TW202200234A - 中子捕獲治療系統及用於中子捕獲治療系統的射束整形體 - Google Patents

Abstract

一種用於中子捕獲治療系統的射束整形體，能夠防止射束整形體材料本身變形損壞，改善中子射源的通量與品質。本發明的用於中子捕獲治療系統的射束整形體，該中子捕獲治療系統包括中子產生裝置，中子產生裝置包括加速器和靶材，加速器加速產生的帶電粒子線與靶材作用產生中子，中子形成中子束，中子束限定一根主軸，射束整形體包括主體部和支撐該主體部的支撐部。

Description

中子捕獲治療系統及用於中子捕獲治療系統的射束整形體

本發明係有關於一種輻射線照射系統，特別是有關於一種中子捕獲治療系統。

隨著原子科學的發展，例如鈷六十、直線加速器、電子射束等放射線治療已成為癌症治療的主要手段之一。然而，傳統光子或電子治療受到放射線本身物理條件的限制，在殺死腫瘤細胞的同時，也會對射束途徑上大量的正常組織造成傷害；另外，由於腫瘤細胞對放射線敏感程度的不同，傳統放射治療對於較具抗輻射性的惡性腫瘤(如：多型性膠質母細胞瘤(glioblastoma multiforme)、黑色素細胞瘤(melanoma))的治療成效往往不佳。

為了減少腫瘤周邊正常組織的輻射傷害，化學治療(chemotherapy)中的標靶治療概念便被應用於放射線治療中；而針對高抗輻射性的腫瘤細胞，目前也積極發展具有高相對生物效應(relative biological effectiveness,RBE)的輻射源，如質子治療、重粒子治療、中子捕獲治療等。其中，中子捕獲治療便是結合上述兩種概念，如硼中子捕獲治療，藉由含硼藥物在腫瘤細胞的特異性聚集，配合精準的中子射束調控，提供比傳統放射線更好的癌症治療選擇。

硼中子捕獲治療(Boron Neutron Capture Therapy,BNCT)是利用含硼(¹⁰B)藥物對熱中子具有高捕獲截面的特性，藉由¹⁰B(n,α)⁷Li中子捕獲及核分裂反應產生⁴He和⁷Li兩個重荷電粒子。參照圖1和圖2，其分別示出了硼中子捕獲反應的示意圖和¹⁰B(n,α)⁷Li中子捕獲核反應方程式，兩荷電粒子的平均能量約為2.33MeV，具有高直線能量轉移(Linear Energy Transfer,LET)、短射程特徵，α粒子的直線能量轉移與射程分別為150keV/μm、8μm，而⁷Li重荷粒子則為175keV/μm、5μm，兩粒子的總射程約相當於一個細胞大小，因此對於生物體造成的輻射傷害能侷限在細胞層級，當含硼藥物選擇性地聚集在腫瘤細胞中，搭配適當的中子射源，便能在不對正常組織造成太大傷害的前提下，達到局部殺死腫瘤細胞的目的。

因硼中子捕獲治療的成效取決於腫瘤細胞位置含硼藥物濃度和熱中子數量，故又被稱為二元放射線癌症治療(binary cancer therapy)；由此可知，除了含硼藥物的開發，中子射源通量與品質的改善在硼中子捕獲治療的研究中佔有重要角色。

因此，有必要提出一種新的技術方案以解決上述問題。

為了改善中子射源的通量與品質，本發明的一個方面提供一種用於中子捕獲治療系統的射束整形體，該中子捕獲治療系統包括中子產生裝置，中子產生裝置包括加速器和靶材，加速器加速產生的帶電粒子線與靶材作用產生中子，中子形成中子束，中子束限定一根主軸，射束整形體包括主體部和支撐該主體部的支撐部，主體部包括緩速體、反射體 和輻射屏蔽體，緩速體將自靶材產生的中子減速至超熱中子能區，反射體包圍緩速體並將偏離主軸的中子導回至主軸以提高超熱中子束強度，輻射屏蔽體用於屏蔽滲漏的中子和光子以減少非照射區的正常組織劑量。通過設置支撐部可以防止主體部材料本身變形損壞，影響換靶及射束品質。

進一步地，支撐部包括圍繞主軸周向封閉的外壁，外壁包圍形成容納部，主體部設置在容納部內，容納部包括至少一個容納單元，每個容納單元容納緩速體、反射體和輻射屏蔽體中的至少1個。

更進一步地，支撐部還包括沿中子束方向分別設置在外壁兩側並與外壁連接的第一、第二側板、沿中子束方向設置在第一、第二側板之間的至少一個橫板和圍繞主軸周向封閉並延伸在第一、第二側板之間或橫板和第一/第二側板之間或橫板和橫板之間的至少一個內壁，第一側板上設置加速器的傳輸管穿過的孔，第二側板上設置形成射束出口的孔，外壁、內壁、橫板和第一、第二側板之間形成多個容納單元，輻射屏蔽體包括中子屏蔽體和光子屏蔽體，至少一個容納單元同時容納緩速體/中子屏蔽體和反射體。

作為一種優選地，內壁包括第一、第二內壁，橫板包括第一橫板，第一內壁延伸在第一側板和第一橫板之間並用於安裝傳輸管，第二內壁從第一橫板沿中子束方向延伸並用於容納緩速體的至少一部分。

進一步地，緩速體包括基本部分和補充部分，容納單元包括鄰接的第一容納單元和第二容納單元，基本部分容納在第一容納單元內，基本部分在朝向第一側板的一端設置中心孔，中心孔用於容納傳輸管和靶材，補充部分和反射體的至少一部分容納在第二容納單元內，第一容納單元 由第二內壁包圍形成，第一內壁到主軸的徑向距離小於第二內壁到主軸的徑向距離。緩速體的基本部分包圍靶材，使得由靶材產生的中子在各個方向均能被有效緩速，能進一步提升中子通量和射束品質。

更進一步地，基本部分的材料為含Li-6的氟化鎂，基本部分同時作為熱中子吸收體，補充部分包括第一、第二補充單元，第一補充單元的材料為鋁合金，第二補充單元的材料為特氟龍，反射體的材料為鉛，反射體同時作為光子屏蔽體，第一、第二補充單元整體設置成兩個相反方向相互鄰接的錐體狀並將第二容納單元內的反射體分為兩個部分，第一、第二補充單元沿中子束方向依次設置，第一、第二補充單元的分介面垂直於中子束方向。鋁合金塊和特氟龍塊分別作為緩速體的第一、第二補充單元，可以降低緩速體的製造成本，同時，不會對射束品質有較大的影響，第一、第二補充部分單元整體設置成兩個相反方向相互鄰接的錐體狀，能夠獲得更好的射束品質及治療效果。特氟龍同時具有更好的快中子吸收效果，可以降低射束中的快中子含量。

更進一步地，第一容納單元內氟化鎂塊和定位環/止位環之間還設置鉛板屏蔽板，基本部分和屏蔽板沿中子束方向依次設置，定位環和止位環採用經活化反應後產生的活化核的固有半衰期很短的材料製成，屏蔽板的材料為鉛，鉛板屏蔽板在中子束方向的厚度小於等於5cm，不會反射穿過緩速體的中子，同時鉛可以吸收緩速體中釋放的伽瑪射線。外壁、至少一個內壁和至少一個橫板一體形成主框架，主框架、第一、第二側板的材料被中子活化後產生的放射性同位素半衰期小於7天，主框架、第一、第二側板的材料為鋁合金、鈦合金、鉛銻合金、鑄鋁、不含鈷 的鋼材、碳纖維、PEEK或高分子聚合物。主框架的材料選擇鋁合金時，具有較好的力學性能且被中子活化後產生的放射性同位素半衰期短；第一、第二側板的材料選擇鉛銻合金時，鉛能夠起到進一步屏蔽輻射的作用，同時鉛銻合金強度較高。

