KR101869948B1 - 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막의 균일도 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 챔버 내부에 공정가스를 분사하는 가스분사장치로서, 공정가스가 공급되는 복수 개의 가스도입구가 형성된 탑리드와, 상기 탑리드의 하부 중심부에 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 적어도 어느 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 중앙 분사유닛과, 상기 탑리드의 하부 일부에 상기 중앙 분사유닛의 가장자리를 따라 원주 방향으로 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 어느 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 형성된 복수의 공정가스 분사유닛을 포함하고, 상기 중앙 분사유닛에는 측방향으로 가스를 분사하는 적어도 하나 이상의 측면 분사구가 형성되어, 원하지 않는 기상화학반응을 억제하거나 감소시키며, 박막의 품질을 향상시킬 수 있다.

Description

가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치{Gas injecting device and Substrate processing apparatus having the same}
본 발명은 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 박막의 균일도 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 스케일이 점차 축소됨에 따라 극박막에 대한 요구가 갈수록 증대되고 있으며, 콘택홀 크기가 감소되면서 단차 도포성(step coverage)에 대한 문제도 점점 더 심각해지고 있다. 이에 따른 여러 가지 문제들을 극복할 수 있는 증착방법으로서 원자층증착(atomic layer deposition, ALD)방법이 사용되고 있다.
원자층 박막증착방법의 원리를 간단하게 설명하면 다음과 같다. 기판이 챔버 내로 공급된 제1원료가스에 노출되면 기판 표면과의 반응을 통해 제1원료가스가 기판 표면에 화학 흡착되어 단원자층을 형성한다. 그러나 기판 표면이 제1원료가스로 포화되면 단원자층 이상의 제1원료가스는 동일한 리간드 간의 비반응성으로 인해 화학 흡착 상태를 형성하지 못하고 물리 흡착 상태에 있게 된다. 이후, 기판이 퍼지(purge)가스에 노출이 되면 기판 상에 존재하던 물리 흡착 상태의 제1원료가스는 퍼지가스에 의해서 제거된다. 이어서 기판이 제2원료가스에 노출되면, 제2원료가스가 기판 표면에 화학 흡착되어 있는 제1원료가스와 리간드 상호 간 치환반응을 하면서 두 번째 층이 형성되고, 첫 번째 층과 반응하지 못한 제2원료가스는 물리 흡착 상태에 있다가, 다시 기판이 퍼지가스에 노출되면 퍼지가스에 의해 제거된다. 그리고 이 두 번째 층의 표면은 제1원료가스와 반응할 수 있는 상태에 있게 된다. 상기한 과정이 하나의 사이클을 이루고 기판에 원하는 두께의 박막이 형성될 때까지 여러 사이클을 반복한다.
도 1은 종래의 기판처리장치의 개략적 단면도이고, 도 2는 도 1의 가스분사장치의 저면도이다.
도 1을 참조하면, 기판처리장치는 내부에 공간부(12)가 형성되어 있는 챔버(10)와, 챔버(10) 내부에 회전 가능하게 설치되며 복수의 기판(S)이 안착되는 기판지지부(20)를 구비한다. 또한, 챔버(10)의 상부에는 기판(S)을 향해 가스를 공급하는 가스분사장치(30)가 설치된다.
가스분사장치(30)는 도 2에 도시된 것처럼 복수의 가스분사유닛을 포함한다. 보다 구체적으로 가스분사장치(30)의 구성을 설명하면, 탑리드(32) 하부 중심부에 복수 개의 가스분사공이 형성된 중앙 분사유닛(34)이 결합되고, 탑리드(32)의 하부에 중앙 분사유닛(34)의 원주방향을 따라 부채꼴과 유사한 형태로 형성되고 복수 개의 가스분사공이 형성된 공정가스 분사유닛(36)이 복수 개 결합된다. 또한, 탑리드(32)에는 복수의 가스주입공(31)이 형성되어 있으며, 각 가스주입공(31)은 각각의 가스분사공과 연통된다.
기판지지부(20)는 챔버(10) 내에서 승강 및 회전 가능하도록 설치되어, 박막 증착 중 복수의 기판(S)이 각 분사유닛으로부터 분사되는 가스를 순차적으로 공급받을 수 있도록 한다. 예컨대, 기판(S)은 공정이 시작되는 시점에 제1원료가스를 공급받고, 순차적으로 퍼지가스, 제2원료가스, 퍼지가스를 공급받음으로써 박막 증착이 이루어진다.
