TW202141613A - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202141613A
TW202141613A TW110111705A TW110111705A TW202141613A TW 202141613 A TW202141613 A TW 202141613A TW 110111705 A TW110111705 A TW 110111705A TW 110111705 A TW110111705 A TW 110111705A TW 202141613 A TW202141613 A TW 202141613A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
flow path
processing
substrate
space
opening
Prior art date
Application number
TW110111705A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI779541B (zh
Inventor
墨周武
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202141613A publication Critical patent/TW202141613A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI779541B publication Critical patent/TWI779541B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • F26B5/005—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by dipping them into or mixing them with a chemical liquid, e.g. organic; chemical, e.g. organic, dewatering aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids

Abstract

本發明的課題為在用以在腔室內藉由處理流體處理基板之基板處理裝置中有效地防止從密封構件混入的雜質導致基板的污染。於腔室(100)設置有用以從腔室(100)外承接處理流體並導入至處理空間(SP)之導入流路(17)；導入流路(17)係從開口部(101)觀看在處理空間(SP)內之比前述基板(S)還裏側處開口成處理空間(SP)。在處理空間(SP)內之比基板(S)還靠近開口部(101)側處形成流路剖面形狀為一定的上側流路(181)，上側流路(181)係處理空間(SP)的頂面與基板保持部(15)的上表面隔著空隙彼此平行地對向且使已通過基板(S)的上方的處理流體流通。上側流路(181)係藉由被蓋部(14)、腔室(100)以及密封構件(16)圍繞而形成並從上側流路(181)連接於流路剖面積大的緩衝空間(182)，於緩衝空間(182)連接有用以將處理流體朝腔室(100)外排出之排出流路(183)。

Description

基板處理裝置
本發明係有關於一種用以在腔室(chamber)內藉由處理流體處理基板之基板處理裝置。
於半導體基板、顯示裝置用玻璃基板等各種基板的處理步驟係包含有藉由各種處理流體處理基板的表面的步驟。雖然從以往廣泛地進行使用藥液或者清洗(rinse)液等液體作為處理流體之處理，然而在近年來使用了超臨界流體的處理亦被實用化。尤其，在於表面形成有細微圖案的基板之處理中，由於表面張力比液體還低的超臨界流體係進入至圖案的間隙的深處，因此能效率佳地進行處理，並且在乾燥時能降低因為表面張力導致圖案崩壞的產生風險。
例如，於日本特開2018-082043號公報揭示有一種用以使用超臨界流體進行基板的乾燥處理之基板處理裝置。在此基板處理裝置中，兩個板狀構件係對向配置，且兩個板狀構件的間隙係構成為作為處理空間而發揮作用的處理容器。從處理空間的一方的端部搬入被載置於薄板狀的保持板之晶圓(基板)，從另一方的端部導入有超臨界狀態的二氧化碳。
使用於此種處理的處理容器為一種高壓腔室。於腔室設置有用以將基板搬入以及搬出之開口部，藉由蓋部封閉開口部而形成有處理空間。於腔室與蓋部之間夾設有具有彈性的密封構件，例如夾設有橡膠製的密封構件，藉此維持處理空間的氣密性。
在上述般的腔室的構造上，無法避免密封構件的一部分露出於連通至處理空間的空間並接觸至處理流體。因此，會有於密封構件所含有的成分混入至處理流體之情形，而有此種混入成分附著於基板導致污染基板之虞。例如，大多作為基板處理的超臨界處理流體來使用的二氧化碳係具有容易溶解有機物之性質，作為密封構件所使用的橡膠等樹脂材料會溶出至處理流體。
因此，期望下述對策：假設即使成分從密封構件朝處理流體混入，亦避免成分附著於基板。然而，在上述習知技術中無法對應此種問題。
本發明有鑑於上述課題而研創，目的在於提供一種能在腔室內藉由處理流體處理基板之基板處理裝置中有效地防止從密封構件混入的雜質導致基板的污染之技術。
為了達成上述目的，本發明的一種態樣為一種基板處理裝置，係用以藉由處理流體處理基板的表面，並具備： 平板狀的基板保持部，係能夠以水平姿勢將前述基板載置於上表面；腔室，係於內部具有處理空間且於側面具有開口部，前述處理空間係能夠收容載置有前述基板的前述基板保持部，前述開口部係連通至前述處理空間並能夠供前述基板保持部通過；以及蓋部，係經由密封構件抵接至前述腔室並封閉前述開口部。因此，前述基板保持部係突出設置於前述蓋部的前述腔室側側面，前述蓋部係在已使前述基板保持部進入至前述處理空間之狀態下封閉前述開口部。
而且，於前述腔室設置有用以從前述腔室外承接前述處理流體並導入至前述處理空間之導入流路；前述導入流路係從前述開口部觀看在前述處理空間內之比前述基板還裏側處於前述處理空間呈開口；在前述處理空間內之比前述基板還靠近前述開口部側處形成流路剖面形狀為一定的上側流路，前述上側流路係前述處理空間的頂面與前述基板保持部的上表面隔著空隙(gap)彼此平行地對向且使已通過前述基板的上方的前述處理流體流通；前述上側流路係藉由被前述蓋部、前述腔室以及前述密封構件圍繞而形成並連接於流路剖面積比前述上側流路還大的緩衝空間；於前述緩衝空間連接有用以將前述處理流體朝前述腔室外排出之排出流路。
