TW202208162A - 覆銅層壓板及印刷配線板 - Google Patents
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Abstract
提供即使使用低電容率之熱可塑性樹脂之氟樹脂,銅箔與樹脂以高耐熱密合力加以接合之覆銅層壓板。此覆銅層壓板係包含準備具備銅箔、及設於該銅箔之至少一方面之含鋅層之表面處理銅箔、和設於表面處理銅箔之含鋅層側之薄片狀之氟樹脂。含鋅層係以Zn與熔點1200℃以上之過渡元素所構成。將銅箔與前述含鋅層之界面,經由輝光放電光譜分析法(GD-OES)進行元素分析之時,對於Cu之發光強度ICu
之Zn之發光強度IZn
比之發光強度比IZn
/ICu
為3.0×10-3
以下,且對於過渡元素M之發光強度IM
之Zn之發光強度IZn
比之發光強度比IZn
/IM
為0.30以上0.50以下。
Description
本發明係有關覆銅層壓板及印刷配線板。
伴隨近年之攜帶用電子機器等之高機能化,進行大量之資訊之高速處理,信號之高頻化,有適於基地台天線等之高頻用途之印刷配線板之要求。如此高頻用印刷配線板中,為了將高頻信號不下降品質地進行傳送,期望有傳送損失之減低。印刷配線板係雖具備加工於配線圖案之銅箔與絕緣樹脂基材者,但傳送損失係主要為起因於銅箔之導體損失、和起因於絕緣樹脂基材之介電體損失。因此,為減低起因於絕緣樹脂基材之介電體損失,可使用低電容率之熱可塑性樹脂為適切的。但是,聚四氟乙烯(PTFE)等之氟樹脂所代表之低電容率之熱可塑性樹脂係與熱硬化性樹脂不同,化學性活性為低,因此與銅箔之密合力為低。因此,提案有提升銅箔與熱可塑性樹脂之密合性的技術。
例如,專利文獻1(國際公開2017/150043號)中,經由使用具備藉由氧化處理及還原處理所形成之微細凹凸之銅箔,以確保與氟樹脂之密合性。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 國際公開第2017/150043號
但是,貼合專利文獻1所揭示之銅與氟樹脂基材之覆銅層壓板中,高溫下之銅箔/基材間之密合力之下降依然為大。為此,為提高需求耐熱性用途之可靠性,需要耐熱密合性之更為提升。因此,使用氟樹脂之印刷配線板係有曝露於高溫等之嚴酷環境之情形,於曝露於如此嚴酷環境之後,仍期望有銅箔與樹脂基材之高之密合性。實際上,使用PTFE等之氟樹脂之印刷配線板係有使用於航空、宇宙用等,由相關觀點視之,更期望高溫下之密合性之更深一層之改善。此部分,於以往之中,為了密合強度及可靠性之確保,有除了提升與銅箔之樹脂之密接面之粗糙度之外,無法避免高頻用途之傳送損失之增大的情況。在此,於銅箔與氟樹脂基材之間,要求有兼顧密合性與耐熱性之其他之新手法。
本發明人等係發現經由將特定之界面組成之含鋅層,介入存在於銅箔及氟樹脂間,不僅之高密合性,該密合性在高溫下亦不易劣化,具備優異之耐熱性,即可提供銅箔與氟樹脂以高耐熱密合力加以接合之覆銅層壓板。
因此,本發明之目的係即使使用低電容率之熱可塑性樹脂之氟樹脂,可提供銅箔與樹脂以高耐熱密合力加以接合之覆銅層壓板。
根據本發明之一形態時,提供
包含具備銅箔、及設於該銅箔之至少一方面之含鋅層之表面處理銅箔、
和設於前記表面處理銅箔之前述含鋅層側之薄片狀之氟樹脂、
之覆銅層壓板中,
前述含鋅層係以Zn與熔點1200℃以上之過渡元素所構成,
將前述銅箔與前述含鋅層之界面,經由輝光放電光譜分析法(GD-OES)進行元素分析之時,對於Cu之發光強度ICu