作為一種優選地，容納單元包括第三容納單元，中子屏蔽體的至少一部分和反射體的至少一部分容納在第三容納單元內，中子屏蔽體的材料為PE，反射體的材料為鉛，反射體同時作為光子屏蔽體，第三容納單元內的反射體和中子屏蔽體沿中子束方向依次設置，第三容納單元內的反射體和中子屏蔽體的分介面垂直於中子束方向。

作為一種優選地，支撐部還包括將容納單元在周向分為若干子區域的徑向隔板，徑向隔板設置在第一、第二側板之間或橫板和第一/第二側板之間或橫板和橫板之間，並從外壁延伸到內壁或延伸在兩個內壁之間。

本發明另一方面提供了一種用於中子捕獲治療系統的射束整形體，中子捕獲治療系統包括中子產生裝置，中子產生裝置產生的中子形成中子束，射束整形體能夠調整中子束的射束品質，射束整形體包括支撐部和填充在支撐部內的主體部，支撐部形成至少一個容納單元，每個容納單元容納主體部的至少一部分。通過設置支撐部可以防止主體部材料本身變形損壞，影響換靶及射束品質。

本發明第三方面提供了一種用於中子捕獲治療系統的射束整形體，中子捕獲治療系統包括中子產生裝置，中子產生裝置包括加速器和靶材，加速器加速產生的帶電粒子線與靶材作用產生中子，中子形成 中子束，中子束限定一根主軸，射束整形體包括緩速體、反射體和輻射屏蔽體，緩速體將中子產生裝置產生的中子減速至超熱中子能區，反射體包圍緩速體並將偏離主軸的中子導回至主軸以提高超熱中子束強度，輻射屏蔽體用於屏蔽滲漏的中子和光子以減少非照射區的正常組織劑量，緩速體包括基本部分和包圍基本部分的補充部分，射束整形體還包括用於支撐射束整形體的支撐部，支撐部包括圍繞主軸的壁，基本部分和補充部分的材料不同並由壁間隔開。通過設置支撐部可以防止射束整形體主體材料變形損壞，影響換靶及射束品質；補充部分選用較易獲得的材料，可以降低緩速體的製造成本，同時具有一定的中子緩速作用，不會對射束品質有較大的影響。

作為一種優選地，壁包括沿中子束方向依次設置並圍繞中子束方向周向封閉的第一壁、第二壁及連接第一壁和第二壁的橫板，橫板垂直於中子束方向延伸，第一壁用於安裝加速器的傳輸管，第二壁形成緩速體的基本部分的容納腔；基本部分的材料包括D₂O、Al、AlF₃、MgF₂、CaF₂、LiF、Li₂CO₃或Al₂O₃中的至少一種，與快中子作用截面大、超熱中子作用截面小，具有較好的緩速作用；基本部分含Li-6，基本部分同時作為熱中子吸收體。

進一步地，基本部分包括與中子束方向基本垂直的第一、第二端面，第一、第二端面沿中子束方向依次設置，第一端面設置中心孔，中心孔用於容納傳輸管和靶材，第一壁到主軸的徑向距離小於第二壁到主軸的徑向距離，緩速體的基本部分包圍靶材，使得由靶材產生的中子在各個方向均能被有效緩速，能進一步提升中子通量和射束品質。與第 二端面鄰接設置屏蔽板，屏蔽板為鉛板，鉛可以吸收緩速體中釋放的伽瑪射線，屏蔽板在中子束方向的厚度小於等於5cm，不會反射穿過緩速體的中子。

作為另一種優選地，支撐部還包括將補充部分在圍繞主軸的周向上分為至少兩個子模組的徑向隔板，徑向隔板所在的平面延伸穿過主軸，至少兩個子模組由徑向隔板間隔開。

作為另一種優選地，補充部分包括鄰接的第一、第二補充單元，基本部分、第一、第二補充單元的材料均不同，基本部分為柱狀，第一和第二補充單元整體設置成包括至少一個錐體狀的形狀，能夠獲得更好的射束品質及治療效果。

進一步地，第一補充單元的材料包括Zn、Mg、Al、Pb、Ti、La、Zr、Bi、Si、C中的至少一種，第二補充單元的材料為特氟龍或石墨。第一、第二補充單元沿中子束方向依次設置，第一、第二補充單元整體設置成兩個相反方向相互鄰接的錐體狀。緩速體第一補充部分選用較易獲得的材料，可以降低緩速體的製造成本，同時具有一定的中子緩速作用，不會對射束品質有較大的影響；第二補充部分選用比第一補充部分的快中子吸收效果更好的材料，可以降低射束中的快中子含量。

進一步地，第一補充單元設置成兩個相反方向相互鄰接的錐體狀，第一補充單元包括沿中子束方向依次設置的第一錐體部和第二錐體部，第一錐體部的外輪廓的徑向尺寸沿中子束方向整體趨勢逐漸變大，第二錐體部在第一錐體部外輪廓的徑向尺寸最大處與第一錐體部連接，第二錐體部的外輪廓的徑向尺寸沿中子束方向整體趨勢逐漸縮小，第 二補充單元在第二錐體部外輪廓的徑向尺寸最小處與第二錐體部鄰接，第二補充單元外輪廓的徑向尺寸沿中子束方向整體趨勢逐漸縮小。

更進一步地，第一、第二補充單元在沿主軸所在的平面的橫截面輪廓為不規則四邊形或多邊形，第一補充單元在第一錐體部具有與反射體接觸的第一側、在第二錐體部具有與反射體接觸的第二側和與第二補充單元接觸的第三側、在第一和第二錐體部共同具有與壁接觸的第四側，第二補充單元具有與第一補充單元接觸的第五側、與反射體接觸的第六側、與壁接觸的第七側，第三側和第五側鄰接並作為第一、第二補充單元的分介面，分介面垂直於中子束方向。

本發明第四方面提供了一種用於中子捕獲治療系統的射束整形體，中子捕獲治療系統包括中子產生裝置，中子產生裝置產生的中子形成中子束，中子束限定一根主軸，射束整形體能夠調整中子束的射束品質，射束整形體包括支撐部和填充在支撐部內的主體部，支撐部包括支撐框架，支撐框架由坯料經加熱設備加熱後再由鍛造設備鍛造加工為柱體，柱體經粗加工和熱處理後由機械加工設備加工成型。通過設置支撐部可以防止主體部材料本身變形損壞，影響換靶及射束品質；支撐框架採用的鍛造工序和加熱次數少，組織均勻，鍛件性能好，同時節約原材料；在鍛造前對坯料進行加熱處理能夠降低變形抗力，提高塑性；鍛造後的柱體經粗加工能夠保證熱處理後支撐框架的整體材料性能。

進一步地，支撐框架的材料為鋁合金，鋁合金中Cu元素的品質百分比

7%，能夠滿足支撐框架被中子活化後產生的放射性同位素半衰期短的要求；支撐框架的抗拉強度

150MPa，屈服強度

100MPa， 能夠滿足支撐框架對射束整形體主體部的支撐。鋁合金為變形鋁合金，鍛造設備為自由鍛造設備，自由鍛造設備包括鐓粗和拔長設備。自由鍛造通過塑性成形方法改變鋁合金的組織、性能，同時能夠進一步節約原材料。

