TWI689752B - 光源模組、感測裝置以及產生疊加結構圖案的方法 - Google Patents

Abstract

一種光源模組，適於提供一疊加結構圖案。光源模組包括一發光裝置、一光導引元件、一第一繞射元件以及一第二繞射元件。發光裝置適於提供一光束。光導引元件包括一偏振性分光元件，以將光束區分為一第一光束及一第二光束。第一繞射元件用以將第一光束轉換為一第一結構光。第二繞射元件用以將第二光束轉換為一第二結構光，其中第一光束及第二光束的偏振型態不同。第一結構光與第二結構光被投射在一投射區以重疊並成像為疊加結構圖案。投射區具有呈陣列排列且彼此相鄰的多個子投射區，且疊加結構圖案在各子投射區的圖案分布彼此不同。

Description

光源模組、感測裝置以及產生疊加結構圖案的方法

本發明是有關於一種光學裝置及其產生結構光的方法，且特別是有關於一種光源模組、感測裝置以及產生疊加結構圖案的方法。

在目前3D感測的技術中，主要分為三角測量方法與時間延遲方法進行3D測量。而目前又以立體視覺（Stereo Vision）、結構光（Structured Light）技術以及時差測距（Time of Flight，ToF）等三大立體感測技術在價格、體積、效能上有較為優勢。

其中，三大立體感測技術中的結構光（Structured Light）技術是藉由投射結構光圖案至待測物件，再藉由相機等影像擷取裝置截取圖像訊息後測量其距離，進而獲得待測物件的立體資訊。因此，如何設計出實用且解析度高的結構光，是本領域技術人員共同致力於研究的。

本發明提供一種光源模組、感測裝置以及產生疊加結構圖案的方法，可提供出結構光，且結構光在不同投射位置具有不同的圖案分布。

本發明提出一種光源模組，適於提供一疊加結構圖案。光源模組包括一發光裝置、一光導引元件、一第一繞射元件以及一第二繞射元件。發光裝置適於提供一光束。光導引元件配置於光束的傳遞路徑上。光導引元件包括一偏振性分光元件，以將光束區分為一第一光束及一第二光束。第一繞射元件配置於第一光束的傳遞路徑上以將第一光束轉換為一第一結構光。第二繞射元件配置於第二光束的傳遞路徑上以將第二光束轉換為一第二結構光，其中第一光束及第二光束的偏振型態不同。第一結構光與第二結構光被投射在一投射區以重疊並成像為疊加結構圖案。投射區具有呈陣列排列且彼此相鄰的多個子投射區，且疊加結構圖案在各子投射區的圖案分布彼此不同。

在本發明的一實施例中，上述的第一結構光與第二結構光分別在投射區成像為一第一結構圖案及一第二結構圖案，且第一結構圖案及第二結構圖案包括排列週期互不相同的點陣列圖案。

在本發明的一實施例中，上述由第一結構光的投影邊界所定義出的第一投影面積與由第二結構光的投影邊界所定義出的第二投影面積在投射區的重疊比率大於80%。

在本發明的一實施例中，上述的第一結構光的發散角與第二結構光的發散角不同。

在本發明的一實施例中，上述的光導引元件還包括位於第二光束的傳遞路徑上的一反射件，以反射第二光束至第二繞射元件。

在本發明的一實施例中，上述的光源模組還包括至少一雙折射元件，配置於發光裝置與光導引元件之間的光束的傳遞路徑上。

在本發明的一實施例中，上述的至少一雙折射元件包括一第一雙折射元件與一第二雙折射元件，且第一雙折射元件的光軸與第二雙折射元件的光軸方向不同。

在本發明的一實施例中，上述的光導引元件還包括一第一反射件及一第二反射件。偏振性分光元件位於第一反射件與第二反射件之間。第一反射件位於光束的傳遞路徑上以反射光束至偏振性分光元件，且第二反射件位於第二光束的傳遞路徑上以反射第二光束至第二繞射元件。

在本發明的一實施例中，上述的第二繞射元件配置於光導引元件上。

在本發明的一實施例中，上述的第一繞射元件為穿透式繞射元件，且第二繞射元件為反射式繞射元件或穿透式繞射元件。

在本發明的一實施例中，上述的第一繞射元件為主動式繞射元件或被動式繞射元件，且第二繞射元件為主動式繞射元件或被動式繞射元件。

在本發明的一實施例中，上述的第一繞射元件及第二繞射元件包括提供固定點陣列圖案或可變點陣列圖案的顯示裝置。

在本發明的一實施例中，上述的光源模組還包括一第一光束調整元件以及一第二光束調整元件。第一光束調整元件配置於第一光束的傳遞路徑上，且位於第一繞射元件與光導引元件之間。第二光束調整元件配置於第二光束的傳遞路徑上，且位於第二繞射元件與光導引元件之間。