在以此種方式所構成的發明中，能夠通過設置於腔室的側面的開口部將基板搬入至處理空間並從處理空間搬出基板。蓋部係經由密封構件抵接至腔室側面從而封閉開口部，處理空間係成為氣密狀態。處理流體係在從基板觀看為開口部之相反側處從於處理空間呈開口之導入流路被導入並通過基板上，最後從開口部側朝腔室外排出。
更具體而言，被供給至處理空間的裏部並通過基板的上方之處理流體係通過於處理空間的頂面與基板保持部的上表面之間的空隙所形成的上側流路而流動，並從上側流路經由緩衝空間從排出流路排出。亦即，處理流體係從處理空間的裏側朝向開口部側於一方向流動。
上側流路的剖面形狀為一定，處理流體係作為層流於上側流路內流通。另一方面，緩衝空間係具有比上側流路還大的流路剖面積。因此，於上側流路流動的處理流體係一口氣被釋放至寬廣的緩衝空間，藉此壓力降低。藉由此壓力差與從緩衝空間觀看的上側流路的流路阻抗的大小來防止處理流體從緩衝空間朝上側流路逆流。被釋放至緩衝空間的處理流體係經由排出流路朝外部排出。
緩衝空間為被腔室、蓋部以及密封構件圍繞的空間。亦即，密封構件的一部分係面向緩衝空間設置。因此，會有源自密封構件的雜質混入至緩衝空間內的處理流體之虞。然而，如上所述，由於防止從緩衝空間朝上側流路逆流，因此避免雜質附著於處理空間內的基板。
如上所述，在本發明中處理流體係從處理空間的裏側朝向開口部側於一方向流動，且在比基板還下游側處從上側流路經由緩衝空間朝腔室外排出。因此，防止從緩衝空間朝上側流路逆流，即使雜質從面向緩衝空間設置的密封構件朝處理流體混入，亦可避免雜質附著至基板導致污染基板。
圖1係顯示本發明的基板處理裝置的實施形態之一的概略構成之圖。基板處理裝置1為用以使用超臨界流體來處理例如半導體基板般的各種基板的表面之裝置。為了統一地顯示以下的各圖中的方向，如圖1所示設定XYZ正交座標系統。在此，XY平面為水平面，Z方向係表示鉛直方向。更具體而言，(－Z)方向表示朝向鉛直下方向。
在此，作為本實施形態中的「基板」，能夠應用半導體晶圓、光罩(photomask)用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display：平面顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板等各種基板。以下雖然以主要使用於半導體晶圓的處理之基板處理裝置作為例子並參照圖式進行說明，然而同樣亦能夠應用於上述所例示的各種基板的處理。
基板處理裝置1係具備處理單元10、供給單元50以及控制單元90。處理單元10係成為超臨界乾燥處理的執行主體，供給單元50係將處理所需的化學物質以及動力供給至處理單元10。
控制單元90係控制這些裝置的各部並實現預定的處理。為了此種目的，於控制單元90具備有下述構件等：CPU (Central Processing Unit；中央處理單元) 91，係執行各種控制程式；記憶體92，係暫時性地記憶處理資料；儲存器(storage)93，係記憶CPU91所執行的控制程式；以及介面94，係用以進行與使用者或者外部裝置進行資訊交換。後述的裝置的動作係藉由CPU91執行預先寫入至儲存器93的控制程式並使裝置各部進行預定的動作來實現。
處理單元10係具備處理腔室100。處理腔室100係具備分別由金屬塊所形成的第一構件11、第二構件12以及第三構件13。處理腔室100係構成為：第一構件11與第二構件12係藉由未圖示的結合構件於上下方向結合，於(＋Y)側側面藉由未圖示的結合構件結合有第三構件13，內部成為空洞的構造。該空洞的內部空間係成為以對基板S執行處理之處理空間SP。處理對象的基板S係被搬入至處理空間SP內並接受處理。於處理腔室100的(－Y)側側面形成有於X方向細長地延伸的縫(slit)狀的開口部101，處理空間SP與外部空間係經由開口部101連通。
以封閉開口部101之方式於處理腔室100的(－Y)側側面設置有蓋部14。於蓋部14的(＋Y)側側面以水平姿勢安裝有平板狀的支撐托盤(support tray)15，支撐托盤15的上表面係成為能夠載置基板S之支撐面。更具體而言，支撐托盤15係具有下述構造：於略平坦的上表面151設置有形成為比基板S的平面尺寸還稍大的凹部152。於凹部152收容有基板S，藉此基板S係在支撐托盤15上被保持在預定位置。基板S係將成為處理對象的表面(以下會有簡稱為「基板表面」之情形)Sa朝向上方地保持。此時，較佳為支撐托盤15的上表面151與基板表面Sa係設成同一平面。
蓋部14係藉由省略圖示的支撐機構以於Y方向自在地水平移動之方式被支撐。此外，蓋部14係藉由設置於供給單元50的進退機構53而能夠相對於處理腔室100進退移動。具體而言，進退機構53係具有例如線性馬達(linear motor)、線性導軌(linear guide) 、螺桿機構、螺線管(solenoid)、汽缸(air cylinder)等線性運動機構(linear motion mechanism)，此種線性運動機構係使蓋部14於Y方向移動。進退機構53係因應來自控制單元90的控制指令而動作。
蓋部14於(－Y)方向移動，藉此當支撐托盤15從處理空間SP經由開口部101朝外部被拉出時，能夠從外部朝支撐托盤15進行存取(access)。亦即，能夠將基板S載置於支撐托盤15以及取出載置於支撐托盤15的基板S。另一方面，蓋部14於(＋Y)方向移動，藉此支撐托盤15係被收容於處理空間SP內。在基板S被載置於支撐托盤15之情形中，基板S係與支撐托盤15一起被搬入至處理空間SP。
在主要以防止因為液體的表面張力導致圖案崩壞並使基板乾燥作為目的之超臨界乾燥處理中，為了防止基板S的表面Sa露出而產生圖案崩壞，在表面Sa被液膜覆蓋的狀態下搬入基板S。作為用以構成液膜之液體，能適當地使用例如異丙醇(IPA；isopropyl alcohol)、丙酮(acetone)等表面張力較低的有機溶劑。
蓋部14於(＋Y)方向移動並蓋住開口部101，藉此處理空間SP係被密閉。於蓋部14的(＋Y)側側面與處理腔室100的(－Y)側側面之間設置有密封構件16，保持處理空間SP的氣密狀態。作為密封構件16，能使用藉由彈性樹脂材料所形成的環狀的密封構件16，例如能使用藉由橡膠所形成的環狀的密封構件16。此外，藉由未圖示的鎖定機構，蓋部14係相對於處理腔室100被固定。如此，在確保處理空間SP的氣密狀態的狀態下在處理空間SP內對基板S執行處理。
在此種實施形態中，從設置於供給單元50的流體供給部57將能夠利用於超臨界處理的物質的流體在氣體或者液體的狀態下供給至處理單元10，其中該流體係如為二氧化碳。以較低溫、在低壓成為超臨界狀態、具有容易溶解常用於基板處理的有機溶劑之性質的觀點來看，二氧化碳為適合超臨界乾燥處理的化學物質。
