TW202210862A

TW202210862A - 固態光學相位掃描構件

Info

Publication number: TW202210862A
Application number: TW109129754A
Authority: TW
Inventors: 劉浚年; 施天從
Original assignee: 國立中興大學
Priority date: 2020-08-31
Filing date: 2020-08-31
Publication date: 2022-03-16
Also published as: TWI737474B

Abstract

本發明關於一種固態光學相位掃描構件，包括：複數光學單元，各該光學單元包括一高介電層、及位於該高介電層二側之一第一電極及一第二電極，各該高介電層可在該第一及第二電極施加不同供電條件時具有不同之折射率；及一透鏡單元，位於面對該複數光學單元之一出光側，包括一入光面及一出光面，被配置成可將自該入光面入射之光束導射至該複數光學單元而改變該光束之路徑後由該出光面射出。

Description

固態光學相位掃描構件

本發明是有關於一種固態光學相位掃描構件，用於光達、全像術掃描及結構光掃描。

光達係一光偵測及測距感測器，其用光束來掃描待偵測目標並反射至光達模組所花的時間來量測待偵測目標的距離，其具有高可靠度、長使用壽命、尺寸小、重量輕、成本低等優點。

習知光達一般是設計為包括複數個點光源矩陣，再透過機械移動掃描構件來調整各別點光源之光束角度，因此機械移動掃描構件結構複雜、製程不易、成本高，且各別機械移動掃描構件之作動可能因製造或/及控制等誤差，存在精確度不足之疑慮。

因此，有必要提供一種新穎且具有進步性之固態光學相位掃描構件，以解決上述之問題。

本發明之主要目的在於提供一種固態光學相位掃描構件，可控制光束相位進而調製光束方向以進行掃描。

為達成上述目的，本發明提供一種固態光學相位掃描構件，包括：複數光學單元，各該光學單元包括一高介電層、及位於該高介電層二側之一第一電極及一第二電極，各該高介電層可在該第一及第二電極施加不同供電條件時具有不同之折射率；及一透鏡單元，位於面對該複數光學單元之一出光側，包括一入光面及一出光面，被配置成可將自該入光面入射之光束導射至該複數光學單元而改變該光束之路徑後由該出光面射出。

以下僅以實施例說明本發明可能之實施態樣，然並非用以限制本發明所欲保護之範疇，合先敘明。

請參考圖1至4，其顯示本發明之一較佳實施例，本發明之固態光學相位掃描構件1包括複數光學單元10及一透鏡單元20。

各該光學單元10包括一高介電層11、及位於該高介電層11二側之一第一電極12及一第二電極13，各該高介電層11可在該第一及第二電極12, 13施加不同供電條件時具有不同之折射率，該供電條件可為電壓、或其他能影響該高介電層11之折射率的供電條件，各該光學單元10可為反射式或穿透式；該透鏡單元20位於面對該複數光學單元10之一出光側14，該透鏡單元20包括一入光面21及一出光面22，該透鏡單元20被配置成可將自該入光面21入射之光束100導射至該複數光學單元10而改變該光束100之路徑後由該出光面22射出，該光束100可為紅外線光束或具有其他波長之光束。其中，該複數光學單元10之高介電層11可建構成可被單獨、分群、或全部一起控制其折射率之變化。藉此，可將單一光源透過不同供電條件簡單地改變該高介電層11之折射率，使光束之間產生相位差，以實現控制光束相位進而調製光束方向，以進行掃描。此外，該複數光學單元10之間的間距可造成各光束之間的光程差，因此再加上改變該高介電層11之折射率所造成之相位差，可達雙重的調校效果。

該複數光學單元10較佳呈矩陣排列，亦可依據需求成不同排列、組合。該高介電層11為碳化鈦層、氮化矽層、氮化鋁層、鈦酸鋇層、二氧化矽層或壓電陶瓷層，各該高介電層11可為單一層一體成型之高介電薄膜之一部分。該高介電層11之製程上，可使用單晶矽材料，其結構體積小、熱光係數大、調節相位較為容易；而使用氮化矽材料，其損耗小、加工誤差容忍度較大，有利相位的精確控制。該第一電極12位於該透鏡單元20與該高介電層11之間且為接地，該第一電極12為可透光之銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)或透明導電薄膜，該第一電極12之厚度較佳不大於100奈米而允許透光。各該第一電極12為單一層一體成型之金屬薄膜之一部分。各該光學單元10之第二電極13相互獨立地位於該高介電層11之遠離該透鏡單元20之一側，該第二電極13為不透光且包括設於一基層（較佳為不允許透光）上之銀(Ag)、銅(Cu)金(Au)或導電薄膜（其厚度較佳為不小於10奈米），該第二電極13之總厚度較佳不大於100奈米而不允許透光。選擇性地，該透鏡單元可直接結合於該高介電層11之一側或直接結合於該第一電極12之一側而成一體結構，無需另外配置獨立之透鏡單元。

在其他實施例中，該第二電極13可配置成面向該透鏡單元20，該第一電極12配置成位於該高介電層11之遠離該透鏡單元20之一側；該透鏡單元可直接結合於該高介電層之一側而成一體結構。

