TW202207191A - 陣列基板及顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本公開的目的是在於提供一種能夠抑制因汲極信號的上升偏差引起的顯示品質的降低的技術。一種陣列基板，其包括基板、多個半導體開關元件。在基板中，規定有陣列狀的多個像素。多個半導體開關元件對應於多個像素而配設，並且汲極信號的輸入時刻不同。向所有多個半導體開關元件輸入汲極信號後，向多個半導體開關元件輸入閘極信號。

Description

陣列基板及顯示裝置
本公開涉及一種陣列基板及顯示裝置。
通常，液晶顯示裝置係藉由配設於基板顯示區域外沿的密封材料將分別配設有透明電極的一對電極基板貼合，並在由此形成的內部空間封入液晶而構成。另外，在液晶顯示裝置中，存在有源矩陣型的裝置與無源矩陣型的裝置。有源矩陣型的液晶顯示裝置具有將作為半導體開關元件的薄膜電晶體（TFT，Thin Film Transistor）配設成矩陣狀的TFT陣列基板。TFT陣列基板與對置基板藉由密封材料貼合，並在TFT陣列基板與對置基板之間的內部空間封入液晶。
在TFT陣列基板的顯示區域內配設有閘極佈線、汲極佈線、像素電極。在閘極佈線中傳播的閘極信號對作為半導體開關元件的TFT的接通及斷開進行控制。在汲極佈線中傳播的汲極信號藉由已控制為接通的TFT供給至像素電極。當向像素電極供給汲極信號時，在對置電極與像素電極之間施加對應於汲極信號的顯示電壓，來驅動液晶。在閘極佈線中傳播的閘極信號以及在汲極佈線中傳播的汲極信號由驅動器IC提供。在顯示區域外側的邊框區域內，從驅動器IC到閘極佈線及汲極佈線的位置配設有引出佈線。此外，在邊框區域內配設有密封材料及公共佈線。藉由該公共佈線，將用於供给共用電位的共用信號傳播至顯示區域。
在這樣的液晶顯示裝置中，作為應對電磁干擾（EMI，Electro Magnetic Interference）的對策之一，提出了一種使向汲極信號的顯示區域的輸入時刻在對該顯示區域進行劃分所得的多個區域間變化的技術（例如，專利文獻1）。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2003-233358號公報
[發明所要解決的技術問題]
然而，為了應對EMI，當使汲極信號的輸入時刻在多個區域間變化時，存在由於汲極信號的上升偏差，導致可觀察到顯示不均這一問題。特別是當環境溫度較低時，存在由於TFT能力的降低，導致可明顯觀察到顯示不均這一問題。
因此，本公開鑒於上述問題而完成，其目的是在於提供一種能夠抑制因汲極信號的上升偏差引起的顯示品質的降低的技術。 [用於解決問題的技術手段]
本公開所涉及的陣列基板包括：規定有陣列狀的多個像素的基板；多個半導體開關元件，其對應於所述多個像素而配設，並且汲極信號的輸入時刻不同，在向所有所述多個半導體開關元件輸入所述汲極信號後，向所述多個半導體開關元件輸入閘極信號。 [發明效果]
根據本公開，向所有多個半導體開關元件輸入汲極信號後，向多個半導體開關元件輸入閘極信號。由此，能夠抑制因汲極信號的上升偏差引起的顯示品質的降低。
下面，對本公開的較佳實施方式進行說明。此外，本公開並不僅限定於以下所說明的實施方式。另外，為了使說明清楚，對以下的記載以及附圖適當地進行省略和簡化。附圖係示意性的，並不能反映所示出的構成要素的準確的大小。此外，在各圖中被賦予相同符號的構成要素表示相同或者類似的構成要素，並且對重複的說明進行了適當地省略。 （第一實施方式）
下面，以包括本第一實施方式所涉及的陣列基板的顯示裝置作為液晶顯示裝置來進行說明。圖1係示出作為本第一實施方式所涉及的液晶顯示裝置的陣列基板的TFT陣列基板100的構成之平面圖。
如圖1所示，TFT陣列基板100包括基板1，所述基板1上規定有陣列狀的多個像素50，每個像素50為顯示圖像的單位。TFT陣列基板100包括作為對應於像素50配設的多個半導體開關元件的多個TFT51，多個TFT51對要施加到液晶的顯示電壓的供給通斷進行控制。這樣，TFT陣列基板100為與像素50類似地TFT51呈陣列狀排列的基板。
