TW202208112A - 以金屬玻璃粒子束切割之方法 - Google Patents
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Abstract
一種以金屬玻璃粒子束切割之方法,係令一金屬玻璃粒子束對著一基質,例如一晶圓進行切割,使形成多數切割道,以遂行乾式、乾淨、環保、高效能、低成本之切割製程者。
Description
本發明係關於一種以金屬玻璃粒子束切割之方法。
一般以鋼珠、陶瓷珠或金剛砂對一基質(substrate)珠擊時,因該等珠擊之粒子硬度低,比重低,有銳角,容易造成基質之破裂、損耗成本驟增,大降其商業實用價值,且需採溼式製程,使研磨污泥處理不易,影響環境保護甚巨,而現其缺點。
本案發明人有鑒於此,乃發明本案之以金屬玻璃粒子束切割之方法。
本發明之目的旨在提供一種以金屬玻璃粒子束切割之方法,係令一金屬玻璃粒子束對著一基質,例如一晶圓進行切割,使形成多數切割道,以遂行乾式、乾淨、環保、高效能、低成本之切割製程者。
本發明之可取實例,可由以下說明書配合所附諸圖式而得以明晰之。
1,1a,1b:金屬玻璃送粒機構
2:噴嘴
3:整流道
4:金屬玻璃粒子束
5:基質(或晶圓)
E:負壓腔體環境
G:驅動氣體
10:金屬玻璃粒子
51:切割道
51a:薄層
52:突粒(或:晶粒)
53:遮罩
50:邊料
11:電極電路
12:電磁線圈加速器
圖1係本發明第一可取實例之製程示意圖。
圖2係係本發明用以切割晶圓之示意圖。
圖3係本發明第二可取實例之製程示意圖。
圖4係本發明第三可取實例之製程示意圖。
參閱第1,2圖,本發明之第一可取實施例係一切割製程設備,包括:一金屬玻璃粒子送粒機構(1),一噴嘴(2),一整流道(3),以一驅動氣體(G,含空氣或隋性氣體如氮氣、氬氣等),吹驅該等金屬玻璃粒子(10)經噴嘴(2)、整流道(3)形成金屬玻璃粒子束(4)對著基質(5)聚焦地撞擊,例如對一晶圓切割(cutting)使形成多數切割道(51),而產生多數突粒(52),例如晶粒(chip)者。基層(5)晶圓經切割後會產生邊料(50)尤如圖2所示者。在切割製程中,可使用一遮罩(53)以罩住諸突粒(52,或晶粒),好讓金屬玻璃粒子束(4)只能切割出諸切割道(51)。上述之製程係在一低於一大氣壓之負壓腔體環境(E)中進行者。所使用之驅動氣體壓力介於0.1bar至5bar之間。所用之金屬玻璃粒徑約1~100μm,故能精細切割。
如圖1所示者,各切割道(51)不必完全切割,而應留下「耦斷絲連」之薄層(51a),以便進行後續之晶粒轉移,便於轉移後欲定位封裝時可沿著各切割道之薄層(51a)加以剝斷、分開即可,否則當切割道(51)完全切割時,各突粒(52,或晶粒)豈不紊亂四散,無法進行後續之加工製程。
如圖3所示者,該金屬玻璃送粒機構(1a)已修飾為一離心甩噴式之送粒機構,俾藉離心力之甩噴,將金屬玻璃粒子(10)離心甩出形成一金屬玻璃粒子束(4),以進行在基質(5)之切割一如前述者。
如圖4所示者,該金屬玻璃粒子送粒機構(1b)再修飾為於該
金屬玻璃送粒機構(1b)與基質(5)間架接一電極電路(11)使金屬玻璃粒子(10)帶上電荷,而於噴嘴(2)與整流道(3)外圍包繞一電磁線圈加速器(12)俾令通經該噴嘴(2)及整流道之金屬玻璃粒子(10)因電磁力驅動,而加速該金屬玻璃粒子束(4)之切割「力道」者。
本發明所使用之金屬玻璃,亦稱為:液態合金或非晶質(amorphous)合金者。
又所用之金屬玻璃之基材,係未加限制者,例如可為:鐵基、鎳基、鈷基、高熵合金基,等等。
本發明使用上述之製程設備,以氣體(空氣或隋性氣體),於0.1~5bars之壓力下,驅動金屬玻璃粒子束,使「聚焦」於基質表面上,利用金屬玻璃粒子之小粒徑、高硬度、高比重、高真圓度之特性,將動能施力於基質上,造成基板「塑性變型」下凹,形成「切槽」,故能進行基質之切割操作,而金屬玻璃之破裂強度高,極不易破損,可完全回收使用,不浪費資源,裨益環保,此為本發明之特徵。
本發明具有以下諸優點:
1.金屬玻璃粒子(或珠子)為高真圓度、高硬度之球形粒子,切割(撞擊)晶圓時不會產生微裂紋,不造成晶格之意外劈裂。
2.金屬玻璃粒子可大面積切割,以薄化基質,加速切割速度,效率極高。
3.可藉由粒子產出量、撞擊速度、撞擊距離、撞擊角度、撞擊時間等參數,來精確控制切削深度,讓晶圓切割道處於藕斷絲連的狀態,以便整片晶圓在切割後還能進行運送轉移,在晶粒需要