更具體而言，流體供給部57係輸出流體作為用以處理基板S的處理流體，該流體為超臨界狀態的流體或者以氣體狀或者液狀被供給且藉由施加預定的溫度、壓力而在事後成為超臨界狀態的流體。例如，在加壓狀態輸出氣體狀或者液狀的二氧化碳。流體係經由配管571以及夾設於配管571的中途的閥572、573被壓送至設置於處理腔室100的(＋Y)側側面的輸入埠102、103。亦即，因應來自控制單元90的控制指令開放閥572、573，藉此流體係從流體供給部57朝處理腔室100輸送。
圖2A至圖2C係示意性地顯示處理流體的流路之圖。更具體而言，圖2A係顯示流路的輪廓之示意圖，圖2B係顯示流路的輪廓之俯視圖。此外，圖2C係流路的側面剖視圖。以下，一邊參照圖1及圖2A至圖2C一邊說明處理流體的流路的構造。
從輸入埠102、103到達至處理空間SP之流體的流路17係作為用以將從流體供給部57所供給的處理流體導入至處理空間SP之導入流路而發揮作用。具體而言，於輸入埠102連接有流路171。於與輸入埠102相反側的流路171的端部設置有緩衝空間172，緩衝空間172係以流路剖面積急速擴大之方式所形成。
以連接緩衝空間172與處理空間SP之方式進一步設置有流路173。流路173係具有於上下方向(Z方向)狹窄且於水平方向(X方向)長之寬度寬的剖面形狀，且剖面形狀係在流體的流通方向中略一定。與緩衝空間172相反側的流路173的端部係成為面向處理空間SP呈開口之噴出口174，處理流體係從噴出口174被導入至處理空間SP內。
較佳為，流路173的高度係在支撐托盤15被收容於處理空間SP的狀態下與處理空間SP的頂面和基板表面Sa之間的距離相等。而且，噴出口174係面向處理空間SP的頂面與支撐托盤15的上表面151之間的空隙呈開口。例如，能將流路173的頂面與處理空間SP的頂面作成同一平面。如此，噴出口174係開口成面向處理空間SP且於水平方向細長的縫狀。
同樣地，亦於支撐托盤15的下方形成有處理流體的流路。具體而言，於輸入埠103連接有流路175。於與輸入埠103相反側的流路175的端部設置有緩衝空間176，緩衝空間176係以流路剖面積急速擴大之方式所形成。
而且，緩衝空間176與處理空間SP係經由流路177連通。流路177係具有上下方向(Z方向)狹窄且水平方向(X方向)長的寬度寬的剖面形狀，剖面形狀係在處理流體的流通方向中略一定。與緩衝空間176相反側的流路177的端部係成為面向處理空間SP呈開口的噴出口178，處理流體係從噴出口178被導入至處理空間SP內。
較佳為，流路177的高度係與處理空間SP的底面和支撐托盤15的下表面之間的距離相等。而且，噴出口178係面向處理空間SP的底面與支撐托盤15的下表面之間的空隙呈開口。例如，能將流路177的底面與處理空間SP的底面作成同一平面。亦即，噴出口178係開口成面向處理空間SP且於水平方向細長的縫狀。
較佳為，在Z方向中流路171的配設位置與流路173的配置位置不同。在兩者處於相同高度時，從流路171流入至緩衝空間172的處理流體的一部分係直接前行地流入至流路173。如此，在與流通方向正交之流路的寬度方向中亦即X方向中，會有在與流路171對應的位置以及此位置以外的位置處於流入至流路173的處理流體以及流速產生差異之虞。此問題係使從流路173流入至處理空間SP的處理流體的流動產生X方向的不均勻性而成為亂流的原因。
將流路171與流路173在Z方向錯開地配置，藉此變得難以產生此種從流路171朝流路173的處理流體的直行，從而能夠在寬度方向中將處理流體作為均勻的層流導入至處理空間SP。
從以此種方式構成的導入流路17被導入的處理流體係在處理空間SP內沿著從支撐托盤15的上表面以及下表面流動，經由以下述方式構成的流路18朝腔室外排出。在比基板S還靠近(－Y)側中，處理空間SP的頂面與支撐托盤15的上表面151皆作成水平的平面，兩者保持一定的空隙且平行地對向。該空隙係作為上側流路181而發揮作用，上側流路181係將沿著支撐托盤15的上表面151以及基板S的表面Sa流動的處理流體導引至後述的排出流路。亦即，上側流路181係具有上下方向(Z方向)狹窄且水平方向(X方向)長的寬度寬的剖面形狀。
上側流路181中之與處理空間SP相反側的端部係連接於緩衝空間182。雖然詳細構造係於後面說明，然而緩衝空間182為被腔室100、蓋部14以及密封構件16圍繞的空間。X方向中的緩衝空間182的寬度係與上側流路181的寬度同等或者比上側流路181的寬度還大，Z方向中的緩衝空間182的高度係比上側流路181的高度還大。因此，緩衝空間182係具有比上側流路181還大的流路剖面積。
於緩衝空間182的上部連接有排出流路183。排出流路183為貫通第一構件11而設置的貫通孔，第一構件11為用以構成腔室100之上部區塊。排出流路183的上端係構成於腔室100的上表面呈開口之輸出埠104，排出流路183的下端係面向緩衝空間182呈開口。
同樣地，處理空間SP的底面與支撐托盤15的下表面皆作成水平的平面，兩者保持一定的空隙且平行地對向。該空隙係作為下側流路185而發揮作用，下側流路185係將沿著支撐托盤15的下表面流動的處理流體導引至排出流路。亦即，下側流路185係具有上下方向(Z方向)狹窄且水平方向(X方向)長的寬度寬的剖面形狀。
下側流路185中之與處理空間SP相反側的端部係連接於緩衝空間186。與緩衝空間182同樣地，緩衝空間186被腔室100、蓋部14以及密封構件16圍繞的空間。X方向中的緩衝空間186的寬度係與下側流路185的寬度同等或者比下側流路185的寬度還大，Z方向中的緩衝空間186的高度係比下側流路185的高度還大。因此，緩衝空間186係具有比下側流路185還大的流路剖面積。
於緩衝空間186的下部連接有排出流路187。排出流路187為貫通第二構件12而設置的貫通孔，第二構件12為用以構成腔室100之下部區塊。排出流路187的下端係構成於腔室100的下表面呈開口之輸出埠105，排出流路187的上端係面向緩衝空間186呈開口。
在處理空間SP中於支撐托盤15的上方流動之處理流體係經由上側流路181、緩衝空間182以及排出流路183朝輸出埠104被送出。輸出埠104係藉由配管551連接於流體回收部55，於配管551的中途夾設有閥552。
同樣地，在處理空間SP中於支撐托盤15的下方流動之處理流體係經由下側流路185、緩衝空間186以及排出流路187朝輸出埠105被送出。輸出埠105係藉由配管553連接於流體回收部55，於配管553的中途夾設有閥554。
閥552、554係被控制單元90控制。當因應來自控制單元90的控制指令開放閥552、554時，處理空間SP內的處理流體係經由配管551、553被回收至流體回收部55。