如上所述，TFT陣列基板100包括配設有TFT51的基板1。例如，基板1由玻璃基板、半導體基板、樹脂基板組成。在TFT陣列基板100中，規定了TFT51呈陣列狀排列的區域即陣列區域、以及設置成包圍陣列區域的邊框區域。在液晶顯示裝置等顯示裝置中，上述陣列區域對應於顯示圖像的區域即顯示區域41（圖1的虛線所包圍的區域），上述邊框區域對應於設置成包圍顯示區域41的邊框區域42（TFT陣列基板100中除圖1的虛線所包圍的區域之外的區域）。
在TFT陣列基板100的顯示區域41內配設有多個閘極佈線（掃描信號線）43、以及多個汲極佈線（顯示信號線）44。多個閘極佈線43彼此平行設置，多個汲極佈線44彼此平行設置，閘極佈線43與汲極佈線44配設成互相交叉。相鄰的閘極佈線43與相鄰的汲極佈線44所包圍的區域係像素50。因此，在顯示區域41內，像素50排列成矩陣狀。
在TFT陣列基板100的邊框區域42內配設有掃描信號驅動電路46a、顯示信號驅動電路46b、佈線轉換部45、引出佈線47a1、47a2、47b1、47b2以及外部連接端子48a1、48a2、48b1、48b2等。
閘極佈線43從顯示區域41延伸設置至顯示區域41與邊框區域42的邊界附近。閘極佈線43在該邊界附近與引出佈線47a1連接，從而引出至TFT陣列基板100的端部，所述引出佈線47a1由與閘極佈線43相同材料形成。另外，各個閘極佈線43在TFT陣列基板100的端部藉由與各個引出佈線47a1的端部連接的各個外部連接端子48a1與掃描信號驅動電路46a電連接。
汲極佈線44藉由佈線轉換部45與引出佈線47b1電連接，所述引出佈線47b1由與閘極佈線43相同材料形成在同一層內。另外，各個汲極佈線44在TFT陣列基板100的端部藉由與各個引出佈線47b1的端部連接的各個外部連接端子48b1等與顯示信號驅動電路46b電連接。
掃描信號驅動電路46a藉由引出佈線47a2及外部連接端子48a2與外部佈線49a電連接。顯示信號驅動電路46b藉由引出佈線47b2及外部連接端子48b2與外部佈線49b電連接。外部佈線49a、49b為例如FPC（Flexible Printed Circuit）等佈線基板。
各種來自外部的信號通過外部佈線49a及引出佈線47a2供给至掃描信號驅動電路46a，並且通過外部佈線49b及引出佈線47b2供给至顯示信號驅動電路46b。掃描信號驅動電路46a根據來自外部的控制信號將閘極信號（掃描信號）供给至閘極佈線43。根據該閘極信號，依次選擇閘極佈線43。顯示信號驅動電路46b根據來自外部的控制信號及顯示數據將汲極信號（顯示信號）供给至汲極佈線44。由此，能夠將對應於顯示數據的顯示電壓供给至各個像素50。
在像素50內，至少配設有一個TFT51。例如，TFT51配設於汲極佈線44與閘極佈線43的交點附近。根據來自閘極佈線43的閘極信號，作為半導體開關元件的TFT51接通。由此，對應於汲極佈線44的汲極信號的顯示電位被施加（供给）至與已接通的TFT51的汲極電極連接的像素電極。
具有平板狀電極的像素電極通過絕緣膜與具有梳齒狀電極或者狹縫電極的共用電極（對置電極）相對設置。在共用電極（對置電極）中，提供了共用電位，在像素電極與共用電極（對置電極）之間，產生對應於顯示電壓（顯示電位與共用電位的電位差）的邊緣電場。此外，關於像素50之詳細構成，在後文進行說明。
下面，藉由圖2之剖面圖對本第一實施方式所涉及的液晶顯示裝置的整體的剖面結構進行說明。如圖2所示，在上述的TFT陣列基板100的表面配設有取向膜61。此外，在TFT陣列基板100的取向膜61側，與TFT陣列基板100相對地設置有對置基板60。例如，對置基板60為彩色濾光片基板，配設於液晶顯示裝置的可視側。在對置基板60中配設有彩色濾光片64、黑色矩陣（Black Matrix：BM）63以及取向膜61等。
在TFT陣列基板100與對置基板60之間夾持有液晶層62（圖2中未標注陰影的部分）。即，在TFT陣列基板100與對置基板60之間導入液晶。在TFT陣列基板100及對置基板60的外側面，分別設有偏振板65。液晶顯示面板由以上的構成要素構成。
另外，在液晶顯示裝置的可視側相反側即TFT陣列基板100的背面側，藉由相位差板等光學薄膜66配設有背光單元67。並且，液晶顯示面板以及光學薄膜66及背光單元67等周邊構件適當地容納在由樹脂和金屬等構成的框架（未圖示）內。本第一實施方式所涉及的液晶顯示裝置具有上述構成。
