TW202202609A

TW202202609A - 半導體基板用洗淨液

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Publication number: TW202202609A
Application number: TW110124880A
Authority: TW
Inventors: 上村哲也
Original assignee: 日商富士軟片電子材料股份有限公司
Priority date: 2020-07-14
Filing date: 2021-07-07
Publication date: 2022-01-16
Also published as: JP7509883B2; WO2022014287A1; US20230145012A1; JPWO2022014287A1; KR20230021714A

Abstract

本發明提供一種對於包含CMP後的金屬膜的半導體基板的洗淨性能優異、且洗淨後的金屬膜的表面粗糙度小的半導體基板用洗淨液。本發明的半導體基板用洗淨液為用於對半導體基板進行洗淨的半導體基板用洗淨液，包含式（1）所表示的化合物、式（2）所表示的化合物、具有一級胺基或二級胺基的第一胺基醇、三級胺、及溶媒。

Description

半導體基板用洗淨液

本發明是有關於一種半導體基板用洗淨液。

電荷耦合裝置（Charge-Coupled Device，CCD）及記憶體（memory）等半導體元件是使用光微影技術於基板上形成微細的電子電路圖案而製造。具體而言，於在基板上具有成為配線材料的金屬膜、蝕刻停止層、及層間絕緣層的積層體上形成抗蝕劑膜，並實施光微影步驟及乾式蝕刻步驟（例如，電漿蝕刻處理），藉此製造半導體元件。

於半導體元件的製造中，有時進行化學機械研磨（CMP：Chemical Mechanical Polishing）處理，所述處理是使用包含研磨微粒子（例如，二氧化矽、氧化鋁等）的研磨漿料使具有金屬配線膜、位障金屬、及絕緣膜等的半導體基板表面平坦化。於CMP處理中，源自CMP處理中使用的研磨微粒子、經研磨的配線金屬膜、及/或位障金屬等的金屬成分容易殘存於CMP後的半導體基板表面。該些殘渣物可使配線間短路而對半導體的電氣特性造成影響，因此通常進行自半導體基板的表面去除該些殘渣物的洗淨步驟。

例如，於專利文獻1中，記載有一種包含氫氧化四級銨、胺、及水的銅配線半導體用洗淨液。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2010-174074號公報

[發明所欲解決之課題]

近年來，要求進一步提高半導體基板用洗淨液的洗淨性能。具體而言，要求於對實施CMP後的金屬膜進行洗淨時，金屬膜上的殘渣物少。以下，於本說明書中，亦將於對CMP後的金屬膜進行洗淨時金屬膜上的殘渣物少稱為洗淨性能優異。另外，要求於對金屬膜進行洗淨時，所獲得的金屬膜的表面粗糙度小。

本發明者對現有的半導體基板用洗淨液進行了研究，結果，獲得如下見解：難以兼顧對於包含CMP後的金屬膜的半導體基板顯示出優異的洗淨性能、以及洗淨後的金屬膜的表面粗糙度小。

本發明的課題在於提供一種對於包含CMP後的金屬膜的半導體基板的洗淨性能優異、且洗淨後的金屬膜的表面粗糙度小的半導體基板用洗淨液。 [解決課題之手段]

本發明者發現藉由以下結構可解決所述課題。

〔1〕一種半導體基板用洗淨液，其用於對半導體基板進行洗淨，所述半導體基板用洗淨液包含：後述的式（1）所表示的化合物、式（2）所表示的化合物、具有一級胺基或二級胺基的第一胺基醇、三級胺、及溶媒。〔2〕如〔1〕所述的半導體基板用洗淨液，其中式（1）中，R¹ ～R⁴ 中的至少一個為羥基烷基。〔3〕如〔1〕或〔2〕所述的半導體基板用洗淨液，其中式（1）中，R¹ ～R⁴ 中的至少兩個為羥基烷基。〔4〕如〔1〕至〔3〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其中式（1）所表示的化合物包含三(2-羥基乙基)甲基氫氧化銨。〔5〕如〔1〕至〔4〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其中式（1）所表示的化合物的含量相對於自半導體基板用洗淨液去除溶媒後的成分的總質量而為20.0質量%～80.0質量%。〔6〕如〔1〕至〔5〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其中三級胺為具有三級胺基的第二胺基醇。〔7〕如〔1〕至〔6〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其中三級胺包含2-(二甲基胺基)乙醇。〔8〕如〔1〕至〔7〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其中三級胺的含量相對於自半導體基板用洗淨液去除溶媒後的成分的總質量而為3.0質量%～35.0質量%。〔9〕如〔1〕至〔8〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其中式（2）所表示的化合物的含量相對於自半導體基板用洗淨液去除溶媒後的成分的總質量而為2.0質量%～50.0質量%。〔10〕如〔1〕至〔9〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其中式（1）所表示的化合物的含量相對於三級胺的含量的質量比為1.00～30.00。〔11〕如〔1〕至〔10〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其中式（1）所表示的化合物的含量相對於第一胺基醇的含量的質量比為1.50～7.00。〔12〕如〔1〕至〔11〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其中三級胺的含量相對於第一胺基醇的含量的質量比為0.30～4.00。〔13〕如〔1〕至〔12〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其中第一胺基醇的碳數相對於第一胺基醇的氮數的比為2～5。〔14〕如〔1〕至〔13〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其中第一胺基醇包含選自由具有一級胺基的胺基醇及具有二級胺基的胺基醇所組成的群組中的至少兩個。〔15〕如〔1〕至〔13〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其中第一胺基醇包含選自由2-胺基乙醇及2-(2-胺基乙基胺基)乙醇所組成的群組中的至少一個。〔16〕如〔1〕至〔15〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其中第一胺基醇包含2-胺基乙醇及2-(2-胺基乙基胺基)乙醇。〔17〕如〔1〕至〔16〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其中第一胺基醇包含2-胺基乙醇及2-(2-胺基乙基胺基)乙醇，且 2-胺基乙醇的含量相對於2-(2-胺基乙基胺基)乙醇的含量的質量比為0.50～900.00。〔18〕如〔1〕至〔17〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其中溶媒包含水。〔19〕如〔1〕至〔18〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其中半導體基板用洗淨液的pH值為8.0～13.0。〔20〕如〔1〕至〔19〕中任一項所述的半導體基板用洗淨液，其用於適用實施化學機械研磨處理後的半導體基板並進行洗淨。 [發明的效果]

根據本發明，可提供一種對於包含CMP後的金屬膜的半導體基板的洗淨性能優異、且洗淨後的金屬膜的表面粗糙度小的半導體基板用洗淨液。

以下，說明用於實施本發明的形態的一例。於本說明書中，使用「～」表示的數值範圍是指包含「～」前後所記載的數值作為下限值及上限值的範圍。

於本說明書中，在某成分存在兩種以上的情況下，該成分的「含量」是指該些兩種以上的成分的合計含量。於本說明書中，「ppm」是指「百萬分率（parts-per-million）（10^-6 ）」，「ppb」是指「十億分率（parts-per-billion）（10^-9 ）」。於本說明書中，在記載的化合物並無特別限定的情況下，亦可包含異構體（原子數相同但結構不同的化合物）、光學異構體、及同位素。另外，異構體及同位素可包含僅一種，亦可包含多種。

於本說明書中，所謂psi，是指磅力每平方英吋（pound-force per square inch），是指1 psi=6894.76 Pa。

[半導體基板用洗淨液] 本發明的半導體基板用洗淨液（以下，亦稱為「洗淨液」）是用於對半導體基板進行洗淨的洗淨液，包含：後述的式（1）所表示的化合物（以下，亦稱為「化合物（1）」）、式（2）所表示的化合物（以下，亦稱為「化合物（2）」）、具有一級胺基或二級胺基的第一胺基醇（以下，亦簡稱為「第一胺基醇」）、三級胺、以及溶媒。

關於解決本發明的課題的機制，認為：藉由化合物（1）、化合物（2）、第一胺基醇、及三級胺共存，各成分協調性地發揮作用，可獲得所期望的效果。以下，亦將可獲得對於包含CMP後的金屬膜的半導體基板的洗淨性能更優異、以及洗淨後的金屬膜的表面粗糙度更小中的至少一效果的情況稱為本發明的效果更優異。以下，對洗淨液中所含的各成分進行說明。

〔式（1）所表示的化合物〕洗淨液包含式（1）所表示的化合物（化合物（1））。

[化1]

式（1）中，R¹ ～R⁴ 分別獨立地表示可具有取代基的烴基。其中，R¹ ～R⁴ 全部表示甲基的情況除外。 R¹ ～R⁴ 所表示的烴基可為直鏈狀、分支鏈狀、或環狀。 R¹ ～R⁴ 所表示的烴基的碳數較佳為1～20，更佳為1～10，進而佳為1～8。作為R¹ ～R⁴ 所表示的烴基，可列舉：脂肪族烴基及芳香族烴基。作為R¹ ～R⁴ 所表示的烴基，例如可列舉：可具有取代基的烷基、烯基、炔基、芳基、及將該些組合而成的基。其中，作為所述烴基，較佳為可具有取代基的烷基。作為所述烴基所具有的取代基，例如可列舉：氟原子、氯原子、及溴原子等鹵素原子；甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙基氧基、丁氧基、異丁基氧基、及第三丁基氧基等烷氧基；羥基；甲氧基羰基及乙氧基羰基等烷氧基羰基；乙醯基、丙醯基、及苯甲醯基等醯基；氰基；硝基等。其中，作為所述取代基，較佳為羥基。另外，較佳為R¹ ～R⁴ 中的至少一個為可具有取代基的碳數2以上的烴基，更佳為R¹ ～R⁴ 中的至少兩個為可具有取代基的碳數2以上的烴基，進而佳為R¹ ～R⁴ 中的至少三個為可具有取代基的碳數2以上的烴基，特佳為R¹ ～R⁴ 中的三個為可具有取代基的碳數2以上的烴基。所述碳數的上限並無特別限制，較佳為20以下，更佳為10以下。再者，化合物（1）不含R¹ ～R⁴ 全部表示甲基的情況。即，化合物（1）例如不含四甲基銨鹽。

R¹ ～R⁴ 所表示的、烷基、烯基、及炔基可為直鏈狀、分支鏈狀、或環狀。於所述烷基、所述烯基、及所述炔基為環狀的情況下，所述環可為單環或多環。所述烷基、所述烯基、及所述炔基的碳數較佳為1～10，更佳為1～8，進而佳為1～5，特佳為1～3。作為所述烷基、所述烯基、及所述炔基所具有的取代基，可列舉所述R¹ ～R⁴ 所表示的烴基所具有的取代基。其中，作為R¹ ～R⁴ ，較佳為可具有取代基的烷基，更佳為未經取代的烷基或羥基烷基，進而佳為甲基、乙基、丙基、丁基、或2-羥基乙基，特佳為甲基、乙基、或2-羥基乙基。另外，較佳為R¹ ～R⁴ 中的至少一個為可具有取代基的烷基，更佳為R¹ ～R⁴ 中的至少一個為羥基烷基（具有羥基的烷基），進而佳為R¹ ～R⁴ 中的至少兩個為羥基烷基，特佳為R¹ ～R⁴ 中的至少三個為羥基烷基，最佳為R¹ ～R⁴ 中的三個為羥基烷基。

R¹ ～R⁴ 所表示的芳基可為單環或多環。所述芳基的碳數較佳為5～20，更佳為6～15，進而佳為6～10。所述芳基所具有的環的數量較佳為1～5，更佳為1～3，進而佳為1。作為所述芳基所具有的取代基，例如可列舉所述R¹ ～R⁴ 所表示的烴基所具有的取代基。其中，作為R¹ ～R⁴ 所表示的芳基，可列舉：苄基、苯基、萘基、蒽基、菲基、茚基、二氫苊基、芴基、及芘基等。其中，作為所述芳基，較佳為苄基、苯基、或萘基，更佳為苄基或苯基，進而佳為苄基。另外，較佳為R¹ ～R⁴ 中的1個～3個為可具有取代基的芳基，更佳為R¹ ～R⁴ 中的1個～2個為可具有取代基的芳基，進而佳為R¹ ～R⁴ 中的1個為可具有取代基的芳基，特佳為R¹ ～R⁴ 中的1個為苄基。

X^- 表示陰離子。陰離子的種類並無特別限制，例如可列舉：羧酸根離子、磷酸根離子、硫酸根離子、膦酸根離子、及硝酸根離子等各種酸根陰離子、氫氧化物離子、以及鹵化物離子（例如，氯化物離子、氟化物離子、溴化物離子等）等。

作為化合物（1），例如可列舉：三甲基乙基氫氧化銨（trimethylethylammonium hydroxide，TMEAH）、二甲基二乙基氫氧化銨（dimethyldiethylammonium hydroxide，DMDEAH）、甲基三乙基氫氧化銨（methyltriethylammonium hydroxide，MTEAH）、四乙基氫氧化銨（tetraethylammonium hydroxide，TEAH）、四丙基氫氧化銨（tetrapropylammonium hydroxide，TPAH）、四丁基氫氧化銨（tetrabutylammonium hydroxide，TBAH）、2-羥基乙基三甲基氫氧化銨（膽鹼）、雙(2-羥基乙基)二甲基氫氧化銨、三(2-羥基乙基)甲基氫氧化銨、四(2-羥基乙基)氫氧化銨、苄基三甲基氫氧化銨（benzyltrimethylammonium hydroxide，BTMAH）、及鯨蠟基三甲基氫氧化銨。其中，就本發明的效果更優異的方面而言，作為化合物（1），較佳為三(2-羥基乙基)甲基氫氧化銨、TEAH、膽鹼、雙(2-羥基乙基)二甲基氫氧化銨、TMEAH、或BTMAH，更佳為三(2-羥基乙基)甲基氫氧化銨、膽鹼、或雙(2-羥基乙基)二甲基氫氧化銨，進而佳為三(2-羥基乙基)甲基氫氧化銨。

化合物（1）可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。相對於自洗淨液去除溶媒後的成分的總質量，化合物（1）的含量較佳為20.0質量%～80.0質量%，更佳為30.0質量%～80.0質量%，進而佳為40.0質量%～75.0質量%。

〔式（2）所表示的化合物〕洗淨液包含式（2）所表示的化合物（化合物（2））。化合物（2）為與後述的有機酸不同的化合物。

[化2]