進一步地，加熱設備為輻射式電阻加熱爐，爐中帶有迴圈空氣，能夠保持溫度精準和均勻，爐溫偏差為±10℃，最高開鍛溫度是520℃，終鍛溫度是450℃，允許極限溫度是530℃。加熱時間可以根據強化相的溶解和獲得均勻化組織來確定，這種狀態下具有較好的塑性，可以提高鋁合金鍛造性能。

進一步地，主體部包括緩速體、反射體和輻射屏蔽體，緩速體將自中子產生裝置產生的中子減速至超熱中子能區，反射體包圍緩速體並將偏離主軸的中子導回至主軸以提高超熱中子束強度，輻射屏蔽體用於屏蔽滲漏的中子和光子以減少非照射區的正常組織劑量，支撐框架形成至少一個容納單元，每個容納單元容納主體部的至少一部分。

更進一步地，容納單元包括容納至少部分緩速體的第一容納單元，第一容納單元徑向上位於支撐框架的中心，粗加工為在柱體與第一容納單元相應的區域打孔。直接對柱體進行熱處理，難以保證柱體中心材料的性能，因此，通過粗加工對鍛造獲得的柱體的中心位置(即柱體與第一容納單元相應的區域)打孔，之後再進行深度熱處理，能夠保證熱處理後支撐框架靠近中心位置(形成第一容納單元的主框架部分)及整體的材料性能；同時，第一容納單元容納緩速體，此時能夠保證對緩速體的支撐，防止緩速體變形損壞，影響換靶及射束品質。

更進一步地，容納單元包括容納緩速體、反射體和輻射 屏蔽體中的至少一個的第二容納單元，支撐框架包括圍繞主軸周向封閉的外壁和至少一個內壁，外壁和內壁或內壁和內壁之間形成第二容納單元，粗加工還包括對柱體與第二容納單元相應的區域的初步加工。可以理解，也可以不對柱體與第二容納單元相應的區域做粗加工，防止粗加工後再進行熱處理時，壁厚較薄容易產生變形等。

進一步地，熱處理包括固溶處理和時效處理，把固溶處理後的鋁置於一定溫度之下，保持一定的時間，過飽和固溶體就會分解，從而引起合金的強度和硬度大幅度提高。

本發明第五方面提供了一種射束整形體支撐框架加工方法，包括：

加熱，將符合支撐框架材料要求的坯料進行一定溫度和時間的加熱；

鍛造，將加熱後的坯料鍛造加工為柱體；

粗加工，對鍛造獲得的柱體的中心位置打孔；

熱處理，對粗加工後獲得的鍛造體進行熱處理；

機械加工，將熱處理後的鍛造體進行機械加工得到最終需要的形狀和尺寸的支撐框架。

通過設置支撐框架可以防止主體部材料本身變形損壞，影響換靶及射束品質；支撐框架採用的鍛造工序和加熱次數少，組織均勻，鍛件性能好，同時節約原材料；在鍛造前對坯料進行加熱處理能夠降低變形抗力，提高塑性；對鍛造獲得的柱體的中心位置打孔之後再進行熱 處理，能夠保證熱處理後支撐框架靠近中心位置及整體的材料性能。

進一步地，在加熱步驟前，將坯料進行檢測，以符合支撐框架材料的原料要求；在鍛造步驟前，對坯料進行加工以滿足鍛造設備加工需求；鍛造為自由鍛造，包括鐓粗和拔長，在鍛件溫度不低於規程溫度的條件下反復進行上述兩種方法按照工藝進行靜態鍛打，以獲得組織內部精密的晶粒，鍛造設備具有鍛打毛坯的精度；熱處理包括固溶處理和時效處理，把固溶處理後的鋁置於一定溫度之下，保持一定的時間，過飽和固溶體就會分解，從而引起合金的強度和硬度大幅度提高；熱處理後進行理化檢測和檢驗，包括尺寸檢測、元素檢測、力學性能檢測、超聲波探傷無損檢測。

本發明之中子捕獲治療系統，其射束整形體能夠防止射束整形體材料本身變形損壞，改善中子射源的通量與品質。

【00113】100:硼中子捕獲治療系統

【00114】10:中子產生裝置

【00115】11:加速器

【00116】111:傳輸管

【00117】20:射束整形體

【00118】21:支撐部

【00119】21a:主框架

【00120】210、2101、2102:徑向隔板

【00121】211:外壁

【00122】212、213、214、215:第一、第二、第三、第四內壁

【00123】221、2211、222、2221:第一、第二側板

【00124】223、224、2241:第一、第二橫板

【00125】23:主體部

【00126】231:緩速體

【00127】232:反射體

【00128】233:輻射屏蔽體

【00129】241:PE塊

【00130】242:鉛塊

【00131】243、2431、2432、A1-A4:鋁合金塊

【00132】244、A5-A8:特氟龍塊

【00133】245、2451、2451a、A9、A10:氟化鎂塊

【00134】246:鉛板

【00135】30:準直器

【00136】40:治療台

【00137】50:輻射屏蔽裝置

【00138】200:患者

【00139】T:靶材

【00140】P:帶電粒子線

【00141】N:中子線

【00142】M:腫瘤細胞

【00143】D1:第一冷卻管

【00144】D2:第二冷卻管

【00145】X:主軸

【00146】C:容納部

【00147】C1、C2、C3、C4:第一、第二、第三、第四容納單元

【00148】L1、L2:徑向距離

圖1為硼中子捕獲反應示意圖。

圖2為¹⁰B(n,α)⁷Li中子捕獲核反應方程式。

圖3為本發明實施例的中子捕獲治療系統示意圖。

圖4為本發明實施例的中子捕獲治療系統的射束整形體的示意圖。

圖5為圖4中的支撐部的示意圖。

圖6為圖4中的緩速體的爆炸示意圖。

圖7為圖5中的主框架從中子束N方向看過去的示意圖。

圖8為圖5中的主框架從與中子束N方向相反的方向看過去 的示意圖。

圖9為圖5中的主框架加工過程的實施例的流程圖。

下面結合附圖對本發明的實施例做進一步的詳細說明，以令本領域技術人員參照說明書文字能夠據以實施。

如圖3，本實施例中的中子捕獲治療系統優選為硼中子捕獲治療系統100，包括中子產生裝置10、射束整形體20、準直器30和治療台40。中子產生裝置10包括加速器11和靶材T，加速器11對帶電粒子(如質子、氘核等)進行加速，產生如質子線的帶電粒子線P，帶電粒子線P照射到靶材T並與靶材T作用產生中子，中子形成中子束N，中子束限定一根主軸X，靶材T優選為金屬靶材。圖示及下文之中子束N方向不代表實際的中子運動方向，而是代表中子束N整體運動趨勢的方向。依據所需的中子產率與能量、可提供的加速帶電粒子能量與電流大小、金屬靶材的物化性等特性來挑選合適的核反應，常被討論的核反應有⁷Li(p,n)⁷Be及⁹Be(p,n)⁹B，這兩種反應皆為吸熱反應。兩種核反應的能量閾值分別為1.881MeV和2.055MeV，由於硼中子捕獲治療的理想中子源為keV能量等級的超熱中子，理論上若使用能量僅稍高於閾值的質子轟擊金屬鋰靶材，可產生相對低能的中子，不需太多的緩速處理便可用於臨床，然而鋰金屬(Li)和鈹金屬(Be)兩種靶材與閾值能量的質子作用截面不高，為產生足夠大的中子通量，通常選用較高能量的質子來引發核反應。理想的靶材應具備高中子產率、產生的中子能量分佈接近超熱中子能區(將在下文詳細描述)、無太多強穿輻射產生、安全便宜易於操作且耐高溫等特性，但實際上並無 法找到符合所有要求的核反應。本領域技術人員熟知的，靶材T也可以由Li、Be之外的金屬材料製成，例如由Ta或W及其合金等形成。加速器11可以是直線加速器、迴旋加速器、同步加速器、同步迴旋加速器。