本發明另提出一種感測裝置，包括上述的光源模組以及一影像擷取元件。影像擷取元件用以擷取投射區的影像。

在本發明的一實施例中，上述的影像擷取元件包括一畫素陣列，而畫素陣列包括多個第一畫素及多個第二畫素，第一畫素與第二畫素交錯排列，且第一畫素與第二畫素所接收的光線的偏振型態不同。

在本發明的一實施例中，上述的影像擷取元件包括一畫素陣列，而畫素陣列包括多個第一畫素、多個第二畫素及多個第三畫素。畫素陣列的奇數列（add rows）由部分第一畫素與部分第三畫素交錯排列而成。畫素陣列的偶數列（even rows）由部分些第二畫素與部分第三畫素交錯排列而成。畫素陣列的奇數欄（add columns）由部分第一畫素與部分第三畫素交錯排列而成。畫素陣列的偶數欄（even columns）由部分第二畫素與部分第三畫素交錯排列而成，且第一畫素、第二畫素及第三畫素可接收光線的偏振型態不同。

本發明另提出一種產生疊加結構圖案的方法，包括提供一光束至一光導引元件的步驟、藉由光導引元件以產生不同偏振型態的一第一結構光與一第二結構光的步驟以及投射第一結構光與第二結構光至一投射區以重疊並成像為一疊加結構圖案的步驟，其中投射區具有呈陣列排列且彼此相鄰的多個子投射區，且疊加結構圖案在各子投射區的圖案分布彼此不同。

在本發明的一實施例中，上述的第一結構光與第二結構光分別在投射區成像為一第一結構圖案及一第二結構圖案，且第一結構圖案及第二結構圖案包括排列週期互不相同的點陣列圖案。

在本發明的一實施例中，上述由第一結構光的投影邊界所定義出的第一投影面積與由第二結構光的投影邊界所定義出的第二投影面積在投射區的重疊比率大於80%。

在本發明的一實施例中，上述的第一結構光的發散角與第二結構光的發散角不同。

基於上述，在本發明的光源模組、感測裝置以及產生疊加結構圖案的方法中，光源模組藉由發光裝置提供光束至光導引元件中，且藉由光導引元件產生不同偏振型態的一第一結構光與一第二結構光，進而投射在一投射區以產生重疊並成像為一疊加結構圖案。如此一來，可藉由每一子投射區中圖案分布的不同及其變化量而辨識出被照射物件的深度資訊。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1為本發明一實施例的感測裝置的示意圖。請參考圖1，在本實施例中，感測裝置50包括一光源模組100及一影像擷取元件200，且光源模組100與影像擷取元件200電性連接。感測裝置50適用於立體感測一目標物件10，進而辨識出目標物件10的外觀特徵或深度資訊。目標物件10例如是街景物件或人臉，本發明並不限於此。

在立體感測時，感測裝置50藉由光源模組100發出一疊加結構光LC至目標物件10，以使所形成的疊加結構圖案SP隨目標物件10的不同深度位置而改變圖案分布。投射疊加結構光LC之後，感測裝置50再藉由影像擷取元件200對目標物件10進行影像擷取，以藉由擷取疊加結構圖案SP而辨識出目標物件10上對應投射位置的深度值，進而獲得目標物件10的立體資訊。

圖2為本發明一實施例的光源模組的示意圖。請參考圖1及圖2，詳細而言，在本實施例中，光源模組100包括一發光裝置110、一光導引元件120、一第一繞射元件130以及一第二繞射元件140。發光裝置110適於提供一光束L至光導引元件120。換句話說，光導引元件120配置於光束L的傳遞路徑上。發光裝置110例如是以陣列方式排列的多個半導體雷射或多個發光二極體，半導體雷射例如是垂直共振腔面射型雷射（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL）或是光子晶體雷射(Photonic crystal laser)，在本實施例中，發光裝置110以垂直共振腔面射型雷射來做說明，但本發明並不限於此。在本實施例中，發光裝置110上配置有準直透鏡組105，以使光束L準直射入光導引元件120，但本發明並不限於此。