式（2）中，L表示單鍵或二價連結基。作為L所表示的二價連結基，例如可列舉：醚基、羰基、酯基、硫醚基、-SO₂ -、-NT-（T例如為氫原子或烷基等取代基）、二價烴基（例如，伸烷基、伸烯基、伸炔基、及伸芳基）、以及將該些組合而成的基。另外，L所表示的二價連結基可進而具有取代基。作為所述取代基，例如可列舉：烷基、芳基、羥基、羧基、胺基、及鹵素原子。其中，作為所述二價連結基，較佳為單鍵或二價烴基，更佳為伸烷基，進而佳為直鏈狀伸烷基。所述二價連結基的碳數較佳為1～15，更佳為1～10，進而佳為1～5。

作為化合物（2），例如可列舉：草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、癸二酸、馬來酸、蘋果酸、檸檬酸、及酒石酸。其中，就本發明的效果更優異的方面而言，化合物（2）較佳為包含選自由草酸、琥珀酸、丙二酸、戊二酸、己二酸、檸檬酸、及酒石酸所組成的群組中的至少一個，更佳為包含選自由琥珀酸、丙二酸、戊二酸、及己二酸所組成的群組中的至少一個，進而佳為包含琥珀酸。

化合物（2）的分子量較佳為600以下，更佳為400以下，進而佳為200以下。所述分子量的下限較佳為50以上，更佳為100以上。化合物（2）的碳數較佳為20以下，更佳為15以下，進而佳為10以下，特佳為5以下。所述碳數的下限較佳為2以上。

化合物（2）可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。相對於自洗淨液去除溶媒後的成分的總質量，化合物（2）的含量較佳為1.0質量%～50.0質量%，更佳為1.0質量%～45.0質量%，進而佳為3.0質量%～35.0質量%。化合物（1）的含量相對於化合物（2）的含量的質量比〔化合物（1）的含量/化合物（2）的含量〕較佳為0.10～50.00，更佳為0.60～37.50，進而佳為1.00～30.00。

〔具有一級胺基或二級胺基的第一胺基醇〕洗淨液包含具有一級胺基或二級胺基的第一胺基醇（第一胺基醇）。所謂第一胺基醇，為具有一級胺基或二級胺基、以及至少一個羥基（較佳為羥基烷基）的化合物。第一胺基醇為與所述化合物（1）及後述的三級胺不同的化合物。第一胺基醇若為具有一級胺基或二級胺基的胺基醇，則並無特別限制，亦可具有多個一級胺基或二級胺基。第一胺基醇所具有的一級胺基及二級胺基的合計數量較佳為1～5，更佳為1～3，進而佳為1～2。再者，第一胺基醇不具有三級胺基。另外，於第一胺基醇具有一級胺基及二級胺基兩者的情況下，相當於第二胺基醇。具體而言，2-(2-胺基乙基胺基)乙醇相當於第二胺基醇。第一胺基醇只要包含選自由具有一級胺基的胺基醇及具有二級胺基的胺基醇所組成的群組中的至少一個即可，較佳為包含選自由具有一級胺基的胺基醇及具有二級胺基的胺基醇所組成的群組中的至少兩個，更佳為包含具有一級胺基的胺基醇及具有二級胺基的胺基醇。

第一胺基醇所具有的羥基的數量較佳為1～5，更佳為1～3，進而佳為1～2。第一胺基醇的碳數較佳為1～10，更佳為2～8，進而佳為2～5。第一胺基醇的氮數較佳為1～5，更佳為1～3，進而佳為1～2。第一胺基醇的碳數相對於第一胺基醇的氮數的比〔第一胺基醇的碳數/第一胺基醇的氮數〕較佳為2～5，更佳為2～4，進而佳為2～3。例如，於第一胺基醇包含2-胺基乙醇的情況下，碳數為2，且氮數為1，碳數相對於氮數的比為2。另外，於本發明的洗淨液包含兩種以上的第一胺基醇的情況下，所述碳數及氮數使用將洗淨液中所含的第一胺基醇所具有的各者的數加以合計而成的數。

作為第一胺基醇，較佳為式（X）所表示的化合物。式（X） R^x1 -L-OH R^x1 表示-NH₂ 、或-NHR^x2 。R^x2 表示可具有一級胺基（-NH₂ ）的烷基。所述烷基的碳數較佳為1～5，更佳為1～3。 L表示伸烷基。伸烷基的碳數較佳為1～5。所述R^x2 所表示的烷基及所述L所表示的伸烷基可為直鏈狀或分支鏈狀。

作為第一胺基醇，例如可列舉：2-胺基乙醇（2-aminoethanol，MEA）、2-胺基-2-甲基-1-丙醇（2-amino-2-methyl-1-propanol，AMP）、二乙二醇胺（diethylene glycolamine，DEGA）、三羥基甲基胺基甲烷、2-(甲基胺基)-2-甲基-1-丙醇（2-(methylamino)-2-methyl-1-propanol，N-MAMP）、及2-(胺基乙氧基)乙醇等具有一級胺基的胺基醇；二乙醇胺（diethanolamine，DEA）、及2-(2-胺基乙基胺基)乙醇（2-(2-aminoethylamino)ethanol，AAE）等具有二級胺基的胺基醇。其中，就本發明的效果更優異的方面而言，第一胺基醇較佳為包含選自由2-胺基乙醇、2-胺基-2-甲基-1-丙醇、三羥基甲基胺基甲烷、2-(胺基乙氧基)乙醇、及2-(2-胺基乙基胺基)乙醇所組成的群組中的至少一個，更佳為包含選自由2-胺基乙醇、2-胺基-2-甲基-1-丙醇、及2-(2-胺基乙基胺基)乙醇所組成的群組中的至少一個，進而佳為包含選自由2-胺基乙醇及2-(2-胺基乙基胺基)乙醇所組成的群組中的至少一個。

於第一胺基醇包含兩個以上的第一胺基醇的情況下，第一胺基醇較佳為：包含三羥基甲基胺基甲烷，且包含2-胺基乙醇或2-胺基-2-甲基-1-丙醇；或者包含2-(2-胺基乙基胺基)乙醇，且包含2-胺基乙醇、2-胺基-2-甲基-1-丙醇、或三羥基甲基胺基甲烷，更佳為包含2-胺基乙醇及2-(2-胺基乙基胺基)乙醇。

第一胺基醇可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。相對於自半導體基板用洗淨液去除溶媒後的成分的總質量，第一胺基醇的含量較佳為1.0質量%～50.0質量%，更佳為10.0質量%～40.0質量%。另外，於第一胺基醇包含2-胺基乙醇及2-(2-胺基乙基胺基)乙醇的情況下，2-胺基乙醇的含量相對於2-(2-胺基乙基胺基)乙醇的含量的質量比〔2-胺基乙醇的含量/2-(2-胺基乙基胺基)乙醇的含量〕較佳為0.10～2000.00，更佳為0.50～900.00，進而佳為1.00～100.00。化合物（1）的含量相對於第一胺基醇的含量的質量比〔化合物（1）的含量/第一胺基醇的含量〕較佳為1.00～30.00，更佳為1.00～10.00，進而佳為1.50～7.00。

〔三級胺〕洗淨液包含三級胺。三級胺為與所述化合物（1）、第一胺基醇、及後述的唑化合物不同的化合物。所謂三級胺，為分子內至少具有三級胺基（＞N-）的化合物。作為三級胺，例如可列舉：三級脂肪族胺、三級芳香族胺、及具有三級胺基的第二胺基醇（以下，亦簡稱為「第二胺基醇」）。

＜三級脂肪族胺＞作為三級脂肪族胺，可列舉分子內具有三級胺基、且不具有芳香環的三級胺。

作為三級脂肪族胺，例如可列舉：三甲基胺及三乙基胺等烷基胺。另外，作為三級脂肪族胺，例如可列舉：三級脂環式胺、及三級脂肪族胺。

（三級脂環式胺）三級脂環式胺若為具有構成環的原子的至少一個為氮原子的非芳香性雜環的三級胺，則並無特別限制。作為三級脂環式胺，例如可列舉：環狀脒化合物及哌嗪化合物。

-環狀脒- 環狀脒化合物為具有在環內包含脒結構（＞N-C=N-）的雜環的化合物。環狀脒化合物所具有的所述雜環的環員數並無特別限制，較佳為5個或6個，更佳為6個。作為環狀脒化合物，例如可列舉：二氮雜雙環十一碳烯（1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳-7-烯：DBU（1,8-Diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene））、二氮雜雙環壬烯（1,5-二氮雜雙環[4.3.0]壬-5-烯：DBN（1,5-diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene））、3,4,6,7,8,9,10,11-八氫-2H-嘧啶並[1.2-a]吖辛因、3,4,6,7,8,9-六氫-2H-吡啶並[1.2-a]嘧啶、2,5,6,7-四氫-3H-吡咯並[1.2-a]咪唑、3-乙基-2,3,4,6,7,8,9,10-八氫嘧啶並[1.2-a]氮呯、及肌酸酐（creatinine）。其中，作為環狀脒化合物，較佳為DBU或DBN。

-哌嗪化合物- 哌嗪化合物為具有將環己烷環的相向的-CH-基取代為三級胺基（＞N-）而成的雜六員環（哌嗪環）的化合物。

作為哌嗪化合物，例如可列舉：1-甲基哌嗪、1-乙基哌嗪、1-丙基哌嗪、1-丁基哌嗪、1,4-二甲基哌嗪、1-苯基哌嗪、1-(2-羥基乙基)哌嗪（1-(2-hydroxyethyl)piperazine，HEP）、N-(2-胺基乙基)哌嗪（N-(2-aminoethyl)piperazine，AEP）、1,4-雙(2-羥基乙基)哌嗪（1,4-Bis(2-hydroxyethyl)piperazine，BHEP）、1,4-雙(2-胺基乙基)哌嗪（1,4-Bis(2-aminoethyl)piperazine，BAEP）、及1,4-雙(3-胺基丙基)哌嗪（1,4-Bis(3-aminopropyl)piperazine，BAPP）。其中，作為哌嗪化合物，較佳為1-甲基哌嗪、HEP、AEP、BHEP、BAEP、或BAPP。

作為三級脂環式胺，除了所述以外，例如亦可列舉：1,3-二甲基-2-咪唑啶酮等不具有芳香族性的具有雜五員環的化合物、及具有氮七員環的化合物。

（三級脂肪族胺）作為三級脂肪族胺，例如可列舉：1,3-雙(二甲基胺基)丁烷等伸烷基二胺、以及N,N,N',N'',N''-五甲基二伸乙三胺等聚烷基多胺。

作為三級脂肪族胺，較佳為除了具有一個三級胺基以外亦進而具有一個以上的親水性基。作為所述親水性基，例如可列舉羧基、及磷酸基。三級脂肪族胺所具有的親水性基的總數的上限並無特別限制，較佳為4以下，更佳為3以下。下限並無特別限制，較佳為1以上。

三級脂肪族胺所具有的三級胺基的數量並無特別限制，較佳為1～4，更佳為1～3。另外，三級脂肪族胺的分子量並無特別限制，較佳為200以下，更佳為150以下。下限並無特別限制，較佳為60以上。

（第二胺基醇）作為三級胺，亦較佳為第二胺基醇。第二胺基醇為具有三級胺基、且分子內進而具有至少一個羥基的化合物。

作為第二胺基醇，較佳為式（Y）所表示的化合物。式（Y） R^Y1 -L^Y -OH R^Y1 表示-N(R^Y2 )₂ 。R^Y2 表示烷基。所述烷基的碳數較佳為1～5，更佳為1～3。 L^Y 表示伸烷基。伸烷基的碳數較佳為1～5。所述R^Y2 所表示的烷基及所述L^Y 所表示的伸烷基可為直鏈狀或分支鏈狀。

作為第二胺基醇，例如可列舉：三乙醇胺（triethanolamine，TEA）、2-(二甲基胺基)乙醇、及2-(二甲基胺基)-2-甲基-1-丙醇。其中，較佳為2-(二甲基胺基)乙醇或2-(二甲基胺基)-2-甲基-1-丙醇，更佳為2-(二甲基胺基)乙醇。

作為三級胺，較佳為三甲基胺、2-(二甲基胺基)乙醇、或2-(二甲基胺基)-2-甲基-1-丙醇，更佳為2-(二甲基胺基)乙醇或2-(二甲基胺基)-2-甲基-1-丙醇，進而佳為2-(二甲基胺基)乙醇。

三級胺可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。相對於自洗淨液去除溶媒後的成分的總質量，三級胺的含量較佳為1.0質量%～50.0質量%，更佳為3.0質量%～45.0質量%，進而佳為3.0質量%～35.0質量%。化合物（1）的含量相對於三級胺的含量的質量比〔化合物（1）的含量/三級胺的含量〕較佳為0.10～50.00，更佳為0.50～38.00，進而佳為1.00～30.00。三級胺的含量相對於第一胺基醇的含量的質量比〔三級胺的含量/第一胺基醇的含量〕較佳為0.01～10.00，更佳為0.05～5.00，進而佳為0.30～4.00。三級胺的含量相對於化合物（2）的含量的質量比〔三級胺的含量/化合物（2）的含量〕較佳為0.01～50.00，更佳為0.50～15.00。

〔溶媒〕洗淨液包含溶媒。作為溶媒，可列舉水及有機溶媒，較佳為水。洗淨液中所使用的水的種類若為不會對半導體基板造成不良影響的種類，則並無特別限制，可使用蒸餾水、去離子水、及純水（超純水）。就幾乎不含雜質、對半導體基板的製造步驟中的半導體基板的影響更少的方面而言，較佳為純水。作為有機溶媒，可使用公知的有機溶媒的任一者，較佳為醇及酮等親水性有機溶媒。

溶媒可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。相對於洗淨液的總質量，洗淨液中的溶媒的含量較佳為1.0質量%以上，更佳為30.0質量%以上，進而佳為60.0質量%以上。上限值並無特別限制，相對於洗淨液的總質量，較佳為99.0質量%以下，更佳為97.0質量%以下。

〔有機酸〕洗淨液亦可包含有機酸。有機酸為與所述化合物（1）、化合物（2）、第一胺基醇、及三級胺不同的化合物。另外，有機酸較佳為亦與後述的成分（界面活性劑、唑化合物、分子量500以上的多羥基化合物等）不同的化合物。

作為有機酸所具有的酸基，例如可列舉：羧基、膦酸基、磺基、及酚性羥基。洗淨液中使用的有機酸較佳為具有選自由羧基、及膦酸基所組成的群組中的至少一個酸基。

有機酸較佳為低分子量。具體而言，有機酸的分子量較佳為600以下，更佳為450以下。所述分子量的下限並無特別限制，較佳為60以上。另外，有機酸的碳數較佳為15以下。所述碳數的下限並無特別限制，較佳為2以上。