硼中子捕獲治療的中子源產生的為混合輻射場，即射束包含了低能至高能的中子、光子；對於深部腫瘤的硼中子捕獲治療，除了超熱中子外，其餘的輻射線含量越多，造成正常組織非選擇性劑量沉積的比例越大，因此這些會造成不必要劑量的輻射應儘量降低。除了空氣射束品質因素，為更瞭解中子在人體中造成的劑量分佈，本發明的實施例中使用人體頭部組織假體進行劑量計算，並以假體射束品質因素來作為中子射束的設計參考，將在下文詳細描述。

國際原子能機構(IAEA)針對臨床硼中子捕獲治療用的中子源，給定了五項空氣射束品質因素建議，此五項建議可用於比較不同中子源的優劣，並供以作為挑選中子產生途徑、設計射束整形體時的參考依據。這五項建議分別如下：

超熱中子射束通量Epithermal neutron flux>1 x 10⁹n/cm²s

快中子污染Fast neutron contamination<2 x 10^-13Gy-cm²/n

光子污染Photon contamination<2 x 10^-13Gy-cm²/n

熱中子與超熱中子通量比值thermal to epithermal neutron flux ratio<0.05

中子電流與通量比值epithermal neutron current to flux ratio>0.7

注：超熱中子能區在0.5eV到40keV之間，熱中子能區小 於0.5eV，快中子能區大於40keV。

1、超熱中子射束通量：

中子射束通量和腫瘤中含硼藥物濃度共同決定了臨床治療時間。若腫瘤含硼藥物濃度夠高，對於中子射束通量的要求便可降低；反之，若腫瘤中含硼藥物濃度低，則需高通量超熱中子來給予腫瘤足夠的劑量。IAEA對於超熱中子射束通量的要求為每秒每平方釐米的超熱中子個數大於10⁹，此通量下的中子射束對於目前的含硼藥物而言可大致控制治療時間在一小時內，短治療時間除了對病人定位和舒適度有優勢外，也可較有效利用含硼藥物在腫瘤內有限的滯留時間。

2、快中子污染：

由於快中子會造成不必要的正常組織劑量，因此視之為污染，此劑量大小和中子能量呈正相關，因此在中子射束設計上應儘量減少快中子的含量。快中子污染定義為單位超熱中子通量伴隨的快中子劑量，IAEA對快中子污染的建議為小於2 x 10^-13Gy-cm²/n。

3、光子污染(γ射線污染)：

γ射線屬於強穿輻射，會非選擇性地造成射束路徑上所有組織的劑量沉積，因此降低γ射線含量也是中子束設計的必要要求，γ射線污染定義為單位超熱中子通量伴隨的γ射線劑量，IAEA對γ射線污染的建議為小於2 x 10^-13Gy-cm²/n。

4、熱中子與超熱中子通量比值：

由於熱中子衰減速度快、穿透能力差，進入人體後大部分能量沉積在皮膚組織，除黑色素細胞瘤等表皮腫瘤需用熱中子作為硼中 子捕獲治療的中子源外，針對腦瘤等深層腫瘤應降低熱中子含量。IAEA對熱中子與超熱中子通量比值建議為小於0.05。

5、中子電流與通量比值：

中子電流與通量比值代表了射束的方向性，比值越大表示中子射束前向性佳，高前向性的中子束可減少因中子發散造成的周圍正常組織劑量，另外也提高了可治療深度及擺位元姿勢彈性。IAEA對中子電流與通量比值建議為大於0.7。

利用假體得到組織內的劑量分佈，根據正常組織及腫瘤的劑量-深度曲線，推得假體射束品質因素。如下三個參數可用於進行不同中子射束治療效益的比較。

1、有效治療深度：

腫瘤劑量等於正常組織最大劑量的深度，在此深度之後的位置，腫瘤細胞得到的劑量小於正常組織最大劑量，即失去了硼中子捕獲的優勢。此參數代表中子射束的穿透能力，有效治療深度越大表示可治療的腫瘤深度越深，單位為cm。

2、有效治療深度劑量率：

即有效治療深度的腫瘤劑量率，亦等於正常組織的最大劑量率。因正常組織接收總劑量為影響可給予腫瘤總劑量大小的因素，因此參數影響治療時間的長短，有效治療深度劑量率越大表示給予腫瘤一定劑量所需的照射時間越短，單位為cGy/mA-min。

3、有效治療劑量比：

從大腦表面到有效治療深度，腫瘤和正常組織接收的平 均劑量比值，稱之為有效治療劑量比；平均劑量的計算，可由劑量-深度曲線積分得到。有效治療劑量比值越大，代表該中子射束的治療效益越好。

為了使射束整形體在設計上有比較依據，除了五項IAEA建議的空氣中射束品質因素和上述的三個參數，本發明實施例中也利用如下的用於評估中子射束劑量表現優劣的參數：

1、照射時間

30min(加速器使用的質子電流為10mA)

2、30.0RBE-Gy可治療深度

7cm

3、腫瘤最大劑量

60.0RBE-Gy

4、正常腦組織最大劑量

12.5RBE-Gy

5、皮膚最大劑量

11.0RBE-Gy

注：RBE(Relative Biological Effectiveness)為相對生物效應，由於光子、中子會造成的生物效應不同，所以如上的劑量項均分別乘上不同組織的相對生物效應以求得等效劑量。

中子產生裝置10產生的中子束N依次通過射束整形體20和準直器30照射向治療台40上的患者200。射束整形體20能夠調整中子產生裝置10產生的中子束N的射束品質，準直器30用以會聚中子束N，使中子束N在進行治療的過程中具有較高的靶向性。射束整形體20進一步包括支撐部21(圖1中未示出，在下文詳述)和填充在支撐部21內的主體部23，支撐部21形成至少一個容納單元C1-C4，每個容納單元容納主體部23的至少一部分。設置支撐部可以防止主體部材料本身變形損壞，影響換靶及射束品質。主體部23包括緩速體231、反射體232和輻射屏蔽體233，中子產生裝置10生成的中子由於能譜很廣，除了超熱中子滿足治療需要以外，需 要盡可能的減少其他種類的中子及光子含量以避免對操作人員或患者造成傷害，因此從中子產生裝置10出來的中子需要經過緩速體231將其中的快中子能量調整到超熱中子能區，緩速體231由與快中子作用截面大、超熱中子作用截面小的材料製成，如包括D₂O、Al、AlF₃、MgF₂、CaF₂、LiF、Li₂CO₃或Al₂O₃中的至少一種；反射體232包圍緩速體231，並將穿過緩速體231向四周擴散的中子反射回中子束N以提高中子的利用率，由具有中子反射能力強的材料製成，如包括Pb或Ni中的至少一種；輻射屏蔽體233用於屏蔽滲漏的中子和光子以減少非照射區的正常組織劑量，輻射屏蔽體233的材料包括光子屏蔽材料和中子屏蔽材料中的至少一種，如光子屏蔽材料鉛(Pb)和中子屏蔽材料聚乙烯(PE)。可以理解，主體部還可以有其他的構造，只要能夠獲得治療所需超熱中子束即可。靶材T設置在加速器11和射束整形體20之間，加速器11具有傳輸帶電粒子線P的傳輸管111，本實施例中，傳輸管111沿帶電粒子線P方向伸入射束整形體20，並依次穿過緩速體231和反射體232，靶材T設置在緩速體231內並位於傳輸管111的端部，以得到較好的中子射束品質。本實施例中，傳輸管111與緩速體231和反射體232之間設置第一、第二冷卻管D1、D2，第一、第二冷卻管D1、D2的一端分別與靶材T的冷卻進口(圖未示)和冷卻出口(圖未示)連接，另一端連接到外部冷卻源(圖未示)。可以理解，第一、第二冷卻管還可以以其他方式設置在射束整形體內，當靶材置於射束整形體之外時，還可以取消。