한편, 이와 구성된 기판처리장치에서는 각 분사유닛들이 탑리드 하부에 조립 방식으로 결합되기 때문에, 각 분사유닛 사이에는 조립상 공차로 인해 공간이 형성된다. 그런데 박막을 형성하는 과정에서 기판지지부 상에 가스를 분사하게 되면 압력 차에 의해 분사유닛 사이에 형성된 공간으로 분사되는 가스가 유입되는 현상이 발생하게 된다. 이렇게 공간으로 유입된 가스는 기판지지부 상에서 기상화학반응을 일으켜 기판 상에 원하지 않는 박막을 형성하는 문제점이 있다. 또한, 공간으로 유입된 가스는 공간 내에서도 기상화학반응을 일으켜 파티클을 생성하게 되고, 이 파티클은 기판 상에 떨어져 박막의 품질을 저하시키는 문제점이 있다. 게다가 이렇게 생성된 파티클은 공간에 적층되어 가스분사장치를 오염시켜 유지 보수를 어렵게 하는 문제점도 있다.
KR 2006-0076714 A1
본 발명은 박막의 증착 균일도를 향상시킬 수 있는 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치를 제공한다.
본 발명은 설비의 유지 보수를 용이하게 하는 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치를 제공한다.
본 발명은 공정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있는 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치를 제공한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 가스분사장치는, 챔버 내부에 공정가스를 분사하는 가스분사장치로서, 공정가스가 공급되는 복수 개의 가스도입구가 형성된 탑리드와, 상기 탑리드의 하부 중심부에 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 적어도 어느 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 중앙 분사유닛과, 상기 탑리드의 하부 일부에 상기 중앙 분사유닛의 가장자리를 따라 원주 방향으로 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 어느 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 형성된 복수의 공정가스 분사유닛을 포함하고, 상기 중앙 분사유닛에는 측방향으로 가스를 분사하는 적어도 하나 이상의 측면 분사구가 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 중앙 분사유닛은 상부가 개방된 중공의 원통형으로 형성되고, 측벽에 측면 분사공이 형성될 수도 있다.
여기에서 상기 중앙 분사유닛은 상부가 개방된 내부 공간이 형성된 몸체와, 상기 몸체의 측벽 외주면과 이격되며 측면 분사공이 형성되는 외벽을 포함하고, 상기 몸체와 상기 외벽은 상기 몸체의 하면을 통해 연결되어 상기 몸체와 상기 외벽 사이에 외부 공간을 형성하며, 상기 내부 공간과 상기 외부 공간은 서로 다른 가스도입구와 연통될 수도 있다.
상기 측면 분사구는 상기 복수의 공정가스 분사유닛의 연결부위에 대응하여 형성될 수도 있다.
상기 측면 분사구는 상기 중앙 분사유닛을 관통하여 형성될 수도 있고, 상기 측면 분사구는 상부가 개방된 홈부로 형성될 수도 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 가스분사장치는, 챔버 내부에 공정가스를 분사하는 가스분사장치로서, 공정가스가 공급되는 복수 개의 가스도입구가 형성된 탑리드와, 상기 탑리드의 하부 중심부에 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 적어도 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 중앙 분사유닛과, 상기 탑리드의 하부 일부에 상기 중앙 분사유닛의 가장자리를 따라 원주 방향으로 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 어느 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 형성된 복수의 공정가스 분사유닛을 포함하고, 상기 복수 개의 가스도입구 중 적어도 어느 하나는 상기 중앙 분사유닛과 상기 복수의 공정가스 분사유닛 사이에 가스를 분사하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 실시 형태에 따른 기판처리장치는 내부에 공간이 형성되는 챔버와; 상기 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되어 복수의 기판을 지지하는 기판지지부; 및 상기 기판지지부의 상부에 구비되어 상기 기판으로 공정가스를 분사하는 가스분사장치;를 포함하며, 상기 가스분사장치는 공정가스가 공급되는 복수 개의 가스도입구가 형성된 탑리드와, 상기 탑리드의 하부 중심부에 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 적어도 어느 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 중앙 분사유닛과, 상기 탑리드의 하부 일부에 상기 중앙 분사유닛의 가장자리를 따라 원주 방향으로 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 어느 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 형성된 복수의 공정가스 분사유닛을 포함하고, 상기 중앙 분사유닛에는 측방향으로 가스를 분사하는 적어도 하나 이상의 측면 분사구가 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 중앙 분사유닛은 상부가 개방된 중공의 원통형으로 형성되고, 측벽에 측면 분사공이 형성될 수도 있다.
상기 중앙 분사유닛은 상부가 개방된 내부 공간이 형성된 몸체와, 상기 몸체의 측벽 외주면과 이격되며 측면 분사공이 형성되는 외벽을 포함하고, 상기 몸체와 상기 외벽은 상기 몸체의 하면을 통해 연결되어 상기 몸체와 상기 외벽 사이에 외부 공간을 형성하며, 상기 내부 공간과 상기 외부 공간은 서로 다른 가스도입구와 연통될 수도 있다.