圖3為圖2的發光裝置的示意圖。請參考圖2及圖3。具體而言，在本實施例中，發光裝置110包括發光元件112、一驅動電路114、一控制基板116以及導熱基板118。發光元件112用以朝光導引元件120發光。發光元件112可由多個發光單元112_1所陣列排列方式組合或一體製作而成。意即，在本實施例中，發光元件112例如是垂直共振腔面射型雷射陣列，而發光單元112_1例如為單一個垂直共振腔面射型雷射，且每個垂直共振腔面射型雷射對應於一個出光端O。

控制基板116配置於發光元件112鄰近出光端O的一側，用以藉由電路控制發光元件112的出光。控制基板116例如是矽基板。而導熱基板118則配置於發光元件112中相對出光端O的另一側，用以將發光元件112所產生的熱引導至外界。此外，控制基板116中相對於發光元件112的另一側可整合光學設計，利用紅外光可穿透特性製作透鏡、微結構、光柵、光波導或是光子晶體等光學結構，以用於調變發光元件112的出光特性。舉例而言，在本實施例中，控制基板116中相對於發光元件112的另一側形成有多個聚焦結構116_1，用以聚焦由發光元件112所發出的光線。換句話說，在本實施例中，上述說明中的準直透鏡組105即由控制基板116直接製作形成，而在一些實施例中，準直透鏡組105可為額外配置的光學結構或光學元件，本發明並不限於此。

驅動電路114配置於發光元件112與控制基板116之間，用以使發光元件112與控制基板116電性連接，且可藉由外部所提供的控制訊號進一步控制每個發光單元112_1的出光。具體而言，驅動電路114例如是由陣列控制線路114_1及多個連接墊114_2連接所形成，但本發明並不限於此。而由上述說明的配置方式可知，在本實施例中，驅動電路114可形成於發光元件112中具有出光端O的一面上而不影響發光元件112的發光效果。因此，本實施例可進一步藉由電路控制發光裝置110中不同發光單元112_1的出光，進而達到可點控制或區域控制的效果。

圖4為本發明另一實施例的發光裝置的示意圖。請參考圖4。本實施的發光裝置110A類似於圖3的發光裝置110，唯兩者不同之處在於，在本實施例中，控制基板116A中相對於發光元件112的另一側形成有多個光柵結構116_2，以進一步調控發光元件112的出光特性。如此一來，可使得發光元件112中每一發光單元112_1可具有不同的發光效果。在一些實施例中，亦可同時形成聚焦結構116_1（見如圖3）及光柵結構116_2，本發明並不限於此。

圖5為本發明另一實施例的發光裝置的示意圖。請參考圖5。本實施的發光裝置110B類似於圖4的發光裝置110A，唯兩者不同之處在於，在本實施例中，控制基板116B還包括多個導光結構116_3，位於控制基板116B的本體內部，用以將發光元件112A所發出的光線的一部份分配至鄰近的光柵結構116_2或聚焦結構116_1（見如圖3）。在本實施例中，導光結構116_3例如是矽光導或光子晶體（photonic crystal），本發明並不限於此。如此一來，可進一步減低發光元件112A中多個發光單元112_1的密度，進而節省成本。

光導引元件120包括一偏振性分光元件122，以將光束L區分為一第一光束L1及一第二光束L2，且第一光束L1與第二光束L2的偏振型態不同。具體而言，發光裝置110所提供的光束L為非偏振光或是與入射面成斜向關係的線性偏振光，當光束L傳遞至偏振性分光元件122時，光束L分為具有特定方向偏振性的第一光束L1與第二光束L2，且第一光束L1的偏振方向與第二光束L2的偏振方向相互垂直。第一光束L1與第二光束L2中的其中一者通過偏振性分光元件122而其中另一者被偏振性分光元件122反射。在本實施例中，第一光束L1通過偏振性分光元件122，且第二光束L2被偏振性分光元件122反射。因此，光源模組100可藉由光導引元件120形成偏振型態不同的兩光束，如圖2所繪示的偏振性方向。偏振性分光元件122的延伸方向與光束L的傳遞方向的夾角為45度，但在其他實施例中，亦可以是其他角度，本發明並不限於此。