之Zn之發光強度IZn
比之發光強度比IZn
/ICu
為3.0×10-3
以下,對於前述過渡元素M之發光強度IM
之Zn之發光強度IZn
比之發光強度比IZn
/IM
為0.30以上0.50以下的覆銅層壓板。
根據本發明之另一其他之形態時,提供使用前述覆銅層壓板製造的印刷配線板。
覆銅層壓板
本發明之覆銅層壓板係包含表面處理銅箔、和設於表面處理銅箔之含鋅層側之薄片狀之氟樹脂。表面處理銅箔係具備銅箔、及設於該銅箔之至少一方面之含鋅層。此含鋅層係以Zn與熔點1200℃以上之過渡元素所構成。然後,將銅箔與前述含鋅層之界面,經由輝光放電光譜分析法(GD-OES)進行元素分析之時,對於Cu之發光強度ICu
之Zn之發光強度IZn
比之發光強度比IZn
/ICu
為3.0×10-3
以下,且對於過渡元素M之發光強度IM
之Zn之發光強度IZn
比之發光強度比IZn
/IM
為0.30以上0.50以下。如此,可提供經由將特定之界面組成之含鋅層,介入存在於銅箔及氟樹脂間,不僅之高密合性,該密合性在高溫下亦不易劣化,具備優異之耐熱性,即可提供銅箔與氟樹脂以高耐熱密合力加以接合之覆銅層壓板。
即,如前所述,四氟乙烯(PTFE)等之氟樹脂所代表之低電容率之熱可塑性樹脂係與熱硬化性樹脂不同,化學性活性為低,因此原本與銅箔之密合力為低。相關問題處理之專利文獻1所揭示之覆銅層壓板中,高溫下之銅箔/基材間之密合力之下降依然為大。此部分,於以往之中,為了密合強度及可靠性之確保,有除了提升與銅箔之樹脂之密接面之粗糙度之外,無法避免高頻用途之傳送損失之增大的情況。對此,本發明之覆銅層壓板係經由將特定之界面組成之含鋅層,介入存在於界面,在銅箔與氟樹脂之間,實現密合強度與耐熱性之兼顧。
使用於本發明之方法的表面處理銅箔係具備銅箔、與設於銅箔之至少一方面之含鋅層者。銅箔係於至少一方之表面,具有粗糙化粒子之粗糙化處理銅箔為佳,銅箔之含鋅層側之表面為粗糙化處理面者更佳。可使用公知之粗糙化處理銅箔。銅箔之厚度雖未特別加以限定,0.1μm以上70μm以下為佳,更佳為0.5μm以上18μm以下。
含鋅層係以Zn與熔點1200℃以上之過渡元素M所構成時,其形態不特別加以限定,但較佳為Zn與M之合金,即鋅合金。做為熔點1200℃以上之過渡元素M之較佳例,可列舉Co、Fe、Ni、Mo、W、及此等之組合,更佳為可列舉Co、Ni、Mo及此等組合,更甚者為Ni及/或Mo,尤以Ni為佳。因此,含鋅層係Zn-Co合金、Zn-Fe合金、Zn-Ni合金、Zn-Mo合金、Zn-W合金、Zn-Ni-Mo合金、或此等之組合所構成為佳,較佳為Zn-Co合金、Zn-Ni合金、Zn-Mo合金、Zn-Ni-Mo合金,更佳為Zn-Ni合金、Zn-Mo合金、Zn-Ni-Mo合金,尤以Zn-Ni合金所構成為佳。
如前述,覆銅層壓板係將銅箔與前述含鋅層之界面,經由輝光放電光譜分析法(GD-OES)進行元素分析之時,對於Cu之發光強度ICu
之Zn之發光強度IZn
比之發光強度比IZn
/ICu
為3.0×10-3
以下,較佳為1.5×10-3
以上3.0×10-3
以下,更佳為2.0×10-3
以上3.0×10-3
以下。又,將銅箔與含鋅層之界面,經由GD-OES進行元素分析之時,對於過渡元素M之發光強度IM
之Zn之發光強度IZn
比之發光強度比IZn
/IM