如圖2A以及圖2C所示，從流體供給部57朝輸入埠102壓送而至的處理流體係經由流路171被釋放至屬於較大空間的緩衝空間172。即使在流體作為液體被供給之情形中，仍然會有因為流路上的壓力損失的變動等導至流體在流路內氣化並膨脹之情形。當此種急速的膨脹在基板S的附近產生時，會有於基板S造成損傷之虞。
為了避免此種問題，預先於到達至處理空間SP的流路171的一部分設置壓力損失大幅變動之部分，可能產生的氣化、膨脹係在此部分處產生。設置有緩衝空間172作為此種用途的空間。此外，緩衝空間172亦具有作為歧管(manifold)的作用，該歧管係用以將於管狀的流路171流通的流體整流成能夠薄層狀地供給至處理空間SP。緩衝空間176的功能亦同樣。
如圖2A中以虛線箭頭示意性地所示，從緩衝空間172經由具有一定的流路剖面積的流路173並從噴出口174被供給至處理空間SP之處理流體係作為維持一定寬度以及一定厚度的層流通過基板表面Sa的上方。同樣地，從緩衝空間176經由具有一定的流路剖面積的流路177並從噴出口178被供給至處理空間SP之處理流體係作為維持一定寬度以及一定厚度的層流沿著支撐托盤15的下表面流動。
已通過基板S的周圍之處理流體係經由上側流路181以及下側流路185進一步地朝下游側流動。由於在此流路的剖面形狀亦維持成大致相同，因此保持層流的狀態。於上側流路181以及下側流路185流動的處理流體係被釋放至緩衝空間182、186後，經由排出流路183、187朝腔室外排出。如此，在處理空間SP內的處理流體係於一方向流動，具體而言於(－Y)方向流動。因此，避免在基板S的周圍產生處理流體的亂流。
當從開口部101觀看處理空間SP時，如圖2C中以虛線箭頭示意性地所示，處理流體係在處理空間SP內從基板S的(＋Y)側(裏側)朝向(－Y)側(前方側)作為略均勻的連續的層流而流動。從處理空間SP的裏側常態地供給有潔淨的處理流體，通過基板S的周圍之處理流體係朝下游側亦即開口部101側流動。因此能防止下述情形：從基板S游離的殘留液體成分等係與處理流體一起朝一方向被沖流至開口部101，並被基板S的周圍的亂流搬運並再次附著於基板S。
如圖2A所示，於在X方向細長地延伸的緩衝空間182的兩端部各者的附近設置有一對排出流路183、183。如圖2B所示，較佳為面向緩衝空間182的排出流路183、183的開口係設置於比被收容於處理空間SP的基板S的X方向中的兩端部還外側。此理由係於後面詳細說明。
圖3A至圖3C係例示腔室的開口部周邊的構造之圖。更具體而言，圖3A係顯示腔室100的開口部101之外觀圖。此外，為了容易觀看並顯示腔室100的內部構造，圖3B係從圖3A省略密封構件16以及第一構件11與第二構件12之間的交界線的圖示，取而代之的是藉由隱藏線(虛線)顯示在圖3A中被隱藏的構造。
如這些圖所示，於腔室100的(－Y)側端面安裝有環狀的密封構件16，於被密封構件16圍繞的內部區域設置有開口部101。更具體而言，於用以構成腔室100之第一構件11、第二構件12的(－Y)側端面設置有表面已後退至(＋Y)側的凹部111、121。而且，於第一構件11的凹部111的下端的(－Y)方向突出地設置有鍔狀的間隔壁112，間隔壁112係上下方向(Z方向)薄且X方向中的寬度與處理空間SP的寬度相同或者比處理空間SP的寬度稍大。此外，於第二構件12的凹部121的上端的(－Y)方向突出地設置有鍔狀的間隔壁122，間隔壁122係上下方向(Z方向)薄且X方向中的寬度與處理空間SP的寬度相同或者比處理空間SP的寬度稍大。
隔壁112、112的(－Y)側前端部與凹部111、112的(－X)側以及(＋X)側端面係形成開口部101。間隔壁112的下表面係作成與處理空間SP的頂面同一平面，間隔壁122的上表面係作成與處理空間SP的底面同一平面。亦即，被間隔壁112、122夾著的空間係成為連通於開口部101之處理空間SP的(－Y)側端部。如此，間隔壁112係成為用以將凹部111內分隔成處理空間SP以及與處理空間SP的上方鄰接的上部空間之間隔壁，而間隔壁122係成為用以將凹部121內分隔成處理空間SP以及與處理空間SP的下方鄰接的下部空間之間隔壁。
間隔壁112上方的上部空間係被蓋部14封閉(－Y)側開口，藉此形成緩衝空間182。此外，間隔壁122下方的下部空間係被蓋部14封閉(－Y)側開口，藉此形成緩衝空間186。於凹部111的上表面的X方向兩端部附近連接有排出流路183、183。排出流路183、183係連通於設置在第一構件11的上表面的輸出埠104、104。此外，於凹部121的下表面的X方向兩端部附近連接有排出流路187、187。排出流路187、187係連通於設置在第二構件12的下表面的輸出埠105、105。
圖4係示意性地顯示被導入至處理空間的處理流體的流動之剖視圖。基板S的上方的處理流體的流動係如下述。箭頭係示意性地顯示處理流體的流動的方向。被壓送至流路171的處理流體係藉由在緩衝空間172中被釋放至寬廣的空間從而被調整壓力後，通過上下方向狹窄且水平方向寬廣的流路173從噴出口174被導入至處理空間SP。
由於在處理空間SP的頂面與基板S(支撐托盤15)之間的空隙空間與流路173以及噴出口174之間處剖面形狀大致相等，因此處理流體係在保持層流的狀態下直接從流路173流動至處理空間SP。因此，處理流體係作為沿著基板表面Sa之層流進一步朝下游側亦即(＋Y)側流動。在基板S(支撐托盤15)的下方亦同樣地，被壓送至流路175的處理流體係經由緩衝空間176以及流路177從噴出口178被導入至處理空間SP並作為層流於支撐托盤15的下方流動。
圖5係示意性地顯示從處理空間排出的處理流體的流動之剖視圖。基板S的上方的處理流體的流動係如下述。箭頭係示意性地顯示處理流體的流動的方向。在蓋部14封閉開口部101且於處理空間SP收容有載置了基板S的支撐托盤15的狀態下，於處理空間SP內的(－Y)方向流動的處理流體係藉由蓋部14將流通方向改變成上下方向，並經由緩衝空間182、186以及排出流路183、187最後朝腔室外排出。
沿著基板表面Sa流動的處理流體係在維持層流的狀態下直接於形成在處理空間SP的頂面與支撐托盤15之間的上側流路181朝(－Y)方向流動。而且，碰觸到蓋部14的(＋Y)側側面並將流通方向改變成朝向上方且流入至緩衝空間182。在緩衝空間182中，處理流體係於(＋Y)方向流動並經由連接於上部的排出流路183朝外部排出。亦即，從上側流路181流入至緩衝空間182時，處理流體的流通方向係反轉。進一步地，從緩衝空間182至排出流路183之間流路的方向亦90度改變。
如此，已通過上側流路181的處理流體係一邊改變流通方向一邊最終地朝腔室外排出。在從流路剖面積小的上側流路181流入至流路剖面積大的緩衝空間182時，處理流體係被解放壓力且洶湧地流入至緩衝空間182。而且，此時，流通方向被改變，從緩衝空間182觀看的上側流路181的流路阻抗變大。因此，雖然在緩衝空間182中會發生處理流體的漩渦，然而處理流體不會對抗高壓噴出的流動而逆流至狹窄的上側流路181。如圖2A所示，緩衝空間182係於X方向長長地延伸，具體而言X方向中的寬度係與上側流路181的寬度相同或者比上側流路181的寬度稍大。