當像素電極與對置電極之間的邊緣電場產生時，驅動由取向膜61取向的液晶。即，TFT陣列基板100與對置基板60之間的液晶的取向方向發生變化。由此，通過液晶層62的光的偏振狀態發生變化。即，通過偏振板65並呈直線偏振光的光根據液晶層62的液晶的取向方向的變化，偏振狀態發生變化。具體的是，來自背光單元67的光通過TFT陣列基板100側的偏振板65成為直線偏振光。藉由該直線偏振光通過液晶層62，偏振狀態根據液晶層62的液晶的取向方向而發生變化。
根據偏振狀態的變化，通過對置基板60側的偏振板65的光量發生變化。即，在從背光單元67透過液晶顯示面板的透射光中，通過可視側的偏振板65的光的光量根據液晶層62上的偏振狀態的變化，進而根據液晶的取向方向而發生變化。液晶的取向方向根據像素電極與對置電極之間的顯示電壓而發生變化。因此，藉由對顯示電壓進行控制，從而能夠改變通過可視側的偏振板65的光量。即，藉由改變每個像素50的顯示電壓，從而能夠顯示出所期望的圖像。
下面，藉由圖3及圖4對本第一實施方式所涉及的液晶顯示裝置的配設有TFT51的顯示區域41的詳細構成進行說明。圖3係示出第一實施方式所涉及的TFT陣列基板100的顯示區域41的中央部附近的像素結構之平面圖，圖4係示出沿著圖3中的A1-A2剖面線的剖面結構之剖面圖。
如圖3及圖4所示，例如，在由玻璃基板等絕緣性材料構成的基板1上配設有與TFT51的閘極電極連接的閘極佈線43。此處，閘極佈線43被配設成其一部分構成閘極電極。
閘極電極及閘極佈線43由例如Cr、Al、Ta、Ti、Mo、W、Ni、Cu、Au、Ag等高熔點金屬、低電阻金屬、或者以它們為主成分的合金膜、或者由它們的層疊膜構成的第一導電膜形成。第一導電膜被作為閘極絕緣膜的第一絕緣膜8覆蓋，在第一絕緣膜8上配設有半導體層3。在平面圖中，半導體層3以與閘極佈線43重疊的方式配設於第一絕緣膜8上，由例如非晶矽、多晶矽等形成。
在半導體層3上，選擇性地配設有摻雜有導電性雜質的歐姆接觸膜4。歐姆接觸膜4配設於除TFT51的溝道區域之外的半導體層3的上表面的幾乎整個面上。在平面圖中，在與閘極電極重疊的半導體層3中，與歐姆接觸膜4對應的半導體層3的區域為汲極區域或者汲極區域。在圖4的例子中，與閘極電極（閘極佈線43）重疊的與圖4左側的歐姆接觸膜4對應的半導體層3中的區域為汲極區域。另外，與閘極電極（閘極佈線43）重疊的與圖4右側的歐姆接觸膜4對應的半導體層3中的區域為汲極區域。半導體層3中，夾在汲極區域與汲極區域之間的區域係溝道區域。在半導體層3的溝道區域上，並未配設歐姆接觸膜4。例如，歐姆接觸膜4係由摻雜有高濃度磷（P）等雜質的n型非晶矽或n型多晶矽等而成。
在歐姆接觸膜4上配設有源極電極53及汲極電極54。具體的是，在汲極區域的歐姆接觸膜4上配設有源極電極53，在汲極區域的歐姆接觸膜4上配設有汲極電極54。這樣，在圖3及圖4的液晶顯示裝置中，構成了溝道刻蝕型的TFT51。
源極電極53及汲極電極54配設成延伸至半導體層3的溝道區域的外側。即，與歐姆接觸膜4類似地，源極電極53及汲極電極54也未配設在半導體層3的溝道區域內。另外，源極電極53延伸至半導體層3的溝道區域的外側，與汲極佈線44連接。即，汲極佈線44與源極電極53連接。在圖3的例子中，汲極佈線44配設成在平面圖中在與閘極佈線43相交的方向直線性延伸。由此，汲極佈線44中，在閘極佈線43的交叉部上分支並沿著閘極佈線43延伸的部分係源極電極53。汲極電極54向半導體層3的溝道區域的外側延伸，與像素電極55電連接。
在圖4的例子中，源極電極53、汲極電極54及汲極佈線44係例如包括以Al為主成分的金屬膜來作為上層，包括以Cr、Ta、Ti、Mo、W、Ni、Cu、Au、Ag等高熔點金屬或者低電阻金屬或者以它們為主成分的合金膜來作為下層的多層的第二導電膜。即，圖4的汲極佈線44為例如由與源極電極53及汲極電極54相同材料形成在同一層的金屬圖案。
在本第一實施方式中，像素電極55直接重疊地配設在汲極電極54上。即，配設成像素電極55的下表面（圖4的下側表面）與汲極電極54的上表面（圖4的上側表面）直接接觸。並且，像素電極55從汲極電極54延伸至像素50內，如圖3所示，配設於被構成像素50的汲極佈線44與閘極佈線43包圍的區域的幾乎整個面上。這樣構成的像素電極55的一部分配設成在平面圖中與汲極電極54重疊。此外，像素電極55為由例如ITO（Indium Tin Oxide）等透明導電膜形成的透明導電膜圖案。
