TW202204466A - 光半導體密封用樹脂成形物 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種能夠形成耐熱性、耐溫度循環性及耐回流焊性優異之光半導體密封材之光半導體密封用樹脂成形物。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物滿足下述關係式(1)。
0.0005≦E'265 ℃
/E'100 ℃
≦0.0050 (1)
(式中，E'265 ℃
及E'100 ℃
分別表示利用下述方法獲得之硬化體(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)於265℃及100℃下之儲存模數(Pa))
(硬化體之製作方法)
將樹脂成形物於150℃下加熱4分鐘，使其成形，然後於150℃下加熱3小時，藉此獲得硬化體。
Description
本發明係關於一種光半導體密封用樹脂成形物。
光半導體元件經陶瓷封裝體或塑膠封裝體密封而成為裝置。此處，由於陶瓷封裝體其構成材料相對昂貴、量產性差，故使用塑膠封裝體成為主流。其中，基於作業性、量產性、可靠性之觀點，將環氧樹脂組合物預先打錠成形為錠狀後再進行轉注成形之技術成為主流。
專利文獻1中揭示有將環氧樹脂組合物造粒成粒狀後再製成錠材之技術。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-9394號公報
[發明所欲解決之問題]
近年來，隨著電子機器之高功能化及高輸出化，而對光半導體要求更高之可靠性。例如存在因高溫環境下或溫度自低至高反覆變化之環境下之使用、或機器製造階段中之回流焊步驟，使密封材產生龜裂或剝離、變色等之情況，要求減少因該等情況而對光半導體元件造成之損害。
本發明之目的在於提供一種能夠形成耐熱性、耐溫度循環性及耐回流焊性優異之光半導體密封材之光半導體密封用樹脂成形物。
[解決問題之技術手段]
本發明係關於一種滿足下述關係式(1)之光半導體密封用樹脂成形物。
0.0005≦E'265 ℃
/E'100 ℃
≦0.0050 (1)
(式中，E'265 ℃
及E'100 ℃
分別表示利用下述方法獲得之硬化體(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)於265℃及100℃下之儲存模數(Pa))
(硬化體之製作方法)
將樹脂成形物於150℃下加熱4分鐘，使其成形，然後於150℃下加熱3小時，藉此獲得硬化體。
上述光半導體密封用樹脂成形物較佳為藉由上述方法製成硬化體(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)之情形時之玻璃轉移溫度為130℃以上，且滿足下述關係式(2)。
Y＜160000X－14500000 (2)
(式中，X表示上述硬化體之玻璃轉移溫度(℃)，Y表示上述硬化體於265℃下之儲存模數(Pa))
上述光半導體密封用樹脂成形物較佳為滿足下述關係式(3)及(4)。
Y＜6300000(130≦X＜150) (3)
Y＜160000X－17000000(150≦X≦190) (4)
(各式中，X表示藉由上述方法所獲得之硬化體(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)之玻璃轉移溫度(℃)，Y表示上述硬化體於265℃下之儲存模數(Pa))
上述光半導體密封用樹脂成形物較佳為滿足下述關係式(5)。
0.70＜R450 nm
＜1.00 (5)
(式中，R450 nm
表示於265℃下對藉由上述方法所獲得之硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)實施3次回流焊之情形時，實施前後之波長450 nm下之直線透過率之比(實施後/實施前))
上述光半導體密封用樹脂成形物較佳為滿足下述關係式(6)及(7)。
0.80＜R400 nm
/R450 nm
＜1.00 (6)
0.10＜R300 nm
/R450 nm
＜0.50 (7)
(各式中，R300 nm
、R400 nm
及R450 nm
分別表示於265℃下對藉由上述方法所獲得之硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)實施3次回流焊之情形時，實施前後之波長300 nm、400 nm及450 nm下之直線透過率之比(實施後/實施前))
上述光半導體密封用樹脂成形物較佳為藉由上述方法製成硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)之情形時之波長450 nm下之直線透過率為70%以上。
上述光半導體密封用樹脂成形物較佳為包含熱硬化性樹脂、硬化劑、熱硬化性樹脂與硬化劑之反應物、及硬化促進劑。
上述光半導體密封用樹脂成形物較佳為進而包含多元醇及多元醇與硬化劑之反應物。
上述光半導體密封用樹脂成形物較佳為包含選自由具有下述式(I)所表示之結構單元(I)的化合物、具有下述式(II)所表示之結構單元(II)的化合物、及具有下述式(III)所表示之結構單元(III)的化合物所組成之群中之至少1種。
式(I)：
[化1]
(式中，A1
表示包含2個以上之環結構之有機基；R1a
表示包含環氧樹脂之殘基之部位；R1b
表示氫原子或與R1a
鍵結之鍵結鍵)
式(II)：
[化2]
(式中，A2
表示有機基；R2a
表示包含具有連續之2個以上之環結構(其中將環氧乙烷環除外)的環氧樹脂之殘基之部位；R2b
表示氫原子或與R2a
鍵結之鍵結鍵)
式(III)：
[化3]
(式中，A3
表示有機基；R3a
表示具有非芳香族環之有機基)
本發明亦關於一種使上述光半導體密封用樹脂成形物成形而獲得之光半導體密封材。
本發明亦關於一種具備光半導體元件及將該光半導體元件密封之上述光半導體密封材之光半導體裝置。
[發明之效果]
根據本發明之光半導體密封用樹脂成形物，能夠獲得耐熱性、耐溫度循環性及耐回流焊性優異之光半導體密封材，因此即使於高溫環境下使用或經由回流焊步驟，光半導體密封材亦不易產生龜裂或剝離、變色等，能夠減少因該等情況而對光半導體元件造成之損害。
以下對本發明進行具體說明。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物滿足下述關係式(1)。
0.0005≦E'265 ℃
/E'100 ℃
≦0.0050 (1)
(式中，E'265 ℃
及E'100 ℃
分別表示利用下述方法獲得之硬化體(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)於265℃及100℃下之儲存模數(Pa))
(硬化體之製作方法)
將樹脂成形物於150℃下加熱4分鐘，使其成形，然後於150℃下加熱3小時，藉此獲得硬化體。