為0.30以上0.50以下,較佳為0.30以上0.45以下,更佳為0.33以上0.45以下,更甚者為0.35以上0.45以下。此等發光強度ICu
及IZn
係雖以銅箔與含鋅層之界面加以決定,但此界面係指銅箔正上方之含鋅層之部分。此部分係難以受到表面氧化等之影響,對於密合力及耐熱性之賦予為重要之領域。
GD-OES所進行元素分析係從覆銅層壓板之銅箔側朝向樹脂,以濺鍍邊進行深掘邊進行元素分析,經由取得圖1所示各種元素之發光強度之深度輪廓而進行。圖1所示深度輪廓係橫軸之濺鍍時間為對應於從銅箔層積板之銅箔朝向樹脂之深度方向,縱軸則對應於Cu、Zn、Ni、Cr等之各元素之發光強度。如圖1所示,於本發明之覆銅層壓板之深度輪廓中,必然觀察起因於含鋅層或鉻酸鹽層等之防鏽層之Zn、Ni、Cr等之防鏽元素之寬廣之尖峰(以下,稱為防鏽元素尖峰)。為此,推知從銅箔側朝向樹脂之深度方向(濺鍍時間增大方向)中,於較防鏽元素尖峰些微之前之(濺鍍時間些微短暫之)上昇部分,存在銅箔與含鋅層之界面。實際,Cu之深度輪廓係從銅箔側朝向樹脂之深度方向中,將(即使存在多少有變動乃至於階差)約略一定之發光強度維持至較防鏽元素尖峰些微之前後,在相當於防鏽元素尖峰之領域,以一定之傾斜,直線下降。經由活用如此Cu深度輪廓之特徵,可無異議地特定銅箔與含鋅層之界面。具體而言,銅箔與含鋅層之界面係於Cu之深度輪廓中,做為在防鏽元素尖峰之些微之前之(濺鍍時間些微短暫之)處所,使相關係數成為最大,拉出第1條之接線L1
,且在些微通過防鏽元素尖峰之(濺鍍時間些微為長之)處所之下降部分,使相關係數成為最大,拉出第2條之接線L2
之時之2個之接線L1
及L2
之交點X加以定義。如此做為交點特定之濺鍍時間(深度)之Cu之發光強度ICu
、Zn之發光強度IZn
、及過渡元素M之發光強度IM
,從各元素之發光強度之深度輪廓讀取即可。
使用於本發明之覆銅層壓板之薄片狀之氟樹脂係可為切斷之薄片,由滾軸拉出之長片薄片亦可,該形態不特別加以限定。做為氟樹脂之較佳例,係列舉聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯・全氟烷氧基乙烯基醚共聚物(PFA)、四氟乙烯・六氟丙烯共聚物(FEP)、四氟乙烯-乙烯共聚物(ETFE)、及此等任意之組合。
表面處理銅箔係可設於薄片狀之氟樹脂之單面,亦可設於兩面。薄片狀之氟樹脂係可僅含有氟樹脂,含有其他之材料亦可。因此,薄片狀之氟樹脂係可為預浸體。預浸體係於合成樹脂板、玻璃板、玻璃織布、玻璃不織布、紙等之基材,含浸合成樹脂之複合材料之總稱。又,氟樹脂係從提升絕緣性等之觀點視之,亦可含有矽石、氧化鋁等之各種無機粒子所成填料粒子等。薄片狀之氟樹脂之厚度雖未特別加以限定,1~1000μm為佳,較佳為2~400μm,更佳為3~200μm。氟樹脂層係可以複數之層加以構成。
覆銅層壓板之製造方法
本發明之覆銅層壓板係可經由(1)準備表面處理銅箔,(2)於表面處理銅箔之含鋅層側,黏貼薄片狀之氟樹脂加以製造。
(1)表面處理銅箔之準備
使用於本發明之覆銅層壓板之製造的表面處理銅箔係具備上述界面組成之含鋅層即可。
使用於覆銅層壓板之製造之表面處理銅箔係將銅箔與含鋅層之界面,經由X射線光電子能譜法(XPS)進行元素分析之時,Zn之含有量係10重量%以下為佳,較佳為1.0重量%以上10.0重量%以下,更佳為2.0重量%以上8.0重量%以下,更甚者為2.1重量%以上7.5重量%以下,最佳為2.1重量%以上7.0重量%以下。又,將銅箔與含鋅層之界面,經由XPS進行元素分析之時,對於過渡元素M之含有量之Zn之含有比率之Zn/M之重量比係0.2以上0.6以下,較佳為0.22以上0.58以下,更佳為0.25以上0.55以下。