또한, 상기 측면 분사구는 상기 복수의 공정가스 분사유닛의 연결부위에 대응하여 형성될 수도 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판처리장치는, 내부에 공간이 형성되는 챔버와; 상기 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되어 복수의 기판을 지지하는 기판지지부; 및 상기 기판지지부의 상부에 구비되어 상기 기판으로 공정가스를 분사하는 가스분사장치;를 포함하며, 상기 가스분사장치는 공정가스가 공급되는 복수 개의 가스도입구가 형성된 탑리드와, 상기 탑리드의 하부 중심부에 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 적어도 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 중앙 분사유닛과, 상기 탑리드의 하부 일부에 상기 중앙 분사유닛의 가장자리를 따라 원주 방향으로 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 어느 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 형성된 복수의 공정가스 분사유닛을 포함하고, 상기 복수 개의 가스도입구 중 적어도 어느 하나는 상기 중앙 분사유닛과 상기 복수의 공정가스 분사유닛 사이에 가스를 분사하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치는, 원하지 않는 기상화학반응을 억제하거나 감소시키며, 박막의 품질을 향상시킬 수 있다. 가스분사장치를 형성하는 분사유닛의 조립상 공차로 인해 발생하는 공간에 불활성가스를 공급하여 공간으로 공정가스의 유입을 차단함으로써 공간에서 공정가스의 반응으로 인한 파티클의 생성을 억제할 수 있다. 따라서 공간에서 발생되는 파티클에 의해 박막의 품질이 저하되는 것을 방지하여 형성되는 소자의 품질을 향상시킬 수 있고, 설비가 오염되는 것도 방지하여 설비의 유지 보수를 용이하게 할 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 기판처리장치의 개략적 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 가스분사장치의 단면도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 개략적 단면도.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 가스분사장치에 적용되는 중앙 분사플레이트의 일 예를 보여주는 도면.
도 5는 도 4의 변형 예를 보여주는 도면.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 가스분사장치에서의 가스 흐름을 보여주는 도면.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판처리장치의 개략적 단면도.
도 8은 도 7의 기판처리장치에 적용되는 중앙 분사유닛의 변형 예를 보여주는 도면.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 개략적 단면도이고, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 가스분사장치에 적용되는 중앙 분사플레이트의 일 예를 보여주는 도면이며, 도 5는 도 4의 변형 예이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치는 챔버(100), 기판지지부(200) 및 가스분사장치(120)를 포함한다.
챔버(100)는 상부가 개방된 본체(110)와, 본체(110)의 상부에 개폐 가능하게 설치되는 탑리드(122)를 구비한다. 탑리드(122)가 본체(110)의 상부에 결합되어 본체(110) 내부를 폐쇄하면, 챔버(100)의 내부에는 예컨대, 증착 공정 등 기판(S)에 대한 처리가 행해지는 공간부(102)가 형성된다.
공간부(102)는 일반적으로 진공 분위기로 형성되어야 하므로, 챔버(100)의 소정 위치에는 공간부(102)에 존재하는 가스의 배출을 위한 배기구(104)가 형성되어 있고, 배기구(104)는 외부에 구비되는 펌프(미도시)에 연결된 배기관(140)과 연결된다.
또한, 본체(102)의 바닥면에는 후술할 기판지지부(200)의 회전축(210)이 삽입되는 관통공(106)이 형성되어 있다. 본체(102)의 측벽에는 기판(S)을 챔버(100) 내부로 반입하거나, 외부로 반출하기 위한 게이트벨브(미도시)가 형성되어 있다.
기판지지부(200)는 기판(S)을 지지하기 위한 구성으로서, 지지플레이트(220)와 회전축(210)을 구비한다. 지지플레이트(220)는 원판 형상으로 챔버(100) 내부에 수평방향으로 구비되고, 회전축(210)은 지지플레이트(220)의 저면에 수직으로 연결된다. 회전축(210)은 관통공(106) 외부의 모터 등의 구동수단(미도시)에 연결되어 지지플레이트(220)를 승강 및 회전시킨다. 이때, 회전축(210)과 관통공(106) 사이는 벨로우즈(미도시) 등을 이용하여 밀폐시킴으로써 박막을 증착하는 과정에서 챔버(100) 내부의 진공이 해제되는 것을 방지한다.
또한, 지지플레이트(220)의 상부에는 복수의 기판안착부(222)가 일정 간격을 가지며 형성된다. 기판안착부(222)는 박막증착을 위한 지지플레이트(220)의 회전 시 장착된 기판(S)의 이탈을 방지할 수 있도록 함몰된 형태로 형성되는 것이 좋다. 또한 지지플레이트(220)의 하측 또는 내부에는 히터(미도시)가 구비되어 기판(S)을 일정한 공정 온도로 가열할 수도 있다.
가스분사장치(120)는 기판지지부(200) 상부에 이격되어 구비되며, 기판지지부(200) 측으로 원료가스(S), 반응가스(R), 퍼지가스(P) 등의 공정가스를 분사한다.
