TWI790473B - 以金屬玻璃粒子束切割之方法 - Google Patents

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Abstract

一種以金屬玻璃粒子束切割之方法，係令一金屬玻璃粒子束對著一基質，例如一晶圓進行切割，使形成多數切割道，以遂行乾式、乾淨、環保、高效能、低成本之切割製程者。

Description

以金屬玻璃粒子束切割之方法
本發明係關於一種以金屬玻璃粒子束切割之方法。
一般以鋼珠、陶瓷珠或金剛砂對一基質(substrate)珠擊時，因該等珠擊之粒子硬度低，比重低，有銳角，容易造成基質之破裂、損耗成本驟增，大降其商業實用價值，且需採溼式製程，使研磨污泥處理不易，影響環境保護甚巨，而現其缺點。
本案發明人有鑒於此，乃發明本案之以金屬玻璃粒子束切割之方法。
本發明之目的旨在提供一種以金屬玻璃粒子束切割之方法，係令一金屬玻璃粒子束對著一基質，例如一晶圓進行切割，使形成多數切割道，以遂行乾式、乾淨、環保、高效能、低成本之切割製程者。
本發明之可取實例，可由以下說明書配合所附諸圖式而得以明晰之。
1，1a，1b:金屬玻璃送粒機構
2:噴嘴
3:整流道
4:金屬玻璃粒子束
5:基質(或晶圓)
E:負壓腔體環境
G:驅動氣體
10:金屬玻璃粒子
51:切割道
51a:薄層
52:突粒(或：晶粒)
53:遮罩
50:邊料
11:電極電路
12:電磁線圈加速器
圖1係本發明第一可取實例之製程示意圖。
圖2係係本發明用以切割晶圓之示意圖。
圖3係本發明第二可取實例之製程示意圖。
圖4係本發明第三可取實例之製程示意圖。
參閱第1，2圖，本發明之第一可取實施例係一切割製程設備，包括：一金屬玻璃粒子送粒機構(1)，一噴嘴(2)，一整流道(3)，以一驅動氣體(G，含空氣或隋性氣體如氮氣、氬氣等)，吹驅該等金屬玻璃粒子(10)經噴嘴(2)、整流道(3)形成金屬玻璃粒子束(4)對著基質(5)聚焦地撞擊，例如對一晶圓切割(cutting)使形成多數切割道(51)，而產生多數突粒(52)，例如晶粒(chip)者。基層(5)晶圓經切割後會產生邊料(50)尤如圖2所示者。在切割製程中，可使用一遮罩(53)以罩住諸突粒(52，或晶粒)，好讓金屬玻璃粒子束(4)只能切割出諸切割道(51)。上述之製程係在一低於一大氣壓之負壓腔體環境(E)中進行者。所使用之驅動氣體壓力介於0.1bar至5bar之間。所用之金屬玻璃粒徑約1~100μm，故能精細切割。
如圖1所示者，各切割道(51)不必完全切割，而應留下「耦斷絲連」之薄層(51a)，以便進行後續之晶粒轉移，便於轉移後欲定位封裝時可沿著各切割道之薄層(51a)加以剝斷、分開即可，否則當切割道(51)完全切割時，各突粒(52，或晶粒)豈不紊亂四散，無法進行後續之加工製程。
如圖3所示者，該金屬玻璃送粒機構(1a)已修飾為一離心甩噴式之送粒機構，俾藉離心力之甩噴，將金屬玻璃粒子(10)離心甩出形成一金屬玻璃粒子束(4)，以進行在基質(5)之切割一如前述者。
如圖4所示者，該金屬玻璃粒子送粒機構(1b)再修飾為於該 金屬玻璃送粒機構(1b)與基質(5)間架接一電極電路(11)使金屬玻璃粒子(10)帶上電荷，而於噴嘴(2)與整流道(3)外圍包繞一電磁線圈加速器(12)俾令通經該噴嘴(2)及整流道之金屬玻璃粒子(10)因電磁力驅動，而加速該金屬玻璃粒子束(4)之切割「力道」者。
本發明所使用之金屬玻璃，亦稱為：液態合金或非晶質(amorphous)合金者。
又所用之金屬玻璃之基材，係未加限制者，例如可為：鐵基、鎳基、鈷基、高熵合金基，等等。
本發明使用上述之製程設備，以氣體(空氣或隋性氣體)，於0.1~5bars之壓力下，驅動金屬玻璃粒子束，使「聚焦」於基質表面上，利用金屬玻璃粒子之小粒徑、高硬度、高比重、高真圓度之特性，將動能施力於基質上，造成基板「塑性變型」下凹，形成「切槽」，故能進行基質之切割操作，而金屬玻璃之破裂強度高，極不易破損，可完全回收使用，不浪費資源，裨益環保，此為本發明之特徵。
本發明具有以下諸優點：
1.金屬玻璃粒子(或珠子)為高真圓度、高硬度之球形粒子，切割(撞擊)晶圓時不會產生微裂紋，不造成晶格之意外劈裂。
2.金屬玻璃粒子可大面積切割，以薄化基質，加速切割速度，效率極高。
3.可藉由粒子產出量、撞擊速度、撞擊距離、撞擊角度、撞擊時間等參數，來精確控制切削深度，讓晶圓切割道處於藕斷絲連的狀態，以便整片晶圓在切割後還能進行運送轉移，在晶粒需要 封裝時，再一片一片地剝斷即可。
4.可克服迷你(mini)LED與微(micro)LED製程切割時間太久以及巨量轉移困難的瓶頸，使其能順利進入量產。
5.晶圓或玻璃等基質薄化與霧化均為物理製程，不需使用氫氟酸，造成腐蝕、污染，整個製程係乾式、乾淨、環保、高效能、高良率、高產能、低成本，而饒富商業實用價值。
本發明之可取實例，可於不違本發明之精神及範疇下作適當之修飾或改良，本發明實不限制之。
1，1a，1b:金屬玻璃送粒機構
2:噴嘴
3:整流道
4:金屬玻璃粒子束
5:基質(或晶圓)
E:負壓腔體環境
10:金屬玻璃粒子
51:切割道
51a:薄層
52:突粒(或：晶粒)
53:遮罩
G:驅動氣體