＜羧酸系有機酸＞羧酸系有機酸為分子內具有至少一個（例如，1個～8個）羧基的有機酸。羧酸系有機酸為分子內具有羧基作為配位基的有機酸，例如可列舉：胺基多羧酸系有機酸、胺基酸系有機酸、及脂肪族羧酸系有機酸。

作為胺基多羧酸系有機酸，例如可列舉：丁二胺四乙酸、二伸乙三胺五乙酸（diethylenetriamine pentaacetic acid，DTPA）、乙二胺四丙酸、三伸乙四胺六乙酸、1,3-二胺基-2-羥基丙烷-N,N,N',N'-四乙酸、丙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸（ethylenediamine tetraacetic acid，EDTA）、反式-1,2-二胺基環己烷四乙酸、乙二胺二乙酸、乙二胺二丙酸、1,6-六亞甲基-二胺-N,N,N',N'-四乙酸、N,N-雙(2-羥基苄基)乙二胺-N,N-二乙酸、二胺基丙烷四乙酸、1,4,7,10-四氮雜環十二烷-四乙酸、二胺基丙醇四乙酸、(羥基乙基)乙二胺三乙酸、及亞胺基二乙酸（imino diacetic acid，IDA）。其中，作為胺基多羧酸系有機酸，較佳為二伸乙三胺五乙酸（DTPA）。

作為胺基酸系有機酸，例如可列舉：甘胺酸、絲胺酸（serine）、α-丙胺酸（2-胺基丙酸）、β-丙胺酸（3-胺基丙酸）、離胺酸（lysine）、白胺酸（leucine）、異白胺酸、胱胺酸（cystine）、半胱胺酸（cysteine）、乙硫胺酸（ethionine）、蘇胺酸（threonine）、色胺酸（tryptophan）、酪胺酸（tyrosine）、纈胺酸（valine）、組胺酸（histidine）、組胺酸衍生物、天冬醯胺（asparagine）、天冬胺酸（aspartic acid）、麩醯胺（glutamine）、麩胺酸（glutamic acid）、精胺酸、脯胺酸（proline）、甲硫胺酸（methionine）、苯基丙胺酸、日本專利特開2016-086094號公報的段落[0021]～段落[0023]中記載的化合物、以及該些的鹽。再者，作為組胺酸衍生物，可引用日本專利特開2015-165561號公報、日本專利特開2015-165562號公報等中記載的化合物，將該些內容組入本說明書中。另外，作為鹽，可列舉：鈉鹽、及鉀鹽等鹼金屬鹽、銨鹽、碳酸鹽、及乙酸鹽。

＜膦酸系有機酸＞膦酸系有機酸為分子內具有至少一個膦酸基的有機酸。再者，有機酸於具有膦酸基與羧基的情況下，分類為羧酸系有機酸。膦酸系有機酸例如可列舉脂肪族膦酸系有機酸、及胺基膦酸系。再者，脂肪族膦酸系有機酸除了具有膦酸基與脂肪族基以外，亦可進而具有羥基。作為膦酸系有機酸，例如可列舉：亞乙基二膦酸、1-羥基亞乙基-1,1'-二膦酸（1-hydroxyethylidene-1,1'-diphosphonic acid，HEDPO）、1-羥基亞丙基-1,1'-二膦酸、1-羥基亞丁基-1,1'-二膦酸、乙基胺基雙(亞甲基膦酸)、十二烷基胺基雙(亞甲基膦酸)、次氮基三(亞甲基膦酸)（nitrilotris(methylene phosphonic acid)，NTPO）、乙二胺雙(亞甲基膦酸)（ethylenediamine bis(methylene phosphonic acid)，EDDPO）、1,3-丙二胺雙(亞甲基膦酸)、乙二胺四(亞甲基膦酸)（ethylenediamine tetra(methylene phosphonic acid)，EDTPO）、乙二胺四(伸乙基膦酸)、1,3-丙二胺四(亞甲基膦酸)（1,3-propylenediamine tetra(methylene phosphonic acid)，PDTMP）、1,2-二胺基丙烷四(亞甲基膦酸)、1,6-六亞甲基二胺四(亞甲基膦酸)、二伸乙三胺五(亞甲基膦酸)（diethylenetriamine penta(methylene phosphonic acid)，DEPPO）、二伸乙三胺五(伸乙基膦酸)、三伸乙四胺六(亞甲基膦酸)、及三伸乙四胺六(伸乙基膦酸)。其中，作為膦酸系有機酸，較佳為HEDPO。

膦酸系有機酸所具有的膦酸基的個數較佳為2～5，更佳為2～4，進而佳為2～3。另外，膦酸系有機酸的碳數較佳為12以下，更佳為10以下，進而佳為8以下。下限並無特別限制，較佳為1以上。

作為洗淨液中使用的膦酸系有機酸，不僅可使用所述化合物，亦可引用國際公開第2018/020878號說明書的段落[0026]～段落[0036]中記載的化合物、及國際公開第2018/030006號說明書的段落[0031]～段落[0046]中記載的化合物（(共)聚合物），將該些內容組入本說明書中。

膦酸系有機酸可單獨使用一種，亦可將兩種以上組合使用。另外，市售的膦酸系有機酸亦可為除了包含膦酸系有機酸以外亦包含蒸餾水、去離子水、及超純水等水的膦酸系有機酸。

於洗淨液包含膦酸系有機酸的情況下，亦較佳為進而包含其他酸（較佳為如所述般的羧酸系有機酸）。該情況下，羧酸系有機酸的含量相對於膦酸系有機酸的含量的質量比〔羧酸系有機酸的含量/膦酸系有機酸的含量〕較佳為0.1～10，更佳為0.2～5，進而佳為0.6～1.3。

有機酸較佳為選自由脂肪族羧酸、及脂肪族膦酸所組成的群組中的一種以上。另外，有機酸較佳為選自由DTPA、EDTA、反式-1,2-二胺基環己烷四乙酸、IDA、精胺酸、甘胺酸、β-丙胺酸、HEDPO、NTPO、EDTPO、及DEPPO所組成的群組中的一種以上，更佳為選自由DTPA及HEDPO所組成的群組中的一種以上。

有機酸可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。就洗淨液的性能平衡良好且優異的方面而言，相對於自洗淨液去除溶媒後的成分的總質量，洗淨液中的有機酸的含量較佳為0.0005質量%～25.0質量%，更佳為0.003質量%～5.0質量%，進而佳為0.01質量%～3.0質量%。有機酸的含量相對於第二胺基醇的含量的質量比〔有機酸的含量/第二胺基醇的含量〕較佳為0.0001～10.0，更佳為0.0010～1.5，進而佳為0.0050～1.0，特佳為0.010～1.0。

〔界面活性劑〕洗淨液亦可包含界面活性劑。界面活性劑為與所述洗淨液中所含的成分以外（化合物（1）、化合物（2）、第一胺基醇、及三級胺等）不同的成分。作為界面活性劑，較佳為一分子中具有親水基與疏水基（親油基）的化合物。作為界面活性劑，例如可列舉：非離子性界面活性劑、陰離子性界面活性劑、陽離子性界面活性劑、及兩性界面活性劑。其中，作為界面活性劑，較佳為非離子性界面活性劑。

界面活性劑大多情況下具有選自由脂肪族烴基、芳香族烴基、及將該些組合而成的基所組成的群組中的疏水基。界面活性劑所具有的疏水基並無特別限制，於疏水基包含芳香族烴基的情況下，疏水基的碳數較佳為6以上，更佳為10以上。疏水基的碳數的上限並無特別限制，較佳為20以下，更佳為18以下。另外，於疏水基不含芳香族烴基而是僅由脂肪族烴基構成的情況下，疏水基的碳數較佳為9以上，更佳為13以上，進而佳為16以上。疏水基的碳數的上限並無特別限制，較佳為20以下，更佳為18以下。

＜非離子性界面活性劑＞作為非離子性界面活性劑，例如可列舉：酯型非離子性界面活性劑、醚型非離子性界面活性劑、酯醚型非離子性界面活性劑、及烷醇胺型非離子性界面活性劑。其中，較佳為醚型非離子性界面活性劑。

作為非離子性界面活性劑，較佳為包含式（A1）所表示的基。式（A1） -(LO)_n - 式（A1）中，L表示伸烷基。所述伸烷基可為直鏈狀亦可為分支鏈狀。所述伸烷基的碳數較佳為1～10，更佳為2～3，進而佳為2。 n表示3～60，較佳為3～30，更佳為6～20，進而佳為7～15。再者，n表示整數的值。換言之，式（A1）所表示的基為重複數為n的聚氧伸烷基（例如，聚氧伸乙基、聚氧伸丙基、及聚氧伸乙基聚氧伸丙基）。其中，式（A1）所表示的基較佳為n為3～30的聚氧伸乙基，更佳為n為6～20的聚氧伸乙基，進而佳為n為7～15的聚氧伸乙基。

與式（A1）所表示的基的O側的末端鍵結的基（即，與式（A1）所表示的基的右側鍵結的基）較佳為「*1-L-O-*2」以外的基。「*1-L-O-*2」中的L與式（A1）中的L相同，*1是與存在於式（A1）所表示的基的末端的O的鍵結位置，*2是與*1相反的一側的鍵結位置。與式（A1）所表示的基的O側的末端鍵結的基（即，與式（A1）所表示的基的左側鍵結的基）較佳為氫原子、烷基、或可具有取代基的芳香環基，更佳為氫原子。所述烷基可為直鏈狀亦可為分支鏈狀。所述烷基的碳數較佳為1～30。所述芳香環基的碳數較佳為1～30。作為所述芳香族環基所具有的取代基，例如可列舉烷基等烴基（較佳為碳數1～30）。

與式（A1）所表示的基的L側的末端鍵結的基較佳為「*3-O-L-O-*3」以外的基。「*3-O-L-O-*3」中的L與式（A1）中的L相同，*3為鍵結位置。與式（A1）所表示的基的L側的末端鍵結的基較佳為羥基、烷氧基、或可具有取代基的芳香環-O-所表示的基，更佳為可具有取代基的芳香環-O-所表示的基。所述烷氧基可為直鏈狀亦可為分支鏈狀。所述烷氧基的碳數較佳為1～30，更佳為1～20。所述芳香環基的碳數較佳為1～30，更佳為1～10，進而佳為3～6。另外，作為所述芳香環基所具有的取代基，例如可列舉烷基等烴基（較佳為碳數1～30）。

作為非離子性界面活性劑，更佳為包含式（A2）所表示的基。式（A2） -Ph-O-(LO)_n - 式（A2）中，「(LO)_n 」與式（A1）所表示的基相同。式（A2）中，Ph表示伸苯基。式（A2）所表示的基中的Ph側的末端所鍵結的基較佳為氫原子或烷基，更佳為烷基。所述烷基可為直鏈狀亦可為分支鏈狀。所述烷基的碳數較佳為1～30，更佳為1～20，進而佳為5～10。

作為非離子性界面活性劑，例如可列舉式（A）所表示的化合物。式（A） R^NA -L^NA1 -(LO)_n -L^NA2 -H 式（A）中，「(LO)_n 」與式（A1）所表示的基相同。式（A）中，R^NA 表示可具有取代基的烷基、芳基、或者包含該些的組合的基（烷基芳基（取代有烷基的芳基）等）。作為所述取代基，例如可列舉氟原子等鹵素原子及羥基。所述烷基可為直鏈狀亦可為分支鏈狀。所述烷基較佳為碳數1～30，更佳為碳數7～15。所述芳基較佳為碳數6～12。所述烷基中的伸乙基的一個以上可經伸乙烯基取代。

式（A）中，L^NA1 及L^NA2 分別獨立地表示單鍵或二價連結基。作為所述二價連結基，較佳為-O-、-CO-、-NR¹¹ -、-S-、-SO₂ -、-PO(OR¹² )-、可具有取代基的伸烷基（較佳為碳數1～6）、可具有取代基的伸芳基、或者將該些組合而成的基。此處，所述R¹¹ 表示氫原子、烷基、芳基、或芳烷基。所述R¹² 表示烷基、芳基、或芳烷基。其中，L^NA1 較佳為-O-。L^NA2 較佳為單鍵。

作為非離子性界面活性劑，例如可列舉：聚氧伸烷基烷基醚（例如，聚氧伸乙基硬脂基醚等）、聚氧伸烷基烯基醚（例如，聚氧伸乙基油烯基醚等）、聚氧伸乙基烷基苯基醚（例如，聚氧伸乙基壬基苯基醚等）、聚氧伸烷基二醇（例如，聚氧伸丙基聚氧伸乙基二醇等）、聚氧伸烷基單烷基化物（聚氧伸烷基單烷基脂肪酸酯）（例如，聚氧伸乙基單硬脂酸酯、及聚氧伸乙基單油酸酯等聚氧伸乙基單烷基化物）、聚氧伸烷基二烷基化物（聚氧伸烷基二烷基脂肪酸酯）（例如，聚氧伸乙基二硬脂酸酯、及聚氧伸乙基二油酸酯等聚氧伸乙基二烷基化物）、雙聚氧伸烷基烷基醯胺（例如，雙聚氧伸乙基硬脂基醯胺等）、脫水山梨糖醇脂肪酸酯、聚氧伸乙基脫水山梨糖醇脂肪酸酯、聚氧伸乙基烷基胺、甘油脂肪酸酯、氧伸乙基氧伸丙基嵌段共聚物、乙炔二醇系界面活性劑、及乙炔系聚氧伸乙基氧化物。其中，作為非離子性界面活性劑，較佳為聚氧伸乙基烷基苯基醚。

＜陰離子性界面活性劑＞作為洗淨液中可使用的陰離子性界面活性劑，例如可列舉：具有磷酸酯基作為親水基（酸基）的磷酸酯系界面活性劑、具有膦酸基作為親水基（酸基）的膦酸系界面活性劑、具有磺基作為親水基（酸基）的磺酸系界面活性劑、具有羧基作為親水基（酸基）的羧酸系界面活性劑、及具有硫酸酯基作為親水基（酸基）的硫酸酯系界面活性劑。

（磷酸酯系界面活性劑）作為磷酸酯系界面活性劑，例如可列舉：烷基磷酸酯、及聚氧伸烷基烷基醚磷酸酯、以及該些的鹽。磷酸酯及聚氧伸烷基烷基醚磷酸酯通常包含單酯及二酯兩者，可單獨使用單酯或二酯。作為磷酸酯系界面活性劑的鹽，例如可列舉：鈉鹽、鉀鹽、銨鹽、及有機胺鹽。烷基磷酸酯及聚氧伸烷基烷基醚磷酸酯所具有的烷基並無特別限制，較佳為碳數2～24的烷基，更佳為碳數6～18的烷基，進而佳為碳數12～18的烷基。聚氧伸烷基烷基醚磷酸酯所具有的伸烷基並無特別限制，較佳為碳數2～6的伸烷基，更佳為伸乙基、或1,2-丙二基。另外，聚氧伸烷基醚磷酸酯中的氧伸烷基的重複數較佳為1～12，更佳為1～6。

