TW202206733A - 用於基板處理設備的阻斷閥以及基板處理設備 - Google Patents

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Abstract

本發明相關於一種用於基板處理設備的阻斷閥，阻斷閥包含閥單元、驅動器以及阻斷本體。閥單元包含會收縮及伸出的開啟/關閉單元。驅動器驅動開啟/關閉單元。阻斷本體包含容置單元，且開啟/關閉單元容置於容置單元中。阻斷本體包含連接於容置單元的氣體流入埠以及連接於容置單元的氣體流出埠，且開啟/關閉單元在容置單元中開啟或關閉氣體流入埠或是氣體流出埠。

Description

用於基板處理設備的阻斷閥以及基板處理設備
本發明關於一種基板處理設備，其在基板上進行如沉積製程以及蝕刻製程的處理製程。
一般來說，為了製造太陽能電池、半導體裝置、平坦面板顯示裝置等，薄膜層、薄膜電路圖案或是光學圖案需要形成於基板上。為此，基板上會進行處理製程，且處理製程的示例包含將包含特定材料的薄膜沉積於基板上的沉積製程、藉由光感材料選擇性地曝光薄膜的一部分之曝光製程(photo process)、以及移除薄膜中選擇性地曝光的部分以形成圖案的蝕刻製程等。這種處理製程是藉由基板處理設備在基板上進行。
圖1為根據習知技術的基板處理設備的構造示意圖。
請參閱圖1，根據習知技術的基板處理設備100包含基板處理單元110、氣體供應單元120、氣體基座130以及閥單元140。
基板處理單元110藉由使用由氣體供應單元120供應的氣體在基板上進行處理製程。
氣體供應單元120供應待被用於處理製程的氣體。氣體供應單元120透過氣體基座130及閥單元140連接於基板處理單元110。
氣體基座130連接於氣體供應單元120、閥單元140及基板處理單元110的每一者。氣體基座130透過供應流動路徑131連接於氣體供應單元120及閥單元140。供應流動路徑131的入口透過管路(pipe)連接於氣體供應單元120，且供應流動路徑131的出口透過管路連接於閥單元140。氣體基座130透過排放流動路徑132連接於閥單元140及基板處理單元110。排放流動路徑132的入口透過管路連接於閥單元140，且排放流動路徑132的出口透過管路連接於基板處理單元110。
閥單元140透過管路連接於氣體基座130。閥單元140包含連接於供應流動路徑131及排放流動路徑132的每一者之開啟/關閉流動路徑141、形成有開啟/關閉流動路徑141的閥體142，以及用於開啟/關閉開啟/關閉流動路徑141的開啟/關閉機構143。
當開啟/關閉機構143將開啟/關閉流動路徑141開啟時，由氣體供應單元120供應的氣體會透過氣體基座130的供應流動路徑131、閥單元140的開啟/關閉流動路徑141以及氣體基座130的排放流動路徑132被供應到基板處理單元110。當開啟/關閉機構143將開啟/關閉流動路徑141關閉時，由氣體供應單元120供應的氣體會透過氣體基座130的供應流動路徑131被供應到閥單元140的開啟/關閉流動路徑141，且接著會被開啟/關閉機構143阻擋而不會被供應到氣體基座130的排放流動路徑132。開啟/關閉機構143會根據預設的製程資訊開啟/關閉開啟/關閉流動路徑141，因此在基板處理單元110中，處理製程是於基板上根據製程資訊來進行。
如上所述，開啟/關閉流動路徑141被提供而用於選擇性地供應氣體，且供應流動路徑131及排放流動路徑132被提供而用於連接於氣體供應單元120及基板處理單元110的每一者。 因此，在根據相關技術領域的基板處理設備100中，氣體的選擇性供應實質上是由開啟/關閉流動路徑141及開啟/關閉機構143來進行，因此在供應流動路徑131及排放流動路徑132中會產生不期望有的靜滯空間(dead space)。因此，在根據習知技術的基板處理設備100中，氣體的流動性會因靜滯空間而降低，進而產生副作用被施加於基板上進行的處理製程之問題。並且，隨著用於將氣體供應單元120連接於基板處理單元110的流動路徑之長度增加，供應流動路徑131及排放流動路徑132中可能會產生微粒。並且，隨著供應流動路徑131及排放流動路徑132的長度進一步增長，氣體流動性下降、副作用被施加於基板上進行的處理製程以及基板處理單元110的腔體之頂部空間有更多部分被佔據之問題會更加嚴重。