滿足關係式(1)之樹脂成形物能夠形成玻璃轉移溫度高並且高溫彈性模數低之硬化體，因此能夠獲得耐熱性、耐溫度循環性及耐回流焊性優異之光半導體密封材。進而，能夠獲得耐黃變性、對溫度變化之尺寸穩定性、衝擊吸收性、耐衝擊性亦優異之光半導體密封材。此種光半導體密封材即使於高溫環境下使用或經由回流焊步驟，亦不易產生龜裂或剝離、變色等，因此能夠減少因該等情況而對光半導體元件造成之損害。
又，上述樹脂成形物於加熱成形時不會過硬，因此處理性、成形性及脫模性優異。
E'265 ℃
/E'100 ℃
為0.0050以下，較佳為0.0030以下，更佳為0.0010以下，進而較佳為0.0008以下。
若E'265 ℃
/E'100 ℃
未達0.0005或超過0.0050，則有所獲得之光半導體密封材之耐熱性、耐溫度循環性及耐回流焊性下降之虞。
E'265 ℃
及E'100 ℃
分別如下求出，即，使用利用上述方法獲得之硬化體，藉由265℃及100℃下之動態黏彈性測定(模式：拉伸；掃描溫度：0～270℃；頻率：1 Hz；升溫速度：10℃/分鐘)來求出。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物較佳為藉由上述方法製成硬化體(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)之情形時之玻璃轉移溫度(Tg)為130℃以上，且滿足下述關係式(2)。
Y＜160000X－14500000 (2)
(式中，X表示上述硬化體之玻璃轉移溫度(℃)，Y表示上述硬化體於265℃下之儲存模數(Pa))
當使此種樹脂成形物硬化時，能夠獲得玻璃轉移溫度高並且高溫彈性模數低之硬化體，因此能夠獲得耐熱性、耐溫度循環性、耐回流焊性、耐黃變性、對溫度變化之尺寸穩定性、衝擊吸收性及耐衝擊性更加優異之光半導體密封材。
上述玻璃轉移溫度較佳為130℃以上，更佳為140℃以上，進而較佳為145℃以上，尤佳為155℃以上。又，玻璃轉移溫度較佳為200℃以下，更佳為190℃以下，進而較佳為180℃以下。
若硬化體之玻璃轉移溫度處於上述範圍內，則能夠獲得耐熱性、耐溫度循環性、耐黃變性、對溫度變化之尺寸穩定性及衝擊吸收性更加優異之光半導體密封材。
上述玻璃轉移溫度係如下求出，即，使用藉由上述方法獲得之硬化體(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)，實施動態黏彈性測定(模式：拉伸；掃描溫度：0～270℃；頻率：1 Hz；升溫速度：10℃/分鐘)，獲得儲存模數E'及損耗模數E''，根據該等求出tanδ(＝E''/E')之曲線，求出tanδ之峰值溫度作為玻璃轉移溫度。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物較佳為滿足下述關係式(3)及(4)，更佳為滿足下述關係式(3')及(4')。
Y＜6300000(130≦X＜150) (3)
Y＜160000X－17000000(150≦X≦190) (4)
Y＜1400000(130≦X＜150) (3')
Y＜160000X－22000000(150≦X≦190) (4')
(各式中，X表示藉由上述方法所獲得之硬化體(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)之玻璃轉移溫度(℃)，Y表示上述硬化體於265℃下之儲存模數(Pa))
藉此，能夠獲得耐熱性、耐溫度循環性、耐回流焊性、耐黃變性、對溫度變化之尺寸穩定性、衝擊吸收性及耐衝擊性更加優異之光半導體密封材。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物較佳為藉由上述方法製成硬化體(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)之情形時之265℃下之儲存模數(E'265 ℃
)為1.5×107
Pa以下，更佳為1.0×107
Pa以下。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物較佳為滿足下述關係式(5)。
0.70＜R450 nm
＜1.00 (5)
(式中，R450 nm
表示於265℃下對藉由上述方法所獲得之硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)實施3次回流焊之情形時，實施前後之波長450 nm下之直線透過率之比(實施後/實施前))
R450 nm
更佳為0.80以上，又，更佳為0.95以下。
若R450 nm
處於上述範圍內，則能夠抑制實施回流焊後硬化體於特定波長下之透過率下降，因此能夠獲得耐回流焊性及耐黃變性更加優異之光半導體密封材。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物較佳為滿足下述關係式(5')。
0.60＜R400 nm
＜0.90 (5')
(式中，R400 nm
表示於265℃下對藉由上述方法所獲得之硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)實施3次回流焊之情形時，實施前後之波長400 nm下之直線透過率之比(實施後/實施前))
R400 nm
更佳為0.70以上，又，更佳為0.85以下。
若R400 nm
處於上述範圍內，則能夠抑制實施回流焊後硬化體於特定波長下之透過率下降，因此能夠獲得耐回流焊性及耐黃變性更加優異之光半導體密封材。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物較佳為滿足下述關係式(5'')。
0.10＜R300 nm
＜0.50 (5'')
(式中，R300 nm
表示於265℃下對藉由上述方法所獲得之硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)實施3次回流焊之情形時，實施前後之波長300 nm下之直線透過率之比(實施後/實施前))
R300 nm
更佳為0.15以上，又，更佳為0.40以下。
若R300 nm
處於上述範圍內，則能夠抑制實施回流焊後硬化體於特定波長下之透過率下降，因此能夠獲得耐回流焊性及耐黃變性更加優異之光半導體密封材。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物較佳為滿足下述關係式(6)及(7)。
0.80＜R400 nm
/R450 nm
＜1.00 (6)
0.10＜R300 nm
/R450 nm
＜0.50 (7)
(各式中，R300 nm
、R400 nm
及R450 nm