作為磷酸酯系界面活性劑，較佳為辛基磷酸酯、月桂基磷酸酯、十三烷基磷酸酯、肉豆蔻基磷酸酯、鯨蠟基磷酸酯、硬脂基磷酸酯、聚氧伸乙基辛基醚磷酸酯、聚氧伸乙基月桂基醚磷酸酯、聚氧伸乙基十三烷基醚磷酸酯、或聚氧伸乙基肉豆蔻基醚磷酸酯，更佳為月桂基磷酸酯、十三烷基磷酸酯、肉豆蔻基磷酸酯、鯨蠟基磷酸酯、硬脂基磷酸酯、或聚氧伸乙基肉豆蔻基醚磷酸酯，進而佳為月桂基磷酸酯、鯨蠟基磷酸酯、硬脂基磷酸酯、或聚氧伸乙基肉豆蔻基醚磷酸酯。

作為磷酸酯系界面活性劑，亦可引用日本專利特開2011-040502號公報的段落[0012]～段落[0019]中記載的化合物，將該些內容組入本說明書中。

（膦酸系界面活性劑）作為膦酸系界面活性劑，例如可列舉：烷基膦酸、聚乙烯基膦酸、及日本專利特開2012-057108號公報等中記載的胺基甲基膦酸等。

（磺酸系界面活性劑）作為磺酸系界面活性劑，例如可列舉：烷基磺酸、烷基苯磺酸、烷基萘磺酸、烷基二苯基醚二磺酸、烷基甲基牛磺酸、磺基琥珀酸二酯、聚氧伸烷基烷基醚磺酸、及該些的鹽。

所述磺酸系界面活性劑所具有的烷基並無特別限制，較佳為碳數2～24的烷基，更佳為碳數6～18的烷基。另外，聚氧伸烷基烷基醚磺酸所具有的伸烷基並無特別限制，較佳為伸乙基、或1,2-丙二基。另外，聚氧伸烷基烷基醚磺酸中的氧伸烷基的重複數較佳為1～12，更佳為1～6。

作為磺酸系界面活性劑，可列舉：己烷磺酸、辛烷磺酸、癸烷磺酸、十二烷磺酸、甲苯磺酸、異丙苯磺酸、辛基苯磺酸、十二烷基苯磺酸（dodecyl benzene sulfonic acid，DBSA）、二硝基苯磺酸（dinitro benzene sulfonic acid，DNBSA）、及月桂基十二烷基苯基醚二磺酸（lauryl dodecyl phenyl ether disulfonic acid，LDPEDSA）。其中，較佳為十二烷磺酸、DBSA、DNBSA、或LDPEDSA，更佳為DBSA、DNBSA、或LDPEDSA。

（羧酸系界面活性劑）作為羧酸系界面活性劑，例如可列舉：烷基羧酸、烷基苯羧酸、及聚氧伸烷基烷基醚羧酸、以及該些的鹽。所述羧酸系界面活性劑所具有的烷基並無特別限制，較佳為碳數7～25的烷基，更佳為碳數11～17的烷基。另外，聚氧伸烷基烷基醚羧酸所具有的伸烷基並無特別限制，較佳為伸乙基或1,2-丙二基。另外，聚氧伸烷基烷基醚羧酸中的氧伸烷基的重複數較佳為1～12，更佳為1～6。

作為羧酸系界面活性劑，可列舉：月桂酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、聚氧伸乙基月桂基醚乙酸、及聚氧伸乙基十三烷基醚乙酸。

（硫酸酯系界面活性劑）作為硫酸酯系界面活性劑，例如可列舉：烷基硫酸酯、及聚氧伸烷基烷基醚硫酸酯、以及該些的鹽。烷基硫酸酯及聚氧伸烷基烷基醚硫酸酯所具有的烷基並無特別限制，較佳為碳數2～24的烷基，更佳為碳數6～18的烷基。聚氧伸烷基烷基醚硫酸酯所具有的伸烷基並無特別限制，更佳為伸乙基、或1,2-丙二基。另外，聚氧伸烷基烷基醚硫酸酯中的氧伸烷基的重複數較佳為1～12，更佳為1～6。作為硫酸酯系界面活性劑的具體例，可列舉：月桂基硫酸酯、肉豆蔻基硫酸酯、及聚氧伸乙基月桂基醚硫酸酯。

作為界面活性劑，亦可引用日本專利特開2015-158662號公報的段落[0092]～段落[0096]、日本專利特開2012-151273號公報的段落[0045]～段落[0046]、及日本專利特開2009-147389號公報的段落[0014]～段落[0020]中記載的化合物，將該些內容組入本說明書中。

界面活性劑可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。於洗淨液包含界面活性劑的情況下，就洗淨液的性能平衡良好且優異的方面而言，相對於自洗淨液去除溶媒後的成分的總質量，界面活性劑的含量較佳為0.001質量%～3.0質量%，更佳為0.01質量%～1.0質量%，進而佳為0.05質量%～0.5質量%。

〔唑化合物〕洗淨液亦可包含唑化合物。所述唑化合物為與所述洗淨液中所含的成分不同的化合物。唑化合物為含有包含至少一個氮原子且具有芳香族性的雜五員環的化合物。唑化合物可提高洗淨液的腐蝕防止作用。即，唑化合物可作為防蝕劑發揮作用。唑化合物所含有的雜五員環中所含的氮原子的個數並無特別限制，較佳為1個～4個，更佳為1個～3個。另外，唑化合物亦可於雜五員環上具有取代基。作為所述取代基，例如可列舉：羥基、羧基、巰基、胺基、或可具有胺基的碳數1～4的烷基、及2-咪唑基。

作為唑化合物，例如可列舉：構成唑環的原子中的一個為氮原子的咪唑化合物、構成唑環的原子中的兩個為氮原子的吡唑化合物、構成唑環的原子中的一個為氮原子且另一個為硫原子的噻唑化合物、構成唑環的原子中的三個為氮原子的三唑化合物、及構成唑環的原子中的四個為氮原子的四唑化合物。

作為咪唑化合物，例如可列舉：咪唑、1-甲基咪唑、2-甲基咪唑、5-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-巰基咪唑、4,5-二甲基-2-巰基咪唑、4-羥基咪唑、2,2'-聯咪唑、4-咪唑羧酸、組織胺、苯並咪唑、及嘌呤鹼（腺嘌呤等）。

作為吡唑化合物，例如可列舉：吡唑、4-吡唑羧酸、1-甲基吡唑、3-甲基吡唑、3-胺基-5-甲基吡唑、3-胺基-5-羥基吡唑、3-胺基吡唑、及4-胺基吡唑。

作為噻唑化合物，例如可列舉：2,4-二甲基噻唑、苯並噻唑、及2-巰基苯並噻唑。

作為三唑化合物，例如可列舉：1,2,4-三唑、3-甲基-1,2,4-三唑、3-胺基-1,2,4-三唑、1,2,3-三唑、1-甲基-1,2,3-三唑、苯並三唑、1-羥基苯並三唑、1-二羥基丙基苯並三唑、2,3-二羧基丙基苯並三唑、4-羥基苯並三唑、4-羧基苯並三唑、5-甲基苯並三唑、及2,2'-{[(5-甲基-1H-苯並三唑-1-基)甲基]亞胺基}二乙醇。

作為四唑化合物，例如可列舉：1H-四唑（1,2,3,4-四唑）、5-甲基-1,2,3,4-四唑、5-胺基-1,2,3,4-四唑、1,5-五亞甲基四唑、1-苯基-5-巰基四唑、及1-(2-二甲基胺基乙基)-5-巰基四唑。

作為唑化合物，較佳為咪唑化合物、或三唑化合物，更佳為1,2,4-三唑。

唑化合物可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。於洗淨液包含唑化合物的情況下，相對於自洗淨液去除溶媒後的成分的總質量，唑化合物的含量較佳為0.01質量%～10.0質量%，更佳為0.1質量%～5.0質量%，進而佳為0.3質量%～3.0質量%。

〔分子量500以上的多羥基化合物〕洗淨液亦可包含分子量500以上的多羥基化合物。所述多羥基化合物為與所述各成分不同的成分。所述多羥基化合物為一分子中具有2個以上（例如2個～200個）的醇性羥基的有機化合物。所述多羥基化合物的分子量（於具有分子量分佈的情況下為重量平均分子量）為500以上，較佳為500～3000。

作為所述多羥基化合物，例如可列舉：聚乙二醇、聚丙二醇、及聚氧伸乙基聚氧伸丙基二醇等聚氧伸烷基二醇；甘露三糖（manninotriose）、纖維三糖（cellotriose）、龍膽三糖（gentianose）、棉子糖（raffinose）、松三糖（melicitose）、纖維四糖（cellotetrose）、及水蘇糖（stachyose）等寡聚糖；澱粉、肝糖、纖維素、幾丁質、及幾丁聚醣等多糖類及其水解物。

另外，所述多羥基化合物亦較佳為環糊精。環糊精為多個D-葡萄糖藉由葡糖苷鍵進行鍵結而取得環狀結構的環狀寡聚糖的一種。已知有鍵結有5個以上（例如6個～8個）的葡萄糖的化合物。作為環糊精，例如可列舉：α-環糊精、β-環糊精、及γ-環糊精。其中，較佳為γ-環糊精。

所述多羥基化合物可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。於洗淨液包含所述多羥基化合物的情況下，相對於自洗淨液去除溶媒後的成分的總質量，所述多羥基化合物的含量較佳為0.01質量%～10.0質量%，更佳為0.05質量%～5.0質量%，進而佳為0.1質量%～3.0質量%。

〔還原性硫化合物〕洗淨液亦可包含還原性硫化合物。所述還原性硫化合物為與所述各成分不同的成分。還原性硫化合物可提高洗淨液的腐蝕防止作用。即，還原性硫化合物可作為防蝕劑發揮作用。還原性硫化合物為具有還原性且包含硫原子的化合物。作為還原性硫化合物，例如可列舉：巰基琥珀酸、二硫代二甘油、雙(2,3-二羥基丙硫基)乙烯、3-(2,3-二羥基丙硫基)-2-甲基-丙基磺酸鈉、1-硫代甘油、3-巰基-1-丙磺酸鈉、2-巰基乙醇、硫代乙醇酸、及3-巰基-1-丙醇。其中，較佳為具有SH基的化合物（巰基化合物），更佳為1-硫代甘油、3-巰基-1-丙磺酸鈉、2-巰基乙醇、3-巰基-1-丙醇、或硫代乙醇酸。所述還原性硫化合物可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。於洗淨液包含還原性硫化合物的情況下，相對於自洗淨液去除溶媒後的成分的總質量，還原性硫化合物的含量較佳為0.01質量%～10.0質量%，更佳為0.05質量%～5.0質量%，進而佳為0.1質量%～3.0質量%。

〔聚合物〕洗淨液亦可包含聚合物。所述聚合物為與所述各成分不同的成分。聚合物的分子量（於具有分子量分佈的情況下為重量平均分子量）較佳為超過600，更佳為1000以上，進而佳為超過1000，特佳為超過3000。所述分子量的上限並無特別限制，較佳為1500000以下，更佳為100000以下。其中，於聚合物為後述的水溶性聚合物的情況下，水溶性聚合物的重量平均分子量較佳為1000以上，更佳為1500以上，進而佳為3000以上。水溶性聚合物的重量平均分子量的上限並無特別限制，較佳為1500000以下，更佳為1200000以下，進而佳為1000000以下，特佳為10000以下。再者，於本說明書中，所謂「重量平均分子量」，是指藉由凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography，GPC）測定的聚乙二醇換算的重量平均分子量。聚合物較佳為含有具有羧基的重複單元（源自(甲基)丙烯酸的重複單元等）。相對於聚合物的總質量，具有羧基的重複單元的含量較佳為30質量%～100質量%，更佳為70質量%～100質量%，進而佳為85質量%～100質量%。

聚合物亦較佳為水溶性聚合物。再者，所謂「水溶性聚合物」，是指兩個以上的重複單元經由共價鍵以線狀或網狀連接而成的化合物，且於20℃的水100 g中溶解的質量為0.1 g以上的化合物。

作為水溶性聚合物，例如可列舉：聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚馬來酸、聚乙烯基磺酸、聚烯丙基磺酸、聚苯乙烯磺酸、以及該些的鹽；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、及/或4-甲基苯乙烯等單體與(甲基)丙烯酸、及/或馬來酸等酸單體的共聚物、以及該些的鹽；利用福馬林使苯磺酸、及/或萘磺酸等縮合而成的含有具有芳香族烴基的重複單元的聚合物、以及該些的鹽；聚乙烯基醇、聚氧乙烯、聚乙烯基吡咯啶酮、聚乙烯基吡啶、聚丙烯醯胺、聚乙烯基甲醯胺、聚伸乙基亞胺、聚乙烯基噁唑啉、聚乙烯基咪唑、及聚烯丙基胺等乙烯基系合成聚合物；羥基乙基纖維素、羧基甲基纖維素、及加工澱粉等天然多糖類的改質物。

水溶性聚合物可為均聚物，亦可為使兩種以上的單量體共聚而成的共聚物。作為所述單量體，例如可列舉選自由具有羧基的單量體、具有磺酸基的單量體、具有羥基的單量體、具有聚環氧乙烷鏈的單量體、具有胺基的單量體、以及具有雜環的單量體所組成的群組中的單量體。水溶性聚合物亦較佳為實質上僅由源自選自所述群組中的單量體的結構單元構成的聚合物。所謂聚合物實質上僅由源自選自所述群組中的單量體的結構單元構成，例如，相對於聚合物的總質量，源自選自所述群組中的單量體的結構單元的含量較佳為95質量%～100質量%，更佳為99質量%～100質量%。

另外，作為聚合物，亦可列舉日本專利特開2016-171294號公報的段落[0043]～段落[0047]中記載的水溶性聚合物，將該內容組入至本說明書中。

聚合物可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。於洗淨液包含聚合物的情況下，相對於自洗淨液去除溶媒後的成分的總質量，聚合物的含量較佳為0.01質量%～10.0質量%，更佳為0.05質量%～5.0質量%，進而佳為0.1質量%～3.0質量%。若聚合物的含量為所述範圍內，則聚合物適度地吸附於基板的表面，可有助於提高洗淨液的腐蝕防止性能，且亦可使洗淨液的黏度及/或洗淨性能的平衡良好。

