一組掃描線及該第二組掃描線中之每一者間隔開一定距離,該距離對應於藉由該多射束工具產生的一影像之一像素大小。 55.      如條項50至54中任一項之方法,該第一組掃描線及該第二組掃描線相對於該樣品係大體上垂直於該第一方向。 56.      如條項50至55中任一項之方法,其中該第一組掃描線及該第二組掃描線大體上為平行線。 57.      一種儲存一指令集之非暫時性電腦可讀媒體,該指令集由耦接至一多射束工具之一控制器執行以使得該控制器執行包含以下操作之一方法: 指導該多射束工具之一射束組態系統以使帶電粒子射束之一陣列相對於待由該多射束工具掃描之一樣品旋轉達一旋轉角,該旋轉角基於該射束陣列中一列中的射束之一數目來判定, 其中該多射束工具產生帶電粒子之一初級射束並將該初級射束分裂成帶電粒子射束之陣列。 58.      如條項57之媒體,其中該帶電粒子射束陣列經安置而圍繞該多射束工具之一光軸,其中該指令集進一步使得該控制器執行; 指導該多射束系統之一樣品載物台以使該樣品圍繞該光軸旋轉。 59.      如條項57之媒體,其中該射束陣列經安置而圍繞該多射束工具之一光軸,其中該指令集進一步使得該控制器執行; 指導該射束組態系統以使該帶電粒子射束之陣列圍繞該光軸旋轉。 60.      如條項57至59中任一項之媒體,其中該指令集進一步使得該控制器執行: 控制該多射束工具以產生該樣品之一表面區域的一影像;及 指導該射束組態系統移動該帶電粒子射束陣列越過大於該成像表面區域的區域。 61.      如條項60之媒體,其中該指令集進一步使得該控制器執行: 指導該多射束工具之一樣品載物台沿著一第一方向移動該樣品;及 指導該射束組態系統移動該帶點粒子射束陣列以沿著一第二方向掃描覆蓋該視野之一組掃描線。 62.      如條項61之媒體,其中該第二方向相對於該樣品大體上垂直於該第一方向。 63.      如條項61之媒體,其中該第二方向相對於該樣品大體上平行於該第一方向。 64.      如條項61至63中任一項之媒體,其中該組掃描線間隔開對應於一影像之一像素大小的一距離,該影像藉由該多射束工具產生。 65.      一種儲存一指令集之非暫時性電腦可讀媒體,該指令集由耦接至一多射束工具之一控制器執行以使得該控制器執行包含以下操作之一方法: 指導該多射束工具之一樣品載物台以在一第一方向移動一樣品,該多射束工具產生帶電粒子之一初級射束且將該初級射束分裂成 n個射束,其中 n為一整數且 n≥2; 指導該多射束工具之一射束組態系統以參看該第一方向使該 n個射束旋轉,使得該 n個射束沿著該第一方向間隔開; 指導該射束組態系統以使該 n個射束偏轉以同時i)遵循該樣品之移動,及ii)在該樣品之一表面上方掃描一或多組 n個掃描線。 66.      如條項65之媒體,其中該一或多組 n個掃描線包括沿著該第一方向在一第一距離上方散佈的一第一組n個掃描線,其中該指令集使得該控制器執行: 在掃描了該第一組 n個掃描線之後,指導該射束組態系統以沿著與該第一方向相對之一方向偏移該 n個射束達該距離;及 指導該射束組態系統以使該 n個射束偏轉以同時i)遵循該樣品之該移動,及ii)在該樣品之該表面上方掃描一第二組 n個掃描線。 67.      如條項66之媒體,其中該第一組 n個掃描線及該第二組 n個掃描線大體上為平行線。 68.      如條項66及67中任一項之媒體,其中該第一組 n個掃描線及該第二組 n個掃描線中之每一者間隔開對應於一影像之一像素大小的一距離,該影像藉由該多射束工具產生。 69.      如條項65至68中任一項之媒體,其中該指令集進一步使得該控制器執行: 指導該射束組態系統以沿著大體上垂直於該第一方向之一第二方向相對於該樣品移動該一或多組n個掃描線。 70.      如條項65至68中任一項之媒體,其中該指令集進一步使得該控制器執行: 指導該射束組態系統以沿著大體上平行於該第一方向之一第二方向相對於該樣品移動該一或多組 n個掃描線。 71.      如條項69及70中任一項之媒體,其中該第一組 n個掃描線沿著該第二方向覆蓋該多射束工具之一視野。 72.      如條項65至71中任一項之媒體,其中該 n個射束經投影至該樣品之該表面,且在該表面上形成 n個探測光點,其中該指令集進一步使得該控制器執行: 指導該射束組態系統以使該 n個射束偏轉以允許 n個探測光點以與該樣品相同之一速度在該第一方向移動。 73.      如條項65至72中任一項之媒體,其中該指令集進一步使得該控制器執行: 指導該樣品載物台而以一恆定速度在該第一方向移動該樣品。 74.      