如圖5所示，緩衝空間182係藉由蓋部14封閉凹部111的開口面而形成，凹部111係設置於用以構成腔室100的上部之第一構件11的(－Y)側端面。緩衝空間182為被第一構件11、蓋部14以及密封構件16圍繞之空間，於第一構件11與蓋部14之間的間隙夾設有密封構件16。因此，密封構件16的一部分係露出於緩衝空間182，用以填滿緩衝空間182之處理流體係不可避免地接觸至密封構件16。在密封構件16為橡膠製之情形中，會有有機物成分溶出並作為雜質混入於處理流體之情形。
如虛線箭頭所示，在緩衝空間182內會產生下述流動：一部分的處理流體係流入至蓋部14與第一構件11之間的間隙，接觸至密封構件16並再次返回至緩衝空間182。由於從上側流路181流入至緩衝空間182時處理流體的流通方向被改變成朝向上方，因此反而容易變成積極地產生將處理流體送入至密封構件16側此種流動。
因此，從密封構件16混入的雜質係在已混入至緩衝空間182內的處理流體的狀態下從密封構件16被抽離，並與處理流體一起從緩衝空間182被排出。如此，在密封構件16的周邊中，由於難以引起包含雜質的處理流體的滯留，因此避免雜質的濃度逐漸地上升。此外，緩衝空間182內的處理流體係朝外部排出而不會逆流至上側流路181。藉此，有效地防止從密封構件16游離的雜質附著於處理空間SP內的基板S導致污染基板S。
為了有效地防止處理流體從緩衝空間182朝上側流路181逆流，在上側流路181與緩衝空間182之間的連接部分處流路剖面積急速地變動乃是有效的方式。亦即，較佳為處理流體的流路的剖面積以及形狀直至到達至緩衝空間182為止皆盡可能地一定。為了實現此種期望，較佳為在蓋部14封閉開口部101的狀態下的間隔壁112、122與蓋部14之間的空隙亦即隔壁112、122的(－Y)側前端部與蓋部14的(＋Y)側主表面之間的距離係比上側流路181的高度亦即處理空間SP的頂面與支撐托盤15的上表面151之間的距離同等。
針對於支撐托盤15的下方流動的處理流體亦同樣地，從形成於支撐托盤15的下表面與處理空間SP的底面之間的下側流路185對緩衝空間186釋放處理流體，藉此防止處理流體朝下側流路185逆流。而且，從密封構件16游離並混入至緩衝空間186的雜質係與處理流體一起從排出流路187朝外部排出。藉此，防止從密封構件16產生的雜質進入至處理空間SP導致污染基板S。
作為混入至處理流體之雜質，雖然如上述般從密封構件16產生，然而例如亦有可能在搬入基板S時從外部飛來並附著於開口部101以及蓋部14等。在實施形態對於此種雜質所導致的基板S的污染的問題亦有效。此原因在於：由於從開口部101觀看從比基板S還裏側供給處理流體且在處理空間SP內處理流體的流動被限制成朝向正前方側的一方向，因此即使在開口部101的周邊雜質混入至處理流體，亦仍防範未然地避免雜質逆流至處理空間SP並附著於基板S。
如圖2A以及圖3B所示，用以從緩衝空間182(186)排出處理流體之排出流路183(187)係連接於緩衝空間182(186)的X方向中的兩端部。一邊參照圖6A至圖6B一邊說明此理由。
圖6A至圖6B係示意性地顯示排出流路的位置與處理流體的流動之間的關係之圖。本案發明人係進行模擬實驗而獲得下述的見解，該模擬實驗係使排出流路183(187)相對於緩衝空間182(186)的連接位置分別設定成各種不同的連接位置並解析處理流體的流動。此外，從在處理空間SP中形成均勻的層流之觀點來看，排出流路的配置係以在X方向中(亦即相對於YZ平面)具有對稱性為前提。
如圖6A中以箭頭所示，處理流體係作為均勻的層流於處理空間SP內朝(－Y)方向流動，並從上側流路181(下側流路185)經由緩衝空間182(186)流入至排出流路183(187)。在排出流路183(187)連接於緩衝空間182(186)的X方向中的兩端部時，在緩衝空間182(186)內的處理流體的流動係在X方向中的兩側分散。因此，從至少上側流路181(下側流路185)流入至緩衝空間182(186)為止，處理流體係在X方向中被維持成大致均勻的流動。
另一方面，作為比較例，在排出流路配置於更中央側之情形中，亦即例如圖6B所示的排出流路P之情形中，經由緩衝空間182(186)朝向排出流路P之處理流體的流動係集中於中央部。因為此種影響，在上側流路181(下側流路185)中亦產生朝向中央側之處理流體的流動。此情形會成為處理空間SP內的亂流的原因。
此外，處理流體集中於中央方向，從而在圖6B中附上網點所顯示的緩衝空間182(186)的X方向中的兩端部附近產生處理流體的滯留。如上所述，緩衝空間182(186)內的處理流體會包含從基板S、密封構件16游離的雜質。包含此種雜質的處理流體的滯留以及在處理空間SP處的層流的吝亂係成為使雜質附著於基板S導致污染基板S之風險上升的原因。即使將排出流路P配置於複數個部位使流動分散，當配置成形成有處理流體朝向中央側般的流動時，在使層流吝亂之點上亦存在同樣的風險。
將排出流路183(187)配置於緩衝空間182(186)的兩端部附近，藉此解決此種問題。如圖2B所示，在處理空間SP內之比基板S的X方向端部還靠近X方向的外側處開口有排出流路183(187)係尤其有效。藉此作成種構成，能夠避免於沿著基板S流動的處理流體產生亂流，亦能夠有效地防止因為亂流搬運的雜質的附著。
此外，以上已說明了用以分隔處理空間SP與緩衝空間182(186)之間隔壁112(122)與用以構成處理腔室100之第一構件11(第二構件12)一體性地形成之構成。更實際地，能夠以下述構造設置間隔壁。
圖7A至圖7B係例示處理腔室的開口部周邊的其他構造之圖。更具體而言，圖7A係顯示此例的處理腔室100a的開口部周邊之分解組裝圖，圖7B係顯示開口部周邊的剖面構造之圖。此外，在圖7A與圖7B以及對應的說明中，對具有實質性與圖3A所顯示的構造相同功能的構造附上相同的元件符號並省略詳細的說明。
在處理腔室100a中，於處理腔室100a的(－Y)側側面設置有表面已後退至(＋Y)側之凹部101a。於凹部101a的中央部設置有連通於處理空間SP之開口部101b。藉由固定螺絲113a於開口部101b的上部固定連結有間隔壁形成構件112a，間隔壁形成構件112a為剖面略L字形的角(angle)狀構件且與腔室100a獨立地形成。同樣地，藉由固定螺絲123a於開口部101b的下部固定連結有間隔壁形成構件122a。