가스분사장치(120)는 탑리드(122)의 하부 중심부에 결합되는 중앙 분사유닛(131)과, 탑리드(122)의 하부에 중앙 분사유닛(131)의 원주방향을 따라 결합되어 서로 다른 종류의 가스를 분사하는 복수의 공정가스 분사유닛(126)을 포함한다. 중앙 분사유닛(131)은 상부가 개방된 중공의 원통형으로 형성되어 하부에 복수 개의 가스분사공(132)이 형성된다. 그리고 각각의 공정가스 분사유닛(126)은 상부가 개방되고 내부에 가스가 확산되는 공간이 형성되는 부채꼴과 유사한 형태로 형성되며, 하부에 가스를 분사하는 복수 개의 가스분사공(128)이 형성된다. 각각의 공정가스 분사유닛(126)은 중앙 분사유닛(131)의 원주방향을 따라 배열되어 원형을 이루게 된다.
중앙 분사유닛(131)은 탑리드(122)의 하부 중심부에 결합되어 그 사이에 가스가 확산되는 공간을 형성하고, 각각의 공정가스 분사유닛(126)은 탑리드(122)의 하부에서 중앙 분사유닛(131)의 원주방향을 따라 탑리드(122)의 하부 일부를 점유하는 형태로 결합된다.
중앙 분사유닛(131)은 복수 개의 공정가스 분사유닛(126)으로부터 분사되는 서로 다른 종류의 가스들이 기판지지부(200)의 중심부에서 서로 혼합되지 않도록 에어 커튼 역할을 하는 퍼지가스를 분사한다.
이와 같이 형성된 가스분사장치(120)는 중앙 분사유닛(131)과 복수의 공정가스 분사유닛(126)이 일체로 형성되지 않고 조립을 통해 완성되기 때문에 중앙 분사유닛(131)과 복수의 공정가스 분사유닛(126), 그리고 복수의 공정가스 분사유닛(126) 사이에는 대략 0.2 내지 0.4㎜ 정도의 폭을 갖는 공간이 형성된다. 따라서 박막을 증착하는 과정에서 공정가스 분사유닛(126)에서 분사되는 가스가 공간과 그 주변의 압력 차이에 의해 공간으로 유입되는 현상이 발생하게 된다. 이로 인해 공간에서 원료가스와 반응가스의 반응이 이루어져 파티클과 같은 이물질이 발생하게 되고, 이렇게 발생된 이물질은 공간을 형성하는 분사유닛에 부착되거나 증착되는 박막으로 유입되어 박막의 품질을 저하시키는 요인으로 작용한다. 이에 본 발명의 실시 예에서는 중앙 분사유닛(131)에 측 방향으로 가스를 분사하는 측면 분사구(134)을 형성함으로써 측면 분사구(134)을 통해 분사되는 가스가 공간으로 유입되어, 박막을 증착하는 과정에서 원료가스나 반응가스 등이 공간으로 유입되는 현상을 억제할 수 있다.
이를 위해 중앙 분사유닛(131)의 측벽에는 도 4에 도시된 바와 같이 복수 개의 측면 분사구(134)가 형성될 수 있다. 측면 분사구(134)는 가스확산공간으로 공급되는 퍼지가스를 중앙 분사유닛(131)과 복수 개의 공정가스 분사유닛(126) 간에 형성되는 공간, 즉 가스분사장치를 제조하는 과정에서 발생하는 조립상 공차에 의해 형성된 공간으로 유입시킨다. 이렇게 공간으로 유입되는 퍼지가스는 반응가스와 원료가스가 공간으로 유입되는 것을 원천적으로 방지함으로써 반응가스와 원료가스의 반응에 의한 파티클의 생성을 억제한다. 측면 분사구(134)는 도 4에 도시된 바와 같이 홀 형태로 형성될 수 있고, 도 5에 도시된 바와 같이 중앙 분사유닛(131)의 측벽에 상부가 개방된 슬릿 형태(134')로 형성될 수도 있으며, 그 형태는 이에 한정되지 않는다. 그리고 중앙 분사유닛(131)의 측벽에 측면 분사구(134)를 형성하기 위한 공간이 충분하게 확보되지 않은 경우에는 중앙 분사유닛(131) 내부의 하부 가장자리를 따라 소정 깊이의 홈을 형성할 수도 있다. 또한, 측면 분사구(134)는 가스가 공정가스 분사유닛(126) 사이에 형성되는 공간은 물론, 중앙 분사유닛(131)과 공정가스 분사유닛(126) 간에 형성되는 공간으로도 원활하게 유입될 수 있도록 탑리드(122) 쪽에 가깝게 형성되는 것이 좋다. 그리고 측면 분사구(134)는 공정가스 분사유닛(126)의 연결부위에 대응하는 위치마다 형성될 수 있다. 이와 같이 공정가스 분사유닛(126)의 연결부위에 대응하는 위치마다 측면 분사구(134)를 형성하면, 측면 분사구(134)를 통해 배출되는 가스를 공정가스 분사유닛(126) 사이에 형성되는 공간으로 직접적으로 유입시킬 수 있다. 따라서 공정가스 분사유닛(126) 사이의 공간으로 반응가스나 원료가스가 유입되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
그리고 탑리드(122)에는 중앙 분사유닛(131)과 공정가스 분사유닛(126)의 개수와 대응하는 개수로 가스도입구(124S, 124P, 124R)가 형성되어 탑리드(122)와 공정가스 분사유닛(126) 사이의 가스확산공간과 연통된다. 각각의 가스도입구(124S, 124P, 124R)는 외부의 다양한 가스공급원(미도시)과 선택적으로 연결될 수 있다.