分別表示於265℃下對藉由上述方法所獲得之硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)實施3次回流焊之情形時，實施前後之波長300 nm、400 nm及450 nm下之直線透過率之比(實施後/實施前))
R400 nm
/R450 nm
更佳為0.95以下。
R300 nm
/R450 nm
更佳為0.20以上，又，更佳為0.40以下。
若R400 nm
/R450 nm
及R300 nm
/R450 nm
處於上述範圍內，則能夠抑制實施回流焊後硬化體於特定波長下之透過率下降，因此能夠獲得耐回流焊性及耐黃變性更加優異之光半導體密封材。
各波長下之直線透過率係以如下方式求出，即，藉由上述方法製作硬化體，於回流焊實施前及實施後，使用分光光度計測定上述硬化體之透射光譜，藉此求出各波長下之直線透過率。
上述回流焊係使用上述硬化體，使用回焊爐，於每次頂峰溫度265℃、10秒之條件下進行。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物較佳為藉由上述方法製成硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)之情形時之波長450 nm下之直線透過率為70%以上，更佳為90%以上，進而較佳為95%以上。
藉此，能夠獲得透光性(透明性)優異之光半導體密封材。
上述直線透過率藉由使用分光光度計測定上述硬化體之波長450 nm下之透射光譜而求出。
作為本發明之光半導體密封用樹脂成形物，可列舉錠材、片材等。
於光半導體密封用樹脂成形物為錠材之情形時，其體積並無特別限制，較佳為1～100 cm3
，更佳為10～100 cm3
。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物較佳為包含熱硬化性樹脂與硬化劑之反應物。又，亦較佳為包含熱硬化性樹脂、硬化劑、熱硬化性樹脂與硬化劑之反應物、及硬化促進劑。亦較佳為除上述以外還包含多元醇及多元醇與硬化劑之反應物。本發明之光半導體密封用樹脂成形物可為所謂B-階段(半硬化)之狀態。
作為熱硬化性樹脂，較佳為環氧樹脂。作為環氧樹脂，較佳為著色少者。
作為上述環氧樹脂，基於能夠容易地獲得滿足上述各關係式之樹脂成形物之觀點而言，較佳為具有連續之2個以上之環結構(其中環氧乙烷環除外)之環氧樹脂。此處，2個以上之環結構相連續係指2個以上之環結構直接相接，換言之，意指1個環結構與相鄰之環結構之間不存在不構成環之原子。較佳為於連續之2個以上之環結構中，1個環結構與相鄰之環結構共有2個以上之原子。
上述環結構較佳為非芳香族環，更佳為非芳香族之碳環。上述環氧樹脂可為脂環式環氧樹脂。
上述環結構可具有不飽和鍵，但較佳為不具有不飽和鍵。
上述環氧樹脂較佳為含有具有橋接結構之烴基，更佳為含有具有橋接結構之二環式或三環式烴基，進而較佳為含有六員環中設置有橋接結構之二環式烴基。
上述具有橋接結構之烴基尤佳為下述式：
[化4]
(式中，R11
表示氧原子或伸烷基；R12
～R17
分別獨立地表示氫原子或烷基)所表示之基。
藉此，能夠更容易地獲得滿足上述各關係式之樹脂成形物。
上述式中，R11
表示氧原子或伸烷基。上述伸烷基之碳數較佳為1～5，更佳為1～3，進而較佳為1～2，尤佳為1。
R11
較佳為伸烷基。
上述式中，R12
～R17
分別獨立地表示氫原子或烷基。作為R12
～R17
之上述烷基之碳數較佳為1～5，更佳為1～3，進而較佳為1～2。
R12
～R17
較佳為氫原子。
作為上述環氧樹脂，可例示以下者，但並不限定於該等。再者，於存在立體異構物之情形時，各立體異構物及2個以上之立體異構物之混合物亦包含於例示中。
[化5]
亦可使用除上述以外之環氧樹脂。例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、三縮水甘油基異氰尿酸酯、乙內醯脲環氧等含雜環之環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、脂肪族系環氧樹脂、縮水甘油醚型環氧樹脂等。亦可與上述具有連續之2個以上之環結構(其中將環氧乙烷環除外)之環氧樹脂併用。
環氧樹脂可單獨使用1種或併用2種以上。
作為硬化劑，較佳為硬化時或硬化後樹脂成形物之硬化體著色較少之酸酐。其中，基於能夠容易地獲得滿足上述各關係式之樹脂成形物之觀點而言，較佳為下述式(a)：
[化6]
(式中，A1
表示包含2個以上之環結構之有機基)所表示之酸酐(a)。
式(a)中，A1
為包含2個以上之環結構之(多環式之)有機基。上述有機基為2價有機基。
上述有機基之碳數較佳為5以上，更佳為6以上，進而較佳為7以上，又，較佳為20以下，更佳為15以下，進而較佳為10以下，尤佳為7以下。
作為上述有機基，較佳為烴基，亦可包含氧原子等雜原子或雙鍵等不飽和鍵。
作為上述有機基，較佳為具有橋接結構之烴基，更佳為具有橋接結構之二環式烴基，進而較佳為六員環中設置有橋接結構之二環式烴基。
A1
尤佳為下述式(A1)：
[化7]
(式中，R2
表示氧原子或伸烷基；R3
表示碳數2以上之烴基；R4
～R7
分別獨立地表示氫原子或烷基)所表示之基。
藉此，能夠更容易地獲得滿足上述各關係式之樹脂成形物。
式(A1)中，R2
表示氧原子或伸烷基。上述伸烷基之碳數較佳為1～5，更佳為1～3，進而較佳為1～2，尤佳為1。
R2
較佳為伸烷基。
式(A1)中，R3
表示碳數2以上之烴基。上述烴基為2價烴基。上述烴基之碳數為2以上，更佳為2～5，進而較佳為2～4，尤佳為2。
作為R3
之上述烴基較佳為-CX1 2
-CX2 2
-(式中，X1
及X2
分別獨立地為氫原子或烷基)或-CX1
＝CX2
-(式中，X1
及X2
如上所述)。
作為X1
及X2
之上述烷基之碳數較佳為1～5，更佳為1～3，進而較佳為1～2。
於存在複數個X1
或X2
之情形時，該等複數個X1
或X2
可相同，亦可不同。
X1
及X2
較佳為氫原子。
式(A1)中，R4
～R7
分別獨立地表示氫原子或烷基。作為R4
～R7
之上述烷基之碳數較佳為1～5，更佳為1～3，進而較佳為1～2。
R4
及R5
較佳為氫原子或烷基，更佳為氫原子。
R6
及R7
較佳為氫原子。
作為式(A1)所表示之基，可例示以下者，但並不限定於該等。再者，於存在立體異構物之情形時，各立體異構物及2個以上之立體異構物之混合物亦包含於例示中。
[化8]
作為式(A1)所表示之基，其中較佳為以下者。
[化9]
亦可使用除上述以外之酸酐。例如可列舉：鄰苯二甲酸酐、順丁烯二酸酐、偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸二酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、戊二酸酐等。可與上述酸酐(a)併用。
硬化劑可單獨使用1種或併用2種以上。