參閱圖4和圖5，支撐部21包括圍繞主軸X周向封閉的外壁211和沿中子束N方向分別設置在外壁211兩側並與外壁211連接的第一、第 二側板221、222，第一側板221上設置傳輸管111穿過的孔2211，第二側板222上設置形成射束出口的孔2221，外壁211和第一、第二側板221、222之間形成容納部C，主體部23設置在容納部C內。容納部C包括至少一個容納單元C1-C4(下文詳述)，每個容納單元C1-C4容納緩速體231、反射體232和輻射屏蔽體233中的至少1個，至少一個容納單元C1-C4同時容納、緩速體、反射體和輻射屏蔽體中的至少2個或同時容納至少兩種不同的材料。可以理解，也可以不設置第一、第二側板，由外壁包圍形成容納部。

支撐部21還包括圍繞主軸X周向封閉並延伸在第一、第二側板221、222之間的至少一個內壁，本實施例中徑向向內分別設置第一、第二內壁212、213，定義徑向為垂直於主軸X的方向。支撐部21還包括沿中子束N方向設置在第一、第二側板221、222之間的第一橫板223，圍繞主軸X周向封閉並延伸在第一橫板223和第一側板221之間的第三內壁214及圍繞主軸X周向封閉並從第一橫板223向第二側板222延伸的第四內壁215。第三內壁214比第二內壁213在徑向上更靠近主軸X，第四內壁215徑向上位於第二內壁213和第三內壁214之間，第一橫板223延伸在第三內壁214和第四內壁215之間。第三內壁214的內表面與第一側板221上孔2211的側壁在同一表面上，第三內壁214形成傳輸管111、第一、第二冷卻管D1、D2等的安裝部。沿中子束N方向在第四內壁215和第二側板222之間鄰接第四內壁215設置第二橫板224，第二橫板224從第二內壁213徑向向內延伸，第二橫板224上設置中子束N穿過的孔2241，孔2241的內壁比第四內壁215的內側更靠近主軸X。可以理解，也可以不設置第二橫板，第一橫板可以延伸到外壁或其他內壁，還可以在外壁和內壁、內壁和內壁之間設置多個橫板。

本實施例中，射束整形體整體為圓柱形，外壁、內壁在垂直於主軸X方向的橫截面均為圍繞主軸X的圓環並平行於主軸X延伸，側板、橫板均為垂直於主軸X延伸的平板，可以理解，也可以有其他設置，如延伸方向與主軸傾斜，外壁在垂直於主軸方向的外輪廓也可以是方形、矩形或多邊形的，便於運輸、安裝。外壁211、第一內壁212、第一側板221和第二側板222之間形成第一容納單元C1，第一內壁212、第二內壁213、第一側板221和第二側板222之間形成第二容納單元C2，第二內壁213、第三內壁214、第四內壁215、第一側板221、第一橫板223和第二橫板224之間形成第三容納單元C3。

本實施例中，第一容納單元C1內設置相應形狀的PE塊241；第二容納單元C2內沿中子束N方向依次設置鉛塊242和PE塊241，鉛塊和PE塊的體積比值小於等於10，鉛塊和PE塊的分介面垂直於中子束N方向，可以理解，也可以為其他比例或其他分佈。本實施例中輻射屏蔽體233包括中子屏蔽體和光子屏蔽體，PE塊241作為中子屏蔽體，鉛塊242同時作為反射體232和光子屏蔽體。

本實施例中，第三容納單元C3內設置鉛塊242、鋁合金塊243、特氟龍塊244和PE塊241，鋁合金塊243和特氟龍塊244整體設置成包括至少一個錐體狀的形狀，PE塊241鄰接第二橫板224設置，鉛塊242填充其餘的區域，鋁合金塊243和特氟龍塊244整體將第三容納單元C3內的鉛塊242分為兩個部分。鋁合金塊243和特氟龍塊244分別作為緩速體231的第一、第二補充部分，可以降低緩速體的製造成本，同時，不會對射束品質有較大的影響，第一和第二補充部分整體設置成包括至少一個錐體狀的形 狀，能夠獲得更好的射束品質及治療效果。特氟龍塊244同時具有更好的快中子吸收效果，可以降低射束中的快中子含量。鉛塊242同時作為反射體232和光子屏蔽體。PE塊241作為中子屏蔽體，可以理解，也可以不設置PE塊。

結合圖6，本實施例中，沿中子束N方向依次設置鋁合金塊243和特氟龍塊244，鋁合金塊243和特氟龍塊244整體設置成兩個相反方向相互鄰接的錐體狀，鋁合金塊243本身也設置成兩個相反方向相互鄰接的錐體狀，鋁合金塊243包括沿中子束N方向依次設置的第一錐體部2431和第二錐體部2432，第一錐體部2431的外輪廓的徑向尺寸沿中子束N方向整體趨勢逐漸變大，第二錐體部2432在第一錐體部2431外輪廓的徑向尺寸最大處與第一錐體部2431連接，第二錐體部2432的外輪廓的徑向尺寸沿中子束N方向整體趨勢逐漸縮小。特氟龍塊244在第二錐體部2432外輪廓的徑向尺寸最小處與第二錐體部2432鄰接，特氟龍塊244外輪廓的徑向尺寸沿中子束N方向整體趨勢逐漸縮小，且在外輪廓的徑向尺寸最小處與PE塊241接觸。鋁合金塊243和特氟龍塊244在沿主軸X所在的平面的橫截面輪廓為不規則四邊形或多邊形。鋁合金塊243在第一錐體部2431具有與鉛塊242接觸的第一側A1，在第二錐體部2432具有與鉛塊242接觸的第二側A2和與特氟龍塊244接觸的第三側A3，在第一和第二錐體部共同具有與第三內壁214、第四內壁215和第一橫板223接觸的第四側A4，本實施例中，第四側A4為臺階面。特氟龍塊244具有與鋁合金塊243接觸的第五側A5，與鉛塊242接觸的第六側A6，與第四內壁215接觸的第七側A7，與PE塊241接觸的第八側A8。其中，第三側A3和第五側A5鄰接並作為鋁合金塊243和特氟龍塊 244的分介面，本實施例中該分介面垂直於中子束N方向。本實施例中鋁合金塊243和特氟龍塊244的體積比值為5-20，可以理解，根據治療需要的中子束，如不同的照射深度，也可以採用其他比例或有其他分佈。