如圖7B所示，即使藉由此種構造，亦能夠實現連通於處理空間SP之開口部101與設置於處理空間SP的上下之凹部111、121被間隔壁112、122分隔的構造。
如上述所說明般，在此實施形態中，主要藉由第一構件11至第三構件13所構成的處理腔室100係作為本發明的「腔室」而發揮作用。此外，支撐托盤15係作為本發明的「基板保持部」而發揮作用，開口部101係相當於本發明的「開口部」。
此外，流路17係相當於本發明的「導入流路」，上側流路181、緩衝空間182以及排出流路183係作為本發明的「上側流路」、「緩衝空間」以及「排出流路」而發揮作用。另一方面，下側流路185、緩衝空間186以及排出流路187係相當於本發明的「下側流路」、「下側緩衝空間」以及「下側排出流路」。
此外，本發明並未限定於上述實施形態，在未脫離本發明的精神範圍內除了上述實施形態之外能夠進行各種變更。例如，在上述實施形態的基板處理裝置1中，用以將處理流體導入至處理空間SP之流路(導入流路)17係被區分成用以對支撐托盤15的上表面側供給處理流體之流路以及用以對支撐托盤15的下表面側供給處理流體之流路。然而，針對上述排出側的流路構成以及排出側所達成的功能係與供給側的流路的構成獨立地設置。亦即，導入流路的構成並未限定成上述實施形態。
此外，在上述實施形態中，蓋部14(經由密封構件16)封閉設置於處理腔室100的側面的凹部111、121，藉此形成有緩衝空間182、186。然而，此凹部亦可設置於蓋部14。
此外，在上述實施形態中，已通過支撐托盤15的上表面側之處理流體的排出路徑與已通過支撐托盤15的下表面側之處理流體的排出路徑係成為相同的構造。然而，從防止處理流體的逆流導致雜質朝基板S附著之目的來看，只要在至少處理流體接觸至基板S之支撐托盤15的上表面側處採用上述般的逆流防止構造即可。因此，通過支撐托盤15的下表面側之處理流體的排出亦能夠從與上述構造不同的構造的路徑排出。
此外，在上述實施形態的處理所使用的各種化學物質係顯示一部分的例子，只要與上述本發明的技術思想吻合，則能夠使用各種化學物質來取代。
以上，如例示地說明具體的實施形態般，本發明的基板處理裝置亦可構成為在上側流路與緩衝空間之間的連接部中處理流體的流通方向係90度以上變化。依據此種構成，由於從緩衝空間觀看時的上側流路的流路阻抗變大，因此更提升逆流防止功效。
此外，例如亦可為下述構造：於設置有開口部的腔室的側面中的開口部的上方形成有比開口部的開口面還後退的凹部，配置於比凹部還上方的密封構件與蓋部係封閉凹部並形成緩衝空間。依據此種構成，於上側流路流動的處理流體係接觸至開口部的周圍以及封閉開口部的周圍的蓋部並朝外部排出。因此，例如即使是從外部入侵並附著於開口部的周圍之雜質亦能夠朝外部排出而不會逆流至上側流路。
在此情形中，例如亦可構成為：在水平方向中凹部的寬度為開口部的開口寬度以上。依據此種構成，由於封閉凹部所形成的緩衝空間的寬度變成為上側流路的寬度以上，因此能增大從緩衝空間觀看的上側流路的流路阻抗從而進一步地提高逆流防止功效。
再者，亦可為處理空間與凹部係被水平的平板狀的間隔壁分隔之構造。依據此種構成，間隔壁與基板保持部之間的間隙係作為上側流路而發揮作用，另一方向被凹部與間隔壁圍繞的空間係作為緩衝空間而發揮作用。如此，能藉由較簡單的構造實現從上側流路朝緩衝空間的連接。
在此情形中，間隔壁的前端與蓋部之間的間隙的大小亦可與處理空間的頂面與基板保持部的上表面之間的空隙的大小相等。依據此種構成，從上側流路至間隔壁的前端與蓋部之間的間隙為止的流路的剖面積係變成略一定，能將直至間隔壁的前端為止視為實質性的上側流路。而且，能將從上側流路朝緩衝空間之連接部中的流路剖面積的變化增大，從而將上側流路與緩衝空間之間的流路阻抗的差異設定成顯著。
此外，例如亦可為：在處理空間內之比基板還靠近開口部側處形成流路剖面形狀為一定的下側流路，下側流路係基板保持部的下表面與處理空間的底面隔著空隙彼此平行地對向且用以使已通過基板的下方的處理流體通過；下側流路係被蓋部、腔室以及密封構件圍繞而形成，並連接於流路剖面積比下側流路還大的下側緩衝空間；於下側緩衝空間連接有用以將處理流體朝腔室外排出之下側排出流路。依據此種構成，針對通過基板保持部的下側之處理流體亦能獲得逆流防止功效。
此外，在本發明中處理流體亦可為超臨界流體。超臨界狀態的處理流體係具有下述能力：與各種液體相比表面張力極低，即使為形成有例如細微圖案的基板亦能效率佳地置換並去除殘留於圖案內部的液體等。此外，不經由液相地從超臨界狀態氣化，藉此能防止因為暴露於氣液界面導致圖案崩壞。
本發明係能應用於使用導入至腔室內的處理流體來處理基板之所有的基板處理裝置。尤其，能應用於使用了高壓流體的處理，例如能應用於藉由超臨界流體使半導體基板等基板乾燥之基板乾燥處理。
1:基板處理裝置 10:處理單元 11:第一構件 12:第二構件 13:第三構件 14:蓋部 15:支撐托盤(基板保持部) 16:密封構件 17,18,171,173,175,177:流路 50:供給單元 53:進退機構 55:流體回收部 57:流體供給部 90:控制單元 91:CPU 92:記憶體 93:儲存器 94:介面 100,100a:腔室 101,101b:開口部 101a,111,121,152:凹部 102,103,104,105:輸入埠 112,122:間隔壁 112a,122a:間隔壁形成構件 113a.123a:固定螺絲 151:上表面 172,176,182:緩衝空間 174,178:噴出口 181:上側流路 183:排出流路 185:下側流路 186:緩衝空間(下側緩衝空間) 187:排出流路(下側流出流路) 551,553,571:配管 552,554,572,573:閥 P:排出流路 S:基板 Sa:基板表面(表面) SP:處理空間
[圖1]係顯示本發明的基板處理裝置的實施形態之一的概略構成之圖。 [圖2A]係示意性地顯示處理流體的流路之圖。 [圖2B]係示意性地顯示處理流體的流路之圖。 [圖2C]係示意性地顯示處理流體的流路之圖。 [圖3A]係例示腔室的的開口部周邊的構造之圖。 [圖3B]係例示腔室的的開口部周邊的構造之圖。 [圖4]係示意性地顯示被導入至處理空間的處理流體的流動之剖視圖。 [圖5]係示意性地顯示從處理空間排出的處理流體的流動之剖視圖。 [圖6A]係示意性地顯示排出流路的位置與處理流體的流動之間的關係之圖。 [圖6B]係示意性地顯示排出流路的位置與處理流體的流動之間的關係之圖。 [圖7A]係例示處理腔室的開口部周邊的其他的構造之圖。 [圖7B]係例示處理腔室的開口部周邊的其他的構造之圖。
1:基板處理裝置
10:處理單元
11:第一構件
12:第二構件
13:第三構件
14:蓋部
15:支撐托盤(基板保持部)
16:密封構件
17,18,175,177:流路