Zn含有量及Zn/M重量比係以銅箔與含鋅層之界面加以決定,此界面係指銅箔正上方之含鋅層之部分。此部分係難以受到表面氧化等之影響,對於密合力及耐熱性之賦予為重要之領域。銅箔與含鋅層之界面之位置(深度)係從含鋅層朝向銅箔,於深度方向實施之XPS之元素分析中,做為測定深度(橫軸)與Cu量(縱軸)所成曲線之變彎點加以定義。具體而言,經由以下之i)至vi)之步驟加以決定。
i)令與含鋅層之銅箔相反側之表面,成為測定深度D1=0nm,從此朝向銅箔,以濺鍍向深度方向深掘,進行XPS所進行元素分析。與XPS所進行測定開始之同時,於測定深度D1
=0nm之地點,進行元素分析,之後從測定開始,每特定濺鍍時間(例如20秒),在測定深度Dn
(n係表示測定點)地點,進行元素分析。例如如從測定開始20秒後之測定點為D2
、40秒後之測定點為D3
,以等時間間隔加以測定。將XPS之測定條件之較佳例示於如下(有關更具體而言之測定條件,示於後述之實施例)。
(測定條件)
‐ 離子槍設定:Ar氣體、1kV 2mm×2mm
‐ 濺鍍率:3.43nm/min
ii)根據上述i),測定測定點n之Cu之含有量Cn
(重量%)。
iii)令測定深度Dn
為橫軸,令Cu之含有量Cn
為縱軸,作成圖表,對於所得曲線,算出測定點n之接線之傾斜Sn
=(Cn+1
-Cn
)/(Dn+1
-Dn
)。
iv)從所得接線之傾斜Sn
,算出接線之傾斜之變化率ΔSn
=Sn+1
-Sn
。
v)從所得接線之傾斜之變化率ΔSn
,算出曲率cn
= ΔSn
/(Dn+1
-Dn
)。
vi)將成為曲率cn
=0之測定點,特定做為Cu變彎點,令有此Cu變彎點之測定深度Dn
之地點,決定為銅箔與含鋅層之界面。然而,Cu變彎點係避免曲率cn
之正/負變動所造成之偶發性曲率cn
=0,採用安定地朝向曲率cn
=0開始收斂領域之曲率cn
=0之測定點。經由採用此手法,可無異議地特定銅箔與含鋅層之界面。
表面處理銅箔係於含鋅層側之面,更具備鉻酸鹽層及/或矽烷耦合劑層為佳,更佳為具備鉻酸鹽層及矽烷耦合劑層之兩者。經由更具備鉻酸鹽層及/或矽烷耦合劑層,除了提升防鏽性、耐濕性及耐藥品性之外,經由與含鋅層之組合,可提升與氟樹脂基材之密合性。
(2)氟樹脂之黏貼
氟樹脂之表面處理銅箔之黏貼係根據公知之覆銅層壓板之製造手序進行即可,未特別加以限定。又,可採用在於內層基板,隔著氟樹脂,黏貼銅箔之手法,此時,進行所謂堆積法等之公知手法即可。不論如何,根據本發明之覆銅層壓板之較佳製造方法時,做為具備含鋅層之表面處理銅箔,選擇性採用具有上述範圍內之發光強度比之界面者,黏貼於氟樹脂。經由如此,在銅箔與氟樹脂之間,不但具備高密合性,亦可製造具備該密合性在高溫下亦難以劣化之優異耐熱性的覆銅層壓板。氟樹脂之表面處理銅箔之黏貼係邊進行加熱,邊進行加壓而進行者為佳。加壓時之溫度係對應使用氟樹脂之特性適切加以決定即可,不特別加以限定,但較佳為150~500℃,更佳為180~400℃。加壓壓力雖亦未特別加以限定,但較佳為1~10MPa,更佳為2~5MPa。
表面處理銅箔之製造方法
本發明所成表面處理銅箔係只要可於銅箔形成含鋅層,可為以任何方法所製造者,但以經由鋅合金鍍敷製造者為佳。以下,說明本發明所成表面處理銅箔之較佳製造方法之一例。較佳之製造方法係包含準備銅箔之工程、和對於上述表面,進行鋅合金鍍敷之工程。