在中子束N方向上從第一橫板223到第二橫板224並由第四內壁215包圍的區域形成第四容納單元C4，第四容納單元C4與第三容納單元C3徑向上鄰接。本實施例中，第四容納單元C4內設置氟化鎂塊245作為緩速體231的基本部分，氟化鎂塊245含Li-6，可同時作為熱中子吸收體，從而設置在第三容納單元C3內的緩速體的第一、第二補充部分包圍設置在第四容納單元C4內的緩速體的基本部分。氟化鎂塊245整體為柱狀，包括與中子束N方向基本垂直的第一、第二端面A9、A10，第一、第二端面A9、A10沿中子束方向依次設置，第一端面A9朝向第一側板221並設置中心孔2451，中心孔2451用於容納傳輸管111、第一、第二冷卻管D1、D2和靶材T等，中心孔2451為圓柱孔，中心孔的側壁2451a與第三內壁的內表面在同一表面上，第三內壁214到主軸X的徑向距離L1小於第四內壁215到主軸X的徑向距離L2，從而緩速體231的基本部分包圍靶材T，使得由靶材T產生的中子在各個方向均能被有效緩速，能進一步提升中子通量和射束品質。在氟化鎂塊245和第二橫板224之間設置鉛板246，鉛板246作為光子屏蔽體，鉛可以吸收緩速體中釋放的伽瑪射線，同時鉛板246在中子束N方向的厚度小於等於5cm，不會反射穿過緩速體的中子，可以理解，也可以有其他的設置，如氟化鎂塊245不含Li-6，而是在氟化鎂塊245和第二橫板224之間設置單獨的Li-6構成的熱中子吸收體，鉛板也可以取消。

可以理解，本實施例中作為中子屏蔽體的PE可以替換為 其他中子屏蔽材料；作為光子屏蔽體的鉛可以替換為其他光子屏蔽材料；作為反射體的鉛可以替換為其它中子反射能力強的材料；作為緩速體基本部分的氟化鎂可以替換為其它與快中子作用截面大、超熱中子作用截面小的材料；作為熱中子吸收體的Li-6可以替換為其它與熱中子作用截面大的材料；作為緩速體第一補充部分的鋁合金可以替換為包括Zn、Mg、Al、Pb、Ti、La、Zr、Bi、Si、C中的至少一種的材料，選用較易獲得的材料，可以降低緩速體的製造成本，同時具有一定的中子緩速作用，不會對射束品質有較大的影響；作為緩速體第二補充部分的特氟龍可以替換為石墨等，第二補充部分選用比第一補充部分的快中子吸收效果更好的材料，可以降低射束中的快中子含量。可以理解，緩速體的第一、第二補充部分與基本部分中的至少兩個也可以採用相同的材料。

參閱圖7和圖8，支撐部21還設置有徑向隔板210，徑向隔板210所在的平面延伸穿過主軸X，將各容納單元C1-C3在周向分為至少兩個子區域，從而各容納單元C1-C3內設置的PE塊、鉛塊、鋁合金塊、石墨塊在周向上均分為至少兩個子模組。本實施例中，第一徑向隔板2101設置在第一側板221和第二側板之間，從外壁211延伸到第二內壁213；第二徑向隔板2102設置在第一側板221和第二橫板224之間，從第二內壁213延伸到第三內壁214或第四內壁215。本實施例中，第一徑向隔板均為8個，第二徑向隔板為4個，均沿周向平均分佈；第一、第二徑向隔板均為平板，各第二徑向隔板與第一徑向隔板的其中4個在同一平面上；可以理解，徑向隔板也可以為其他個數或有其他排布，或不設置徑向隔板。

本實施例中，徑向隔板210、外壁211、第一橫板223和第 一、第二、第三、第四內壁212-215是一體的，作為主框架21a，材料為鋁合金，具有較好的力學性能且被中子活化後產生的放射性同位素半衰期短。可以採用鑄造工藝，支模一體成型，其中範本選取木模或鋁模，砂芯可選用紅砂或樹脂砂，具體工藝選用業內常用的方式。由於鑄造會伴有脫模斜度，根據設計及射束品質的要求，機加工需要將其全部去除。該結構形式以及鑄造工藝使框架結構具有整體性好，剛度大、承載能力高的優點。考慮到機加工的刀具所限及直角邊的應力集中，所有拐角處均倒圓角。也可以是板材卷制焊接或者先鍛造出一個鋁合金柱體，然後對該柱體進行機加工成型。

如圖9，為主框架加工過程的一個實施例，在該實施例中，主框架21a採用6061鋁合金，能夠滿足主框架材料的化學成分及力學性能要求。為了滿足主框架被中子活化後產生的放射性同位素半衰期短的要求，應控制鋁合金組成元素種類及各元素品質比例，如Cu元素的品質百分比

7%。根據相關的計算結合經驗積累，本實施中選取主框架材料的化學成分滿足Cu

1.0%，Mn

1.5%，Zn

1.0%(品質百分比)；6061鋁合金的化學成分表如表1，對比可知6061鋁合金能夠滿足主框架21a材料所需化學成分。

表1.化學成分(%)

為了滿足主框架21a對射束整形體主體部23的支撐，主框 架的力學性能需滿足要求；根據CAE模擬計算及經驗調整，本實施中選取鋁合金主框架的抗拉強度

150MPa，屈服強度

100MPa。

由於6061鋁合金是變形鋁合金，本實施例採用自由鍛造方法，通過塑性成形方法改變鋁合金的組織、性能，同時能夠節約原材料。自由鍛造工序方案，鍛件的品質很大程度上取決於變形過程中所得到的金屬組織，尤其是鍛件變形的均勻性。因為變形不均勻，不僅降低了金屬的塑性，而且由於不均勻的再結晶，將得到不均勻的組織，使得鍛件性能變差，為了獲得均勻的變形組織和最佳的力學性能，工序越少越好，加熱次數越少越好。本實施例的加工過程如下：

1.坯料準備：鋁廠等生產商將鋁礦石加工成鋁錠，並鑄造成坯料，配成符合國標6061鋁合金成分，對坯料進行檢測，如附有合金牌號、熔煉爐、批號、規格、均勻化退火、低倍及氧化膜檢驗等方面的資料和實驗結果；

【00100】2.下料：通過剪切、鋸切、氣割等方法對檢測符合要求的坯料進行加工，如進行端面切割，並及時清除毛刺、油污和鋸屑等，滿足鍛造設備加工的需求；

【00101】3.加熱：在鍛造前對坯料進行加熱處理，以降低變形抗力，提高塑性。如採用輻射式電阻加熱爐，爐中帶有迴圈空氣，能夠保持溫度精準和均勻，爐溫偏差可以控制在±10℃範圍內，本實施例中，最高開鍛溫度是520℃，終鍛溫度是450℃，允許極限溫度是530℃。可以理解，也可以採用其他加熱設備。 加熱保溫時間的確定要充分考慮合金的導熱性、坯料規格、加熱設備的傳熱方式等因素，本實施例中，加熱時間是根據強化相的溶解和獲得均勻化組織來確定，這種狀態下具有較好的塑性，可以提高鋁合金鍛造性能。可以理解，也可以在步驟2下料之前對坯料進行加熱處理，此時坯料在加熱前，如進入加熱爐前，要清除油污、碎屑和其他污垢，以免污染爐內空氣。

【00102】4.鍛造：6061鋁合金的材料為多晶體，晶粒之間存在晶界，而晶粒內部還存在亞晶粒和相界，因此，利用材料的可塑性，借助外力的作用使其產生塑性變形，能夠獲得所需形狀(如柱體)、尺寸和一定組織性能的鍛件。通過鍛造變形消除金屬坯料的鑄態組織，大大提高塑性和力學性能。本實施例中，採用自由鍛造方法，如鐓粗和拔長，在鍛件溫度不低於規程溫度的條件下反復進行上述兩種方法按照工藝進行靜態鍛打，以獲得組織內部精密的晶粒，鍛造設備具有鍛打毛坯的精度。