硬化劑之調配量並無特別限制，例如相對於熱硬化性樹脂100質量份，較佳為20～200質量份。若未達20質量份，則硬化速度較慢，若超過200質量份，則相對於硬化反應過量存在，而有引起諸物性降低之虞。
於熱硬化性樹脂為環氧樹脂、硬化劑為酸酐之情形時，酸酐基當量(A)與環氧基當量(E)之當量比(A/E)較佳為0.5～1.5，更佳為0.8～1.2，最佳為0.9～1.0。若未達0.5或超過1.5，則反應性降低，有可能損害硬化物之強度、耐熱性。
於本發明之光半導體密封用樹脂成形物包含硬化劑之情形時，硬化劑之一部分可與熱硬化性樹脂發生反應。
作為硬化促進劑，可列舉：三乙醇胺、二甲基苄胺等三級胺；2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑等咪唑類；四苯基硼酸四苯基鏻、三苯基膦等有機磷化合物；1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一烯-7或1,5-二氮雜雙環[4.3.0]壬烯-5等二氮雜雙環烯烴系化合物等。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。
硬化促進劑之調配量並無特別限制，相對於熱硬化性樹脂100質量份，例如可自0.1～5質量份之範圍適當選擇，較佳為0.5～3質量份，更佳為1～2質量份。若硬化促進劑之調配量過少，則硬化速度變慢，生產性降低，另一方面，若硬化促進劑之調配量過多，則有硬化反應速度快，難以控制反應狀態，而產生反應不均之虞。
於本發明之光半導體密封用樹脂成形物包含硬化促進劑之情形時，硬化促進劑之一部分可與熱硬化性樹脂及/或硬化劑發生反應。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物亦較佳為進而包含多元醇。藉此，能夠形成彈性模數更低之硬化體，能夠獲得衝擊吸收性及耐衝擊性更加優異之光半導體密封材。
多元醇只要為具有2個以上之羥基之化合物即可，較佳為二醇(Glycol)。
作為上述多元醇，基於能夠容易地獲得滿足上述各關係式之樹脂成形物之觀點而言，較佳為具有非芳香族環之多元醇。上述多元醇可為脂環式多元醇。上述多元醇之碳數較佳為3以上，更佳為5以上，進而較佳為6以上，又，較佳為30以下，更佳為20以下。
上述非芳香族環更佳為非芳香族之碳環。上述非芳香族環可具有不飽和鍵，但較佳為不具有不飽和鍵。上述非芳香族環可為單環式，亦可為多環式。
上述非芳香族環可為具有橋接結構之烴環。作為上述具有橋接結構之烴環，較佳為具有橋接結構之二環式或三環式烴環，更佳為具有橋接結構之三環式烴環。
作為上述非芳香族環，尤佳為環己烷環。
作為上述多元醇，可例示以下者，但並不限定於該等。再者，於存在立體異構物之情形時，各立體異構物及2個以上之立體異構物之混合物亦包含於例示中。
[化10]
亦可使用除上述以外之多元醇。例如可列舉碳數較佳為2～10、更佳為2～6、進而較佳為2～5之二醇。作為上述二醇，例如可列舉：乙二醇、丙二醇、新戊二醇、戊二醇、丁二醇等，其中較佳為新戊二醇。可與上述具有非芳香族環之多元醇併用。
多元醇可單獨使用1種或併用2種以上。
多元醇之調配量並無特別限制，相對於熱硬化性樹脂100質量份，例如可自5～200質量份之範圍進行選擇。
於硬化劑為酸酐之情形時，多元醇化合物之莫耳數(B)與酸酐之莫耳數(C)的莫耳比(B/C)較佳為0.01～0.70，更佳為0.05～0.60，最佳為0.10～0.50。
若多元醇之調配量過少，則所獲得之硬化體之彈性模數有可能過高，另一方面，若多元醇之調配量過多，則所獲得之硬化體之玻璃轉移溫度及彈性模數有可能過低。
於本發明之光半導體密封用樹脂成形物包含多元醇之情形時，多元醇之一部分可與熱硬化性樹脂及/或硬化劑發生反應。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物較佳為包含環氧樹脂、酸酐、多元醇、環氧樹脂與酸酐之反應物、多元醇與酸酐之反應物、及硬化促進劑，且滿足下述(i)～(iii)之至少1個。
(i)上述環氧樹脂為具有連續之2個以上之環結構(其中將環氧乙烷環除外)之環氧樹脂。
(ii)上述酸酐為上述式(a)所表示之酸酐(a)。
(iii)上述多元醇為具有非芳香族環之多元醇。
此種樹脂成形物能夠形成玻璃轉移溫度高並且高溫彈性模數低之硬化體，因此能夠獲得耐熱性、耐溫度循環性及耐回流焊性優異之光半導體密封材。進而，能夠獲得耐黃變性、對溫度變化之尺寸穩定性、衝擊吸收性、耐衝擊性亦優異之光半導體密封材。
一般而言，若玻璃轉移溫度上升，則彈性模數亦有上升趨勢，但藉由滿足上述(i)～(iii)之至少一者，能夠獲得能夠形成玻璃轉移溫度高並且高於玻璃轉移溫度之高溫側之彈性模數低之硬化體的樹脂成形物。其原因並不明確，但推測如下：於環氧樹脂與酸酐之反應物或多元醇與酸酐之反應物中，來自環氧樹脂、酸酐或多元醇所具有之環結構之側鏈間之立體排斥大，因此，由於上述反應物之主鏈剛直性增大，使得玻璃轉移溫度上升，並且由於上述反應物之自由體積增大，使得彈性模數降低。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物較佳為包含選自由具有下述式(I)所表示之結構單元(I)的化合物、具有下述式(II)所表示之結構單元(II)的化合物、及具有下述式(III)所表示之結構單元(III)的化合物所組成之群中之至少1種。
式(I)：
[化11]
(式中，A1
表示包含2個以上之環結構之有機基；R1a
表示包含環氧樹脂之殘基之部位；R1b
表示氫原子或與R1a
鍵結之鍵結鍵)
式(II)：
[化12]
(式中，A2
表示有機基；R2a
表示包含具有連續之2個以上之環結構(其中將環氧乙烷環除外)的環氧樹脂之殘基之部位；R2b
表示氫原子或與R2a
鍵結之鍵結鍵)
式(III)：
[化13]
(式中，A3
表示有機基；R3a
表示具有非芳香族環之有機基)
包含此種化合物之樹脂成形物能夠形成玻璃轉移溫度高並且高溫彈性模數低之硬化體，因此能夠獲得耐熱性、耐溫度循環性及耐回流焊性優異之光半導體密封材。進而，能夠獲得耐黃變性、對溫度變化之尺寸穩定性、衝擊吸收性、耐衝擊性亦優異之光半導體密封材。
具有結構單元(I)之化合物可為環氧樹脂與上述酸酐(a)之反應物。用於形成結構單元(I)之環氧樹脂可為上述具有連續之2個以上之環結構(其中環氧乙烷環除外)之環氧樹脂，亦可為除此以外之環氧樹脂。
式(I)中，A1
表示包含2個以上之環結構之有機基。式(I)中之A1
與上述式(a)中之A1
相同。
式(I)中，R1a
表示包含環氧樹脂之殘基之部位。於本說明書中，環氧樹脂之殘基為自環氧樹脂中去除至少1個環氧基(環氧乙烷環)所得之結構。
R1a
可進而包含1個以上之未反應之環氧基，亦可包含環氧基與其他化合物(硬化劑、硬化促進劑、其他添加劑等)反應所得之結構。
式(I)中，R1b
表示氫原子或與R1a