탑리드(122)와 공정가스 분사유닛(126) 사이에 분사공(미도시)이 형성된 중간플레이트(미도시)가 개재될 수도 있다. 이 경우 가스도입구(124S, 124R)를 통해 공정가스 분사유닛(126)으로 유입된 가스는 탑리드(122)와 중간플레이트 사이 그리고 중간플레이트와 공정가스 분사유닛(126) 사이에 형성되는 가스확산공간 내에서 고르게 확산될 수 있다. 즉, 가스도입구(124S, 124R))를 통해 유입된 공정가스는 가스확산공간에서 완전히 확산된 후 기판(S)으로 공급되어야 만이 공정가스가 기판(S)의 전체 영역에 걸쳐 고르게 공급될 수 있다. 이에 탑리드(122)와 공정가스 분사유닛(126) 사이에 중간플레이트를 개재함으로써, 가스도입구(124S, 124R)로부터 공급되는 가스를 중간플레이트와 탑리드(122) 사이에서 1차적으로 확산시킨 후 중간플레이트에 형성된 분사공을 통해 배출되게 하고, 다시 중간플레이트와 공정가스 분사유닛(126) 사이에서 2차적으로 확산시킨 후 기판(S)으로 공급되게 한다. 공정가스는 2번의 확산과정을 통해 가스확산공간에서 완전히 확산됨으로써 기판(S) 전체 영역에 고르게 분사될 수 있다.
이와 같이 구성된 기판처리장치는 박막을 증착하는 과정에서 가스분사장치(120)를 통해 원료가스(S), 반응가스(R) 및 퍼지가스(P)를 기판(S) 상부로 지속적으로 공급되고, 잔류가스 및 부산물 등은 배기구(104)를 통해 배기관(140)으로 배출된다.
이하에서는 이와 같이 형성된 가스분사장치에서의 가스의 흐름을 보다 상세하게 설명한다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 가스분사장치에서의 가스 흐름을 보여주는 도면이다.
도 6의 (a)는 가스분사장치의 단면도이다. 도 6의 (a)를 참조하면 가스도입구를 통해 공급되는 가스는 탑리드(122)와 중앙 분사유닛(131) 사이의 가스확산공간으로 유입되어, 가스분사공(132) 및 측면 분사구(134)를 통해 분사된다. 가스분사공(132)을 통해 분사된 가스는 복수 개의 공정가스 분사유닛(126)으로부터 분사되는 이종(異種)의 가스들이 기판지지부(200)의 중심부에서 혼합되는 현상을 방지한다. 또한, 측면 분사구(134)로 분사된 가스는 중앙 분사유닛(131)과 복수 개의 공정가스 분사유닛(126) 사이의 공간에서 수직방향으로 이동하며, 공정가스 분사유닛(126)으로부터 분사된 가스가 공간으로 유입되는 것을 방지한다.
또한, 도 6의 (b)를 참조하면, 측면 분사구(134)를 통해 분사된 가스는 중앙 분사유닛(131)과 공정가스 분사유닛(126) 사이의 공간 및 공정가스 분사유닛(126) 사이의 공간으로 유입된다. 이와 같이 공간으로 가스가 유입되면 공간과 그 외의 영역 간에 압력 차이가 상쇄되어 공정가스가 공간으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판처리장치의 개략적 단면도이고, 도 8은 도 7의 기판처리장치에 적용되는 중앙 분사유닛의 변형 예를 보여주는 도면이다.