如上所述，在本第一實施方式中，像素電極55並未通過絕緣膜而是直接重疊地配設在汲極電極54的上層。根據這樣的構成，不需要用於使像素電極55與汲極電極54電連接的接觸孔。這係因為藉由將像素電極55的一部分直接重疊地配設在汲極電極54上，從而能夠使它們之間電連接。因此，針對汲極電極54與像素電極55的連接，無需設置接觸孔區即可配設區域像素50，因此能夠提高像素50的開口率。
此外，在上文中，作為像素電極55的透明導電膜圖案，在汲極電極54上直接重合的部分中的透明導電膜圖案與配設於被汲極佈線44和閘極佈線43包圍的區域的幾乎整個面上的透明導電膜圖案一體地形成。因此，將前者的透明導電膜圖案及後者的透明導電膜圖案一併記為像素電極55。然而，也可以將實際上並不起到像素電極55的作用的前者的透明導電膜圖案設為由與像素電極55相同材料的透明導電膜形成在同一層的另一透明導電膜圖案，來與像素電極55的透明導電膜圖案進行區分。另一方面，實際上起到像素電極55的作用後者的透明導電膜圖案可以解釋為：當以相鄰的像素電極55為主體時，由與該像素電極55相同材料的透明導電膜形成在同一層的透明導電膜圖案。因此，後者的透明導電膜圖案也可以不區分像素電極55，而解釋為像素電極55的透明導電膜圖案。
配設有第二絕緣膜9來作為覆蓋像素電極55（透明導電膜圖案）的上層絕緣膜。第二絕緣膜9覆蓋TFT51，起到TFT51的保護膜的作用。第二絕緣膜9由例如氮化矽、氧化矽等絕緣膜、塗布型的（塗布形成）絕緣膜或者它們的層疊膜而形成。
在本第一實施方式中，在第二絕緣膜9上配設有對置電極56。對置電極56藉由第二絕緣膜9配設於像素電極55上，在對置電極56中，設有用於在對置電極56與像素電極55之間產生邊緣電場的狹縫59。藉由在像素電極55與對置電極56之間產生邊緣電場並對液晶進行驅動，從而能夠構成FFS（Fringe Field Switching）模式的液晶顯示裝置。
此外，由於對置電極56與像素電極55之間藉由第二絕緣膜9來絕緣，因此第二絕緣膜9也起到層間絕緣膜的作用，在對置電極56與像素電極55重疊的部分形成具有保持電容的電容部52（圖3）。即多個TFT51與多個電容部52分別連接。
在圖3的例子中，隔著閘極佈線43的相鄰像素50的對置電極56互相連接一體地形成。具體的是，隔著閘極佈線43的相鄰像素50的對置電極56之間由對置電極連接部57連接。此處，對置電極56的對置電極連接部57配設成跨越汲極佈線44或者與TFT51不重疊的區域的閘極佈線43。即，對置電極56形成為在閘極佈線43的至少一部分重疊。對置電極56及對置電極連接部57為藉由例如ITO等透明導電膜一體形成的透明導電膜圖案。
下面，藉由圖5及圖6對本第一實施方式所涉及的液晶顯示裝置的閘極信號、汲極信號（顯示信號）的動作時刻進行說明。在本第一實施方式中，為了應對EMI，使輸入多個TFT51汲極信號的時刻（輸入時刻）不同。具體的是，第一汲極信號72的輸入時刻與第二汲極信號73的輸入時刻不同。此外，輸入時刻對應於顯示信號驅動電路46b輸出汲極信號的輸出時刻。
圖5係示出由不同的輸入時刻的汲極信號驅動的顯示區域41的圖，圖6係示出閘極信號及汲極信號的輸入時刻之圖。圖5的顯示區域41包括第一顯示區域41a與第二顯示區域41b。第一顯示區域41a為由閘極信號71與第一汲極信號72驅動的區域，圖5的第二顯示區域41b為由閘極信號71與第二汲極信號73驅動的區域。
如圖6所示，作為動作的時刻，最初第一汲極信號72上升，然後第二汲極信號73上升。向所有多個TFT51輸入汲極信號，當第一汲極信號72及第二汲極信號73達到所期望的電位後，向多個TFT51輸入閘極信號，閘極信號71上升。然後，閘極信號71、第一汲極信號72以及第二汲極信號73依次下降。
根據以上的本第一實施方式所涉及的液晶顯示裝置，向多個TFT51選擇性地輸入輸入時刻不同的第一汲極信號及第二汲極信號後，向多個TFT51輸入閘極信號。藉由以這樣的動作時刻來對像素50進行驅動，由於能夠不受到第一汲極信號72及第二汲極信號73的輸入時刻的偏差的影響地對像素50充電，因此能夠抑制第一顯示區域41a與第二顯示區域41b之間的亮度差的產生。即，由於能夠抑制因汲極信號的上升偏差引起的顯示不均，因此能夠抑制顯示品質的降低。 （第二實施方式）