在本實施例中，光導引元件120還包括一反射件124，配置於第二光束L2的傳遞路徑上，用以反射第二光束L2。具體而言，當偏振性分光元件122形成第一光束L1與第二光束L2時，第一光束L1傳遞通過偏振性分光元件122並由光導引元件120的出光側射出。第二光束L2則經由偏振性分光元件122反射並傳遞至反射件124，再藉由反射件124反射並由光導引元件120的出光側射出。偏振性分光元件122與反射件124分別例如是以鍍膜方式形成於光導引元件120的內部，或者例如是鍍膜元件組合於透光元件上，本發明並不限於此。

圖6A為本發明一實施例的第一結構光的圖案分布示意圖。圖6B為本發明一實施例的第二結構光的圖案分布示意圖。圖6C為圖6A的第一結構光與圖6B的第二結構光在投射區重疊並成像為疊加結構圖案的示意圖。請同時參考圖2及圖6A至圖6C，第一繞射元件130以及第二繞射元件140分別配置於第一光束L1的傳遞路徑上以及第二光束L2的傳遞路徑上。第一繞射元件130用以將第一光束L1轉換為一第一結構光LC1，且第二繞射元件140用以將第二光束L2轉換為一第二結構光LC2。第一結構光LC1及第二結構光LC2以相同的傳遞方向朝目標物件10投射，且被投射在一投射區以重疊並成像為疊加結構圖案SP，如圖6C所繪示，其中投射區可看作是具有呈陣列排列且彼此相鄰的多個子投射區AP。

詳細而言，第一繞射元件130與第二繞射元件140可以是主動式的繞射元件或被動式的繞射元件，主動式繞射元件例如是液晶陣列元件（Liquid Crystal Array Device）、空間光調制器（Spatial Light Modulator，SLM）或矽基液晶（Liquid Crystal on Silicon，LCOS），被動式的繞射元件例如是具有不同圖案或不同光學結構的繞射式光學元件（Diffractive Optical Element，DOE）或光柵。第一繞射元件130與第二繞射元件140採用主動式的繞射元件，可以使第一結構光LC1和第二結構光LC2的圖案分布藉由第一繞射元件130與第二繞射元件140更進一步調整。

投射區例如是目標物件10中朝向感測裝置50的表面。因此，第一結構光LC1與第二結構光LC2被投射在投射區APG的圖案彼此不同。具體而言，第一結構光LC1與第二結構光LC2分別在投射區APG成像為一第一結構圖案SP1及一第二結構圖案SP2，且第一結構圖案SP1及第二結構圖案SP2包括排列週期互不相同的點陣列圖案，如圖6A及圖6B所繪示。在本實施例中第一結構圖案SP1與第二結構圖案SP2的排列方式及光點大小皆不同，但本發明並不限於此。在其他實施例中，第二繞射元件140可選用主動式的繞射元件，以使第二結構光LC2的圖案分布可進一步藉由第二繞射元件140調整，本發明並不限於此。

因此，使得疊加結構圖案SP在各子投射區AP的圖案分布彼此不同。換句話說，在每一子投射區AP中的圖案分布皆具有獨特性。如此一來，可藉由每一子投射區AP中圖案分布的變化量而辨識出對應子投射區AP位置的目標物件10部位的深度變化，進而取得目標物件10各部位深度資訊。在本實施例中，由第一結構光LC1的投影邊界所定義出的第一投影面積與由第二結構光LC2的投影邊界所定義出的第二投影面積在投射區APG的重疊比率大於80%，但本發明並不限於此。

值得一提的是，由於第一結構光LC1與第二結構光LC2具有不同偏振方向，因此對於透光材質的折射與反射率不同。換句話說，目標物件10可以是透光材質，且感測裝置50可藉由偏振型態不同的第一結構光LC1與第二結構光LC2進一步對其感測。在一些實施例中，可藉由額外的處理器進行後端運算，進而協助判斷透光材質的外型特徵。

圖7為本發明一實施例的第一結構光與第二結構光在不同距離之投射區的部分疊加結構圖案的示意圖。請同時參考圖1、圖2及圖7，在本實施例中，光源模組100還包括一第一光束調整元件150_1及一第二光束調整元件150_2，分別配置於第一光束L1的傳遞路徑上以及第二光束L2的傳遞路徑上。第一光束調整元件150_1及第二光束調整元件150_2例如是單一光學透鏡或發散透鏡組。第一光束調整元件150_1位於第一繞射元件130與光導引元件120之間，第二光束調整元件150_2位於第二繞射元件140與光導引元件120之間。因此，可使第一光束L1及第二光束L2分別均勻化地照射至第一繞射元件130及第二繞射元件140。然而，在一些實施例中，光源模組100可僅使用單一個光束調整元件，本發明並不限於此。