鍵結之鍵結鍵。於R1b
為鍵結鍵之情形時，與R1a
鍵結而形成環。
於具有結構單元(I)之化合物中，較佳為相鄰A1
間之主鏈中之原子數為6～17。上述原子數更佳為13以下，進而較佳為9以下。又，上述原子數可為10以上，亦可為14以上。
上述相鄰A1
間之主鏈中之原子數係指一個A1
至最近之另一個A1
間沿著鍵結鍵之最短路徑上存在之原子數。上述主鏈中之原子不包含構成A1
之原子、羰基之氧原子、構成R1a
及R1b
之原子。
藉由使相鄰A1
間之主鏈中之原子數處於上述範圍內，上述化合物之主鏈剛直性及自由體積進一步增大，因此能夠形成玻璃轉移溫度更高並且高溫彈性模數更低之硬化體，能夠獲得耐熱性、耐溫度循環性、耐回流焊性、耐黃變性、對溫度變化之尺寸穩定性、衝擊吸收性及耐衝擊性更加優異之光半導體密封材。
具有結構單元(II)之化合物可為上述具有連續之2個以上之環結構(其中環氧乙烷環除外)之環氧樹脂與酸酐之反應物。用於形成結構單元(II)之酸酐可為上述酸酐(a)，亦可為除此以外之酸酐。
式(II)中，A2
表示有機基。上述有機基為2價有機基。
上述有機基之碳數較佳為2以上，更佳為6以上，又，較佳為20以下，更佳為15以下，進而較佳為10以下。
作為上述有機基，較佳為烴基，亦可包含氧原子等雜原子或雙鍵等不飽和鍵。
上述有機基可具有環結構，較佳為具有環結構。
式(II)中，R2a
表示包含具有連續之2個以上之環結構(其中環氧乙烷環除外)的環氧樹脂之殘基之部位。具有連續之2個以上之環結構(其中環氧乙烷環除外)之環氧樹脂如上所述。
R2a
可進而包含1個以上之未反應之環氧基，亦可包含環氧基與其他化合物(硬化劑、硬化促進劑、其他添加劑等)反應所得之結構。
式(II)中，R2b
表示氫原子或與R2a
鍵結之鍵結鍵。於R2b
為鍵結鍵之情形時，與R2a
鍵結而形成環。R2b
較佳為與R2a
鍵結之鍵結鍵。
具有結構單元(III)之化合物可為具有非芳香族環之多元醇與酸酐之反應物。用於形成結構單元(III)之酸酐可為上述酸酐(a)，亦可為除此以外之酸酐。
式(III)中，A3
表示有機基。關於作為A3
之有機基，可列舉與上述作為A2
之有機基相同者。
式(III)中，R3a
表示具有非芳香族環之有機基。上述有機基為2價有機基。上述有機基之碳數較佳為3以上，更佳為5以上，進而較佳為6以上，又，較佳為30以下，更佳為20以下。
作為上述有機基，較佳為烴基，亦可包含氧原子等雜原子或雙鍵等不飽和鍵。
作為上述有機基所具有之非芳香族環，可列舉與上述具有非芳香族環之多元醇中之非芳香族環相同者。
R3a
可為自上述具有非芳香族環之多元醇中去除2個羥基而成之基。
於本發明之光半導體密封用樹脂成形物包含具有結構單元(III)之化合物之情形時，較佳為進而包含具有下述式(IV)所表示之結構單元(IV)之化合物。
式(IV)：
[化14]
(式中，A3
如上所述。R4a
表示包含環氧樹脂之殘基之部位。R4b
表示氫原子或與R4a
鍵結之鍵結鍵)
具有結構單元(IV)之化合物可為環氧樹脂與酸酐之反應物。用於形成結構單元(IV)之環氧樹脂可為上述具有連續之2個以上之環結構(其中將環氧乙烷環除外)之環氧樹脂，亦可為除此以外之環氧樹脂。又，用於形成結構單元(IV)之酸酐可為上述酸酐(a)，亦可為除此以外之酸酐。
式(IV)中，R4a
表示包含環氧樹脂之殘基之部位。R4a
可進而包含1個以上之未反應之環氧基，亦可包含環氧基與其他化合物(硬化劑、硬化促進劑、其他添加劑等)反應所得之結構。
式(IV)中，R4b
表示氫原子或與R4a
鍵結之鍵結鍵。於R4b
為鍵結鍵之情形時，與R4a
鍵結而形成環。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物中除上述各成分以外，亦可視需要使用防著色劑、潤滑劑、改質劑、防劣化劑、脫模劑、使光發生波長變化之螢光體或使光擴散之無機、有機填料等添加劑。再者，可調配氧化矽粉末等填充劑，只要為不損害光透射之程度即可。
作為防著色劑，可列舉：酚系化合物、胺系化合物、有機硫系化合物、膦系化合物等。
作為潤滑劑，可列舉：硬脂酸、硬脂酸鎂、硬脂酸鈣等蠟或滑石等。再者，於調配上述潤滑劑之情形時，其調配量可根據成形條件而適當設定，例如較佳為設定為樹脂成形物整體之0.1～0.4質量%。
作為使光發生波長變化之螢光體或使光擴散之無機、有機填料，可列舉：石英玻璃粉末、滑石、熔融氧化矽粉末及結晶性氧化矽粉末等氧化矽粉末、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁、碳化矽等。再者，於調配螢光體或無機、有機填料之情形時，其調配量可根據成形條件而適當設定。具體而言，於螢光體之情形時，螢光體之調配量可於樹脂成形物整體之1質量%～60質量%之範圍內適當設定。另一方面，於使光擴散之填料(有機、無機)之情形時，使光擴散之填料之調配量可於樹脂成形物整體之0.5質量%～25質量%之範圍內適當設定。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物係用於受光元件等光半導體元件之樹脂密封，因此基於光學觀點而言，較佳為透明。此處，「透明」係指上述成形物之硬化體於400 nm下之透過率為90%以上。再者，於含有上述使光發生波長變化之螢光體或使光擴散之無機、有機填料等添加物之情形時，透過率意指去除添加物後之樹脂部之透過率。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物例如可藉由如下製造方法適當地進行製造，該製造方法包括以下步驟：
對熱硬化性樹脂、硬化劑及硬化促進劑、視需要而定之多元醇進行混練，而獲得硬化性樹脂組合物；
對該硬化性樹脂組合物進行熱處理；
對該硬化性樹脂組合物進行造粒而獲得粒狀硬化性樹脂組合物；以及
使該粒狀硬化性樹脂組合物成形。
進行混練之方法並無特別限制，例如可列舉使用擠出機之方法等。混練溫度亦無特別限制，可根據熱硬化性樹脂之特性進行適當改變。
混練所得之硬化性樹脂組合物之形狀並無特別限制，可列舉：膜狀、片狀、粒狀、塊狀等。
對混練所得之硬化性樹脂組合物進行熱處理，而獲得B-階段狀(半硬化狀)之光半導體密封用樹脂組合物。熱處理溫度及熱處理時間並無特別限制，可根據熱硬化性樹脂之特性進行適當改變。
對經熱處理之樹脂組合物進行造粒，而獲得粒狀硬化性樹脂組合物。亦可於造粒前，使用球磨機、渦輪式粉碎機等進行粉碎。造粒方法並無特別限制，可列舉使用乾式壓縮造粒機之方法等。造粒所得之粒狀物之平均粒徑並無特別限制，較佳為1～5000 μm，更佳為100～2000 μm。若超過5000 μm，則有壓縮率降低之傾向。
使所獲得之粒狀硬化性樹脂組合物成形，而獲得成形物。作為成形物，可列舉錠材或片材，作為成形方法，可列舉獲得錠材之打錠成形或獲得片材之擠出成形等。所獲得之成形物如上所述，滿足特定之關係式，因此能夠形成玻璃轉移溫度高並且彈性模數低之硬化體，能夠形成耐熱性、耐溫度循環性及耐回流焊性優異之光半導體密封材。