〔氧化劑〕洗淨液亦可包含氧化劑。氧化劑是與所述各成分不同的成分。作為氧化劑，例如可列舉：過氧化物、過硫化物（例如，單過硫化物及二過硫化物）、過碳酸鹽、該些的酸、及該些的鹽。作為氧化劑，例如可列舉：氧化鹵化物（碘酸、偏過碘酸及正過碘酸等過碘酸、該些的鹽等）、過硼酸、過硼酸鹽、鈰化合物、及鐵氰化物（鐵氰化鉀等）。於洗淨液包含氧化劑的情況下，相對於自洗淨液去除溶媒後的成分的總質量，氧化劑的含量較佳為0.01質量%～10.0質量%，更佳為0.05質量%～5.0質量%，進而佳為0.1質量%～3.0質量%。

〔pH值調整劑〕為了調整及維持洗淨液的pH值，洗淨液亦可包含pH值調整劑。作為pH值調整劑，可列舉所述成分以外的鹼性化合物及酸性化合物。 pH值調整劑是指與所述各成分不同的成分。其中，允許藉由調整所述各成分的添加量來調整洗淨液的pH值。

作為鹼性化合物，可列舉鹼性有機化合物及鹼性無機化合物。鹼性有機化合物為與所述洗淨液中所含的成分不同的鹼性的有機化合物。作為鹼性有機化合物，例如可列舉：胺氧化物化合物、硝基化合物、亞硝基化合物、肟化合物、酮肟化合物、醛肟化合物、內醯胺化合物、異腈（isocyanide）類化合物、及脲化合物。作為鹼性無機化合物，例如可列舉：鹼金屬氫氧化物、鹼土類金屬氫氧化物、及氨。作為鹼金屬氫氧化物，例如可列舉：氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、及氫氧化銫。作為鹼土類金屬氫氧化物，例如可列舉：氫氧化鈣、氫氧化鍶、及氫氧化鋇。

作為酸性化合物，例如可列舉無機酸。作為無機酸，例如可列舉：鹽酸、硫酸、亞硫酸、硝酸、亞硝酸、磷酸、硼酸、及六氟磷酸。另外，亦可使用無機酸的鹽，例如可列舉無機酸的銨鹽，更具體而言，可列舉：氯化銨、硫酸銨、亞硫酸銨、硝酸銨、亞硝酸銨、磷酸銨、硼酸銨、及六氟磷酸銨。

作為酸性化合物，若為於水溶液中成為酸或酸根離子（陰離子）的化合物，則亦可使用酸性化合物的鹽。

pH值調整劑可單獨使用一種，亦可將兩種以上組合使用。於洗淨液包含pH值調整劑的情況下，pH值調整劑的含量可根據其他成分的種類及量、以及目標洗淨液的pH值來選擇，相對於自洗淨液去除溶媒後的成分的總質量，較佳為0.01質量%～3.0質量%，更佳為0.05質量%～1.0質量%。

洗淨液亦可包含氟化合物及/或有機溶媒等作為所述化合物以外的化合物。作為氟化合物，可列舉日本專利特開2005-150236號公報的段落[0013]～段落[0015]中記載的化合物，將該內容組入本說明書中。氟化合物及有機溶媒的使用量並無特別限制，可於不妨礙本發明的效果的範圍內適宜設定。

再者，所述各成分於洗淨液中的含量可利用氣相層析-質量分析（GC-MS：Gas Chromatography-Mass Spectrometry）法、液相層析-質量分析（LC-MS：Liquid Chromatography-Mass Spectrometry）法、及離子交換層析（IC：Ion-exchange Chromatography）法等公知的方法進行測定。

〔洗淨液的物性〕＜pH值＞就洗淨液的性能平衡良好且優異的方面而言，洗淨液的pH值較佳為8.0～14.0，更佳為8.0～13.5，進而佳為8.0～13.0，特佳為8.5～13.0，最佳為9.0～12.5。所述洗淨液的pH值是指使用洗淨液時的pH值，於加以稀釋而使用洗淨液的情況下，是指經稀釋的洗淨液的pH值。再者，洗淨液的pH值可使用公知的pH值計並利用依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）Z8802-1984的方法進行測定。將pH值的測定溫度設為25℃。

＜金屬含量＞關於洗淨液，液體中作為雜質而包含的金屬（Fe、Co、Na、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、Zn、Sn、及Ag的金屬元素）的含量（作為離子濃度來測定）均較佳為5質量ppm以下，更佳為1質量ppm以下。由於設想到於最尖端的半導體元件的製造中要求純度更高的洗淨液，因此，該金屬含量進而佳為低於1質量ppm的值、即質量ppb級別以下，特佳為100質量ppb以下，最佳為小於10質量ppb。下限並無特別限制，較佳為0。

作為減低金屬含量的方法，例如可列舉：於製造洗淨液時使用的原材料的階段、或者製造洗淨液後的階段中，進行蒸餾及使用離子交換樹脂或過濾器的過濾（filtration）等精製處理。作為其他減低金屬含量的方法，可列舉：使用後述的雜質的溶出少的容器作為收容原材料或所製造的洗淨液的容器。另外，亦可列舉：對配管內壁施加氟系樹脂的內襯以使金屬成分不會於製造洗淨液時自配管等溶出。

＜粗大粒子＞洗淨液亦可包含粗大粒子，但其含量較佳為低。此處，所謂粗大粒子，是指將粒子的形狀視為球體時的直徑（粒徑）為0.4 μm以上的粒子。作為洗淨液中的粗大粒子的含量，粒徑0.4 μm以上的粒子的含量較佳為每1 mL洗淨液中1000個以下，更佳為500個以下。下限並無特別限制，可列舉0。另外，更佳為利用所述測定方法測定的粒徑0.4 μm以上的粒子的含量為檢測極限以下。洗淨液中所含的粗大粒子相當於如下物質：為原料中作為雜質而包含的灰塵、塵埃、有機固形物、及無機固形物等的粒子、以及於洗淨液的製備中作為污染物而帶入的灰塵、塵埃、有機固形物、及無機固形物等的粒子，並且最終於洗淨液中並不溶解而以粒子的形式存在的物質。洗淨液中存在的粗大粒子的含量可利用以雷射為光源的光散射式液中粒子測定方式的市售的測定裝置並以液相進行測定。作為去除粗大粒子的方法，例如可列舉後述的過濾（filtering）等精製處理。

洗淨液亦可製成將其原料分割為多份的套組。

〔洗淨液的製造〕洗淨液可利用公知的方法製造。以下，對洗淨液的製造方法進行詳述。

＜調液步驟＞洗淨液的調液方法並無特別限制，例如，可藉由將所述各成分混合來製造洗淨液。將所述各成分混合的順序、及/或時序並無特別限制，例如可列舉如下方法：於放入有精製後的純水的容器中，依次添加化合物（1）、化合物（2）、第一胺基醇、及三級胺後，進行攪拌並進行混合，並且添加pH值調整劑來調整混合液的pH值，藉此進行製備。另外，於在容器中添加水及各成分的情況下，可一併添加，亦可分割成多次來添加。

洗淨液的調液中使用的攪拌裝置及攪拌方法並無特別限制，作為攪拌機或分散機，只要使用公知的裝置即可。作為攪拌機，例如可列舉：工業用混合器、移動式攪拌器、機械攪拌器（mechanical stirrer）、及磁攪拌器（magnetic stirrer）。作為分散機，例如可列舉：工業用分散器、均質器（homogenizer）、超音波分散器、及珠磨機。

洗淨液的調液步驟中的各成分的混合、及後述的精製處理、以及所製造的洗淨液的保管溫度較佳為於40℃以下進行，更佳為於30℃以下進行。保管溫度的下限並無特別限制，較佳為5℃以上，更佳為10℃以上。藉由在所述溫度範圍內進行洗淨液的調液、處理及/或保管，可長期穩定地維持性能。

（精製處理）較佳為對用於製備洗淨液的原料的任一種以上事先進行精製處理。精製處理並無特別限制，可列舉蒸餾、離子交換、及過濾等公知的方法。精製的程度並無特別限制，較佳為精製至原料的純度達到99質量%以上，更佳為精製至原料的純度達到99.9質量%以上。

作為精製處理的具體方法，例如可列舉：使原料在離子交換樹脂或RO膜（逆滲透膜（Reverse Osmosis Membrane））等中通過的方法、原料的蒸餾、及後述的過濾（filtering）。作為精製處理，亦可將多種所述精製方法組合來實施。例如，可對原料進行在RO膜中通過的一次精製，之後，實施在包含陽離子交換樹脂、陰離子交換樹脂、或混床型離子交換樹脂的精製裝置中通過的二次精製。另外，精製處理亦可實施多次。

（過濾（filtering））作為過濾（filtering）中使用的過濾器，若為自先前起便於過濾用途等中使用者，則並無特別限制。例如，可列舉包含如下樹脂的過濾器：聚四氟乙烯（polytetrafluoroethylene，PTFE）、及四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物（tetrafluoroethylene perfluoroalkyl vinylether copolymer，PFA）等氟樹脂、尼龍等聚醯胺系樹脂、以及聚乙烯及聚丙烯（polypropylene，PP）等聚烯烴樹脂（包含高密度或超高分子量）。於該些材料中，較佳為選自由聚乙烯、聚丙烯（包含高密度聚丙烯）、氟樹脂（包含PTFE及PFA）、以及聚醯胺系樹脂（包含尼龍）所組成的群組中的材料，更佳為氟樹脂的過濾器。藉由使用由該些材料形成的過濾器進行原料的過濾，可有效地去除容易成為缺陷的原因的極性高的異物。

作為過濾器的臨界表面張力，較佳為70 mN/m～95 mN/m，更佳為75 mN/m～85 mN/m。再者，過濾器的臨界表面張力的值為製造廠商的標稱值。藉由使用臨界表面張力為所述範圍的過濾器，可有效地去除容易成為缺陷的原因的極性高的異物。

過濾器的孔徑較佳為2 nm～20 nm，更佳為2 nm～15 nm。藉由設為該範圍，可於抑制過濾堵塞的同時，確實地去除原料中所含的雜質及凝聚物等微細的異物。此處的孔徑可參照過濾器廠商的標稱值。

過濾（filtering）可僅為一次，亦可進行兩次以上。於進行兩次以上的過濾（filtering）的情況下，使用的過濾器可相同，亦可不同。

另外，過濾（filtering）較佳為於室溫（25℃）以下進行，更佳為23℃以下，進而佳為20℃以下。另外，較佳為0℃以上，更佳為5℃以上，進而佳為10℃以上。藉由在所述溫度範圍內進行過濾（filtering），可減低原料中溶解的粒子性異物及雜質的量，且可有效率地去除異物及雜質。

（容器）只要腐蝕性等不成問題，則洗淨液（包含套組或後述的稀釋洗淨液的態樣）可填充至任意的容器中進行保管、搬運、及使用。

作為容器，較佳為面向半導體用途的、容器內的潔淨度高、且雜質自容器的收容部的內壁向各液體的溶出得到抑制的容器。作為此種容器，可列舉作為半導體洗淨液用容器而市售的各種容器，例如，可列舉埃塞洛（Aicello）化學（股）製造的「潔淨瓶（clean bottle）」系列、以及兒玉（Kodama）樹脂工業製造的「純瓶（pure bottle）」等，但並不受該些的限制。另外，作為收容洗淨液的容器，較佳為其收容部的內壁等與各液體接觸的液體接觸部是由氟系樹脂（全氟樹脂）或者實施防鏽及金屬溶出防止處理後的金屬形成的容器。容器的內壁較佳為是由選自由聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、及聚乙烯-聚丙烯樹脂所組成的群組中的一種以上的樹脂、或與該樹脂不同的樹脂、或者不鏽鋼、赫史特合金（Hastelloy）、英高鎳合金（Inconel）、及蒙納合金（Monel）等實施防鏽及金屬溶出防止處理後的金屬形成。

作為所述不同的樹脂，較佳為氟系樹脂（全氟樹脂）。如此，藉由使用內壁為氟系樹脂的容器，與內壁為聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、或聚乙烯-聚丙烯樹脂的容器相比，可抑制乙烯或丙烯的寡聚物的溶出這一不良情況的產生。作為此種內壁為氟系樹脂的容器的具體例，例如可列舉英特格（Entegris）公司製造的氟純（FluoroPure）PFA複合筒等。另外，亦可使用日本專利特表平3-502677號公報的第4頁、國際公開第2004/016526號說明書的第3頁、以及國際公開第99/46309號說明書的第9頁及16頁等中記載的容器。

另外，於容器的內壁中，除了使用所述氟系樹脂以外，亦可較佳地使用石英及經電解研磨的金屬材料（即，完成電解研磨的金屬材料）。所述經電解研磨的金屬材料的製造中所使用的金屬材料較佳為包含選自由鉻及鎳所組成的群組中的至少一個、且鉻及鎳的含量的合計相對於金屬材料總質量超過25質量%的金屬材料，例如可列舉不鏽鋼、及鎳-鉻合金等。相對於金屬材料的總質量，金屬材料中的鉻及鎳的含量的合計更佳為30質量%以上。再者，金屬材料中的鉻及鎳的含量的合計的上限值並無特別限制，較佳為90質量%以下。

對金屬材料進行電解研磨的方法並無特別限制，可使用公知的方法。例如，可使用日本專利特開2015-227501號公報的段落[0011]～段落[0014]、及日本專利特開2008-264929號公報的段落[0036]～段落[0042]等中所記載的方法。

該些容器較佳為於填充洗淨液之前對其內部進行洗淨。洗淨中所使用的液體較佳為該液體中的金屬雜質量得到減低。洗淨液可於製造後裝瓶（bottling）至加侖瓶（gallon bottle）或塗佈瓶等容器中來進行運輸、保管。

出於防止保管中的洗淨液中的成分變化的目的，亦可利用純度99.99995體積%以上的惰性氣體（氮氣、或氬氣等）對容器內進行置換。特佳為含水率少的氣體。另外，運輸、及保管時，可為常溫，為了防止變質，亦可將溫度控制為-20℃至20℃的範圍。

（潔淨室（clean room））包括洗淨液的製造、容器的開封及洗淨、洗淨液的填充等在內的操作、處理分析、以及測定較佳為全部於潔淨室中進行。潔淨室較佳為滿足14644-1潔淨室基準。較佳為滿足ISO（國際標準化機構，International Standardization Organization）等級1、ISO等級2、ISO等級3、及ISO等級4的任一者，更佳為滿足ISO等級1或ISO等級2，進而佳為滿足ISO等級1。