值得一提的是，在本實施例中，第一結構光LC1及第二結構光LC2可以不同的發散角度朝目標物件10投射，即第一結構光LC1的發散角與第二結構光LC2的發散角不同。換句話說，若第一光束調整元件150_1的發散角與第二光束調整元件150_2的發散角不同，或是第一繞射元件130及第二繞射元件140所設計的發散角不同，則可使第一結構光LC1與第二結構光LC2朝投射區的投射發散角不同，進而使第一結構圖案SP1與第二結構圖案SP1的圖案間距或疊加程度隨投射方向A上不同位置產生變化，如圖7所繪示。如此一來，可進一步藉由圖案間距或疊加程度的變化而辨識出目標物件10部位的深度變化。感測裝置50藉由不同的圖案分布辨識深度資訊的方法，其詳細步驟及實施方式可以由所屬技術領域的通常知識獲致足夠的教示、建議與實施說明，因此不再贅述。

圖8A為本發明一實施例的感測元件的畫素陣列的示意圖。請參考圖2、圖6C及圖8A，在本實施例中，影像擷取元件200例如是電荷耦合元件（Charge coupled device，CCD）或互補式金氧半電晶體（Complementary metal oxide semiconductor transistors，CMOS）等感光元件。於本例中，影像擷取元件200為互補式金氧半電晶體。影像擷取元件200包括由多個第一畫素P1及多個第二畫素P2以陣列方式構成的一畫素陣列PA，且第一畫素P1與第二畫素P2交錯排列。第一畫素P1與第二畫素P2可接收光線的偏振型態不同，如圖8A 所繪示。換句話說，影像擷取元件200上第一畫素P1與第二畫素P2所能接收到的結構光不同。舉例而言，第一畫素P1僅接收第一結構光LC1，而第二畫素P2僅接收第二結構光LC2。如此一來，可藉由第一畫素P1及第二畫素P2分別所感測到的圖案分布，辨識出目標物件10各部位的位置，進一步提高感測準確度。

圖8B為本發明另一實施例的感測元件的畫素陣列的示意圖。請參考圖2、圖6C及圖8B，本實施例的影像擷取元件200A類似於圖8A的影像擷取元件200，唯兩者不同在於，在本實施例中，影像擷取元件200A還包括與多個第一畫素P1及多個第二畫素P2以陣列方式構成畫素陣列PA的多個第三畫素P3。畫素陣列PA的奇數列（add rows）R1由部分第一畫素P1與部分第三畫素P3交錯排列而成，畫素陣列PA的偶數列（even rows）R2由部分第二畫素P2與部分第三畫素P3交錯排列而成。畫素陣列PA的奇數欄（add columns）C1由部分第一畫素P1與部分第三畫素P3交錯排列而成，畫素陣列PA的偶數欄（even columns）C2由部分第二畫素P2與部分第三畫素P3交錯排列而成。第一畫素P1、第二畫素P2及第三畫素P3可接收光線的偏振型態不同。舉例而言，第一畫素P1僅接收第一結構光LC1，第二畫素P2僅接收第二結構光LC2，而第三畫素P3可接收第一結構光LC1及第二結構光LC2。在一些實施例中，第三畫素P3可僅接收其他的偏振型態，例如是圓偏振或橢圓偏振。如此一來，可藉由第一畫素P1及第二畫素P2分別所感測到的圖案分布，辨識出目標物件10各部位的位置，同時藉由第三畫素P3接收所有光束，進一步提高感測準確度以及提高感測解析度。

圖9為本發明另一實施例的光源模組的示意圖。請參考圖9，本實施例的光源模組100A類似於圖2的光源模組100，唯兩者不同在於，在本實施例中，光源模組100A還包括一雙折射元件160，配置於發光裝置110與光導引元件120之間的光束L的傳遞路徑上。雙折射元件160例如是液晶材料或雙折射晶體，可使通過的光束L產生兩種不同偏振方向的兩道光束。因此，當光束L通過雙折射元件160時，可產生如圖9所繪示不同偏振方向的兩光束至偏振性分光元件122，而此兩光束再藉由上述偏振性分光元件122的分光原理被分為第一光束L1及第二光束2。如此一來，可使第一結構光LC1與第二結構光LC2在投射區所形成的圖案分布密度增加一倍，達到複製圖案的效果，進一步提高辨識精確度。