도 7을 참조하면, 탑리드(122)의 하부에는 공정가스 분사유닛(126) 및 중앙 분사유닛(135)이 결합되어 있고, 탑리드(122)에는 각각의 분사유닛들과 연통하는 복수 개의 가스도입구(124S, 124P1, 124R)가 형성되어 있다. 탑리드(122)에는 중앙 분사유닛(135)의 둘레 방향, 즉 중앙 분사유닛(135)과 공정가스 분사유닛(126) 사이에 보조 가스도입구(124P2)가 형성된다. 보조 가스도입구(124P2)는 중앙 분사유닛(135)과 공정가스 분사유닛(126) 사이의 공간에 퍼지가스를 직접 공급한다. 보조 가스도입구(124P2)를 통해 공급되는 가스는 중앙 분사유닛(135)과 공정가스 분사유닛(126)의 사이, 그리고 공정가스 분사유닛(126) 사이에 형성되는 공간으로 유입된다.
중앙 분사유닛(135)은 상부가 개방되고 하부에 가스분사공이 형성된 원통형으로 형성되며, 종래에 사용되던 중앙 분사유닛(135)과 거의 유사한 형태로 형성된다.
한편, 중앙 분사유닛은 내부에 독립된 공간을 갖는 이중 구조로 형성될 수도 있다. 도 8의 (a)를 참조하면 중앙 분사유닛은 상부가 개방된 중공의 원통형상의 몸체(137)와, 몸체(137)의 측벽 외주면과 이격되는 중공의 원통형상의 외벽(136)을 포함하고, 몸체(137)와 외벽(136)은 몸체(137)의 하면을 통해 연결된다. 그리고 가스분사공(139)은 몸체(137)의 하면, 즉 내부 공간에만 형성되고, 외벽(136)에는 복수 개의 측면 분사구(138)가 형성된다. 이와 같은 구성을 통해 중앙 분사유닛에는 몸체(137)의 측벽에 의해 분리되는 내부 공간과 외부 공간이 형성된다. 중앙 분사유닛을 탑리드(122)의 하부에 결합했을 때 몸체(137) 측벽에 의해 내부 공간과 외부 공간은 독립적으로 분리되는 것이 바람직하다. 또한, 이와 같이 내부 공간과 외부 공간을 독립적으로 분리하기 위해서는 중앙 분사유닛은 몸체(137) 측벽 상부면에 오링 등과 같은 밀폐부재(미도시)를 개재한 상태에서 탑리드(122)의 하부에 연결될 수도 있다.
도 8의 (b)를 참조하면, 중앙 분사유닛의 내부 공간과 외부 공간은 각각 서로 다른 가스도입구(124P1, 124P2)와 연통된다. 내부 공간은 퍼지가스를 공급하는 가스도입구(124P1)과 연통되고, 외부 공간은 퍼지가스를 공급하는 보조 가스도입구(124P2)와 연통된다. 따라서 중앙 분사유닛의 내부 공간으로 공급되는 가스는 기판지지대(200) 상부로 공급되고, 외부 공간으로 공급되는 가스는 측면 분사구(138)를 통해 측 방향으로 분사되어 중앙 분사유닛과 공정가스 분사유닛 사이, 그리고 공정가스 분사유닛들 사이의 공간으로 유입된다. 도 7과 도 8의 (b)를 비교해보면, 탑리드(122)에 형성되는 보조 가스도입구(124P2)의 위치에 일부 차이점이 있는 것을 알 수 있다. 도 7의 보조 가스도입구(124P2)는 중앙 분사유닛과 공정가스 분사유닛 사이에 형성되는 공간으로 가스를 공급하도록 형성되어 있지만, 도 8의 (b)에 형성되는 보조 가스도입구(124P2)는 중앙 분사유닛, 즉 중앙 분사유닛의 외부 공간으로 가스를 공급하도록 형성되는 차이점이 있다.
이와 같이 보조 가스도입구(124P2)으로는 내부 공간으로 가스를 공급하는 가스도입구(124P1)와 동일한 가스가 공급되지만, 내부 공간과 외부 공간으로 공급되는 가스의 유량을 독립적으로 조절할 수 있다는 장점이 있다.
이렇게 형성된 기판처리장치에서 중앙 분사유닛과 공정가스 분사유닛 및 공정가스 분사유닛 간에 형성되는 공간으로 공정가스의 유입 여부를 확인하기 위해 다음과 같은 실험을 실시하였다.
아래의 [표 1]은 중앙 분사유닛에 측면 분사구가 형성되지 않은 가스분사장치가 구비된 종래의 기판처리장치(비교 예)와, 중앙 분사유닛에 측면 분사구를 형성한 가스분사장치가 구비된 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치를 이용하여 기판 상에 박막을 증착하고, 증착된 박막의 두께를 측정한 결과이다. 이때, 기판지지부 상에서의 기상화학반응 여부를 확인하기 위하여 기판지지부는 정지시킨 상태로 공정가스를 분사하였다. 이는 공정가스가 분사유닛 간에 형성되는 공간으로 유입되어 예컨대, 원료가스가 반응가스의 분사영역으로 유입되거나, 또는 반응가스가 원료가스의 분사영역으로 유입되어 기상화학반응을 일으킴으로써 박막이 형성되는지 여부를 확인하기 위함이다.