【00103】5.粗加工和熱處理：為了最終獲得滿足使用要求的力學性能，還需要通過熱處理改變金屬材料的組織和性能，改變金屬內部品質。本實施例通過步驟4的鍛造獲得的為柱體，直接對柱體進行熱處理，難以保證柱體中心材料的性能。因此，通過粗加工對鍛造獲得的柱體的中心位置(即柱體與第四容納單元C4相應的區域)打孔，之後再進行深度熱處理，能夠保證熱處理後主框架靠近中心位置(形成第四容納單元C4的主框架部分)及整體的材料性能；同時，第四容納單元C4容納緩速體的 基本部分，此時能夠保證對緩速體的支撐，防止緩速體變形損壞，影響換靶及射束品質。可以理解，粗加工還可以包括對主框架外壁211和內壁212-215之間的空心區域(即柱體與第一、第二、第三容納單元C1、C2、C3相應的區域)的初步加工，如鑽削、銑削切割鍛造獲得的柱體在該區域的實體部分；本實施例中，沒有對該區域做粗加工，防止粗加工後再進行熱處理時，壁厚較薄容易產生變形等。在工藝能夠保證中心區域及其他區域材料性能的情況下，還可以不做粗加工；粗加工應留有餘量以備後續進一步機械加工。

【00104】本實施例採用的熱處理工藝是T6(固溶+時效)。固溶處理是使合金發生沉澱硬化的先行工序，將固溶時形成的固溶體以快速冷卻方式獲得亞穩定的過飽和固溶體，給自然時效和人工時效創造條件，使強度和硬度顯著提高。固溶處理後還需要進行時效處理，把固溶處理後的鋁置於一定溫度之下，保持一定的時間，過飽和固溶體就會分解，從而引起合金的強度和硬度大幅度提高，可以是室溫保持或加熱。時效處理是熱處理的最後一道工序，可以提高並決定鋁合金的最終力學性能。加熱溫度和保溫時間可以根據實際情況進行選擇。可以理解，也可以採用其他熱處理工藝，只要能滿足使用需求的力學性能即可。

【00105】6.理化檢測和檢驗：熱處理完成以後，需進行理化檢測和檢驗，包括尺寸檢測、元素檢測、力學性能檢測、超聲波探 傷無損檢測等。可以是熱處理相關人員在熱處理後進行的檢測，也可以是機械加工(見下文所述)相關人員在機械加工之前的檢驗。力學性能檢測可以是在熱處理後的工件相關區域切割部分材料進行檢測，本實施例中，粗加工時中心位置打孔取下的部分可以同時做熱處理，對該部分做檢測近似代表靠近主軸X的內壁214、215的性能；外壁211和內壁212-215之間的區域通過切割熱處理後的鍛造柱體在該區域的材料進行檢測。可以理解，當對外壁211和內壁212-215之間的空心區域進行了粗加工時，對該區域粗加工切割下來的部分同時進行熱處理後的檢測也可以同樣近似代表該區域的性能，區域的選取可以在圖紙進行標注。對上述區域取樣進行力學實驗，得到屈服強度和拉伸強度。無損檢測採用超聲波探傷，可以是全面檢驗或分區檢驗，本實施例中，對靠近中心的內壁進行超聲波探傷檢測。

【00106】7.機械加工：經過檢測和檢驗，熱處理後的鍛造體符合要求之後，進行機械加工得到最終需要的形狀和尺寸的主框架，可以理解，機械加工可以包括鑽、銑、車等常規機械加工手段，本實施採用大型龍門銑床銑削，配合程式設計軟體進行自動加工。

【00107】主框架21a與第二橫板224採用螺栓連接，在第四內壁215朝向第二側板222的端面上均勻機加工第一螺紋孔，在第二橫板224上與第一螺紋孔對應的位置上均勻機加工第一通孔，螺栓穿過第一通孔與第一螺紋孔連接。考慮到螺栓的裝配，第一通孔的孔徑略大於第一螺紋孔的孔 徑，第一螺紋孔、第一通孔的個數滿足連接強度即可。第一、第二側板221、222和第二橫板224為鉛銻合金材料，鉛能夠起到進一步屏蔽輻射的作用，同時鉛銻合金強度較高。第一、第二側板221、222的外輪廓與外壁211的外輪廓一致。第一、第二側板221、222和第二橫板224與主框架均採用螺栓連接，在主框架21a內壁朝向第一、第二側板和第二橫板的端面上分別均勻機加工第二螺紋孔，在第一、第二側板221、222和第二橫板224上與第二螺紋孔相應的位置上均勻機加工第二通孔，考慮到螺栓的裝配，第二通孔的孔徑略大於第二螺紋孔的孔徑，第二螺紋孔、第二通孔的個數滿足連接強度即可。

【00108】可以理解，本實施例中主框架、側板、端板(第二橫板)的材料只要具有一定的強度並被中子活化後產生的放射性同位素半衰期短(如小於7天)，主框架的材料性能能夠滿足支撐射束整形體即可，如鋁合金、鈦合金、鉛銻合金、不含鈷的鋼材、碳纖維、PEEK、高分子聚合物等；側板、端板(第二橫板)與主框架之間可採用其他可拆卸連接或不可拆卸的連接，當採用可拆卸連接，便於更換主體部的各個部分。本實施例中射束整形體的支撐部和填充在支撐部內的主體部還可以有其他的構造方式。

【00109】施工時，先將主框架21a放入射束整形體支撐部預留的安裝孔中，用螺栓等連接主框架21a的外壁211與射束整形體支撐部。然後進行主體部的填裝及第一、第二側板和第二橫板的安裝，由於PE、鋁合金、石墨的密度小，相應區可整體填裝；由於鉛比較重，可以沿中子束N方向分片人工填裝，或者借助機械整體填裝；氟化鎂也可整體填裝或分片填 裝。射束整形體安裝完成後，安裝傳輸管、靶材、準直器等其他構件，準直器30設置在射束出口後部，從準直器30出來的超熱中子束向患者200照射，經淺層正常組織後被緩速為熱中子到達腫瘤細胞M。本實施例中，準直器通過螺栓等固定到主框架21a，在第二內壁213朝向第二側板的端面預留第三螺紋孔，在第二側板222上與第三螺紋孔相應的位置上均勻機加工第三通孔，考慮到螺栓的裝配，第三通孔的孔徑略大於第三螺紋孔的孔徑，第三螺紋孔、第三通孔的個數滿足連接強度即可。可以理解，準直器30還可以通過其他連接方式進行固定，準直器30也可以取消或由其他結構代替，中子束從射束出口出來直接向患者200照射。本實施例中，患者200和射束出口之間還設置了輻射屏蔽裝置50，屏蔽從射束出口出來的射束對患者正常組織的輻射，可以理解，也可以不設置輻射屏蔽裝置50。

【00110】本發明實施例之“柱體”或“柱體狀”是指沿著圖示方向的一側到另一側其外輪廓的整體趨勢基本不變的結構，外輪廓的其中一條輪廓線可以是線段，如圓柱體狀的對應的輪廓線，也可以是曲率較大的接近線段的圓弧，如曲率較大的球面體狀的對應的輪廓線，外輪廓的整個表面可以是圓滑過渡的，也可以是非圓滑過渡的，如在圓柱體狀或曲率較大的球面體狀的表面做了很多凸起和凹槽。

【00111】本發明實施例之“錐體”或“錐體狀”是指沿著圖示方向的一側到另一側其外輪廓的整體趨勢逐漸變小的結構，外輪廓的其中一條輪廓線可以是線段，如圓錐體狀的對應的輪廓線，也可以是圓弧，如球面體狀的對應的輪廓線，外輪廓的整個表面可以是圓滑過渡的，也可以是非圓滑過渡的，如在圓錐體狀或球面體狀的表面做了很多凸起和凹槽。