封裝時,再一片一片地剝斷即可。
4.可克服迷你(mini)LED與微(micro)LED製程切割時間太久以及巨量轉移困難的瓶頸,使其能順利進入量產。
5.晶圓或玻璃等基質薄化與霧化均為物理製程,不需使用氫氟酸,造成腐蝕、污染,整個製程係乾式、乾淨、環保、高效能、高良率、高產能、低成本,而饒富商業實用價值。
本發明之可取實例,可於不違本發明之精神及範疇下作適當之修飾或改良,本發明實不限制之。
1,1a,1b:金屬玻璃送粒機構
2:噴嘴
3:整流道
4:金屬玻璃粒子束
5:基質(或晶圓)
E:負壓腔體環境
10:金屬玻璃粒子
51:切割道
51a:薄層
52:突粒(或:晶粒)
53:遮罩
G:驅動氣體
Claims (9)
- 一種以金屬玻璃粒子束切割之方法,係以氣體(空氣或隋性氣體)於該氣體壓力下,驅動金屬玻璃粒子束,使聚焦地撞擊於一基質表面上,利用該金屬玻璃粒子之小粒徑、高硬度、高比重、高真圓度等特性,將撞擊動能施力於基質上,造成基質塑性變型而下凹,形成切槽,以進行基質之切割操作者。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其中該方法係藉一切割製程設備加以完成,係包括:一金屬玻璃粒子送粒機構,一噴嘴,一整流道,以一驅動氣體,吹驅該等金屬玻璃粒子經該噴嘴、整流道形成金屬玻璃粒子束對著該基質聚焦地撞擊,使形成多數切割道,而產生多數突粒者。
- 如申請專利範圍第2項之方法,其中在切割製程中,係使用一遮罩以罩住諸突粒,使金屬玻璃粒子束只能切割出諸切割道。
- 如申請專利範圍第2項之方法,其中該製程係在一低於一大氣壓之負壓腔體環境中進行者。
- 如申請專利範圍第1項之方法,其中所使用之驅動氣體壓力係介於0.1bar至5bar之間者。
- 如申請專利範圍第2項之方法,其中各該切割道係不必完全切割,而留下一薄層,以便進行後續之晶粒轉移,便於轉移後欲定位封裝時可沿著各切割道之該薄層加以剝斷、分開者。
- 如申請專利範圍第2項之方法,其中該金屬玻璃送粒機構係修飾為一離心甩噴式之送粒機構,俾藉離心力之甩噴,將金屬玻璃粒子離 心甩出形成一金屬玻璃粒子束,以進行在基質之切割者。
- 如申請專利範圍第2項之方法,其中該金屬玻璃粒子送粒機構係修飾為:於該金屬玻璃送粒機構與基質間架接一電極電路,於噴嘴與整流道處設多級電磁鐵,使金屬玻璃粒子經該噴嘴及整流道之金屬玻璃粒子因電磁力驅動,而加速該金屬玻璃粒子束之切割力道者。
- 如申請專利範圍第2項之方法,其中該基質係一晶圓,該突粒係一晶片者。
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CN115401621A (zh) * | 2022-08-17 | 2022-11-29 | 武汉船用机械有限责任公司 | 一种通过电场加速的喷丸处理装置 |
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US7121925B2 (en) * | 2000-03-31 | 2006-10-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for dicing semiconductor wafer into chips |
US10883152B2 (en) * | 2018-08-23 | 2021-01-05 | Taichi Metal Material Technology Co., Ltd. | Dynamically impacting method for simultaneously peening and film-forming on substrate as bombarded by metallic glass particles |
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CN115401621A (zh) * | 2022-08-17 | 2022-11-29 | 武汉船用机械有限责任公司 | 一种通过电场加速的喷丸处理装置 |
CN115401621B (zh) * | 2022-08-17 | 2023-06-23 | 武汉船用机械有限责任公司 | 一种通过电场加速的喷丸处理装置 |
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