技術問題
本發明在於解決上述問題且目的在於提供一種阻斷閥以及基板處理設備，其可在實施氣體的選擇性供應時減小靜滯空間。
技術方案
為了達成上述目標，本發明可包含下列要件。
根據本發明的一種用於基板處理設備的阻斷閥，包含一閥單元、一驅動器以及一阻斷本體。閥單元包含會收縮以及伸出的一開啟/關閉單元。驅動器驅動開啟/關閉單元。阻斷本體包含一容置單元，且開啟/關閉單元容置於容置單元中。阻斷本體可包含連接於容置單元的一氣體流入埠以及連接於容置單元的一氣體流出埠。開啟/關閉單元可於容置單元中開啟或關閉氣體流入埠或是氣體流出埠。
根據本發明的一種用於基板處理設備的阻斷閥，用於選擇性地將由一氣體供應單元供應的一氣體供應到於一基板上進行處理製程的的一基板處理單元，阻斷閥可包含一阻斷本體、一閥單元以及一驅動器。阻斷本體連接於氣體供應單元以及基板處理單元的每一者。閥單元耦接於阻斷本體。驅動器驅動開啟/關閉單元。阻斷本體可包含一氣體流入埠、一氣體流出埠以及一容置單元。氣體流入埠連接於氣體供應單元。氣體流出埠連接於基板處理單元。容置單元於氣體流入埠以及氣體流出埠之間連接於氣體流入埠以及氣體流出埠的每一者。閥單元包含一開啟/關閉單元以及一閥體。開啟/關閉單元開啟或關閉氣體流入埠以及氣體流出埠的其中一者。閥體可活動地耦接於開啟/關閉單元。閥體可插設於阻斷本體中並耦接於阻斷本體而使得開啟/關閉單元於容置單元中移動以開啟或關閉氣體流入埠以及氣體流出埠的其中一者。
根據本發明的一種基板處理設備，包含一腔體、一支撐單元、一氣體噴射單元、一氣體供應單元以及一阻斷閥。腔體提供一處理空間。支撐單元支撐至少一基板。氣體噴射單元朝支撐單元噴射一氣體。氣體供應單元將一氣體供應到氣體噴射單元。阻斷閥連接於氣體供應單元以及氣體噴射單元的每一者。阻斷閥可包含一阻斷本體、一閥單元以及一驅動器。阻斷本體連接於氣體供應單元以及氣體噴射單元的每一者。閥單元耦接於阻斷本體。驅動器驅動閥單元。阻斷本體可包含一氣體流入埠、一氣體流出埠以及一容置單元。氣體流入埠連接於氣體供應單元。氣體流出埠連接於氣體噴射單元。容置單元於氣體流入埠以及氣體流出埠之間連接於氣體流入埠以及氣體流出埠的每一者。閥單元可包含一開啟/關閉單元以及一閥體。開啟/關閉單元開啟或關閉氣體流入埠以及氣體流出埠的其中一者。閥體可活動地耦接於開啟/關閉單元。閥體可插設於阻斷本體中並耦接於阻斷本體而使得開啟/關閉單元於容置單元中移動以開啟或關閉氣體流入埠以及氣體流出埠的其中一者。
有利功效
根據本發明，可得到下列功效。
本發明被實施以藉由使用阻斷本體而具有於氣體供應單元及基板處理單元的每一者上進行的所有連接之功能，以及選擇性地供應氣體的選擇性供應功能。因此，本發明可減小用於使氣體能流動到阻斷本體中的氣體流動路徑之靜滯空間(即腔體頂部空間)。因此，本發明可提升氣體的流動性，進而提升於其上完成處理製程的基板之品質。
在本發明中，因為沒有提供使氣體能流動到閥單元中的獨立流動路徑，所以可減小閥單元的整體尺寸。並且，在本發明中，閥單元可插設於阻斷本體中，因此可進一步減小阻斷閥的整體尺寸。因此，在本發明中，阻斷閥可被實施為小型化而可減小佔據安裝空間的面積。
以下，將參照圖式詳細描述根據本發明的基板處理設備之實施例。根據本發明的阻斷閥可包含根據本發明的基板處理設備且因此將於描述根據本發明的基板處理設備時一起被描述。
請參閱圖2及圖3，根據本發明的基板處理設備1於基板S上進行處理製程。基板S可為玻璃基板、矽基板、金屬基板或相似的基板。根據本發明的基板處理設備1可進行將薄膜沉積於基板S上的沉積製程，以及移除沉積在基板S上的薄膜之一部分的蝕刻製程。以下，將描述根據本發明的基板處理設備1進行沉積製程的實施例，但對本領域具通常知識者來說顯而易見的是亦可實施根據本發明的基板處理設備1進行如蝕刻製程的另一製程的實施例。
根據本發明的基板處理設備1可包含基板處理單元2、氣體供應單元3以及阻斷閥4。
＜基板處理單元＞