비교 예 실시 예
가스 공급량 Ar 1500sccm Ar 500sccm
평균(Å) 1.57 0
최대(Å) 7.2 0
통상 중앙 분사유닛에 공급되는 퍼지가스의 양이 지나치게 많은 경우에는 기판 상에 증착되는 박막의 균일도가 저하되고, 퍼지가스의 양이 지나치게 적은 경우에는 공정가스 분사유닛을 통해 분사되는 이종의 가스가 기판지지대 상에서 화학기상반응을 일으켜 원하는 박막을 증착하기 어렵다. 그런데 비교 예의 경우 중앙 분사유닛에 1500sccm 이하의 Ar를 공급하는 경우 기상화학반응이 발생되는 것이 확인되었다. 그러나 이와 같은 기상화학반응을 방지하기 위하여 제시된 양보다 많은 양의 Ar을 공급하게 되면 기판 상에 증착되는 박막의 균일도가 악화되는 문제점이 있다.
상기 [표 1]을 살펴보면, 비교 예에서는 중앙 분사유닛에 1500sccm의 Ar을 공급한 경우 기판 상에 평균 1.57Å 두께의 박막이 증착된 것을 알 수 있다. 이는 공정가스 분사유닛을 통해 분사된 공정가스가 분사유닛들 사이의 공간으로 유입되어 기판지지부 상에서 기상화학반응이 일어나 기판 상에 박막이 형성된 것으로 판단된다.
그러나 실시 예에서는 비교 예에서보다 훨씬 적은 양, 500sccm의 Ar을 중앙 분사유닛을 통해 분사하여도 기판 상에 박막이 전혀 증착되지 않았음을 확인할 수 있다. 이는 분사유닛들 사이의 공간으로 Ar이 유입되어 공간으로 공정가스의 유입이 일어나지 않아 기판지지부 상에서 기상화학반응이 일어나지 않았음을 알 수 있다. 이렇게 중앙 분사유닛을 통해 분사되는 가스의 양이 현저하게 감소하면 기판 상에 증착되는 박막의 균일도도 향상될 수 있음은 물론이다.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100 : 챔버 102 : 공간부
104 : 배기구 106 : 관통공
110 : 본체 120 : 가스분사장치
122 : 탑리드 124 : 가스도입구
126 : 공정가스 분사유닛 128, 132 : 가스분사공
131, 135 : 중앙 분사유닛 134, 134' 138 : 측면 분사구
136 : 외벽 137 : 몸체
140 : 배기관 200 : 기판지지부
210 : 회전축 220 : 지지플레이트
222 : 기판안착부

Claims (12)

  1. 챔버 내부에 공정가스를 분사하는 가스분사장치로서,
    공정가스가 공급되는 복수 개의 가스도입구가 형성된 탑리드와,
    상기 탑리드의 하부 중심부에 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 적어도 어느 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 중앙 분사유닛과,
    상기 탑리드의 하부 일부에 상기 중앙 분사유닛의 가장자리를 따라 원주 방향으로 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 어느 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 형성된 복수의 공정가스 분사유닛을 포함하고,
    상기 중앙 분사유닛에는 측방향으로 가스를 분사하는 적어도 하나 이상의 측면 분사구가 형성되며,
    상기 중앙 분사유닛과 상기 복수의 공정가스 분사유닛의 사이 및 상기 복수의 공정가스 분사유닛의 사이에 형성되는 공간으로 가스를 유입시킬 수 있도록, 상기 측면 분사구는 상기 복수의 공정가스 분사유닛의 연결부위에 대응하여 형성되는 가스분사장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 중앙 분사유닛은 상부가 개방된 중공의 원통형으로 형성되고, 측벽에 측면 분사공이 형성되는 가스분사장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 중앙 분사유닛은 상부가 개방된 내부 공간이 형성된 몸체와, 상기 몸체의 측벽 외주면과 이격되며 측면 분사공이 형성되는 외벽을 포함하고, 상기 몸체와 상기 외벽은 상기 몸체의 하면을 통해 연결되어 상기 몸체와 상기 외벽 사이에 외부 공간을 형성하며,
    상기 내부 공간과 상기 외부 공간은 서로 다른 가스도입구와 연통되는 가스분사장치.
  4. 삭제
  5. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 측면 분사구는 상기 중앙 분사유닛을 관통하여 형성되는 가스분사장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 측면 분사구는 상부가 개방된 홈부로 형성되는 가스분사장치.