於成形物為錠材之情形時，對錠材進行打錠成形時之條件可根據粒狀硬化性樹脂組合物之組成或平均粒徑、粒度分佈等進行適當調整，但一般而言，進行該打錠成形時之壓縮率較佳為設定為90～96%。其原因即在於，若壓縮率之值小於90%，則有錠材之密度降低而容易破裂之虞，反之，若壓縮率之值大於96%，則有打錠時產生龜裂而在脫模時發生缺損或折斷之虞。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物可藉由轉注成形等成形方法來將光半導體元件密封。使本發明之光半導體密封用樹脂成形物成形所獲得之光半導體密封材亦為本發明之一。由於本發明之光半導體密封材係由本發明之樹脂成形物獲得，故耐熱性、耐溫度循環性及耐回流焊性優異。進而，耐黃變性、對溫度變化之尺寸穩定性、衝擊吸收性、耐衝擊性亦優異。因此，即使於高溫環境下使用或經由回流焊步驟，龜裂或剝離亦較少，能夠減少對要密封之光半導體元件之損害。
於本說明書中，光半導體密封材係指以覆蓋構成光半導體裝置之光半導體元件之方式形成而將該元件密封的構件。
具備光半導體元件及將該光半導體元件密封之本發明之光半導體密封材的光半導體裝置亦為本發明之一。本發明之光半導體裝置由於具備本發明之光半導體密封材，故即使於高溫環境下進行作動，密封材之龜裂或剝離亦較少，對光半導體元件之損害較少。
本發明之光半導體密封用樹脂成形物尤其適宜用於車輛用光半導體之密封，該車輛用光半導體大多於高溫環境下使用，又，大多會供至回流焊步驟。
[實施例]
以下，列舉實施例對本發明進行進一步詳細說明，但本發明並不僅限定於該等實施例。
以下於出所使用之材料。
環氧樹脂A：三縮水甘油基異氰尿酸酯(日產化學公司製造之TEPIC-S，環氧當量100)
環氧樹脂B：雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製造之JER-1002W，環氧當量650)
環氧樹脂C：下述式所表示之環氧樹脂(JXTG公司製造之DE-102，環氧當量111)
[化15]
環氧樹脂D：下述式所表示之環氧樹脂(JXTG公司製造之DE-103，環氧當量174)
[化16]
酸酐A：下述式所表示之二環[2.2.1]庚烷-2,3-二羧酸酐與5-甲基二環[2.2.1]庚烷-2,3-二羧酸酐之混合物(新日本理化公司製造之RIKACID HNA-100，酸酐當量179)
[化17]
[化18]
酸酐B：下述式所表示之順-5-降𦯉烯-外型-2,3-二羧酸酐
[化19]
酸酐C：六氫鄰苯二甲酸酐(新日本理化公司製造之RIKACID HH)
二醇添加劑A：新戊二醇(三菱瓦斯化學公司製造)
二醇添加劑B：氫化雙酚A(新日本理化公司製造之Rikabinol HB)
硬化促進劑：2-乙基-4-甲基咪唑
實施例1～16及比較例1～2
將表1及2所示之各成分，以同表所示之比率，於50～140℃下熔融混合後，進行冷卻，獲得環氧樹脂組合物。於40～80℃下，對所獲得之環氧樹脂組合物進行反應度調整，然後粉碎，並打錠成型，藉此製作光半導體密封用樹脂板。
使用各實施例及比較例中製作之錠材，利用以下所示之方法測定各種物性，並且對耐回流焊性及熱硬度進行評價。將結果示於表1及2。
＜試片(硬化體)之製作＞
使用以上述方式製作之錠材，利用專用模具進行成形(硬化條件：150℃×4分鐘加熱)，藉此製作大小與測定方法相應之試片用硬化物。將試片用硬化物於150℃下加熱3小時，以使其完全硬化，結束後獲得試片。
＜儲存模數E'＞
使用以上製作之試片(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)，利用RHEOMETRIC SCIENTIFIC公司製造之RSA-II，於拉伸模式、頻率1 Hz、掃描溫度0～270℃、升溫速度10℃/分鐘之測定條件下，獲得上述試片之儲存模數E'，並導出測定溫度265℃及100℃下之上述硬化體之儲存模數。
＜玻璃轉移溫度(Tg)＞
利用RHEOMETRIC SCIENTIFIC公司製造之RSA-II，於拉伸模式、頻率1 Hz、掃描溫度0～270℃、升溫速度10℃/分鐘之測定條件下，獲得以上製作之試片(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)之儲存模數E'及損耗模數E''，並根據該等求出tanδ(＝E''/E')之曲線，求出tanδ之峰值溫度作為玻璃轉移溫度。
＜直線透過率＞
首先，在石英槽中填滿富士膠片和光純藥公司製造之液態石蠟，使用日本分光公司製造之分光光度計V-670，對基準線進行測定。然後，將下述回流焊實施前及實施後之以上製作之試片(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)浸漬於石英槽中之液態石蠟中，測定各波長(波長300 nm、波長400 nm、波長450 nm)下之透光率。
＜回流焊＞
使上述試片從回焊爐(頂峰溫度265℃×10秒)中通過3次。
＜評價封裝體之製作＞
如圖1所示，以覆蓋平井精密工業公司製造之可靠性評價框架(Ag)之端部之方式，使用以上製作之錠材，成型(硬化條件：150℃×4分鐘加熱)為大小：寬5 mm×長6 mm×厚2 mm。將其於150℃下加熱3小時，以使其完全硬化，結束後獲得評價封裝體。針對各實施例、比較例，製作20個上述封裝體。
＜耐回流焊性＞
使上述封裝體從回焊爐(頂峰溫度265℃×10秒)中通過3次。然後，將封裝體浸漬於太陽物產公司製造之紅墨水中，並進行10分鐘減壓，然後將封裝體取出，目視墨水之滲入情況，將有墨水滲入之封裝體判定為剝離不良。對20個封裝體中之剝離不良封裝體之個數進行計數，按以下基準對耐回流焊性進行評價。
：0～5個
×：6個以上
＜溫度循環試驗(TCT)＞
將上述封裝體於高溫(130℃)及低溫(-40℃)下各暴露15分鐘。向各溫度之恢復於5分鐘內完成。以此作為一個循環，對上述封裝體進行1000個循環之溫度循環試驗。然後取出封裝體，觀察有無龜裂，對20個封裝體中產生龜裂之封裝體之個數進行計數，並按以下基準進行評價。
：0～5個
×：6個以上
＜熱硬度＞
針對以上製作之試片(大小：寬50 mm×長50 mm×厚3 mm)，於200℃下，利用蕭氏A硬度計測定熱硬度，並按以下基準進行評價。
：熱硬度未達70
×：熱硬度為70以上
[表1]
| 實施例編號 | 實施例 | 比較例 | |||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 1 | 2 | ||
| 組成(質量份) | 環氧樹脂A | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| 酸酐A | 160 | 160 | 160 | - | - | - | - | - | |