圖10為本發明另一實施例的光源模組的示意圖。請參考圖10，本實施例的光源模組100B類似於圖9的光源模組100A，唯兩者不同在於，在本實施例中，光源模組100B包括一第一雙折射元件162與一第二雙折射元件164，且第一雙折射元件162的光軸與第二雙折射元件164的光軸方向不同。因此，通過第一雙折射元件162與第二雙折射元件164後所分開的光束的偏振方向也因而不同。第一雙折射元件162與第二雙折射元件164配置於發光裝置110與光導引元件120之間的光束L的傳遞路徑上。因此，當光束L通過第一雙折射元件162時，可產生如圖10所繪示不同偏振方向的兩光束至第二雙折射元件164，此兩光束再通過第二雙折射元件164而產生如圖10所繪示不同偏振方向的四光束。因此，此四光束再藉由上述偏振性分光元件122的分光原理被分為第一光束L1及第二光束2。如此一來，可使第一結構光LC1與第二結構光LC2在投射區所形成的圖案分布密度再次增加一倍，達到複製圖案的效果，進一步提高辨識精確度。

圖11為本發明另一實施例的光源模組的示意圖。請參考圖11，本實施例的光源模組100C類似於圖2的光源模組100，唯兩者不同在於，在本實施例中，光源模組100C的光導引元件120包括第一反射件124_1及第二反射件124_2，而偏振性分光元件122位於第一反射件124_1與第二反射件124_2之間。第一反射件124_1位於光束L的傳遞路徑上以反射光束L至偏振性分光元件122，且第二反射件124_2位於第二光束L2的傳遞路徑上以反射第二光束L2至第二繞射元件140。如此一來，可以因應如果產品模組端需要較長光程的情況。

圖12為本發明另一實施例的光源模組的示意圖。請參考圖12，本實施例的光源模組100D類似於圖2的光源模組100，唯兩者不同在於，在本實施例中，光源模組100D的第二繞射元件140A配置於光導引元件120B上。換句話說，當第二光束L2傳遞至第二繞射元件140A時即可產生第二結構光LC2。如此一來，在光導引元件120B的出光側可僅使用一組繞射元件（即第一繞射元件130）及對應的一組光束調整元件150，進而達到節省材料的效果。

在上述的任一實施例中，第一繞射元件130及第二繞射元件140可包括提供固定點陣列圖案或可變點陣列圖案的主動式繞射裝置，如液晶面板等。換句話說，在一些實施例中，可以主動式繞射面板作為第一繞射元件130及第二繞射元件140而進一步對目標物件10投射出疊加結構圖案。因此，可隨著目標物件10的結構精細度使用不同解析度的主動式繞射面板進行感測，本發明並不限於此。

圖13為本發明一實施例的產生疊加結構圖案的步驟流程圖。請參考圖1、圖2、圖6C及圖13，圖13的產生疊加結構圖案的步驟方法至少可應用於上述任一實施例中的光源模組，以下說明將以應用於圖1及圖2的光源模組100為例。在本實施例中，執行步驟S300，提供光束L至光導引元件200。接著，在步驟S300完成之後，執行步驟S310，藉由光導引元件200以產生不同偏振型態的第一結構光LC1與第二結構光LC2。最後，在步驟S310完成之後，執行步驟S320，投射第一結構光LC1與第二結構光LC2至一投射區APG以重疊並成像為疊加結構圖案SP，其中投射區APG具有呈陣列排列且彼此相鄰的多個子投射區AP，且疊加結構圖案SP在各子投射區AP的圖案分布彼此不同。如此一來，可藉由影像擷取步驟擷取疊加結構圖案SP而感測出目標物件10上對應投射位置的深度值，進而獲得目標物件10的立體資訊。