請參閱圖2，基板處理單元2在基板上進行處理製程。基板處理單元2可藉由使用從氣體供應單元3供應的氣體來進行處理製程。基板處理單元2可包含腔體21、支撐單元22以及氣體噴射單元23。
腔體21提供有處理空間21a。如沉積製程及蝕刻製程等在基板上進行的處理製程可於處理空間21a中進行。處理空間21a可設置於腔體21中。從處理空間21a排放氣體的排氣埠(未繪示)可耦接於腔體21。支撐單元22及氣體噴射單元23可安裝於腔體21中。
支撐單元22支撐基板。支撐單元22可支撐一個基板，或是可支撐多個基板。在多個基板由支撐單元22支撐的情況中，處理製程可一次性地在這些基板上進行。支撐單元22可耦接於腔體21。支撐單元22可設置於腔體21中。
氣體噴射單元23朝支撐單元22噴射氣體。氣體噴射單元23可耦接於腔體21。氣體噴射單元23可被設置以相對於支撐單元22。處理空間21a可設置於氣體噴射單元23及支撐單元22之間。氣體噴射單元23可耦接於蓋體21b。蓋體21b耦接於腔體21以遮蔽腔體21的頂部。
＜氣體供應單元＞
請參閱圖2，氣體供應單元3供應氣體。由氣體供應單元3供應的氣體可透過氣體噴射單元23被噴射到處理空間21a中，因此可用於在基板上進行的處理製程。氣體供應單元3可供應包含待被沉積在基板上的薄膜的來源氣體、與來源氣體反應的反應氣體，以及用於吹除位於處理空間21a中的氣體之吹除氣體。氣體供應單元3可包含儲存氣體的至少一儲存槽(未繪示)。氣體供應單元3可透過阻斷閥4連接於基板處理單元2。因此，由氣體供應單元3供應的氣體可透過阻斷閥4被供應到基板處理單元2。
＜閥單元＞
請參閱圖2至圖5，阻斷閥4選擇性地將由氣體供應單元3供應的氣體供應到基板處理單元2。阻斷閥4可作為用於根據本發明的基板處理設備之阻斷閥4實施。阻斷閥4可連接於氣體供應單元3及基板處理單元2的每一者。在此情況中，阻斷閥4可連接於基板處理單元2的氣體噴射單元23。當阻斷閥4允許氣體通過阻斷閥4時，由氣體供應單元3供應的氣體可通過阻斷閥4且可被供應到基板處理單元2，並可接著透過氣體噴射單元23被噴射到處理空間21a中。當阻斷閥4阻擋氣體的流動時，由氣體供應單元3供應的氣體可無法通過阻斷閥4且因此可不被供應到基板處理單元2。阻斷閥4可根據預設的製程資訊選擇性地傳遞由氣體供應單元3供應的氣體。製程資訊可包含基於製程資訊的氣體流率、氣體噴射時間以及氣體噴射時序且可預先由工作人員設定。製程資訊可被儲存在控制單元(未繪示)中。在此情況中，阻斷閥4可根據控制單元的控制選擇性地傳遞由氣體供應單元3供應的氣體。
阻斷閥4可包含阻斷本體41、閥單元42以及驅動器43。
阻斷本體41連接於氣體供應單元3及基板處理單元2的每一者。閥單元42可耦接於阻斷本體41。因此，阻斷本體41是以作為使氣體能從氣體供應單元3被供應到基板處理單元2並使相對應的氣體流動路徑能選擇性地由閥單元42開啟或關閉的氣體流動路徑之方式實施。也就是說，阻斷本體41被提供以實施在氣體供應單元3及基板處理單元2的每一者上進行的所有連接，以及氣體的選擇性供應。因此，根據本發明的基板處理設備1可實現以下功效。
首先，如圖1所示，在包含用於選擇性地供應氣體的開啟/關閉流動路徑141之閥體142、用於將氣體供應單元120連接於基板處理單元110的供應流動路徑131，以及包含排放流動路徑132的氣體基座130被獨立地提供的比較示例中，進行重複的功能之流動路徑位於兩個區塊中，且因此會產生不期望的靜滯空間。在比較示例中，氣體的流動性會因靜滯空間而下降，進而負面地影響在基板上進行的處理製程。並且，隨著用於將氣體供應單元120連接至基板處理單元110的流動路徑之長度增加，靜滯空間會在供應流動路徑131及排放流動路徑132中進一步擴大，進而使得氣體的流動性降低以及在基板上進行的處理製程被負面地影響之問題因為靜滯空間而變得更加嚴重。
另一方面，在根據本發明的基板處理設備1中，阻斷本體41被實施以具有在氣體供應單元3及基板處理單元2的每一者上進行的所有的連接之功能，以及選擇性地供應氣體的選擇性供應功能。因此，相較於比較示例，根據本發明的基板處理設備1可減小靜滯空間，進而提升氣體的流動性。因此，根據本發明的基板處理設備1可提升其上完成處理製程的基板之品質。因此，在根據本發明的基板處理設備1中，即使當用於將氣體供應單元3連接至基板處理單元2的流動路徑的長度增加時，流動路徑仍可由被形成以具有匹配於流動路徑之增加的長度之長度的阻斷本體41取代，進而使用於將氣體供應單元3連接至基板處理單元2的流動路徑之長度變化的程度(measure)可以被提升。