| 酸酐B | - | - | - | 164 | 164 | 164 | - | - | |
| 酸酐C | - | - | - | - | - | - | 152 | 152 | |
| 二醇添加劑A | 40 | 30 | 20 | 40 | 30 | 20 | 30 | 20 | |
| 硬化促進劑 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.6 | 1.2 | 1.2 | |
| 耐回流焊性評價 | | | | | | | × | × | |
| 耐溫度循環性 | | | | | | | × | × | |
| 熱硬度評價 | | | | | | | × | × | |
| E' at 265℃(Pa) | 1.4E+06 | 4.6E+06 | 9.7E+06 | 1.5E+06 | 4.7E+06 | 9.8E+06 | 1.1E+07 | 1.4E+07 | |
| E' at 100℃(Pa) | 2.1E+09 | 2.1E+09 | 2.1E+09 | 2.1E+09 | 2.1E+09 | 2.1E+09 | 2.1E+09 | 2.1E+09 | |
| E' at 265℃/E' at 100℃ | 0.0006 | 0.0022 | 0.0046 | 0.0007 | 0.0022 | 0.0047 | 0.0052 | 0.0066 | |
| Tg(℃) | 151 | 171 | 188 | 150 | 170 | 187 | 154 | 161 | |
| 300 nm透過率(%) | 初始 | 70.19 | 84.69 | - | - | - | - | - | - |
| 3次回流焊後 | 14.77 | 26.85 | - | - | - | - | - | - | |
| 400 nm透過率(%) | 初始 | 90.53 | 98.02 | - | - | - | - | - | - |
| 3次回流焊後 | 65.26 | 81.84 | - | - | - | - | - | - | |
| 450 nm透過率(%) | 初始 | 93.19 | 98.97 | - | - | - | - | - | - |
| 3次回流焊後 | 79.01 | 90.85 | - | - | - | - | - | - | |
| R300 nm | 0.21 | 0.32 | - | - | - | - | - | - | |
| R400 nm | 0.72 | 0.83 | - | - | - | - | - | - | |
| R450 nm | 0.85 | 0.92 | - | - | - | - | - | - | |
| R400 nm /R450 nm | 0.85 | 0.90 | - | - | - | - | - | - | |
| R300 nm /R450 nm | 0.25 | 0.35 | - | - | - | - | - | - |
[表2]
[產業上之可利用性]
| 實施例編號 | 實施例 | ||||||||||
| 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | ||
| 組成(質量份) | 環氧樹脂A | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 80 | 60 | 40 | - | - |
| 環氧樹脂B | - | - | - | - | - | 20 | 40 | 60 | 60 | 60 | |
| 環氧樹脂C | - | - | - | - | - | - | - | - | 40 | - | |
| 環氧樹脂D | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 40 | |
| 酸酐A | - | - | - | - | 160 | - | - | - | - | - | |
| 酸酐B | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| 酸酐C | 152 | 152 | 152 | 152 | - | 126 | 100 | 74 | 69 | 49 | |
| 二醇添加劑A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| 二醇添加劑B | 44 | 66 | 88 | 110 | 44 | 73 | 66 | 44 | - | - | |
| 硬化促進劑 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 | |
| 耐回流焊性評價 | | | | | | | | | | | |
| 耐溫度循環性 | | | | | | | | | | | |
| 熱硬度評價 | | | | | | | | | | | |
| E' at 265℃(Pa) | 1.0E+07 | 8.4E+06 | 6.1E+06 | 4.3E+06 | 5.5E+06 | 7.2E+06 | 4.9E+06 | 5.5E+06 | 4.0E+06 | 4.3E+06 | |
| E' at 100℃(Pa) | 2.0E+09 | 2.0E+09 | 2.0E+09 | 1.9E+09 | 2.2E+09 | 1.9E+09 | 1.83E+09 | 1.9E+09 | 2.2E+09 | 2.0E+09 | |
| E' at 265℃/E' at 100℃ | 0.00500 | 0.00423 | 0.00309 | 0.00223 | 0.00250 | 0.00379 | 0.00266 | 0.00284 | 0.00184 | 0.00220 | |
| Tg(℃) | 179 | 170 | 157 | 148 | 182 | 157 | 141 | 134 | 152 | 137 | |