【00112】儘管上面對本發明說明性的具體實施方式進行了描述，以便於本技術領域的技術人員理解本發明，但應該清楚，本發明不限於具體實施方式的範圍，對本技術領域的普通技術人員來講，只要各種變化在所附的權利要求限定和確定的本發明的精神和範圍內，這些變化是顯而易見的，都在本發明要求保護的範圍之內。

100:硼中子捕獲治療系統

10:中子產生裝置

11:加速器

111:傳輸管

20:射束整形體

23:主體部

231:緩速體

232:反射體

233:輻射屏蔽體

30:準直器

40:治療台

50:輻射屏蔽裝置

200:患者

T:靶材

P:帶電粒子線

N:中子線

M:腫瘤細胞

D1:第一冷卻管

D2:第二冷卻管

Claims (15)

1. 一種用於中子捕獲治療系統的射束整形體，該中子捕獲治療系統包括中子產生裝置，該中子產生裝置包括加速器和靶材，該加速器加速產生的帶電粒子線與該靶材作用產生中子，該中子形成中子束，該中子束限定一根主軸，該射束整形體包括主體部和支撐該主體部的支撐部，該主體部包括緩速體、反射體和輻射屏蔽體，該緩速體將自該靶材產生的中子減速至超熱中子能區，該反射體包圍該緩速體並將偏離該主軸的中子導回至該主軸以提高超熱中子束強度，該輻射屏蔽屏蔽體用於屏蔽屏蔽滲漏的中子和光子以減少非照射區的正常組織劑量。
2. 如申請專利範圍第1項所述之射束整形體，其中，該支撐部包括圍繞該主軸周向封閉的外壁，該外壁包圍形成容納部，該主體部設置在該容納部內，該容納部包括至少一個容納單元，每個該容納單元容納該緩速體、反射體和輻射屏蔽體中的至少1個。
3. 如申請專利範圍第2項所述之射束整形體，其中，該支撐部還包括沿該中子束方向分別設置在該外壁兩側並與該外壁連接的第一、第二側板、沿該中子束方向設置在該第一、第二側板之間的至少一個橫板和圍繞該主軸周向封閉並延伸在該第一、第二側板之間或該橫板和第一側板之間或該橫板和第二側板之間或該橫板和橫板之間的至少一個內壁，該第一側板上設置該加速器的傳輸管穿過的孔，該第二側板上設置形成射束出口的孔，該外壁、內壁、橫板和第一、第二側板之間形成多個該容納單元，該輻射屏蔽體包括中子屏蔽體和光子屏蔽體，至少一個該容納單元同時容納該緩速體和反射體或該中子屏蔽體和反射體。
4. 如申請專利範圍第3項所述之射束整形體，其中，該中子屏蔽體的材料為PE，該反射體的材料為鉛，該反射體同時作為光子屏蔽體，同時容納在該容納單元內的反射體和中子屏蔽體沿該中子束方向依次設置，該容納單元內的反射體和中子屏蔽體的分介面垂直於該中子束方向。
5. 如申請專利範圍第3項所述之射束整形體，其中，該支撐部還包括將該容納單元在周向分為若干子區域的徑向隔板，該徑向隔板設置在該第一側板之間或該橫板和第二側板之間或該橫板和第一/第二側板之間或該橫板和橫板之間，並從該外壁延伸到該內壁或延伸在兩個該內壁之間。
6. 如申請專利範圍第1項所述之射束整形體，其中，該緩速體包括基本部分和包圍該基本部分的補充部分，該支撐部包括圍繞該主軸的壁，該基本部分和補充部分的材料不同並由該壁間隔開。
7. 如申請專利範圍第6項所述之射束整形體，其中，該壁包括沿該中子束方向依次設置並圍繞該中子束方向周向封閉的第一壁、第二壁及連接該第一壁和第二壁的橫板，該橫板垂直於該中子束方向延伸，該第一壁用於安裝該加速器的傳輸管，該第二壁形成該緩速體的基本部分的容納腔；該基本部分的材料包括D₂O、Al、AlF₃、MgF₂、CaF₂、LiF、Li₂CO₃或Al₂O₃中的至少一種，該基本部分含Li-6，該基本部分同時作為熱中子吸收體。
8. 如申請專利範圍第7項所述之射束整形體，其中，該基本部分包括與該中子束方向基本垂直的第一、第二端面，該第一、第二端面沿該中子束方向依次設置，該第一端面設置中心孔，該中心孔用於容納該傳輸管和靶材，該第一壁到該主軸的徑向距離小於該第二壁到該主軸的徑向距離。
9. 如申請專利範圍第8項所述之射束整形體，與該第二端面鄰接設置屏蔽 板，該屏蔽板為鉛板，該屏蔽板在該中子束方向的厚度小於等於5cm。
10. 如申請專利範圍第6項所述之射束整形體，其中，該補充部分包括鄰接的第一、第二補充單元，該基本部分、第一、第二補充單元的材料均不同，該基本部分為柱狀，該第一和第二補充單元整體設置成包括至少一個錐體狀的形狀。
11. 如申請專利範圍第10項所述之射束整形體，其中，該第一補充單元設置成兩個相反方向相互鄰接的錐體狀，該第一補充單元包括沿該中子束方向依次設置的第一錐體部和第二錐體部，該第一錐體部的外輪廓的徑向尺寸沿該中子束方向整體趨勢逐漸變大，該第二錐體部在該第一錐體部外輪廓的徑向尺寸最大處與該第一錐體部連接，該第二錐體部的外輪廓的徑向尺寸沿該中子束方向整體趨勢逐漸縮小，該第二補充單元在該第二錐體部外輪廓的徑向尺寸最小處與該第二錐體部鄰接，該第二補充單元外輪廓的徑向尺寸沿該中子束方向整體趨勢逐漸縮小。
12. 如申請專利範圍第11項所述之射束整形體，其中，該第一、第二補充單元在沿該主軸所在的平面的橫截面輪廓為不規則四邊形或多邊形，該第一補充單元在該第一錐體部具有與該反射體接觸的第一側、在該第二錐體部具有與該反射體接觸的第二側和與該第二補充單元接觸的第三側、在該第一和第二錐體部共同具有與該壁接觸的第四側，該第二補充單元具有與該第一補充單元接觸的第五側、與該反射體接觸的第六側、與該壁接觸的第七側，該第三側和第五側鄰接並作為該第一、第二補充單元的分介面，該分介面垂直於該中子束方向。
13. 如申請專利範圍第1項所述之射束整形體，其中，該支撐部包括支撐框 架，該支撐框架由坯料經加熱設備加熱後再由鍛造設備鍛造加工為柱體，該柱體經粗加工和熱處理後由機械加工設備加工成型。
14. 如申請專利範圍第13項所述之射束整形體，其中，該支撐框架形成至少一個容納單元，該容納單元包括容納至少部分該緩速體的第一容納單元，該第一容納單元徑向上位於該支撐框架的中心，該粗加工為在該柱體與該第一容納單元相應的區域打孔。
15. 如申請專利範圍第14項所述之射束整形體，其中，該容納單元包括容納該緩速體、反射體和輻射屏蔽體中的至少一個的第二容納單元，該支撐框架包括圍繞該主軸周向封閉的外壁和至少一個內壁，該外壁和內壁或內壁和內壁之間形成該第二容納單元，該粗加工還包括對該柱體與該第二容納單元相應的區域的初步加工。

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