阻斷本體41可耦接於基板處理單元2。舉例來說，阻斷本體41可耦接於蓋體21b。在此情況中，阻斷本體41可設置在分離於氣體供應單元3的位置。阻斷本體41可透過管路或相似物連接於氣體供應單元3。阻斷本體41可設置在分離於基板處理單元2的位置。在此情況中，阻斷本體41可透過管路或相似物連接於氣體噴射單元23。
阻斷本體41可包含氣體流入埠411、氣體流出埠412以及容置單元413。
氣體流入埠411連接於氣體供應單元3。氣體流入埠411可作為讓由氣體供應單元3供應的氣體透過其流入的流入路徑。氣體流入埠411可透過在阻斷本體41上進行鑽孔製程而形成。
氣體流出埠412連接於基板處理單元2。氣體流出埠412可作為讓透過氣體流入埠411流入的氣體透過其流出到基板處理單元2的流出路徑。氣體流出埠412可透過在阻斷本體41上進行鑽孔製程而形成。氣體流出埠412可設置於容置單元413的底面。在此情況中，氣體流入埠411可設置於容置單元413的側面。氣體流出埠412可設置於容置單元413的側面。在此情況中，氣體流入埠411可設置於容置單元413的底面。
容置單元413在氣體流入埠411及氣體流出埠412之間連接於氣體流入埠411及氣體流出埠412的每一者。容置單元413可作為將氣體流入埠411連接至氣體流出埠412的連接路徑。容置單元413可透過在阻斷本體41上進行鑽孔製程而形成。
請參閱圖2至圖6，閥單元42開啟或關閉氣體流入埠411或氣體流出埠412。在圖3至圖8中，繪示有閥單元42被設置以開啟或關閉氣體流出埠412的實施例，因此對本領域具通常知識者顯而易見的是亦可實施閥單元42被設置以開啟或關閉氣體流入埠411的實施例。以下，將描述閥單元42被設置以開啟或關閉氣體流出埠412的實施例，但對本領域具通常知識者顯而易見的是亦可實施閥單元42被設置以開啟或關閉氣體流入埠411的實施例。
如圖3所示，在閥單元42開啟氣體流出埠412的情況中，由氣體供應單元3供應的氣體可透過氣體流入埠411、容置單元413及氣體流出埠412被供應到基板處理單元2。
如圖4所示，在閥單元42開啟氣體流出埠412的情況中，可防止由氣體供應單元3供應的氣體透過氣體流出埠412流出。因此，由氣體供應單元3供應的氣體可不被供應到基板處理單元2。
如上所述，根據閥單元42是否開啟或關閉氣體流出埠412，由氣體供應單元3供應的氣體可選擇性地被供應到基板處理單元2。
閥單元42可耦接於阻斷本體41。在此情況中，閥單元42可被插設到容置單元413中。因此，在閥單元42透過容置單元413被插設到阻斷本體41中的狀態下，閥單元42可開啟或關閉氣體流出埠412。因此，根據本發明的基板處理設備1可實現以下功效。
首先，根據本發明的基板處理設備1被實施以藉由使用阻斷本體41及閥單元42而具有於氣體供應單元3及基板處理單元2的每一者上進行的所有連接之功能，以及選擇性地供應氣體的選擇性供應功能。因此，根據本發明的基板處理設備1可減小用於使氣體能流動到阻斷本體41中的氣體流動路徑之靜滯空間，進而提升氣體的流動性。因此，根據本發明的基板處理設備1可增加其上完成有處理製程的基板之品質。
第二，在根據本發明的基板處理設備1中，因為沒有提供使氣體能流動到閥單元42中的獨立流動路徑，所以可減小閥單元42的整體尺寸。並且，在根據本發明的基板處理設備1中，閥單元42可透過容置單元413插設於阻斷本體41中，因此可進一步減小阻斷閥4的整體尺寸。因此，在根據本發明的基板處理設備1中，阻斷閥4可被實施為小型化而可減小佔據安裝空間的面積。
閥單元42可包含開啟/關閉單元421以及閥體422。
開啟/關閉單元421可活動地耦接於閥體422。開啟/關閉單元421可開啟或關閉氣體流出埠412並同時在開啟/關閉單元421耦接於閥體422的狀態中活動。開啟/關閉單元421可收縮以及伸出以開啟或關閉氣體流出埠412。當閥體422插設至阻斷本體41中並耦接於阻斷本體41時，開啟/關閉單元421可於容置單元413中活動以開啟或關閉氣體流出埠412。