＜稀釋步驟＞所述洗淨液較佳為經過使用水等稀釋劑進行稀釋的稀釋步驟後，供於半導體基板的洗淨。

稀釋步驟中的洗淨液的稀釋率只要根據各成分的種類、及含量、以及作為洗淨對象的半導體基板等來適宜調整即可，稀釋洗淨液相對於稀釋前的洗淨液的比率（稀釋倍率）以質量比或體積比（23℃下的體積比）計較佳為10倍～10000倍，更佳為20倍～3000倍，進而佳為50倍～1000倍。另外，就缺陷抑制性能更優異的方面而言，洗淨液較佳為用水稀釋。即，按照用所述洗淨液中可含的各成分（水除外）的適宜含量除以所述範圍的稀釋倍率（例如100）而得的量來包含各成分的洗淨液（稀釋洗淨液）亦可適宜地加以實用。

稀釋前後的pH值的變化（稀釋前的洗淨液的pH值與稀釋洗淨液的pH值的差量）較佳為1.0以下，更佳為0.8以下，進而佳為0.5以下。

對洗淨液進行稀釋的稀釋步驟的具體方法並無特別限制，只要依據所述洗淨液的調液步驟進行即可。另外，稀釋步驟中使用的攪拌裝置、及攪拌方法亦無特別限制，只要使用於所述洗淨液的調液步驟中所列舉的公知的攪拌裝置進行即可。

較佳為事先對稀釋步驟中使用的水進行精製處理。另外，較佳為對藉由稀釋步驟而獲得的稀釋洗淨液進行精製處理。精製處理並無特別限制，可列舉作為對於所述洗淨液而言的精製處理而記載的、使用了離子交換樹脂或RO膜等的離子成分減低處理、及使用了過濾（filtering）的異物去除，較佳為進行該些中的任一種處理。

[洗淨液的用途] 洗淨液較佳為於對實施化學機械研磨（CMP）處理後的半導體基板進行洗淨的洗淨步驟中使用。另外，洗淨液亦可用於半導體基板的製造製程中的半導體基板的洗淨中。進而，如後所述，洗淨液亦可用於拋光研磨處理。如上所述，於半導體基板的洗淨中，亦可使用將洗淨液稀釋而獲得的稀釋洗淨液。

〔洗淨對象物〕作為洗淨液的洗淨對象物，例如可列舉具有金屬膜的半導體基板。再者，所謂本說明書中的「半導體基板上」，例如包括半導體基板的表裏、側面、及槽內等任一者。另外，所謂半導體基板上的金屬膜，不僅包括在半導體基板的表面上直接存在金屬膜的情況，亦包括在半導體基板上介隔其他層而存在金屬膜的情況。

金屬膜中所含的金屬例如可列舉：選自由Cu（銅）、Co（鈷）、W（鎢）、Ti（鈦）、Ta（鉭）、Ru（釕）、Cr（鉻）、Hf（鉿）、Os（鋨）、Pt（鉑）、Ni（鎳）、Mn（錳）、Zr（鋯）、Mo（鉬）、La（鑭）、及Ir（銥）所組成的群組中的至少一個金屬M。

半導體基板較佳為具有包含金屬M的金屬膜，更佳為具有包含選自由W、Co、Cu、Ti、Ta、及Ru所組成的群組中的至少一個金屬的金屬膜，進而佳為具有包含選自由Cu、W、及Co所組成的群組中的至少一個金屬的金屬膜，特佳為具有包含Cu的金屬膜。

作為洗淨液的洗淨對象物的半導體基板並無特別限制，例如可列舉於構成半導體基板的晶圓的表面具有金屬配線膜、位障金屬、及絕緣膜的基板。

作為構成半導體基板的晶圓的具體例，可列舉：矽（Si）晶圓、碳化矽（SiC）晶圓、包含矽的樹脂系晶圓（玻璃環氧晶圓）等包含矽系材料的晶圓，鎵磷（GaP）晶圓、鎵砷（GaAs）晶圓、及銦磷（InP）晶圓。作為矽晶圓，可為對矽晶圓摻雜五價原子（例如，磷（P）、砷（As）、及銻（Sb）等）而成的n型矽晶圓、以及對矽晶圓摻雜三價原子（例如，硼（B）、及鎵（Ga）等）而成的p型矽晶圓。作為矽晶圓的矽，例如可為非晶矽、單結晶矽、多結晶矽、及多晶矽（polysilicon）的任一者。其中，洗淨液對於矽晶圓、碳化矽晶圓、及包含矽的樹脂系晶圓（玻璃環氧晶圓）等包含矽系材料的晶圓而言有用。

半導體基板亦可於所述晶圓上具有絕緣膜。作為絕緣膜的具體例，可列舉：矽氧化膜（例如，二氧化矽（SiO₂ ）膜、及正矽酸四乙酯（Si(OC₂ H₅ )₄ ）膜（TEOS（正矽酸四乙酯，tetraethyl orthosilicate）膜）等）、矽氮化膜（例如，氮化矽（Si₃ N₄ ）、及碳氮化矽（SiNC）等）、以及低介電常數（Low-k）膜（例如，摻雜有碳的氧化矽（SiOC）膜、及碳化矽（SiC）膜等）。

作為半導體基板所具有的金屬膜，較佳為包含選自由銅（Cu）、鎢（W）、及鈷（Co）所組成的群組中的至少一個金屬的金屬膜、例如、以銅為主成分的膜（含銅膜）、以鎢為主成分的膜（含鎢膜）、以鈷為主成分的膜（含鈷膜）、以及由包含選自由W及Co所組成的群組中的一種以上的合金構成的金屬膜。其中，半導體基板較佳為具有以銅為主成分的膜（含銅膜）。

作為含銅膜，例如可列舉：僅包含金屬銅的配線膜（銅配線膜）、及包含金屬銅與其他金屬的合金製的配線膜（銅合金配線膜）。作為銅合金配線膜的具體例，可列舉包含選自鋁（Al）、鈦（Ti）、鉻（Cr）、錳（Mn）、鉭（Ta）、及鎢（W）中的一種以上的金屬、與銅的合金製的配線膜。更具體而言，可列舉：銅-鋁合金配線膜（CuAl合金配線膜）、銅-鈦合金配線膜（CuTi合金配線膜）、銅-鉻合金配線膜（CuCr合金配線膜）、銅-錳合金配線膜（CuMn合金配線膜）、銅-鉭合金配線膜（CuTa合金配線膜）、及銅-鎢合金配線膜（CuW合金配線膜）等。

作為含鎢膜（以鎢為主成分的金屬膜），例如可列舉：僅包含鎢的金屬膜（鎢金屬膜）、及包含鎢與其他金屬的合金製的金屬膜（鎢合金金屬膜）。作為鎢合金金屬膜的具體例，例如可列舉：鎢-鈦合金金屬膜（WTi合金金屬膜）、及鎢-鈷合金金屬膜（WCo合金金屬膜）等。含鎢膜例如用於位障金屬、或通孔與配線的連接部中。

作為含鈷膜（以鈷為主成分的金屬膜），例如可列舉：僅包含金屬鈷的金屬膜（鈷金屬膜）、及包含金屬鈷與其他金屬的合金製的金屬膜（鈷合金金屬膜）。作為鈷合金金屬膜的具體例，可列舉包含選自鈦（Ti）、鉻（Cr）、鐵（Fe）、鎳（Ni）、鉬（Mo）、鈀（Pd）、鉭（Ta）、及鎢（W）中的一種以上的金屬、與鈷的合金製的金屬膜。更具體而言，可列舉：鈷-鈦合金金屬膜（CoTi合金金屬膜）、鈷-鉻合金金屬膜（CoCr合金金屬膜）、鈷-鐵合金金屬膜（CoFe合金金屬膜）、鈷-鎳合金金屬膜（CoNi合金金屬膜）、鈷-鉬合金金屬膜（CoMo合金金屬膜）、鈷-鈀合金金屬膜（CoPd合金金屬膜）、鈷-鉭合金金屬膜（CoTa合金金屬膜）、及鈷-鎢合金金屬膜（CoW合金金屬膜）等。洗淨液對具有含鈷膜的基板而言有用。含鈷膜中，鈷金屬膜大多作為配線膜而使用，鈷合金金屬膜大多作為位障金屬而使用。

另外，有時較佳為將洗淨液用於如下基板的洗淨，所述基板是於構成半導體基板的晶圓的上部至少具有含銅配線膜、與僅由金屬鈷構成且作為含銅配線膜的位障金屬的金屬膜（鈷位障金屬），且含銅配線膜與鈷位障金屬於基板表面上接觸。

作為於構成半導體基板的晶圓上形成所述絕緣膜、含鎢膜及含鈷膜的方法，若為通常該領域中進行的方法，則並無特別限制。作為絕緣膜的形成方法，例如可列舉如下方法：對構成半導體基板的晶圓，於氧氣存在下進行熱處理，藉此形成矽氧化膜，繼而，使矽烷及氨的氣體流入，利用化學氣相蒸鍍（CVD：Chemical Vapor Deposition）法形成矽氮化膜。作為含鎢膜及含鈷膜的形成方法，例如可列舉如下方法：於具有所述絕緣膜的晶圓上，利用抗蝕劑等公知的方法形成電路，繼而，利用鍍金及CVD法等方法形成含鎢膜及含鈷膜。

＜CMP處理＞ CMP處理例如為藉由使用包含研磨微粒子（研磨粒）的研磨漿料的化學作用、與機械研磨的複合作用，使具有金屬配線膜、位障金屬、及絕緣膜的基板的表面平坦化的處理。於實施CMP處理後的半導體基板的表面上，有時會殘存源自CMP處理中所使用的研磨粒（例如，二氧化矽及氧化鋁等）、經研磨的金屬配線膜、及位障金屬的金屬雜質（金屬殘渣）等雜質。另外，有時亦殘存源自CMP處理時所使用的CMP處理液的有機殘渣物。該些雜質例如有使配線間短路而使半導體基板的電氣特性劣化的擔憂，因此，將實施CMP處理後的半導體基板供於用於自表面將該些雜質去除的洗淨處理中。作為實施CMP處理後的半導體基板的具體例，可列舉「日本精密工程學會期刊（Journal of the Japan Society of Precision Engineering）」（Vol. 84，No.3，2018）中記載的實施CMP處理後的基板，但並不受此限制。

＜拋光研磨處理＞關於作為洗淨液的洗淨對象物的半導體基板的表面，亦可於實施CMP處理之後，實施拋光研磨處理。拋光研磨處理是使用研磨墊來減低半導體基板表面的雜質的處理。具體而言，使實施CMP處理後的半導體基板的表面與研磨墊接觸，一邊向該接觸部分供給拋光研磨用組成物一邊使半導體基板與研磨墊相對滑動。結果，半導體基板的表面的雜質可藉由基於研磨墊的摩擦力及基於拋光研磨用組成物的化學性作用而被去除。

作為拋光研磨用組成物，可根據半導體基板的種類、及作為去除對象的雜質的種類及量，適宜使用公知的拋光研磨用組成物。拋光研磨用組成物中所含的成分並無特別限制，例如可列舉聚乙烯基醇等水溶性聚合物、作為分散介質的水、及硝酸等酸。另外，作為拋光研磨處理的一實施形態，較佳為使用所述洗淨液作為拋光研磨用組成物並對半導體基板實施拋光研磨處理。關於拋光研磨處理中使用的研磨裝置及研磨條件等，可根據半導體基板的種類及去除對象物等，自公知的裝置及條件中適宜選擇。作為拋光研磨處理，例如可列舉國際公開第2017/169539號的段落[0085]～段落[0088]中記載的處理，將該內容組入本說明書中。

〔半導體基板的洗淨方法〕半導體基板的洗淨方法若包括使用所述洗淨液對實施CMP處理後的半導體基板進行洗淨的洗淨步驟，則並無特別限制。半導體基板的洗淨方法較佳為包括對實施CMP處理後的半導體基板應用所述稀釋步驟中所獲得的稀釋洗淨液而進行洗淨的步驟。

使用洗淨液對半導體基板進行洗淨的洗淨步驟若為對CMP處理後的半導體基板進行的公知的方法，則並無特別限制，可適宜採用如下通常該領域中進行的方式：一邊對半導體基板供給洗淨液，一邊使刷子等洗淨構件與半導體基板的表面物理性接觸而去除殘渣物等的擦洗（scrub）洗淨；於洗淨液中浸漬半導體基板的浸漬式；一邊使半導體基板旋轉一邊滴加洗淨液的旋轉（滴加）式；以及噴霧洗淨液的噴霧（噴灑（spray））式等。於浸漬式的洗淨中，就可進一步減低殘存於半導體基板的表面的雜質的方面而言，較佳為對浸漬有半導體基板的洗淨液實施超音波處理。所述洗淨步驟可實施僅一次，亦可實施兩次以上。於進行兩次以上的洗淨的情況下，可反覆進行相同的方法，亦可將不同的方法組合。

作為半導體基板的洗淨方法，可採用逐片方式、及分批方式的任一者。逐片方式通常是一片一片地處理半導體基板的方式，分批方式通常是同時對多片半導體基板進行處理的方式。

半導體基板的洗淨中使用的洗淨液的溫度若為通常該領域中進行的溫度，則並無特別限制。通常於室溫（約25℃）下進行洗淨，但為了提高洗淨性或抑制對於構件的損傷性，溫度可任意選擇。例如，作為洗淨液的溫度，較佳為10℃～60℃，更佳為15℃～50℃。

半導體基板的洗淨中的洗淨時間並無特別限制，就實用方面而言，較佳為10秒～2分鐘，更佳為20秒～1分鐘30秒，進而佳為30秒～1分鐘。

半導體基板的洗淨步驟中的洗淨液的供給量（供給速度）並無特別限制，較佳為50 mL/分鐘～5000 mL/分鐘，更佳為500 mL/分鐘～2000 mL/分鐘。

於半導體基板的洗淨中，為了進一步增進洗淨液的洗淨能力，亦可使用機械攪拌方法。作為機械攪拌方法，例如可列舉：於半導體基板上使洗淨液循環的方法、於半導體基板上使洗淨液流過或噴霧洗淨液的方法、及利用超音波或兆頻超音波（megasonic）攪拌洗淨液的方法等。