Claims (7)

  1. 一種以金屬玻璃粒子束切割之方法，係包括：一金屬玻璃粒子送粒機構，一噴嘴，一整流道，以一驅動氣體，吹驅金屬玻璃粒子經該噴嘴、整流道形成金屬玻璃粒子束對著一基質聚焦地撞擊，造成基質「塑性變型」下凹，使形成多數切槽，而產生多數突粒者。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在切割製程中，係使用一遮罩以罩住諸突粒，使金屬玻璃粒子束只能切割出諸切割道。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，係在一低於一大氣壓之負壓腔體環境中進行者。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中所使用之驅動氣體壓力係介於0.1bar至5bar之間者。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中各該切割道係不必完全切割，而留下一薄層，以便進行後續之晶粒轉移，便於轉移後欲定位封裝時可沿著各切割道之該薄層加以剝斷、分開者。
  6. 一種以金屬玻璃粒子束切割之方法，係包括一金屬玻璃送粒機構，係利用一離心甩噴式之送粒機構，俾藉離心力之甩噴，將金屬玻璃粒子離心甩出形成一金屬玻璃粒子束，以進行在基質之切割者。
  7. 一種以金屬玻璃粒子束切割之方法，係包括一金屬玻璃粒子送粒機構，係於該金屬玻璃送粒機構與一基質間架接一電極電路以產生帶電荷之金屬玻璃粒子，於一噴嘴與一整流道處設多級電磁鐡，使帶電荷之金屬玻璃粒子通經該噴嘴及整流道時因電磁力驅動，而加速該金屬玻璃粒子束之切割力道，以切割該基質者。
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CN115401621B (zh) * 2022-08-17 2023-06-23 武汉船用机械有限责任公司 一种通过电场加速的喷丸处理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0261376A2 (de) * 1986-08-28 1988-03-30 Alfred Gutmann Gesellschaft für Maschinenbau mbH Vorrichtung zum Beschleunigen von magnetisch beeinflussbarem Strahlmittel
TWI257711B (en) * 2000-03-31 2006-07-01 Toyoda Gosei Kk Method for dicing semiconductor wafer into chips
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0261376A2 (de) * 1986-08-28 1988-03-30 Alfred Gutmann Gesellschaft für Maschinenbau mbH Vorrichtung zum Beschleunigen von magnetisch beeinflussbarem Strahlmittel
TWI257711B (en) * 2000-03-31 2006-07-01 Toyoda Gosei Kk Method for dicing semiconductor wafer into chips
TW202019621A (zh) * 2018-08-23 2020-06-01 態金材料科技股份有限公司 藉金屬玻璃粒子轟擊於基材上同時珠擊並形成薄膜之動能撞擊方法

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