開啟/關閉單元421可包含開啟/關閉件4211、開啟/關閉法蘭4212以及止擋件4213。
開啟/關閉件4211可用可活動的方式耦接於閥體422。開啟/關閉件4211的一側可從閥體422突出，且開啟/關閉件4211的另一側可設置於閥體422中。開啟/關閉件4211的一側可用於開啟或關閉氣體流出埠412。開啟/關閉件4211的另一側可用於為了開啟或關閉氣體流出埠412而移動。在此情況中，驅動器43可移動開啟/關閉件4211的另一側進而可移動開啟/關閉件4211。
開啟/關閉法蘭4212突出至開啟/關閉件4211的外側部。當開啟/關閉單元421關閉氣體流出埠412時，開啟/關閉法蘭4212可接觸於阻斷本體41的內壁，且因此可位於氣體流出埠412之上。因此，氣體流出埠412可被關閉。當開啟/關閉單元421開啟氣體流出埠412時，開啟/關閉法蘭4212可分離於阻斷本體41的內壁。因此，氣體流出埠412可被開啟。開啟/關閉法蘭4212及開啟/關閉件4211可被提供為一件式。
止擋件4213耦接於開啟/關閉法蘭4212。當開啟/關閉單元421關閉氣體流出埠412時，止擋件4213可設置於開啟/關閉法蘭4212及阻斷本體41之間，而可阻擋氣體的流動。因此，止擋件4213可加強對應於氣體流出埠412的關閉力道。止擋件4213可用密封環(O-ring)實施。
開啟/關閉單元421可包含彈性件4214。
彈性件4214可提供彈性力給開啟/關閉件4211而使得開啟/關閉件4211彈性地移動。彈性件4214可設置於開啟/關閉法蘭4212及閥體422之間。當開啟/關閉件4211移動而靠近氣體流出埠412時，彈性件4214可拉伸而可具有回復力。於此情況中，彈性件4214的回復力可於開啟/關閉件4211移動而開啟氣體流出埠412的時候被使用。彈性件4214可被設置以環繞開啟/關閉件4211。在此情況中，開啟/關閉件4211可設置於彈性件4214中。彈性件4214可作為波紋管(bellows)實施。
開啟/關閉單元421可包含導引件4215。
導引件4215從開啟/關閉件4211突出。導引件4215可沿從開啟/關閉件4211朝氣體流出埠412的方向從開啟/關閉件4211突出。導引件4215可被形成而使得其尺寸隨著導引件4215從開啟/關閉件4211突出而逐漸減小。舉例來說，導引件4215可被實施而使得其直徑隨著導引件4215從開啟/關閉件4211突出而逐漸減小。在開啟/關閉單元421為了關閉氣體流出埠412而移動的過程中，導引件4215可比開啟/關閉件4211先插設到氣體流出埠412中。因此，導引件4215可具有導引開啟/關閉單元421而使得開啟/關閉單元421精準地關閉氣體流出埠412之功能。導引件4215及開啟/關閉件4211可被提供為一件式。
請參閱圖2至圖6，閥體422耦接於阻斷本體41。開啟/關閉件4211可用可活動的方式耦接於閥體422。閥體422可被插設到阻斷本體41中或耦接於阻斷本體41而使得開啟/關閉件4211在容置單元413中移動以開啟或關閉氣體流出埠412。
閥體422可被插設到形成在阻斷本體41中之插槽414。插槽414被形成以連接於容置單元413。相對開啟/關閉件4211移動的方向來說，容置單元413可設置於氣體流出埠412及插槽414之間。插槽414可被形成以具有大於容置單元413的尺寸之尺寸。當所有的插槽414及容置單元413皆形成為圓形時，插槽414可被形成以具有大於容置單元413之直徑的直徑。因此，階梯高度(step height)可形成於阻斷本體41中容置單元413連接於插槽414的部分。
閥體422可包含第一閥法蘭4221。
第一閥法蘭4221可被插設於插槽414中。第一閥法蘭4221可突出至閥體422的外側部。第一閥法蘭4221可由形成有插槽414的阻斷本體41之內壁支撐。關閉件422a可於插槽414中設置於第一閥法蘭4221及阻斷本體41之間。關閉件422a可阻塞於第一閥法蘭4221及阻斷本體41之間，而因此可防止氣體透過第一閥法蘭4221及阻斷本體41之間的區域漏出。關閉件422a可用金屬墊片實施。關閉件422a可用密封環實施。當閥體422耦接於阻斷本體41時，第一閥法蘭4221可抵壓關閉件422a。因此，可更進一步加強使用關閉件422a的關閉力道。