  7. 챔버 내부에 공정가스를 분사하는 가스분사장치로서,
    공정가스가 공급되는 복수 개의 가스도입구가 형성된 탑리드와,
    상기 탑리드의 하부 중심부에 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 적어도 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 중앙 분사유닛과,
    상기 탑리드의 하부 일부에 상기 중앙 분사유닛의 가장자리를 따라 원주 방향으로 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 어느 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 형성된 복수의 공정가스 분사유닛을 포함하고,
    상기 중앙 분사유닛과 상기 복수의 공정가스 분사유닛의 사이 및 상기 복수의 공정가스 분사유닛의 사이에 공간이 형성되고,
    상기 복수 개의 가스도입구 중 적어도 어느 하나는 상기 중앙 분사유닛과 상기 복수의 공정가스 분사유닛 사이의 공간에 가스를 분사하도록 형성되는 가스분사장치.
  8. 내부에 공간이 형성되는 챔버와;
    상기 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되어 복수의 기판을 지지하는 기판지지부; 및
    상기 기판지지부의 상부에 구비되어 상기 기판으로 공정가스를 분사하는 가스분사장치;
    를 포함하며,
    상기 가스분사장치는 공정가스가 공급되는 복수 개의 가스도입구가 형성된 탑리드와, 상기 탑리드의 하부 중심부에 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 적어도 어느 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 중앙 분사유닛과, 상기 탑리드의 하부 일부에 상기 중앙 분사유닛의 가장자리를 따라 원주 방향으로 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 어느 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 형성된 복수의 공정가스 분사유닛을 포함하고,
    상기 중앙 분사유닛에는 측방향으로 가스를 분사하는 적어도 하나 이상의 측면 분사구가 형성되며,
    상기 중앙 분사유닛과 상기 복수의 공정가스 분사유닛의 사이 및 상기 복수의 공정가스 분사유닛의 사이에 형성되는 공간으로 가스를 유입시킬 수 있도록, 상기 측면 분사구는 상기 복수의 공정가스 분사유닛의 연결부위에 대응하여 형성되는 기판처리장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 중앙 분사유닛은 상부가 개방된 중공의 원통형으로 형성되고, 측벽에 측면 분사공이 형성되는 기판처리장치.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 중앙 분사유닛은 상부가 개방된 내부 공간이 형성된 몸체와, 상기 몸체의 측벽 외주면과 이격되며 측면 분사공이 형성되는 외벽을 포함하고, 상기 몸체와 상기 외벽은 상기 몸체의 하면을 통해 연결되어 상기 몸체와 상기 외벽 사이에 외부 공간을 형성하며,
    상기 내부 공간과 상기 외부 공간은 서로 다른 가스도입구와 연통되는 기판처리장치.
  11. 삭제
  12. 내부에 공간이 형성되는 챔버와;
    상기 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되어 복수의 기판을 지지하는 기판지지부; 및
    상기 기판지지부의 상부에 구비되어 상기 기판으로 공정가스를 분사하는 가스분사장치;
    를 포함하며,
    상기 가스분사장치는 공정가스가 공급되는 복수 개의 가스도입구가 형성된 탑리드와, 상기 탑리드의 하부 중심부에 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 적어도 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 중앙 분사유닛과, 상기 탑리드의 하부 일부에 상기 중앙 분사유닛의 가장자리를 따라 원주 방향으로 결합되며, 하면에 상기 복수 개의 가스도입구 중 어느 하나와 연통하는 복수의 가스분사공이 형성된 복수의 공정가스 분사유닛을 포함하고,
    상기 중앙 분사유닛과 상기 복수의 공정가스 분사유닛의 사이 및 상기 복수의 공정가스 분사유닛의 사이에 공간이 형성되고,
    상기 복수 개의 가스도입구 중 적어도 어느 하나는 상기 중앙 분사유닛과 상기 복수의 공정가스 분사유닛 사이의 공간에 가스를 분사하도록 형성되는 기판처리장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040224504A1 (en) 2000-06-23 2004-11-11 Gadgil Prasad N. Apparatus and method for plasma enhanced monolayer processing

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060076714A (ko) 2004-12-28 2006-07-04 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 원자층 증착기
KR101217522B1 (ko) * 2006-09-07 2013-01-02 주식회사 원익아이피에스 유량조절블럭을 구비한 샤워헤드
KR100920324B1 (ko) * 2007-08-24 2009-10-07 주식회사 케이씨텍 박막 증착장치
KR100997104B1 (ko) * 2008-07-04 2010-11-29 주식회사 테스 반도체 제조용 샤워헤드 및 이 샤워헤드를 구비한 반도체제조장치
KR101028408B1 (ko) * 2008-12-29 2011-04-13 주식회사 케이씨텍 가스분사 유닛 및 이를 구비하는 원자층 증착장치
KR20110021624A (ko) * 2009-08-26 2011-03-04 주성엔지니어링(주) 원료 물질 공급 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040224504A1 (en) 2000-06-23 2004-11-11 Gadgil Prasad N. Apparatus and method for plasma enhanced monolayer processing

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