藉由圖7、圖8及圖9對本第二實施方式所涉及的液晶顯示裝置的構成進行說明。圖7係示出由不同的輸入時刻的汲極信號驅動的顯示區域41的圖，圖8係示出顯示信號驅動電路46b附近之平面圖，圖9係示出閘極信號及汲極信號的輸入時刻之圖。圖7的顯示區域41包括輸入第一汲極信號72的第一顯示區域41a、輸入與第一汲極信號72的輸入時刻不同的第二汲極信號73的第二顯示區域41c。
如圖8所示，向每兩個顯示信號驅動電路46b的外部連接端子48b1，交替輸出第一汲極信號72與第二汲極信號73。其中，將從圖8左端的第一列及第二列的外部連接端子48b1輸入第一汲極信號72的第一顯示區域41a的TFT51記為第一TFT51。將從圖8左端的第五列及第六列的外部連接端子48b1輸入第一汲極信號72的第一顯示區域41a的TFT51記為第二TFT51。將從圖8左端的第三列及第四列的外部連接端子48b1輸入第二汲極信號73的第二顯示區域41c的TFT51記為第三TFT51。此外，第一TFT51、第二TFT51以及第三TFT51為第一半導體開關元件、第二半導體開關元件及第三半導體開關元件。
向第一顯示區域41a的第一TFT51及第一顯示區域41a的第二TFT51輸入第一汲極信號72。因此，第一TFT51中的汲極信號的輸入時刻、第二TFT51中的汲極信號的輸入時刻相同。
向第一顯示區域41a的第一TFT51輸入第一汲極信號72，向第二顯示區域41c的第三TFT51輸入第二汲極信號73。因此，第一TFT51中的汲極信號的輸入時刻與第三TFT51中的汲極信號的輸入時刻不同。另外，第三TFT51配設於第一TFT51與第二TFT51之間，第一顯示區域41a及第二顯示區域41c交替配設。
此處，在本第二實施方式所涉及的液晶顯示裝置中，第一TFT51、第二TFT51及第三TFT51的各自的列的數量為2，交替配設的第一顯示區域41a及第二顯示區域41c的寬度相對較小。由此，由於不易觀察到因汲極信號的上升偏差引起的顯示不均，因此能夠抑制顯示品質的降低。
此外，如上所述，由於不易觀察到顯示不均，因此如圖9所示也可以將閘極信號71的上升時刻設在第一汲極信號72及第二汲極信號73之前，來加長各個像素的充電時間。根據這樣的時刻，能夠應對高解析度。
另外，在以上的說明中，第一TFT51、第二TFT51及第三TFT51的各自的列的數量為2，然而在大於1小於10的情況下也能夠得到與上述相同的效果。 （第三實施方式）
藉由圖10及圖11對本第三實施方式所涉及的液晶顯示裝置的構成進行說明。圖10係示出由不同的輸入時刻的汲極信號驅動的顯示區域41的圖，圖11係示出顯示區域41的詳細構成之平面圖。圖10的顯示區域41包括輸入第一汲極信號72的第一顯示區域41a、輸入與第一汲極信號72的輸入時刻不同的第二汲極信號73的第二顯示區域41d。
在本第三實施方式中，多個TFT51中的汲極信號的輸入時刻之差藉由多個對置電極56與多個像素電極55之間的多個電容部52的充電特性之差來進行補償。其中，多個電容部52的充電特性之差對應於多個TFT51的溝道寬度W之差。
在圖11的例子中，由第二汲極信號73驅動的第二顯示區域41d的TFT51d的溝道寬度W比由第一汲極信號72驅動的第一顯示區域41a的TFT51a的溝道寬度W大。
在以上的本第三實施方式所涉及的液晶顯示裝置中，第二汲極信號73相對於第一汲極信號72的延遲藉由TFT51a、51d的溝道寬度W來進行補償。根據這樣的構成，由於第二汲極信號73的上升比第一汲極信號72的上升更加急劇，不易觀察到因汲極信號的上升偏差引起的顯示不均，因此能夠抑制顯示品質的降低。
此外，如上所述，由於不易觀察到顯示不均，因此與第二實施方式的圖9相同，也可以將閘極信號71的上升時刻設在第一汲極信號72及第二汲極信號73之前，來加長各個像素的充電時間。根據這樣的時刻，能夠應對高解析度。 （第四實施方式）
藉由圖12及圖13對本第四實施方式所涉及的液晶顯示裝置的構成進行說明。圖12係示出由不同的輸入時刻的汲極信號驅動的顯示區域41的圖，圖13係示出顯示區域41的詳細構成之平面圖。圖12的顯示區域41包括輸入第一汲極信號72的第一顯示區域41a、輸入與第一汲極信號72的輸入時刻不同的第二汲極信號73的第二顯示區域41e。