請參閱圖2至圖6，驅動器43驅動閥單元42。驅動器43可驅動開啟/關閉單元421。因此，開啟/關閉單元421可藉由驅動器43移動以開啟或關閉氣體流出埠412。舉例來說，驅動器43可藉由使用氣動壓力驅動閥單元42。驅動器43可將氣體供應到閥體422或可從閥體422發送氣體，因而可移動設置於閥體422中的開啟/關閉件4211之一部分。因此，開啟/關閉件4211可於移動時開啟或關閉氣體流出埠412。驅動器43可被設置以連接於閥體422的內部空間。驅動器43可透過管路連接於閥體422的內部空間。驅動器43可藉由使用液壓驅動閥單元42。
請參閱圖2至圖6，阻斷閥4可包含固定單元44。
固定單元44插設於阻斷本體41中。固定單元44可被插設於插槽414中且可抵壓第一閥法蘭4221。因此，設置於第一閥法蘭4221及阻斷本體41之間的關閉件422a可藉由使用基於第一閥法蘭4221的壓力以及基於固定單元44的壓力而強制阻塞於第一閥法蘭4221及阻斷本體41之間。因此，根據本發明的基板處理設備1可藉由使用關閉件422a防止氣體從氣體供應單元3漏出到基板處理單元2。固定單元44中可形成有穿孔。閥體422可被插設於此穿孔中。
在提供有固定單元44的情況中，閥體422可包含第二閥法蘭4222。第二閥法蘭4222可被設置而分離於第一閥法蘭4221。固定單元44可設置於第二閥法蘭4222及第一閥法蘭4221之間。因此，第二閥法蘭4222可抵壓固定單元44以抵壓第一閥法蘭4221，並可抵壓第一閥法蘭4221以抵壓關閉件422a。因此，根據本發明的基板處理設備1可藉由使用第二閥法蘭4222、固定單元44及第一閥法蘭4221來抵壓關閉件422a，且因此可藉由增加對應於關閉件422a的壓力而進一步加強阻擋氣體之漏出的阻擋力道。第二閥法蘭4222可突出至閥體422的外側部。
請參閱圖7，阻斷閥4可包含連接體45以及密封件46。
連接體45可拆卸地耦接於阻斷本體41。連接體45可包含連接於氣體流入埠411或氣體流出埠412之連接流動路徑451。當連接流動路徑451因連接體45耦接於阻斷本體41而連接於氣體流入埠411時，從氣體供應單元3供應的氣體可透過連接流動路徑451被供應到氣體流入埠411。當連接流動路徑451因連接體45耦接於阻斷本體41而連接於氣體流出埠412時，從氣體流出埠412流出的氣體可透過連接流動路徑451被供應到基板處理單元2。
如上所述，根據本發明的基板處理設備1被實施以藉由使用連接體45延長通過一區塊的氣體的流動路徑之長度。因此，根據本發明的基板處理設備1可加強根據實際狀況延長氣體的流動路徑之長度的作業之容易性。連接體45可藉由使用如螺栓的緊固手段用可拆卸的方式耦接於阻斷本體41。
密封件46可設置於連接體45及阻斷本體41之間。密封件46可防止沿連接流動路徑451流動的氣體於連接體45及阻斷本體41之間漏出。密封件46可用密封環實施。
請參閱圖8，阻斷本體41可包含多個氣體流出埠412。在此情況中，氣體流入埠411可形成於阻斷本體41中以連接於各個氣體流出埠412。阻斷閥4可包含多個閥單元42。各個閥單元42可耦接於阻斷本體41以個別地開啟或關閉氣體流出埠412。因此，沿氣體流入埠411流動的氣體可透過氣體流出埠412中由閥單元42開啟的區域被供應至基板處理單元2。如上所述，根據本發明的基板處理設備1可作為氣體選擇性地藉由一個阻斷本體41透過多個氣體流出埠412流出的分歧管形式(manifold type)實施。供氣體流出埠412連接於基板處理單元2的流出部可設置於容置單元413中。因此，當閥單元42開啟氣體流出埠412時，由氣體供應單元3供應的氣體可透過氣體流入埠411及氣體流出埠412被供應至容置單元413，且接著可透過氣體流出埠412的流出部412a被供應至基板處理單元2。