| 300 nm透過率(%) | 初始 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 3次回流焊後 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| 400 nm透過率(%) | 初始 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 3次回流焊後 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| 450 nm透過率(%) | 初始 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 3次回流焊後 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| R300 nm | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| R400 nm | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| R450 nm | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| R400 nm /R450 nm | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| R300 nm /R450 nm | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
本發明係關於光半導體元件之密封所用之光半導體密封用樹脂成形物、光半導體密封材及光半導體裝置，可用於光半導體裝置之製造。
圖1係表示實施例及比較例中使用之評價封裝體之模式圖。
Claims (11)
- 一種光半導體密封用樹脂成形物，其滿足下述關係式(1)： 0.0005≦E'265 ℃ /E'100 ℃ ≦0.0050 (1) (式中，E'265 ℃ 及E'100 ℃ 分別表示利用下述方法獲得之硬化體(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)於265℃及100℃下之儲存模數(Pa)) (硬化體之製作方法) 將樹脂成形物於150℃下加熱4分鐘，使其成形，然後於150℃下加熱3小時，藉此獲得硬化體。
- 如請求項1之光半導體密封用樹脂成形物，其中藉由上述方法製成硬化體(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)之情形時之玻璃轉移溫度為130℃以上，且滿足下述關係式(2)： Y＜160000X－14500000 (2) (式中，X表示上述硬化體之玻璃轉移溫度(℃)，Y表示上述硬化體於265℃下之儲存模數(Pa))。
- 如請求項1或2之光半導體密封用樹脂成形物，其滿足下述關係式(3)及(4)： Y＜6300000(130≦X＜150) (3) Y＜160000X－17000000(150≦X≦190) (4) (各式中，X表示藉由上述方法所獲得之硬化體(大小：寬5 mm×長35 mm×厚1 mm)之玻璃轉移溫度(℃)，Y表示上述硬化體於265℃下之儲存模數(Pa))。
- 如請求項1至3中任一項之光半導體密封用樹脂成形物，其滿足下述關係式(5)： 0.70＜R450 nm ＜1.00 (5) (式中，R450 nm 表示於265℃下對藉由上述方法所獲得之硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)實施3次回流焊之情形時，實施前後之波長450 nm下之直線透過率之比(實施後/實施前))。
- 如請求項1至4中任一項之光半導體密封用樹脂成形物，其滿足下述關係式(6)及(7)： 0.80＜R400 nm /R450 nm ＜1.00 (6) 0.10＜R300 nm /R450 nm ＜0.50 (7) (各式中，R300 nm 、R400 nm 及R450 nm 分別表示於265℃下對藉由上述方法所獲得之硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)實施3次回流焊之情形時，實施前後之波長300 nm、400 nm及450 nm下之直線透過率之比(實施後/實施前))。
- 如請求項1至5中任一項之光半導體密封用樹脂成形物，其中藉由上述方法製成硬化體(大小：寬50 mm×長50 mm×厚1 mm)之情形時之波長450 nm下之直線透過率為70%以上。
- 如請求項1至6中任一項之光半導體密封用樹脂成形物，其包含熱硬化性樹脂、硬化劑、熱硬化性樹脂與硬化劑之反應物、及硬化促進劑。
- 如請求項7之光半導體密封用樹脂成形物，其進而包含多元醇及多元醇與硬化劑之反應物。
- 如請求項1至8中任一項之光半導體密封用樹脂成形物，其包含選自由具有下述式(I)所表示之結構單元(I)的化合物、具有下述式(II)所表示之結構單元(II)的化合物、及具有下述式(III)所表示之結構單元(III)的化合物所組成之群中之至少1種， 式(I)： [化1](式中，A1 表示包含2個以上之環結構之有機基；R1a 表示包含環氧樹脂之殘基之部位；R1b 表示氫原子或與R1a 鍵結之鍵結鍵)， 式(II)： [化2]
(式中，A2 表示有機基；R2a 表示包含具有連續之2個以上之環結構(其中將環氧乙烷環除外)的環氧樹脂之殘基之部位；R2b 表示氫原子或與R2a 鍵結之鍵結鍵)， 式(III)： [化3]
(式中，A3 表示有機基；R3a 表示具有非芳香族環之有機基)。
- 一種光半導體密封材，其係使如請求項1至9中任一項之光半導體密封用樹脂成形物成形而獲得。
- 一種光半導體裝置，其具備光半導體元件及將該光半導體元件密封之如請求項10之光半導體密封材。
Applications Claiming Priority (6)
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202204466A true TW202204466A (zh) | 2022-02-01 |
Family
ID=78787281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110120129A TW202204466A (zh) | 2020-06-03 | 2021-06-03 | 光半導體密封用樹脂成形物 |
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5090404B2 (ja) | 2009-06-25 | 2012-12-05 | 日東電工株式会社 | 光半導体封止用樹脂タブレットの製法およびそれによって得られる光半導体封止用樹脂タブレット、並びにそれを用いた光半導体装置 |
-
2021
- 2021-05-31 KR KR1020210070077A patent/KR20210150294A/ko active Search and Examination
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210150294A (ko) | 2021-12-10 |
| CN113754863A (zh) | 2021-12-07 |
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