在本第四實施方式中，與第三實施方式類似地，多個TFT51中的汲極信號的輸入時刻之差藉由多個電容部52的充電特性之差來進行補償。只是，在本第四實施方式中，多個電容部52的充電特性之差對應於多個電容部52的保持電容之差。
在圖13的例子中，由第二汲極信號73驅動的第二顯示區域41e的像素電極55e與對置電極56的重疊面積比由第一汲極信號72驅動的第一顯示區域41a的像素電極55a與對置電極56的重疊面積小。由此，第二顯示區域41e的電容部52e的保持電容比第一顯示區域41a的電容部52a的保持電容小。此外，在此對藉由調整重疊面積來調整保持電容的例子進行了說明，然而並不僅限於此，例如，也可以藉由調整作為層間絕緣膜的第二絕緣膜9的厚度來實施。
在以上的本第四實施方式所涉及的液晶顯示裝置中，第二汲極信號73相對於第一汲極信號72的延遲通過電容部52a、52e的保持電容來進行補償。根據這樣的構成，由於第二汲極信號73的上升比第一汲極信號72的上升更加急劇，不易觀察到因汲極信號的上升偏差引起的顯示不均，因此能夠抑制顯示品質的降低。
此外，如上所述，由於不易觀察到顯示不均，因此與第二實施方式的圖9類似地，也可以將閘極信號71的上升時刻設在第一汲極信號72及第二汲極信號73之前，來加長各個像素的充電時間。根據這樣的時刻，能夠應對高解析度。 （第五實施方式）
藉由圖14及圖15對本第五實施方式所涉及的液晶顯示裝置的構成進行說明。圖14係示出由不同的輸入時刻的汲極信號驅動的顯示區域41的圖，圖15係示出閘極信號、汲極信號的輸入時刻之圖。圖14的顯示區域41包括輸入第一汲極信號72的第一顯示區域41a、輸入與第一汲極信號72的輸入時刻不同的第二汲極信號73的第二顯示區域41f。
在本第五實施方式中，多個TFT51中的汲極信號的輸入時刻之差與第三實施方式等類似地藉由多個電容部52的充電特性之差來進行補償。只是，在本第五實施方式中，多個電容部52的充電特性之差對應於與多個TFT51分別連接的多個引出佈線（多個佈線）造成的信號延遲之差。
在圖14的例子中，由第一汲極信號72驅動的第一顯示區域41a的引出佈線47b1的寬度比由第二汲極信號73驅動的第二顯示區域41f的引出佈線47b3的寬度小。由此，基於第一顯示區域41a的引出佈線47b1造成的信號延遲比第二顯示區域41f的引出佈線47b3造成的信號延遲大。此外，在此對藉由調整佈線的電阻來調整佈線造成的信號延遲的例子進行了說明，然而並不僅限於此，例如，也可以藉由調整佈線的電容來實施。
在以上的本第五實施方式所涉及的液晶顯示裝置中，第二汲極信號73相對於第一汲極信號72的延遲通過佈線的信號延遲來進行補償。根據這樣的構成，如圖15所示，第二汲極信號73的上升比第一汲極信號72的上升更加急劇，成為第一汲極信號72的所期望的電位的時刻與成為第二汲極信號73的所期望的電位的時刻幾乎相同。因此，由於不易觀察到因汲極信號的上升偏差引起的顯示不均，因此能夠抑制顯示品質的降低。
此外，如上所述，由於不易觀察到顯示不均，因此與第二實施方式的圖9類似地，也可以將閘極信號71的上升時刻設在第一汲極信號72及第二汲極信號73之前，來加長各個像素的充電時間。根據這樣的時刻，能夠應對高解析度，在這一點上係較佳的。 （第六實施方式）
藉由圖16對本第六實施方式所涉及的液晶顯示裝置的構成進行說明。圖16係示出由不同的輸入時刻的汲極信號驅動的顯示區域41之圖。圖16的顯示區域41包括第一顯示區域41a、第二顯示區域41g、第三顯示區域41h、第四顯示區域41i。
此處，將對應於TFT51的陣列狀排列的端部的區域記為端區域，將對應於TFT51的陣列狀排列的中央部的區域記為中央區域。下面，對端區域係作為端部中的端的第一顯示區域41a的情況進行了說明，然而並不僅限於此，端區域也可以是作為端部整體的第一顯示區域41a及第二顯示區域41g。同樣，下面對中央區域係作為中央部中的中央的第四顯示區域41i的情況進行了說明，然而並不僅限於此，中央區域也可以是作為中央部整體的第三顯示區域41h及第四顯示區域41i。