在圖8中，繪示有三個氣體流出埠412、412'、412"形成於阻斷本體41中，且有三個閥單元42、42'、42"耦接於阻斷本體41，但本發明並不以此為限，且可有兩個、四個或更多個氣體流出埠412形成於阻斷本體41中並可有兩個、四個或更多個閥單元42、42'、42"耦接於阻斷本體41。在此情況中，氣體流出埠412的數量以及閥單元42的數量可被實施為相同的。
阻斷本體41可包含多個容置單元413。在此情況中，容置單元413可分別連接於氣體流出埠412。供氣體流出埠412連接於基板處理單元2的流出部可分別設置於容置單元413中。阻斷閥4可包含多個閥單元42。閥單元42可耦接於阻斷本體41以被插設到各個容置單元413中。
於圖8中，繪示有三個容置單元413、413'、413"形成於阻斷本體41中，且有三個閥單元42、42'、42"耦接於阻斷本體41，但本發明並不以此為限，且可有兩個、四個或更多個容置單元413形成於阻斷本體41中並可有兩個、四個或更多個閥單元42耦接於阻斷本體41。於此情況中，容置單元413的數量以及閥單元42的數量可被實施為相同的。
上述之本發明並不以上述的實施例以及圖式為限，本領域具通常知識者將清楚意識到在不脫離本發明的精神以及範疇的情況下當可進行各種修改、變形以及替換。
100:基板處理設備 110:基板處理單元 120:氣體供應單元 130:導氣塊 131:流動路徑 132:排放流動路徑 140:閥單元 141:開啟/關閉流動路徑 142:閥體 143:開啟/關閉機構 1:基板處理設備 2:基板處理單元 21:腔體 21a:處理空間 21b:蓋體 22:支撐單元 23:氣體噴射單元 3:氣體供應單元 4:阻斷閥 41:阻斷本體 411:氣體流入埠 412、412'、412":氣體流出埠 412a:流出部 413、413'、413":容置單元 414:插槽 42、42'、42":閥單元 421:開啟/關閉單元 4211:開啟/關閉件 4212:開啟/關閉法蘭 4213:止擋件 4214:彈性件 4215:導引件 422:閥體 422a:關閉件 4221:第一閥法蘭 4222:第二閥法蘭 43:驅動器 44:固定單元 45:連接體 451:連接流動路徑 46:密封件 S:基板
圖1為根據習知技術的基板處理設備之構造示意圖。 圖2為根據本發明的基板處理設備之構造示意圖。 圖3及圖4為根據本發明的基板處理設備之側剖示意圖。 圖5為根據本發明的基板處理設備之側剖分解示意圖。 圖6為呈現圖4中的區域A之局部放大圖的側剖示意圖。 圖7為根據本發明的基板處理設備包含連接體的實施例之側剖示意圖。 圖8為根據本發明的基板處理設備中之阻斷本體包含多個氣體排放埠之實施例的側剖示意圖。
1:基板處理設備
2:基板處理單元
3:氣體供應單元
4:阻斷閥
41:阻斷本體
411:氣體流入埠
412:氣體流出埠
413:容置單元
42:閥單元
421:開啟/關閉單元
4211:開啟/關閉件
4212:開啟/關閉法蘭
4213:止擋件
4214:彈性件
4215:導引件
422:閥體
422a:關閉件
4221:第一閥法蘭
4222:第二閥法蘭
43:驅動器
44:固定單元

Claims (13)

  1. 一種阻塞閥，用於多個基板處理設備，該阻塞閥包含：一閥單元，包含會收縮以及伸出的一開啟/關閉單元；一驅動器，驅動該開啟/關閉單元；以及一阻斷本體，包含一容置單元，該開啟/關閉單元容置於該容置單元中，其中該阻斷本體包含連接於該容置單元的一氣體流入埠以及連接於該容置單元的一氣體流出埠，並且該開啟/關閉單元於該容置單元中開啟或關閉該氣體流入埠或是該氣體流出埠。
  2. 如請求項1所述之阻斷閥，其中該氣體流入埠以及該氣體流出埠的其中一者設置於該容置單元的一側面，且該氣體流入埠以及該氣體流出埠的另一者設置於該容置單元的一底面。