綜上所述，在本發明的光源模組、感測裝置以及產生疊加結構圖案的方法中，光源模組藉由發光裝置提供光束至光導引元件中，且藉由光導引元件產生不同偏振型態的一第一結構光與一第二結構光，進而投射在一投射區以產生重疊並成像為一疊加結構圖案。如此一來，可藉由每一子投射區中圖案分布的不同及其變化量而辨識出被照射物件的深度資訊。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧目標物件50‧‧‧感測裝置100、100A、100B、100C、100D‧‧‧光源模組105‧‧‧準直透鏡組110、110A‧‧‧發光裝置112、112A‧‧‧發光元件112_1‧‧‧發光單元114‧‧‧驅動電路114_1‧‧‧陣列控制線路114_2‧‧‧連接墊116、116A、116B‧‧‧控制基板116_1‧‧‧聚焦結構116_2‧‧‧光柵結構116_3‧‧‧導光結構118‧‧‧導熱基板120、120A、120B‧‧‧光導引元件122‧‧‧偏振性分光元件124‧‧‧反射件124_1‧‧‧第一反射件124_2‧‧‧第二反射件130‧‧‧第一繞射元件140、140A‧‧‧第二繞射元件150‧‧‧光束調整元件150_1‧‧‧第一光束調整元件150_2‧‧‧第二光束調整元件200、200A‧‧‧影像擷取元件A‧‧‧投射方向APG‧‧‧投射區AP‧‧‧子投射區C1‧‧‧奇數欄C2‧‧‧偶數欄L‧‧‧光束L1‧‧‧第一光束L2‧‧‧第二光束LC‧‧‧疊加結構光LC1‧‧‧第一結構光LC2‧‧‧第二結構光O‧‧‧出光端P1‧‧‧第一畫素P2‧‧‧第二畫素P3‧‧‧第三畫素PA‧‧‧畫素陣列R1‧‧‧奇數列R2‧‧‧偶數列SP‧‧‧疊加結構圖案SP1‧‧‧第一結構圖案SP2‧‧‧第二結構圖案S300、S310、S320‧‧‧步驟

圖1為本發明一實施例的感測裝置的示意圖。 圖2為本發明一實施例的光源模組的示意圖。 圖3為圖2的發光裝置的示意圖。 圖4為本發明另一實施例的發光裝置的示意圖。 圖5為本發明另一實施例的發光裝置的示意圖。 圖6A為本發明一實施例的第一結構光的圖案分布示意圖。 圖6B為本發明一實施例的第二結構光的圖案分布示意圖。 圖6C為圖6A的第一結構光與圖6B的第二結構光在投射區重疊並成像為疊加結構圖案的示意圖。 圖7為本發明一實施例的第一結構光與第二結構光在不同距離之投射區的部分疊加結構圖案的示意圖。 圖8A為本發明一實施例的感測元件的畫素陣列的示意圖。 圖8B為本發明另一實施例的感測元件的畫素陣列的示意圖。 圖9為本發明另一實施例的光源模組的示意圖。 圖10為本發明另一實施例的光源模組的示意圖。 圖11為本發明另一實施例的光源模組的示意圖。 圖12為本發明另一實施例的光源模組的示意圖。 圖13為本發明一實施例的產生疊加結構圖案的步驟流程圖。

100‧‧‧光源模組

105‧‧‧準直透鏡組

110‧‧‧發光裝置

120‧‧‧光導引元件

122‧‧‧偏振性分光元件

124‧‧‧反射件

130‧‧‧第一繞射元件

140‧‧‧第二繞射元件

150_1‧‧‧第一光束調整元件

150_2‧‧‧第二光束調整元件

L‧‧‧光束

L1‧‧‧第一光束

L2‧‧‧第二光束

LC1‧‧‧第一結構光

LC2‧‧‧第二結構光

Claims (18)