(1)銅箔之準備
做為使用於表面處理銅箔之製造之銅箔係雖可使用電解銅箔及輥壓銅箔之兩者,較佳為電解銅箔。又,銅箔係施以粗糙化處理為佳,例如經由使用硫酸及含硫酸銅之水溶液的電鍍,形成在於銅箔表面附著粗糙化粒子之粗糙化處理面。粗糙化處理面係依據ISO25178所測定之最大高度Sz係3.0μm以上15.0μm以下為佳,較佳為4.0μm以上12.0μm以下。銅箔以附有載體銅箔之形態準備之時,銅箔係可經由無電解鍍銅法及電解鍍銅法等之濕式成膜法、濺鍍及化學蒸鍍等之乾式成膜法、或此等組合而形成。
(2)鋅合金鍍敷所進行之含鋅層之形成
於上述銅箔之表面(例如粗糙化處理面),經由施以鋅合金鍍敷,形成含鋅層者為佳。做為鋅合金鍍敷之例係可列舉Zn-Co合金鍍敷、Zn-Fe合金鍍敷、Zn-Ni合金鍍敷、Zn-Mo合金鍍敷、Zn-W合金鍍敷、Zn-Ni-Mo合金鍍敷、及此等之組合。鋅合金鍍敷係為得所期望之鋅合金組成,調製鍍敷液,經由公知之電鍍手法進行即可。例如,進行Zn-Ni合金鍍敷之時,使用含氧化鋅、硫酸鎳及二磷酸鉀之水溶液,進行電鍍為佳。
(3)鉻酸鹽處理
於形成含鋅層之銅箔,進行鉻酸鹽處理,形成鉻酸鹽層為佳。鉻酸鹽處理係使用鉻酸濃度0.5~8g/L、pH1~13之鉻酸鹽處理液,於電流密度0.1~10A/dm2
,進行電解為佳,此電解係1~30秒間進行為佳。
(4)矽烷耦合劑處理
於上述銅箔施以矽烷耦合劑處理,形成矽烷耦合劑層為佳。矽烷耦合劑層係適切稀釋矽烷耦合劑加以塗佈,經由乾燥加以形成。做為矽烷耦合劑之例,可列舉(i)4-環氧丙基丁基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基矽烷等之環氧官能性矽烷耦合劑、(ii)3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷等之胺基官能性矽烷耦合劑、(iii)3-氫硫基丙基三甲氧基矽烷等之氫硫基官能性矽烷耦合劑(iv)乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷等之烯烴官能性矽烷耦合劑、(v)3-甲基丙醯氧基丙基三甲氧基矽烷等之丙烯酸官能性矽烷耦合劑、(vi)咪唑矽烷等之咪唑官能性矽烷耦合劑、(vii)三嗪矽烷等之三嗪官能性矽烷耦合劑等。然而,將鉻酸鹽層與矽烷耦合劑層之兩者形成於含鋅層之表面時,此等之形成順序則未特別加以限定。
印刷配線板
本發明之覆銅層壓板係使用於印刷配線板之製作為佳。即,根據本發明之較佳形態時,提供使用上述覆銅層壓板製造的印刷配線板。做為關於印刷配線板之具體例,可列舉在本發明之覆銅層壓板,形成電路之單面或兩面之印刷配線板,或將此等多層化之多層印刷配線板等。多層印刷配線板係可於內層基板,隔著熱可塑性樹脂(例如氟樹脂),黏貼銅箔之多層覆銅層壓板電路形成者,更且形成堆積層者亦可。又,電路形成法係可為消去處理法、半加成(MSAP法)亦可。使用本發明之覆銅層壓板所製作之印刷配線板係可做為在信號頻率10GHz以上之高頻帶域所使用之汽車用天線、行動電話基地台天線、高性能伺服器、衝突防止用雷達等之用途所使用之高頻基板被適切使用。
[實施例]
將本發明,經由以下之例,更具體說明。
例1~7
(1)表面處理銅箔之準備