於所述半導體基板的洗淨後，亦可進行用溶媒沖洗半導體基板而加以清潔的步驟（以下稱為「淋洗步驟」）。淋洗步驟較佳為於半導體基板的洗淨步驟之後連續進行，且為使用淋洗溶媒（淋洗液）沖洗5秒～5分鐘的步驟。淋洗步驟亦可使用所述機械攪拌方法進行。

作為淋洗液，例如可列舉：水（較佳為去離子（DI：De Ionize）水）、甲醇、乙醇、異丙醇、N-甲基吡咯啶酮、γ-丁內酯、二甲基亞碸、乳酸乙酯、及丙二醇單甲醚乙酸酯。另外，亦可利用pH值超過8.0的水性淋洗液（稀釋後的水性氫氧化銨等）。作為使淋洗液與半導體基板接觸的方法，可同樣地應用使所述洗淨液與半導體基板接觸的方法。

另外，亦可於所述淋洗步驟之後進行使半導體基板乾燥的乾燥步驟。乾燥方法並無特別限制，例如可列舉：旋轉乾燥法、於半導體基板上使乾性氣體流過的方法、藉由加熱板或紅外線燈般的加熱機構對基板進行加熱的方法、馬蘭哥尼（Marangoni）乾燥法、羅塔哥尼（Rotagoni）乾燥法、IPA（異丙醇，isopropyl alcohol）乾燥法、及該些的任意的組合。 [實施例]

以下，基於實施例對本發明更詳細地進行說明。以下實施例中所示的材料、使用量、及比例等只要不脫離本發明的主旨則可適宜變更。因此，本發明的範圍並不由以下所示的實施例來限定性地解釋。

於以下的實施例中，洗淨液的pH值是使用pH值計（堀場製作所股份有限公司製造，型號「F-74」）並依據JIS Z8802-1984於25℃下進行測定。另外，實施例及比較例的洗淨液的製造、容器的操作、洗淨液的調液、填充、保管、及分析測定全部是於滿足ISO等級2以下的水準的潔淨室內進行測定。

[洗淨液的原料] 作為洗淨液的原料，使用以下所示的洗淨液中所含的成分。再者，實施例中所使用的各成分均是使用被分類為半導體品級的成分，或者被分類為以此為基準的高純度品級的成分。

〔化合物（1）〕 ·Tris：三(2-羥基乙基)甲基氫氧化銨 ·TEAH：四乙基氫氧化銨 ·膽鹼（Choline）：2-羥基乙基三甲基氫氧化銨（膽鹼） ·Bis：雙(2-羥基乙基)二甲基氫氧化銨〔比較用化合物〕 ·TMAH：四甲基氫氧化銨〔三級胺〕 ·DMMEA：2-(二甲基胺基)乙醇 ·DMAMP：2-(二甲基胺基)-2-甲基-1-丙醇 ·三甲基胺（Trimethyl amine）〔化合物（2）〕 ·琥珀酸 ·草酸 ·丙二酸 ·戊二酸 ·己二酸 ·酒石酸〔第一胺基醇〕 ·MEA（D1）：單乙醇胺 ·AEE（D2）：2-(2-胺基乙基胺基)乙醇 ·AMP（D3）：2-胺基-2-甲基-1-丙醇〔pH值調整劑、水〕於實施例及比較例中的洗淨液的製造步驟中，使用作為pH值調整劑的氫氧化鉀（KOH）及硫酸（H₂ SO₄ ）的任一者、以及市售的超純水（富士軟片和光純藥（股）製造）。再者，pH值調整劑（氫氧化鉀或硫酸）的含量於任一實施例及比較例的洗淨液中，相對於洗淨液的總質量均是2質量%以下。〔其他成分〕 ·非離子系X：下述表示的化合物

[化3]

[洗淨液的製造] 接著，以實施例1為例對洗淨液的製造方法進行說明。於超純水中，以最終所獲得的洗淨液成為表1中記載的配方的量分別添加Tris、DMMEA、琥珀酸、及MEA後，以所製備的洗淨液的pH值成為13.5的方式添加pH值調整劑。藉由對所獲得的混合液充分進行攪拌，獲得實施例1的洗淨液。

依據實施例1的製造方法，分別製造具有表1所示的組成的各實施例及比較例的洗淨液。再者，各實施例或比較例的洗淨液的pH值均是13.5。

[試驗] 〔洗淨性能的評價〕評價對CMP後的金屬膜進行洗淨時的洗淨性能（殘渣物去除性能）。分取各實施例及各比較例的洗淨液1 mL，利用超純水以按照體積比計為100倍進行稀釋，製備稀釋洗淨液的樣品。使用FREX300S-II（研磨裝置，荏原製作所公司製造），於將研磨壓力設為2.0 psi、將研磨液供給速度設為0.28 ml/（min·cm² ）、將研磨時間設為60秒的條件下，對表面具有包含銅的金屬膜的晶圓（直徑12英吋）進行研磨。於具有包含銅的金屬膜的晶圓的研磨時，使用BSL8180C（商品名，富士軟片電子材料（FUJIFILM Electronic Materials）公司製造）作為研磨液。其後，使用調整為室溫（23℃）的各稀釋洗淨液的樣品，擦洗洗淨60分鐘，並進行乾燥處理。使用缺陷檢測裝置對所獲得的晶圓的研磨面的缺陷數進行檢測，利用掃描式電子顯微鏡（scanning electron microscope，SEM）觀測各缺陷，進行缺陷分類。視需要，利用能量分散型X射線分析儀（energy dispersive x-ray analyzer，EDAX）（能量分散型X射線分析裝置）對構成元素進行分析，進行成分的確定。藉此，分別求出晶圓的研磨面中的基於殘渣物的缺陷數量。依照以下評價基準來進行評價。（評價基準） A：對象缺陷數為200個以下 B：對象缺陷數超過200個且為300個以下 C：對象缺陷數超過300個且為400個以下 D：對象缺陷數超過400個且為500個以下 E：對象缺陷數超過500個

〔表面粗糙度（表面平滑性）的評價〕分取各實施例及各比較例的洗淨液2 mL，利用超純水以按照體積比計為100倍進行稀釋，製備稀釋洗淨液的樣品。對表面具有包含銅的金屬膜的晶圓（直徑12英吋）進行切割，分別準備2 cm的晶圓試片（coupon）。將各金屬膜的厚度設為500 nm。將晶圓浸漬於利用所述方法製造的稀釋洗淨液的樣品中，於室溫下（23℃），以攪拌轉數250 rpm求出各金屬膜的30分鐘後的表面粗糙度（Ra）。關於測定區域，是於4.0 μm中進行評價，並使用原子力顯微鏡（atomic force microscope，AFM）測定器進行評價。未處理時的Ra為2.0 nm～3.0 nm。依照以下評價基準來進行評價。（評價基準） A：Ra為3.0 nm以下 B：Ra超過3.0 nm且為3.5 nm以下 C：Ra超過3.5 nm且為4.0 nm以下 D：Ra超過4.0 nm且為4.5 nm以下 E：Ra超過4.5 nm

[結果] 將試驗結果示於以下的表1中。表中，「含量」一欄表示各成分相對於洗淨液的總質量的含量（單位：質量%）。「固體成分中的濃度」一欄表示相對於自洗淨液中去除溶媒後的成分的總質量的含量（單位：質量%）。「（D）含量」一欄表示第一胺基醇的含量（表中的D1～D3的合計含量）。「（D1）」一欄表示第一胺基醇的MEA。「（D2）」一欄表示第一胺基醇的AEE。「（D3）」一欄表示MEA及AEE以外（D1及D2以外）的第一胺基醇。「（A）/（B）」一欄表示化合物（1）的含量相對於三級胺的含量的質量比〔化合物（1）的含量/三級胺的含量〕。「（A）/（C）」一欄表示化合物（1）的含量相對於化合物（2）的含量的質量比〔化合物（1）的含量/化合物（2）的含量〕。「（B）/（C）」一欄表示三級胺的含量相對於化合物（2）的含量的質量比〔三級胺的含量/化合物（2）的含量〕。「（A）/（D）」一欄表示化合物（1）的含量相對於第一胺基醇的含量的質量比〔化合物（1）的含量/第一胺基醇的含量〕。「（B）/（D）」一欄表示三級胺的含量相對於第一胺基醇的含量的質量比〔三級胺的含量/第一胺基醇的含量〕。「（D1）/（D2）」一欄表示MEA的含量相對於AEE的含量的質量比〔MEA的含量/AEE的含量〕。於洗淨液中，既非表中作為洗淨液的成分而明確示出的成分亦非所述pH值調整劑的剩餘的成分（剩餘部分）為水。

[表1]

表1	（A）化合物（1）	（B）三級胺	（C）化合物（2）	（D）第一胺基醇
（D1） MEA	（D2） AEE	（D3）其他	（D）含量
種類	含量	固體成分中的濃度	種類	含量	固體成分中的濃度	種類	含量	固體成分中的濃度	種類	含量	固體成分中的濃度	種類	含量	固體成分中的濃度	種類	含量	固體成分中的濃度	固體成分中的濃度
實施例1	Tris	15.0%	68.2%	DMMEA	3.0%	13.6%	琥珀酸	1.0%	4.5%	MEA	3.0%	13.6%							13.6%
實施例2	TEAH	15.0%	68.2%	DMMEA	3.0%	13.6%	琥珀酸	1.0%	4.5%	MEA	3.0%	13.6%							13.6%
實施例3	膽鹼	15.0%	68.2%	DMMEA	3.0%	13.6%	琥珀酸	1.0%	4.5%	MEA	3.0%	13.6%							13.6%
實施例4	Bis	15.0%	68.2%	DMMEA	3.0%	13.6%	琥珀酸	1.0%	4.5%	MEA	3.0%	13.6%							13.6%
實施例5	Tris	3.0%	30.0%	DMMEA	3.0%	30.0%	琥珀酸	1.0%	10.0%	MEA	3.0%	30.0%							30.0%
實施例6	Tris	5.0%	41.7%	DMMEA	3.0%	25.0%	琥珀酸	1.0%	8.3%	MEA	3.0%	25.0%							25.0%
實施例7	Tris	10.0%	58.8%	DMMEA	3.0%	17.6%	琥珀酸	1.0%	5.9%	MEA	3.0%	17.6%							17.6%
實施例8	Tris	20.0%	74.1%	DMMEA	3.0%	11.1%	琥珀酸	1.0%	3.7%	MEA	3.0%	11.1%							11.1%
實施例9	Tris	25.0%	78.1%	DMMEA	3.0%	9.4%	琥珀酸	1.0%	3.1%	MEA	3.0%	9.4%							9.4%
實施例10	Tris	15.0%	68.2%	DMAMP	3.0%	13.6%	琥珀酸	1.0%	4.5%	MEA	3.0%	13.6%							13.6%
實施例11	Tris	15.0%	68.2%	三甲基胺	3.0%	13.6%	琥珀酸	1.0%	4.5%	MEA	3.0%	13.6%							13.6%
實施例12	Tris	15.0%	76.9%	DMMEA	0.5%	2.6%	琥珀酸	1.0%	5.1%	MEA	3.0%	15.4%							15.4%
實施例13	Tris	15.0%	75.0%	DMMEA	1.0%	5.0%	琥珀酸	1.0%	5.0%	MEA	3.0%	15.0%							15.0%
實施例14	Tris	15.0%	51.7%	DMMEA	10.0%	34.5%	琥珀酸	1.0%	3.4%	MEA	3.0%	10.3%							10.3%
實施例15	Tris	15.0%	44.1%	DMMEA	15.0%	44.1%	琥珀酸	1.0%	2.9%	MEA	3.0%	8.8%							8.8%

[表2]

表2 （表1續）	添加劑	（A） /（B）	（A） /（C）	（B） /（C）	（A） /（D）	（B） /（D）	（D1） /（D2）	pH值調整劑	水	稀釋後的 pH值	評價結果
洗淨性能	表面粗糙度
種類	含量	固體成分中的濃度	含量
實施例1				5.00	15.00	3.00	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.1	B	B
實施例2				5.00	15.00	3.00	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.3	D	D
實施例3				5.00	15.00	3.00	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	11.6	C	C
實施例4				5.00	15.00	3.00	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.2	C	B
實施例5				1.00	3.00	3.00	1.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	11.4	B	C
實施例6				1.67	5.00	3.00	1.67	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	11.3	B	B
實施例7				3.33	10.00	3.00	3.33	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	11.7	B	B
實施例8				6.67	20.00	3.00	6.67	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.1	B	B
實施例9				8.33	25.00	3.00	8.33	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.2	B	C
實施例10				5.00	15.00	3.00	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.3	B	B
實施例11				5.00	15.00	3.00	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.1	D	B
實施例12				30.00	15.00	0.50	5.00	0.17		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.1	C	B
實施例13				15.00	15.00	1.00	5.00	0.33		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.1	B	B
實施例14				1.50	15.00	10.00	5.00	3.33		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.1	B	B
實施例15				1.00	15.00	15.00	5.00	5.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.2	C	B

[表3]