本第六實施方式所涉及的液晶顯示裝置被配置為以從端區域朝向中央區域的順序，將汲極信號輸入至多個TFT51。即，本第六實施方式所涉及的顯示信號驅動電路46b被配置為以圖16的第一顯示區域41a、第二顯示區域41g、第三顯示區域41h、第四顯示區域41i的順序依次以不同的時刻輸出汲極信號。
在以上的本第六實施方式所涉及的液晶顯示裝置中，能夠縮小顯示區域41的中央的汲極信號的時刻之差。由此，由於不易觀察到因汲極信號的上升偏差引起的顯示不均，因此能夠抑制顯示品質的降低。此外，顯示信號驅動電路46b也可以被配置為以與上述相反的順序，即以圖16的第四顯示區域41i、第三顯示區域41h、第二顯示區域41g、第一顯示區域41a的順序依次以不同的時刻輸出汲極信號。即，液晶顯示裝置也可以被配置為以從中央區域朝向端區域的順序，將汲極信號輸入至多個TFT51。這樣的構成也能夠得到與上述相同的效果。 （變形例）
在第一至第六實施方式中，作為例子示出了顯示信號驅動電路46b的數量為1的構成，然而顯示信號驅動電路46b的數量為多個的構成也能夠得到與上述相同的效果。
另外，在以上的說明中，TFT陣列基板100用於液晶顯示裝置，然而也可以用於光學顯示裝置等顯示裝置。例如，也可以在包括TFT陣列基板、藉由在TFT陣列基板的像素電極上施加電場而發光的發光層、覆蓋該發光層的絕緣膜、共用電極的電致發光顯示裝置的TFT陣列基板中使用TFT陣列基板100。或者例如，也可以在藉由TFT陣列基板與外部電路產生的電場對包含白色與黑色顏料顆粒的微膠囊進行驅動的電泳方式的顯示裝置、或者電子粉末流體方式的顯示裝置的TFT陣列基板中使用TFT陣列基板100。
另外，使用了TFT陣列基板100的裝置也可以是顯示裝置以外的裝置。例如，使用了TFT陣列基板100的裝置也可以是將光電轉換元件代替像素電極設在TFT陣列基板100上的可見光或紫外光或放射線的圖像感測器。
此外，可以對各實施方式及各變形例進行自由地組合，或者對各實施方式及各變形例進行適當地變形和省略。
1:基板 3:半導體層 4:歐姆接觸膜 8:第一絕緣膜 9:第二絕緣膜 41:顯示區域 41a:第一顯示區域 41b:第二顯示區域 41c:第二顯示區域 41d:第二顯示區域 41e:第二顯示區域 41f:第二顯示區域 41g:第二顯示區域 41h:第三顯示區域 41i:第四顯示區域 42:邊框區域 43:閘極佈線 44:汲極佈線 45:佈線轉換部 46a:掃描信號驅動電路 46b:顯示信號驅動電路 47a1:引出佈線 47a2:引出佈線 47b1:引出佈線 47b2:引出佈線 47b3:引出佈線 48a1:外部連接端子 48a2:外部連接端子 48b1:外部連接端子 48b2:外部連接端子 49a:外部佈線 49b:外部佈線 50:像素 51:TFT 51a:TFT 51d:TFT 52:電容部 52a:電容部 52e:電容部 53:源電極 54:汲極電極 55:像素電極 55a:像素電極 55e:像素電極 56:對置電極 57:對置電極連接部 59:狹縫 60:對置基板 61:取向膜 62:液晶層 63:黑色矩陣 64:彩色濾光片 65:偏振板 66:光學薄膜 67:背光單元 71:閘極信號 72:第一汲極信號 73:第二汲極信號 100:TFT陣列基板 A1:剖面線 A2:剖面線
[圖1]係示出第一實施方式所涉及的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的構成之平面圖。 [圖2]係示出第一實施方式所涉及的液晶顯示裝置的構成之剖面圖。 [圖3]係示出第一實施方式所涉及的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的構成之平面圖。 [圖4]係示出第一實施方式所涉及的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的構成之剖面圖。 [圖5]係示出第一實施方式所涉及的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的構成之平面圖。 [圖6]係示出第一實施方式所涉及的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的動作時刻之圖。 [圖7]係示出第二實施方式所涉及的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的構成之平面圖。 [圖8]係示出第二實施方式所涉及的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的構成之平面圖。 [圖9]係示出第二實施方式所涉及的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的動作時刻之圖。 [圖10]係示出第三實施方式所涉及的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的構成之平面圖。 [圖11]係示出第三實施方式所涉及的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的構成之平面圖。 [圖12]係示出第四實施方式所涉及的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的構成之平面圖。 [圖13]係示出第四實施方式所涉及的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的構成之平面圖。 [圖14]係示出第五實施方式所涉及的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的構成之平面圖。 [圖15]係示出第五實施方式所涉及的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的動作時刻之圖。 [圖16]係示出第六實施方式所涉及的液晶顯示裝置的TFT陣列基板的構成之平面圖。
無
71:閘極信號
72:第一汲極信號
73:第二汲極信號

Claims (9)

  1. 一種陣列基板，其特徵在於，包括：規定有陣列狀的多個像素的基板；以及 多個半導體開關元件，其對應於所述多個像素而配設，並且汲極信號的輸入時刻不同， 在向所有所述多個半導體開關元件輸入所述汲極信號後，向所述多個半導體開關元件輸入閘極信號。
  2. 一種陣列基板，其特徵在於，包括：規定有陣列狀的多個像素的基板；以及 多個半導體開關元件，其對應於所述多個像素而配設，並且汲極信號的輸入時刻不同， 所述多個半導體開關元件包括： 1列以上的第一半導體開關元件； 所述汲極信號的輸入時刻與所述第一半導體開關元件相同的1列以上的第二半導體開關元件；以及 1列以上的第三半導體開關元件，其配設於所述第一半導體開關元件與所述第二半導體開關元件之間，並且所述汲極信號的輸入時刻與所述第一半導體開關元件不同。
  3. 如請求項2所述之陣列基板，其特徵在於， 所述第一半導體開關元件、所述第二半導體開關元件以及所述第三半導體開關元件的各自的列的數量小於等於10。
  4. 一種陣列基板，其特徵在於，包括：規定有陣列狀的多個像素的基板； 多個半導體開關元件，其對應於所述多個像素而配設，並且汲極信號的輸入時刻不同；以及 多個電容部，其與所述多個半導體開關元件分別連接， 所述多個半導體開關元件中的所述汲極信號的輸入時刻之差藉由所述多個電容部的充電特性之差來進行補償。
  5. 如請求項4所述之陣列基板，其特徵在於， 所述多個電容部的充電特性之差對應於所述多個半導體開關元件的溝道寬度之差。
  6. 如請求項4或5所述之陣列基板，其特徵在於， 所述多個電容部的充電特性之差對應於所述多個電容部的保持電容之差。
  7. 一種如請求項4-6中任一項所述之陣列基板，其特徵在於， 所述多個電容部的充電特性之差對應於基於與所述多個半導體開關元件分別連接的多個佈線造成的信號延遲之差。
  8. 一種陣列基板，其特徵在於，包括：規定有陣列狀的多個像素的基板；以及 多個半導體開關元件，其對應於所述多個像素而配設，並且汲極信號的輸入時刻不同， 以從分別對應於所述多個半導體開關元件的排列的端部及中央部的端區域及中央區域的一方朝向另外一方的順序，將所述汲極信號輸入至所述多個半導體開關元件。
  9. 一種顯示裝置，其特徵在於，包括如請求項1-8中任一項所述之陣列基板。
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