準備於根據公知之手法之銅箔表面,具備含鋅層之各種之表面處理銅箔。此表面處理銅箔係於電解銅箔(厚度35μm)之電極面,將粗糙化處理、Zn-Ni合金鍍敷(例1~5)或Zn-Ni-Mo合金鍍敷(例6及7)、鉻酸鹽處理、及矽烷耦合劑處理,經由公知之手法順序加以實施者。對於各表面處理銅箔,從含鋅層朝向銅箔,以濺鍍向深度方向深掘,經由XPS進行元素分析。此元素分析係使用掃描型雙X射線光電子能譜分析裝置(XPS)(ULVAC-PHI公司製、PHI Quantes),以如下之測定條件進行。
(測定條件)
‐ 輸出:200μmϕ、50W
‐ X線種:單色化Al Kα線
‐ 離子槍設定:Ar氣體、1kV(例1~5)或2kV(例6及7) 2mm×2mm
‐ 濺鍍率(SiO2
換算):3.43nm/min(例1~5)或12.3 nm/min(例6及7)
‐ 測定元素及軌道:C 1s、O 1s、Si 2p、Cr 3p、Ni 2p3、Cu 2p3、Zn 2p3、Mo 3d(僅例6及7)
‐ 測定面:從含鋅層朝向界面測定
根據所得元素分析結果,經由根據前述定義及手序,特定Cu變彎點,決定銅箔與含鋅層之界面之位置(深度)。銅箔中,雖施以粗糙化處理,每當界面之位置之特定,粗糙化處理層(粗糙化粒子)亦視為含於銅箔。然後,令該界面之佔測定元素之總重量之Zn元素之含有比率為Zn含有量(重量%),令佔測定元素之總重量之過渡元素M(在此意味Ni及Mo)之含有比率為M含有量(重量%),各別加以算出。又,使用所得Zn含有量及M含有量,算出Zn/M重量比。結果係如表1A所示。
(2)覆銅層壓板之製作
做為氟樹脂基材,準備PTFE基材(RO3003 Bondply、ROGERS Corporation製、厚度125μm、1ply)。於此PTFE基材,將上記表面處理銅箔,使該含鋅層側之面與該基材擋接而層積,使用真空加壓機,以加壓2.4MPa、溫度370℃、加壓時間30分之條件進行加壓,製作覆銅層壓板。
(3)覆銅層壓板之評估
對於製作之覆銅層壓板,進行以下所示之各種評估。
<銅箔與含鋅層之界面之元素分析>
從覆銅層壓板之銅箔側朝向PTFE基材,邊以濺鍍向深度方向深掘,邊經由GD-OES進行元素分析。此元素分析係使用輝光放電光譜分析裝置(JOBIN YVON公司製、JY-5000RF),以如下之測定條件進行。
(測定條件)
‐ 輸出:30W
‐ 氣壓:665Pa(氣體種:Ar)
‐ 濺鍍率:7μm/min(Cu換算)
‐ D.S.(負荷・周期)=0.0625(對於濺鍍為ON狀態之時間及濺鍍為OFF狀態之時間之合計而言,濺鍍為ON狀態之時間之比例)
‐ 頻率:100Hz
‐ step(sec)/point:0.1(測定點之間隔;每0.1秒測定1點)
‐ 測定模式:通常模式中,測定140sec後,切換成脈衝模式,實施測定(為了測定時間縮短)
‐ 測定元素:C、O、N、Si、Cr、Ni、Cu、Zn、Mo(僅例6及7)
根據所得Cu發光強度之深度輪廓,根據前述定義及手序,拉出2個接線L1
及L2
,經由求得此等之交點X,特定銅箔與含鋅層之界面。將如此做為交點X相當於特定之界面之濺鍍時間(深度)之Cu之發光強度ICu
、Zn之發光強度IZn
、及過渡元素M之發光強度IM
(本例中,相當於Ni與Mo之合計之發光強度),從各元素之發光強度之深度輪廓讀取即可。從此等發光強度,算出發光強度比IZn
/ICu
及IZn
/IM
。結果係如表1A所示。然而,圖1所示之發光強度之深度輪廓係在例2所得。
<對於氟樹脂(PTFE)之常態剝離強度>