表3	（A）化合物（1）	（B）三級胺	（C）化合物（2）	（D）第一胺基醇
（D1） MEA	（D2） AEE	（D3）其他	（D）含量
種類	含量	固體成分中的濃度	種類	含量	固體成分中的濃度	種類	含量	固體成分中的濃度	種類	含量	固體成分中的濃度	種類	含量	固體成分中的濃度	種類	含量	固體成分中的濃度	固體成分中的濃度
實施例16	Tris	15.0%	69.8%	DMMEA	3.0%	14.0%	琥珀酸	0.5%	2.3%	MEA	3.0%	14.0%							14.0%
實施例17	Tris	15.0%	62.5%	DMMEA	3.0%	12.5%	琥珀酸	3.0%	12.5%	MEA	3.0%	12.5%							12.5%
實施例18	Tris	15.0%	57.7%	DMMEA	3.0%	11.5%	琥珀酸	5.0%	19.2%	MEA	3.0%	11.5%							11.5%
實施例19	Tris	15.0%	48.4%	DMMEA	3.0%	9.7%	琥珀酸	10.0%	32.3%	MEA	3.0%	9.7%							9.7%
實施例20	Tris	15.0%	45.5%	DMMEA	3.0%	9.1%	琥珀酸	12.0%	36.4%	MEA	3.0%	9.1%							9.1%
實施例21	Tris	15.0%	68.2%	DMMEA	3.0%	13.6%	草酸	1.0%	4.5%	MEA	3.0%	13.6%							13.6%
實施例22	Tris	15.0%	68.2%	DMMEA	3.0%	13.6%	丙二酸	1.0%	4.5%	MEA	3.0%	13.6%							13.6%
實施例23	Tris	15.0%	68.2%	DMMEA	3.0%	13.6%	戊二酸	1.0%	4.5%	MEA	3.0%	13.6%							13.6%
實施例24	Tris	15.0%	68.2%	DMMEA	3.0%	13.6%	己二酸	1.0%	4.5%	MEA	3.0%	13.6%							13.6%
實施例25	Tris	15.0%	68.2%	DMMEA	3.0%	13.6%	檸檬酸	1.0%	4.5%	MEA	3.0%	13.6%							13.6%
實施例26	Tris	3.0%	25.0%	DMMEA	5.0%	41.7%	琥珀酸	1.0%	8.3%	MEA	3.0%	25.0%							25.0%
實施例27	Tris	15.0%	77.3%	DMMEA	0.4%	2.1%	琥珀酸	1.0%	5.2%	MEA	3.0%	15.5%							15.5%
實施例28	Tris	15.0%	41.7%	DMMEA	3.0%	8.3%	琥珀酸	15.0%	41.7%	MEA	3.0%	8.3%							8.3%
實施例29	Tris	15.0%	38.5%	DMMEA	3.0%	7.7%	琥珀酸	18.0%	46.2%	MEA	3.0%	7.7%							7.7%
實施例30	Tris	15.0%	70.1%	DMMEA	3.0%	14.0%	琥珀酸	0.4%	1.9%	MEA	3.0%	14.0%							14.0%
實施例31	Tris	15.0%	63.8%	DMMEA	0.5%	2.1%	琥珀酸	5.0%	21.3%	MEA	3.0%	12.8%							12.8%
實施例32	Tris	15.0%	56.6%	DMMEA	0.5%	1.9%	琥珀酸	8.0%	30.2%	MEA	3.0%	11.3%							11.3%
實施例33	Tris	15.0%	44.4%	DMMEA	15.0%	44.4%	琥珀酸	0.8%	2.4%	MEA	3.0%	8.9%							8.9%

[表4]

表4 （表3續）	添加劑	（A） /（B）	（A） /（C）	（B） /（C）	（A） /（D）	（B） /（D）	（D1） /（D2）	pH值調整劑	水	稀釋後的 pH值	評價結果
洗淨性能	表面粗糙度
種類	含量	固體成分中的濃度	含量
實施例16				5.00	30.00	6.00	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.3	C	B
實施例17				5.00	5.00	1.00	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.3	B	B
實施例18				5.00	3.00	0.60	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.2	B	B
實施例19				5.00	1.50	0.30	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	11.7	B	B
實施例20				5.00	1.25	0.25	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	11.8	B	C
實施例21				5.00	15.00	3.00	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.2	B	C
實施例22				5.00	15.00	3.00	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.1	B	B
實施例23				5.00	15.00	3.00	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.0	B	B
實施例24				5.00	15.00	3.00	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.3	B	B
實施例25				5.00	15.00	3.00	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.1	C	C
實施例26				0.60	3.00	5.00	1.00	1.67		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	10.6	C	C
實施例27				37.50	15.00	0.40	5.00	0.13		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.1	C	C
實施例28				5.00	1.00	0.20	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	11.5	B	C
實施例29				5.00	0.83	0.17	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	11.7	C	C
實施例30				5.00	37.50	7.50	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.4	C	C
實施例31				30.00	3.00	0.10	5.00	0.17		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	11.8	B	C
實施例32				30.00	1.88	0.06	5.00	0.17		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	11.9	C	C
實施例33				1.00	18.75	18.75	5.00	5.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.1	C	C

[表5]

表5	（A）化合物（1）	（B）三級胺	（C）化合物（2）	（D）第一胺基醇
（D1） MEA	（D2） AEE	（D3）其他	（D）含量
種類	含量	固體成分中的濃度	種類	含量	固體成分中的濃度	種類	含量	固體成分中的濃度	種類	含量	固體成分中的濃度	種類	含量	固體成分中的濃度	種類	含量	固體成分中的濃度	固體成分中的濃度
實施例34	Tris	15.0%	66.7%	DMMEA	3.0%	13.3%	琥珀酸	1.0%	4.4%	MEA	3.0%	13.3%	AEE	0.5%	2.2%				15.6%
實施例35	Tris	15.0%	60.0%	DMMEA	3.0%	12.0%	琥珀酸	1.0%	4.0%	MEA	3.0%	12.0%				AMP	3.0%	12.0%	24.0%
實施例36	Tris	15.0%	66.7%	DMMEA	3.0%	13.3%	琥珀酸	1.0%	4.4%				AEE	0.5%	2.2%	AMP	3.0%	13.3%	15.6%
實施例37	Tris	15.0%	51.7%	DMMEA	3.0%	10.3%	琥珀酸	1.0%	3.4%	MEA	10.0%	34.5%	AEE	0.0%	0.0%				34.5%
實施例38	Tris	15.0%	51.7%	DMMEA	3.0%	10.3%	琥珀酸	1.0%	3.4%	MEA	10.0%	34.5%	AEE	0.0%	0.1%				34.5%
實施例39	Tris	15.0%	67.9%	DMMEA	3.0%	13.6%	琥珀酸	1.0%	4.5%	MEA	3.0%	13.6%	AEE	0.1%	0.5%				14.0%
實施例40	Tris	15.0%	65.2%	DMMEA	3.0%	13.0%	琥珀酸	1.0%	4.3%	MEA	3.0%	13.0%	AEE	1.0%	4.3%				17.4%
實施例41	Tris	15.0%	63.8%	DMMEA	3.0%	12.8%	琥珀酸	1.0%	4.3%	MEA	1.5%	6.4%	AEE	3.0%	12.8%				19.1%
實施例42	Tris	15.0%	61.2%	DMMEA	3.0%	12.2%	琥珀酸	1.0%	4.1%	MEA	1.5%	6.1%	AEE	4.0%	16.3%				22.4%
實施例43	Tris	15.0%	65.2%	DMMEA	3.0%	13.0%	琥珀酸1%+ 己二酸1%	2.0%	8.7%	MEA	3.0%	13.0%							13.0%
實施例44	Tris	15.0%	65.2%	DMMEA	3.0%	13.0%	琥珀酸1%+ 酒石酸1%	2.0%	8.7%	MEA	3.0%	13.0%							13.0%
實施例45	Tris	15.0%	67.9%	DMMEA	3.0%	13.6%	琥珀酸	1.0%	4.5%	MEA	3.0%	13.6%							13.6%
比較例1	TMAH	15.0%	68.2%	DMMEA	3.0%	13.6%	琥珀酸	1.0%	4.5%	MEA	3.0%	13.6%							13.6%
比較例2				DMMEA	3.0%	42.9%	琥珀酸	1.0%	14.3%	MEA	3.0%	42.9%							42.9%
比較例3	Tris	15.0%	78.9%				琥珀酸	1.0%	5.3%	MEA	3.0%	15.8%							15.8%
比較例4	Tris	15.0%	71.4%	DMMEA	3.0%	14.3%				MEA	3.0%	14.3%							14.3%
比較例5	Tris	15.0%	78.9%	DMMEA	3.0%	15.8%	琥珀酸	1.0%	5.3%

[表6]

表6 （表5續）	添加劑	（A） /（B）	（A） /（C）	（B） /（C）	（A） /（D）	（B） /（D）	（D1） /（D2）	pH值調整劑	水	稀釋後的 pH值	評價結果
洗淨性能	表面粗糙度
種類	含量	固體成分中的濃度	含量
實施例34				5.00	15.00	3.00	4.29	0.86	6.00	H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.2	A	A
實施例35				5.00	15.00	3.00	2.50	0.50		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.3	A	B
實施例36				5.00	15.00	3.00	4.29	0.86		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.4	B	A
實施例37				5.00	15.00	3.00	1.50	0.30	1000.00	H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.3	C	A
實施例38				5.00	15.00	3.00	1.50	0.30	500.00	H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.1	B	A
實施例39				5.00	15.00	3.00	4.84	0.97	30.00	H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.1	A	A
實施例40				5.00	15.00	3.00	3.75	0.75	3.00	H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.3	A	A
實施例41				5.00	15.00	3.00	3.33	0.67	0.50	H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.1	A	B
實施例42				5.00	15.00	3.00	2.73	0.55	0.38	H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.3	A	C
實施例43				5.00	7.50	1.50	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.1	B	A
實施例44				5.00	7.50	1.50	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.1	B	A
實施例45	非離子系X	0.10%	0.5%	5.00	15.00	3.00	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.4	A	B
比較例1				5.00	15.00	3.00	5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.3	E	C
比較例2						3.00		1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	10.3	E	D
比較例3					15.00		5.00			H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	10.2	D	E
比較例4				5.00			5.00	1.00		H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.2	E	D
比較例5				5.00	15.00	3.00				H₂ SO₄ /KOH	剩餘部分	12.2	D	E

根據評價結果，確認到：於使用本發明的洗淨液的情況下，可獲得所期望的效果。根據實施例1、實施例3及實施例4、與實施例2的比較，確認到：於式（1）中R¹ ～R⁴ 中的至少一個為羥基烷基的情況下，效果更優異。根據實施例1及實施例4、與實施例2及實施例3的比較，確認到：於式（1）中R¹ ～R⁴ 中的至少兩個為羥基烷基的情況下，效果更優異。根據實施例1、與實施例2～實施例4的比較，確認到：於式（1）所表示的化合物包含三(2-羥基乙基)甲基氫氧化銨的情況下，效果更優異。根據實施例1及實施例10、與實施例11的比較，確認到：於三級胺為第二胺基醇的情況下，效果更優異。根據實施例1、與實施例11的比較，確認到：於三級胺包含2-(二甲基胺基)乙醇的情況下，效果更優異。根據實施例5～實施例9及實施例12～實施例15、與實施例26及實施例27的比較，確認到：於式（1）所表示的化合物的含量相對於三級胺的含量的質量比（（A）/（B））為1.00～30.00的情況下，效果更優異。根據實施例1及實施例6～實施例8、與實施例5及實施例9的比較，確認到：於式（1）所表示的化合物的含量相對於第一胺基醇的含量的質量比（（A）/（D））為1.50～7.00的情況下，效果更優異。根據實施例1及實施例13～實施例14、與實施例12及實施例15的比較，確認到：於三級胺的含量相對於第一胺基醇的含量的質量比（（B）/（D））為0.30～4.00的情況下，效果更優異。根據實施例34～實施例36、與實施例1的比較，確認到：於第一胺基醇包含選自由具有一級胺基的胺基醇及具有二級胺基的胺基醇所組成的群組中的至少兩個的情況下，效果更優異。根據實施例34、與實施例35～實施例36的比較，確認到：於第一胺基醇包含2-胺基乙醇及2-(2-胺基乙基胺基)乙醇的情況下，效果更優異。根據實施例34、與實施例38及實施例41的比較，確認到：於第一胺基醇包含2-胺基乙醇及2-(2-胺基乙基胺基)乙醇、且2-胺基乙醇的含量相對於2-(2-胺基乙基胺基)乙醇的含量的質量比為0.50～900.00的情況下，效果更優異。

於所述洗淨性能的評價試驗中，對表面具有包含銅的金屬膜的晶圓分別進行CMP處理後，對研磨後的晶圓的表面實施拋光研磨處理。於拋光研磨處理中，使用調整為室溫（23℃）的各稀釋洗淨液的樣品作為拋光研磨用組成物。另外，使用所述CMP處理中所使用的研磨裝置，於研磨壓力：2.0 psi、拋光研磨用組成物的供給速度：0.28 mL/（分鐘·cm² ）、研磨時間：60秒的條件下，進行拋光研磨處理。其後，使用調整為室溫（23℃）的各稀釋洗淨液的樣品，歷時30秒對實施拋光研磨處理後的晶圓進行洗淨，繼而，進行乾燥處理。對於所獲得的晶圓的研磨面，依照所述〔洗淨性能的評價〕的評價試驗方法，評價洗淨液的洗淨性能，結果，確認到顯示出與所述各實施例的洗淨液相同的評價結果。

無

Claims

一種半導體基板用洗淨液，其用於對半導體基板進行洗淨，所述半導體基板用洗淨液包含：式（1）所表示的化合物、式（2）所表示的化合物、具有一級胺基或二級胺基的第一胺基醇、三級胺、及溶媒，
式（1）中，R¹ ～R⁴ 分別獨立地表示可具有取代基的烴基；X^- 表示陰離子；其中，R¹ ～R⁴ 全部表示甲基的情況除外；
式（2）中，L表示單鍵或二價連結基。
如請求項1所述的半導體基板用洗淨液，其中所述式（1）中，R¹ ～R⁴ 中的至少一個為羥基烷基。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述式（1）中，R¹ ～R⁴ 中的至少兩個為羥基烷基。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述式（1）所表示的化合物包含三(2-羥基乙基)甲基氫氧化銨。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述式（1）所表示的化合物的含量相對於自所述半導體基板用洗淨液去除溶媒後的成分的總質量而為20.0質量%～80.0質量%。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述三級胺為具有三級胺基的第二胺基醇。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述三級胺包含2-(二甲基胺基)乙醇。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述三級胺的含量相對於自所述半導體基板用洗淨液去除溶媒後的成分的總質量而為3.0質量%～35.0質量%。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述式（2）所表示的化合物的含量相對於自所述半導體基板用洗淨液去除溶媒後的成分的總質量而為2.0質量%～50.0質量%。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述式（1）所表示的化合物的含量相對於所述三級胺的含量的質量比為1.00～30.00。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述式（1）所表示的化合物的含量相對於所述第一胺基醇的含量的質量比為1.50～7.00。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述三級胺的含量相對於所述第一胺基醇的含量的質量比為0.30～4.00。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述第一胺基醇的碳數相對於所述第一胺基醇的氮數的比為2～5。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述第一胺基醇包含選自由具有一級胺基的胺基醇及具有二級胺基的胺基醇所組成的群組中的至少兩個。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述第一胺基醇包含選自由2-胺基乙醇及2-(2-胺基乙基胺基)乙醇所組成的群組中的至少一個。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述第一胺基醇包含2-胺基乙醇及2-(2-胺基乙基胺基)乙醇。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述第一胺基醇包含2-胺基乙醇及2-(2-胺基乙基胺基)乙醇，且所述2-胺基乙醇的含量相對於所述2-(2-胺基乙基胺基)乙醇的含量的質量比為0.50～900.00。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述溶媒包含水。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其中所述半導體基板用洗淨液的pH值為8.0～13.0。
如請求項1或請求項2所述的半導體基板用洗淨液，其用於適用實施化學機械研磨處理後的半導體基板並進行洗淨。