  3. 一種用於基板處理設備的阻斷閥，用於選擇性地將由一氣體供應單元供應的一氣體供應到於一基板上進行處理製程的一基板處理單元，該阻斷閥包含：一阻斷本體，連接於該氣體供應單元以及該基板處理單元的每一者；一閥單元，耦接於該阻斷本體；以及一驅動器，驅動該閥單元，其中該阻斷本體包含一氣體流入埠、一氣體流出埠以及一容置單元，該氣體流入埠連接於該氣體供應單元，該氣體流出埠連接於該基板處理單元，該容置單元於該氣體流入埠以及該氣體流出埠之間連接於該氣體流入埠以及該氣體流出埠的每一者，該閥單元包含一開啟/關閉單元以及一閥體，該開啟/關閉單元開啟或關閉該氣體流入埠以及該氣體流出埠的其中一者，該閥體可活動地耦接於該開啟/關閉單元，並且該閥體插設於該阻斷本體中並耦接於該阻斷本體而使得該開啟/關閉單元於該容置單元中移動以開啟或關閉該氣體流入埠以及該氣體流出埠的其中一者。
  4. 如請求項3所述之阻斷閥，更包含用於阻塞於該閥體以及該基座之間的一關閉件，其中該阻斷本體包含被形成以連接於該容置單元的一插槽，該閥體包含插設於該插槽中的一第一閥法蘭，該關閉件於該插槽中設置於該第一閥法蘭以及該阻斷本體之間，並且該第一閥法蘭插設於該插槽中以抵壓該關閉件。
  5. 如請求項4所述之阻斷閥，更包含插設於該插槽中以抵壓該第一閥法蘭進而抵壓該關閉件的一固定單元。
  6. 如請求項3所述之阻斷閥，其中該開啟/關閉單元包含一開啟/關閉件、一開啟/關閉法蘭以及一止擋件，該開啟/關閉件可活動地耦接於該閥體，該開啟/關閉法蘭突出至該開啟/關閉法蘭的一外側部，該止擋件耦接於該開啟/關閉法蘭，並且當該開啟/關閉單元關閉該氣體流入埠或是該氣體流出埠時，該止擋件設置於該開啟/關閉法蘭以及該阻斷本體之間以阻擋該氣體的流動。
  7. 如請求項3所述之阻斷閥，其中該開啟/關閉單元包含一開啟/關閉件以及一彈性件，該開啟/關閉件可活動地耦接於該閥體，該彈性件提供一彈性力給該開啟/關閉件，而使得該開啟/關閉件彈性地移動，並且該彈性件設置於該閥體的一第一閥法蘭以及該開啟/關閉件的一開啟/關閉法蘭之間。
  8. 如請求項3所述之阻斷閥，其中該開啟/關閉單元包含一開啟/關閉件以及一導引件，該開啟/關閉件可活動地耦接於該閥體，該導引件沿著從該開啟/關閉件到該氣體流入埠或該氣體流出埠的方向從該開啟/關閉件突出，並且該導引件被形成而使得該導引件的尺寸隨著該導引件從該開啟/關閉件突出而逐漸減小，且在該開啟/關閉件為了關閉該氣體流入埠或該氣體流出埠而移動的過程中，該導引件先於該開啟/關閉件插設於該氣體流入埠或該氣體流出埠中。
  9. 如請求項3所述之阻斷閥，更包含插設於該阻斷本體中的一固定單元，其中該阻斷本體包含被形成以連接於該容置單元的一插槽，該閥體包含一第一閥法蘭以及一第二閥法蘭，該第一閥法蘭插設於該插槽中且由該閥體支撐，該第二閥法蘭與該第一閥法蘭分離設置，並且該固定單元插設於該插槽中並設置於該第一閥法蘭以及該第二閥法蘭之間。
  10. 如請求項3所述之阻斷閥，更包含可分離地耦接於該基座的一連接體以及設置於該連接體以及該基座之間的一密封件，其中該連接體包含連接於該氣體流入埠或該氣體流出埠的一連接流動路徑。
  11. 如請求項3所述之阻斷閥，其中該阻斷本體包含多個氣體流出埠，並且多個閥單元耦接於該阻斷本體以個別地開啟或關閉各個該氣體流出埠。
  12. 如請求項3所述之阻斷閥，其中該阻斷本體包含多個容置單元，並且多個閥單元耦接於該阻斷本體以分別插設於該些容置單元中。
  13. 一種基板處理設備，包含：一腔體，提供一處理空間；一支撐單元，支撐至少一基板；一氣體噴射單元，朝該支撐單元噴射一氣體；一氣體供應單元，將該氣體供應到該氣體噴射單元；以及一阻斷閥，連接於該氣體供應單元以及該氣體噴射單元的每一者，其中該阻斷閥包含：一阻斷本體，連接於該氣體供應單元以及該氣體噴射單元的每一者；一閥單元，耦接於該阻斷本體；以及一驅動器，驅動該閥單元，該阻斷本體包含一氣體流入埠、一氣體流出埠以及一容置單元，該氣體流入埠連接於該氣體供應單元，該氣體流出埠連接於該氣體噴射單元，該容置單元於該氣體流入埠以及該氣體流出埠之間連接於該氣體流入埠以及該氣體流出埠的每一者，該閥單元包含一開啟/關閉單元以及一閥體，該開啟/關閉單元開啟或關閉該氣體流入埠以及該氣體流出埠的其中一者，該閥體可活動地耦接於該開啟/關閉單元，並且該閥體插設於該阻斷本體中並耦接於該阻斷本體而使得該開啟/關閉單元於該容置單元中移動以開啟或關閉該氣體流入埠以及該氣體流出埠的其中一者。
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