一種儲存一指令集之非暫時性電腦可讀媒體,該指令集由耦接至一多射束工具之一控制器執行以使得該控制器執行包含以下操作之一方法: 指導該多射束工具之一樣品載物台以在一第一方向移動一樣品,該多射束工具產生帶電粒子之一初級射束及將該初級射束分裂成一射束陣列; 指導該多射束工具之一射束組態系統以使該射束陣列偏轉以i)掃描該多射束工具之一視野中的一第一組掃描線,及ii)在該第一組掃描線之該掃描期間遵循該樣品的移動,其中該第一組掃描線沿著該第一方向在一第一距離上散佈; 在掃描了該第一組掃描線之後,指導該樣品固持器以在該第一方向移動該樣品達該第一距離; 指導該射束組態系統以使該射束陣列偏轉以i)在多射束工具之該視野中掃描一第二組掃描線,及ii)在該第二組掃描線之該掃描期間遵循該樣品的移動;及 指導該樣品固持器以在該第一組掃描線及該第二組掃描線經掃描時在該第一方向移動該樣品。 75.      如條項74之媒體,其中該射束陣列包括一第一射束,其中該指令集進一步使得該控制器指導該射束組態系統進行以下操作: 使該第一射束偏轉以同時i)遵循該樣品之移動,及ii)掃描一第一掃描線; 在掃描了該第一掃描線之後,沿著與該第一方向相對之一方向使該第一射束偏轉一預定距離;及 使該第一射束偏轉以同時i)遵循該樣品之該移動,及ii )掃描一第二掃描線。 76.      如條項74及75中任一項之媒體,其中該射束陣列經投影至該樣品之該表面,且在該表面上形成探測光點陣列,其中該指令集進一步使得該控制器進一步執行: 指導該射束組態系統以使該射束陣列偏轉以允許探測光點陣列而以與該樣品相同之一速度在該第一方向移動。 77.      如條項74至76中任一項之媒體,其中該指令集進一步使得該控制器執行: 在該第一組掃描線及該第二組掃描線之該掃描期間,指導該樣品載物台以一恆定速度在該第一方向移動該樣品。 78.      如條項74至77中任一項之媒體,其中該第一組掃描線及該第二組掃描線中之每一者間隔開對應於一影像之一像素大小的一距離,該影像藉由該多射束工具產生。 79.      如條項74至78中任一項之媒體,其中該第一組掃描線及該第二組掃描線相對於該樣品係大體上垂直於該第一方向。 80.      如條項74至79中任一項之媒體,其中該第一組掃描線及該第二組掃描線大體上為平行線。 81.      一種使用 N個帶電粒子射束掃描一樣品之一區域的方法,其中 N為大於或等於二之一整數,且其中該樣品之該區域包含 N個連續掃描線之複數個掃描區段,該方法包含: 在一第一方向移動該樣品之一位置; 運用該 N個帶電粒子射束之一第一帶電粒子射束掃描該複數個掃描區段中之至少一些掃描區段的第一掃描線,從而朝向該第一帶電粒子射束之一探測光點移動;及 運用該 N個帶電粒子射束之一第二帶電粒子射束掃描該複數個掃描區段中之至少一些掃描區段的第二掃描線,從而朝向該第二帶電粒子射束之一探測光點移動。 82.      如條項81之方法,其中在該第一方向移動該樣品之該位置包含以一第一速度恆定地移動該樣品之該位置。 83.      如條項81及82中任一項之方法,其中該等掃描線垂直於該第一方向定位。 84.      如條項81及82中任一項之方法,其中該等掃描線遠離該第一方向傾斜以適應該樣品在該第一方向之位置的移動。 85.      如條項81至84中任一項之方法,其中該複數個掃描區段之該等第一掃描線平行於該複數個掃描區段之該等第二掃描線定位。 86.      如條項81至85中任一項之方法,其進一步包含: 使該 N個帶電粒子射束偏轉以使該N個帶電粒子射束之該等探測光點在一第二方向自各別起始位置移動至各別結束位置以遵循該樣品之移動,同時掃描一組掃描線。 87.      如條項86之方法,其進一步包含: 使該 N個帶電粒子射束偏轉以在掃描下一組掃描線之準備期間在一第三方向將該 N個帶點粒子射束之該等探測光點自該各別結束位置移動至該各別開始位置以重新定位該等探測光點回至該等各別起始位置。 88.      如條項81至87中任一項之方法,其中該第二方向與該第二方向實質上相對。 89.      如條項86至88中任一項之方法,其中: 使該 N個帶電粒子射束偏轉以在該第二方向移動該 N個帶電粒子射束之該等探測光點包含使該 N個帶電粒子射束偏轉而以一第二速度在該第二方向移動該 N個帶電粒子射束之該等探測光點;及 使該 N個帶電粒子射束偏轉以在該第三方向移動該 N個帶電粒子射束之該等探測光點包含使該 N個帶電粒子射束偏轉而以一第三速度在該第三方向移動該 N個帶電粒子射束的該等探測光點。 90.      如條項89之方法,其中該第二速度及該第三速度相同。 91.      如條項82至90中任一項之方法,其中該第一速度係與掃描區段之一大小相關聯。 92.      如條項82至90中任一項之方法,其中該第一速度基於該掃描線之一長度、該第二速度及該第三速度而判定。 93.      