於覆銅層壓板,使用氯化銅蝕刻液,經由消去處理法,形成0.4mm寬度之直線電路,得具備剝離強度測定用直線電路之試驗基板。將此直線電路,依據
JIS C 5016-1994之A法(90°剝離),從PTFE基材剝離,測定常態剝離強度(kgf/cm)。此測定係使用桌上型精密萬能試驗機(AGS-50NX、島津製作所製)進行。結果係如表1B。
<對於氟樹脂(PTFE)之耐熱剝離強度>
將具備0.4mm寬度之剝離強度測定用直線電路之試驗基板,置入烤爐,以150℃加熱4小時間,於288℃之焊錫浴,浮游10秒鐘之外,經由與上述對於PTFE之常態剝離強度同様之手序,測定對於PTFE之耐熱剝離強度(kgf/cm)。結果係如表1B。
<耐熱劣化率>
算出對於常態剝離強度之耐熱剝離強度之下降率(%),做為耐熱劣化率。結果係如表1B。
<總合評估>
對於各例,根據以下之基準,進行總合評估。
・合格:常態剝離強度1.2kgf/cm以上、及耐熱劣化率10%以下者
・不合格:相當於常態剝離強度不足1.2kgf/cm,或耐熱劣化率超過10%之至少一方者。
從表1A及1B果,可知在於銅箔與含鋅層之界面中,滿足發光強度比IZn
/ICu
為3.0×10-3
以下,且發光強度比IZn
/IM
為0.30以上0.50以下之本發明之條件之例1、2、6及7係相較不滿足此條件之例3~5之比較例,剝離強度就整體而言為高(即密合性高),且耐熱劣化率明顯為低(即耐熱性優異)。
[圖1]輝光放電光譜分析法(GD-OES)所進行各種元素之發光強度之深度輪廓之一例。橫軸之濺鍍時間係對應於從銅箔層積板之銅箔朝向樹脂之深度方向,縱軸則對應於Si、Cu、Zn、Ni及Cr之各元素之發光強度。
Claims (9)
- 一種覆銅層壓板,為包含具備銅箔、及設於該銅箔之至少一方之面之含鋅層之表面處理銅箔、 和設於前記表面處理銅箔之前述含鋅層側之薄片狀之氟樹脂、 之覆銅層壓板,其特徵係 前述含鋅層係以Zn與熔點1200℃以上之過渡元素所構成, 將前述銅箔與前述含鋅層之界面,藉由輝光放電光譜分析法(GD-OES)進行元素分析之時,對於Cu之發光強度ICu 之Zn之發光強度IZn 比之發光強度比IZn /ICu 為3.0×10-3 以下,且,對於前述過渡元素M之發光強度IM 之Zn之發光強度IZn 比之發光強度比IZn /IM 為0.30以上0.50以下。
- 如請求項1記載之覆銅層壓板,其中,前述過渡元素M為選自Co、Fe、Ni、Mo及W所成群之至少1種。
- 如請求項1或2記載之覆銅層壓板,其中,前述過渡元素M為Ni及/或Mo。
- 如請求項1或2記載之覆銅層壓板,其中,前述發光強度比IZn /ICu 為1.5×10-3 以上3.0×10-3 以下。
- 如請求項1或2記載之覆銅層壓板,其中,前述發光強度比IZn /IM 為0.30以上0.45以下。
- 如請求項1或2記載之覆銅層壓板,其中,前述發光強度比IZn /IM 為0.35上0.45以下。
- 如請求項1或2記載之覆銅層壓板,其中,前述氟樹脂為選自聚四氟乙烯、四氟乙烯・全氟烷氧基乙烯基醚共聚物、四氟乙烯・六氟丙烯共聚物及四氟乙烯-乙烯共聚物所成群之至少1種。
- 如請求項1或2記載之覆銅層壓板,其中,前述銅箔之前述含鋅層側之表面為粗糙化處理面。
- 一種印刷配線板,其特徵係使用如請求項1~8之任一項記載之覆銅層壓板加以製造。
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