50:供給單元
53:進退機構
55:流體回收部
57:流體供給部
90:控制單元
91:CPU
92:記憶體
93:儲存器
94:介面
100:腔室
101:開口部
102,103,105:輸入埠
151:上表面
176,182:緩衝空間
178:噴出口
181:上側流路
183:排出流路
185:下側流路
186:緩衝空間(下側緩衝空間)
187:排出流路(下側流出流路)
551,553,571:配管
552,554,572,573:閥
S:基板
Sa:基板表面(表面)
SP:處理空間

Claims (8)

  1. 一種基板處理裝置，係藉由處理流體處理基板的表面，並具備： 平板狀的基板保持部，係能夠以水平姿勢將前述基板載置於上表面； 腔室，係於內部具有處理空間且於側面具有開口部，前述處理空間係能夠收容載置有前述基板的前述基板保持部，前述開口部係連通至前述處理空間並能夠供前述基板保持部通過；以及 蓋部，係經由密封構件抵接至前述腔室並封閉前述開口部； 前述基板保持部係突出設置於前述蓋部的前述腔室側側面，前述蓋部係在已使前述基板保持部進入至前述處理空間之狀態下封閉前述開口部； 於前述腔室設置有用以從前述腔室外承接前述處理流體並導入至前述處理空間之導入流路，前述導入流路係從前述開口部觀看在前述處理空間內之比前述基板還裏側處於前述處理空間呈開口； 在前述處理空間內之比前述基板還靠近前述開口部側處形成流路剖面形狀為一定的上側流路，前述上側流路係前述處理空間的頂面與前述基板保持部的上表面隔著空隙彼此平行地對向且使已通過前述基板的上方的前述處理流體流通； 前述上側流路係藉由被前述蓋部、前述腔室以及前述密封構件圍繞而形成並連接於流路剖面積比前述上側流路還大的緩衝空間； 於前述緩衝空間連接有用以將前述處理流體朝前述腔室外排出之排出流路。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中在前述上側流路與前述緩衝空間之間的連接部中前述處理流體的流通方向係90度以上變化。
  3. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中於設置有前述開口部的前述腔室的側面中的前述開口部的上方形成有比前述開口部的開口面還後退的凹部，配置於比前述凹部還上方的前述密封構件與前述蓋部係封閉前述凹部並形成前述緩衝空間。
  4. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中在水平方向中，前述凹部的寬度為前述開口部的開口寬度以上。
  5. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中前述處理空間與前述凹部係被水平的平板狀的間隔壁分隔。
  6. 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中前述間隔壁的前端與前述蓋部之間的間隙的大小係與前述處理空間的頂面與前述基板保持部的上表面之間的空隙的大小相等。
  7. 如請求項1至6中任一項所記載之基板處理裝置，其中在前述處理空間內之比前述基板還靠近前述開口部側處形成流路剖面形狀為一定的下側流路，前述下側流路係前述基板保持部的下表面與前述處理空間的底面隔著空隙彼此平行地對向且使已通過前述基板的下方的前述處理流體流通； 前述下側流路係藉由被前述蓋部、前述腔室以及前述密封構件圍繞而形成並連接於流路剖面積比前述下側流路還大的下側緩衝空間； 於前述下側緩衝空間連接有用以將前述處理流體朝前述腔室外排出之下側排出流路。
  8. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述處理流體為超臨界流體。
TW110111705A 2020-04-02 2021-03-31 基板處理裝置 TWI779541B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-066516 2020-04-02
JP2020066516A JP7386120B2 (ja) 2020-04-02 2020-04-02 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202141613A true TW202141613A (zh) 2021-11-01
TWI779541B TWI779541B (zh) 2022-10-01

Family

ID=77922013

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110111705A TWI779541B (zh) 2020-04-02 2021-03-31 基板處理裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11955350B2 (zh)
JP (1) JP7386120B2 (zh)
KR (1) KR102439644B1 (zh)
CN (1) CN113496921A (zh)
TW (1) TWI779541B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210313198A1 (en) * 2020-04-02 2021-10-07 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08189768A (ja) * 1994-11-07 1996-07-23 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 蒸気乾燥装置、それを組込んだ洗浄装置および蒸気乾燥方法
JP3135209B2 (ja) 1996-02-22 2001-02-13 シャープ株式会社 半導体ウェハの洗浄装置
US6602348B1 (en) * 1996-09-17 2003-08-05 Applied Materials, Inc. Substrate cooldown chamber
DE10131905B4 (de) 2001-07-04 2005-05-19 Wampfler Aktiengesellschaft Vorrichtung zur induktiven Übertragung elektrischer Energie
US6905585B2 (en) * 2002-09-11 2005-06-14 Temple University Of The Commonwealth System Of Higher Education Automated system for high-throughput electrophoretic separations