如條項81至92中任一項之方法,其中該樣品包括一晶圓或一光罩。 94.      一種儲存一指令集之非暫時性電腦可讀媒體,該指令集藉由一帶電粒子射束系統之一或多個處理器執行以使得該帶電粒子射束系統執行一方法,其中一帶電粒子射束源用以按一時間序列遞送 N個帶電粒子射束至一樣品之一表面,該方法包含: 在一第一方向移動該樣品之一位置; 運用該 N個帶電粒子射束之一第一帶電粒子射束掃描該複數個掃描區段中之至少一些掃描區段的第一掃描線,從而朝向該第一帶電粒子射束之一探測光點移動;及 運用該 N個帶電粒子射束之一第二帶電粒子射束掃描該複數個掃描區段中之至少一些掃描區段的第二掃描線,從而朝向該第二帶電粒子射束之一探測光點移動。 95.      如條項94之電腦可讀媒體,其中在該第一方向移動該樣品之該位置包含以一第一速度恆定地移動該樣品之該位置。 96.      如條項94及95中任一項之電腦可讀媒體,其中該等掃描線大體上垂直於該第一方向而定位。 97.      如條項94至96中任一項之電腦可讀媒體,其中該複數個掃描區段之該等第一掃描線大體上平行於該複數個掃描區段之該等第二掃描線定位。 98.      如條項94至97中任一項之電腦可讀媒體,其中藉由該一或多個處理器執行之該指令集使得該控制器進一步執行: 使該 N個帶電粒子射束偏轉以使該 N個帶電粒子射束之該等探測光點在一第二方向自各別起始位置移動至各別結束位置以遵循該樣品之移動,同時掃描一組掃描線。 99.      如條項98之電腦可讀媒體,其中該指令集可由該一或多個處理器執行以使得該控制器進一步執行: 使該 N個帶電粒子射束偏轉以在掃描下一組掃描線之準備期間在一第三方向將該 N個帶點粒子射束之該等探測光點自該各別結束位置移動至該各別開始位置以重新定位該等探測光點回至該等各別起始位置。 100.   如條項94至99中任一項之電腦可讀媒體,其中該第二方向與該第三方向大體上相反。 101.   如條項98至100中任一項之電腦可讀媒體,其中: 使該 N個帶電粒子射束偏轉以在該第二方向移動該 N個帶電粒子射束之該等探測光點包含使該 N個帶電粒子射束偏轉而以一第二速度在該第二方向移動該 N個帶電粒子射束之該等探測光點;及 使該 N個帶電粒子射束偏轉以在該第三方向移動該 N個帶電粒子射束之該等探測光點包含使該 N個帶電粒子射束偏轉而以一第三速度在該第三方向移動該 N個帶電粒子射束的該等探測光點。 102.   如條項101之電腦可讀媒體,其中該第二速度及該第三速度大體上相同。 103.   如條項95至102中任一項之電腦可讀媒體,其中該第一速度係與掃描區段之一大小相關聯。 104.   如條項95至102中任一項之電腦可讀媒體,其中該第一速度基於該掃描線之一長度、該第二速度及該第三速度來判定。 105.   一種藉由利用至少 N個帶電粒子射束之一多射束檢測系統掃描一樣品之方法, N為大於或等於二之一整數,該方法包含: 定位該 N個帶電粒子射束以使得該 N個帶電粒子射束中之每一射束掃描一第一組 N個鄰接掃描線中的一不同掃描線; 在一樣品正在第一方向以一第一速度移動同時,利用該 N個帶電粒子射束來掃描該樣品之該第一組 N個鄰接掃描線; 相對於該第一組N個鄰接掃描線之掃描的起始重新定位該N個帶電粒子射束,以使得該N個帶電粒子射束之每一射束能夠掃描一第二組鄰接掃描線中的一不同掃描線;及 在該樣品在該第一方向以該第一速度移動同時,利用該 N個帶電粒子射束掃描同一樣品之該第二組 N個鄰接掃描線。 106.   如條項105之方法,其中該多射束檢測系統利用 N×M個帶電粒子射束,且其中 M為大於或等於一之一整數。 107.   如條項106之方法,其中該 N×M個帶電粒子射束形成電荷粒子射束之一 N×M陣列,其中 M為大於或等於二之一整數,且其中該 N個帶電粒子射束係帶電粒子射束之該 N×M陣列之 N個帶電粒子射束的一第一線性配置。 108.   如條項107之方法,其中 M等於 N。 109.   如條項107之方法,其中一第二組 N個帶電粒子射束為帶電粒子射束之該 N×M陣列之 N個帶電粒子射束的一第二線性配置,該方法進一步包含: 定位 N個帶電粒子射束之該第二線性配置以使得 N個帶電粒子射束之該第二線性配置的每一射束能夠掃描一第三組 N個鄰接掃描線中的一不同掃描線; 在該樣品正於該第一方向以該第一速度移動同時,利用該第二組 N個帶電粒子射束掃描該樣品之該第三組 N個鄰接掃描線; 相對於該第三組 N個鄰接掃描線之該掃描的起始重新定位 N個帶電粒子射束之該第二線性配置以使得 N個帶電粒子射束之該第二線性配置的每一射束能夠掃描一第四組鄰接掃描線的一不同掃描線;及 在該樣品於該第一方向正以該第一速度移動同時,利用該第二組 N個帶電粒子射束掃描該樣品之該第四組 N個鄰接掃描線。 110.   如條項109之方法,其中該第一組之該掃描與該第三組之該掃描一致,且其中該第二組之該掃描與該第四組之該掃描一致。 111.   如條項110之方法,其中該第一組之該掃描與該第三組之該掃描大體上同時發生,且其中該第二組之該掃描與該第四組之該掃描大體上同時發生。 112.   如條項105之方法,其中該N個帶電粒子射束之該定位在該第一組之該掃描之前發生,其中該第一組之該掃描在該重新定位之前發生,其中該重新定位在該第二組之該掃描之前發生,且其中該樣品在該第一組之該掃描開始之一時間至該第二組之該掃描結束之一時間正以大體上該第一速度連續地移動。 113.   如條項105之方法,其進一步包含: 相對於該第二組 N個鄰接掃描線之掃描的起始重新定位該 N個帶電粒子射束,以使得該 N個帶電粒子射束之每一射束掃描一第三組鄰接掃描線中的一不同掃描線;及 在該樣品正於該第一方向以該第一速度移動同時,利用該 N個帶電粒子射束掃描該樣品之該第三組 N個鄰接掃描線, 其中該樣品自該第一組之該掃描開始之一時間至該第三組之該掃描開始的一時間正以大體上該第一速度連續地移動, 其中該第一方向大體上平行於該樣品之一y軸,且相對於該樣品在該第一方向的移動為使該y軸之y座標值增大的一方向之移動, 其中該第一組之一起始末端處的一掃描線定位於該樣品之大於該第一組之所有其他掃描線以及第二組及第三組之掃描線之y座標的y座標處, 其中該第三組之一起始末端處的一掃描線定位於該樣品之小於該第一組及該第三組之所有掃描線之y座標以及大於該第三組之所有其他掃描線之y座標的y座標處,且 其中該樣品自該第一組之該掃描開始之一時間至該第三組之該掃描開始之一時間相對於該多射束檢測系統之一固定點行進的一距離大體上等於沿著y軸自該第一組之該起始末端(start end)處的掃描線至該第三組之該起始之掃描線的一距離。 114.   如條項113之方法, 其中該 N個帶電粒子射束之該定位在該第一組之該掃描之前發生,其中該第一組之該掃描在啟用該第二組之該掃描的該重新定位之前發生,其中啟用該第二組之該掃描的該重新定位在該第二組之該掃描之前發生,其中該第二組之該掃描在啟用該第三組之該掃描的該重新定位之前發生,且其中啟用該第二組之該掃描的該重新定位在該第三組之該掃描之前發生。 115.   一種藉由利用帶電粒子射束之 N×M陣列之一多射束檢測系統掃描定位於一載物台上之一樣品的方法, NM各自為大於或等於二之一整數,該方法包含: 定位帶電粒子射束之該 N×M陣列以使得帶電粒子射束之 N×M陣列在一第一組位置處之每一射束能夠掃描該樣品之一第一組 N M 掃描區段中之一不同掃描區段; 在該載物台正在第一方向以一第一速度移動同時,利用帶電粒子射束之該 N×M陣列掃描該樣品之該第一組 N M個掃描區段中之至少一些掃描區段的掃描線; 相對於該第一組N乘M個掃描區段之掃描的起始重新定位帶電粒子射束之該N×M陣列以使得帶電粒子射束之該N×M陣列在一第二組位置處之每一射束能夠掃描該樣品之一第二組N乘M個掃描區段中的一不同掃描區段;及 在載物台正在該第一方向以該第一速度移動時,利用帶電粒子射束之該N×M陣列掃描該樣品之該第二組N乘M個掃描區段中之至少一些掃描區段的掃描線。 116.   如條項115之方法,其中該等掃描線大體上平行於該第一方向定位。 117.   如條項115及116中任一項之方法,其進一步包含: 在掃描該等掃描線同時使帶電粒子射束之該 N×M陣列適應該載物台之移動。 118.   如條項115至117中任一項之方法,其中在該載物台正在該第一方向以該第一速度移動同時重新定位帶電粒子射束之該 N×M陣列發生。 119.   如條項118之方法,其進一步包含: 在重新定位帶電粒子射束之該 N×M陣列同時,使帶電粒子射束之該 N×M陣列偏轉以適應該載物台的移動。 120.   如條項115至119中任一項之方法,其中帶電粒子射束之該N×M陣列的該第一組位置及該第二組位置相對於該多射束檢測系統之一固定點的對應位置大體上相同。 121.   如條項115至120中任一項之方法,其進一步包含: 使帶電粒子射束之該N×M陣列圍繞該多射束檢測系統之一光軸旋轉。 122.   如條項115至120中任一項之方法,其進一步包含: 使該載物台圍繞該多射束檢測系統之一光軸旋轉。 123.   如條項115至122中任一項之方法,其中: 該樣品之該第一組 N×M掃描區段中的一掃描區段與該樣品之該第二組 N×M掃描區段之一掃描區段部分重疊以產生一重疊區段。 124.   如條項123之方法,其中該重疊區經掃描多次。 125.   如條項124之方法,其中該重疊區在該樣品之該第一組 N×M掃描區段經掃描時進行第一次掃描,且該重疊區在該樣品之該第二組 N×M掃描區段經掃描時進行第二次掃描。 126.   如條項125之方法,其進一步包含: 在掃描該樣品之該第一組 N×M掃描區段同時,獲取該重疊區之一第一經掃描資料; 在掃描該樣品之該第二組 N×M掃描區段同時,獲取該重疊區之一第二經掃描資料;及 處理該重疊區之該第一經掃描資料及該第二經掃描資料以產生該樣品之一連續影像。 127.   如條項115至126中任一項之方法,其進一步包含: 藉由與該載物台耦接之一控制器控制該載物台的一移動。 128.   如條項115至127中任一項之方法,其中M等於N。
應瞭解,多射束電子射束工具可使用軟體來執行上述功能性。舉例而言,多射束電子射束工具可控制機動樣品載物台以在掃描處於進展中同時移動樣品。又,多射束電子射束工具可控制初級小射束並使其偏轉以在樣品恆定地移動同時沿著掃描線移動探測光點。此外,多射束電子射束工具可執行影像處理以產生所接收次級電子射束的射束點影像。可將軟體儲存於非暫時性電腦可讀媒體上。常見形式之非暫時性媒體包括例如:軟碟、可撓性磁碟、硬碟、固態磁碟機、磁帶或任何其他磁性資料儲存媒體;CD-ROM;任何其他光學資料儲存媒體;具有孔圖案之任何實體媒體;RAM、PROM及EPROM;雲端儲存器;FLASH-EPROM或任何其他快閃記憶體;NVRAM;快取記憶體;暫存器;任何其他記憶體晶片或卡匣;及其網路化版本。
儘管已關於所揭示實施例之較佳實施例解釋了所揭示實施例,但應理解,可在不背離主題之如下文所主張之精神及範疇的情況下作出其他修改及變化。
10:主腔室 20:裝載鎖定腔室 30:裝備前端模組(EFEM) 30a:第一裝載埠 30b:第二裝載埠 40:多波束電子束工具/裝置/電子射束工具 50:控制器 81:移動軌跡 82:移動軌跡 83:移動軌跡 84:移動軌跡 100:例示性帶電粒子束檢測系統 171~179:初級小射束 181~189:初級小射束 201:電子源 202:初級電子射束 203:初級射束交越 204:主光軸 207:樣品固持器 208:樣品 209:機動載物台 210:聚光器透鏡 211:初級小射束 212:初級小射束 213:初級小射束 220:源轉換單元 221:探測光點 222:探測光點 223:探測光點 230:初級投影光學系統 231:物鏡 232:偏轉掃描單元 233:射束分離器 240:電子偵測器件 241:偵測元件 242:偵測元件 243:偵測元件 250:次級投影系統 251:次光軸 261:次級電子射束 262:次級電子射束 263:次級電子射束 271:槍孔徑板 300:待檢測區域 301A:子區 301B:子區 301C:子區 302A:子區 302B:子區 302C:子區 303A:子區 303B:子區 303C:子區 304A:子區 304B:子區 304C:子區 310A:探測光點 310B:探測光點 310C:探測光點 310D:探測光點 400~435:掃描線 451:探測光點 452:探測光點 453:探測光點 460:掃描區域 471:掃描區段 472:掃描區段 473:掃描區段 490:緩衝區域 500~535:掃描線 551:探測光點 552:探測光點 553:探測光點 560:掃描區域 571:掃描區段 572:掃描區段 573:掃描區段 574:掃描區段 590:緩衝區域 601~609:探測光點 660A:第一掃描區域 660B:第二掃描區域 660C:第三掃描區域 671:掃描區段 672:掃描區段 673:掃描區段 674:掃描區段 675:掃描區段 690:緩衝區域 710:步驟 720:步驟 730:步驟 740:步驟 800:區/區域 810A:探測光點 810B:探測光點 810C:探測光點 810D:探測光點 1000:多射束掃描方法 1010:步驟 1020:步驟 1030:步驟 1040:步驟 1400:多射束交錯掃描方法 1410:步驟 1420:步驟 1430:步驟 1440:步驟 1600:方法 1610:步驟 1620:步驟 1630:步驟 1640:步驟 1901~1909:探測光點 1921至1929:箭頭 1931至1939:箭頭 2011~2019:掃描區段 2021~2029:掃描區段 2031:掃描區段 2071:掃描路線 2072:折回路線 2081~2089:箭頭 2091:重疊區 2092:重疊區 2093:重疊區 A:位置 B:位置 D:射束距離 K:長度 L:長度 S:間距/間距大小 T1:時段 T2:時段 T3:時段 T4:時段 T5:時段 T6:時段 T7:時段 T8:時段 W:直徑/寬度 φ:旋轉角
本發明之上述及其他態樣自結合附圖進行的例示性實施例之描述將變得更顯而易見。
圖1為符合本發明之實施例的說明例示性帶電粒子射束檢測系統之示意圖。
圖2為符合本發明之實施例的說明例示性電子射束工具之示意圖。
圖3A及圖3B示意性地展示使用多重帶電粒子射束檢測樣品。
圖3C及圖3D示意性地展示圖3A及圖3B中之探測光點中之一者在時段 T1 T2T3中之一者期間相對於樣品之移動。
圖4A及圖4B示意性地展示符合本發明之實施例的使用多重帶電粒子射束檢測樣品。
圖5A及圖5B示意性地展示符合本發明之實施例的使用多重帶電粒子射束檢測樣品。
圖6示意性地展示符合本發明之實施例的使用多重帶電粒子射束檢測樣品。
圖7為符合本發明之實施例的說明例示性多射束掃描方法之步驟的流程圖。
圖8A為符合本發明之實施例的說明在初級小射束圍繞展示於圖1中之電子射束檢測系統之光軸旋轉之前及之後多個初級小射束在樣品之表面上的分佈之示意圖。
圖8B為符合本發明之實施例的說明在初級小射束圍繞展示於圖1中之電子射束檢測系統之光軸的旋轉之前及之後多個初級小射束在樣品之表面上之掃描型樣的示意圖。
圖9為符合本發明之實施例的說明用於選擇展示於圖8A及圖8B中之初級小射束之旋轉角之製程的示意圖。
圖10為符合本發明之實施例的多射束掃描方法之流程圖。
圖11為符合本發明之實施例的說明多射束交錯掃描型樣的示意圖。
圖12為符合本發明之實施例的說明交錯掃描期間多個探測光點相對於樣品之移動軌跡的示意圖。
圖13為符合本發明之實施例的說明多射束交錯掃描型樣的示意圖。
圖14為符合本發明之實施例的多射束交錯掃描方法的流程圖。
圖15為符合本發明之實施例的說明多射束準交錯掃描型樣的示意圖。
圖16為符合本發明之實施例的多射束準交錯掃描方法之流程圖。
圖17為符合本發明之實施例的說明在射束再佈置之前及之後多個初級小射束在樣品之表面上之分佈的示意圖。
圖18為符合本發明之實施例的說明處於「連續掃描」模式之多射束掃描型樣的示意圖。
圖19為符合本發明之實施例的說明使用一組經旋轉初級小射束之例示性掃描型樣的示意圖。
圖20A、圖20B、圖20C及圖20D為符合本發明之實施例的說明使用展示於圖19中之經旋轉初級小射束之例示性多射束掃描型樣的示意圖。
400~435:掃描線
451:探測光點
452:探測光點
453:探測光點
460:掃描區域
471:掃描區段
472:掃描區段
473:掃描區段
490:緩衝區域
K:長度
T1:時段
T2:時段
T3:時段
T4:時段
T5:時段
T6:時段

Claims (15)

  1. 一種多射束工具,其包含: 一射束組態系統(beam configuration system),其包括用於產生帶電粒子之一初級(primary)射束的一帶電粒子源、經組態以固持一樣品之一載物台,及經組態以將該初級射束分裂成一射束陣列的一偏轉器(deflector)系統,該一偏轉器系統在該帶電粒子源與該載物台之間, 其中該射束組態系統經組態以向一經旋轉射束組態提供一旋轉角,該旋轉角基於該射束陣列之一列(row)中的射束之一數目來判定,及偏轉該射束陣列以同時i)遵循(follow)該載物台之移動,及ii)在該樣品之一表面上方掃描一或多組掃描線。
  2. 如請求項1之多射束工具,其中: 該射束陣列經安置而圍繞該多射束工具之一光軸;且 該經旋轉射束組態包括經組態以圍繞該光軸旋轉的該載物台。
  3. 如請求項1之多射束工具,其中: 該射束陣列經安置而圍繞該多射束工具之一光軸;且 該經旋轉射束組態包括經組態以圍繞該光軸旋轉該射束陣列的該偏轉器系統。
  4. 如請求項1之多射束工具,其中: 該多射束工具經組態以產生該樣品之一表面區域的一影像;且 該經旋轉射束組態使得該射束陣列能夠掃描大於該樣品之該表面區域的一區域。
  5. 如請求項1之多射束工具,其中: 該載物台經組態以沿著一第一方向移動;及 跨越視野之射束陣列掃描包括該射束陣列沿著一第二方向掃描覆蓋該視野之一組掃描線。
  6. 如請求項5之多射束工具,其中該第二方向相對於該樣品大體上垂直於該第一方向。
  7. 如請求項5之多射束工具,其中該第二方向相對於該樣品大體上平行於該第一方向。
  8. 如請求項5之多射束工具,其中該組掃描線間隔開一定距離,該距離對應於藉由該多射束工具產生的一影像之一像素大小。
  9. 如請求項1之多射束工具,其中該射束組態系統進一步包括與該載物台耦接之一控制器,該控制器經組態以控制該載物台的移動。
  10. 如請求項1之多射束工具,其中該射束組態系統進一步包括與該偏轉器系統耦接之一控制器,該控制器經組態以控制該偏轉器系統以使該射束陣列偏轉。
  11. 一種用於檢測一樣品之方法,其包含: 藉由一多射束工具產生帶電粒子之一初級射束; 藉由該多射束工具分裂該初級射束為一射束陣列; 藉由該多射束工具使得該射束陣列相對於待掃描之樣品具有一經旋轉定向(orientation)達一旋轉角,該旋轉角係基於該射束陣列之一列中的射束之一數目來判定;及 偏轉該射束陣列以同時i)遵循該載物台之移動,及ii)在該樣品之一表面上方掃描一或多組掃描線。
  12. 如請求項11之方法,其中使得該射束陣列相對於該樣品具有一經旋轉定向包含:使該樣品圍繞該多射束工具之一光軸旋轉。
  13. 如請求項11之方法,其中使得該射束陣列相對於該樣品具有一經旋轉定向包含:使該射束陣列圍繞該多射束工具之一光軸旋轉。
  14. 如請求項11之方法,其中使得該射束陣列相對於該樣品具有一旋轉定向使得該射束陣列掃描一區域,該區域大於藉由該多射束工具成像之一樣品表面區域。
  15. 如請求項11之方法,其進一步包含: 藉由該多射束工具沿著一第一方向移動該樣品, 其中該射束陣列沿著一第二方向掃描覆蓋成像表面區域之一組掃描線。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI774157B (zh) * 2019-12-27 2022-08-11 日商紐富來科技股份有限公司 帶電粒子束檢查裝置以及帶電粒子束檢查方法
EP3882951A1 (en) * 2020-03-19 2021-09-22 FEI Company Charged particle beam device for inspection of a specimen with a plurality of charged particle beamlets
TWI787794B (zh) * 2020-05-28 2022-12-21 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 多重射束帶電粒子顯微鏡或系統與其操作方法
KR20230118106A (ko) * 2020-12-14 2023-08-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전 입자의 다중 빔을 사용하여 샘플을 프로세싱하는 하전 입자 시스템, 방법
EP4086933A1 (en) * 2021-05-03 2022-11-09 ASML Netherlands B.V. Charged particle system, method of processing a sample using a multi-beam of charged particles
US12014895B2 (en) * 2020-12-22 2024-06-18 Kla Corporation Multi-beam electronics scan
EP4199033A1 (en) * 2021-12-20 2023-06-21 ASML Netherlands B.V. Method of processing a sample with a charged particle assessment system

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6946655B2 (en) 2001-11-07 2005-09-20 Applied Materials, Inc. Spot grid array electron imaging system
US7049586B2 (en) 2002-02-21 2006-05-23 Applied Material Israel, Ltd. Multi beam scanning with bright/dark field imaging
GB2408383B (en) * 2003-10-28 2006-05-10 Ims Nanofabrication Gmbh Pattern-definition device for maskless particle-beam exposure apparatus
US7468506B2 (en) 2005-01-26 2008-12-23 Applied Materials, Israel, Ltd. Spot grid array scanning system
US7468507B2 (en) 2005-01-26 2008-12-23 Applied Materials, Israel, Ltd. Optical spot grid array scanning system
US20090212213A1 (en) * 2005-03-03 2009-08-27 Ebara Corporation Projection electron beam apparatus and defect inspection system using the apparatus