1. 一種光源模組，適於提供一疊加結構圖案，該光源模組包括：一發光裝置，適於提供一光束；一光導引元件，配置於該光束的傳遞路徑上，該光導引元件包括一偏振性分光元件，以將該光束區分為一第一光束及一第二光束；一第一繞射元件，配置於該第一光束的傳遞路徑上以將該第一光束轉換為一第一結構光；以及一第二繞射元件，配置於該第二光束的傳遞路徑上以將該第二光束轉換為一第二結構光，其中該第一光束及該第二光束的偏振型態不同，該第一結構光與該第二結構光被投射在一投射區以重疊並成像為該疊加結構圖案，該投射區具有呈陣列排列且彼此相鄰的多個子投射區，且該疊加結構圖案在各該子投射區的圖案分布彼此不同，該第一結構光與該第二結構光分別在該投射區成像為一第一結構圖案及一第二結構圖案，且該第一結構圖案及該第二結構圖案包括排列週期互不相同的點陣列圖案。
2. 如申請專利範圍第1項所述的光源模組，其中由該第一結構光的投影邊界所定義出的第一投影面積與由該第二結構光的投影邊界所定義出的第二投影面積在投射區的重疊比率大於80%。
3. 如申請專利範圍第1項所述的光源模組，其中該第一結構光的發散角與該第二結構光的發散角不同。
4. 如申請專利範圍第1項所述的光源模組，其中該光導引元件還包括位於該第二光束的傳遞路徑上的一反射件，以反射該第二光束至該第二繞射元件。
5. 如申請專利範圍第1項所述的光源模組，還包括：至少一雙折射元件，配置於該發光裝置與該光導引元件之間的該光束的傳遞路徑上。
6. 如申請專利範圍第5項所述的光源模組，其中該至少一雙折射元件包括一第一雙折射元件與一第二雙折射元件，且該第一雙折射元件的光軸與該第二雙折射元件的光軸方向不同。
7. 如申請專利範圍第1項所述的光源模組，其中該光導引元件還包括一第一反射件及一第二反射件，該偏振性分光元件位於該第一反射件與該第二反射件之間，該第一反射件位於該光束的傳遞路徑上以反射該光束至該偏振性分光元件，且該第二反射件位於該第二光束的傳遞路徑上以反射該第二光束至該第二繞射元件。
8. 如申請專利範圍第1項所述的光源模組，其中該第二繞射元件配置於該光導引元件上。
9. 如申請專利範圍第1項所述的光源模組，其中該第一繞射元件為穿透式繞射元件，且該第二繞射元件為反射式繞射元件或穿透式繞射元件。
10. 如申請專利範圍第1項所述的光源模組，其中該第一繞射元件為主動式繞射元件或被動式繞射元件，且該第二繞射元件為主動式繞射元件或被動式繞射元件。
11. 如申請專利範圍第1項所述的光源模組，其中該第一繞射元件及該第二繞射元件包括提供固定點陣列圖案或可變點陣列圖案的顯示裝置。
12. 如申請專利範圍第1項所述的光源模組，還包括：一第一光束調整元件，配置於該第一光束的傳遞路徑上，且位於該第一繞射元件與該光導引元件之間；以及一第二光束調整元件，配置於該第二光束的傳遞路徑上，且位於該第二繞射元件與該光導引元件之間。
13. 一種感測裝置，包括：一如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述的光源模組；以及一影像擷取元件，用以擷取該投射區的影像。
14. 如申請專利範圍第13項所述的感測裝置，其中該影像擷取元件包括一畫素陣列，而該畫素陣列包括多個第一畫素及多個第二畫素，該些第一畫素與該些第二畫素交錯排列，且該些第一畫素與該些第二畫素所接收的光線的偏振型態不同。
15. 如申請專利範圍第13項所述的感測裝置，其中該影像擷取元件包括一畫素陣列，而該畫素陣列包括多個第一畫素、多個第二畫素及多個第三畫素，該畫素陣列的奇數列(add rows)由 部分該些第一畫素與部分該些第三畫素交錯排列而成，該畫素陣列的偶數列(even rows)由部分該些第二畫素與部分該些第三畫素交錯排列而成，該畫素陣列的奇數欄(add columns)由部分該些第一畫素與部分該些第三畫素交錯排列而成，該畫素陣列的偶數欄(even columns)由部分該些第二畫素與部分該些第三畫素交錯排列而成，且該些第一畫素、該些第二畫素及該些第三畫素可接收光線的偏振型態不同。
16. 一種產生疊加結構圖案的方法，包括：提供一光束至一光導引元件；藉由該光導引元件以產生不同偏振型態的一第一結構光與一第二結構光；以及投射該第一結構光與該第二結構光至一投射區以重疊並成像為一疊加結構圖案，其中該投射區具有呈陣列排列且彼此相鄰的多個子投射區，且該疊加結構圖案在各該子投射區的圖案分布彼此不同，該第一結構光與該第二結構光分別在該投射區成像為一第一結構圖案及一第二結構圖案，且該第一結構圖案及該第二結構圖案包括排列週期互不相同的點陣列圖案。
17. 如申請專利範圍第16項所述產生疊加結構圖案的方法，其中由該第一結構光的投影邊界所定義出的第一投影面積與由該第二結構光的投影邊界所定義出的第二投影面積在投射區的重疊比率大於80%。
18. 如申請專利範圍第16項所述產生疊加結構圖案的方法，其中該第一結構光的發散角與該第二結構光的發散角不同。

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