在本實施利中，各該光學單元10另包括一背層30，該背層30位於該高介電層11之遠離該透鏡單元20之一側。該背層30為藍寶石層，具有良好散熱、支撐及保護作用。各該背層30為單一層一體成型之藍寶石薄膜之一部分，該第二電極13位於與該高介電層11與該背層30之間。

該透鏡單元20包括矽(Si)稜鏡或二氧化矽(SiO₂ )透鏡，該透鏡亦可為球面或非球面鏡，依據不同需求，該透鏡單元20可包括單一或多數透鏡。在本實施利中，該透鏡單元20包括一個三稜鏡，該金屬薄膜設於該三稜鏡之其中一面，該入光面21及該出光面22分別設於該三稜鏡之其他二面。

機制上，當光束100入射時，可透過一控制單元40調控輸入不同的供電條件至該複數光學單元10之第一及第二電極12, 13，以使該複數光學單元10之高介電層11具有不同折射率，自該入光面21進入該透鏡單元20之光束100穿過該第一電極12後，射入該高介電層11並經該第二電極13反射並於該高介電層11折射後穿過該第一電極12而由該出光面22射出。具不同折射率之高介電層11使得自部分或全部光學單元10射出之光束100轉向且產生相位差，透過調控光束100之間的相位關係，可對指定方向產生相長干涉從而實現高強度具指向性光束（其它方向產生相消干涉而無光束輸出），因此可以將一束或多束高強度光束的照射方向使用供電條件控制實現空間中一維/二維/三維之掃描。該光束100較佳係於一光纖50內傳輸，且經過一準直器60後，射入該固態光學相位掃描構件1並投射至待掃描物，掃描後之反射光束例如可使用紅外光相機或其他光接收器接收，再經後端處理裝置取得掃描結果。

1:固態光學相位掃描構件 10:光學單元 11:高介電層 12:第一電極 13:第二電極 14:出光側 20:透鏡單元 21:入光面 22:出光面 30:背層 40:控制單元 50:光纖 60:準直器 100:光束

圖1為本發明一較佳實施例之固態光學相位掃描構件示意圖。圖2為本發明一較佳實施例之固態光學相位掃描構件立體圖。圖3為本發明一較佳實施例之固態光學相位掃描構件分解圖。圖4為本發明一較佳實施例之作用示意圖。

1:固態光學相位掃描構件

11:高介電層

12:第一電極

30:背層

100:光束

Claims

一種固態光學相位掃描構件，包括：複數光學單元，各該光學單元包括一高介電層、及位於該高介電層二側之一第一電極及一第二電極，各該高介電層可在該第一及第二電極施加不同供電條件時具有不同之折射率；及一透鏡單元，位於面對該複數光學單元之一出光側，包括一入光面及一出光面，被配置成可將自該入光面入射之光束導射至該複數光學單元而改變該光束之路徑後由該出光面射出。
如請求項1所述的固態光學相位掃描構件，其中該複數光學單元呈矩陣排列。
如請求項1所述的固態光學相位掃描構件，其中該高介電層為碳化鈦層、氮化矽層、鈦酸鋇層或二氧化矽層。
如請求項1所述的固態光學相位掃描構件，其中該第一電極位於該透鏡單元與該高介電層之間，該第一電極為銀(Ag)、銅(Cu)或金(Au)薄膜。
如請求項4所述的固態光學相位掃描構件，其中各該第一電極為單一層一體成型之金屬薄膜之一部分。
如請求項1所述的固態光學相位掃描構件，其中各該光學單元另包括一背層，該背層位於該高介電層之遠離該透鏡單元之一側。
如請求項6所述的固態光學相位掃描構件，其中該背層為藍寶石層。
如請求項1所述的固態光學相位掃描構件，其中該透鏡單元包括矽(Si)稜鏡或二氧化矽(SiO₂ )透鏡。
如請求項7所述的固態光學相位掃描構件，另包括一光纖及一連接於該光纖一端之準直器，該光束於該光纖內傳輸並自該準直器射出至該入光面；其中該供電條件為電壓；該複數光學單元呈矩陣排列；該高介電層為碳化鈦層、氮化矽層、鈦酸鋇層或二氧化矽層；各該高介電層為單一層一體成型之高介電薄膜之一部分；該第一電極位於該透鏡單元與該高介電層之間且為接地，該第一電極為可透光之銀(Ag)、銅(Cu)或金(Au)薄膜；各該第一電極為單一層一體成型之金屬薄膜之一部分；該第二電極位於與該高介電層與該背層之間，該第二電極為不透光且包括設於一基層上之銀(Ag)、銅(Cu)或金(Au)薄膜；各該背層為單一層一體成型之藍寶石薄膜之一部分；該透鏡單元包括矽(Si)稜鏡或二氧化矽(SiO₂ )透鏡；及該透鏡單元包括一個三稜鏡，該金屬薄膜設於該三稜鏡之其中一面，該入光面及該出光面分別設於該三稜鏡之其他二面。
如請求項1至9任一項所述的固態光學相位掃描構件，其中各該光學單元之第二電極相互獨立地位於該高介電層之遠離該透鏡單元之一側。