JP2006278029A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Ebara Corp 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
JP4878501B2 (ja) 2006-05-25 2012-02-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線応用装置
JP5497980B2 (ja) * 2007-06-29 2014-05-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線応用装置、及び試料検査方法
US8351020B2 (en) 2008-11-26 2013-01-08 Micronic Laser Systems Image reading and writing using a complex two-dimensional interlace scheme
US8362425B2 (en) 2011-03-23 2013-01-29 Kla-Tencor Corporation Multiple-beam system for high-speed electron-beam inspection
US9257260B2 (en) * 2013-04-27 2016-02-09 Kla-Tencor Corporation Method and system for adaptively scanning a sample during electron beam inspection
JP2015023286A (ja) 2013-07-17 2015-02-02 アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー 複数のブランキングアレイを有するパターン画定装置
EP2879155B1 (en) 2013-12-02 2018-04-25 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Multi-beam system for high throughput EBI
US9864173B2 (en) 2015-04-21 2018-01-09 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for run-time alignment of a spot scanning wafer inspection system
JP6642092B2 (ja) * 2016-02-22 2020-02-05 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置及び検査方法
JP6781582B2 (ja) 2016-07-25 2020-11-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 電子ビーム検査装置及び電子ビーム検査方法
WO2018048843A1 (en) * 2016-09-08 2018-03-15 Corning Incorporated Optical inspection systems and methods for detecting surface defects in a transparent sheet
WO2018063325A1 (en) * 2016-09-30 2018-04-05 Intel Corporation Aperture array rotation to enhance ebeam process margin
US10347460B2 (en) * 2017-03-01 2019-07-09 Dongfang Jingyuan Electron Limited Patterned substrate imaging using multiple electron beams
US10504683B2 (en) * 2018-02-22 2019-12-10 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Device and method for forming a plurality of charged particle beamlets

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