US7392815B2 (en) * 2003-03-31 2008-07-01 Lam Research Corporation Chamber for wafer cleaning and method for making the same
JP3940095B2 (ja) 2003-05-08 2007-07-04 忠弘 大見 基板処理装置
JP4499604B2 (ja) * 2005-04-22 2010-07-07 エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社 超臨界処理方法
JP2007149866A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Elpida Memory Inc 半導体シリコン基板の製造方法およびその製造装置
JP2008073611A (ja) 2006-09-21 2008-04-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 高圧処理装置
JP5708506B2 (ja) 2011-04-20 2015-04-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置
KR101874901B1 (ko) * 2011-12-07 2018-07-06 삼성전자주식회사 기판 건조 장치 및 방법
KR101501362B1 (ko) * 2012-08-09 2015-03-10 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치 및 기판처리방법
JP6131162B2 (ja) * 2012-11-08 2017-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP5941491B2 (ja) 2014-03-26 2016-06-29 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びにプログラム
JP6279954B2 (ja) * 2014-03-28 2018-02-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2016025233A (ja) * 2014-07-22 2016-02-08 株式会社東芝 基板処理装置、及び基板処理方法
US10119191B2 (en) * 2016-06-08 2018-11-06 Applied Materials, Inc. High flow gas diffuser assemblies, systems, and methods
JP2018082043A (ja) * 2016-11-16 2018-05-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102375985B1 (ko) * 2017-05-16 2022-03-21 주식회사 케이씨텍 기판 처리용 챔버
KR102358561B1 (ko) 2017-06-08 2022-02-04 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치
JP6840036B2 (ja) 2017-06-09 2021-03-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
TWI756475B (zh) * 2017-10-06 2022-03-01 日商東京威力科創股份有限公司 抑制粒子產生之方法及真空裝置
JP2021163916A (ja) * 2020-04-02 2021-10-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7386120B2 (ja) * 2020-04-02 2023-11-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210313198A1 (en) * 2020-04-02 2021-10-07 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US11955350B2 (en) * 2020-04-02 2024-04-09 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR102439644B1 (ko) 2022-09-02
JP2021163915A (ja) 2021-10-11
JP7386120B2 (ja) 2023-11-24
US20210313198A1 (en) 2021-10-07
US11955350B2 (en) 2024-04-09
TWI779541B (zh) 2022-10-01
CN113496921A (zh) 2021-10-12
KR20210123229A (ko) 2021-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202141613A (zh) 基板處理裝置
TW202141665A (zh) 基板處理裝置
WO2021171810A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI754309B (zh) 基板處理裝置
TWI814148B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI758758B (zh) 基板處理裝置
US20230066729A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
WO2023119964A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2024045870A (ja) 基板処理装置
KR20230016595A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2000183021A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent